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KR20040092512A - 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치 - Google Patents

방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치 Download PDF

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KR20040092512A
KR20040092512A KR1020030025980A KR20030025980A KR20040092512A KR 20040092512 A KR20040092512 A KR 20040092512A KR 1020030025980 A KR1020030025980 A KR 1020030025980A KR 20030025980 A KR20030025980 A KR 20030025980A KR 20040092512 A KR20040092512 A KR 20040092512A
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서영주
요시아끼 하야시모토
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(주)그래픽테크노재팬
서영주
요시아끼 하야시모토
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Abstract

본 발명은 백색광을 방출하기 위한 반도체 발광장치에 관한 것으로서, 특히 발광소자 주변에 발광소자로부터 방출된 빛을 반사하고, 발광소자에서 발생하는 열을 외부로 방열하기 위한 반사판이 설치되어 있는 반도체 발광장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 발광장치는 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 제공되는 전극들; 상기 전극들과 소정 거리 이격되어 상기 베이스 기판위에 탑재되는 반도체 발광소자; 상기 전극들과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 상호 연결하기 위한 연결부재; 베이스 기판의 바닥으로 부터 일정한 높이로 연장되어 상기 반도체 발광소자를 둘러싸는 반사판; 및 상기 반사판에 의해 형성되는 수납공간 내부에 형성되어 상기 발광소자 전체를 커버하고, 상기 발광소자로부터 방사되는 광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 방사하기 위한 색변환 물질이 함유되어 있는 투광성 커버층를 포함하고; 상기 반사판은 표면에서의 광 반사율이 높고, 높은 열전도도를 갖는 재질로 이루어져 발광소자로부터 방사되는 광을 반사시켜 균일한 평면광을 형성하고, 발광소자로부터 방사되는 열을 외부로 방열시켜 상기 수납공간 내부를 냉각시키는 것을 특징으로 한다.

Description

방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치{A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE WITH REFLECTORS HAVING A COOLING FUNCTION}
본 발명은 백색광을 방출하기 위한 반도체 발광장치에 관한 것으로서, 특히 발광소자 주변에 발광소자로부터 방출된 빛을 반사하고, 발광소자에서 발생하는 열을 외부로 방열하기 위한 반사판이 설치되어 있는 반도체 발광장치에 관한 것이다.
오늘날, 청색광을 고휘도로 발광할 수 있는 질화갈륨계 반도체를 이용한 발광 다이오드(LED)칩이 개발되었다. 이 질화갈륨계 반도체를 이용한 발광소자는 적색에서 황녹색을 발광하는 다른 발광소자와 비교하여 출력이 높고, 온도에 의한 색 시프트가 적다는 특징이 있다.
이 청색 발광 반도체 다이오드칩은 휴대용 전자기기, 사인 램프, 지시 램프 등과 같은 장치에 널리 적용되고 있다. 상기 발광 다이오드 칩을 상술한 장치에 적용하기 위해서는 포인트 발광(point emission)을 평면 발광(planar emission)으로 전환하여야 한다.
이를 위해, 종래에는 발광 다이오드칩의 전면에 빛의 방향성을 컨트롤하기 위한 렌즈를 설치하거나(국제 공개특허 WO98/5078 호) 복수의 발광 다이오드칩을 고밀도로 배열하여 어레이를 형성하였다.
그러나, 상기 발광 다이오드칩의 고밀도 어레이 배열이나 렌즈의 설치는 제조 비용을 높이는 원인이 된다.
또한, 최근에 백색광의 방출에 대한 요구가 증대됨에 따라 LED 칩상에 LED칩에서 방출된 청색광의 일부를 흡수하여 황색발광이 가능한 형광 물질인 YAG:CE 형광체 등을 배치하여 백색광을 방출시키는 발광장치가 제안되었다.
이와같이, 발광소자를 실링하기 위한 실링 수지내에 YAG계 형광물질을 혼합하여 백색광을 구현하는 방법은 실링 수지로 인해 빛의 투과성이 제한되어 만족스러운 광출력을 확보하기가 힘든 문제점이 있다.
이러한 단점을 극복하기 위해, 최근에는 발광 다이오드칩의 주위에 형광물질이 함유된 반사판을 설치하여 평면 백색 발광을 구현하는 발광장치가 제안되었다.
즉, 미국 공개특허공보 US2003/0038295A1는 발광소자 주변에 형광물질을 함유한 투명수지로 이루어진 반사판을 설치하여 발광소자로부터 방사되는 청색광을 그대로 반사시키거나 청색광의 일부를 흡수하여 황색광으로 변환한 후 반사시킴으로써 고출력의 평면 백색광을 방출할 수 있는 발광장치를 개시하고 있다.
상기 미국 공개특허에 개시된 반사판은 반사부재로서의 기능 뿐만 아니라 형광부재로서의 기능을 달성하는 것이 특징이다. 그러나, 상기 미국 공개특허는 반사판을 방열장치로 구현하는데는 실패하였다.
본 발명은 발광소자를 둘러싸는 반사판을 반사율 뿐만 아니라 열전도도가 우수한 물질로 구성하여 LED 칩에서 발생하는 열을 외부로 방열하는 것을 목적으로한다.
또한, 본 발명은 발광소자를 실링하기 위한 실링 물질로서 빛의 투과성이 종래의 투광성 수지 보다 우수한 실리케이트(예를들어, SiO2)를 사용함으로써 고출력의 백색광을 구현하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반사판의 내부 표면에 오목한 반사면을 형성하여 빛의 균일성을 높이는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 첨부된 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명에 따른 제 1 실시예의 반도체 발광장치에 대한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 제 2 실시예의 반도체 발광장치에 대한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 제 3 실시예의 반도체 발광장치에 대한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 제 4 실시예의 반도체 발광장치에 대한 단면도.
도 5a 내지 도 5f는 제 4 실시예의 발광장치를 제조하는 공정을 나타내는 단면도.
<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>
10: 베이스 기판 11: 발광소자
12: 전극 13: 다이본딩 수지
14: 도전성 와이어 15: 제 1 투광성 커버층
16: 색변환 물질 17: 제 2 투광성 커버층
18: 반사판 19: 절연막
본 발명자들은 LED 칩이 표면 실장된 스트로브 라이트(strobe light)를 구현함에 있어 LED 칩 주위에 측벽을 형성하게 되면, LED 칩에서 발생하는 열이 외부로 효과적으로 배출되지 않아 LED의 수명이 단축되고, 실링수지나 형광물질이 열화됨을 알게 되었다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 본 발명자들은 상기 측벽부를 열전도도가 우수한 금속물질로 형성하고, 이 금속물질의 표면에 절연막을 형성함으로써 방열기능이 구비된 반사판을 제안한다.
또한, 본 발명자들은 종래의 투명성 수지 보다 저렴하고, 광 투과성이 우수한 실리케이트(silicate)를, LED 칩을 커버하기 위한 실링수지(sealing resin)로 사용할 경우 광출력을 보다 높일 수 있다는 사실도 알게 되었다.
