[go: up one dir, main page]

PL449367A1 - Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego - Google Patents

Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego

Info

Publication number
PL449367A1
PL449367A1 PL449367A PL44936724A PL449367A1 PL 449367 A1 PL449367 A1 PL 449367A1 PL 449367 A PL449367 A PL 449367A PL 44936724 A PL44936724 A PL 44936724A PL 449367 A1 PL449367 A1 PL 449367A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
passivation
hydrophobic ionic
atmospheric air
ionic liquids
air conditions
Prior art date
Application number
PL449367A
Other languages
English (en)
Inventor
Małgorzata Nyga
Małgorzata Kopytko
Jacek Boguski
Waldemar Gawron
Original Assignee
Wojskowa Akademia Techniczna Im. Jarosława Dąbrowskiego
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wojskowa Akademia Techniczna Im. Jarosława Dąbrowskiego filed Critical Wojskowa Akademia Techniczna Im. Jarosława Dąbrowskiego
Priority to PL449367A priority Critical patent/PL449367A1/pl
Publication of PL449367A1 publication Critical patent/PL449367A1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego, który polega tym, że hydrofobową ciecz jonową nanosi się bezpośrednio na struktury półprzewodnikowe związków AIIIBV i AIIBVI tworząc warstwę pasywującą. Pasywacja jest wykonywana na strukturach planarnych lub na strukturach typu „mesa”. Pasywator można nanieść metodą rozwirowania lub poprzez zakroplenie. Struktury półprzewodnikowe poddane pasywacji wygrzewa się w temperaturze nie mniejszej niż 70°C przez ok. 10 minut. Pasywacja jest etapem po uprzednim wytworzeniu kontaktów elektrycznych i montażu za pomocą połączeń drutowych i montażu typu Flip Chip.
PL449367A 2024-07-26 2024-07-26 Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego PL449367A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL449367A PL449367A1 (pl) 2024-07-26 2024-07-26 Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL449367A PL449367A1 (pl) 2024-07-26 2024-07-26 Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL449367A1 true PL449367A1 (pl) 2025-03-17

Family

ID=94970043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL449367A PL449367A1 (pl) 2024-07-26 2024-07-26 Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL449367A1 (pl)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120313199A1 (en) * 2011-05-26 2012-12-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Material for forming passivation film for semiconductor substrate, passivation film for semiconductor substrate and method of producing the same, and photovoltaic cell element and method of producing the same
WO2013111463A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 日立化成株式会社 半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
WO2020248864A1 (zh) * 2019-06-12 2020-12-17 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120313199A1 (en) * 2011-05-26 2012-12-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Material for forming passivation film for semiconductor substrate, passivation film for semiconductor substrate and method of producing the same, and photovoltaic cell element and method of producing the same
WO2013111463A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 日立化成株式会社 半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
WO2020248864A1 (zh) * 2019-06-12 2020-12-17 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10083928B2 (en) Metal bump joint structure
US7972521B2 (en) Method of making reliable wafer level chip scale package semiconductor devices
SG152981A1 (en) Wafer level package integration and method
DE112019007907T5 (de) Gehäuste elektronische vorrichtung mit niederohmigem rückseitenkontakt
KR930006850B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
WO2019219535A1 (de) Entwärmungsanordnung für ein halbleiterleistungsmodul
DE102014114004B4 (de) Metallumverdrahtungsschicht für geformte Substrate
DE102013110541A1 (de) Integrierte schaltung, chipgehäuse und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung
PL449367A1 (pl) Sposób pasywacji związków półprzewodnikowych za pomocą hydrofobowych cieczy jonowych w warunkach powietrza atmosferycznego
CN114843343A (zh) 基于集成pin的碳化硅mos结构智能测热芯片及其版图结构
DE102008039939B4 (de) Integriertes Schaltungsbauelement mit einer aus der Gasphase abgeschiedenen Isolationsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014221147A1 (de) Modul mit mindestens einem Leistungshalbleiter
JPS59148345A (ja) Ｌｓｉチツプ測定用プロ−バ−
CN106206395A (zh) 改善igbt背面应力的方法
CN205752106U (zh) 铝栅cmos双层金属布线的版图结构
TW201937679A (zh) 暫態電壓抑制器裝置、暫態電壓抑制器裝置組合以及形成方法
RU2290718C2 (ru) Конструктивный элемент
US8686564B2 (en) Semiconductor device
TW202025502A (zh) 改良熱穩定性及蕭基行為的半導體結構
KR20040081173A (ko) 회로 칩의 단자를 외부 기준 전위에 도전 접속하는 장치
CN207690795U (zh) 半导体装置
FR3076401B1 (fr) Dispositif thermoelectrique et procede de fabrication du dispositif thermoelectrique
TW202514958A (zh) 晶片封裝結構
CN117542899A (zh) 一种稳压管芯片的结构和制作方法
DE102022132741A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung mit lötbarem leistungspad