RU2181793C2 - Method of diamond synthesis - Google Patents
Method of diamond synthesis Download PDFInfo
- Publication number
- RU2181793C2 RU2181793C2 RU99102466A RU99102466A RU2181793C2 RU 2181793 C2 RU2181793 C2 RU 2181793C2 RU 99102466 A RU99102466 A RU 99102466A RU 99102466 A RU99102466 A RU 99102466A RU 2181793 C2 RU2181793 C2 RU 2181793C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- aqueous medium
- crystal
- diamonds
- physical properties
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000002609 medium Substances 0.000 claims description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 33
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 239000002113 nanodiamond Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Область техники
Изобретение относится к способам искусственного синтеза монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами, например с полупроводниковыми, с определенными люминесцентными, с определенным цветом или бесцветные и т. п. Применение таких кристаллов в электронике должно существенно улучшить ее технические параметры и надежность [1].Technical field
The invention relates to methods for the artificial synthesis of diamond single crystals with predetermined physical properties, for example, with semiconductor, with certain luminescent, with a certain color or colorless, etc. The use of such crystals in electronics should significantly improve its technical parameters and reliability [1].
Уровень техники
Алмаз является уникальным материалом, обладающим рядом рекордных физических параметров среди всех известных природных и искусственно синтезированных минералов. По объему использования алмазов в технике судят о техническом уровне развития той или иной страны. Их главное использование - ювелирная индустрия и техника. Технические применения природных алмазов ограничены, в основном, использованием в абразивных порошках и различного рода режущих инструментах. Применение природных алмазов в современной электронике сдерживается крайне высокой нестабильностью их электрофизических характеристик, которые изменяются даже в пределах одного кристалла. Кроме того, природные полупроводниковые алмазы чрезвычайно редки и дороги, что также препятствует их применению в серийных производствах.State of the art
Diamond is a unique material with a number of record physical parameters among all known natural and artificially synthesized minerals. The volume of diamond use in technology is used to judge the technical level of development of a country. Their main use is the jewelry industry and technology. Technical applications of natural diamonds are limited mainly by use in abrasive powders and various kinds of cutting tools. The use of natural diamonds in modern electronics is constrained by the extremely high instability of their electrophysical characteristics, which vary even within a single crystal. In addition, natural semiconductor diamonds are extremely rare and expensive, which also hinders their use in mass production.
Известно несколько способов искусственного синтеза алмазов. Several methods for the artificial synthesis of diamonds are known.
Одним из наиболее распространенных является способ синтеза путем фазового перехода графита в алмаз в среде металлов-катализаторов при температуре выше 1200oС и давлении выше 40 тысяч атмосфер [2]. Этим способом получены монокристаллы алмаза массой до 35 карат. Из-за больших энергозатрат и сложной техники стоимость таких монокристаллов получается сравнимой со стоимостью природных алмазов. Кроме того, эти алмазы содержат в себе примеси металлов, ухудшающих их электрические свойства, и имеют очень низкую, в сравнении с лучшими образцами природных алмазов, подвижность носителей электрического тока [3].One of the most common is the method of synthesis by phase transition of graphite to diamond in the environment of metal catalysts at temperatures above 1200 o C and pressure above 40 thousand atmospheres [2]. In this way, single crystals of diamond weighing up to 35 carats were obtained. Due to the large energy costs and sophisticated technology, the cost of such single crystals is comparable to the cost of natural diamonds. In addition, these diamonds contain impurities of metals that impair their electrical properties, and have very low, in comparison with the best examples of natural diamonds, mobility of electric current carriers [3].
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому способу и выбранным в качестве прототипа, является способ синтеза алмаза, описанный в работе [4]. Сущность его основана на перекристаллизации углерода в водной среде с порошкообразным никелем, аморфным углеродом и алмазной пудрой при давлении 1400 атм и температуре 800oС. В этой работе получены монокристаллы алмаза с размером 5-10 мкм. В ряде случаев наблюдались агрегаты размером до 100 мкм. Принципиально важно, что, как и в природных алмазах, никаких металлический примесей в них не обнаружено.Closest to the technical nature of the claimed method and selected as a prototype, is a method for the synthesis of diamond described in [4]. Its essence is based on the recrystallization of carbon in an aqueous medium with powdered nickel, amorphous carbon and diamond powder at a pressure of 1400 atm and a temperature of 800 o C. In this work, diamond single crystals with a size of 5-10 microns were obtained. In some cases, aggregates up to 100 μm in size were observed. It is fundamentally important that, as in natural diamonds, no metallic impurities were found in them.
