[go: up one dir, main page]

KR20160117449A - Method for manufacturing film formation mask and film formation mask - Google Patents

Method for manufacturing film formation mask and film formation mask Download PDF

Info

Publication number
KR20160117449A
KR20160117449A KR1020167020500A KR20167020500A KR20160117449A KR 20160117449 A KR20160117449 A KR 20160117449A KR 1020167020500 A KR1020167020500 A KR 1020167020500A KR 20167020500 A KR20167020500 A KR 20167020500A KR 20160117449 A KR20160117449 A KR 20160117449A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal material
magnetic metal
material layer
gap
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020167020500A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102252441B1 (en
Inventor
미치노부 미즈무라
Original Assignee
브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 filed Critical 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
Publication of KR20160117449A publication Critical patent/KR20160117449A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102252441B1 publication Critical patent/KR102252441B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382Removing material by boring or cutting by boring
    • H01L51/0011
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴(4)을 형성한 수지제의 필름층(1)과, 상기 개구 패턴(4)이 내재할 수 있는 크기의 틈(7)을 형성한 자성 금속 재료층(2)을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 개구 패턴(4)은 상기 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분에 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 상기 필름층(2)를 관통시켜 형성되는 것이다. The present invention relates to a magnetic recording medium comprising a resin film layer (1) having an opening pattern (4) of a predetermined shape and a magnetic metal material layer (4) having a gap (7) (2), wherein the opening pattern (4) is formed by irradiating a portion of the film layer (1) corresponding to the gap (7) with laser light from both sides of the film Layer 2, as shown in Fig.

Description

성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크{METHOD FOR MANUFACTURING FILM FORMATION MASK AND FILM FORMATION MASK}METHOD FOR MANUFACTURING MOLDING MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING MOLDING MOLD BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과 자성 금속 재료층을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 레이저 가공에 의해 개구 패턴을 형성할 때에, 개구 패턴의 가장자리부에 바리케이드가 발생하는 것을 억제할 수 있는 성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a film deposition mask having a structure in which a resin film layer and a magnetic metal material layer are laminated with an opening pattern formed thereon. In particular, when forming an opening pattern by laser processing, The present invention relates to a method of manufacturing a film formation mask and a film formation mask capable of suppressing occurrence of barricade.

종래의 이러한 종류의 마스크의 제조 방법은 패턴화된 마스크를 사용하여 수지제의 필름, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저의 약 248nm의 단파장의 광의 빔을 조사하고, 상기 수지제 필름을 어브레이션하여 개구 패턴을 형성하는 것으로 되어 있었다 (예컨대, 특허 문헌 1 참조).In the conventional method of manufacturing a mask of this kind, a patterned mask is used to irradiate a resin film, for example, a KrF excimer laser beam having a short wavelength of about 248 nm, and the resin film is ablated, (See, for example, Patent Document 1).

선행 기술 문헌Prior art literature

특허 문헌Patent literature

특허 문헌 1 : 일본공표특허공보 특표2005-517810호Patent Document 1: Japanese Patent Laid-open Publication No. 2005-517810

그러나, 이와 같은 종래의 마스크의 제조 방법에 있어서는, 일반적으로 수지제 필름의 한쪽의 면측에 레이저 광을 조사하여 개구 패턴을 형성하기 위하여, 개구 패턴의 레이저 광의 조사측과는 반대측의 개구 가장자리부에 잘리지 않고 남은 부분 (이하 "바리케이드"라고 한다)이 발생한다는 문제가 있다.However, in such a conventional method of manufacturing a mask, generally, in order to form an opening pattern by irradiating laser light to one side of the resin film, the opening edge portion of the opening pattern on the opposite side of the irradiation side of the laser light There is a problem that a portion left uncut (hereinafter referred to as "barricade") occurs.

이러한 바리케이드는 성막의 그늘을 형성하여 성막되는 박막 패턴의 가장자리부의 형상 흐트러짐을 발생시키거나, 성막 마스크와 피성막 기판의 사이에 틈이 생기게 하여 성막 재료가 마스크의 아래쪽에 들어가기 쉽게 하여, 박막 패턴의 가장자리부를 흐릿하게 하는 등의 문제의 발생 원인이 될 염려가 있다.Such a barricade forms a shadow of a film to cause the shape of the edge of the thin film to be formed to be disturbed or to cause a gap between the film forming mask and the substrate to be filmed to make it easier for the film forming material to enter the lower side of the mask, It may cause a problem such as blurring of the edge portion and the like.

이에, 본 발명은 이러한 문제점에 대처하여, 레이저 가공에 의하여 개구 패턴을 형성할 때에 개구 패턴의 가장자리부에 바리케이드가 발생하는 것을 억제할 수 있는 성막 마스크의 제조 방법 및 성막 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a film-forming mask manufacturing method and a film-forming mask capable of suppressing the occurrence of barricade in the edge portion of the opening pattern in forming an opening pattern by laser machining in response to such a problem do.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법은 미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과, 상기 개구 패턴이 내재할 수 있는 크기의 틈을 형성한 자성 금속 재료층을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법으로서, 상기 개구 패턴은 상기 틈에 대응한 필름층의 부분에 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 상기 필름층을 관통시켜 형성되는 것이다.In order to attain the above object, a method of manufacturing a deposition mask according to the present invention is a method of manufacturing a film deposition mask, comprising: a resin film layer having a predetermined opening pattern formed thereon; Wherein the opening pattern is formed by irradiating a portion of the film layer corresponding to the gap with laser light from both sides and passing through the film layer.

본 발명에 의하면, 필름층의 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 개구 패턴을 형성하도록 하고 있기 때문에, 필름층의 자성 금속 재료층과는 반대측(피성막 기판과의 밀착면측)의 개구 패턴의 가장자리부에 바리케이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 개구 패턴의 상기 바리케이드가 성막의 그늘이 되는 것을 방지할 수 있는 동시에, 바리케이드의 존재에 의해 필름층과 피성막 기판 사이에 틈이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이에 의하면, 형상 및 위치 정밀도를 포함하는 박막 패턴의 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since the opening pattern is formed by irradiating laser light from both sides of the film layer, the edge of the opening pattern on the side opposite to the magnetic metal material layer of the film layer It is possible to suppress the occurrence of a barricade in the part. Therefore, it is possible to prevent the barricade of the opening pattern from becoming a shadow of the film formation, and to prevent a gap from being formed between the film layer and the film formation substrate due to the presence of the barricade. According to this, the formation accuracy of the thin film pattern including shape and positional accuracy can be improved.

