[go: up one dir, main page]

KR20180096659A - Flux cleaning composition - Google Patents

Flux cleaning composition Download PDF

Info

Publication number
KR20180096659A
KR20180096659A KR1020187018720A KR20187018720A KR20180096659A KR 20180096659 A KR20180096659 A KR 20180096659A KR 1020187018720 A KR1020187018720 A KR 1020187018720A KR 20187018720 A KR20187018720 A KR 20187018720A KR 20180096659 A KR20180096659 A KR 20180096659A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
mass
flux
cleaning
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
KR1020187018720A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
다이스케 가야쿠보
히로카즈 가와시모
Original Assignee
카오카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 카오카부시키가이샤 filed Critical 카오카부시키가이샤
Publication of KR20180096659A publication Critical patent/KR20180096659A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C11D11/0047
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/66Non-ionic compounds
    • C11D1/72Ethers of polyoxyalkylene glycols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D17/00Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
    • C11D17/08Liquid soap, e.g. for dispensers; capsuled
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/20Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003Alcohols; Phenols
    • C11D3/2006Monohydric alcohols
    • C11D3/2034Monohydric alcohols aromatic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/26Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43Solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20Other heavy metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

플럭스 잔사의 세정에 바람직한 플럭스용 세정제 조성물의 제공. 본 개시는, 일 실시형태에 있어서, 하기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 하기 식 (III) 으로 나타내는 화합물 (성분 C), 하기 식 (IV) 로 나타내는 화합물 (성분 D), 방향족 알코올 (성분 E), 및 물 (성분 F) 을 함유하고, 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 (성분 E/(성분 C + 성분 D)) 가, 0.18 이상 0.45 이하인, 플럭스용 세정제 조성물에 관한 것이다.

Figure pct00006

R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)
R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)
R6OCH2-CH(OH)-CH2OH (IV)Providing a detergent composition for flux that is suitable for cleaning flux residues. The present disclosure relates to a compound represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) (Component D), aromatic alcohol (component E), and water (component F), and the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D (component E / C + component D)) is not less than 0.18 and not more than 0.45.
Figure pct00006

R 4 -O- (CH 2 CH 2 O) n -H (II)
R 5 -O- (CH 2 CH 2 O) m -H (III)
R 6 OCH 2 -CH (OH) -CH 2 OH (IV)

Description

플럭스용 세정제 조성물Flux cleaning composition

본 개시는, 플럭스용 세정제 조성물, 플럭스 잔사의 세정 방법 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a detergent composition for flux, a method for cleaning flux residues, and a method for manufacturing electronic components.

최근, 프린트 배선판이나 세라믹 기판에 대한 전자 부품의 실장에 관해서는, 저소비 전력, 고속 처리 등의 관점에서, 부품이 소형화되고, 땜납 플럭스의 세정에 있어서는 세정해야 할 간극이 좁아지고 있다. 또, 환경 안전면에서 납프리 땜납이 사용되도록 되고 있고, 이것에 수반하여 로진계 플럭스가 사용되고 있다.In recent years, regarding the mounting of electronic components to a printed wiring board or a ceramic substrate, in terms of low power consumption, high-speed processing, and the like, components are miniaturized and the clearance to be cleaned is reduced in cleaning of the solder flux. In addition, lead-free solder is used in view of environmental safety, and rosin-based flux is used in conjunction with this.

특허문헌 1 에는, 유기 용제, 탄소수 4 ∼ 12 의 알킬기 또는 알케닐기를 갖는 글리세릴에테르 5 ∼ 30 중량%, 및 물 5 중량% 이상을 함유하여 이루어지는 금속 부품, 전자 부품, 반도체 부품 및 액정 표시 패널 등의 정밀 부품용의 함수계 세정제 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a metal part, an electronic part, a semiconductor part, and a liquid crystal display panel which contain an organic solvent, 5 to 30% by weight of a glyceryl ether having an alkyl group or an alkenyl group of 4 to 12 carbon atoms, and 5% Based detergent composition for a precision component.

특허문헌 2 에는, (A) 글리세릴에테르를 0.25 ∼ 15.0 중량%, (B) HLB 가 12.0 ∼ 18.0 인 비이온 계면 활성제를 1.0 ∼ 60.0 중량%, (C) 탄화수소를 1.0 ∼ 10.0 중량%, (D) 글리콜에테르를 1.0 ∼ 20.0 중량%, 및 (E) 물을 함유하여 이루어지고, 또한 그 성분 (B) 의 비이온 계면 활성제가 다음의 식 : R-X-(EO)m(PO)n-H 로 나타나고, 또한 그 성분 (B) 와 그 성분 (A) 의 중량비 (성분 (B)/성분 (A)) 가 4/1 ∼ 8/1 이고, 세정제 조성물이 균일하고, 안전성이 높고, 좁은 갭에 있어서의 각종 오염의 세정성, 반복 세정성 및 헹굼성이 우수하고, 세정시와 헹굼시에 있어서 내기포성이 좋은 경질 표면용 세정제 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a nonionic surfactant composition comprising (A) glyceryl ether in an amount of 0.25 to 15.0 wt%, (B) 1.0 to 60.0 wt% of a nonionic surfactant having an HLB of 12.0 to 18.0, (C) 1.0 to 10.0 wt% (E) m (PO) nH wherein the nonionic surfactant of the component (B) is represented by the following formula: RX- (EO) m And the weight ratio (component (B) / component (A)) of the component (B) and the component (A) thereof is 4/1 to 8/1, the cleaning agent composition is uniform, the safety is high, Which is excellent in cleansing properties, repeated cleaning properties and rinsing properties of various kinds of contamination of the surface of a substrate, and has excellent anti-repellency at the time of cleaning and rinsing.

특허문헌 3 에는, 벤질알코올로 이루어지는 납땜 전자 부품의 플럭스 세정제가 개시되어 있다.Patent Document 3 discloses a flux cleaning agent for a soldering electronic component made of benzyl alcohol.

특허문헌 4 에는, 전체량에 대해, 글리콜 화합물의 함유량이 1 중량% 미만인 경우에는, 벤질알코올의 함유량을 70 ∼ 99.9 중량% 의 범위 및 아미노알코올의 함유량을 0.1 ∼ 30 중량% 의 범위로 하고, 글리콜 화합물의 함유량이 1 ∼ 40 중량% 인 경우에는, 벤질알코올의 함유량을 15 ∼ 99 중량% 의 범위 및 아미노알코올의 함유량을 0.1 ∼ 30 중량% 의 범위로 하는 것을 특징으로 하는 땜납 플럭스 제거용 세정제가 개시되어 있다.Patent Document 4 discloses that when the content of the glycol compound is less than 1 wt%, the content of the benzyl alcohol is in the range of 70 to 99.9 wt% and the content of the amino alcohol is in the range of 0.1 to 30 wt% Wherein the content of the benzyl alcohol is in the range of 15 to 99 wt% and the content of the amino alcohol is in the range of 0.1 to 30 wt% when the content of the glycol compound is 1 to 40 wt% .

특허문헌 5 에는, (A) 벤질알코올 50 ∼ 70 중량%, (B) 어느 특정한 수용성 글리콜에테르 20 ∼ 40 중량%, (C) HLB 가 12 ∼ 18 인 비이온 계면 활성제 1 ∼ 20 중량%, (D) 물 5 ∼ 20 중량%, (E) 알칸올아민, 알칼리염류, 유기산, 소포제, 증점제로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종을 잔 (殘) 중량% 함유하고, 상기 (A) ∼ (E) 성분을 배합하여 전체를 100 중량% 로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공업용 세정제 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 5 discloses that (A) 50 to 70% by weight of benzyl alcohol, (B) 20 to 40% by weight of a specific water-soluble glycol ether, (C) 1 to 20% by weight of a nonionic surfactant having an HLB of 12 to 18, (E) 5 to 20% by weight of water, (D) at least one member selected from the group consisting of alkanolamines, alkali salts, organic acids, antifoaming agents and thickening agents, By weight based on 100 parts by weight of the total amount of the cleaning composition.

특허문헌 6 에는, 탄소수 1 ∼ 18 의 탄화수소기를 갖는 글리세릴에테르를 함유하는, 정밀 부품용 또는 그 조립 가공 공정에 사용되는 치공구류용 세정제 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 6 discloses a detergent composition for a precision tool or a tooth tool for use in an assembly processing process containing glyceryl ether having a hydrocarbon group of 1 to 18 carbon atoms.

특허문헌 7 에는, 어느 특정한 폴리옥시알킬렌디알킬에테르, 어느 특정한 폴리옥시알킬렌모노알킬에테르 및 아민계 화합물을 함유하고, 25 ℃ 에서의 동점도가 5 ㎟/s 이하인 전자 부품, 정밀 부품 또는 그 조립 가공 공정에 사용되는 치공구류의 고체 표면에 존재하는 유지, 기계유, 절삭유, 그리스, 액정, 로진계 플럭스 등의 오염 제거에 바람직하게 사용할 수 있는 세정제 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 7 discloses an electronic component, a precision component or an assembly thereof containing a specific polyoxyalkylene dialkyl ether, a specific polyoxyalkylene monoalkyl ether and an amine compound and having a kinematic viscosity at 25 ° C of 5 mm 2 / s or less There is disclosed a detergent composition which can be suitably used for decontamination such as oil, oil, grease, liquid crystal, rosin-based flux and the like present on a solid surface of a toothbrush used in a processing process.

일본 공개특허공보 2004-2688호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-2688 일본 공개특허공보 2010-155904호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-155904 일본 공개특허공보 평4-34000호Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-34000 국제 공개 공보 제2005/021700호International Publication No. 2005/021700 일본 공개특허공보 2000-8080호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2000-8080 일본 공개특허공보 평6-346092호Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 6-346092 일본 공개특허공보 평10-168488호Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-168488

최근, 반도체 패키지 기판의 소형화에 의해, 땜납 범프의 미소화나 접속하는 부품과의 간극이 좁아지고 있다. 그리고, 땜납 범프의 미소화나 접속하는 부품과의 간극이 좁아짐으로써, 상기 특허문헌에 개시되어 있는 세정제 조성물에서는, 플럭스 잔사에 대한 세정성이 충분하다고는 할 수 없게 되어 있다.In recent years, due to the miniaturization of the semiconductor package substrate, the gap between the solder bumps and the parts to be connected becomes narrow. Further, since the gap between the solder bump and the connected component is narrowed, the detergent composition disclosed in the patent document can not be said to have sufficient cleaning property for the flux residue.

그래서, 본 개시는, 플럭스 잔사의 세정에 바람직한 플럭스용 세정제 조성물, 그것을 사용한 세정 방법 및 전자 부품의 세정 방법을 제공한다.Thus, the present disclosure provides a cleaning composition for flux, which is preferable for cleaning flux residues, a cleaning method using the composition, and a cleaning method for electronic components.

본 개시는, 하기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 하기 식 (III) 으로 나타내는 화합물 (성분 C), 하기 식 (IV) 로 나타내는 화합물 (성분 D), 방향족 알코올 (성분 E), 및 물 (성분 F) 을 함유하고, 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 (성분 E/(성분 C + 성분 D)) 가, 0.18 이상 0.45 이하인, 플럭스용 세정제 조성물에 관한 것이다.The present disclosure relates to a compound represented by the following formula (I) (component A), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) (Component E / (component C + component D)) containing the compound (component D), the aromatic alcohol (component E) and water (component F) and the mass of component E to the total mass of component C and component D, Is not less than 0.18 and not more than 0.45.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 식 (I) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R3 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로부터 선택되는 적어도 1 종이다.R 1 is at least one member selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxy group, a hydroxy group, a methyl group and an ethyl group, 1, and R 3 is at least one member selected from the group consisting of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.

R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)R 4 -O- (CH 2 CH 2 O) n -H (II)

상기 식 (II) 에 있어서, R4 는 탄소수 4 이상 7 이하의 탄화수소기를 나타내고, n 은 부가 몰수로서 1 이상 5 이하의 정수이다.In the formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 or more and 7 or less carbon atoms, and n is an integer of 1 to 5,

R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)R 5 -O- (CH 2 CH 2 O) m -H (III)

상기 식 (III) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, m 은 평균 부가 몰수로서 4 이상 8 이하의 수이다.In the formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 12 carbon atoms and m is an average addition number of moles of 4 or more and 8 or less.

R6OCH2-CH(OH)-CH2OH (IV)R 6 OCH 2 -CH (OH) -CH 2 OH (IV)

상기 식 (IV) 에 있어서, R6 은 탄소수 6 이상 11 이하의 탄화수소기를 나타낸다.In the formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms.

본 개시는, 플럭스 잔사를 갖는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는, 플럭스 잔사의 세정 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of cleaning a flux residue having a process of cleaning a material to be cleaned with flux residue with a detergent composition related to the present disclosure.

본 개시는, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 그리고 상기 부품 등을 접속하기 위한 땜납 범프를 회로 기판 상에 형성하는 공정으로부터 선택되는 적어도 1 개의 공정과, 상기 부품이 탑재된 회로 기판 및 상기 땜납 범프가 형성된 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개를 본 개시에 관련된 플럭스 잔사의 세정 방법에 의해 세정하는 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a process for mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board onto a circuit board by soldering using flux, and a process for mounting a solder bump for connecting the component, And a step of cleaning at least one selected from the circuit board on which the component is mounted and the circuit board on which the solder bump is formed by the cleaning method of the flux residue relating to this disclosure The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component.

본 개시에 의하면, 플럭스 잔사의 세정성이 우수한 플럭스용 세정제 조성물을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a detergent composition for flux which is excellent in cleaning property of flux residues.

본 개시는, 특정한 아민 (성분 A), 특정한 글리콜에테르 (성분 B), 특정한 폴리옥시에틸렌알킬에테르 (성분 C), 특정한 글리세릴에테르 (성분 D) 및 방향족 알코올 (성분 E) 을 함유하는 세정제 조성물에 있어서, 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비를 규정함으로써, 종래보다 플럭스 잔사의 세정성이 향상된다는 지견에 기초한다.This disclosure discloses a detergent composition comprising a specific amine (component A), a specific glycol ether (component B), a specific polyoxyethylene alkyl ether (component C), a specific glyceryl ether (component D) and an aromatic alcohol (component E) , The ratio of the mass of the component E to the total mass of the component C and the component D is defined so that the detergency of the flux residue is improved more than in the prior art.

즉, 본 개시는, 상기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 상기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 상기 식 (III) 으로 나타내는 화합물 (성분 C), 상기 식 (IV) 로 나타내는 화합물 (성분 D), 방향족 알코올 (성분 E), 및 물 (성분 F) 을 함유하고, 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 (성분 E/(성분 C + 성분 D)) 가, 0.18 이상 0.45 이하인, 플럭스용 세정제 조성물 (이하, 「본 개시에 관련된 세정제 조성물」이라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시에 의하면, 플럭스 잔사의 세정성이 우수한 플럭스용 세정제 조성물이 얻어질 수 있다. 또한, 본 개시에 의하면, 안정성 및 물에 의한 헹굼성이 양호하고, 땜납 금속에 대한 부식 등의 영향을 억제할 수 있는 플럭스용 세정제 조성물이 얻어질 수 있다.That is, the present disclosure relates to a compound represented by formula (I) (component A), a compound represented by formula (II) (component B), a compound represented by formula (III) (Component D), aromatic alcohol (component E), and water (component F), and the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D (component E / (component C + component D ) Of not less than 0.18 and not more than 0.45 (hereinafter, also referred to as " detergent composition relating to the present disclosure "). According to the present disclosure, a detergent composition for flux having excellent cleaning property of flux residue can be obtained. Further, according to the present disclosure, a detergent composition for flux can be obtained which is excellent in stability and rinsability with water and can suppress the influence of corrosion on the solder metal.

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 효과의 작용 메커니즘의 상세한 것은 불명확한 부분이 있지만, 이하와 같이 추정된다. 즉, 본 개시에 관련된 세정제 조성물에서는, 상기 성분 A 및 성분 B 의 존재하에서, 성분 C, 성분 D 및 성분 E 가 특정한 질량비로 함유되어 있기 때문에, 세정제 조성물 중에서 성분 C, 성분 D 및 성분 E 가 배향되어 존재하고, 플럭스의 용해성은 높지만 물에 녹기 어려운 성분 E 를 세정제 조성물 중에 균일하게 분산시킬 수 있고, 그 결과, 플럭스 잔사에 대한 세정성이 향상된다고 추측된다. 또한, 상기와 같은 배향이 일어남으로써, 땜납 표면을 부식하는 요인이라고 생각되는 아민 성분 (성분 A) 이 필요 이상으로 땜납과 접촉하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 땜납 범프 표면에 부식 등의 영향을 일으키지 않는다고 추측된다. 단, 본 개시는 이 메커니즘으로 한정하여 해석되지 않아도 된다.Although the details of the mechanism of action of the effect in the detergent composition related to the present disclosure are unclear, they are estimated as follows. That is, in the detergent composition according to the present disclosure, since the component C, the component D and the component E are contained in a specific mass ratio in the presence of the component A and the component B, the components C, D, And component E, which is high in solubility of the flux but hardly soluble in water, can be uniformly dispersed in the detergent composition, and as a result, cleaning property of the flux residue is improved. In addition, since the orientation as described above can be prevented, the amine component (component A), which is considered to be a cause of corrosion on the surface of the solder, can be prevented from contacting the solder more than necessary. Therefore, the surface of the solder bump is not affected by corrosion . However, the present disclosure is not limited to this mechanism.

또한, 최근, 땜납 범프의 미소화나 접속하는 부품과의 간극이 좁아짐에 따라, 인쇄성, 용융성, 세정성을 유지하면서, 보이드의 발생을 억제 가능한 고기능의 플럭스 (예를 들어, 고활성 플럭스) 가 사용되고 있는데, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 이와 같은 고기능의 플럭스의 잔사에 대해서도 바람직하게 사용될 수 있다.In recent years, a high-performance flux (for example, a high-activity flux) capable of suppressing the generation of voids while maintaining printability, melting property, and cleaning property as the gap between the solder bump and the connected component narrows, , The detergent composition relating to the present disclosure can be preferably used also for the residue of such a high-performance flux.

본 개시에 있어서 「플럭스」란, 전극이나 배선 등의 금속과 땜납 금속의 접속을 방해하는 산화물을 제거하고, 상기 접속을 촉진하기 위해서 사용되는, 납땜에 사용되는 로진 또는 로진 유도체를 함유하는 로진계 플럭스나 로진을 포함하지 않는 수용성 플럭스 등을 말하고, 본 개시에 있어서 「납땜」은 리플로 방식 및 플로 방식의 납땜을 포함한다. 본 개시에 있어서 「땜납 플럭스」란, 땜납과 플럭스의 혼합물을 말한다. 본 개시에 있어서 「플럭스 잔사」란, 플럭스를 사용하여 땜납 범프를 형성한 후의 기판, 및/또는 플럭스를 사용하여 납땜을 한 후의 기판 등에 잔존하는 플럭스 유래의 잔사를 말한다. 예를 들어, 회로 기판 상에 다른 부품 (예를 들어, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 다른 회로 기판 등) 이 적층하여 탑재되면 상기 회로 기판과 상기 다른 부품 사이에 공간 (간극) 이 형성된다. 상기 탑재를 위해서 사용되는 플럭스는, 리플로 등에 의해 납땜된 후에, 플럭스 잔사로서 이 간극에도 잔존할 수 있다. 본 개시에 있어서 「플럭스용 세정제 조성물」이란, 플럭스 또는 땜납 플럭스를 사용하여 땜납 범프를 형성 및/또는 납땜한 후의 플럭스 잔사를 세정하기 위한 세정제 조성물을 말한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 의한 세정성의 현저한 효과 발현의 점에서, 땜납은 납 (Pb) 프리 땜납인 것이 바람직하다.In the present disclosure, the term " flux " refers to a rosin system containing a rosin or a rosin derivative used for soldering, which is used for removing an oxide which interferes with the connection of a metal such as an electrode or a wiring with a solder metal, Soluble flux not containing flux or rosin, and the term " soldering " in this disclosure includes reflow soldering and flow soldering. In the present disclosure, "solder flux" refers to a mixture of solder and flux. The term " flux residue " in the present disclosure refers to a flux-derived residue remaining on a substrate after the solder bumps are formed using flux and / or on a substrate after soldering using flux. For example, when another component (for example, a semiconductor chip, a chip capacitor, another circuit board, or the like) is stacked and mounted on a circuit board, a space (gap) is formed between the circuit board and the other component. The flux used for the mounting may remain in the gap as a flux residue after soldering by a reflow or the like. Refers to a detergent composition for cleaning flux residue after forming and / or soldering a solder bump using a flux or a solder flux. The term " detergent composition for flux " From the viewpoint of manifesting the remarkable effect of cleaning property by the detergent composition relating to the present disclosure, the solder is preferably a lead (Pb) -free solder.

[성분 A][Component A]

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 는, 하기 식 (I) 로 나타내는 화합물이다.Component A in the detergent composition according to the present disclosure is a compound represented by the following formula (I).

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 식 (I) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R3 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로부터 선택되는 적어도 1 종이다.R 1 is at least one member selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxy group, a hydroxy group, a methyl group and an ethyl group, 1, and R 3 is at least one member selected from the group consisting of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.

성분 A 로는, 예를 들어, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 알칸올아민, 그리고 이들의 알킬화물 및 아미노알킬화물로부터 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 성분 A 의 구체예로는, 세정성 향상의 관점에서, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, N-메틸모노에탄올아민, N-메틸모노이소프로판올아민, N-에틸모노에탄올아민, N-에틸모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-디메틸모노에탄올아민, N-디메틸모노이소프로판올아민, N-메틸디에탄올아민, N-메틸디이소프로판올아민, N-디에틸모노에탄올아민, N-디에틸모노이소프로판올아민, N-에틸디에탄올아민, N-에틸디이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)모노이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)디에탄올아민, N-(β-아미노에틸)디이소프로판올아민으로부터 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, N-메틸모노에탄올아민, N-디메틸모노에탄올아민, N-에틸모노에탄올아민 및 N-(β-아미노에틸)모노에탄올아민으로부터 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, N-메틸모노에탄올아민 및 N-디메틸모노에탄올아민으로부터 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하다.Component A includes, for example, at least one member selected from alkanolamines such as monoethanolamine and diethanolamine, and alkylated and aminoalkylated products thereof. Specific examples of the component A may include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylmonoisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, N-ethylmonoisopropanolamine , Diethanolamine, diisopropanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N-dimethylmonoisopropanolamine, N-methyldiethanolamine, N-methyldiisopropanolamine, N-diethylmonoethanolamine, N-ethyldiisopropanolamine, N- (β-aminoethyl) monoethanolamine, N- (β-aminoethyl) monoisopropanolamine, N- (β-aminoethyl) di At least one member selected from the group consisting of monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N (dimethylamino) - ethyl mono More preferably at least one selected from ethanolamine and N- (? -Aminoethyl) monoethanolamine, and more preferably at least one selected from N-methylmonoethanolamine and N-dimethylmonoethanolamine.

본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 A 의 함유량은, 세정성 향상의 관점에서, 0.2 질량% 이상이 바람직하고, 0.3 질량% 이상이 보다 바람직하고, 0.4 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 0.5 질량% 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 세정성 향상 및 땜납 금속의 부식 억제의 관점에서, 10 질량% 이하가 바람직하고, 8 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 3 질량% 이하가 보다 더 바람직하다.The content of the component A in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 0.2 mass% or more, more preferably 0.3 mass% or more, still more preferably 0.4 mass% or more, and 0.5 mass% or more By mass, more preferably not more than 8% by mass, further preferably not more than 5% by mass, even more preferably not more than 3% by mass, from the viewpoints of improvement in cleaning property and suppression of corrosion of solder metal, Or less.

[성분 B][Component B]

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 B 는, 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물이다.Component B in the detergent composition related to the present disclosure is a compound represented by the following formula (II).

R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)R 4 -O- (CH 2 CH 2 O) n -H (II)

상기 식 (II) 에 있어서, R4 는, 탄소수 4 이상 7 이하의 탄화수소기를 나타내고, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 탄소수 4 이상 6 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 4 이상 6 이하의 알킬기가 보다 바람직하다. n 은 부가 몰수를 나타내고, 1 이상 5 이하의 정수이고, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 1 이상 4 이하의 정수가 바람직하고, 2 이상 3 이하의 정수가 보다 바람직하다. 또한, n 은, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 1 이상이 바람직하고, 2 이상이 바람직하고, 그리고, 5 이하가 바람직하고, 4 이하가 바람직하고, 3 이하가 바람직하다.In the formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 to 7 carbon atoms and is preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 4 to 6 carbon atoms Is more preferable. n is an integer of 1 to 4, preferably an integer of 1 or more and 5 or less, more preferably an integer of 1 or more and 4 or less, and more preferably an integer of 2 or more and 3 or less, from the viewpoints of improvement in cleaning property and improvement in stability. Further, n is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, and is preferably 5 or less, more preferably 4 or less, and most preferably 3 or less from the viewpoints of improvement in cleaning property and improvement in stability.

성분 B 로는, 예를 들어, 탄소수 4 이상 7 이하의 탄화수소기를 갖는, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 트리에틸렌글리콜모노알킬에테르, 테트라에틸렌글리콜모노알킬에테르, 펜타에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 트리에틸렌글리콜모노페닐에테르, 테트라에틸렌글리콜모노페닐에테르, 펜타에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노벤질에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르, 트리에틸렌글리콜모노벤질에테르, 테트라에틸렌글리콜모노벤질에테르 및 펜타에틸렌글리콜모노벤질에테르로부터 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 성분 B 로는, 세정성 향상, 세정제 조성물의 점도 저하 및 안정성 향상의 관점에서, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 모노에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노벤질에테르 및 디에틸렌글리콜모노벤질에테르로부터 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 모노에틸렌글리콜모노헥실에테르 및 디에틸렌글리콜모노헥실에테르로부터 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 디에틸렌글리콜모노헥실에테르로부터 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하고, 헹굼성의 관점에서, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르가 보다 더 바람직하다.Component B includes, for example, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ethers, triethylene glycol monoalkyl ethers, tetraethylene glycol monoalkyl ethers, pentaethylene glycol monoalkyl ethers having a hydrocarbon group of 4 to 7 carbon atoms Ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monophenyl ether, tetraethylene glycol monophenyl ether, pentaethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, tri Ethylene glycol monobenzyl ether, tetraethylene glycol monobenzyl ether, and pentaethylene glycol monobenzyl ether. From the viewpoints of improving the cleaning property, lowering the viscosity of the detergent composition and improving stability, the component B is preferably at least one selected from the group consisting of ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl ether, At least one member selected from monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether and diethylene glycol monobenzyl ether is preferable and ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether , Triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl ether, and diethylene glycol monohexyl ether, and more preferably at least one kind selected from diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether and diethylene glycol monohexyl From ether Selecting at least one member and more preferably, it is more preferably in view of the rinsing, diethylene glycol monobutyl ether.

본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 B 의 함유량은, 세정성 향상, 헹굼성 향상, 세정제 조성물의 점도 저하, 안정성 향상, 땜납 금속의 부식 억제의 관점에서, 10 질량% 이상이 바람직하고, 12 질량% 이상이 보다 바람직하고, 15 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 20 질량% 이상이 보다 더 바람직하다. 상기 성분 B 의 함유량은, 세정제 조성물의 점도를 낮추는 관점에서, 25 질량% 이상이 보다 더 바람직하다. 상기 성분 B 의 함유량은, 세정성 향상, 세정제 조성물의 점도 저하 및 안정성 향상의 관점에서, 45 질량% 이하가 바람직하고, 40 질량% 이하가 보다 바람직하고, 35 질량% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the component B in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 10% by mass or more, more preferably 12% by mass or more, from the viewpoints of improvement in cleaning property, improvement in rinsing property, More preferably 15 mass% or more, and still more preferably 20 mass% or more. The content of the component B is more preferably 25 mass% or more from the viewpoint of lowering the viscosity of the detergent composition. The content of the component B is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, still more preferably 35% by mass or less from the viewpoints of improvement in cleaning property, lowering of the viscosity of the detergent composition and improvement in stability.

[성분 C][Component C]

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 C 는, 하기 식 (III) 으로 나타내는 화합물이다.Component C in the detergent composition according to the present disclosure is a compound represented by the following formula (III).

R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)R 5 -O- (CH 2 CH 2 O) m -H (III)

상기 식 (III) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 탄소수 8 이상 10 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 8 이상 10 이하의 알킬기가 보다 바람직하다. m 은 평균 부가 몰수를 나타내고, 4 이상 8 이하의 수이고, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 5 이상 7 이하의 수가 바람직하고, 5 이상 6 이하의 수가 보다 바람직하다. 또한, m 은, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 4 이상이 바람직하고, 5 이상이 보다 바람직하고, 그리고, 8 이하가 바람직하고, 7 이하가 보다 바람직하고, 6 이하가 더욱 바람직하다.In the formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group of 8 to 12 carbon atoms, preferably a hydrocarbon group of 8 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group of 8 to 10 carbon atoms More preferable. m represents an average addition mole number and is a number of 4 or more and 8 or less. The number of moles is preferably 5 or more and 7 or less, more preferably 5 or more and 6 or less, from the viewpoints of improvement of cleaning property and improvement of stability. Further, m is preferably 4 or more, more preferably 5 or more, and is preferably 8 or less, more preferably 7 or less, and even more preferably 6 or less, from the viewpoints of improvement in cleaning property and improvement in stability.

성분 C 로는, 예를 들어, 상기 식 (III) 으로 나타내는 탄소수 8 이상 12 이하의 탄화수소기를 갖고, 에틸렌옥사이드의 평균 부가 몰수 (m) 가 4 이상 8 이하인, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알케닐에테르 및 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르로부터 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있고, 세정성 향상의 관점에서, 폴리옥시에틸렌알킬에테르가 바람직하다. R5 의 탄화수소기의 탄소수는, 세정성 향상, 세정제 조성물의 점도 저하 및 안정성 향상의 관점에서, 10 이하가 바람직하다. 성분 C 의 구체예로는, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌2-에틸헥실에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌노닐에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌2-프로필헵틸에테르, 폴리옥시에틸렌4-메틸프로필헥실에테르, 폴리옥시에틸렌5-메틸프로필헥실에테르, 및 폴리옥시에틸렌도데실에테르로부터 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있고, 세정제 조성물의 점도 저하 및 안정성 향상의 관점에서, 폴리옥시에틸렌2-에틸헥실에테르가 바람직하다.The component C is, for example, a polyoxyethylene alkyl ether, a polyoxyethylene alkyl ether having a hydrocarbon group having 8 or more carbon atoms and having an average addition mol number (m) of ethylene oxide of 4 or more and 8 or less, And polyoxyethylene alkyl phenyl ether. From the viewpoint of improvement in cleaning property, polyoxyethylene alkyl ether is preferable. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group of R 5 is preferably 10 or less from the viewpoints of improvement in cleaning property, lowering of the viscosity of the detergent composition and improvement in stability. Specific examples of the component C include, for example, polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene nonyl ether, polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene 2-propylheptyl ether, Ethylene 4-methylpropyl hexyl ether, polyoxyethylene 5-methylpropyl hexyl ether, and polyoxyethylene dodecyl ether. From the viewpoint of lowering viscosity and improving stability of the detergent composition, polyoxyethylene Ethylene 2-ethylhexyl ether is preferred.

본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 C 의 함유량은, 세정성 향상, 헹굼성 향상, 세정제 조성물의 점도 저하 및 안정성 향상의 관점에서, 10 질량% 이상이 바람직하고, 15 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 헹굼성 향상, 세정제 조성물의 점도 저하 및 안정성 향상의 관점에서, 50 질량% 이하가 바람직하고, 40 질량% 이하가 보다 바람직하고, 30 질량% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the component C in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more from the viewpoints of improvement in cleaning property, improvement in rinsability, lowering of viscosity of the detergent composition, More preferably not less than 20% by mass, more preferably not more than 50% by mass, more preferably not more than 40% by mass, even more preferably not more than 30% by mass, from the viewpoints of improvement in rinsability, desirable.

[성분 D][Component D]

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 D 는, 하기 식 (IV) 로 나타내는 화합물이다. 본 개시에 의하면, 성분 D 를 사용함으로써, 플럭스 잔사에 대해 우수한 세정성이 얻어진다는 이점이 있다.Component D in the detergent composition related to the present disclosure is a compound represented by the following formula (IV). According to the present disclosure, by using the component D, there is an advantage that excellent cleaning property is obtained for the flux residue.

R6OCH2-CH(OH)-CH2OH (IV)R 6 OCH 2 -CH (OH) -CH 2 OH (IV)

상기 식 (IV) 에 있어서, R6 은 탄소수 6 이상 11 이하의 탄화수소기를 나타내고, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 탄소수 8 이상 10 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 8 이상 10 이하의 알킬기가 보다 바람직하다.In the formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 or more and 11 or less carbon atoms, preferably a hydrocarbon group of 8 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group of 8 to 10 carbon atoms More preferable.

성분 D 로는, 상기 식 (IV) 로 나타내는 탄소수 6 이상 11 이하의 탄화수소기를 갖는 글리세릴에테르로서, 안정성 향상의 관점에서, 알킬글리세릴에테르가 바람직하다. 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, R6 은, 탄소수 6 이상 11 이하의 직사슬 혹은 분기 사슬을 갖는 알킬기 또는 알케닐기가 바람직하고, 탄소수 6 이상 10 이하의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 8 의 알킬기가 더욱 바람직하다. R6 으로는, 예를 들어 n-헥실기, 이소헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등의 탄소수 6 이상 11 이하의 알킬기를 들 수 있고, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 2-에틸헥실기, 및 n-데실기로부터 선택되는 적어도 1 개가 바람직하고, 2-에틸헥실기가 보다 바람직하다. 성분 D 의 구체예로는, 예를 들어, 헥실글리세릴에테르, 옥틸글리세릴에테르, 2-에틸헥실글리세릴에테르, 노닐글리세릴에테르, 데실글리세릴에테르, 및 운데실글리세릴에테르로부터 선택되는 적어도 1 개를 들 수 있다.As the component D, an alkyl glyceryl ether is preferable as the glyceryl ether having a hydrocarbon group having 6 or more and 11 or less carbon atoms and represented by the formula (IV). From the viewpoints of improvement in cleaning property and improvement in stability, R 6 is preferably an alkyl group or an alkenyl group having a linear or branched chain having 6 to 11 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, An alkyl group is more preferred. As R 6 , there may be mentioned, for example, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms such as an n-hexyl group, an isohexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, a 2-ethylhexyl group, Alkyl group. From the viewpoint of improving the cleaning property and improving the stability, at least one selected from a 2-ethylhexyl group and an n-decyl group is preferable, and a 2-ethylhexyl group is more preferable. Specific examples of the component D include at least an ester compound selected from hexyl glyceryl ether, octyl glyceryl ether, 2-ethylhexyl glyceryl ether, nonyl glyceryl ether, decyl glyceryl ether, and undecyl glyceryl ether One can be mentioned.

본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 D 의 함유량은, 세정성 향상, 헹굼성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 0.5 질량% 이상이 바람직하고, 1 질량% 이상이 보다 바람직하고, 1.5 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 2 질량% 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 15 질량% 이하가 바람직하고, 13 질량% 이하가 보다 바람직하고, 10 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 7 질량% 이하가 보다 더 바람직하다.The content of the component D in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, further preferably 1.5% by mass or more from the viewpoints of improvement in cleaning property, improvement in rinsability, More preferably not less than 2% by mass, and from the same viewpoint, it is preferably not more than 15% by mass, more preferably not more than 13% by mass, further preferably not more than 10% by mass, even more preferably not more than 7% .

[성분 E][Component E]

본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 세정성 향상의 관점에서, 방향족 알코올 (성분 E) 을 함유한다.The detergent composition according to the present disclosure contains an aromatic alcohol (component E) from the viewpoint of improvement in cleaning property.

성분 E 로는, 방향 고리 및 수산기를 갖는 화합물이면 되고, 세정성 향상의 관점에서, 성분 E 의 방향족 알코올의 탄소수는, 7 이상이 바람직하고, 10 이하가 바람직하고, 9 이하가 보다 바람직하다. 성분 E 의 구체예로는, 벤질알코올, 페네틸알코올, 4-메틸벤질알코올, 4-에틸벤질알코올, 2-페닐-1-프로판올, 및 2-페닐-2-프로판올로부터 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있고, 세정성 향상의 관점에서, 벤질알코올, 페네틸알코올 및 4-에틸벤질알코올로부터 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 벤질알코올이 보다 바람직하다.As the component E, a compound having an aromatic ring and a hydroxyl group can be used, and from the viewpoint of improvement in cleaning property, the number of carbon atoms of the aromatic alcohol of the component E is preferably 7 or more, more preferably 10 or less, Specific examples of the component E include at least one member selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol, 4-methylbenzyl alcohol, 4-ethylbenzyl alcohol, 2-phenyl-1-propanol, From the viewpoint of improvement in cleaning property, at least one species selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol and 4-ethylbenzyl alcohol is preferable, and benzyl alcohol is more preferable.

본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 E 의 함유량은, 세정성 향상의 관점에서, 고함유량인 것이 바람직하지만, 안정성, 세정성 향상 및 헹굼성 향상의 관점에서, 1 질량% 이상이 바람직하고, 2 질량% 이상이 보다 바람직하고, 3 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 5 질량% 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 25 질량% 이하가 바람직하고, 20 질량% 이하가 보다 바람직하고, 15 질량% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the component E in the detergent composition according to the present disclosure is preferably from a high content in view of improving the cleaning property, but is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, , More preferably not less than 3 mass%, further preferably not less than 3 mass%, further preferably not less than 5 mass%, and still more preferably not more than 25 mass%, more preferably not more than 20 mass% By mass or less.

[성분 E 와 성분 C 및 D 의 질량비][Weight ratio of component E to components C and D]

본 개시에 있어서, 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 (성분 E/(성분 C + 성분 D)) 는, 세정성 향상, 헹굼성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 0.18 이상으로서, 0.2 이상이 바람직하고, 0.25 이상이 보다 바람직하고, 그리고, 0.45 이하로서, 0.4 이하가 바람직하고, 0.35 이하가 보다 바람직하다.In the present disclosure, the ratio of the mass of the component E to the total mass of the component C and the component D (component E / (component C + component D)) is 0.18 or more in terms of improvement in cleansing property, improvement in rinsability, Is preferably 0.2 or more, more preferably 0.25 or more, and is preferably 0.45 or less, more preferably 0.4 or less, and still more preferably 0.35 or less.

[성분 C 와 성분 D 의 질량비][Weight ratio of component C to component D]

성분 C 의 질량과 성분 D 의 질량의 비 (성분 C/성분 D) 는, 헹굼성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 5 이상이 바람직하고, 6 이상이 보다 바람직하고, 7 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 10 이하가 바람직하고, 9.5 이하가 보다 바람직하고, 9 이하가 더욱 바람직하다.The ratio of the mass of the component C to the mass of the component D (component C / component D) is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, further preferably 7 or more from the viewpoints of improving the rinsability and improving the stability, From the same viewpoint, it is preferably 10 or less, more preferably 9.5 or less, and further preferably 9 or less.

[성분 F][Component F]

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 F 는, 물이다. 물로는, 이온 교환수, RO 수, 증류수, 순수, 초순수 등이 사용될 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 F 의 함유량은, 세정성 향상 및 안정성 향상의 관점에서, 10 질량% 이상이 바람직하고, 15 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 60 질량% 이하가 바람직하고, 50 질량% 이하가 보다 바람직하고, 40 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 30 질량% 이하가 보다 더 바람직하다.Component F in the detergent composition related to this disclosure is water. As the water, ion exchange water, RO water, distilled water, pure water, ultrapure water and the like can be used. The content of the component F in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, further preferably 20% by mass or more from the viewpoints of improvement in cleaning property and improvement in stability, , From the same viewpoint, it is preferably 60 mass% or less, more preferably 50 mass% or less, still more preferably 40 mass% or less, still more preferably 30 mass% or less.

[세정제 조성물의 그 밖의 성분][Other components of the detergent composition]

본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 필요에 따라 그 밖의 성분을 함유할 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 그 밖의 성분의 함유량은, 0 질량% 이상 2.0 질량% 이하가 바람직하고, 0 질량% 이상 1.5 질량% 이하가 보다 바람직하고, 0 질량% 이상 1.3 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 0 질량% 이상 1.0 질량% 이하가 더욱 더 바람직하다.The detergent composition according to the present disclosure may contain other components as required. The content of other components in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 0 mass% or more and 2.0 mass% or less, more preferably 0 mass% or more and 1.5 mass% or less, still more preferably 0 mass% or more and 1.3 mass% or less , And more preferably 0 mass% or more and 1.0 mass% or less.

본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 그 밖의 성분으로는, 발포성 억제의 관점에서, 예를 들어, 탄소수 10 ∼ 18 의 탄화수소 (성분 G) 를 들 수 있다. 성분 G 로는, 동일한 관점에서, 예를 들어, 도데센 및 테트라데센으로부터 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 G 의 함유량은, 발포성 억제의 관점에서, 0.5 질량% 이상이 바람직하고, 0.8 질량% 이상이 보다 바람직하고, 그리고, 1.5 질량% 이하가 바람직하고, 1.3 질량% 이하가 보다 바람직하고, 1.0 질량% 이하가 더욱 더 바람직하다.Other components in the detergent composition related to the present disclosure include, for example, hydrocarbons having 10 to 18 carbon atoms (component G) from the standpoint of suppressing foaming. As the component G, from the same viewpoint, there may be mentioned, for example, at least one member selected from dodecene and tetradecene. The content of the component G in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, and preferably 1.5% by mass or less, and 1.3% , And more preferably 1.0 mass% or less.

또한, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 본 개시의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라, 통상 세정제에 사용되는, 하이드록시에틸아미노아세트산, 하이드록시에틸이미노2아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산 등의 아미노카르복실산염 등의 킬레이트력을 갖는 화합물, 방부제, 방청제, 살균제, 항균제, 실리콘계 소포제, 산화 방지제, 야자 지방산 메틸이나 아세트산벤질 등의 에스테르 혹은 알코올류 등을 적절히 함유할 수 있다.The detergent composition according to the present disclosure may contain, if necessary, a surfactant such as hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminocaproic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, etc., which is usually used in a detergent, A preservative, a rust inhibitor, a bactericide, an antibacterial agent, a silicone antifoaming agent, an antioxidant, an ester such as coconut fatty acid methyl ester or a benzoic acid ester, or an alcohol, may suitably be contained.

[세정제 조성물의 제조 방법][Method for producing detergent composition]

본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 상기 성분 A ∼ F 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 공지된 방법으로 배합함으로써 제조할 수 있다. 따라서, 본 개시는, 적어도 상기 성분 A ∼ F 를 배합하는 공정을 포함하는, 세정제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 개시에 있어서 「배합한다」란, 성분 A ∼ F 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 동시에 또는 임의의 순서로 혼합하는 것을 포함한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 제조 방법에 있어서, 각 성분의 배합량은, 상기 서술한 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 각 성분의 함유량과 동일하게 할 수 있다. 본 개시에 있어서 「세정제 조성물 중의 각 성분의 함유량」이란, 세정시, 즉, 세정제 조성물을 세정에 사용하는 시점에서의 상기 각 성분의 함유량을 말한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 첨가 작업, 저장 및 수송의 관점에서, 농축액으로서 제조 및 보관하고, 사용시에 성분 A ∼ 성분 E 가 상기 서술한 함유량 (즉, 세정시의 함유량) 이 되도록 물 (성분 F) 로 희석하여 사용할 수 있다.The detergent composition according to the present disclosure can be prepared by blending the components A to F and other components as required in a known manner. Accordingly, the present disclosure is directed to a method of making a detergent composition comprising the step of blending at least the components A-F. In the present disclosure, " blending " includes mixing components A to F and other components, if necessary, simultaneously or in any order. In the method of manufacturing the detergent composition according to the present disclosure, the blending amount of each component may be the same as the content of each component in the detergent composition related to the present disclosure described above. In the present disclosure, the "content of each component in the detergent composition" refers to the content of each component at the time of cleaning, that is, at the time of using the detergent composition for cleaning. The detergent composition according to the present disclosure is prepared and stored as a concentrated liquid from the viewpoint of addition work, storage and transportation, and water (component (A)) is added so that the components A to E become the above- F).

[세정제 조성물의 pH][PH of detergent composition]

본 개시에 관련된 세정제 조성물의 pH 는, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서, pH 8 이상 pH 14 이하가 바람직하다. pH 는, 필요에 따라, 질산, 황산 등의 무기산, 옥시카르복실산, 다가 카르복실산, 아미노폴리카르복실산, 아미노산 등의 유기산, 및 그들의 금속염이나 암모늄염, 암모니아, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 아민 등의 성분 A 이외의 염기성 물질을 적절히, 원하는 양으로 배합함으로써 조정할 수 있다.The pH of the detergent composition according to the present disclosure is preferably pH 8 or higher and pH 14 or lower in order to improve the cleaning power against the flux residue. The pH may be adjusted, if necessary, by adding an inorganic acid such as nitric acid or sulfuric acid, an organic acid such as an oxycarboxylic acid, a polycarboxylic acid, an aminopolycarboxylic acid or an amino acid, and a metal salt or an ammonium salt thereof, ammonia, sodium hydroxide, Can be adjusted by appropriately adding a basic substance other than the component A in a desired amount.

[피세정물][Purified water]

본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사를 갖는 피세정물의 세정에 사용될 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스를 제거하기 위해서 사용될 수 있다. 플럭스 잔사를 갖는 피세정물로는, 예를 들어, 리플로된 땜납을 갖는 피세정물을 들 수 있다. 피세정물의 구체예로는, 예를 들어, 전자 부품 및 그 제조 중간물을 들 수 있고, 구체적으로는, 납땜 전자 부품 및 그 제조 중간물을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 부품이 땜납으로 납땜된 전자 부품 및 그 제조 중간물, 부품이 땜납을 개재하여 접속되어 있는 전자 부품 및 그 제조 중간물, 납땜된 부품의 간극에 플럭스 잔사를 포함하는 전자 부품 및 그 제조 중간물, 땜납을 개재하여 접속되어 있는 부품의 간극에 플럭스 잔사를 포함하는 전자 부품 및 그 제조 중간물 등을 들 수 있다. 상기 제조 중간물은, 반도체 패키지나 반도체 장치를 포함하는 전자 부품의 제조 공정에 있어서의 중간 제조물로서, 예를 들어, 플럭스를 사용한 납땜에 의해, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개의 부품이 탑재된 회로 기판, 및/또는 상기 부품을 땜납 접속하기 위한 땜납 범프가 형성된 회로 기판을 포함한다. 피세정물에 있어서의 간극이란, 예를 들어, 회로 기판과 그 회로 기판에 납땜되어 탑재된 부품 (반도체 칩, 칩형 콘덴서, 회로 기판 등) 의 사이에 형성되는 공간으로서, 그 높이 (부품 사이의 거리) 가, 예를 들어 5 ∼ 500 ㎛, 10 ∼ 250 ㎛, 혹은 20 ∼ 100 ㎛ 의 공간을 말한다. 간극의 폭 및 깊이는, 탑재되는 부품이나 회로 기판 상의 전극 (랜드) 의 크기나 간격에 의존한다.The detergent composition according to the present disclosure can be used in one or more embodiments to clean an object to be cleaned having a flux residue. The detergent composition according to the present disclosure may be used in one or more embodiments to remove flux. Examples of the object to be cleaned having a flux residue include an object to be cleaned having reflowed solder. Specific examples of the object to be cleaned include, for example, an electronic part and a manufacturing intermediate thereof, and specifically, a soldering electronic part and a manufacturing intermediate thereof can be enumerated. More specifically, An electronic component to which the soldered electronic component and its manufacturing intermediate, a component to which the component is connected via solder and its manufacturing intermediate, an electronic component including the flux residue, and a manufacturing intermediate thereof, An electronic component including a flux residue in a gap between connected components, and an intermediate for manufacturing the electronic component. The manufacturing intermediate is an intermediate product in a manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device. The intermediate product is at least one selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board by soldering using flux, for example. A circuit board on which one component is mounted, and / or a circuit board on which a solder bump for solder connection of the component is formed. The clearance in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip capacitor, circuit board, etc.) mounted by soldering to the circuit board, Distance) is, for example, a space of 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and the depth of the gap depend on the size and the interval of the electrodes (land) on the parts to be mounted or the circuit board.

[플럭스 잔사의 세정 방법][Cleaning method of flux residues]

본 개시는, 플럭스 잔사를 갖는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 접촉시키는 것을 포함하는, 플럭스 잔사의 세정 방법에 관한 것이다 (이하, 본 개시에 관련된 세정 방법이라고도 한다). 본 개시에 관련된 세정 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사를 갖는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는다. 피세정물에 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 접촉시키는 방법, 또는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 방법으로는, 예를 들어 초음파 세정 장치의 욕조 내에서 접촉시키는 방법, 세정제 조성물을 스프레이상으로 사출하여 접촉시키는 방법 (샤워 방식) 등을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 희석하지 않고 그대로 세정에 사용할 수 있다. 본 개시의 세정 방법은, 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 린스하고, 건조시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 본 개시의 세정 방법이면, 납땜한 부품의 간극에 잔존하는 플럭스 잔사를 효율적으로 세정할 수 있다. 본 개시의 세정 방법에 의한 세정성 및 좁은 간극에 대한 침투성의 현저한 효과 발현의 점에서, 땜납은 납 (Pb) 프리 땜납인 것이 바람직하다. 또한, 동일한 관점에서, 본 개시에 관련된 세정 방법은, 국제 특허 공보 2006/025224호 공보, 일본 특허공보 평6-75796호, 일본 공개특허공보 2014-144473호, 일본 공개특허공보 2004-230426호, 일본 공개특허공보 2013-188761호, 일본 공개특허공보 2013-173184호 등에 기재되어 있는 플럭스를 사용하여 땜납 접속한 전자 부품에 대해 사용하는 것이 바람직하다. 본 개시의 세정 방법은, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정력이 발휘되기 쉬운 점에서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물과 피세정물의 접촉시에 초음파를 조사하는 것이 바람직하고, 그 초음파는 비교적 강한 것이 보다 바람직하다. 상기 초음파의 주파수 및 발진 출력으로는, 동일한 관점에서, 26 ∼ 72 kHz, 80 ∼ 1500 W 가 바람직하고, 36 ∼ 72 kHz, 80 ∼ 1500 W 가 보다 바람직하다.The present disclosure relates to a method of cleaning a flux residue (hereinafter also referred to as a cleaning method related to this disclosure), comprising contacting the object to be cleaned having flux residue with a detergent composition according to the present disclosure. The cleaning method according to the present disclosure has, in one or more embodiments, a step of cleaning the object to be cleaned with the flux residue with the detergent composition according to the present disclosure. The method of contacting the cleaning agent composition of the present disclosure with the object to be cleaned or the method of cleaning the object to be cleaned with the cleaning agent composition of the present disclosure includes, for example, a method of contacting the cleaning agent composition in the bath of the ultrasonic cleaning apparatus, And a method of spraying and contacting with a spray (shower method). The detergent composition according to the present disclosure can be used for cleaning without dilution. The cleaning method of the present disclosure preferably includes a step of bringing the object to be cleaned into contact with the cleaning agent composition, followed by rinsing with water and drying. With the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gaps of the soldered parts can be efficiently cleaned. The solder is preferably a lead (Pb) -free solder from the viewpoint of manifesting the cleansing property by the cleaning method of the present disclosure and the remarkable effect of permeability to narrow gaps. From the same viewpoint, the cleaning method related to the present disclosure is disclosed in International Patent Publication Nos. 2006/025224, 6-75796, 2014-144473, 2004-230426, It is preferable to use it for electronic parts connected by solder using the flux described in JP-A-2013-188761 and JP-A-2013-173184. It is preferred that the cleaning method of the present disclosure is irradiated with ultrasound when contacting the cleaner composition and the object to be cleaned in connection with the present disclosure in view of the ability of the detergent composition related to the present disclosure to exhibit the cleaning power, desirable. The frequency and the oscillation output of the ultrasonic wave are preferably 26 to 72 kHz, 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 kHz, and 80 to 1500 W, from the same viewpoint.

[전자 부품의 제조 방법][Manufacturing method of electronic parts]

본 개시의 전자 부품의 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 그리고 상기 부품 등을 접속하기 위한 땜납 범프를 회로 기판 상에 형성하는 공정으로부터 선택되는 적어도 1 개의 공정과, 상기 부품이 탑재된 회로 기판 및 상기 땜납 범프가 형성된 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개를 본 개시의 세정 방법에 의해 세정하는 공정을 포함한다. 플럭스를 사용한 납땜은, 예를 들어, 납프리 땜납으로 실시되는 것이고, 리플로 방식이어도 되고, 플로 방식이어도 된다. 전자 부품은, 반도체 칩이 미탑재된 반도체 패키지, 반도체 칩이 탑재된 반도체 패키지, 및 반도체 장치를 포함한다. 본 개시의 전자 부품의 제조 방법은, 본 개시의 세정 방법에 의한 세정을 실시함으로써, 납땜된 부품의 간극이나 땜납 범프의 주변 등에 잔존하는 플럭스 잔사가 저감되고, 플럭스 잔사가 잔류하는 것에 기인하는 전극 사이에서의 쇼트나 접착 불량이 억제되기 때문에, 신뢰성이 높은 전자 부품의 제조가 가능해진다. 또한, 본 개시의 세정 방법에 의한 세정을 실시함으로써, 납땜된 부품의 간극 등에 잔존하는 플럭스 잔사의 세정이 용이해지므로, 세정 시간을 단축화할 수 있고, 전자 부품의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.The method for manufacturing an electronic part of the present disclosure is a method for mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board on a circuit board by soldering using flux in one or a plurality of embodiments And a step of forming solder bumps on the circuit board for connecting the parts and the like, and at least one step selected from a circuit board on which the components are mounted and a circuit board on which the solder bumps are formed And a step of cleaning by the cleaning method of the present disclosure. The soldering using the flux is performed, for example, by a lead-free solder, and may be a reflow method or a flow method. The electronic component includes a semiconductor package in which a semiconductor chip is not mounted, a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. The method of manufacturing an electronic component of the present disclosure is characterized in that the cleaning by the cleaning method of the present disclosure reduces the amount of flux residue remaining in the gaps of the soldered parts and the periphery of the solder bumps, It is possible to manufacture electronic parts with high reliability. Further, by performing the cleaning by the cleaning method of the present disclosure, the cleaning of the flux residue remaining in the gaps of the soldered parts and the like is facilitated, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of the electronic parts can be improved.

[키트][Kit]

본 개시는, 본 개시에 관련된 세정 방법 및/또는 본 개시에 관련된 전자 부품의 제조 방법에 사용하기 위한 키트로서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 구성하는 상기 성분 A ∼ F 중 적어도 1 성분이 다른 성분과 혼합되지 않은 상태로 보관되어 있는, 키트에 관한 것이다.The present disclosure relates to a kit for use in a cleaning method and / or a method of manufacturing an electronic component in accordance with the present disclosure, wherein at least one of the components A to F constituting the detergent composition according to the present disclosure is a component And is kept unmixed with the kit.

본 개시에 관련된 키트로는, 예를 들어, 상기 성분 A 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 B ∼ F 를 함유하는 용액 (제 2 액) 이, 서로 혼합되어 있지 않은 상태로 보존되어 있고, 이들이 사용시에 혼합되는 키트 (2 액형 세정제 조성물) 를 들 수 있다. 상기 제 1 액과 상기 제 2 액이 혼합된 후, 필요에 따라 물 (성분 F) 을 사용하여 희석되어도 된다. 상기 제 1 액 및 제 2 액에는, 각각 필요에 따라 임의 성분이 포함되어 있어도 된다. 그 임의 성분으로는, 예를 들어, 증점제, 분산제, 방청제, 염기성 물질, 계면 활성제, 고분자 화합물, 가용화제, 산화 방지제, 방부제, 소포제, 항균제 등을 들 수 있다.In the kits related to the present disclosure, for example, a solution (first solution) containing the component A and a solution (second solution) containing the components B to F are stored in a state in which they are not mixed with each other , And a kit (two-component detergent composition) in which these are mixed at the time of use. After the first liquid and the second liquid are mixed, they may be diluted with water (component F) if necessary. The first solution and the second solution may contain optional components, respectively, if necessary. Examples of the optional components include a thickening agent, a dispersant, a rust inhibitor, a basic substance, a surfactant, a polymer compound, a solubilizing agent, an antioxidant, an antiseptic, a defoaming agent and an antibacterial agent.

본 개시는 또한 이하의 세정제 조성물, 세정 방법, 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure also relates to the following detergent compositions, cleaning methods, and manufacturing methods.

<1> 하기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 하기 식 (III) 으로 나타내는 화합물 (성분 C), 하기 식 (IV) 로 나타내는 화합물 (성분 D), 방향족 알코올 (성분 E), 및 물 (성분 F) 을 함유하고,<1> A compound represented by the following formula (I) (component A), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) (Component D), an aromatic alcohol (component E), and water (component F)

성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 (성분 E/(성분 C + 성분 D)) 가, 0.18 이상 0.45 이하인, 플럭스용 세정제 조성물.(Component E / (component C + component D)) of the mass of component E to the total mass of component C and component D is 0.18 or more and 0.45 or less.

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 식 (I) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R3 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로부터 선택되는 적어도 1 종이다.R 1 is at least one member selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxy group, a hydroxy group, a methyl group and an ethyl group, 1, and R 3 is at least one member selected from the group consisting of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.

R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)R 4 -O- (CH 2 CH 2 O) n -H (II)

상기 식 (II) 에 있어서, R4 는 탄소수 4 이상 7 이하의 탄화수소기를 나타내고, n 은 부가 몰수로서 1 이상 5 이하의 정수이다.In the formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 or more and 7 or less carbon atoms, and n is an integer of 1 to 5,

R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)R 5 -O- (CH 2 CH 2 O) m -H (III)

상기 식 (III) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, m 은 평균 부가 몰수로서 4 이상 8 이하의 수이다.In the formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 12 carbon atoms and m is an average addition number of moles of 4 or more and 8 or less.

R6OCH2-CH(OH)-CH2OH (IV)R 6 OCH 2 -CH (OH) -CH 2 OH (IV)

상기 식 (IV) 에 있어서, R6 은 탄소수 6 이상 11 이하의 탄화수소기를 나타낸다.In the formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms.

<2> 성분 A 로는, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, N-메틸모노에탄올아민, N-메틸모노이소프로판올아민, N-에틸모노에탄올아민, N-에틸모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-디메틸모노에탄올아민, N-디메틸모노이소프로판올아민, N-메틸디에탄올아민, N-메틸디이소프로판올아민, N-디에틸모노에탄올아민, N-디에틸모노이소프로판올아민, N-에틸디에탄올아민, N-에틸디이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)모노이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)디에탄올아민, N-(β-아미노에틸)디이소프로판올아민으로부터 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, N-메틸모노에탄올아민, N-디메틸모노에탄올아민, N-에틸모노에탄올아민 및 N-(β-아미노에틸)모노에탄올아민으로부터 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, N-메틸모노에탄올아민 및 N-디메틸모노에탄올아민으로부터 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직한, <1> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.&Lt; 2 &gt; The component A is preferably a monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylmonoisopropanolamine, N- , N-dimethyl monoethanolamine, N-dimethyl mono isopropanol amine, N-methyl diethanol amine, N-methyl diisopropanol amine, N-diethyl monoethanol amine, N-diethyl monoisopropanol amine, Amine, N-ethyldiisopropanolamine, N- (? -Aminoethyl) monoethanolamine, N- (? -Aminoethyl) monoisopropanolamine, N- Aminoethyl) diisopropanolamine, and at least one member selected from the group consisting of monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N- (? -amino ), More preferably at least one member selected from monoethanolamine and, N- methyl-ethanolamine and mono-N- dimethyl ethanol amine, at least one member selected from the more preferred, the detergent composition for the flux according to <1>.

<3> 성분 A 의 함유량은, 0.2 질량% 이상이 바람직하고, 0.3 질량% 이상이 보다 바람직하고, 0.4 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 0.5 질량% 이상이 보다 더 바람직한, <1> 또는 <2> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<3> The content of the component A is preferably 0.2 mass% or more, more preferably 0.3 mass% or more, further preferably 0.4 mass% or more, and still more preferably 0.5 mass% The cleaning composition for flux according to &lt; 1 &gt;

<4> 성분 A 의 함유량은, 10 질량% 이하가 바람직하고, 8 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 3 질량% 이하가 보다 더 바람직한, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<4> The content of the component A is preferably 10 mass% or less, more preferably 8 mass% or less, further preferably 5 mass% or less, still more preferably 3 mass% &Lt; &gt;

<5> 상기 식 (II) 에 있어서, R4 는, 탄소수 4 이상 6 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 4 이상 6 이하의 알킬기가 보다 바람직한, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<5> In the formula (II), R 4 is preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 4 to 6 carbon atoms, and more preferably a flux represented by any one of <1> to <4> / RTI &gt;

<6> 상기 식 (II) 에 있어서, n 은, 1 이상 4 이하의 수가 바람직하고, 2 이상 3 이하의 수가 보다 바람직한, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<6> The detergent composition for flux according to any one of <1> to <5>, wherein n in the formula (II) is preferably 1 or more and 4 or less, and more preferably 2 or more and 3 or less.

<7> 성분 B 로는, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 모노에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노벤질에테르 및 디에틸렌글리콜모노벤질에테르로부터 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 모노에틸렌글리콜모노헥실에테르 및 디에틸렌글리콜모노헥실에테르로부터 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 디에틸렌글리콜모노헥실에테르로부터 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직한, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.Component B is preferably selected from the group consisting of ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol At least one member selected from monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether and diethylene glycol monobenzyl ether is preferable, and at least one member selected from ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl Ether and diethylene glycol monohexyl ether, and more preferably at least one kind selected from diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether and diethylene glycol monohexyl ether. To &lt; 6 &gt; The detergent composition for flux according to one of claims 1 to 3.

<8> 성분 B 의 함유량은, 10 질량% 이상이 바람직하고, 12 질량% 이상이 보다 바람직하고, 15 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 20 질량% 이상이 보다 더 바람직하고, 25 질량% 이상이 보다 더 바람직한, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The content of the component B is preferably 10 mass% or more, more preferably 12 mass% or more, further preferably 15 mass% or more, further preferably 20 mass% or more, and more preferably 25 mass% The cleaning composition for flux according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 7 &gt;

<9> 성분 B 의 함유량은, 45 질량% 이하가 바람직하고, 40 질량% 이하가 보다 바람직하고, 35 질량% 이하가 더욱 바람직한, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<9> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <8>, wherein the content of the component B is preferably 45 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and still more preferably 35 mass% .

<10> 식 (III) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, 탄소수 8 이상 10 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 8 이상 10 이하의 알킬기가 보다 바람직한, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<10> In the formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group of 8 to 12 carbon atoms, preferably a hydrocarbon group of 8 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group of 8 to 10 carbon atoms, 9] The cleaning composition for flux according to any one of [1] to [9].

<11> 식 (III) 에 있어서, m 은, 5 이상 7 이하의 수가 바람직하고, 5 이상 6 이하의 수가 보다 바람직한, <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<11> In the flux cleaning composition according to any one of <1> to <10>, m is preferably from 5 to 7, and more preferably from 5 to 6.

<12> 식 (III) 에 있어서, R5 의 탄화수소기의 탄소수는, 10 이하가 바람직한, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<12> The detergent composition for flux according to any one of <1> to <11>, wherein the number of carbon atoms of the hydrocarbon group of R 5 in the formula (III) is preferably 10 or less.

<13> 성분 C 로는, 폴리옥시에틸렌2-에틸헥실에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸 에테르, 폴리옥시에틸렌노닐에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌2-프로필헵틸에테르, 폴리옥시에틸렌4-메틸프로필헥실에테르, 폴리옥시에틸렌5-메틸프로필헥실에테르, 및 폴리옥시에틸렌도데실에테르로부터 선택되는 적어도 1 종인, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.Component C is preferably selected from the group consisting of polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene nonyl ether, polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene 2-propylheptyl ether, polyoxyethylene 4-methylpropyl The detergent composition for flux according to any one of <1> to <12>, wherein the detergent composition is at least one selected from hexyl ether, polyoxyethylene 5-methylpropyl hexyl ether, and polyoxyethylene dodecyl ether.

<14> 성분 C 의 함유량은, 10 질량% 이상이 바람직하고, 15 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상이 더욱 바람직한, <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<14> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <13>, wherein the content of the component C is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and still more preferably 20% .

<15> 성분 C 의 함유량은, 50 질량% 이하가 바람직하고, 40 질량% 이하가 보다 바람직하고, 30 질량% 이하가 더욱 바람직한, <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<15> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <14>, wherein the content of the component C is preferably 50 mass% or less, more preferably 40 mass% or less, and still more preferably 30 mass% .

<16> 식 (IV) 에 있어서, R6 은, 탄소수 8 이상 10 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 8 이상 10 이하의 알킬기가 보다 바람직한, <1> 내지 <15> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.In the formula (IV), R 6 is preferably a hydrocarbon group having a carbon number of 8 or more and 10 or less, and more preferably an alkyl group having a carbon number of 8 or more and 10 or less, for a flux according to any one of <1> to < Detergent composition.

<17> 식 (IV) 에 있어서, R6 은 탄소수 6 이상 11 이하의 직사슬 혹은 분기 사슬을 갖는 알킬기 또는 알케닐기가 바람직하고, 탄소수 6 이상 10 이하의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 8 의 알킬기가 더욱 바람직한, <1> 내지 <16> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.In the formula (IV), R 6 is preferably an alkyl group or an alkenyl group having a linear or branched chain having 6 to 11 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, an alkyl group having 8 carbon atoms The cleaning composition for flux according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 16 &gt;

<18> 성분 D 는, 헥실글리세릴에테르, 옥틸글리세릴에테르, 2-에틸헥실글리세릴에테르, 노닐글리세릴에테르, 데실글리세릴에테르, 및 운데실글리세릴에테르로부터 선택되는 적어도 1 종인, <1> 내지 <17> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.Component D is at least one selected from hexyl glyceryl ether, octyl glyceryl ether, 2-ethylhexyl glyceryl ether, nonyl glyceryl ether, decyl glyceryl ether and undecyl glyceryl ether. The cleaning composition for flux according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 17 &gt;.

<19> 성분 D 의 함유량은, 0.5 질량% 이상이 바람직하고, 1 질량% 이상이 보다 바람직하고, 1.5 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 2 질량% 이상이 보다 더 바람직한, <1> 내지 <18> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<19> The content of the component D is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, further preferably 1.5% by mass or more, and still more preferably 2% by mass or more, &Lt; &gt;

<20> 성분 D 의 함유량은, 15 질량% 이하가 바람직하고, 13 질량% 이하가 보다 바람직하고, 10 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 7 질량% 이하가 보다 더 바람직한, <1> 내지 <19> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<20> The content of the component D is preferably 15 mass% or less, more preferably 13 mass% or less, further preferably 10 mass% or less, further preferably 7 mass% or less, &Lt; &gt;

<21> 성분 E 의 방향족 알코올의 탄소수는, 7 이상이 바람직하고, 10 이하가 바람직하고, 9 이하가 보다 바람직한, <1> 내지 <20> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<21> The detergent composition for flux according to any one of <1> to <20>, wherein the carbon number of the aromatic alcohol of the component E is preferably 7 or more, more preferably 10 or less,

<22> 성분 E 는, 벤질알코올, 페네틸알코올, 4-메틸벤질알코올, 4-에틸벤질알코올, 2-페닐-1-프로판올, 및 2-페닐-2-프로판올로부터 선택되는 적어도 1 종이고, 벤질알코올, 페네틸알코올 및 4-에틸벤질알코올로부터 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 벤질알코올이 보다 바람직한, <1> 내지 <21> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.Component E is at least one member selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol, 4-methylbenzyl alcohol, 4-ethylbenzyl alcohol, 2-phenyl-1-propanol, The detergent composition for a flux according to any one of <1> to <21>, wherein at least one species selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol and 4-ethylbenzyl alcohol is preferable, and benzyl alcohol is more preferable.

<23> 성분 E 의 함유량은, 1 질량% 이상이 바람직하고, 2 질량% 이상이 보다 바람직하고, 3 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 5 질량% 이상이 보다 더 바람직한, <1> 내지 <22> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<23> The content of the component E is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and still more preferably 5% &Lt; &gt;

<24> 성분 E 의 함유량은, 25 질량% 이하가 바람직하고, 20 질량% 이하가 보다 바람직하고, 15 질량% 이하가 더욱 바람직한, <1> 내지 <23> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<24> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <23>, wherein the content of the component E is preferably 25 mass% or less, more preferably 20 mass% or less, and still more preferably 15 mass% .

<25> 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 [성분 E/(성분 C + 성분 D)] 는, 0.2 이상이 바람직하고, 0.25 이상이 보다 바람직한, <1> 내지 <24> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The ratio of the mass of the component E to the total mass of the component C and the component D (component E / (component C + component D)) is preferably 0.2 or more, more preferably 0.25 or more, &Lt; &gt;

<26> 성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 [성분 E/(성분 C + 성분 D)] 는, 0.4 이하가 바람직하고, 0.35 이하가 보다 바람직한, <1> 내지 <25> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The ratio of the mass of the component E to the total mass of the component C and the component D (component E / (component C + component D)) is preferably 0.4 or less, more preferably 0.35 or less, &Lt; &gt;

<27> 성분 C 의 질량과 성분 D 의 질량의 비 (성분 C/성분 D) 는, 5 이상이 바람직하고, 6 이상이 보다 바람직하고, 7 이상이 더욱 바람직한, <1> 내지 <26> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The ratio of the mass of the component C to the mass of the component D (component C / component D) is preferably not less than 5, more preferably not less than 6, and further preferably not less than 7, The detergent composition for flux according to any one of the preceding claims.

<28> 성분 C 의 질량과 성분 D 의 질량의 비 (성분 C/성분 D) 는, 10 이하가 바람직하고, 9.5 이하가 보다 바람직하고, 9 이하가 더욱 바람직한, <1> 내지 <27> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The ratio of the mass of component C to the mass of component D (component C / component D) is preferably 10 or less, more preferably 9.5 or less, still more preferably 9 or less, The detergent composition for flux according to any one of the preceding claims.

<29> 성분 F 의 함유량은, 10 질량% 이상이 바람직하고, 15 질량% 이상이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상이 더욱 바람직한, <1> 내지 <28> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<29> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <28>, wherein the content of the component F is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and still more preferably 20% .

<30> 성분 F 의 함유량은, 60 질량% 이하가 바람직하고, 50 질량% 이하가 보다 바람직하고, 40 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 30 질량% 이하가 보다 더 바람직한, <1> 내지 <29> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<30> The content of the component F is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, still more preferably 40% by mass or less, still more preferably 30% &Lt; &gt;

<31> 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 탄소수 10 ∼ 18 의 불포화 결합을 갖거나 또는 갖지 않는 탄화수소 (성분 G) 를 추가로 함유하는, <1> 내지 <30> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The detergent composition according to the present disclosure is the flux cleaning agent according to any one of <1> to <30>, further comprising a hydrocarbon (component G) having or not having an unsaturated bond of 10 to 18 carbon atoms Composition.

<32> 성분 G 는, 도데센 및 테트라데센으로부터 선택되는 적어도 1 종인, <1> 내지 <31> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<32> The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <31>, wherein the component G is at least one selected from dodecene and tetradecene.

<33> 성분 G 의 함유량은, 0.5 질량% 이상이 바람직하고, 0.8 질량% 이상이 보다 바람직한, <1> 내지 <32> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<33> The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <32>, wherein the content of the component G is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more.

<34> 성분 G 의 함유량은, 1.5 질량% 이하가 바람직하고, 1.3 질량% 이하가 보다 바람직하고, 1.0 질량% 이하가 더욱 더 바람직한, <1> 내지 <33> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.The content of the component G is preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1.3% by mass or less, and still more preferably 1.0% by mass or less. Composition.

<35> pH 는, 8 이상 14 이하인, <1> 내지 <34> 중 어느 하나에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<35> The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <34>, wherein the pH is 8 or more and 14 or less.

<36> 플럭스 잔사를 갖는 피세정물을, <1> 내지 <35> 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는, 플럭스 잔사의 세정 방법.A method for cleaning a flux residue having a flux residue with a detergent composition according to any one of <1> to <35>.

<37> 피세정물이, 납땜 전자 부품의 제조 중간물인, <36> 에 기재된 플럭스 잔사의 세정 방법.<37> The method for cleaning a flux residue according to <36>, wherein the object to be cleaned is an intermediate for manufacturing soldered electronic parts.

<38> 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 그리고 상기 부품 등을 접속하기 위한 땜납 범프를 회로 기판 상에 형성하는 공정으로부터 선택되는 적어도 1 개의 공정과, 상기 부품이 탑재된 회로 기판 및 상기 땜납 범프가 형성된 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개를, <36> 또는 <37> 에 기재된 플럭스 잔사의 세정 방법에 의해 세정하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.A step of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board onto a circuit board by soldering using flux; and a step of mounting a solder bump for connecting the component or the like on the circuit board And at least one selected from a circuit board on which the component is mounted and a circuit board on which the solder bump is formed is subjected to a cleaning method of the flux residue described in And cleaning the electronic component.

<39> <1> 내지 <35> 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 대한 사용.<39> Use of the detergent composition according to any one of <1> to <35> for the production of electronic parts.

<40> <1> 내지 <35> 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물을 구성하는 상기 성분 A ∼ F 중의 적어도 1 성분이 다른 성분과 혼합되지 않은 상태로 보관되어 있는, 키트.<40> A kit, wherein at least one component of the components A to F constituting the detergent composition according to any one of <1> to <35> is stored in a state in which it is not mixed with other components.

<41> 플럭스를 제거하기 위한 <1> 내지 <35> 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의 사용.<41> Use of the detergent composition according to any one of <1> to <35> for removing flux.

실시예Example

이하에, 실시예에 의해 본 개시를 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present disclosure will be described in detail by way of examples, but the present disclosure is not limited to these examples at all.

1. 세정제 조성물의 조제 (실시예 1 ∼ 4, 비교예 1 ∼ 13)1. Preparation of detergent composition (Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 to 13)

100 ㎖ 유리 비커에, 하기 표 1 에 기재된 조성이 되도록 각 성분을 배합하고, 하기 조건으로 혼합함으로써, 실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 13 의 세정제 조성물을 조제하였다. 표 1 중의 각 성분의 수치는, 언급이 없는 한, 조제한 세정제 조성물에 있어서의 함유량 (질량%) 을 나타낸다.The components were mixed in a 100 ml glass beaker so as to have the composition shown in Table 1 below and mixed under the following conditions to prepare the detergent compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 13. The numerical values of the respective components in Table 1 indicate the content (% by mass) in the detergent composition prepared, unless otherwise noted.

·액 온도 : 25 ℃· Liquid temperature: 25 ℃

·교반기 : 마그네틱 스터러 (50 ㎜ 회전자)· Stirrer: magnetic stirrer (50 mm rotor)

·회전수 : 300 rpm· Number of revolutions: 300 rpm

·교반 시간 : 10 분· Stirring time: 10 minutes

세정제 조성물의 성분으로서 하기의 것을 사용한다.The following are used as components of the detergent composition.

·N-메틸에탄올아민 (성분 A) (닛폰 유화제 주식회사 제조, 아미노알코올 MMA)N-Methylethanolamine (Component A) (Aminoalcohol MMA, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.)

·트리에탄올아민 (비성분 A) (주식회사 닛폰 촉매 제조)· Triethanolamine (non-component A) (manufactured by Nippon Kogyo Co., Ltd.)

·디에틸렌글리콜모노부틸에테르 (성분 B) (닛폰 유화제 주식회사 제조, 부틸디글리콜)Diethylene glycol monobutyl ether (Component B) (butyl diglycol, manufactured by Nippon Sanso Co., Ltd.)

·디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (성분 B) (닛폰 유화제 주식회사 제조, 헥실디글리콜)Diethylene glycol monohexyl ether (Component B) (hexyldiglycol manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.)

·에틸렌글리콜모노이소프로필에테르 (비성분 B) (닛폰 유화제 주식회사 제조, 이소프로필글리콜)Ethylene glycol monoisopropyl ether (non-component B) (isopropyl glycol, manufactured by Nippon Oil &amp;

·디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르 (비성분 B) (닛폰 유화제 주식회사 제조, 이소프로필디글리콜)Diethylene glycol monoisopropyl ether (non-component B) (isopropyldiglycol, manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.)

·폴리옥시에틸렌2-에틸헥실에테르 (성분 C) (아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EH-6, 에틸렌옥사이드 평균 부가 몰수 6)Polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether (component C) (BLOWONN EH-6, manufactured by Aoki Kasei Kogyo Co., Ltd., ethylene oxide average addition number of moles 6)

·벤질알코올 (성분 E) (랑세스 주식회사 제조)Benzyl alcohol (Component E) (LANXESS Co., Ltd.)

·1-도데센 (성분 G) (이데미츠 흥산 주식회사 제조, 리니아렌 12)· 1-Dodecene (Component G) (Linieraren 12 manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.)

·물 (성분 F) (오르가노 주식회사 제조 순수 장치 G-10DSTSET 로 제조한 1 μS/㎝ 이하의 순수)Water (Component F) (pure water of 1 μS / cm or less manufactured by G-10DSTSET manufactured by ORGANO Co., Ltd.)

·2-에틸헥실글리세릴에테르 (성분 D) (하기 제조 방법으로 제조)2-Ethylhexylglyceryl ether (Component D) (prepared by the following process)

2-에틸헥사놀 130 g 및 3불화 붕소에테르 착물 2.84 g 을, 교반하면서 0 ℃ 까지 냉각시킨다. 온도를 0 ℃ 로 유지하면서, 에피클로로하이드린 138.8 g 을 1 시간 적하한다. 적하 종료 후, 감압하 (13 ∼ 26 Pa), 100 ℃ 에서 잉여의 알코올을 증류 제거한다. 이 반응 혼합물을 50 ℃ 까지 냉각시키고, 50 ℃ 를 유지하면서 48 % 수산화 나트륨 수용액 125 g 을 1 시간 적하하고, 3 시간 교반한 후, 200 ㎖ 의 물을 첨가하고, 분층시킨다. 수층을 제거한 후, 추가로 100 ㎖ 의 물로 2 회 세정하여, 208 g 의 미정제 2-에틸헥실글리시딜에테르를 얻는다. 이 미정제 2-에틸헥실글리시딜에테르 208 g, 물 104.8 g, 라우르산 5.82 g 및 수산화 칼륨 18.5 g 을 오토클레이브에 넣고, 140 ℃ 에서 5 시간 교반한다. 감압하 (6.67 kPa), 100 ℃ 에서 탈수 후, 라우르산 9.7 g 및 수산화 칼륨 2.72 g 을 첨가하고, 160 ℃ 에서 15 시간 반응하고, 그 후 감압 증류 (53 ∼ 67 Pa, 120 ∼ 123 ℃) 에 의해 정제하고, 110.2 g 의 2-에틸헥실글리세릴에테르를 얻는다.130 g of 2-ethylhexanol and 2.84 g of boron trifluoride ether complex are cooled to 0 DEG C with stirring. While maintaining the temperature at 0 占 폚, 138.8 g of epichlorohydrin was added dropwise for 1 hour. After completion of the dropwise addition, surplus alcohol is distilled off at 100 DEG C under reduced pressure (13 to 26 Pa). The reaction mixture was cooled to 50 캜, and 125 g of 48% sodium hydroxide aqueous solution was added dropwise for 1 hour while maintaining the temperature at 50 캜. After stirring for 3 hours, 200 ml of water was added and the mixture was layered. After removing the aqueous layer, it is further washed twice with 100 ml of water to obtain 208 g of crude 2-ethylhexyl glycidyl ether. 208 g of the crude 2-ethylhexyl glycidyl ether, 104.8 g of water, 5.82 g of lauric acid and 18.5 g of potassium hydroxide were placed in an autoclave and stirred at 140 DEG C for 5 hours. After dehydration at 100 占 폚, 9.7 g of lauric acid and 2.72 g of potassium hydroxide were added and the mixture was reacted at 160 占 폚 for 15 hours and then subjected to vacuum distillation (53 to 67 Pa, 120 to 123 占 폚) under reduced pressure (6.67 kPa) To give 110.2 g of 2-ethylhexyl glyceryl ether.

2. 세정제 조성물의 평가2. Evaluation of detergent composition

조제한 실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 13 의 세정제 조성물을 사용하여 세정성, 안정성, 헹굼성, 및 땜납 금속에 대한 영향에 대해 시험을 실시하고, 평가하였다.The detergent compositions of the prepared examples 1 to 4 and comparative examples 1 to 13 were tested and evaluated for cleaning property, stability, rinsability, and influence on solder metal.

[세정성 시험][Cleaning test]

이하의 조건으로 테스트 기판을 세정하는 세정성 시험을 실시하였다.A cleaning test was performed to clean the test substrate under the following conditions.

<테스트 기판><Test substrate>

구리 배선 프린트 기판 (10 ㎜ × 15 ㎜) 상에, 스크린판을 사용하여 하기 플럭스를 도포한다. 그 후, 마이크로 볼 (센주 금속 공업 주식회사 제조 : M705φ0.3 ㎜) 을 10 개 탑재하고, 질소 분위기하 250 ℃ 에서 리플로함으로써 테스트 기판을 제작한다.On a copper wiring printed substrate (10 mm x 15 mm), the following flux is applied using a screen plate. Thereafter, 10 micro-balls (M705? 0.3 mm, manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd.) are mounted, and a test substrate is manufactured by reflowing at 250 占 폚 in a nitrogen atmosphere.

[플럭스의 조성][Composition of flux]

산 변성 초담색 로진 (아라카와 화학 주식회사 제조, 파인크리스탈 KE-604) 25 질량%, 완전 수소 첨가 로진 (이스트만 케미컬사 제조, Foral AX-E) 10 질량%, 테르피네올 (닛폰 테르펜 화학 주식회사 제조, 테르피네올 C) 10 질량%, 헥실디글리콜 (닛폰 유화제 주식회사 제조) 30 질량%, 디브로모부텐디올 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조, 트랜스-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올) 2.5 질량%, 다이머산 (Arizona Chemical 사 제조, UNIDYME14) 10 질량%, 글루타르산 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조) 2.5 질량%, 경화 피마자유 (호코쿠 제유 주식회사 제조) 4 질량%, 헥사메틸렌하이드록시스테아르산아미드 (닛폰 화성 주식회사 제조, 스리팍스 ZHH) 2 질량%, 팔미트산덱스트린 (치바 제분 주식회사 제조, 레오펄 TL2) 2 질량%, 힌더드페놀계 산화 방지제 (BASF 사 제조, 이르가녹스 245) 2 질량%, 10 mass% of completely hydrogenated rosin (Foral AX-E manufactured by Eastman Chemical Co., Ltd.), 10 mass% of terpineol (manufactured by Nippon Terpene Chemical Co., Ltd.), 25 mass% of acid-denatured hypochromic rosin (Fine Crystal KE-604 manufactured by Arakawa Chemical Co., 10% by mass of terpineol C), 30% by mass of hexyldiglycol (manufactured by Nippon Emulsion Co., Ltd.), dibromobutene diol (trans-2,3-dibromo-2-butene- , 2.5 mass% of dimer acid (UNIDYME14 manufactured by Arizona Chemical Co., Ltd.), 2.5 mass% of glutaric acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 4 mass% of hardened castor oil (manufactured by Hokoku Corporation) 2 mass% of hexamethylene hydroxystearic acid amide (Sripax ZHH, manufactured by Nippon Hoso K.K.), 2 mass% of palmitic acid dextrin (Leopearl TL2, manufactured by Chiba Seisakusho Co., Ltd.), 2 g of hindered phenol antioxidant Irganox 245) 2 mass%

[플럭스의 제조 방법][Manufacturing Method of Flux]

용제의 테르피네올과 헥실디글리콜을 혼합한 후, 나머지의 다른 성분을 첨가하여 용해함으로써, 상기 조성의 플럭스를 얻었다.After the solvent terpineol and hexyldiglycol were mixed, the other components were added and dissolved to obtain a flux of the above composition.

<세정 방법><Cleaning Method>

세정은, 이하의 순서로 실시하였다. 먼저, 세정조, 제 1 린스조, 제 2 린스조를 이하의 조건으로 준비한다. 세정조는, 50 ㎜ 회전자를 1 개 넣은 50 ㎖ 유리 비커에 각 세정제 조성물을 50 g 첨가하고, 온욕에 넣어, 회전수 100 rpm 으로 교반하면서 60 ℃ 로 가온함으로써 얻었다. 제 1 린스조 및 제 2 린스조는, 50 ㎜ 회전자를 1 개 넣은 100 ㎖ 유리 비커를 2 개 준비하고, 각각에 순수 100 g 을 첨가하고, 온욕에 넣어, 회전수 100 rpm 으로 교반하면서 40 ℃ 로 가온함으로써 얻었다.The cleaning was carried out in the following order. First, the cleaning tank, the first rinse tank, and the second rinse tank are prepared under the following conditions. The cleaning bath was obtained by adding 50 g of each detergent composition to a 50 ml glass beaker in which a 50 mm rotor was put, warming it to 60 캜 while stirring it at a rotation speed of 100 rpm in a warm bath. The first rinse bath and the second rinse bath were prepared by preparing two 100 ml glass beakers each having one 50 mm rotor, adding 100 g of pure water to each, adding the mixture to a warm bath, stirring at a rotation speed of 100 rpm, &Lt; / RTI &gt;

다음으로, 테스트 기판을 핀셋으로 유지하여, 상기 세정조에 삽입하고, 회전수 100 rpm 으로 교반하면서 3 분간 침지한다. 다음으로, 테스트 기판을 핀셋으로 유지하여 제 1 린스조에 삽입하고, 회전수 100 rpm 으로 교반하면서 3 분간 침지한다. 또한, 테스트 기판을 핀셋으로 유지하여 제 2 린스조에 삽입하고, 회전수 100 rpm 으로 교반하면서 3 분간 침지한다. 마지막으로, 테스트 기판을 질소 퍼지하고 건조시킨다.Next, the test substrate is held by a tweezers, inserted into the cleaning bath, and immersed for 3 minutes while stirring at a rotation speed of 100 rpm. Next, the test substrate is held in a tweezers, inserted into the first rinsing tank, and immersed for 3 minutes while stirring at a rotation speed of 100 rpm. Further, the test substrate is held in a tweezers, inserted into a second rinsing tank, and immersed for 3 minutes while stirring at a rotation speed of 100 rpm. Finally, the test substrate is purged with nitrogen and dried.

<세정성의 평가>&Lt; Evaluation of cleaning property &

세정 후, 테스트 기판을 광학 현미경 VHX-2000 (주식회사 키엔스 제조) 으로 관찰하고, 땜납 범프 주변에 잔존하는 플럭스 잔사의 유무를 육안으로 확인하고, 하기의 판정 기준으로 세정성을 평가한다. 그 결과를 하기 표 1 에 나타낸다.After the cleaning, the test substrate was observed with an optical microscope VHX-2000 (manufactured by KYENS Corporation), and the presence or absence of flux residue remained around the solder bumps was visually observed and the cleaning property was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1 below.

[평가 기준][Evaluation standard]

A : 세정 잔사가 0 개A: No cleaning residue

B : 세정 잔사가 1 개B: 1 cleaning residue

C : 세정 잔사가 2 개 이상C: 2 or more cleaning residues

<안정성의 평가><Evaluation of stability>

세정제 조성물을 조제 후, 온도 25 ℃ 에서 5 분간 정치 (靜置) 한 후의 액의 상태 (상분리 상태) 를 육안으로 관찰하고, 하기의 평가 기준으로 안정성을 평가한다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.After the detergent composition was prepared, the state of the liquid (phase separation state) after standing at 25 캜 for 5 minutes was visually observed, and the stability was evaluated by the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.

[평가 기준][Evaluation standard]

○(A) : 투명○ (A): Transparent

△(B) : 백탁(B): cloudiness

×(C) : 분리× (C): separation

<헹굼성의 평가>&Lt; Evaluation of rinsability &

헹굼성의 평가는, 하기의 순서로 실시하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.The evaluation of the rinsability was carried out in the following order. The evaluation results are shown in Table 1.

(1) 헹굼성의 평가에 사용하는 세정조 및 테스트 기판을, 상기 세정성의 평가에 사용한 세정조 및 테스트 기판과 동일하게 하여 준비하고, 세정조에 테스트 기판 (이하, 기판이라고 한다) 을 10 분간 침지한다.(1) A cleaning tank and a test substrate used for evaluating the rinsability were prepared in the same manner as the cleaning tank and the test substrate used for evaluation of the cleaning property, and a test substrate (hereinafter referred to as substrate) was immersed in the cleaning tank for 10 minutes .

(2) 그 후, 20 초에 걸쳐 상기 기판을 천천히 끌어올리고, 500 ㎖ 유리 비커에 순수 500 g 을 넣고 40 ℃ 로 가온한 제 1 린스조에 무교반으로 2 분간 침지한다.(2) Subsequently, the substrate was slowly pulled up for 20 seconds, 500 g of pure water was added to a 500 ml glass beaker, and the substrate was immersed for 2 minutes in a first rinse bath heated to 40 캜.

(3) 상기 제 1 린스조로부터 20 초에 걸쳐 상기 기판을 천천히 끌어올리고, 500 ㎖ 유리 비커에 순수 500 g 을 넣고 40 ℃ 로 가온한 제 2 린스조에 무교반으로 2 분간 침지한다.(3) Slowly raise the substrate from the first rinse tank for 20 seconds, add 500 g of pure water to a 500 mL glass beaker, and immerse in a second rinse bath heated to 40 DEG C for 2 minutes.

(4) 상기 제 2 린스조로부터 20 초에 걸쳐 상기 기판을 천천히 끌어올리고, 500 ㎖ 유리 비커에 순수 500 g 을 넣고 40 ℃ 로 가온한 추출조에 침지하고, 초음파 (38 kHz, 400 W) 로 10 분간 기판을 처리하고, 기판 표면에 부착된 세정제 조성물의 성분을 추출한다.(4) The substrate was slowly pulled up from the second rinse tank for 20 seconds, and 500 g of pure water was added to a 500 ml glass beaker. The substrate was immersed in an extraction tank heated to 40 캜, and ultrasonic waves (38 kHz, 400 W) The minute substrate is treated and the components of the cleaning composition adhered to the surface of the substrate are extracted.

(5) 다음으로 상기 제 1 및 제 2 린스조 중의 물, 그리고 상기 추출조 중의 추출수의 유기물 농도를 전체 유기 탄소계 (TOC) 에 의해 측정하고, 하기 식에 따라, 제 1 린스조에 있어서의 유분 제거율을 산출한다.(5) Next, the organic substance concentration of the water in the first and second rinsing baths and the water extracted in the extraction bath is measured by the total organic carbon system (TOC), and the concentration of the organic substance in the first rinsing tank The oil removal rate is calculated.

제 1 린스조에 있어서의 유분 제거율 (%)Oil removal rate (%) in the first rinse tank

= (제 1 린스조 중의 유기물 중량) ÷ (제 1 린스조 중의 유기물 중량= (Weight of organic matter in the first rinsing tank) / (weight of organic matter in the first rinsing tank

+ 제 2 린스조 중의 유기물 중량 + 추출조 중의 유기물 중량) × 100+ Weight of organic matter in the second rinse tank + weight of organic matter in the extraction tank) x 100

<땜납 금속에 대한 영향 평가>&Lt; Evaluation of influence on solder metal &

세정성의 평가를 실시한 후의 테스트 기판 상의 땜납 금속을 광학 현미경 VHX-2000 (주식회사 키엔스 제조) 및 탁상 현미경 Miniscope TM3030 (주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제조) 을 사용하여 육안으로 관찰하고, 하기의 평가 기준으로 땜납 금속에 대한 영향을 평가한다. 그 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.The solder metal on the test substrate after the evaluation of the cleaning property was visually observed with an optical microscope VHX-2000 (manufactured by KYOSEN Co., Ltd.) and a table microscope Miniscope TM3030 (manufactured by Hitachi High Technologies Corporation), and solder metal To assess the impact on the environment. The evaluation results are shown in Table 1.

[평가 기준][Evaluation standard]

○(A) : 땜납 금속에 대한 영향 없음○ (A): No effect on solder metal

×(B) : 부식 등에 의한 땜납 금속에 대한 영향 있음× (B): Affects solder metal by corrosion and the like

Figure pct00004
Figure pct00004

상기 표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 4 의 세정제 조성물은, 성분 A ∼ E 의 적어도 1 개를 포함하지 않는 비교예 1 ∼ 3, 6 ∼ 13 에 비해, 세정성, 안정성 및 헹굼성이 우수하고, 또한 땜납 금속에 대한 영향이 억제되어 있었다. 또한, 실시예 1 ∼ 4 의 세정제 조성물은, 성분 E/(성분 C + 성분 D) 가 0.18 ∼ 0.45 가 아닌 비교예 4 ∼ 5 의 세정제 조성물에 비해, 세정성, 안정성 및 헹굼성이 우수했다.As shown in Table 1, the detergent compositions of Examples 1 to 4 are superior in cleaning property, stability and rinsing property to those of Comparative Examples 1 to 3 and 6 to 13 which do not contain at least one of the components A to E And the influence on the solder metal was suppressed. Further, the detergent compositions of Examples 1 to 4 were superior in cleaning property, stability, and rinsability to the detergent compositions of Comparative Examples 4 to 5, in which the component E / (component C + component D) was not 0.18 to 0.45.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 개시를 사용함으로써, 플럭스 잔사의 세정을 양호하게 실시할 수 있으므로, 예를 들어 전자 부품의 제조 프로세스에 있어서의 플럭스 잔사의 세정 공정의 단축화 및 제조되는 전자 부품의 성능·신뢰성의 향상이 가능해지고, 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.By using this disclosure, cleaning of flux residues can be satisfactorily performed. For example, it is possible to shorten the cleaning process of flux residues in an electronic component manufacturing process and improve the performance and reliability of manufactured electronic components , The productivity of the semiconductor device can be improved.

Claims (7)

하기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 하기 식 (III) 으로 나타내는 화합물 (성분 C), 하기 식 (IV) 로 나타내는 화합물 (성분 D), 방향족 알코올 (성분 E), 및 물 (성분 F) 을 함유하고,
성분 E 의 질량과 성분 C 및 성분 D 의 합계 질량의 비 (성분 E/(성분 C + 성분 D)) 가, 0.18 이상 0.45 이하인, 플럭스용 세정제 조성물.
[화학식 1]
Figure pct00005

상기 식 (I) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로부터 선택되는 적어도 1 종이고, R3 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로부터 선택되는 적어도 1 종이다.
R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)
상기 식 (II) 에 있어서, R4 는 탄소수 4 이상 7 이하의 탄화수소기를 나타내고, n 은 부가 몰수로서 1 이상 5 이하의 정수이다.
R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)
상기 식 (III) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, m 은 평균 부가 몰수로서 4 이상 8 이하의 수이다.
R6OCH2-CH(OH)-CH2OH (IV)
상기 식 (IV) 에 있어서, R6 은 탄소수 6 이상 11 이하의 탄화수소기를 나타낸다.
(Component A) represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) ), An aromatic alcohol (component E), and water (component F)
(Component E / (component C + component D)) of the mass of component E to the total mass of component C and component D is 0.18 or more and 0.45 or less.
[Chemical Formula 1]
Figure pct00005

R 1 is at least one member selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxy group, a hydroxy group, a methyl group and an ethyl group, 1, and R 3 is at least one member selected from the group consisting of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.
R 4 -O- (CH 2 CH 2 O) n -H (II)
In the formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 or more and 7 or less carbon atoms, and n is an integer of 1 to 5,
R 5 -O- (CH 2 CH 2 O) m -H (III)
In the formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 12 carbon atoms and m is an average addition number of moles of 4 or more and 8 or less.
R 6 OCH 2 -CH (OH) -CH 2 OH (IV)
In the formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms.
제 1 항에 있어서,
성분 E 가 벤질알코올인, 플럭스용 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein component E is a benzyl alcohol.
플럭스 잔사를 갖는 피세정물을 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 플럭스용 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는, 플럭스 잔사의 세정 방법.A method for cleaning a flux residue, comprising the step of cleaning a substance to be cleaned having a flux residue with the flux cleaning composition according to claim 1 or 2. 제 3 항에 있어서,
피세정물이 납땜 전자 부품의 제조 중간물인, 플럭스 잔사의 세정 방법.
The method of claim 3,
Wherein the object to be cleaned is a manufacturing intermediate of the soldering electronic component.
반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 그리고 상기 부품 등을 접속하기 위한 땜납 범프를 회로 기판 상에 형성하는 공정으로부터 선택되는 적어도 1 개의 공정과, 상기 부품이 탑재된 회로 기판 및 상기 땜납 범프가 형성된 회로 기판으로부터 선택되는 적어도 1 개를 제 3 항 또는 제 4 항에 기재된 플럭스 잔사의 세정 방법에 의해 세정하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.A step of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip type capacitor and a circuit board on a circuit board by soldering using a flux, and a step of forming a solder bump on the circuit board for connecting the components and the like And at least one selected from the circuit board on which the component is mounted and the circuit board on which the solder bump is formed is cleaned by the cleaning method of the flux residue according to claim 3 or 4 And a step of forming the electronic component. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 플럭스용 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에의 사용.Use of the cleaning composition for flux according to any one of claims 1 to 3 in the production of electronic components. 플럭스를 제거하기 위한 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 플럭스용 세정제 조성물의 사용.Use of the detergent composition for flux according to claim 1 or 2 for removing flux.
KR1020187018720A 2015-12-24 2016-12-08 Flux cleaning composition Abandoned KR20180096659A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015252185A JP6598671B2 (en) 2015-12-24 2015-12-24 Cleaning composition for flux
JPJP-P-2015-252185 2015-12-24
PCT/JP2016/086515 WO2017110493A1 (en) 2015-12-24 2016-12-08 Flux cleaning agent composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180096659A true KR20180096659A (en) 2018-08-29

Family

ID=59090103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187018720A Abandoned KR20180096659A (en) 2015-12-24 2016-12-08 Flux cleaning composition

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6598671B2 (en)
KR (1) KR20180096659A (en)
CN (1) CN108431194B (en)
MY (1) MY184875A (en)
TW (1) TWI696693B (en)
WO (1) WO2017110493A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109365383A (en) * 2018-10-31 2019-02-22 无锡日月合金材料有限公司 A kind of cleaning method of silver-based solder
WO2020116524A1 (en) * 2018-12-05 2020-06-11 花王株式会社 Detergent composition for removing flux residues
CN113165027B (en) * 2018-12-05 2023-07-07 花王株式会社 Flux Residue Cleaning
CN110724605B (en) * 2019-10-08 2021-03-05 苏州柯仕达电子材料有限公司 Environment-friendly water-based cleaning agent and preparation method thereof
EP4209284A4 (en) * 2020-09-04 2024-10-16 Kao Corporation FLUX CLEANING AGENT COMPOSITION
EP4386073A4 (en) * 2021-08-10 2025-07-30 Nof Corp Cleaning agent for electrically conductive paste and method for cleaning an electrically conductive paste
JP7702048B2 (en) * 2022-10-07 2025-07-02 株式会社Adeka Method for producing bio-derived branched alkyl glyceryl ether and method for producing bio-derived branched alkyl glyceryl ether by said method
JP2024060151A (en) * 2022-10-19 2024-05-02 化研テック株式会社 Detergent composition and concentrate solution for detergent composition

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434000A (en) 1990-05-30 1992-02-05 Hitachi Ltd Flux cleanser and method for cleansing soldered electronic part with the same
JPH06346092A (en) 1993-06-08 1994-12-20 Kao Corp Cleaning composition
JPH10168488A (en) 1996-10-11 1998-06-23 Kao Corp Detergent composition
JP2000008080A (en) 1998-06-25 2000-01-11 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd Industrial cleaning composition and cleaning method using the same
JP2004002688A (en) 2002-04-05 2004-01-08 Kao Corp Cleaning composition for precision parts
WO2005021700A1 (en) 2003-08-27 2005-03-10 Kaken Tech Co., Ltd. Cleaning agent for removing solder flux and method for cleaning solder flux
JP2010155904A (en) 2008-12-26 2010-07-15 Kao Corp Detergent composition for hard surface

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05125395A (en) * 1991-11-05 1993-05-21 Metsuku Kk Cleaner composition
JP5152816B2 (en) * 2006-02-24 2013-02-27 化研テック株式会社 Cleaning method
JP5466836B2 (en) * 2008-06-13 2014-04-09 花王株式会社 Cleaning composition for flux
WO2012005068A1 (en) * 2010-07-09 2012-01-12 化研テック株式会社 Liquid concentrate for cleaning composition, cleaning composition and cleaning method
CN103168092A (en) * 2010-12-16 2013-06-19 克兹恩公司 Cleaning agent for removing flux
JP6226144B2 (en) * 2014-02-27 2017-11-08 荒川化学工業株式会社 Detergent composition stock solution, detergent composition and cleaning method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434000A (en) 1990-05-30 1992-02-05 Hitachi Ltd Flux cleanser and method for cleansing soldered electronic part with the same
JPH06346092A (en) 1993-06-08 1994-12-20 Kao Corp Cleaning composition
JPH10168488A (en) 1996-10-11 1998-06-23 Kao Corp Detergent composition
JP2000008080A (en) 1998-06-25 2000-01-11 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd Industrial cleaning composition and cleaning method using the same
JP2004002688A (en) 2002-04-05 2004-01-08 Kao Corp Cleaning composition for precision parts
WO2005021700A1 (en) 2003-08-27 2005-03-10 Kaken Tech Co., Ltd. Cleaning agent for removing solder flux and method for cleaning solder flux
JP2010155904A (en) 2008-12-26 2010-07-15 Kao Corp Detergent composition for hard surface

Also Published As

Publication number Publication date
MY184875A (en) 2021-04-28
WO2017110493A1 (en) 2017-06-29
TWI696693B (en) 2020-06-21
CN108431194B (en) 2021-02-02
TW201732029A (en) 2017-09-16
CN108431194A (en) 2018-08-21
JP2017115033A (en) 2017-06-29
JP6598671B2 (en) 2019-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180096659A (en) Flux cleaning composition
JP5428859B2 (en) Cleaning composition for removing lead-free solder flux and method for removing lead-free solder flux
KR102176804B1 (en) Screen plate cleaner composition
KR101729612B1 (en) Cleaning agent for removal of, removal method for, and cleaning method for water-soluble, lead-free solder flux
KR102874580B1 (en) Detergent composition for removing flux residue
KR102225717B1 (en) Cleaning agent composition for removing solder flux residues
JP5466836B2 (en) Cleaning composition for flux
JP7370339B2 (en) Cleaning flux residue
KR20230061403A (en) Detergent composition for flux
KR102419315B1 (en) A cleaning composition for a lead-free soldering solvent, a cleaning method for a lead-free soldering solvent
JP2017119782A (en) Detergent composition for water-soluble flux
JP6202678B2 (en) Detergent composition for removing solder flux residue
JP6345512B2 (en) Detergent composition for removing solder flux residue
KR102901546B1 (en) Cleaning of flux residue
JP2006306968A (en) Detergent for electronic part
JP2012131878A (en) Liquid detergent composition

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

PC1904 Unpaid initial registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U14-oth-PC1904

St.27 status event code: N-2-6-B10-B12-nap-PC1904