[go: up one dir, main page]

RU2160796C1 - METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14) - Google Patents

METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14) Download PDF

Info

Publication number
RU2160796C1
RU2160796C1 RU2000103867/12A RU2000103867A RU2160796C1 RU 2160796 C1 RU2160796 C1 RU 2160796C1 RU 2000103867/12 A RU2000103867/12 A RU 2000103867/12A RU 2000103867 A RU2000103867 A RU 2000103867A RU 2160796 C1 RU2160796 C1 RU 2160796C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mixture
single crystals
growing
solid
lanthanum
Prior art date
Application number
RU2000103867/12A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Б.А. Дороговин
С.Ю. Степанов
А.Б. Дубовский
А.А. Цеглеев
Т.А. Степанова
Г.А. Лаптева
В.П. Горохов
В.И. Курочкин
Н.Б. Царева
И.М. Филиппов
Original Assignee
Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья filed Critical Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья
Priority to RU2000103867/12A priority Critical patent/RU2160796C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2160796C1 publication Critical patent/RU2160796C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

FIELD: solid-phase synthesis of mixture for growing of single crystals of gallium-containing oxide compounds, more specifically, method of solid-phase synthesis of mixture for growing of single crystals of lanthanum-gallium niobate by Czochralski method. SUBSTANCE: method of solid-phase synthesis is realized by mixing of initial oxides of elements included into formula of single crystal of lanthanum-gallium niobate in ratio of La2O3: Ga2O3:Nb2O5=7.35:(7.77-7.79):1, subsequent heating them to synthesis temperature of 1410-1430 C and sintering for 6 h. EFFECT: produced in compact rational form (in form of shaped tables) of polycrystalline mixture for growing of single crystals of lanthanum-gallium niobate and reduced preliminary operations for its preparation to develop economically rational process of production of high-quality single crystals. 1 tbl

Description

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Известен способ синтеза шихты для выращивания галлийсодержащих оксидных соединений монокристаллов путем нагрева смесей, соответствующих химически чистых оксидов, взятых в стехиометрическом соотношении до температуры 1150-1200oС с последующей выдержкой при этой температуре в течение 4-5 часов (Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях-сдвига /Сахаров С.А., Ларионов И.М., Медведев А.В./ Зарубежная радиоэлектроника, N 9-10, 1994).The invention relates to solid-phase synthesis of a mixture for growing single crystals of gallium-containing oxide compounds, and more particularly, to a method for solid-phase synthesis of a mixture for growing single crystals of lanthanum gallium niobate by the Czochralski method. A known method of synthesis of a mixture for growing gallium-containing oxide compounds of single crystals by heating mixtures of the corresponding chemically pure oxides taken in a stoichiometric ratio to a temperature of 1150-1200 o With subsequent exposure at this temperature for 4-5 hours (Monolithic filters based on langasite crystals, working on the basic oscillations-shift / Sakharov S.A., Larionov I.M., Medvedev A.V. / Foreign Radio Electronics, N 9-10, 1994).

Недостатком данного способа является то, что получают многофазную смесь, содержание в которой конечного продукта составляет менее 5%, а более 90% - смесь галлата лантана и оксида галлия, что при последующем направлении способствует улетучиванию оксида галлия, а, следовательно, нарушению стехиометрического состава используемых для синтеза оксидов, что значительно снижает качество получаемых монокристаллов. The disadvantage of this method is that a multiphase mixture is obtained, the content of which the final product is less than 5%, and more than 90% is a mixture of lanthanum gallate and gallium oxide, which in the subsequent direction contributes to the volatilization of gallium oxide, and, consequently, the violation of the stoichiometric composition used for the synthesis of oxides, which significantly reduces the quality of the obtained single crystals.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (La3Ga5,5Nb0,5O14) (Милль Б. В. и др. "Доклады АН СССР", 1982, т. 264, N 6, с. 1385-1389), согласно которому смешивают исходные оксиды, прессуют, нагревают до 1410-1430o и спекают.The closest in technical essence and the achieved result is a method of solid-phase synthesis of a mixture for growing single crystals of lantangallium niobate (La 3 Ga 5.5 Nb 0.5 O 14 ) (Mill B. V. et al. "Doklady AN SSSR", 1982, t 264, No. 6, pp. 1385-1389), according to which the starting oxides are mixed, pressed, heated to 1410-1430 ° and sintered.

Недостатком данного способа является трудоемкость процесса из-за использования промежуточных операций, а, следовательно, использование дополнительного оборудования и соответственно дополнительных веществ, что приводит к загрязнению шихты; невозможность получения профилированных таблеток шихты лантангаллиевого ниобата. The disadvantage of this method is the complexity of the process due to the use of intermediate operations, and, therefore, the use of additional equipment and, accordingly, additional substances, which leads to contamination of the charge; the impossibility of obtaining profiled tablets of the mixture of lantangallium niobate.

Задачей предлагаемого изобретения является получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата и сокращение предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономичный рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов. The objective of the invention is to obtain in a compact rational form (in the form of shaped tablets) a polycrystalline mixture for growing lantangallium niobate single crystals and reducing the preliminary operations for its preparation in order to create an economical rational process for producing high-quality single crystals.

Указанная техническая задача решается за счет того, что в известном способе твердофазного синтеза шихты, включающем смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы выращиваемого монокристалла (La3Ga5,5Nb0,5 O14), взятых в определенном соотношении, нагрев их до температуры синтеза 1410-1430oC и спекание, смешивание исходных оксидов происходит в соотношении, La2O3:Ga2O3:Nb2O5 = 7,35:(7,77-7,79):1, а спекание осуществляют в течение 6 часов.The specified technical problem is solved due to the fact that in the known method of solid-phase synthesis of the mixture, which involves mixing the initial oxides of the elements included in the formula of the grown single crystal (La 3 Ga 5.5 Nb 0.5 O 14 ), taken in a certain ratio, heating them to a synthesis temperature of 1410-1430 o C and sintering, mixing of the starting oxides occurs in the ratio La 2 O 3 : Ga 2 O 3 : Nb 2 O 5 = 7.35: (7.77-7.79): 1, and sintering is carried out for 6 hours.

Сопоставительный анализ заявляемого решения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что смешение исходных оксидов лантана, галлия и ниобия происходит в соотношении La2O3:Ga2O3:Nb2O5 = 7,35: (7,77-7,79): 1, а спекание осуществляют в течение 6 часов. Использование в способе определенного соотношения исходных оксидов, а именно La2O3: Ga2O3: Nb2O5 = 7,35: (7,77-7,79):1 позволяет избежать нарушение стехиометрии в расплаве при последующем выращивании монокристаллов, а, следовательно, получить высококачественные монокристаллы лантангаллиевого ниобата. Спекание же смеси в течение 6 ч позволяют получить профилированные таблетки шихты лантангаллиевого ниобата, которые дают возможность при выращивании монокристаллов проводить наплавление шихты за один прием и получать более качественные кристаллы за счет меньшего нарушения стехиометрического состава шихты. Спекание смеси менее 6 часов не дает возможности получать таблетированную шихту, которая влияет на качество монокристаллов, а выдержка более 6 часов экономически нецелесообразна.A comparative analysis of the proposed solution with the prototype shows that the claimed method differs from the known one in that the mixture of the initial oxides of lanthanum, gallium and niobium occurs in the ratio La 2 O 3 : Ga 2 O 3 : Nb 2 O 5 = 7.35: (7, 77-7.79): 1, and sintering is carried out for 6 hours. The use of a certain ratio of the starting oxides in the method, namely La 2 O 3 : Ga 2 O 3 : Nb 2 O 5 = 7.35: (7.77-7.79): 1, avoids the violation of stoichiometry in the melt during the subsequent growth of single crystals , and, therefore, to obtain high-quality single crystals of lantangallium niobate. Sintering the mixture for 6 hours makes it possible to obtain profiled tablets of a charge of lanthanum gallium niobate, which make it possible to deposit the mixture in one step during the growth of single crystals and to obtain better crystals due to less violation of the stoichiometric composition of the mixture. Sintering the mixture for less than 6 hours makes it impossible to obtain a pelletized charge, which affects the quality of single crystals, and exposure for more than 6 hours is not economically feasible.

Примеры конкретного выполнения (см. табл. 1): 330 г исходной смеси, в которой соотношение La2O3:Ga2O3:Nb2O5 = 7,35:(7,77-7,79):1 смешивали в полиэтиленовой банке с использованием смесителя типа "пьяной бочки", загружали в алундовый тигель, а именно в пространство между его внутренними стенками и алундовой трубкой, установленной в центральной части тигля. Диаметр алундового тигля был 60 мм, равный диаметру иридиевого тигля, из которого в дальнейшем выращивали монокристалл лантангаллиевого ниобата. Тигель устанавливали в печь и проводили нагрев до 1420oC и выдержку в течение 6 ч. В результате спекания получали профилированную таблетку с отверстием вдоль ее оси. Результаты опытов представлены в таблице. Спекание трех навесок исходной смеси оксидов, массой 330 г каждая, позволяет получить три профилированных таблетки, общий вес которых дает возможность сразу наплавить полный объем иридиевого тигля, из которого в дальнейшем будет выращиваться монокристалл.Examples of specific performance (see table. 1): 330 g of the initial mixture in which the ratio of La 2 O 3 : Ga 2 O 3 : Nb 2 O 5 = 7.35: (7.77-7.79): 1 was mixed in a plastic jar using a drunk barrel type mixer, they were loaded into an alundum crucible, namely, into the space between its inner walls and an alundum tube installed in the central part of the crucible. The diameter of the alundum crucible was 60 mm, equal to the diameter of the iridium crucible, from which a single crystal of lantangallium niobate was subsequently grown. The crucible was installed in an oven and heated to 1420 ° C and held for 6 hours. As a result of sintering, a shaped tablet was obtained with an opening along its axis. The results of the experiments are presented in the table. Sintering of three weighed portions of the initial oxide mixture, each weighing 330 g, makes it possible to obtain three shaped tablets, the total weight of which makes it possible to immediately deposit the full volume of the iridium crucible, from which a single crystal will be grown in the future.

Таким образом, заявленный способ позволяет получать качественную поликристаллическую шихту в рациональном (таблетированном), компактном виде для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата. Из синтезированной шихты были выращены монокристаллы лантангаллиевого ниобата диаметром 1,5 и 2 дюйма. Thus, the claimed method allows to obtain high-quality polycrystalline charge in a rational (tableted), compact form for growing single crystals of lantangallium niobate. Single crystals of lanthan gallium niobate with a diameter of 1.5 and 2 inches were grown from the synthesized charge.

Предложенный способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата позволяет:
- сократить количество предварительных операций;
- получить профилированные таблетки необходимой массы и размеров для заполнения всего объема иридиевого тигля при выращивании из него монокристалла;
- избежать нарушения стехиометрии расплава, так как синтезированные таблетки полностью используются при наплавлении их в тигель, а, следовательно, получать однородные по своему составу монокристаллы.
The proposed method of solid-phase synthesis of a mixture for growing single crystals of lantangallium niobate allows you to:
- reduce the number of preliminary operations;
- get shaped tablets of the required weight and size to fill the entire volume of the iridium crucible when growing a single crystal from it;
- to avoid violation of the stoichiometry of the melt, since the synthesized tablets are fully used when fusing them into a crucible, and, therefore, to obtain single crystals uniform in composition.

Claims (1)

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (La3Ga5,5Nb0,5O14), включающий смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы монокристалла, взятых в определенном соотношении, нагрев их до температуры синтеза 1410 - 1430oC и спекание, отличающийся тем, что смешивание исходных оксидов происходит в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Nb2O5 = 7,35 : (7,77 - 7,79) : 1, а спекание осуществляют в течение 6 ч.A method of solid-phase synthesis of a mixture for growing single crystals of lantangallium niobate (La 3 Ga 5.5 Nb 0.5 O 14 ), comprising mixing the initial oxides of the elements included in the single crystal formula taken in a specific ratio, heating them to a synthesis temperature of 1410 - 1430 o C and sintering, characterized in that the mixing of the starting oxides occurs in the ratio La 2 O 3 : Ga 2 O 3 : Nb 2 O 5 = 7.35: (7.77 - 7.79): 1, and sintering is carried out for 6 hours
RU2000103867/12A 2000-02-18 2000-02-18 METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14) RU2160796C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000103867/12A RU2160796C1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000103867/12A RU2160796C1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2160796C1 true RU2160796C1 (en) 2000-12-20

Family

ID=20230732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000103867/12A RU2160796C1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2160796C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2296824C1 (en) * 2005-12-01 2007-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" Method of production of charge for growing monocrystals on base of oxides of rare-earth metals, trace metals and refractory metals or silicon
RU2413041C2 (en) * 2009-04-06 2011-02-27 Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" Научно-производственное объединение "Кристалл" Procedure for solid phase synthesis of charge for growth of mono crystals of lanthanum-gallium tantalate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991016477A1 (en) * 1990-04-17 1991-10-31 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Process for producing single crystal of oxide
RU2108418C1 (en) * 1997-03-12 1998-04-10 Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ФОМОС" Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991016477A1 (en) * 1990-04-17 1991-10-31 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Process for producing single crystal of oxide
RU2108418C1 (en) * 1997-03-12 1998-04-10 Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ФОМОС" Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SHIMAMURA K. et all. Growth and charakteriration of lantanum gallium silikate La 3 Ga 5 SiO 14 single crystals for pieroelectric application. J. of Crystal Growth, 199, v.163, p.388-392. *
МИЛЛЬ Б.В. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca 3 Ga 2 Ge 4 O 14 . Доклады АН СССР. - 1982, т.264, N 6, с.1385-1389. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2296824C1 (en) * 2005-12-01 2007-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" Method of production of charge for growing monocrystals on base of oxides of rare-earth metals, trace metals and refractory metals or silicon
RU2413041C2 (en) * 2009-04-06 2011-02-27 Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" Научно-производственное объединение "Кристалл" Procedure for solid phase synthesis of charge for growth of mono crystals of lanthanum-gallium tantalate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101476156B (en) Gadolinium, yttrium, scandium and gallium doped garnet, gadolinium-yttrium-scandium-gallium-aluminum garnet and crystal growth method by melt method
US10227709B2 (en) Crystal growth atmosphere for oxyorthosilicate materials production
EP1876157A1 (en) Semiconductor porcelain composition and process for producing the same
RU2160796C1 (en) METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM NIOBATE (La3Ga5,5Nb0,5O14)
US5721182A (en) Metal niobates and/or tantalates, their preparation and perovskites formed from them
RU2160797C1 (en) METHOD OF SOLID-PHASE SYNTHESIS OF MIXTURE FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS OF LANTHANUM-GALLIUM TANTALATE (La3Ga5,5Ta0,5O14)
US9175420B2 (en) Suppression of crystal growth instabilities during production of rare-earth oxyorthosilicate crystals
CN110923816B (en) A kind of calcium bismuth titanate photoelectric functional crystal and its growth method and application
JPH03218963A (en) Production of transparent yttrium-aluminumgarvent-ceramics
Li et al. Growth and structure of Nd3+-doped Li 3 Ba 2 Y 3 (WO 4) 8 crystal with a disorder structure
EP1076036A1 (en) Method to produce compounds based upon stabilized, cubic zirkonoxide, products obtained and use
EP1867761A1 (en) Gallate single crystal, process for producing the same, piezoelectric device for high-temperature use and piezoelectric sensor for high-temperature use
RU2147048C1 (en) Method of solid-phase synthesis of charge for growing monocrystals of lanthanum gallic silicate
RU2194808C1 (en) Process of preparation of mixture to grow monocrystals of gallosilicates with structure of calcium gallogermanate
RU2241793C2 (en) Method for producing of batch for growth of single crystal strong-nigacite and strontangacite with calcium gallogermanate structure
JP6102687B2 (en) Method for producing complex oxide single crystal
JP3791107B2 (en) Oxide single crystal
RU2195520C1 (en) METHOD OF PREPARATION OF SOLUTION-MELT FOR GROWING MONOCRYSTALS β-BaB2O4
RU2172362C2 (en) Monocrystal for manufacture of disks in surface acoustic wave devices and method of obtaining monocrystal
RU2249063C1 (en) Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth
RU2296824C1 (en) Method of production of charge for growing monocrystals on base of oxides of rare-earth metals, trace metals and refractory metals or silicon
RU2300501C1 (en) Method of production of europium hepta tantalate
RU2186886C2 (en) METHOD OF SYNTHESIS OF COMPLEX OXIDE OF FORMULA Y2Be2SiO7
RU2413041C2 (en) Procedure for solid phase synthesis of charge for growth of mono crystals of lanthanum-gallium tantalate
Berkowski et al. Growth and structure of SrAl0. 5Ta0. 5O3: LaAlO3: CaAl0. 5Ta0. 5O3 solid solutions single crystals

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050219