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KR20190027881A - METHOD FOR PRODUCING LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE Download PDF

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KR20190027881A
KR20190027881A KR1020197003931A KR20197003931A KR20190027881A KR 20190027881 A KR20190027881 A KR 20190027881A KR 1020197003931 A KR1020197003931 A KR 1020197003931A KR 20197003931 A KR20197003931 A KR 20197003931A KR 20190027881 A KR20190027881 A KR 20190027881A
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photosensitive resin
heating
developing
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타카요시 이누지마
카츠유키 이토
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

밀착성이 우수한 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 폴리이미드 전구체 등의 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과, 감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정과, 감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정과, 패턴을 가열하는 가열 공정과, 가열 후의 패턴 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고, 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서, 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행한다.A method of manufacturing a laminate excellent in adhesion and a method of manufacturing an electronic device are provided. A step of forming a photosensitive resin composition layer by applying a photosensitive resin composition containing a resin such as a polyimide precursor and a photopolymerization initiator on a support, an exposure step of exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern form, , A developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern, a heating step of heating the pattern, and a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern after heating. In the step of forming the photosensitive resin composition layer and the step of exposing , At least one of between the exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step, the surface temperature is maintained for at least 5 minutes .

Description

적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법METHOD FOR PRODUCING LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

본 발명은, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a laminate and a method of manufacturing an electronic device.

폴리이미드나 폴리벤즈옥사졸 등의 수지는, 내열성 및 절연성이 우수하기 때문에, 전자 디바이스의 절연층 등에 이용되고 있다. 또, 폴리이미드나 폴리벤즈옥사졸은, 용제에 대한 용해성이 낮기 때문에, 환화 반응 전의 전구체(폴리이미드 전구체나 폴리벤즈옥사졸 전구체) 상태로 지지체 등에 적용한 후, 가열하여 폴리이미드 전구체나 폴리벤즈옥사졸 전구체를 환화하여 경화막을 형성하는 것도 행해지고 있다.Resins such as polyimide and polybenzoxazole are excellent in heat resistance and insulation properties and are thus used in insulating layers of electronic devices and the like. Since polyimide and polybenzoxazole are low in solubility in solvents, they are applied to a support or the like in the form of a precursor before the cyclization reaction (polyimide precursor or polybenzoxazole precursor) and then heated to form a polyimide precursor or polybenzoxazine And a cured film is formed by cyclizing the sol precursor.

예를 들면, 특허문헌 1, 2에는, 폴리이미드 전구체와 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴 경화막을 제조하는 것이 기재되어 있다.For example, Patent Documents 1 and 2 describe the production of a patterned cured film using a photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor and a photopolymerization initiator.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2011-191749호Patent Document 1: JP-A-2011-191749 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2014-201695호Patent Document 2: JP-A-2014-201695

본 발명자들이, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물에 대하여 검토한 결과, 이들 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 막은, 지지체나 금속층 등과의 밀착성이 불충분한 경우가 있는 것을 알 수 있었다.The inventors of the present invention have studied a photosensitive resin composition comprising a resin selected from a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor and a polybenzoxazole, and a photopolymerization initiator. As a result, it has been found that a photosensitive resin composition comprising these resins It has been found that the film formed by using the film may have insufficient adhesion with the support, the metal layer or the like.

따라서, 본 발명의 목적은, 밀착성이 우수한 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.Therefore, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a laminate excellent in adhesion and a method of manufacturing an electronic device.

상기 과제하에, 발명자가 검토를 행한 결과, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 막은, 지지체 상에 적용한 후에 막의 성상이 안정화될 때까지 시간을 필요로 하는 경향이 있는 것을 발견했다. 그리고, 후술하는 각 공정 간 중 어느 하나에 있어서, 소정의 보존 공정을 마련함으로써, 밀착성이 우수한 적층체를 제조할 수 있는 것을 발견하여, 상기 과제를 해결하기에 이르렀다. 본 발명은 이하를 제공한다.As a result of the inventors' investigation under the above-mentioned problems, it has been found that a film formed by using a photosensitive resin composition comprising a resin selected from a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor, and a polybenzoxazole and a photopolymerization initiator, , It tends to require time until the properties of the film are stabilized. It has been found that a laminate excellent in adhesion can be produced by providing a predetermined storage step in any one of the below-described steps, and has solved the above problems. The present invention provides the following.

<1> 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,&Lt; 1 > A photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin composition layer by applying a photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor, and a resin selected from polybenzoxazole, and a photopolymerization initiator to a support A layer forming step,

감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정과,An exposure step of exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern shape,

감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정과,A developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern,

패턴을 가열하는 가열 공정과,A heating step of heating the pattern,

가열 후의 패턴 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고,And a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern after heating,

감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서, 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법.At least one of the steps of forming the photosensitive resin composition layer and the exposure step, between the exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step, , And then carrying out a preservation step for preservation in that state for 5 minutes or more.

<2> 노광 공정과 현상 공정의 사이에 보존 공정을 행하는, <1>에 기재된 적층체의 제조 방법.&Lt; 2 > A method for producing a laminate according to < 1 >, wherein a preservation step is carried out between an exposure step and a development step.

<3> 노광 공정과 현상 공정의 사이에 행하는 보존 공정이, 하기 식을 충족시키는, <2>에 기재된 적층체의 제조 방법;&Lt; 3 > A method for producing a laminate according to < 2 >, wherein the preservation step performed between the exposure step and the development step satisfies the following formula:

5≤t1<(10- 0.036×T1 +12. 3)×60 5≤t1 <(10 -. 0.036 × T1 +12 3) × 60

T1은 노광 공정과 현상 공정의 사이에 행하는 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t1은 노광 공정과 현상 공정의 사이에 행하는 보존 공정의 시간이고 단위는 분이다.T1 is an average surface temperature in the preservation step carried out between the exposure step and the developing step, and the unit is K; t1 is the time of the storage step performed between the exposure step and the developing step, and the unit is minute.

<4> 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 보존 공정을 행하는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.&Lt; 4 > A method for producing a laminate according to any one of < 1 > to < 3 >, wherein a preservation step is performed between a photosensitive resin composition layer forming step and an exposure step.

<5> 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 행하는 보존 공정이, 하기 식을 충족시키는, <4>에 기재된 적층체의 제조 방법;&Lt; 5 > A method for producing a laminate according to < 4 >, wherein the preservation step performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step satisfies the following formula:

5≤t2<(10- 0.031×T2 +10. 7)×60 5≤t2 <(10 -. 0.031 × T2 +10 7) × 60

T2는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 행하는 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t2는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 행하는 보존 공정의 시간이고 단위는 분이다.T2 is an average surface temperature in the storage step performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step, and the unit is K; t2 is the time of the preservation step performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step, and the unit is minutes.

<6> 현상 공정과 가열 공정의 사이에, 보존 공정을 행하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<6> The method for producing a laminate according to any one of <1> to <5>, wherein a preservation step is carried out between the developing step and the heating step.

<7> 현상 공정과 가열 공정의 사이에 행하는 보존 공정이, 하기 식을 충족시키는, <6>에 기재된 적층체의 제조 방법;<7> The method for producing a laminate according to <6>, wherein the preservation step performed between the developing step and the heating step satisfies the following formula:

5≤t3<(10- 0.02×T3 +8.0)×60T3 < (10 - 0.02 x T3 + 8.0) x 60

T3은 현상 공정과 가열 공정의 사이에 행하는 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t3은 현상 공정과 가열 공정의 사이에 행하는 보존 공정의 시간이고 단위는 분이다.T3 is the average surface temperature in the storage step carried out between the developing step and the heating step, and the unit is K; t3 is the time of the storage step performed between the developing step and the heating step, and the unit is minute.

<8> 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이에 보존 공정을 행하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<8> A method for producing a laminate according to any one of <1> to <7>, wherein a preservation step is performed between a heating step and a metal layer forming step.

<9> 감광성 수지 조성물에 있어서의 수지가 폴리이미드 전구체이며, 폴리이미드 전구체가 라디칼 중합성기를 포함하거나, 혹은 감광성 수지 조성물이 폴리이미드 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물을 포함하는, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<9> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <13>, wherein the resin in the photosensitive resin composition is a polyimide precursor, the polyimide precursor contains a radical polymerizable group, or the photosensitive resin composition contains a radical polymerizable compound other than a polyimide precursor. Wherein the laminated body is a laminated body.

<10> 폴리이미드 전구체가 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법;<10> The method for producing a laminate according to any one of <1> to <9>, wherein the polyimide precursor comprises a repeating unit represented by the following formula (1):

식 (1)Equation (1)

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (1) 중, A21 및 A22는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R21은, 2가의 유기기를 나타내며, R22는, 4가의 유기기를 나타내고, R23 및 R24는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In formula (1), A 21 and A 22 each independently represent an oxygen atom or -NH-, R 21 represents a divalent organic group, R 22 represents a tetravalent organic group, R 23 and R 24 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.

<11> 식 (1) 중, R23 및 R24 중 적어도 한쪽이, 라디칼 중합성기를 포함하는, <10>에 기재된 적층체의 제조 방법.<11> A process for producing a laminate according to <10>, wherein at least one of R 23 and R 24 in the formula (1) contains a radically polymerizable group.

<12> 식 (1)에 있어서의 R22는, 방향환을 포함하는 4가의 기인, <10> 또는 <11>에 기재된 적층체의 제조 방법.<12> The process for producing a laminate according to <10> or <11>, wherein R 22 in the formula (1) is a tetravalent group containing an aromatic ring.

<13> 금속층 형성 공정 후의 패턴 상에, 감광성 수지 조성물층 형성 공정, 노광 공정, 현상 공정, 가열 공정 및 금속층 형성 공정을 이 순서로 행하고, 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 보존 공정을 행하는 일련의 사이클을 2사이클 이상 행하는, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.A step of forming a photosensitive resin composition layer, an exposure step, a development step, a heating step and a metal layer formation step are carried out in this order on the pattern after the metal layer formation step. Between the photosensitive resin composition layer formation step and the exposure step, The method according to any one of < 1 > to < 12 >, wherein at least one of the series of cycles for carrying out the preservation step is carried out in at least one of a heating step and a heating step, Wherein the laminate is a laminate.

<14> 다층 배선 구조의 적층체의 제조 방법인, <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.&Lt; 14 > A production method of a laminate according to any one of < 1 > to < 13 >, which is a production method of a laminate of a multilayer wiring structure.

<15> 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,<15> A photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin composition layer by applying on a support a photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor, and a resin selected from polybenzoxazole and a photopolymerization initiator A layer forming step,

감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정과,An exposure step of exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern shape,

감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정과,A developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern,

패턴을 가열하는 가열 공정과,A heating step of heating the pattern,

가열 후의 패턴 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고,And a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern after heating,

감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서, 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.At least one of the steps of forming the photosensitive resin composition layer and the exposure step, between the exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step, And then performing a preservation step of preserving the state for 5 minutes or longer.

<16> 동일한 보존 공정의 조건으로 복수의 전자 디바이스를 제조하는, <15>에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법.&Lt; 16 > A method for manufacturing an electronic device according to < 15 >, wherein a plurality of electronic devices are manufactured under the condition of the same storage step.

본 발명에 의하여, 밀착성이 우수한 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것이 가능하게 되었다.According to the present invention, it becomes possible to provide a method of manufacturing a laminate excellent in adhesion and a method of manufacturing an electronic device.

도 1은 적층체의 일 실시형태의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 전자 디바이스의 일 실시형태의 구성을 나타내는 개략도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view showing a configuration of an embodiment of a laminate. Fig.
2 is a schematic view showing a configuration of an embodiment of an electronic device.

이하에 기재하는 본 발명에 있어서의 구성 요소의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태에 한정되는 것은 아니다.The following description of constituent elements in the present invention is based on a representative embodiment of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기와 함께 치환기를 갖는 기도 포함한다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes a group having a substituent and a group having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 묘화도 노광에 포함시킨다. 또, 노광에 이용되는 광으로서는, 일반적으로, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 전자선 등의 활성광선 또는 방사선을 들 수 있다.In this specification, the term " exposure " includes not only exposure using light but also drawing using particle beams such as electron beam and ion beam, unless otherwise described. The light used for exposure generally includes an active ray or radiation such as a line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet ray represented by an excimer laser, extreme ultraviolet ray (EUV light), X ray, or electron ray.

본 명세서에 있어서, "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.In the present specification, the numerical value range indicated by using " ~ " means a range including numerical values before and after "~" as a lower limit value and an upper limit value.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내고, "(메트)알릴"은, "알릴" 및 "메탈릴"의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내며, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 및 "메타크릴"의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내고, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to either or both of "acrylate" and "methacrylate", and "(meth) allyl" (Meth) acryloyl " refers to both " acryloyl " and " methacryloyl "Quot; or " methacryloyl "

본 명세서에 있어서 "공정"이라는 말은, 독립적인 공정만이 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이더라도 그 공정의 소기의 작용이 달성되면, 본 용어에 포함된다.In the present specification, the term " process " is included in this term, not only in the independent process but also in the case where the desired action of the process is achieved even if it can not be clearly distinguished from other processes.

본 명세서에 있어서, 고형분 농도란, 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율이다. 또, 고형분 농도는, 특별히 설명하지 않는 한 25℃에 있어서의 농도를 말한다.In the present specification, the solid concentration refers to the mass percentage of the other components excluding the solvent with respect to the total mass of the composition. The solid content concentration refers to the concentration at 25 캜 unless otherwise specified.

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC) 측정에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, 및 TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 용리액은 특별히 설명하지 않는 한, THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하는 것으로 한다. 또, 검출은 특별히 설명하지 않는 한, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.In the present specification, the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) are defined as polystyrene reduced values according to Gel Permeation Chromatography (GPC) measurement unless otherwise specified. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are measured by using, for example, HLC-8220 (manufactured by TOSOH CORPORATION) as a column, a guard column HZ-L, TSKgel Super HZM- M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, and TSKgel Super HZ2000 (manufactured by TOSOH CORPORATION). Unless otherwise stated, THF (tetrahydrofuran) is used as the eluent. It is assumed that a detector of wavelength 254 nm of UV ray (ultraviolet ray) is used unless otherwise described.

<적층체의 제조 방법>&Lt; Method for producing laminate >

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,The method for producing a laminate of the present invention is a method for producing a laminate by applying a photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor, a polyimide, a resin selected from a polybenzoxazole precursor and a polybenzoxazole, and a photopolymerization initiator to a support to form a photosensitive resin composition A step of forming a photosensitive resin composition layer,

감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정과,An exposure step of exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern shape,

감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정과,A developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern,

패턴을 가열하는 가열 공정과,A heating step of heating the pattern,

가열 후의 패턴 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고,And a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern after heating,

감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.At least one of the steps of forming the photosensitive resin composition layer and the exposure step, between the exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step, , And then performing a preservation step of preserving it for 5 minutes or more in this state.

본 발명에 의하면, 밀착성이 우수한 적층체를 형성할 수 있다. 이와 같은 효과가 얻어지는 이유로서는, 다음에 의한 것이라고 추측된다. 상술한 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 막은, 막의 성상이 안정화될 때까지 시간을 필요로 하는 경향이 있다. 막의 성상이 안정되지 않은 상태로 다음 공정의 처리(예를 들면, 감광성 수지 조성물층 형성 공정 후에, 계속해서 노광 공정을 행하는 경우 등)를 행하면, 막중에 있어서 국소적으로 반응이 진행되는 부위 등이 발생하고, 막에 응력이 국소적으로 가해지는 경우가 있다고 생각된다. 이에 대하여, 본 발명에 의하면, 상기의 각 공정 중 어느 하나의 사이에 있어서, 상술한 보존 공정을 마련함으로써, 막의 성상을 안정화시켜, 막의 잔류 응력 등을 완화시킨 상태로 다음 공정의 처리를 행할 수 있다고 생각된다. 이로 인하여, 밀착성이 우수한 적층체를 제조할 수 있었다고 추측된다.According to the present invention, a laminate having excellent adhesion can be formed. The reason why such an effect is obtained is presumed to be as follows. The film formed using the above-described resin and the photosensitive resin composition containing the photopolymerization initiator tends to require time until the property of the film is stabilized. When the subsequent process (for example, after the photosensitive resin composition layer forming process and subsequent exposure process) is performed in a state in which the property of the film is not stabilized, a region where the reaction locally progresses in the film And stress is locally applied to the film. On the other hand, according to the present invention, it is possible to stabilize the property of the film and to carry out the processing of the next step in a state in which residual stress of the film is relaxed by providing the above-mentioned preservation step during any one of the above- . As a result, it is presumed that a laminate excellent in adhesion can be produced.

또, 감광성 수지 조성물에 있어서의 상술한 수지가 폴리이미드 전구체이며, 이 폴리이미드 전구체가 라디칼 중합성기를 포함하거나, 혹은 상술한 폴리이미드 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용한 경우에 있어서는, 특히 본 발명의 효과가 현저하다. 상세한 이유는 불명이지만, 이와 같은 라디칼 중합성 성분(라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체, 폴리이미드 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물)을 포함하는 감광성 수지를 이용한 경우, 노광 공정 및 현상 공정 시에 있어서, 라디칼 중합성 성분의 라디칼 중합에 의한 가교 반응을 이용하여 패턴을 형성하고, 얻어진 패턴을 가열 공정에 있어서 고온으로 가열하여 이미드화 반응을 일으켜, 고내열, 고절연성의 막을 형성하고 있다. 이와 같이, 상술한 라디칼 중합성 성분을 포함하는 감광성 조성물을 이용한 경우에 있어서는, 반응이 다단계여서 복잡하지만, 상술한 보존 공정을 마련함으로써, 막의 미시적인 상태를 안정시킬 수 있고, 형성한 막의 성질을 안정시켜 밀착성이 우수한 적층체를 제조할 수 있었다고 추측된다.When the above-mentioned resin in the photosensitive resin composition is a polyimide precursor and the polyimide precursor contains a radically polymerizable group or a photosensitive resin composition containing a radically polymerizable compound other than the above-described polyimide precursor Particularly, the effect of the present invention is remarkable. Although the detailed reason is unknown, when a photosensitive resin containing such a radically polymerizable component (a polyimide precursor having a radically polymerizable group, a radically polymerizable compound other than a polyimide precursor) is used, in the exposure process and the development process, A pattern is formed using a crosslinking reaction by radical polymerization of a radical polymerizing component and the resulting pattern is heated at a high temperature in a heating step to cause an imidization reaction to form a film with high heat resistance and high insulation. When the photosensitive composition containing the above-described radically polymerizable component is used as described above, the reaction is complicated because the reaction is multistep. However, by providing the above-mentioned preservation step, the microscopic state of the film can be stabilized, It is presumed that a laminate excellent in adhesion can be produced.

이하, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 있어서의 각 공정에 대하여 설명한다.Hereinafter, each step in the method for producing a laminate of the present invention will be described.

(감광성 수지 조성물층 형성 공정)(Step of forming a photosensitive resin composition layer)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정을 포함한다. 감광성 수지 조성물에 대해서는 후술한다.The method for producing a laminate of the present invention includes a step of forming a photosensitive resin composition layer in which a photosensitive resin composition is applied on a support to form a photosensitive resin composition layer. The photosensitive resin composition will be described later.

지지체의 종류는, 용도에 따라 적절히 정할 수 있다. 예를 들면, 무기 기판, 수지 기판, 수지 복합 재료 기판 등을 들 수 있다. 무기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 석영 기판, 실리콘 기판, 실리콘 나이트라이드(질화 실리콘) 기판, 및 그들과 같은 기판 상에 몰리브데넘, 타이타늄, 알루미늄, 구리 등을 증착한 복합 기판을 들 수 있다. 수지 기판으로서는, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리뷰틸렌나프탈레이트, 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 폴리에터설폰, 폴리아릴레이트, 알릴다이글라이콜카보네이트, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리아마이드이미드, 폴리에터이미드, 폴리벤즈아졸, 폴리페닐렌설파이드, 폴리사이클로올레핀, 노보넨 수지, 폴리클로로트라이플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 액정 폴리머, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아이오노머 수지, 사이아네이트 수지, 가교 푸마르산 다이에스터, 환상 폴리올레핀, 방향족 에터, 말레이미드, 올레핀, 셀룰로스, 에피설파이드 화합물 등의 합성 수지로 이루어지는 기판을 들 수 있다. 이들 기판은, 상기의 형태 그대로 이용되는 경우는 적고, 통상, 최종 제품의 형태에 따라, 예를 들면 박막 트랜지스터(TFT) 소자와 같은 다층 적층 구조가 형성되어 있다. 또한, 감광성 수지 조성물층의 표면이나 금속층의 표면에, 추가로 감광성 수지 조성물층을 형성하는 경우에 있어서는, 감광성 수지 조성물층이나 금속층이 지지체가 된다.The kind of the support can be appropriately determined depending on the application. Examples thereof include an inorganic substrate, a resin substrate, and a resin composite substrate. Examples of the inorganic substrate include glass substrates, quartz substrates, silicon substrates, silicon nitride (silicon nitride) substrates, and composite substrates obtained by depositing molybdenum, titanium, aluminum, copper, have. As the resin substrate, it is possible to use, for example, polystyrene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyethersulfone, polyarylate, allyl diglycolcarbonate, polyamide , Fluoropolymers such as polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polybenzazole, polyphenylene sulfide, polycycloolefin, norbornene resin and polychlorotrifluoroethylene, liquid crystal polymers, acrylic resins, epoxy resins, A substrate made of synthetic resin such as silicone resin, ionomer resin, cyanate resin, crosslinked fumaric acid diester, cyclic polyolefin, aromatic ether, maleimide, olefin, cellulose, and episulfide compound. These substrates are rarely used in the above-described form, and a multi-layered laminate structure such as a thin film transistor (TFT) element is usually formed depending on the shape of the final product. When a photosensitive resin composition layer is additionally formed on the surface of the photosensitive resin composition layer or the surface of the metal layer, the photosensitive resin composition layer or the metal layer serves as the support.

지지체에 대한 감광성 수지 조성물의 적용 방법으로서는, 도포가 바람직하다. 구체적인 적용 방법으로서는, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비어 코트법, 익스트루젼 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 스캔법, 및 잉크젯법 등이 예시된다. 감광성 수지 조성물층의 두께의 균일성의 관점에서, 보다 바람직하게는 스핀 코트법이다. 스핀 코트법의 경우, 예를 들면, 500~2000rpm의 회전수로, 10초~1분 정도 적용할 수 있다.As a method of applying the photosensitive resin composition to the support, application is preferred. Examples of specific application methods include dip coating, air knife coating, curtain coating, wire bar coating, gravure coating, extrusion coating, spin coating, slit scanning, and ink-jet coating. From the viewpoint of the uniformity of the thickness of the photosensitive resin composition layer, the spin coat method is more preferable. In the case of the spin coating method, for example, the spin coating can be applied at a rotation speed of 500 to 2000 rpm for 10 seconds to 1 minute.

감광성 수지 조성물층의 두께는, 노광 후의 막두께가 0.1~100μm가 되도록 도포하는 것이 바람직하고, 1~50μm가 되도록 도포하는 것이 보다 바람직하다. 또, 형성되는 감광성 수지 조성물층의 두께는, 반드시 균일할 필요는 없다. 예를 들면, 요철이 있는 표면 상에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 경우, 두께가 다른 감광성 수지 조성물층이 되는 경우가 있다.The thickness of the photosensitive resin composition layer is preferably such that the film thickness after exposure is 0.1 to 100 占 퐉, more preferably 1 to 50 占 퐉. The thickness of the formed photosensitive resin composition layer is not necessarily uniform. For example, when a photosensitive resin composition layer is formed on a surface having irregularities, a photosensitive resin composition layer having a different thickness may be formed.

감광성 수지 조성물층 형성 공정에서는, 지지체 상에 형성한 감광성 수지 조성물층에 대하여, 건조를 행해도 된다. 건조 온도는 50~150℃가 바람직하고, 70~130℃가 보다 바람직하며, 90~110℃가 더 바람직하다. 건조 시간은, 30초~20분이 바람직하고, 1~10분이 보다 바람직하며, 3~7분이 더 바람직하다. 또한, 건조 처리는, 본 발명에 있어서의 보존 공정과는 다른 공정이다.In the step of forming the photosensitive resin composition layer, the photosensitive resin composition layer formed on the support may be dried. The drying temperature is preferably 50 to 150 ° C, more preferably 70 to 130 ° C, and even more preferably 90 to 110 ° C. The drying time is preferably 30 seconds to 20 minutes, more preferably 1 to 10 minutes, and even more preferably 3 to 7 minutes. The drying treatment is a step different from the preservation step of the present invention.

(노광 공정)(Exposure step)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 상기 감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정을 포함한다. 노광은, 감광성 수지 조성물을 경화시킬 수 있는 한 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 파장 365nm에서의 노광 에너지 환산으로 100~10000mJ/cm2로 조사하는 것이 바람직하고, 200~8000mJ/cm2로 조사하는 것이 보다 바람직하다. 노광 파장은, 190~1000nm의 범위에서 적절히 정할 수 있고, 240~550nm가 바람직하다.The method for producing a laminate of the present invention includes an exposure step for exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern shape. Exposure, it is specifically determined that can cure the photosensitive resin composition, but for example, it is preferable that irradiation with 100 ~ 10000mJ / cm 2 as an exposure energy conversion at a wavelength of 365nm, and the irradiation to the 200 ~ 8000mJ / cm 2 . The exposure wavelength can be appropriately determined in the range of 190 to 1000 nm, and preferably 240 to 550 nm.

(현상 공정)(Developing step)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 노광된 감광성 수지 조성물층에 대하여, 감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정을 포함한다. 현상은 현상액을 이용하여 행한다. 현상액은, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 용제가 바람직하다. 현상액에 이용하는 용제로서는, 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화 수소류, 설폭사이드류 등의 유기 용제를 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 후술하는 수지 조성물의 란에서 설명하는 용제를 들 수 있다.The method for producing a laminate of the present invention includes a developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern on the exposed photosensitive resin composition layer. The development is carried out using a developing solution. The developing solution can be used without particular limitation. Solvents are preferred. Examples of the solvent used in the developer include organic solvents such as esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons, and sulfoxides. For the details of these, there may be mentioned the solvents described in the column of the resin composition to be described later.

그 중에서도 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트가 바람직하고, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤이 보다 바람직하다.Among them, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethylcellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, Cyclohexanone, cyclopentanone, gamma -butyrolactone, dimethylsulfoxide, ethylcarbitol acetate, butylcarbitol acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate are preferred, Cyclopentanone, and gamma -butyrolactone are more preferable.

현상 시간으로서는, 10초~5분이 바람직하다. 현상 시의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 20~40℃에서 행할 수 있다. 현상액을 이용한 처리 후, 추가로 린스를 행해도 된다. 린스는, 현상액과는 다른 용제로 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물에 포함되는 용제를 이용하여 린스할 수 있다. 린스 시간은, 5초~1분이 바람직하다.The development time is preferably 10 seconds to 5 minutes. The temperature at the time of development is not specifically defined, but can be 20 to 40 占 폚. After the treatment using the developing solution, rinsing may be further performed. The rinsing is preferably performed with a solvent different from the developing solution. For example, rinsing can be performed using a solvent contained in the photosensitive resin composition. The rinse time is preferably 5 seconds to 1 minute.

(가열 공정)(Heating process)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 현상 공정에 의하여 얻어진 패턴(수지층)을 가열하는 가열 공정을 포함한다. 가열 공정에서는, 폴리이미드 전구체 등의 환화 반응이 진행된다. 또, 미반응의 라디칼 중합성 성분의 경화 등도 진행된다. 최고 가열 온도(가열 시의 최고 온도)로서는, 100~500℃가 바람직하고, 140~400℃가 보다 바람직하며, 160~350℃가 더 바람직하다.The method for producing a laminate of the present invention includes a heating step of heating a pattern (resin layer) obtained by a developing step. In the heating process, the cyclization reaction of the polyimide precursor or the like proceeds. In addition, curing of the unreacted radically polymerizable component proceeds. The maximum heating temperature (maximum temperature at the time of heating) is preferably 100 to 500 占 폚, more preferably 140 to 400 占 폚, and even more preferably 160 to 350 占 폚.

가열은, 20~150℃의 온도로부터 최고 가열 온도까지 1~12℃/분의 승온 속도로 행하는 것이 바람직하고, 2~10℃/분이 보다 바람직하며, 3~10℃/분이 더 바람직하다. 승온 속도를 2℃/분 이상으로 함으로써, 높은 생산성을 확보하면서, 아민의 과잉 휘발을 방지할 수 있고, 승온 속도를 12℃/분 이하로 함으로써, 얻어지는 막에 잔존하는 응력을 완화시킬 수 있다.The heating is preferably carried out at a heating rate of 1 to 12 ° C / minute from a temperature of 20 to 150 ° C to a maximum heating temperature, more preferably 2 to 10 ° C / minute, and still more preferably 3 to 10 ° C / minute. The excessively volatilized amine can be prevented while securing a high productivity, and the temperature remaining at the obtained film can be relaxed by setting the rate of temperature increase to 2 DEG C / min or more.

가열 개시 시의 온도는, 20~150℃가 바람직하고, 20℃~130℃가 보다 바람직하며, 25℃~120℃가 더 바람직하다. 가열 개시 시의 온도는, 최고 가열 온도까지 가열하는 공정을 개시할 때의 가열 온도를 말한다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물을 기판 위에 적용한 후, 건조시키는 경우, 이 건조 후의 온도이며, 예를 들면, 감광성 수지 조성물에 포함되는 용제의 비점보다 30~200℃ 낮은 온도로부터 서서히 승온시키는 것이 바람직하다.The temperature at the start of heating is preferably 20 to 150 占 폚, more preferably 20 to 130 占 폚, and still more preferably 25 to 120 占 폚. The temperature at the start of heating refers to the heating temperature at the start of the step of heating up to the maximum heating temperature. For example, when the photosensitive resin composition is applied onto a substrate and then dried, it is preferable to raise the temperature after the drying, for example, from a temperature 30 to 200 ° C lower than the boiling point of the solvent contained in the photosensitive resin composition .

가열은, 최고 가열 온도에 도달한 후, 10~360분간 가열을 행하는 것이 바람직하고, 20~300분간 가열을 행하는 것이 더 바람직하며, 30~240분간 가열을 행하는 것이 특히 바람직하다.The heating is preferably performed for 10 to 360 minutes after reaching the maximum heating temperature, more preferably for 20 to 300 minutes, and particularly preferably for 30 to 240 minutes.

가열은 단계적으로 행해도 된다. 예로서 25℃로부터 180℃까지는 3℃/분으로 승온시키고, 180℃에서 60분 두며, 180℃로부터 200℃까지는 2℃/분으로 승온시키고, 200℃에서 120분 두는 것과 같은 공정을 들 수 있다.The heating may be performed stepwise. For example, a process of raising the temperature from 25 ° C to 180 ° C by 3 ° C / minute, placing it at 180 ° C for 60 minutes, raising the temperature from 180 ° C to 200 ° C at 2 ° C / minute, and leaving it at 200 ° C for 120 minutes .

또한, 가열 후 냉각해도 되고, 이 경우의 냉각 속도로서는, 1~5℃/분인 것이 바람직하다.Further, it may be cooled after heating, and the cooling rate in this case is preferably 1 to 5 ° C / minute.

가열 공정은, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 흐르게 하는 등에 의하여, 저산소 농도의 분위기에서 행하는 것이 폴리이미드 전구체 등의 분해를 방지하는 점에서 바람직하다. 산소 농도는, 50체적ppm 이하가 바람직하고, 20체적ppm 이하가 보다 바람직하다.The heating process is preferably performed in an atmosphere having a low oxygen concentration by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, or argon, in view of preventing the decomposition of the polyimide precursor or the like. The oxygen concentration is preferably 50 vol ppm or less, more preferably 20 vol ppm or less.

(금속층 형성 공정)(Metal layer forming step)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 가열 후의 패턴(수지층) 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함한다. 금속층으로서는, 특별히 한정 없이, 기존의 금속종(金屬種)을 사용할 수 있다. 예를 들면, 구리, 알루미늄, 니켈, 바나듐, 타이타늄, 크로뮴, 코발트, 금 및 텅스텐을 들 수 있고, 구리 및 알루미늄이 바람직하며, 구리가 보다 바람직하다. 금속층의 형성 방법은, 특별히 한정 없이, 기존의 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2007-157879호, 일본 공표특허공보 2001-521288호, 일본 공개특허공보 2004-214501호, 일본 공개특허공보 2004-101850호에 기재된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피, 리프트 오프, 전해 도금, 무전해 도금, 에칭, 인쇄, 및 이들을 조합한 방법 등이 생각된다. 보다 구체적으로는, 스퍼터링, 포토리소그래피 및 에칭을 조합한 패터닝 방법, 포토리소그래피와 전해 도금을 조합한 패터닝 방법을 들 수 있다.The method for producing a laminate of the present invention includes a metal layer forming step of forming a metal layer on a pattern (resin layer) after heating. As the metal layer, existing metal species can be used without particular limitation. For example, copper, aluminum, nickel, vanadium, titanium, chromium, cobalt, gold and tungsten may be mentioned, and copper and aluminum are preferable, and copper is more preferable. The method of forming the metal layer is not particularly limited, and conventional methods can be applied. For example, the methods described in JP-A-2007-157879, JP-A-2001-521288, JP-A-2004-214501, and JP-A-2004-101850 can be used. For example, photolithography, lift-off, electrolytic plating, electroless plating, etching, printing, and a combination thereof are conceivable. More specifically, a patterning method using a combination of sputtering, photolithography and etching, and a patterning method using a combination of photolithography and electrolytic plating can be given.

금속층의 두께로서는, 가장 두꺼운 부분에서, 0.1~50μm가 바람직하고, 1~10μm가 보다 바람직하다.The thickness of the metal layer is preferably 0.1 to 50 mu m, more preferably 1 to 10 mu m in the thickest portion.

(표면 활성화 처리 공정)(Surface activation treatment process)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 상기 금속층 및 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부를 표면 활성화 처리하는 표면 활성화 처리 공정을 포함하고 있어도 된다. 표면 활성화 처리는, 금속층의 적어도 일부에만 행해도 되고, 가열 공정 후의 감광성 수지 조성물층의 적어도 일부에만 행해도 되며, 금속층 및 가열 공정 후의 감광성 수지 조성물층의 양쪽 모두에 대하여, 각각 적어도 일부에 행해도 된다.The method for producing a laminate of the present invention may include a surface activation treatment step of surface-activating at least a part of the metal layer and the photosensitive resin composition layer. The surface activation treatment may be performed on at least only a part of the metal layer or only at least a part of the photosensitive resin composition layer after the heating step and may be performed to at least part of both the metal layer and the photosensitive resin composition layer after the heating step do.

표면 활성화 처리 공정은, 통상, 금속층 형성 공정 후에 행하지만, 상기 가열 공정 후, 감광성 수지 조성물층에, 표면 활성화 처리 공정을 행하고 나서, 금속층을 형성해도 된다.The surface activation treatment step is usually performed after the metal layer formation step, but the metal layer may be formed after the surface activation treatment step is performed on the photosensitive resin composition layer after the heating step.

표면 활성화 처리는, 금속층의 적어도 일부에 대하여 행하는 것이 바람직하고, 금속층 중, 표면에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 영역의 일부 또는 전부에 표면 활성화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 금속층의 표면에 표면 활성화 처리를 행함으로써, 그 표면에 마련되는 감광성 수지 조성물층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.The surface activation treatment is preferably performed on at least a part of the metal layer, and it is preferable that the surface activation treatment is performed on a part or the whole of the region where the photosensitive resin composition layer is formed on the surface of the metal layer. By performing the surface activation treatment on the surface of the metal layer as described above, the adhesion with the photosensitive resin composition layer provided on the surface of the metal layer can be improved.

또, 표면 활성화 처리는, 가열 공정 후의 감광성 수지 조성물층의 일부 또는 전부에 대해서도 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 감광성 수지 조성물층의 표면에 표면 활성화 처리를 행함으로써, 표면 활성화 처리한 표면에 마련되는 금속층이나 감광성 수지 조성물층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.It is preferable that the surface activation treatment is also performed on a part or all of the photosensitive resin composition layer after the heating step. By performing the surface activation treatment on the surface of the photosensitive resin composition layer in this manner, the adhesion to the metal layer or the photosensitive resin composition layer provided on the surface subjected to the surface activation treatment can be improved.

표면 활성화 처리로서는, 각종 원료 가스(산소, 수소, 아르곤, 질소, 질소/수소 혼합 가스, 아르곤/산소 혼합 가스 등)의 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, CF4/O2, NF3/O2, SF6, NF3, NF3/O2에 의한 에칭 처리, 자외선(UV) 오존법에 의한 표면 처리, 염산 수용액에 침지하여 산화 피막을 제거한 후에 아미노기와 싸이올기를 적어도 일종 갖는 화합물을 포함하는 유기 표면 처리제로의 침지 처리, 브러시를 이용한 기계적인 조면화(粗面化) 처리로부터 선택되고, 플라즈마 처리가 바람직하며, 특히 원료 가스에 산소를 이용한 산소 플라즈마 처리가 바람직하다. 코로나 방전 처리의 경우, 에너지는, 500~200000J/m2가 바람직하고, 1000~100000J/m2가 보다 바람직하며, 10000~50000J/m2가 가장 바람직하다.As the surface activation treatment, various kinds of the raw material gas plasma processing (oxygen, hydrogen, argon, nitrogen, nitrogen / hydrogen mixture gas, an argon / oxygen gas mixture and the like), corona discharge treatment, CF 4 / O 2, NF 3 / O 2, An organic material including a compound having at least one amino group and at least one thiol group after removal of the oxide film by etching treatment with SF 6 , NF 3 , NF 3 / O 2 , surface treatment with ultraviolet (UV) ozone method, An immersion treatment with a surface treatment agent, and a mechanical roughening treatment using a brush, and plasma treatment is preferable, and oxygen plasma treatment using oxygen for a raw material gas is particularly preferable. For the corona discharge treatment, energy, 500 ~ 200000J / m 2 are preferred, and more preferably 1000 to the 100000J / m 2, 10000 ~ 50000J / m 2 is most preferred.

(보존 공정)(Preservation process)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행한다. 각 공정 간 모두에 있어서도 상술한 보존 공정을 행해도 되고, 각 공정 간 중 어느 하나에 있어서만, 상술한 보존 공정을 행해도 된다. 본 발명에 있어서는, 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이 및 현상 공정과 가열 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서 상술한 보존 공정을 행하는 것이 바람직하고, 노광 공정과 현상 공정의 사이에 보존 공정을 행하는 것이 보다 바람직하다. 노광 공정과 현상 공정의 사이에 보존 공정을 행함으로써, 감광성 수지 조성물층의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.The method for producing a laminate of the present invention is characterized in that at least one of a photosensitive resin composition layer forming step and an exposure step, between an exposure step and a developing step, between a developing step and a heating step, and between a heating step and a metal layer forming step , A storage step is performed in which the surface temperature is maintained for 5 minutes or more after the temperature reaches a certain temperature. The above-described preservation step may be performed for each step, or the preservation step described above may be performed in only one of the steps. In the present invention, it is preferable to perform the above-described preservation step in at least one of the step of forming the photosensitive resin composition layer and the exposing step, the step of exposing and developing, and the step of developing and heating, It is more preferable to perform the preservation step during the developing process. By carrying out a preservation step between the exposure step and the developing step, the adhesion of the photosensitive resin composition layer can be further improved.

본 발명에 있어서, 보존 공정이란, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서 그 상태로 5분 이상 보존하는 공정을 의미한다. 여기에서, 표면 온도란, 감광성 수지 조성물층이나 감광성 수지 조성물층에 의하여 형성되는 패턴(수지층) 등의 피처리물의 표면 온도를 의미한다.In the present invention, the term &quot; preservation step &quot; means a step of maintaining the surface temperature for 5 minutes or more after the surface temperature reaches a certain temperature. Here, the surface temperature means the surface temperature of a material to be processed such as a pattern (resin layer) formed by the photosensitive resin composition layer or the photosensitive resin composition layer.

본 발명에 있어서, 보존 공정에 있어서의 일정 온도란, 어느 특정의 온도를 의미하는 것은 아니고, 소정의 온도 범위를 갖고 있어도 된다. 보존 공정에 있어서의 피처리물의 표면 온도의 변동폭(표면 온도의 최댓값과 최솟값과의 차)은, 15℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 5℃ 이하인 것이 더 바람직하다. 표면 온도의 변동폭이 상술한 범위이면, 막의 성상을 안정화시키기 쉽고, 밀착성이 우수한 적층체를 제조하기 쉽다.In the present invention, the constant temperature in the preservation step does not mean any specific temperature, but may have a predetermined temperature range. The variation width (difference between the maximum value and the minimum value of the surface temperature of the object to be treated in the preservation step) is preferably 15 占 폚 or lower, more preferably 10 占 폚 or lower, and still more preferably 5 占 폚 or lower. When the fluctuation range of the surface temperature is within the above-mentioned range, it is easy to stabilize the property of the film and to easily produce a laminate having excellent adhesiveness.

본 발명에 있어서, 보존 공정에 있어서의 피처리물의 평균 표면 온도는, -30℃ 이상이 바람직하고, 4℃ 이상이 보다 바람직하며, 10℃ 이상이 더 바람직하고, 20℃ 이상이 특히 바람직하다. 상한은, 100℃ 이하가 바람직하고, 60℃ 이하가 보다 바람직하며, 45℃ 이하가 더 바람직하고, 30℃ 이하가 특히 바람직하다. 또한, 피처리물의 평균 표면 온도는, 시간 마다의 피처리물의 표면 온도의 평균을 의미한다. 또, 보존 공정은, 5분 이상 행한다.In the present invention, the average surface temperature of the object to be treated in the preservation step is preferably -30 占 폚 or higher, more preferably 4 占 폚 or higher, more preferably 10 占 폚 or higher, and particularly preferably 20 占 폚 or higher. The upper limit is preferably 100 占 폚 or lower, more preferably 60 占 폚 or lower, still more preferably 45 占 폚 or lower, and particularly preferably 30 占 폚 or lower. In addition, the average surface temperature of the object to be treated means the average of the surface temperatures of the object to be treated per hour. The storage step is performed for 5 minutes or more.

노광 공정과 현상 공정의 사이에 보존 공정(이하, 이 보존 공정을 PED(Post Exposure Delay) 공정이라고도 함)을 행하는 경우, PED 공정은, 하기 식을 충족시키는 조건으로 행하는 것이 바람직하다.When the preservation step (hereinafter, this preservation step is also referred to as a PED (Post Exposure Delay) step) is carried out between the exposure step and the development step, the PED step is preferably carried out under conditions satisfying the following formula.

5≤t1<(10- 0.036×T1 +12. 3)×60 5≤t1 <(10 -. 0.036 × T1 +12 3) × 60

T1은 PED 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t1은 PED 공정의 시간이고 단위는 분이다.T1 is the average surface temperature in the PED process and is in K; t1 is the time of the PED process and the unit is minutes.

또, PED 공정에 있어서의 피처리물의 평균 표면 온도는, -30~60℃가 바람직하고, 4~45℃가 보다 바람직하며, 20~30℃가 더 바람직하다. 또, PED 공정은, 5~720분 행하는 것이 바람직하고, 5~480분 행하는 것이 보다 바람직하며, 5~360분 행하는 것이 더 바람직하다. PED 공정에 있어서의 피처리물의 표면 온도의 변동폭은, 15℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 5℃ 이하인 것이 더 바람직하다.The average surface temperature of the object to be treated in the PED process is preferably -30 to 60 占 폚, more preferably 4 to 45 占 폚, and more preferably 20 to 30 占 폚. The PED process is preferably performed for 5 to 720 minutes, more preferably 5 to 480 minutes, and more preferably 5 to 360 minutes. The variation range of the surface temperature of the object to be treated in the PED process is preferably 15 占 폚 or lower, more preferably 10 占 폚 or lower, still more preferably 5 占 폚 or lower.

감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 보존 공정(이하, 이 보존 공정을 PCD(Post Coating Delay) 공정이라고도 함)을 행하는 경우, PCD 공정은 하기 식을 충족시키는 조건으로 행하는 것이 바람직하다.When the preservation step (hereinafter, this preservation step is also referred to as a PCD (Post Coating Delay) step) is performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step, the PCD step is preferably carried out under conditions satisfying the following formula.

5≤t2<(10- 0.031×T2 +10. 7)×60 5≤t2 <(10 -. 0.031 × T2 +10 7) × 60

T2는 PCD 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t2는 PCD 공정의 시간이고 단위는 분이다.T2 is the average surface temperature in the PCD process and is in K; t2 is the time of the PCD process and the unit is minutes.

또, PCD 공정에 있어서의 피처리물의 평균 표면 온도는, -30~60℃가 바람직하고, 4~45℃가 보다 바람직하며, 20~30℃가 더 바람직하다. 또, PCD 공정은, 5~360분 행하는 것이 바람직하고, 5~120분 행하는 것이 보다 바람직하며, 5~60분 행하는 것이 더 바람직하다. PCD 공정에 있어서의 피처리물의 표면 온도의 변동폭은, 15℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 5℃ 이하인 것이 더 바람직하다.The average surface temperature of the object to be treated in the PCD process is preferably -30 to 60 占 폚, more preferably 4 to 45 占 폚, and more preferably 20 to 30 占 폚. The PCD process is preferably performed for 5 to 360 minutes, more preferably 5 to 120 minutes, and more preferably 5 to 60 minutes. The variation range of the surface temperature of the object to be processed in the PCD process is preferably 15 占 폚 or lower, more preferably 10 占 폚 or lower, and still more preferably 5 占 폚 or lower.

현상 공정과 가열 공정의 사이에 보존 공정(이하, 이 보존 공정을 PDD(Post Developing Delay) 공정이라고도 함)을 행하는 경우, PDD 공정은 하기 식을 충족시키는 조건으로 행하는 것이 바람직하다.When the preservation step (hereinafter, this preservation step is also referred to as a PDD (Post Developing Delay) step) is carried out between the developing step and the heating step, the PDD step is preferably carried out under conditions satisfying the following formula.

5≤t3<(10- 0.02×T3 +8.0)×60T3 < (10 - 0.02 x T3 + 8.0) x 60

T3은 PDD 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t3은 PDD 공정의 시간이고 단위는 분이다.T3 is the average surface temperature in the PDD process and is in K; t3 is the time of the PDD process and the unit is minutes.

또, PDD 공정에 있어서의 피처리물의 평균 표면 온도는, 4~80℃가 바람직하고, 10~60℃가 보다 바람직하며, 20~30℃가 더 바람직하다. 또, PDD 공정은, 5~1200분 행하는 것이 바람직하고, 5~720분 행하는 것이 보다 바람직하며, 5~600분 행하는 것이 더 바람직하고, 5~300분 행하는 것이 특히 바람직하다. PDD 공정에 있어서의 피처리물의 표면 온도의 변동폭은, 30℃ 이하인 것이 바람직하고, 20℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 10℃ 이하인 것이 더 바람직하다.The average surface temperature of the object to be processed in the PDD process is preferably 4 to 80 캜, more preferably 10 to 60 캜, and still more preferably 20 to 30 캜. The PDD process is preferably performed for 5 to 1200 minutes, more preferably 5 to 720 minutes, more preferably 5 to 600 minutes, and most preferably 5 to 300 minutes. The variation range of the surface temperature of the object to be processed in the PDD process is preferably 30 占 폚 or lower, more preferably 20 占 폚 or lower, and even more preferably 10 占 폚 or lower.

가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이에 보존 공정(이하, 이 보존 공정을 PBD(Post Bake Delay) 공정이라고도 함)을 행하는 경우, PBD 공정에 있어서의 피처리물의 평균 표면 온도는, 4~100℃가 바람직하고, 10~80℃가 보다 바람직하며, 20~60℃가 더 바람직하다. 또, PBD 공정은, 5~2400분 행하는 것이 바람직하고, 5~1200분 행하는 것이 보다 바람직하며, 5~900분 행하는 것이 더 바람직하고, 5~600분 행하는 것이 특히 바람직하다. PBD 공정에 있어서의 피처리물의 표면 온도의 변동폭은, 60℃ 이하인 것이 바람직하고, 45℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 30℃ 이하인 것이 더 바람직하다.When the preservation step (hereinafter, this preservation step is also referred to as a PBD (Post Bake Delay) step) is carried out between the heating step and the metal layer forming step, the average surface temperature of the object to be treated in the PBD step is 4 to 100 占 폚 More preferably 10 to 80 占 폚, and still more preferably 20 to 60 占 폚. The PBD process is preferably performed for 5 to 2400 minutes, more preferably 5 to 1200 minutes, more preferably 5 to 900 minutes, and most preferably 5 to 600 minutes. The fluctuation range of the surface temperature of the object to be treated in the PBD process is preferably 60 占 폚 or lower, more preferably 45 占 폚 or lower, still more preferably 30 占 폚 or lower.

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 금속층 형성 공정 후의 패턴(수지층) 상에, 추가로 감광성 수지 조성물층 형성 공정, 노광 공정, 현상 공정, 가열 공정 및 금속층 형성 공정을 이 순서로 행하고, 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 보존 공정을 행하는 일련의 사이클을 2사이클 이상 행하는 것도 바람직하다. 상술한 사이클은, 2~7회 행하는 것이 바람직하고, 2~5회 행하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 감광성 수지 조성물층으로부터 형성되는 수지층과 금속층이 교대로 복수 적층된 다층 배선 구조의 적층체를 제조할 수 있다.The method for producing a laminate of the present invention is characterized in that a step of forming a photosensitive resin composition layer, an exposure step, a developing step, a heating step and a metal layer forming step are carried out in this order on a pattern (resin layer) A series of cycles for carrying out the preservation step in at least one of the resin composition layer forming step and the exposing step, between the exposing step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step It is also preferable to perform two or more cycles. The above-described cycle is preferably performed 2 to 7 times, more preferably 2 to 5 times. By doing so, a laminate of a multilayer wiring structure in which a plurality of resin layers and metal layers formed from a photosensitive resin composition layer are alternately stacked can be manufactured.

또, 적층수를 증가시킴에 따라, 금속층과 수지층과의 계면, 수지층끼리의 계면, 수지층과 지지체와의 계면에 있어서 박리가 발생하기 쉬워지지만, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 의하면, 적층수를 증가시켜도 각층 간에서의 박리가 발생하기 어렵다. 이로 인하여, 본 발명의 효과가 보다 현저하게 얻어진다.Further, by increasing the number of layers, peeling easily occurs at the interface between the metal layer and the resin layer, the interface between the resin layers, and the interface between the resin layer and the support. However, according to the method for producing a laminate of the present invention , Peeling in each layer is unlikely to occur even if the number of stacked layers is increased. Thus, the effect of the present invention is more remarkably obtained.

도 1은, 다층 배선 구조의 적층체의 일례를 나타낸 도이다. 도 중의 부호 500은, 적층체를 나타내고, 부호 201~204는 수지층을 나타내며, 부호 301~303은 금속층을 나타내고 있다.1 is a diagram showing an example of a multilayer structure of a multilayer interconnection structure. Reference numeral 500 in the figure denotes a laminate, reference numerals 201 to 204 denote a resin layer, and reference numerals 301 to 303 denote metal layers.

수지층(201)에는 원하는 패턴이 형성되어 있다. 예를 들면, 이 패턴은 예를 들면 네거티브형 현상에 의하여 형성할 수 있다. 수지층(201)의 표면에는 금속층(301)이 형성되어 있다. 이 금속층(301)은 수지층(201)에 형성된 홈(401)의 표면의 일부를 덮도록 형성되어 있다.A desired pattern is formed on the resin layer 201. For example, this pattern can be formed by, for example, a negative type phenomenon. A metal layer 301 is formed on the surface of the resin layer 201. The metal layer 301 is formed so as to cover a part of the surface of the groove 401 formed in the resin layer 201.

금속층(301) 상에는, 수지층(202)가 형성되어 있다. 수지층(202)에는 원하는 패턴이 형성되고 금속층(301)의 일부가 수지층(202)로부터 노출되어 있다. 수지층(202)의 표면에는 금속층(302)가 형성되어 있다. 이 금속층(302)는 수지층(202)에 형성된 홈(402)의 표면의 일부를 덮도록 형성되고, 수지층(202)로부터 노출된 금속층(301)과 전기적으로 접속되어 있다.On the metal layer 301, a resin layer 202 is formed. A desired pattern is formed in the resin layer 202, and a part of the metal layer 301 is exposed from the resin layer 202. A metal layer 302 is formed on the surface of the resin layer 202. The metal layer 302 is formed so as to cover a part of the surface of the groove 402 formed in the resin layer 202 and is electrically connected to the metal layer 301 exposed from the resin layer 202.

금속층(302) 상에는, 수지층(203)이 형성되어 있다. 수지층(203)에는 원하는 패턴이 형성되고, 금속층(302)의 일부가 수지층(203)으로부터 노출되어 있다. 수지층(203)의 표면에는 금속층(303)이 형성되어 있다. 이 금속층(303)은 수지층(203)에 형성된 홈(403)의 표면의 일부를 덮도록 형성되어 있고, 수지층(203)으로부터 노출된 금속층(302)와 전기적으로 접속되어 있다.On the metal layer 302, a resin layer 203 is formed. A desired pattern is formed on the resin layer 203, and a part of the metal layer 302 is exposed from the resin layer 203. A metal layer 303 is formed on the surface of the resin layer 203. The metal layer 303 is formed so as to cover a part of the surface of the groove 403 formed in the resin layer 203 and is electrically connected to the metal layer 302 exposed from the resin layer 203.

금속층(303) 상에는, 수지층(204)가 형성되어 있다. 수지층(204)에는 원하는 패턴이 형성되고, 금속층(303)의 일부가 수지층(204)로부터 노출되어 있다. 또, 도 1에서는 금속층(302)의 일부도 수지층(204)로부터 노출되어 있다.On the metal layer 303, a resin layer 204 is formed. A desired pattern is formed on the resin layer 204, and a part of the metal layer 303 is exposed from the resin layer 204. 1, part of the metal layer 302 is also exposed from the resin layer 204. [

이 적층체는, 수지층(201~204)가 절연막으로서 작용하고, 금속층(301~303)이 배선층으로서 기능한다. 이와 같은 적층체는, 전자 디바이스에 있어서의 재배선층으로서 바람직하게 이용할 수 있다.In this laminate, the resin layers 201 to 204 serve as insulating films, and the metal layers 301 to 303 function as wiring layers. Such a laminate can be preferably used as a rewiring layer in an electronic device.

<감광성 수지 조성물(수지 조성물)>&Lt; Photosensitive resin composition (resin composition) >

다음으로, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 이용하는 감광성 수지 조성물(이하, 수지 조성물이라고도 함)에 대하여 설명한다.Next, the photosensitive resin composition (hereinafter also referred to as a resin composition) used in the method for producing a laminate of the present invention will be described.

<<수지>><< Resin >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지를 포함한다. 수지로서 폴리이미드 전구체나 폴리벤즈옥사졸 전구체를 이용한 경우, 막의 성상이 안정되기 어려운 경향이 된다. 이로 인하여, 수지로서 폴리이미드 전구체나 폴리벤즈옥사졸 전구체를 이용한 경우, 특히 본 발명의 효과가 현저하게 얻어지기 쉽다. 그 중에서도, 수지로서 폴리이미드 전구체(바람직하게는, 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)를 이용한 경우, 특히 본 발명의 효과가 보다 현저하게 얻어지기 쉽다.The resin composition of the present invention includes a resin selected from a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor, and polybenzoxazole. When a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is used as the resin, the property of the film tends to be less stable. Therefore, when a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is used as the resin, the effect of the present invention is particularly remarkable. Among them, particularly when the polyimide precursor (preferably a polyimide precursor having a radically polymerizable group) is used as the resin, the effect of the present invention is more easily obtained.

수지 조성물에 있어서의 수지의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 20~99질량%가 바람직하고, 50~99질량%가 보다 바람직하며, 60~99질량%가 더 바람직하고, 70~99질량%가 특히 바람직하다.The content of the resin in the resin composition is preferably 20 to 99% by mass, more preferably 50 to 99% by mass, further preferably 60 to 99% by mass, more preferably 70 to 99% by mass based on the total solid content of the resin composition % Is particularly preferable.

또, 수지 조성물에 있어서의, 폴리이미드 전구체의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 20~99질량%가 바람직하고, 50~99질량%가 보다 바람직하며, 60~99질량%가 더 바람직하고, 70~99질량%가 특히 바람직하다.The content of the polyimide precursor in the resin composition is preferably from 20 to 99% by mass, more preferably from 50 to 99% by mass, further preferably from 60 to 99% by mass, based on the total solid content of the resin composition , And particularly preferably 70 to 99 mass%.

또, 수지 조성물에 포함되는 수지의 전체 질량 중에 있어서의 폴리이미드 전구체의 함유량은, 80~100질량%인 것이 바람직하고, 90~100질량%인 것이 보다 바람직하다. 수지 조성물에 포함되는 수지는, 실질적으로 폴리이미드 전구체만으로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 수지 조성물에 포함되는 수지가, 실질적으로 폴리이미드 전구체만으로 구성되어 있는 경우란, 예를 들면, 수지 조성물에 포함되는 폴리이미드 전구체 이외의 수지의 함유량이, 폴리이미드 전구체의 함유량의 3질량% 이하인 것이 바람직하다.The content of the polyimide precursor in the total mass of the resin contained in the resin composition is preferably 80 to 100 mass%, more preferably 90 to 100 mass%. It is preferable that the resin contained in the resin composition is substantially composed of only the polyimide precursor. The case where the resin contained in the resin composition is composed substantially only of the polyimide precursor means that the content of the resin other than the polyimide precursor contained in the resin composition is 3 mass% or less of the content of the polyimide precursor desirable.

(폴리이미드 전구체)(Polyimide precursor)

폴리이미드 전구체로서는, 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 전구체인 것이 바람직하다.The polyimide precursor is preferably a polyimide precursor containing a repeating unit represented by the formula (1).

식 (1)Equation (1)

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (1) 중, A21 및 A22는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R21은, 2가의 유기기를 나타내며, R22는, 4가의 유기기를 나타내고, R23 및 R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In formula (1), A 21 and A 22 each independently represent an oxygen atom or -NH-, R 21 represents a divalent organic group, R 22 represents a tetravalent organic group, R 23 and R 24 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.

A21 및 A22는, 각각 독립적으로 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, 산소 원자가 바람직하다.A 21 and A 22 each independently represent an oxygen atom or -NH-, and an oxygen atom is preferable.

R21은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 직쇄 또는 분기의 지방족기, 환상의 지방족기 및 아릴기를 포함하는 기가 예시되고, 탄소수 2~20의 직쇄 또는 분기의 지방족기, 탄소수 6~20의 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 아릴기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하며, 탄소수 6~20의 아릴기로 이루어지는 기가 보다 바람직하다. 아릴기의 예로서는, 하기를 들 수 있다.R 21 represents a divalent organic group. Examples of the divalent organic group include a linear or branched aliphatic group, a cyclic aliphatic group, and a group containing an aryl group. Examples of the divalent organic group include a linear or branched aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms, a cyclic aliphatic group having 6 to 20 carbon atoms, An aryl group having 1 to 20 carbon atoms, or a combination thereof, and more preferably a group consisting of an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Examples of the aryl group include the following.

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

식 중, A는, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2- 및 -NHCO-와, 이들의 조합으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -C(=O)-, -S-, -SO2-로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -O-, -S-, -SO2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-로부터 선택되는 2가의 기인 것이 더 바람직하다.Wherein, A is a single bond, or a hydrocarbon group, -O- group having 1 to 10 carbon atoms is a fluorine atom may be substituted, -C (= O) -, -S-, -S (= O) 2 - and -NHCO-, and a combination thereof, and is preferably a single bond, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -C (= O) -, -S-, SO 2 - and is more preferably a group selected from -CH 2 -, -O-, -S-, -SO 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -C (CH 3 ) 2 - More preferably a divalent group.

구체적으로는, R21은, 이하의 다이아민의 아미노기의 제거 후에 잔존하는 다이아민 잔기 등을 들 수 있다.Specifically, R 21 may be a diamine residue remaining after removal of the amino group of the diamine shown below.

1,2-다이아미노에테인, 1,2-다이아미노프로페인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인 및 1,6-다이아미노헥세인; 1,2- 또는 1,3-다이아미노사이클로펜테인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-다이아미노사이클로헥세인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 비스-(4-아미노사이클로헥실)메테인, 비스-(3-아미노사이클로헥실)메테인, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이메틸사이클로헥실메테인 및 아이소포론다이아민; m- 및 p-페닐렌다이아민, 다이아미노톨루엔, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노바이페닐, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐에터, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'- 및 3,3'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,3'-다이메톡시-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)설폰, 4,4'-다이아미노파라터펜일, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 9,9-비스(4-아미노페닐)-10-하이드로안트라센, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐에터, 1,4-다이아미노안트라퀴논, 1,5-다이아미노안트라퀴논, 3,3-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-다이메틸-3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 2,4- 및 2,5-다이아미노큐멘, 2,5-다이메틸-p-페닐렌다이아민, 아세토구아나민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌다이아민, 2,4,6-트라이메틸-m-페닐렌다이아민, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 2,7-다이아미노플루오렌, 2,5-다이아미노피리딘, 1,2-비스(4-아미노페닐)에테인, 다이아미노벤즈아닐라이드, 다이아미노벤조산의 에스터, 1,5-다이아미노나프탈렌, 다이아미노벤조트라이플루오라이드, 1,3-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,4-비스(4-아미노페닐)옥타플루오로뷰테인, 1,5-비스(4-아미노페닐)데카플루오로펜테인, 1,7-비스(4-아미노페닐)테트라데카플루오로헵테인, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-다이메틸페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-비스(트라이플루오로메틸)페닐]헥사플루오로프로페인, p-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 4,4'-비스(3-아미노-5-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,3'-다이메톡시-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로톨리딘 및 4,4'''-다이아미노쿼터페닐로부터 선택되는 적어도 1종의 다이아민.1,2-diaminoethane, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane and 1,6-diaminohexane; 1,2- or 1,3-diaminocyclopentane, 1,2-, 1,3- or 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-, 1,3- or 1,4-bis (Aminomethyl) cyclohexane, bis- (4-aminocyclohexyl) methane, bis- (3-aminocyclohexyl) methane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethylcyclohexylmethane Phosphorus and isophorone diamine; 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenyl ethers, 4,4'- and 3,3'-diaminobiphenyls, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenyl ethers, 4,4'- 4'- and 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'- and 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'- and 3,3'-diaminobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'- Phenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2- Bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, 2,2- Amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis 4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 3 , 3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylsulfone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3- Bis (4-aminophenyl) benzene, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4 , 4'-diaminooctafluorobiphenyl, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2- Fluoropropane, 9,9-bis (4-aminophenyl) -10-hydroanthracene, 3,3 ', 4,4'-tetraaminobiphenyl, 3,3' Phenyl ether, 1,4-diaminoanthraquinone, 1,5-diaminoanthra Non-3,3-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 9,9'-bis (4-aminophenyl) fluorene, 4,4'- Diphenylsulfone, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,4- and 2,5-diaminocumene, 2,5-dimethyl-p - phenylenediamine, acetoguanamine, 2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-m-phenylenediamine, bis Bis (4-aminophenyl) ethane, diaminobenzanilide, esters of diaminobenzoic acid, 1, 2-bis (4-aminophenyl) octafluorobutane, 1, 4-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 5-bis (4-aminophenyl) decafluoropentane, 1,7-bis (4-aminophenyl) tetradecafluoroheptane , 2,2-bis [4- (2-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- Bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-bis (triphenylphosphine) hexafluoropropane, bis [ (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 4,4'-bis (4-amino- 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy) diphenylsulfone, 2,2-bis [4- Ropropane, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4' - &lt; / RTI &gt; diamino-2,2'-bis At least one diamine selected from the group consisting of 2,2 ', 5,5', 6,6'-hexafluorotolidine and 4,4'-diamino-quaterphenyl.

또, 하기에 나타내는 다이아민 (DA-1)~(DA-18)의 아미노기의 제거 후에 잔존하는 다이아민 잔기도 R21의 예로서 들 수 있다.The diamine residue remaining after removal of the amino group of the diamines (DA-1) to (DA-18) shown below may also be mentioned as an example of R 21 .

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

또, 2개 이상의 알킬렌글라이콜 단위를 주쇄에 갖는 다이아민의 아미노기의 제거 후에 잔존하는 다이아민 잔기도 R21의 예로서 들 수 있다. 바람직하게는, 에틸렌글라이콜쇄, 프로필렌글라이콜쇄 중 어느 하나 또는 양쪽 모두를 1분자 중에 합하여 2개 이상 포함하는 다이아민 잔기이며, 보다 바람직하게는 방향환을 포함하지 않는 다이아민 잔기이다. 예로서는, 제파민(등록 상표) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000(이상 상품명, HUNTSMAN(주)제), 1-(2-(2-(2-아미노프로폭시)에톡시)프로폭시)프로페인-2-아민, 1-(1-(1-(2-아미노프로폭시)프로판-2-일)옥시)프로페인-2-아민 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제파민(등록 상표) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, EDR-176의 구조를 이하에 나타낸다.The diamine residue remaining after removal of the amino group of the diamine having two or more alkylene glycol units in the main chain may also be mentioned as an example of R &lt; 21 &gt;. It is preferably a diamine residue containing two or more of ethylene glycol chain and propylene glycol chain in total of one molecule, more preferably a diamine residue not containing an aromatic ring. D-400, D-2000, and D-4000 (all trade names, trade names, and registered trade names) Propane-2-amine, 1- (1- (1- (2-aminopropoxy) ethoxy) ) Propan-2-yl) oxy) propane-2-amine, but are not limited thereto. The structures of Jeffamine (registered trademark) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148 and EDR-176 are shown below.

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

상기에 있어서, x, y, z는 평균값이다.In the above, x, y and z are average values.

식 (1) 중, R22는 4가의 유기기를 나타내고, 방향환을 포함하는 4가의 기인 것이 바람직하며, 하기 식 (1-1) 또는 식 (1-2)로 나타나는 기가 보다 바람직하다.In the formula (1), R 22 represents a tetravalent organic group, preferably a tetravalent group containing an aromatic ring, more preferably a group represented by the following formula (1-1) or (1-2).

식 (1-1)(1-1)

[화학식 7](7)

Figure pct00007
Figure pct00007

식 (1-1) 중, R112는, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 탄화 수소기, -O-, -CO-, -S-, -SO2- 및 -NHCO-와, 이들의 조합으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -CO-, -S- 및 -SO2-로부터 선택되는 2가의 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-, -O-, -CO-, -S- 및 -SO2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기가 더 바람직하다.In the formula (1-1), R 112 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a single bond or a fluorine atom, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 - and -NHCO - and combinations thereof, and is preferably selected from the group consisting of a single bond, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S- and -SO 2 - it is more preferably a divalent group, -CH 2 -, -C (CF 3) 2 -, -C (CH 3) 2 -, -O-, -CO-, -S- and -SO 2 - consisting of Lt; 2 &gt; is more preferable.

식 (1-2)Equation (1-2)

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

R22는, 테트라카복실산 이무수물로부터 산무수물기를 제거한 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 이하의 테트라카복실산 이무수물로부터 산무수물기를 제거한 후에 잔존하고 있는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다.R 22 is a tetracarboxylic acid residue remaining after removing an acid anhydride group from a tetracarboxylic acid dianhydride. Specifically, tetracarboxylic acid residues remaining after removing the acid anhydride group from the following tetracarboxylic acid dianhydride and the like can be mentioned.

파이로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설파이드테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 1,3-다이페닐헥사플루오로프로페인-3,3,4,4-테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,8,9,10-페난트렌테트라카복실산 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 및 1,2,3,4-벤젠테트라카복실산 이무수물과, 이들의 탄소수 1~6의 알킬 유도체 및 탄소수 1~6의 알콕시 유도체로부터 선택되는 적어도 1종의 테트라카복실산 이무수물.(PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylsulfide tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ' 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylmethane tetracarboxylic acid dianhydride, 2 , 2 ', 3,3'-diphenylmethane tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride Water, 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,2-bis (3,4 (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride , 1,3-diphenylhexafluoropropane-3,3,4,4-tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4, 5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,2 ', 3,3'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4,5- Naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,8,9,10-phenanthrenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride and 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid dianhydride, an alkyl derivative having 1 to 6 carbon atoms and an alkyl derivative having 1 to 6 carbon atoms, At least one tetracarboxylic acid dianhydride selected from the group consisting of alkoxy derivatives of the formula

또, 하기에 나타내는 테트라카복실산 이무수물 (DAA-1)~(DAA-5)로부터 무수물기를 제거한 후에 잔존하고 있는 테트라카복실산 잔기도, R22의 예로서 들 수 있다.The remaining tetracarboxylic acid residue remaining after removing the anhydride group from the tetracarboxylic acid dianhydrides (DAA-1) to (DAA-5) shown below may also be mentioned as an example of R 22 .

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

알칼리 현상액에 대한 용해도의 관점에서는, R22는 OH기를 갖는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, R22로서 상기 (DAA-1)~(DAA-5)로부터 산무수물기를 제거한 후에 잔존하고 있는 테트라카복실산 잔기를 들 수 있다.From the viewpoint of solubility in an alkali developing solution, it is preferable that R 22 has an OH group. More specifically, as R 22 , a tetracarboxylic acid residue remaining after removing the acid anhydride group from (DAA-1) to (DAA-5) may be mentioned.

식 (1)에 있어서, R23 및 R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R23 및 R24가 나타내는 1가의 유기기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 환상 알킬기, 방향족기를 포함하는 기, 라디칼 중합성기 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, R23 및 R24 중 적어도 한쪽은, 라디칼 중합성기를 포함하는 기인 것이 바람직하다. 이 양태에 의하면, 본 발명의 효과가 보다 현저하게 얻어지는 경향이 있다. 또, 이 폴리이미드 전구체를 포함하는 감광성 수지 조성물은, 네거티브형 감광성 수지 조성물로서 바람직하게 이용할 수 있다. 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기 등을 들 수 있다. 라디칼 중합성기의 구체예로서는, 바이닐기, (메트)알릴기, 하기 식 (III)으로 나타나는 기 등을 들 수 있다.In the formula (1), R 23 and R 24 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. Examples of the monovalent organic group represented by R 23 and R 24 include a linear or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, a group containing an aromatic group, and a radical polymerizable group. In the present invention, at least one of R 23 and R 24 is preferably a group containing a radically polymerizable group. According to this aspect, the effect of the present invention tends to be obtained more remarkably. The photosensitive resin composition containing the polyimide precursor can be preferably used as a negative photosensitive resin composition. Examples of the radical polymerizable group include groups having an ethylenic unsaturated bond. Specific examples of the radical polymerizable group include a vinyl group, a (meth) allyl group, and a group represented by the following formula (III).

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

식 (III)에 있어서, R200은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기가 보다 바람직하다.In the formula (III), R 200 represents a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.

식 (III)에 있어서, R201은, 탄소수 2~12의 알킬렌기, -CH2CH(OH)CH2- 또는 탄소수 4~30의 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다. 적합한 R201의 예로서는, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, 테트라메틸렌기, 1,2-뷰테인다이일기, 1,3-뷰테인다이일기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기, 도데카메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-를 들 수 있고, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-가 보다 바람직하다. R200이 메틸기이고, R201이 에틸렌기인 조합이 특히 바람직하다.In formula (III), R 201 represents an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, -CH 2 CH (OH) CH 2 - or a polyoxyalkylene group having 4 to 30 carbon atoms. Examples of suitable R 201 include an ethylene group, a propylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a 1,2-butenediyl group, a 1,3-butenediyl group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, dodeca-methylene, -CH 2 CH (OH) CH 2 - it may be mentioned, ethylene group, propylene group, trimethylene group, -CH 2 CH (OH) CH 2 - is more preferable. Particularly preferred are combinations wherein R 200 is a methyl group and R 201 is an ethylene group.

직쇄 또는 분기의 알킬기의 탄소수는 1~30이 바람직하다. 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 및 2-에틸헥실기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the linear or branched alkyl group is preferably from 1 to 30. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tetradecyl group, an octadecyl group, butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, 1-ethylpentyl group, and 2-ethylhexyl group.

환상의 알킬기는, 단환의 환상 알킬기여도 되고, 다환의 환상 알킬기여도 된다. 단환의 환상 알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 환상 알킬기로서는, 예를 들면, 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다. 그 중에서도, 고감도화와의 양립의 관점에서, 사이클로헥실기가 바람직하다.The cyclic alkyl group may be a monocyclic cyclic alkyl group or a polycyclic cycloalkyl group. Examples of the monocyclic cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic group include an adamantyl group, a norbornyl group, a vinyl group, a camphenyl group, a decahydronaphthyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a camphoryl group, a dicyclohexyl group, . Among them, a cyclohexyl group is preferable from the viewpoint of compatibility with high sensitivity.

방향족기로서는, 치환 또는 무치환의 벤젠환기, 나프탈렌환기, 펜탈렌환기, 인덴환기, 아줄렌환기, 헵탈렌환기, 인다센환기, 페릴렌환기, 펜타센환기, 아세나프텐환기, 페난트렌환기, 안트라센환기, 나프타센환기, 크리센환기, 트라이페닐렌환기, 플루오렌환기, 바이페닐환기, 피롤환기, 퓨란환기, 싸이오펜환기, 이미다졸환기, 옥사졸환기, 싸이아졸환기, 피리딘환기, 피라진환기, 피리미딘환기, 피리다진환기, 인돌리진환기, 인돌환기, 벤조퓨란환기, 벤조싸이오펜환기, 아이소벤조퓨란환기, 퀴놀리진환기, 퀴놀린환기, 프탈라진환기, 나프티리딘환기, 퀴녹살린환기, 퀴녹사졸린환기, 아이소퀴놀린환기, 카바졸환기, 페난트리딘환기, 아크리딘환기, 페난트롤린환기, 싸이안트렌환기, 크로멘환기, 잔텐환기, 페녹사싸이인환기, 페노싸이아진환기 또는 페나진환기를 들 수 있다. 벤젠환기가 바람직하다.Examples of the aromatic group include a substituted or unsubstituted benzene ring group, a naphthalene ring group, a pentalene ring group, an indene ring group, an azulene ring group, an azulene ring group, a heptareylene ring group, an indacene ring group, a perylene ring group, a pentacene ring group, an acenaphthene ring group, A pyridine ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophen ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrazine ring, , Pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran ring, benzothiophen ring, isobenzofuran ring, quinolizine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring , A quinoxazoline ring, an isoquinoline ring, a carbazole ring, a phenanthridine ring, an acridine ring, a phenanthroline ring, a thianthrene ring, a chroman ring, a xanthine ring, a phenoxathiene ring, Ventilation or Rajin can be ventilated. Benzene ventilation is preferred.

식 (1)에 있어서, A22가 산소 원자이며 R23이 수소 원자인 경우, 및/또는 A21이 산소 원자이며 R24가 수소 원자인 경우, 폴리이미드 전구체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 3급 아민 화합물과 반대염(對鹽)을 형성하고 있어도 된다. 이와 같은 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 3급 아민 화합물의 예로서는, N,N-다이메틸아미노프로필메타크릴레이트를 들 수 있다.When A 22 is an oxygen atom and R 23 is a hydrogen atom, and / or when A 21 is an oxygen atom and R 24 is a hydrogen atom, the polyimide precursor may be a tertiary An amine compound and an opposite salt may be formed. An example of such a tertiary amine compound having an ethylenic unsaturated bond is N, N-dimethylaminopropyl methacrylate.

또, 알칼리 현상의 경우, 해상성을 향상시키는 점에서, 폴리이미드 전구체는, 구조 단위 중에 불소 원자를 갖는 것이 바람직하다. 불소 원자에 의하여, 알칼리 현상 시에 막의 표면에 발수성이 부여되어, 표면으로부터의 침입 등을 억제할 수 있다. 폴리이미드 전구체 중의 불소 원자 함유량은 10질량% 이상이 바람직하고, 또, 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서 20질량% 이하가 바람직하다.In the case of alkali development, it is preferable that the polyimide precursor has a fluorine atom in the structural unit in order to improve the resolution. The fluorine atom imparts water repellency to the surface of the film during the alkali development, so that intrusion from the surface or the like can be suppressed. The content of fluorine atoms in the polyimide precursor is preferably 10% by mass or more, and more preferably 20% by mass or less from the viewpoint of solubility in an aqueous alkali solution.

또, 기판과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 폴리이미드 전구체는 실록세인 구조를 갖는 지방족기를 공중합해도 된다. 구체적으로는, 다이아민 성분으로서 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 비스(p-아미노페닐)옥타메틸펜타실록세인 등을 들 수 있다.For the purpose of improving adhesion with the substrate, the polyimide precursor may be copolymerized with an aliphatic group having a siloxane structure. Specifically, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, bis (p-aminophenyl) octamethylpentasiloxane and the like can be given as a diamine component.

또, 수지 조성물의 보존 안정성을 향상시키기 위하여, 폴리이미드 전구체의 주쇄 말단을 모노아민, 산무수물, 모노카복실산, 모노산 클로라이드 화합물, 모노 활성 에스터 화합물 등의 말단 봉지제(封止劑)로 봉지(封止)하는 것이 바람직하다. 이들 중, 모노아민을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 모노아민의 바람직한 화합물로서는, 아닐린, 2-에타인일아닐린, 3-에타인일아닐린, 4-에타인일아닐린, 5-아미노-8-하이드록시퀴놀린, 1-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-4-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-카복시-7-아미노나프탈렌, 1-카복시-6-아미노나프탈렌, 1-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-카복시-7-아미노나프탈렌, 2-카복시-6-아미노나프탈렌, 2-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 6-아미노살리실산, 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 3-아미노-4,6-다이하이드록시피리미딘, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2-아미노싸이오페놀, 3-아미노싸이오페놀, 4-아미노싸이오페놀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 이용해도 되고, 복수의 말단 봉지제를 반응시킴으로써, 복수의 다른 말단기를 도입해도 된다.In order to improve the storage stability of the resin composition, the main chain end of the polyimide precursor is encapsulated with a terminal sealing agent such as monoamine, acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound or monoactive ester compound Sealing). Of these, monoamine is more preferably used. Preferred examples of the monoamine include aniline, 2-ethylaniline, 3-ethylaniline, 4-ethylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy- Aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1 -hydroxy- Carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, Aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5-aminosalicylic acid, 6-aminosalicylic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, , 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4,6-dihydroxypyrimidine, 2-aminophenol, 3- No phenol, there may be mentioned 4-aminophenol, 2-amino-thio phenol, 3-amino-thio phenol, 4-amino-thio phenol and the like. Two or more of them may be used, or a plurality of other end groups may be introduced by reacting a plurality of terminal end-capping agents.

폴리이미드 전구체는, 식 (1)로 나타나는 반복 단위와, 다른 폴리이미드 전구체인 다른 반복 단위로 이루어져 있어도 된다.The polyimide precursor may be composed of a repeating unit represented by the formula (1) and another repeating unit which is another polyimide precursor.

다른 반복 단위를 포함하는 경우, 폴리이미드 전구체에 있어서의, 다른 반복 단위의 비율은, 1~60몰%인 것이 바람직하고, 5~50몰%인 것이 보다 바람직하다.When other repeating units are contained, the proportion of other repeating units in the polyimide precursor is preferably 1 to 60 mol%, more preferably 5 to 50 mol%.

본 발명에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 전구체 이외의, 다른 폴리이미드 전구체를 실질적으로 포함하지 않는 구성으로 할 수도 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 예를 들면, 수지 조성물에 포함되는 상기의 다른 폴리이미드 전구체의 함유량이, 폴리이미드 전구체의 함유량의 3질량% 이하인 것을 말한다.The polyimide precursor in the present invention may be configured so as not to substantially contain another polyimide precursor other than the polyimide precursor containing the repeating unit represented by the formula (1). The term substantially not containing means that the content of the other polyimide precursor contained in the resin composition is 3% by mass or less of the content of the polyimide precursor.

폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 20000~28000이고, 보다 바람직하게는 22000~27000이며, 더 바람직하게는 23000~25000이다. 폴리이미드 전구체의 분산도(Mw/Mn)는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 1.0 이상인 것이 바람직하고, 2.5 이상인 것이 보다 바람직하며, 2.8 이상인 것이 더 바람직하다. 폴리이미드 전구체의 분산도의 상한값은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 4.5 이하가 바람직하고, 3.4 이하로 할 수도 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor is preferably 20,000 to 28,000, more preferably 22,000 to 27,000, and still more preferably 23,000 to 25,000. The dispersion degree (Mw / Mn) of the polyimide precursor is not particularly limited, but is preferably 1.0 or more, more preferably 2.5 or more, and more preferably 2.8 or more. The upper limit value of the degree of dispersion of the polyimide precursor is not particularly limited, but is preferably 4.5 or less, and may be 3.4 or less, for example.

(폴리이미드)(Polyimide)

본 발명에서 이용하는 폴리이미드로서는, 이미드환을 갖는 고분자 화합물이면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 하기 식 (4)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하며, 하기 식 (4)로 나타나는 화합물이고, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성기로서는, 상기의 폴리이미드 전구체에서 설명한 중합성기를 들 수 있고, 바람직한 범위도 동일하다.The polyimide used in the present invention may be any polymer compound having an imide ring and is not particularly limited, but is preferably a compound represented by the following formula (4), a compound represented by the following formula (4) Compound is more preferable. Examples of the radical polymerizable group include the polymerizable groups described above for the polyimide precursor, and preferred ranges are also the same.

식 (4)Equation (4)

[화학식 11](11)

Figure pct00011
Figure pct00011

식 (4) 중, R131은, 2가의 유기기를 나타내고, R132는, 4가의 유기기를 나타낸다.In the formula (4), R 131 represents a divalent organic group, and R 132 represents a tetravalent organic group.

폴리이미드가 라디칼 중합성기를 갖는 경우, R131 및 R132 중 적어도 한쪽에 라디칼 중합성기가 도입되어 있어도 되고, 하기 식 (4-1) 또는 식 (4-2)에 나타내는 바와 같이 폴리이미드의 말단에 라디칼 중합성기가 도입되어 있어도 된다.In the case where the polyimide has a radically polymerizable group, a radical polymerizable group may be introduced into at least one of R 131 and R 132 , and as shown in the following formula (4-1) or (4-2) A radical polymerizable group may be introduced.

식 (4-1)Equation (4-1)

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

식 중, R133은 라디칼 중합성기이며, 다른 기는 식 (4)와 동의이다.In the formula, R 133 is a radical polymerizable group, and the other groups are synonymous with the formula (4).

식 (4-2)Equation (4-2)

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

식 중, R134 및 R135 중 적어도 한쪽은 라디칼 중합성기이고, 다른 쪽은 유기기이며, 다른 기는 식 (4)와 동의이다.In the formula, at least one of R 134 and R 135 is a radical polymerizable group, the other is an organic group, and the other group agrees with the formula (4).

R131이 나타내는 2가의 유기기로서는, 상술한 폴리이미드 전구체의 식 (1)에 있어서의 R21과 동일한 기가 예시되고, 바람직한 범위도 동일하다. R132가 나타내는 4가의 유기기로서는, 상술한 폴리이미드 전구체의 식 (1)에 있어서의 R22와 동일한 기가 예시되고, 바람직한 범위도 동일하다.As the divalent organic group represented by R 131 , the same groups as those of R 21 in the formula (1) of the above-mentioned polyimide precursor are exemplified, and the preferable range is also the same. As the tetravalent organic group represented by R 132 , the same groups as those of R 22 in the formula (1) of the aforementioned polyimide precursor are exemplified, and the preferable range is also the same.

폴리이미드는 이미드화율이 85% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이미드화율이 85% 이상인 것에 의하여, 가열에 의하여 이미드화될 때에 일어나는 폐환에 따른 막 수축이 작아져, 휨의 발생을 억제할 수 있다.The polyimide preferably has an imidization ratio of 85% or more, more preferably 90% or more. When the imidization ratio is 85% or more, film shrinkage due to cyclization occurring when imidization by heating is reduced, and occurrence of warpage can be suppressed.

폴리이미드는, 모두가 1종인 R131 또는 R132에 근거하는 상기 식 (4)의 반복 구조 단위에 더하여, 2개 이상의 다른 종류인 R131 또는 R132를 포함하는 반복 단위를 포함해도 된다. 또, 폴리이미드는, 상기의 식 (4)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 구조 단위도 포함해도 된다.The polyimide may contain a repeating unit containing two or more different kinds of R 131 or R 132 in addition to the repeating structural unit of the above formula (4) based on R 131 or R 132 , all of which are monomers. In addition to the repeating units of the above formula (4), the polyimide may also contain other types of repeating structural units.

폴리이미드는, 예를 들면, 저온 중에서 테트라카복실산 이무수물과 다이아민 화합물(일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환)을 반응시키는 방법, 저온 중에서 테트라카복실산 이무수물(일부를 산무수물 또는 모노산 클로라이드 화합물 또는 모노 활성 에스터 화합물인 말단 밀봉제로 치환)과 다이아민 화합물을 반응시키는 방법, 테트라카복실산 이무수물과 알코올에 의하여 다이에스터를 얻고, 그 후 다이아민(일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환)과 축합제의 존재하에서 반응시키는 방법, 테트라카복실산 이무수물과 알코올에 의하여 다이에스터를 얻으며, 그 후 나머지 다이카복실산을 산 클로라이드화하여, 다이아민(일부를 모노아민인 말단 밀봉제로 치환)과 반응시키는 방법 등의 방법을 이용하여, 폴리이미드 전구체를 얻고, 이것을, 이미 알려진 이미드화 반응법을 이용하여 완전 이미드화시키는 방법, 또는 도중에 이미드화 반응을 정지시키며, 부분적으로 이미드 구조를 도입하는 방법, 나아가서는, 완전 이미드화한 폴리머와, 그 폴리이미드 전구체를 블렌드함으로써, 부분적으로 이미드 구조를 도입하는 방법을 이용하여 합성할 수 있다.The polyimide can be obtained by, for example, a method of reacting a tetracarboxylic acid dianhydride and a diamine compound (part of which is substituted with a terminal sealant which is a monoamine) at a low temperature, a method of reacting a tetracarboxylic acid dianhydride (partly an acid anhydride or a monoacid chloride compound Or a mono-active ester compound), a method of reacting a diamine compound with a tetracarboxylic acid dianhydride and an alcohol, followed by reaction with a diamine (partly substituted with a monoamine end-capping agent) and condensation A method in which a diastereomer is obtained by a tetracarboxylic acid dianhydride and an alcohol and then the remaining dicarboxylic acid is acid chloridized and reacted with diamine (part of which is substituted with a terminal sealant such as a monoamine) , A polyimide precursor was obtained, A method in which the imidization reaction is stopped and the imide structure is partially introduced, or a method in which a completely imidized polymer is blended with the polyimide precursor , And a method of partially introducing an imide structure can be used.

폴리이미드의 시판품으로서는, Durimide(등록 상표) 284(후지필름사제), Matrimide5218(HUNTSMAN사제)이 예시된다.Examples of commercially available products of polyimide include Durimide (registered trademark) 284 (manufactured by Fuji Film) and Matrimide 5218 (manufactured by HUNTSMAN).

폴리이미드의 중량 평균 분자량(Mw)은, 5,000~70,000이 바람직하고, 8,000~50,000이 보다 바람직하며, 10,000~30,000이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량을 5,000 이상으로 함으로써, 경화 후의 막의 내절곡성을 향상시킬 수 있다. 기계 특성이 우수한 경화막을 얻기 위하여, 중량 평균 분자량은, 20,000 이상이 보다 바람직하다. 또, 폴리이미드를 2종 이상 함유하는 경우, 적어도 1종의 폴리이미드의 중량 평균 분자량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide is preferably 5,000 to 70,000, more preferably 8,000 to 50,000, and particularly preferably 10,000 to 30,000. By setting the weight average molecular weight to 5,000 or more, the bending resistance of the film after curing can be improved. In order to obtain a cured film having excellent mechanical properties, the weight average molecular weight is more preferably 20,000 or more. When two or more polyimides are contained, it is preferable that the weight average molecular weight of at least one polyimide is in the above range.

(폴리벤즈옥사졸 전구체)(Polybenzoxazole precursor)

본 발명에 있어서, 폴리벤즈옥사졸 전구체로서는, 그 구조 등에 대하여 특별히 한정하는 것은 아니지만, 바람직하게는 하기 식 (3)으로 나타나는 반복 단위를 포함하는 화합물이다.In the present invention, the polybenzoxazole precursor is not particularly limited as to the structure and the like, but is preferably a compound containing a repeating unit represented by the following formula (3).

식 (3)Equation (3)

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

식 (3) 중, R121은, 2가의 유기기를 나타내고, R122는, 4가의 유기기를 나타내며, R123 및 R124는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.In the formula (3), R 121 represents a divalent organic group, R 122 represents a tetravalent organic group, and R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.

식 (3)에 있어서, R123 및 R124는, 각각 식 (1)에 있어서의 R23과 동의이고, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (3), R 123 and R 124 are each the same as R 23 in the formula (1), and their preferable ranges are also the same.

식 (3)에 있어서, R121이 나타내는 2가의 유기기로서는, 지방족기 및 방향족기 중 적어도 한쪽을 포함하는 기가 바람직하다. 지방족기로서는, 직쇄의 지방족기가 바람직하다. R121은, 다이카복실산 잔기가 바람직하다. 다이카복실산으로서는, 지방족기를 포함하는 다이카복실산 및 방향족기를 포함하는 다이카복실산이 바람직하고, 방향족기를 포함하는 다이카복실산이 보다 바람직하다.In the formula (3), the divalent organic group represented by R 121 is preferably a group containing at least one of an aliphatic group and an aromatic group. As the aliphatic group, a straight-chain aliphatic group is preferable. R 121 is preferably a dicarboxylic acid residue. As the dicarboxylic acid, a dicarboxylic acid containing an aliphatic group and a dicarboxylic acid containing an aromatic group are preferable, and a dicarboxylic acid containing an aromatic group is more preferable.

지방족기를 포함하는 다이카복실산으로서는, 직쇄 또는 분기(바람직하게는 직쇄)의 지방족기를 포함하는 다이카복실산이 바람직하고, 직쇄 또는 분기(바람직하게는 직쇄)의 지방족기와 2개의 COOH로 이루어지는 다이카복실산이 보다 바람직하다. 직쇄 또는 분기(바람직하게는 직쇄)의 지방족기의 탄소수는, 2~30인 것이 바람직하고, 2~25인 것이 보다 바람직하며, 3~20인 것이 더 바람직하고, 4~15인 것이 특히 바람직하며, 5~10인 것이 한층 더 바람직하다. 직쇄의 지방족기는 알킬렌기인 것이 바람직하다. 직쇄의 지방족기를 포함하는 다이카복실산의 구체예로서는, 말론산, 다이메틸말론산, 에틸말론산, 아이소프로필말론산, 다이-n-뷰틸말론산, 석신산, 테트라플루오로석신산, 메틸석신산, 2,2-다이메틸석신산, 2,3-다이메틸석신산, 다이메틸메틸석신산, 글루타르산, 헥사플루오로글루타르산, 2-메틸글루타르산, 3-메틸글루타르산, 2,2-다이메틸글루타르산, 3,3-다이메틸글루타르산, 3-에틸-3-메틸글루타르산, 아디프산, 옥타플루오로아디프산, 3-메틸아디프산, 피멜산, 2,2,6,6-테트라메틸피멜산, 수베르산, 도데카플루오로수베르산, 아젤라산, 세바스산, 헥사데카플루오로세바스산, 1,9-노난이산, 도데칸이산, 트라이데칸이산, 테트라데칸이산, 펜타데칸이산, 헥사데칸이산, 헵타데칸이산, 옥타데칸이산, 노나데칸이산, 에이코산이산, 헨에이코산이산, 도코산이산, 트라이코산이산, 테트라코산이산, 펜타코산이산, 헥사코산이산, 헵타코산이산, 옥타코산이산, 노나코산이산, 트리아콘탄이산, 헨트리아콘탄이산, 도트리아콘탄이산, 다이글라이콜산, 또한 하기 식으로 나타나는 다이카복실산 등을 들 수 있다.As the dicarboxylic acid containing an aliphatic group, a dicarboxylic acid containing a straight chain or branched (preferably straight chain) aliphatic group is preferable, and a dicarboxylic acid composed of a straight chain or branched (preferably straight chain) aliphatic group and two COOH is more preferable Do. The number of carbon atoms in the straight chain or branched (preferably straight chain) aliphatic group is preferably from 2 to 30, more preferably from 2 to 25, still more preferably from 3 to 20, particularly preferably from 4 to 15 , And even more preferably from 5 to 10. The straight-chain aliphatic group is preferably an alkylene group. Specific examples of the dicarboxylic acid having a straight chain aliphatic group include malonic acid, dimethylmalonic acid, ethylmalonic acid, isopropylmalonic acid, di-n-butylmalonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 3-ethyl-3-methylglutaric acid, adipic acid, octafluoroadipic acid, 3-methyladipic acid, pimelic acid, 2,2,6,6-tetramethylpimelic acid, suberic acid, dodecafluorosuberous acid, azelaic acid, sebacic acid, hexadecafluorosevac acid, 1,9-nonanedic acid, dodecanedioic acid, tri Hexadecanedioic acid, heptadecanedioic acid, octadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, eicosanedioic acid, hexoic acid diacid, docosaic acid, hexadecanedioic acid, Butyric acid diacid, octacosic diacid, nonanoic acid diacid, triacontanic acid, hexanedic acid diacid, ditolacontanic acid, diglycolic acid , And dicarboxylic acids represented by the following formulas.

[화학식 15][Chemical Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

(식 중, Z는 탄소수 1~6의 탄화 수소기이며, n은 1~6의 정수이다.)(Wherein Z is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and n is an integer of 1 to 6)

방향족기를 포함하는 다이카복실산으로서는, 이하의 방향족기를 갖는 다이카복실산이 바람직하고, 이하의 방향족기와 2개의 COOH만으로 이루어지는 다이카복실산이 보다 바람직하다.As the dicarboxylic acid containing an aromatic group, a dicarboxylic acid having the following aromatic group is preferable, and a dicarboxylic acid comprising only the following aromatic group and two COOH is more preferable.

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

식 중, A는 -CH2-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2-, 및 -C(CH3)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 기를 나타낸다.Wherein, A is -CH 2 - a -, -O-, -S-, -SO 2 -, -CO-, -NHCO-, -C (CF 3) 2 -, and -C (CH 3) 2 Or a divalent group selected from the group consisting of

방향족기를 포함하는 다이카복실산의 구체예로서는, 4,4'-카보닐 이벤조산 및 4,4'-다이카복시다이페닐에터테레프탈산이 바람직하다.As specific examples of the dicarboxylic acid containing an aromatic group, 4,4'-carbonylbenzoic acid and 4,4'-dicarboxy diphenylether terephthalic acid are preferable.

식 (3)에 있어서, R122는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 상기 식 (1)에 있어서의 R22에서 설명한 기를 들 수 있고, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (3), R 122 represents a tetravalent organic group. As the tetravalent organic group, the groups described in R 22 in the above formula (1) are exemplified, and the preferable range is also the same.

폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 18000~30000이 바람직하고, 20000~29000이 보다 바람직하며, 22000~28000이 더 바람직하다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 7200~14000이 바람직하고, 8000~12000이 보다 바람직하며, 9200~11200이 더 바람직하다. 폴리벤즈옥사졸 전구체의 분산도는, 1.4 이상인 것이 바람직하고, 1.5 이상이 보다 바람직하며, 1.6 이상인 것이 더 바람직하다. 폴리벤즈옥사졸 전구체의 분산도의 상한값은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 2.6 이하가 바람직하고, 2.5 이하가 보다 바람직하며, 2.4 이하가 더 바람직하고, 2.3 이하가 한층 더 바람직하며, 2.2 이하가 더욱더 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is preferably 18,000 to 30,000, more preferably 20,000 to 29,000, and still more preferably 22,000 to 28,000. The number average molecular weight (Mn) is preferably 7200 to 14000, more preferably 8000 to 12000, and even more preferably 9200 to 11200. The degree of dispersion of the polybenzoxazole precursor is preferably 1.4 or more, more preferably 1.5 or more, and even more preferably 1.6 or more. The upper limit of the degree of dispersion of the polybenzoxazole precursor is not particularly limited, but is preferably 2.6 or less, more preferably 2.5 or less, more preferably 2.4 or less, still more preferably 2.3 or less, and 2.2 or less Is more preferable.

(폴리벤즈옥사졸)(Polybenzoxazole)

폴리벤즈옥사졸로서는, 벤즈옥사졸환을 갖는 화합물이면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 하기 식 (X)로 나타나는 반복 단위를 갖는 화합물인 것이 바람직하며, 하기 식 (X)로 나타나는 화합물이고, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성기로서는, 상기의 폴리이미드 전구체에서 설명한 라디칼 중합성기를 들 수 있고, 바람직한 범위도 동일하다.The polybenzoxazole may be any compound having a benzoxazole ring, and is not particularly limited, but is preferably a compound having a repeating unit represented by the following formula (X), and is a compound represented by the following formula (X) Is more preferable. As the radically polymerizable group, the radically polymerizable group described above for the polyimide precursor can be exemplified, and the preferable range is also the same.

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

식 (X) 중, R133은, 2가의 유기기를 나타내고, R134는, 4가의 유기기를 나타낸다.In the formula (X), R 133 represents a divalent organic group, and R 134 represents a tetravalent organic group.

폴리벤즈옥사졸이 라디칼 중합성기를 갖는 경우, R133 및 R134 중 적어도 한쪽에 라디칼 중합성기가 도입되어 있어도 되고, 하기 식 (X-1) 또는 식 (X-2)에 나타내는 바와 같이 폴리벤즈옥사졸의 말단에 라디칼 중합성기가 도입되어 있어도 된다.In the case where the polybenzoxazole has a radical polymerizable group, a radical polymerizable group may be introduced into at least one of R 133 and R 134 , and as shown in the following formula (X-1) or (X-2) A radically polymerizable group may be introduced at the end of the oxazole.

식 (X-1)The formula (X-1)

[화학식 18][Chemical Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

식 (X-1) 중, R135 및 R136 중 적어도 한쪽은, 라디칼 중합성기이고, 다른 쪽은 유기기이며, 다른 기는 식 (X)와 동의이다.In the formula (X-1), at least one of R 135 and R 136 is a radically polymerizable group, the other is an organic group, and the other group agrees with the formula (X).

식 (X-2)The formula (X-2)

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure pct00019
Figure pct00019

식 (X-2) 중, R137은 라디칼 중합성기이고, 그 외는 치환기이며, 다른 기는 식 (X)와 동의이다.In the formula (X-2), R 137 is a radical polymerizable group, the others are substituents, and the other groups are synonymous with the formula (X).

R133이 나타내는 2가의 유기기로서는, 지방족 또는 방향족기를 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 식 (3)의 R121에서 설명한 기를 들 수 있고, 바람직한 범위도 동일하다.As the divalent organic group represented by R 133 , an aliphatic or aromatic group can be exemplified. Specific examples include the groups described for R 121 in the formula (3) of the polybenzoxazole precursor, and the preferable range is also the same.

R134가 나타내는 4가의 유기기로서는, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 식 (3) 중의 R122에서 설명한 기를 들 수 있고, 바람직한 범위도 동일하다.As the tetravalent organic group represented by R 134 , the groups described in R 122 in the formula (3) of the polybenzoxazole precursor are exemplified, and the preferable range is also the same.

폴리벤즈옥사졸은, 모두가 1종인 R133 또는 R134에 근거하는 상기 식 (X)로 나타나는 반복 구조 단위에 더하여, 2개 이상의 다른 종류인 R133 또는 R134를 포함하는 상기 식 (X)로 나타나는 반복 구조 단위를 포함해도 된다. 또, 폴리벤즈옥사졸은, 상기의 식 (X)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 구조 단위도 포함해도 된다.Polybenzoxazole is, the formula (X), which all include one type R 133 or R 134 above formula (X) repeats R 133 or R 134, a different kind of two or more in addition to the structural unit represented by based on May also be included. In addition to the repeating unit of the above formula (X), the polybenzoxazole may also include other types of repeating structural units.

폴리벤즈옥사졸은, 예를 들면, 비스아미노페놀 유도체와, R133을 포함하는 다이카복실산 그리고 상기 다이카복실산의 다이카복실산 다이클로라이드 및 다이카복실산 유도체 등으로부터 선택되는 화합물을 반응시켜 폴리벤즈옥사졸 전구체를 얻고, 이것을 이미 알려진 옥사졸화 반응법을 이용하여 옥사졸화시킴으로써 얻어진다. 또한, 다이카복실산의 경우에는 반응 수율 등을 높이기 위하여, 1-하이드록시-1,2,3-벤조트라이아졸 등을 미리 반응시킨 활성 에스터형의 다이카복실산 유도체를 이용해도 된다.The polybenzoxazole can be prepared by, for example, reacting a bisaminophenol derivative with a compound selected from a dicarboxylic acid including R 133 and a dicarboxylic acid dichloride and a dicarboxylic acid derivative of the dicarboxylic acid to form a polybenzoxazole precursor And oxazotizing it using a known oxazolization reaction method. In the case of a dicarboxylic acid, an active ester type dicarboxylic acid derivative in which 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole or the like has been previously reacted may be used in order to increase the reaction yield and the like.

폴리벤즈옥사졸의 중량 평균 분자량(Mw)은, 5,000~70,000이 바람직하고, 8,000~50,000이 보다 바람직하며, 10,000~30,000이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량을 5,000 이상으로 함으로써, 경화 후의 막의 내절곡성을 향상시킬 수 있다. 기계 특성이 우수한 경화막을 얻기 위하여, 중량 평균 분자량은, 20,000 이상이 보다 바람직하다. 또, 폴리벤즈옥사졸을 2종 이상 함유하는 경우, 적어도 1종의 폴리벤즈옥사졸의 중량 평균 분자량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole is preferably 5,000 to 70,000, more preferably 8,000 to 50,000, and particularly preferably 10,000 to 30,000. By setting the weight average molecular weight to 5,000 or more, the bending resistance of the film after curing can be improved. In order to obtain a cured film having excellent mechanical properties, the weight average molecular weight is more preferably 20,000 or more. When two or more kinds of polybenzoxazole are contained, it is preferable that the weight average molecular weight of at least one kind of polybenzoxazole is in the above range.

<<라디칼 중합성 화합물>><< Radical Polymerizable Compound >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 라디칼 중합성 화합물을 더 함유하고 있어도 된다. 라디칼 중합성 화합물을 함유시킴으로써, 네거티브형 감광성 수지 조성물로서 바람직하게 이용할 수 있다. 나아가서는, 내열성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다. 라디칼 중합성 화합물로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물이 바람직하고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 2개 이상 포함하는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물은, 예를 들면, 모노머, 프리폴리머, 올리고머 및 그들의 혼합물과, 그들의 다량체 등의 화학적 형태 중 어느 것이어도 된다. 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 스타이릴기, 바이닐기, (메트)아크릴로일기 및 (메트)알릴기가 바람직하고, (메트)아크릴로일기가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 라디칼 중합성 화합물은, 상술한 수지와는 다른 성분이다. 즉, 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체, 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드, 라디칼 중합성기를 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 라디칼 중합성기를 갖는 폴리벤즈옥사졸은, 수지에 해당한다.The resin composition of the present invention may further contain a radical polymerizable compound. By containing a radical polymerizable compound, it can be suitably used as a negative-working photosensitive resin composition. Further, a cured film excellent in heat resistance can be formed. As the radical polymerizing compound, a compound having an ethylenic unsaturated bond is preferable, and a compound containing two or more groups having an ethylenic unsaturated bond is more preferable. The radical polymerizing compound may be, for example, a monomer, a prepolymer, an oligomer and a mixture thereof, and a chemical form such as a multimer thereof. As the group having an ethylenically unsaturated bond, a styryl group, a vinyl group, a (meth) acryloyl group and a (meth) allyl group are preferable, and a (meth) acryloyl group is more preferable. The radical polymerizing compound in the present invention is a component different from the above-mentioned resin. That is, a polyimide precursor having a radically polymerizable group, a polyimide having a radically polymerizable group, a polybenzoxazole precursor having a radically polymerizable group, and a polybenzoxazole having a radically polymerizable group correspond to a resin.

본 발명에 있어서, 모노머 타입의 라디칼 중합성 화합물(이하, 라디칼 중합성 모노머라고도 함)은, 고분자 화합물과는 다른 화합물이다. 라디칼 중합성 모노머는, 전형적으로는, 저분자 화합물이고, 분자량 2000 이하의 저분자 화합물인 것이 바람직하며, 분자량 1500 이하의 저분자 화합물인 것이 보다 바람직하고, 분자량 900 이하의 저분자 화합물인 것이 더 바람직하다. 또한, 라디칼 중합성 모노머의 분자량은, 통상 100 이상이다.In the present invention, a monomer-type radical polymerizing compound (hereinafter also referred to as a radical polymerizing monomer) is a compound different from a polymer compound. The radical polymerizable monomer is typically a low molecular compound, preferably a low molecular weight compound having a molecular weight of 2000 or less, more preferably a low molecular weight compound having a molecular weight of 1,500 or less, and still more preferably a low molecular weight compound having a molecular weight of 900 or less. The molecular weight of the radically polymerizable monomer is usually 100 or more.

또, 올리고머 타입의 라디칼 중합성 화합물은, 전형적으로는 비교적 낮은 분자량의 중합체이고, 10개에서 100개의 라디칼 중합성 모노머가 결합한 중합체인 것이 바람직하다. 분자량으로서는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법으로의 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량이, 2000~20000인 것이 바람직하고, 2000~15000이 보다 바람직하며, 2000~10000인 것이 더 바람직하다.It is also preferred that the oligomeric type of radically polymerizable compound is typically a relatively low molecular weight polymer and is a polymer having from 10 to 100 radically polymerizable monomers combined. As the molecular weight, the weight average molecular weight in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2000 to 20,000, more preferably 2,000 to 15,000, and still more preferably 2,000 to 10,000.

본 발명에 있어서의 라디칼 중합성 화합물의 관능기수는, 1분자 중에 있어서의 라디칼 중합성기의 수를 의미한다. 수지 조성물은, 해상성의 관점에서, 라디칼 중합성기를 2개 이상 포함하는 2관능 이상의 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하고, 2~4관능의 라디칼 중합성 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 보다 바람직하다.The functional group number of the radical polymerizable compound in the present invention means the number of radical polymerizable groups in one molecule. From the viewpoint of resolution, the resin composition preferably contains at least one radically polymerizable compound having two or more radically polymerizable groups and at least one radically polymerizable compound having two to four functional groups Is more preferable.

라디칼 중합성 화합물로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등)이나 그 에스터류, 아마이드류를 들 수 있고, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 다가 알코올 화합물과의 에스터, 및 불포화 카복실산과 다가 아민 화합물과의 아마이드류이다. 또, 하이드록실기, 아미노기, 머캅토기 등의 구핵성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 혹은 에폭시류와의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산과의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 부가 반응물, 또한 할로젠기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등으로 치환한 화합물군을 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0113~0122의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.Examples of the radical polymerizable compound include unsaturated carboxylic acids (e.g., acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, and maleic acid), esters thereof and amides, An ester of a carboxylic acid and a polyhydric alcohol compound, and an amide of an unsaturated carboxylic acid and a polyvalent amine compound. Further, an addition reaction product of an unsaturated carboxylic acid ester or amide having a nucleophilic substituent such as a hydroxyl group, an amino group or a mercapto group with a monofunctional or multifunctional isocyanate or an epoxide, or a monofunctional or polyfunctional A dehydration condensation reaction product with a carboxylic acid, and the like are suitably used. In addition, it is also possible to use an unsaturated carboxylic acid ester or amide having an electrophilic substituent such as an isocyanate group or an epoxy group, an addition reaction product of monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, thiols, Unsaturated carboxylic acid esters or amides having a desilyl substituent group and mono- or polyfunctional alcohols, amines, and thioes are also suitable. As another example, a compound group substituted by an unsaturated phosphonic acid, a vinylbenzene derivative such as styrene, vinyl ether, allyl ether, or the like may be used in place of the above unsaturated carboxylic acid. As a specific example, reference can be made to the description of paragraphs 0113 to 0122 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2016-027357, the contents of which are incorporated herein by reference.

라디칼 중합성 화합물로서는, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다. 그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후, (메트)아크릴레이트화한 화합물, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공고특허공보 소50-006034호, 일본 공개특허공보 소51-037193호 각 공보에 기재되어 있는 유레테인(메트)아크릴레이트류, 일본 공개특허공보 소48-064183호, 일본 공고특허공보 소49-043191호, 일본 공고특허공보 소52-030490호 각 공보에 기재되어 있는 폴리에스터아크릴레이트류, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산과의 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트류 등의 다관능의 아크릴레이트나 메타크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 0254~0257에 기재된 화합물도 적합하다.As the radical polymerizing compound, a compound having a boiling point of 100 캜 or more at normal pressure is also preferable. Examples thereof include polyethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol (Meth) acrylate, tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, hexanediol (Meth) acrylate obtained by adding ethylene oxide or propylene oxide to a polyfunctional alcohol such as ethylene glycol, propylene ether, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, glycerin or trimethylolethane, Japanese Patent Application Laid-Open No. 48-041708, Japanese Patent Publication No. 50-006034, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 51-037193, (Meth) acrylates described in JP-A-48-064183, JP-A-49-043191, JP-A-52-030490, polyester acrylates, epoxy resins And epoxy acrylates which are reaction products of (meth) acrylic acid and the like, and mixtures thereof. Also, the compounds described in paragraphs 0254 to 0257 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-292970 are also suitable.

라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2010-160418호, 일본 공개특허공보 2010-129825호, 일본 특허공보 제4364216호 등에 기재되는, 플루오렌환을 갖고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 2개 이상 갖는 화합물, 카도 수지도 사용하는 것이 가능하다. 또한, 그 외의 예로서는, 일본 공고특허공보 소46-043946호, 일본 공고특허공보 평1-040337호, 일본 공고특허공보 평1-040336호에 기재된 특정의 불포화 화합물이나, 일본 공개특허공보 평2-025493호에 기재된 바이닐포스폰산계 화합물 등도 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 소61-022048호에 기재된 퍼플루오로알킬기를 포함하는 화합물을 이용할 수도 있다. 또한 일본 접착 협회지 vol. 20, No. 7, 300~308페이지(1984년)에 광중합성 모노머 및 올리고머로서 소개되고 있는 것도 사용할 수 있다.Examples of the radical polymerizable compound include compounds having a fluorene ring and having an ethylenically unsaturated bond, as described in JP-A-2010-160418, JP-A-2010-129825, JP-A-4364216, Can also be used. As other examples, specific unsaturated compounds described in JP-A-46-043946, JP-A-1-040337 and JP-A-1-040336, and JP-A- Vinyl phosphonic acid-based compounds described in &quot; 025493 &quot; A compound containing a perfluoroalkyl group described in JP-A-61-022048 may also be used. Also, Japan Adhesion Society vol. 20, No. 7, pages 300 to 308 (1984), which are incorporated herein by reference, as photopolymerizable monomers and oligomers.

상기 외에, 하기 일반식 (MO-1)~(MO-5)로 나타나는 화합물도 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 식 중, T가 옥시알킬렌기인 경우에는, 탄소 원자 측의 말단이 R에 결합한다.In addition to the above, compounds represented by the following general formulas (MO-1) to (MO-5) can also be suitably used. In the formula, when T is an oxyalkylene group, the terminal on the carbon atom side is bonded to R.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure pct00020
Figure pct00020

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure pct00021
Figure pct00021

상기의 각 식에 있어서, n은 0~14의 정수이고, m은 0~8의 정수이다. 분자 내에 복수 존재하는 R, T는, 각각 동일해도 되고, 달라도 된다.In the above formulas, n is an integer of 0 to 14, and m is an integer of 0 to 8. The plurality of R and T present in the molecule may be the same or different.

상기 식 (MO-1)~(MO-5)로 나타나는 화합물의 각각에 있어서, 복수의 R 중 적어도 하나는, -OC(=O)CH=CH2, 또는 -OC(=O)C(CH3)=CH2로 나타나는 기를 나타낸다.At least one of the plurality of R's in each of the compounds represented by the above formulas (MO-1) to (MO-5) is -OC (═O) CH═CH 2 or -OC (═O) 3 ) = CH 2 .

상기 식 (MO-1)~(MO-5)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호의 단락 0248~0251에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the compounds represented by the above formulas (MO-1) to (MO-5) include the compounds described in paragraphs 0248 to 0251 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-269779.

또, 일본 공개특허공보 평10-62986호에 있어서 식 (1) 및 식 (2)로서 그 구체예와 함께 기재된, 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후에 (메트)아크릴레이트화한 화합물도, 라디칼 중합성 화합물로서 이용할 수 있다. 또한, 일본 공개특허공보 2015-187211호의 단락 0104~0131에 기재된 화합물도 라디칼 중합성 화합물로서 이용할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 10-62986 discloses a process for producing (meth) acrylate by adding ethylene oxide or propylene oxide to a polyfunctional alcohol described together with specific examples of the formulas (1) and (2) The compound may also be used as a radical polymerizing compound. The compounds described in paragraphs 0104 to 0131 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-187211 may also be used as radical polymerizing compounds, and these contents are incorporated herein by reference.

라디칼 중합성 화합물로서는, 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠(주)제, A-TMMT: 신나카무라 가가쿠 고교사제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠(주)제, A-DPH; 신나카무라 가가쿠 고교제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하여 결합하고 있는 구조가 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다. 또, 상기 식 (MO-1), 식 (MO-2)의 펜타에리트리톨 유도체 및/또는 다이펜타에리트리톨 유도체도 바람직한 예로서 들 수 있다. 또, 사토머사제의 SR209를 이용할 수도 있다.Examples of the radical polymerizable compound include dipentaerythritol triacrylate (KAYARAD D-330 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol tetraacrylate (KAYARAD D-320 manufactured by Nippon Kayaku (Trade name: KAYARAD D-310, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), dipentaerythritol hexa (meth) acrylate (trade name: A-TMMT, manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo K.K.), dipentaerythritol penta (Meth) acryloyl groups of ethylene glycol and propylene glycol moieties are intervened between the acrylate (KAYARAD DPHA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., A-DPH; manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., The structure is preferable. These oligomer types can also be used. Preferred examples thereof include pentaerythritol derivatives and / or dipentaerythritol derivatives of the above formulas (MO-1) and (MO-2). SR209 manufactured by Satomar Co., Ltd. may also be used.

라디칼 중합성 화합물은, 카복실기, 설포기, 인산기 등의 산기를 갖고 있어도 된다. 시판품으로서는, 예를 들면, 도아 고세이 가부시키가이샤제의 다염기산 변성 아크릴 올리고머인, M-510, M-520 등을 들 수 있다. 산기를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 바람직한 산가로서는, 0.1~40mgKOH/g이고, 특히 바람직하게는 5~30mgKOH/g이다. 상기 화합물의 산가가 상기 범위이면, 제조나 취급성이 우수하고, 나아가서는, 현상성이 우수하다. 또, 라디칼 중합성이 양호하다.The radically polymerizable compound may have an acid group such as a carboxyl group, a sulfo group, or a phosphoric acid group. Commercially available products include, for example, M-510 and M-520 which are polybasic acid-modified acrylic oligomers made by Toagosei Co., Ltd. The preferred acid value of the radically polymerizable compound having an acid group is 0.1 to 40 mg KOH / g, particularly preferably 5 to 30 mg KOH / g. When the acid value of the compound is in the above range, the preparation and handling properties are excellent, and further, the developing property is excellent. Radical polymerization property is also good.

라디칼 중합성 화합물로서는, 카프로락톤 구조를 갖는 화합물을 이용할 수도 있다. 카프로락톤 구조를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 카프로락톤 구조를 갖는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 트라이메틸올에테인, 다이트라이메틸올에테인, 트라이메틸올프로페인, 다이트라이메틸올프로페인, 펜타에리트리톨, 다이펜타에리트리톨, 트라이펜타에리트리톨, 글리세린, 다이글리세롤, 트라이메틸올멜라민 등의 다가 알코올과, (메트)아크릴산 및 ε-카프로락톤을 에스터화함으로써 얻어지는, ε-카프로락톤 변성 다관능 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 그 중에서도 하기 식 (C)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As the radical polymerizing compound, a compound having a caprolactone structure may be used. The compound having a caprolactone structure is not particularly limited as long as it has a caprolactone structure in the molecule, and examples thereof include trimethylolethane, ditrimethylolethane, trimethylolpropane, ditrimethylolpropane, (Meth) acrylic acid and? -Caprolactone obtained by esterifying polyhydric alcohols such as pentaerythritol, pentaerythritol, dipentaerythritol, trilpentaerythritol, glycerin, diglycerol, and trimethylol melamine with? -Caprolactone (Meth) acrylate. Among them, a compound represented by the following formula (C) is preferable.

식 (C)In formula (C)

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure pct00022
Figure pct00022

식 중, 6개의 R은 모두가 하기 식 (D)로 나타나는 기이거나, 또는 6개의 R 중 1~5개가 하기 식 (D)로 나타나는 기이며, 잔여가 하기 식 (E)로 나타나는 기이다.Wherein all six Rs are groups represented by the following formula (D), or one to five of the six Rs are groups represented by the following formula (D), and the remainder is a group represented by the following formula (E).

식 (D)In formula (D)

[화학식 23](23)

Figure pct00023
Figure pct00023

식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, m은 1 또는 2를 나타내며, "*"는 결합손인 것을 나타낸다.In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, m represents 1 or 2, and "*" represents a bonding bond.

식 (E)(E)

[화학식 24]&Lt; EMI ID =

Figure pct00024
Figure pct00024

식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, "*"는 결합손인 것을 나타낸다.In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and "*" represents a bonding bond.

이와 같은 카프로락톤 구조를 갖는 화합물은, 예를 들면, 닛폰 가야쿠(주)로부터 KAYARAD DPCA 시리즈로서 시판되고 있고, DPCA-20(상기 식 (C)~(E)에 있어서 m=1, 식 (D)로 나타나는 기의 수=2, R1이 모두 수소 원자인 화합물), DPCA-30(동일 식, m=1, 식 (D)로 나타나는 기의 수=3, R1이 모두 수소 원자인 화합물), DPCA-60(동일 식, m=1, 식 (D)로 나타나는 기의 수=6, R1이 모두 수소 원자인 화합물), DPCA-120(동일 식에 있어서 m=2, 식 (D)로 나타나는 기의 수=6, R1이 모두 수소 원자인 화합물) 등을 들 수 있다.Such a compound having a caprolactone structure is commercially available, for example, as KAYARAD DPCA series from Nippon Kayaku Co., and DPCA-20 (in the formulas (C) to (E) D) number = 2, R 1 are both a hydrogen atom in the group represented by), DPCA-30 (the same formula, the number = 3, R 1 of a group represented by m = 1, formula (D) are all hydrogen atoms Compound (DPCA-60) (the same formula, m = 1, the number of groups represented by formula (D) = 6 and R 1 are all hydrogen atoms), DPCA-120 D) = 6, and R &lt; 1 &gt; are all hydrogen atoms.

라디칼 중합성 화합물로서는, 하기 일반식 (i) 또는 (ii)로 나타나는 화합물의 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것도 바람직하다.The radical polymerizing compound is preferably at least one selected from the group of compounds represented by the following general formula (i) or (ii).

[화학식 25](25)

Figure pct00025
Figure pct00025

식 (i) 및 식 (ii) 중, E는, 각각 독립적으로, -((CH2)yCH2O)-, 또는 -((CH2)yCH(CH3)O)-를 나타내고, y는, 각각 독립적으로 0~10의 정수를 나타내며, X는, 각각 독립적으로, (메트)아크릴로일기, 수소 원자, 또는 카복실기를 나타낸다.In the formulas (i) and (ii), E independently represents - ((CH 2 ) y CH 2 O) - or - ((CH 2 ) y CH (CH 3 ) y each independently represents an integer of 0 to 10, and X represents, independently of each other, a (meth) acryloyl group, a hydrogen atom, or a carboxyl group.

식 (i) 중, (메트)아크릴로일기의 합계는 3개 또는 4개이고, m은 각각 독립적으로 0~10의 정수를 나타내며, 각 m의 합계는 0~40의 정수이다. 단, 각 m의 합계가 0인 경우, X 중 어느 하나는 카복실기이다.The total number of (meth) acryloyl groups in the formula (i) is 3 or 4, m is independently an integer of 0 to 10, and the sum of m is an integer of 0 to 40. Provided that when the sum of each m is 0, any one of X is a carboxyl group.

식 (ii) 중, (메트)아크릴로일기의 합계는 5개 또는 6개이고, n은 각각 독립적으로 0~10의 정수를 나타내며, 각 n의 합계는 0~60의 정수이다. 단, 각 n의 합계가 0인 경우, X 중 어느 하나는 카복실기이다.In formula (ii), the sum of the (meth) acryloyl groups is 5 or 6, and each n independently represents an integer of 0 to 10, and the sum of n is an integer of 0 to 60. Provided that when the sum of each n is 0, any one of X is a carboxyl group.

식 (i) 중, m은, 0~6의 정수가 바람직하고, 0~4의 정수가 보다 바람직하다. 또, 각 m의 합계는, 2~40의 정수가 바람직하고, 2~16의 정수가 보다 바람직하며, 4~8의 정수가 특히 바람직하다.In the formula (i), m is preferably an integer of 0 to 6, more preferably an integer of 0 to 4. The sum of m is preferably an integer of 2 to 40, more preferably an integer of 2 to 16, and an integer of 4 to 8 is particularly preferable.

식 (ii) 중, n은, 0~6의 정수가 바람직하고, 0~4의 정수가 보다 바람직하다. 또, 각 n의 합계는, 3~60의 정수가 바람직하고, 3~24의 정수가 보다 바람직하며, 6~12의 정수가 특히 바람직하다.In the formula (ii), n is preferably an integer of 0 to 6, more preferably an integer of 0 to 4. The sum of each n is preferably an integer of 3 to 60, more preferably an integer of 3 to 24, and particularly preferably an integer of 6 to 12.

식 (i) 또는 식 (ii) 중의 -((CH2)yCH2O)- 또는 -((CH2)yCH(CH3)O)-는, 산소 원자 측의 말단이 X에 결합하는 형태가 바람직하다. 특히, 식 (ii)에 있어서, 6개의 X 모두가 아크릴로일기인 형태가 바람직하다.The - ((CH 2 ) y CH 2 O) - or - ((CH 2 ) y CH (CH 3 ) O) - in the formula (i) or the formula Shape is preferable. Particularly, in the formula (ii), it is preferable that all of the six X's are acryloyl groups.

식 (i) 및 식 (ii)로 나타나는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제의 펜틸렌옥시쇄를 6개 갖는 6관능 아크릴레이트인 DPCA-60, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the compounds represented by the formulas (i) and (ii) include SR-494 which is tetrafunctional acrylate having four ethyleneoxy chains of Satomar Co., Ltd., pentyleneoxy (trade name) manufactured by Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha DPCA-60, which is a hexafunctional acrylate having 6 chains, and TPA-330, which is a trifunctional acrylate having 3 isobutyleneoxy chains.

라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공개특허공보 소51-037193호, 일본 공고특허공보 평2-032293호, 일본 공고특허공보 평2-016765호에 기재되어 있는 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-049860호, 일본 공고특허공보 소56-017654호, 일본 공고특허공보 소62-039417호, 일본 공고특허공보 소62-039418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평1-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 부가 중합성 모노머류를 이용할 수도 있다.Examples of the radical polymerizing compound include compounds described in JP-A-48-041708, JP-A-51-037193, JP-A-2-032293, JP-A-2-016765 There are ethylene acrylic acid esters, ethylene acrylic acid esters, ethylene acrylic acid esters, ethylene acrylate esters, ethylene oxide esters, A yutein compound having a skeleton is also suitable. Further, addition polymerizable monomers having an amino structure or a sulfide structure in the molecule, which are described in JP-A-63-277653, JP-A-63-260909 and JP-A-1-105238 It can also be used.

시판품으로서는, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(산요 고쿠사쿠 펄프사제), NK에스터 M-40G, NK에스터 4G, NK에스터 M-9300, NK에스터 A-9300, UA-7200(신나카무라 가가쿠 고교(주)제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠(주)제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.NK Ester M-9300, NK Ester A-9300, UA-7200 (produced by Sanyo Kokusaku Pulp Co., Ltd.), NK Ester M-40G, NK Ester 4G, NK Ester M- UA-306I, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600 (manufactured by Kyoeisha Kagaku Kogyo Co., Ltd.), DPHA-40H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and Blemmer PME400 (manufactured by Nichiyu K.K.).

라디칼 중합성 화합물로서는, 내열성의 관점에서, 하기 식으로 나타나는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 단, 식 중의 *는 연결손이다.The radical polymerizing compound preferably has a partial structure represented by the following formula from the viewpoint of heat resistance. However, * in the equation is a connecting hand.

[화학식 26](26)

Figure pct00026
Figure pct00026

상기 부분 구조를 갖는 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 트라이메틸올프로페인트라이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 에틸렌옥사이드 변성 다이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 에틸렌옥사이드 변성 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이메틸올프로페인테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having a partial structure include, for example, trimethylol propane tri (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide modified di (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide denatured tri (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dimethylol propane tetra Pentaerythritol hexa (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, and the like.

수지 조성물에 있어서, 라디칼 중합성 화합물의 함유량은, 양호한 라디칼 중합성과 내열성의 관점에서, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 1~50질량%가 바람직하다. 하한은 5질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하다.In the resin composition, the content of the radical polymerizable compound is preferably 1 to 50 mass% with respect to the total solid content of the resin composition from the viewpoint of good radical polymerization and heat resistance. The lower limit is more preferably 5% by mass or more. The upper limit is more preferably 30 mass% or less.

또, 수지(바람직하게는 폴리이미드 전구체)와 라디칼 중합성 화합물과의 질량 비율(수지/라디칼 중합성 화합물)은, 98/2~10/90이 바람직하고, 95/5~30/70이 보다 바람직하며, 90/10~50/50이 더 바람직하다. 수지와 라디칼 중합성 화합물과의 질량 비율이 상기 범위이면, 경화성 및 내열성이 보다 우수한 경화막을 형성할 수 있다. 라디칼 중합성 화합물은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The mass ratio of the resin (preferably a polyimide precursor) to the radical polymerizable compound (resin / radical polymerizable compound) is preferably 98/2 to 10/90, more preferably 95/5 to 30/70 More preferably 90/10 to 50/50. When the mass ratio of the resin to the radical polymerizing compound is within the above range, a cured film having better curing properties and heat resistance can be formed. The radical polymerizing compound may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used, it is preferable that the total amount falls within the above range.

<<광중합 개시제>><< Photopolymerization initiator >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 광중합 개시제를 포함한다. 광중합 개시제로서는, 광양이온 중합 개시제, 광라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있고, 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 본 발명에 있어서의 수지 조성물이 광라디칼 중합 개시제를 포함함으로써, 수지 조성물을 반도체 웨이퍼 등의 기판에 적용하여 수지 조성물층을 형성한 후, 광을 조사함으로써, 라디칼에 기인하는 경화가 일어나, 광조사부에 있어서의 용해성을 저하시킬 수 있다. 이로 인하여, 예를 들면, 전극부만을 마스크하는 패턴을 갖는 포토마스크를 통하여 수지 조성물층을 노광함으로써, 전극 등의 패턴에 따라, 용해성이 다른 영역을 간편하게 제작할 수 있다는 이점이 있다.The resin composition of the present invention includes a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include a photocationic polymerization initiator and a photoradical polymerization initiator, and a photoradical polymerization initiator is preferred. When the resin composition of the present invention contains a photo-radical polymerization initiator, the resin composition is applied to a substrate such as a semiconductor wafer to form a resin composition layer, and then light is irradiated to cause curing due to radicals, It is possible to lower the solubility in the solution. Thereby, there is an advantage that, for example, a resin composition layer is exposed through a photomask having a pattern for masking only the electrode portion, whereby a region having different solubility can be easily produced in accordance with a pattern of an electrode or the like.

광중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 광중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시 영역의 광선에 대하여 감광성을 갖는 광중합 개시제가 바람직하다. 또, 광여기된 증감제와 어떤 작용을 발생시켜, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 된다. 광중합 개시제는, 약 300~800nm(바람직하게는 330~500nm)의 범위 내에 적어도 약 50의 몰 흡광 계수를 갖는 화합물을, 적어도 1종 함유하고 있는 것이 바람직하다. 화합물의 몰 흡광 계수는, 공지의 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 자외 가시 분광 광도계(Varian사제 Cary-5 spectrophotometer)로, 아세트산 에틸 용제를 이용하여, 0.01g/L의 농도로 측정하는 것이 바람직하다.The photopolymerization initiator is not particularly limited and may be appropriately selected from known photopolymerization initiators. For example, a photopolymerization initiator having photosensitivity to light in the visible region from the ultraviolet region is preferable. It may also be an activator that generates an action with a photo-excited sensitizer and generates active radicals. The photopolymerization initiator preferably contains at least one compound having a molar absorptivity of at least about 50 within a range of about 300 to 800 nm (preferably 330 to 500 nm). The molar extinction coefficient of the compound can be measured by a known method. For example, it is preferable to use an ultraviolet visible spectrophotometer (Cary-5 spectrophotometer manufactured by Varian) with an ethyl acetate solvent at a concentration of 0.01 g / L.

광중합 개시제로서는, 공지의 화합물을 임의로 사용할 수 있다. 예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 화합물, 옥사다이아졸 골격을 갖는 화합물, 트라이할로메틸기를 갖는 화합물 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심에터, 아미노아세토페논 화합물, 하이드록시아세토페논, 아조계 화합물, 아자이드 화합물, 메탈로센 화합물, 유기 붕소 화합물, 철 아렌 착체 등을 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0165~0182의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 케톤 화합물로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0087에 기재된 화합물이 예시되고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 시판품에서는, 카야큐어-DETX(닛폰 가야쿠(주)제)도 적합하게 이용된다.As the photopolymerization initiator, known compounds can be arbitrarily used. Examples of the compound include a halogenated hydrocarbon derivative (for example, a compound having a triazine skeleton, a compound having an oxadiazole skeleton, a compound having a trihalomethyl group, etc.), an acylphosphine compound such as acylphosphine oxide , Oxa compounds such as hexaaryl biimidazole and oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketoxime ethers, aminoacetophenone compounds, hydroxyacetophenones, azo compounds, azide compounds , Metallocene compounds, organic boron compounds, iron arene complexes and the like. For details of these, reference may be made to the description of paragraphs 0165 to 0182 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2016-027357, the contents of which are incorporated herein by reference. As the ketone compound, for example, the compound described in paragraph 0087 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-087611 is exemplified, and the content is hereby incorporated by reference. In commercial products, Kayakyure-DETX (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) is suitably used.

광중합 개시제로서는, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물 및 메탈로센 화합물도 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 광중합 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 광중합 개시제도 이용할 수 있다.As the photopolymerization initiator, an? -Hydroxy ketone compound, an? -Amino ketone compound, an acylphosphine compound and a metallocene compound can also be suitably used. More specifically, for example, the photopolymerization initiator disclosed in JP-A-10-291969 and the photopolymerization initiator disclosed in JP-A-4225898 can be used.

α-하이드록시케톤 화합물로서는, IRGACURE-184(IRGACURE는 등록 상표), DAROCUR-1173, IRGACURE-500, IRGACURE-2959, IRGACURE-127(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다.As the? -hydroxyketone compound, IRGACURE-184 (registered trademark of IRGACURE), DAROCUR-1173, IRGACURE-500, IRGACURE-2959 and IRGACURE-127 (trade name;

α-아미노케톤 화합물로서는, 시판품인 IRGACURE-907, IRGACURE-369, 및 IRGACURE-379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다. α-아미노케톤 화합물로서는, 365nm 또는 405nm 등의 파장 광원에 흡수 극대 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다.As the? -amino ketone compound, commercially available products IRGACURE-907, IRGACURE-369, and IRGACURE-379 (all trade names, manufactured by BASF) can be used. As the? -amino ketone compound, compounds described in JP-A-2009-191179 in which the maximum absorption wavelength is matched with a wavelength light source such as 365 nm or 405 nm can be used.

아실포스핀 화합물로서는, 2,4,6-트라이메틸벤조일-다이페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 또, 시판품인 IRGACURE-819나 IRGACURE-TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.As the acylphosphine compound, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide and the like can be given. Commercially available IRGACURE-819 or IRGACURE-TPO (all trade names, manufactured by BASF) can be used.

메탈로센 화합물로서는, IRGACURE-784(BASF사제) 등이 예시된다.Examples of the metallocene compound include IRGACURE-784 (manufactured by BASF).

광중합 개시제로서, 보다 바람직하게는 옥심 화합물을 들 수 있다. 옥심 화합물을 이용함으로써, 노광 래티튜드를 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 옥심 화합물은, 노광 래티튜드(노광 마진)가 넓고, 또한 열염기 발생제로서도 작용하기 때문에, 특히 바람직하다.The photopolymerization initiator is more preferably an oxime compound. By using an oxime compound, the exposure latitude can be improved more effectively. The oxime compound is particularly preferable because it has a wide exposure latitude (exposure margin) and also acts as a thermal base generator.

옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-080068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다. 바람직한 옥심 화합물로서는, 예를 들면, 3-벤즈옥시이미노뷰탄-2-온, 3-아세톡시이미노뷰탄-2-온, 3-프로피온일옥시이미노뷰탄-2-온, 2-아세톡시이미노펜탄-3-온, 2-아세톡시이미노-1-페닐프로판-1-온, 2-벤조일옥시이미노-1-페닐프로판-1-온, 3-(4-톨루엔설폰일옥시)이미노뷰탄-2-온, 및 2-에톡시카보닐옥시이미노-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있다.Specific examples of the oxime compounds include the compounds described in JP 2001-233842 A, the compounds described in JP-A 2000-080068, and JP-A 2006-342166. Preferred oxime compounds include, for example, 3-benzoxyiminobutan-2-one, 3-acetoxyiminobutan-2-one, 3-propionyloxyiminobutan- 2-benzoyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, 3- (4-toluenesulfonyloxy) iminobutane-2- 2-ethoxycarbonyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, and the like.

시판품에서는 IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04(이상, BASF사제), 아데카 옵토머 N-1919((주)ADEKA제, 일본 공개특허공보 2012-014052호에 기재된 광중합 개시제 2)도 적합하게 이용된다. 또, TR-PBG-304(창저우 강력 전자 신재료 유한공사(Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.)제), 아데카 아클즈 NCI-831 및 아데카 아클즈 NCI-930(ADEKA사제)도 이용할 수 있다. 또, DFI-091(다이토 케믹스 가부시키가이샤제)을 이용할 수 있다. 또한, 불소 원자를 더 갖는 옥심 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-262028호에 기재되어 있는 화합물, 일본 공표특허공보 2014-500852호의 단락 0345에 기재되어 있는 화합물 24, 36~40, 일본 공개특허공보 2013-164471호의 단락 0101에 기재되어 있는 화합물 (C-3) 등을 들 수 있다.(Commercially available from BASF), ADEKA OPTOMER N-1919 (manufactured by ADEKA Co., Ltd., JP-A-2012-014052), IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 03 2) are also suitably used. ADEKA ACKNES NCI-831 and ADEKA ACKLS NCI-930 (manufactured by ADEKA), TR-PBG-304 (manufactured by Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.) Can also be used. In addition, DFI-091 (manufactured by Daito Kikusui Co., Ltd.) can be used. It is also possible to use an oxime compound having a fluorine atom. Specific examples of such oxime compounds include compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-262028, compounds 24, 36 to 40 described in Japanese Patent Publication No. 2014-500852, paragraph 0345, Japanese Laid- The compound (C-3) described in paragraph 0101 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 164471 and the like.

가장 바람직한 옥심 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호에 나타나는 특정 치환기를 갖는 옥심 화합물이나, 일본 공개특허공보 2009-191061호에 나타나는 싸이오아릴기를 갖는 옥심 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the most preferred oxime compounds include oxime compounds having a specific substituent group as disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-269779 and oxime compounds having a thioaryl group as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-191061.

광중합 개시제로서는, 노광 감도의 관점에서, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, 벤질다이메틸케탈 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조싸이아졸 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물 및 그 유도체, 사이클로펜타다이엔-벤젠-철 착체 및 그 염, 할로메틸옥사다이아졸 화합물, 및 3-아릴 치환 쿠마린 화합물로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조페논 화합물 및 아세토페논 화합물로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하며, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머 및 벤조페논 화합물로부터 선택되는 적어도 1종이 더 바람직하고, 메탈로센 화합물 또는 옥심 화합물이 한층 더 바람직하며, 옥심 화합물이 특히 바람직하다.As the photopolymerization initiator, from the viewpoint of exposure sensitivity, a trihalomethyltriazine compound, a benzyldimethylketal compound, an? -Hydroxyketone compound, an? -Amino ketone compound, an acylphosphine compound, a phosphine oxide compound, Compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, onium salt compounds, benzothiazole compounds, benzophenone compounds, acetophenone compounds and derivatives thereof, cyclopentadiene-benzene-iron complexes and salts thereof, halomethyloxadiazole And a 3-aryl substituted coumarin compound, and at least one kind selected from a trihalomethyltriazine compound, an? -Hydroxy ketone compound, an? -Amino ketone compound, an acylphosphine compound, a phosphine oxide compound, a metal An oxime compound, a triarylimidazole dimer, an onium salt compound, a benzophenone compound, and an acetophenone compound And at least one kind selected from a trihalomethyltriazine compound, an? -Hydroxyketone compound, an? -Amino ketone compound, an oxime compound, a triarylimidazole dimer, and a benzophenone compound More preferred are metallocene compounds or oxime compounds, and oxime compounds are particularly preferred.

또, 광중합 개시제는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-다이아미노벤조페논(미힐러케톤) 등의 N,N'-테트라알킬-4,4'-다이아미노벤조페논, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온-1, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤, 알킬안트라퀴논 등의 방향환과 축환한 퀴논류, 벤조인알킬에터 등의 벤조인에터 화합물, 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물, 벤질다이메틸케탈 등의 벤질 유도체 등을 이용할 수도 있다. 또, 하기 식 (I)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.The photopolymerization initiator may be at least one selected from the group consisting of N, N'-tetraalkyl-4,4'-diaminobenzophenone (N, N'-tetramethylphenol) such as benzophenone and N, Methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1, Benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ethers, benzoin compounds such as benzoin and alkyl benzoin, benzyl dimethyl ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal, And the like can also be used. In addition, a compound represented by the following formula (I) may be used.

[화학식 27](27)

Figure pct00027
Figure pct00027

식 (I) 중, R50은, 탄소수 1~20의 알킬기; 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~20의 알킬기; 탄소수 1~12의 알콕시기; 페닐기; 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 할로젠 원자, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 탄소수 2~12의 알켄일기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~18의 알킬기 및 탄소수 1~4의 알킬기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기; 또는 바이페닐일이고, R51은, 식 (II)로 나타나는 기이거나, R50과 동일한 기이며, R52~R54는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 알킬, 탄소수 1~12의 알콕시 또는 할로젠이다.In the formula (I), R 50 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; An alkyl group having 2 to 20 carbon atoms which is interrupted by at least one oxygen atom; An alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms; A phenyl group; An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 18 carbon atoms And a phenyl group substituted with at least one of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; Or biphenyl; R 51 is a group represented by the formula (II) or a group identical to R 50 ; R 52 to R 54 each independently represent alkyl having 1 to 12 carbon atoms, alkoxy having 1 to 12 carbon atoms, Rosen.

[화학식 28](28)

Figure pct00028
Figure pct00028

식 중, R55~R57은, 상기 식 (I)의 R52~R54와 동일하다.In the formula, R 55 to R 57 are the same as R 52 to R 54 in the formula (I).

또, 광중합 개시제는, 국제 공개공보 WO2015/125469호의 단락 0048~0055에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.The photopolymerization initiator may be a compound described in paragraphs 0048 to 0055 of WO2015 / 125469.

광중합 개시제의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1~30질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 0.1~10질량%이다. 광중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The content of the photopolymerization initiator is preferably from 0.1 to 30 mass%, more preferably from 0.1 to 20 mass%, and still more preferably from 0.1 to 10 mass%, based on the total solid content of the resin composition. The photopolymerization initiator may contain only one kind or two or more kinds. When two or more kinds of photopolymerization initiators are contained, the total amount is preferably in the above range.

<<중합 금지제>><< Polymerization inhibitor >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 중합 금지제를 포함하는 것이 바람직하다. 중합 금지제로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, p-tert-뷰틸카테콜, p-벤조퀴논, 다이페닐-p-벤조퀴논, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄염, 페노싸이아진, N-나이트로소다이페닐아민, N-페닐나프틸아민, 에틸렌다이아민 사아세트산, 1,2-사이클로헥세인다이아민 사아세트산, 글라이콜에터다이아민 사아세트산, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, 5-나이트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-나이트로소-2-나프톨, 2-나이트로소-1-나프톨, 2-나이트로소-5-(N-에틸-N-설포프로필아미노)페놀, N-나이트로소-N-(1-나프틸)하이드록시아민암모늄염, 비스(4-하이드록시-3,5-tert-뷰틸)페닐메테인 등이 적합하게 이용된다. 또, 일본 공개특허공보 2015-127817호의 단락 0060에 기재된 중합 금지제, 및 국제 공개공보 WO2015/125469호의 단락 0031~0046에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.The resin composition of the present invention preferably contains a polymerization inhibitor. Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, p-methoxyphenol, di-tert-butyl-p-cresol, pyrogallol, p-tert- butylcatechol, p-benzoquinone, Benzoquinone, 4,4'-thiobis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2'-methylenebis - phenylhydroxyamine aluminum salt, phenothiazine, N-nitrosodiphenylamine, N-phenylnaphthylamine, ethylene diamine diacetic acid, 1,2-cyclohexanediamine diacetic acid, glycol ether 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso- (N-ethyl-N-sulfopropylamino) phenol, N-nitroso-N- (1-naphthyl) hydroxyamine ammonium salt, bis 5-tert-butyl) phenylmethane and the like are suitably used. It is also possible to use the polymerization inhibitor described in paragraph 0060 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-127817 and the compound described in paragraphs 0031 to 0046 of WO2015 / 125469.

수지 조성물이 중합 금지제를 갖는 경우, 중합 금지제의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.01~5질량%가 바람직하다. 중합 금지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 중합 금지제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the resin composition has a polymerization inhibitor, the content of the polymerization inhibitor is preferably 0.01 to 5% by mass based on the total solid content of the resin composition. The polymerization inhibitor may be one kind alone, or two or more kinds. When two or more types of polymerization inhibitor are used, the total amount is preferably in the above range.

<<광염기 발생제>><< Photobase generator >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 광염기 발생제를 포함하고 있어도 된다. 광염기 발생제란, 노광에 의하여 염기를 발생시키는 것이며, 상온 상압의 통상의 조건하에서는 활성을 나타내지 않지만, 외부 자극으로서 전자파의 조사와 가열이 행해지면, 염기(염기성 물질)를 발생시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 노광에 의하여 발생한 염기는 폴리이미드 전구체를 가열에 의하여 경화시킬 때의 촉매로서 작용하기 때문에, 네거티브형 감광성 수지 조성물에 있어서 적합하게 이용할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain a photobase generator. The photobase generator is a substance which generates a base by exposure and does not exhibit activity under normal conditions of normal temperature and pressure. However, if irradiation and heating of an electromagnetic wave are performed as an external stimulus, a base (basic substance) It is not. The base generated by the exposure serves as a catalyst for curing the polyimide precursor by heating, and thus can be suitably used in the negative photosensitive resin composition.

광염기 발생제의 함유량은, 원하는 패턴을 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 일반적인 함유량으로 할 수 있다. 광염기 발생제의 함유량은, 수지 조성물 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 30질량부 미만의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.05질량부~25질량부의 범위 내인 것이 보다 바람직하며, 0.1질량부~20질량부의 범위 내인 것이 더 바람직하다.The content of the photobase generator is not particularly limited as long as it can form a desired pattern and can be a general content. The content of the photobase generator is preferably in a range of 0.01 part by mass or more and less than 30 parts by mass, more preferably in a range of 0.05 part by mass to 25 parts by mass, more preferably 0.1 part by mass to 20 parts by mass, More preferably within the range of the mass part.

본 발명에 있어서는, 광염기 발생제로서 공지의 화합물을 이용할 수 있다. 예를 들면, M. Shirai, and M. Tsunooka, Prog. Polym. Sci., 21, 1(1996); 쓰노오카 마사히로, 고분자 가공, 46, 2(1997); C. Kutal, Coord. Chem. Rev., 211, 353(2001); Y. Kaneko, A. Sarker, and D. Neckers, Chem. Mater., 11, 170(1999); H. Tachi, M. Shirai, and M. Tsunooka, J. Photopolym. Sci. Technol., 13, 153(2000); M. Winkle, and K. Graziano, J. Photopolym. Sci. Technol., 3, 419(1990); M. Tsunooka, H. Tachi, and S. Yoshitaka, J. Photopolym. Sci. Technol., 9, 13(1996); K. Suyama, H. Araki, M. Shirai, J. Photopolym. Sci. Technol., 19, 81(2006)에 기재되어 있는 바와 같이, 전이 금속 화합물 착체나, 암모늄염 등의 구조를 갖는 것이나, 아미딘 부분이 카복실산과 염을 형성함으로써 잠재화된 것과 같이, 염기 성분이 염을 형성함으로써 중화된 이온성의 화합물이나, 카바메이트 유도체, 옥심에스터 유도체, 아실 화합물 등의 유레테인 결합이나 옥심 결합 등에 의하여 염기 성분이 잠재화된 비이온성의 화합물을 들 수 있다. 또, WPBG-266(와코 준야쿠 고교(주)제)을 이용하는 것도 바람직하다.In the present invention, known compounds can be used as photo-base generators. For example, M. Shirai, and M. Tsunooka, Prog. Polym. Sci., 21, 1 (1996); Tsunooka Masahiro, Polymer Processing, 46, 2 (1997); C. Kutal, Coord. Chem. Rev., 211, 353 (2001); Y. Kaneko, A. Sarker, and D. Neckers, Chem. Mater., 11, 170 (1999); H. Tachi, M. Shirai, and M. Tsunooka, J. Photopolym. Sci. Technol., 13, 153 (2000); M. Winkle, and K. Graziano, J. Photopolym. Sci. Technol., 3, 419 (1990); M. Tsunooka, H. Tachi, and S. Yoshitaka, J. Photopolym. Sci. Technol., 9, 13 (1996); K. Suyama, H. Araki, M. Shirai, J. Photopolym. Sci. As described in Technol., 19, 81 (2006), it is also possible to use a transition metal compound complex or a compound having a structure such as an ammonium salt, or a compound in which a base component is a salt Ionic compound in which the base component is neutralized by a urethane bond or a oxime bond such as a neutralized ionic compound, a carbamate derivative, an oxime ester derivative or an acyl compound. It is also preferable to use WPBG-266 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.).

광염기 발생제로부터 발생하는 염기성 물질은 특별히 한정되지 않지만, 아미노기를 갖는 화합물, 특히 모노아민이나, 다이아민 등의 폴리아민, 또, 아미딘 등을 들 수 있다.The basic substance generated from the photo-base generator is not particularly limited, but a compound having an amino group, particularly, a polyamine such as a monoamine or a diamine, and an amidine can be given.

발생하는 염기성 물질은, 보다 염기성도가 높은 아미노기를 갖는 화합물이 바람직하다. 폴리이미드 전구체의 이미드화에 있어서의 탈수 축합 반응 등에 대한 촉매 작용이 강하여, 보다 소량의 첨가로, 보다 낮은 온도에서의 탈수 축합 반응 등에 있어서의 촉매 효과의 발현이 가능해지기 때문이다. 결국은, 발생한 염기성 물질의 촉매 효과가 크기 때문에, 수지 조성물로서의 겉보기의 감도가 향상된다. 상기 촉매 효과의 관점에서 아미딘, 지방족 아민인 것이 바람직하다.The generated basic substance is preferably a compound having an amino group having a higher basicity. And the dehydration condensation reaction in the imidization of the polyimide precursor is strong, so that the catalytic effect in dehydration condensation reaction at a lower temperature can be manifested by addition of a smaller amount. Eventually, since the catalytic effect of the generated basic substance is large, the apparent sensitivity as the resin composition is improved. From the viewpoint of the catalytic effect, amidine and aliphatic amine are preferable.

광염기 발생제는, 구조 중에 염을 포함하지 않는 광염기 발생제인 것이 바람직하다. 광염기 발생제에 있어서 발생하는 염기 부분의 질소 원자 상에 전하가 없는 것이 바람직하다. 광염기 발생제는, 발생하는 염기가 공유 결합을 이용하여 잠재화되어 있는 것이 바람직하고, 염기의 발생 기구가, 발생하는 염기 부분의 질소 원자와 인접하는 원자의 사이의 공유 결합이 절단되어 염기가 발생하는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 구조 중에 염을 포함하지 않는 광염기 발생제이면, 광염기 발생제를 중성으로 할 수 있기 때문에, 용제 용해성이 양호하여, 포트 라이프가 향상된다. 이와 같은 이유에서, 본 발명에서 이용되는 광염기 발생제로부터 발생하는 아민은, 1급 아민 또는 2급 아민이 바람직하다.The photobase generator is preferably a photobase generator that does not contain a salt in its structure. It is preferable that there is no charge on the nitrogen atom of the base portion generated in the photobase generator. It is preferable that the base of the photobase generator is latent using a covalent bond and the generation mechanism of the base is such that the covalent bond between the nitrogen atom of the generated base portion and the adjacent atom is cleaved, Is more preferable. If the photo-base generator does not contain a salt in its structure, the photo-base generator can be made neutral, so that the solvent solubility is good and the pot life is improved. For these reasons, the amine generated from the photobase generator used in the present invention is preferably a primary amine or a secondary amine.

또, 상기와 같은 이유에서, 광염기 발생제는, 상술과 같이 발생하는 염기가 공유 결합을 이용하여 잠재화되어 있는 것이 바람직하다. 또, 발생하는 염기가 아마이드 결합, 카바메이트 결합, 옥심 결합을 이용하여 잠재화되어 있는 것이 보다 바람직하다.Further, for the same reason as described above, it is preferable that the base generated as described above is latent by using a covalent bond. It is more preferable that the generated base is latent using an amide bond, a carbamate bond, or an oxime bond.

광염기 발생제로서는, 일본 공개특허공보 2009-080452호 및 국제 공개공보 WO2009/123122호에 기재된 신남산 아마이드 구조를 갖는 광염기 발생제, 일본 공개특허공보 2006-189591호 및 일본 공개특허공보 2008-247747호에 기재된 카바메이트 구조를 갖는 광염기 발생제, 일본 공개특허공보 2007-249013호 및 일본 공개특허공보 2008-003581호에 기재된 옥심 구조, 카바모일옥심 구조를 갖는 광염기 발생제를 이용할 수도 있다.As photobase generators, photobase generators having a cinnamic acid amide structure described in JP-A-2009-080452 and WO2009 / 123122, JP-A-2006-189591 and JP- A photobase generator having a carbamate structure described in JP-A-247747, a photobase generator having a oxime structure or a carbamoyl oxime structure described in JP-A-2007-249013 and JP-A-2008-003581 .

그 외, 광염기 발생제로서는, 일본 공개특허공보 2012-093746호의 단락 번호 0185~0188, 0199~0200 및 0202에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-194205호의 단락 번호 0022~0069에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-204019호의 단락 번호 0026~0074에 기재된 화합물과, WO2010/064631호 공보의 단락 번호 0052에 기재된 화합물을 들 수 있다.Other examples of the photoacid generators include compounds described in paragraphs 0185 to 0188, 0199 to 0200 and 0202 of JP-A No. 2012-093746, compounds described in paragraphs 0022 to 0069 of JP-A No. 2013-194205, The compounds described in paragraphs 003 to 0044 of Patent Publication No. 2013-204019 and the compounds described in paragraph No. 0052 of WO2010 / 064631 can be mentioned.

<<열염기 발생제>><< Thermal Base Generator >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 열염기 발생제를 포함하고 있어도 된다. 열염기 발생제로서는, 40℃ 이상으로 가열하면 염기를 발생시키는 산성 화합물 (A1), 및 pKa1이 0~4인 음이온과 암모늄 양이온을 갖는 암모늄염 (A2)로부터 선택되는 적어도 일종을 포함하는 열염기 발생제가 바람직하다. 여기에서, pKa1이란, 다가의 산의 제1 프로톤의 해리 상수(Ka)의 대수 표시(-Log10Ka)를 나타낸다.The resin composition of the present invention may contain a thermal base generator. Examples of the thermal base generator include a thermal base generating agent containing at least one selected from an acidic compound (A1) generating a base upon heating at 40 ° C or higher and an ammonium salt (A2) having an anion and an ammonium cation having a pKa1 of 0 to 4 I am preferable. Here, pKa1 indicates an algebraic sign (-Log 10 Ka) of the dissociation constant Ka of the first proton of the polyvalent acid.

상기 산성 화합물 (A1) 및 상기 암모늄염 (A2)는, 가열하면 염기를 발생하므로, 이들 화합물로부터 발생한 염기에 의하여, 폴리이미드 전구체 등의 환화 반응을 촉진시킬 수 있어, 폴리이미드 전구체 등의 환화를 저온에서 행할 수 있다. 또, 이들 화합물은, 염기에 의하여 환화되어 경화되는 폴리이미드 전구체 등과 공존시켜도, 가열하지 않으면 폴리이미드 전구체 등의 환화가 거의 진행되지 않으므로, 보존 안정성이 우수한 수지 조성물을 조제할 수 있다.The acidic compound (A1) and the ammonium salt (A2) generate a base upon heating, so that the cyclization reaction of the polyimide precursor or the like can be promoted by the base generated from these compounds, . In addition, even when these compounds coexist with a polyimide precursor or the like which is cyclized and cured by a base, the cyclization of the polyimide precursor or the like hardly progresses unless heated, so that a resin composition excellent in storage stability can be prepared.

또한, 본 명세서에 있어서, 산성 화합물이란, 화합물을 용기에 1g 채취하고, 이온 교환수와 테트라하이드로퓨란과의 혼합액(질량비는 물/테트라하이드로퓨란=1/4)을 50mL 첨가하여, 실온에서 1시간 교반하며, 얻어진 용액을 pH 미터를 이용하여, 20℃에서 측정한 pH값이 7 미만인 화합물을 의미한다.In the present specification, the acidic compound used in the present specification means that 1 g of the compound is taken out of the container, 50 mL of a mixture of ion-exchanged water and tetrahydrofuran (mass ratio of water / tetrahydrofuran = 1/4) is added, Means a compound having a pH value measured at 20 캜 using a pH meter of less than 7 with stirring.

산성 화합물 (A1) 및 암모늄염 (A2)의 염기 발생 온도는, 40℃ 이상이 바람직하고, 120~200℃가 보다 바람직하다. 염기 발생 온도의 상한은, 190℃ 이하가 보다 바람직하고, 180℃ 이하가 더 바람직하며, 165℃ 이하가 한층 더 바람직하다. 염기 발생 온도의 하한은, 130℃ 이상이 더 바람직하고, 135℃ 이상이 한층 더 바람직하다.The base-generating temperature of the acidic compound (A1) and the ammonium salt (A2) is preferably 40 ° C or higher, more preferably 120-200 ° C. The upper limit of the nucleation temperature is preferably 190 占 폚 or lower, more preferably 180 占 폚 or lower, and still more preferably 165 占 폚 or lower. The lower limit of the base generation temperature is more preferably 130 ° C or higher, and still more preferably 135 ° C or higher.

산성 화합물 (A1) 및 암모늄염 (A2)의 염기 발생 온도가 120℃ 이상이면, 보존 중에 염기가 발생하기 어려우므로, 안정성이 우수한 수지 조성물을 조제할 수 있다. 산성 화합물 (A1) 및 암모늄염 (A2)의 염기 발생 온도가 200℃ 이하이면, 폴리이미드 전구체의 환화 온도를 낮게 할 수 있다. 염기 발생 온도는, 예를 들면, 시차 주사 열량 측정을 이용하여, 화합물을 내압(耐壓) 캡슐 중 5℃/분으로 250℃까지 가열하고, 가장 온도가 낮은 발열 피크의 피크 온도를 판독하여, 피크 온도를 염기 발생 온도로서 측정할 수 있다.When the base-generating temperature of the acidic compound (A1) and the ammonium salt (A2) is 120 占 폚 or higher, a base is hardly generated during storage, so that a resin composition excellent in stability can be prepared. When the base generation temperature of the acidic compound (A1) and the ammonium salt (A2) is not higher than 200 占 폚, the cyclization temperature of the polyimide precursor can be lowered. The base generation temperature can be measured, for example, by differential scanning calorimetry, by heating the compound up to 250 ° C at 5 ° C / min in pressure-resistant capsules, reading the peak temperature of the lowest exothermic peak, The peak temperature can be measured as the nucleation temperature.

열염기 발생제에 의하여 발생하는 염기는, 2급 아민 또는 3급 아민이 바람직하고, 3급 아민이 보다 바람직하다. 3급 아민은, 염기성이 높으므로, 폴리이미드 전구체의 환화 온도를 보다 낮게 할 수 있다. 또, 열염기 발생제에 의하여 발생하는 염기의 비점은, 80℃ 이상인 것이 바람직하고, 100℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 140℃ 이상인 것이 가장 바람직하다. 또, 발생하는 염기의 분자량은, 80~2000이 바람직하다. 하한은 100 이상이 보다 바람직하다. 상한은 500 이하가 보다 바람직하다. 또한, 분자량의 값은, 구조식으로부터 구한 이론값이다.The base generated by the thermal base generator is preferably a secondary amine or a tertiary amine, more preferably a tertiary amine. The tertiary amine has a high basicity, so that the cyclization temperature of the polyimide precursor can be lowered. The boiling point of the base generated by the thermal base generator is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, and most preferably 140 占 폚 or higher. The molecular weight of the generated base is preferably 80 to 2,000. The lower limit is more preferably 100 or more. The upper limit is preferably 500 or less. The molecular weight is a theoretical value obtained from the structural formula.

상기 산성 화합물 (A1)은, 암모늄염 및 후술하는 식 (A1)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.The acidic compound (A1) preferably contains at least one selected from an ammonium salt and a compound represented by the formula (A1) described below.

상기 암모늄염 (A2)는, 산성 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 상기 암모늄염 (A2)는, 40℃ 이상(바람직하게는 120~200℃)으로 가열하면 염기를 발생시키는 산성 화합물을 포함하는 화합물이어도 되고, 40℃ 이상(바람직하게는 120~200℃)으로 가열하면 염기를 발생시키는 산성 화합물 이외의 화합물이어도 된다.The ammonium salt (A2) is preferably an acidic compound. The ammonium salt (A2) may be a compound containing an acidic compound which generates a base upon heating at 40 ° C or higher (preferably 120-200 ° C), and may be a compound containing an acidic compound capable of generating a base at a temperature of 40 ° C or higher A compound other than an acidic compound which generates a base upon heating may be used.

본 발명에 있어서, 암모늄염이란, 하기 식 (101), 또는 식 (102)로 나타나는 암모늄 양이온과, 음이온과의 염을 의미한다. 음이온은, 암모늄 양이온 중 어느 일부와 공유 결합을 통하여 결합하고 있어도 되고, 암모늄 양이온의 분자 외에 있어도 되는데, 암모늄 양이온의 분자 외에 있는 것이 바람직하다. 또한, 음이온이, 암모늄 양이온의 분자 외에 있다는 것은, 암모늄 양이온과 음이온이 공유 결합을 통하여 결합하고 있지 않은 경우를 말한다. 이하, 양이온부의 분자 외의 음이온을 반대 음이온이라고도 한다.In the present invention, the ammonium salt means ammonium cations represented by the following formula (101) or (102) and salts with anions. The anion may be bonded to any part of the ammonium cations through a covalent bond or may be outside the molecule of the ammonium cation, preferably outside the molecule of the ammonium cation. Further, the presence of the anion outside the molecule of the ammonium cation means the case where the ammonium cation and the anion are not bonded through a covalent bond. Hereinafter, an anion outside the molecule of the cation portion is also referred to as a counter anion.

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure pct00029
Figure pct00029

상기 식 중, R1~R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내고, 식 R7은 탄화 수소기를 나타낸다. R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R5와 R7은 각각 결합하여 환을 형성해도 된다.In the formula, R 1 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and the formula R 7 represents a hydrocarbon group. R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , and R 5 and R 7 may combine with each other to form a ring.

본 발명에 있어서, 암모늄염은, pKa1이 0~4인 음이온과 암모늄 양이온을 갖는 것이 바람직하다. 음이온의 pKa1의 상한은, 3.5 이하가 보다 바람직하고, 3.2 이하가 더 바람직하다. 하한은, 0.5 이상이 보다 바람직하고, 1.0 이상이 더 바람직하다. 음이온의 pKa1이 상기 범위이면, 폴리이미드 전구체 등을 저온으로 환화할 수 있고, 나아가서는, 수지 조성물의 안정성을 향상시킬 수 있다. pKa1이 4 이하이면, 열염기 발생제의 안정성이 양호하고, 가열 없이 염기가 발생하는 것을 억제할 수 있으며, 수지 조성물의 안정성이 양호하다. pKa1이 0 이상이면, 발생한 염기가 중화되기 어렵고, 폴리이미드 전구체 등의 환화 효율이 양호하다.In the present invention, the ammonium salt preferably has an anion and an ammonium cation having a pKa1 of 0 to 4. The upper limit of the pKa1 of the anion is more preferably 3.5 or less, and further preferably 3.2 or less. The lower limit is more preferably 0.5 or more, and more preferably 1.0 or more. When the pKa1 of the anion is within the above range, the polyimide precursor or the like can be cyclized to a low temperature and, further, the stability of the resin composition can be improved. When the pKa1 is 4 or less, the stability of the thermal base generator is good, the generation of a base without heating can be suppressed, and the stability of the resin composition is good. When the pKa1 is 0 or more, the generated base is hardly neutralized and the cyclization efficiency of the polyimide precursor and the like is good.

음이온의 종류는, 카복실산 음이온, 페놀 음이온, 인산 음이온 및 황산 음이온으로부터 선택되는 1종이 바람직하고, 염의 안정성과 열분해성을 양립시킬 수 있다는 이유에서 카복실산 음이온이 보다 바람직하다. 즉, 암모늄염은, 암모늄 양이온과 카복실산 음이온과의 염이 보다 바람직하다.As the kind of anion, one type selected from a carboxylic acid anion, a phenol anion, a phosphoric acid anion and a sulfuric acid anion is preferable, and a carboxylic acid anion is more preferable because the salt stability and the thermal decomposition ability can be compatible. That is, the ammonium salt is more preferably a salt of an ammonium cation and a carboxylic acid anion.

카복실산 음이온은, 2개 이상의 카복실기를 갖는 2가 이상의 카복실산의 음이온이 바람직하고, 2가의 카복실산의 음이온이 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 수지 조성물의 안정성, 경화성 및 현상성을 보다 향상시킬 수 있는 열염기 발생제로 할 수 있다. 특히, 2가의 카복실산의 음이온을 이용함으로써, 수지 조성물의 안정성, 경화성 및 현상성을 보다 향상시킬 수 있다.The carboxylic acid anion is preferably an anion of a divalent or higher carboxylic acid having two or more carboxyl groups, and more preferably an anion of a divalent carboxylic acid. According to this embodiment, it is possible to provide a thermal base generating agent capable of further improving the stability, curability and developability of the resin composition. In particular, by using an anion of a divalent carboxylic acid, the stability, curability and developability of the resin composition can be further improved.

본 발명에 있어서, 카복실산 음이온은, pKa1이 4 이하인 카복실산의 음이온인 것이 바람직하다. pKa1은, 3.5 이하가 보다 바람직하고, 3.2 이하가 더 바람직하다. 이 양태에 의하면, 수지 조성물의 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.In the present invention, the carboxylic acid anion is preferably an anion of a carboxylic acid having a pKa1 of 4 or less. The pKa1 is more preferably 3.5 or less, and more preferably 3.2 or less. According to this embodiment, the stability of the resin composition can be further improved.

여기에서 pKa1이란, 산의 제1 해리 상수의 역수의 대수를 나타내고, Determination of Organic Structures by Physical Methods(저자: Brown, H. C., McDaniel, D. H., Hafliger, O., Nachod, F. C.; 편찬: Braude, E. A., Nachod, F. C.; Academic Press, New York, 1955)나, Data for Biochemical Research(저자: Dawson, R. M. C. et al; Oxford, Clarendon Press, 1959)에 기재된 값을 참조할 수 있다. 이들 문헌에 기재가 없는 화합물에 대해서는, ACD/pKa(ACD/Labs제)의 소프트웨어를 이용하여 구조식으로부터 산출한 값을 이용하는 것으로 한다.Here, pKa1 represents the logarithm of the reciprocal of the first dissociation constant of the acid, and is determined by Determination of Organic Structures by Physical Methods (by Brown, HC, McDaniel, DH, Hafliger, O., Nachod, FC; , Nachod, FC; Academic Press, New York, 1955) or Data for Biochemical Research (Dawson, RMC et al; Oxford, Clarendon Press, 1959). For the compound not described in these documents, the value calculated from the structural formula using the software of ACD / pKa (ACD / Labs) is used.

본 발명에 있어서, 카복실산 음이온은, 하기 식 (X1)로 나타나는 것이 바람직하다.In the present invention, the carboxylic acid anion is preferably represented by the following formula (X1).

[화학식 30](30)

Figure pct00030
Figure pct00030

식 (X1)에 있어서, EWG는, 전자 구인성기를 나타낸다.In the formula (X1), EWG represents an electron-attracting group.

본 발명에 있어서 전자 구인성기란, 하메트의 치환기 상수 σm이 정(正)의 값을 나타내는 것을 의미한다. 여기에서 σm은, 쓰노 유호(TSUNO YOHO)에 의한 총설, 일본 유기 합성 화학 협회지 제23권 제8호(1965) P. 631-642에 자세하게 설명되어 있다. 또한, 본 발명의 전자 구인성기는, 상기 문헌에 기재된 치환기에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the electron attractive group means that the substituent constant σm of Hammett shows a positive value. Here, σm is explained in detail by TSUNO YOHO, Journal of the Organic Chemistry of Japan, Vol. 23, No. 8 (1965), pp. 631-642. The electron donating group of the present invention is not limited to the substituents described in the above documents.

σm이 정의 값을 나타내는 치환기의 예로서는, 예를 들면, CF3기(σm=0.43), CF3CO기(σm=0.63), HC≡C기(σm=0.21), CH2=CH기(σm=0.06), Ac기(σm=0.38), MeOCO기(σm=0.37), MeCOCH=CH기(σm=0.21), PhCO기(σm=0.34), H2NCOCH2기(σm=0.06) 등을 들 수 있다. 또한, Me는 메틸기를 나타내고, Ac는 아세틸기를 나타내며, Ph는 페닐기를 나타낸다.Examples of the substituent whose σm represents a positive value include CF 3 group (σm = 0.43), CF 3 CO group (σm = 0.63), HC≡C group (σm = 0.21), CH 2 ═CH group = 0.06), Ac group (σm = 0.38), MeOCO group (σm = 0.37), MeCOCH═CH group (σm = 0.21), PhCO group (σm = 0.34), H 2 NCOCH 2 group . Me represents a methyl group, Ac represents an acetyl group, and Ph represents a phenyl group.

본 발명에 있어서, EWG는, 하기 식 (EWG-1)~(EWG-6)으로 나타나는 기인 것이 바람직하다.In the present invention, the EWG is preferably a group represented by the following formulas (EWG-1) to (EWG-6).

[화학식 31](31)

Figure pct00031
Figure pct00031

식 중, Rx1~Rx3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 수산기 또는 카복실기를 나타내고, Ar은 아릴기를 나타낸다.In the formulas, R x1 to R x3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a hydroxyl group or a carboxyl group, and Ar represents an aryl group.

본 발명에 있어서, 카복실산 음이온은, 하기 식 (X)로 나타나는 것도 바람직하다.In the present invention, the carboxylic acid anion is also preferably represented by the following formula (X).

[화학식 32](32)

Figure pct00032
Figure pct00032

식 (X)에 있어서, L10은, 단결합, 또는 알킬렌기, 알켄일렌기, 아릴렌기, -NRX- 및 이들의 조합으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타내고, RX는, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기 또는 아릴기를 나타낸다.In formula (X), L 10 represents a single bond or a divalent linking group selected from an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, -NR X - and a combination thereof, and R X represents a hydrogen atom, an alkyl group , An alkenyl group or an aryl group.

카복실산 음이온의 구체예로서는, 말레산 음이온, 프탈산 음이온, N-페닐이미노 이아세트산 음이온 및 옥살산 음이온을 들 수 있다. 이들을 바람직하게 이용할 수 있다.Specific examples of the carboxylic acid anion include maleic acid anion, phthalic acid anion, N-phenylimino acetic acid anion and oxalic acid anion. These can be preferably used.

암모늄 양이온은, 하기 일반식 (Y1-1)~(Y1-6) 중 어느 하나로 나타나는 것이 바람직하다.It is preferable that the ammonium cation is represented by any one of the following general formulas (Y1-1) to (Y1-6).

[화학식 33](33)

Figure pct00033
Figure pct00033

상기 일반식에 있어서, R101은, n가의 유기기를 나타내고,In the above general formula, R 101 represents an n-valent organic group,

R102~R111은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 탄화 수소기를 나타내며,R 102 to R 111 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group,

R150 및 R151은, 각각 독립적으로, 탄화 수소기를 나타내고,R 150 and R 151 each independently represent a hydrocarbon group,

R104와 R105, R104와 R150, R107과 R108, 및 R109와 R110은, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되며,R 104 and R 105 , R 104 and R 150 , R 107 and R 108 , and R 109 and R 110 may be bonded to each other to form a ring,

Ar101 및 Ar102는, 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고,Ar 101 and Ar 102 each independently represent an aryl group,

n은, 1 이상의 정수를 나타내며,n represents an integer of 1 or more,

m은, 0~5의 정수를 나타낸다.m represents an integer of 0 to 5;

R104와 R105, R104와 R150, R107과 R108, 및 R109와 R110은, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 환으로서는, 지방족환(비방향성의 탄화 수소환), 방향환, 복소환 등을 들 수 있다. 환은 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 상기의 기가 결합하여 환을 형성하는 경우의 연결기로서는, -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 아릴기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 들 수 있다. 형성되는 환의 구체예로서는, 예를 들면, 피롤리딘환, 피롤환, 피페리딘환, 피리딘환, 이미다졸환, 피라졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라진환, 모폴린환, 싸이아진환, 인돌환, 아이소인돌환, 벤즈이미다졸환, 퓨린환, 퀴놀린환, 아이소퀴놀린환, 퀴녹살린환, 신놀린환, 카바졸환 등을 들 수 있다.R 104 and R 105 , R 104 and R 150 , R 107 and R 108 , and R 109 and R 110 may be bonded to each other to form a ring. Examples of the ring include an aliphatic ring (non-aromatic hydrocarbon ring), an aromatic ring, and a heterocyclic ring. The ring may be monocyclic or polycyclic. Examples of the linking group in the case where the above groups are bonded to form a ring include divalent linking groups selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a divalent aryl group, and combinations thereof have. Specific examples of the ring formed include a pyrrole ring, a pyrrole ring, a piperidine ring, a pyridine ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyrazine ring, a morpholine ring, An isoindole ring, a benzimidazole ring, a purine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a cinnoline ring, a carbazole ring, and the like.

본 발명에 있어서, 암모늄 양이온은, 식 (Y1-1) 또는 식 (Y1-2)로 나타나는 구조가 바람직하고, 식 (Y1-1) 또는 식 (Y1-2)로 나타나며, R101이 아릴기인 구조가 보다 바람직하고, 식 (Y1-1)로 나타나며, R101이 아릴기인 구조가 특히 바람직하다. 즉, 본 발명에 있어서, 암모늄 양이온은, 하기 식 (Y)로 나타나는 것이 보다 바람직하다.In the present invention, the ammonium cations, will appear by the formula (Y1-1) or a group represented by the formula (Y1-2) is preferably represented by the structure, and formula (Y1-1) or a group represented by the formula (Y1-2), R 101 is an aryl group , More preferably a structure represented by formula (Y1-1), and R &lt; 101 &gt; is an aryl group is particularly preferable. That is, in the present invention, the ammonium cation is more preferably represented by the following formula (Y).

[화학식 34](34)

Figure pct00034
Figure pct00034

식 (Y) 중, Ar10은, 방향족기를 나타내고, R11~R15는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내며, R14와 R15는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, n은, 1 이상의 정수를 나타낸다.In formula (Y), Ar 10 represents an aromatic group, R 11 to R 15 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R 14 and R 15 may be bonded to each other to form a ring, n Represents an integer of 1 or more.

R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다. 탄화 수소기로서는, 특별히 한정은 없지만, 알킬기, 알켄일기 또는 아릴기가 바람직하다.R 11 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group. The hydrocarbon group is not particularly limited, but an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group is preferable.

R11 및 R12는, 수소 원자가 바람직하다.R 11 and R 12 are preferably a hydrogen atom.

R13~R15는, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다.R 13 to R 15 represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group.

탄화 수소기로서는, 상술한 R11, R12에서 설명한 탄화 수소기를 들 수 있다. R13~R15는, 특히 알킬기가 바람직하고, 바람직한 양태도 R11, R12에서 설명한 것과 동일하다.Examples of the hydrocarbon group include the hydrocarbon groups described for R 11 and R 12 described above. R 13 to R 15 are preferably an alkyl group, and preferred embodiments thereof are the same as those described in R 11 and R 12 .

R14와 R15는, 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 환으로서는, 환상 지방족(비방향성의 탄화 수소환), 방향환, 복소환 등을 들 수 있다. 환은 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. R14와 R15가 결합하여 환을 형성하는 경우의 연결기로서는, -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 들 수 있다. 형성되는 환의 구체예로서는, 예를 들면, 피롤리딘환, 피롤환, 피페리딘환, 피리딘환, 이미다졸환, 피라졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라진환, 모폴린환, 싸이아진환, 인돌환, 아이소인돌환, 벤즈이미다졸환, 퓨린환, 퀴놀린환, 아이소퀴놀린환, 퀴녹살린환, 신놀린환, 카바졸환 등을 들 수 있다.R 14 and R 15 may be bonded to each other to form a ring. Examples of the ring include a cyclic aliphatic (non-aromatic hydrocarbon ring), an aromatic ring, and a heterocyclic ring. The ring may be monocyclic or polycyclic. As a linking group when R 14 and R 15 are bonded to form a ring, a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, . Specific examples of the ring formed include a pyrrole ring, a pyrrole ring, a piperidine ring, a pyridine ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyrazine ring, a morpholine ring, An isoindole ring, a benzimidazole ring, a purine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a cinnoline ring, a carbazole ring, and the like.

R13~R15는, R14와 R15가 서로 결합하여 환을 형성하고 있거나, 혹은 R13이, 탄소수 5~30(보다 바람직하게는 탄소수 6~18)의 직쇄 알킬기이며, R14 및 R15가, 각각 독립적으로 탄소수 1~3(보다 바람직하게는 탄소수 1 또는 2)의 알킬기인 것이 바람직하다. 이 양태에 의하면, 비점이 높은 아민종을 발생시키기 쉽게 할 수 있다.R 13 ~ R 15 is, R 14 and R 15 is either to form a ring by combining to each other, or R 13 is, (preferably having a carbon number of 6 to 18 more), with a straight chain alkyl group having 5 ~ 30, R 14 and R 15 are each independently an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms (more preferably 1 or 2 carbon atoms). According to this embodiment, it is possible to easily generate an amine species having a high boiling point.

또, 발생하는 아민종의 염기성이나 비점의 관점에서, R13과 R14와 R15의 탄소 원자의 총수가 7~30인 것이 바람직하고, 10~20인 것이 보다 바람직하다.The total number of carbon atoms of R 13 , R 14 and R 15 is preferably 7 to 30, more preferably 10 to 20, from the viewpoints of the basicity or boiling point of the generated amine species.

또, 비점이 높은 아민종을 발생시키기 쉽다는 이유에서, 식 (Y)에 있어서의 "-NR13R14R15"의 화학식량은, 80~2000이 바람직하고, 100~500이 보다 바람직하다.Further, for the reason that amine species having high boiling points are easily generated, the formula weight of "-NR 13 R 14 R 15 " in formula (Y) is preferably 80 to 2000, more preferably 100 to 500 .

또, 구리 등의 금속층과의 밀착성을 보다 향상시키기 위한 실시형태로서, 식 (Y)에 있어서, R13 및 R14가 메틸기 또는 에틸기이며, R15가 탄소수 5 이상의 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기이거나, 아릴기인 형태를 들 수 있다. R13 및 R14가 메틸기이고, R15가 탄소수 5~20의 직쇄 알킬기, 탄소수 6~17의 분기 알킬기, 탄소수 6~10의 환상 알킬기 또는 페닐기인 것이 바람직하며, R13 및 R14가 메틸기이고, R15가 탄소수 5~10의 직쇄 알킬기, 탄소수 6~10의 분기 알킬기, 탄소수 6~8의 환상 알킬기 또는 페닐기인 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 아민종의 소수성을 낮춤으로써, 구리 등의 금속층 상에 아민이 부착된 경우이더라도, 금속층과 폴리이미드 등과의 친화성을 높일 수 있다.As an embodiment for further improving the adhesion with a metal layer such as copper, it is preferable that R 13 and R 14 in the formula (Y) are a methyl group or an ethyl group and R 15 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 5 or more carbon atoms , And an aryl group. R 13 and R 14 are methyl groups and R 15 is a linear alkyl group having 5 to 20 carbon atoms, a branched alkyl group having 6 to 17 carbon atoms, a cyclic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms or a phenyl group, and R 13 and R 14 are methyl groups , R 15 is a straight-chain alkyl group having 5 to 10 carbon atoms, a branched alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, a cyclic alkyl group having 6 to 8 carbon atoms, or a phenyl group. By lowering the hydrophobicity of the amine species in this manner, the affinity between the metal layer and the polyimide or the like can be increased even when the amine is adhered to the metal layer such as copper.

본 발명에 있어서, 산성 화합물은, 하기 식 (A1)로 나타나는 화합물인 것도 바람직하다. 이 화합물은, 실온에서는 산성이지만, 가열에 의하여, 카복실기가 탈탄산 또는, 탈수환화되어 상실됨으로써, 그때까지 중화되어 불활성화되고 있었던 아민 부위가 활성이 됨으로써, 염기성이 된다. 이하, 식 (A1)에 대하여 설명한다.In the present invention, it is also preferable that the acidic compound is a compound represented by the following formula (A1). This compound is acidic at room temperature, but the carboxyl group is lost by decarbonation or dehydration cyclization due to heating, so that the neutralized and inactivated amine moiety becomes active to become basic. Hereinafter, Formula (A1) will be described.

식 (A1)The formula (A1)

[화학식 35](35)

Figure pct00035
Figure pct00035

식 (A1)에 있어서, A1은 p가의 유기기를 나타내고, R1은 1가의 유기기를 나타내며, L1은 (m+1)가의 연결기를 나타내고, m은 1 이상의 정수를 나타내며, p는 1 이상의 정수를 나타낸다.In formula (A1), A 1 represents an organic group of p, R 1 represents a monovalent organic group, L 1 represents an (m + 1) -valent linking group, m represents an integer of 1 or more, Represents an integer.

식 (A1) 중, A1은 p가의 유기기를 나타낸다. 유기기로서는, 지방족기, 방향족기 등을 들 수 있고, 방향족기가 바람직하다. A1을 방향족기로 함으로써, 보다 저온에서, 비점이 높은 염기를 발생하기 쉽게 할 수 있다. 발생하는 염기의 비점을 높게 함으로써, 폴리이미드 전구체의 경화 시의 가열에 의한 휘발 또는 분해를 억제하고, 폴리이미드 전구체의 환화를 보다 효과적으로 진행시킬 수 있다.In the formula (A1), A 1 represents an organic group of p. Examples of the organic group include an aliphatic group and an aromatic group, and an aromatic group is preferable. By making A 1 an aromatic group, it is easy to generate a base having a high boiling point at a lower temperature. By increasing the boiling point of the generated base, volatilization or decomposition due to heating at the time of curing of the polyimide precursor can be suppressed and the cyclization of the polyimide precursor can proceed more effectively.

1가의 지방족기로서는, 예를 들면, 알킬기, 알켄일기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent aliphatic group include an alkyl group and an alkenyl group.

알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알킬기는 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 무치환이어도 된다. 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, tert-뷰틸기, 도데실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and even more preferably from 1 to 10. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. The alkyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, tert-butyl, dodecyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl and adamantyl.

알켄일기의 탄소수는, 2~30이 바람직하고, 2~20이 보다 바람직하며, 2~10이 더 바람직하다. 알켄일기는 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 알켄일기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 무치환이어도 된다. 알켄일기로서는, 바이닐기, (메트)알릴기 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alkenyl group is preferably from 2 to 30, more preferably from 2 to 20, and even more preferably from 2 to 10. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic. The alkenyl group may have a substituent or may be unsubstituted. Examples of the alkenyl group include a vinyl group and a (meth) allyl group.

2가 이상의 지방족기로서는, 상기의 1가의 지방족기로부터 수소 원자를 1개 이상 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the divalent or higher valent aliphatic group include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from the above monovalent aliphatic groups.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기는, 헤테로 원자를 포함하는 방향족 복소환기여도 된다. 방향족기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 무치환이어도 된다. 무치환이 바람직하다. 방향족기의 구체예로서는, 벤젠환기, 나프탈렌환기, 펜탈렌환기, 인덴환기, 아줄렌환기, 헵탈렌환기, 인다센환기, 페릴렌환기, 펜타센환기, 아세나프텐환기, 페난트렌환기, 안트라센환기, 나프타센환기, 크리센환기, 트라이페닐렌환기, 플루오렌환기, 바이페닐환기, 피롤환기, 퓨란환기, 싸이오펜환기, 이미다졸환기, 옥사졸환기, 싸이아졸환기, 피리딘환기, 피라진환기, 피리미딘환기, 피리다진환기, 인돌리진환기, 인돌환기, 벤조퓨란환기, 벤조싸이오펜환기, 아이소벤조퓨란환기, 퀴놀리진환기, 퀴놀린환기, 프탈라진환기, 나프티리딘환기, 퀴녹살린환기, 퀴녹사졸린환기, 아이소퀴놀린환기, 카바졸환기, 페난트리딘환기, 아크리딘환기, 페난트롤린환기, 싸이안트렌환기, 크로멘환기, 잔텐환기, 페녹사싸이인환기, 페노싸이아진환기, 및 페나진환기를 들 수 있고, 벤젠환기가 가장 바람직하다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The aromatic group may be an aromatic heterocyclic group containing a hetero atom. The aromatic group may have a substituent or may be unsubstituted. Non-substitution is preferred. Specific examples of the aromatic group include a benzene ring, a naphthalene ring, a pentalene ring, an indene ring, an azulene ring, an heptalene ring, an indacene ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acenaphthene ring, a phenanthrene ring, A thiophene ring, a thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a pyrazole ring, A benzothiophene ring, an isobenzofuran ring, an isobenzofuran ring, a quinolizine ring, a quinoline ring, a phthalazine ring, a naphthyridine ring, a quinoxaline ring, a quinoxaline ring, a quinoxaline ring, a pyrazine ring, an indolizine ring, A phenanthridine ring group, a phenanthroline ring group, a phenanthroline ring group, a thianthrene ring group, a cyanene ring group, a zircon ring ring, a phenoxathiine ring group, a phenothiazine ring group, and Phena retarder And benzene ventilation is most preferred.

방향족기는, 복수의 방향환이, 단결합 또는 후술하는 연결기를 통하여 연결되어 있어도 된다. 연결기로서는, 예를 들면, 알킬렌기가 바람직하다. 알킬렌기는, 직쇄, 분기 모두 바람직하다. 복수의 방향환이 단결합 또는 연결기를 통하여 연결된 기의 구체예로서는, 바이페닐기, 다이페닐메테인기, 다이페닐프로페인기, 다이페닐아이소프로페인기, 트라이페닐메테인기, 테트라페닐메테인기 등을 들 수 있다.The aromatic group may be connected through a plurality of aromatic rings, a single bond or a linking group described below. As the linking group, for example, an alkylene group is preferable. The alkylene group is preferably both straight-chain and branched. Specific examples of groups in which a plurality of aromatic rings are connected through a single bond or a linking group include a biphenyl group, a diphenylmethane group, a diphenylpropene group, a diphenyl isopropenyl group, a triphenylmethane group, a tetraphenylmethane group, etc. have.

A1이 나타내는 유기기가 갖고 있어도 되는 치환기의 예로서는, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자 및 아이오딘 원자 등의 할로젠 원자; 메톡시기, 에톡시기 및 tert-뷰톡시기 등의 알콕시기; 페녹시기 및 p-톨릴옥시기 등의 아릴옥시기; 메톡시카보닐기 및 뷰톡시카보닐기 등의 알콕시카보닐기; 페녹시카보닐기 등의 아릴옥시카보닐기; 아세톡시기, 프로피온일옥시기 및 벤조일옥시기 등의 아실옥시기; 아세틸기, 벤조일기, 아이소뷰티릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 메톡살일기 등의 아실기; 메틸설판일기 및 tert-뷰틸설판일기 등의 알킬설판일기; 페닐설판일기 및 p-톨릴설판일기 등의 아릴설판일기; 메틸기, 에틸기, tert-뷰틸기 및 도데실기 등의 알킬기; 불화 알킬기 등의 할로젠화 알킬기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 아다만틸기 등의 사이클로알킬기; 페닐기, p-톨릴기, 자일릴기, 큐멘일기, 나프틸기, 안트릴기 및 페난트릴기 등의 아릴기; 수산기; 카복실기; 폼일기; 설포기; 사이아노기; 알킬아미노카보닐기; 아릴아미노카보닐기; 설폰아마이드기; 실릴기; 아미노기; 모노알킬아미노기; 다이알킬아미노기; 아릴아미노기; 다이아릴아미노기; 싸이옥시기; 또는 이들의 조합을 들 수 있다.Examples of the substituent which the organic group represented by A 1 may have include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom; An alkoxy group such as methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group; An aryloxy group such as a phenoxy group and a p-tolyloxy group; Alkoxycarbonyl groups such as a methoxycarbonyl group and a butoxycarbonyl group; An aryloxycarbonyl group such as a phenoxycarbonyl group and the like; An acyloxy group such as acetoxy group, propionyloxy group and benzoyloxy group; An acyl group such as acetyl group, benzoyl group, isobutyryl group, acryloyl group, methacryloyl group and methoxyl group; Alkylsulfanyl groups such as methylsulfanyl group and tert-butylsulfanyl group; Arylsulfanyl groups such as phenylsulfanyl group and p-tolylsulfanyl group; Alkyl groups such as methyl group, ethyl group, tert-butyl group and dodecyl group; Halogenated alkyl groups such as fluorinated alkyl groups; Cycloalkyl groups such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group and adamantyl group; An aryl group such as a phenyl group, a p-tolyl group, a xylyl group, a cumene group, a naphthyl group, an anthryl group and a phenanthryl group; A hydroxyl group; A carboxyl group; Form Diary; A sulfo group; Cyano; An alkylaminocarbonyl group; An arylaminocarbonyl group; Sulfonamide group; Silyl group; An amino group; Monoalkylamino groups; A dialkylamino group; An arylamino group; Diarylamino group; A cyoxy group; Or a combination thereof.

L1은 (m+1)가의 연결기를 나타낸다. 연결기로서는 특별히 한정되지 않고, -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, 알킬렌기(바람직하게는 탄소수 1~10의 직쇄 또는 분기 알킬렌기), 사이클로알킬렌기(바람직하게는 탄소수 3~10의 사이클로알킬렌기), 알켄일렌기(바람직하게는 탄소수 210의 직쇄 또는 분기 알켄일렌기), 또는 이들의 복수가 연결된 연결기 등을 들 수 있다. 연결기의 총 탄소수는, 3 이하가 바람직하다. 연결기는, 알킬렌기, 사이클로알킬렌기, 알켄일렌기가 바람직하고, 직쇄 또는 분기 알킬렌기가 보다 바람직하며, 직쇄 알킬렌기가 더 바람직하고, 에틸렌기 또는 메틸렌기가 특히 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다.L 1 represents an (m + 1) -valent linking group. The linking group is not particularly limited and is preferably -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, an alkylene group (preferably a linear or branched An alkylene group), a cycloalkylene group (preferably a cycloalkylene group having 3 to 10 carbon atoms), an alkenylene group (preferably a straight-chain or branched alkenylene group having a carbon number of 210) have. The total carbon number of the linking group is preferably 3 or less. The linking group is preferably an alkylene group, a cycloalkylene group or an alkenylene group, more preferably a straight chain or branched alkylene group, more preferably a straight chain alkylene group, particularly preferably an ethylene group or a methylene group, and most preferably a methylene group.

R1은 1가의 유기기를 나타낸다. 1가의 유기기로서는, 지방족기, 방향족기 등을 들 수 있다. 지방족기, 방향족기에 대해서는, 상술한 A1에서 설명한 것을 들 수 있다. R1이 나타내는 1가의 유기기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 상술한 것을 들 수 있다.R 1 represents a monovalent organic group. Examples of monovalent organic groups include an aliphatic group and an aromatic group. The aliphatic group and the aromatic group may be those described in A 1 above. The monovalent organic group represented by R 1 may have a substituent. As the substituent, those described above may be mentioned.

R1은, 카복실기를 갖는 기인 것이 바람직하다. 즉, R1은, 하기 식으로 나타나는 기가 바람직하다.R 1 is preferably a group having a carboxyl group. That is, R 1 is preferably a group represented by the following formula.

-L2-(COOH)n -L 2 - (COOH) n

식 중, L2는 (n+1)가의 연결기를 나타내고, n은 1 이상의 정수를 나타낸다.L 2 represents an (n + 1) linking group, and n represents an integer of 1 or more.

L2가 나타내는 연결기는, 상술한 L1에서 설명한 기를 들 수 있고, 바람직한 범위도 동일하며, 에틸렌기 또는 메틸렌기가 특히 바람직하고, 메틸렌기가 가장 바람직하다.The linking group represented by L 2 includes the groups described in the above-mentioned L 1 , and the preferable range is also the same. An ethylene group or a methylene group is particularly preferable, and a methylene group is most preferable.

n은 1 이상의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 보다 바람직하다. n의 상한은, L2가 나타내는 연결기가 취할 수 있는 치환기의 최대 수이다. n이 1이면, 200℃ 이하의 가열에 의하여, 비점이 높은 3급 아민을 발생시키기 쉽다. 나아가서는, 수지 조성물의 안정성을 향상시킬 수 있다.n represents an integer of 1 or more, preferably 1 or 2, and more preferably 1. The upper limit of n is the maximum number of substituents that the linking group represented by L 2 can take. When n is 1, it is likely to generate a tertiary amine having a high boiling point by heating at 200 DEG C or less. Further, the stability of the resin composition can be improved.

m은 1 이상의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 보다 바람직하다. m의 상한은, L1이 나타내는 연결기가 취할 수 있는 치환기의 최대 수이다. m이 1이면, 200℃ 이하의 가열에 의하여, 비점이 높은 3급 아민을 발생시키기 쉽다. 나아가서는, 수지 조성물의 안정성을 향상시킬 수 있다.m represents an integer of 1 or more, preferably 1 or 2, and more preferably 1. The upper limit of m is the maximum number of substituents that the linking group represented by L 1 can take. m is 1, it is easy to generate a tertiary amine having a high boiling point by heating at 200 DEG C or less. Further, the stability of the resin composition can be improved.

p는, 1 이상의 정수를 나타내고, 1 또는 2가 바람직하며, 1이 보다 바람직하다. p의 상한은, A1이 나타내는 유기기가 취할 수 있는 치환기의 최대 수이다. p가 1이면, 200℃ 이하의 가열에 의하여, 비점이 높은 3급 아민을 발생시키기 쉽다.p represents an integer of 1 or more, preferably 1 or 2, and more preferably 1. The upper limit of p is the maximum number of substituents that the organic group represented by A 1 can take. When p is 1, it is easy to generate a tertiary amine having a high boiling point by heating at 200 DEG C or less.

본 발명에 있어서, 식 (A1)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (1a)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.In the present invention, the compound represented by the formula (A1) is preferably a compound represented by the following formula (1a).

[화학식 36](36)

Figure pct00036
Figure pct00036

식 (1a) 중, A1은 p가의 유기기를 나타내고, L1은 (m+1)가의 연결기를 나타내며, L2는 (n+1)가의 연결기를 나타내고, m은 1 이상의 정수를 나타내며, n은 1 이상의 정수를 나타내고, p는 1 이상의 정수를 나타낸다.In formula (1a), A 1 represents an organic group of p, L 1 represents a linking group of (m + 1), L 2 represents a linking group of (n + 1), m represents an integer of 1 or more, n Represents an integer of 1 or more, and p represents an integer of 1 or more.

일반식 (1a)의 A1, L1, L2, m, n 및 p는, 일반식 (A1)에서 설명한 범위와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.A 1 , L 1 , L 2 , m, n and p in the general formula (1a) are in agreement with the ranges described in the general formula (A1), and preferable ranges are also the same.

본 발명에 있어서, 식 (A1)로 나타나는 화합물은, N-아릴이미노 이아세트산인 것이 바람직하다. N-아릴이미노 이아세트산은, 일반식 (A1)에 있어서의 A1이 방향족기이고, L1 및 L2가 메틸렌기이며, m이 1이고, n이 1이며, p가 1인 화합물이다. N-아릴이미노 이아세트산은, 120~200℃에서, 비점이 높은 3급 아민을 발생시키기 쉽다.In the present invention, it is preferable that the compound represented by the formula (A1) is N-aryliminioacetic acid. N-arylimino acetic acid is a compound wherein A 1 in general formula (A1) is an aromatic group, L 1 and L 2 are methylene groups, m is 1, n is 1, and p is 1 . N-arylimino acetic acid is liable to generate a tertiary amine having a high boiling point at 120 to 200 占 폚.

이하에, 열염기 발생제의 구체예를 기재하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들은, 각각 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 이용할 수 있다. 이하의 식 중에 있어서의 Me는, 메틸기를 나타낸다. 이하에 나타내는 화합물 중, (A-1)~(A-11), (A-18), (A-19)가, 상기 식 (A1)로 나타나는 화합물이다. 이하에 나타내는 화합물 중, (A-1)~(A-11), (A-18)~(A-26)이 보다 바람직하고, (A-1)~(A-9), (A-18)~(A-21), (A-23), (A-24)가 더 바람직하다.Specific examples of the thermal base generator will be described below, but the present invention is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more. Me in the following formula represents a methyl group. Among the compounds shown below, (A-1) to (A-11), (A-18) and (A-19) are compounds represented by the formula (A1). Among the compounds shown below, (A-1) to (A-11), (A-18) ) To (A-21), (A-23), and (A-24).

[표 1][Table 1]

Figure pct00037
Figure pct00037

[표 2][Table 2]

Figure pct00038
Figure pct00038

[표 3][Table 3]

Figure pct00039
Figure pct00039

[표 4][Table 4]

Figure pct00040
Figure pct00040

[표 5][Table 5]

Figure pct00041
Figure pct00041

본 발명에서 이용하는 열염기 발생제로서는, 일본 특허출원 2015-034388호의 단락 번호 0015~0055에 기재된 화합물도 바람직하게 이용되고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As the thermal base generator used in the present invention, the compounds described in paragraphs 0015 to 0055 of Japanese Patent Application No. 2015-034388 are also preferably used, and these contents are incorporated herein by reference.

열염기 발생제를 이용하는 경우, 수지 조성물에 있어서의 열염기 발생제의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다. 하한은, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하고, 1질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이하가 더 바람직하다.When a thermal base generator is used, the content of the thermal base generating agent in the resin composition is preferably from 0.1 to 50 mass% based on the total solid content of the resin composition. The lower limit is more preferably 0.5% by mass or more, and further preferably 1% by mass or more. The upper limit is more preferably 30 mass% or less, and still more preferably 20 mass% or less.

열염기 발생제는, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The thermal base generator may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are used, it is preferable that the total amount is in the above range.

<<열라디칼 중합 개시제>><< Thermal radical polymerization initiator >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 열라디칼 중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 열라디칼 중합 개시제로서는, 공지의 열라디칼 중합 개시제를 이용할 수 있다. 열라디칼 중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생시키고, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 중합 개시제를 첨가함으로써, 폴리이미드 전구체의 환화 반응을 진행시킬 때에, 중합성 화합물의 중합 반응을 진행시킬 수 있다. 또, 폴리이미드 전구체가 라디칼 중합성기를 포함하는 경우는, 폴리이미드 전구체의 환화와 함께, 폴리이미드 전구체의 중합 반응을 진행시킬 수도 있으므로, 보다 고내열화를 달성할 수 있게 된다.The resin composition of the present invention may contain a thermal radical polymerization initiator. As the thermal radical polymerization initiator, a known thermal radical polymerization initiator can be used. The thermal radical polymerization initiator is a compound that generates radicals by the energy of heat and initiates or promotes the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding the thermal radical polymerization initiator, the polymerization reaction of the polymerizable compound can be promoted when the cyclization reaction of the polyimide precursor is promoted. In the case where the polyimide precursor contains a radical polymerizable group, the polymerization reaction of the polyimide precursor can be advanced together with the cyclization of the polyimide precursor, so that higher intrinsic deterioration can be achieved.

열라디칼 중합 개시제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 과산화물, 싸이오 화합물, 헥사아릴바이이미다졸 화합물, 케톡심에스터 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스터 화합물, 탄소 할로젠 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 과산화물 또는 아조계 화합물이 보다 바람직하고, 과산화물이 특히 바람직하다.Examples of the thermal radical polymerization initiator include aromatic ketones such as aromatic ketones, onium salts, peroxides, thio compounds, hexaaryl bimidazole compounds, ketoxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, A compound having a bond, and an azo-based compound. Among them, a peroxide or an azo-based compound is more preferable, and a peroxide is particularly preferable.

본 발명에서 이용하는 열라디칼 중합 개시제는, 10시간 반감기 온도가 90~130℃인 것이 바람직하고, 100~120℃인 것이 보다 바람직하다.The thermal radical polymerization initiator used in the present invention preferably has a 10-hour half-life temperature of 90 to 130 캜, more preferably 100 to 120 캜.

구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-063554호의 단락 번호 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.Specifically, the compounds described in paragraphs 0074 to 0118 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-063554 can be mentioned.

시판품에서는, 퍼뷰틸 Z 및 퍼큐밀 D(니치유(주)제)를 적합하게 이용할 수 있다.In commercial products, perbutyl Z and percumyl D (manufactured by Nichiyu K.K.) can be suitably used.

수지 조성물이 열라디칼 중합 개시제를 함유하는 경우, 열라디칼 중합 개시제의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1~50질량%가 바람직하고, 0.1~30질량%가 보다 바람직하며, 0.1~20질량%가 특히 바람직하다. 또, 중합성 화합물 100질량부에 대하여, 열라디칼 중합 개시제를 0.1~50질량부 포함하는 것이 바람직하고, 0.5~30질량부 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 보다 내열성이 우수한 경화막을 형성하기 쉽다. 열라디칼 중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 열라디칼 중합 개시제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the resin composition contains a thermal radical polymerization initiator, the content of the thermal radical polymerization initiator is preferably from 0.1 to 50% by mass, more preferably from 0.1 to 30% by mass, more preferably from 0.1 to 20% by mass based on the total solid content of the resin composition % Is particularly preferable. It is preferable that the thermal radical polymerization initiator is contained in an amount of 0.1 to 50 parts by mass, more preferably 0.5 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymerizable compound. According to this embodiment, it is easy to form a cured film excellent in heat resistance. The thermal radical polymerization initiator may be either one kind or two or more kinds. When two or more thermal radical polymerization initiators are used, the total amount is preferably in the above range.

<<방청제>><< Anti-rust >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물에는, 방청제를 함유하는 것이 바람직하다. 수지 조성물이 방청제를 포함함으로써, 금속층(금속 배선) 유래의 금속 이온이 수지 조성물층 내로 이동하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 방청제로서는, 일본 공개특허공보 2013-015701호의 단락 0094에 기재된 방청제, 일본 공개특허공보 2009-283711호의 단락 0073~0076에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2011-059656호의 단락 0052에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2012-194520호의 단락 0114, 0116 및 0118에 기재된 화합물 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 복소환(피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라졸환, 아이소옥사졸환, 아이소싸이아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환, 2H-피란환 및 6H-피란환, 트라이아진환)을 갖는 화합물, 싸이오 요소류 및 머캅토기를 갖는 화합물, 힌더드 페놀계 화합물, 살리실산 유도체계 화합물, 하이드라자이드 유도체계 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 트라이아졸, 벤조트라이아졸 등의 트라이아졸계 화합물, 테트라졸, 벤조테트라졸 등의 테트라졸계 화합물이 바람직하고, 1,2,4-트라이아졸, 1,2,3-벤조트라이아졸, 5-메틸-1H-벤조트라이아졸, 1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸이 보다 바람직하며, 1H-테트라졸이 가장 바람직하다. 시판품으로서는, KEMITEC BT-C(케미프로 가세이(주)제, 1,2,3-벤조트라이아졸), 1HT(도요보(주)제, 1H-테트라졸), P5T(도요보(주)제, 5-페닐-1H-테트라졸) 등을 들 수 있다.The resin composition of the present invention preferably contains a rust inhibitor. By including the rust inhibitor in the resin composition, migration of metal ions derived from the metal layer (metal wiring) into the resin composition layer can be effectively suppressed. Examples of the antirusting agent include the antirust agent described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-015701 paragraph 0094, the compound described in paragraphs 0073 to 0076 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-283711, the compound described in paragraph 0052 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-059656, Compounds described in paragraphs 0114, 0116 and 0118 of the publication No. 2012-194520, and the like can be used. Specifically, there may be mentioned heterocyclic rings (pyrrole rings, furan rings, thiophen rings, imidazole rings, oxazole rings, thiazole rings, pyrazole rings, isoxazole rings, isothiazole rings, tetrazole rings, pyridine rings, , A compound having a thiourea group and a mercapto group, a compound having a mercapto group, a compound having a thiourea group and a mercapto group, a compound having a thiourea group and a mercapto group, a compound having a thiourea group, a pyrazine ring, a piperidine ring, Dodephenol compounds, salicylic acid derivative compounds, and hydrazide derivative compounds. Among them, preferred are triazole-based compounds such as triazole and benzotriazole, and tetrazole compounds such as tetrazole and benzotetrazole, and 1,2,4-triazole, 1,2,3-benzotriazole, Tetrazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole and 5-phenyl-1H-tetrazole are more preferable and 1H-tetrazole is most preferable. Commercially available products include KEMITEC BT-C (1,2,3-benzotriazole), 1HT (manufactured by Toyobo Co., Ltd., 1H-tetrazole), P5T (manufactured by Toyobo Co., , 5-phenyl-1H-tetrazole), and the like.

수지 조성물이 방청제를 함유하는 경우, 방청제의 함유량은 수지 100질량부에 대하여 0.1~10질량부가 바람직하고, 0.2~5질량부가 보다 바람직하다. 방청제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the resin composition contains a rust inhibitor, the content of the rust preventive is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.2 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the resin. The rust inhibitor may be of only one type, or may be two or more types. When two or more kinds are used, the total is preferably in the above range.

<<실레인 커플링제>&Lt; Silane coupling agent &gt;

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 전극이나 배선 등에 이용되는 금속 재료와의 접착성을 향상시키기 위하여 실레인 커플링제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 실레인 커플링제의 예로서는, 일본 공개특허공보 2014-191002호의 단락 0062~0073에 기재된 화합물, 국제 공개공보 WO2011/080992A1호의 단락 0063~0071에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191252호의 단락 0060~0061에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-041264호의 단락 0045~0052에 기재된 화합물, 국제 공개공보 WO2014/097594호의 단락 0055에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2011-128358호의 단락 0050~0058에 기재된 바와 같이 다른 2종 이상의 실레인 커플링제를 이용하는 것도 바람직하다. 또, 실레인 커플링제는, 2-((3-(트라이에톡시실릴)프로필)카바모일)벤조산, 트라이에톡시실릴프로필말레아미드산, 하기 화합물을 이용하는 것도 바람직하다. 이하의 식 중, Et는 에틸기를 나타낸다. 시판품으로서는, KBM-602(신에쓰 가가쿠 고교(주)제, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인) 등을 이용할 수도 있다.It is preferable that the resin composition of the present invention contains a silane coupling agent in order to improve the adhesiveness with a metal material used for electrodes, wiring, and the like. Examples of silane coupling agents include compounds described in paragraphs 0062 to 0073 of JP-A-2014-191002, compounds described in paragraphs 0063 to 0071 of WO2011 / 080992A1, paragraphs 0060 to 0061 of JP-A-2014-191252 , Compounds described in paragraphs 0045 to 0052 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-041264, and compounds described in paragraph 0055 of International Publication No. WO2014 / 097594. It is also preferable to use two or more other silane coupling agents as described in paragraphs 0050 to 0058 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-128358. Further, as the silane coupling agent, it is also preferable to use 2 - ((3- (triethoxysilyl) propyl) carbamoyl) benzoic acid, triethoxysilylpropylmaleamic acid, the following compounds. In the following formula, Et represents an ethyl group. As a commercially available product, KBM-602 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane) may be used.

[화학식 37](37)

Figure pct00042
Figure pct00042

실레인 커플링제는 수지 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1~30질량부이며, 더 바람직하게는 0.5~15질량부의 범위이다. 실레인 커플링제의 함유량을 0.1질량부 이상으로 함으로써 얻어지는 막의 금속층과의 접착성이 양호해지고, 실레인 커플링제의 함유량을 30질량부 이하로 함으로써 얻어지는 막의 내열성, 기계 특성이 양호해진다. 실레인 커플링제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The amount of the silane coupling agent is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.5 to 15 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin. When the content of the silane coupling agent is 0.1 part by mass or more, adhesion of the obtained film to the metal layer becomes good, and when the content of the silane coupling agent is 30 parts by mass or less, the heat resistance and mechanical properties of the obtained film become good. The silane coupling agent may be only one kind, or two or more kinds. When two or more kinds are used, the total is preferably in the above range.

<<용제>><< Solvent >>

본 발명에 있어서, 수지 조성물을 도포에 의하여 층 형상으로 하는 경우, 수지 조성물에 용제를 배합하는 것이 바람직하다. 용제로서는, 공지의 용제를 임의로 사용할 수 있다. 예를 들면, 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화 수소류, 설폭사이드류 등의 화합물을 들 수 있다.In the present invention, when the resin composition is formed into a layer shape by coating, it is preferable to add a solvent to the resin composition. As the solvent, a known solvent can be arbitrarily used. Examples thereof include compounds such as esters, ethers, ketones, aromatic hydrocarbons, sulfoxides and the like.

에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸,γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예를 들면, 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등을 적합하게 들 수 있다.Examples of the esters include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ? -caprolactone,? -valerolactone, alkyloxyacetate alkyl (for example, alkyloxyacetate, alkyloxyacetate, alkyloxyacetate (for example, methyl methoxyacetate, (For example, methyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate (for example, ethyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, etc.) For example, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate), 2-alkyloxypropionic acid Alkyl esters such as methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-alkyloxypropionate, Ethoxypropionate), methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate and ethyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate (for example, 2-methoxypropionic acid ethyl ester, Methyl propionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate and the like), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, Ethyl, and the like.

에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등을 적합하게 들 수 있다.Examples of ethers include diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve Acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate , Propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and the like.

케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등을 적합하게 들 수 있다.Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone and the like.

방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등을 적합하게 들 수 있다.As the aromatic hydrocarbon, for example, toluene, xylene, anisole, limonene and the like are suitably used.

설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드 등을 적합하게 들 수 있다.And dimethyl sulfoxide as the sulfoxide side-chain.

용제는, 도포면 성상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다. 그 중에서도, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이 바람직하다. 다이메틸설폭사이드와 γ-뷰티로락톤과의 병용이 특히 바람직하다.The solvent is preferably a mixture of two or more kinds from the viewpoint of improving the surface properties of the coated surface. Among them, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethylcellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, , Cyclohexanone, cyclopentanone, gamma-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate A mixed solution composed of two or more kinds is preferable. The combination of dimethyl sulfoxide and? -Butyrolactone is particularly preferable.

수지 조성물이 용제를 갖는 경우, 용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 수지 조성물의 전체 고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 5~70질량%가 더 바람직하며, 10~60질량%가 특히 바람직하다. 용제 함유량은, 원하는 두께와 도포 방법에 따라 조절하면 된다. 예를 들면 도포 방법이 스핀 코트나 슬릿 코트이면 상기 범위의 고형분 농도가 되는 용제의 함유량이 바람직하다. 스프레이 코트이면 0.1질량%~50질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 1.0질량%~25질량%로 하는 것이 보다 바람직하다. 도포 방법에 따라 용제량을 조절함으로써, 원하는 두께의 수지 조성물층을 균일하게 형성할 수 있다.When the resin composition has a solvent, the content of the solvent is preferably such that the total solid content concentration of the resin composition is 5 to 80 mass%, more preferably 5 to 70 mass%, and most preferably 10 To 60 mass% is particularly preferable. The solvent content may be adjusted depending on the desired thickness and the coating method. For example, when the application method is a spin coat or a slit coat, the content of the solvent in the above range of solid concentration is preferable. The amount is preferably 0.1% by mass to 50% by mass, more preferably 1.0% by mass to 25% by mass for a spray coat. By adjusting the amount of the solvent according to the coating method, the resin composition layer having a desired thickness can be uniformly formed.

용제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 용제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The solvent may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of solvents are used, the total amount is preferably in the above range.

또, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드 및 N,N-다이메틸폼아마이드의 함유량은, 막 강도의 관점에서, 수지 조성물의 전체 질량에 대하여 5질량% 미만이 바람직하고, 1질량% 미만이 보다 바람직하며, 0.5질량% 미만이 더 바람직하고, 0.1질량% 미만이 한층 더 바람직하다.The content of N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide and N, N-dimethylformamide, Is preferably less than 5% by mass, more preferably less than 1% by mass, more preferably less than 0.5% by mass, and further preferably less than 0.1% by mass based on the total mass of the composition.

<<증감 색소>><< Increasing coloring >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 증감 색소를 포함하고 있어도 된다. 증감 색소는, 특정 활성 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감 색소는, 열염기 발생제, 광염기 발생제, 열라디칼 중합 개시제, 광중합 개시제 등과 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써, 열염기 발생제, 광염기 발생제, 열라디칼 중합 개시제, 광중합 개시제는 화학 변화를 일으켜 분해되어, 라디칼, 산 혹은 염기를 생성한다. 증감 색소의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0161~0163의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 수지 조성물이 증감 색소를 포함하는 경우, 증감 색소의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.01~20질량%가 바람직하고, 0.1~15질량%가 보다 바람직하며, 0.5~10질량%가 더 바람직하다. 증감 색소는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The resin composition of the present invention may contain a sensitizing dye. The sensitizing dye absorbs a specific actinic radiation and becomes an electron-excited state. The sensitizing dyes which are brought into the electron-excited state come into contact with a thermal base generator, a photobase generator, a thermal radical polymerization initiator, a photopolymerization initiator, and the like to generate an action of electron transfer, energy transfer, heat generation and the like. As a result, the thermal base generator, photobase generator, thermal radical polymerization initiator and photopolymerization initiator are decomposed by chemical change to generate radicals, acids or bases. For details of the sensitizing dye, reference can be made to paragraphs 0161 to 0163 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2016-027357, the contents of which are incorporated herein by reference. When the resin composition contains a sensitizing dye, the content of the sensitizing dye is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, and more preferably 0.5 to 10% by mass relative to the total solid content of the resin composition desirable. The sensitizing dyes may be used singly or in combination of two or more.

<<연쇄 이동제>><< chain transfer agent >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 연쇄 이동제를 함유해도 된다. 연쇄 이동제는, 예를 들면 고분자 사전 제3판(고분자 학회 편, 2005년) 683-684페이지에 정의되어 있다. 연쇄 이동제로서는, 예를 들면, 분자 내에 SH, PH, SiH, GeH를 갖는 화합물군이 이용된다. 이들은, 저활성의 라디칼종에 수소 공여하여, 라디칼을 생성하거나, 혹은 산화된 후, 탈프로톤함으로써 라디칼을 생성할 수 있다. 특히, 싸이올 화합물(예를 들면, 2-머캅토벤즈이미다졸류, 2-머캅토벤조싸이아졸류, 2-머캅토벤즈옥사졸류, 3-머캅토트라이아졸류, 5-머캅토테트라졸류 등)을 바람직하게 이용할 수 있다. 수지 조성물이 연쇄 이동제를 함유하는 경우, 연쇄 이동제의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01~20질량부, 보다 바람직하게는 1~10질량부, 더 바람직하게는 1~5질량부이다. 연쇄 이동제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 연쇄 이동제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention may contain a chain transfer agent. Chain transfer agents are defined, for example, in Polymer Advance, 3rd Edition (Polymer Science Society, 2005), pages 683-684. As the chain transfer agent, for example, a group of compounds having SH, PH, SiH and GeH in the molecule is used. These can produce radicals by hydrogen donating radical species of low activity, or after oxidation, by deprotonation. In particular, thiol compounds (for example, 2-mercaptobenzimidazoles, 2-mercaptobenzothiazoles, 2-mercaptobenzoxazoles, 3-mercaptotriazoles, 5- Etc.) can be preferably used. When the resin composition contains a chain transfer agent, the content of the chain transfer agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total solid content of the resin composition 1 to 5 parts by mass. The chain transfer agent may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of chain transfer agents are used, it is preferable that the total is in the above range.

<<계면활성제>><< Surfactant >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 각종 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있다. 또, 하기 계면활성제도 바람직하다.Various surfactants may be added to the resin composition of the present invention from the viewpoint of further improving the applicability. As the surfactant, various surfactants such as a fluorine surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone surfactant can be used. The following surfactants are also preferred.

[화학식 38](38)

Figure pct00043
Figure pct00043

수지 조성물이 계면활성제를 함유하는 경우, 계면활성제의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~1.0질량%이다. 계면활성제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 계면활성제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.When the resin composition contains a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.001 to 2.0% by mass, more preferably 0.005 to 1.0% by mass, based on the total solid content of the resin composition. The surfactant may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of surfactants are contained, the total amount thereof is preferably in the above range.

<<고급 지방산 유도체>><< High Fatty Acid Derivatives >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물에는, 산소에 기인하는 중합 저해를 방지하기 위하여, 베헨산이나 베헨산 아마이드와 같은 고급 지방산 유도체를 첨가하고, 도포 후의 건조의 과정에서 조성물의 표면에 편재시켜도 된다. 수지 조성물이 고급 지방산 유도체를 갖는 경우, 고급 지방산 유도체의 함유량은, 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.1~10질량%가 바람직하다. 고급 지방산 유도체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 고급 지방산 유도체가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.In order to prevent polymerization inhibition due to oxygen, a high fatty acid derivative such as behenic acid or behenic acid amide may be added to the resin composition of the present invention and may be localized on the surface of the composition during drying after application. When the resin composition has a higher fatty acid derivative, the content of the higher fatty acid derivative is preferably 0.1 to 10% by mass relative to the total solid content of the resin composition. The higher fatty acid derivative may be one kind or two or more kinds. When two or more higher fatty acid derivatives are used, the total amount is preferably in the above range.

<<그 외의 첨가제>><< Other additives >>

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 각종 첨가물, 예를 들면, 무기 입자, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 수지 조성물의 고형분의 3질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.The resin composition according to the present invention may contain various additives such as inorganic particles, a curing agent, a curing catalyst, a filler, an antioxidant, an ultraviolet absorber, an anti-aggregation agent, and the like in a range that does not impair the effect of the present invention Can be blended. When these additives are compounded, the total amount of the additives is preferably 3 mass% or less of the solid content of the resin composition.

<<<그 외의 함유 물질에 대한 제한>>><<< Restrictions on Other Contaminants >>>

본 발명에 있어서의 수지 조성물의 수분 함유량은, 도포면 성상의 관점에서, 5질량% 미만이 바람직하고, 1질량% 미만이 더 바람직하며, 0.6질량% 미만이 특히 바람직하다.The water content of the resin composition in the present invention is preferably less than 5% by mass, more preferably less than 1% by mass, and particularly preferably less than 0.6% by mass from the viewpoint of the coated surface properties.

본 발명에 있어서의 수지 조성물의 금속 함유량은, 절연성의 관점에서, 5질량ppm(parts per million) 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 더 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 특히 바람직하다. 금속으로서는, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 철, 크로뮴, 니켈 등을 들 수 있다. 금속을 복수 포함하는 경우는, 이들 금속의 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The metal content of the resin composition in the present invention is preferably less than 5 mass ppm (parts per million), more preferably less than 1 mass ppm, and particularly preferably less than 0.5 mass ppm from the viewpoint of insulation. Examples of the metal include sodium, potassium, magnesium, calcium, iron, chromium, nickel and the like. When a plurality of metals are included, it is preferable that the sum of these metals is in the above range.

또, 수지 조성물에 의도하지 않게 포함되는 금속 불순물을 저감시키는 방법으로서는, 수지 조성물을 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하는, 수지 조성물을 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하는, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨테미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다.As a method for reducing metal impurities which are not intended to be included in the resin composition, there is a method of selecting a raw material having a low metal content as a raw material constituting the resin composition, filtering the raw material constituting the resin composition, Polytetrafluoroethylene or the like, followed by distillation under conditions in which contemination is suppressed as much as possible.

본 발명에 있어서의 수지 조성물은, 할로젠 원자의 함유량이, 배선 부식성의 관점에서, 500질량ppm 미만이 바람직하고, 300질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 200질량ppm 미만이 특히 바람직하다. 그 중에서도, 할로젠 이온의 상태로 존재하는 것은, 5질량ppm 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 더 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 특히 바람직하다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자 및 브로민 원자를 들 수 있다. 염소 원자 및 브로민 원자, 혹은 염화물 이온 및 브로민화물 이온의 합계가 각각 상기 범위인 것이 바람직하다.In the resin composition of the present invention, the content of halogen atoms is preferably less than 500 mass ppm, more preferably less than 300 mass ppm, and particularly preferably less than 200 mass ppm from the viewpoint of wire corrosion resistance. Among them, those present in the halogen ion state are preferably less than 5 mass ppm, more preferably less than 1 mass ppm, and particularly preferably less than 0.5 mass ppm. Examples of the halogen atom include a chlorine atom and a bromine atom. The sum of the chlorine atom and the bromine atom, or the chloride ion and the bromine ion is preferably in the above range.

<수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of Resin Composition >

수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정은 없고, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다.The resin composition can be prepared by mixing the respective components described above. The mixing method is not particularly limited, and can be performed by conventionally known methods.

또, 수지 조성물 중의 분진이나 미립자 등의 이물을 제거할 목적으로, 필터를 이용한 여과를 행하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 1μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이하가 보다 바람직하며, 0.1μm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질은, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 또는 나일론이 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 및/또는 재질이 다른 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 된다. 복수 회 여과하는 경우는, 순환 여과여도 된다. 또, 가압하여 여과를 행해도 된다. 가압하여 여과를 행하는 경우, 가압하는 압력은 0.05MPa 이상 0.3MPa 이하가 바람직하다.Further, it is preferable to perform filtration using a filter for the purpose of removing foreign matter such as dust and fine particles in the resin composition. The filter hole diameter is preferably 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less, and more preferably 0.1 μm or less. The material of the filter is preferably polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon. The filter may be previously washed with an organic solvent. In the filter filtering step, a plurality of kinds of filters may be connected in series or in parallel. When plural kinds of filters are used, filters having different hole diameters and / or different materials may be used in combination. In addition, various materials may be filtered a plurality of times. In the case of performing filtration a plurality of times, it may be circulated filtration. Alternatively, filtration may be performed by pressurization. When the filtration is performed by pressurization, the pressure for pressurization is preferably 0.05 MPa or more and 0.3 MPa or less.

필터를 이용한 여과 외에, 흡착재를 이용한 불순물의 제거 처리를 행해도 된다. 필터 여과와 흡착재를 이용한 불순물 제거 처리를 조합해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있다. 예를 들면, 실리카 젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 들 수 있다.In addition to filtration using a filter, impurities may be removed using an adsorbent. Filter filtration and impurity removal treatment using a sorbent material may be combined. As the adsorbent, a known adsorbent can be used. Examples thereof include inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon.

<전자 디바이스><Electronic device>

다음으로, 본 발명의 적층체의 제조 방법을 적용하여 얻어지는 전자 디바이스의 일 실시형태에 대하여 설명한다. 도 2에 나타내는 전자 디바이스(100)은, 이른바 3차원 실장 디바이스이며, 복수의 반도체 소자(반도체 칩)(101a~101d)가 적층된 적층체(101)이, 배선 기판(120) 상에 배치되어 있다. 또한, 이 실시형태에서는, 반도체 소자(반도체 칩)의 적층수가 4층인 경우를 중심으로 설명하지만, 반도체 소자(반도체 칩)의 적층수는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 2층, 8층, 16층, 32층 등이어도 된다. 또, 1층이어도 된다.Next, an embodiment of an electronic device obtained by applying the method for producing a laminate of the present invention will be described. The electronic device 100 shown in Fig. 2 is a so-called three-dimensional mounting device, and a stacked body 101 in which a plurality of semiconductor elements (semiconductor chips) 101a to 101d are stacked is arranged on the wiring board 120 have. Although the number of stacked semiconductor elements (semiconductor chips) is four in this embodiment, the number of stacked semiconductor elements (semiconductor chips) is not particularly limited. For example, the number of stacked semiconductor elements , 16 layers, and 32 layers. It may be a single layer.

복수의 반도체 소자(101a~101d)는, 모두 실리콘 기판 등의 반도체 웨이퍼로 이루어진다.The plurality of semiconductor elements 101a to 101d are all made of a semiconductor wafer such as a silicon substrate.

최상단의 반도체 소자(101a)는, 관통 전극을 갖지 않고, 그 한쪽 면에 전극 패드(도시하지 않음)가 형성되어 있다.The uppermost semiconductor element 101a does not have a penetrating electrode, and an electrode pad (not shown) is formed on one surface thereof.

반도체 소자(101b~101d)는, 관통 전극(102b~102d)를 갖고, 각 반도체 소자의 양면에는, 관통 전극에 일체로 마련된 접속 패드(도시하지 않음)가 마련되어 있다.The semiconductor elements 101b to 101d have penetrating electrodes 102b to 102d, and connection pads (not shown) provided integrally on the penetrating electrodes are provided on both surfaces of each semiconductor element.

적층체(101)은, 관통 전극을 갖지 않는 반도체 소자(101a)와, 관통 전극(102b~102d)를 갖는 반도체 소자(101b~101d)를 플립 칩 접속한 구조를 갖고 있다.The stacked body 101 has a structure in which semiconductor elements 101a having no penetrating electrodes and semiconductor elements 101b to 101d having penetrating electrodes 102b to 102d are flip-chip connected.

즉, 관통 전극을 갖지 않는 반도체 소자(101a)의 전극 패드와, 이에 인접하는 관통 전극(102b)를 갖는 반도체 소자(101b)의 반도체 소자(101a) 측의 접속 패드가, 땜납 범프 등의 금속 범프(103a)로 접속되고, 관통 전극(102b)를 갖는 반도체 소자(101b)의 다른 측의 접속 패드가, 그것에 인접하는 관통 전극(102c)를 갖는 반도체 소자(101c)의 반도체 소자(101b) 측의 접속 패드와, 땜납 범프 등의 금속 범프(103b)로 접속되어 있다. 마찬가지로 관통 전극(102c)를 갖는 반도체 소자(101c)의 다른 측의 접속 패드가, 그것에 인접하는 관통 전극(102d)를 갖는 반도체 소자(101d)의 반도체 소자(101c) 측의 접속 패드와, 땜납 범프 등의 금속 범프(103c)로 접속되어 있다.That is, the connection pads on the semiconductor element 101a side of the semiconductor element 101b having the electrode pad of the semiconductor element 101a having no penetrating electrode and the penetrating electrode 102b adjacent thereto are electrically connected to the metal bump such as a solder bump And the connection pad on the other side of the semiconductor element 101b having the penetrating electrode 102b is connected to the semiconductor element 101b on the semiconductor element 101b side of the semiconductor element 101c having the penetrating electrode 102c adjacent thereto. A connection pad, and a metal bump 103b such as a solder bump. The connection pad on the other side of the semiconductor element 101c having the penetrating electrode 102c is connected to the connection pad on the semiconductor element 101c side of the semiconductor element 101d having the penetrating electrode 102d adjacent thereto, Or the like by a metal bump 103c.

각 반도체 소자(101a~101d)의 간극에는, 언더필층(110)이 형성되어 있고, 각 반도체 소자(101a~101d)는, 언더필층(110)을 개재하여 적층되어 있다.An underfill layer 110 is formed in the gap between the semiconductor elements 101a to 101d and the semiconductor elements 101a to 101d are stacked via the underfill layer 110. [

적층체(101)은, 배선 기판(120) 상에 적층되어 있다.The stacked body 101 is stacked on the wiring substrate 120. [

배선 기판(120)으로서는, 예를 들면 수지 기판, 세라믹스 기판, 유리 기판 등의 절연 기판을 기재로서 이용한 다층 배선 기판이 사용된다. 수지 기판을 적용한 배선 기판(120)으로서는, 다층 구리 피복 적층판(다층 프린트 배선판) 등을 들 수 있다.As the wiring substrate 120, for example, a multilayer wiring substrate using an insulating substrate such as a resin substrate, a ceramic substrate, or a glass substrate as a substrate is used. As the wiring board 120 to which the resin substrate is applied, a multilayer copper clad laminate (multilayer printed wiring board) and the like can be given.

배선 기판(120)의 한쪽 면에는, 표면 전극(120a)가 마련되어 있다.On one surface of the wiring board 120, a surface electrode 120a is provided.

배선 기판(120)과 적층체(101)의 사이에는, 재배선층(105)가 형성된 절연층(115)가 배치되어 있고, 배선 기판(120)과 적층체(101)은, 재배선층(105)를 개재하여 전기적으로 접속되어 있다. 절연층(115)는, 본 발명의 적층체의 제조 방법을 이용하여 형성되어 이루어지는 것이다. 절연층(115)는, 도 1에 나타내는 바와 같은 다층 배선 구조의 적층체여도 된다.An insulating layer 115 in which a re-wiring layer 105 is formed is disposed between the wiring substrate 120 and the layered body 101. The wiring substrate 120 and the layered body 101 are electrically connected to each other through the re- As shown in Fig. The insulating layer 115 is formed using the method for producing a laminate of the present invention. The insulating layer 115 may be a laminate of a multilayer interconnection structure as shown in Fig.

재배선층(105)의 일단은, 땜납 범프 등의 금속 범프(103d)를 개재하여, 반도체 소자(101d)의 재배선층(105) 측의 면에 형성된 전극 패드에 접속되어 있다. 또, 재배선층(105)의 타단은, 배선 기판의 표면 전극(120a)와, 땜납 범프 등의 금속 범프(103e)를 개재하여 접속되어 있다.One end of the re-distribution layer 105 is connected to an electrode pad formed on the side of the re-distribution layer 105 side of the semiconductor element 101d via a metal bump 103d such as a solder bump. The other end of the re-distribution layer 105 is connected to the surface electrode 120a of the wiring substrate via a metal bump 103e such as a solder bump.

그리고, 절연층(115)와 적층체(101)의 사이에는, 언더필층(110a)가 형성되어 있다. 또, 절연층(115)와 배선 기판(120)의 사이에는, 언더필층(110b)가 형성되어 있다.An underfill layer 110a is formed between the insulating layer 115 and the layered body 101. [ An underfill layer 110b is formed between the insulating layer 115 and the wiring board 120. [

<전자 디바이스의 제조 방법>&Lt; Method of manufacturing electronic device &

다음으로, 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법을 설명한다. 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법은, 상술한 본 발명의 적층체의 제조 방법을 포함한다. 본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법은, 동일한 보존 공정의 조건으로 복수의 전자 디바이스를 제조하는 것이 바람직하다.Next, a manufacturing method of the electronic device of the present invention will be described. The method for manufacturing an electronic device of the present invention includes the above-described method for producing a laminate of the present invention. In the method of manufacturing an electronic device of the present invention, it is preferable to manufacture a plurality of electronic devices under the same conditions of the preservation process.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 보다 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 취지를 벗어나지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, "%" 및 "부"는 질량 기준이다. NMR은, 핵자기 공명의 약칭이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it departs from the spirit thereof. In addition, "% " and " part " are on a mass basis unless otherwise specified. NMR is an abbreviation of nuclear magnetic resonance.

(합성예 1)(Synthesis Example 1)

[파이로멜리트산 이무수물, 4,4'-옥시다이아닐린 및 벤질알코올로부터의 폴리이미드 전구체 (P-1: 라디칼 중합성기를 갖지 않는 폴리이미드 전구체)의 합성][Synthesis of polyimide precursor (P-1: polyimide precursor having no radical polymerizable group) from pyromellitic dianhydride, 4,4'-oxydianiline and benzyl alcohol]

14.06g(64.5밀리몰)의 파이로멜리트산 이무수물(140℃에서 12시간 건조)과, 14.22g(131.58밀리몰)의 벤질알코올을, 50ml의 N-메틸피롤리돈에 현탁시켜, 몰레큘러 시브로 건조시켰다. 현탁액을 100℃에서 3시간 가열했다. 가열을 개시하고 나서 수 분 후에 투명한 용액이 얻어졌다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 21.43g(270.9밀리몰)의 피리딘 및 90ml의 N-메틸피롤리돈을 첨가했다. 이어서, 반응 혼합물을 -10℃로 냉각하여, 온도를 -10±4℃로 유지하면서 16.12g(135.5밀리몰)의 SOCl2를 10분 동안 첨가했다. SOCl2를 첨가하는 동안, 점도가 증가했다. 50ml의 N-메틸피롤리돈으로 희석한 후, 반응 혼합물을 실온에서 2시간 교반했다. 이어서, 100ml의 N-메틸피롤리돈에 11.08g(58.7밀리몰)의 4,4'-옥시다이아닐린을 용해시킨 용액을, 20~23℃에서 20분 동안 반응 혼합물에 적하했다. 이어서, 반응 혼합물을 실온에서 하룻밤 교반했다. 이어서, 5리터의 물에 폴리이미드 전구체를 침전시켜, 물-폴리이미드 전구체 혼합물을 5000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 폴리이미드 전구체를 여과 채취하여, 재차 4리터의 물에 투입하고 추가로 30분간 교반하여 다시 여과했다. 이어서, 얻어진 폴리이미드 전구체를 감압하에서, 45℃에서 3일간 건조하여, 하기 식으로 나타나는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 전구체 (P-1)을 얻었다.14.06 g (64.5 mmol) of pyromellitic dianhydride (dried at 140 캜 for 12 hours) and 14.22 g (131.58 mmol) of benzyl alcohol were suspended in 50 ml of N-methylpyrrolidone, Lt; / RTI &gt; The suspension was heated at 100 占 폚 for 3 hours. A transparent solution was obtained after several minutes from the start of heating. The reaction mixture was cooled to room temperature, and 21.43 g (270.9 mmol) of pyridine and 90 ml of N-methylpyrrolidone were added. Then, the reaction mixture was cooled to -10 ℃, while maintaining the temperature at -10 ± 4 ℃ was added SOCl 2 of 16.12g (135.5 mmol) for 10 min. During the addition of SOCl 2 , the viscosity increased. After diluting with 50 ml of N-methylpyrrolidone, the reaction mixture was stirred at room temperature for 2 hours. Subsequently, a solution of 11.08 g (58.7 mmol) of 4,4'-oxydianiline in 100 ml of N-methylpyrrolidone was added dropwise to the reaction mixture at 20 to 23 ° C for 20 minutes. The reaction mixture was then stirred at room temperature overnight. Subsequently, the polyimide precursor was precipitated in 5 liters of water, and the water-polyimide precursor mixture was stirred at a rate of 5000 rpm for 15 minutes. The polyimide precursor was filtered, put into 4 liters of water, stirred again for 30 minutes, and filtered again. Subsequently, the obtained polyimide precursor was dried at 45 캜 for 3 days under reduced pressure to obtain a polyimide precursor (P-1) containing the repeating unit represented by the following formula.

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure pct00044
Figure pct00044

(합성예 2)(Synthesis Example 2)

[파이로멜리트산 이무수물, 4,4'-옥시다이아닐린 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (P-2: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성][Synthesis of polyimide precursor (P-2: polyimide precursor having a radically polymerizable group) from pyromellitic dianhydride, 4,4'-oxydianiline and 2-hydroxyethyl methacrylate]

14.06g(64.5밀리몰)의 파이로멜리트산 이무수물(140℃에서 12시간 건조함)과, 18.6g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 10.7g의 피리딘과, 140g의 다이글라임(다이에틸렌글라이콜다이메틸에터)을 혼합하고, 60℃의 온도에서 18시간 교반하여, 파이로멜리트산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 1과 동일한 방법으로 4,4'-옥시다이아닐린으로 폴리이미드 전구체로 변환하고, 합성예 1과 동일한 방법으로, 하기 식으로 나타나는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 전구체 (P-2)를 얻었다.14.06 g (64.5 mmol) pyromellitic dianhydride (dried at 140 캜 for 12 hours), 18.6 g (129 mmol) 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g hydroquinone and 10.7 g Of pyridine and 140 g of diglyme (diethylene glycol dimethyl ether) were mixed and stirred at a temperature of 60 DEG C for 18 hours to obtain a diastereomer of pyromellitic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate . Subsequently, the resulting diester was chlorinated by SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4'-oxydianiline in the same manner as in Synthesis Example 1, and the same procedure as in Synthesis Example 1 was repeated, To obtain a polyimide precursor (P-2).

[화학식 40](40)

Figure pct00045
Figure pct00045

(합성예 3)(Synthesis Example 3)

[4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-옥시다이아닐린 및 2-하이드록시에틸메타크릴레이트로부터의 폴리이미드 전구체 (P-3: 라디칼 중합성기를 갖는 폴리이미드 전구체)의 합성][Synthesis of polyimide precursor (P-3: polyimide precursor having radically polymerizable group) from 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 4,4'-oxydianiline and 2-hydroxyethyl methacrylate]

20.0g(64.5밀리몰)의 4,4'-옥시다이프탈산 무수물(140℃에서 12시간 건조함)과, 18.6g(129밀리몰)의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 0.05g의 하이드로퀴논과, 10.7g의 피리딘과, 140g의 다이글라임을 혼합하고, 60℃의 온도에서 18시간 교반하여, 4,4'-옥시다이프탈산과 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와의 다이에스터를 제조했다. 이어서, 얻어진 다이에스터를 SOCl2에 의하여 염소화한 후, 합성예 1과 동일한 방법으로 4,4'-옥시다이아닐린으로 폴리이미드 전구체로 변환하고, 합성예 1과 동일한 방법으로, 하기 식으로 나타나는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 전구체 (P-3)을 얻었다.20.0 g (64.5 mmol) of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (dried at 140 ° C for 12 hours), 18.6 g (129 mmol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.05 g of hydroquinone , 10.7 g of pyridine and 140 g of diglyme were mixed and stirred at a temperature of 60 DEG C for 18 hours to prepare a diester of 4,4'-oxydiphthalic acid and 2-hydroxyethyl methacrylate . Subsequently, the resulting diester was chlorinated by SOCl 2 , and then converted into a polyimide precursor with 4,4'-oxydianiline in the same manner as in Synthesis Example 1, and the same procedure as in Synthesis Example 1 was repeated, To obtain a polyimide precursor (P-3).

[화학식 41](41)

Figure pct00046
Figure pct00046

(합성예 4)(Synthesis Example 4)

[아크릴계 폴리머 (P-6)의 합성][Synthesis of acrylic polymer (P-6)] [

27.0g(153.2밀리몰)의 벤질메타크릴레이트, 20g(157.3밀리몰)의 N-아이소프로필메타크릴아마이드, 39g(309.2밀리몰)의 메타크릴산 알릴, 13g(151.0밀리몰)의 메타크릴산, 중합 개시제(V-601, 와코 준야쿠 고교제) 3.55g(15.4밀리몰), 및 3-메톡시-2-프로판올 300g을 혼합했다. 혼합액을, 질소 분위기하, 75℃로 가열한 3-메톡시-2-프로판올 300g 중에, 2시간 동안 적하했다. 적하 종료 후, 다시 질소 분위기하, 75℃에서 2시간 교반했다. 반응 종료 후, 5리터의 물에 투입하여 폴리머를 침전시키고, 5000rpm의 속도로 15분간 교반했다. 아크릴 수지를 여과 채취하여, 재차 4리터의 물에 투입하고 추가로 30분간 교반하여, 다시 여과 채취했다. 이어서, 얻어진 아크릴 수지를 감압하, 45℃에서 3일간 건조하여, 하기 식으로 나타나는 아크릴계 폴리머 (P-6)을 얻었다.(153.2 mmol) of benzyl methacrylate, 20 g (157.3 mmol) of N-isopropyl methacrylamide, 39 g (309.2 mmol) of allyl methacrylate, 13 g (151.0 mmol) of methacrylic acid, V-601, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (3.5 g, 15.4 mmol) and 300 g of 3-methoxy-2-propanol were mixed. The mixed solution was added dropwise to 300 g of 3-methoxy-2-propanol heated to 75 占 폚 in a nitrogen atmosphere over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 75 占 폚 for 2 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was poured into 5 liters of water to precipitate the polymer, and the mixture was stirred at a speed of 5000 rpm for 15 minutes. The acrylic resin was filtered, put into 4 liters of water again, stirred for another 30 minutes, and then filtered again. Subsequently, the obtained acrylic resin was dried at 45 캜 for 3 days under reduced pressure to obtain an acrylic polymer (P-6) represented by the following formula.

[화학식 42](42)

Figure pct00047
Figure pct00047

<감광성 수지 조성물의 조제>&Lt; Preparation of Photosensitive Resin Composition >

하기 기재의 성분을 혼합하고, 균일한 용액으로 하여, 감광성 수지 조성물의 도포액을 조제했다.The following components were mixed to prepare a uniform solution to prepare a coating liquid for the photosensitive resin composition.

(조성)(Furtherance)

수지: 하기 표에 기재된 질량부Resin: The mass parts

라디칼 중합성 화합물: 하기 표에 기재된 질량부Radical Polymerizable Compound: The mass part

광라디칼 중합 개시제: 하기 표에 기재된 질량부Photo radical polymerization initiator: The mass part

실레인 커플링제: 하기 표에 기재된 질량부Silane coupling agent: The mass part

방청제: 하기 표에 기재된 질량부Antirust agent: The mass part

중합 금지제: 하기 표에 기재된 질량부Polymerization inhibitor: The mass part

염기 발생제: 하기 표에 기재된 질량부Base generator: The mass part

용제 1(다이메틸설폭사이드): 100질량부Solvent 1 (dimethyl sulfoxide): 100 parts by mass

용제 2(γ-뷰티로락톤): 25질량부Solvent 2 (? -Butyrolactone): 25 parts by mass

[표 6][Table 6]

Figure pct00048
Figure pct00048

표에 기재한 약칭은 이하와 같다.Abbreviations given in the table are as follows.

(수지)(Suzy)

P-1~P-3: 합성예 1~3에서 합성한 폴리이미드 전구체 (P-1)~(P-3)P-1 to P-3: The polyimide precursors (P-1) to (P-3) synthesized in Synthesis Examples 1 to 3,

P-5: Matrimid5218(Huntsman Corporation제, 폐환형 폴리이미드)P-5: Matrimid 5218 (Huntsman Corporation, closed loop polyimide)

P-6: 합성예 5에서 합성한 아크릴계 폴리머 (P-6)(아크릴 수지)P-6: An acrylic polymer (P-6) (acrylic resin) synthesized in Synthesis Example 5

P-7: 폴리메타크릴산 메틸(Mw=15000, 씨그마 알드리치 재팬 고도가이샤제)P-7: Polymethyl methacrylate (Mw = 15000, manufactured by Sigma-Aldrich Japan Kogyo Co., Ltd.)

(라디칼 중합성 화합물)(Radical Polymerizable Compound)

B-1: SR209(사토머사제, 테트라에틸렌글라이콜다이아크릴레이트)B-1: SR209 (tetraethylene glycol diacrylate manufactured by Satomaru Co., Ltd.)

B-2: NK에스터 A-9300(신나카무라 가가쿠 고교(주)제, 에톡시화 아이소사이아누르산 트라이아크릴레이트)B-2: NK Ester A-9300 (manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., ethoxylated isocyanuric acid triacrylate)

B-3: A-TMMT(신나카무라 가가쿠 고교(주)제, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트)B-3: A-TMMT (pentaerythritol tetraacrylate, manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

B-4: A-DPH(신나카무라 가가쿠 고교(주)제, 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트)B-4: A-DPH (manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd., dipentaerythritol hexaacrylate)

(광라디칼 중합 개시제)(Photo radical polymerization initiator)

C-1: IRGACURE OXE 01(BASF사제, 옥심 화합물)C-1: IRGACURE OXE 01 (manufactured by BASF, oxime compound)

C-2: IRGACURE OXE 02(BASF사제, 옥심 화합물)C-2: IRGACURE OXE 02 (manufactured by BASF, oxime compound)

C-3: IRGACURE-784(BASF제, 메탈로센 화합물)C-3: IRGACURE-784 (a metallocene compound made by BASF)

C-4: 아데카 아클즈 NCI-831((주)ADEKA제, 옥심 화합물)C-4: ADEKA ALEX NCI-831 (manufactured by ADEKA, oxime compound)

(실레인 커플링제)(Silane coupling agent)

D-1: KBM-602(신에쓰 가가쿠 고교(주)제, 아미노기를 갖는 실레인 화합물)D-1: KBM-602 (a silane compound having an amino group, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

D-2: 2-((3-(트라이에톡시실릴)프로필)카바모일)벤조산(Aquila Pharmatech LLC제, 카복실기를 갖는 실레인 화합물)D-2: 2 - ((3- (triethoxysilyl) propyl) carbamoyl) benzoic acid (a silane compound having a carboxyl group, manufactured by Aquila Pharmatech LLC)

D-3: 트라이에톡시실릴프로필말레아미드산(Gelest, Inc제, 카복실기를 갖는 실레인 화합물)D-3: Triethoxysilylpropyl maleamic acid (a silane compound having a carboxyl group, manufactured by Gelest, Inc)

(방청제)(Rust inhibitor)

E-1: KEMITEC BT-C(케미프로 가세이(주)제, 1,2,3-벤조트라이아졸)E-1: KEMITEC BT-C (manufactured by KEMIPRO Co., Ltd., 1,2,3-benzotriazole)

E-2: 1HT(도요보(주)제, 1H-테트라졸)E-2: 1HT (manufactured by Toyobo Co., 1 H-tetrazole)

E-3: P5T(도요보(주)제, 5-페닐-1H-테트라졸)E-3: P5T (5-phenyl-1H-tetrazole, manufactured by Toyobo Co., Ltd.)

(중합 금지제)(Polymerization inhibitor)

F-1: 4-메톡시페놀F-1: 4-methoxyphenol

F-2: p-벤조퀴논F-2: p-benzoquinone

F-3: 1-나이트로소-2-나프톨F-3: 1-nitroso-2-naphthol

(염기 발생제)(Base generator)

A-1, A-21, A-40: 하기 구조의 화합물(열염기 발생제)A-1, A-21, A-40: A compound of the following structure (thermal base generator)

A-43: WPBG-266(와코 준야쿠 고교(주)제, 광염기 발생제. 또한 이 화합물은 가열에 의해서도 분해되어 염기를 발생시키는 화합물이기도 하다. 즉 열염기 발생제이기도 하다.)A-43: WPBG-266 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), a photoacid generator This compound is also a compound which is decomposed by heating to generate a base, that is, a thermal base generator.

[화학식 43](43)

Figure pct00049
Figure pct00049

<적층체의 제조>&Lt; Preparation of laminate >

각 감광성 수지 조성물을, 세공의 폭이 0.8μm인 필터를 통과시켜 가압 여과한 후, 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의하여 층 형상으로 적용하고, 핫플레이트를 이용하여 100℃에서 5분간 건조하여 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 다음으로, 하기 표에 기재된 시간과 온도로 보존 공정(PCD 공정)을 행한 후, 감광성 수지 조성물층에 대하여, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여, 500mJ/cm2의 노광 에너지로 노광했다. 다음으로, 노광 후의 감광성 수지 조성물층을 하기 표에 기재된 시간과 온도로 보존 공정(PED 공정)을 행한 후, 사이클로펜탄온을 이용하여 60초간 현상하고, 직경 10μm의 홀을 형성했다. 다음으로, 하기 표에 기재된 시간과 온도로 보존 공정(PDD 공정)을 실시한 후, 질소 분위기하에서 230℃에서 3시간 가열하여 수지층(패턴)을 형성했다. 다음으로, 가열 후의 수지층(패턴)을 실온까지 냉각하여, 하기 표에 기재된 시간과 온도로 보존 공정(PBD 공정)을 행한 후, 구리 도금 처리를 행하여, 수지층 상에 두께 5μm의 구리 박막을 형성하고, 적층체 1을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was subjected to pressure filtration through a filter having a pore width of 0.8 m and then layered on a silicon wafer by a spin coating method and dried at 100 DEG C for 5 minutes using a hot plate, Thereby forming a resin composition layer. Next, after the storage step (PCD step) was carried out at the time and temperature described in the following table, the photosensitive resin composition layer was exposed to light with an exposure energy of 500 mJ / cm 2 using a stepper (Nikon NSR 2005 i9C). Next, the photosensitive resin composition layer after the exposure was subjected to a preservation step (PED step) at the time and temperature described in the following table, and then developed for 60 seconds using cyclopentanone to form a hole having a diameter of 10 m. Next, a preservation step (PDD step) was performed at the time and temperature described in the following table, and then the resin layer (pattern) was formed by heating at 230 DEG C for 3 hours in a nitrogen atmosphere. Next, the resin layer (pattern) after the heating was cooled to room temperature, and the copper layer was subjected to a preservation step (PBD step) at the time and temperature described in the following table. Thereafter, copper plating treatment was performed to form a copper thin film And a laminate 1 was formed.

또한, 각 보존 공정은, 하기 표에 기재된 설정 온도로 조정된 클린 항온 항습기(에스펙(주)제, PCR-3J)에 정치하여 행했다.Each preservation step was carried out by standing on a clean thermo-hygrostat (PCR-3J, made by Espec Co., Ltd.) adjusted to the set temperature described in the following table.

다음으로, 적층체 1의 구리 박막에 대하여, 산소 플라즈마를 조사한 후, 다시, 감광성 수지 조성물의 적용, 노광, 현상, 가열 및 각 보존 공정을 행한 후, 구리 도금 처리를 행하여, 수지층 상에 두께 5μm의 구리 박막을 형성하여 적층체 2를 얻었다.Next, the copper thin film of the layered product 1 was irradiated with oxygen plasma, and then the application of the photosensitive resin composition, exposure, development, heating and each preservation step were carried out, and then copper plating treatment was carried out, A copper thin film of 5 mu m was formed to obtain a laminate 2.

다음으로, 적층체 2의 구리 박막에 대하여, 산소 플라즈마를 조사한 후, 다시, 감광성 수지 조성물의 적용, 노광, 현상, 가열 및 각 보존 공정을 행한 후, 구리 도금 처리를 행하여, 수지층 상에 두께 5μm의 구리 박막을 형성하여 적층체 3을 얻었다.Next, the copper thin film of the layered product 2 was irradiated with an oxygen plasma, and then the application of the photosensitive resin composition, exposure, development, heating, and each preservation step were performed, and then copper plating treatment was carried out. A copper thin film of 5 mu m was formed to obtain a laminate 3.

[표 7][Table 7]

Figure pct00050
Figure pct00050

상기 표에 기재된 각 조건에 있어서의 보존 시간은, 표면 온도가 설정 온도에 도달하고 나서의 경과 시간이다. 각 보존 공정에 있어서의 표면 온도의 변동폭은 5℃ 이하였다. 또, 각 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도는 설정 온도와 거의 동일했다.The storage time in each of the conditions described in the above table is the elapsed time since the surface temperature reached the set temperature. The fluctuation range of the surface temperature in each preservation step was 5 DEG C or less. In addition, the average surface temperature in each preservation step was almost the same as the set temperature.

<평가><Evaluation>

[박리 결함(평가 1)][Peeling defect (evaluation 1)]

적층체 2를, 수직 방향으로 절단하여 폭 5mm의 단면을 관찰하고, 수지층/수지층 간, 및 구리/수지층 간에서의 박리의 유무를 확인했다. 박리의 발생이 없으면, 우수한 밀착성을 갖고 있는 것을 나타내어, 바람직한 결과가 된다.The laminate 2 was cut in the vertical direction to observe a section of 5 mm in width, and the presence or absence of peeling between the resin layer / resin layer and the copper / resin layer was confirmed. If there is no occurrence of peeling, it exhibits excellent adhesion, which is a preferable result.

A: 박리의 발생 없음A: No peeling occurred

B: 박리의 발생이 1~2개B: 1 to 2 peeling occurrences

C: 박리의 발생이 3~5개C: 3 to 5 peeling occurrences

D: 박리의 발생이 6개 이상D: 6 or more occurrences of peeling

[박리 결함(평가 2)][Defective peeling (Evaluation 2)]

적층체 3을, 수직 방향으로 절단하여 폭 5mm의 단면을 관찰하고, 수지층/수지층 간, 및 구리/수지층 간에서의 박리의 유무를 확인했다. 박리의 발생이 없으면, 우수한 밀착성을 갖고 있는 것을 나타내어, 바람직한 결과가 된다.The laminate 3 was cut in the vertical direction to observe a section of 5 mm in width, and the presence or absence of peeling between the resin layer / resin layer and between the copper / resin layer was confirmed. If there is no occurrence of peeling, it exhibits excellent adhesion, which is a preferable result.

A: 박리의 발생 없음A: No peeling occurred

B: 박리의 발생이 1~2개B: 1 to 2 peeling occurrences

C: 박리의 발생이 3~5개C: 3 to 5 peeling occurrences

D: 박리의 발생이 6개 이상D: 6 or more occurrences of peeling

[한계 해상도(평가 3)][Limit resolution (evaluation 3)]

실리콘 웨이퍼 상의 감광성 수지 조성물층을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여 노광했다. 노광은 i선으로 행하고, 파장 365nm에 있어서, 200mJ/cm2의 각 노광 에너지로, 5μm~25μm까지 1μm 간격의 퓨즈 박스의 포토마스크를 사용하여 노광을 행했다. 노광한 감광성 수지 조성물층에 대하여, 현상액으로서 사이클로펜탄온과 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트를 이용하여 현상을 행했다. 구체적으로는 노광한 감광성 수지 조성물층에 사이클로펜탄온을 분무하고, 이어서, 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트를 분무하여, 60초간 현상했다. 퓨즈 박스의 바닥부에 있어서 실리콘 웨이퍼가 노출되어 있는 선폭을 이하의 기준으로 평가했다. 선폭이 작으면 작을수록 그 후의 도금 공정에서 형성되는 금속 배선폭을 미세화할 수 있는 것을 나타내어, 바람직한 결과가 된다. 측정 한계는 5μm이다. 결과를 표에 나타낸다.The photosensitive resin composition layer on the silicon wafer was exposed using a stepper (Nikon NSR 2005 i9C). The exposure was performed by i-line, and exposure was carried out using a photomask of a fuse box at a wavelength of 365 nm and an exposure energy of 200 mJ / cm 2 at intervals of 1 μm from 5 μm to 25 μm. The exposed photosensitive resin composition layer was developed using cyclopentanone and propylene glycol methyl ether acetate as a developer. Specifically, cyclopentanone was sprayed on the exposed photosensitive resin composition layer, followed by spraying propylene glycol methyl ether acetate for 60 seconds. The line width at which the silicon wafer was exposed at the bottom of the fuse box was evaluated based on the following criteria. The smaller the line width is, the smaller the width of the metal wiring formed in the subsequent plating step becomes, which is a preferable result. The measurement limit is 5 μm. The results are shown in the table.

A: 5μm 이상 8μm 이하A: 5 占 퐉 or more and 8 占 퐉 or less

B: 8μm 초과 10μm 이하B: more than 8 m but not more than 10 m

C: 10μm 초과 15μm 이하C: more than 10 m but not more than 15 m

D: 15μm 초과D: more than 15 μm

[표 8][Table 8]

Figure pct00051
Figure pct00051

상기 표에 나타내는 바와 같이, 보존 공정을 행한 실시예는, 밀착성이 양호한 적층체를 제조할 수 있었다. 또, 수지로서 폴리이미드 전구체를 사용한 조성물 1~12의 감광성 수지 조성물은 한계 해상도가 높아, 이 감광성 수지 조성물을 이용한 실시예 1~33, 36, 37의 적층체는, 금속 배선폭을 보다 미세하게 할 수 있다.As shown in the above table, in the example in which the preservation step was performed, a laminate having good adhesion could be produced. In addition, the photosensitive resin compositions of Compositions 1 to 12 using a polyimide precursor as a resin had a high limit resolution, and the laminate of Examples 1 to 33, 36, and 37 using this photosensitive resin composition exhibited a finer can do.

100: 전자 디바이스
101a~101d: 반도체 소자
101: 적층체
102b~102d: 관통 전극
103a~103e: 금속 범프
105: 재배선층
110, 110a, 110b: 언더필층
115: 절연층
120: 배선 기판
120a: 표면 전극
201~204: 수지층
301~303: 금속층
401~403: 홈
500: 적층체
100: electronic device
101a to 101d: semiconductor elements
101: laminate
102b to 102d: through electrode
103a to 103e: metal bump
105: rewiring layer
110, 110a, 110b: underfill layer
115: Insulating layer
120: wiring board
120a: surface electrode
201 to 204: Resin layer
301 to 303: metal layer
401 to 403: Home
500: laminate

Claims (16)

폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,
상기 감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정과,
상기 감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정과,
상기 패턴을 가열하는 가열 공정과,
가열 후의 패턴 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고,
감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서, 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법.
A step of forming a photosensitive resin composition layer by applying a photosensitive resin composition comprising a resin selected from a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor and a polybenzoxazole, and a photopolymerization initiator to a support to form a photosensitive resin composition layer and,
An exposure step of exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern shape,
A developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern;
A heating step of heating the pattern;
And a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern after heating,
At least one of the steps of forming the photosensitive resin composition layer and the exposure step, between the exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step, , And then carrying out a preservation step for preservation in that state for 5 minutes or more.
청구항 1에 있어서,
노광 공정과 현상 공정의 사이에 상기 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
And the preserving step is performed between the exposure step and the developing step.
청구항 2에 있어서,
노광 공정과 현상 공정의 사이에 행하는 상기 보존 공정이, 하기 식을 충족시키는, 적층체의 제조 방법;
5≤t1<(10- 0.036×T1 +12. 3)×60
T1은 노광 공정과 현상 공정의 사이에 행하는 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t1은 노광 공정과 현상 공정의 사이에 행하는 보존 공정의 시간이고 단위는 분이다.
The method of claim 2,
The storage step performed between the exposure step and the developing step satisfies the following formula:
5≤t1 <(10 -. 0.036 × T1 +12 3) × 60
T1 is an average surface temperature in the preservation step carried out between the exposure step and the developing step, and the unit is K; t1 is the time of the storage step performed between the exposure step and the developing step, and the unit is minute.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 상기 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the preserving step is carried out between the step of forming the photosensitive resin composition layer and the step of exposing.
청구항 4에 있어서,
감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 행하는 상기 보존 공정이, 하기 식을 충족시키는, 적층체의 제조 방법;
5≤t2<(10- 0.031×T2 +10. 7)×60
T2는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 행하는 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t2는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이에 행하는 보존 공정의 시간이고 단위는 분이다.
The method of claim 4,
The storage step performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step satisfies the following formula:
5≤t2 <(10 -. 0.031 × T2 +10 7) × 60
T2 is an average surface temperature in the storage step performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step, and the unit is K; t2 is the time of the preservation step performed between the photosensitive resin composition layer forming step and the exposure step, and the unit is minutes.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
현상 공정과 가열 공정의 사이에 상기 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 5,
And the preserving step is performed between the developing step and the heating step.
청구항 6에 있어서,
현상 공정과 가열 공정의 사이에 행하는 상기 보존 공정이, 하기 식을 충족시키는, 적층체의 제조 방법;
5≤t3<(10- 0.02×T3 +8.0)×60
T3은 현상 공정과 가열 공정의 사이에 행하는 보존 공정에 있어서의 평균 표면 온도이고 단위는 K이다; t3은 현상 공정과 가열 공정의 사이에 행하는 보존 공정의 시간이고 단위는 분이다.
The method of claim 6,
The storage step performed between the developing step and the heating step satisfies the following formula:
T3 < (10 - 0.02 x T3 + 8.0) x 60
T3 is the average surface temperature in the storage step carried out between the developing step and the heating step, and the unit is K; t3 is the time of the storage step performed between the developing step and the heating step, and the unit is minute.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이에 상기 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 7,
And the preserving step is performed between the heating step and the metal layer forming step.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물에 있어서의 상기 수지가 폴리이미드 전구체이고,
상기 폴리이미드 전구체가 라디칼 중합성기를 포함하거나, 혹은 상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리이미드 전구체 이외의 라디칼 중합성 화합물을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the resin in the photosensitive resin composition is a polyimide precursor,
Wherein the polyimide precursor comprises a radically polymerizable group or the photosensitive resin composition contains a radically polymerizable compound other than the polyimide precursor.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체가 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는, 적층체의 제조 방법;
식 (1)
[화학식 1]
Figure pct00052

식 (1) 중, A21 및 A22는, 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R21은, 2가의 유기기를 나타내며, R22는, 4가의 유기기를 나타내고, R23 및 R24는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the polyimide precursor comprises a repeating unit represented by the following formula (1);
Equation (1)
[Chemical Formula 1]
Figure pct00052

In formula (1), A 21 and A 22 each independently represent an oxygen atom or -NH-, R 21 represents a divalent organic group, R 22 represents a tetravalent organic group, R 23 and R 24 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
청구항 10에 있어서,
상기 식 (1) 중, R23 및 R24 중 적어도 한쪽이, 라디칼 중합성기를 포함하는, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 10,
Wherein at least one of R 23 and R 24 in the formula (1) contains a radically polymerizable group.
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
상기 식 (1)에 있어서의 R22는, 방향환을 포함하는 4가의 기인, 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 10 or 11,
Wherein R &lt; 22 &gt; in the formula (1) is a tetravalent group containing an aromatic ring.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층 형성 공정 후의 패턴 상에, 상기 감광성 수지 조성물층 형성 공정, 상기 노광 공정, 상기 현상 공정, 상기 가열 공정 및 상기 금속층 형성 공정을 이 순서로 행하고, 상기 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 상기 노광 공정의 사이, 상기 노광 공정과 상기 현상 공정의 사이, 상기 현상 공정과 상기 가열 공정의 사이, 및 상기 가열 공정과 상기 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 상기 보존 공정을 행하는 일련의 사이클을 2사이클 이상 행하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 12,
The step of forming the photosensitive resin composition layer, the step of exposing, the step of developing, the step of heating, and the step of forming a metal layer are performed in this order on the pattern after the metal layer forming step, and the step of forming the photosensitive resin composition layer and the step of exposing A series of cycles for carrying out the preservation step in at least one of the above exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step is referred to as a second cycle Cycle or more.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
다층 배선 구조의 적층체의 제조 방법인, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 13,
A method for producing a laminate of a multilayer wiring structure.
폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸 전구체 및 폴리벤즈옥사졸로부터 선택되는 수지와, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 지지체 상에 적용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,
상기 감광성 수지 조성물층을 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정과,
상기 감광성 수지 조성물층을 현상하여 패턴을 형성하는 현상 공정과,
상기 패턴을 가열하는 가열 공정과,
가열 후의 패턴 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고,
감광성 수지 조성물층 형성 공정과 노광 공정의 사이, 노광 공정과 현상 공정의 사이, 현상 공정과 가열 공정의 사이, 및 가열 공정과 금속층 형성 공정의 사이 중 적어도 하나에 있어서, 표면 온도가 일정 온도에 도달하고 나서, 그 상태로 5분 이상 보존하는 보존 공정을 행하는, 적층체의 제조 방법을 포함하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
A step of forming a photosensitive resin composition layer by applying a photosensitive resin composition comprising a resin selected from a polyimide precursor, a polyimide, a polybenzoxazole precursor and a polybenzoxazole, and a photopolymerization initiator to a support to form a photosensitive resin composition layer and,
An exposure step of exposing the photosensitive resin composition layer in a pattern shape,
A developing step of developing the photosensitive resin composition layer to form a pattern;
A heating step of heating the pattern;
And a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern after heating,
At least one of the steps of forming the photosensitive resin composition layer and the exposure step, between the exposure step and the developing step, between the developing step and the heating step, and between the heating step and the metal layer forming step, And then performing a preservation step of preserving the state for 5 minutes or longer.
청구항 15에 있어서,
동일한 보존 공정의 조건으로 복수의 전자 디바이스를 제조하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
And a plurality of electronic devices are manufactured under the same conditions of the preservation process.
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