RU2003200C1 - Способ получени алмазных и алмазоподобных пленок из газовой фазы - Google Patents

Description

через плазменный поток со скоростью 0,10- 10 м/мин (в зависимости от материала подложки ). Количество прохождений подложки через зону реакции выбираетс  равным или большим единице.

Пример. Подложку из кремни  устанавливают на перемещающемс  столике, расположенном на определенном рассто нии от плазмотронов. Газова  смесь метана с водородом, формируема  путем смешени  газов, поступающих из баллонов, с помощью устройства ввода подаетс  в плазменный поток, образованный четырьм  сход щимис  стру ми инертного газа, в место их сли ни . Подвижный столик, на котором установлена подложка, может быть снабжен системой охлаждени . При пересечении подложкой плазменного потока на ее поверхности осаждаетс  поликристаллическа  алмазна  или аморфна  алмазоподоб- на  пленка - в зависимости от процентного содержани  метана в водороде.

Установлено, что при содержании 1-2% метана в водороде на подложке наблюдаетс  рост алмазоподобной пленки гидрогени- зированного углерода, а при содержании 5-10% метана в водороде растет поликри0

сталлическа  алмазна  пленка. Скорость роста в обоих случа х составл ет 1 мкм/с. При этом наблюдаетс  высока  адгези  пленки к подложке.

В качестве подложки могут быть использованы различные материалы: металлы, включа  алюминий, сталь, титан и молибден; полупроводниковые материалы типа кремни  и германи ; диэлектрики, такие как двуокись кремни , различные стекла, нитрид титана, оксид алюмини ; различные полимеры, включа  полиэтилен, полиуретан , кремний- или фторорганические полимеры и другие материалы.

Дл  оптических окон могут быть использованы временные подложки из меди, золота и т.д.

По сравнению с известными данный способ позвол ет при высокой адгезии зна- 0 чительно (приблизительно на два пор дка) увеличить производительность процесса.

(56) J.Appl. Phys. 1991. v.68. № 11. р.5941- 5943.

5 J.Appl. Phys. 1990, v.68, № 12, p.6187- 6190.

5

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗНЫХ И АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий формирование зоны реакции потоком плазмы, подачу в нее смеси углеводородов с водородом и осаждение на подложку пленки, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  скоро

   сти роста пленок, формируют поток плазмы по меньшей мере трем  осесим- метрично расположенными сход щимис  стру ми низкотемпературной плазмы атмосферного давлени , при этом осаждение пленки провод т при прохождении подложки через зону реакции не менее одного раза.