Сущность изобретения
Задачей изобретения является упрощение синтеза монокристаллов алмаза с малым количеством дефектов в кристаллической решетке, а также возможность легирования таких алмазов примесями с целью получения необходимых физических свойств, например: полупроводниковых, люминесцентных и т.п. в условиях более низких температур и давлений.SUMMARY OF THE INVENTION
The objective of the invention is to simplify the synthesis of diamond single crystals with a small number of defects in the crystal lattice, as well as the possibility of doping such diamonds with impurities in order to obtain the necessary physical properties, for example: semiconductor, luminescent, etc. at lower temperatures and pressures.
Технический результат изобретения - простота реализации в сочетании с низкой стоимостью получения алмазов с малым количеством дефектов в решетке. Это достигается тем, что в способе синтеза алмазов, включающем введение мелкодисперсного углерода в водную среду, новым является то, что в водную среду, вводят по крайней мере, либо одну кислоту, либо одно растворимое в воде неорганическое химическое вещество из ряда окислов, оснований, сульфатов, хлоридов, карбонатов, нитратов металлов, присутствующих в кимберлитовых трубах. Количество вводимых веществ должно обеспечивать рН среды в интервале от 0 до 13. В качестве кислот могут быть, например, HCl, H2SO4, а в качестве металлов: Na, K, Mg, Ca, Al, Ti, Cr, Mn, Fe, Ni. Процесс ведут в интервале температур от 20o до 200oС.The technical result of the invention is ease of implementation in combination with a low cost of producing diamonds with a small number of defects in the lattice. This is achieved by the fact that in a method for synthesizing diamonds, including the introduction of finely dispersed carbon into an aqueous medium, it is new that at least one acid or one water-soluble inorganic chemical substance from a number of oxides, bases, is introduced into the aqueous medium, sulfates, chlorides, carbonates, metal nitrates present in kimberlite pipes. The amount of input substances should provide a pH in the range from 0 to 13. As acids, for example, can be HCl, H 2 SO 4 , and as metals: Na, K, Mg, Ca, Al, Ti, Cr, Mn, Fe, Ni. The process is carried out in the temperature range from 20 o to 200 o C.
Дополнительный технический результат - придание алмазу заранее заданных физических свойств достигается тем, что в предложенном способе синтеза алмазов в водную среду дополнительно вводят растворимые химические вещества, которые в условиях осуществления способа разлагаются с выделением легирующих алмаз примесей. An additional technical result - giving the diamond predefined physical properties is achieved by the fact that in the proposed method for synthesizing diamonds, soluble chemicals are additionally introduced into the aqueous medium, which decompose under the conditions of the method with the release of diamond-doping impurities.
Экспериментальным путем нами было установлено, что мелкодисперсный углерод, например, в виде сажи или наноалмазов детонационного синтеза, может перекристаллизовываться в монокристаллический алмаз как в присутствии алмазных затравок, так и без них, в водных растворах химических веществ, которые выбирались из ряда кислот, например HCl, H2SO4, или окислов, оснований, сульфатов, хлоридов, карбонатов, нитратов металлов, таких как Na, K, Mg, Ca, Cr, Mn, Fe, Ni.We found experimentally that finely dispersed carbon, for example, in the form of soot or nanodiamonds of detonation synthesis, can recrystallize into single crystal diamond both in the presence of diamond seeds and without them, in aqueous solutions of chemicals selected from a number of acids, for example, HCl , H 2 SO 4 , or oxides, bases, sulfates, chlorides, carbonates, metal nitrates, such as Na, K, Mg, Ca, Cr, Mn, Fe, Ni.
Перекристаллизация проявлялась в виде бесцветных прозрачных наростов на сколах или гранях затравок, которые часто имеют фрагменты октаэдрического габитуса, в наших опытах размером до 350 мкм. В некоторых опытах наблюдался спонтанный рост кристаллов алмаза октаэдрического габитуса, в наших опытах размером до 50 мкм. Recrystallization manifested itself in the form of colorless transparent growths on chips or facets of seeds, which often have fragments of an octahedral habit, in our experiments up to 350 μm in size. In some experiments, spontaneous growth of diamond crystals of an octahedral habit was observed, in our experiments up to 50 μm in size.
В некоторых растворах наросты на затравке появляются после большого промежутка времени - порядка нескольких месяцев уже при комнатной температуре. При увеличении температуры возрастает скорость перекристаллизации, что сказывается на габитусе кристаллов алмаза. На габитус должны влиять также набор и концентрация веществ в растворе. С увеличением температуры будет изменяться относительная эффективность химических веществ, а также могут начать "работать" растворы с соединениями других металлов, например Al и Ti, которые также присутствуют в кимберлитовых трубах. При температуре около 95oС перекристаллизация мелкодисперсного углерода - сажи в алмаз обнаружена в водных растворах: НСl, H2SO4, NaOH, KOH, Na2SO4, KNO3, K2CO3, MgCl2, MnCl2, CrO3, CrCl3, FeCl3, NiSO4 в интервале рН среды от 0 до 13 уже после 330 часов проведения опытов.In some solutions, growths on the seed appear after a long period of time - of the order of several months already at room temperature. With increasing temperature, the recrystallization rate increases, which affects the habit of diamond crystals. The habit and the concentration and concentration of substances in the solution should also influence the habit. With increasing temperature, the relative effectiveness of chemicals will change, and solutions with compounds of other metals, such as Al and Ti, which are also present in kimberlite pipes, may also begin to “work”. At a temperature of about 95 o With recrystallization of finely dispersed carbon - soot into diamond was found in aqueous solutions: Hcl, H 2 SO 4 , NaOH, KOH, Na 2 SO 4 , KNO 3 , K 2 CO 3 , MgCl 2 , MnCl 2 , CrO 3 , CrCl 3 , FeCl 3 , NiSO 4 in the range of pH from 0 to 13 after 330 hours of experiments.
Элементный и рентгеноструктурный анализы полученных наростов и кристаллов показывают, что они состоят из углерода и имеют алмазную решетку. Elemental and X-ray diffraction analyzes of the obtained growths and crystals show that they consist of carbon and have a diamond lattice.
Давление среды не является определяющим фактором в таком процессе, а возникает как следствие в случае нагрева водного раствора до температуры, превышающей температуру кипения. The pressure of the medium is not a determining factor in such a process, but arises as a result in the case of heating an aqueous solution to a temperature exceeding the boiling point.
При введении в среду растворимых химических веществ, разлагающихся в условиях осуществления способа, некоторые из появляющихся в среде химических элементов или радикалов будут входить в кристаллическую решетку растущего алмаза. Таким путем можно легировать алмаз, например, бором, азотом и т.д. Возможность этого подтверждается природными алмазами с подобным легированием. When soluble chemicals are decomposed into the environment and decompose under the conditions of the method, some of the chemical elements or radicals that appear in the environment will enter the crystal lattice of the growing diamond. In this way, it is possible to alloy a diamond, for example, with boron, nitrogen, etc. The possibility of this is confirmed by natural diamonds with similar alloying.
Время выдержки кристалла алмаза в среде, естественно, влияет на размеры кристалла. Чем больше время выдержки, тем большим по размеру может вырасти кристалл. The exposure time of a diamond crystal in a medium naturally affects the size of the crystal. The longer the exposure time, the larger the crystal can grow.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения. Information confirming the possibility of carrying out the invention.
Способ реализуется следующим образом. The method is implemented as follows.
В герметичный сосуд, способный выдерживать возникающее давление паров воды, помещают какой-либо водный раствор кислоты, например HCl, H2SO4, или окислов, оснований, сульфатов, хлоридов, карбонатов, нитратов ряда металлов, таких как Na, K, Mg, Ca, Al, Ti, Cr, Mn, Fe, Ni, а также мелкодисперсный углерод, например, в виде сажи или наноалмазов. В раствор можно поместить и затравку алмаза. Нагревают сосуд до заданной температуры в интервале от 20oС до 200oС и выдерживают его при этой температуре в течение некоторого времени. Затем охлаждают сосуд и извлекают выросший кристалл алмаза, который тем больше по размеру, чем больше время выдержки.In an airtight vessel capable of withstanding the pressure of water vapor, any aqueous solution of acid, for example HCl, H 2 SO 4 , or oxides, bases, sulfates, chlorides, carbonates, nitrates of a number of metals, such as Na, K, Mg, Ca, Al, Ti, Cr, Mn, Fe, Ni, as well as finely divided carbon, for example, in the form of soot or nanodiamonds. In the solution, you can put the seed of diamond. The vessel is heated to a predetermined temperature in the range from 20 o C to 200 o C and kept at this temperature for some time. Then cool the vessel and remove the grown diamond crystal, which is larger in size, the longer the exposure time.
В таблице представлены опыты по синтезу алмазов при различных температурах. The table presents the experiments on the synthesis of diamonds at various temperatures.
Из большого количества опытов с вышеуказанными компонентами и с положительным результатом реализации предлагаемого способа в качестве примера на чертеже приведена полученная на электронном микроскопе "SUPERPROBE-733" фирмы "JEOL" фотография алмазной затравки (внизу) и наросшего на ней прозрачного бесцветного кристалла алмаза (вверху), имеющего усеченный октаэдрический габитус с максимальным размером 3509 мкм. Там же приведены дифрактограммы затравки (внизу) и наросшего кристалла (вверху), на которых по оси абсцисс - угол дифракционного отражения, а по оси ординат - интенсивность отражения. From a large number of experiments with the above components and with the positive result of the implementation of the proposed method, an example is shown in the drawing as a photograph of a diamond seed (bottom) and transparent transparent colorless diamond crystal (top) grown on it by a JEOL electron microscope (JEOL) having a truncated octahedral habit with a maximum size of 3509 microns. Diffraction patterns of the seed (below) and the overgrown crystal (above) are shown in the same figure, on which the diffraction reflection angle is along the abscissa axis and the reflection intensity along the ordinate axis.
Приведенный на фотографии наросший на затравку кристалл был получен при осуществлении предлагаемого способа следующим образом. Сажа в количестве 0,03 г помещалась в водный раствор 30 г MnCl2•4Н2О в 150 мл воды (рН раствора был около 3). Туда же закладывалась синтетическая алмазная затравка Ереванского завода "Алмаз". Сосуд со смесью нагревался и выдерживался при температуре около 95oС в течение 330 часов.The crystal growing on the seed shown in the photograph was obtained in the implementation of the proposed method as follows. Soot in the amount of 0.03 g was placed in an aqueous solution of 30 g of MnCl 2 • 4H 2 O in 150 ml of water (the pH of the solution was about 3). A synthetic diamond seed of the Yerevan Diamond Plant was laid there. The vessel with the mixture was heated and kept at a temperature of about 95 o C for 330 hours.
Элементный анализ, который проводился на электронном микроскопе "SUPERPROBE-733" фирмы "JEOL", показал, что наросший кристалл состоит только из углерода. Elemental analysis, which was carried out on a JEOL SUPERPROBE-733 electron microscope, showed that the overgrown crystal consists only of carbon.
Анализ дифрактограмм затравки и наросшего кристалла, полученных на рентгеновском дифрактометре "Dmax/RC" фирмы "Rigaku" показал, что оба кристалла имеют кристаллическую решетку алмаза. Однако межплоскостные расстояния решетки наросшего кристалла имеют величины несколько меньшие, чем у затравки. так, например, для плоскостей (111) - на 1%, для (311) - на 0,38%, для (400) - на 0,56%, для (331) - на 0,12%. Это позволяет сделать вывод, что затравка и наросший кристалл алмаза выросли при разных условиях.Analysis of the diffraction patterns of the seed and overgrown crystal obtained on a Rigaku D max / RC X-ray diffractometer showed that both crystals have a diamond crystal lattice. However, the interplanar spacings of the lattice of the overgrown crystal are somewhat smaller than those of the seed. for example, for the (111) planes - by 1%, for (311) - by 0.38%, for (400) - by 0.56%, for (331) - by 0.12%. This allows us to conclude that the seed and the overgrown diamond crystal have grown under different conditions.
Межплоскостные расстояния кристаллической решетки наросшего кристалла имеют величины также несколько меньшие, чем стандартно принятые для природных алмазов [5]. Так, например, для плоскостей (220) - на 0,16%, для (311) - на 0,93%, для (400) - на 0,99%, для (331) - на 0,40%. Это позволяет сделать вывод, что наросший кристалл алмаза имеет более компактную кристаллическую решетку с меньшим количеством дефектов, чем в "стандартной" решетке. Вероятно это уменьшение связано с невысокой температурой, при которой вырос кристалл. В природе алмазы растут при более высоких температурах, как, например, в кимберлитовых трубках. Это, очевидно, и приводит к большему количеству дефектов в их решетке. The interplanar spacings of the crystal lattice of the overgrown crystal are also somewhat smaller than those standardly accepted for natural diamonds [5]. So, for example, for the (220) planes - by 0.16%, for (311) - by 0.93%, for (400) - by 0.99%, for (331) - by 0.40%. This allows us to conclude that the overgrown diamond crystal has a more compact crystal lattice with fewer defects than in the "standard" lattice. This decrease is likely due to the low temperature at which the crystal grew. In nature, diamonds grow at higher temperatures, such as in kimberlite pipes. This, obviously, leads to more defects in their lattice.
Опыты проводились в объемах раствора около 150 мл. The experiments were carried out in solution volumes of about 150 ml.
Получены кристаллы с малым количеством дефектов кристаллической решетки. Crystals with a small number of crystal lattice defects were obtained.
Предлагаемый способ синтеза алмаза осуществим в любых реально взятых объемах и пригоден для промышленного применения. The proposed method for the synthesis of diamond is feasible in any actually taken volumes and is suitable for industrial use.
Использованная литература
1. Под ред. В.Б. Кваскова "Природные алмазы России", М., "Полярон", 1997 г., 304 с.References
1. Ed. B. B. Kvaskova "Natural diamonds of Russia", M., "Polaron", 1997, 304 S.
2. Костиков В.И. и др. "Графитизация и алмазообразование", М., "Металлургия", 1991 г., 224 с. 2. Kostikov V.I. and others. "Graphitization and diamond formation", M., "Metallurgy", 1991, 224 S.
3. УФН, 1997, 167, 1, 17-22. 3. UFN, 1997, 167, 1, 17-22.
4. "Nature", 1997, 385, 6616, рр. 485, 513-515. 4. "Nature", 1997, 385, 6616, pp. 485, 513-515.
5. Справочник "Полиморфные модификации углерода и нитрида бора", М., "Металлургия", 1994 г., 318 с. 5. Reference book "Polymorphic modifications of carbon and boron nitride", M., "Metallurgy", 1994, 318 S.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99102466A RU2181793C2 (en) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | Method of diamond synthesis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99102466A RU2181793C2 (en) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | Method of diamond synthesis |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99102466A RU99102466A (en) | 2001-04-10 |
| RU2181793C2 true RU2181793C2 (en) | 2002-04-27 |
Family
ID=20215638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99102466A RU2181793C2 (en) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | Method of diamond synthesis |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2181793C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2243153C1 (en) * | 2003-10-22 | 2004-12-27 | ФГУП - Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики | Diamond synthesis method |
| RU2396377C1 (en) * | 2009-04-14 | 2010-08-10 | Сергей Кириллович Симаков | Procedure for production of nano-diamonds |
-
1999
- 1999-02-08 RU RU99102466A patent/RU2181793C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| XING-ZHONG ZHAO et al. "Hydrothermal growth of diamond in metal -C-H 2 O systems", NATURE, vol. 385, № 6616, 06.02.1997, рр.485, 513-515. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2243153C1 (en) * | 2003-10-22 | 2004-12-27 | ФГУП - Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики | Diamond synthesis method |
| RU2396377C1 (en) * | 2009-04-14 | 2010-08-10 | Сергей Кириллович Симаков | Procedure for production of nano-diamonds |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sunagawa | Growth and morphology of diamond crystals under stable and metastable contitions | |
| Liang et al. | Synthesis of diamond with high nitrogen concentration from powder catalyst-C-additive NaN3 by HPHT | |
| JP5480624B2 (en) | Method for forming nitride crystal | |
| CN1131095C (en) | Diamond growth | |
| Deryagin et al. | Epitaxial synthesis of diamond in the metastable region | |
| Zhang et al. | Effects of hydrogen impurity on diamond crystal growth process | |
| JP3259384B2 (en) | Method of synthesizing diamond single crystal | |
| Lu et al. | Diamond growth and characteristics in the metal-silicate-H2O-C system at HPHT conditions | |
| RU2181795C2 (en) | Method of diamond synthesis | |
| RU2181793C2 (en) | Method of diamond synthesis | |
| Sun et al. | Non-metallic catalysts for diamond synthesis under high pressure and high temperature | |
| RU2181794C2 (en) | Method of diamond synthesis | |
| Chen et al. | Recent development in diamond synthesis | |
| JPS6351965B2 (en) | ||
| Frank et al. | Microstructural characterisation of nanocrystalline GaN prepared by detonations of gallium azides | |
| Barnes et al. | Influence of sulfur on the nature and morphology of carbides formed on the surfaces of Fe-Ni-Cr alloys at high temperatures | |
| JPH06165929A (en) | Diamond single crystal synthesis method | |
| JP2767896B2 (en) | Hard abrasive | |
| JP3205970B2 (en) | Diamond synthesis method | |
| JP3282249B2 (en) | Method of synthesizing diamond single crystal | |
| RU2243153C1 (en) | Diamond synthesis method | |
| Otto | Diamond Synthesis: Reflections and Suggestions | |
| Hashishin et al. | Titanium carbide whiskers synthesized using methane as a carbon source | |
| JPH05329356A (en) | Method for synthesizing diamond single crystal | |
| Kanda et al. | B1. 1 High temperature high pressure synthesis of single crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070209 |