KR20160072042A - Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing - Google Patents
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Abstract
딜리버리 디바이스의 제조 시스템 및 제조 공정이 개시된다. 상기 딜리버리 디바이스는 피드 튜브 및 상기 피드 튜브의 내측 표면 위에 적용되는 디메틸실란의 분해로부터 형성되는 화학 기상 증착 코팅을 포함한다. 상기 제조 시스템은 상기 딜리버리 디바이스 및 상기 딜리버리 디바이스와의 선택적인 유체 소통을 하는 챔버를 포함한다. 상기 제조 공정은 물품을 생산하기 위한 상기 제조 시스템을 사용한다.A manufacturing system and a manufacturing process of a delivery device are disclosed. The delivery device includes a chemical vapor deposition coating formed from the decomposition of a feed tube and the dimethylsilane applied on the inner surface of the feed tube. The manufacturing system includes a chamber for selective fluid communication with the delivery device and the delivery device. The manufacturing process uses the manufacturing system for producing an article.
Description
본 발명은 딜리버리 디바이스(delivery device), 제조 시스템, 및 제조 공정에 대한 것이다. 더욱 특정하게는, 본 발명은 유기발광다이오드 제조를 위한 딜리버리 디바이스에 대한 것이다.The present invention is directed to a delivery device, a manufacturing system, and a manufacturing process. More particularly, the present invention relates to a delivery device for manufacturing an organic light emitting diode.
유기발광다이오드(OLED)는 전류에 대한 반응으로 빛을 방출하는 전자발광성 방출층(emissive electroluminescent layer)을 형성하는 유기 필름을 구비한 발광다이오드(LED)이다. 현재, OLED는 디스플레이(display) 및 조명(lighting) 기술에서의 용도를 위해 개발되어 왔으며, 일반적으로 가능한 가장 높은 해상도 및 최심 콘트라스트(most extreme contrast) 디스플레이를 제공하는 것으로 간주된다. OLED는 또한 고해상도(high resolution) 가요성(flexible) 디스플레이 기술 및 고효율, 독특한 형상(conformation)의 조명 시스템에 도입된다.An organic light emitting diode (OLED) is a light emitting diode (LED) having an organic film that forms an emissive electroluminescent layer that emits light in response to an electric current. Currently, OLEDs have been developed for use in display and lighting technology and are generally considered to provide the highest resolution and most extreme contrast display possible. OLEDs are also introduced into high resolution, flexible display technology and high efficiency, unique conformational illumination systems.
디스플레이 기술을 위해 OLED를 제조하는 하나의 보편적인 방법은 스프레이 코팅을 통한 유기 필름(organic film)의 증착을 포함한다. 전형적인 제조 시스템은 화소 착색(pixel coloring)을 제공하는 유기 필름을 스프레이 적용하는, 다수의 피드(feed)를 포함한다. 하지만, 이러한 제조 시스템은 종종 바람직한 성능 특성을 포함하지 않는 금속 표면을 포함한다. 특정의 바람직한 성능 특성의 미포함은 감소된 수율(yield), 특정 성능 요건의 불충족, 증가된 제조 비용, 또는 이들의 조합(combination)을 초래할 수 있다.One common method of manufacturing OLEDs for display technologies involves the deposition of organic films through spray coating. A typical manufacturing system includes a plurality of feeds, sprayed with an organic film providing pixel coloring. However, such manufacturing systems often include metal surfaces that do not include desirable performance characteristics. The inclusion of certain desirable performance characteristics may result in reduced yield, unsatisfactory performance requirements, increased manufacturing costs, or a combination thereof.
상세하게는, 제조 시스템 내의 금속 표면은 화학적 흡착(chemical adsorption), 촉매 작용(catalytic activity), 부식의 침범(corrosive attack), 산화, 시약 정체/잔류(retention/carryover), 정지 마찰(stiction), 및/또는 다른 바람직하지 않은 표면 작용(surface activity)과 같은 바람직하지 않은 표면 작용을 겪게 될 수 있다. 바람직하지 않은 표면 작용 때문에, 유기 필름 및/또는 착색 물질(coloring)이 제조 시스템의 피드 튜브(feed tube) 내에 축적(build up)될 수 있다. 유기 필름 및/또는 착색 물질의 축적(build-up)은 피드 튜브를 막히게 하며, 이는 튜브의 세척(cleaning)을 요하고, 수율을 감소시키며, 비용을 증가시킨다. 또한, 유기 필름 및/또는 착색 물질의 축적은 후속 코팅 적용에서의 교차 오염(cross-contamination)을 도입할 수 있으며, 이는 화소 착색을 변색(change)시키고 제조 공정에 에러(error)를 도입할 수 있다.In particular, metal surfaces within a manufacturing system are susceptible to chemical adsorption, catalytic activity, corrosive attack, oxidation, reagent / carryover, stiction, And / or other undesirable surface activity. ≪ RTI ID = 0.0 > Due to the undesirable surface action, the organic film and / or coloring can be built up in the feed tube of the production system. The build-up of the organic film and / or coloring material clogs the feed tube, which requires cleaning of the tube, reducing the yield and increasing the cost. In addition, the accumulation of organic films and / or coloring materials can introduce cross-contamination in subsequent coating applications, which can change the coloring of the pixels and introduce errors into the manufacturing process have.
종래 기술과 비교하여 하나 이상의 개선을 나타내는 딜리버리 디바이스, 제조 시스템 및 제조 공정은 당업계에 바람직할 것이다.Delivery devices, manufacturing systems, and manufacturing processes that exhibit one or more improvements over the prior art will be desirable in the art.
일 실시 형태에서, 딜리버리 디바이스는 피드 튜브 및 상기 피드 튜브의 내측 표면상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅(chemical vapor deposition coating, CVD)을 포함하며, 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성된다.In one embodiment, the delivery device comprises a feed tube and a chemical vapor deposition coating (CVD) applied on the inner surface of the feed tube, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from the decomposition of the dimethylsilane.
다른 실시 형태에서, 제조 시스템은 피드 튜브, 상기 피드 튜브의 내측 표면상에 적용된 화학 기상 증착 코팅을 갖는 딜리버리 디바이스를 포함하며, 상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성된다. 본 시스템은 또한 딜리버리 디바이스와 선택적인 유체 소통(fluid communication)을 하는 챔버(chamber)를 포함한다.In another embodiment, the manufacturing system comprises a feed tube, a delivery device having a chemical vapor deposition coating applied on the inner surface of the feed tube, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from decomposition of the dimethylsilane. The system also includes a chamber for selective fluid communication with the delivery device.
다른 실시 형태에서, 물품(article) 제조 공정은, 그의 표면상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅을 포함하고 (여기서 상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란의 분해로부터 형성됨) 상기 화학 기상 증착 코팅을 포함하는 표면 위로 물질을 이동시키는 컴포넌트(component)의 제공을 포함한다. 본 컴포넌트는 피드 튜브, 초고진공(UHV) 컴포넌트, 샤워 헤드(shower head), 디플렉터 플레이트(deflector plate), 피팅(fitting) 및 이들의 조합으로 구성되는 그룹으부터 선택된다.In another embodiment, the article manufacturing process comprises a chemical vapor deposition coating applied on a surface thereof, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from the decomposition of dimethylsilane, wherein the surface comprising the chemical vapor deposition coating Back to the top of the article. The component is selected from the group consisting of a feed tube, a ultra high vacuum (UHV) component, a shower head, a deflector plate, a fitting, and a combination thereof.
본 발명의 다른 특징 및 이점은, 예시로서, 본 발명의 원리를 도시하는 첨부 도면과 함께 취해져 다음의 상세한 설명으로부터 명백할 것이다 .Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings, which illustrate, by way of example, the principles of the invention.
도 1은 제조 시스템의 일부분의 투시도를 도시한다.
도 2는 발명의 실시 형태에 따른, 피드 튜브의 단면도의 일부분의 개요도를 도시한다.
도 3은 발명의 실시 형태에 따른, 확산 지역(diffusion zone)을 갖는 피드 튜브의 단면도의 일부분의 개요도를 도시한다.
가능한 한, 동일한 참조 번호가 동일한 부분을 표현하기 위해 도면 전체에서 사용될 것이다.Figure 1 shows a perspective view of a portion of a manufacturing system.
Figure 2 shows a schematic view of a portion of a cross section of a feed tube, in accordance with an embodiment of the invention.
Figure 3 shows a schematic view of a portion of a cross-sectional view of a feed tube having a diffusion zone, in accordance with an embodiment of the invention.
Wherever possible, the same reference numbers will be used throughout the drawings to refer to the same parts.
딜리버리 디바이스, 제조 시스템 및 제조 공정이 제공된다. 본 발명의 실시 형태는, 예를 들어, 본원에 개시된 하나 이상의 특징을 포함하지 않는 설계들과 비교하여, 코팅 중의 교차 오염을 감소시키며, 코팅 효율을 증가시키고, 수율을 증가시키며, 코팅 에러를 감소시키고, 공정 비용을 절감하며, 제조 시스템의 피드 튜브 내 반응물의 정체/잔류를 감소시키고, 피드 튜브 내 정지 마찰을 감소시키며, 또는 이들의 조합을 허용한다.A delivery device, a manufacturing system, and a manufacturing process are provided. Embodiments of the present invention may be used to reduce cross-contamination in coatings, increase coating efficiency, increase yields, and reduce coating errors, for example, in comparison to designs that do not include one or more of the features disclosed herein Reduce process costs, reduce stagnation / retention of reactants in the feed tube of the manufacturing system, reduce traction in the feed tube, or a combination thereof.
도 1에 관하여, 하나의 실시 형태에서, 유기발광다이오드(OLED) 제조 시스템(100)은 딜리버리 디바이스(101), 가공 물질(processing material)(105) 및 기판(substrate)(110)을 포함한다. 딜리버리 디바이스(101)는 가공 물질(105)을 기판(110)에 적용시키기 위한, 스프레이 메커니즘(spray mechanism)(도 1), 프린팅 노즐(printing nozzle), 증착 메커니즘, 또는 이들의 조합과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 임의의 적합한 디바이스를 포함한다. 가공 물질(105)은 착색 물질, 유기 물질, OLED 코팅 물질, 또는 이들의 조합과 같은 OLED 제조 중에 사용된 임의의 물질을 포함한다. 기판(110)은 OLED를 형성하기 위한 임의의 물질을 포함한다.Referring to Figure 1, in one embodiment, an organic light emitting diode (OLED)
적어도 하나의 피드 튜브(103)는 딜리버리 디바이스(101) 내에 있고/있거나 그에 연결되며, 적어도 하나의 피드 튜브(103) 각각은 가공 물질(105)을 수용(house)하고/하거나 이동시키도록 구성된다. OLED 제조 시스템(100)의 작동 중에, 하나 이상의 피드 튜브(103)는 가공 물질(105)을 딜리버리 디바이스(101)에 공급하며, 이는 가공 물질(105)을 챔버(도시되지 않음) 또는 가공 물질(105)을 수용하고/하거나 제조될 물품을 배치하도록 구성된 다른 영역 내에 배치되는 기판(110)으로 향하게 한다. 피드 튜브(103) 및 딜리버리 디바이스(101)는 OLED 제조 시스템(100)의 제조 흐름 경로(manufacturing flowpath)(115)의 일부분을 형성한다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 "제조 흐름 경로"는 가공 물질(105)에 의해 접촉되는 OLED 제조 시스템(100)의 임의의 표면을 지칭한다. 제조 흐름 경로(205)의 일부분을 형성하는 다른 표면은 피드 튜브(103)를 딜리버리 디바이스(101)에 연결하는 임의의 표면, 가공 물질(105)을 피드 튜브(103)에 제공하는 임의의 컴포넌트의 내측 표면, 및/또는 이를 통해 유기 물질(105)이 기판(110)에 적용되기 전에 수송되는 임의의 추가의 컴포넌트의 내측 표면을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.The at least one
도 2에 도시된 바와 같이, 코팅(201)은 제조 흐름 경로(205)의 임의의 적합한 기판(204)의 표면(203) 위에 적용된다(도 1). 적합한 기판은, 순수(pure) 또는 실질적으로 순수(substantially pure) 금속(예를 들어, 알루미늄 및 백금), 금속 합금(예를 들어, 스테인리스강, 알루미늄-베이스 합금, 및 니켈-베이스 합금), 불순(impure) 금속 또는 불순 금속 합금(예를 들어, 95 중량% 알루미늄-함유 금속, 98 중량% 알루미늄-함유 금속 및 95 중량% 니켈-함유 금속), 금속-코팅된 기판(예를 들어, 탄탈룸-코팅된), 또는 이들의 조합과 같은 임의의 금속 기판을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 피드 튜브(103)의 내측 표면(207) 위에 적용된다. 비록 피드 튜브(103)의 내측 표면(207)과 관련해서 도시되었지만, 당업자에 의해 이해되는 것과 같이, 본 발명은 이에 제한되지 않고 적합한 기판을 포함하는 임의의 다른 물품 또는 컴포넌트의 표면(203)의 코팅(201)에의 적용을 포함한 것으로 의도된다. 적합한 기판을 갖는 다른 물품 또는 컴포넌트는, 제조 흐름 경로(115)의 다른 컴포넌트, OLED 제조 시스템(100) 내의 다른 컴포넌트, OLED 제조 시스템(100)의 일부분을 형성하지 않는 컴포넌트, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. OLED 제조 시스템(100)의 일부분을 형성하지 않는 컴포넌트는, 예를 들어, 초고진공(UHV) 컴포넌트, 샤워 헤드, 디플렉터 플레이트, 피팅, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.As shown in Figure 2, a
코팅(201)은 디메틸실란, 트리메틸실란, 또는 이들의 조합과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 실란 물질의 분해로부터 형성된다. 둘 모두 본원에 참고로서 그 전체가 포함되는 미국 특허 출원 제13/876,328호 및 미국 특허 출원 제13/504,533호에 개시된 바와 같이, 코팅(201)을 형성하기 위한 공정은 디메틸실란의 화학 기상 증착(CVD)을 포함한다. 화학 기상 증착은 열적 적용(thermal application)에 의해 이루어지고 플라즈마-보조 방법(plasma-assisted method)이 아니다.The
하나의 실시 형태에서, CVD를 통해서 기판(204)의 표면(203) 위에 코팅(201)을 형성하는 것은 열적으로 분해하는 디메틸실란 및/또는 임의의 다른 적합한 열적 분해 기체를 열적으로 분해하고 비정질의 카보실란을 증착하는 것을 포함한다. 일반적으로, 적합한 분해 기체의 종류는, 유기실란, 디메틸실란, 임의의 실란 기체, 또는 임의의 다른 적합한 화학 기상 증착 기체를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 도입 및/또는 후속 처리(subsequent treatment)를 위한 다른 적합한 물질은 실란, 트리메틸실란, 디알킬실릴 디하이드라이드, 알킬실릴 트리하이드라이드, 디알킬실릴 디하이드라이드, 알킬실릴 트리하이드라이드, 유기플루오로트리알콕시실란, 및/또는 유기플루오로실릴하이드라이드를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.In one embodiment, forming the
화학 기상 증착 공정의 임의의 부분은 화학 기상 증착 챔버에 정화 기체(purge gas)의 도입을 통해서 화학 기상 증착 챔버에 정화 기체를 선택적으로 적용하는 것이 선행되거나 후속될 수 있다. 정화 기체는 질소, 헬륨, 아르곤, 또는 임의의 다른 적합한 불활성 기체이다. 정화(purging)는 1회의 정화 주기(purge cycle), 2회의 정화 주기, 3회의 정화 주기, 3회 초과의 정화 주기, 또는 화학 기상 증착 챔버가 화학적으로 불활성 환경이 되도록 허용하는 임의의 적합한 수의 정화 주기 내이다. 예를 들어, 하나의 실시 형태에서, 정화 후에, 분해 기체는 분해 기체의 열적 분해 온도 미만의 하위-분해 온도(sub-decomposition temperature)에서 도입된다. 본원에 사용된 바와 같이, 표현 "하위-분해 온도"는 분해 기체가 열적으로 분해되지 않는 조건을 지칭한다.Any portion of the chemical vapor deposition process may precede or follow the selective application of the purge gas to the chemical vapor deposition chamber through the introduction of a purge gas into the chemical vapor deposition chamber. The purge gas is nitrogen, helium, argon, or any other suitable inert gas. The purging may be accomplished by one purge cycle, two purge cycles, three purge cycles, three purge cycles, or any suitable number that allows the chemical vapor deposition chamber to be in a chemically inert environment It is within the purification cycle. For example, in one embodiment, after clarification, the cracked gas is introduced at a sub-decomposition temperature below the thermal cracking temperature of the cracking gas. As used herein, the expression "sub-decomposition temperature" refers to conditions under which the decomposition gas is not thermally decomposed.
하나의 실시 형태에서, 코팅(201)을 형성하기 전에, CVD 코팅을 수용하도록 기판(204)이 변형된다. 기판(204)의 변형은 임의의 적합한 처리 방법을 포함한다. 예를 들어, 기판(204)의 변형은 화학 기상 증착 챔버에 기판(204)을 단리시키고(isolating) 단계, 기판(204)을 예열하고, 챔버를 불활성 기체로 세정하고(flush) 챔버를 비우는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment, before forming the
기판(204)의 단리는 챔버 내의 불활성 분위기(inert atmosphere) 중에 실시된다. 챔버 내 기체의 흐름 및/또는 진공상태(vacuum)의 유지는 제어된 분위기(controlled atmosphere)를 제공할 수 있다. 열원은 기판(204)의 표면(203)으로부터 물을 탈착하고(deserb) 잔여 오염물을 제거하기 위해 챔버 내의 온도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 처리대상 표면(203)은 튜빙(tubing) 연결로 화학 기상 증착 챔버 내에 포함되어 화학 기상 증착 챔버의 기체 흐름의 출입을 허용할 수 있다. 챔버는 다수의 기류를 주입하고 제거하기 위해 구성된 다수의 제어된 흡기구 및 배기구를 포함할 수 있다. 진공상태는 하나 이상의 배기관과 연결될 수 있다.The isolation of the
기판(204)의 청결(cleanliness)에 따라, 금속은 100℃ 초과의 온도 및 1기압 미만의 압력하에서 수분 내지 15시간 범위의 기간 동안 가열함으로 제조될 수 있다. 일반적으로, 가열 온도는 기판(204)의 특성에 부합한다. 하나의 실시 형태에서, 상기 기간은 0.5 내지 15시간이다. 다른 실시 형태에서, 기판(204)은 450℃에서 2시간 동안 가열된다. 진공 상태하에서 제조 후에, 챔버는 불활성 기체로 선택적으로 세정되고 비워질 수 있다.Depending on the cleanliness of the
디메틸실란의 열적 분해는 디메틸실란을 분해하기 충분한 미리 결정된 압력 및 온도에서 반응 챔버로 디메틸실란을 도입하고, 상기 분해로부터의 성분을 기판(204)의 표면(203) 위에 증착하고, 기판(204)을 미리 결정된 기간동안 코팅하여 미리 결정된 두께를 달성하는고/하거나 디메틸실란의 챔버를 정화하는 것을 포함한다. 이론에 의해 한정하고자 하는 것은 아니지만, 디메틸실란은 열적으로 분해되어 카보실릴 단편(carbosilyl fragments)을 형성하며, 이는 기판(204)에 재조합(recombine)되어 결합(bind)되는 것으로 생각된다. 결과로 생성된 코팅(201)은 챔버의 노출된 표면뿐만 아니라 기판 표면상에 탄소, 규소 및 수소를 갖는 비정질의 카보실란을 포함하는 것으로 생각된다.The thermal decomposition of the dimethylsilane is carried out by introducing dimethylsilane into the reaction chamber at a predetermined pressure and temperature sufficient to decompose the dimethylsilane and depositing the components from the decomposition onto the
하나의 실시 형태에서, 적어도 분해 기체의 도입 중에, 화학 기상 증착 챔버의 작동은 실질적으로 촉매가 결여된(substantially devoid)(예를 들어, 공정에 영향을 주는 수준 미만의) 상태이거나 또는 촉매가 결여된(예를 들어, 탐지 가능한 수준으로 부재이고/이거나 완전히 부재인) 상태이다.In one embodiment, at least during the introduction of the cracking gas, the operation of the chemical vapor deposition chamber may be substantially devoid of the catalyst (e.g., below a level that affects the process) (E. G., ≪ / RTI > detectable to a member and / or completely absent).
하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 냉각 매립 증착(cold fill deposition)에 의해 형성된다. 냉각 매립 증착은 기판(204)을 화학 기상 증착 챔버 내에 위치시키고, 이어서 화학 기상 증착 챔버를 작동시키는 것을 포함한다. 화학 기상 증착 챔버의 작동은 화학 기상 증착 챔버를 정화하고, 증착 기체를 화학 기상 증착 챔버에 도입하고, 화학 기상 증착 챔버를 가열하고, 또는 이들의 조합을 포함한다. CVD를 통해서 형성되는 코팅(201)에 대해 개시된 이점에 더하여, 냉각 매립 증착을 통해서 형성되는 코팅(201)은, 상기 개시된 바와 같이, 그 위에 코팅(201)이 형성될 수 있는 물질의 수를 증가시킨다. 예를 들어, 냉각 매립 증착을 사용함으로, 코팅(201)은 산화 및/또는 열효과에 영향 받기 쉬운(prone to) 물질 위에 형성될 수 있다. 추가로, 코팅(201)의 냉각 매립 증착은 코팅(201)의 가교 결합 밀도(cross-link density)의 증가를 허용한다.In one embodiment, the
분해 기체의 도입 중 및/또는 후에, 하나의 실시 형태에서, 화학 기상 증착 챔버의 작동은 화학 기상 증착 챔버를 분해 기체의 열적 분해 온도와 동일하거나 이를 초과하는 초-분해 온도(super-decomposition temperature)까지 가열하는 것을 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, 표현 "초-분해 온도"는 분해 기체가 열적으로 분해하는 조건을 지칭한다. 화학 기상 증착 챔버를 분해 기체의 존재 중에 초-분해 온도까지 가열하는 것은 적어도 기판(204)의 표면(203) 위에 코팅(201)을 형성한다.During and / or after the introduction of the decomposition gas, in one embodiment, the operation of the chemical vapor deposition chamber is controlled by a super-decomposition temperature that is equal to or greater than the thermal decomposition temperature of the decomposition gas, Lt; / RTI > As used herein, the expression "super-decomposition temperature" refers to the conditions under which the decomposition gas decomposes thermally. Heating the chemical vapor deposition chamber to the super-decomposition temperature in the presence of decomposition gas at least forms a
화학 기상 증착 챔버는 하위-분해 온도에서 초-분해 온도까지 임의의 적합한 가열 속도(heating rate)로 가열된다. 분해 기체의 종류에 따라, 적합한 초-분해 온도는, 440℃ 내지 460℃ 사이, 460℃ 초과, 450℃ 초과, 460℃ 초과, 480℃ 초과, 500℃ 초과, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 적합한 가열 속도는, 분당 6℃ 내지 분당 10℃ 사이, 분당 7℃ 내지 분당 9℃ 사이, 분당 6℃ 초과, 분당 7℃ 초과, 분당 10℃ 미만, 분당 9℃ 미만, 분당 8℃, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 그러한 속도로, 하나의 실시 형태에서, 화학 기상 증착 챔버는 3분 내지 10분 사이의 기간, 5분 내지 10분 사이의 기간, 7분 내지 10분 사이의 기간, 3분 내지 7분 사이의 기간, 3분 내지 5분 사이의 기간, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위 동안 가열된다.The chemical vapor deposition chamber is heated to any suitable heating rate from sub-decomposition temperature to super-decomposition temperature. Depending on the type of decomposition gas, suitable super-decomposition temperatures may be between 440 ° C and 460 ° C, greater than 460 ° C, greater than 450 ° C, greater than 460 ° C, greater than 480 ° C, greater than 500 ° C, , A range, or a sub-range within it. Suitable heating rates are between 6 ° C and 10 ° C per minute, between 7 ° C and 9 ° C per minute, greater than 6 ° C per minute, greater than 7 ° C per minute, less than 10 ° C per minute, less than 9 ° C per minute, 8 ° C per minute, But are not limited to, any suitable combination, sub-combination, range, or sub-range therein. At such a rate, in one embodiment, the chemical vapor deposition chamber has a period of between 3 minutes and 10 minutes, a period of between 5 minutes and 10 minutes, a period of between 7 minutes and 10 minutes, a period of between 3 minutes and 7 minutes , A period between 3 minutes and 5 minutes, or any suitable combination, sub-combination, range, or sub-range therein.
하나의 실시 형태에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 증착된 물질은 기판(204) 및 코팅(201) 사이에 걸쳐(extending) 확산 지역(305)을 형성하며 금속 기판의 표면(203)으로 확산한다. 코팅(201)을 형성한 후에, 챔버는 디메틸실란 및 휘발성, 비-증착된 카보실릴 단편이 정화될 수 있다. 만일 더 두꺼운 증착층이 바람직하다면, 증착 조건이 변경된다. 이는 온도, 압력, 시간, 또는 이들의 조합을 변경함으로써 달성될 수 있다. 다수의 층들 또한 디메틸실란의 도입 및 열적 분해를 반복함으로써 적용될 수 있다.In one embodiment, the deposited material
분해 기체 및 다른 매개변수에 따라, 분해에 적합한 압력은 1.0 psia 내지 250 psia 사이, 1.0 및 200 psia 사이, 1.0 psia 내지 150 psia 사이, 1.0 psia 내지 100 psia 사이, 1.0 psia 내지 75 psia 사이, 1.0 psia 내지 50 psia 사이, 1.0 psia 내지 40 psia 사이, 1.0 psia 내지 30 psia 사이, 1.0 psia 내지 20 psia 사이, 1.0 psia 내지 10 psia 사이, 1.0 psia 내지 5.0 psia 사이, 5 psia 내지 40 psia 사이, 1.0 psia, 5 psia, 40 psia, 100 psia, 200 psia, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위이다.Depending on the decomposition gas and other parameters, the pressure suitable for decomposition is between 1.0 psia and 250 psia, between 1.0 and 200 psia, between 1.0 psia and 150 psia, between 1.0 psia and 100 psia, between 1.0 psia and 75 psia, between 1.0 psia Between about 1 psia and about 50 psia, between about 1.0 psia and about 40 psia, between about 1.0 psia and about 30 psia, between about 1.0 psia and about 20 psia, between about 1.0 psia and about 10 psia, between about 1.0 psia and about 5.0 psia, between about 5 psia and about 40 psia, 5 psia, 40 psia, 100 psia, 200 psia, or any suitable combination, sub-combination, range, or sub-range therein.
분해 기체 및 다른 매개변수에 따라, 분해에 적합한 온도는 30℃ 미만, 60℃ 미만, 100℃ 미만, 150℃ 미만, 200℃ 미만, 250℃ 미만, 300℃ 미만, 350℃ 미만, 400℃ 미만, 440℃ 미만, 450℃ 미만, 100℃ 내지 300℃ 사이, 125℃ 내지 275℃ 사이, 200℃ 내지 300℃ 사이, 230℃ 내지 270℃ 사이, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위이다.Deg.] C, less than 200 [deg.] C, less than 250 [deg.] C, less than 300 [deg.] C, less than 350 [deg.] C, less than 400 [deg.] C, Sub-combination, range, or any combination thereof, that is less than 440 ° C, less than 450 ° C, 100 ° C to 300 ° C, 125 ° C to 275 ° C, 200 ° C to 300 ° C, Sub-range within.
분해 기체 및 다른 매개변수에 따라, 분해에 적합한 기간은 10분 내지 24시간 사이, 1시간 내지 10시간 사이, 2시간 내지 10시간 사이, 4시간 내지 6시간 사이, 4시간 내지 8시간 사이, 적어도 10분, 적어도 1시간, 적어도 4시간, 적어도 10시간, 10시간 미만, 8시간 미만, 6시간 미만, 4시간 미만, 또는 임의의 적합한 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위이다.Depending on the decomposition gas and other parameters, the period of time suitable for the decomposition is between 10 minutes and 24 hours, between 1 hour and 10 hours, between 2 hours and 10 hours, between 4 hours and 6 hours, between 4 hours and 8 hours, 10 minutes, at least 1 hour, at least 4 hours, at least 10 hours, less than 10 hours, less than 8 hours, less than 6 hours, less than 4 hours, or any suitable combination, sub-combination, .
코팅(201)의 두께는 코팅 대상 기판(204)의 기하학적 구조(geometry) 및 요구되는 마감(finish)의 종류에 따라 달라지지만, 본원에 개시된 방법에 따라 제작된 실시 형태에서, 코팅(201)은 100 nm 내지 10,000 nm 사이, 100 nm 내지 5,000 nm 사이, 200 nm 내지 5,000 nm 사이, 100 nm 내지 3,000 nm 사이, 300 nm 내지 1,500 nm 사이, 또는 임의의 조합, 하위-조합, 범위, 또는 그 안의 하위-범위의 두께를 가진다. 다른 실시 형태에서, 확산 지역(305)은 5 nm 내지 500 nm 사이이다. 예를 들어, 추가의 실시 형태에서, 코팅(201)은 130 nm로 연장하고, 확산 지역(305)의 일부분을 포함하는데, 이는 20 nm를 연장하며 O의 증가된 농도 및 C 및 Si의 감소된 농도(예를 들어, 적어도 4배)를 기준으로 식별 가능하다.The thickness of the
하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 표면 작용이 결여되거나 실질적으로 결여되며, 이는 코팅(201)이 없는 기판(204)과 비교하여 제조 흐름 경로(205)에서 가공 물질(105)의 정체 및/또는 축적을 감소시키거나 제거한다(추가로, 표면 작용은, 예를 들어, 청색 또는 자색 외관을 생성하기 위한 변색(discoloration)을 지칭하지만, 이에 제한되지는 않는다). 가공 물질(105)의 정체 및/또는 축적을 감소시키거나 제거함에 의해, 코팅(201)은 현행 OLED 제조 시스템과 연관된 교차 오염 문제를 감소시키거나 제거한다. 추가적으로, 가공 물질(105)의 정체 및/또는 축적을 감소시키거나 제거함에 의해, 코팅(201)은 세척 시간을 단축하며, 제조 효율을 증가시키고, 순수한 OLED 디스플레이의 제조를 제공하며, 제조 수율을 증가시키고/시키거나 제조 비용을 절감한다.In one embodiment, the
임의의 다른 적합한 처리 단계가 분해 기체가 도입된 후에 코팅(201) 위에서 실시된다. 코팅(201)의 처리는, 예를 들어, 기판(204) 위에 적용되는 코팅(201)의 가열 및/또는 변형을 포함한다. 하나의 실시 형태에서, 상기 처리는 기판(204) 및/또는 코팅(201)의 적합한 유기실란 시약에의 노출을 포함한다. 하나의 적합한 유기실란 시약은 R, R', R"가 유기관능성 기인, 화학식 RR'R"Si-H로 이루어진 삼관능성 유기실란(trifunctional organosilane)이다. 유기관능성 기의 예는 알킬, 아릴, 할로겐화된 알킬 및 아릴, 케톤, 알데히드, 아실, 알콜, 에폭시, 및 니트로 - 유기기, 및 유기금속 관능기이다. 하나의 실시 형태에서, 유기실란은 트리메틸실란이다.Any other suitable processing step is carried out on the
R'기를 변형하고 다르게 함으로써, 또는 히드록실기와 반응성이 있는 다른 분자를 사용함으로써, 처리된 코팅(예를 들어, 공기-산화된 카르복시실란층)의 표면 특성이 조정된다. 예를 들어, 하나의 실시 형태에서, 상기 조정은 경도 및 내마모성, 불활성, 정지 마찰, 코킹(coking), 접촉각(contact angle) 및 이들의 조합을 증가시키거나 감소시킨다. 다른 실시 형태에서, 정지 마찰을 감소시키고/시키거나 반-정지 마찰 특성(anti-stiction properties)을 제공하기 위한 코팅(201)의 조정은, 기판(204)의 비코팅된(uncoated) 표면(203)과 비교하여, 제조 흐름 경로(205)에서 가공 물질(105)의 점착(adhesion), 정체, 잔류, 오염 및/또는 축적을 감소시키거나 제거한다. 제조 흐름 경로(205)에서 가공 물질(105)의 점착, 정체, 잔류, 오염, 및/또는 축적을 감소시키거나 제거함으로써, 코팅(201)은 가공 물질(105)의 교차 오염을 감소시키거나 제거하며, 제조 에러를 감소시키고, 세척 시간을 단축하며, OLED 제조 효율을 증가시키고 및/또는 제조 비용을 절감한다.The surface properties of the treated coating (e. G., The air-oxidized carboxysilane layer) are adjusted by modifying and varying the R 'group, or by using other molecules that are reactive with hydroxyl groups. For example, in one embodiment, the adjustment increases or decreases hardness and abrasion resistance, inertness, static friction, coking, contact angle, and combinations thereof. In another embodiment, adjustment of the
하나의 실시 형태에서, 디메틸실란의 CVD는 카르복시실란을 형성하기 위한 산화 및/또는 관능화된 카르복시실란을 형성하기 위한 관능화가 수반된다. 코팅(201)의 산화는 미리 결정된 산화 조건 하에서 코팅(201)에 반응성 산소 종(reactive oxygen species)을 공여할 수 있는 임의의 적합한 화학 종류에 노출시키는 것을 포함한다. 일반적으로, 산화는 코팅(201)의 대부분에 영향을 미치는 대규모의 반응이다. 산화는 기판(204)의 표면(203) 위의 카보실란 및 관능화된 카보실란-계 화학 기상 증착 가공 물질의 경도 및/또는 내마모성을 향상시킨다. 산화는 챔버 내 온도, 챔버 내 노출 시간, 희석 기체(diluent gas)의 종류 및/또는 양, 압력 및/또는 다른 적합한 공정 조건을 증가시키거나 감소시킴에 의해 제어될 수 있다. 산화의 제어는 산화의 양 및/또는 깊이 및, 따라서, 표면의 내마모성 및/또는 경도를 증가시키거나 또는 감소시킬 수 있다.In one embodiment, the CVD of the dimethylsilane is accompanied by the functionalization to form an oxidized and / or functionalized carboxysilane to form a carboxysilane. The oxidation of the
코팅(201)의 산화를 위한 화학 종은 코팅(201)의 요구되는 특성에 근거하여 선택된다. 코팅(201)의 산화에 적합한 화학종은, 예를 들어, 물, 산소, 공기, 아산화질소, 오존, 과산화물(peroxide), 및 이들의 조합을 포함한다. 하나의 실시 형태에서, 코팅(201)은 산화제인 물로 산화된다(예를 들어, 100℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 또는 450℃의 온도에서). 이러한 실시 형태에서, 상기 산화는 (공기 및 물의 산화제(oxidizing reagent)를 사용한 경우와 비교하여) 마찰을 줄이며, (예를 들어, 공기 및 물의 산화제를 사용한 경우와 비교하여) 내마모성을 감소시키고, Si-O-Si 기를 형성한다. 이러한 실시 형태에서 형성되는 Si-O-Si 기는 가공 물질(105)과 관련해서 코팅(201)의 표면 작용을 추가적으로 감소시키거나 제거할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 코팅(201)은 (예를 들어, 100℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 또는 450℃의 온도에서) 공기 및 물을 포함하는 산화제로 산화된다. 이러한 실시 형태에서, 산화는 (예를 들어, 물만을 산화제로 사용한 경우와 비교하여) 과산화하여(over-oxidize) C-H 기의 양을 감소시키고, (예를 들어, 물만을 산화제로 사용한 경우와 비교하여) Si-C 기의 양을 감소시키며, (예를 들어, 물만을 산화제로 사용한 경우와 비교하여) Si-OH/C-OH 기의 양을 증가시킨다. 가공 물질(105)에 따라, C-H 및 Si-C 기의 감소된 양 및/또는 Si-OH/C-OH 기의 증가된 양은 코팅(201)의 표면 작용을 추가로 감소시키거나 제거할 수 있다. 교대의 실시 형태에서, 코팅(201)은 (예를 들어, 100℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 300℃ 내지 600℃의 온도 범위에서, 또는 450℃의 온도에서) 공기(단독)로 산화된다. 이러한 실시 형태에서, 산화는 마찰을 줄이며, (예를 들어, 물의 산화제를 사용한 경우와 비교하여) 내마모성을 증가시키고, Si-O-Si 및 Si-OH 그룹을 형성한다. 줄어든 마찰 및 증가된 내마모성은 코팅(201)을 포함하는 OLED 제조 시스템(100)의 효율을 증가시킬 수 있고/있거나, Si-O-Si 및 Si-OH 기는 코팅(201)의 표면 작용을 더욱 감소시키거나 제거할 수 있다.Chemical species for oxidation of the
하나의 실시 형태에서, 코팅(201)을 기판(204)의 표면(203) 위에 형성한 후에, 코팅(201)은 트리메틸실란으로 처리된다. 다른 실시 형태에서, 코팅(201)은 트리메틸실란으로 처리되기 전에 산화되어 카르복시실란을 형성한다. 추가의 실시 형태에서, 카르복시실란을 트리메틸실란으로 처리한 후에, 코팅(201)은 관능화된다. 트리메틸실란으로의 처리는 비처리된(untreated) 산화된 및/또는 관능화된 코팅에 비해 불활성, 내식성(corrosion resistance), 소수성, pH 저항성(pH resistance), 내마모성 및 경도, 및 이들의 조합에 개선을 제공할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 코팅(201)은 반-정지 마찰 및 반-코킹 특성을 위해 조정될 수 있다.In one embodiment, after forming the
본 발명이 하나 이상의 실시 형태들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경이 이루어질 수 있으며 동등물(equivalent)이 구성 요소(element)를 대체할 수 있다는 것은 당업자에 의해 이해될 것이다. 또한, 특정 상황 또는 물질을 본 발명의 교시에 적합하게 하기 위한 많은 변형이 본 발명의 본질적인 범위를 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 본 발명을 수행하기 위한 최선의 방식으로서 개시된 특정 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명은 첨부된 청구항의 범위에 속하는 모든 실시 형태들을 포함하는 것으로 의도된다. 또한, 상세한 설명에서 식별된 모든 수치들은 정확한 값 및 근사치가 모두 명백히 식별되는 것으로 이해되어야 한다.Although the present invention has been described with reference to one or more embodiments, it will be understood by those skilled in the art that various changes may be made and equivalents may be substituted for elements without departing from the scope of the invention . In addition, many modifications may be made to adapt a particular situation or material to the teachings of the invention without departing from the essential scope thereof. Therefore, it is intended that the invention not be limited to the particular embodiment disclosed as the best mode contemplated for carrying out this invention, but that the invention will include all embodiments falling within the scope of the appended claims. It is also to be understood that all numerical values identified in the detailed description are clearly identified as being both exact and approximate.
Claims (20)
상기 피드 튜브의 내측 표면 상에 적용되는 화학 기상 증착 코팅;을 포함하며,
상기 화학 기상 증착 코팅은 디메틸실란(dimethylsilane)의 분해로부터 형성되는,
딜리버리 디바이스(delivery device).
A feed tube; And
A chemical vapor deposition coating applied on an inner surface of the feed tube,
Wherein the chemical vapor deposition coating is formed from decomposition of dimethylsilane,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 적어도 1.0 psia 및 200 psia의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied under conditions of at least 1.0 psia and 200 psia,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 적어도 1.0 psia 및 10 psia의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied under conditions of at least 1.0 psia and 10 psia,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 200 ℃ 내지 600 ℃의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied under the condition of 200 캜 to 600 캜,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 400 ℃ 내지 500 ℃의 조건 하에서 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied at a temperature of 400 ° C to 500 ° C,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 10분 내지 6시간 동안 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied for 10 minutes to 6 hours,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 4시간 내지 6시간 동안 적용되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is applied for 4 to 6 hours,
Delivery device.
상기 딜리버리 디바이스는 유기발광다이오드 제조 시스템 내에 배치되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the delivery device is disposed within the organic light emitting diode manufacturing system,
Delivery device.
상기 피드 튜브 내에 수용되는 가공 물질(processing material)을 더 포함하는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Further comprising a processing material contained within the feed tube,
Delivery device.
상기 딜리버리 디바이스는 상기 가공 물질이 코팅 대상 기판을 향하게 하도록 배열 및 배치되는,
딜리버리 디바이스.
10. The method of claim 9,
Wherein the delivery device is arranged and arranged to direct the workpiece material to a substrate to be coated,
Delivery device.
상기 가공 물질은 유기 물질인,
딜리버리 디바이스.
10. The method of claim 9,
Wherein the working material is an organic material,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 산화되는(oxidized),
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
The chemical vapor deposition coating may be oxidized,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 관능화된(functionalized),
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
The chemical vapor deposition coating is a functionalized,
Delivery device.
상기 화학 기상 증착 코팅은 트리메틸실란(trimethylsilane)으로 처리되는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical vapor deposition coating is treated with trimethylsilane,
Delivery device.
상기 내측 표면은 순수 금속 표면(pure metal surface) 또는 실질적으로 순수한 금속 표면인,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the inner surface is a pure metal surface or a substantially pure metal surface,
Delivery device.
상기 내측 표면은 금속 합금 표면(metal alloy surface)인,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the inner surface is a metal alloy surface,
Delivery device.
상기 내측 표면은 불순 금속 표면(impure metal surface)인,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the inner surface is an impure metal surface,
Delivery device.
추가 피드 튜브들을 더 포함하는,
딜리버리 디바이스.
The method according to claim 1,
Further comprising additional feed tubes,
Delivery device.
상기 딜리버리 디바이스와 선택적인 유체 소통을 하는 챔버;를 포함하는,
제조 시스템.
A delivery device having a feed tube and a chemical vapor deposition coating applied on an inner surface of the feed tube, the chemical vapor deposition coating being formed from the decomposition of dimethylsilane; And
And a chamber for selective fluid communication with the delivery device.
Manufacturing system.
상기 화학 기상 증착 코팅을 포함하는 상기 표면 위로 물질을 이동시키는 단계;를 포함하며,
상기 컴포넌트는 피드 튜브, 초고진공(ultra-high vacuum: UHV) 컴포넌트, 샤워 헤드(shower head), 디플렉터 플레이트(deflector plate), 피팅(fitting), 및 이것들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
물품 제조 공정.
Providing a component comprising a chemical vapor deposition coating applied on a surface, wherein the chemical vapor deposition coating is formed from decomposition of dimethylsilane; And
And moving the material over the surface comprising the chemical vapor deposition coating,
Wherein the component is selected from the group consisting of a feed tube, an ultra-high vacuum (UHV) component, a shower head, a deflector plate, a fitting,
Goods manufacturing process.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462090940P | 2014-12-12 | 2014-12-12 | |
| US62/090,940 | 2014-12-12 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170081979A Division KR20170077865A (en) | 2014-12-12 | 2017-06-28 | Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160072042A true KR20160072042A (en) | 2016-06-22 |
Family
ID=56365182
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150175030A Ceased KR20160072042A (en) | 2014-12-12 | 2015-12-09 | Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing |
| KR1020170081979A Ceased KR20170077865A (en) | 2014-12-12 | 2017-06-28 | Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170081979A Ceased KR20170077865A (en) | 2014-12-12 | 2017-06-28 | Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR20160072042A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210094575A (en) * | 2018-11-29 | 2021-07-29 | 실코텍 코포레이션 | Fluid Contact Methods, Coated Articles, and Coating Methods |
-
2015
- 2015-12-09 KR KR1020150175030A patent/KR20160072042A/en not_active Ceased
-
2017
- 2017-06-28 KR KR1020170081979A patent/KR20170077865A/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210094575A (en) * | 2018-11-29 | 2021-07-29 | 실코텍 코포레이션 | Fluid Contact Methods, Coated Articles, and Coating Methods |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170077865A (en) | 2017-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20151209 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20151209 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160923 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20170329 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20160923 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
| AMND | Amendment | ||
| PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20170329 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20151209 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
| PX0601 | Decision of rejection after re-examination |
Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06014S01D Patent event date: 20170601 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20170502 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06011S01I Patent event date: 20170329 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PX06013S01I Patent event date: 20160923 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20151209 |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20170628 Patent event code: PA01071R01D |