RU2156220C1 - Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method - Google Patents
Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2156220C1 RU2156220C1 RU99110318A RU99110318A RU2156220C1 RU 2156220 C1 RU2156220 C1 RU 2156220C1 RU 99110318 A RU99110318 A RU 99110318A RU 99110318 A RU99110318 A RU 99110318A RU 2156220 C1 RU2156220 C1 RU 2156220C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- condition
- weight content
- metallic
- solution
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 85
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 19
- -1 fluorine halogen Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- VDRSDNINOSAWIV-UHFFFAOYSA-N [F].[Si] Chemical compound [F].[Si] VDRSDNINOSAWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 21
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области технологии получения материалов, а именно к технологии получения поликристаллического кремния и его химических соединений - карбида и нитрида из природных кремнийсодержащих концентратов. The invention relates to the field of technology for producing materials, namely to technology for producing polycrystalline silicon and its chemical compounds - carbide and nitride from natural silicon-containing concentrates.
Известны способы получения поликристаллического кремния термохимическим восстановлением оксидов кремния электролизом из расплавов, содержащих оксидные соединения кремния и галогениды солей (Пелевин О.В., Гришин В.П. Производство полупроводниковых материалов для перспективных преобразователей солнечной энергии, - М., ВИНИТИ, Итоги науки и техники, серия Металлургия цветных металлов, том 19, 1989, с.3-48; Фалькевич Э.С., Пульнер Э.С., Червонный И. Ф. и др. - Технология полупроводникового кремния. - М., Металлургия, 1992 , - 408 с.; Agraval A.K., Austin A.E.//J.Electrochem. Soc., 1980, v. 127, N 3, p 117; Чернов Р.В., Мошенко В.М., Сторчак Н.М. Электролит для получения металлического кремния из расплавов. А.С. СССР 460326 заявлено 19.06.73 N1943090/22-1) с последующим синтезом карбида и нитрида из простых веществ (Косолапова Т.Я. и др. Неметаллические тугоплавкие соединения. - М., Металлургия, 1986). Known methods for producing polycrystalline silicon by thermochemical reduction of silicon oxides by electrolysis from melts containing silicon oxide compounds and salt halides (Pelevin O.V., Grishin V.P. Production of semiconductor materials for promising converters of solar energy, - M., VINITI, Results of science and Techniques, Nonferrous Metals Metallurgy Series, Volume 19, 1989, pp. 3-48; Falkevich E.S., Pulner E.S., Chervonny I.F. et al. - Semiconductor Silicon Technology. - M., Metallurgy, 1992 , - 408 p .; Agraval AK, Austin AE // J. Electrochem. Soc., 1 980, v. 127, N 3, p 117; Chernov R.V., Moshenko V.M., Storchak N.M. Electrolyte for the production of metallic silicon from melts.AS USSR 460326 06/19/73 N1943090 / 22 -1) followed by the synthesis of carbide and nitride from simple substances (Kosolapova T.Ya. et al. Non-metallic refractory compounds. - M., Metallurgy, 1986).
Известен способ выделения и очистки кремния из кремнийсодержащих соединений или металлургического кремния с помощью его транспортировки связывающим носителем на основе хлора в виде SiCl4, SiHCl3 с последующим гидрированием и пиролизом силана или парофазного восстановления SiCl4 и цинком по реакции (Гранков И.В. Производство кремния за рубежом. / Обозинформ. Вып. 1, - М.: ЦНИИцветмет, 1983, 38 с.)
SiCl4 + 2Zn ---> Si + 2ZnCl2.A known method of separation and purification of silicon from silicon-containing compounds or metallurgical silicon by transporting it with a chlorine-based bonding carrier in the form of SiCl 4 , SiHCl 3 , followed by hydrogenation and pyrolysis of silane or vapor-phase reduction of SiCl 4 and zinc by reaction (Grankov I.V. Production silicon abroad. / Obozinform.
SiCl 4 + 2Zn ---> Si + 2ZnCl 2 .
Известны также растворение металлического кальция в расплавленном цинке при получении фтора электролизом тетрафторборатных расплавов, содержащих фторид кальция (Mamontov G. And Laher T.M. Production of Fluorine by the Electrolysis of Calcium Fluoride - Containing Tetrafluoroborate Melts.// J. Electrochem. Soc. 1989, Vol. 136, N 3, pp. 673-676) и способ транспортировки кремния связывающим носителем на основе хлора и растворение электролитически полученного металла в расплаве жидкого цинкового катода (Гранков И.В. Производство кремния за рубежом, / Обозинформ. Вып. 1, - М.: ЦНИИцветмет, 1983, 38с. ; Mamontov G. And Laher Т.М. Production of Fluorine by the Electrolysis of Calcium Fluoride - Containing Tetrafluoroborate Melts. // J.Electrochem. Soc. 1989, Vol. 136, N 3, pp 673-676). Also known is the dissolution of calcium metal in molten zinc upon fluorine production by electrolysis of tetrafluoroborate melts containing calcium fluoride (Mamontov G. And Laher TM Production of Fluorine by the Electrolysis of Calcium Fluoride - Containing Tetrafluoroborate Melts.// J. Electrochem. Soc. 1989, Vol. 1989. . 136, N 3, pp. 673-676) and a method for transporting silicon by a chlorine-based bonding carrier and dissolving the electrolytically produced metal in a molten liquid zinc cathode (IV Grankov, Silicon Production Abroad, / Obozinform.
Известны способ получения металлов путем отгонки примесей при пониженных давлениях (Зеликман А. Н., Меерсон Г.А. М., "Металлургия", 1973, 608 с.) и способ вакуумной сепарации восстановленной реакционной массы при производстве металлического титана (Большаков К.А. Химия и технология редких и рассеянных элементов. М.: Высшая школа, 1976, 105 с.). A known method of producing metals by distillation of impurities at reduced pressures (Zelikman A.N., Meerson G.A. M., Metallurgy, 1973, 608 S.) and a method of vacuum separation of the reduced reaction mass in the production of metallic titanium (K. Bolshakov A. Chemistry and technology of rare and trace elements.M .: Higher School, 1976, 105 pp.).
Известен металлический кремний солнечного сорта (Пелевин О.В., Гришин В. П. Производство полупроводниковых материалов для перспективных преобразователей солнечной энергии, - М., ВИНИТИ, Итоги науки и техники, серия Металлургия цветных металлов, том 19, 1989, с. 3-48). Known metallic silicon of the solar grade (Pelevin O.V., Grishin V.P. Production of semiconductor materials for prospective converters of solar energy, - M., VINITI, Results of science and technology, series Metallurgy of non-ferrous metals, volume 19, 1989, p. 3 -48).
Известны способы получения неметаллических тугоплавких соединений (Косолапова Т.Я. и др. Неметаллические тугоплавкие соединения. - М., Металлургия, 1986.) и способ получения керамических материалов на основе металлического кремния путем его термохимического взаимодействия с углерод- и/или азотсодержащими веществами (Гнесин Г.Г. Безкислородные керамические материалы, - Киев: Техника, 1987). Known methods for producing non-metallic refractory compounds (Kosolapova T.Ya. et al. Non-metallic refractory compounds. - M., Metallurgy, 1986.) and a method for producing ceramic materials based on metallic silicon by thermochemical interaction with carbon and / or nitrogen-containing substances ( Gnesin G.G. Oxygen-free ceramic materials, - Kiev: Technique, 1987).
Известны керамические материалы (Кулик О.П., Мацегора С.Н., Авербух Л.М. Исходное сырье для производства конструкционной керамики - требования и свойства // Технология. Сер. Оборудование, материалы, процессы, - 1988. - Вып. 2. - 85 с.; Патент. 4368180 США от 11.01.83; J.Soc. Mater. Sci. - 1986. - Vol. 21, N 4. - P. 1448 - 1456; Куимова M.E., Максимов А.А. Получение и применение новых конструкционных керамических материалов // Новые материалы и новые технологии. Вып. 18. М.: ВНТИЦентр, 1986). Их недостаток - недостаточная воспроизводимость свойств из-за относительного высокого содержания металлических примесей, являющихся концентратами напряжения в керамических изделиях. Ceramic materials are known (Kulik O.P., Matsegora S.N., Averbukh L.M. Raw materials for the production of structural ceramics - requirements and properties // Technology. Ser. Equipment, materials, processes, - 1988. -
Общим недостатком указанных способов и материалов является низкое качество получаемых кремния, его карбида и нитрида, а их очистка от примесей представляет сложную и дорогую инженерную задачу. A common disadvantage of these methods and materials is the low quality of the obtained silicon, its carbide and nitride, and their purification from impurities is a complex and expensive engineering task.
Решаемой настоящим изобретением задачей является получение высокочистых порошков поликристаллического кремния, его карбида и нитрида с достижением технического результата в отношении уменьшения содержания в них недопустимых примесей и снижения себестоимости изготавливаемых материалов. The problem to be solved by the present invention is to obtain high-purity powders of polycrystalline silicon, its carbide and nitride, with the achievement of a technical result with respect to reducing the content of intolerable impurities in them and reducing the cost of manufactured materials.
