[go: up one dir, main page]

KR20120037364A - 도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자 - Google Patents

도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20120037364A
KR20120037364A KR1020117020193A KR20117020193A KR20120037364A KR 20120037364 A KR20120037364 A KR 20120037364A KR 1020117020193 A KR1020117020193 A KR 1020117020193A KR 20117020193 A KR20117020193 A KR 20117020193A KR 20120037364 A KR20120037364 A KR 20120037364A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrically conductive
conductive paste
binder resin
weight
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020117020193A
Other languages
English (en)
Inventor
이사오 야마나카
신타로 모리구치
겐지 야마우치
히로시 히라이케
가즈히로 오모리
다이헤이 스기타
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20120037364A publication Critical patent/KR20120037364A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C08F20/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F20/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F20/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/215—Geometries of grid contacts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/14—Methyl esters, e.g. methyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1804—C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/02—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing phosphorus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 도전성 분말의 분산성이 높고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있고, 또한, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 얻을 수 있는 도전성 페이스트용 바인더 수지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 그 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여 제조되는 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 갖고, 또한, ω 위치에 하기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 갖는 폴리머로 이루어지는 도전성 페이스트용 바인더 수지이다.
Figure pct00012

일반식 (1) 중, X 는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, R1 및 R2 는 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.

Description

도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자 {BINDER RESIN FOR CONDUCTIVE PASTE, CONDUCTIVE PASTE, AND SOLAR CELL ELEMENT}
본 발명은 도전성 분말의 분산성이 높고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있고, 또한, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 얻을 수 있는 도전성 페이스트용 바인더 수지에 관한 것이다. 또, 본 발명은 그 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여 제조되는 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자에 관한 것이다.
태양 전지 소자 등의 전극, 배선 등을 형성하는 방법으로서 예를 들어, 반도체 기판의 표면 또는 이면에 각각 필요한 여러 가지 층을 적층한 후, 도전성 페이스트를 이들 층 상에 인쇄하고 건조시켜, 소정의 온도에서 소성하는 방법이 널리 사용되고 있다. 이와 같은 방법에 사용되는 도전성 페이스트는, 바인더 수지가 되는 수지 성분을 유기 용제에 용해하여 얻어지는 비히클 조성물 중에, 도전성을 갖는 금속 분말 (도전성 분말) 을 분산시킴으로써 제조된다.
종래, 도전성 페이스트에 사용되는 바인더 수지로서 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지가 사용되어 왔다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 비표면적이 0.20 ? 0.60 ㎡/g 인 은입자, 유리 프릿, 수지 바인더 및 시너를 함유하는 태양 전지 수광면 전극용 페이스트가 개시되어 있고, 수지 바인더로서 에틸셀룰로오스가 사용되고 있다.
그러나, 셀룰로오스계 수지를 사용한 도전성 페이스트는, 소성 공정에서의 셀룰로오스계 수지의 열분해성이 불충분하기 때문에, 얻어지는 배선에 탄소 성분이 잔류하고, 도전성 분말의 기판에 대한 접착 강도가 저하되어, 배선에 박리가 생기기 쉬운 것이 문제이다.
이 문제를 해결하기 위해서, 바인더 수지로서 비교적 열분해성이 양호한 아크릴계 수지가 사용되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 2 에는, 소정의 아크릴계 수지를 함유하는 외부 전극용 도전성 페이스트를 사용하여, 세라믹 전자 부품을 제조하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 아크릴계 수지를 사용한 도전성 페이스트는 도전성 분말의 분산성이 나쁘고, 점도가 불균일하며, 예를 들어, 태양 전지 소자의 배선을 형성하는 경우, 인쇄시에 페이스트가 떨어지거나 스미거나 하여, 얻어지는 배선의 애스펙트비가 작아진다. 애스펙트비란, 배선의 단면 폭에 대한 단면 높이의 비 (단면 높이/단면 폭) 이고, 애스펙트비가 작아지면, 태양 전지 소자의 채광률이 악화되어 에너지 변환 효율이 저하된다.
도전성 분말의 분산성을 향상시키기 위해서는, 일반적으로, 인산계 분산제를 첨가하는 것이나, 인산계 측사슬을 갖는 수지를 사용하는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 3 에는, 소정의 포스폰산에스테르기 함유 (메트)아크릴아미드계 중합체로 이루어지는 도전성 수지, 및, 그 도전성 수지로 이루어지는 도전성 금속 페이스트용 바인더가 개시되어 있다.
그러나, 인산계 분산제 또는 인산계 측사슬을 갖는 수지를 배합하면, 비교적 열분해성이 양호한 아크릴계 수지를 사용한 도전성 페이스트에 있어서도, 소성 후의 잔류 탄소 성분이 증가하여, 배선의 성능에 영향을 주는 것이 문제이다.
일본 공개특허공보 2007-235082호 일본 특허공보 제4096661호 일본 특허공보 제4248551호
본 발명은 도전성 분말의 분산성이 높고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있고, 또한, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 얻을 수 있는 도전성 페이스트용 바인더 수지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 그 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여 제조되는 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 갖고, 또한, ω 위치에 하기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 갖는 폴리머로 이루어지는 도전성 페이스트용 바인더 수지이다.
[화학식 1]
Figure pct00001
일반식 (1) 중, X 는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, R1 및 R2 는 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.
이하에 본 발명을 상세히 서술한다.
본 발명자들은 (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 갖고, 또한, ω 위치에 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 갖는 폴리머로 이루어지는 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용함으로써, 도전성 분말의 분산성이 높고, 또한, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트가 얻어지는 것을 알아냈다. 본 발명자들은 이와 같은 도전성 페이스트는 인쇄성이 우수하고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지는 (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 갖고, 또한, ω 위치에 하기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 갖는 폴리머로 이루어진다.
[화학식 2]
Figure pct00002
상기 일반식 (1) 중, X 는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, R1 및 R2 는 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.
또한, 본 명세서 중, 폴리머의 ω 위치에 존재하는 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을, 간단히 ω 위치의 인산계 성분이라고도 한다. 또, 본 명세서 중, 장사슬 알킬의 맨 처음의 탄소 원자 부분을 α 위치라고 하는데 대해, 맨 끝의 탄소 원자 부분을 ω 위치라고 한다. 즉, ω 위치란, 수지를 구성하는 폴리머 주사슬에 있어서의 최말단 부분을 의미한다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지는 (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 가짐으로써 셀룰로오스계 수지에 비해 열분해성이 우수하고, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 제조할 수 있다.
상기 (메트)아크릴레이트 모노머는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, n-스테아릴(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 폴리옥시프로필렌(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 또한, 본 명세서 중, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 중 어느 쪽이어도 되는 것을 의미하지만, 메타크릴레이트인 것이 바람직하다.
또, 일반적으로, (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 갖는 폴리머로 이루어지는 수지는 셀룰로오스계 수지에 비해 열분해성은 우수하지만, 도전성 분말을 양호하게 분산시키는 것이 곤란하다. 이에 대하여, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지는, 폴리머의 ω 위치에 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 가짐으로써, 도전성 분말을 양호하게 분산시킬 수 있고, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여, 인쇄성이 우수하고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있는 도전성 페이스트를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지에 있어서는, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분이 존재하는 부위가 폴리머의 ω 위치이기 때문에, 인산계 성분을 도입해도 우수한 열분해성을 유지할 수 있고, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 제조할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지에 있어서, 상기 ω 위치의 인산계 성분 이외에 폴리머 중에 인산계 성분을 갖는 경우에는, 그 ω 위치의 인산계 성분 이외의 인산계 성분의 함유량은 폴리머 전체에 대해 5 중량％ 미만인 것이 바람직하다. 상기 ω 위치의 인산계 성분 이외의 인산계 성분의 함유량이 5 중량％ 이상이면, 도전성 페이스트용 바인더 수지의 열분해성이 저하되고, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 제조할 수 없는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머, 및, 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물을 함유하는 모노머 혼합물을 중합하여 폴리머를 얻는 방법을 들 수 있다.
상기 중합 방법은 특별히 한정되지 않고, 통상적인 (메트)아크릴레이트 모노머의 중합에 사용되는 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 프리 라디컬 중합법, 리빙 라디컬 중합법, 이니퍼터 중합법, 아니온 중합법, 리빙 아니온 중합법 등을 들 수 있다.
상기 모노머 혼합물에는, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머에 추가하여, 얻어지는 폴리머의 ω 위치에 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 도입하기 위해서, 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물이 첨가된다.
상기 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물은 연쇄 이동제로서 작용하고, 폴리머 말단에만 도입되며, 폴리머 중이나 폴리머의 측사슬에 도입되는 경우는 없다. 이 때문에, 얻어지는 폴리머의 ω 위치에만 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분이 도입된다. 또한, 폴리머 중에 상기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분이 도입된 경우에는, 형광 X 선 분석에 의해 인 원자의 유무를 분석함으로써 확인할 수 있다.
상기 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 티오인산에스테르, 하기 일반식 (3) 또는 (4) 로 나타내는 인산에스테르 등을 들 수 있다.
[화학식 3]
상기 일반식 (2) 중, X 는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, R3 및 R4 는 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.
[화학식 4]
Figure pct00004
상기 일반식 (3) 중, R5, R6 및 R7 은 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.
[화학식 5]
Figure pct00005
상기 일반식 (4) 중, R8, R9 및 R10 은 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.
상기 일반식 (2) 로 나타내는 티오인산에스테르는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 티오인산비스(2-에틸헥실), 티오인산디에틸, 티오인산디메틸, 디티오인산비스(2-에틸헥실), 디티오인산디에틸, 디티오인산디메틸 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (3) 으로 나타내는 인산에스테르는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 티오글리콜산모노인산에스테르, 티오글리콜산모노디메틸인산에스테르, 티오글리콜산모노디에틸인산에스테르, 티오글리콜산모노디에틸헥실인산에스테르 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (4) 로 나타내는 인산에스테르는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 티오프로피온산모노인산에스테르, 티오프로피온산모노디메틸인산에스테르, 티오프로피온산모노디에틸인산에스테르, 티오프로피온산모노디에틸헥실인산에스테르 등을 들 수 있다.
이들 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물은 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 모노머 혼합물에 있어서, 상기 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머 100 중량부에 대한 바람직한 하한은 0.01 중량부, 바람직한 상한은 30 중량부이다. 상기 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물의 함유량이 0.01 중량부 미만이면, 얻어지는 도전성 페이스트용 바인더 수지는 도전성 분말을 양호하게 분산시키지 못하는 경우가 있어, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있는 도전성 페이스트를 제조할 수 없는 경우가 있다. 상기 인산계 성분과 티올기를 갖는 화합물의 함유량이 30 중량부를 초과하면, 얻어지는 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 제조할 수 없는 경우가 있다.
상기 모노머 혼합물은 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 중합 개시제는 특별히 한정되지 않고, 통상적인 (메트)아크릴레이트 모노머의 중합에 사용되는 중합 개시제를 사용할 수 있고, 예를 들어, AIBN 등의 아조계 중합 개시제나, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시 디카보네이트, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르 등의 유기 과산화물계 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 모노머 혼합물에 있어서, 상기 중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머 100 중량부에 대한 바람직한 하한은 0.01 중량부, 바람직한 상한은 30 중량부이다. 상기 중합 개시제의 함유량이 0.01 중량부 미만이면, 개시제로서의 양이 부족하여, 중합 반응이 일어나지 않는 경우가 있다. 상기 중합 개시제의 함유량이 30 중량부를 초과하면, 개시제의 잔류물이 많아져, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분에 악영향을 주는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지의 유리 전이 온도 (Tg) 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 10 ℃, 바람직한 상한은 80 ℃ 이다. 상기 유리 전이 온도가 10 ℃ 미만이면, 도전성 페이스트용 바인더 수지가 지나치게 부드러워, 후술하는 은 분말 등의 도전성 분말을 지지하지 못하여, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있는 도전성 페이스트를 제조할 수 없는 경우가 있다. 상기 유리 전이 온도가 80 ℃ 를 초과하면, 도전성 페이스트용 바인더 수지가 딱딱해져, 도전성 페이스트의 인쇄성에 악영향을 주는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정한 폴리스티렌 환산에 의한 수평균 분자량의 바람직한 하한은 5000, 바람직한 상한은 3 만이다. 상기 수평균 분자량이 5000 미만이면, 도전성 페이스트용 바인더 수지가 지나치게 부드러워져, 후술하는 은 분말 등의 도전성 분말을 지지하지 못하여, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있는 도전성 페이스트를 제조할 수 없는 경우가 있다. 상기 수평균 분자량이 3 만을 초과하면, 도전성 페이스트용 바인더 수지의 점착성이 지나치게 강해져 페이스트로 했을 때, 실 끌림이나 이형의 악화 등, 도전성 페이스트의 인쇄성에 악영향을 주는 경우가 있다.
또한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의해 폴리스티렌 환산에 의한 수평균 분자량을 측정할 때의 칼럼으로는, 예를 들어, SHOKO 사 제조 칼럼 LF-804 등을 들 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지는 10 ℃/분의 승온 속도로 600 ℃ 까지 가열했을 때의 잔류 탄소 성분이 1 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 잔류 탄소 성분이 1 중량％ 를 초과하면, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 제조할 수 없는 경우가 있다.
또한, 상기 잔류 탄소 성분은 소성 후에 탄소-황 분석 장치 (EMIA-820) 를 사용하여 분석함으로써 측정할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지의 용도는 특별히 한정되지 않고, 도전성 분말, 유기 용제 등의 다른 성분과 혼합함으로써, 태양 전지 소자, 세라믹 전자 부품 등의 전극, 도전층, 도전성 배선 등을 형성하기 위한 도전성 페이스트로서 사용할 수 있다. 그 중에서도, 태양 전지 소자의 도전층 또는 도전성 배선을 형성하기 위한 도전성 페이스트로서 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 분말 및 유기 용제를 함유하는 도전성 페이스트도 또한, 본 발명 중 하나이다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 인쇄 가능한 한 소량인 것이 바람직하지만, 도전성 페이스트 전체에 대한 바람직한 하한은 1 중량％, 바람직한 상한은 20 중량％ 이다. 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지의 함유량이 1 중량％ 미만이면, 얻어지는 도전성 페이스트에 있어서의 도전성 분말의 분산성이 저하되는 경우가 있다. 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지의 함유량이 20 중량％ 를 초과하면, 얻어지는 도전성 페이스트를 소성한 후에 잔류하는 탄소 성분이 증가하여, 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 배선의 성능에 영향을 주는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 도전성 분말을 함유한다.
상기 도전성 분말은 페이스트에 도전성을 부여하는 성분이다. 상기 도전성 분말은 특별히 한정되지 않고, 통상적으로 사용되는 도전성 분말을 사용할 수 있고, 예를 들어, 은 분말, 구리 분말, 니켈 분말, 및, 이들의 산화물, 탄산화물, 아세트산화물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 은 분말이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 도전성 분말의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 도전성 페이스트 전체에 대한 바람직한 하한은 10 중량％, 바람직한 상한은 95 중량％ 이다. 상기 도전성 분말의 함유량이 10 중량％ 미만이면, 얻어지는 도전성 페이스트는 인쇄성이 저하되어, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 없는 경우가 있다. 상기 도전성 분말의 함유량이 95 중량％ 를 초과하면, 페이스트화가 곤란해지는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 유기 용제를 함유한다.
상기 유기 용제는 1 기압하에서의 비점의 바람직한 하한이 150 ℃, 바람직한 상한이 350 ℃ 이다. 이와 같은 범위를 만족시킴으로써, 인쇄시의 유기 용제의 휘발이 억제되고, 도전성 페이스트의 점도가 안정되고 인쇄성이 향상되어, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있다.
상기 비점의 하한이 150 ℃, 상한이 350 ℃ 인 유기 용제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 글리콜계 용제, 글리콜계 에스테르 용제, 카르비톨계 용제, 테르피네올계 용제 등을 들 수 있다.
상기 글리콜계 용제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 펜타에틸렌글리콜, 헥사에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 페닐프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 벤질글리콜 등을 들 수 있다.
상기 글리콜계 에스테르 용제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜도데실에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜도데실에테르아세테이트, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노 n 부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노올레에이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노 n 부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노올레에이트아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노라우레이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노스테아레이트, 트리에틸렌글리콜모노벤질에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 디프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸 에테르아세테이트테트라에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜도데실에테르, 테트라에틸렌글리콜모노옥틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르, 펜타에틸렌글리콜도데실에테르, 헵타에틸렌글리콜도데실에테르, 헥사에틸렌글리콜도데실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노벤질에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르, 프로필렌글리콜모노페닐에테르 등을 들 수 있다.
상기 카르비톨계 용제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 옥타에틸렌글리콜모노도데실에테르부틸카르비톨, 부틸카르비톨아세테이트 등을 들 수 있다.
상기 테르피네올계 용제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 테르피네올, 테르피네아세테이트, 디하이드로테르피네올, 디하이드로테르피네올아세테이트 등을 들 수 있다.
또, 상기 비점의 하한이 150 ℃, 상한이 350 ℃ 인 유기 용제로서 예를 들어, 텍사놀, 벤질아세테이트, 이소포론, 락트산부틸, 디옥틸프탈레이트, 디옥틸아디페이트, 벤질알코올, 크레졸, 페닐아세트산메틸, 페닐아세트산에틸, 벤조산에틸, 벤조산메틸, 벤질알코올 등을 사용할 수도 있다.
이들 비점의 하한이 150 ℃, 상한이 350 ℃ 인 유기 용제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 유기 용제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 도전성 페이스트 전체에 대한 바람직한 하한은 5 중량％, 바람직한 상한은 90 중량％ 이다. 상기 유기 용제의 함유량이 상기 범위를 벗어나면, 얻어지는 도전성 페이스트는 인쇄성이 저하되어, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 없는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 유리 프릿을 함유해도 된다.
상기 유리 프릿을 첨가함으로써, 도전성 페이스트를 인쇄하고, 소성하여 배선을 형성할 때의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 특히, 태양 전지 소자의 제조에 있어서, 반도체층 상에 반사 방지층을 형성한 후, 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 배선을 형성하는 경우에는, 상기 유리 프릿을 첨가함으로써, 물리적인 접착을 양호하게 실시하는 것에 추가하여, 상기 도전성 분말과 상기 유리 프릿의 상호작용에 의해 반사 방지층을 침식하여, 배선과 반도체층의 전기적 컨택트를 양호하게 실시할 수 있다.
상기 유리 프릿은 특별히 한정되지 않고, 통상적인 도전성 페이스트에 사용되는 유리 프릿을 사용할 수 있고, 예를 들어, 붕규산 유리 프릿 등을 들 수 있다. 또, 상기 유리 프릿으로 연화 온도가 300 ℃ 이상 또한 소성 온도 이하인 붕규산납 유리 프릿을 사용할 수도 있다. 상기 소성 온도로서 예를 들어, 800 ℃ 를 들 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 유리 프릿의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 도전성 페이스트 전체에 대한 바람직한 하한은 0.1 중량％, 바람직한 상한은 20 중량％ 이다. 상기 유리 프릿의 함유량이 0.1 중량％ 미만이면, 예를 들어, 얻어지는 도전성 페이스트를 사용하여 태양 전지 소자의 배선을 형성하는 경우, 반사 방지층을 침식할 수 없어, 도전성이 저하되는 경우가 있다. 상기 유리 프릿의 함유량이 20 중량％ 를 초과하면, 얻어지는 도전성 페이스트 중의 도전성 분말의 비율이 적어짐으로써, 형성하는 배선 등의 도전성이 저하되는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 증점 효과를 갖는 재료를 함유해도 된다.
상기 증점 효과를 갖는 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 지방산아미드, 피마자유 등의 증점제나, 아크릴 미립자, 에틸셀룰로오스 등의 수지를 들 수 있다.
상기 증점 효과를 갖는 재료의 함유량의 바람직한 상한은 도전성 페이스트 전체에 대해 3 중량％ 이다. 상기 증점 효과를 갖는 재료의 함유량이 3 중량％ 를 초과하면, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 많아져, 도전성이 악화되는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 표면 조정제를 함유해도 된다.
상기 표면 조정제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2-(하이드록시메틸)-2-에틸-1,3-프로판디올 등의 수산기를 갖는 고극성 유기 화합물을 들 수 있다.
상기 표면 조정제의 함유량의 바람직한 상한은 도전성 페이스트 전체에 대해 30 중량％ 이다. 상기 표면 조정제의 함유량이 30 중량％ 를 초과하면, 건조 속도가 느려지기 때문에 건조 공정 중에 페이스트가 유동하여, 인쇄 건조 후의 애스펙트비가 낮아지는 경우가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 증가하지 않는 정도이면, 상기 증점 효과를 갖는 재료 및 표면 조정제 외에, 계면 활성제 등의 분산제, 프탈산에스테르 등의 가소제 등, 종래 도전성 페이스트의 첨가제로서 알려져 있는 각종 첨가제를 함유해도 된다.
본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 본 발명의 도전성 페이스트용 바인더 수지, 상기 도전성 분말, 상기 유기 용제 및 필요에 따라 첨가하는 다른 성분을, 종래 공지된 교반 방법으로 교반하는 방법을 들 수 있다.
상기 교반 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 3 개 롤을 사용하는 방법, 비즈 밀을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트의 용도는 특별히 한정되지 않고, 태양 전지 소자, 세라믹 전자 부품 등의 전극, 도전층, 도전성 배선 등을 형성하기 위한 도전성 페이스트로서 사용할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하면 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있고, 채광률이 높고, 에너지 변환 효율이 우수한 태양 전지 소자가 얻어지기 때문에, 태양 전지 소자의 표면, 즉 수광면의 도전층 또는 도전성 배선을 형성하기 위한 도전성 페이스트로서 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트를 소성하여 이루어지는 도전층 또는 도전성 배선을 갖는 태양 전지 소자도 또한 본 발명 중 하나이다.
본 발명에 의하면, 도전성 분말의 분산성이 높고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있고, 또한, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 얻을 수 있는 도전성 페이스트용 바인더 수지를 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 그 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여 제조되는 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자를 제공할 수 있다.
이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다.
(실시예 1)
(1) 도전성 페이스트용 바인더 수지 (메타크릴 수지) 의 제조
교반기, 냉각기, 온도계, 탕욕 및 질소 가스 도입구를 구비한 2 ℓ 세퍼러블 플라스크에, 메틸메타크릴레이트 (MMA) 50 중량부와, 이소부틸메타크릴레이트 (IBMA) 50 중량부와, 디티오인산비스(2-에틸헥실) (SC 유기 화학사 제조, 「Poslex DT-8」) 3 중량부와, 유기 용제로서 아세트산부틸 100 중량부를 혼합하여, 모노머 혼합액을 얻었다.
얻어진 모노머 혼합액을, 질소 가스를 사용하여 20 분간 버블링함으로써 용존 산소를 제거한 후, 세퍼러블 플라스크 계내를 질소 가스로 치환하고 교반하면서 탕욕이 비등할 때까지 승온했다. 이어서, 중합 개시제로서 디아실퍼옥사이드 (니치유사 제조, 「퍼롤 355」) 를 아세트산부틸로 희석한 용액을 첨가했다. 또, 중합 중에 중합 개시제를 함유하는 아세트산부틸 용액을 수회 첨가했다. 중합 개시제는 (메트)아크릴레이트 모노머 100 중량부에 대해 전부 3 중량부 첨가했다.
중합 개시부터 7 시간 후, 실온까지 냉각하고 중합을 종료시켰다. 이로써, 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 얻었다. 얻어진 수지에 대해, 칼럼으로서 SHOKO 사 제조 칼럼 LF-804 를 사용하여, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 분석을 실시한 결과, 폴리스티렌 환산에 의한 수평균 분자량은 15000 이었다.
(2) 도전성 페이스트의 제조
얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 건조시킨 후, 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 6 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 80 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 테르피네올 11 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 2)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디에틸 (와코 준야쿠 공업사 제조) 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 3)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디프로필 (와코 준야쿠 공업사 제조) 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 4)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 이소부틸메타크릴레이트 80 중량부 및 메톡시폴리에틸렌글리콜모노메타크릴레이트 (쿄에이샤 화학사 제조, 「라이트 에스테르 041MA」) 20 중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 5)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 의 첨가량을 3 중량부에서 0.01 중량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 6)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 의 첨가량을 3 중량부에서 30 중량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 7)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 메틸메타크릴레이트 15 중량부, 이소부틸메타크릴레이트 60 중량부 및 메톡시폴리에틸렌글리콜모노메타크릴레이트 25 중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 8)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 메틸메타크릴레이트 70 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 30 중량부를 사용하고, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디에틸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다. 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 3 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 텍사놀 9 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 9)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디에틸 (와코 준야쿠 공업사 제조) 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다. 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 3 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 4 중량부와, 유기 용제로서 부틸카르비톨아세테이트 7 중량부와, 지방산아미드 (쿠스모토 화성사 제조, 「디스파론 6300」) 1 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 10)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 메틸메타크릴레이트 40 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 60 중량부를 사용하고, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디에틸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다. 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 5 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 83 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 부틸카르비톨아세테이트 8 중량부와, 피마자유 (쿠스모토 화성사 제조, 「디스파론 308」) 1 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 11)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 메틸메타크릴레이트 40 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 60 중량부를 사용하고, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디에틸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다. 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 4 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 2 중량부와, 유기 용제로서 텍사놀 7 중량부와, 아크릴 미립자 (테크폴리머 MBX-5) 2 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 12)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 메틸메타크릴레이트 10 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 90 중량부를 사용하고, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 3 중량부 대신에 디티오인산디에틸 2 중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다. 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 4 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 84 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 벤질알코올 8 중량부와, 에틸셀룰로오스 수지 (다우 케미컬사 제조, 「STD-10」) 1 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 13)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트 50 중량부 및 이소부틸메타크릴레이트 50 중량부 대신에 이소부틸메타크릴레이트 100 중량부를 사용하고, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 대신에 디티오인산디에틸을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다. 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 2 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 86 중량부와, 유리 프릿 4 중량부와, 유기 용제로서 텍사놀 5 중량부와, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올 3 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 14)
실시예 1 로 얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지 3 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 페닐프로필렌글리콜 7 중량부와, 2-(하이드록시메틸)-2-에틸-1,3-프로판디올 2 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(비교예 1)
도전성 페이스트의 제조에 있어서, 제조한 도전성 페이스트용 바인더 수지 (메타아크릴 수지) 대신에 에틸셀룰로오스 (다우 케미컬사 제조, 「STD-10」) 4 중량부를 사용하고, 테르피네올의 첨가량을 11 중량부에서 13 중량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(비교예 2)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 3 중량부 대신에 도데실메르캅탄 0.5 중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(비교예 3)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 메틸메타크릴레이트의 첨가량을 50 중량부에서 44 중량부로 바꾸고, 하기 식 (5) 로 나타내는 인산2-(메타크릴로일옥시)에틸 (유니케미컬사 제조, 「PhosmerM」) 6 중량부를 추가로 첨가하고, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 3 중량부 대신에 도데실메르캅탄 0.5 중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
[화학식 6]
Figure pct00006
(비교예 4)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 3 중량부 대신에 도데실메르캅탄 0.5 중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지를 얻었다.
또, 도전성 페이스트의 제조에 있어서, 테르피네올의 첨가량을 11 중량부에서 10 중량부로 바꾸고, 추가로, 인산계 분산제 (빅?케미사 제조, 「BYK-111」) 를 1 중량부 첨가한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 15)
(1) 도전성 페이스트용 바인더 수지 (메타크릴 수지) 의 제조
교반기, 냉각기, 온도계, 탕욕 및 질소 가스 도입구를 구비한 2 ℓ 세퍼러블 플라스크에, 메틸메타크릴레이트 (MMA) 50 중량부와, 이소부틸메타크릴레이트 (IBMA) 50 중량부와, 디티오인산비스(2-에틸헥실) (SC 유기 화학사 제조, 「Poslex DT-8」) 0.5 중량부와, 유기 용제로서 아세트산부틸 50 중량부를 혼합하여, 모노머 혼합액을 얻었다.
얻어진 모노머 혼합액을, 질소 가스를 사용하여 20 분간 버블링함으로써 용존 산소를 제거한 후, 세퍼러블 플라스크 계내를 질소 가스로 치환하고 교반하면서 탕욕이 비등할 때까지 승온했다. 중합 개시제로서 디아실퍼옥사이드 (니치유사 제조, 「퍼롤 355」) 를 아세트산부틸로 희석한 용액을 첨가했다. 또 중합 중에 중합 개시제를 함유하는 아세트산부틸 용액을 수회 첨가했다. 중합 개시제는 (메트)아크릴레이트 모노머 100 중량부에 대해 전부 3 중량부 첨가했다.
중합 개시부터 7 시간 후, 실온까지 냉각하고 중합을 종료시켰다. 이로써, 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 얻었다. 얻어진 수지에 대해, 칼럼으로서 SHOKO 사 제조 칼럼 「LF-804」를 사용하여 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 분석을 실시한 결과, 폴리스티렌 환산에 의한 수평균 분자량은 3 만이었다.
(2) 도전성 페이스트의 제조
얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 건조시킨 후, 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 6 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 80 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 테르피네올 11 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 16)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 의 첨가량을 0.5 중량부에서 20 중량부로 바꾸고, 아세트산부틸의 첨가량을 50 중량부에서 200 중량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 17)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 아세트산부틸의 첨가량을 50 중량부에서 20 중량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 18)
도전성 페이스트용 바인더 수지의 제조에 있어서, 디티오인산비스(2-에틸헥실) 의 첨가량을 0.5 중량부에서 20 중량부로 바꾸고, 아세트산부틸의 첨가량을 50 중량부에서 400 중량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 15 와 동일하게 하여, 도전성 페이스트용 바인더 수지 및 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 19)
실시예 15 로 얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 건조시킨 후, 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 3 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 테르피네올 9 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 20)
실시예 16 으로 얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 건조시킨 후, 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 4 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 테르피네올 8 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 21)
실시예 17 로 얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 건조시킨 후, 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 3 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 테르피네올 9 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
(실시예 22)
실시예 18 로 얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 아세트산부틸 용액을 건조시킨 후, 이 도전성 페이스트용 바인더 수지 4 중량부와, 도전성 분말로서 은 분말 (평균 입자 직경 1.0 ㎛) 85 중량부와, 유리 프릿 3 중량부와, 유기 용제로서 테르피네올 8 중량부를 혼합하고, 고속 교반기와 3 개 롤로 혼련하여, 도전성 페이스트를 얻었다.
각 실시예 및 비교예로 얻어진 도전성 페이스트용 바인더 수지의 모노머 조성, 유리 전이 온도 및 수평균 분자량을 표 1, 2 에 나타냈다. 또, 각 실시예 및 비교예로 얻어진 도전성 페이스트의 조성을 표 3, 4 에 나타냈다.
(평가)
실시예 및 비교예로 얻어진 도전성 페이스트에 대해 이하의 평가를 실시했다. 결과를 표 3, 4 에 나타냈다.
(1) 분산성
실시예 및 비교예로 얻어진 도전성 페이스트를 24 시간 방치한 후, 대꼬치를 사용하여 도전성 페이스트를 교반함으로써 도전성 분말의 분산 또는 침전 상태를 확인하고, 이하의 기준으로 평가했다.
◎ : 도전 분말은 분산되어 있고, 바닥부에 침전은 볼 수 없었다
○ : 도전 분말은 침전되어 있었지만, 재분산시킬 수 있었다
× : 도전 분말은 침전되어, 고화되어 있고, 재분산시킬 수 없었다
(2) 인쇄성
실시예 및 비교예로 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 인쇄기로 라인/스페이스가 100 ㎛/150 ㎛ 인 라인 패턴의 스크린 인쇄를 실시하고, 얻어진 라인 패턴 상태를 이하의 기준으로 평가했다.
○ : 정확한 라인이 그어져 있다
△ : 라인에 단선이나 인접하는 라인과의 접촉은 없지만, 라인 폭에 불균일이 있다
× : 라인이 단선되어 있거나, 또는, 인접하는 라인과 접촉하고 있다
(3) 인쇄 라인 애스펙트비 평가
실시예 및 비교예로 얻어진 도전성 페이스트를 사용하여, 인쇄기로 유리 기판 위에 라인/스페이스가 100 ㎛/150 ㎛ 인 라인 패턴의 스크린 인쇄를 실시하고, 얻어진 라인 패턴의 라인 높이와 라인 폭을 레이저 현미경으로 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다.
○ : 라인 폭이 120 ㎛ 이하이고, 또한, 라인 높이가 20 ㎛ 이상이다
△ : 라인 폭이 120 ㎛ 이하이고, 또한, 라인 높이의 평균이 20 ㎛ 이상이지만, 라인 높이에 불균일이 있고, 20 ㎛ 미만의 부분이 있다
× : 라인 폭이 120 ㎛ 를 초과하거나, 또는, 라인 높이의 평균이 20 ㎛ 미만이다
(4) 소성 평가
실시예 및 비교예에 나타내는 조성에 따라, 바인더 수지로서, 제조한 도전성 페이스트용 바인더 수지 (메타아크릴 수지) 또는 에틸셀룰로오스 (STD10) 와, 유기 용제로서 테르피네올과, 인산계 분산제 (빅?케미사 제조, 「BYK-111」) 를 혼합하여 비히클을 제작하고, 얻어진 비히클을 150 ℃ 에서 2 시간 건조시켜 수지를 얻었다. 얻어진 수지를 TG-DTA 로 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다.
○ : 600 ℃ 까지 가열했을 때, 잔류 탄소 성분은 1 중량％ 이하였다
× : 600 ℃ 까지 가열했을 때, 1 중량％ 를 초과하는 탄소 성분이 잔류했다
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
산업상 이용가능성
본 발명에 의하면, 도전성 분말의 분산성이 높고, 애스펙트비가 높은 배선을 형성할 수 있고, 또한, 소성 후에 잔류하는 탄소 성분이 적은 도전성 페이스트를 얻을 수 있는 도전성 페이스트용 바인더 수지를 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 그 도전성 페이스트용 바인더 수지를 사용하여 제조되는 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. (메트)아크릴레이트 모노머에서 유래하는 세그먼트로 이루어지는 주사슬을 갖고, 또한, ω 위치에 하기 일반식 (1) 로 나타내는 인산계 성분을 갖는 폴리머로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트용 바인더 수지.
    [화학식 1]
    Figure pct00011

    일반식 (1) 중, X 는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, R1 및 R2 는 각각 수소 원자, 탄소수 1 ? 13 의 탄화수소기, 탄소수 1 ? 13 의 수산기 함유 화합물기 또는 탄소수 1 ? 13 의 에스테르 결합 함유 화합물기를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    수평균 분자량이 5000 ? 3 만인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트용 바인더 수지.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    유리 전이 온도가 10 ? 80 ℃ 인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트용 바인더 수지.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    10 ℃/분의 승온 속도로 600 ℃ 까지 가열했을 때의 잔류 탄소 성분은 1 중량％ 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트용 바인더 수지.
  5. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    ω 위치의 인산계 성분 이외의 인산계 성분의 함유량은 폴리머 전체에 대하여 5 중량％ 미만인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트용 바인더 수지.
  6. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 기재된 도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 분말 및 유기 용제를 함유하는 도전성 페이스트.
  7. 제 6 항에 있어서,
    도전성 분말은 은 분말인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 기재된 도전성 페이스트를 소성하여 이루어지는 도전층 또는 도전성 배선을 갖는 것을 특징으로 하는 태양 전지 소자.
KR1020117020193A 2009-07-01 2010-06-25 도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자 Withdrawn KR20120037364A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-156997 2009-07-01
JP2009156997 2009-07-01
JP2009229896 2009-10-01
JPJP-P-2009-229896 2009-10-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120037364A true KR20120037364A (ko) 2012-04-19

Family

ID=43410984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117020193A Withdrawn KR20120037364A (ko) 2009-07-01 2010-06-25 도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120037223A1 (ko)
EP (1) EP2450385A4 (ko)
JP (1) JP4691211B2 (ko)
KR (1) KR20120037364A (ko)
CN (1) CN102341416B (ko)
TW (1) TW201111462A (ko)
WO (1) WO2011001908A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9997649B2 (en) 2015-04-28 2018-06-12 Samsung Sdi Co., Ltd. Electrode composition, electrode manufactured using the same, and solar cell

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101814014B1 (ko) 2011-03-25 2018-01-03 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
JP5736209B2 (ja) * 2011-03-28 2015-06-17 株式会社ダイセル 積層セラミック部品製造用溶剤組成物
WO2012135551A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Sun Chemical Corporation High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes
JP2013008759A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子
JP5840418B2 (ja) * 2011-08-23 2016-01-06 デクセリアルズ株式会社 導電性接着剤及び太陽電池モジュール
JP5960408B2 (ja) * 2011-10-28 2016-08-02 デクセリアルズ株式会社 導電性接着剤、太陽電池モジュール、及び太陽電池モジュールの製造方法
KR101985929B1 (ko) 2011-12-09 2019-06-05 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US20130180583A1 (en) * 2012-01-17 2013-07-18 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste for fine-line high-aspect-ratio screen printing in the manufacture of semiconductor devices
JP2013151591A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Taiyo Holdings Co Ltd 無機粒子含有ペーストおよび無機回路
TW201412758A (zh) * 2012-07-19 2014-04-01 Hitachi Chemical Co Ltd 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法以及太陽電池
CN104508830A (zh) * 2012-07-19 2015-04-08 日立化成株式会社 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池
WO2014019956A1 (de) * 2012-07-30 2014-02-06 Ceramtec Gmbh Verfahren zur metallisierung von durchkontaktierungen
GB2504957A (en) * 2012-08-14 2014-02-19 Henkel Ag & Co Kgaa Curable compositions comprising composite particles
JP2015082554A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 日東電工株式会社 軟磁性樹脂組成物、および、軟磁性フィルム
TW201529655A (zh) * 2013-12-11 2015-08-01 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc 用於導電性糊料之含有丙烯酸系樹脂之有機載體
JP5957546B2 (ja) * 2015-01-07 2016-07-27 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電性組成物
KR20160126169A (ko) * 2015-04-22 2016-11-02 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR101974839B1 (ko) * 2015-12-15 2019-05-03 삼성에스디아이 주식회사 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지
JP6804255B2 (ja) 2015-12-15 2020-12-23 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 電極形成用組成物ならびにこれを用いて製造された電極および太陽電池
JP6103126B1 (ja) * 2016-01-29 2017-03-29 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 導電性組成物、その製造方法、および導電性材料
JP6889641B2 (ja) * 2017-09-13 2021-06-18 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 銀ペースト
KR20190068352A (ko) * 2017-12-08 2019-06-18 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 셀
JP7429636B2 (ja) 2018-03-07 2024-02-08 ナガセケムテックス株式会社 金属微粒子分散体
CN116314369B (zh) * 2023-02-14 2024-06-18 英利能源发展(保定)有限公司 一种用于改善N型TOPCon晶硅电池背面印刷效果的银浆及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60175044A (ja) * 1984-02-20 1985-09-09 Toyobo Co Ltd リスフィルム用感光性組成物
JPS60233112A (ja) * 1984-05-07 1985-11-19 Idemitsu Petrochem Co Ltd 水酸基含有ジエン系重合体の製造方法
AT385764B (de) * 1986-09-01 1988-05-10 Vianova Kunstharz Ag Verfahren zur herstellung wasserverduennbarer, phosphorsaeuremodifizierter bindemittel und deren verwendung fuer einbrennlacke
JPH0620261A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体
DE4306537A1 (de) * 1993-03-03 1994-09-08 Goldschmidt Ag Th Polymethacrylsäureester, deren Estergruppen in alpha- und gegebenenfalls zusätzlich in omega-Stellung von den in der Kette befindlichen Estergruppen abweichen
DE4437673C2 (de) * 1994-10-21 1996-09-12 Goldschmidt Ag Th Unterschiedlich endmodifizierte alpha,omega-Polymethacrylatdicarbonsäuren, deren Herstellung und Verwendung als Dicarbonsäurekomponente zur Herstellung oder Modifizierung von Polyestern, Polyurethanen oder Polyepoxiden
AU768789B2 (en) * 1999-11-22 2004-01-08 Kuraray Medical, Inc. Adhesive composition
JP4096661B2 (ja) 2002-08-22 2008-06-04 株式会社村田製作所 セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法
FR2848556B1 (fr) * 2002-12-13 2006-06-16 Bio Merieux Procede de polymerisation radicalaire controlee
CN100547028C (zh) * 2004-06-21 2009-10-07 积水化学工业株式会社 粘合剂树脂组合物、糊以及生片
US7767753B2 (en) * 2004-06-21 2010-08-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. Binder resin composition, paste and green sheet
JP2007235082A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
JP4248551B2 (ja) * 2006-02-09 2009-04-02 ユニケミカル株式会社 リン系酸エステル残基含有（メタ）アクリルアミド組成物、それを用いた重合体とそれらの用途、及びそれらの製造方法
JP2008050594A (ja) * 2006-07-26 2008-03-06 Sekisui Chem Co Ltd バインダー樹脂組成物
JP4960666B2 (ja) * 2006-08-17 2012-06-27 積水化学工業株式会社 無機微粒子分散ペースト組成物
GB2451233A (en) * 2007-07-21 2009-01-28 Leigh S Paints Intumescent coating composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9997649B2 (en) 2015-04-28 2018-06-12 Samsung Sdi Co., Ltd. Electrode composition, electrode manufactured using the same, and solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
JP4691211B2 (ja) 2011-06-01
CN102341416A (zh) 2012-02-01
WO2011001908A1 (ja) 2011-01-06
EP2450385A4 (en) 2014-09-03
JPWO2011001908A1 (ja) 2012-12-13
EP2450385A1 (en) 2012-05-09
CN102341416B (zh) 2014-06-04
US20120037223A1 (en) 2012-02-16
TW201111462A (en) 2011-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120037364A (ko) 도전성 페이스트용 바인더 수지, 도전성 페이스트 및 태양 전지 소자
KR20110083627A (ko) 금속 산화물 미립자 분산 슬러리
JP2010135180A (ja) 導電性ペースト
EP2204391B1 (en) Binder resin, vehicle composition, and paste composition having inorganic microparticle dispersed therein
CN102473476A (zh) 低温烧成用热固性电极糊剂
JPWO2010106980A1 (ja) 無機微粒子分散ペースト組成物
JP2009534498A (ja) 印刷用ペースト組成物
CN103979793A (zh) 用于分散玻璃组合物的有机媒介物和分散方法
CN110167993B (zh) 乳液颗粒、包含它的乳液及乳液的制备方法
TWI540592B (zh) 用於形成可低溫燒成之電極或配線的糊組成物
JP2004315719A (ja) 焼成用樹脂組成物
KR100972012B1 (ko) 태양전지 전극형성방법
JP2009173811A (ja) 誘電体層用ガラスペースト
JP2009108203A (ja) ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2013235678A (ja) 導電ペースト、太陽電池セル及び太陽電池パネル
JP5108437B2 (ja) 非鉛系ガラス微粒子分散ペースト組成物
JP2013077515A (ja) 導電ペースト及び太陽電池素子
JP2012107176A (ja) 無機微粒子分散ペースト
KR101348732B1 (ko) 인쇄특성이 우수한 태양전지 전극 페이스트용 아크릴 바인더 및 이를 이용한 태양전지 전극 페이스트
JP2009155451A (ja) ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2014027256A (ja) 導電性アルミニウム分散ペースト、太陽電池の製造方法および太陽電池
JP2015000395A (ja) 非水性分散媒用分散剤
JP5215696B2 (ja) 無機微粒子分散ペースト
JP2009138106A (ja) ガラスペースト組成物、及び、プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP6195257B1 (ja) 焼成用樹脂バインダー及び焼成用樹脂バインダー含有組成物

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20110830

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid