KR20080059201A - 발광소자 및 발광소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

애노드; 캐소드; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 배치된 발광층; 및 상기 애노드 및 상기 발광층 사이에 배치된, 전도성 중합체 및 고분자 산을 포함하는 완충층을 포함하는 발광소자가 기재되었다. 상기 완충층의 적어도 일부에서 고분자 산의 산성기가 비산성기로 전환되어, 발광의 산에 의한 억제를 최소화한다. 그러한 소자를 제조하는 방법이 또한 기재되었다.

완충층, 발광층, 고분자 산, 발광소자, 전도성 중합체, 에스테르화제

Description

발광소자 및 발광소자의 제조 방법{LIGHT-EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF}

본 발명은 발광소자 및 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다.

중합체 발광 다이오드에 있어서, 발광 중합체층은 애노드측으로부터의 정공 주입이 용이하도록 기능하는 완충층에 의해 지지된다. 또한, 이 완충층은 애노드 중의 입자 및 가능한 스파이크를 완화함으로써 단락으로부터 소자를 보호한다. 완충재로 사용되는 전형적인 전도성 중합체는 폴리-(에틸렌디옥시티오펜) (PEDOT) 같은 폴리디옥시티오펜 및 폴리아닐린이다.

이러한 물질은 폴리(스티렌술폰산) (PSSA)과 같은 수용성 고분자 산 존재하에 수용액 중에 아닐린 또는 디옥시티오펜 단량체를 중합하여 제조할 수 있다.

고분자 산은 양전하를 안정화시키고, 중합체 조합을 수용성으로 유지한다. PSSA는 강산성 물질이고, 2-3 %의 고체 함량 중에 약 1.5의 pH 값을 가진다.

발광 중합체와의 계면에서 PEDOT:PSSA 층의 상단은 PSSA가 풍부하다 (도 1)는 것이 공지되었다 (문헌 [G. Zotti, S. Zecchin, G. Schiavon, F. Louwet, L. Groenendaal, X. Crispin, W. Osikowicz, W. Salaneck, M. Fahlman, Macromolecules 2003, 36, 3337]; 문헌 [X. Crispin, S. Marciniak, W. Osikowicz, G. Zotti, A. W. Denier van der Gon, F. Louwet, M. Fahlman, L. Groenendaal, F. de Schryver, W.R. Salaneck, J. Pol. Science Part B: Polymer Physics 2003, 41, 2561]; 문헌 [G. Greczynski, Th. Kugler, M. Keil, W. Osikowicz, M. Fahlman, W.R. Salaneck, J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 2001, 121, 1]; 문헌 [G. Greczynski, Th. Kugler, W.R. Salaneck, Thin Solid Films 1999, 354, 129]; 문헌 [G. Greczynski, Th. Kugler, W.R. Salaneck, J. Appl. Phys. 2000, 88, 7187]; 문헌 [P.C. Jukes, SJ. Martin, A.M. Higgins, M.Geoghegan, R.A.L. Jones, S. Langridge, A. Wehrum, S. Kirchmeyer, Adv. Mater. 2004, 16, 807]). 이 산성 환경은 발광 중합체의 전자발광을 억제하고, 따라서 소자의 기능을 약화시킨다.

WO 2004/084260에서, 완충층 및 발광 중합체층 사이의 중간층의 사용이 제안되었다. 이 층을 사용함으로써, 완충액 및 발광 중합체 사이의 직접적인 상호작용이 저해되고, 결과적으로, 산이 유도하는 억제가 최소화된다.

그러나 소자 내에서의 중간층의 적용은 제3층으로서 추가적인 공정 단계가 스핀 코팅 또는 인쇄되어야 함을 의미한다. 중간층의 사용에 의해 얻어지는 효율성 및 수명의 증가에도 불구하고, 이 제3단계의 혼입은 기술적으로 매우 불리하여 제조라인에서의 생산량의 심각한 감소를 야기한다. 따라서, 그 후에 산이 유도하는 억제 문제에 대한 대안의 모색이 상당히 많이 이루어지고 있다.

<발명의 요약>

본 발명의 목적은 산성 완충층을 포함하는 발광소자 내에서의 전자발광 억제의 불이익을 극복하는 것이다.

따라서, 본 발명은 애노드; 캐소드; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 배치되는 발광층; 및 전도성 중합체 및 고분자 산을 포함하고, 상기 애노드 및 상기 발광층 사이에 배치된 완충층을 포함하는 발광소자를 제공한다. 완충층은 상기 완충층의 적어도 일부에서 비산성기로 전환되는 고분자 산의 산성기를 포함한다. 상기 비산성기는 상기 발광층을 바라보는 상기 완충층 부분에 배치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 산이 유도하는 억제를 최소화하고, 소자의 기능을 향상시킨다.

비산성기는, 예를 들어, 하기 화학식 I을 가지는 오르소포르메이트와 같은 에스테르화제로 에스테르화하여 산성기로부터 전환될 수도 있다.

식 중에서 R¹, R², 및 R³는 동일하거나 상이한데, 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지는 직선형, 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고, 여기서, 상기 알킬기 중에, 하나 이상의 이웃이 아닌 CH₂기는 -O-, -S-, -P-, -Si-, -CO-, -COO-, -O-CO-, -N-알킬-, -N-아릴- 또는 -CON-알킬-에 의해 임의로 치환되고, 하나 이상의 H-원자가 CN, Cl, F 또는 아릴기에 의해 임의로 치환된다.

바람직한 에스테르화제는 트리에틸오르소포르메이트이다.

산성기가 술폰산기인 경우에서, 비산성기는, 예를 들어, 에스테르화된 술폰 산기일 수도 있다.

완충층은, 예를 들어, PEDOT:PSSA를 포함할 수도 있고, 발광층은, 예를 들어, 발광 중합체 또는 발광 소형 유기분자를 포함할 수도 있다. 발광소자는, 예를 들어, 중합체 발광 다이오드 (PLED) 또는 유기 발광 다이오드 (OLED)일 수도 있다.

본 발명은 애노드를 제공하는 단계; 캐소드를 제공하는 단계; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 발광층을 배치하는 단계; 상기 애노드 및 상기 발광층 사이에 전도성 중합체 및 고분자 산을 포함하는 완충층을 배치하는 단계; 및 상기 완충층의 적어도 일부에서 상기 고분자 산의 산성기의 비산성기로의 전환을 수행하는 단계를 포함하는 발광소자 제조 방법에 관한 것이다.

고분자 산의 산성기의 비산성기로의 전환은 바람직하게는 상기 발광층을 바라보는 상기 완충층 부분에서 수행된다. 통상적으로, 산성기의 비산성기로의 전환은 완충층상에 발광층을 배치하기 전에 완충층의 표면상에서 수행된다.

전환은, 예를 들어, 에스테르화제로 에스테르화함으로써 수행될 수도 있다. 에스테르화는 상기 완충층상에 상기 에스테르화제를 스핀 코팅 또는 잉크젯 인쇄하고, 그 다음 산성기를 에스테르화함으로써 적합하게 수행된다.

에스테르화제는, 예를 들어, 상기 화학식 I에 따른 오르소포르메이트일 수도 있고, 바람직하게는 트리에틸오르소포르메이트일 수도 있다.

도 1은 선행기술의 소자 중의 PEDOT:PSSA 및 발광 중합체 사이의 산성 계면의 구상화이다.

도 2는 PEDOT:PSSA 및 발광 중합체 사이의 계면에서 술폰산기가 에스테르화 되는, 즉, 비산성기로 전환되는 본 발명에 따른 소자를 보인다.

도 3은 선행기술의 소자 (참조) 및 본 발명에 따른 소자 (TEOF)에 대한 인가 전압의 함수로서의 전류 밀도를 보인다.

도 4는 비변형 PEDOT:PSSA-완충층을 가진 선행기술의 소자를 위한 전류 밀도의 함수로서의 효능을 보인다.

도 5는 희석된 트리에틸오르소포르메이트 (TEOF)로 에스테르화된 PEDOT:PSSA-완충층을 가진 본 발명에 따른 소자에 대한 전류 밀도의 함수로서의 효능을 보인다.

도 6은 TEOF로 에스테르화된 PEDOT:PSSA-완충층을 가진 본 발명에 따른 소자에 대한 전류 밀도의 함수로서의 효능을 보인다.

본 발명을 이끌어낸 연구에서, 발광소자 내에서 인접한 완충층의 산도로부터 발광층을 보호하는 새로운 개념이 개발되었다.

더욱 구체적으로, 중합체 발광 다이오드 (PLED) 내에서 완충층의 산성기로부터 발광 중합체를 차폐하는 방법이 발명되었다.

기본적으로, 발광소자는 두 전기 접촉층, 즉, 애노드 및 캐소드 사이에 끼워진 발광층을 포함한다. 완충층은 애노드로부터의 정공 주입을 증가시키기 위해 발광층 및 애노드 사이에 위치시키고, 애노드 표면을 평탄화한다.

정공-수송층, 정공-주입층, 또는 이중층 애노드의 일부로 또한 언급할 수도 있는 완충층은, 전도성 중합체 및 고분자 산을 포함한다.

전도성 중합체의 예로는 폴리아닐린 (PANi), 폴리(에틸렌디옥시티오펜) (PEDOT)과 같은 폴리디옥시티오펜, 및 폴리티오펜 유도체가 있다.

고분자 산의 예로는 폴리(스티렌술폰산) (PSSA) 및 폴리(아크릴아미도알킬술폰산), 예를 들어, 폴리(아크릴아미도-2-메틸-l-프로판술폰산) (PAAMPSA)이 있다. 고분자 산의 다른 예로는 본 발명에 따른 변형에 의해 포획된 양성자를 또한 보유하는 탄산 및 포스폰산이 있다.

전도성 중합체 및 고분자 산은 물 중에 중합체 분산액을 형성한다. 본 발명에 따라 완충층으로 사용될 수도 있는 중합체 혼합물의 예로는 PEDOT/PSSA, PEDOT/PAAMPSA, PANi/PSSA 및 PANi/PAAMPSA가 있다.

전도성 중합체:고분자 산의 중량비는, 예를 들어, 1:1 내지 1:20의 범위 내에, 또는 1:3 내지 1:8의 범위 내에 있을 수도 있다. 예를 들어, PEDOT:PSSA의 중량비는 l:6일 수도 있다.

중합체 발광 다이오드에서, 전도성 중합체:고분자 산의 중량비는 보통 1:6 내지 1:20의 범위 내에 있다.

본원에서 사용된 바와 같이, "발광층"이란 용어는 충분한 바이어스 전압이 전기 접촉층, 즉, 애노드 및 캐소드에 걸릴 때 발광하는 층에 관한 것이다.

발광층은, 예를 들어, 중합체성 물질을 함유할 수도 있다. 중합체성 물질을 포함하는 발광층을 가진 발광다이오드 (LED)는 중합체 발광다이오드 (PLED)로 불린다.

본 발명에 따른 발광층 내에 사용되는 바람직한 중합체성 물질은 구조가 하기 화학식 II로 나타내어지는 NK 329 청색 발광물질이다.

별법으로, 발광층은, 예를 들어, 소형 유기분자 방사체, 올리고머 방사체, 또는 덴드리머 방사체와 같은 유기 전자발광화합물 (방사체)를 함유할 수도 있다.

소형 유기분자물질을 포함하는 발광층을 갖는 LED는 OLED라고 불리운다.

도 1에 도시된 바와 같이, 발광층을 바라보는 완충층 부분에 산성기가 풍부하다. 나타낸 특정 실시예에서, 산성기는 술폰산기, 완충층은 PEDOT/PSSA, 및 발광층은 발광 중합체 (LEP)이다.

본 발명의 발명자들은, 매우 놀랍게도, 산성기로부터 발광층을 차폐하는 기술적으로 실행가능한 방법을 찾아냈다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 발명자들은 완충층 및 발광층 사이의 계면 영역 내에 풍부한 산성기의 비산성기로의 전환을 제안하였다. 또한, 결과적으로, 산에 의해 유도되는 억제가 최소화되고, 소자 내의 효율성의 증가가 구축되었다. 그러한 전환의 예는 도 2에서 보인다.

본원에서 사용된 바와 같이, "산성기"라는 용어는 방사물질의 전자발광기능에 부정적인 영향을 주는 완충층 또는 정공주입층 내의 작용기에 관한 것이다. 이 산성기는 산 관능성을 바꾸는 화학반응에 의해 변형될 수 있다.

본원에서 사용된 바와 같이, "비산성기"라는 용어는 완충층 또는 정공주입층의 부정적 효과로부터 발광층을 차폐하는 화학반응 후 변형된 산 관능성에 관한 것이다.

산성기의 비산성기로의 전환은 발광층을 바라보는 완충층 부분에서 적합하게 수행된다. 따라서, 애노드를 바라보는 완충층 부분에는 산성기가 있는 반면, 발광층을 바라보는 완충층의 부분에는 산성기가 본질적으로 없을 것이다. 그러나, 완충층 내의 모든 산성기는 비산성기로 전환될 수도 있다. 산성기는 발광층의 적용 전 또는 후에 전환될 수도 있다.

본원에서 사용된 바와 같이, "상기 발광층을 바라보는 상기 완충층의 일부"는 완성된 소자 내에서의 발광층과 접촉하는 완충층의 일부를 말한다.

산성기를 비산성기로 전환하는 한가지 방식은 에스테르화제로 산성기를 에스테르화하는 것이다. 본원에서 사용된 바와 같이, "에스테르화제"라는 용어는 pKa또는 산성 특성이 감소하는 에스테르 관능성으로 산을 전환하는 능력을 가진 화학 시약에 관한 것이다.

예를 들어, PSSA가 완충층 내에서 고분자 산으로 사용될 때, 산성기는 화학식 I을 가지는 오르소포르메이트를 사용하여 에스테르화된 비산성 술폰산기로 전환할 수도 있는 술폰산기다.

<화학식 I>

식 중에서 R¹, R², 및 R³는 동일하거나 상이한데, 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지는 직선형, 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고, 여기서, 상기 알킬기 중에, 하나 이상의 이웃이 아닌 CH₂기는 -O-, -S-, -P-, -Si-, -CO-, -COO-, -O-CO-, -N-알킬-, -N-아릴- 또는 -CON-알킬-에 의해 임의로 치환되고, 하나 이상의 H-원자가 CN, Cl, F 또는 아릴기에 의해 임의로 치환된다.

본 발명에 따른 바람직한 오르소포르메이트는 R¹, R² 및 R³가 H₂C-CH₃, 즉, 화학식 I의 화합물이 트리에틸오르소포르메이트이다. 화학식 I에 따른 다른 오르소포르메이트는 트리이소프로필 오르소포르메이트, 트리메틸 오르소포르메이트, 트리옥타데실 오르소포르메이트, 트리프로필 오르소포르메이트, 트리스(메틸티오)메탄 오르소포르메이트, 트리스(페닐티오)메탄 오르소포르메이트, 트리부틸 오르소포르메이트, 트리펜틸 오르소포르메이트, 및 트리에틸 오르소포르메이트 (모두 알드리치(Aldrich)로부터 구할 수 있음)를 포함한다. 오르소포르메이트의 유도체가 또한 사용될 수도 있다.

에스테르화제 단독으로 사용될 수도 있거나, 또는, 예를 들어, 톨루엔인 유기 용매로 희석할 수도 있다.

트리에틸오르소포르메이트를 사용하여 에스테르화 함으로써, 술폰산기를 에스테르화된 비산성 술폰산기인 술포네이트로 전환하는 것을 하기 반응식 III에 의해 도시하였다.

상기에 언급된 방법의 이점은 에스테르화 반응의 부산물인 포르메이트가 사용된 공정조건하에서 휘발성이거나 또는 적합한 용매로 변형된 완충층을 헹구어 쉽게 제거할 수 있다는 점이다. 산성기를 비산성기로 전환하는데 사용할 수 있는 다른 방법들이 또한 있다.

몇 가지 예들이 하기에 주어졌다:

본 발명에 따른 소자는 일반적으로 또한 애노드 또는 캐소드에 인접할 수 있는 기판을 포함한다. 가장 흔하게, 기판은 애노드에 인접한다. 기판은 연성 또는 강성, 유기 또는 무기일 수 있다. 일반적으로, 유리 또는 유연성 유기 필름이 지지체로서 사용된다.

무기 애노드는 양전하 캐리어를 주입 또는 수집하기에 특히 효과적인 전극이다. 애노드는 금속, 혼합된 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합된 금속 산화물일 수 있다. 적합한 애노드 물질의 예는 인듐-주석-산화물 (ITO), 또는 ZnO 같은 다 른 투명한 전도성 산화물 또는 Al, Ag, 또는 Pt 같은 얇은 투명한 금속층이 있다.

캐소드는 전자 또는 음전하 캐리어를 주입 또는 수집하기에 특히 효과적인 전극이다. 캐소드는 애노드보다 더 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 적합한 캐소드 물질의 예로는 알루미늄, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 은 및 아연 셀렌화물 (투명하고 전도성인) 및 그들의 조합 또는 적층이 있다. 캐소드는 플루오르화리튬 (LiF) 등과 같은 주입층을 추가적으로 함유할 수도 있다.

다른층이 본 발명에 따른 발광소자에 또한 포함될 수도 있는데, 이것은 당업자에게 명백할 것이다. 또한, 임의의 상술된 층들은 둘 이상의 층들로 만들어질 수 있다. 추가로, 몇몇 층들은 전하 캐리어의 전달 효율성이 증가하도록 표면이 처리될 수도 있다.

소자는 적합한 기판상에 각 층을 순차적으로 침착하여 제조할 수 있다. 대부분의 경우에서, 애노드가 기판에 적용되고, 층들이 그 기판에 적층된다. 일반적으로, 상이한 층들은 하기 범위의 두께를 가질 것이다: 무기 애노드는 5-500 nm, 바람직하게는 100-200 nm (금속층은 5-20 nm의 범위로 투명하도록 충분히 얇아야만 함); 완충층은 5-250 nm, 바람직하게는 20-200 nm; 발광층은 1-100 nm, 바람직하게는 60-100 nm; 캐소드층은 20-1000 nm, 바람직하게는 30-500 nm이다.

무기 애노드층은 보통 진공 침착공정에 의해 적용된다.

발광층은 스핀 코팅, 주형, 및 인쇄를 포함하는 임의의 통상적인 방식에 의해 용액들로부터 적용될 수 있다. 발광층은 물질의 성질에 따라, 증착공정에 의해 직접적으로 적용될 수 있다. 또한, 활성 중합체의 전구체를 적용한 후, 전형적으 로 가열에 의해 중합체로 전환하는 것이 가능하다.

완충층은 스핀 코팅, 주형, 및 그라비아 인쇄와 같은 인쇄를 포함하는 임의의 통상적인 방식을 사용하여 적용할 수 있다. 완충층은 잉크젯 인쇄로 적용하는 것이 또한 가능하다.

캐소드층은 보통 물리적 증착공정에 의해 적용된다. 완충층의 산성기의 전환은 기술적으로 구현되기 쉽고, 예를 들어, 하기와 같이 수행될 수 있다:

- 물 중의 0.5-3 %, 바람직하게는 1-2 %의 용액으로부터 완충층, 예를 들어, PEDOT:PSS의 스핀 코팅/잉크젯 인쇄 및 베이킹. 베이킹은 100 ℃ 초과의 온도에서 행해지고, 바람직하게는 180 ℃ 초과에서 이루어진다.

- 톨루엔 또는 대체 용매로 희석되는 것이 가능한 에스테르화제, 예를 들어, 액체 트리에틸오르소포르메이트의 스핀 코팅/잉크젯 인쇄.

- 바람직하게는 50 및 250 ℃ 사이, 더욱 바람직하게는 100 및 225℃ 사이 및 가장 바람직하게는 180 및 210 ℃ 사이의 승온에서 에스테르화가 일어나게 하는 적층의 베이킹.

- 저변의 PEDOT/PSSA층을 용해하지 않는 톨루엔 또는 크실렌, 염소화 용매 또는 임의의 기타 직교용매 같은 유기 용매로부터 발광 중합체의 스핀 코팅/잉크젯 인쇄.

상술된 공정은 기타 에스테르화제에 또한 적합하다.

발광소자는 청색 발광 중합체로써 NK 329와 표준프로토콜 및 표준물질을 사 용하여 제조하였다. NK 329 청색 발광물질의 구조는 하기의 화학식 III에서 보여진다.

완충층이 트리에틸오르소포르메이트로 처리된 소자를 참조 소자와 비교하였다.

순수 트리에틸오르소포르메이트 및 톨루엔으로 희석된 트리에틸오르소포르메이트 (3:1 TEOF:톨루엔)가 에스테르화제로 사용되었다. 소자는 가공되고, 특성화되었다. 에스테르화는 완충층 두께의 변형을 야기하지도, 전류 밀도에 영향을 주지도 않았다 (도 3 참조). 그러나 에스테르화의 결과로 효율성이 증가하였다 (도 4 내지 6 및 표 1 참조).

상기 실험의 데이타로부터 명백하듯이, 본 발명에 의해 기술적으로 구현가능한 직진형 공정 단계로, 이 청색 발광 중합체의 효능의 25 % 증가를 획득하는 것이 가능하다.

Claims (24)

1. 애노드; 캐소드; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 배치된 발광층; 상기 애노드 및 상기 발광층 사이에 배치된, 전도성 중합체 및 고분자 산을 포함하는 완충층을 포함하고, 상기 고분자 산의 산성기가 상기 완충층의 적어도 일부에서 비산성기로 전환된 것을 특징으로 하는 발광소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 발광층을 바라보는 상기 완충층 부분에 상기 비산성기가 배치되는 발광소자.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비산성기가 에스테르화제로 에스테르화하여 산성기로부터 전환된 발광소자.
4. 제3항에 있어서, 상기 에스테르화제가 하기 화학식 I을 가지는 오르소포르메이트인 발광소자.

   <화학식 I>

   

   (식 중에서 R¹, R², 및 R³는 동일하거나 상이한데, 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지는 직선형, 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고, 여기서, 상기 알킬기 중에, 하나 이상의 이웃이 아닌 CH₂기는 -O-, -S-, -P-, -Si-, -CO-, -COO-, -O-CO-, -N-알킬-, -N-아릴- 또는 -CON-알킬-에 의해 임의로 치환되고, 하나 이상의 H-원자가 CN, Cl, F 또는 아릴기에 의해 임의로 치환된다.)
5. 제4항에 있어서, 상기 에스테르화제가 트리에틸오르소포르메이트인 발광소자.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비산성기가 에스테르화된 술폰산기이고, 상기 산성기가 술폰산기인 발광소자.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충층이 PEDOT:PSSA를 포함하는 발광소자.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광층이 발광 중합체를 포함하는 발광소자.
9. 제8항에 있어서, 중합체 발광 다이오드 (PLED)인 발광소자.
10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광층이 발광 소형 유기분자를 포함하는 발광소자.
11. 제10항에 있어서, 유기 발광 다이오드 (OLED)인 발광소자.
12. - 애노드를 제공하는 단계;

    - 캐소드를 제공하는 단계;

    - 발광층을 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 배치하는 단계;

    - 전도성 중합체 및 고분자 산을 포함하는 완충층을, 상기 애노드 및 상기 발광층 사이에 배치하는 단계; 및

    - 상기 완충층의 적어도 일부에서 상기 고분자 산의 산성기의 비산성기로의 전환을 수행하는 단계

    를 포함하는 발광소자의 제조 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 고분자 산의 산성기의 비산성기로의 상기 전환을 상기 발광층을 바라보는 상기 완충층 부분에서 수행하는 방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 완충층의 표면상에 상기 발광층을 배치하기 전에 상기 고분자 산의 산성기의 비산성기로의 상기 전환을 상기 완충층의 표면상에서 수 행하는 방법.
15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전환을 에스테르화제로 에스테르화하여 수행하는 방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 에스테르화가 상기 에스테르화제를 상기 완충층상으로 스핀 코팅 또는 잉크젯 인쇄한 다음 상기 산성기를 에스테르화하여 수행되는 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 에스테르화제가 하기 화학식 I을 가지는 오르소포르메이트인 방법.

    <화학식 I>

    

    (식 중에서 R¹, R², 및 R³는 동일하거나 상이한데, 1 내지 20개의 탄소 원자를 가지는 직선형, 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고, 여기서, 상기 알킬기 중에, 하나 이상의 이웃이 아닌 CH₂기는 임의로 -O-, -S-, -P-, -Si-, -CO-, -COO-, -O-CO-, -N-알킬-, -N-아릴- 또는 -CON-알킬-에 의해 치환되고, 하나 이상의 H-원 자가 임의로 CN, Cl, F 또는 아릴기에 의해 치환된다.)
18. 제17항에 있어서, 상기 에스테르화제가 트리에틸오르소포르메이트인 방법.
19. 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비산성기가 에스테르화된 술폰산기이고, 상기 산성기가 술폰산기인 방법.
20. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충층이 PEDOT:PSSA를 포함하는 방법.
21. 제12항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광층이 발광 중합체를 포함하는 방법.
22. 제21항에 있어서, 상기 발광소자가 중합체 발광다이오드 (PLED)인 방법.
23. 제12항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광층이 발광 소형 유기분자를 포함하는 방법.
24. 제23항에 있어서, 유기 발광다이오드인 (OLED) 발광소자.

Images