[도 1] 본 발명에 따른 성막 마스크의 하나의 실시예를 나타내는 도면이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 O-O선 단면 화살 방향에서 본 도면이고, (c)는 (a)의 P-P선 단면 화살표 방향에서 본 도면이며, (d)는 (c)의 일부 확대 단면도이다.
[도 2] 본 발명에 따른 성막 마스크의 자성 금속 재료층의 변형예를 나타내는 평면도이다.
[도 3] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성예를 설명하는 도면으로, 제1의 오목부의 형성 공정을 나타내는 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 제1의 오목부의 확대 단면도이다.
[도 4] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성예를 설명하는 도면으로, 제2의 오목부의 형성 공정을 나타낸 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 제2의 오목부의 확대 단면도이다.
[도 5] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면으로, 관통공의 형성 공정을 나타내는 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 관통공의 확대 단면도이다.
[도 6] 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면으로 오목부의 형성 공정을 나타낸 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 오목부의 확대 단면도이다.
(A) is a plan view, (b) is a view seen from an arrow direction of an OO line section of (a), and (c) is a view showing a (D) is a partially enlarged cross-sectional view of (c). Fig.
2 is a plan view showing a modification of the magnetic metal material layer of the deposition mask according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a step of forming a first concave portion, FIG. 3 (a) showing the start of laser machining, and FIG. 3 (b) (C) is an enlarged cross-sectional view of the first concave portion.
4A and 4B are diagrams for explaining an example of forming an opening pattern in a method of manufacturing a deposition mask according to the present invention and showing a step of forming a second concave portion, (C) is an enlarged cross-sectional view of the second concave portion.
5 is a cross-sectional view showing a process for forming a through-hole, in which (a) shows the start of laser machining, and (b) (C) is an enlarged cross-sectional view of the through hole.
6 is a cross-sectional view showing a process of forming a concave portion in a modification of the formation of the opening pattern by the manufacturing method of the film forming mask according to the present invention, wherein (a) (C) is an enlarged cross-sectional view of the concave portion.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 성막 마스크의 하나의 실시예를 나타내는 도면이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 O-O선 단면 화살표 방향에서 바라본 도면, (c)는 (a)의 P-P선 단면 화살표 방향에서 바라본 도면, (d)는 (c)의 일부 확대 단면도이다. 이 성막 마스크는 피성막 기판 위에 미리 정해진 형상의 복수의 박막 패턴을 형성하기 위한 것으로, 필름층(1)과 자성 금속 재료층(2), 프레임(3)를 구비하여 구성되어 있다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. (A) is a plan view, (b) is a view seen from an arrow direction of the OO line section of (a), and FIG. 1 (c) is a cross- (D) is a partially enlarged cross-sectional view of (c). Fig. This film-forming mask is for forming a plurality of thin film patterns of a predetermined shape on a substrate to be film-formed, and comprises a film layer 1, a magnetic metal material layer 2, and a frame 3.

상기 필름층(1)은 피성막 기판 위에 박막 패턴을 성막하기 위한 메인 마스크가 되는 것으로, 예를 들면 두께가 5㎛ 내지 30㎛ 정도인, 예컨대 폴리이미드 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 가시광을 투과하는 수지제의 필름에, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 미리 정해진 형상의 개구 패턴(4)을 구비한 것이다. 좋기로는 선 팽창 계수가 피성막 기판(이하, 단지 "기판"이라 한다)으로서의 유리의 선 팽창 계수에 근사한 3×10-6 내지 5×10-6/℃ 정도의 폴리이미드가 바람직하다.The film layer 1 serves as a main mask for forming a thin film pattern on a substrate to be formed. For example, the film layer 1 may be formed of a material such as polyimide and polyethylene terephthalate (PET) As shown in Fig. 1 (a), the permeable resin film is provided with an opening pattern 4 having a predetermined shape. Preferably a is preferably the linear expansion coefficient of the blood film forming substrate (hereinafter referred to as just a "substrate" it referred to), cool to about 3 × 10 -6 5 × 10 polyimide of about -6 / ℃ the linear expansion coefficient of the glass as.

상세하게는, 상기 개구 패턴(4)은, 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 상기 박막 패턴과 동일한 형상을 가지며, 박막 패턴에 대응하여 가로세로 매트릭스 형상으로 배치하여, 도 1(d)에 도시하는 바와 같이 필름층(1)의 한 면(1a)에 형성된, 예를 들면 4㎛ 내지 5㎛ 정도 깊이의 제1의 오목부(5)와, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 제1의 오목부(5)에 도달하는 깊이로 형성된 제2의 오목부(6)로 이루어진다. 이 경우, 좋기로는 제2의 오목부(6)의 개구 면적은 제1 오목부(5)의 개구 면적보다 넓은 것이 좋다. 또한, 제1 오목부(5)는, 후술하는 바와 같이, 필름층(1)을 관통하는 관통공(13)(도 5 참조) 이어도 좋다. 1 (a), the opening pattern 4 has the same shape as that of the thin film pattern and is arranged in the form of a matrix having a width and a length corresponding to the thin film pattern. As shown in FIG. 1 (d) A first concave portion 5 formed on one surface 1a of the film layer 1 and having a depth of about 4 탆 to 5 탆 and a second concave portion 5 formed on the other surface 1b of the film layer 1 And a second concave portion 6 formed at a depth reaching the first concave portion 5 at a predetermined depth. In this case, it is preferable that the opening area of the second concave portion 6 is larger than the opening area of the first concave portion 5. The first concave portion 5 may be a through hole 13 (see Fig. 5) that passes through the film layer 1 as will be described later.

상기 필름층(1)의 다른 면(1b)측에 자성 금속 재료층(2)이 적층하여 형성되어있다. 이 자성 금속 재료층(2)은 개구 패턴(4)이 내재할 수 있는 크기의 틈(7)을 형성한, 예를 들면 두께가 10㎛ 내지 50㎛ 정도인, 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등의 자성 금속 재료로 이루어지는 것으로, 성막시에 기판의 뒷면에 배치된 자석에 의해 흡인되어 상기 필름층(1) 기판의 성막면에 밀착시키기 위한 기능을 수행하는 것이다.And a magnetic metal material layer 2 is laminated on the other surface 1b side of the film layer 1. The magnetic metal material layer 2 is made of a material such as nickel, a nickel alloy, a nickel alloy, or the like, which has a gap 7 of a size capable of including the opening pattern 4, And is made of a magnetic metal material such as an invar or an invar alloy and is attracted by a magnet disposed on the back surface of the substrate at the time of film formation to perform a function of bringing the film attracted to the film formation surface of the film layer 1 substrate.

