JP6598671B2 - Cleaning composition for flux - Google Patents
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Description
本開示は、フラックス用洗浄剤組成物、フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a flux cleaning composition, a flux residue cleaning method, and an electronic component manufacturing method.
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。 In recent years, regarding the mounting of electronic components on a printed wiring board or a ceramic substrate, the components are downsized from the viewpoint of low power consumption and high-speed processing, and the gap to be cleaned in solder flux cleaning has become narrower. In addition, lead-free solder has been used from the viewpoint of environmental safety, and accordingly, rosin-based flux is used.
特許文献1には、有機溶剤、炭素数4〜12のアルキル基又はアルケニル基を有するグリセリルエーテル5〜30重量%、及び水5重量%以上を含有してなる金属部品、電子部品、半導体部品および液晶表示パネル等の精密部品用の含水系洗浄剤組成物が開示されている。 Patent Document 1 discloses an organic solvent, a metal part, an electronic part, a semiconductor part, and a semiconductor part containing 5 to 30% by weight of glyceryl ether having an alkyl group or an alkenyl group having 4 to 12 carbon atoms and 5% by weight or more of water. A water-containing cleaning composition for precision parts such as liquid crystal display panels is disclosed.
特許文献2には、(A)グリセリルエーテルを0.25〜15.0重量%、(B)HLBが12.0〜18.0である非イオン界面活性剤を1.0〜60.0重量%、(C)炭化水素を1.0〜10.0重量%、(D)グリコールエーテルを1.0〜20.0重量%、及び(E)水を含有してなり、かつ該成分(B)の非イオン界面活性剤が次の式:R−X−(EO)m(PO)n−Hで示され、かつ、該成分(B)と該成分(A)との重量比(成分(B)/成分(A))が4/1〜8/1であり、洗浄剤組成物が均一で、安全性が高く、狭いギャップにおける各種汚れの洗浄性、繰り返し洗浄性及びすすぎ性に優れ、洗浄時とすすぎ時において耐泡立ち性の良い硬質表面用洗浄剤組成物が開示されている。 In Patent Document 2, (A) glyceryl ether is 0.25 to 15.0% by weight, and (B) nonionic surfactant having HLB 12.0 to 18.0 is 1.0 to 60.0% by weight. %, (C) 1.0 to 10.0% by weight of hydrocarbon, (D) 1.0 to 20.0% by weight of glycol ether, and (E) water, and the component (B ) Is represented by the following formula: R—X— (EO) m (PO) n—H, and the weight ratio of the component (B) to the component (A) (component ( B) / component (A)) is 4/1 to 8/1, the cleaning composition is uniform, high in safety, excellent in cleaning properties of various soils in a narrow gap, repeated cleaning properties and rinsing properties, Disclosed is a hard surface detergent composition having good foam resistance during washing and rinsing.
特許文献3には、ベンジルアルコールからなる半田付け電子部品のフラックス洗浄剤が開示されている。 Patent Document 3 discloses a flux cleaning agent for soldered electronic parts made of benzyl alcohol.
特許文献4には、全体量に対して、グリコール化合物の含有量が1重量%未満の場合には、ベンジルアルコールの含有量を70〜99.9重量%の範囲およびアミノアルコールの含有量を0.1〜30重量%の範囲とし、グリコール化合物の含有量が1〜40重量%の場合には、ベンジルアルコールの含有量を15〜99重量%の範囲およびアミノアルコールの含有量を0.1〜30重量%の範囲とすることを特徴とする半田フラックス除去用洗浄剤が開示されている。 In Patent Document 4, when the content of the glycol compound is less than 1% by weight with respect to the total amount, the content of benzyl alcohol is in the range of 70 to 99.9% by weight and the content of amino alcohol is 0. When the glycol compound content is 1 to 40% by weight, the benzyl alcohol content is 15 to 99% by weight and the amino alcohol content is 0.1 to 30% by weight. A solder flux removing cleaning agent characterized by being in the range of 30% by weight is disclosed.
特許文献5には、(A)ベンジルアルコール50〜70重量%、(B)ある特定の水溶性グリコールエーテル20〜40重量%、(C)HLBが12〜18であるノニオン界面活性剤1〜20重量%、(D)水5〜20重量%、(E)アルカノールアミン、アルカリ塩類、有機酸、消泡剤、増粘剤からなる群より選ばれた少なくとも1種を残重量%含有し、上記(A)〜(E)成分を配合して全体を100重量%としてなることを特徴とする工業用洗浄剤組成物が開示されている。 Patent Document 5 includes (A) 50 to 70% by weight of benzyl alcohol, (B) 20 to 40% by weight of a specific water-soluble glycol ether, and (C) a nonionic surfactant 1 to 20 having an HLB of 12 to 18. % By weight, (D) 5 to 20% by weight of water, (E) alkanolamine, alkali salts, organic acid, antifoaming agent, containing at least 1% selected from the group consisting of thickeners, An industrial detergent composition characterized by blending the components (A) to (E) to 100% by weight is disclosed.
特許文献6には、炭素数1〜18の炭化水素基を有するグリセリルエーテルを含有する、精密部品用又はその組立加工工程に使用される冶工具類用洗浄剤組成物が開示されている。 Patent Document 6 discloses a detergent composition for a precision tool or a tool used for an assembling process, which contains a glyceryl ether having a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.
特許文献7には、ある特定のポリオキシアルキレンジアルキルエーテル、ある特定のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル及びアミン系化合物を含有し、25℃での動粘度が5mm2/s以下の電子部品、精密部品またはその組立加工工程に使用される治工具類の固体表面に存在する油脂、機械油、切削油、グリース、液晶、ロジン系フラックス等の汚れ除去に好適に使用しうる洗浄剤組成物が開示されている。 Patent Document 7 discloses an electronic component and a precision component containing a specific polyoxyalkylene dialkyl ether, a specific polyoxyalkylene monoalkyl ether, and an amine compound and having a kinematic viscosity at 25 ° C. of 5 mm 2 / s or less. Alternatively, a detergent composition that can be suitably used to remove dirt such as oil, machine oil, cutting oil, grease, liquid crystal, and rosin flux present on the solid surface of jigs and tools used in the assembly process is disclosed. ing.
近年、半導体パッケージ基板の小型化によって、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなってきている。そして、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることで、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。 In recent years, due to miniaturization of semiconductor package substrates, solder bumps have become smaller and gaps with components to be connected have become narrower. And since the solder bump is miniaturized and the gap between the parts to be connected is narrowed, the cleaning composition disclosed in the above-mentioned patent document cannot be said to have sufficient flux residue detergency.
そこで、本開示は、フラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法及び電子部品の洗浄方法を提供する。 Thus, the present disclosure provides a flux cleaning composition suitable for cleaning flux residues, a cleaning method using the same, and a cleaning method for electronic components.
本開示は、下記式(I)で表される化合物(成分A)、下記式(II)で表される化合物(成分B)、下記式(III)で表される化合物(成分C)、下記式(IV)で表される化合物(成分D)、芳香族アルコール(成分E)、及び水(成分F)を含有し、成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計の質量との比(成分E/(成分C+成分D))が、0.18以上0.45以下である、フラックス用洗浄剤組成物に関する。 The present disclosure includes a compound represented by the following formula (I) (component A), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) (component C), It contains the compound represented by formula (IV) (component D), aromatic alcohol (component E), and water (component F), and the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D ( It is related with the cleaning composition for flux whose component E / (component C + component D)) is 0.18 or more and 0.45 or less.
R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)
上記式(II)において、R4は炭素数4以上7以下の炭化水素基を示し、nは付加モル数であって1以上5以下の整数である。
R 4 —O— (CH 2 CH 2 O) n —H (II)
In the above formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 to 7 carbon atoms, and n is an added mole number and an integer of 1 to 5 inclusive.
R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)
上記式(III)において、R5は炭素数8以上12以下の炭化水素基を示し、mは平均付加モル数であって4以上8以下の数である。
R 5 —O— (CH 2 CH 2 O) m —H (III)
In the above formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 or more and 12 or less carbon atoms, and m is an average added mole number, which is 4 or more and 8 or less.
R6OCH2−CH(OH)-CH2OH (IV)
上記式(IV)において、R6は炭素数6以上11以下の炭化水素基を示す。
R 6 OCH 2 —CH (OH) —CH 2 OH (IV)
In the above formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms.
本開示は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、フラックス残渣の洗浄方法に関する。 The present disclosure relates to a flux residue cleaning method including a step of cleaning an object to be cleaned having a flux residue with the cleaning composition according to the present disclosure.
本開示は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程とを含む電子部品の製造方法に関する。 The present disclosure includes a step of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on a circuit board by soldering using a flux, and a solder bump for connecting the parts and the like. A flux residue cleaning method according to the present disclosure comprising at least one step selected from steps formed on a circuit board and at least one selected from a circuit board on which the component is mounted and a circuit board on which the solder bump is formed It is related with the manufacturing method of an electronic component including the process wash | cleaned by.
本開示によれば、フラックス残渣の洗浄性が優れるフラックス用洗浄剤組成物を提供できる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a flux cleaning composition with excellent flux residue detergency.
本開示は、特定のアミン(成分A)、特定のグリコールエーテル(成分B)、特定のポリオキシエチレンアルキルエーテル(成分C)、特定のグリセリルエーテル(成分D)及び芳香族アルコール(成分E)を含有する洗浄剤組成物において、成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計質量との比を規定することにより、従来よりもフラックス残渣の洗浄性が向上するという知見に基づく。 The present disclosure provides a specific amine (component A), a specific glycol ether (component B), a specific polyoxyethylene alkyl ether (component C), a specific glyceryl ether (component D) and an aromatic alcohol (component E). In the cleaning composition to be contained, by defining the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D, it is based on the knowledge that the cleaning properties of the flux residue are improved as compared with the conventional case.
すなわち、本開示は、前記式(I)で表される化合物(成分A)、前記式(II)で表される化合物(成分B)、前記式(III)で表される化合物(成分C)、前記式(IV)で表される化合物(成分D)、芳香族アルコール(成分E)、及び水(成分F)を含有し、成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計の質量との比(成分E/(成分C+成分D))が、0.18以上0.45以下である、フラックス用洗浄剤組成物(以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう)に関する。本開示によれば、フラックス残渣の洗浄性が優れるフラックス用洗浄剤組成物が得られうる。さらに、本開示によれば、安定性及び水によるすすぎ性が良好で、半田金属への腐食等の影響を抑制できるフラックス用洗浄剤組成物が得られうる。 That is, the present disclosure relates to a compound represented by formula (I) (component A), a compound represented by formula (II) (component B), and a compound represented by formula (III) (component C). The compound (component D) represented by the formula (IV), the aromatic alcohol (component E), and water (component F) are contained, and the mass of the component E and the total mass of the components C and D are The present invention relates to a flux cleaning composition (hereinafter also referred to as “cleaning composition according to the present disclosure”) having a ratio (component E / (component C + component D)) of 0.18 or more and 0.45 or less. According to the present disclosure, it is possible to obtain a flux cleaning composition with excellent flux residue cleaning properties. Furthermore, according to the present disclosure, it is possible to obtain a cleaning composition for flux that is excellent in stability and rinsing with water and that can suppress the influence of corrosion or the like on the solder metal.
本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。すなわち、本開示に係る洗浄剤組成物では、前記成分A及び成分Bの存在下で、成分C、成分D及び成分Eが特定の質量比で含有されているために、洗浄剤組成物中で成分C、成分D及び成分Eが配向して存在し、フラックスの溶解性は高いが水に溶けにくい成分Eを洗浄剤組成物中に均一に分散させることができ、その結果、フラックス残渣に対する洗浄性が向上すると推測される。さらに、上記のような配向が起こることにより、半田表面を腐食する要因と考えられるアミン成分(成分A)が必要以上に半田と接触するのを抑制できるため、半田バンプ表面に腐食等の影響を起こさないと推測される。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。 Although the details of the action mechanism of the effect in the cleaning composition according to the present disclosure are unclear, it is estimated as follows. That is, in the cleaning composition according to the present disclosure, in the presence of the component A and the component B, the component C, the component D, and the component E are contained at a specific mass ratio. Component E, component D and component E are oriented and present, and component E, which has high flux solubility but is difficult to dissolve in water, can be uniformly dispersed in the cleaning composition. It is estimated that the performance is improved. Furthermore, the occurrence of the above-described orientation can prevent the amine component (component A), which is considered to be a factor corroding the solder surface, from coming into contact with the solder more than necessary. Presumed not to happen. However, the present disclosure is not limited to this mechanism.
さらに、近年、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることに伴い、印刷性、溶融性、洗浄性を維持しつつ、ボイドの発生を抑制可能な高機能なフラックス(例えば、高活性フラックス)が使用されているが、本開示に係る洗浄剤組成物は、このような高機能なフラックスの残渣に対しても好適に用いられうる。 Furthermore, in recent years, with the miniaturization of solder bumps and the gap between the parts to be connected becoming narrower, a highly functional flux that can suppress the generation of voids while maintaining printability, meltability, and cleaning properties (for example, Highly active flux) is used, but the cleaning composition according to the present disclosure can be suitably used for such highly functional flux residues.
本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び/又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品(例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等)が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間(隙間)が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「フラックス用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び/又は半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。 In the present disclosure, the “flux” contains rosin or a rosin derivative used for soldering, which is used to remove the oxide that obstructs the connection between a metal such as an electrode or wiring and a solder metal, and promote the connection. In this disclosure, “soldering” includes reflow method and flow method soldering. In the present disclosure, “solder flux” refers to a mixture of solder and flux. In the present disclosure, “flux residue” refers to a residue derived from flux remaining on a substrate after solder bumps are formed using flux and / or a substrate after soldering using flux. For example, when other components (for example, semiconductor chips, chip capacitors, other circuit boards, etc.) are stacked and mounted on the circuit board, there is a space (gap) between the circuit board and the other parts. It is formed. The flux used for the mounting can remain in this gap as a flux residue after being soldered by reflow or the like. In the present disclosure, “flux cleaning composition” refers to a cleaning composition for cleaning a flux residue after forming and / or soldering a solder bump using a flux or a solder flux. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a significant effect of detergency with the cleaning composition according to the present disclosure.
[成分A]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Aは、下記式(I)で表される化合物である。
[Component A]
Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is a compound represented by the following formula (I).
上記式(I)において、R1は水素原子、メチル基、エチル基及びアミノエチル基から選ばれる少なくとも1種であり、R2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基及びエチル基から選ばれる少なくとも1種であり、R3はヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも1種である。 In the above formula (I), R 1 is at least one selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, and R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group and an ethyl group. And R 3 is at least one selected from a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.
成分Aとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアルカノールアミン、並びにこれらのアルキル化物及びアミノアルキル化物等が挙げられる。成分Aの具体例としては、洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチルモノエタノールアミン、N−メチルモノイソプロパノールアミン、N−エチルモノエタノールアミン、N−エチルモノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、N−ジメチルモノエタノールアミン、N−ジメチルモノイソプロパノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−メチルジイソプロパノールアミン、N−ジエチルモノエタノールアミン、N−ジエチルモノイソプロパノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−エチルジイソプロパノールアミン、N−(β−アミノエチル)モノエタノールアミン、N−(β−アミノエチル)モノイソプロパノールアミン、N−(β−アミノエチル)ジエタノールアミン、N−(β−アミノエチル)ジイソプロパノールアミンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルモノエタノールアミン、N−ジメチルモノエタノールアミン、N−エチルモノエタノールアミン及びN−(β−アミノエチル)モノエタノールアミンから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、N−メチルモノエタノールアミン及びN−ジメチルモノエタノールアミンから選ばれる少なくとも1種がさらに好ましい。 Examples of component A include alkanolamines such as monoethanolamine and diethanolamine, and alkylated products and aminoalkylated products thereof. Specific examples of component A include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylmonoisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, and N-ethylmonoisopropanolamine from the viewpoint of improving detergency. , Diethanolamine, diisopropanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N-dimethylmonoisopropanolamine, N-methyldiethanolamine, N-methyldiisopropanolamine, N-diethylmonoethanolamine, N-diethylmonoisopropanolamine, N-ethyl Diethanolamine, N-ethyldiisopropanolamine, N- (β-aminoethyl) monoethanolamine, N- (β-aminoethyl) monoisopropanolamine, N- (β At least one selected from aminoethyl) diethanolamine and N- (β-aminoethyl) diisopropanolamine is preferable, and monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N At least one selected from -ethyl monoethanolamine and N- (β-aminoethyl) monoethanolamine is more preferable, and at least one selected from N-methylmonoethanolamine and N-dimethylmonoethanolamine is more preferable.
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Aの含有量は、洗浄性向上の観点から、0.2質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.4質量%以上がさらに好ましく、0.5質量%以上がよりさらに好ましく、そして、洗浄性向上及び半田金属の腐食抑制の観点から、10質量%以下が好ましく、8質量%以下がより好ましく、5質量%以下がさらに好ましく、3質量%以下がよりさらに好ましい。 The content of Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and more preferably 0.4% by mass or more from the viewpoint of improving the cleaning property. More preferably, 0.5% by mass or more is still more preferable, and from the viewpoint of improving the cleaning property and suppressing the corrosion of the solder metal, 10% by mass or less is preferable, 8% by mass or less is more preferable, and 5% by mass or less is further preferable. Preferably, 3 mass% or less is still more preferable.
[成分B]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Bは、下記式(II)で表される化合物である。
[Component B]
Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is a compound represented by the following formula (II).
R4-O-(CH2CH2O)n-H (II) R 4 —O— (CH 2 CH 2 O) n —H (II)
上記式(II)において、R4は、炭素数4以上7以下の炭化水素基を示し、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、炭素数4以上6以下の炭化水素基が好ましく、4以上6以下のアルキル基がより好ましい。nは付加モル数を示し、1以上5以下の整数であり、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、1以上4以下の整数が好ましく、2以上3以下の整数がより好ましい。 In the above formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 to 7 carbon atoms, and preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms from the viewpoint of improving detergency and stability. An alkyl group of 6 or less is more preferable. n represents the number of added moles, and is an integer of 1 to 5, and is preferably an integer of 1 to 4 and more preferably an integer of 2 to 3 from the viewpoints of improvement in cleaning properties and stability.
成分Bとしては、例えば、炭素数4以上7以下の炭化水素基を有する、エチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、テトラエチレングリコールモノアルキルエーテル、ペンタエチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテル、ペンタエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテル、テトラエチレングリコールモノベンジルエーテル及びペンタエチレングリコールモノベンジルエーテル等が挙げられる。成分Bとしては、洗浄性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル及びジエチレングリコールモノベンジルエーテルから選ばれる少なくとも1種が好ましく、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも1種がさらに好ましく、すすぎ性の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテルがよりさらに好ましい。 Component B includes, for example, ethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol monoalkyl ether, triethylene glycol monoalkyl ether, tetraethylene glycol monoalkyl ether, pentaethylene glycol monoalkyl having a hydrocarbon group having 4 to 7 carbon atoms. Ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monophenyl ether, tetraethylene glycol monophenyl ether, pentaethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, triethylene glycol monobenzyl Ether, tetraethylene glycol monobenzyl ether Le and pentaethylene glycol monobenzyl ether. Component B includes ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl ether, and diethylene glycol monohexyl ether from the viewpoints of improving the detergency, reducing the viscosity of the detergent composition, and improving the stability. At least one selected from ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether and diethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol mono Hexyl ether and diethylene glycol At least one selected from rumonohexyl ether is more preferable, at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether and diethylene glycol monohexyl ether is more preferable, and diethylene glycol monobutyl ether is still more preferable from the viewpoint of rinsing properties. .
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Bの含有量は、洗浄性向上、すすぎ性向上、洗浄剤組成物の粘度低下、安定性向上、半田金属の腐食抑制の観点から、10質量%以上が好ましく、12質量%以上がより好ましく、15質量%以上がさらに好ましく、20質量%以上がよりさらに好ましい。前記成分Bの含有量は、洗浄剤組成物の粘度を下げる観点から、25質量%以上がよりさらに好ましい。前記成分Bの含有量は、洗浄性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、45質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、35質量%以下がさらに好ましい。 The content of Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is 10% by mass or more from the viewpoint of improving cleaning properties, improving rinsing properties, decreasing viscosity of cleaning compositions, improving stability, and suppressing solder metal corrosion. Is preferable, 12 mass% or more is more preferable, 15 mass% or more is further preferable, and 20 mass% or more is further more preferable. The content of the component B is more preferably 25% by mass or more from the viewpoint of reducing the viscosity of the cleaning composition. The content of Component B is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and even more preferably 35% by mass or less, from the viewpoints of improvement in detergency, reduction in viscosity of the cleaning composition and improvement in stability.
[成分C]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Cは、下記式(III)で表される化合物である。
[Component C]
Component C in the cleaning composition according to the present disclosure is a compound represented by the following formula (III).
R5-O-(CH2CH2O)m-H (III) R 5 —O— (CH 2 CH 2 O) m —H (III)
上記式(III)において、R5は炭素数8以上12以下の炭化水素基を示し、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、炭素数8以上10以下の炭化水素基が好ましく、8以上10以下のアルキル基がより好ましい。mは平均付加モル数を示し、4以上8以下の数であり、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、5以上7以下の数が好ましく、5以上6以下の数がより好ましい。 In the above formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 12 carbon atoms, and a hydrocarbon group having 8 to 10 carbon atoms is preferable from the viewpoint of improving detergency and stability. The following alkyl groups are more preferred. m represents the average number of added moles, and is a number of 4 or more and 8 or less, preferably 5 or more and 7 or less, and more preferably 5 or more and 6 or less from the viewpoints of improvement in detergency and stability.
成分Cとしては、前記式(III)で表される炭素数8以上12以下の炭化水素基を有し、エチレンオキサイドの平均付加モル数(m)が4以上8以下である、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルケニルエーテル及びポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル等が挙げられ、洗浄性向上の観点から、ポリオキシエチレンアルキルエーテルが好ましい。R5の炭化水素基の炭素数は、洗浄性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、10以下が好ましい。成分Cの具体例としては、例えば、ポリオキシエチレン2-エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレン2−プロピルヘプチルエーテル、ポリオキシエチレン4−メチルプロピルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレン5−メチルプロピルヘキシルエーテル、及びポリオキシエチレンドデシルエーテルから選ばれる少なくとも1種が挙げられ、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、ポリオキシエチレン2-エチルヘキシルエーテルが好ましい。 Component C is a polyoxyethylene alkyl having a hydrocarbon group having 8 to 12 carbon atoms represented by the formula (III), and having an average added mole number (m) of ethylene oxide of 4 to 8 Examples include ethers, polyoxyethylene alkenyl ethers, polyoxyethylene alkylphenyl ethers, and the like, and polyoxyethylene alkyl ethers are preferred from the viewpoint of improving detergency. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group of R 5 is preferably 10 or less from the viewpoints of improvement in detergency, reduction in viscosity of the cleaning composition and improvement in stability. Specific examples of component C include, for example, polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene nonyl ether, polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene 2-propylheptyl ether, polyoxyethylene 4- Examples include at least one selected from methyl propyl hexyl ether, polyoxyethylene 5-methylpropyl hexyl ether, and polyoxyethylene dodecyl ether. From the viewpoint of viscosity reduction and stability improvement of the detergent composition, polyoxyethylene 2 -Ethylhexyl ether is preferred.
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Cの含有量は、洗浄性向上、すすぎ性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、10質量%以上が好ましく、15質量%以上がより好ましく、20質量%以上さらに好ましく、そして、すすぎ性向上、洗浄剤組成物の粘度低下及び安定性向上の観点から、50質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、30質量%以下がさらに好ましい。 The content of the component C in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 10% by mass or more, and preferably 15% by mass from the viewpoints of improving the cleaning property, improving the rinsing property, reducing the viscosity of the cleaning composition, and improving the stability. The above is more preferable, 20% by mass or more is further preferable, and 50% by mass or less is preferable, 40% by mass or less is more preferable, and 30% by mass from the viewpoint of improving rinsing properties, decreasing the viscosity of the cleaning composition and improving stability. % Or less is more preferable.
[成分D]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Dは、下記式(IV)で表される化合物である。本開示によれば、成分Dを用いることで、フラックス残渣に対して優れた洗浄性が得られるという利点がある。
[Component D]
Component D in the cleaning composition according to the present disclosure is a compound represented by the following formula (IV). According to the present disclosure, by using the component D, there is an advantage that excellent cleaning properties can be obtained for the flux residue.
R6OCH2−CH(OH)-CH2OH (IV) R 6 OCH 2 —CH (OH) —CH 2 OH (IV)
上記式(IV)において、R6は炭素数6以上11以下の炭化水素基を示し、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、炭素数8以上10以下の炭化水素基が好ましく、8以上10以下のアルキル基がより好ましい。 In the above formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms, and is preferably a hydrocarbon group having 8 to 10 carbon atoms from the viewpoint of improving detergency and stability. The following alkyl groups are more preferred.
成分Dとしては、前記式(IV)で表される炭素数6以上11以下の炭化水素基を有するグリセリルエーテルであって、安定性向上の観点から、アルキルグリセリルエーテルが好ましい。洗浄性向上及び安定性向上の観点から、R6は、炭素数6以上11以下の直鎖若しくは分岐鎖を有するアルキル基又はアルケニル基が好ましく、炭素数6以上10以下のアルキル基がより好ましく、炭素数8のアルキル基がさらに好ましい。R6としては、例えばn−ヘキシル基、イソヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n-デシル基等の炭素数6以上11以下のアルキル基が挙げられ、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、2―エチルヘキシル基、及びn−デシル基から選ばれる少なくとも1つが好ましく、2―エチルヘキシル基がより好ましい。成分Dの具体例としては、例えば、ヘキシルグリセリルエーテル、オクチルグリセリルエーテル、2−エチルヘキシルグリセリルエーテル、ノニルグリセリルエーテル、デシルグリセリルエーテル、及びウンデシルグリセリルエーテルから選ばれる少なくとも1つが挙げられる。 Component D is a glyceryl ether having a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms represented by the formula (IV), and alkyl glyceryl ether is preferable from the viewpoint of improving stability. From the viewpoint of improving the cleaning properties and stability, R 6 is preferably a linear or branched alkyl group having 6 to 11 carbon atoms or an alkenyl group, more preferably an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, An alkyl group having 8 carbon atoms is more preferable. Examples of R 6 include an alkyl group having 6 to 11 carbon atoms such as n-hexyl group, isohexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like. And at least one selected from a 2-ethylhexyl group and an n-decyl group is preferable, and a 2-ethylhexyl group is more preferable. Specific examples of component D include at least one selected from hexyl glyceryl ether, octyl glyceryl ether, 2-ethylhexyl glyceryl ether, nonyl glyceryl ether, decyl glyceryl ether, and undecyl glyceryl ether.
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Dの含有量は、洗浄性向上、すすぎ性向上及び安定性向上の観点から、0.5質量%以上が好ましく、1質量%以上がより好ましく、1.5質量%以上がさらに好ましく、2質量%以上がよりさらに好ましく、そして、同様の観点から、15質量%以下が好ましく、13質量%以下がより好ましく、10質量%以下がさらに好ましく、7質量%以下がよりさらに好ましい。 The content of the component D in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, from the viewpoints of improvement in detergency, rinsing property and stability. 0.5% by mass or more is more preferable, 2% by mass or more is more preferable, and from the same viewpoint, 15% by mass or less is preferable, 13% by mass or less is more preferable, 10% by mass or less is more preferable, and 7% by mass. % Or less is even more preferable.
[成分E]
本開示に係る洗浄剤組成物は、洗浄性向上の観点から、芳香族アルコール(成分E)を含有する。
[Component E]
The cleaning composition according to the present disclosure contains an aromatic alcohol (component E) from the viewpoint of improving detergency.
成分Eとしては、芳香環及び水酸基を有する化合物であればよく、洗浄性向上の観点から、成分Eの芳香族アルコールの炭素数は、7以上が好ましく、10以下が好ましく、9以下がより好ましい。成分Eの具体例としては、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、4−メチルベンジルアルコール、4−エチルベンジルアルコール、2−フェニル−1−プロパノール、及び2−フェニル−2−プロパノールから選ばれる少なくとも1種が挙げられ、洗浄性向上の観点から、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール及び4−エチルベンジルアルコールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい。 Component E may be a compound having an aromatic ring and a hydroxyl group, and from the viewpoint of improving detergency, the carbon number of the aromatic alcohol of component E is preferably 7 or more, preferably 10 or less, and more preferably 9 or less. . Specific examples of component E include at least one selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol, 4-methylbenzyl alcohol, 4-ethylbenzyl alcohol, 2-phenyl-1-propanol, and 2-phenyl-2-propanol. From the viewpoint of improving detergency, at least one selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol and 4-ethylbenzyl alcohol is preferable, and benzyl alcohol is more preferable.
本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Eの含有量は、洗浄性向上の観点から、高含有量であることが好ましいが、安定性、洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、1質量%以上が好ましく、2質量%以上がより好ましく、3質量%以上がさらに好ましく、5質量%以上がよりさらに好ましく、そして、同様の観点から、25質量%以下が好ましく、20質量%以下がより好ましく、15質量%以下がさらに好ましい。 The content of the component E in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably a high content from the viewpoint of improving the cleaning performance, but from the viewpoint of improving stability, cleaning performance and rinsing performance, 1 mass. % Or more, preferably 2% by weight or more, more preferably 3% by weight or more, still more preferably 5% by weight or more, and from the same viewpoint, preferably 25% by weight or less, more preferably 20% by weight or less. Preferably, 15 mass% or less is more preferable.
[成分Eと成分C及びDとの質量比]
本開示において、成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計の質量との比(成分E/(成分C+成分D))は、洗浄性向上、すすぎ性向上及び安定性向上の観点から、0.18以上であって、0.2以上が好ましく、0.25以上がより好ましく、そして、0.45以下であって、0.4以下が好ましく、0.35以下がより好ましい。
[Mass ratio of component E to components C and D]
In the present disclosure, the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D (component E / (component C + component D)) is 0 from the viewpoints of improving detergency, rinsing performance and stability. .18 or more, preferably 0.2 or more, more preferably 0.25 or more, and 0.45 or less, preferably 0.4 or less, and more preferably 0.35 or less.
[成分Cと成分Dとの質量比]
成分Cの質量と成分Dの質量との比(成分C/成分D)は、すすぎ性向上及び安定性向上の観点から、5以上が好ましく、6以上がより好ましく、7以上がさらに好ましく、そして、同様の観点から、10以下が好ましく、9.5以下がより好ましく、9以下がさらに好ましい。
[Mass ratio of component C to component D]
The ratio of the mass of component C to the mass of component D (component C / component D) is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, from the viewpoint of improving rinsing properties and stability. From the same viewpoint, 10 or less is preferable, 9.5 or less is more preferable, and 9 or less is more preferable.
[成分F]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Fは、水である。水としては、イオン交換水、RO水、蒸留水、純水、超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Fの含有量は、洗浄性向上及び安定性向上の観点から、10質量%以上が好ましく、15質量%以上がより好ましく、20質量%以上がさらに好ましく、そして、同様の観点から、60質量%以下が好ましく、50質量%以下がより好ましく、40質量%以下がさらに好ましく、30質量%以下がよりさらに好ましい。
[Component F]
Component F in the cleaning composition according to the present disclosure is water. As water, ion exchange water, RO water, distilled water, pure water, ultrapure water, or the like can be used. The content of Component F in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and even more preferably 20% by mass or more, from the viewpoints of improvement in detergency and stability. And from the same viewpoint, 60 mass% or less is preferable, 50 mass% or less is more preferable, 40 mass% or less is further more preferable, and 30 mass% or less is more preferable.
[洗浄剤組成物のその他の成分]
本開示に係る洗浄剤組成物は、必要に応じてその他の成分を含有することができる。本開示に係る洗浄剤組成物中のその他の成分の含有量は、0質量%以上2.0質量%以下が好ましく、0質量%以上1.5質量%以下がより好ましく、0質量%以上1.3質量%以下がさらに好ましく、0質量%以上1.0質量%以下がさらにより好ましい。
[Other components of cleaning composition]
The cleaning composition according to the present disclosure may contain other components as necessary. The content of other components in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0% by mass to 2.0% by mass, more preferably 0% by mass to 1.5% by mass, and more preferably 0% by mass to 1%. Is more preferably 3% by mass or less, and still more preferably 0% by mass or more and 1.0% by mass or less.
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、発泡性抑制の観点から、例えば、炭素数10〜18の炭化水素(成分G)が挙げられる。成分Gとしては、同様の観点から、例えば、ドデセン及びテトラデセンから選ばれる少なくとも1種が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物中の成分Gの含有量は、発泡性抑制の観点から、0.5質量%以上が好ましく、0.8質量%以上がより好ましく、そして、1.5質量%以下が好ましく、1.3質量%以下がより好ましく、1.0質量%以下がさらにより好ましい。 Examples of other components in the cleaning composition according to the present disclosure include hydrocarbons having 10 to 18 carbon atoms (component G) from the viewpoint of suppressing foamability. Component G includes, for example, at least one selected from dodecene and tetradecene from the same viewpoint. The content of the component G in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.8% by mass or more, and 1.5% by mass from the viewpoint of suppressing foamability. Or less, more preferably 1.3% by mass or less, and even more preferably 1.0% by mass or less.
さらに、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜含有することができる。 Furthermore, the cleaning composition according to the present disclosure is, as necessary, such as hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, and the like, as long as it does not impair the effects of the present disclosure. Compounds with chelating ability such as aminocarboxylates, antiseptics, rust preventives, bactericides, antibacterial agents, silicone antifoaming agents, antioxidants, esters or alcohols such as coconut fatty acid methyl and benzyl acetate, etc. Can be contained.
[洗浄剤組成物の製造方法]
本開示に係る洗浄剤組成物は、前記成分A〜F及び必要に応じてその他の成分を公知の方法で配合することによって製造できる。したがって、本開示は、少なくとも前記成分A〜Fを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分A〜F及び必要に応じてその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示に係る洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示に係る洗浄剤組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。本開示において「洗浄剤組成物中の各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物を洗浄に使用する時点での前記各成分の含有量をいう。本開示に係る洗浄剤組成物は、添加作業、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮液として製造及び保管し、使用時に成分A〜成分Eが上述した含有量(すなわち、洗浄時の含有量)になるよう水(成分F)で希釈して用いることができる。
[Production method of cleaning composition]
The cleaning composition according to the present disclosure can be produced by blending the components A to F and, if necessary, other components by a known method. Therefore, this indication is related with the manufacturing method of the detergent constituent including the process of blending at least the above-mentioned ingredients AF. In the present disclosure, “compounding” includes mixing the components A to F and other components as necessary at the same time or in any order. In the manufacturing method of the cleaning composition according to the present disclosure, the blending amount of each component can be the same as the content of each component in the cleaning composition according to the present disclosure described above. In the present disclosure, the “content of each component in the cleaning composition” refers to the content of each component at the time of cleaning, that is, when the cleaning composition is used for cleaning. The cleaning composition according to the present disclosure is manufactured and stored as a concentrated liquid from the viewpoints of addition work, storage and transportation, and the content of Component A to Component E described above during use (that is, the content during cleaning). It can be diluted with water (component F).
[洗浄剤組成物のpH]
本開示に係る洗浄剤組成物のpHは、フラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、pH8以上pH14以下が好ましい。pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分A以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
[PH of cleaning composition]
The pH of the cleaning composition according to the present disclosure is preferably pH 8 or higher and pH 14 or lower from the viewpoint of improving the cleaning power against the flux residue. If necessary, the pH is adjusted with inorganic acids such as nitric acid and sulfuric acid, organic acids such as oxycarboxylic acid, polyvalent carboxylic acid, aminopolycarboxylic acid and amino acid, and metal salts and ammonium salts thereof, ammonia, sodium hydroxide and water. It can adjust by mix | blending basic substances other than component A, such as a potassium oxide and an amine, with a desired quantity suitably.
[被洗浄物]
本開示に係る洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品が搭載された回路基板、及び/又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品(半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等)との間に形成される空間であって、その高さ(部品間の距離)が、例えば、5〜500μm、10〜250μm、或いは20〜100μmの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極(ランド)の大きさや間隔に依存する。
[To be cleaned]
The cleaning composition according to the present disclosure is used for cleaning an object to be cleaned having a flux residue. Examples of an object to be cleaned having a flux residue include an object to be cleaned having reflowed solder. Specific examples of the object to be cleaned include, for example, an electronic component and its production intermediate, and specifically include a soldered electronic component and its production intermediate, and more specifically, the component is a solder. Soldered electronic component and its production intermediate, electronic component to which the component is connected via solder and its production intermediate, electronic component including flux residue in the gap between the soldered component and its production intermediate, An electronic component including a flux residue in a gap between components connected via solder, a manufacturing intermediate thereof, and the like can be given. The manufacturing intermediate is an intermediate product in a manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device, and is at least selected from a semiconductor chip, a chip capacitor, and a circuit board by soldering using a flux, for example. It includes a circuit board on which one component is mounted and / or a circuit board on which solder bumps for soldering the components are formed. The gap in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip capacitor, circuit board, etc.) soldered and mounted on the circuit board. The height (distance between components) refers to a space of, for example, 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and depth of the gap depend on the size and interval of the components to be mounted and the electrodes (lands) on the circuit board.
[フラックス残渣の洗浄方法]
本開示は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、フラックス残渣の洗浄方法に関する(以下、本開示に係る洗浄方法ともいう)。本開示に係る洗浄方法は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法(シャワー方式)等が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示に係る洗浄方法は、国際特許公報2006/025224公報、特公平6−75796号公報、特開2014−144473号公報、特開2004−230426号公報、特開2013−188761号公報、特開2013−173184号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。本開示の洗浄方法は、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、26〜72Hz、80〜1500Wが好ましく、36〜72Hz、80〜1500Wがより好ましい。
[Flux residue cleaning method]
The present disclosure relates to a flux residue cleaning method including contacting an object to be cleaned having a flux residue with the cleaning composition according to the present disclosure (hereinafter also referred to as a cleaning method according to the present disclosure). The cleaning method according to the present disclosure includes a step of cleaning an object to be cleaned having a flux residue with the cleaning composition according to the present disclosure. Examples of the method for bringing the cleaning composition according to the present disclosure into contact with the object to be cleaned or the method for cleaning the object to be cleaned with the cleaning composition according to the present disclosure include, for example, contacting the object in the bathtub of an ultrasonic cleaning device Examples thereof include a method, a method of injecting the cleaning composition into a spray form and bringing it into contact (shower method). The cleaning composition according to the present disclosure can be used for cleaning as it is without being diluted. It is preferable that the cleaning method of the present disclosure includes a step of bringing an object to be cleaned into contact with the cleaning composition, rinsing with water, and drying. With the cleaning method of the present disclosure, it is possible to efficiently clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered parts. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a significant effect of cleaning performance and penetration into a narrow gap by the cleaning method of the present disclosure. Further, from the same viewpoint, the cleaning method according to the present disclosure is disclosed in International Patent Publication No. 2006/025224, Japanese Patent Publication No. 6-75796, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014-144473, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-230426, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2013. It is preferably used for electronic components soldered using a flux described in JP-A-188761, JP-A-2013-173184, and the like. In the cleaning method of the present disclosure, it is preferable to irradiate ultrasonic waves when the cleaning composition according to the present disclosure and the object to be cleaned are in contact with each other because the cleaning power of the cleaning composition according to the present disclosure is easily exhibited. More preferably, the ultrasonic waves are relatively strong. From the same viewpoint, the ultrasonic frequency is preferably 26 to 72 Hz and 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 Hz and 80 to 1500 W.
[電子部品の製造方法]
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
[Method of manufacturing electronic parts]
A method of manufacturing an electronic component according to the present disclosure includes a step of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on a circuit board by soldering using a flux, and connecting the components and the like And at least one step selected from a step of forming solder bumps on the circuit board, and at least one step selected from a circuit board on which the component is mounted and a circuit board on which the solder bumps are formed. And a step of cleaning by a cleaning method. The soldering using the flux is performed with, for example, lead-free solder, and may be a reflow method or a flow method. The electronic component includes a semiconductor package in which no semiconductor chip is mounted, a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. The manufacturing method of the electronic component according to the present disclosure is caused by reducing the flux residue remaining in the gap of the soldered component, the periphery of the solder bump, and the like by performing the cleaning method of the present disclosure, and the flux residue remains. Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable electronic component because a short circuit and poor adhesion between electrodes are suppressed. Furthermore, by performing the cleaning method of the present disclosure, it becomes easy to clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of electronic components can be improved.
[キット]
本開示は、本開示に係る洗浄方法及び/又は本開示に係る電子部品の製造方法に使用するためのキットであって、本開示に係る洗浄剤組成物を構成する前記成分A〜Fのうちの少なくとも1成分が他の成分と混合されない状態で保管されている、キットに関する。
[kit]
The present disclosure is a kit for use in the cleaning method according to the present disclosure and / or the method for manufacturing an electronic component according to the present disclosure, and among the components A to F constituting the cleaning composition according to the present disclosure. And at least one component of the kit is stored in an unmixed state with other components.
本開示に係るキットとしては、例えば、前記成分Aを含有する溶液(第1液)と、成分B〜Fを含有する溶液(第2液)とが、相互に混合されていない状態で保存されており、これらが使用時に混合されるキット(2液型洗浄剤組成物)が挙げられる。前記第1液及び第2液には、各々必要に応じて任意成分が含まれていても良い。該任意成分としては、例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。 As a kit according to the present disclosure, for example, a solution containing the component A (first liquid) and a solution containing the components B to F (second liquid) are stored in a state where they are not mixed with each other. And a kit (two-component detergent composition) in which these are mixed at the time of use. The first liquid and the second liquid may each contain an optional component as necessary. Examples of the optional component include a thickener, a dispersant, a rust inhibitor, a basic substance, a surfactant, a polymer compound, a solubilizer, an antioxidant, an antiseptic, an antifoaming agent, and an antibacterial agent. Can be mentioned.
本開示はさらに以下の洗浄剤組成物、洗浄方法、製造方法に関する。 The present disclosure further relates to the following cleaning composition, cleaning method, and production method.
<1>
下記式(I)で表される化合物(成分A)、下記式(II)で表される化合物(成分B)、下記式(III)で表される化合物(成分C)、下記式(IV)で表される化合物(成分D)、芳香族アルコール(成分E)、及び水(成分F)を含有し、
成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計の質量との比(成分E/(成分C+成分D))が、0.18以上0.45以下である、フラックス用洗浄剤組成物。
R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)
上記式(II)において、R4は炭素数4以上7以下の炭化水素基を示し、nは付加モル数であって1以上5以下の整数である。
R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)
上記式(III)において、R5は炭素数8以上12以下の炭化水素基を示し、mは平均付加モル数であって4以上8以下の数である。
R6OCH2−CH(OH)-CH2OH (IV)
上記式(IV)において、R6は炭素数6以上11以下の炭化水素基を示す。
<1>
A compound represented by the following formula (I) (component A), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) (component C), and the following formula (IV) A compound represented by the formula (component D), an aromatic alcohol (component E), and water (component F),
A cleaning composition for flux, wherein the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D (component E / (component C + component D)) is 0.18 to 0.45.
R 4 —O— (CH 2 CH 2 O) n —H (II)
In the above formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 to 7 carbon atoms, and n is an added mole number and an integer of 1 to 5 inclusive.
R 5 —O— (CH 2 CH 2 O) m —H (III)
In the above formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 or more and 12 or less carbon atoms, and m is an average added mole number, which is 4 or more and 8 or less.
R 6 OCH 2 —CH (OH) —CH 2 OH (IV)
In the above formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms.
<2> 成分Aとしては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチルモノエタノールアミン、N−メチルモノイソプロパノールアミン、N−エチルモノエタノールアミン、N−エチルモノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、N−ジメチルモノエタノールアミン、N−ジメチルモノイソプロパノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−メチルジイソプロパノールアミン、N−ジエチルモノエタノールアミン、N−ジエチルモノイソプロパノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−エチルジイソプロパノールアミン、N−(β−アミノエチル)モノエタノールアミン、N−(β−アミノエチル)モノイソプロパノールアミン、N−(β−アミノエチル)ジエタノールアミン、N−(β−アミノエチル)ジイソプロパノールアミンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルモノエタノールアミン、N−ジメチルモノエタノールアミン、N−エチルモノエタノールアミン及びN−(β−アミノエチル)モノエタノールアミンから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、N−メチルモノエタノールアミン及びN−ジメチルモノエタノールアミンから選ばれる少なくとも1種がさらに好ましい、<1>に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<3> 成分Aの含有量は、0.2質量%以上が好ましく、0.3質量%以上がより好ましく、0.4質量%以上がさらに好ましく、0.5質量%以上がよりさらに好ましい、<1>又は<2>に記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<4> 成分Aの含有量は、10質量%以下が好ましく、8質量%以下がより好ましく、5質量%以下がさらに好ましく、3質量%以下がよりさらに好ましい、<1>から<3>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<5> 上記式(II)において、R4は、炭素数4以上6以下の炭化水素基が好ましく、4以上6以下のアルキル基がより好ましい、<1>から<4>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<6> 上記式(II)において、nは、1以上4以下の数が好ましく、2以上3以下の数がより好ましい、<1>から<5>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<7> 成分Bとしては、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル及びジエチレングリコールモノベンジルエーテルから選ばれる少なくとも1種が好ましく、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、モノエチレングリコールモノヘキシルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも1種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルから選ばれる少なくとも1種がより好ましい、<1>から<6>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<8> 成分Bの含有量は、10質量%以上が好ましく、12質量%以上がより好ましく、15質量%以上がさらに好ましく、20質量%以上がよりさらに好ましく、25質量%以上がよりさらに好ましい、<1>から<7>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<9> 成分Bの含有量は、45質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、35質量%以下がさらに好ましい、<1>から<8>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<10> 式(III)において、R5は炭素数8以上12以下の炭化水素基を示し、炭素数8以上10以下の炭化水素基が好ましく、8以上10以下のアルキル基がより好ましい、<1>から<9>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<11> 式(III)において、mは、5以上7以下の数が好ましく、5以上6以下の数がより好ましい、<1>から<10>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<12> 式(III)において、R5の炭化水素基の炭素数は、10以下が好ましい、<1>から<11>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<13> 成分Cとしては、ポリオキシエチレン2-エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレン2−プロピルヘプチルエーテル、ポリオキシエチレン4−メチルプロピルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレン5−メチルプロピルヘキシルエーテル、及びポリオキシエチレンドデシルエーテルから選ばれる少なくとも1種である、<1>から<12>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<14> 成分Cの含有量は、10質量%以上が好ましく、15質量%以上がより好ましく、20質量%以上さらに好ましい、<1>から<13>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<15> 成分Cの含有量は、50質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、30質量%以下がさらに好ましい、<1>から<14>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<16> 式(IV)において、R6は、炭素数8以上10以下の炭化水素基が好ましく、8以上10以下のアルキル基がより好ましい、<1>から<15>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<17> 式(IV)において、R6は炭素数6以上11以下の直鎖若しくは分岐鎖を有するアルキル基又はアルケニル基が好ましく、炭素数6以上10以下のアルキル基がより好ましく、炭素数8のアルキル基がさらに好ましい、<1>から<16>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<18> 成分Dは、ヘキシルグリセリルエーテル、オクチルグリセリルエーテル、2−エチルヘキシルグリセリルエーテル、ノニルグリセリルエーテル、デシルグリセリルエーテル、及びウンデシルグリセリルエーテルから選ばれる少なくとも1種である、<1>から<17>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<19> 成分Dの含有量は、0.5質量%以上が好ましく、1質量%以上がより好ましく、1.5質量%以上がさらに好ましく、2質量%以上がよりさらに好ましい、<1>から<18>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<20> 成分Dの含有量は、15質量%以下が好ましく、13質量%以下がより好ましく、10質量%以下がさらに好ましく、7質量%以下がよりさらに好ましい、<1>から<19>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<21> 成分Eの芳香族アルコールの炭素数は、7以上が好ましく、10以下が好ましく、9以下がより好ましい、<1>から<20>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<22> 成分Eは、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、4−メチルベンジルアルコール、4−エチルベンジルアルコール、2−フェニル−1−プロパノール、及び2−フェニル−2−プロパノールから選ばれる少なくとも1種であり、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール及び4−エチルベンジルアルコールから選ばれる少なくとも1種が好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい、<1>から<21>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<23> 成分Eの含有量は、1質量%以上が好ましく、2質量%以上がより好ましく、3質量%以上がさらに好ましく、5質量%以上がよりさらに好ましい、<1>から<22>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<24> 成分Eの含有量は、25質量%以下が好ましく、20質量%以下がより好ましく、15質量%以下がさらに好ましい、<1>から<23>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<25> 成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計質量との比[成分E/(成分C+成分D)]は、0.2以上が好ましく、0.25以上がより好ましい、<1>から<24>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<26> 成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計質量との比[成分E/(成分C+成分D)]は、0.4以下が好ましく、0.35以下がより好ましい、<1>から<25>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<27> 成分Cの質量と成分Dの質量との比(成分C/成分D)は、5以上が好ましく、6以上がより好ましく、7以上がさらに好ましい、<1>から<26>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<28> 成分Cの質量と成分Dの質量との比(成分C/成分D)は、10以下が好ましく、9.5以下がより好ましく、9以下がさらに好ましい、<1>から<27>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<29> 成分Fの含有量は、10質量%以上が好ましく、15質量%以上がより好ましく、20質量%以上がさらに好ましい、<1>から<28>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<30> 成分Fの含有量は、60質量%以下が好ましく、50質量%以下がより好ましく、40質量%以下がさらに好ましく、30質量%以下がよりさらに好ましい、<1>から<29>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<31> 本開示に係る洗浄剤組成物は、炭素数10〜18の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素(成分G)をさらに含有する、<1>から<30>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<32> 成分Gは、ドデセン及びテトラデセンから選ばれる少なくとも1種である、<1>から<31>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<33> 成分Gの含有量は、0.5質量%以上が好ましく、0.8質量%以上がより好ましい、<1>から<32>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<34> 成分Gの含有量は、1.5質量%以下が好ましく、1.3質量%以下がより好ましく、1.0質量%以下がさらにより好ましい、<1>から<33>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<35> pHは、8以上14以下である、<1>から<34>のいずれかに記載のフラックス用洗浄剤組成物。
<36> フラックス残渣を有する被洗浄物を、<1>から<35>のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、フラックス残渣の洗浄方法。
<37> 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、<36>に記載のフラックス残渣の洗浄方法。
<38> 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも1つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも1つを、<36>又は<37>に記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
<39> <1>から<35>のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、電子部品の製造への使用。
<40> <1>から<35>のいずれかに記載の洗浄剤組成物を構成する前記成分A〜Fのうちの少なくとも1成分が他の成分と混合されない状態で保管されている、キット。
<2> Component A includes monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylmonoisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, N-ethylmonoisopropanolamine, diethanolamine, diisopropanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N-dimethylmonoisopropanolamine, N-methyldiethanolamine, N-methyldiisopropanolamine, N-diethylmonoethanolamine, N-diethylmonoisopropanolamine, N-ethyldiethanolamine, N-ethyldiisopropanol Amine, N- (β-aminoethyl) monoethanolamine, N- (β-aminoethyl) monoisopropanolamine, N- (β-aminoethyl) dietano At least one selected from the group consisting of ethanolamine and N- (β-aminoethyl) diisopropanolamine, monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-dimethylmonoethanolamine, N-ethylmono At least one selected from ethanolamine and N- (β-aminoethyl) monoethanolamine is more preferable, and at least one selected from N-methylmonoethanolamine and N-dimethylmonoethanolamine is more preferable. <1> A cleaning composition for flux as described in 1.
<3> The content of component A is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, further preferably 0.4% by mass or more, and further more preferably 0.5% by mass or more. The flux cleaning composition according to <1> or <2>.
<4> The content of component A is preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, further preferably 5% by mass or less, and further more preferably 3% by mass or less, from <1> to <3> The cleaning composition for fluxes in any one.
<5> In the above formula (II), R 4 is preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 4 to 6 carbon atoms, and any one of <1> to <4> A cleaning composition for flux.
<6> In the above formula (II), n is preferably a number of 1 or more and 4 or less, more preferably a number of 2 or more and 3 or less, and the cleaning composition for flux according to any one of <1> to <5> object.
<7> Component B includes ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monobenzyl At least one selected from ether and diethylene glycol monobenzyl ether is preferable, and at least one selected from ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, monoethylene glycol monohexyl ether and diethylene glycol monohexyl ether is preferable. The flux cleaning composition according to any one of <1> to <6>, more preferably at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, and diethylene glycol monohexyl ether.
<8> The content of Component B is preferably 10% by mass or more, more preferably 12% by mass or more, still more preferably 15% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more, and even more preferably 25% by mass or more. <1> to <7>. The flux cleaning composition according to any one of <1> to <7>.
<9> The content of component B is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and further preferably 35% by mass or less, and the flux cleaning agent according to any one of <1> to <8> Composition.
<10> In the formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 12 carbon atoms, preferably a hydrocarbon group having 8 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 8 to 10 carbon atoms. The cleaning composition for fluxes in any one of <1> to <9>.
<11> In the formula (III), m is preferably a number of 5 or more and 7 or less, more preferably a number of 5 or more and 6 or less, and the cleaning composition for flux according to any one of <1> to <10> .
<12> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <11>, wherein in the formula (III), the hydrocarbon group of R 5 preferably has 10 or less carbon atoms.
<13> As component C, polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene nonyl ether, polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene 2-propylheptyl ether, polyoxyethylene 4-methylpropyl The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <12>, which is at least one selected from hexyl ether, polyoxyethylene 5-methylpropyl hexyl ether, and polyoxyethylene dodecyl ether.
<14> The content of component C is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and further preferably 20% by mass or more, and the flux cleaning composition according to any one of <1> to <13> object.
<15> The content of component C is preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and further preferably 30% by mass or less, and the flux cleaning agent according to any one of <1> to <14> Composition.
<16> In the formula (IV), R 6 is preferably a hydrocarbon group having 8 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 8 to 10 carbon atoms, according to any one of <1> to <15> A cleaning composition for flux.
<17> In the formula (IV), R 6 is preferably a linear or branched alkyl group or alkenyl group having 6 to 11 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, and 8 carbon atoms. The flux cleaning composition according to any one of <1> to <16>, wherein the alkyl group is more preferable.
<18> Component D is at least one selected from hexyl glyceryl ether, octyl glyceryl ether, 2-ethylhexyl glyceryl ether, nonyl glyceryl ether, decyl glyceryl ether, and undecyl glyceryl ether, <1> to <17> The flux cleaning composition according to any one of the above.
<19> The content of component D is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, further preferably 1.5% by mass or more, and further more preferably 2% by mass or more, from <1>. The cleaning composition for fluxes according to any one of <18>.
<20> The content of component D is preferably 15% by mass or less, more preferably 13% by mass or less, further preferably 10% by mass or less, and further more preferably 7% by mass or less, from <1> to <19> The cleaning composition for fluxes in any one.
<21> The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <20>, wherein the aromatic alcohol of component E has preferably 7 or more, preferably 10 or less, and more preferably 9 or less.
<22> Component E is at least one selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol, 4-methylbenzyl alcohol, 4-ethylbenzyl alcohol, 2-phenyl-1-propanol, and 2-phenyl-2-propanol, The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <21>, wherein at least one selected from benzyl alcohol, phenethyl alcohol, and 4-ethylbenzyl alcohol is preferable, and benzyl alcohol is more preferable.
<23> The content of component E is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, further preferably 3% by mass or more, and further more preferably 5% by mass or more, from <1> to <22> The cleaning composition for fluxes in any one.
<24> The content of component E is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and further preferably 15% by mass or less, and the flux cleaner according to any one of <1> to <23> Composition.
<25> The ratio [component E / (component C + component D)] of the mass of component E and the total mass of component C and component D is preferably 0.2 or more, more preferably 0.25 or more, <1> To <24>. The flux cleaning composition according to any one of <24>.
<26> The ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D [component E / (component C + component D)] is preferably 0.4 or less, more preferably 0.35 or less, <1> To <25>. The flux cleaning composition according to any one of <25>.
<27> The ratio of the mass of component C to the mass of component D (component C / component D) is preferably 5 or greater, more preferably 6 or greater, and even more preferably 7 or greater, any of <1> to <26> A cleaning composition for flux according to claim 1.
<28> The ratio of the mass of component C to the mass of component D (component C / component D) is preferably 10 or less, more preferably 9.5 or less, and even more preferably 9 or less, <1> to <27> The flux cleaning composition according to any one of the above.
<29> The content of component F is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, and further preferably 20% by mass or more, and the flux cleaning agent according to any one of <1> to <28> Composition.
<30> The content of component F is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, further preferably 40% by mass or less, and further preferably 30% by mass or less, from <1> to <29> The cleaning composition for fluxes in any one.
<31> The cleaning composition according to the present disclosure further includes a hydrocarbon (component G) having or not having an unsaturated bond having 10 to 18 carbon atoms, according to any one of <1> to <30> The cleaning composition for fluxes as described.
<32> The cleaning composition for flux according to any one of <1> to <31>, wherein Component G is at least one selected from dodecene and tetradecene.
<33> The content of component G is preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 0.8% by mass or more, and the flux cleaning composition according to any one of <1> to <32>.
<34> The content of component G is preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1.3% by mass or less, and even more preferably 1.0% by mass or less, and any one of <1> to <33> A cleaning composition for flux as described in 1.
<35> The flux cleaning composition according to any one of <1> to <34>, wherein the pH is 8 or more and 14 or less.
<36> A flux residue cleaning method comprising a step of cleaning an object having a flux residue with the cleaning composition according to any one of <1> to <35>.
<37> The method for cleaning a flux residue according to <36>, wherein the object to be cleaned is a manufacturing intermediate of a soldered electronic component.
<38> A step of mounting at least one component selected from a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux, and a solder bump for connecting the parts and the like <36> or <37>, wherein at least one step selected from steps formed on a substrate and at least one step selected from a circuit board on which the component is mounted and a circuit board on which the solder bumps are formed are described The manufacturing method of an electronic component including the process wash | cleaned with the washing | cleaning method of the flux residue of.
<39> Use of the cleaning composition according to any one of <1> to <35> for manufacturing an electronic component.
<40> A kit in which at least one of the components A to F constituting the cleaning composition according to any one of <1> to <35> is stored in a state where it is not mixed with other components.
以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present disclosure will be specifically described by way of examples. However, the present disclosure is not limited to the examples.
1.洗浄剤組成物の調製(実施例1〜4、比較例1〜13)
100mLガラスビーカーに、下記表1に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例1〜4及び比較例1〜13の洗浄剤組成物を調製した。表1中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量(質量%)を示す。
・液温度:25℃
・攪拌機:マグネチックスターラー(50mm回転子)
・回転数:300rpm
・攪拌時間:10分
1. Preparation of cleaning composition (Examples 1-4, Comparative Examples 1-13)
The cleaning composition of Examples 1-4 and Comparative Examples 1-13 was prepared by mix | blending each component so that it might become a composition of following Table 1 in a 100 mL glass beaker, and mixing on the following conditions. The numerical value of each component in Table 1 indicates the content (% by mass) in the prepared cleaning composition unless otherwise specified.
・ Liquid temperature: 25 ℃
・ Stirrer: Magnetic stirrer (50mm rotor)
・ Rotation speed: 300rpm
・ Stirring time: 10 minutes
洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
・N−メチルエタノールアミン(成分A)(日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール MMA)
・トリエタノールアミン(非成分A)(株式会社日本触媒製)
・ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分B)(日本乳化剤株式会社製、ブチルジグリコール)
・ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分B)(日本乳化剤株式会社製、ヘキシルジグリコール)
・エチレングリコールモノイソプロピルエーテル(非成分B)(日本乳化剤株式会社製、イソプロピルグリコール)
・ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル(非成分B)(日本乳化剤株式会社製、イソプロピルジグリコール)
・ポリオキシエチレン2−エチルヘキシルエーテル(成分C)(青木油脂工業株式会社製、ブラウノン EH−6、エチレンオキサイド平均付加モル数6)
・ベンジルアルコール(成分E)(ランクセス株式会社製)
・1−ドデセン(成分G)(出光興産株式会社製、リニアレン12)
・水(成分F)(オルガノ株式会社製純水装置G−10DSTSETで製造した1μS/cm以下の純水)
・2−エチルヘキシルグリセリルエーテル(成分D)(下記製造方法にて製造)
2−エチルヘキサノール130g及び三フッ化ホウ素エーテル錯体2.84gを、撹拌しながら0℃まで冷却する。温度を0℃に保ちながら、エピクロロヒドリン138.8gを1時間で滴下する。滴下終了後、減圧下(13〜26Pa)、100℃で余剰のアルコールを留去する。この反応混合物を50℃まで冷却し、50℃を保ちながら48%水酸化ナトリウム水溶液125gを1時間で滴下し、3時間撹拌した後、200mLの水を加え、分層させる。水層を除いた後、更に100mLの水で2回洗浄して、208gの粗2−エチルヘキシルグリシジルエーテルを得る。この粗2−エチルヘキシルグリシジルエーテル208g、水104.8g、ラウリン酸5.82g及び水酸化カリウム18.5gをオートクレーブに入れ、140℃で5時間撹拌する。減圧下(6.67kPa)、100℃で脱水後、ラウリン酸9.7g及び水酸化カリウム2.72gを加え、160℃で15時間反応し、その後減圧蒸留(53〜67Pa,120〜123℃)により精製し、110.2gの2−エチルヘキシルグリセリルエーテルを得る。
The following are used as components of the cleaning composition.
N-methylethanolamine (component A) (Nippon Emulsifier Co., Ltd., amino alcohol MMA)
・ Triethanolamine (non-component A) (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.)
・ Diethylene glycol monobutyl ether (component B) (Nippon Emulsifier Co., Ltd., butyl diglycol)
・ Diethylene glycol monohexyl ether (component B) (Nippon Emulsifier Co., Ltd., hexyl diglycol)
・ Ethylene glycol monoisopropyl ether (non-component B) (Nippon Emulsifier Co., Ltd., isopropyl glycol)
・ Diethylene glycol monoisopropyl ether (non-component B) (Nippon Emulsifier Co., Ltd., isopropyl diglycol)
Polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether (component C) (Aoki Yushi Kogyo Co., Ltd., BROWNON EH-6, ethylene oxide average added mole number 6)
・ Benzyl alcohol (component E) (manufactured by LANXESS)
1-dodecene (component G) (Idemitsu Kosan Co., Ltd., Linearlene 12)
Water (component F) (pure water of 1 μS / cm or less produced with a pure water apparatus G-10DSTSET manufactured by Organo Corporation)
2-ethylhexyl glyceryl ether (component D) (produced by the following production method)
Cool 130 g of 2-ethylhexanol and 2.84 g of boron trifluoride ether complex to 0 ° C. with stirring. While maintaining the temperature at 0 ° C., 138.8 g of epichlorohydrin is added dropwise over 1 hour. After completion of dropping, excess alcohol is distilled off at 100 ° C. under reduced pressure (13 to 26 Pa). The reaction mixture is cooled to 50 ° C., and while maintaining the temperature at 50 ° C., 125 g of 48% aqueous sodium hydroxide is added dropwise over 1 hour and stirred for 3 hours. Then, 200 mL of water is added and the layers are separated. After removing the aqueous layer, it is further washed twice with 100 mL of water to obtain 208 g of crude 2-ethylhexyl glycidyl ether. 208 g of this crude 2-ethylhexyl glycidyl ether, 104.8 g of water, 5.82 g of lauric acid and 18.5 g of potassium hydroxide are placed in an autoclave and stirred at 140 ° C. for 5 hours. After dehydration at 100 ° C. under reduced pressure (6.67 kPa), 9.7 g of lauric acid and 2.72 g of potassium hydroxide were added, reacted at 160 ° C. for 15 hours, and then distilled under reduced pressure (53 to 67 Pa, 120 to 123 ° C.). To obtain 110.2 g of 2-ethylhexyl glyceryl ether.
2.洗浄剤組成物の評価
調製した実施例1〜4及び比較例1〜13の洗浄剤組成物を用いて洗浄性、安定性、すすぎ性、及び半田金属への影響について試験を行い、評価した。
2. Evaluation of Cleaning Composition Using the cleaning compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 13 prepared, tests were performed and evaluated for cleaning properties, stability, rinsing properties, and effects on solder metal.
[洗浄性試験]
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
[Detergency test]
A detergency test was performed to clean the test substrate under the following conditions.
<テスト基板>
銅配線プリント基板(10mm×15mm)上に、スクリーン版を用いて下記フラックスを塗布する。その後、マイクロボール(千住金属工業株式会社製:M705φ0.3mm)を10個搭載し、窒素雰囲気下250℃でリフローすることでテスト基板を作製する。
[フラックスの組成]
酸変性超淡色ロジン(荒川化学株式会社製、パインクリスタル KE−604)25質量%、完全水添ロジン(イーストマンケミカル社製、Foral AX−E)10質量%、ターピネオール(日本テルペン化学株式会社製、ターピネオールC)10質量%、ヘキシルジグリコール(日本乳化剤株式会社製)30質量%、ジブロモブテンジオール(東京化成工業株式会社製、trans−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール)2.5質量%、ダイマー酸(Arizona Chemical社製、UNIDYME14)10質量%、グルタル酸(東京化成工業株式会社製)2.5質量%、硬化ヒマシ油(豊国製油株式会社製)4質量%、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド(日本化成株式会社製、スリパックスZHH)2質量%、パルミチン酸デキストリン(千葉製粉株式会社製、レオパールTL2)2質量%、ヒンダードフェノール系酸化防止剤(BASF社製、イルガノックス245)2質量%
[フラックスの製造方法]
溶剤のターピネオールとヘキシルジグリコールとを混合した後、残りの他の成分を添加して溶解することにより、前記組成のフラックスを得た。
<Test board>
The following flux is applied onto a copper wiring printed board (10 mm × 15 mm) using a screen plate. Thereafter, 10 microballs (Made by Senju Metal Industry Co., Ltd .: M705φ0.3 mm) are mounted, and a test substrate is prepared by reflowing at 250 ° C. in a nitrogen atmosphere.
[Flux composition]
Acid-modified ultra-light rosin (Arakawa Chemical Co., Ltd., Pine Crystal KE-604) 25% by mass, fully hydrogenated rosin (Eastman Chemical Co., Foral AX-E) 10% by mass, terpineol (Nippon Terpene Chemical Co., Ltd.) , Terpineol C) 10% by mass, hexyl diglycol (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) 30% by mass, dibromobutenediol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol ) 2.5% by mass, dimer acid (manufactured by Arizona Chemical, UNIDYME14) 10% by mass, glutaric acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 2.5% by mass, hydrogenated castor oil (manufactured by Toyokuni Oil Co., Ltd.) 4% by mass , Hexamethylene hydroxystearic acid amide (Nippon Kasei Co., Ltd., Sripacks ZHH 2 wt%, dextrin palmitate (Chiba Flour Milling Co., Rheopearl TL2) 2 wt%, hindered phenol-based antioxidant (BASF Corp., IRGANOX 245) 2 wt%
[Flux production method]
After mixing the solvent terpineol and hexyl diglycol, the remaining other components were added and dissolved to obtain a flux having the above composition.
<洗浄方法>
洗浄は、以下の手順にて行った。まず、洗浄槽、第1リンス槽、第2リンス槽を以下の条件で準備する。洗浄槽は、50mm回転子を一つ入れた50mLガラスビーカーに各洗浄剤組成物を50g添加し、温浴に入れて、回転数100rpmにて攪拌しながら60℃に加温することにより得た。第1リンス槽及び第2リンス槽は、50mm回転子を一つ入れた100mLガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水100gを添加し、温浴に入れて、回転数100rpmで攪拌しながら40℃に加温することにより得た。
次に、テスト基板をピンセットで保持して、前記洗浄槽へ挿入し、回転数100rpmで撹拌しながら3分間浸漬する。次に、テスト基板をピンセットで保持して第1リンス槽に挿入し、回転数100rpmで攪拌しながら3分間浸漬する。さらに、テスト基板をピンセットで保持して第2リンス槽に挿入し、回転数100rpmで攪拌しながら3分間浸漬する。最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。
<Washing method>
Washing was performed according to the following procedure. First, a cleaning tank, a first rinse tank, and a second rinse tank are prepared under the following conditions. The washing tank was obtained by adding 50 g of each cleaning composition to a 50 mL glass beaker containing one 50 mm rotator, putting it in a warm bath, and heating to 60 ° C. while stirring at a rotation speed of 100 rpm. The first rinsing tank and the second rinsing tank are prepared by preparing two 100 mL glass beakers each containing one 50 mm rotor, adding 100 g of pure water to each, putting them in a warm bath, and stirring them at a rotation speed of 100 rpm. Obtained by warming to ° C.
Next, the test substrate is held with tweezers, inserted into the cleaning tank, and immersed for 3 minutes while stirring at a rotation speed of 100 rpm. Next, the test substrate is held with tweezers, inserted into the first rinse tank, and immersed for 3 minutes while stirring at a rotation speed of 100 rpm. Further, the test substrate is held with tweezers, inserted into the second rinse tank, and immersed for 3 minutes while stirring at a rotation speed of 100 rpm. Finally, the test substrate is purged with nitrogen and dried.
<洗浄性の評価>
洗浄後、テスト基板を光学顕微鏡VHX-2000(株式会社キーエンス製)で観察し、半田バンプ周辺に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、下記の判定基準で洗浄性を評価する。その結果を下記表1に示す。
[評価基準]
A:洗浄残りが0個
B:洗浄残りが1個
C:洗浄残りが2個以上
<Evaluation of detergency>
After cleaning, the test substrate is observed with an optical microscope VHX-2000 (manufactured by Keyence Co., Ltd.), the presence or absence of a flux residue remaining around the solder bump is visually confirmed, and the cleaning property is evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1 below.
[Evaluation criteria]
A: No cleaning residue B: One cleaning residue C: Two or more cleaning residues
<安定性の評価>
洗浄剤組成物を調製後、温度25℃にて5分間静置した後の液の状態(相分離状態)を目視観察し、下記の評価基準で安定性を評価する。その結果を表1に示す。
[評価基準]
○:透明
△:白濁
×:分離
<Evaluation of stability>
After preparing the cleaning composition, the state of the liquid (phase separation state) after standing for 5 minutes at a temperature of 25 ° C. is visually observed, and the stability is evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.
[Evaluation criteria]
○: Transparent △: Cloudiness ×: Separation
<すすぎ性の評価>
すすぎ性の評価は、下記の手順で行った。評価の結果を表1に示す。
(1)すすぎ性の評価に用いる洗浄槽及びテスト基板を、上記洗浄性の評価に用いた洗浄槽及びテスト基板と同様にして準備し、洗浄槽にテスト基板(以下、基板という)を10分間浸漬する。
(2)その後、20秒かけて前記基板をゆっくり引き上げ、500mLガラスビーカーに純水500gを入れ40℃に加温した第1リンス槽に無攪拌で2分間浸漬する。
(3)前記第1リンス槽から20秒かけて前記基板をゆっくり引き上げ、500mLガラスビーカーに純水500gを入れ40℃に加温した第2リンス槽に無攪拌で2分間浸漬する。
(4)前記第2リンス槽から20秒かけて前記基板をゆっくり引き上げ、500mLガラスビーカーに純水500gを入れ40℃に加温した抽出槽に浸漬し、超音波(38kHz、400W)で10分間基板を処理し、基板表面に付着した洗浄剤組成物の成分を抽出する。
(5)次に前記第1及び第2リンス槽中の水、並びに前記抽出槽中の抽出水の有機物濃度を全有機炭素計(TOC)により測定し、下記式にしたがって、第1リンス槽における油分除去率を算出する。
第1リンス槽における油分除去率(%)
=(第1リンス槽中の有機物重量)÷(第1リンス槽中の有機物重量
+第2リンス槽中の有機物重量+抽出槽中の有機物重量)×100
<Rinse evaluation>
The rinsing property was evaluated according to the following procedure. The evaluation results are shown in Table 1.
(1) A cleaning tank and a test substrate used for rinsing evaluation are prepared in the same manner as the cleaning tank and test substrate used for the above-described cleaning property evaluation, and a test substrate (hereinafter referred to as a substrate) is placed in the cleaning tank for 10 minutes. Immerse.
(2) Thereafter, the substrate is slowly pulled up over 20 seconds, and 500 g of pure water is put into a 500 mL glass beaker and immersed in a first rinse tank heated to 40 ° C. for 2 minutes without stirring.
(3) The substrate is slowly pulled up from the first rinsing tank over 20 seconds, and 500 g of pure water is put into a 500 mL glass beaker and immersed in a second rinsing tank heated to 40 ° C. for 2 minutes without stirring.
(4) The substrate is slowly pulled up from the second rinsing tank over 20 seconds, 500 g of pure water is put into a 500 mL glass beaker and immersed in an extraction tank heated to 40 ° C., and ultrasonically (38 kHz, 400 W) for 10 minutes. The substrate is processed, and the components of the cleaning composition adhering to the substrate surface are extracted.
(5) Next, the organic matter concentration of the water in the first and second rinsing tanks and the extracted water in the extraction tank is measured by a total organic carbon meter (TOC), and in the first rinsing tank, according to the following formula: Calculate the oil removal rate.
Oil removal rate in the first rinse tank (%)
= (Weight of organic substance in first rinsing tank) / (Weight of organic substance in first rinsing tank + Weight of organic substance in second rinsing tank + Weight of organic substance in extraction tank) × 100
<半田金属への影響評価>
洗浄性の評価を行った後のテスト基板上の半田金属を光学顕微鏡VHX-2000(株式会社キーエンス製)及び卓上顕微鏡 Miniscope TM3030 (株式会社日立ハイテクノロジーズ製)を用いて目視観察し、下記の評価基準で半田金属への影響を評価する。その評価結果を表1に示す。
[評価基準]
×:腐食等による半田金属への影響あり
○:半田金属への影響なし
<Evaluation of effects on solder metal>
The solder metal on the test substrate after the evaluation of the detergency was visually observed using an optical microscope VHX-2000 (manufactured by Keyence Corporation) and a desktop microscope, Miniscope TM3030 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the following evaluation was performed. Evaluate the effect on solder metal based on standards. The evaluation results are shown in Table 1.
[Evaluation criteria]
×: Influence on the solder metal due to corrosion etc. ○: No influence on the solder metal
上記表1に示すとおり、実施例1〜4の洗浄剤組成物は、成分A〜Eの少なくとも1つを含まない比較例1〜3、6〜13に比べて、洗浄性、安定性及びすすぎ性に優れ、かつ、半田金属への影響が抑制されていた。さらに、実施例1〜4の洗浄剤組成物は、成分E/(成分C+成分D)が0.18〜0.45ではない比較例4〜5の洗浄剤組成物に比べて、洗浄性、安定性及びすすぎ性に優れていた。 As shown in Table 1 above, the cleaning compositions of Examples 1 to 4 are more cleanable, stable and rinsed than Comparative Examples 1 to 3 and 6 to 13 which do not contain at least one of components A to E. And the influence on the solder metal was suppressed. Furthermore, the cleaning compositions of Examples 1 to 4 are more cleanable than the cleaning compositions of Comparative Examples 4 to 5 where Component E / (Component C + Component D) is not 0.18 to 0.45. It was excellent in stability and rinsing properties.
本開示を用いることにより、フラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。 By using this disclosure, flux residue can be cleaned well. For example, it is possible to shorten the flux residue cleaning process in the electronic component manufacturing process and improve the performance and reliability of the manufactured electronic component. The productivity of semiconductor devices can be improved.
Claims (6)
成分Eの質量と成分C及び成分Dの合計の質量との比(成分E/(成分C+成分D))が、0.18以上0.45以下である、フラックス用洗浄剤組成物。
R4-O-(CH2CH2O)n-H (II)
上記式(II)において、R4は炭素数4以上7以下の炭化水素基を示し、nは付加モル数であって1以上5以下の整数である。
R5-O-(CH2CH2O)m-H (III)
上記式(III)において、R5は炭素数8以上12以下の炭化水素基を示し、mは平均付加モル数であって4以上8以下の数である。
R6OCH2−CH(OH)-CH2OH (IV)
上記式(IV)において、R6は炭素数6以上11以下の炭化水素基を示す。 A compound represented by the following formula (I) (component A), a compound represented by the following formula (II) (component B), a compound represented by the following formula (III) (component C), and the following formula (IV) A compound represented by the formula (component D), an aromatic alcohol (component E), and water (component F),
A cleaning composition for flux, wherein the ratio of the mass of component E to the total mass of component C and component D (component E / (component C + component D)) is 0.18 to 0.45.
R 4 —O— (CH 2 CH 2 O) n —H (II)
In the above formula (II), R 4 represents a hydrocarbon group having 4 to 7 carbon atoms, and n is an added mole number and an integer of 1 to 5 inclusive.
R 5 —O— (CH 2 CH 2 O) m —H (III)
In the above formula (III), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 or more and 12 or less carbon atoms, and m is an average added mole number, which is 4 or more and 8 or less.
R 6 OCH 2 —CH (OH) —CH 2 OH (IV)
In the above formula (IV), R 6 represents a hydrocarbon group having 6 to 11 carbon atoms.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015252185A JP6598671B2 (en) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Cleaning composition for flux |
| MYPI2018001063A MY184875A (en) | 2015-12-24 | 2016-12-08 | Cleaning composition for removing flux |
| KR1020187018720A KR20180096659A (en) | 2015-12-24 | 2016-12-08 | Flux cleaning composition |
| CN201680075671.1A CN108431194B (en) | 2015-12-24 | 2016-12-08 | Cleaning agent composition for soldering flux |
| PCT/JP2016/086515 WO2017110493A1 (en) | 2015-12-24 | 2016-12-08 | Flux cleaning agent composition |
| TW105142397A TWI696693B (en) | 2015-12-24 | 2016-12-21 | Detergent composition for flux |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015252185A JP6598671B2 (en) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Cleaning composition for flux |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017115033A JP2017115033A (en) | 2017-06-29 |
| JP6598671B2 true JP6598671B2 (en) | 2019-10-30 |
Family
ID=59090103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015252185A Active JP6598671B2 (en) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | Cleaning composition for flux |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6598671B2 (en) |
| KR (1) | KR20180096659A (en) |
| CN (1) | CN108431194B (en) |
| MY (1) | MY184875A (en) |
| TW (1) | TWI696693B (en) |
| WO (1) | WO2017110493A1 (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109365383A (en) * | 2018-10-31 | 2019-02-22 | 无锡日月合金材料有限公司 | A kind of cleaning method of silver-based solder |
| CN113165027B (en) * | 2018-12-05 | 2023-07-07 | 花王株式会社 | Flux Residue Cleaning |
| WO2020116524A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 花王株式会社 | Detergent composition for removing flux residues |
| CN110724605B (en) * | 2019-10-08 | 2021-03-05 | 苏州柯仕达电子材料有限公司 | Environment-friendly water-based cleaning agent and preparation method thereof |
| KR20230061403A (en) * | 2020-09-04 | 2023-05-08 | 카오카부시키가이샤 | Detergent composition for flux |
| JPWO2023017749A1 (en) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | ||
| WO2024075678A1 (en) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | 株式会社Adeka | Method for producing bio-derived branched alkyl glyceryl ether, and bio-derived branched alkyl glyceryl ether produced by said method |
| JP2024060151A (en) * | 2022-10-19 | 2024-05-02 | 化研テック株式会社 | Detergent composition and concentrate solution for detergent composition |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434000A (en) | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Hitachi Ltd | Flux cleanser and method for cleansing soldered electronic part with the same |
| JPH05125395A (en) * | 1991-11-05 | 1993-05-21 | Metsuku Kk | Cleaner composition |
| JP3229711B2 (en) | 1993-06-08 | 2001-11-19 | 花王株式会社 | Detergent composition |
| JP2949425B2 (en) | 1996-10-11 | 1999-09-13 | 花王株式会社 | Detergent composition |
| JP2000008080A (en) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Industrial cleaning composition and cleaning method using the same |
| JP4286021B2 (en) * | 2002-04-05 | 2009-06-24 | 花王株式会社 | Detergent composition for precision parts |
| JP4495084B2 (en) * | 2003-08-27 | 2010-06-30 | 化研テック株式会社 | Cleaning agent for removing solder flux and solder flux cleaning method |
| JP5152816B2 (en) * | 2006-02-24 | 2013-02-27 | 化研テック株式会社 | Cleaning method |
| JP5466836B2 (en) * | 2008-06-13 | 2014-04-09 | 花王株式会社 | Cleaning composition for flux |
| JP5336173B2 (en) * | 2008-12-26 | 2013-11-06 | 花王株式会社 | Cleaning composition for hard surface |
| WO2012005068A1 (en) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 化研テック株式会社 | Liquid concentrate for cleaning composition, cleaning composition and cleaning method |
| CA2807599A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Kyzen Corporation | Cleaning agent for removal of soldering flux |
| JP6226144B2 (en) * | 2014-02-27 | 2017-11-08 | 荒川化学工業株式会社 | Detergent composition stock solution, detergent composition and cleaning method |
-
2015
- 2015-12-24 JP JP2015252185A patent/JP6598671B2/en active Active
-
2016
- 2016-12-08 WO PCT/JP2016/086515 patent/WO2017110493A1/en not_active Ceased
- 2016-12-08 KR KR1020187018720A patent/KR20180096659A/en not_active Abandoned
- 2016-12-08 MY MYPI2018001063A patent/MY184875A/en unknown
- 2016-12-08 CN CN201680075671.1A patent/CN108431194B/en active Active
- 2016-12-21 TW TW105142397A patent/TWI696693B/en active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017115033A (en) | 2017-06-29 |
| TWI696693B (en) | 2020-06-21 |
| MY184875A (en) | 2021-04-28 |
| WO2017110493A1 (en) | 2017-06-29 |
| CN108431194A (en) | 2018-08-21 |
| CN108431194B (en) | 2021-02-02 |
| KR20180096659A (en) | 2018-08-29 |
| TW201732029A (en) | 2017-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180906 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190926 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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