[go: up one dir, main page]

RU2011117157A - Эффективная светодиодная матрица - Google Patents

Эффективная светодиодная матрица Download PDF

Info

Publication number
RU2011117157A
RU2011117157A RU2011117157/28A RU2011117157A RU2011117157A RU 2011117157 A RU2011117157 A RU 2011117157A RU 2011117157/28 A RU2011117157/28 A RU 2011117157/28A RU 2011117157 A RU2011117157 A RU 2011117157A RU 2011117157 A RU2011117157 A RU 2011117157A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
reflective surface
crystals
metal substrate
emitting diode
Prior art date
Application number
RU2011117157/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2521219C2 (ru
Inventor
Рене Петер ХЕЛЬБИНГ (US)
Рене Петер ХЕЛЬБИНГ
Original Assignee
Бриджлюкс, Инк. (Us)
Бриджлюкс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=42057275&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2011117157(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Бриджлюкс, Инк. (Us), Бриджлюкс, Инк. filed Critical Бриджлюкс, Инк. (Us)
Publication of RU2011117157A publication Critical patent/RU2011117157A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2521219C2 publication Critical patent/RU2521219C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21L—LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF, BEING PORTABLE OR SPECIALLY ADAPTED FOR TRANSPORTATION
    • F21L4/00—Electric lighting devices with self-contained electric batteries or cells
    • F21L4/02—Electric lighting devices with self-contained electric batteries or cells characterised by the provision of two or more light sources
    • F21L4/022—Pocket lamps
    • F21L4/027—Pocket lamps the light sources being a LED
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S6/00—Lighting devices intended to be free-standing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S8/00—Lighting devices intended for fixed installation
    • F21S8/08—Lighting devices intended for fixed installation with a standard
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2131/00—Use or application of lighting devices or systems not provided for in codes F21W2102/00-F21W2121/00
    • F21W2131/10—Outdoor lighting
    • F21W2131/103—Outdoor lighting of streets or roads
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

1. Светодиодное (LED) устройство, содержащее: ! металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность; и ! множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, и при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов. ! 2. Устройство по п.1, в котором отражающая поверхность содержит полированный алюминий. ! 3. Устройство по п.1, в котором отражающая поверхность содержит серебряное покрытие. ! 4. Устройство по п.1, в котором отражающая поверхность имеет отражающую способность, равную 70% или больше. ! 5. Устройство по п.1, в котором, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов формирует матрицу с шагом кристалла, который составляет около 0,5 мм или больше. ! 6. Устройство по п.1, в котором множество светодиодных (LED) кристаллов обеспечивает отдельные тепловую и электрическую цепи. ! 7. Устройство по п.1, в котором множество светодиодных (LED) кристаллов имеет первую поверхность, которая установлена на отражающей поверхности, и электрические контакты, которые размещены на одной или более поверхностях, не являющихся первой поверхностью. ! 8. Устройство по п.1, в котором металлическая подложка установлена непосредственно на теплоотводе. ! 9. Способ формирования светодиодного (LED) устройства, содержащий этапы, на которых: ! конфигурируют металлическую подложку, чтобы иметь отражающую поверхность; и ! устанавливают множество светодиодных (LED) крис�

Claims (32)

1. Светодиодное (LED) устройство, содержащее:
металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность; и
множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, и при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов.
2. Устройство по п.1, в котором отражающая поверхность содержит полированный алюминий.
3. Устройство по п.1, в котором отражающая поверхность содержит серебряное покрытие.
4. Устройство по п.1, в котором отражающая поверхность имеет отражающую способность, равную 70% или больше.
5. Устройство по п.1, в котором, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов формирует матрицу с шагом кристалла, который составляет около 0,5 мм или больше.
6. Устройство по п.1, в котором множество светодиодных (LED) кристаллов обеспечивает отдельные тепловую и электрическую цепи.
7. Устройство по п.1, в котором множество светодиодных (LED) кристаллов имеет первую поверхность, которая установлена на отражающей поверхности, и электрические контакты, которые размещены на одной или более поверхностях, не являющихся первой поверхностью.
8. Устройство по п.1, в котором металлическая подложка установлена непосредственно на теплоотводе.
9. Способ формирования светодиодного (LED) устройства, содержащий этапы, на которых:
конфигурируют металлическую подложку, чтобы иметь отражающую поверхность; и
устанавливают множество светодиодных (LED) кристаллов непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, и при этом, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов размещают на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов.
10. Способ по п.9, в котором на этапе конфигурирования конфигурируют отражающую поверхность, чтобы она содержала полированный алюминий.
11. Способ по п.9, в котором на этапе конфигурирования конфигурируют отражающую поверхность, чтобы она содержала серебряное покрытие.
12. Способ по п.9, в котором на этапе конфигурирования конфигурируют отражающую поверхность, чтобы она имела отражающую способность, равную 70% или больше.
13. Способ по п.9, в котором дополнительно формируют матрицу, имеющую шаг кристаллов около 0,5 мм или больше, по меньшей мере, у части светодиодных (LED) кристаллов.
14. Способ по п.9, дополнительно содержащий этап, на котором конфигурируют множество светодиодных (LED) кристаллов, чтобы сформировать отдельные тепловую и электрическую цепи.
15. Способ по п.9, дополнительно содержащий этап, на котором конфигурируют множество светодиодных (LED) кристаллов, чтобы иметь первую поверхность, которую устанавливают на отражающую поверхность, и электрические контакты, которые размещают на одной или более поверхностях, которые не являются первой поверхностью.
16. Способ по п.9, дополнительно содержащий этап, на котором устанавливают металлическую подложку непосредственно на теплоотводе.
17. Светодиодная (LED) лампа, содержащая:
корпус; и
светодиодное устройство, присоединенное к корпусу и содержащее:
металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность; и
множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы предусмотреть возможность рассеяния тепла, и при этом, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов расположена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных кристаллов.
18. Лампа по п.17, в которой отражающая поверхность содержит полированный алюминий.
19. Лампа по п.17, в которой отражающая поверхность содержит серебряное покрытие.
20. Лампа по п.17, в которой отражающая поверхность имеет отражающую способность 70% и больше.
21. Лампа по п.17, в которой, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов выполнена с возможностью формирования матрицы, имеющей шаг кристаллов, который составляет около 0,5 мм или больше.
22. Лампа по п.17, в которой множество светодиодных кристаллов обеспечивает отдельные тепловую и электрическую цепи.
23. Лампа по п.17, в которой множество светодиодных кристаллов имеет первую поверхность, которая установлена на отражающей поверхности, и электрические контакты, которые размещены на одной или более поверхностях, которые не являются первой поверхностью.
24. Лампа по п.17, в которой металлическая подложка установлена непосредственно на теплоотводе.
25. Осветительное устройство, содержащее:
источник питания;
электрически соединенную с источником питания светодиодную лампу, содержащую:
корпус; и
светодиодное устройство, присоединенное к корпусу и содержащее:
металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность; и
множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы предусмотреть возможность рассеяния тепла, и при этом, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов расположена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных кристаллов.
26. Осветительное устройство по п.25, в котором отражающая поверхность содержит полированный алюминий.
27. Осветительное устройство по п.25, в котором отражающая поверхность содержит серебряное покрытие.
28. Осветительное устройство по п.25, в котором отражающая поверхность имеет отражающую способность, равную 70% и больше.
29. Осветительное устройство по п.25, в котором, по меньшей мере, часть светодиодных кристаллов выполнена с возможностью формирования матрицы, имеющую шаг кристаллов, который составляет около 0,5 мм или больше.
30. Осветительное устройство по п.25, в котором множество светодиодных кристаллов обеспечивает отдельные тепловую и электрическую цепи.
31. Осветительное устройство по п.25, в котором множество светодиодных кристаллов имеет первую поверхность, которая установлена на отражающей поверхности, и электрические контакты, которые предусмотрены на одной или более поверхностях, которые не являются первой поверхностью.
32. Осветительное устройство по п.25, в котором металлическая подложка установлена непосредственно на теплоотводе.
RU2011117157/28A 2008-09-29 2009-09-23 Эффективная светодиодная матрица RU2521219C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/240,011 2008-09-29
US12/240,011 US8567988B2 (en) 2008-09-29 2008-09-29 Efficient LED array
PCT/US2009/058085 WO2010036730A1 (en) 2008-09-29 2009-09-23 Efficient led array

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011117157A true RU2011117157A (ru) 2012-11-10
RU2521219C2 RU2521219C2 (ru) 2014-06-27

Family

ID=42057275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011117157/28A RU2521219C2 (ru) 2008-09-29 2009-09-23 Эффективная светодиодная матрица

Country Status (9)

Country Link
US (4) US8567988B2 (ru)
EP (1) EP2342760B1 (ru)
JP (3) JP2012504342A (ru)
KR (1) KR20110056306A (ru)
CN (1) CN102187481A (ru)
DE (2) DE202009018965U1 (ru)
MY (1) MY153305A (ru)
RU (1) RU2521219C2 (ru)
WO (1) WO2010036730A1 (ru)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8567988B2 (en) * 2008-09-29 2013-10-29 Bridgelux, Inc. Efficient LED array
US20120188756A1 (en) * 2009-05-27 2012-07-26 Jameson Llc Portable led tube light
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
US8748910B2 (en) * 2009-12-18 2014-06-10 Marvell World Trade Ltd. Systems and methods for integrating LED displays and LED display controllers
JP5655302B2 (ja) * 2009-12-24 2015-01-21 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP5526876B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及びアニール装置
JP5846408B2 (ja) * 2010-05-26 2016-01-20 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
US8616728B2 (en) 2010-08-19 2013-12-31 Micron Technology, Inc. Array solid state lighting device package
US9401103B2 (en) 2011-02-04 2016-07-26 Cree, Inc. LED-array light source with aspect ratio greater than 1
GB2488598B (en) * 2011-03-04 2013-09-18 Aeronautical General Instr Precision approach path indicator
US20130051018A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Tyco Electronics Corporation Metal clad circuit board
DE102011083669B4 (de) 2011-09-29 2019-10-10 Osram Gmbh Halbleiter-Leuchtvorrichtung mit Reflexions-Oberflächenbereich und Verfahren zur Herstellung
CN102569626A (zh) * 2012-01-11 2012-07-11 苏州玄照光电有限公司 多芯片集成封装led
WO2013152201A1 (en) * 2012-04-06 2013-10-10 Cree, Inc. Led-array light source with aspect ratio greater than 1
TW201518651A (zh) * 2013-11-06 2015-05-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體基板及其發光二極體燈具
JP6646969B2 (ja) 2015-08-03 2020-02-14 シチズン電子株式会社 発光装置
AU2017351056B2 (en) * 2016-10-24 2020-08-27 Invuity, Inc. Lighting element
WO2020244784A1 (en) 2019-06-07 2020-12-10 Jenoptik Optical Systems Gmbh Led illumination apparatus
CN114360236A (zh) * 2022-01-17 2022-04-15 深圳市江荣华盛贸易有限公司 一种基于手机蓝牙控制的卧室灯

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11266036A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 平面光源装置およびその製造方法
US6954270B2 (en) * 2002-12-20 2005-10-11 Cao Group, Inc. Method for detecting forensic evidence
US7091606B2 (en) * 2000-01-31 2006-08-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device and manufacturing method of circuit device and semiconductor module
RU2170995C1 (ru) * 2000-08-31 2001-07-20 Общество с ограниченной ответственностью "Корвет - Лайтс" Светодиодное устройство
US7075112B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US6639360B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
JP2002299694A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Mitsubishi Electric Lighting Corp 照明用ｌｅｄ光源デバイス及び照明器具
EP3078899B1 (en) * 2001-08-09 2020-02-12 Everlight Electronics Co., Ltd Led illuminator and card type led illuminating light source
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
US6871982B2 (en) * 2003-01-24 2005-03-29 Digital Optics International Corporation High-density illumination system
KR100808705B1 (ko) * 2003-09-30 2008-02-29 가부시끼가이샤 도시바 발광장치
US7196459B2 (en) * 2003-12-05 2007-03-27 International Resistive Co. Of Texas, L.P. Light emitting assembly with heat dissipating support
CN100454596C (zh) * 2004-04-19 2009-01-21 松下电器产业株式会社 Led照明光源的制造方法及led照明光源
US20080290354A1 (en) * 2004-07-27 2008-11-27 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light Emitting Diode Assembly
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
WO2006044902A2 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Bwt Property, Inc. A solid-state lighting apparatus for navigational aids
US7331691B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-19 Goldeneye, Inc. Light emitting diode light source with heat transfer means
US7217006B2 (en) * 2004-11-20 2007-05-15 Automatic Power, Inc. Variation of power levels within an LED array
JP2006179777A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Iwasaki Electric Co Ltd 反射型発光ダイオード
CN100468795C (zh) * 2005-06-03 2009-03-11 新灯源科技有限公司 整合导热/散热模块的半导体发光装置
JP5059739B2 (ja) * 2005-03-11 2012-10-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ
JP5149483B2 (ja) * 2005-03-28 2013-02-20 パナソニック株式会社 発光素子装置とその製造方法
KR100616695B1 (ko) * 2005-10-04 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
KR100653605B1 (ko) * 2005-11-15 2006-12-06 삼성전자주식회사 메탈 코어 히트싱크를 구비하는 반도체 칩 패키지와 그를포함하는 반도체 모듈
JP5108297B2 (ja) * 2005-12-27 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光素子実装パッケージ、面光源装置および表示装置
JP2007214249A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
JP2007235079A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Ikuo Iwai 発光装置
TWI289947B (en) * 2006-03-17 2007-11-11 Ind Tech Res Inst Bendable solid state planar light source, a flexible substrate therefor, and a manufacturing method therewith
JPWO2007126074A1 (ja) * 2006-04-28 2009-09-10 島根県 半導体発光モジュール、装置、およびその製造方法
US7674030B2 (en) * 2006-05-23 2010-03-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source for even illumination of a light guide
TW200810145A (en) * 2006-08-04 2008-02-16 Chiang Cheng Ting A lighting structure with light emitting diodes and the method thereof
US7989840B2 (en) 2006-08-29 2011-08-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
JP2008078401A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2008103401A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 C I Kasei Co Ltd 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2008103402A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 C I Kasei Co Ltd 上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体および上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体の製造方法
US20080099772A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Geoffrey Wen-Tai Shuy Light emitting diode matrix
JP4600455B2 (ja) * 2006-11-30 2010-12-15 東芝ライテック株式会社 照明装置
TW200845423A (en) * 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
JP2008159937A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Kyocera Corp 発光素子用集合基板および発光装置集合基板
JP2008206652A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Sanyo Electric Co Ltd オープンショーケース
JP2008227176A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP2008277561A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2009188249A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Nanoteco Corp 発光ダイオードおよびその製造方法、発光ダイオードアレイ
US8567988B2 (en) * 2008-09-29 2013-10-29 Bridgelux, Inc. Efficient LED array

Also Published As

Publication number Publication date
EP2342760A1 (en) 2011-07-13
US20120088321A1 (en) 2012-04-12
US20100297794A1 (en) 2010-11-25
DE202009018941U1 (de) 2014-10-27
JP2014195108A (ja) 2014-10-09
US20100142196A1 (en) 2010-06-10
DE202009018965U1 (de) 2015-02-02
US20100079990A1 (en) 2010-04-01
US8567988B2 (en) 2013-10-29
MY153305A (en) 2015-01-29
US8256929B2 (en) 2012-09-04
EP2342760A4 (en) 2015-03-04
KR20110056306A (ko) 2011-05-26
CN102187481A (zh) 2011-09-14
US8092051B2 (en) 2012-01-10
JP2016103652A (ja) 2016-06-02
US8371718B2 (en) 2013-02-12
JP2012504342A (ja) 2012-02-16
EP2342760B1 (en) 2023-03-15
WO2010036730A1 (en) 2010-04-01
RU2521219C2 (ru) 2014-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011117157A (ru) Эффективная светодиодная матрица
CN101566320B (zh) 发光二极管灯具
JP5830697B2 (ja) ランプ及び照明装置
TW200610201A (en) Chip type light-emitting device and its wiring board
WO2014039833A4 (en) Integrated led based illumination device
EP1996856A1 (en) Led module for illumination
CN102444845A (zh) 照明器具
CN101614367B (zh) 发光二极管灯具
CN203115588U (zh) 光源装置以及照明装置
JP5530321B2 (ja) ランプ及び照明装置
JP4948818B2 (ja) 発光装置および照明装置
KR101082587B1 (ko) 엘이디를 이용한 조명장치
JP2013062107A (ja) 照明装置
EP2325557A1 (en) Illumination device with heat dissipation structure
JP2014212076A (ja) 照明器具
JP2013008582A (ja) ランプ装置
CN104676376A (zh) 一种led照明器件以及led灯具
US8333486B2 (en) Illumination device with heat dissipation structure
KR100887401B1 (ko) 발광 다이오드 모듈
EP2317209A1 (en) Illumination device with heat dissipation structure
KR20130107779A (ko) 타일형으로 결합되는 씨오비 엘이디 모듈을 구비한 조명장치
JP3177278U (ja) トンネル用ｌｅｄ照明放熱構造
KR100948401B1 (ko) 거꾸로 부착된 발광 다이오드 장치
KR200398896Y1 (ko) 발광다이오드 조명등의 방열구조
TWI613394B (zh) 車燈模組