[go: up one dir, main page]

KR20070085733A - 집적 회로 칩 장치 - Google Patents

집적 회로 칩 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070085733A
KR20070085733A KR1020077012599A KR20077012599A KR20070085733A KR 20070085733 A KR20070085733 A KR 20070085733A KR 1020077012599 A KR1020077012599 A KR 1020077012599A KR 20077012599 A KR20077012599 A KR 20077012599A KR 20070085733 A KR20070085733 A KR 20070085733A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
integrated circuit
circuit chip
carbon nanotube
chip device
thermally conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020077012599A
Other languages
English (en)
Inventor
크리스 윌랜드
헨드리쿠스 요한네스 요카부스 투넨
Original Assignee
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Publication of KR20070085733A publication Critical patent/KR20070085733A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08—Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/10—Liquid materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

열적 경계 재료(130)는 집적 회로 디바이스(120)와 열전도성 디바이스(140) 사이의 열 전달을 촉진한다. 예시적인 실시예에 따르면, 열 경계 재료(130)는 자신의 열전도성을 향상시키는 탄소 나노튜브 재료를 포함한다. 경계 재료(130)는 집적 회로 디바이스(120)와 열전도성 디바이스(140) 사이에서 흐른다. 탄소 나노튜브 재료는 집적 회로 디바이스(120)로부터 열전도성 디바이스(140)로 열을 전도한다.

Description

집적 회로 칩 장치{NANOTUBE-BASED FLUID INTERFACE MATERIAL AND APPROACH}
본 발명은 집적 회로 디바이스 및 그에 대한 접근법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유동성 경계 재료(fluid interface material)를 포함하는 집적 회로 애플리케이션에 관한 것이다.
집적 회로 산업은 회로 밀도와 복잡도의 극적인 증가 및 회로 구성 요소 및 회로 장치의 치수의 극적인 감소를 가능케 하는 기술의 발전을 경험해 왔다. 이러한 기술의 발전은 산업의 극적인 성장과 이에 상응하는 고밀도의, 복잡하고 조밀한 집적 회로 디바이스를 사용하는 제품에 대한 수요를 보급시켜왔다.
회로 밀도와 회로 설계를 특징짓는 기능성이 증가함에 따라, 작은 영역 내에 다양한 상호접속부(및 다양한 상호접속부 및 비아)가 존재하는 것을 종종 필요로 한다. 또한, 회로에 전력을 공급하기 위해 종종 보다 큰 전력 소비를 필요로 한다. 증가된 밀도 및/또는 전력 소비는 일반적으로 열 발생을 증가시키고, 이것은 회로 구성 요소에 대한 잠재적인 문제를 가질 수 있다. 또한, 회로 장치(및 그에 따른 회로 장치와 관련된 구성 요소)의 치수가 감소됨에 따라, 이러한 회로 장치는 종종 열-관련 압력이 증가된 환경에서 배치된다.
일부 예에서, 부적절한 열의 제거는 수명 및 성능의 문제로 이어질 수 있다. 집적 회로 디바이스가 보다 높은 밀도로 제조됨에 따라, 이러한 문제는 악화된다. 또한, 집적 회로로부터 보다 높은 성능이 요구됨에 따라, 열적 문제에 관련된 성능의 변동은 성능 문제로 이어질 수 있다.
집적 회로 내의 열-관련 문제를 다루는 일 접근법은 열 싱크(heat sink) 또는 열을 전도시키는 다른 구성 요소의 사용을 포함해왔다. 열적으로 전도성인 재료는 회로로부터의, 결과적으로는 열적 전도성 재료로부터의 열 전달을 촉진하도록 종종 집적 회로와 함께 배치된다. 다양한 애플리케이션은, 열 교환을 위한 원하는 표면 영역을 제공하는 핀(fin) 장치를 갖는 금속 열 싱크와 같은 공랭식의(air-cooled) 재료의 사용을 포함한다. 집적 회로로부터의 열은 열 싱크로 전달되고, 그에 따라, 주변 공기로 전달된다.
열 싱크 및 그외 열적으로 전도성인 구성 요소가 상대적으로 성공적으로 사용되어 왔지만, 이러한 애플리케이션과 그외 관련된 애플리케이션에 대한 시도는 여전히 존재하며 열 발생이 여전히 문제를 남김에 따라, 보다 널리 행해지고 있다. 집적 회로 디바이스로부터 열을 전도시키는 능력은 디바이스와 디바이스로부터 열을 제거하는 열적으로 전도성인 구성 요소 사이의 경계 특성에 의해 억제될 수 있다. 표면이 접촉되지 않았을 때, 일반적으로 열 전달이 억제된다. 거칠기(roughness)와 같은 표면 특성은 구성 요소 사이에 직접적인 접촉을 형성하도록 하고, 이것은 종종 표면 사이에 갭 또는 빈 공간을 발생시킨다. 이러한 갭 또는 빈 공간은 열적으로 절연 효과를 갖는다.
상기의 난점과 다른 난점들이 다양한 애플리케이션에서의 회로 기판의 구현 시에 존재한다.
본 발명의 다양한 측면은 집적 회로 및 그외의 디바이스와 구현되는 회로 접속 접근법을 포함한다. 본 발명은 다수의 구현물 및 애플리케이션으로 예시될 수 있으며, 그 중 일부가 하기에 요약되었다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 나노튜브-기반의 전도성 재료는 집적 회로 디바이스와 기판과 같은 다른 구성 요소 사이의 (열적 및/또는 전기적) 전도를 활성화한다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예에서, 집적 회로 칩 장치는 열 및/또는 전기 전도성을 촉진하도록 탄소 나노튜브 기반의 유동성 경계 재료를 사용한다. 집적 회로 칩 장치는 집적 회로 칩에 인접한 집적 회로 칩과 전도성(즉, 열적 및/또는 전기적 전도성) 디바이스를 포함한다. 경계 영역은 집적 회로 칩과 열전도성 디바이스에 바로 인접하고 유동성 혼합물 내에 탄소 나노튜브 재료를 포함한다. 탄소 나노튜브 재료는 집적 회로 칩과 열전도성 디바이스 사이의 열을 열적으로 연결하도록 유동성 혼합물과 함께 배치된다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따르면, 집적 회로 칩 장치는 열적으로 전도성인 재료와 인터페이싱한다. 상대적으로 거친 상부 표면(예를 들어, 미시 레벨에서 픽과 웰을 구비하는)을 갖는 집적 회로 칩은 거칠기 특성을 채우는 경계 재료와 함께 배치되고, 상부 표면의 리세스된 영역와 다른 거친 영역을 열적 및/또는 전기적으로 직접 연결하는 것을 촉진한다. 재료는 유동성 베이스와 그 안에 혼합된 탄소 나노튜브 재료를 포함한다. 탄소 나노튜브 재료 혼합물은 웰 내로 흐른다. 일 구현에서, 경계 재료는 집적 회로의 거친 상부 표면 위의 최상부 표면을 더 구비하며, 최상부 표면은 거친 상부 표면에 비교해 평탄하고, 열 싱크와 같은 열전도성 디바이스와 인터페이싱한다.
본 발명의 상기 요약은 본 발명에 대해 설명된 각 실시예 또는 모든 구현을 기술하고자 하는 것은 아니다. 첨부된 도면과 하기의 상세한 설명이 이러한 실시예를 보다 구체적으로 예시한다.
도 1a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유동성 경계 재료를 갖는 집적 회로 패키지 장치의 단면도,
도 1b는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른, 도 1a의 집적 회로 패키지 장치의 단면을 클로즈업하여 묘사한 도면,
도 1c는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른, 도 1a의 집적 회로 패키지 장치의 단면을 클로즈업하여 묘사한 도면,
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른, 유동성 경계 재료에 인접한 집적 회로 패키지 장치의 단면도와 표면 거칠기를 도시한 도면.
본 발명은 첨부된 도면에 관련된 본 발명의 다양한 실시예에 대한 하기의 상세한 설명으로부터 보다 완벽하게 이해될 수 있다.
본 발명이 다양한 변경 및 대체의 형태로 수정될 수 있지만, 본 발명에 대한 명세가 예시의 방법으로 도면에 도시되었으며 하기에서 상세하게 기술될 것이다. 그러나, 본 발명이 기술된 특정 실시예로 제한되는 것은 아님을 이해해야 한다. 그와 반대로, 본 발명은 첨부된 특허청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 범주 내에 포함되는 모든 변경, 균등물 및 대안을 커버한다.
본 발명은 경계 재료, 특히 열적 그리스와 같은 유동성 경계 재료를 포함하고/거나 그로부터 이익을 얻는 다양한 회로 및 접근법에 대해 적용가능하다. 본 발명이 이러한 적용에 제한되어야 하는 것은 아니지만, 이러한 환경에서의 예시에 대한 기술을 통해 본 발명의 다양한 측면에 대한 이해가 가장 잘 획득될 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 나노튜브-강화 유동성 경계형 재료는 회로 구성 요소로부터의 열 전달을 촉진한다. 경계형 재료는 회로 디바이스의 표면과 열 싱크와 같은 열적으로 전도성인 구성 요소 사이에서 흐르도록 구성된다. 경계형 재료 내의 나노튜브 재료는 경계형 재료의 열 전도를 촉진하며, 그에 따라 회로와 열-전도성인 구성 요소 사이를 열적으로 연결시킨다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예에서, 탄소-나노튜브 강화 열적 경계 재료는, 집적 회로 칩의 표면과 칩에 접촉하여 배열된 열 싱크 사이의 빈 공간 또는 개구부로의 흐름을 용이하게 하는 점착성의 특성을 갖는다. 열적 경계 재료는 나노튜 브 및/또는 나노튜브 더스트와 같은 베이스 구성 요소 및 탄소 나노튜브 재료를 포함하며, 베이스 구성 요소는 탄소 나노튜브 재료가 혼합되는 매질을 제공한다. 집적 회로 칩과 열 싱크 모두에 접촉하여 구현될 때, 열 경계 재료는 집적 회로 칩과 열 싱크를 열적으로 연결시킨다(즉, 열적-집적 회로 칩과 열 싱크 사이의 열적-전도 매질을 제공한다). 이러한 열적 연결은 예를 들어, 공기와 같은 빈 공간 내의 재료 양단 열 전달 속도에 대해, 또는 종래의 재료에 대해, 집적 회로 칩과 열 싱크 사이의 열 전달 속도를 전반적으로 향상시킨다.
