RU2191159C1 - Method of preparing superdispersed amorphous or nanocrystalline silica - Google Patents
Method of preparing superdispersed amorphous or nanocrystalline silica Download PDFInfo
- Publication number
- RU2191159C1 RU2191159C1 RU2001113925A RU2001113925A RU2191159C1 RU 2191159 C1 RU2191159 C1 RU 2191159C1 RU 2001113925 A RU2001113925 A RU 2001113925A RU 2001113925 A RU2001113925 A RU 2001113925A RU 2191159 C1 RU2191159 C1 RU 2191159C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- amorphous
- husk
- silicon dioxide
- water
- preparing
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010903 husk Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 18
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 12
- 241000209094 Oryza Species 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021488 crystalline silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области производства диоксида кремния из рисовой шелухи. The invention relates to the field of production of silicon dioxide from rice husk.
Известно несколько способов получения аморфного и кристаллического диоксида кремния, позволяющих получать частицы порошков различного размера. Several methods are known for producing amorphous and crystalline silicon dioxide, which make it possible to obtain powder particles of various sizes.
По патенту РФ 2079429 получают высокодисперсный диоксид кремния из силиката натрия с помощью соляной кислоты и поверхностно-активных веществ. Размер частиц не сообщается. According to the patent of the Russian Federation 2079429, highly dispersed silicon dioxide is obtained from sodium silicate using hydrochloric acid and surfactants. Particle size not reported.
По патенту FR заявка 95112453/25 от 12.08.1994 г. получают диоксид кремния способом осаждения. Размер частиц не сообщается
Оба указанных способа многостадийные и сложные для реализации в производстве.According to FR patent application 95112453/25 from 08/12/1994, get silicon dioxide by the deposition method. Particle size not reported
Both of these methods are multi-stage and difficult to implement in production.
По патенту РФ 2067077, заявка 94002568/26 от 26.01.1994 года "Способ получения ультрадисперсного SiO2 и устройство для его осуществления" диоксид кремния получают из паровой фазы с размером частиц менее 1 мкм и с удельной поверхностью более 100 м2/г.According to the patent of the Russian Federation 2067077, application 94002568/26 dated 01/26/1994, "Method for producing ultrafine SiO 2 and a device for its implementation" silicon dioxide is obtained from the vapor phase with a particle size of less than 1 μm and with a specific surface area of more than 100 m 2 / g
Получаемый порошок диоксида кремния имеет большие размеры. The resulting silica powder is large.
Известен способ получения порошка диоксида кремния с нанометрическими размерами частиц из четыреххлористого кремния плазмохимическим методом (см. ГОСТ 14922-77, ТУ6-18-221-75). A known method of producing a powder of silicon dioxide with nanometric particle sizes of silicon tetrachloride by the plasma-chemical method (see GOST 14922-77, TU6-18-221-75).
Получают порошок с размерами частиц 5-50 нм. Get a powder with a particle size of 5-50 nm.
Однако указанным способом получают порошок только в аморфной форме с высокой величиной потерь при прокаливании - до 4%. However, in this way the powder is obtained only in an amorphous form with a high magnitude of the loss on ignition - up to 4%.
Простыми для производства являются способы получения диоксида кремния из рисовой шелухи по патентам Индии 148538, ФРГ 2416291, Великобритании 1508825. Simple to manufacture are methods for producing silicon dioxide from rice husk according to Indian patents 148538, Germany 2416291, Great Britain 1508825.
По указанным способам получают аморфные порошки диоксида кремния с величиной потерь при прокаливании при 1000oС - 3-5%, с большими размерами частиц - до 200 мкм.According to these methods, amorphous silica powders are obtained with a loss on ignition at 1000 ° C. of 3-5%, with large particle sizes up to 200 microns.
Известен способ получения высокочистого аморфного диоксида кремния с одновременным получением сажи по патенту РФ 2144498. A known method for producing high-purity amorphous silicon dioxide with the simultaneous production of carbon black according to the patent of the Russian Federation 2144498.
Указанный способ включают рассев шелухи, промывку шелухи водой, кислотное травление, сушку в центрифуге и сушильной камере, предварительный обжиг при 350-400oС с одновременным размолом промежуточного продукта, окислительное сжигание при 700-800oС в токе воздуха и/или кислорода при постоянном перемешивании.The specified method includes husk sieving, washing the husk with water, acid etching, drying in a centrifuge and drying chamber, preliminary firing at 350-400 o With simultaneous grinding of the intermediate product, oxidative combustion at 700-800 o C in a stream of air and / or oxygen at constant stirring.
По указанному способу получают порошок диоксида кремния в аморфной форме с размером частиц 2-20 мкм, с потерей при прокаливании 1-3%. According to this method, silicon dioxide powder is obtained in amorphous form with a particle size of 2-20 μm, with a loss on ignition of 1-3%.
Известен способ получения диоксида кремния из рисовой шелухи по патенту РФ 2061656. Способ включает промывку шелухи водой, кислотное травление, промывку деионизированной водой, предварительный обжиг при 120-500oС, измельчение полученного промежуточного продукта и окислительное сжигание при 500-800oС в "кипящем слое".A known method of producing silicon dioxide from rice husk according to the patent of the Russian Federation 2061656. The method includes washing the husk with water, acid etching, washing with deionized water, preliminary firing at 120-500 o C, grinding the resulting intermediate product and oxidative burning at 500-800 o C in " fluidized bed. "
Получают высокодисперсный аморфный диоксид кремния с размерами частиц 0,5-10 мкм (удельная поверхность 200-370 м2/г); потери при прокаливании 3-5%.A highly dispersed amorphous silicon dioxide is obtained with a particle size of 0.5-10 μm (specific surface area 200-370 m 2 / g); loss on ignition 3-5%.
Получаемые частицы диоксида кремния и потери при прокаливании велики. The resulting silica particles and the loss on ignition are large.
Задачей изобретения является получение из рисовой шелухи диоксида кремния в аморфной или нанокристаллической форме с размером частиц 20-100 нм с потерей при прокаливании при 1000oС не более 1%.The objective of the invention is to obtain from rice husks of silicon dioxide in an amorphous or nanocrystalline form with a particle size of 20-100 nm with a loss during calcination at 1000 o With no more than 1%.
Поставленная задача достигается способом получения ультрадисперсного аморфного или нанокристаллического диоксида кремния из рисовой шелухи, заключающимся в том, что рисовую шелуху промывают водой, подвергают кислотному травлению, сушат в электромагнитном поле СВЧ диапазона, предварительно обжигают при 520-570oС, а затем выполняют размол и окислительное сжигание в токе воздуха и/или кислорода в динамическом или статическом режиме.The problem is achieved by the method of producing ultrafine amorphous or nanocrystalline silicon dioxide from rice husk, which consists in the fact that the rice husk is washed with water, subjected to acid etching, dried in the microwave electromagnetic field, preliminarily fired at 520-570 o C, and then grind and oxidative combustion in a stream of air and / or oxygen in dynamic or static mode.
Окислительное сжигание в динамическом режиме ведут в турбулентном воздушном потоке, образованном встречно-тангенциальными пульсирующими потоками воздуха. Dynamic oxidative combustion is carried out in a turbulent air stream formed by counter-tangential pulsating air flows.
Окислительное сжигание в статическом режиме ведут в ламинарном потоке воздуха с неподвижным слоем порошка. Static oxidative combustion is carried out in a laminar flow of air with a fixed layer of powder.
Предлагаемая сушка в микроволновой печи позволяет разрыхлить структуру шелухи за счет быстрого испарения воды из пор и капилляров, что облегчает в дальнейшем разрушение промежуточного продукта и диоксида кремния до более мелких фракций. The proposed drying in a microwave oven allows you to loosen the structure of the husk due to the rapid evaporation of water from pores and capillaries, which facilitates the further destruction of the intermediate product and silicon dioxide to smaller fractions.
Размол промежуточного продукта после предварительного обжига, выполненного при 520-570oС, обусловлен тем, что именно в данном диапазоне температур начинается образование диоксида кремния из шелухи и, таким образом, размалываются зародыши диоксида кремния, создавая условия для получения высокодисперсного порошка.The grinding of the intermediate product after preliminary firing, performed at 520-570 o C, is due to the fact that it is in this temperature range that the formation of silicon dioxide from the husk begins and, thus, the silicon dioxide nuclei are ground, creating the conditions for obtaining a finely dispersed powder.
Операцию размола можно проводить любым способом, но чтобы сохранить высокую чистоту конечного продукта - диоксида кремния. The grinding operation can be carried out in any way, but in order to maintain the high purity of the final product - silicon dioxide.
Предлагаемый режим окислительного сжигания в турбулентном потоке воздуха, образованном встречно-тангенциальными пульсирующими потоками воздуха, обусловлен тем, что в таких условиях происходит взаимное истирание образующихся частиц диоксида кремния до размеров нескольких нанометров (10-60 нм) и недопущение их слипания, агломерирования (см. фиг. 1). The proposed regime of oxidative combustion in a turbulent air stream formed by counter-tangential pulsating air flows is due to the fact that under these conditions there is a mutual abrasion of the formed particles of silicon dioxide to a size of several nanometers (10-60 nm) and to prevent their adhesion, agglomeration (see. Fig. 1).
Предлагаемый режим окислительного сжигания в равновесном состоянии, в неподвижном слое, без перемешивания способствует формированию вытянутых кристаллов длиной 200-400 и диаметром 20-40 нм (см. фиг. 2). The proposed regime of oxidative combustion in the equilibrium state, in a fixed layer, without mixing, promotes the formation of elongated crystals with a length of 200-400 and a diameter of 20-40 nm (see Fig. 2).
Примеры. Examples.
1. Промывка рисовой шелухи водой, кислотное травление, промывка деионизированной водой, предварительный обжиг при 300oС, размол, окислительное сжигание в динамическом режиме в "кипящем слое" при 800oС.1. Washing rice husk with water, acid etching, washing with deionized water, preliminary firing at 300 o C, grinding, oxidative combustion in a dynamic mode in a "fluidized bed" at 800 o C.
Получают порошок аморфного диоксида кремния с размерами частиц 500-20000 нм и потерями при прокаливании 4% (см. таблицу). An amorphous silica powder is obtained with a particle size of 500-20000 nm and a loss on ignition of 4% (see table).
Данный пример соответствует оптимальному режиму по патенту РФ 2061656. This example corresponds to the optimal mode according to the patent of the Russian Federation 2061656.
2. Все операции, как в примере 1, но перед предварительным 500oС обжигом проводят сушку в электрической сушильной камере при 90-105oС, а окислительное сжигание ведут в статическом режиме в ламинарном потоке воздуха при 1000oС с постоянным перемешиванием.2. All operations, as in example 1, but before the preliminary 500 o With firing, drying is carried out in an electric drying chamber at 90-105 o C, and oxidative combustion is carried out in a static mode in a laminar flow of air at 1000 o With constant stirring.
Получают порошок кристаллического диоксида кремния с поперечными размерами частиц (диаметром) 20-2000 нм и длиной 6000-200000 нм и потерями при прокаливании 2%. Get crystalline silicon dioxide powder with a transverse particle size (diameter) of 20-2000 nm and a length of 6000-200000 nm and a loss on ignition of 2%.
3. Рассев шелухи; промывка шелухи водой, отжим при давлении 10 МПа, травление в кислоте, промывка деионизированной водой, отгонка воды центрифугированием, сушка в СВЧ-печи, предварительный обжиг при 500oС, размол, окислительное сжигание при 800oС в динамическом режиме в турбулентном воздушном потоке, образованном встречно-тангенциальными пульсирующими потоками воздуха.3. Sifting husks; washing the husk with water, spinning at a pressure of 10 MPa, etching in acid, washing with deionized water, centrifuging the water, drying in a microwave oven, preliminary firing at 500 ° C, grinding, oxidative combustion at 800 ° C in dynamic mode in turbulent air flow formed by counter-tangential pulsating air flows.
Получают порошок аморфного диоксида кремния с частицами размером 50-150 нм и потерями при прокаливании 0,5%. An amorphous silica powder is obtained with particles of 50-150 nm in size and a 0.5% loss on ignition.
4. Все операции, как в примере 3, а предварительный обжиг ведут при температуре 520oС.4. All operations, as in example 3, and preliminary firing is carried out at a temperature of 520 o C.
Образуется порошок аморфного SiO2 с размерами частиц 20-70 нм; потери при прокаливании составляют 0,4%.An amorphous SiO 2 powder is formed with a particle size of 20-70 nm; loss on ignition is 0.4%.
5. Все операции, как в примере 3, а предварительный обжиг ведут при температуре 550oС.5. All operations, as in example 3, and preliminary firing is carried out at a temperature of 550 o C.
Образуется порошок аморфного SiO2 с размерами частиц 10-60 нм; потери при прокаливании составляют 0,3%.An amorphous SiO 2 powder is formed with a particle size of 10-60 nm; loss on ignition is 0.3%.
6. Все операции, как в примере 3, а предварительный обжиг ведут при температуре 570oС.6. All operations, as in example 3, and preliminary firing is carried out at a temperature of 570 o C.
Образуется порошок аморфного SiO2 с размерами частиц 20-100 нм; потери при прокаливании составляют 0,2%.An amorphous SiO 2 powder is formed with a particle size of 20-100 nm; loss on ignition is 0.2%.
7. Все операции, как в примере 3, а предварительный обжиг ведут при температуре 590oС.7. All operations, as in example 3, and preliminary firing is carried out at a temperature of 590 o C.
Образуется порошок аморфного диоксида кремния с размерами частиц 60-200 нм; потери при прокаливании составляют 0,2%. Amorphous silica powder is formed with a particle size of 60-200 nm; loss on ignition is 0.2%.
8. Рассев шелухи; промывка шелухи водой; отжим при 10 МПа; кислотное травление; промывка деионизированной водой; отгонка воды центрифугированием, сушка в микроволновой печи; предварительный обжиг при 500oС; размол; окислительное сжигание при 1000oС в статическом режиме в ламинарном потоке воздуха без перемешивания.8. Sifting husks; washing the husk with water; spin at 10 MPa; acid etching; rinsing with deionized water; distillation of water by centrifugation, drying in a microwave oven; preliminary firing at 500 o C; grinding; oxidative combustion at 1000 o C in static mode in a laminar flow of air without mixing.
Образуется порошок кристаллического диоксида кремния с поперечными размерами частиц 100-200, длиной 600-2000 нм и потерей при прокаливании при 1000oС 0,6%.A powder of crystalline silicon dioxide is formed with a transverse particle size of 100-200, a length of 600-2000 nm and a loss on ignition at 1000 ° C. of 0.6%.
9. Все операции, как в примере 8, а предварительный обжиг ведут при 520oС.9. All operations, as in example 8, and preliminary firing is carried out at 520 o C.
Образуется порошок кристаллического диоксида кремния с поперечными размерами частиц 20-60, длиной 500-1500 нм и потерей при прокаливании 0,5%. Powdered crystalline silicon dioxide with a transverse particle size of 20-60, a length of 500-1500 nm and a loss on ignition of 0.5%.
10. Все операции, как в примере 8, а предварительный обжиг ведут при 550oС.10. All operations, as in example 8, and preliminary firing is carried out at 550 o C.
Образуется порошок кристаллического диоксида кремния с поперечными размерами частиц 20-80, длиной 400-900 нм и потерей при прокаливании 0,4%. A crystalline silica powder is formed with a transverse particle size of 20-80, a length of 400-900 nm, and a 0.4% loss on ignition.
11. Все операции, как в примере 8, а предварительный обжиг ведут при 570oС.11. All operations, as in example 8, and preliminary firing is carried out at 570 o C.
Образуется порошок кристаллического диоксида кремния с поперечными размерами частиц 30-100, длиной 500-1000 нм и потерей при прокаливании 0,2%. Powdered crystalline silicon dioxide with a transverse particle size of 30-100, a length of 500-1000 nm and a loss on ignition of 0.2%.
12. Все операции, как в примере 8, а предварительный обжиг ведут при 590oС.12. All operations, as in example 8, and preliminary firing is carried out at 590 o C.
Образуется порошок кристаллического диоксида кремния с поперечными размерами частиц 100-200, длиной 600-2000 нм; потери при прокаливании 0,2%. Powdered crystalline silicon dioxide with a transverse particle size of 100-200, a length of 600-2000 nm; loss on ignition 0.2%.
Таким образом, из приведенных примеров следует, что оптимальными режимами получения аморфного ультрадисперсного диоксида кремния с минимальными потерями при прокаливании являются 4, 5, 6, а оптимальными режимами получения ультрадисперсного кристаллического (нанокристаллического) диоксида кремния в форме усов (вытянутых кристаллов) с минимальными потерями при прокаливании являются 9, 10, 11. Thus, from the above examples it follows that the optimal modes for producing amorphous ultrafine silicon dioxide with minimal losses during calcination are 4, 5, 6, and the optimal modes for producing ultrafine crystalline (nanocrystalline) silicon dioxide in the form of whiskers (elongated crystals) with minimal losses at calcinations are 9, 10, 11.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001113925A RU2191159C1 (en) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | Method of preparing superdispersed amorphous or nanocrystalline silica |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001113925A RU2191159C1 (en) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | Method of preparing superdispersed amorphous or nanocrystalline silica |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2191159C1 true RU2191159C1 (en) | 2002-10-20 |
Family
ID=20249919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001113925A RU2191159C1 (en) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | Method of preparing superdispersed amorphous or nanocrystalline silica |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2191159C1 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2245300C1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-01-27 | Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН) | Method of reworking silicon-containing vegetable raw material and plant for realization of this method |
| RU2307703C2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-10-10 | Ооо "Кататех" | Method of production of the carbon-mineral materials with the homogeneous distribution of the phases and the high ash percentage |
| RU2394764C1 (en) * | 2009-04-15 | 2010-07-20 | Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН) | Method of producing silicon dioxide |
| RU2440294C2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-01-20 | Виктор Владимирович Виноградов | METHOD OF PROCESSING RICE HUSKS AND PRODUCING POWDER OF NANOCRYSTALLINE β-CRISTOBALITE |
| RU2548421C1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-04-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) | Method of obtaining silicon-containing sorbent for purification of water from microorganisms |
| CZ305968B6 (en) * | 2015-03-26 | 2016-05-25 | Technická univerzita v Liberci | Method of obtaining nanoparticles of biomorphic silicon dioxide from plant sections characteristic by the high content thereof |
| RU2648353C2 (en) * | 2011-06-01 | 2018-03-23 | Нитто Денко Корпорейшн | Particulate composition and process for obtaining it |
| WO2018178459A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Universidad de Córdoba | Method for obtaining biosilica from rice husks |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3511601A (en) * | 1968-05-13 | 1970-05-12 | Dow Chemical Co | Process for densifying rice hulls |
| FR2356595A1 (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-27 | Ibm | PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF AMORPHIC SILICON BIOXIDE FREE OF METAL ION, LIKELY TO BE USED AS A POLISHING AGENT |
| GB1508825A (en) * | 1974-04-04 | 1978-04-26 | Refratech Albert Gmbh | Method of producing low-carbon white husk ash |
| RU2061656C1 (en) * | 1994-08-29 | 1996-06-10 | Институт химии Дальневосточного отделения РАН | Method of producing amorphous silicon dioxide from rice husk |
| RU2144498C1 (en) * | 1999-02-01 | 2000-01-20 | Земнухова Людмила Алексеевна | Method of preparing highly pure amorphous silicon dioxide and carbon from rice husk |
-
2001
- 2001-05-25 RU RU2001113925A patent/RU2191159C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3511601A (en) * | 1968-05-13 | 1970-05-12 | Dow Chemical Co | Process for densifying rice hulls |
| GB1508825A (en) * | 1974-04-04 | 1978-04-26 | Refratech Albert Gmbh | Method of producing low-carbon white husk ash |
| FR2356595A1 (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-27 | Ibm | PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF AMORPHIC SILICON BIOXIDE FREE OF METAL ION, LIKELY TO BE USED AS A POLISHING AGENT |
| RU2061656C1 (en) * | 1994-08-29 | 1996-06-10 | Институт химии Дальневосточного отделения РАН | Method of producing amorphous silicon dioxide from rice husk |
| RU2144498C1 (en) * | 1999-02-01 | 2000-01-20 | Земнухова Людмила Алексеевна | Method of preparing highly pure amorphous silicon dioxide and carbon from rice husk |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2245300C1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-01-27 | Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН) | Method of reworking silicon-containing vegetable raw material and plant for realization of this method |
| RU2307703C2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-10-10 | Ооо "Кататех" | Method of production of the carbon-mineral materials with the homogeneous distribution of the phases and the high ash percentage |
| RU2394764C1 (en) * | 2009-04-15 | 2010-07-20 | Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН) | Method of producing silicon dioxide |
| RU2440294C2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-01-20 | Виктор Владимирович Виноградов | METHOD OF PROCESSING RICE HUSKS AND PRODUCING POWDER OF NANOCRYSTALLINE β-CRISTOBALITE |
| RU2648353C2 (en) * | 2011-06-01 | 2018-03-23 | Нитто Денко Корпорейшн | Particulate composition and process for obtaining it |
| RU2548421C1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-04-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) | Method of obtaining silicon-containing sorbent for purification of water from microorganisms |
| CZ305968B6 (en) * | 2015-03-26 | 2016-05-25 | Technická univerzita v Liberci | Method of obtaining nanoparticles of biomorphic silicon dioxide from plant sections characteristic by the high content thereof |
| WO2018178459A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Universidad de Córdoba | Method for obtaining biosilica from rice husks |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2191159C1 (en) | Method of preparing superdispersed amorphous or nanocrystalline silica | |
| JP6209031B2 (en) | Silica particles and method for producing the same | |
| CN100435963C (en) | Technique and equipment for preparing Nano granules in high purity by using method of comminution by gas stream | |
| CN104785349B (en) | Efficient preparation method for nano-scale solid powder | |
| Xu et al. | A new method for deaggregation of nanodiamond from explosive detonation: graphitization-oxidation method | |
| WO2015114956A1 (en) | Synthetic amorphous silica powder and process for manufacturing same | |
| CN102718187B (en) | Hollow ultrafine ammonium perchlorate and preparation method thereof | |
| CN111392728B (en) | Raw material for producing silicon carbide crystal and preparation method and application thereof | |
| CN101679049A (en) | Spherical organic polymer-silicon compound composite particle, hollow particle, and methods for production of those particles | |
| CN107955414A (en) | The preparation method of water-based Diamond Search ink special titanium pigment | |
| CN105384160B (en) | A kind of nanometer carbon crystal | |
| WO2018079556A1 (en) | Halloysite powder and method for producing halloysite powder | |
| JP5966084B2 (en) | Method for producing titanium dioxide pigment using ultrasonic treatment | |
| JP2002316815A (en) | Silica having narrow particle size distribution, its producing method, its application, and elastomer mixture containing the silica | |
| CN102826536B (en) | Solvothermal reaction based homogeneous carbon silicon organic precursor powder and application thereof | |
| CN115135602A (en) | Halloysite powder | |
| JP2013542157A (en) | Production of irregular porous silicon dioxide material and application of fatty alcohol polyoxyethylene ether in its production | |
| CN104211070A (en) | A kind of preparation method of nanometer silicon dioxide | |
| CN103803560B (en) | A kind of bending bar-shaped mesoporous SiO 2and preparation method thereof | |
| TWI378075B (en) | Method for reducing titanium dioxide buildup | |
| JPH02107525A (en) | Improved chromium oxide green and its production and use | |
| CN103232050B (en) | Surface coating modified boehmite and preparation method thereof | |
| CN102689916A (en) | Preparation method of porous barium sulfate microsphere | |
| JP7381598B2 (en) | halloysite powder | |
| CN103212488B (en) | Centrifugal device for preparing nanofluids and method for preparing nanofluids |