이 경우, 상기 틈(7)은 도 1(a) 내지 1(c)에 도시한 바와 같이, 자성 금속 재료층(2)를 관통하여 형성된 슬릿이다. 또한, 도 2에 도시하는 바와 같이 자성 금속 재료층(2)의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴(8)으로, 인접하는 상기 섬 패턴(8) 사이의 부분일 수 있다. 자성 금속 재료층(2)이, 도 2에 도시하는 바와 같은 섬 패턴(8)을 포함하는 구성인 경우에는, 자성 금속 재료층(2)와 필름층(1)과의 사이의 선팽창 계수의 차이에 기인하여 필름층(1)에 발생하는 내부 응력이 작아지고, 적층 후에 레이저 가공하여 형성되는 개구 패턴(4)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 따라서, 자성 금속 재료의 선택 범위가 넓어지는 효과가 있다. 또한, 상기 섬 패턴(8)은 그 장축 방향으로 길이가 짧은 복수 단위의 섬 패턴으로 분할되어도 좋다. 이렇게 하면, 필름층(1)에 발생하는 내부 응력을 더 작게 할 수 있다. 도 2에 있어서, 부호 9는 상기 복수의 섬 패턴(8)을 내포하는 크기의 개구를 가지고, 필름층(1)의 주변부에 적층된 자성 금속 재료층(2)의 일부를 이루는 틀 모양의 패턴이다.In this case, the gap 7 is a slit formed through the magnetic metal material layer 2 as shown in Figs. 1 (a) to 1 (c). As shown in Fig. 2, a plurality of elongated island patterns 8 constituting a part of the magnetic metal material layer 2 may be a portion between the island patterns 8 adjacent to each other. In the case where the magnetic metal material layer 2 includes the island pattern 8 as shown in Fig. 2, the difference in linear expansion coefficient between the magnetic metal material layer 2 and the film layer 1 , The internal stress generated in the film layer 1 is reduced and the positional deviation of the opening pattern 4 formed by laser processing after lamination can be suppressed. Therefore, there is an effect that the selection range of the magnetic metal material is widened. The island pattern 8 may be divided into a plurality of island patterns each having a short length in the major axis direction. In this way, the internal stress generated in the film layer 1 can be further reduced. 2, reference numeral 9 designates a frame-like pattern having a plurality of island patterns 8 having openings each having an opening size and forming a part of the magnetic metal material layer 2 laminated on the periphery of the film layer 1, to be.

상기 자성 금속 재료층(2)의 상기 필름층(1)과는 반대측의 면(2a)에는 프레임(3)이 설치되어 있다. 이 프레임(3)은 상기 자성 금속 재료층(2)의 주연부를 고정하여 지지하는 것으로, 예를 들면 인바 또는 철-니켈 합금 등으로 이루어지는 자성 금속 재료로 형성되어 있으며, 상기 자성 금속 재료층(2)의 복수의 틈(7)을 내포하는 크기의 개구(10)를 가진 테두리 모양을 이루고 있다. 또한 프레임(3)은 자성 금속 재료로 이루어지는 것에 한정되지 않고, 비자성 금속 재료 또는 경질 수지로 이루어진 것으로 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 프레임(3)은 자성 금속 재료로 형성되어 있다.A frame 3 is provided on a surface 2a of the magnetic metal material layer 2 opposite to the film layer 1. The frame 3 fixes and supports the periphery of the magnetic metal material layer 2 and is made of a magnetic metal material made of, for example, Invar or an iron-nickel alloy, and the magnetic metal material layer 2 ) Having a size of opening (10) containing a plurality of gaps (7) of the opening (10). Further, the frame 3 is not limited to being made of a magnetic metal material but is made of a non-magnetic metal material or a hard resin. In the present embodiment, the frame 3 is formed of a magnetic metal material.

다음으로, 이와 같이 구성된 성막 마스크의 제조 방법을 설명한다.Next, a manufacturing method of a film formation mask constructed as described above will be described.

먼저, 예를 들면 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등으로 이루어지는 두께가 10㎛ 내지 50㎛ 정도인 자성 금속 재료의 금속 시트를, 성막 대상인 기판의 표면적에 맞추어 잘라내고, 이 금속 시트의 한 면에, 예를 들면 폴리이미드 수지액을 도포하고, 이를 200℃ 내지 300℃ 정도의 온도에서 건조시켜 두께가 5㎛ 내지 30㎛ 정도인 가시광을 투과하는 필름층(1)을 형성한다.First, a metal sheet made of a magnetic metal material having a thickness of, for example, nickel, nickel alloy, invar, invar alloy or the like and having a thickness of about 10 μm to 50 μm is cut out in accordance with the surface area of the substrate to be formed, For example, a polyimide resin solution, and dried at a temperature of about 200 캜 to 300 캜 to form a film layer 1 that transmits visible light having a thickness of about 5 탆 to 30 탆.

이어서, 금속 시트의 다른 면에 레지스트를 예를 들면 스프레이 도포한 후, 이를 건조시켜 레지스트 필름을 형성하고, 다음으로, 포토 마스크를 사용하여 레지스트 필름을 노광한 후, 현상하고 복수 열의 슬릿의 형성 위치에 대응시켜 세장형의 복수의 개구를 갖는 레지스트 마스크를 형성한다.Then, a resist film is formed on the other surface of the metal sheet by, for example, spraying, followed by drying to form a resist film. Next, the resist film is exposed using a photomask, A resist mask having a plurality of elongated openings is formed.

이어서, 상기 레지스트 마스크를 사용하여 금속 시트를 웨트 에칭하고, 레지스트 마스크의 개구에 대응하는 부분의 금속 시트를 제거하여 금속 시트를 관통하는 슬릿을 형성하고 자성 금속 재료층(2)를 형성한 후, 레지스트 마스크를 예를 들면 유기 용제에 용해시켜 제거한다. 따라서 필름층(1)과 자성 금속 재료층(2)을 적층시킨 마스크용 부재(11)(도 3 참조)가 형성된다. 또한, 금속 시트를 에칭하기 위한 에칭액은 사용하는 금속 시트의 재료에 따라 적절하게 선택되고, 공지의 기술을 적용할 수 있다.Subsequently, the metal sheet is wet-etched using the resist mask, a metal sheet at a portion corresponding to the opening of the resist mask is removed to form a slit through the metal sheet, a magnetic metal material layer 2 is formed, The resist mask is dissolved in, for example, an organic solvent and removed. Thus, a mask member 11 (see Fig. 3) in which the film layer 1 and the magnetic metal material layer 2 are laminated is formed. The etching solution for etching the metal sheet is appropriately selected according to the material of the metal sheet to be used, and a known technique can be applied.

또한, 금속 시트를 에칭하여 슬릿을 형성할 때에, 복수의 슬릿의 형성 영역 외의 미리 정해진 위치에 기판에 미리 형성된 기판측 얼라인먼트 마크에 대하여 위치 결정하기 위한 마스크측 얼라인먼트 마크(12)(도 1,2 참조)를 동시에 형성하여도 좋다. 이 경우 레지스트 마스크를 형성할 때에, 마스크측 얼라인먼트 마크(12)에 대응한 위치에 얼라인먼트 마크용 개구를 형성하면 좋다.In addition, when the slits are formed by etching the metal sheet, mask side alignment marks 12 (Figs. 1 and 2) for positioning the substrate side alignment marks formed in advance on the substrate at predetermined positions outside the formation regions of the plurality of slits ) May be formed at the same time. In this case, when forming the resist mask, the opening for the alignment mark may be formed at a position corresponding to the alignment mark 12 on the mask side.

마스크용 부재(11)는 상기 방법에 의하지 않고, 다른 방법으로 형성되어도 좋다. 예를 들면, 필름의 일면에 시드층을 예를 들면 무전해 도금에 의해 형성하고, 그 위에 포토 레지스트를 도포하고 이를 노광 및 현상하여, 복수 열의 슬릿의 형성 위치에 대응시켜 복수 열의 섬 모양 수지 패턴을 형성한 후, 이 섬 모양 수지 패턴의 외측 영역에 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등의 자성 금속 재료를 도금 형성한다. 또한, 섬 모양 수지 패턴을 제거한 후, 이 섬 모양 수지 패턴의 형성 위치의 시드층을 에칭하여 제거함으로써 마스크용 부재(11)를 형성하고 있다.The mask member 11 may be formed by another method instead of the above method. For example, a seed layer is formed on one surface of a film by, for example, electroless plating, a photoresist is coated on the seed layer, exposure and development are performed to form a plurality of rows of island- And a magnetic metallic material such as nickel, nickel alloy, invar or invar alloy is plated on the outer region of the island-like resin pattern. After the island-like resin pattern is removed, the seed layer at the formation position of the island-like resin pattern is etched and removed to form the mask member 11.

이에 의하여, 도 1(a)에 도시한 바와 같은 복수의 슬릿을 그 장축과 교차하는 방향으로 병설한 자성 금속 재료층(2)를 구비한 마스크용 부재(11)를 형성할 수 있다.Thereby, the mask member 11 having the magnetic metal material layer 2 in which a plurality of slits are juxtaposed in the direction crossing the long axis as shown in Fig. 1 (a) can be formed.

또한, 도 2에 도시한 바와 같은 틀 모양 패턴(9) 및 이 틀 모양 패턴(9)의 안쪽에 복수의 섬 패턴(8)을 형성한 자성 금속 재료층(2)를 구비한 마스크용 부재(11)의 형성은 다음과 같이 할 수 있다. 예를 들면, 필름의 한 면에 시드층을 예를 들면 무전해 도금에 의해 형성하고, 그 위에 포토 레지스트를 도포하고 이를 노광 및 현상하고, 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 형성하고자 하는 위치의 외측의 시드층을 덮는 수지 패턴을 형성한 후, 상기 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 형성하고자 하는 위치에 니켈, 니켈 합금, 인바 또는 인바 합금 등의 자성 금속 재료를 도금 형성한다. 그리고, 수지 패턴을 제거한 후, 상기 수지 패턴의 형성 위치의 시드층을 에칭하여 제거한다.A mask member (not shown) having a frame pattern 9 as shown in Fig. 2 and a magnetic metal material layer 2 having a plurality of island patterns 8 formed inside the frame pattern 9 11) can be formed as follows. For example, a seed layer is formed on one side of the film by, for example, electroless plating, a photoresist is coated on the seed layer, exposed and developed, and a frame pattern 9 and a plurality of island patterns 8 are formed. A nickel alloy, an invar or an invar alloy or the like is formed at a position where a mold pattern 9 and a plurality of island patterns 8 are to be formed, Is formed by plating. Then, after the resin pattern is removed, the seed layer at the formation position of the resin pattern is etched and removed.

또는, 전술한 바와 동일하게 하여, 금속 시트의 한 면에 수지액을 도포하여 필름층(1)을 형성하고, 금속 시트의 다른 면에는 레지스트를 도포하여, 이것을 건조시킨 후, 포토 마스크를 사용하여 레지스트를 노광 및 현상하여, 상기 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 형성하고자 하는 위치의 외측에 개구를 가진 레지스트 마스크를 형성하고, 상기 레지스트 마스크를 사용하여 상기 자성 금속 시트를 에칭함으로써, 틀 모양 패턴(9) 및 복수의 섬 패턴(8)을 가진 자성 금속 재료층(2)을 구비하는 마스크용 부재(11)를 형성하여도 좋다.Alternatively, in the same manner as described above, a resin solution is applied to one surface of a metal sheet to form a film layer 1, a resist is applied to the other surface of the metal sheet, and the resultant is dried, Exposing and developing the resist to form a resist mask having an opening outside the position where the frame pattern 9 and the plurality of island patterns 8 are to be formed, The mask member 11 having the frame pattern 9 and the magnetic metal material layer 2 having the plurality of island patterns 8 may be formed.

다음으로, 상기 마스크용 부재(11)의 자성 금속 재료층(2)에 대면시켜서, 자성 금속 재료로 이루어지는 프레임(3)을 배치하고, 상기 마스크용 부재(11)를 상기 프레임(3)에 팽팽하게 걸친 상태에서, 마스크용 부재(11)의 주연부에 레이저 광을 조사하여 자성 금속 재료층(2)을 프레임(3)의 단면에 용접한다.Next, a frame 3 made of a magnetic metal material is disposed so as to face the magnetic metal material layer 2 of the mask member 11, and the mask member 11 is tightened to the frame 3 The magnetic metal material layer 2 is welded to the end face of the frame 3 by irradiating the periphery of the masking member 11 with laser light.

이어서, 본 발명의 특징인 개구 패턴 형성 공정으로 넘어간다. 이하, 개구 패턴 형성 공정에 대하여 도 3-4을 참조하여 설명한다.Then, the process proceeds to the opening pattern forming process, which is a feature of the present invention. Hereinafter, the opening pattern forming step will be described with reference to Figs. 3-4.

먼저, 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 필름층(1)의 자성 금속 재료층(2)의 반대측의 면(이하 "한 면(1a)"이라 한다)에, 예를 들면 KrF248nm의 엑시머 레이저 또는 YAG 레이저의 제3 고조파나 제4 고조파를 사용하여, 파장이 400nm 이하인 레이저 광(L)을 조사하고, 필름층(1)을 어브레이션하여, 도 3(c)에 도시하는 바와 같이 일정한 깊이의 제1의 오목부(5)를 형성한다.First, as shown in Fig. 3A, the surface of the film layer 1 opposite to the magnetic metal material layer 2 (hereinafter referred to as "one surface 1a") is irradiated with a KrF excimer laser Laser light L having a wavelength of 400 nm or less is irradiated using a third harmonic or a fourth harmonic of a laser or a YAG laser and the film layer 1 is ablated to form a constant Thereby forming the first concave portion 5 of the depth.

상세하게는, 예를 들면 미리 형성된 마스크측 얼라인먼트 마크(12)를 기준으로 하여 레이저 광을 마스크용 부재(11)의 면에 평행한 면 내에서 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 이동하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에서 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 부분에 레이저 광(L)을 조사하고, 제1 오목부(5)를 형성한다.Specifically, for example, the laser light is moved by a predetermined distance in the two-dimensional direction within the plane parallel to the surface of the mask member 11 with reference to the previously formed mask side alignment mark 12, Laser light L is irradiated on a portion of the magnetic metal material layer 2 corresponding to the gap 7 on one surface 1a of the substrate 1 to form the first concave portion 5.

또는, 형성하고자 하는 개구 패턴(4)에 대응한 위치에 레이저 광(L)의 조사 목표가 되는 기준 패턴을 형성한 기준 기판 위에 마스크용 부재(11)를 위치 결정하여 장착하고, 필름층(1)을 투과하여 상기 기준 패턴을 이차원 카메라로 관찰하여, 상기 기준 패턴의 위치 좌표를 검출한 후, 레이저 광(L)의 조사 목표를 상기 기준 패턴의 상기 위치 좌표로 설정하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에 레이저 광(L)을 조사하고, 제1 오목부(5)를 형성하여도 좋다.Alternatively, the mask member 11 is positioned and mounted on a reference substrate on which a reference pattern serving as an irradiation target of the laser light L is formed at a position corresponding to the opening pattern 4 to be formed, , The reference pattern is observed with a two-dimensional camera, the position coordinates of the reference pattern are detected, the irradiation target of the laser light L is set to the position coordinates of the reference pattern, The first concave portion 5 may be formed by irradiating the laser light L on one surface 1a.

상기한 두 경우 모두 제1의 오목부(5)와 상사형의 복수의 개구부를 형성한 섀도우 마스크를 이용하는 투사형 레이저 가공 장치를 사용하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에 상기 복수의 개구부를 축소 투영하여, 복수의 제1의 오목부(5)를 한꺼번에 형성하면 좋다. 또한, 도 3은 예를 들면 도 1(a)에 파선으로 둘러서 도시한 복수의 제1의 오목부(5)를 한꺼번에 형성하는 경우를 도시하고 있다.In each of the above cases, a projection laser machining apparatus using a shadow mask having a first concave portion 5 and a plurality of top-like openings is used to form a plurality of openings 1a on one surface 1a of the film layer 1, So that a plurality of first concave portions 5 may be formed at a time. 3 shows a case in which a plurality of first concave portions 5, which are shown surrounded by broken lines in Fig. 1 (a), are formed at a time, for example.

이후, 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 한 면(1a) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 한 면(1a)를 어브레이션하고, 도 3(b)에 도시하는 바와 같이 필름층(1)의 한 면(1a)에 복수의 제1의 오목부(5)를 가로세로 매트릭스 형태로 배치하여 형성한다.3 (a), the laser light L is irradiated onto the film layer 1 while moving stepwise by a predetermined distance in a two-dimensional direction indicated by an arrow on one side 1a of the film layer 1, As shown in Fig. 3 (b), a plurality of first concave portions 5 are arranged on one surface 1a of the film layer 1 in the form of a matrix .

이어서, 마스크용 부재(11)의 상하를 반전시켜, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 자성 금속 재료층(2)측으로부터 필름층(1)의 자성 금속 재료층(2)측의 면(이하 "다른 면(1b)"이라 한다)에 레이저 광(L)을 조사하고, 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분에 상기 제1 오목부(5)에 도달하는 제2의 오목부(6)를 형성한다. 이에 의하여, 이 도4(c)에 도시한 바와 같이, 제1 오목부(5)와 제2의 오목부(6)가 연결되어, 필름층(1)을 관통하는 개구 패턴(4)이 형성된다. 바람직하게는, 제2의 오목부(6)의 개구 면적은 제1의 오목부(5)의 개구 면적보다 넓은 것이 바람직하다.Subsequently, the upper and lower surfaces of the mask member 11 are reversed so that the side of the magnetic metal material layer 2 side of the film layer 1 from the side of the magnetic metal material layer 2, as shown in Fig. 4 (a) (Hereinafter referred to as "other surface 1b") is irradiated with a laser beam L, and a portion of the film layer 1 corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2 is irradiated with laser light L, The second concave portion 6 reaching the second concave portion 5 is formed. 4 (c), the first concave portion 5 and the second concave portion 6 are connected to each other so that the opening pattern 4 passing through the film layer 1 is formed do. Preferably, the opening area of the second concave portion 6 is larger than the opening area of the first concave portion 5.

이 경우, 전술한 바와 마찬가지로, 제2의 오목부(6)와 상사형의 복수의 개구부를 형성한 섀도우 마스크를 이용하는 투사형 레이저 가공 장치를 사용하여, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 상기 복수의 개구부를 축소 투영하여, 복수의 제2의 오목부(6)을 한꺼번에 형성하면 좋다.In this case, a projection laser machining apparatus using a shadow mask having a second concave portion 6 and a plurality of top-shaped openings is used to form a film on the other surface 1b of the film layer 1, The plurality of openings may be reduced and projected to form a plurality of second concave portions 6 at a time.

또는, 조사 면적이 복수의 제1의 오목부(5)를 내포하는 영역의 면적에 상당하는 레이저 광(L)을 사용하여 제2의 오목부(6)를 형성하고 있다. 이 경우, 자성 금속 재료층(2)이 마스크로서 기능하고, 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분이 어브레이션되어 제2의 오목부(6)가 형성된다.Alternatively, the second concave portion 6 is formed by using the laser light L whose irradiation area corresponds to the area of a region containing the plurality of first concave portions 5. [ In this case, the magnetic metal material layer 2 functions as a mask, and the portion of the film layer 1 corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2 is abraded to form the second concave portion 6, .

이후, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 다른 면(1b) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 다른 면(1b)을 어브레이션하고, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 도4(b)에 도시하는 바와 같이 복수의 제2의 오목부(6)를 형성한다. 이로써, 도 1 또는 도 2에 도시하는 성막 마스크가 형성된다.Thereafter, as shown in Fig. 4 (a), the film layer 1 is irradiated with laser light L by a predetermined distance in the two-dimensional direction indicated by the arrow on the other surface 1b of the film layer 1, And a plurality of second concave portions 6 are formed on the other surface 1b of the film layer 1 as shown in Fig. 4 (b). Thus, the film formation mask shown in Fig. 1 or Fig. 2 is formed.

이와 같이, 본 발명에 의하면, 필름층(1)의 양면측으로부터 레이저 광(L)을 조사하여, 개구 패턴(4)을 형성하도록 하고 있기 때문에, 필름층(1)의 한 면(기판과의 밀착면) (1a)측 개구 패턴(4)의 가장자리에 바리케이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 개구 패턴(4)의 바리케이드가 성막의 그늘이 되는 것을 방지할 수 있는 동시에, 바리케이드의 존재에 의하여 필름층(1)과 기판 사이에 틈이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이로써 형상 및 위치 정밀도를 포함한 박막 패턴의 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, since the opening pattern 4 is formed by irradiating the laser light L from both sides of the film layer 1, It is possible to suppress occurrence of barricade at the edge of the opening pattern 4 on the side of the contact surface 1a. Therefore, the barricade of the opening pattern 4 can be prevented from becoming a shadow of the film formation, and it is possible to prevent the gap between the film layer 1 and the substrate from being caused by the presence of the barricade. This makes it possible to improve the formation accuracy of the thin film pattern including shape and positional accuracy.

이 경우, 제 1 오목부(5)를 형성한 후, 이 제1의 오목부(5)의 개구 면적보다 면적이 큰 제2의 오목부(6)를 형성하면, 상기 바리케이드의 발생을 더 억제할 수 있다. 또한, 제2의 오목부(6)의 개구 면적이 제1의 오목부(5)의 개구 면적보다 크므로 제2의 오목부(6)의 가공 위치 결정 정밀도는 필요하지 않게 할 수 있다.In this case, if the second concave portion 6 having a larger area than the opening area of the first concave portion 5 is formed after the first concave portion 5 is formed, the generation of the barricade can be further suppressed can do. Since the opening area of the second concave portion 6 is larger than the opening area of the first concave portion 5, the machining position accuracy of the second concave portion 6 can be made unnecessary.

다음으로, 상기 개구 패턴(4)의 형성에 대하여 다른 형성예를 설명한다.Next, another example of formation of the opening pattern 4 will be described.

도 5는 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법으로 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면이고, 관통공의 형성 공정을 나타낸 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 관통공의 확대 단면도이다. 도 6은 본 발명에 따른 성막 마스크의 제조 방법에서 개구 패턴의 형성의 변형예를 설명하는 도면이고, 오목부의 형성 공정을 도시하는 단면도이며, (a)는 레이저 가공 개시를 나타내고, (b)는 레이저 가공 종료를 나타내며, (c)는 오목부의 확대 단면도이다. Fig. 5 is a cross-sectional view showing a process of forming a through-hole, showing a start of laser machining, and Fig. 5 (b) is a cross- (C) is an enlarged sectional view of the through hole. Fig. 6 is a cross-sectional view showing a process of forming a concave portion in a modification of the formation of the opening pattern in the process for producing a film formation mask according to the present invention, in which (a) (C) is an enlarged cross-sectional view of the concave portion.

먼저, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 필름층(1)의 한 면(1a)에 레이저 광(L)을 조사하여, 필름층(1)을 어브레이션하고, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이 필름층(1)을 관통하는 관통공(13)을 형성한다.First, as shown in Fig. 5 (a), laser light L is irradiated on one surface 1a of the film layer 1 to ablate the film layer 1, and as shown in Fig. 5 (c) As shown in the figure, a through hole 13 penetrating the film layer 1 is formed.

상세하게는, 전술한 바와 같이 하여, 예를 들면 미리 형성된 마스크측 얼라인먼트 마크(12)를 기준으로 하여 레이저 광을 마스크용 부재(11)의 면에 평행한 면 내에서 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 이동하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에서 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 부분에 레이저 광(L)을 조사하여 박막 패턴과 동일한 형상의 관통 공(13)을 형성한다.Specifically, as described above, for example, laser light is irradiated in a two-dimensional direction within a plane parallel to the surface of the mask member 11 by a predetermined distance on the basis of the previously formed mask side alignment mark 12 The laser light L is irradiated to a portion of the film layer 1 corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2 on one side 1a of the film layer 1 to form a through hole 13 ).

또는, 형성하려고 하는 개구 패턴(4)에 대응한 위치에 레이저 광(L)의 조사 목표가 되는 기준 패턴을 형성한 기준 기판 위에 마스크용 부재(11)를 위치 결정하여 장착하고, 필름층(1)을 투과하여 상기 기준 패턴을 이차원 카메라로 관찰하고, 상기 기준 패턴의 위치 좌표를 검출한 후, 레이저 광(L)의 조사 목표를 상기 기준 패턴의 상기 위치 좌표로 설정하여, 필름층(1)의 한 면(1a)에 레이저 광(L)을 조사하여, 관통 공(13)을 형성하고 있다.Alternatively, the mask member 11 is positioned and mounted on a reference substrate on which a reference pattern serving as an irradiation target of the laser light L is formed at a position corresponding to the opening pattern 4 to be formed, The reference pattern is observed with a two-dimensional camera, the positional coordinates of the reference pattern are detected, the irradiation target of the laser light L is set to the positional coordinates of the reference pattern, The laser light L is irradiated on one surface 1a to form the through hole 13. [

이후, 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 한 면(1a) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 한 면(1a)를 어브레이션하고, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 필름층(1)의 한 면(1a)에 복수의 관통 공(13)을 가로세로 매트릭스 형태로 배치하여 형성한다.5 (a), the laser light L is irradiated onto the film layer 1 while moving stepwise by a predetermined distance in a two-dimensional direction indicated by an arrow on one side 1a of the film layer 1, A plurality of through holes 13 are formed on one surface 1a of the film layer 1 by arranging them in the form of a matrix in the form of a matrix of longitudinal and lateral directions as shown in Fig. 5 (b) do.

이어서, 마스크용 부재(11)의 상하를 반전시켜, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 자성 금속 재료층(2)측으로부터 필름층(1)의 다른 면(1b)에 레이저 광(L)을 조사하고, 자성 금속 재료층(2)의 틈(7)에 대응한 필름층(1)의 부분에 필름층(1)의 한 면(1a)측에, 예를 들면 1㎛ 내지 4㎛ 정도의 얇은 층을 남기고 상기 관통 공(13)의 개구 면적보다 넓은 개구부를 가진 오목부(14)를 형성한다. 이로써, 필름층(1)에는, 이 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 관통 공(13)과 오목부(14)로 구성된 개구 패턴(4)이 형성된다.6 (a), the laser beam L (L) is applied to the other surface 1b of the film layer 1 from the side of the magnetic metal material layer 2, On the side of one surface 1a of the film layer 1 on the portion of the film layer 1 corresponding to the gap 7 of the magnetic metal material layer 2, Of the through-hole (13), and a concave portion (14) having an opening larger than the opening area of the through-hole (13) is formed. 6 (c), an opening pattern 4 composed of a through hole 13 and a concave portion 14 is formed in the film layer 1. As shown in Fig.