서로 다른 다양한 베이스 구성 요소는 애플리케이션 및 입수가능한 재료에 따라 탄소 나노튜브 재료로 구현된다. 예를 들어, 적당한 점착성 특성을 갖는 에폭시 내에 혼합된 탄소 나노튜브는 집적 회로 칩과 열 싱크 사이에서 흐를 수 있다. 유사하게, 낮은 점착성의 바인더 재료는 이러한 애플리케이션에 있어서 탄소 나노튜브 재료를 유지하는 데에 사용될 수 있다. 그리스, 오일, 알코올 등과 같은 다른 재료가 이러한 실시예에 따른 탄소 나노튜브 재료와 함께 베이스 구성 요소로 사용된다. 또한, 이러한 재료들과 다른 재료들의 혼합은 이러한 애플리케이션과 다른 애플리케이션들에서 추가로 사용될 수 있다.
탄소 나노튜브 재료의 다양한 유형은 본 명세서에서 기술되는 다양한 애플리케이션에서 사용될 수 있으며, 선택된 필요에 맞추도록 특정 애플리케이션에서 다른 재료와 함께 혼합된다. 예를 들어, 탄소 나노튜브 더스트, 멀티-측벽와 단일-측벽의 탄소 나노튜브 및 그외의 탄소-나노튜브 기반 재료가 서로 다른 애플리케이션에서 사용된다. 이러한 탄소 나노튜브 재료는 전반적으로 작으며, 즉 실리카 또는 그외의 필러 재료보다 작다.
일부 구현에서, 탄소 나노튜브 재료는 바람직한 흐름 특성을 획득하도록 치수 및 배열이 맞추어진다. 예를 들어, 경계 재료가 흐르게 될 매우 작은 영역을 포함하는 애플리케이션에서, 탄소 나노튜브 더스트 또는 단일-측벽의 탄소 나노튜브와 같은 상대적으로 작은 치수의 탄소 나노튜브가 사용된다. 높은 흐름 특성이 필요하지는 않은 경우, 탄소 나노튜브 체인 또는 행렬과 같은 상대적으로 큰 사이즈의 탄소 나노튜브 재료가 사용된다. 또한, 일부 애플리케이션은 서로 다른 크기의 탄소 나노튜브 재료의 조합의 사용을 포함한다.
일 구현에서, 베이스 재료와 함께 구현된 탄소 나노튜브 재료는 탄소 나노튜브가 표면에 접촉하도록 집적 회로 디바이스의 표면와 함께 배열된다. 표면과 경계(베이스) 재료 사이의 열 저항은 탄소 나노튜브 재료가 표면에 직접 접촉한 결과로서 생성된 열 접속을 통해 실질적으로 감소된다.
탄소 나노튜브 재료는 하나 이상의 다양한 접근법을 사용하여 집적 회로 디바이스의 표면에 접촉하도록 배열된다. 일 구현에서, 베이스 재료는 필러와 표면 또는 집적 회로 디바이스의 표면 사이의 직접적인 접촉을 용이하게 하도록 충분한 양의 탄소 나노튜브 필러를 사용하여 로딩된다. 탄소 나노튜브 더스트(예를 들어, 파우더)가 사용될 때 더스트를 갖는 베이스 재료의 충분한 로딩은 다수의 탄소 나노튜브 입자가 표면에 접촉하도록 한다.
다른 구현에서, 더스트와 같은 탄소 나노튜브 필러 재료의 농도가 베이스 재료에 대해 선택되어, 필러 재료의 농도를 최대화하는 동시에 원하는 흐름 특성을 획득한다. 이러한 최대화는 필러 재료와 표면 사이의 열 상호작용을 가능케 하는 흐름 특성을 획득하는 동시에 열 전달을 용이하게 한다. 이러한 일 구현은 오일을 탄소 나노튜브 파우더와 혼합하는 것을 포함한다. 이러한 다른 구현은 알코올을 탄소 나노튜브 파우더와 혼합하는 것을 포함한다.
다른 구현에서, 탄소 나노튜브 필러 재료의 농도는 바람직한 전기 전도 특성을 획득하도록 선택된다. 예를 들어, 집적 회로 칩과 열 싱크와 같은 열적 전도성 디바이스 사이의 전기 전도율이 바람직한 경우(또는 예를 들어, 바람직하지 않은 경우), 베이스 재료 내의 탄소 나노튜브 필러 재료의 농도는 높다. 집적 회로 칩과 (열적 전도성 디바이스를 포함하는) 다른 구성 요소 사이의 전기 전도율이 바람직하지 않은 경우, 베이스 재료 내의 탄소 나노튜브 재료의 농도는 상대적으로 낮다. 이러한 예에서, 사용할 탄소 나노튜브 재료의 농도를 선택할 때 베이스 재료의 특성이 고려된다. 베이스 재료가 절연성인 경우, 탄소 나노튜브 재료에 관한 전기 전도율은 일반적으로 베이스 재료의 절연 성질에 의해 억제되고, 따라서, 탄소 나노튜브 재료의 농도는 이러한 절연성 특성에 관하여 선택된다.
도면을 참조하면, 도 1a는 열 소산 디바이스와의 열 전달을 용이하게 하도록 탄소 나노튜브 재료를 사용하는, 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 장치(100)를 도시한 도면이다. 장치(100)는 예를 들어, 자신의 대면하는 표면에 접촉한 점착성 재료를 사용하여 지지 기판(110) 상에 배열되고 여기에 연결된 집적 회로 칩(120)을 포함한다. 추가의 패키징 구성 요소(예를 들어, 전기 접속부, 몰드 혼합물)는 애플리케이션에 따라 집적 회로 칩(120)과 기판(110) 패키지와 함께 구 현될 수 있지만, 여기에서는 간략함을 위해 생략되었다.
열 싱크(140)는 집적 회로 칩(120) 위에 배치되고, 열 싱크와 칩을 분리시키는 열적 경계 재료(130)를 갖는다. 열 싱크(140)는 예시로서 장치 내에 도시되었으며, 이러한 실시예 및 다른 예시적인 실시예에서 사용하는 데에 적용가능한 복수의 유형의 열 싱크(또는 열적으로 전도성인 재료)를 갖는다. 도 1a에서, 열 싱크(140)에는 대표적으로 (142)로 표기된 열 핀(heat fin)을 갖는 복수의 열 핀이 도시되었고, 이것은 집적 회로 칩(120)으로부터 전반적으로 윗방향으로 연장하며 냉각을 용이하게 하도록 배치된다.
열적 경계 재료(130)는 열적 경계 재료의 열 전도율에 기여하는 탄소 나노튜브 필러를 갖는 베이스 재료를 포함한다. 탄소 나노튜브 필러는 집적 회로 칩(120) 내에 생성된 (또는 기판(110)으로부터 통과된) 열을 지적 회로 칩으로부터 열 싱크(140)로 전도시킨다. 장치(100) 양단의 열 경사는 집적 회로 내의 열이 상대적으로 보다 기온이 낮은 열 싱크로 전달되도록 하여 열 전달을 용이하게 한다(예를 들어 기체 또는 액체와 같은 주변의 매질에 의해 냉각됨). 일반적으로, 열 경계 재료(130) 내의 탄소 나노튜브 필러의 존재는 경계 재료의 전반적인 열 전도율을 증가시키고, 따라서, 집적 회로 칩(120)과 열 싱크(140) 사이의 경계 양단의 전반적으로 빠른 열 전달을 용이하게 한다.
도 1a에 도시된 것과 유사한 (그리고 서로 유사한) (후술된) 도 1b 및 도 1c에 도시된 다양한 장치의 부분은 공통의 참조 번호로 표기되었다. 전술된 이러한 임의의 소자에 대한 설명은 간략함을 위해 생략되었다.
도 1b는 도 1a에 도시된 바와 같은 집적 회로 칩(120)과 열 싱크(140) 사이의 경계를 확대한 도면(105)으로, 탄소 나노튜브 재료는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따라 배치된다. 집적 회로 디바이스(120)와 열 싱크(140)의 표면(121, 141)은 각각 도시된 바와 같이 표면 거칠기를 나타내고, 열적 경계 재료(130)는 각 표면에 접촉한다. 대표적으로 입자(132)으로 도시된 열 경계 재료(130) 내의 탄소 나노튜브 입자는 표면(121, 141) 사이의 경계 양단의 열 전달을 용이하게 한다.
입자(132)와 같은 탄소 나노튜브 입자는 단일-측벽 및/또는 복수-측벽의 탄소 나노튜브, 탄소 나노튜브 더스트(예를 들어, 그라운드 탄소 나노튜브)의 일부분 또는 탄소 나노튜브 장치와 같은 다양한 유형의 하나 이상의 탄소 나노튜브 재료를 포함한다. 탄소 나노튜브 입자의 형태의 본성은 각 표면(121, 141)에서 거친 영역의 충진을 용이하게 하고, 이때 탄소 나노튜브 재료는 열 전달을 위해 각 표면에 근접한다(또는 접촉한다).
도 1c는 도 1a에 도시된 바와 같은 집적 회로 칩(120)과 열 싱크(140) 사이의 경계를 확대한 도면(107)으로, 탄소 나노튜브 재료는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따라 배치된다. 표면(121, 141)은 도 1b에서 전술된 바와 같은 표면 거칠기를 나타내고, 열적 경계 재료(130)는 다시 각 표면에 접촉한다. 도 1c에서, 탄소 나노튜브는 대표로 (134)로 표기된 탄소 나노튜브를 갖는 열적 경계 재료(130)를 형성하도록 베이스 내에 혼합된다. 이러한 탄소 나노튜브는 표면(121, 141) 사이에서의 열 전달을 용이하게 한다.
열적 경계 재료(130) 내의 (탄소 나노튜브(134)와 같은) 탄소 나노튜브는 구 현에 따라 단일-측벽 및/또는 복수-측벽의 탄소 나노튜브를 포함한다. 또한, 탄소 나노튜브의 배향은 특정 애플리케이션에 맞도록 선택된다. 도 1c에 도시된 배향은 일반적으로 복수의 방향 및/또는 임의의 방향이지만, 이러한 구현은 열 전달 및/또는 다른 바람직한 특성을 촉진하도록 탄소 나노튜브의 정렬된 배열을 포함한다. 예를 들어, 일부 구현은 표면(121, 141)에 대해 전반적으로 직교하는 방향의 탄소 나노튜브 배열을 포함한다. 이렇게 전반적으로 직교하는 방향은 표면 사이의 방향으로 탄소 나노튜브를 따라 열이 전달되는 것을 용이하게 한다.
열 경계 재료(130) 내의 탄소 나노튜브의 방향은 다양한 방법으로 획득될 수 있다. 예를 들어, 자화되었을 때, 탄소 나노튜브는 자기장을 사용하여 정렬될 수 있다. 정렬되면, 탄소 나노튜브를 포함하는 베이스 재료는 자기장이 제거된 후에도 탄소 나노튜브의 위치가 유지되도록 혼합된다. 다른 배향 접근법은 바람직한 배향을 생성하는 경계 재료(130)가 흐르도록 하는 접근법을 사용하는 것을 포함한다(예를 들어, 탄소 나노튜브가 자신을 흐름 패턴으로 정렬하는 경우).
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른, 탄소 나노튜브-강화 경계 재료를 갖는 집적 회로 장치(200)를 미시적인 레벨에서 본 단면도이다. 집적 회로 칩(220)은 다양한 기하학적 배열뿐 아니라 다양한 고저 영역(예를 들어, 픽(peak)과 웰(well))을 갖는 거칠기를 나타내는 표면(221)을 갖는다. 전형적으로 다양한 서로 다른 유형의 집적 회로 디바이스와 관련된 이러한 거칠기는 열적-전도성인 디바이스를 도전적으로 집적 회로 칩(220)과 인터페이싱을 형성하도록 한다. 즉, 표면(221)이 높은 지점과 낮은 지점을 갖는 경우 인터페이싱 디바이스가 표면에 접촉 하지 않는 빈 공간이 존재한다.
유동성 열적 경계 재료(230)는 표면(221) 상에 배치되어 그것으로부터 열을 전달한다. 유동성 열적 경계 재료(230)는 그리스와 같은 베이스 재료 내에 탄소 나노튜브 재료(예를 들어, 입자, 더스트 및/또는 나노튜브)를 포함한다. 입자(232)로 대표적으로 표기된 탄소 나노튜브 재료는, 열을 전도하고 그에 따라 유동성 경계 재료(230)의 바람직한 열 전도 특성을 용이하게 한다. 표면(221)과 접촉하는 임의의 탄소 나노튜브 재료는 집적 회로(220)와의 직접적인 열 접촉을 용이하게 한다. 또한, 유동성 경계 재료(230)의 유동성 성질은, 상대적으로 작은 크기의 탄소 나노튜브 재료(예를 들어, 더스트)와 연결되어 열적으로 전도성인 재료가 표면(221)에서 낮은 영역으로 충진되도록 한다. 예를 들어, 대표 입자(232) 부근의 낮은 영역이 충진되어 그에 따라 부근의 표면(221)으로부터의 열 전도성이 탄소 나노튜브 재료의 상대적인 접근에 의해 용이하게 된다. 이에 관하여, 집적 회로 칩(220) 내의 회로소자에서 생성된 열은 유동성 열적 경계 재료(230)에 의해 칩으로부터 전달된다.
장치(200)는 다양한 서로 다른 형태에 따르도록 전반적으로 수용적인 유동성 경계 재료(230)의 상부 영역에서 열-전도성의 장치에 인터페이싱하도록 사용된다. 이에 관하여, 유동성 경계 재료(230)는 다수의 장치에서 다양한 열-전도성 디바이스의 사용을 허락하며, 이때 유동성 경계 재료는 집적 회로 칩(220)에 열적으로 도전성인 경로를 제공한다. 예를 들어, 도 1a 내지 도 1c에서 도시된 바와 같은 열 싱크는 다양한 애플리케이션에 있어서 도 2에 도시된 접근법으로 구현될 수 있다.
전술된 다양한 실시예 및 도면은 단지 예시의 방법으로 제공된 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 전술된 설명 및 도면에 기초하여, 당업자는 본 명세서에서 도시되고 기술된 예시적인 실시예 및 애플리케이션을 직접적으로 따르지 않고 본 발명에 다양한 변경 및 변화가 가능하다는 점을 쉽게 인식할 것이다. 예를 들어, 탄소 나노튜브는 붕소와 같이 탄소가 아닌, 또는 탄소에 추가하여 다른 재료가 사용될 수 있다. 또한, 예시의 방법으로 기술된 경계형 재료는 복수의 서로 다른 유형의 재료와 함께 구현될 수 있고, 단독으로 사용되고/거나 하나 이상의 조합하여 사용되거나 또는 전술된 재료와 함께 사용될 수 있다. 이러한 변경 및 변화는 본 발명의 진정한 사상 및 범주로부터 벗어나지 않는다.

Claims (20)

  1. 집적 회로 칩 장치(100)에 있어서,
    집적 회로 칩(120)과,
    상기 집적 회로 칩에 인접한 열전도성 디바이스(140)와,
    상기 집적 회로 칩에 직접 이웃한 경계 영역(130)을 포함하되,
    상기 경계 영역은 유동성 혼합물 내에 탄소 나노튜브 재료를 포함하고,
    상기 탄소 나노튜브 재료는 상기 유동성 혼합물과 함께 구성되고 배치되어 상기 집적 회로 칩과 상기 열전도성 디바이스 사이의 열을 연결하는
    집적 회로 칩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브 재료는 탄소 나노튜브 더스트(dust), 단일-측벽 탄소 나노튜브 및 복수-측벽 탄소 나노튜브 중 적어도 하나를 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유동성 혼합물은 에폭시, 저-점착성 바인더(low-viscosity binder), 그 리스, 알코올 및 오일 중 적어도 하나를 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유동성 혼합물은 탄소 나노튜브 재료가 흐르도록 충분한 유체와 혼합된 탄소 나노튜브 재료인
    집적 회로 칩 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 집적 회로 칩은 표면 거칠기(surface roughness)를 나타내는 상부 표면을 구비하고 상기 탄소 나노튜브 재료는 상기 상부 표면의 리세스된(recessed) 영역 내로 흐르도록 충분히 작은
    집적 회로 칩 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브 재료는 상기 집적 회로 칩과 상기 열전도성 디바이스 사이에서 원하는 열 전달 경로에 전반적으로 평행한 방향으로 배향된 탄소 나노튜브 를 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브는 상기 집적 회로 칩과 상기 열전도성 디바이스 사이에서 상기 유동성 혼합물이 흐르는 방향으로 배향되는
    집적 회로 칩 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브는 자화되는(magnetized)
    집적 회로 칩 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브는 자기장의 방향으로 배향되는
    집적 회로 칩 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브 재료는 서로 다른 크기의 탄소 나노튜브 재료를 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브 재료는 표면 공간으로 흐르는 크기의 탄소 나노튜브 더스트와 탄소 나노튜브들을 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브 재료는 탄소 나노튜브 체인을 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 유동성 혼합물 내의 상기 탄소 나노튜브 재료의 농도는 상기 유동성 혼 합물의 원하는 열 전도성을 획득하도록 선택되는
    집적 회로 칩 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 유동성 혼합물은 탄소 나노튜브 재료 자신의 농도의 함수인 전기 전도성을 갖는
    집적 회로 칩 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유동성 혼합물은 상기 집적 회로 칩과 상기 열전도성 디바이스 사이에서 전기를 전도하도록 충분히 높은 전기 전도성을 갖는
    집적 회로 칩 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 유동성 혼합물은 상기 집적 회로 칩과 상기 열전도성 디바이스 사이에서의 전기 전도를 억제하도록 충분히 낮은 전기 전도성을 갖는
    집적 회로 칩 장치.
  17. 열전도성 재료와 인터페이싱하는 집적 회로 칩 장치(200)에 있어서,
    거친 상부 표면(221)을 갖는 집적 회로 칩(220)과,
    상기 상부 표면 상의 경계 재료(230)를 포함하되,
    상기 경계 재료는,
    유동성 베이스와,
    상기 유동성 베이스 내에 혼합되고, 상기 거친 상부 표면의 다른 부분에 대해 리세스된 거친 상부 표면의 영역 내로 흐르는 탄소 나노튜브 재료(232)를 포함하는
    집적 회로 칩 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 경계 재료는 상기 경계 재료 상에 위치한 열전도성 디바이스의 리세스된 영역 내로 흐르는
    집적 회로 칩 장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 경계 재료는 자신의 내부의 탄소 나노튜브 재료의 양의 함수로서 변화 하는 열전도 특성을 갖는
    집적 회로 칩 장치.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 경계 재료는 상기 집적 회로의 거친 상부 표면 위에 최상부 표면을 갖고,
    상기 최상부 표면은 상기 거친 상부 표면에 대해 평탄하며,
    열전도성 디바이스와 인터페이싱하는
    집적 회로 칩 장치.
KR1020077012599A 2004-11-04 2005-11-04 집적 회로 칩 장치 Withdrawn KR20070085733A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62544904P 2004-11-04 2004-11-04
US60/625,449 2004-11-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070085733A true KR20070085733A (ko) 2007-08-27

Family

ID=35705339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077012599A Withdrawn KR20070085733A (ko) 2004-11-04 2005-11-04 집적 회로 칩 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8848372B2 (ko)
EP (1) EP1810331A1 (ko)
JP (1) JP2008519455A (ko)
KR (1) KR20070085733A (ko)
CN (1) CN100490134C (ko)
TW (1) TW200633171A (ko)
WO (1) WO2006048848A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7392217B2 (en) * 2001-05-09 2008-06-24 Bgc Partners, Inc. Systems and methods for controlling traders from manipulating electronic trading markets
US20050016714A1 (en) 2003-07-09 2005-01-27 Chung Deborah D.L. Thermal paste for improving thermal contacts
WO2008049015A2 (en) 2006-10-17 2008-04-24 Purdue Research Foundation Electrothermal interface material enhancer
US8919428B2 (en) 2007-10-17 2014-12-30 Purdue Research Foundation Methods for attaching carbon nanotubes to a carbon substrate
WO2009069684A1 (ja) * 2007-11-29 2009-06-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 放熱構造、該放熱構造の製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置、ダイヤモンドヒートシンク、該ダイヤモンドヒートシンクの製造方法及び該ダイヤモンドヒートシンクを用いた放熱装置、並びに放熱方法
JP4623167B2 (ja) * 2008-08-26 2011-02-02 トヨタ自動車株式会社 放熱構造及び車両用インバータ
US8541058B2 (en) 2009-03-06 2013-09-24 Timothy S. Fisher Palladium thiolate bonding of carbon nanotubes
US9721868B2 (en) 2009-07-30 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three dimensional integrated circuit (3DIC) having a thermally enhanced heat spreader embedded in a substrate
US8970029B2 (en) 2009-07-30 2015-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermally enhanced heat spreader for flip chip packaging
CN102792441B (zh) * 2010-03-12 2016-07-27 富士通株式会社 散热结构及其制造方法
US8564954B2 (en) * 2010-06-15 2013-10-22 Chipmos Technologies Inc. Thermally enhanced electronic package
JP5611739B2 (ja) * 2010-09-15 2014-10-22 株式会社東芝 熱電発電システム
US10600753B2 (en) * 2015-08-28 2020-03-24 Texas Instruments Incorporated Flip chip backside mechanical die grounding techniques
US10393532B2 (en) * 2015-10-20 2019-08-27 International Business Machines Corporation Emergency responsive navigation
WO2022009555A1 (ja) * 2020-07-07 2022-01-13 正毅 千葉 放熱材および電子デバイス

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4108589A (en) * 1976-03-30 1978-08-22 Bunch Robert E Tool for flaring plastic pipe
US5198189A (en) * 1989-08-03 1993-03-30 International Business Machines Corporation Liquid metal matrix thermal paste
US5459352A (en) * 1993-03-31 1995-10-17 Unisys Corporation Integrated circuit package having a liquid metal-aluminum/copper joint
US5745344A (en) * 1995-11-06 1998-04-28 International Business Machines Corporation Heat dissipation apparatus and method for attaching a heat dissipation apparatus to an electronic device
US5802707A (en) * 1996-03-28 1998-09-08 Intel Corporation Controlled bondline thickness attachment mechanism
DE60028343T2 (de) * 1999-02-12 2007-05-24 Board Of Trustees Operating Michigan State University, East Lansing Nanokapseln mit geladenen teilchen, deren verwendung und verfahren zu ihrer herstellung
ATE355323T1 (de) * 1999-12-07 2006-03-15 Univ Rice William M Orientierte nanofaser eingebunden in einer polymermatrix
JP4759122B2 (ja) 2000-09-12 2011-08-31 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート及び熱伝導性グリス
US6407922B1 (en) * 2000-09-29 2002-06-18 Intel Corporation Heat spreader, electronic package including the heat spreader, and methods of manufacturing the heat spreader
JP2002121404A (ja) * 2000-10-19 2002-04-23 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子シート
US6542371B1 (en) 2000-11-02 2003-04-01 Intel Corporation High thermal conductivity heat transfer pad
JP4697829B2 (ja) * 2001-03-15 2011-06-08 ポリマテック株式会社 カーボンナノチューブ複合成形体及びその製造方法
US7084507B2 (en) * 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
US6921462B2 (en) * 2001-12-17 2005-07-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing aligned carbon nanotube thermal interface structure
US6965513B2 (en) * 2001-12-20 2005-11-15 Intel Corporation Carbon nanotube thermal interface structures
US6761813B2 (en) * 2002-01-31 2004-07-13 Intel Corporation Heat transfer through covalent bonding of thermal interface material
US6891724B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-10 Intel Corporation Increasing thermal conductivity of thermal interface using carbon nanotubes and CVD
US6856016B2 (en) * 2002-07-02 2005-02-15 Intel Corp Method and apparatus using nanotubes for cooling and grounding die
US6757170B2 (en) * 2002-07-26 2004-06-29 Intel Corporation Heat sink and package surface design
US6994584B1 (en) * 2002-08-30 2006-02-07 Advanced Micro Devices, Inc. Thermally conductive integrated circuit mounting structures
CN1248959C (zh) * 2002-09-17 2006-04-05 清华大学 一种碳纳米管阵列生长方法
DE10248644B4 (de) * 2002-10-18 2008-07-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
JP4278617B2 (ja) * 2002-11-12 2009-06-17 富士通株式会社 実装構造及び電子装置
CN1296994C (zh) * 2002-11-14 2007-01-24 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
US6774482B2 (en) * 2002-12-27 2004-08-10 International Business Machines Corporation Chip cooling
US6841867B2 (en) * 2002-12-30 2005-01-11 Intel Corporation Gel thermal interface materials comprising fillers having low melting point and electronic packages comprising these gel thermal interface materials
TWI250203B (en) * 2002-12-31 2006-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Thermal interface material
US7316061B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Intel Corporation Packaging of integrated circuits with carbon nano-tube arrays to enhance heat dissipation through a thermal interface
US7013965B2 (en) * 2003-04-29 2006-03-21 General Electric Company Organic matrices containing nanomaterials to enhance bulk thermal conductivity
DE10327530A1 (de) 2003-06-17 2005-01-20 Electrovac Gesmbh Vorrichtung mit wenigstens einer von einem zu kühlenden Funktionselement gebildeten Wärmequelle, mit wenigstens einer Wärmesenke und mit wenigstens einer Zwischenlage aus einer thermischen leitenden Masse zwischen der Wärmequelle und der Wärmesenke sowie thermische leitende Masse, insbesondere zur Verwendung bei einer solchen Vorrichtung
US7112472B2 (en) * 2003-06-25 2006-09-26 Intel Corporation Methods of fabricating a composite carbon nanotube thermal interface device
US20040266063A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-30 Montgomery Stephen W. Apparatus and method for manufacturing thermal interface device having aligned carbon nanotubes
US7118941B2 (en) * 2003-06-25 2006-10-10 Intel Corporation Method of fabricating a composite carbon nanotube thermal interface device
US7168484B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-30 Intel Corporation Thermal interface apparatus, systems, and methods
US6864571B2 (en) * 2003-07-07 2005-03-08 Gelcore Llc Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking
US20050016714A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-27 Chung Deborah D.L. Thermal paste for improving thermal contacts
US7109581B2 (en) * 2003-08-25 2006-09-19 Nanoconduction, Inc. System and method using self-assembled nano structures in the design and fabrication of an integrated circuit micro-cooler
US20070114658A1 (en) * 2004-08-24 2007-05-24 Carlos Dangelo Integrated Circuit Micro-Cooler with Double-Sided Tubes of a CNT Array
US20070126116A1 (en) * 2004-08-24 2007-06-07 Carlos Dangelo Integrated Circuit Micro-Cooler Having Tubes of a CNT Array in Essentially the Same Height over a Surface
US7538422B2 (en) * 2003-08-25 2009-05-26 Nanoconduction Inc. Integrated circuit micro-cooler having multi-layers of tubes of a CNT array
US20050116336A1 (en) * 2003-09-16 2005-06-02 Koila, Inc. Nano-composite materials for thermal management applications
US20050126766A1 (en) * 2003-09-16 2005-06-16 Koila,Inc. Nanostructure augmentation of surfaces for enhanced thermal transfer with improved contact
US20050061496A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Matabayas James Christopher Thermal interface material with aligned carbon nanotubes
JPWO2005040065A1 (ja) * 2003-10-29 2007-03-01 住友精密工業株式会社 カーボンナノチューブ分散複合材料の製造方法
TW200517042A (en) * 2003-11-04 2005-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Heat sink
TWI253467B (en) * 2003-12-23 2006-04-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Thermal interface material and method for making same
US7456052B2 (en) * 2003-12-30 2008-11-25 Intel Corporation Thermal intermediate apparatus, systems, and methods
US7180174B2 (en) * 2003-12-30 2007-02-20 Intel Corporation Nanotube modified solder thermal intermediate structure, systems, and methods
JP4448356B2 (ja) * 2004-03-26 2010-04-07 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN100383213C (zh) * 2004-04-02 2008-04-23 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
US20050248924A1 (en) * 2004-05-10 2005-11-10 International Business Machines Corporation Thermal interface for electronic equipment
US20050255304A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Damon Brink Aligned nanostructure thermal interface material
US20050254208A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Belady Christian L Air flow direction neutral heat transfer device
US20050260412A1 (en) * 2004-05-19 2005-11-24 Lockheed Martin Corporation System, method, and apparatus for producing high efficiency heat transfer device with carbon nanotubes
US7200006B2 (en) * 2004-06-03 2007-04-03 International Business Machines Corporation Compliant thermal interface for electronic equipment
US20060090885A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Stephen Montgomery Thermally conductive channel between a semiconductor chip and an external thermal interface
TWI388042B (zh) * 2004-11-04 2013-03-01 台灣積體電路製造股份有限公司 基於奈米管基板之積體電路
US7351360B2 (en) * 2004-11-12 2008-04-01 International Business Machines Corporation Self orienting micro plates of thermally conducting material as component in thermal paste or adhesive
JP2007160470A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Stanley Electric Co Ltd カーボンナノチューブの配向方法および電界電子放出素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN100490134C (zh) 2009-05-20
US8848372B2 (en) 2014-09-30
WO2006048848A1 (en) 2006-05-11
US20090009973A1 (en) 2009-01-08
JP2008519455A (ja) 2008-06-05
CN101095227A (zh) 2007-12-26
EP1810331A1 (en) 2007-07-25
TW200633171A (en) 2006-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Prasher et al. Nano and Micro Technology-Based Next-Generation Package-Level Cooling Solutions.
CN100490134C (zh) 基于纳米管的流体界面材料和方法
KR100566446B1 (ko) 고밀도 패키징 적용에 사용하기 위한 고성능 히트 싱크 구조
US7492594B2 (en) Electronic circuit modules cooling
US6219243B1 (en) Heat spreader structures for enhanced heat removal from both sides of chip-on-flex packaged units
US7739876B2 (en) Socket enabled current delivery to a thermoelectric cooler to cool an in-substrate voltage regulator
US7172017B2 (en) Heat sink
US20030168731A1 (en) Thermal interface material and method of fabricating the same
US20080144288A1 (en) Compliant thermal interface structure utilizing spring elements
JPH0220049A (ja) 電子回路装置冷却モジユール
CN1816904A (zh) 在倒装多矩阵阵列封装中的模制化合物盖及其制作工艺
US20080093053A1 (en) Systems and methods for providing two phase cooling
US7876565B2 (en) Method of obtaining enhanced localized thermal interface regions by particle stacking
US9613882B2 (en) Nanoparticle thermal interface agents for reducing thermal conductance resistance
US9741636B1 (en) Nano-thermal agents for enhanced interfacial thermal conductance
CN103250243A (zh) 半导体装置
US20060185836A1 (en) Thermally coupled surfaces having controlled minimum clearance
KR101044351B1 (ko) 히트 쿨러
US20230317555A1 (en) Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof
KR102884802B1 (ko) 다상 열계면 부재, 이를 형성하는 방법 및 이를 포함하는 전자 소자 테스트 장치
US20250253206A1 (en) Integrated cooling assemblies for advanced device packaging and methods of manufacturing the same
JP3095778U6 (ja) ヒートシンク
WO2025171355A1 (en) Integrated cooling assemblies for advanced device packaging and methods of manufacturing the same
Solutions Electronic package technology development
CN118201293A (zh) 多相热接口构件、其形成方法以及具备该构件的电子组件测试设备

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20070604

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20080717

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid