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KR20160072042A - Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing - Google Patents

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KR20160072042A
KR20160072042A KR1020150175030A KR20150175030A KR20160072042A KR 20160072042 A KR20160072042 A KR 20160072042A KR 1020150175030 A KR1020150175030 A KR 1020150175030A KR 20150175030 A KR20150175030 A KR 20150175030A KR 20160072042 A KR20160072042 A KR 20160072042A
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KR
South Korea
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delivery device
vapor deposition
chemical vapor
deposition coating
coating
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Application number
KR1020150175030A
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Korean (ko)
Inventor
데이비드 에이. 스미스
민 유안
제임스 비. 매트젤라
Original Assignee
실코텍 코포레이션
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Publication date
Application filed by 실코텍 코포레이션 filed Critical 실코텍 코포레이션
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Abstract

딜리버리 디바이스의 제조 시스템 및 제조 공정이 개시된다. 상기 딜리버리 디바이스는 피드 튜브 및 상기 피드 튜브의 내측 표면 위에 적용되는 디메틸실란의 분해로부터 형성되는 화학 기상 증착 코팅을 포함한다. 상기 제조 시스템은 상기 딜리버리 디바이스 및 상기 딜리버리 디바이스와의 선택적인 유체 소통을 하는 챔버를 포함한다. 상기 제조 공정은 물품을 생산하기 위한 상기 제조 시스템을 사용한다.A manufacturing system and a manufacturing process of a delivery device are disclosed. The delivery device includes a chemical vapor deposition coating formed from the decomposition of a feed tube and the dimethylsilane applied on the inner surface of the feed tube. The manufacturing system includes a chamber for selective fluid communication with the delivery device and the delivery device. The manufacturing process uses the manufacturing system for producing an article.

Description

딜리버리 디바이스, 제조 시스템 및 제조 공정{Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing}[0001] Delivery Device, Manufacturing System, and Manufacturing Process [0002]

본 발명은 딜리버리 디바이스(delivery device), 제조 시스템, 및 제조 공정에 대한 것이다. 더욱 특정하게는, 본 발명은 유기발광다이오드 제조를 위한 딜리버리 디바이스에 대한 것이다.The present invention is directed to a delivery device, a manufacturing system, and a manufacturing process. More particularly, the present invention relates to a delivery device for manufacturing an organic light emitting diode.

유기발광다이오드(OLED)는 전류에 대한 반응으로 빛을 방출하는 전자발광성 방출층(emissive electroluminescent layer)을 형성하는 유기 필름을 구비한 발광다이오드(LED)이다. 현재, OLED는 디스플레이(display) 및 조명(lighting) 기술에서의 용도를 위해 개발되어 왔으며, 일반적으로 가능한 가장 높은 해상도 및 최심 콘트라스트(most extreme contrast) 디스플레이를 제공하는 것으로 간주된다. OLED는 또한 고해상도(high resolution) 가요성(flexible) 디스플레이 기술 및 고효율, 독특한 형상(conformation)의 조명 시스템에 도입된다.An organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode (LED) having an organic film that forms an emissive electroluminescent layer that emits light in response to an electric current. Currently, OLEDs have been developed for use in display and lighting technology and are generally considered to provide the highest resolution and most extreme contrast display possible. OLEDs are also introduced into high resolution, flexible display technology and high efficiency, unique conformational illumination systems.

디스플레이 기술을 위해 OLED를 제조하는 하나의 보편적인 방법은 스프레이 코팅을 통한 유기 필름(organic film)의 증착을 포함한다. 전형적인 제조 시스템은 화소 착색(pixel coloring)을 제공하는 유기 필름을 스프레이 적용하는, 다수의 피드(feed)를 포함한다. 하지만, 이러한 제조 시스템은 종종 바람직한 성능 특성을 포함하지 않는 금속 표면을 포함한다. 특정의 바람직한 성능 특성의 미포함은 감소된 수율(yield), 특정 성능 요건의 불충족, 증가된 제조 비용, 또는 이들의 조합(combination)을 초래할 수 있다.One common method of manufacturing OLEDs for display technologies involves the deposition of organic films through spray coating. A typical manufacturing system includes a plurality of feeds, sprayed with an organic film providing pixel coloring. However, such manufacturing systems often include metal surfaces that do not include desirable performance characteristics. The inclusion of certain desirable performance characteristics may result in reduced yield, unsatisfactory performance requirements, increased manufacturing costs, or a combination thereof.

상세하게는, 제조 시스템 내의 금속 표면은 화학적 흡착(chemical adsorption), 촉매 작용(catalytic activity), 부식의 침범(corrosive attack), 산화, 시약 정체/잔류(retention/carryover), 정지 마찰(stiction), 및/또는 다른 바람직하지 않은 표면 작용(surface activity)과 같은 바람직하지 않은 표면 작용을 겪게 될 수 있다. 바람직하지 않은 표면 작용 때문에, 유기 필름 및/또는 착색 물질(coloring)이 제조 시스템의 피드 튜브(feed tube) 내에 축적(build up)될 수 있다. 유기 필름 및/또는 착색 물질의 축적(build-up)은 피드 튜브를 막히게 하며, 이는 튜브의 세척(cleaning)을 요하고, 수율을 감소시키며, 비용을 증가시킨다. 또한, 유기 필름 및/또는 착색 물질의 축적은 후속 코팅 적용에서의 교차 오염(cross-contamination)을 도입할 수 있으며, 이는 화소 착색을 변색(change)시키고 제조 공정에 에러(error)를 도입할 수 있다.In particular, metal surfaces within a manufacturing system are susceptible to chemical adsorption, catalytic activity, corrosive attack, oxidation, reagent / carryover, stiction, And / or other undesirable surface activity. ≪ RTI ID = 0.0 > Due to the undesirable surface action, the organic film and / or coloring can be built up in the feed tube of the production system. The build-up of the organic film and / or coloring material clogs the feed tube, which requires cleaning of the tube, reducing the yield and increasing the cost. In addition, the accumulation of organic films and / or coloring materials can introduce cross-contamination in subsequent coating applications, which can change the coloring of the pixels and introduce errors into the manufacturing process have.

종래 기술과 비교하여 하나 이상의 개선을 나타내는 딜리버리 디바이스, 제조 시스템 및 제조 공정은 당업계에 바람직할 것이다.Delivery devices, manufacturing systems, and manufacturing processes that exhibit one or more improvements over the prior art will be desirable in the art.

일 실시 형태에서, 딜리버리 디바이스는 피드 튜브 및 상기 피드 튜브의 내측 표면상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅(chemical vapor deposition coating, CVD)을 포함하며, 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성된다.In one embodiment, the delivery device comprises a feed tube and a chemical vapor deposition coating (CVD) applied on the inner surface of the feed tube, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from the decomposition of the dimethylsilane.

다른 실시 형태에서, 제조 시스템은 피드 튜브, 상기 피드 튜브의 내측 표면상에 적용된 화학 기상 증착 코팅을 갖는 딜리버리 디바이스를 포함하며, 상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성된다. 본 시스템은 또한 딜리버리 디바이스와 선택적인 유체 소통(fluid communication)을 하는 챔버(chamber)를 포함한다.In another embodiment, the manufacturing system comprises a feed tube, a delivery device having a chemical vapor deposition coating applied on the inner surface of the feed tube, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from decomposition of the dimethylsilane. The system also includes a chamber for selective fluid communication with the delivery device.

다른 실시 형태에서, 물품(article) 제조 공정은, 그의 표면상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅을 포함하고 (여기서 상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성됨) 상기 화학 기상 증착 코팅을 포함하는 표면 위로 물질을 이동시키는 컴포넌트(component)의 제공을 포함한다. 본 컴포넌트는 피드 튜브, 초고진공(UHV) 컴포넌트, 샤워 헤드(shower head), 디플렉터 플레이트(deflector plate), 피팅(fitting) 및 이들의 조합으로 구성되는 그룹으부터 선택된다.In another embodiment, the article manufacturing process comprises a chemical vapor deposition coating applied on a surface thereof, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from the decomposition of dimethylsilane, wherein the surface comprising the chemical vapor deposition coating Back to the top of the article. The component is selected from the group consisting of a feed tube, a ultra high vacuum (UHV) component, a shower head, a deflector plate, a fitting, and a combination thereof.

본 발명의 다른 특징 및 이점은, 예시로서, 본 발명의 원리를 도시하는 첨부 도면과 함께 취해져 다음의 상세한 설명으로부터 명백할 것이다 .Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings, which illustrate, by way of example, the principles of the invention.

도 1은 제조 시스템의 일부분의 투시도를 도시한다.
도 2는 발명의 실시 형태에 따른, 피드 튜브의 단면도의 일부분의 개요도를 도시한다.
도 3은 발명의 실시 형태에 따른, 확산 지역(diffusion zone)을 갖는 피드 튜브의 단면도의 일부분의 개요도를 도시한다.
가능한 한, 동일한 참조 번호가 동일한 부분을 표현하기 위해 도면 전체에서 사용될 것이다.
Figure 1 shows a perspective view of a portion of a manufacturing system.
Figure 2 shows a schematic view of a portion of a cross section of a feed tube, in accordance with an embodiment of the invention.
Figure 3 shows a schematic view of a portion of a cross-sectional view of a feed tube having a diffusion zone, in accordance with an embodiment of the invention.
Wherever possible, the same reference numbers will be used throughout the drawings to refer to the same parts.

딜리버리 디바이스, 제조 시스템 및 제조 공정이 제공된다. 본 발명의 실시 형태는, 예를 들어, 본원에 개시된 하나 이상의 특징을 포함하지 않는 설계들과 비교하여, 코팅 중의 교차 오염을 감소시키며, 코팅 효율을 증가시키고, 수율을 증가시키며, 코팅 에러를 감소시키고, 공정 비용을 절감하며, 제조 시스템의 피드 튜브 내 반응물의 정체/잔류를 감소시키고, 피드 튜브 내 정지 마찰을 감소시키며, 또는 이들의 조합을 허용한다.A delivery device, a manufacturing system, and a manufacturing process are provided. Embodiments of the present invention may be used to reduce cross-contamination in coatings, increase coating efficiency, increase yields, and reduce coating errors, for example, in comparison to designs that do not include one or more of the features disclosed herein Reduce process costs, reduce stagnation / retention of reactants in the feed tube of the manufacturing system, reduce traction in the feed tube, or a combination thereof.

도 1에 관하여, 하나의 실시 형태에서, 유기발광다이오드(OLED) 제조 시스템(100)은 딜리버리 디바이스(101), 가공 물질(processing material)(105) 및 기판(substrate)(110)을 포함한다. 딜리버리 디바이스(101)는 가공 물질(105)을 기판(110)에 적용시키기 위한, 스프레이 메커니즘(spray mechanism)(도 1), 프린팅 노즐(printing nozzle), 증착 메커니즘, 또는 이들의 조합과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 임의의 적합한 디바이스를 포함한다. 가공 물질(105)은 착색 물질, 유기 물질, OLED 코팅 물질, 또는 이들의 조합과 같은 OLED 제조 중에 사용된 임의의 물질을 포함한다. 기판(110)은 OLED를 형성하기 위한 임의의 물질을 포함한다.Referring to Figure 1, in one embodiment, an organic light emitting diode (OLED) manufacturing system 100 includes a delivery device 101, a processing material 105, and a substrate 110. The delivery device 101 may be used to apply a processing material 105 to the substrate 110, such as a spray mechanism (FIG. 1), a printing nozzle, a deposition mechanism, But is not limited to, any suitable device. The processing material 105 includes any material used during OLED manufacturing, such as a coloring material, an organic material, an OLED coating material, or a combination thereof. The substrate 110 includes any material for forming an OLED.

적어도 하나의 피드 튜브(103)는 딜리버리 디바이스(101) 내에 있고/있거나 그에 연결되며, 적어도 하나의 피드 튜브(103) 각각은 가공 물질(105)을 수용(house)하고/하거나 이동시키도록 구성된다. OLED 제조 시스템(100)의 작동 중에, 하나 이상의 피드 튜브(103)는 가공 물질(105)을 딜리버리 디바이스(101)에 공급하며, 이는 가공 물질(105)을 챔버(도시되지 않음) 또는 가공 물질(105)을 수용하고/하거나 제조될 물품을 배치하도록 구성된 다른 영역 내에 배치되는 기판(110)으로 향하게 한다. 피드 튜브(103) 및 딜리버리 디바이스(101)는 OLED 제조 시스템(100)의 제조 흐름 경로(manufacturing flowpath)(115)의 일부분을 형성한다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 "제조 흐름 경로"는 가공 물질(105)에 의해 접촉되는 OLED 제조 시스템(100)의 임의의 표면을 지칭한다. 제조 흐름 경로(205)의 일부분을 형성하는 다른 표면은 피드 튜브(103)를 딜리버리 디바이스(101)에 연결하는 임의의 표면, 가공 물질(105)을 피드 튜브(103)에 제공하는 임의의 컴포넌트의 내측 표면, 및/또는 이를 통해 유기 물질(105)이 기판(110)에 적용되기 전에 수송되는 임의의 추가의 컴포넌트의 내측 표면을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.The at least one feed tube 103 is within and / or connected to the delivery device 101 and each of the at least one feed tube 103 is configured to house and / or move the workpiece 105 . During operation of the OLED manufacturing system 100, one or more feed tubes 103 supply the workpiece 105 to the delivery device 101, which in turn feeds the workpiece 105 to a chamber (not shown) 105) and / or to a substrate (110) disposed in another area configured to position the article to be manufactured. The feed tube 103 and the delivery device 101 form part of the manufacturing flow path 115 of the OLED manufacturing system 100. As used herein, the term "manufacturing flow path" refers to any surface of the OLED manufacturing system 100 that is in contact with the workpiece 105. The other surface forming part of the manufacturing flow path 205 may be any surface that connects the feed tube 103 to the delivery device 101 or any surface that connects the feed tube 103 to any component But is not limited to, an inner surface, and / or an inner surface of any additional components that are transported there through before the organic material 105 is applied to the substrate 110.

도 2에 도시된 바와 같이, 코팅(201)은 제조 흐름 경로(205)의 임의의 적합한 기판(204)의 표면(203) 위에 적용된다(도 1). 적합한 기판은, 순수(pure) 또는 실질적으로 순수(substantially pure) 금속(예를 들어, 알루미늄 및 백금), 금속 합금(예를 들어, 스테인리스강, 알루미늄-베이스 합금, 및 니켈-베이스 합금), 불순(impure) 금속 또는 불순 금속 합금(예를 들어, 95 중량% 알루미늄-함유 금속, 98 중량% 알루미늄-함유 금속 및 95 중량% 니켈-함유 금속), 금속-코팅된 기판(예를 들어, 탄탈룸-코팅된), 또는 이들의 조합과 같은 임의의 금속 기판을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 피드 튜브(103)의 내측 표면(207) 위에 적용된다. 비록 피드 튜브(103)의 내측 표면(207)과 관련해서 도시되었지만, 당업자에 의해 이해되는 것과 같이, 본 발명은 이에 제한되지 않고 적합한 기판을 포함하는 임의의 다른 물품 또는 컴포넌트의 표면(203)의 코팅(201)에의 적용을 포함한 것으로 의도된다. 적합한 기판을 갖는 다른 물품 또는 컴포넌트는, 제조 흐름 경로(115)의 다른 컴포넌트, OLED 제조 시스템(100) 내의 다른 컴포넌트, OLED 제조 시스템(100)의 일부분을 형성하지 않는 컴포넌트, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. OLED 제조 시스템(100)의 일부분을 형성하지 않는 컴포넌트는, 예를 들어, 초고진공(UHV) 컴포넌트, 샤워 헤드, 디플렉터 플레이트, 피팅, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.As shown in Figure 2, a coating 201 is applied over the surface 203 of any suitable substrate 204 of the manufacturing flow path 205 (Figure 1). Suitable substrates include pure or substantially pure metals (e.g., aluminum and platinum), metal alloys (e.g., stainless steel, aluminum-base alloys, and nickel-base alloys), impurities a metal-coated substrate (e.g., a tantalum-containing metal), an impure metal or an impurity metal alloy (e.g., a 95 wt% aluminum-containing metal, a 98 wt% aluminum- Coated), or any combination thereof, but is not limited thereto. For example, in one embodiment, the coating 201 is applied over the inner surface 207 of the feed tube 103. Although illustrated with respect to the inner surface 207 of the feed tube 103, the present invention is not limited to this, as understood by those skilled in the art, and may be applied to any other article or component, including a suitable substrate, Coating 201 < / RTI > Other articles or components having a suitable substrate may include other components of the manufacturing flow path 115, other components in the OLED manufacturing system 100, components that do not form part of the OLED manufacturing system 100, However, it is not limited thereto. Components that do not form part of the OLED manufacturing system 100 include, but are not limited to, ultra high vacuum (UHV) components, showerheads, deflector plates, fittings, or combinations thereof.

코팅(201)은 디메틸실란, 트리메틸실란, 또는 이들의 조합과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 실란 물질의 분해로부터 형성된다. 둘 모두 본원에 참고로서 그 전체가 포함되는 미국 특허 출원 제13/876,328호 및 미국 특허 출원 제13/504,533호에 개시된 바와 같이, 코팅(201)을 형성하기 위한 공정은 디메틸실란의 화학 기상 증착(CVD)을 포함한다. 화학 기상 증착은 열적 적용(thermal application)에 의해 이루어지고 플라즈마-보조 방법(plasma-assisted method)이 아니다.The coating 201 is formed from the decomposition of a silane material, such as but not limited to dimethylsilane, trimethylsilane, or combinations thereof. As disclosed in U.S. Patent Application No. 13 / 876,328 and U.S. Patent Application No. 13 / 504,533, both of which are incorporated herein by reference in their entirety, the process for forming the coating 201 may be performed by chemical vapor deposition of dimethylsilane CVD). Chemical vapor deposition is accomplished by thermal application and is not a plasma-assisted method.

하나의 실시 형태에서, CVD를 통해서 기판(204)의 표면(203) 위에 코팅(201)을 형성하는 것은 열적으로 분해하는 디메틸실란 및/또는 임의의 다른 적합한 열적 분해 기체를 열적으로 분해하고 비정질의 카보실란을 증착하는 것을 포함한다. 일반적으로, 적합한 분해 기체의 종류는, 유기실란, 디메틸실란, 임의의 실란 기체, 또는 임의의 다른 적합한 화학 기상 증착 기체를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 도입 및/또는 후속 처리(subsequent treatment)를 위한 다른 적합한 물질은 실란, 트리메틸실란, 디알킬실릴 디하이드라이드, 알킬실릴 트리하이드라이드, 디알킬실릴 디하이드라이드, 알킬실릴 트리하이드라이드, 유기플루오로트리알콕시실란, 및/또는 유기플루오로실릴하이드라이드를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.In one embodiment, forming the coating 201 on the surface 203 of the substrate 204 via CVD thermally decomposes the thermally decomposing dimethylsilane and / or any other suitable thermal decomposition gases and deposits amorphous Carbosilane. ≪ / RTI > In general, the type of suitable cracking gas includes, but is not limited to, organosilane, dimethylsilane, any silane gas, or any other suitable chemical vapor deposition gas. Other suitable materials for introduction and / or subsequent treatment include silane, trimethylsilane, dialkylsilyl dihydride, alkylsilyl trihydride, dialkylsilyl dihydride, alkylsilyl trihydride, Alkoxysilane, and / or organofluorosilyl hydride.

화학 기상 증착 공정의 임의의 부분은 화학 기상 증착 챔버에 정화 기체(purge gas)의 도입을 통해서 화학 기상 증착 챔버에 정화 기체를 선택적으로 적용하는 것이 선행되거나 후속될 수 있다. 정화 기체는 질소, 헬륨, 아르곤, 또는 임의의 다른 적합한 불활성 기체이다. 정화(purging)는 1회의 정화 주기(purge cycle), 2회의 정화 주기, 3회의 정화 주기, 3회 초과의 정화 주기, 또는 화학 기상 증착 챔버가 화학적으로 불활성 환경이 되도록 허용하는 임의의 적합한 수의 정화 주기 내이다. 예를 들어, 하나의 실시 형태에서, 정화 후에, 분해 기체는 분해 기체의 열적 분해 온도 미만의 하위-분해 온도(sub-decomposition temperature)에서 도입된다. 본원에 사용된 바와 같이, 표현 "하위-분해 온도"는 분해 기체가 열적으로 분해되지 않는 조건을 지칭한다.Any portion of the chemical vapor deposition process may precede or follow the selective application of the purge gas to the chemical vapor deposition chamber through the introduction of a purge gas into the chemical vapor deposition chamber. The purge gas is nitrogen, helium, argon, or any other suitable inert gas. The purging may be accomplished by one purge cycle, two purge cycles, three purge cycles, three purge cycles, or any suitable number that allows the chemical vapor deposition chamber to be in a chemically inert environment It is within the purification cycle. For example, in one embodiment, after clarification, the cracked gas is introduced at a sub-decomposition temperature below the thermal cracking temperature of the cracking gas. As used herein, the expression "sub-decomposition temperature" refers to conditions under which the decomposition gas is not thermally decomposed.

하나의 실시 형태에서, 코팅(201)을 형성하기 전에, CVD 코팅을 수용하도록 기판(204)이 변형된다. 기판(204)의 변형은 임의의 적합한 처리 방법을 포함한다. 예를 들어, 기판(204)의 변형은 화학 기상 증착 챔버에 기판(204)을 단리시키고(isolating) 단계, 기판(204)을 예열하고, 챔버를 불활성 기체로 세정하고(flush) 챔버를 비우는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment, before forming the coating 201, the substrate 204 is deformed to receive the CVD coating. The deformation of the substrate 204 includes any suitable processing method. For example, deformation of the substrate 204 may be achieved by isolating the substrate 204 into a chemical vapor deposition chamber, preheating the substrate 204, flushing the chamber with an inert gas and emptying the chamber .

기판(204)의 단리는 챔버 내의 불활성 분위기(inert atmosphere) 중에 실시된다. 챔버 내 기체의 흐름 및/또는 진공상태(vacuum)의 유지는 제어된 분위기(controlled atmosphere)를 제공할 수 있다. 열원은 기판(204)의 표면(203)으로부터 물을 탈착하고(deserb) 잔여 오염물을 제거하기 위해 챔버 내의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 처리대상 표면(203)은 튜빙(tubing) 연결로 화학 기상 증착 챔버 내에 포함되어 화학 기상 증착 챔버의 기체 흐름의 출입을 허용할 수 있다. 챔버는 다수의 기류를 주입하고 제거하기 위해 구성된 다수의 제어된 흡기구 및 배기구를 포함할 수 있다. 진공상태는 하나 이상의 배기관과 연결될 수 있다.The isolation of the substrate 204 is carried out in an inert atmosphere in the chamber. The flow of gas within the chamber and / or the maintenance of the vacuum can provide a controlled atmosphere. The heat source may deserb water from the surface 203 of the substrate 204 and adjust the temperature in the chamber to remove residual contaminants. For example, the surface to be treated 203 may be contained within a chemical vapor deposition chamber with a tubing connection to permit entry and exit of the gas flow of the chemical vapor deposition chamber. The chamber may include a plurality of controlled intake vents and exhaust vents configured to inject and remove a plurality of airflows. The vacuum state can be connected to one or more exhaust pipes.

기판(204)의 청결(cleanliness)에 따라, 금속은 100℃ 초과의 온도 및 1기압 미만의 압력하에서 수분 내지 15시간 범위의 기간 동안 가열함으로 제조될 수 있다. 일반적으로, 가열 온도는 기판(204)의 특성에 부합한다. 하나의 실시 형태에서, 상기 기간은 0.5 내지 15시간이다. 다른 실시 형태에서, 기판(204)은 450℃에서 2시간 동안 가열된다. 진공 상태하에서 제조 후에, 챔버는 불활성 기체로 선택적으로 세정되고 비워질 수 있다.Depending on the cleanliness of the substrate 204, the metal may be manufactured by heating at a temperature in excess of 100 DEG C and a pressure of less than 1 atmosphere for a period ranging from several minutes to 15 hours. In general, the heating temperature is consistent with the characteristics of the substrate 204. In one embodiment, the period is from 0.5 to 15 hours. In another embodiment, the substrate 204 is heated at 450 DEG C for 2 hours. After fabrication under vacuum, the chamber may be selectively cleaned and emptied with an inert gas.

디메틸실란의 열적 분해는 디메틸실란을 분해하기 충분한 미리 결정된 압력 및 온도에서 반응 챔버로 디메틸실란을 도입하고, 상기 분해로부터의 성분을 기판(204)의 표면(203) 위에 증착하고, 기판(204)을 미리 결정된 기간동안 코팅하여 미리 결정된 두께를 달성하는고/하거나 디메틸실란의 챔버를 정화하는 것을 포함한다. 이론에 의해 한정하고자 하는 것은 아니지만, 디메틸실란은 열적으로 분해되어 카보실릴 단편(carbosilyl fragments)을 형성하며, 이는 기판(204)에 재조합(recombine)되어 결합(bind)되는 것으로 생각된다. 결과로 생성된 코팅(201)은 챔버의 노출된 표면뿐만 아니라 기판 표면상에 탄소, 규소 및 수소를 갖는 비정질의 카보실란을 포함하는 것으로 생각된다.The thermal decomposition of the dimethylsilane is carried out by introducing dimethylsilane into the reaction chamber at a predetermined pressure and temperature sufficient to decompose the dimethylsilane and depositing the components from the decomposition onto the surface 203 of the substrate 204, For a predetermined period of time to achieve a predetermined thickness and / or to purify the chamber of the dimethylsilane. Without wishing to be bound by theory, it is believed that the dimethylsilane is thermally decomposed to form carbosilyl fragments, which recombine and bind to the substrate 204. The resulting coating 201 is believed to comprise an amorphous carbosilane with carbon, silicon and hydrogen on the substrate surface as well as the exposed surface of the chamber.

하나의 실시 형태에서, 적어도 분해 기체의 도입 중에, 화학 기상 증착 챔버의 작동은 실질적으로 촉매가 결여된(substantially devoid)(예를 들어, 공정에 영향을 주는 수준 미만의) 상태이거나 또는 촉매가 결여된(예를 들어, 탐지 가능한 수준으로 부재이고/이거나 완전히 부재인) 상태이다.In one embodiment, at least during the introduction of the cracking gas, the operation of the chemical vapor deposition chamber may be substantially devoid of the catalyst (e.g., below a level that affects the process) (E. G., ≪ / RTI > detectable to a member and / or completely absent).

하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 냉각 매립 증착(cold fill deposition)에 의해 형성된다. 냉각 매립 증착은 기판(204)을 화학 기상 증착 챔버 내에 위치시키고, 이어서 화학 기상 증착 챔버를 작동시키는 것을 포함한다. 화학 기상 증착 챔버의 작동은 화학 기상 증착 챔버를 정화하고, 증착 기체를 화학 기상 증착 챔버에 도입하고, 화학 기상 증착 챔버를 가열하고, 또는 이들의 조합을 포함한다. CVD를 통해서 형성되는 코팅(201)에 대해 개시된 이점에 더하여, 냉각 매립 증착을 통해서 형성되는 코팅(201)은, 상기 개시된 바와 같이, 그 위에 코팅(201)이 형성될 수 있는 물질의 수를 증가시킨다. 예를 들어, 냉각 매립 증착을 사용함으로, 코팅(201)은 산화 및/또는 열효과에 영향 받기 쉬운(prone to) 물질 위에 형성될 수 있다. 추가로, 코팅(201)의 냉각 매립 증착은 코팅(201)의 가교 결합 밀도(cross-link density)의 증가를 허용한다.In one embodiment, the coating 201 is formed by cold fill deposition. The cold buried deposition includes placing the substrate 204 in a chemical vapor deposition chamber, followed by operating a chemical vapor deposition chamber. The operation of the chemical vapor deposition chamber cleans the chemical vapor deposition chamber, introducing the deposition gas into the chemical vapor deposition chamber, heating the chemical vapor deposition chamber, or a combination thereof. In addition to the advantages disclosed with respect to the coating 201 formed through CVD, the coating 201 formed through cold embedding deposition can be formed by increasing the number of materials on which the coating 201 can be formed, . For example, by using a cooled buried deposition, the coating 201 can be formed on a material prone to oxidation and / or thermal effects. Additionally, the cold buried deposition of the coating 201 allows for an increase in the cross-link density of the coating 201.

분해 기체의 도입 중 및/또는 후에, 하나의 실시 형태에서, 화학 기상 증착 챔버의 작동은 화학 기상 증착 챔버를 분해 기체의 열적 분해 온도와 동일하거나 이를 초과하는 초-분해 온도(super-decomposition temperature)까지 가열하는 것을 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, 표현 "초-분해 온도"는 분해 기체가 열적으로 분해하는 조건을 지칭한다. 화학 기상 증착 챔버를 분해 기체의 존재 중에 초-분해 온도까지 가열하는 것은 적어도 기판(204)의 표면(203) 위에 코팅(201)을 형성한다.During and / or after the introduction of the decomposition gas, in one embodiment, the operation of the chemical vapor deposition chamber is controlled by a super-decomposition temperature that is equal to or greater than the thermal decomposition temperature of the decomposition gas, Lt; / RTI > As used herein, the expression "super-decomposition temperature" refers to the conditions under which the decomposition gas decomposes thermally. Heating the chemical vapor deposition chamber to the super-decomposition temperature in the presence of decomposition gas at least forms a coating 201 on the surface 203 of the substrate 204.

화학 기상 증착 챔버는 하위-분해 온도에서 초-분해 온도까지 임의의 적합한 가열 속도(heating rate)로 가열된다. 분해 기체의 종류에 따라, 적합한 초-분해 온도는, 440℃ 내지 460℃ 사이, 460℃ 초과, 450℃ 초과, 460℃ 초과, 480℃ 초과, 500℃ 초과, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 적합한 가열 속도는, 분당 6℃ 내지 분당 10℃ 사이, 분당 7℃ 내지 분당 9℃ 사이, 분당 6℃ 초과, 분당 7℃ 초과, 분당 10℃ 미만, 분당 9℃ 미만, 분당 8℃, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 그러한 속도로, 하나의 실시 형태에서, 화학 기상 증착 챔버는 3분 내지 10분 사이의 기간, 5분 내지 10분 사이의 기간, 7분 내지 10분 사이의 기간, 3분 내지 7분 사이의 기간, 3분 내지 5분 사이의 기간, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위 동안 가열된다.The chemical vapor deposition chamber is heated to any suitable heating rate from sub-decomposition temperature to super-decomposition temperature. Depending on the type of decomposition gas, suitable super-decomposition temperatures may be between 440 ° C and 460 ° C, greater than 460 ° C, greater than 450 ° C, greater than 460 ° C, greater than 480 ° C, greater than 500 ° C, , A range, or a sub-range within it. Suitable heating rates are between 6 ° C and 10 ° C per minute, between 7 ° C and 9 ° C per minute, greater than 6 ° C per minute, greater than 7 ° C per minute, less than 10 ° C per minute, less than 9 ° C per minute, 8 ° C per minute, But are not limited to, any suitable combination, sub-combination, range, or sub-range therein. At such a rate, in one embodiment, the chemical vapor deposition chamber has a period of between 3 minutes and 10 minutes, a period of between 5 minutes and 10 minutes, a period of between 7 minutes and 10 minutes, a period of between 3 minutes and 7 minutes , A period between 3 minutes and 5 minutes, or any suitable combination, sub-combination, range, or sub-range therein.

하나의 실시 형태에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 증착된 물질은 기판(204) 및 코팅(201) 사이에 걸쳐(extending) 확산 지역(305)을 형성하며 금속 기판의 표면(203)으로 확산한다. 코팅(201)을 형성한 후에, 챔버는 디메틸실란 및 휘발성, 비-증착된 카보실릴 단편이 정화될 수 있다. 만일 더 두꺼운 증착층이 바람직하다면, 증착 조건이 변경된다. 이는 온도, 압력, 시간, 또는 이들의 조합을 변경함으로써 달성될 수 있다. 다수의 층들 또한 디메틸실란의 도입 및 열적 분해를 반복함으로써 적용될 수 있다.In one embodiment, the deposited material forms diffusion regions 305 between the substrate 204 and the coating 201 and diffuses to the surface 203 of the metal substrate, as shown in FIG. do. After forming the coating 201, the chamber can be cleaned of dimethylsilane and volatile, non-deposited carbosilyl fragments. If a thicker deposition layer is desired, the deposition conditions are changed. This can be accomplished by changing temperature, pressure, time, or a combination thereof. Multiple layers can also be applied by repeating the introduction and thermal decomposition of dimethylsilane.

분해 기체 및 다른 매개변수에 따라, 분해에 적합한 압력은 1.0 psia 내지 250 psia 사이, 1.0 및 200 psia 사이, 1.0 psia 내지 150 psia 사이, 1.0 psia 내지 100 psia 사이, 1.0 psia 내지 75 psia 사이, 1.0 psia 내지 50 psia 사이, 1.0 psia 내지 40 psia 사이, 1.0 psia 내지 30 psia 사이, 1.0 psia 내지 20 psia 사이, 1.0 psia 내지 10 psia 사이, 1.0 psia 내지 5.0 psia 사이, 5 psia 내지 40 psia 사이, 1.0 psia, 5 psia, 40 psia, 100 psia, 200 psia, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위이다.Depending on the decomposition gas and other parameters, the pressure suitable for decomposition is between 1.0 psia and 250 psia, between 1.0 and 200 psia, between 1.0 psia and 150 psia, between 1.0 psia and 100 psia, between 1.0 psia and 75 psia, between 1.0 psia Between about 1 psia and about 50 psia, between about 1.0 psia and about 40 psia, between about 1.0 psia and about 30 psia, between about 1.0 psia and about 20 psia, between about 1.0 psia and about 10 psia, between about 1.0 psia and about 5.0 psia, between about 5 psia and about 40 psia, 5 psia, 40 psia, 100 psia, 200 psia, or any suitable combination, sub-combination, range, or sub-range therein.

분해 기체 및 다른 매개변수에 따라, 분해에 적합한 온도는 30℃ 미만, 60℃ 미만, 100℃ 미만, 150℃ 미만, 200℃ 미만, 250℃ 미만, 300℃ 미만, 350℃ 미만, 400℃ 미만, 440℃ 미만, 450℃ 미만, 100℃ 내지 300℃ 사이, 125℃ 내지 275℃ 사이, 200℃ 내지 300℃ 사이, 230℃ 내지 270℃ 사이, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위이다.Deg.] C, less than 200 [deg.] C, less than 250 [deg.] C, less than 300 [deg.] C, less than 350 [deg.] C, less than 400 [deg.] C, Sub-combination, range, or any combination thereof, that is less than 440 ° C, less than 450 ° C, 100 ° C to 300 ° C, 125 ° C to 275 ° C, 200 ° C to 300 ° C, Sub-range within.

분해 기체 및 다른 매개변수에 따라, 분해에 적합한 기간은 10분 내지 24시간 사이, 1시간 내지 10시간 사이, 2시간 내지 10시간 사이, 4시간 내지 6시간 사이, 4시간 내지 8시간 사이, 적어도 10분, 적어도 1시간, 적어도 4시간, 적어도 10시간, 10시간 미만, 8시간 미만, 6시간 미만, 4시간 미만, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위이다.Depending on the decomposition gas and other parameters, the period of time suitable for the decomposition is between 10 minutes and 24 hours, between 1 hour and 10 hours, between 2 hours and 10 hours, between 4 hours and 6 hours, between 4 hours and 8 hours, 10 minutes, at least 1 hour, at least 4 hours, at least 10 hours, less than 10 hours, less than 8 hours, less than 6 hours, less than 4 hours, or any suitable combination, sub-combination, .

코팅(201)의 두께는 코팅 대상 기판(204)의 기하학적 구조(geometry) 및 요구되는 마감(finish)의 종류에 따라 달라지지만, 본원에 개시된 방법에 따라 제작된 실시 형태에서, 코팅(201)은 100 nm 내지 10,000 nm 사이, 100 nm 내지 5,000 nm 사이, 200 nm 내지 5,000 nm 사이, 100 nm 내지 3,000 nm 사이, 300 nm 내지 1,500 nm 사이, 또는 임의의 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위의 두께를 가진다. 다른 실시 형태에서, 확산 지역(305)은 5 nm 내지 500 nm 사이이다. 예를 들어, 추가의 실시 형태에서, 코팅(201)은 130 nm로 연장하고, 확산 지역(305)의 일부분을 포함하는데, 이는 20 nm를 연장하며 O의 증가된 농도 및 C 및 Si의 감소된 농도(예를 들어, 적어도 4배)를 기준으로 식별 가능하다.The thickness of the coating 201 depends on the geometry of the substrate 204 to be coated and the type of finish required, but in the embodiment made according to the method disclosed herein, Subunit, range, or subdivision thereof, between 100 nm and 10,000 nm, between 100 nm and 5,000 nm, between 200 nm and 5,000 nm, between 100 nm and 3,000 nm, between 300 nm and 1,500 nm, - the thickness of the range. In another embodiment, the diffusion region 305 is between 5 nm and 500 nm. For example, in a further embodiment, the coating 201 extends to 130 nm and includes a portion of the diffusion region 305, which extends 20 nm and has an increased concentration of O and a reduced concentration of C and Si (E. G., At least 4-fold). ≪ / RTI >

하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 표면 작용이 결여되거나 실질적으로 결여되며, 이는 코팅(201)이 없는 기판(204)과 비교하여 제조 흐름 경로(205)에서 가공 물질(105)의 정체 및/또는 축적을 감소시키거나 제거한다(추가로, 표면 작용은, 예를 들어, 청색 또는 자색 외관을 생성하기 위한 변색(discoloration)을 지칭하지만, 이에 제한되지는 않는다). 가공 물질(105)의 정체 및/또는 축적을 감소시키거나 제거함에 의해, 코팅(201)은 현행 OLED 제조 시스템과 연관된 교차 오염 문제를 감소시키거나 제거한다. 추가적으로, 가공 물질(105)의 정체 및/또는 축적을 감소시키거나 제거함에 의해, 코팅(201)은 세척 시간을 단축하며, 제조 효율을 증가시키고, 순수한 OLED 디스플레이의 제조를 제공하며, 제조 수율을 증가시키고/시키거나 제조 비용을 절감한다.In one embodiment, the coating 201 lacks or substantially lacks surface activity, which is indicative of the stagnation of the workpiece 105 in the manufacturing flow path 205 as compared to the substrate 204 without the coating 201, (Or, for example, refers to discoloration to produce a blue or purple appearance, but is not limited to this). By reducing or eliminating stagnation and / or accumulation of the workpiece 105, the coating 201 reduces or eliminates cross-contamination problems associated with current OLED manufacturing systems. In addition, by reducing or eliminating stagnation and / or accumulation of the workpiece 105, the coating 201 can reduce cleaning time, increase manufacturing efficiency, provide for the production of pure OLED displays, And / or reduce manufacturing costs.

임의의 다른 적합한 처리 단계가 분해 기체가 도입된 후에 코팅(201) 위에서 실시된다. 코팅(201)의 처리는, 예를 들어, 기판(204) 위에 적용되는 코팅(201)의 가열 및/또는 변형을 포함한다. 하나의 실시 형태에서, 상기 처리는 기판(204) 및/또는 코팅(201)의 적합한 유기실란 시약에의 노출을 포함한다. 하나의 적합한 유기실란 시약은 R, R', R"가 유기관능성 기인, 화학식 RR'R"Si-H로 이루어진 삼관능성 유기실란(trifunctional organosilane)이다. 유기관능성 기의 예는 알킬, 아릴, 할로겐화된 알킬 및 아릴, 케톤, 알데히드, 아실, 알콜, 에폭시, 및 니트로 - 유기기, 및 유기금속 관능기이다. 하나의 실시 형태에서, 유기실란은 트리메틸실란이다.Any other suitable processing step is carried out on the coating 201 after the cracking gas is introduced. The treatment of the coating 201 includes, for example, heating and / or deformation of the coating 201 applied over the substrate 204. In one embodiment, the treatment includes exposing substrate 204 and / or coating 201 to a suitable organosilane reagent. One suitable organosilane reagent is a trifunctional organosilane composed of the formula RR'R "Si-H wherein R, R ', R" Examples of an organoleptic group are alkyl, aryl, halogenated alkyl and aryl, ketone, aldehyde, acyl, alcohol, epoxy, and nitro-organic groups, and organometallic functional groups. In one embodiment, the organosilane is trimethylsilane.

R'기를 변형하고 다르게 함으로써, 또는 히드록실기와 반응성이 있는 다른 분자를 사용함으로써, 처리된 코팅(예를 들어, 공기-산화된 카르복시실란층)의 표면 특성이 조정된다. 예를 들어, 하나의 실시 형태에서, 상기 조정은 경도 및 내마모성, 불활성, 정지 마찰, 코킹(coking), 접촉각(contact angle) 및 이들의 조합을 증가시키거나 감소시킨다. 다른 실시 형태에서, 정지 마찰을 감소시키고/시키거나 반-정지 마찰 특성(anti-stiction properties)을 제공하기 위한 코팅(201)의 조정은, 기판(204)의 비코팅된(uncoated) 표면(203)과 비교하여, 제조 흐름 경로(205)에서 가공 물질(105)의 점착(adhesion), 정체, 잔류, 오염 및/또는 축적을 감소시키거나 제거한다. 제조 흐름 경로(205)에서 가공 물질(105)의 점착, 정체, 잔류, 오염, 및/또는 축적을 감소시키거나 제거함으로써, 코팅(201)은 가공 물질(105)의 교차 오염을 감소시키거나 제거하며, 제조 에러를 감소시키고, 세척 시간을 단축하며, OLED 제조 효율을 증가시키고 및/또는 제조 비용을 절감한다.The surface properties of the treated coating (e. G., The air-oxidized carboxysilane layer) are adjusted by modifying and varying the R 'group, or by using other molecules that are reactive with hydroxyl groups. For example, in one embodiment, the adjustment increases or decreases hardness and abrasion resistance, inertness, static friction, coking, contact angle, and combinations thereof. In another embodiment, adjustment of the coating 201 to reduce static friction and / or provide anti-stiction properties may be accomplished using an uncoated surface 203 of the substrate 204 To reduce or eliminate the adhesion, stagnation, retention, contamination, and / or accumulation of the workpiece 105 in the manufacturing flow path 205, The coating 201 reduces or eliminates cross contamination of the workpiece 105 by reducing or eliminating sticking, stagnation, retention, contamination, and / or accumulation of the workpiece 105 in the manufacturing flow path 205. [ , Reducing manufacturing errors, shortening cleaning time, increasing OLED manufacturing efficiency, and / or reducing manufacturing costs.

하나의 실시 형태에서, 디메틸실란의 CVD는 카르복시실란을 형성하기 위한 산화 및/또는 관능화된 카르복시실란을 형성하기 위한 관능화가 수반된다. 코팅(201)의 산화는 미리 결정된 산화 조건 하에서 코팅(201)에 반응성 산소 종(reactive oxygen species)을 공여할 수 있는 임의의 적합한 화학 종류에 노출시키는 것을 포함한다. 일반적으로, 산화는 코팅(201)의 대부분에 영향을 미치는 대규모의 반응이다. 산화는 기판(204)의 표면(203) 위의 카보실란 및 관능화된 카보실란-계 화학 기상 증착 가공 물질의 경도 및/또는 내마모성을 향상시킨다. 산화는 챔버 내 온도, 챔버 내 노출 시간, 희석 기체(diluent gas)의 종류 및/또는 양, 압력 및/또는 다른 적합한 공정 조건을 증가시키거나 감소시킴에 의해 제어될 수 있다. 산화의 제어는 산화의 양 및/또는 깊이 및, 따라서, 표면의 내마모성 및/또는 경도를 증가시키거나 또는 감소시킬 수 있다.In one embodiment, the CVD of the dimethylsilane is accompanied by the functionalization to form an oxidized and / or functionalized carboxysilane to form a carboxysilane. The oxidation of the coating 201 comprises exposing the coating 201 to any suitable chemical species capable of donating reactive oxygen species under predetermined oxidizing conditions. Generally, oxidation is a large-scale reaction that affects most of the coating 201. The oxidation improves the hardness and / or abrasion resistance of the carbosilane and functionalized carbosilane-based chemical vapor deposition material on the surface 203 of the substrate 204. Oxidation can be controlled by increasing or decreasing the temperature in the chamber, the exposure time in the chamber, the type and / or amount of diluent gas, the pressure, and / or other suitable process conditions. Control of oxidation may increase or decrease the amount and / or depth of oxidation and, thus, the abrasion resistance and / or hardness of the surface.

코팅(201)의 산화를 위한 화학 종은 코팅(201)의 요구되는 특성에 근거하여 선택된다. 코팅(201)의 산화에 적합한 화학종은, 예를 들어, 물, 산소, 공기, 아산화질소, 오존, 과산화물(peroxide), 및 이들의 조합을 포함한다. 하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 산화제인 물로 산화된다(예를 들어, 100℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 또는 450℃의 온도에서). 이러한 실시 형태에서, 상기 산화는 (공기 및 물의 산화제(oxidizing reagent)를 사용한 경우와 비교하여) 마찰을 줄이며, (예를 들어, 공기 및 물의 산화제를 사용한 경우와 비교하여) 내마모성을 감소시키고, Si-O-Si 기를 형성한다. 이러한 실시 형태에서 형성되는 Si-O-Si 기는 가공 물질(105)과 관련해서 코팅(201)의 표면 작용을 추가적으로 감소시키거나 제거할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 코팅(201)은 (예를 들어, 100℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 또는 450℃의 온도에서) 공기 및 물을 포함하는 산화제로 산화된다. 이러한 실시 형태에서, 산화는 (예를 들어, 물만을 산화제로 사용한 경우와 비교하여) 과산화하여(over-oxidize) C-H 기의 양을 감소시키고, (예를 들어, 물만을 산화제로 사용한 경우와 비교하여) Si-C 기의 양을 감소시키며, (예를 들어, 물만을 산화제로 사용한 경우와 비교하여) Si-OH/C-OH 기의 양을 증가시킨다. 가공 물질(105)에 따라, C-H 및 Si-C 기의 감소된 양 및/또는 Si-OH/C-OH 기의 증가된 양은 코팅(201)의 표면 작용을 추가로 감소시키거나 제거할 수 있다. 교대의 실시 형태에서, 코팅(201)은 (예를 들어, 100℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 또는 450℃의 온도에서) 공기(단독)로 산화된다. 이러한 실시 형태에서, 산화는 마찰을 줄이며, (예를 들어, 물의 산화제를 사용한 경우와 비교하여) 내마모성을 증가시키고, Si-O-Si 및 Si-OH 그룹을 형성한다. 줄어든 마찰 및 증가된 내마모성은 코팅(201)을 포함하는 OLED 제조 시스템(100)의 효율을 증가시킬 수 있고/있거나, Si-O-Si 및 Si-OH 기는 코팅(201)의 표면 작용을 더욱 감소시키거나 제거할 수 있다.Chemical species for oxidation of the coating 201 are selected based on the desired properties of the coating 201. [ Suitable species for oxidation of the coating 201 include, for example, water, oxygen, air, nitrous oxide, ozone, peroxide, and combinations thereof. In one embodiment, the coating 201 is oxidized to water, which is an oxidizing agent (e.g., in a temperature range of 100 占 폚 to 600 占 폚, in a temperature range of 300 占 폚 to 600 占 폚, or at a temperature of 450 占 폚). In this embodiment, the oxidation reduces friction (as compared to the use of oxidizing reagents of air and water), reduces abrasion resistance (e.g., compared to the use of oxidants of air and water), reduces Si -O-Si group. The Si-O-Si group formed in this embodiment can further reduce or eliminate the surface action of the coating 201 with respect to the workpiece 105. In another embodiment, the coating 201 is an oxidizing agent comprising air and water (for example, at a temperature ranging from 100 DEG C to 600 DEG C, at a temperature range from 300 DEG C to 600 DEG C, or at a temperature of 450 DEG C) Oxidized. In such an embodiment, the oxidation can be over-oxidized to reduce the amount of CH groups (e.g., compared to the case where water alone is used as the oxidizing agent) Reduces the amount of Si-C groups and increases the amount of Si-OH / C-OH groups (for example, compared to the case where only water is used as the oxidizing agent). Depending on the workpiece 105, a reduced amount of CH and Si-C groups and / or an increased amount of Si-OH / C-OH groups can further reduce or eliminate the surface action of coating 201 . In alternate embodiments, the coating 201 is oxidized (singly) to air (e.g., at a temperature range of 100 占 폚 to 600 占 폚, at a temperature range of 300 占 폚 to 600 占 폚, or at a temperature of 450 占 폚) . In this embodiment, oxidation reduces friction and increases abrasion resistance (e.g., as compared to the use of an oxidizing agent of water) and forms Si-O-Si and Si-OH groups. Reduced friction and increased abrasion resistance can increase the efficiency of the OLED manufacturing system 100 including the coating 201 and / or the Si-O-Si and Si-OH groups can further reduce the surface action of the coating 201 Or removed.

하나의 실시 형태에서, 코팅(201)을 기판(204)의 표면(203) 위에 형성한 후에, 코팅(201)은 트리메틸실란으로 처리된다. 다른 실시 형태에서, 코팅(201)은 트리메틸실란으로 처리되기 전에 산화되어 카르복시실란을 형성한다. 추가의 실시 형태에서, 카르복시실란을 트리메틸실란으로 처리한 후에, 코팅(201)은 관능화된다. 트리메틸실란으로의 처리는 비처리된(untreated) 산화된 및/또는 관능화된 코팅에 비해 불활성, 내식성(corrosion resistance), 소수성, pH 저항성(pH resistance), 내마모성 및 경도, 및 이들의 조합에 개선을 제공할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 코팅(201)은 반-정지 마찰 및 반-코킹 특성을 위해 조정될 수 있다.In one embodiment, after forming the coating 201 on the surface 203 of the substrate 204, the coating 201 is treated with trimethylsilane. In another embodiment, the coating 201 is oxidized to form a carboxysilane before being treated with trimethylsilane. In a further embodiment, after treating the carboxysilane with trimethylsilane, the coating 201 is functionalized. Treatment with trimethylsilane has been shown to improve inertness, corrosion resistance, hydrophobicity, pH resistance, abrasion resistance and hardness, and combinations thereof, as compared to untreated oxidized and / or functionalized coatings. Can be provided. Additionally or alternatively, the coating 201 may be adjusted for anti-traction and anti-calking properties.

본 발명이 하나 이상의 실시 형태들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경이 이루어질 수 있으며 동등물(equivalent)이 구성 요소(element)를 대체할 수 있다는 것은 당업자에 의해 이해될 것이다. 또한, 특정 상황 또는 물질을 본 발명의 교시에 적합하게 하기 위한 많은 변형이 본 발명의 본질적인 범위를 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 본 발명을 수행하기 위한 최선의 방식으로서 개시된 특정 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명은 첨부된 청구항의 범위에 속하는 모든 실시 형태들을 포함하는 것으로 의도된다. 또한, 상세한 설명에서 식별된 모든 수치들은 정확한 값 및 근사치가 모두 명백히 식별되는 것으로 이해되어야 한다.Although the present invention has been described with reference to one or more embodiments, it will be understood by those skilled in the art that various changes may be made and equivalents may be substituted for elements without departing from the scope of the invention . In addition, many modifications may be made to adapt a particular situation or material to the teachings of the invention without departing from the essential scope thereof. Therefore, it is intended that the invention not be limited to the particular embodiment disclosed as the best mode contemplated for carrying out this invention, but that the invention will include all embodiments falling within the scope of the appended claims. It is also to be understood that all numerical values identified in the detailed description are clearly identified as being both exact and approximate.

Claims (20)

피드 튜브(feed tube); 및
상기 피드 튜브의 내측 표면 상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅;을 포함하며,
상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란(dimethylsilane)의 분해로부터 형성되는,
딜리버리 디바이스(delivery device).
A feed tube; And
A chemical vapor deposition coating applied on an inner surface of the feed tube,
Wherein the chemical vapor deposition coating is formed from decomposition of dimethylsilane,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 적어도 1.0 psia 및 200 psia의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied under conditions of at least 1.0 psia and 200 psia,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 적어도 1.0 psia 및 10 psia의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied under conditions of at least 1.0 psia and 10 psia,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 200 ℃ 내지 600 ℃의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied under the condition of 200 캜 to 600 캜,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 400 ℃ 내지 500 ℃의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied at a temperature of 400 ° C to 500 ° C,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 10분 내지 6시간 동안 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied for 10 minutes to 6 hours,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 4시간 내지 6시간 동안 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied for 4 to 6 hours,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 딜리버리 디바이스는 유기발광다이오드 제조 시스템 내에 배치되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the delivery device is disposed within the organic light emitting diode manufacturing system,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 피드 튜브 내에 수용되는 가공 물질(processing material)을 더 포함하는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Further comprising a processing material contained within the feed tube,
Delivery device.
제9항에 있어서,
상기 딜리버리 디바이스는 상기 가공 물질이 코팅 대상 기판을 향하게 하도록 배열 및 배치되는,
딜리버리 디바이스.
10. The method of claim 9,
Wherein the delivery device is arranged and arranged to direct the workpiece material to a substrate to be coated,
Delivery device.
제9항에 있어서,
상기 가공 물질은 유기 물질인,
딜리버리 디바이스.
10. The method of claim 9,
Wherein the working material is an organic material,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 산화되는(oxidized),
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
The chemical vapor deposition coating may be oxidized,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 관능화된(functionalized),
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
The chemical vapor deposition coating is a functionalized,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 화학 기상 증착 코팅은 트리메틸실란(trimethylsilane)으로 처리되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is treated with trimethylsilane,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 내측 표면은 순수 금속 표면(pure metal surface) 또는 실질적으로 순수한 금속 표면인,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the inner surface is a pure metal surface or a substantially pure metal surface,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 내측 표면은 금속 합금 표면(metal alloy surface)인,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the inner surface is a metal alloy surface,
Delivery device.
제1항에 있어서,
상기 내측 표면은 불순 금속 표면(impure metal surface)인,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the inner surface is an impure metal surface,
Delivery device.
제1항에 있어서,
추가 피드 튜브들을 더 포함하는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Further comprising additional feed tubes,
Delivery device.
피드 튜브 및 상기 피드 튜브의 내측 표면 상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅을 가지며 상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성되는 딜리버리 디바이스; 및
상기 딜리버리 디바이스와 선택적인 유체 소통을 하는 챔버;를 포함하는,
제조 시스템.
A delivery device having a feed tube and a chemical vapor deposition coating applied on an inner surface of the feed tube, the chemical vapor deposition coating being formed from the decomposition of dimethylsilane; And
And a chamber for selective fluid communication with the delivery device.
Manufacturing system.
표면 상에 적용된 화학 기상 증착 코팅을 포함하는 컴포넌트(component)를 제공하는 단계로서, 상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성되는 단계; 및
상기 화학 기상 증착 코팅을 포함하는 상기 표면 위로 물질을 이동시키는 단계;를 포함하며,
상기 컴포넌트는 피드 튜브, 초고진공(ultra-high vacuum: UHV) 컴포넌트, 샤워 헤드(shower head), 디플렉터 플레이트(deflector plate), 피팅(fitting), 및 이것들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
물품 제조 공정.
Providing a component comprising a chemical vapor deposition coating applied on a surface, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from decomposition of dimethylsilane; And
And moving the material over the surface comprising the chemical vapor deposition coating,
Wherein the component is selected from the group consisting of a feed tube, an ultra-high vacuum (UHV) component, a shower head, a deflector plate, a fitting,
Goods manufacturing process.
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