이후, 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 레이저 광(L)을 필름층(1)의 다른 면(1b) 위를 화살표로 가리키는 이차원 방향으로 미리 정해진 거리만큼 스텝 이동하면서 필름층(1)의 다른 면(1b)를 어브레이션하고, 필름층(1)의 다른 면(1b)에 도 6(b)에 도시하는 바와 같이 복수의 오목부(14)를 형성한다. 이로써, 도 1 또는 도 2에 도시된 성막 마스크가 형성된다.Thereafter, as shown in Fig. 6 (a), the laser light L is irradiated onto the film layer 1 while being moved stepwise by a predetermined distance in the two-dimensional direction indicated by the arrow on the other surface 1b of the film layer 1, And a plurality of concave portions 14 are formed on the other surface 1b of the film layer 1 as shown in Fig. 6 (b). Thus, the film formation mask shown in Fig. 1 or Fig. 2 is formed.

이 경우에도 필름층(1)의 양면측으로부터 레이저 광(L)을 조사하여, 개구 패턴(4)을 형성하도록 하고 있기 때문에, 필름층(1)의 한 면(기판과의 밀착면)(1a) 측의 개구 패턴(4)의 가장자리에 바리케이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.In this case as well, since the opening pattern 4 is formed by irradiating the laser light L from both sides of the film layer 1, one surface (a contact surface with the substrate) 1a It is possible to suppress the occurrence of barricade at the edge of the opening pattern 4 on the side of the opening.

따라서, 본 발명에 따른 성막 마스크는 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있으며, 예를 들면 유기 EL 표시용 기판의 발광층을 포함하는 유기 EL층의 증착 형성에 적합하다.Therefore, the deposition mask according to the present invention can improve the adhesion with the substrate, and is suitable for deposition of the organic EL layer including the light emitting layer of the substrate for organic EL display, for example.

이상의 설명에서는, 성막 마스크가 프레임(3)을 구비한 것인 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 프레임(3)은 없어도 좋다.In the above description, the case where the film deposition mask is provided with the frame 3 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the frame 3 may be omitted.

1 필름층
2 자성 금속 재료층
4 개구 패턴
5 제1의 오목부
6 제2의 오목부
7 틈
8 섬 패턴
13 관통 공
14 오목부
1 film layer
2 magnetic metal material layer
4 aperture pattern
5 The first concave portion
6 second concave portion
7 crevices
8 island pattern
13 through hole
14 concave portion

Claims (20)

미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과, 상기 개구 패턴이 내재할 수 있는 크기의 틈을 형성한 자성 금속 재료층을 적층한 구조의 성막 마스크의 제조 방법으로서,
상기 개구 패턴은 상기 틈에 대응한 필름층의 부분에 양면측으로부터 레이저 광을 조사하고, 상기 필름층을 관통시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
There is provided a method of manufacturing a film deposition mask having a structure in which a film layer made of resin on which an opening pattern of a predetermined shape is formed and a magnetic metal material layer in which a gap having a size capable of embedding the opening pattern are laminated,
Wherein the opening pattern is formed by irradiating a portion of the film layer corresponding to the gap with laser light from both sides and penetrating the film layer.
제1항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 자성 금속 재료층측의 개구 면적이 이 자성 금속 재료층과는 반대측의 개구 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the opening pattern has an opening area on the magnetic metal material layer side wider than an opening area on the opposite side of the magnetic metal material layer.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층과는 반대측면에 레이저 광을 조사하여 일정한 깊이의 제1의 오목부를 형성한 후, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 면에 레이저 광을 조사하여 상기 제1의 오목부에 도달하는 깊이의 제2의 오목부를 만들어서 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the opening pattern is formed by forming a first concave portion having a predetermined depth by irradiating laser light on the side opposite to the magnetic metal material layer of the film layer and then irradiating a laser beam on the side of the magnetic metal material layer And forming a second concave portion having a depth reaching the first concave portion.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 물질층과는 반대측의 면에 레이저 광을 조사하여 상기 필름층을 관통하는 관통 공을 형성한 후, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 면에 레이저 광을 조사하여 일정 깊이의 오목부를 만들어서 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the opening pattern is formed by forming a through hole penetrating the film layer by irradiating a laser beam on a surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer on the side of the magnetic metal material layer, Wherein the mask is formed by irradiating light to form a concave portion having a predetermined depth.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer.
제3항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
The method of claim 3,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer.
제4항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴으로, 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the gap is a plurality of elongated island patterns constituting a part of the magnetic metal material layer and is a portion between adjacent island patterns.
제3항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴에서 인접하는 상기 섬 패턴의 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
The method of claim 3,
Wherein the gap is a portion between adjacent island patterns in a plurality of elongated island patterns constituting a part of the magnetic metal material layer.
제4항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴에서 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크의 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the gap is a portion between adjacent island patterns in a plurality of elongated island patterns constituting a part of the magnetic metal material layer.
미리 정해진 소정 형상의 개구 패턴을 형성한 수지제의 필름층과, 상기 개구 패턴이 내재할 수 있는 크기의 틈을 구비한 자성 금속 재료층을 적층한 구조의 성막 마스크로서,
상기 개구 패턴은 상기 틈에 대응한 필름층 부분에 양면측으로부터 레이저 광을 조사하여, 상기 필름층을 관통시켜 형성된 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
There is provided a film deposition mask having a structure in which a film layer made of resin on which an opening pattern of a predetermined shape is formed and a magnetic metal material layer having a gap with a size capable of containing the opening pattern are laminated,
Wherein the opening pattern is formed by irradiating a laser beam from both sides of the film layer portion corresponding to the gap to penetrate the film layer.
제11항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 자성 금속 재료층측의 개구 면적이 이 자성 금속 재료층과는 반대측의 개구 면적보다 넓은 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
12. The method of claim 11,
Wherein the opening pattern has an opening area on the magnetic metal material layer side larger than an opening area on the opposite side of the magnetic metal material layer.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층과는 반대측의 면에 형성된 일정 깊이의 제1의 오목부와 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 면에 상기 제1의 오목부에 도달하는 깊이로 형성된 제2의 오목부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
13. The method according to claim 11 or 12,
Wherein the opening pattern has a first concave portion having a predetermined depth formed on a surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer and a second concave portion having a predetermined depth reaching the first concave portion on a surface of the film layer facing the magnetic metal material layer And a second concave portion formed in a depth direction.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 개구 패턴은 상기 필름층의 상기 자성 금속 물질층과는 반대측의 면에 레이저 광을 조사하여 상기 필름층을 관통시켜 형성된 관통공과, 상기 필름층의 상기 자성 금속 재료층측의 표면에 레이저 광을 조사하여 형성된 일정 깊이의 오목부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
13. The method according to claim 11 or 12,
Wherein the opening pattern is formed by a through hole formed through a surface of the film layer opposite to the magnetic metal material layer by irradiating laser light to penetrate the film layer and a laser light irradiating surface of the film layer on the side of the magnetic metal material layer And a concave portion having a predetermined depth formed by the concave portion.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
13. The method according to claim 11 or 12,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer.
제13항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
14. The method of claim 13,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer.
제14항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층을 관통하여 형성된 슬릿인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
15. The method of claim 14,
Wherein the gap is a slit formed through the magnetic metal material layer.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴에서 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
13. The method according to claim 11 or 12,
Wherein the gap is a portion between adjacent island patterns in a plurality of elongated island patterns constituting a part of the magnetic metal material layer.
제13항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴에서 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
14. The method of claim 13,
Wherein the gap is a portion between adjacent island patterns in a plurality of elongated island patterns constituting a part of the magnetic metal material layer.
제14항에 있어서,
상기 틈은 상기 자성 금속 재료층의 일부를 이루는 세장형의 복수의 섬 패턴에서 인접하는 상기 섬 패턴 사이의 부분인 것을 특징으로 하는 성막 마스크.
15. The method of claim 14,
Wherein the gap is a portion between adjacent island patterns in a plurality of elongated island patterns constituting a part of the magnetic metal material layer.
KR1020167020500A 2014-02-03 2015-01-07 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask Active KR102252441B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-018651 2014-02-03
JP2014018651A JP6240960B2 (en) 2014-02-03 2014-02-03 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask
PCT/JP2015/050227 WO2015115136A1 (en) 2014-02-03 2015-01-07 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160117449A true KR20160117449A (en) 2016-10-10
KR102252441B1 KR102252441B1 (en) 2021-05-14

Family

ID=53756714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167020500A Active KR102252441B1 (en) 2014-02-03 2015-01-07 Method for manufacturing film formation mask and film formation mask

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6240960B2 (en)
KR (1) KR102252441B1 (en)
CN (1) CN105940138B (en)
TW (1) TWI642805B (en)
WO (1) WO2015115136A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210049115A (en) * 2018-09-07 2021-05-04 도판 인사츠 가부시키가이샤 Evaporation mask intermediate, evaporation mask, and manufacturing method of evaporation mask
KR20240127718A (en) 2023-02-16 2024-08-23 국립공주대학교 산학협력단 Manufacturing method of ion exchange membrane including non-conductive pattern and ion exchange membrane manufactured thereby
US12358080B2 (en) 2020-11-18 2025-07-15 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly and method of manufacturing the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102481383B1 (en) 2016-02-02 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 Laser processing apparatus
WO2017138166A1 (en) 2016-02-10 2017-08-17 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 Vapor depositin mask manufacturing method, vapor deposition mask, and organic semiconductor element manufacturing method
TWI678824B (en) * 2016-07-29 2019-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 Mask and method for making same
JP6949507B2 (en) * 2016-08-05 2021-10-13 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Thin-film mask and its manufacturing method, and laminated body for thin-film mask and its manufacturing method
KR20180034771A (en) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 Mask assembly, deposition apparatus including the same, and fabrication method of the mask assembly
CN113463017A (en) * 2016-09-30 2021-10-01 大日本印刷株式会社 Frame-integrated vapor deposition mask, production body and production method therefor, and vapor deposition pattern formation method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020071969A (en) * 2000-01-28 2002-09-13 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 Laser machining device and laser machining mask and production method therefor
KR20090009139A (en) * 2007-07-19 2009-01-22 닛토덴코 가부시키가이샤 Laser processing method
KR101200484B1 (en) * 2012-03-21 2012-11-12 한국기계연구원 Mask for projection ablation and manufacturing method thereof
JP5288072B2 (en) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask device manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2909639B2 (en) * 1990-03-16 1999-06-23 キヤノン株式会社 Manufacturing method of electrical connection member
US5379515A (en) * 1989-12-11 1995-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing electrical connecting member
JPH10154322A (en) * 1996-09-30 1998-06-09 Sony Corp Disc burring removal method and apparatus, and disc
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
JP2008121060A (en) * 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd Method of manufacturing vacuum film-forming mask with resin and vacuum film-forming mask with resin
JP2009068082A (en) * 2007-09-14 2009-04-02 Sony Corp Method for producing vapor deposition mask and vapor deposition mask
JP5228586B2 (en) * 2008-04-09 2013-07-03 株式会社Sumco Vapor deposition mask, vapor deposition pattern production method using the same, semiconductor wafer evaluation sample production method, semiconductor wafer evaluation method, and semiconductor wafer production method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020071969A (en) * 2000-01-28 2002-09-13 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 Laser machining device and laser machining mask and production method therefor
KR20090009139A (en) * 2007-07-19 2009-01-22 닛토덴코 가부시키가이샤 Laser processing method
JP5288072B2 (en) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask device manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method
KR101200484B1 (en) * 2012-03-21 2012-11-12 한국기계연구원 Mask for projection ablation and manufacturing method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210049115A (en) * 2018-09-07 2021-05-04 도판 인사츠 가부시키가이샤 Evaporation mask intermediate, evaporation mask, and manufacturing method of evaporation mask
US12358080B2 (en) 2020-11-18 2025-07-15 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly and method of manufacturing the same
KR20240127718A (en) 2023-02-16 2024-08-23 국립공주대학교 산학협력단 Manufacturing method of ion exchange membrane including non-conductive pattern and ion exchange membrane manufactured thereby

Also Published As

Publication number Publication date
TW201533266A (en) 2015-09-01
WO2015115136A1 (en) 2015-08-06
TWI642805B (en) 2018-12-01
KR102252441B1 (en) 2021-05-14
JP6240960B2 (en) 2017-12-06
CN105940138A (en) 2016-09-14
JP2015145525A (en) 2015-08-13
CN105940138B (en) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102252441B1 (en) Method for manufacturing film formation mask and film formation mask
US10301716B2 (en) Deposition mask and method for producing deposition mask
KR102148970B1 (en) Deposition mask production method and laser processing apparatus
KR102471409B1 (en) Deposition mask device and method for manufacturing the deposition mask device
KR102265891B1 (en) Method for manufacturing film forming mask and film forming mask
KR102155259B1 (en) Production method for film formation mask and film formation mask
CN213232465U (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, and intermediate body
JP2013245392A (en) Vapor deposition mask and method for manufacturing the same
CN108350561B (en) Method for manufacturing film formation mask
KR101023396B1 (en) Method for manufacturing shadow mask for organic electroluminescent device
JP6078746B2 (en) Manufacturing method of vapor deposition mask
JP6536941B2 (en) Deposition mask manufacturing method
KR100815361B1 (en) Manufacturing method of printed circuit board
KR100700660B1 (en) Mask and method for fabricating thereof
KR20080070350A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20160726

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20191106

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210104

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20210428

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210510

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210511

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration