Claims (113)
1. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме концентрированного высокочастотного разряда с частотой 1-800 кГц при температуре 700-3000°С путем подачи смеси кремнийсодержащих соединений с несущим газом по коаксиальной трубе из чистого кремния с изолированным центральным электродом из чистого кремния, присоединения центрального электрода к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ, зажигания плазменного разряда в струе кремнийсодержащих соединений между центральным электродом и стенками коаксиальной трубы, а также между центральным электродом и расположенным с зазором осесимметрично к центральному электроду подложкой-мишенью.1. A method of producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that the silicon-containing compounds are processed in a plasma of concentrated high-frequency discharge with a frequency of 1-800 kHz at a temperature of 700-3000 ° C by feeding a mixture of silicon-containing compounds with carrier gas through a coaxial tube of pure silicon with an insulated central electrode of pure silicon, connecting a central elec kind to the potential output of a high-frequency resonant transformer with a power of 1-1000 kW, voltage of 10-1000 kV, ignition of a plasma discharge in a jet of silicon-containing compounds between the central electrode and the walls of the coaxial tube, and also between the central electrode and the target substrate axisymmetric to the central electrode .
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стенки и центральный электрод коаксиальной трубы из кремния соединяют с высоковольтным выводом резонансного высокочастотного трансформатора, а плазменный разряд формируют между коаксиальной трубой из кремния и подложкой-мишенью.2. The method according to claim 1, characterized in that the walls and the central electrode of the coaxial silicon pipe are connected to the high-voltage output of the resonant high-frequency transformer, and a plasma discharge is formed between the coaxial silicon pipe and the target substrate.
3. Способ по п.1,отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.3. The method according to claim 1, characterized in that silicon wafers and rods are used as the target substrate.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.4. The method according to claim 1, characterized in that the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.5. The method according to claim 1, characterized in that crucibles with silicon-containing materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon are used as the target substrate.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.6. The method according to claim 1, characterized in that as the silicon-containing compounds are used alkoxylans triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxylan, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.7. The method according to claim 1, characterized in that as the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.8. The method according to claim 1, characterized in that the silicon-containing compounds use a powder of highly pure silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a jet of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
9. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме концентрированного высокочастотного разряда с частотой 1-800 кГц при температуре 700-3000°С путем подачи смеси кремнийсодержащих соединений с несущим газом по трубе из чистого кремния, присоединения к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ, зажигания плазменного разряда в струе кремнийсодержащих соединений между стенками трубы и расположенным с зазором осесимметрично к центральному электроду подложкой-мишенью.9. A method of producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that the silicon-containing compounds are processed in a plasma of concentrated high-frequency discharge with a frequency of 1-800 kHz at a temperature of 700-3000 ° C by feeding a mixture of silicon-containing compounds with carrier gas through a pipe made of pure silicon, connecting to the potential output of a high-frequency resonant transformer with a power of 1-1000 kW, n conjugation of 10-1000 kW, the plasma discharge in the ignition jet of silicon-containing compounds between the tube walls and arranged with a gap to the axially central electrode target substrate.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.10. The method according to claim 9, characterized in that the silicon wafers and rods are used as the target substrate.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.11. The method according to claim 9, characterized in that the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
12. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.12. The method according to claim 9, characterized in that crucibles with silicon-containing materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon are used as the target substrate.
13. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.13. The method according to claim 9, characterized in that as the silicon-containing compounds are used alkoxylanes triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
14. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.14. The method according to claim 9, characterized in that as the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns.
15. Способ по п.9, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.15. The method according to claim 9, characterized in that as the silicon-containing compounds use a powder of highly pure silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a stream of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
16. Способ получения поликристаллического кремния путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме концентрированного высокочастотного разряда с частотой 1-800 кГц при температуре 700-3000°С путем присоединения центрального электрода к потенциальному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ, зажигания плазменного разряда в струе кремнийсодержащих соединений между центральным электродом и расположенным с зазором осесимметрично к центральному электроду подложкой-мишенью, а кремнийсодержащие соединения подают по одной или нескольким трубам из кремния, установленным под углом 5-20° к оси камеры таким образом, чтобы оси центрального электрода и каждой из труб пересекались на поверхности подложки-мишени.16. A method of producing polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that the silicon-containing compounds are processed in a plasma of a concentrated high-frequency discharge with a frequency of 1-800 kHz at a temperature of 700-3000 ° C by attaching a central electrode to a potential terminal of a high-frequency resonant transformer with a power of 1-1000 kW, voltage of 10-1000 kV, ignition of a plasma discharge in a jet of silicon-containing soy the distance between the central electrode and the target substrate located axisymmetrically to the central electrode, and silicon-containing compounds are fed through one or more silicon pipes mounted at an angle of 5–20 ° to the camera axis so that the axes of the central electrode and each of the pipes intersect on the surface of the target substrate.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что несколько электродов из кремния устанавливают по образующей цилиндра и зажигают цилиндрический плазменный разряд между электродами и подложкой-мишенью, а кремнийсодержащие соединения подают по оси цилиндрического разряда.17. The method according to clause 16, characterized in that several silicon electrodes are installed along the generatrix of the cylinder and a cylindrical plasma discharge is ignited between the electrodes and the target substrate, and silicon-containing compounds are fed along the axis of the cylindrical discharge.
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.18. The method according to clause 16, characterized in that as the substrate of the target use plates and rods of silicon.
19. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.19. The method according to clause 16, characterized in that the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
20. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.20. The method according to clause 16, characterized in that as the target substrate using crucibles with silicon-based materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon.
21. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.21. The method according to clause 16, characterized in that as the silicon-containing compounds use alkoxylans - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
22. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц ОЛ-100 мкм.22. The method according to clause 16, characterized in that as the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of OL-100 μm.
23. Способ по п.16, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.23. The method according to p. 16, characterized in that as the silicon-containing compounds use a powder of highly pure silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a stream of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
24. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что создают плазменный разряд с частотой 1-800 кГц с температурой 700-3000°С между n - охлаждаемыми электродами из чистого кремния, где n=2, 3, 4, 5...k, и подложкой-мишенью путем размещения электродов осесимметрично под углом к оси камеры и присоединения всех n-электродов к высоковольтному выводу высокочастотного резонансного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, напряжением 10-1000 кВ.24. A method of producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and the subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that they create a plasma discharge with a frequency of 1-800 kHz with a temperature of 700-3000 ° C between n - cooled pure silicon electrodes, where n = 2, 3, 4, 5 ... k, and the target substrate by placing the electrodes axisymmetrically at an angle to the axis of the chamber and attaching all n-electrodes to the high-voltage output of a high-frequency resonant transformer with a power of 1-1000 kW, voltage 10-1000 kV.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.25. The method according to paragraph 24, wherein the silicon wafers and rods are used as the target substrate.
26. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.26. The method according to paragraph 24, wherein the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
27. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.27. The method according to paragraph 24, wherein the crucible with silicon-containing materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon is used as the target substrate.
28. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.28. The method according to paragraph 24, wherein the silicon-containing compounds are alkoxylans — triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
29. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.29. The method according to paragraph 24, wherein the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns.
30. Способ по п.24, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.30. The method according to p. 24, characterized in that as the silicon-containing compounds use powder of high purity silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a stream of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
31. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения подают в струе несущего газа по коаксиальной трубе из чистого кремния вдоль оси реакционной камеры, присоединяют центральный электрод коаксиальной трубы из чистого кремния к одному из выводов спирального четвертьволнового электрического волновода, производят накачку высокочастотной электромагнитной энергии с частотой 1-800 кГц, напряжением 10-1000 кВ в спиральном четвертьволновом волноводе от высокочастотного трансформатора мощностью 1-1000 кВт, зажигают плазменный разряд электромагнитной высокочастотной энергии путем подачи электрической энергии от электрического волновода через центральный электрод из кремния по оси реакционной камеры в струе кремнийсодержащих соединений и фокусируют плазменный высокочастотный разряд от электрического спирального волновода вдоль оси реакционной камеры путем расположения обмоток спирального волновода вокруг реакционной камеры.31. A method for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that the silicon-containing compounds are fed in a carrier gas stream through a pure silicon coaxial pipe along the axis of the reaction chamber, and a central silicon coaxial pipe electrode of pure silicon is connected to one of the findings of a spiral quarter-wave electric waveguide is pumped with high-frequency electromagnetic energy and with a frequency of 1-800 kHz, voltage 10-1000 kV in a spiral quarter-waveguide from a high-frequency transformer with a power of 1-1000 kW, ignite a plasma discharge of electromagnetic high-frequency energy by supplying electric energy from an electric waveguide through a central electrode of silicon along the axis of the reaction chamber in the stream silicon-containing compounds and focus the plasma high-frequency discharge from the electric spiral waveguide along the axis of the reaction chamber by arranging the windings of the spiral waveguide around the reaction chamber.
32. Способ по п.31, отличающийся тем, что создают плазменный разряд с температурой 2000°С между n - охлаждаемыми электродами из чистого кремния, где n=2, 3, 4, 5...k, и подложкой-мишенью путем размещения электродов осесимметрично под углом к оси камеры и присоединения всех k-электродов к высоковольтному выводу четвертьволнового электрического волновода и сжимают плазменный разряд путем размещения обмотки электрического волновода вокруг стенок реакционной камеры в пространстве между электродами и подложкой-мишенью.32. The method according to p, characterized in that they create a plasma discharge with a temperature of 2000 ° C between n - cooled electrodes of pure silicon, where n = 2, 3, 4, 5 ... k, and the target substrate by placing electrodes axisymmetrically at an angle to the axis of the chamber and connecting all k-electrodes to the high-voltage output of a quarter-wave electric waveguide and compress the plasma discharge by placing the winding of the electric waveguide around the walls of the reaction chamber in the space between the electrodes and the target substrate.
33. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.33. The method according to p, characterized in that as the substrate of the target use plates and rods of silicon.
34. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.34. The method according to p, characterized in that the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
35. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.35. The method according to p. 31, characterized in that the crucible with silicon-containing materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon is used as the target substrate.
36. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.36. The method according to p, characterized in that as the silicon-containing compounds use alkoxylans - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
37. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.37. The method according to p, characterized in that as the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns.
38. Способ по п.31, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.38. The method according to p. 31, characterized in that as the silicon-containing compounds use a powder of highly pure silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a stream of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
39. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают с получением поликристаллического кремния в плазме с температурой 700-3000°С из двух высокочастотных разрядов с двумя частотами в диапазоне 1-800 кГц, отличающимися друг от друга по частоте в 2-20 раз, путем подачи смеси кремнийсодержащих соединений с несущим газом по двум коаксиальным трубам с центральными электродами из чистого кремния, присоединения каждого центрального электрода, каждой кремниевой коаксиальной трубы к высоковольтному выводу одного из двух высокочастотных резонансных трансформаторов Тесла электрической мощностью 1-1000 кВт с частотой 1-800 кГц, причем частоты каждого из двух резонансных трансформаторов отличаются друг от друга в 2-20 раз, зажигания и усиления плазменного разряда за счет взаимодействия двух плазменных пучков с различными частотами с экраном из чистого кремния.39. A method of producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that the silicon-containing compounds are processed to obtain polycrystalline silicon in a plasma with a temperature of 700-3000 ° C from two high-frequency discharges with two frequencies in the range of 1- 800 kHz, 2-20 times different in frequency, by feeding a mixture of silicon-containing compounds with a carrier gas through two coaxial pipes from the center using pure silicon electrodes, connecting each central electrode, each silicon coaxial pipe to the high-voltage output of one of the two Tesla high-frequency resonant transformers with an electric power of 1-1000 kW with a frequency of 1-800 kHz, and the frequencies of each of the two resonant transformers differ from each other in 2-20 times, ignition and amplification of a plasma discharge due to the interaction of two plasma beams with different frequencies with a screen of pure silicon.
40. Способ по п.39, отличающийся тем, что плазменные пучки от двух электродов из чистого кремния располагают под некоторым углом друг к другу и плоскости подложки-мишени.40. The method according to § 39, wherein the plasma beams from two pure silicon electrodes are placed at a certain angle to each other and to the plane of the target substrate.
41. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.41. The method according to § 39, characterized in that the silicon wafers and rods are used as the target substrate.
42. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.42. The method according to § 39, characterized in that the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
43. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.43. The method according to § 39, characterized in that the crucibles with silicon-containing materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon are used as the target substrate.
44. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.44. The method according to § 39, wherein the silicon-containing compounds are alkoxylans — triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
45. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.45. The method according to § 39, characterized in that as the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns.
46. Способ по п.39, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.46. The method according to § 39, characterized in that as the silicon-containing compounds use a powder of highly pure silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a stream of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
47. Способ получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения чистого поликристаллического кремния, отличающийся тем, что кремнийсодержащие соединения перерабатывают в плазме при температуре 700-3000°С путем присоединения каждого из двух центральных кремниевых электродов к высоковольтному выводу одного из двух спиральных четвертьволновых электрических волноводов, накачки каждого электрического волновода от одного из двух резонансных высокочастотных трансформаторов мощностью 1-1000 кВт в диапазоне частот 1-800 кГц, причем частоты каждого из двух электрических волноводов отличаются друг от друга в 2-20 раз, зажигания двух плазменных разрядов электромагнитной высокочастотной энергии путем подачи электрической энергии от каждого из двух электрических волноводов через каждый из двух центральных электродов коаксиальных труб из кремния в струе кремнийсодержащих соединений по оси реакционной камеры.47. A method of producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of pure polycrystalline silicon, characterized in that the silicon-containing compounds are processed in plasma at a temperature of 700-3000 ° C by attaching each of the two central silicon electrodes to the high-voltage output of one of the two spiral quarter-wave electric waveguides, pumping each electric waveguide from one of two resonant high-frequency trans ormators with a power of 1-1000 kW in the frequency range 1-800 kHz, the frequencies of each of two electric waveguides being 2-20 times different from each other, igniting two plasma discharges of electromagnetic high-frequency energy by supplying electric energy from each of two electric waveguides through each from two central electrodes of coaxial silicon tubes in a stream of silicon-containing compounds along the axis of the reaction chamber.
48. Способ по п.47, отличающийся тем, что высоковольтный вывод каждого из двух спиральных четвертьволновых волноводов присоединяют к высоковольтным выводам одного высоковольтного резонансного трансформатора, а фокусирование каждого плазменного высокочастотного разряда от каждого спирального электрического волновода вдоль оси реакционной камеры осуществляют путем расположения обмоток спиральных волноводов вокруг реакционной камеры и усиления плазменного разряда за счет взаимодействия двух плазменных пучков с разными частотами.48. The method according to clause 47, wherein the high-voltage output of each of the two spiral quarter-waveguides is connected to the high-voltage terminals of one high-voltage resonant transformer, and the focusing of each plasma high-frequency discharge from each spiral electric waveguide along the axis of the reaction chamber is carried out by arranging the windings of the spiral waveguides around the reaction chamber and amplification of the plasma discharge due to the interaction of two plasma beams with different frequencies.
49. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют пластины и стержни из кремния.49. The method according to item 47, wherein the silicon substrate is used as a target substrate.
50. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют подогреваемые до температуры 700-1400°С тигли с кусками чистого кремния.50. The method according to item 47, wherein the crucibles heated to a temperature of 700-1400 ° C with pieces of pure silicon are used as the target substrate.
51. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигли с кремнийсодержащими материалами на основе пеллет из стехиометрической смеси диоксида кремния и углерода.51. The method according to clause 47, wherein crucibles with silicon-containing materials based on pellets from a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon are used as the target substrate.
52. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве кремпийсодержащих соединений используют алкоксиланы триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан и тетрафторид кремния.52. The method according to clause 47, wherein the silicon-containing compounds are alkoxylanes triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane and silicon tetrafluoride.
53. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют стехиометрическую смесь особочистых диоксида кремния и углерода с размером частиц 0,1-100 мкм.53. The method according to item 47, wherein the silicon-containing compounds use a stoichiometric mixture of highly pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns.
54. Способ по п.47, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений используют порошок особочистого диоксида кремния с размером частиц 0,1-100 мкм в струе несущего газа ацетилена, метана и водорода высокой чистоты.54. The method according to item 47, wherein the silicon-containing compounds use a powder of highly pure silicon dioxide with a particle size of 0.1-100 μm in a stream of carrier gas of acetylene, methane and high-purity hydrogen.
55. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высокочастотный генератор выполнен в виде резонансного высокочастотного трансформатора электрической мощностью 1-1000 кВт с частотой 1-800 кГц, напряжением 1-1000 кВ, соединенного высоковольтным выводом с изолированным центральным электродом коаксиальной трубы из чистого кремния, установленной вдоль оси внутри одного из оснований реакционной камеры, коаксиальная труба из кремния совмещена с устройством для подачи реагентов в реакционную камеру, а на противоположном основании реакционной камеры установлена подложка-мишень из чистого кремния.55. Device for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of polycrystalline silicon, containing a reaction chamber, the walls of which are made of material transparent to high-frequency radiation, a device for supplying reagents and removal of decomposition products and a high-frequency generator for producing a plasma discharge, characterized in that the high-frequency generator is made in the form of a resonant high-frequency transformer electric with a power of 1-1000 kW with a frequency of 1-800 kHz, a voltage of 1-1000 kV, connected by a high-voltage output to an insulated central electrode of a pure silicon coaxial pipe mounted along the axis inside one of the bases of the reaction chamber, the coaxial silicon pipe is combined with a device for feeding the reagents into the reaction chamber, and on the opposite base of the reaction chamber, a pure silicon target substrate is installed.
56. Устройство по п.55, отличающееся тем, что высоковольтный вывод высокочастотного трансформатора соединен с центральным электродом и коаксиальной трубой из чистого кремния, а подложка-мишень соединена с естественной емкостью в виде изолированного проводящего тела или с землей.56. The device according to item 55, wherein the high-voltage output of the high-frequency transformer is connected to a central electrode and a pure silicon coaxial pipe, and the target substrate is connected to a natural capacitance in the form of an insulated conductive body or with earth.
57. Устройство по п.55, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.57. The device according to clause 55, wherein the target substrate is made of pure silicon.
58. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.58. The device according to item 55, wherein the crucible with pieces of silicon is used as the target substrate, said crucible is equipped with a device for heating to a temperature of 700-2000 ° C and a directional crystallization device with slow cooling.
59. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.59. The device according to claim 55, characterized in that a crucible with pellets from compressed powders of pure silicon dioxide and carbon with a particle size of 0.1-100 microns in powder is used as the target substrate.
60. Устройство по п.55, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.60. The device according to p. 55, characterized in that each electrode has a built-in cooling system.
61. Устройство по п.55, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.61. The device according to item 55, wherein the electrode is made in the form of a cylindrical shell of pure silicon, filled with a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
62. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.62. The device according to claim 55, characterized in that a stoichiometric mixture of silicon dioxide and high-purity carbon is used as silicon-containing compounds.
63. Устройство п.55, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.63. The device of claim 55, wherein silicon dioxide powder is used in the flow of acetylene, methane, methanol and hydrogen as silicon-containing compounds.
64. Устройство по п.55, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.64. The device according to claim 55, characterized in that alkoxysilanes — triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride and silicon tetrafluoride are used as silicon-containing compounds.
65. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высоковольтный вывод высокочастотного трансформатора соединен с установленным по оси камеры электродом из чистого кремния, а реакционная камера снабжена одной или несколькими трубами их чистого кремния для подачи кремнийсодержащих соединений, указанные трубы установлены под углом 5-20° к оси камеры, а ось электрода из чистого кремния и оси каждой из труб пересекаются в одной точке на поверхности подложки-мишени, выполненной в виде тигля.65. Device for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of polycrystalline silicon, containing a reaction chamber, the walls of which are made of material transparent to high-frequency radiation, a device for supplying reagents and removal of decomposition products and a high-frequency generator for obtaining a plasma discharge, characterized in that the high-voltage output of the high-frequency transformer is connected to the ele a cathode made of pure silicon, and the reaction chamber is equipped with one or more tubes of pure silicon for feeding silicon-containing compounds, these pipes are installed at an angle of 5–20 ° to the axis of the chamber, and the axis of the pure silicon electrode and the axis of each of the pipes intersect at one point on the surface of the target substrate, made in the form of a crucible.
66. Устройство по п.65, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.66. The device according to p, characterized in that the target substrate is made of pure silicon.
67. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.67. The device according to p. 65, characterized in that the crucible with pieces of silicon is used as the target substrate, said crucible is equipped with a device for heating to a temperature of 700-2000 ° C and a directional crystallization device with slow cooling.
68. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.68. The device according to p. 65, characterized in that the crucible with pellets from pressed powders of special purity silicon dioxide and carbon with a particle size in the powder of 0.1-100 microns is used as the target substrate.
69. Устройство по п.65, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.69. The device according to p, characterized in that each electrode has a built-in cooling system.
70. Устройство по п.65, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.70. The device according to item 65, wherein the electrode is made in the form of a cylindrical shell of pure silicon, filled with a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
71. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.71. The device according to p. 65, characterized in that as the silicon-containing compounds used a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
72. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.72. The device according to p. 65, characterized in that as the silicon-containing compounds used silicon dioxide powder in a stream of acetylene, methane, methanol and hydrogen.
73. Устройство по п.65, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.73. The device according to p. 65, characterized in that as the silicon-containing compounds used alkoxysilanes - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride and silicon tetrafluoride.
74. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высоковольтный вывод высокочастотного трансформатора соединен с n - охлаждаемыми электродами из чистого кремния, где n=2, 3, 4, 5...k, указанные электроды установлены осесимметрично в виде усеченного конуса под углом к оси камеры, а пространство по оси камеры совмещено с устройством для подачи кремнийсодержащих соединений.74. Device for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of polycrystalline silicon, containing a reaction chamber, the walls of which are made of material transparent to high-frequency radiation, a device for supplying reagents and removal of decomposition products and a high-frequency generator for producing a plasma discharge, characterized in that the high-voltage output of the high-frequency transformer is connected to n-cooled electrodes from istogo silicon, where n = 2, 3, 4, 5 ... k, said electrodes being mounted axially in the form of a truncated cone at an angle to the axis of the chamber and the space for the camera is combined with a device for supplying silicon compounds axis.
75. Устройство по п.74, отличающееся тем, что каждый из n-охлаждаемых электродов из чистого кремния присоединен к высоковольтному выводу своего собственного резонансного трансформатора.75. The device according to claim 74, wherein each of the n-cooled pure silicon electrodes is connected to a high voltage terminal of its own resonant transformer.
76. Устройство по п.74, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.76. The device according to p. 74, characterized in that the target substrate is made of pure silicon.
77. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.77. The device according to p. 74, characterized in that the crucible with pieces of silicon is used as the target substrate, said crucible is equipped with a heating device to a temperature of 700-2000 ° C and a directional crystallization device with slow cooling.
78. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.78. The device according to p. 74, characterized in that as the target substrate use a crucible with pellets from compressed powders of pure silicon dioxide and carbon with a particle size in the powder of 0.1-100 microns.
79. Устройство по п.74, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.79. The device according to p. 74, characterized in that each electrode has a built-in cooling system.
80. Устройство по п.74, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.80. The device according to p. 74, characterized in that the electrode is made in the form of a cylindrical shell of pure silicon, filled with a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
81. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.81. The device according to p. 74, characterized in that as a silicon-containing compounds used a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
82. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.82. The device according to p. 74, characterized in that as the silicon-containing compounds used silicon dioxide powder in a stream of acetylene, methane, methanol and hydrogen.
83. Устройство по п.74, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.83. The device according to p. 74, characterized in that as the silicon-containing compounds used alkoxylans - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride and silicon tetrafluoride.
84. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов разложения и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высокочастотный резонансный трансформатор электрической мощностью 1-1000 кВт, частотой 1-800 кГц и напряжением 1-1000 кВ подключен своим высоковольтным выводом к трубчатому электроду из чистого кремния, установленному вдоль оси реакционной камеры, трубчатый электрод совмещен с устройством для подачи кремнийсодержащих реагентов, а на торцах реакционной камеры установлены подложки-мишени.84. A device for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of polycrystalline silicon, containing a reaction chamber, the walls of which are made of material transparent to high-frequency radiation, a device for supplying reagents and removal of decomposition products and a high-frequency generator for producing a plasma discharge, characterized in that the high-frequency resonant transformer with an electric power of 1-1000 kW, a frequency of 1-800 kHz and maskers 1-1000 kV high voltage is connected to its output to the tubular electrode made of pure silicon, mounted along the axis of the reaction chamber, the tubular electrode is combined with a device for supplying silicon reagents and the ends of the reaction chamber set target substrate.
85. Устройство по п.84, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.85. The device according to p, characterized in that the target substrate is made of pure silicon.
86. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.86. The device according to p. 84, characterized in that the crucible with pieces of silicon is used as the target substrate, said crucible is equipped with a heating device to a temperature of 700-2000 ° C and a directional crystallization device with slow cooling.
87. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.87. The device according to p. 84, characterized in that the crucible with pellets from pressed powders of special pure silicon dioxide and carbon with a particle size in the powder of 0.1-100 microns is used as the target substrate.
88. Устройство по п.84, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.88. The device according to p, characterized in that each electrode has a built-in cooling system.
89. Устройство по п.84, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.89. The device according to p. 84, characterized in that the electrode is made in the form of a cylindrical shell of pure silicon, filled with a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
90. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.90. The device according to p. 84, characterized in that as the silicon-containing compounds used a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
91. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.91. The device according to p, characterized in that as the silicon-containing compounds used silicon dioxide powder in a stream of acetylene, methane, methanol and hydrogen.
92. Устройство по п.84, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.92. The device according to p. 84, characterized in that as the silicon-containing compounds used alkoxylans - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride and silicon tetrafluoride.
93. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов реакции и высокочастотный генератор, отличающееся тем, что высокочастотный генератор выполнен в виде резонансного генератора, высоковольтный вывод которого соединен со входом спирального четвертьволнового электрического волновода, установленного снаружи вокруг реакционной камеры, а высоковольтный вывод электрического волновода соединен с центральным электродом коаксиальной трубы из чистого кремния, установленной коаксиально вдоль оси внутри одного из оснований реакционной камеры, коаксиальная труба совмещена с устройством для подачи реагентов, а в торцах реакционной камеры установлены подложки-мишени.93. Device for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of polycrystalline silicon, containing a reaction chamber, the walls of which are made of material transparent to high-frequency radiation, a device for supplying reagents and removal of reaction products and a high-frequency generator, characterized in that the high-frequency generator is made in the form of a resonant generator, the high-voltage output of which is connected to the input of the spiral four an electric waveguide mounted externally around the reaction chamber, and the high-voltage output of the electric waveguide is connected to the central electrode of a pure silicon coaxial tube mounted coaxially along the axis inside one of the bases of the reaction chamber, the coaxial tube is aligned with the reagent supply device, and at the ends of the reaction chamber target substrates are installed.
94. Устройство по п.93, отличающееся тем, что каждый из n-охлаждаемых электродов из чистого кремния подключен к высоковольтному выводу электрического волновода, электрический волновод размещен вокруг реакционной камеры в пространстве между электродами и тиглем и подключен к высоковольтному выводу резонансного высокочастотного трансформатора.94. The device according to p. 93, characterized in that each of the n-cooled electrodes of pure silicon is connected to a high-voltage output of an electric waveguide, an electric waveguide is placed around the reaction chamber in the space between the electrodes and the crucible and connected to a high-voltage output of a resonant high-frequency transformer.
95. Устройство по п.93, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.95. The device according to p, characterized in that the target substrate is made of pure silicon.
96. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.96. The device according to p. 93, characterized in that the crucible with pieces of silicon is used as the target substrate, said crucible is equipped with a heating device to a temperature of 700-2000 ° C and a directional crystallization device with slow cooling.
97. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.97. The device according to p. 93, characterized in that as the target substrate use a crucible with pellets from compressed powders of pure silicon dioxide and carbon with a particle size in the powder of 0.1-100 microns.
98. Устройство по п.93, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.98. The device according to p. 93, characterized in that each electrode has a built-in cooling system.
99. Устройство по п.93, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.99. The device according to p. 93, wherein the electrode is made in the form of a cylindrical shell of pure silicon, filled with a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
100. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрическая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.100. The device according to p. 93, characterized in that as the silicon-containing compounds used a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
101. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.101. The device according to p. 93, characterized in that the silicon dioxide powder used is silicon dioxide in a stream of acetylene, methane, methanol and hydrogen.
102. Устройство по п.93, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.102. The device according to p. 93, characterized in that as the silicon-containing compounds used alkoxysilanes - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride and silicon tetrafluoride.
103. Устройство для получения поликристаллического кремния высокой чистоты путем переработки кремнийсодержащих соединений и последующего выделения поликристаллического кремния, содержащее реакционную камеру, стенки которой выполнены из материала, прозрачного для высокочастотного излучения, устройство для подвода реагентов и отвода продуктов реакции и высокочастотный генератор для получения плазменного разряда, отличающееся тем, что высокочастотный генератор содержит два высокочастотных резонансных трансформатора электрической мощностью 1-1000 кВт, с частотой 1-800 кГц, каждый из которых соединен высоковольтным выводом со входом одного из двух спиральных четвертьволновых электрических волноводов с частотой в пределах 1-800 кГц, причем резонансные частоты спиральных электрических волноводов отличаются в 2-20 раз, электрические волноводы установлены снаружи вокруг разных частей реакционной камеры, а каждый из высоковольтных выводов каждого электрического волноводаприсоединен к одной из двух труб из чистого кремния, установленных внутри по оси реакционной камеры в противоположных частях реакционной камеры, коаксиальные трубы из кремния совмещены с устройством для подачи реагентов в реакционную камеру, а в торцах реакционной камеры установлены подложки-мишени.103. A device for producing high-purity polycrystalline silicon by processing silicon-containing compounds and subsequent isolation of polycrystalline silicon, containing a reaction chamber, the walls of which are made of material transparent to high-frequency radiation, a device for supplying reagents and removal of reaction products and a high-frequency generator for producing a plasma discharge, characterized in that the high-frequency generator contains two high-frequency resonant electric transformers with a sensitivity of 1-1000 kW, with a frequency of 1-800 kHz, each of which is connected by a high-voltage output to the input of one of two spiral quarter-wave electric waveguides with a frequency in the range of 1-800 kHz, the resonant frequencies of spiral electric waveguides differ 2-20 times, electric waveguides are installed externally around different parts of the reaction chamber, and each of the high-voltage leads of each electric waveguide is connected to one of two pure silicon pipes installed inside the axis of the reaction chamber in ivopolozhnyh parts of the reaction chamber, a coaxial tube of silicon combined with a device for feeding reactants into the reaction chamber, and at the ends of the reaction chamber set target substrate.
104. Устройство по п.103, отличающееся тем, что вход каждого из двух спиральных четвертьволновых электрических волноводов присоединен к одному из двух выводов высоковольтной обмотки одного высокочастотного резонансного трансформатора.104. The device according to p. 103, characterized in that the input of each of two spiral quarter-wave electric waveguides is connected to one of two terminals of the high-voltage winding of one high-frequency resonant transformer.
105. Устройство по п.103, отличающееся тем, что высоковольтный вывод каждого из двух резонансных высокочастотных трансформаторов Тесла электрической мощностью 1-1000 кВт, частотой 1-800 кГц и напряжением 1-1000 кВ присоединен к одному из трубчатых электродов из чистого кремния, а высоковольтные обмотки трансформаторов установлены вокруг стенок реакционной камеры и их частоты отличаются в 2-20 раз.105. The device according to p. 103, characterized in that the high-voltage output of each of the two resonant high-frequency Tesla transformers with an electric power of 1-1000 kW, a frequency of 1-800 kHz and a voltage of 1-1000 kV is connected to one of the tubular electrodes made of pure silicon, and high-voltage windings of transformers are installed around the walls of the reaction chamber and their frequencies differ by 2-20 times.
106. Устройство по п.103, отличающееся тем, что подложки-мишени выполнены из чистого кремния.106. The device according to p, characterized in that the target substrate is made of pure silicon.
107. Устройство по п.103, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с кусками кремния, указанный тигель снабжен устройством нагрева до температуры 700-2000°С и устройством направленной кристаллизации с медленным охлаждением.107. The device according to p. 103, characterized in that the crucible with pieces of silicon is used as the target substrate, said crucible is equipped with a device for heating to a temperature of 700-2000 ° C and a directional crystallization device with slow cooling.
108. Устройство по п.103, отличающееся тем, что в качестве подложки-мишени используют тигель с пеллетами из спрессованных порошков особочистого диоксида кремния и углерода с размером частиц в порошке 0,1-100 мкм.108. The device according to p. 103, characterized in that the crucible with pellets from pressed powders of special purity silicon dioxide and carbon with a particle size in the powder of 0.1-100 microns is used as the target substrate.
109. Устройство по п.103, отличающееся тем, что каждый электрод имеет встроенную внутри систему охлаждения.109. The device according to p. 103, characterized in that each electrode has a built-in cooling system.
110. Устройство по п.103, отличающееся тем, что электрод выполнен в виде цилиндрической оболочки из чистого кремния, заполненной стехиометрической смесью диоксида кремния и углерода особой чистоты.110. The device according to p. 103, characterized in that the electrode is made in the form of a cylindrical shell of pure silicon, filled with a stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
111. Устройство по п.103, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использована стехиометрпческая смесь диоксида кремния и углерода высокой чистоты.111. The device according to p. 103, characterized in that as the silicon-containing compounds used stoichiometric mixture of silicon dioxide and carbon of high purity.
112. Устройство для по п.103, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы порошок диоксида кремния в потоке ацетилена, метана, метанола и водорода.112. The device for p, characterized in that as the silicon-containing compounds used silicon dioxide powder in a stream of acetylene, methane, methanol and hydrogen.
113. Устройство кремния по п.103, отличающееся тем, что в качестве кремнийсодержащих соединений использованы алкоксиланы - триэтоксисилан, тетраэтоксисилан, триметоксисилан, тетраметоксисилан, а также моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния и тетрафторид кремния.113. The silicon device according to p. 103, characterized in that as the silicon-containing compounds used alkoxylans - triethoxysilane, tetraethoxysilane, trimethoxysilane, tetramethoxysilane, as well as monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride and silicon tetrafluoride.