В качестве сведений, раскрывающих сущность изобретения следует отметить, что достигаемый технический результат обеспечивают с помощью предложенного способа получения раствора металлического кремния, заключающегося в том, что выделение кремния из кремнийсодержащих соединений производят в реакторе, преимущественно из оксидов с помощью фторгалогена с весовым содержанием C1 фтора и C2 галогена, удовлетворяющих условию 0,7 ≤ (C1 + C2) / C1 ≤ 2,2. Из выделяющегося тепла в количестве E2 в реакторе отводят тепло в количестве E1 при условии 1 ≤ (E1 + E2) /E2 ≤ 2. Отвод тепла, выделяющегося в реакторе, необходим в связи с экзотермическим характером осуществляемых реакций, происходящих со столь значительным выделением энергии, что обязательно принудительное охлаждение. Отвод тепла в указанных пределах обеспечивает оптимальные условия протекания технологического процесса. Связанный с помощью фторгалогена кремний электролитически разлагают на кремний и фторгалогенные соединения с получением кремния в жидком низкоплавком металлическом катоде. При этом выделившийся на аноде фтор и галоген транспортируют на выделение кремния в n стадий, количество которых выбирают в пределах 1 - 3 при условии 1 ≤ (C5 + C6)/C6 ≤ 6,2, где C5 - весовое содержание фторгалогена, C6 - весовое содержание кремнийсодержащего соединения. Такое циклическое неоднократное применение фтор и галогенного носителя необходимо для его рационального использования. Выделенные в электролизере сопутствующие компоненты принудительно удаляют для последующей утилизации.As information disclosing the essence of the invention, it should be noted that the achieved technical result is achieved using the proposed method for producing a solution of metallic silicon, which consists in the fact that the separation of silicon from silicon-containing compounds is carried out in a reactor, mainly from oxides, using fluorine halogen with a weight content of C 1 fluorine and C 2 halogen satisfying the condition 0.7 ≤ (C 1 + C 2 ) / C 1 ≤ 2.2. From the heat generated in the amount of E 2 in the reactor heat is removed in the amount of E 1 provided 1 ≤ (E 1 + E 2 ) / E 2 ≤ 2. The heat generated in the reactor is removed due to the exothermic nature of the reactions that occur with such a significant release of energy that forced cooling is required. Heat removal within the specified limits provides optimal conditions for the flow of the process. Silicon bonded with fluorohalogen is electrolytically decomposed into silicon and fluorohalogen compounds to produce silicon in a liquid low melting metal cathode. In this case, the fluorine and halogen released at the anode are transported to silicon separation in n stages, the number of which is selected within 1 - 3 under the
Достигаемый технический результат обеспечивают также с помощью предложенного способа получения металлического кремния, заключающегося в перекристаллизации кремния упариванием при пониженном давлении из раствора металлического кремния, полученного по вышеописанному способу, имеющего весовое содержание кремния C7 и весовое содержание металла C8 при условии 1 ≤ (C7 + C8) / C7 ≤ 10. Это выполняют при подводе к каждой единице объема раствора энергии в количестве E3 - E4 при условии 1 ≤ (E3 + E4) /E4 ≤ 2 и изменении давления над раствором таким образом, чтобы обеспечить условие 1 ≤ (P1 + P2) /P2 ≤ 2, где P1 парциальное давление паров растворителя, P2 - давление насыщенных паров растворителя при атмосферном давлении.Achievable technical result is also ensured by the proposed method for producing silicon metal, which involves recrystallization of silicon by evaporation under reduced pressure from a silicon metal solution obtained by the above method, having a weight content of silicon C 7 and a weight content of metal C 8 under the
Достигаемый технический результат обеспечивают также в предложенном металлическом кремнии, полученном вышеописанным способом и характеризуемом содержанием в нем примесей, дисперсностью и удельной поверхностью его поликристаллических конгломератов. При этом получают особо чистый материал, включающий кремний с весовым его содержанием C11, металлические примеси с весовым содержанием C9 и неметаллические примеси с их весовым содержанием C10 при условии 1 ≤ (C9 + C10 + C11) / C11 ≤ 1,1, при соотношении минимальных r1 и максимальных r2 размеров поликристаллических конгломератов, удовлетворяющих условию (1 + 10-5) ≤ (r1 + r2) / r2 ≤ 2, и при соотношении минимальных S1 и максимальных S2 значений удельных поверхностей полиметаллических конгломератов кремния, удовлетворяющих условию (1 + 10-4) ≤ (S1 + S2) / S2 ≤ 2.Achievable technical result is also provided in the proposed metallic silicon obtained by the above method and characterized by the content of impurities in it, dispersion and specific surface of its polycrystalline conglomerates. An extremely pure material is obtained, including silicon with its weight content of C 11 , metal impurities with a weight content of C 9 and non-metallic impurities with their weight content of C 10 under the
Достигаемый технический результат обеспечивают также с помощью предложенного способа получения керамических материалов на основе карбидов и/или нитридов кремния, заключающегося в термохимическом взаимодействии вышеописанного металлического кремния с азот и/или углеродсодержащим веществом с весовым содержанием C12 углерода и/или азота в веществе, имеющем весовое содержание C13 при условии 1 ≤ (C12 + C13) / C13 ≤ 2. При этом взаимодействие ведут при весовом содержании кремния C14 и весовом содержании углерода и/или азота C15, обеспечивающих условие 1 ≤ (C14 + C15) / C14 ≤ 8 до достижения в готовом керамическом материале с весовым содержанием C17 весового содержания C16 свободного кремния при условии 1 ≤ (C16 + C17) / C17 ≤ 1,8.The technical result achieved is also provided by the proposed method for producing ceramic materials based on silicon carbides and / or silicon nitrides, which consists in thermochemical interaction of the above-described silicon metal with nitrogen and / or a carbon-containing substance with a weight content of C 12 carbon and / or nitrogen in a substance having a weight 13 C content under the
Достигаемый технический результат обеспечивают также в полученном по вышеописанному способу керамическом материале, характеризуемом содержанием в нем примесей, дисперсностью и удельной поверхностью его поликристаллических конгломератов, а также содержанием его фазового состава. При этом получают керамический материал, включающий металлические примеси с их весовым содержанием C18, неметаллические примеси с их весовым содержанием C19, и имеющий весовое содержание C20 при соблюдении условия 1 ≤ (C18 + C19 + C20) / C20 ≤ 3,4 при соотношении минимальных r3 и максимальных r4 размеров поликристаллических конгломератов, удовлетворяющих условию (1 + 10-6) ≤ (r3 + r4) / r4 ≤ 2, и при соотношении минимальных S3 и максимальных S4 значений удельных поверхностей конгломератов керамического материала, удовлетворяющих условию (1 + 10-6) ≤ (S3 + S4) / S4 ≤ 2. Фазовый состав изготовленного керамического материала, характеризующийся весовым содержанием С21 α-фазы карбида и/или нитрида и C22 β-фазы карбида и/или нитрида, удовлетворяет условию 1,05 ≤ (C21 + C22) / C21 ≤ 1,9.The technical result achieved is also achieved in the ceramic material obtained by the above method, characterized by the content of impurities in it, the dispersion and specific surface of its polycrystalline conglomerates, as well as the content of its phase composition. A ceramic material is obtained, including metallic impurities with their weight content of C 18 , non-metallic impurities with their weight content of C 19 , and having a weight content of C 20 subject to
Следует обратить внимание, что предложенные способы и материалы имеют одно и то же назначение, служат одной цели, обеспечивают достижение одного и того же технического результата и таким образом взаимосвязаны единым изобретательским замыслом, охарактеризованным формулой изобретения. При этом концепция правовой охраны основана на том, что неразрывность и взаимосвязанность предложенных объектов, а также допускаемая вариантность осуществления отдельных существенных признаков или их совокупностей предопределяют нетрадиционный характер формулировок некоторых признаков, например, отражения особенностей предложенных материалов характеристикой не только входящих компонентов, но и, в частности, с помощью характеристики образовавшихся в них конгломератов и других параметров, однозначно характеризующих материалы, полученные для практической реализации поставленной задачи. Эти вещества получают на основе выполнения технологически объединенной совокупности способов, взаимосвязанных единым изобретательским замыслом. It should be noted that the proposed methods and materials have the same purpose, serve the same purpose, ensure the achievement of the same technical result and are thus interconnected by a single inventive concept, characterized by the claims. Moreover, the concept of legal protection is based on the fact that the continuity and interconnectedness of the proposed objects, as well as the permissible variation in the implementation of certain essential features or their combinations, predetermine the non-traditional nature of the wording of some features, for example, reflecting the characteristics of the proposed materials by characterizing not only the incoming components, but also, in in particular, using the characteristics of conglomerates formed in them and other parameters that uniquely characterize the materials and gender chennye for the practical implementation of the task. These substances are obtained on the basis of a technologically integrated set of methods interconnected by a single inventive concept.
Для пояснения целесообразно привести следующий пример практической реализации описанного способа получения раствора металлического кремния. Кремний из кремнезема или кварцевого песка связывают фтор- и галогенным носителем на основе трифторхлора (ClF3) по реакции
Образовавшиеся SiF4 и SiCl4 в электролизе подвергают электролизу по способу (Гранков И.В. Производство кремния за рубежом: // Обозинформ. Вып. 1, - М.: ЦНИИцветмет, 1983, 38 с.; Mamontov G. And Laher Т.М. Production of Fluorine by the Electrolysis of Calcium Fluoride - Containing Tetrafluoroborate Melts. // J. EIectrochem. Soc. 1989, Vol. 136, N 3, pp. 673-676) и получают раствор кремния 22% маc. в расплаве цинка, а на аноде смесь фтора и хлора, которую используют в качестве носителя для связывания кремния из кремнезема или кварцевого песка. Таким образом получают наиболее качественный раствор кремния при его низкой себестоимости. Оптимальные особенности осуществления операций способа получения металлического кремния из растворов заключаются в том, что выделение кремния из кремнийсодержащих соединений производят преимущественно из оксидов с помощью фторгалогена с весовым содержанием C1 фтора и C2 галогена, удовлетворяющих условию (C1 + C2) / C1 = 1, 2, а из выделяющегося тепла в количестве E2 в реакторе отводят тепло в количестве E1 при условии (E1 + E2) / E2 = 1,4. Связанный таким образом с помощью фторгалогена кремний электролитически разлагают на кремний и фторгалогенные соединения с получением кремния в жидком низкоплавком металлическом катоде, при этом выделившийся на аноде фтор и галоген транспортируют на выделение кремния в 2 стадии (C5 + C6) / C6 = 2,6, где C5 - весовое содержание фторгалогена, C6 - весовое содержание кремнийсодержащего соединения.For clarification, it is advisable to give the following example of practical implementation of the described method for producing a solution of silicon metal. Silicon from silica or silica sand is bound with a fluorine and a halogen carrier based on trifluorochlorine (ClF 3 ) by the reaction
The resulting SiF 4 and SiCl 4 in electrolysis are subjected to electrolysis according to the method (Grankov I.V. Silicon production abroad: // Obozinform.
При практическом осуществлении предложенного способа получения металлического кремния, заключающегося в перекристаллизации кремния упариванием при пониженном давлении из раствора металлического кремния, полученного по вышеописанному способу, в качестве сырья используют металлический раствор кремния с высоким его содержанием C7 не менее 15 мас.% в расплаве металлов. При этом выбирают, например, весовое содержание кремния C7 и весовое содержание металла C8 при условии (C7 + C8) / C7 = 3,7. Раствор упаривают, подводя к каждой единице объема раствора количества энергии, минимальное E3 и максимальное E4 значения которых поддерживают при условии (E3 + E4) / E4 = 1,6, и изменяя давление над раствором таким образом, чтобы обеспечить, в частности, условие (P1 + P2) / P2 = 1,7, где P1- парциальное давление паров растворителя, P2 - давление насыщенных паров растворителя при атмосферном давлении. В качестве примера реализации этого способа с абсолютными значениями поддерживаемых параметров целесообразно описать следующий. Раствор кремния 22 мас. % в расплавленном цинке подвергают вакуумной сепарации при 400oC и температуре 400 - 450oC. Остаточное содержание цинка в порошке кремния при окончании сепарации при давлении 10-4 мм рт.ст. составляет < 1 ppm. Перекристаллизовывая кремний из расплавленного цинка получают существенно более качественный, чем по известным способам, кремний в виде серых, твердых, но довольно хрупких кристаллов уд. веса 2,4.In the practical implementation of the proposed method for producing metallic silicon, which consists in the recrystallization of silicon by evaporation under reduced pressure from a solution of metallic silicon obtained by the above method, a silicon metal solution with a high C 7 content of at least 15 wt.% In the molten metal is used as a raw material. When this is selected, for example, the weight content of silicon C 7 and the weight content of metal C 8 under the condition (C 7 + C 8 ) / C 7 = 3.7. The solution is evaporated, bringing to each unit volume of the solution an amount of energy, the minimum E 3 and maximum E 4 values of which are maintained under the condition (E 3 + E 4 ) / E 4 = 1.6, and changing the pressure over the solution in such a way as to ensure in particular, the condition (P 1 + P 2 ) / P 2 = 1.7, where P 1 is the partial vapor pressure of the solvent, P 2 is the vapor pressure of the solvent at atmospheric pressure. As an example of the implementation of this method with the absolute values of the supported parameters, it is advisable to describe the following. A solution of silicon 22 wt. % in molten zinc is subjected to vacuum separation at 400 o C and a temperature of 400 - 450 o C. The residual zinc content in the silicon powder at the end of the separation at a pressure of 10 -4 mm RT.article is <1 ppm. By recrystallizing silicon from molten zinc, silicon is obtained much higher quality than by known methods in the form of gray, solid, but rather fragile crystals of beats. weight 2.4.
Выбор указанных параметров технологических способов в заявленных пределах позволяет получить высококачественный металлический кремний, характеризуемый содержанием в нем минимального количества примесей, дисперсностью и удельной поверхностью его поликристаллических конгломератов в допустимых пределах. В результате получают особо чистый материал, включающий кремний с весовым его содержанием C11, металлические примеси с весовым содержанием C9 и неметаллические примеси с их весовым содержанием C10 при условии (C9 + C10 + C11) / C11 = 1,0001, при соотношении минимальных r1 и максимальных r2 размеров поликристаллических конгломератов, удовлетворяющих условию (r1 + r2) / r2 = 1,7, и при соотношении минимальных S1 и максимальных S2 значений удельных поверхностей полиметаллических конгломератов кремния, удовлетворяющих условию (S1 + S2) / S2 = 1,6. В частности, полученный металлический кремний с общей концентрацией примесей 2•1017 ат. cm3, содержит алюминия - 1•1016 ат. cm3, фосфора и бора 1,0 • 1014 ат.cm3 при невысокой его стоимости.The choice of the indicated parameters of technological methods within the stated limits allows to obtain high-quality metallic silicon, characterized by the content of a minimum amount of impurities, dispersion and specific surface of its polycrystalline conglomerates within acceptable limits. The result is a particularly pure material, including silicon with a weight content of C 11 , metal impurities with a weight content of C 9 and non-metallic impurities with their weight content of C 10 under the condition (C 9 + C 10 + C 11 ) / C 11 = 1, 0001, with a ratio of minimum r 1 and maximum r 2 sizes of polycrystalline conglomerates satisfying the condition (r 1 + r 2 ) / r 2 = 1.7, and with a ratio of minimum S 1 and maximum S 2 values of specific surfaces of silicon polymetallic conglomerates satisfying condition (S 1 + S 2 ) / S 2 = 1.6. In particular, the obtained metallic silicon with a total concentration of impurities of 2 • 10 17 at. cm 3 , contains aluminum - 1 • 10 16 at. cm 3 , phosphorus and boron 1.0 • 10 14 at.cm 3 at a low cost.
В случае практического использования предложенного способа получения керамических материалов на основе карбидов и/или нитридов кремния, заключающегося в термохимическом взаимодействии вышеописанного металлического кремния с азот- и/или углеродсодержащим веществом часто выбирают значения указанных параметров следующими. Азот- и/или углеродсодержащее вещество выбирают с весовым содержанием C13 при весовом содержании C12 углерода и/или азота в веществе, выбираемом из условия (C12 + C13) / C13 = 1,5. При этом взаимодействие ведут при весовом содержании кремния C14 и весовом содержании углерода и/или азота C15, обеспечивающих условие (C14 + C15) / C14 = 2,8 до достижения в готовом керамическом материале с весовым содержанием C17 весового содержания C16 свободного кремния при условии (C16 + C17) / C17 = 1,7. Таким образом по описанному способу более качественно и экономично синтез керамических материалов осуществляют, например, при поддержании следующих абсолютных значений параметров при взаимодействии электролитически полученного кремния с очищенными углерод- и/или азотсодержащими веществами по реакциям.In the case of the practical use of the proposed method for producing ceramic materials based on silicon carbides and / or nitrides, consisting in the thermochemical interaction of the above-described metallic silicon with a nitrogen and / or carbon-containing substance, the values of these parameters are often chosen as follows. The nitrogen and / or carbon-containing substance is selected with a weight content of C 13 at a weight content of C 12 carbon and / or nitrogen in a substance selected from the condition (C 12 + C 13 ) / C 13 = 1.5. The interaction is carried out at a weight content of silicon C 14 and a weight content of carbon and / or nitrogen C 15 , providing the condition (C 14 + C 15 ) / C 14 = 2.8 until the finished ceramic material with a weight content of C 17 weight content C 16 free silicon under the condition (C 16 + C 17 ) / C 17 = 1.7. Thus, according to the described method, the synthesis of ceramic materials is carried out more qualitatively and economically, for example, while maintaining the following absolute values of the parameters during the interaction of electrolytically obtained silicon with purified carbon and / or nitrogen-containing substances by reactions.
Si + CN4 = SiC + 2N2
3Si + 4NH3 = Si3N4 + 6H2
В результате получают по вышеописанному способу керамический материал, характеризуемый содержанием в нем примесей, дисперсностью и удельной поверхностью его поликристаллических конгломератов, а также содержанием его фазового состава. При этом керамический материал с весовым содержанием C20 получают, например, при наличии в нем металлических примесей с их весовым содержанием C18 и неметаллических примесей с их весовым содержанием C19 при соблюдении условия (C18 + C19 + C20) / C20 = 1,1 при соотношении минимальных r3 и максимальных r4 размеров поликристаллических конгломератов, удовлетворяющих условию (r3 + r4) / r4 = 1,3, и при соотношении минимальных S3 и максимальных S4 значений удельных поверхностей конгломератов керамического материала, удовлетворяющих условию (S3 + S4) / S4 = 1,4. Фазовый состав изготовленного керамического материала, характеризующийся весовым содержанием C21 α-фазы карбида и/или нитрида и C22 β-фазы карбида и/или нитрида, удовлетворяет при этом условию (C21 + C22) / C21 = 1,5. В качестве примера целесообразно также охарактеризовать полученный керамический материал, например, сопоставлением свойств нитрида и карбида кремния (см. таблицу).Si + CN 4 = SiC + 2N 2
3Si + 4NH 3 = Si 3 N 4 + 6H 2
As a result, a ceramic material is obtained by the above method, characterized by the content of impurities in it, the dispersion and specific surface of its polycrystalline conglomerates, as well as the content of its phase composition. In this case, a ceramic material with a weight content of C 20 is obtained, for example, in the presence of metallic impurities in it with their weight content of C 18 and non-metallic impurities with their weight content of C 19 under the condition (C 18 + C 19 + C 20 ) / C 20 = 1.1 with a ratio of minimum r 3 and maximum r 4 sizes of polycrystalline conglomerates satisfying the condition (r 3 + r 4 ) / r 4 = 1.3, and with a ratio of minimum S 3 and maximum S 4 values of specific surfaces of conglomerates of ceramic material satisfying the condition (S 3 + S 4 ) / S 4 = 1.4. The phase composition of the manufactured ceramic material, characterized by the weight content of the C 21 α phase of carbide and / or nitride and the C 22 β phase of carbide and / or nitride, satisfies the condition (C 21 + C 22 ) / C 21 = 1.5. As an example, it is also advisable to characterize the obtained ceramic material, for example, by comparing the properties of nitride and silicon carbide (see table).
Соответствие критерию промышленная применимость заявленных объектов доказывается их широким использованием в промышленных масштабах, а также отсутствием в заявленных притязаниях каких-либо практически трудно реализуемых признаков. Compliance with the criterion of industrial applicability of the claimed facilities is proved by their widespread use on an industrial scale, as well as by the absence of any practically difficult features in the claimed claims.
Достигаемый технический результат, как показали данные экспериментов, может быть реализован только взаимосвязанной совокупностью всех существенных признаков заявленных объектов, отраженных в формуле изобретения. Указанные в ней отличия дают основание сделать вывод о новизне данного технического решения, а совокупность испрашиваемых притязаний в связи с их неочевидностью - о его изобретательском уровне, что доказывается также вышеприведенным детальным описанием заявленных объектов. Заявленные существенные отличительные признаки, нижние и верхние значения их пределов и приведенных аналитических соотношений были получены на основе статистической обработки результатов экспериментальных исследований, анализа и обобщения их и известных из опубликованных источников данных, взаимосвязанных условиями достижения указанного в заявке технического результата, а также с использованием изобретательской интуиции. The technical result achieved, as shown by the experimental data, can only be realized by an interconnected set of all the essential features of the claimed objects reflected in the claims. The differences indicated in it give reason to conclude that the technical solution is new, and the totality of the claimed claims in connection with their non-obviousness is about its inventive step, which is also proved by the above detailed description of the claimed objects. The claimed significant distinguishing features, the lower and upper values of their limits and the given analytical relationships were obtained on the basis of statistical processing of the results of experimental studies, analysis and generalization of them and known from published data sources, interconnected by the conditions for achieving the technical result indicated in the application, as well as using inventive intuition.
Таким образом предложенные способы получения поликристаллического кремния и его соединений - карбида и нитрида - из природных кремнийсодержащих концентратов позволяют получить высококачественные металлический кремний и керамический материал в виде нитрида и/или карбида кремния с минимальным содержанием примесей и обеспечить снижение их себестоимости не менее чем в 1,5 раза. Thus, the proposed methods for producing polycrystalline silicon and its compounds — carbide and nitride — from natural silicon-containing concentrates make it possible to obtain high-quality metallic silicon and ceramic material in the form of nitride and / or silicon carbide with a minimum content of impurities and to reduce their cost price by at least 1, 5 times.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99110318A RU2156220C1 (en) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99110318A RU2156220C1 (en) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2156220C1 true RU2156220C1 (en) | 2000-09-20 |
Family
ID=20219924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99110318A RU2156220C1 (en) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2156220C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005021431A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-10 | S.T.B. Advanced Technology Ltd. | Method for producing high-purity silicon tetrafluoride |
| WO2006019334A1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Limited Liability Company 'solar Energy' Company' | Method for producing silicon, method for separating silicon from molten salt and method for producing tetrafluoride |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1080589A (en) * | 1965-06-15 | 1967-08-23 | Gen Trustee Company Inc | Method of producing silicon and electrolytic cell therefor |
| GB1317011A (en) * | 1969-06-20 | 1973-05-16 | Danfoss As | Process for producing a mixture of silicon oxynitride and silicon carbide |
| US4151264A (en) * | 1977-02-14 | 1979-04-24 | Wacker-Chemie Gmbh | Process of melting down and purifying silicon |
| US4193974A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-18 | Union Carbide Corporation | Process for producing refined metallurgical silicon ribbon |
| GB2066800A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-15 | Kurosaki Refractories Co | Sic-si3n4 composite system |
| GB2079736A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-27 | Dow Corning | Preparation of silicon metal from polychlorosilanes |
| FR2559473A1 (en) * | 1984-02-13 | 1985-08-16 | Ila Lilleby Smelteverker | Process for the production of purified silicon |
| FR2564083A1 (en) * | 1984-05-09 | 1985-11-15 | Central Glass Co Ltd | PROCESS FOR THE CONTINUOUS PRODUCTION OF A POWDER OF A SILICON COMPOUND USEFUL AS A CERAMIC MATERIAL |
| RU2035396C1 (en) * | 1990-11-11 | 1995-05-20 | Научно-исследовательский, проектно-конструкторский, технологический институт механизации труда в черной металлургии и ремонтно-механических работ | Method for producing powders of high-melting inorganic compounds |
| SU1809585A1 (en) * | 1990-06-26 | 1996-07-20 | Институт структурной макрокинетики | Material based on carbon-containing amorphous silicon nitride |
| RU2066296C1 (en) * | 1994-02-22 | 1996-09-10 | Ангарский электролизный химический комбинат | Method for production of silicon from gaseous silicon tetrafluoride and device for its embodiment |
| RU2071938C1 (en) * | 1993-02-03 | 1997-01-20 | Научно-производственное объединение "Радиевый институт им.В.Г.Хлопина" | Method of silicon carbide producing |
| RU2116963C1 (en) * | 1997-06-06 | 1998-08-10 | Институт физики полупроводников СО РАН | Silicon production process |
-
1999
- 1999-05-26 RU RU99110318A patent/RU2156220C1/en active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1080589A (en) * | 1965-06-15 | 1967-08-23 | Gen Trustee Company Inc | Method of producing silicon and electrolytic cell therefor |
| GB1317011A (en) * | 1969-06-20 | 1973-05-16 | Danfoss As | Process for producing a mixture of silicon oxynitride and silicon carbide |
| US4151264A (en) * | 1977-02-14 | 1979-04-24 | Wacker-Chemie Gmbh | Process of melting down and purifying silicon |
| US4193974A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-18 | Union Carbide Corporation | Process for producing refined metallurgical silicon ribbon |
| GB2066800A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-15 | Kurosaki Refractories Co | Sic-si3n4 composite system |
| GB2079736A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-27 | Dow Corning | Preparation of silicon metal from polychlorosilanes |
| FR2559473A1 (en) * | 1984-02-13 | 1985-08-16 | Ila Lilleby Smelteverker | Process for the production of purified silicon |
| FR2564083A1 (en) * | 1984-05-09 | 1985-11-15 | Central Glass Co Ltd | PROCESS FOR THE CONTINUOUS PRODUCTION OF A POWDER OF A SILICON COMPOUND USEFUL AS A CERAMIC MATERIAL |
| SU1809585A1 (en) * | 1990-06-26 | 1996-07-20 | Институт структурной макрокинетики | Material based on carbon-containing amorphous silicon nitride |
| RU2035396C1 (en) * | 1990-11-11 | 1995-05-20 | Научно-исследовательский, проектно-конструкторский, технологический институт механизации труда в черной металлургии и ремонтно-механических работ | Method for producing powders of high-melting inorganic compounds |
| RU2071938C1 (en) * | 1993-02-03 | 1997-01-20 | Научно-производственное объединение "Радиевый институт им.В.Г.Хлопина" | Method of silicon carbide producing |
| RU2066296C1 (en) * | 1994-02-22 | 1996-09-10 | Ангарский электролизный химический комбинат | Method for production of silicon from gaseous silicon tetrafluoride and device for its embodiment |
| RU2116963C1 (en) * | 1997-06-06 | 1998-08-10 | Институт физики полупроводников СО РАН | Silicon production process |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005021431A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-10 | S.T.B. Advanced Technology Ltd. | Method for producing high-purity silicon tetrafluoride |
| RU2324648C2 (en) * | 2003-09-02 | 2008-05-20 | С.Т.Б. Адвансед Технолоджи Лтд. | Method of silicium tetrafluoride production, method of separation of silicium tetrafluoride from oxygen and high-volatile fluoride impurities, method of production of slicium powder from silicium tetrafluoride |
| WO2006019334A1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Limited Liability Company 'solar Energy' Company' | Method for producing silicon, method for separating silicon from molten salt and method for producing tetrafluoride |
| RU2272785C1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-03-27 | Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос" | Method of preparing high-purity silicon powder from silicon perfluoride with simultaneous preparation of elementary fluorine, method of separating silicon from salt melt, silicon powder and elementary fluorine obtained by indicated method, and silicon tetrafluoride preparation process |
| CN101090862B (en) * | 2004-08-12 | 2010-08-11 | ZePoly科技合作有限公司 | Method for producing silicon, method for separating silicon from molten salt, and method for producing silicon tetrafluoride |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20170101319A1 (en) | Recovery of silicon value from kerf silicon waste | |
| US4921531A (en) | Process for forming fine ceramic powders | |
| US4241037A (en) | Process for purifying silicon | |
| US20100061913A1 (en) | Method to convert waste silicon to high purity silicon | |
| Haussonne | Review of the synthesis methods for AIN | |
| US3816192A (en) | A process for preparing lithium aluminum hydride-aluminum hydride complexes | |
| JPWO2002012122A1 (en) | Method for producing disilicon hexachloride | |
| CN111699155B (en) | Silicon granules for preparing trichlorosilane and related production methods | |
| NO171778B (en) | PROCEDURE FOR REFINING SILICONE | |
| CN111717918A (en) | A kind of rapid synthesis method of high-purity SiC powder | |
| RU2451635C2 (en) | Method of producing highly pure elementary silicon | |
| JPS5913442B2 (en) | Manufacturing method of high purity type silicon nitride | |
| RU2156220C1 (en) | Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method | |
| JP6337389B2 (en) | Method for producing silicon carbide powder | |
| WO1989005280A1 (en) | Process for forming fine ceramic powders and products thereof | |
| CN101186299A (en) | Technique for producing high purity silicon by fluidized bed device | |
| Dietl et al. | “Solar” silicon | |
| JP2660650B2 (en) | Manufacturing method of α-type silicon carbide | |
| US6461990B1 (en) | Cubic boron nitride composite particle | |
| JP4253936B2 (en) | Aluminum purification method and use of the obtained aluminum | |
| WO2006041272A1 (en) | Method of silane production | |
| JPH06127923A (en) | Fluidized bed reactor for producing polycrystalline silicon | |
| US3148131A (en) | Process for the purification of silicon | |
| JP2000327488A (en) | Method of manufacturing silicon substrate for solar cell | |
| JPH0375209A (en) | Method of manufacturing raw material of ceramics |