RU2021207C1 - Magnesium-, zinc- and nickel-substituted bismuth niobates - Google Patents
Magnesium-, zinc- and nickel-substituted bismuth niobates Download PDFInfo
- Publication number
- RU2021207C1 RU2021207C1 SU4874091A RU2021207C1 RU 2021207 C1 RU2021207 C1 RU 2021207C1 SU 4874091 A SU4874091 A SU 4874091A RU 2021207 C1 RU2021207 C1 RU 2021207C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nickel
- zinc
- magnesium
- niobates
- bismuth
- Prior art date
Links
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 6
- -1 zinc- and nickel-substituted bismuth Chemical class 0.000 title claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 21
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N oxobismuth Chemical class [Bi]=O CJJMLLCUQDSZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к химическим соединениям оксидов ниобия, висмута и двухвалентных металлов - магния, цинка и никеля общей формулы (Bi2/3[ ] 1/3)2 (Me1/3 2+Nb2/3)2O6[]1, где [ ] - вакансии, Ме2+- Mg2+, Zn2+ или Ni2+, и может быть использовано для производства высокочастотных керамических конденсаторов.The invention relates to chemical compounds niobium oxide, bismuth and divalent metal - magnesium, zinc and nickel general formula (Bi 2/3 [] 1/3) 2 (Me 1/3 2+ Nb 2/3) 2 O 6 [] 1 where [] are vacancies, Me 2+ - Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ , and can be used for the production of high-frequency ceramic capacitors.
В настоящее время при изготовлении указанных конденсаторов широко используют соединения титанатов и ниобатов щелочноземельных элементов, а также магния и висмута, также как SrTiO3, CaTiO3, MgTiO3, Bi2Ti2O7, Pb2Nb2O7 и другие, свойства которых приведены в табл. 1 и описаны в литературе.Currently, in the manufacture of these capacitors are widely used compounds of titanates and niobates of alkaline earth elements, as well as magnesium and bismuth, as well as SrTiO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 , Bi 2 Ti 2 O 7 , Pb 2 Nb 2 O 7 and others, properties which are given in table. 1 and are described in the literature.
Как видно из данных, приведенных в табл. 1, в производстве керамических конденсаторов используются соединения различной кристаллической структуры. Соединения со структурой перовскита SrTiO3, CaTiO3 характеризуются сравнительно высокой диэлектрической проницаемостью ε = 250,150 и большим отрицательным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ТКЕ = -2500.10-6 град-1 или -1500.10-6 град-1, соответственно.As can be seen from the data given in table. 1, in the manufacture of ceramic capacitors, compounds of various crystal structures are used. Compounds with the perovskite structure SrTiO 3 , CaTiO 3 are characterized by a relatively high dielectric constant ε = 250,150 and a large negative temperature coefficient of dielectric constant TKE = -2500.10 -6 deg -1 or -1500.10 -6 deg -1 , respectively.
Применяемое в производстве конденсаторов соединение Pb2Nb2O7 со структурой пирохлора, имея ε ≈ 140, также характеризуется большим отрицательным температурным коэффициентом ТКЕ, а соединение дититаната лантана (La2Ti2O7) или неодима (Nd2TiO7) обладают малой ε ≈ 40-50 при небольших положительных значениях ТКЕ (см.табл. 1).The compound Pb 2 Nb 2 O 7 with the pyrochlore structure used in the manufacture of capacitors, having ε ≈ 140, is also characterized by a large negative temperature coefficient TKE, while the compound of lanthanum dithitanate (La 2 Ti 2 O 7 ) or neodymium (Nd 2 TiO 7 ) has a small ε ≈ 40–50 for small positive TKE values (see table 1).
При этом все соединения имеют температуру спекания Тсп.(1200-1400)оС, что не позволяет получать на их основе низкотемпературные керамические материалы для конденсаторов и использовать в качестве электродов монолитных конденсаторов низкотемпературные композиции, в частности сплавы Ag-Pd.Moreover, all compounds have a sintering temperature T cn. (1200-1400) о С, which makes it impossible to obtain low-temperature ceramic materials for capacitors on their basis and to use low-temperature compositions, in particular, Ag-Pd alloys, as electrodes of monolithic capacitors.
Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости керамических материалов при сохранении величины температурного коэффициента диэлектрической проницаемости ТКЕ и снижение их температуры спекания для изготовления высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп ТКЕ. The purpose of the invention is to increase the dielectric constant of ceramic materials while maintaining the temperature coefficient of the dielectric constant of the TKE and lower their sintering temperature for the manufacture of high-frequency capacitors of thermally compensating TKE groups.
Поставленная цель достигается тем, что в качестве основы высокочастотных конденсаторных керамических материалов предлагается использовать новое соединение со структурой дефектного пирохлора - магний, цинк, никельзамещенные ниобаты висмута (Bi2/3[ ]1/3)2(Me1/3 2+Nb2/3)2O6[]1, где [ ] - вакансии, Ме2+ - Мg2+, Zn2+ или Ni2+ структурной формулы
Для структурного типа пирохлора общая формула имеет вид А2В2О7, где А и В - металлы, образующие собственные подрешетки. В предлагаемом соединении в качестве элемента А выступает Вi3+, а элемента В - Nb5+ и двухвалентные металлы Ме2+ - -Мg2+, Zn2+ или Ni2+.This goal is achieved by the fact that as a basis for high-frequency capacitor ceramic materials it is proposed to use a new compound with the structure of defective pyrochlore - magnesium, zinc, nickel-substituted bismuth niobates (Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Me 1/3 2+ Nb 2 / 3 ) 2 O 6 [] 1 , where [] are vacancies, Me 2+ - Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ structural formula
For the structural type of pyrochlore, the general formula has the form A 2 B 2 O 7 , where A and B are metals forming their own sublattices. In the proposed compound, Bi 3+ acts as element A, and Nb 5+ and divalent metals Me 2+ - Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ act as element A.
Предложенное соединение получают методом твердофазного синтеза из оксидов ниобия, висмута и двухвалентного металла Мg2+, Zn2+ или Ni2+. Химический состав соединения общей формулы (Bi2/3[ ]1/3)2(Me1/3 2+Nb2/3)2O6[ ]1или (Вi0,67[ ] 0,33)2(Me2+ 0,33 Nb0,67)2O6[ ]1, где Ме2+ - Мg2+, Zn2+ или Ni2+, приведен в табл. 2.The proposed compound is obtained by solid-phase synthesis from oxides of niobium, bismuth and a divalent metal Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ . The chemical composition of the compounds of the general formula (Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Me 1/3 2+ Nb 2/3 ) 2 O 6 [] 1 or (Bi 0.67 [] 0.33 ) 2 (Me 2 + 0.33 Nb 0.67 ) 2 O 6 [] 1 , where Me 2+ - Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ , are given in table. 2.
Ниже приведены примеры синтеза нового соединения. The following are examples of the synthesis of a new compound.
П р и м е р 1. Оксиды висмута, ниобия и магния, взятые в мольном соотношении 1: 1: 1, что соответствует массовому соотношению, приведенному в табл. 2 для примера 1, смешивают и размалывают в вибромельнице, после чего производят синтез соединения при температуре Тс = 850-900оС в камерной печи в течение 2 ч. Затем синтезированный продукт размалывают в вибромельнице или, при необходимости, в мельнице мокрого помола в течение 1-3 или 10-12 ч до удельной поверхности Sуд = (0,6-1,5) м2/г. При применении мокрого помола полученный продукт подвергают сушке, затем приготавливают пресс-порошок, прессуют образцы в форме дисков при удельном давлении Р ≈ 1000 кг/см2. образцы спекают в интервале 1120-1180оС в течение 2 ч. спеченные дисковые образцы покрывают серебросодержащей пастой, которую вжигают при температуре (840 ± 20)оС, после чего измеряют электрические характеристики.PRI me
П р и м е р 2. Оксиды висмута, ниобия и цинка, взятые в мольном соотношении 1: 1:1, что соответствует массовому соотношению примера 2, подвергают помолу и смешению в вибромельнице, производят синтез при Тс=850-900оС в камерной печи в течение 1,5-2,0 ч. Затем синтезированный продукт размалывают в вибромельнице в течение 1-3 ч или мельнице мокрого помола в течение 10-15 ч до величины удельной поверхности Sуд. = (0,6-1,5) м2/г. После высушивания и приготовления пресс-порошка приготавливают образцы методом прессования при Руд. = 1000 кг/см2, которые спекают в интервале 1020-1120оС, покрывают электродной пастой, которую вжигают при (840 ± 20)оС измеряют электрические характеристики.PRI me
П р и м е р 3. Оксиды висмута, ниобия и никеля в количествах, соответствующих массовым соотношениям, указанным в примере 3 табл. 2, смешивают и синтезируют в условиях, аналогичных примерам 1 и 2. Спекание образцов осуществляют в интервале 1080-1160оС в течение 2 ч.PRI me
Предлагаемые химические соединения обладают принципиально новой атомной структурой, обусловливающей повышение диэлектрической проницаемости и снижение температуры спекания, что позволяет использовать его в качестве диэлектрика высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп ТКЕ. The proposed chemical compounds have a fundamentally new atomic structure, which leads to an increase in the dielectric constant and a decrease in sintering temperature, which makes it possible to use it as the dielectric of high-frequency capacitors of thermally compensating TKE groups.
Рентгеноструктурный фазовый анализ образцов проведен на отечественных дифрактометрах ДРОН-2 и ДРОН-3 с гониометрической приставкой ГП-4 для исследования поликристаллических образцов. X-ray diffraction phase analysis of the samples was carried out on domestic DRON-2 and DRON-3 diffractometers with a GP-4 goniometric attachment for studying polycrystalline samples.
Для определения атомной структуры предлагаемых соединений выполнен анализ интенсивности 28 рефлексов однофазных порошковых образцов керамики составов, соответствующих мольным отношениям: 1Bi2O3 1Nb2O51Me2+O, где Мe2+ - -Mg2+, Zn2+или Ni2+. Сбор интенсивности проведен на рентгеновском дифрактометре ДРОН-2. Использовалось Сu, K - излучение, Ni - фильтр. Режим работы трубки: напряжение 40 кВ, ток 18 mА. Регистрацию интенсивностей производили в режиме непрерывной записи со скоростью движения детектора 0,5 град/мин. Для повышения чувствительности и точности измерения рефлексов использовали различные масштабы записи (шкалы регистрации интенсивности). Интегральную интенсивность оценивали по площади пиков. Расчет теоретических значений интенсивностей и уточнение параметров проводили на ЭВМ по программе Гамильтона с использованием блок-диагонального метода МНК. Фактор сходимости экспериментальных и расчетных значений IK = 11,05%.To determine the atomic structure of the proposed compounds, we performed an analysis of the intensity of 28 reflections of single-phase powder samples of ceramic compositions corresponding to molar ratios: 1Bi 2 O 3 1Nb 2 O 5 1Me 2+ O, where Me 2+ is -Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2 + . The intensity was collected on a DRON-2 X-ray diffractometer. Used Cu, K - radiation, Ni - filter. Tube operating mode:
В соответствии с предложенной кристаллохимической формулой, рассчитана рентгеновская плотность полученных соединений и сопоставлена с экспериментальной. Определение экспериментальной плотности проведено методом гидростатического взвешивания. In accordance with the proposed crystal chemical formula, the x-ray density of the obtained compounds was calculated and compared with the experimental one. The experimental density was determined by hydrostatic weighing.
Идеальный состав соединения соответствует мольному отношению оксидов висмута, двухвалентного металла Ме2+ - Мg2+, Zn2+ или Ni2+ и ниобия 1:1:1 - 1 Bi2O3 x x 1Me2+O ˙1Nb2O5. Этот состав можно записать в виде Вi2Мe2+Nb2O9 или Вi2/3Me1/3 2+ Nb2/3O3. Атомы Me2+ и Nb занимают позиции атомов в подрешетке В в структуре типа А2В2О7 статистически. Это подтверждается отсутствием сверхструктуры в образцах соединения. Все фиксируемые рефлексы (см.табл. 3) в зависимости от состава Ме2+описываются параметрами решетки: а= 10,542 (для Ме2+ = Ni2+), а = 10,557 (для Ме2+= Мg2+) и а = 10,560 (для Ме2+ = Zn2+).The ideal composition of the compound corresponds to the molar ratio of bismuth oxides, divalent metal Me 2+ - Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ and niobium 1: 1: 1 - 1 Bi 2 O 3 xx 1Me 2+ O ˙ 1Nb 2 O 5 . This composition can be written as Bi 2 Me 2+ Nb 2 O 9 or Bi 2/3 Me 1/3 2+ Nb 2/3 O 3 . Atoms Me 2+ and Nb occupy atomic positions in the B sublattice in the structure of type A 2 B 2 O 7 statistically. This is confirmed by the absence of a superstructure in the compound samples. All fixed reflexes (see table 3), depending on the composition of Me 2+, are described by the lattice parameters: а = 10.542 (for Me 2+ = Ni 2+ ), a = 10.557 (for Me 2+ = Mg 2+ ) and a = 10.560 (for Me 2+ = Zn 2+ ).
В соответствии с пространственной группой пирохлора Fd3m (N 227), атомы в структуре занимают следующим кристаллографические позиции:
B1 16с 1/8 1/8 1/8
Me2+, Nb 16d 5/8 5/8 5/8
01 48f x 0 0 X = 0,3065
02 8a 0 0 0
В табл. 3 приведены экспериментальные (dэксп.) и вычисленные (dвыч.) по параметрам элементарной ячейки "а" межплоскостные расстояния для соединений составов:
(Bi2/3[ ]1/3)2(Ni1/3Nb2/3)2O6[ ]1,
(Bi2/3[]1/3)2(Mg1/3Nb2/3)2O6[ ]1.In accordance with the space group of pyrochlore Fd3m (N 227), the atoms in the structure occupy the following crystallographic positions:
B1
Me 2+ , Nb
01 48f x 0 0 X = 0.3065
02 8a 0 0 0
In the table. Figure 3 shows the experimental (dexp) and calculated (d habit.) Interplanar spacings for unit compounds for unit cell parameters “a”:
(Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Ni 1/3 Nb 2/3 ) 2 O 6 [] 1,
(Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Mg 1/3 Nb 2/3 ) 2 O 6 [] 1 .
(Bi2/3[ ]1/3)2(Zn1/3Nb2/3)2O6[ ]1.(Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Zn 1/3 Nb 2/3 ) 2 O 6 [] 1 .
Рентгеновская плотность для указанного состава, например для Ме2+ = Мg2+ равна 6,28 г/см3, экспериментальная плотность - 6,19 г/см3.X-ray density for the specified composition, for example, for Me 2+ = Mg 2+ is 6.28 g / cm 3 , the experimental density is 6.19 g / cm 3 .
Наблюдаемая сходимость экспериментальных и расчетных данных подтверждает достоверность предлагаемой кристаллографической модели структуры "дефектного" пирохлора, в которой вакансии статистически распределены в А-подрешетке и в позициях атомов кислорода. The observed convergence of experimental and calculated data confirms the reliability of the proposed crystallographic model of the structure of “defective” pyrochlore, in which vacancies are statistically distributed in the A sublattice and in the positions of oxygen atoms.
При приведении состава предлагаемого соединения к формуле структурного типа пирохлора получены следующие кристаллохимические формулы:
(Bi2/3[ ]1/3)2(Me1/3 2+Nb2/3)2O6[ ]1 или
(Bi0,67[ ]0,33)2(Me0,33+Nb0,67)2O6[ ]1, где [ ] - вакансии,
Me2+ - Mg2+, Zn2+ или Ni2+.When bringing the composition of the proposed compounds to the formula of the structural type of pyrochlore, the following crystal chemical formulas are obtained:
(Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Me 1/3 2+ Nb 2/3 ) 2 O 6 [] 1 or
(Bi 0.67 [] 0.33 ) 2 (Me 0.33 + Nb 0.67 ) 2 O 6 [] 1 , where [] are vacancies,
Me 2+ - Mg 2+ , Zn 2+ or Ni 2+ .
Для идеального состава, как видно из формулы, образуется 1/3 вакансий в позициях атомов А и 1/7 вакансий в позициях атомов кислорода. For an ideal composition, as can be seen from the formula, 1/3 of vacancies are formed in the positions of atoms A and 1/7 of vacancies in the positions of oxygen atoms.
Электрические свойства и параметры решетки для трех соединений ниобатов висмута со структурой пирохлора приведены в табл. 4. The electrical properties and lattice parameters for the three compounds of bismuth niobates with the structure of pyrochlore are given in table. 4.
Как видно из приведенных данных, соединения ниобатов висмута обладают высокой диэлектрической проницаемостью ε = =145-148 при ТКЕ, удовлетворяющих группам температурной стабильности М330 (ТКЕ = -(330 ± 60).10-6 град-1) и М470 (ТКЕ = =-(470 ± 60).10-6 град-1), малыми диэлектрическими потерями tg δ = (2-3).10-4 и высоким удельным объемным сопротивлением ( ρv при температуре 155оС ˙ 1012...1013 Ом,см), что соответствует требованиям, предъявленным к керамике для высокочастотных конденсаторов термокомпенсирующих групп по ТКЕ.As can be seen from the data presented, bismuth niobate compounds have a high dielectric constant ε = 145-148 at TKE satisfying the temperature stability groups M330 (TKE = - (330 ± 60) .10 -6 deg -1 ) and M470 (TKE = = - (470 ± 60) .10 -6 deg -1 ), low dielectric losses tg δ = (2-3) .10 -4 and high specific volume resistance (ρv at a temperature of 155 о С ˙ 10 12 ... 10 13 Ohm, cm), which meets the requirements for ceramics for high-frequency capacitors of thermocompensating groups according to TKE.
Claims (1)
(Bi2/3[ ]1/3)2(Me
где [ ] - вакансии;
Me 2+ - магний, цинк или никель,
имеющие структурную формулу
в качестве высокочастотных конденсаторных материалов.MAGNESIUM-, ZINC-, NICKEL-SUBSTITUTED BISMUTH NIOBATES of the crystal chemical formula
(Bi 2/3 [] 1/3 ) 2 (Me
where [] - vacancies;
Me 2+ - magnesium, zinc or nickel,
having a structural formula
as high-frequency capacitor materials.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4874091 RU2021207C1 (en) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Magnesium-, zinc- and nickel-substituted bismuth niobates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4874091 RU2021207C1 (en) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Magnesium-, zinc- and nickel-substituted bismuth niobates |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2021207C1 true RU2021207C1 (en) | 1994-10-15 |
Family
ID=21540490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU4874091 RU2021207C1 (en) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Magnesium-, zinc- and nickel-substituted bismuth niobates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2021207C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2167842C1 (en) * | 2000-07-25 | 2001-05-27 | Ненашева Елизавета Аркадьевна | Ceramic material based on zinc-substituted bismuth niobate |
| RU2170219C1 (en) * | 2000-07-25 | 2001-07-10 | Ненашева Елизавета Аркадьевна | High-frequency ceramic material (variants) |
| EP1179826A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-02-13 | Littelfuse Ireland Development Company Limited | An integrated passive device and a method for producing such a device |
| RU2804938C1 (en) * | 2023-04-13 | 2023-10-09 | Федеральное государственное автономное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Method for producing ceramic material based on bismuth-zinc-niobium oxides |
-
1990
- 1990-10-15 RU SU4874091 patent/RU2021207C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ротенберг Б.А. и др. Современное состояние и перспективы развития высокочастотных керамических материалов для конденсаторостроения. Электротехническая серия "Радиодетали и радиокомпоненты" вып.2, 1987, с.3. * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1179826A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-02-13 | Littelfuse Ireland Development Company Limited | An integrated passive device and a method for producing such a device |
| US6700772B2 (en) | 2000-07-12 | 2004-03-02 | Littlefuse Ireland Development Company Limited | Integrated passive device and method for producing such a device |
| RU2167842C1 (en) * | 2000-07-25 | 2001-05-27 | Ненашева Елизавета Аркадьевна | Ceramic material based on zinc-substituted bismuth niobate |
| RU2170219C1 (en) * | 2000-07-25 | 2001-07-10 | Ненашева Елизавета Аркадьевна | High-frequency ceramic material (variants) |
| WO2002008148A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | Nenasheva, Elizaveta Arkadievna | Ceramic material based on bismuth niobate substituted with zinc |
| WO2002008142A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | Elizaveta Arkadievna Nenasheva | High frequency ceramic material |
| RU2804938C1 (en) * | 2023-04-13 | 2023-10-09 | Федеральное государственное автономное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" | Method for producing ceramic material based on bismuth-zinc-niobium oxides |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0087004B1 (en) | Ceramic composition and capacitor made from this ceramic composition | |
| RU2021207C1 (en) | Magnesium-, zinc- and nickel-substituted bismuth niobates | |
| CN119613108A (en) | A BCZT-BNT-based lead-free composite energy storage ceramic with high breakdown strength and a preparation method thereof | |
| Rukmini et al. | Structural and dielectric properties of Pb0. 91 (La, K) 0.09 (Zr0. 65Ti0. 35) 0.9775 O3 ceramics | |
| JPH06208806A (en) | Dielectric material and ceramic component | |
| SU1169959A1 (en) | Bismuth-potassium titanate-tungstate as hign-temperature ferropiezo electric material | |
| JP3085587B2 (en) | Method for producing piezoelectric porcelain composition | |
| JP7075137B2 (en) | Lithium-ion conductor materials and their synthesis methods and secondary batteries | |
| JPH0733440A (en) | Production of porcelain composition | |
| JPH0817057B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
| EP0200484A2 (en) | Ultralow fire ceramic composition | |
| JP2944142B2 (en) | Lithium ion conductive composite sintered body | |
| CA1250419A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JPH06219816A (en) | Method for producing piezoelectric porcelain composition | |
| JP2900687B2 (en) | Semiconductor porcelain composition and method for producing the same | |
| Holc et al. | The Preparation and Properties of a PZT Thick Film on an Alumina Substrate with a Pb 2 Ru 2 O 6.5 Electrode | |
| JPS6216481B2 (en) | ||
| JPH0694375B2 (en) | Electrically conductive material comprising a lead-palladium oxide compound having an orthorhombic structure represented by the general formula PbPdO2 | |
| JP3512587B2 (en) | Multilayer ceramic capacitors | |
| Yadav et al. | Structural and dielectric properties of PLLZT ceramics | |
| KR940004141B1 (en) | Ceramic condenser | |
| Vigliotti et al. | Synthesis and characterization of cryogenic perovskite ceramics | |
| Nijmeijer et al. | Powder diffraction of Pb0. 95Mg0. 26Nb0. 60Zr0. 03O2. 78 | |
| JPS58217461A (en) | High dielectric constant ceramic composition | |
| JPH0632647A (en) | Production of dielectric ceramic composition |