RU2277735C1 - Gas panel - Google Patents
Gas panel Download PDFInfo
- Publication number
- RU2277735C1 RU2277735C1 RU2004138343/28A RU2004138343A RU2277735C1 RU 2277735 C1 RU2277735 C1 RU 2277735C1 RU 2004138343/28 A RU2004138343/28 A RU 2004138343/28A RU 2004138343 A RU2004138343 A RU 2004138343A RU 2277735 C1 RU2277735 C1 RU 2277735C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dielectric
- barriers
- dielectric barriers
- refractory filler
- conductors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП).The invention relates to electronic equipment and can be used in the manufacture of gas discharge indicator panels (GUI).
Известна ГИП, содержащая две диэлектрические пластины с ортогонально ориентированными и взаимно совмещенными системами выступов и пазов, выполненных методом фрезерования, ячейки индикации, образованные в перекрестьях проволочных анодов и катодов, расположенных в пазах (Авт. свид. №533996, H 01 J 17/48, 1976 г.).A well-known ISU containing two dielectric plates with orthogonally oriented and mutually aligned systems of protrusions and grooves made by the milling method, display cells formed at the crosshairs of wire anodes and cathodes located in grooves (Auth. Certificate. No. 533996, H 01 J 17/48 , 1976).
Недостатком данной ГИП является высокая трудоемкость и технологическая сложность обеспечения нормируемого межэлектродного расстояния.The disadvantage of this GUI is the high complexity and technological complexity of providing a normalized interelectrode distance.
Известна ГИП, содержащая верхнюю диэлектрическую пластину и нижнюю диэлектрическую пластину, на которой сформированы взаимноортогональные диэлектрические барьеры из материала, включающего алунд и легкоплавкое стекло (ЛПС), ячейки, образованные в перекрестьях проволочных электродов, расположенных на диэлектрических барьерах ортогонально им (Пат. РФ №2214017, H 01 J 9/02, 2003 г.).Known HIP, containing the upper dielectric plate and the lower dielectric plate, on which mutually orthogonal dielectric barriers are formed from a material including alundum and low-melting glass (LPS), cells formed at the crosshairs of wire electrodes located on dielectric barriers orthogonal to them (Pat. RF No. 2214017 H 01 J 9/02, 2003).
Недостатком данной ГИП является сложность технологического процесса изготовления, связанная с юстировкой элементов конструкции.The disadvantage of this GUI is the complexity of the manufacturing process associated with the alignment of structural elements.
Кроме того, при наматывании проволочных проводников на диэлектрические барьеры, сформированные методом трафаретной печати, в процессе термообработок наблюдается сильное углубление проволочных проводников в крайние диэлектрические барьеры, приводящее к уменьшению межэлектродного расстояния.In addition, when winding wire conductors on dielectric barriers formed by the screen printing method, during heat treatment, a strong deepening of wire conductors in the extreme dielectric barriers is observed, leading to a decrease in the interelectrode distance.
Наиболее близкой к заявленному изобретению является ГИП, содержащая первую диэлектрическую пластину и вторую диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой расположены диэлектрические барьеры из материала, включающего тугоплавкий наполнитель и ЛПС с температурой деформации tд1, ячейки индикации, образованные в перекрестьях первых проводников, расположенных между диэлектрическими барьерами, и вторых проводников, размещенных на диэлектрических барьерах (Пат. РФ №2236058, H 01 J 17/49, 2004 г. - прототип).Closest to the claimed invention is a GUI containing a first dielectric plate and a second dielectric plate, on the inner surface of which there are dielectric barriers made of a material including a refractory filler and LPS with a deformation temperature t d1 , indication cells formed at the crosshairs of the first conductors located between the dielectric barriers, and second conductors placed on dielectric barriers (US Pat. RF No. 2236058, H 01 J 17/49, 2004 - prototype).
Недостатком данной ГИП является большая вероятность углубления проволочных проводников в крайние диэлектрические барьеры в процессе термообработок из-за незначительной разницы между температурой деформации ЛПС в составе материала диэлектрических барьеров и предельно допустимых разбросов температур в технологическом оборудовании, а также отсутствие возможности унификации технологических режимов.The disadvantage of this GUI is the high likelihood of deepening the wire conductors to extreme dielectric barriers during heat treatment due to the insignificant difference between the deformation temperature of the LPS in the composition of the material of the dielectric barriers and the maximum allowable temperature dispersion in the technological equipment, as well as the lack of the possibility of unification of technological modes.
В результате этого межэлектродное расстояние в крайних ячейках индикации уменьшается, что может привести к короткому замыканию проводников.As a result of this, the interelectrode distance in the extreme display cells decreases, which can lead to a short circuit of the conductors.
Задачей данного изобретения является создание ГИП, ячейки индикации которой выполнены с заданным межэлектродным расстоянием.The objective of the invention is the creation of the ISU, the display cell which is made with a given interelectrode distance.
Указанный технический результат достигается тем, что в известной ГИП, содержащей первую диэлектрическую пластину и вторую диэлектрическую пластину, на внутренней поверхности которой расположены диэлектрические барьеры из тугоплавкого наполнителя и ЛПС с температурой деформации tд1, ячейки индикации, образованные в перекрестьях первых проводников, расположенных между диэлектрическими барьерами, и вторых проводников, размещенных на диэлектрических барьерах, на верхнем основании диэлектрических барьеров под вторыми проводниками нанесено диэлектрическое покрытие толщиной 0,15÷0,4 высоты диэлектрических барьеров, выполненное из тугоплавкого наполнителя и ЛПС с температурой деформации tд2, равной 1,07÷1,17 tд1.The specified technical result is achieved by the fact that in the known GUI containing the first dielectric plate and the second dielectric plate, on the inner surface of which there are dielectric barriers of refractory filler and LPS with a deformation temperature t d1 , indication cells formed at the crosshairs of the first conductors located between the dielectric barriers, and second conductors located on dielectric barriers, on the upper base of the dielectric barriers under the second conductors of nan A dielectric coating with a thickness of 0.15 ÷ 0.4 of the height of the dielectric barriers made of a refractory filler and LPS with a deformation temperature t d2 equal to 1.07 ÷ 1.17 t d1 is provided .
Расположение проводников на диэлектрическом покрытии, нанесенном толщиной 0,15÷0,4 высоты диэлектрических барьеров из материала, включающего тугоплавкий наполнитель и ЛПС с температурой деформации tд2, составляющей 1,07÷1,17 температуры деформации tд1 ЛПС, входящего в состав диэлектрических барьеров, исключает размягчение материала верхней части диэлектрических барьеров и углубление в них проводников.The location of the conductors on a dielectric coating deposited with a thickness of 0.15 ÷ 0.4 of the height of the dielectric barriers made of a material including a refractory filler and LPS with a deformation temperature t d2 of 1.07 ÷ 1.17 deformation temperature t d1 LPS, which is part of the dielectric barriers, eliminates the softening of the material of the upper part of the dielectric barriers and the deepening of the conductors in them.
Если ЛПС в составе диэлектрического покрытия будет иметь tд2<1,07 tд1, то в процессе термических обработок происходит размягчение диэлектрического покрытия и углубление в него проволочных проводников в крайних диэлектрических барьерах.If the LPS in the composition of the dielectric coating will have t d2 <1.07 t d1 , then during the thermal treatments the dielectric coating softens and the wire conductors are deepened into it in the extreme dielectric barriers.
Если tд2>1,17 tд1, то в процессе термообработок не происходит раславления ЛПС диэлектрического покрытия ("остекловывания"), и в этом случае диэлектрическое покрытие имеет рыхлую структуру и низкую механическую прочность.If t d2 > 1.17 t d1 , then during the heat treatment the LPS does not melt the dielectric coating (“vitrification”), in which case the dielectric coating has a loose structure and low mechanical strength.
Для обеспечения механической прочности диэлектрического покрытия к воздействию сил натяжения проволочных проводников при размягчении диэлектрического покрытия его толщина должна составлять 0,15÷0,4 высоты диэлектрических барьеров.To ensure the mechanical strength of the dielectric coating to the effects of the tension forces of the wire conductors during softening of the dielectric coating, its thickness should be 0.15 ÷ 0.4 of the height of the dielectric barriers.
Если толщина диэлектрического покрытия менее 0,15 высоты диэлектрических барьеров, то в процессе термообработок происходит взаимная диффузия материалов диэлектрических барьеров и покрытия, их перемешивание, уменьшение толщины диэлектрического покрытия и ухудшение его механических свойств.If the thickness of the dielectric coating is less than 0.15 of the height of the dielectric barriers, then during the heat treatment there is a mutual diffusion of the materials of the dielectric barriers and the coating, their mixing, a decrease in the thickness of the dielectric coating and the deterioration of its mechanical properties.
Если толщина диэлектрического покрытия более 0,4 высоты диэлектрических барьеров, то при отжиге происходит треск диэлектрических барьеров из-за значительной разницы КЛТР ЛПС, входящих в состав диэлектрического покрытия и диэлектрических барьеров.If the thickness of the dielectric coating is more than 0.4 of the height of the dielectric barriers, then upon annealing, cracking of the dielectric barriers occurs due to the significant difference in the CTE of the LPSs that are part of the dielectric coating and dielectric barriers.
Обеспечение формоустойчивости диэлектрических барьеров и покрытия в ГИП достигается за счет изготовления их из смеси тугоплавкого наполнителя и связующего - ЛПС. Наилучшие результаты для ГИП получены в случае, если в материале ЛПС составляет 0,6÷1,5 тугоплавкого наполнителя.Ensuring the shape stability of dielectric barriers and coatings in the GUI is achieved by making them from a mixture of a refractory filler and a binder - LPS. The best results for the ISU are obtained if the LPS material is 0.6–1.5 refractory filler.
Если количество ЛПС в материалах диэлектрических барьеров и покрытии менее 0,6 от количества тугоплавкого наполнителя, то его недостаточно для полного смачивания частиц тугоплавкого материала и их сцепления в процессе оплавления. В этом случае, так как диэлектрические барьеры будут иметь рыхлую и механически непрочную структуру, то в них происходит углубление проволочных проводников при последующих термообработках.If the amount of LPS in the materials of dielectric barriers and coating is less than 0.6 of the amount of refractory filler, then it is not enough to completely wet the particles of refractory material and their adhesion during reflow. In this case, since the dielectric barriers will have a loose and mechanically unstable structure, the wire conductors are deepened in them during subsequent heat treatments.
Если количество ЛПС более 1,5 количества тугоплавкого наполнителя, то в процессе термообработок при расплавлении ЛПС происходит его усадка, что не обеспечивает формоустойчивость конструктивных элементов ГИП.If the amount of LPS is more than 1.5 the amount of refractory filler, then during the heat treatment during melting of the LPS it shrinks, which does not ensure the dimensional stability of the structural elements of the ISU.
Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентам и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяют установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволило выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.The analysis of the prior art by the applicant, including a search by patents and scientific and technical sources of information, and the identification of sources containing information about analogues of the claimed invention, allow us to establish that the applicant has not found an analogue characterized by features identical to those of the claimed invention, and a definition from the list of identified analogues of the prototype, as the closest in the totality of the features of the analogue, allowed to identify the set of essential in relation to the applicant to technical result of the characterizing features claimed in the object set forth in the claims.
Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "новизна" по действующему законодательству.Therefore, the claimed invention meets the requirement of "novelty" under applicable law.
Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых обеспечение заданного межэлектродного расстояния в ячейках индикации достигалось бы за счет формирования на верхних основаниях диэлектрических барьеров под расположенными на них проводниками диэлектрического покрытия толщиной 0,15÷0,4 высоты диэлектрических барьеров, выполненного из материала, включающего тугоплавкий наполнитель и ЛПС с температурой tд2, составляющей 1,07÷1,17 температуры tд1 ЛПС, входящего в состав материала диэлектрических барьеров, а обеспечение формоустойчивости диэлектрических барьеров - за счет использования в них и в диэлектрическом покрытии ЛПС в количестве, составляющем 0,6÷1,5 количества тугоплавкого наполнителя.To verify the conformity of the claimed invention to the requirement of the inventive step, an additional search was carried out for known solutions in order to identify features that match the distinctive features of the claimed invention, the results of which show that the claimed invention does not explicitly follow from the prior art, as it has not been identified technical solutions in which ensuring a given interelectrode distance in the indication cells would be achieved by forming on the upper bases of the dielectric barriers under the conductors of the dielectric coating with a thickness of 0.15 ÷ 0.4 of the height of the dielectric barriers made of a material including a refractory filler and LPS with a temperature t d2 of 1.07 ÷ 1.17 temperature t d1 LPS, which is part of the material of dielectric barriers, and ensuring the dimensional stability of dielectric barriers due to the use of LPS in them and in the dielectric coating in an amount of 0.6 ÷ 1.5 of the amount of refractory filler.
Заявленное изобретение поясняется чертежом,The claimed invention is illustrated in the drawing,
где представлен один из вариантов заявленной ГИП.where one of the variants of the declared ISU is presented.
ГИП включает первую (верхнюю) 1 и вторую (нижнюю) 2 диэлектрические пластины, ячейки индикации, образованные в перекрестьях проволочных анодов 3 и катодов 4, взаимноортогональные системы первых диэлектрических барьеров 5 и расположенных между проволочными анодами 3 вторых диэлектрических барьеров 6 с нанесенным на их верхнее основание диэлектрическим покрытием 7, на котором размещены проволочные катоды 4, люминофор 8, нанесенный на внутреннюю поверхность второй диэлектрической пластины между диэлектрическими барьерами 5 и 6 под проволочными анодами 3.The ISU includes the first (upper) 1 and second (lower) 2 dielectric plates, indication cells formed at the crosshairs of the wire anodes 3 and cathodes 4, mutually orthogonal systems of the first dielectric barriers 5 and the second dielectric barriers 6 located between the wire anodes 3 and deposited on their upper the base with a dielectric coating 7, on which the wire cathodes 4 are placed, a phosphor 8, deposited on the inner surface of the second dielectric plate between the dielectric barriers 5 and 6 under the wire anodes 3.
Для отображения информации в выбранных ячейках индикации возбуждают газовый разряд путем подачи импульсов напряжения на проволочные аноды 3 и катоды 4. Ультрафиолетовое излучение разряда возбуждает свечение люминофора 8.To display information in the selected display cells, a gas discharge is excited by applying voltage pulses to the wire anodes 3 and cathodes 4. The ultraviolet radiation of the discharge excites the glow of the phosphor 8.
Для получения свечения ячеек индикации с различной яркостью вводится широтно-импульсная модуляция.To obtain a glow of indication cells with different brightness, pulse-width modulation is introduced.
Пример конкретного выполненияConcrete example
ГИП постоянного тока содержит верхнюю и нижнюю диэлектрические пластины размером 193×193×2,5 мм. На нижней диэлектрической пластине сформированы взаимноортогональные первые диэлектрические барьеры высотой h1=0,32 мм с шагом 6 мм и вторые диэлектрические барьеры высотой h2=0,32 мм с шагом 2 мм. Ширина первых и вторых диэлектрических барьеров d=0,5 мм. На верхнее основание вторых диэлектрических барьеров нанесено диэлектрическое покрытие толщиной 0,1 мм. Диэлектрические барьеры выполнены из материала, включающего ЛПС - С82-5 с tд1=430±10°С и алунд, взятых в соотношении 1:1, а диэлектрическое покрытие из материала, включающего ЛПС - С71-2 с tд2=480±10°С и алунд в соотношении 1:1.The DCI ISU contains the upper and lower dielectric plates measuring 193 × 193 × 2.5 mm. Mutually orthogonal first dielectric barriers with a height of h 1 = 0.32 mm with a pitch of 6 mm and second dielectric barriers with a height of h 2 = 0.32 mm with a pitch of 2 mm are formed on the lower dielectric plate. The width of the first and second dielectric barriers is d = 0.5 mm. A 0.1 mm thick dielectric coating is applied to the upper base of the second dielectric barriers. The dielectric barriers are made of material including LPS - S82-5 with t d1 = 430 ± 10 ° C and the Alundum in the ratio 1: 1, and a dielectric coating material comprising LPS - S71-2 with t d2 = 480 ± 10 ° C and alund in a ratio of 1: 1.
Ограниченные диэлектрическими барьерами ячейки индикации образованы в перекрестьях проволочных анодов и катодов. Аноды, выполненные из проволоки 47НД диаметром 0,12 мм, намотаны между вторыми диэлектрическими барьерами над люминофорным покрытием, нанесенным на внутреннюю поверхность нижней диэлектрической пластины между первыми и вторыми диэлектрическими барьерами. Толщина люминофорного покрытия 0,07 мм.Indication cells bounded by dielectric barriers are formed at the crosshairs of wire anodes and cathodes. Anodes made of 47ND wire with a diameter of 0.12 mm are wound between the second dielectric barriers above the phosphor coating deposited on the inner surface of the lower dielectric plate between the first and second dielectric barriers. The thickness of the phosphor coating is 0.07 mm.
На расстоянии 0,28 мм от анодов и ортогонально им расположены проволочные катоды из материала 47НД диаметром 0,12 мм. Катоды размещены на диэлектрическом покрытии вторых диэлектрических барьеров ортогонально им.At a distance of 0.28 mm from the anodes and orthogonally located wire cathodes of material 47ND with a diameter of 0.12 mm. The cathodes are placed on the dielectric coating of the second dielectric barriers orthogonal to them.
ГИП наполнена смесью инертных газов Ne+30%Хе до давления 105 мм рт.ст. с парами ртути.The ISU is filled with a mixture of inert gases Ne + 30% Xe to a pressure of 105 mm Hg. with mercury vapor.
В данной ГИП отсутствует разброс величин межэлектродного расстояния в ячейках индикации, связанный с углублением проволочных проводников в крайние диэлектрические барьеры.In this GUI, there is no scatter in the values of the interelectrode distance in the indication cells associated with the deepening of the wire conductors into the extreme dielectric barriers.
Таким образом, предложенное изобретение позволяет получить ГИП с ячейками индикации, имеющими заданное межэлектродное расстояние.Thus, the proposed invention allows to obtain a GUI with indication cells having a given interelectrode distance.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004138343/28A RU2277735C1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Gas panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2004138343/28A RU2277735C1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Gas panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2277735C1 true RU2277735C1 (en) | 2006-06-10 |
Family
ID=36712975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004138343/28A RU2277735C1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Gas panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2277735C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1399548A (en) * | 1971-12-30 | 1975-07-02 | Ibm | Making gas panel displays |
| US6021648A (en) * | 1997-09-29 | 2000-02-08 | U. S. Philips Corporation | Method of manufacturing a flat glass panel for a picture display device |
| RU2188463C1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-08-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма" | Ac gas-discharge display panel |
| RU2236058C1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-09-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма" | Gas panel manufacturing process |
-
2004
- 2004-12-27 RU RU2004138343/28A patent/RU2277735C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1399548A (en) * | 1971-12-30 | 1975-07-02 | Ibm | Making gas panel displays |
| US6021648A (en) * | 1997-09-29 | 2000-02-08 | U. S. Philips Corporation | Method of manufacturing a flat glass panel for a picture display device |
| RU2188463C1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-08-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма" | Ac gas-discharge display panel |
| RU2236058C1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-09-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма" | Gas panel manufacturing process |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4343232B2 (en) | Protective film for plasma display panel and method for producing the protective film, plasma display panel and method for producing the same | |
| KR100554248B1 (en) | Glass ceramic composition and thick-film glass paste composition | |
| RU2277735C1 (en) | Gas panel | |
| JP2006032341A (en) | Plasma display panel, plasma display panel manufacturing method, flat lamp, flat lamp manufacturing method | |
| JP2008282707A (en) | Plasma display panel and manufacturing method thereof | |
| RU2236058C1 (en) | Gas panel manufacturing process | |
| RU2095876C1 (en) | Electrode group manufacturing process for gaseous-discharge ac display panel | |
| RU2209485C1 (en) | Gas panel manufacturing process | |
| RU2185665C1 (en) | Gas panel | |
| EP1154456A2 (en) | Plasma display panel with protective layer | |
| RU2221281C1 (en) | Gas panel | |
| KR100809194B1 (en) | Method for manufacturing electron emission source | |
| RU2248062C2 (en) | Method for manufacturing ac gas panel | |
| RU2208261C1 (en) | Direct-current gas panel | |
| RU2188463C1 (en) | Ac gas-discharge display panel | |
| KR20060116117A (en) | Manufacturing Method of Plasma Display Panel | |
| RU2214017C2 (en) | Process of manufacture of fittings unit of gaseous-discharge indicator panel | |
| RU138736U1 (en) | AC DISCHARGE INDICATOR PANEL | |
| RU2239254C1 (en) | Gas panel | |
| RU2187861C1 (en) | Gaseous-discharge a c indication panel | |
| RU2188461C1 (en) | Gas-discharge display panel | |
| RU2220473C1 (en) | Dc color gas panel | |
| RU2214005C2 (en) | Ac gas panel | |
| KR100396758B1 (en) | Method for fabricating protecting layer of plasma display panel device | |
| KR100612382B1 (en) | Plasma Display Panel And Method Of Manufacturing The Same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091228 |