이러한 기술적 원리를 달성하기 위하여, 본 발명의 따른 일 양태로서의 반도체 발광장치는
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 제공되는 리드 전극들(lead electrodes);
상기 전극들과 소정 거리 이격되어 상기 베이스 기판위에 탑재되고, 청색광(blue light)를 방사하기 위한 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자;
상기 전극들과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 상호 연결하기 위한 연결부재;
베이스 기판의 바닥으로 부터 일정한 높이로 연장되어 상기 반도체 발광소자를 둘러싸는 반사판; 및
상기 반사판은 표면에서의 광 반사율이 높고, 높은 열전도도를 갖는 재질로 이루어져 발광소자로부터 방사되는 광을 반사시켜 균일한 평면광을 형성하고, 발광소자로부터 방사되는 열을 외부로 방열시켜 상기 발광소자를 수용하기 위한 수납공간 내부를 냉각시키며;
또한, 상기 수납공간 내부에 형성되어 상기 발광소자를 하우징하고, 상기 발광소자로부터 방사되는 청색광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 방사하기 위한 색변환 물질이 함유되어 있는 투광성 커버층를 포함한다.
따라서, 상기 발광소자로부터 방사되는 청색광과 상기 다른 파장의 광(황색광)이 조합되어 장치의 외부로 백색광(white light)이 출사된다.
또한, 본 발명의 다른 일 양태로서의 반도체 발광장치는
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 제공되는 리드 전극들(lead electrodes);
상기 전극들과 소정 거리 이격되어 상기 베이스 기판위에 탑재되는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자로 이루어지는 발광소자 어셈블리;
상기 전극들과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 상호 연결하기 위한 연결부재; 및
베이스 기판의 바닥으로 부터 일정한 높이로 연장되어 상기 발광소자 어셈블리를 둘러싸는 것에 의해 수납공간을 형성하는 반사판을 포함하고;
상기 반사판은 표면에서의 광 반사율이 높고, 높은 열전도도를 갖는 재질로 이루어져 발광소자로부터 방사되는 광의 적어도 일부를 반사시켜 균일한 평면광을 형성하고, 발광소자로부터 방사되는 열을 외부로 방열시켜 상기 수납공간 내부를 냉각시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 발광소자 어셈블리는 청색광(B)을 방사하는 적어도 하나 이상의 LED칩과, 적색광(R)을 방사하는 적어도 하나 이상의 LED칩 및 녹색광(G)을 방사하는 적어도 하나 이상의 LED칩으로 이루어진다.
따라서, 상기 LED칩으로부터 방사되는 혼합광의 R,G,B 조합에 의해 발광장치 외부로 백색광(white light)이 출사된다.
상기 반사판은 적어도 표면 일부에 절연막이 형성되어 있는 금속판이고, 예를들어 상기 반사판을 구성하는 금속이 알루미늄(Al)이고, 상기 절연막이 알루미늄산화막(산화알루미늄, Al2O3)인 것이 바람직하다.
이하에서, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 구성을 상세히 설명하도록 한다.
실시예 1
도 1에는 본 발명에 따른 실시예 1의 반도체 발광장치가 도시되어 있다.
도 1에 도시된 바와같이, 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자(11)가 베이스 기판(10)상에 탑재되고, 리드 전극들(12)(양전극 및 음전극)이 베이스 기판(10)의 바닥면위에 제공된다. 상기 반도체 발광소자(11)는 상기 리드 전극(12)들과 일정한 거리 이격된 상태에서 다이본딩 수지(die-bonding resin)(13)(예를들어, 에폭시 수지)를 개재하여 베이스 기판(10)위에 다이본딩 된다.
반도체 발광소자(11)의 전극(도면에 미도시)과 베이스 기판(10)상에 제공되는 전극들(12)은 와이어(14)(예를들어, 금 와이어)에 의해 각기 와이어 본딩(wire-bonding)된다.
방열기능을 갖는 반사판(18)이 상기 발광소자(11)를 둘러싸기 위하여 베이스 기판(10)의 바닥면위에 형성된다. 도 1의 경우, 반사판(18)이 베이스 기판(10)상에 제공되는 전극들(12) 위에 접합되는 예를 소개하고 있다.
상기 반사판(18)은 상기 발광소자(11)를 수용하기 위한 수납공간을 형성하기 위하여, 베이스 기판(10)의 바닥으로부터 일정한 높이를 갖도록 연장되어 상기 발광소자(11)를 둘러싸며, 이로인해 상기 수납공간은 바닥면의 개구경이 정상의 개구경 보다 작게 된다. 또한, 상기 반사판(18)의 바닥면 가장 자리(edges)와 발광소자(11)의 측면 가장 자리(edges) 사이에는 일정한 간격의 갭(gap)이 형성되어 있다.
상기 발광소자(11)가 수용되는 수납공간의 내부에는 투광성 실링수지(sealing resin)(15)가 충전된다. 또한, 상기 투광성 실링수지(15)에는 발광소자(11)로부터 방출되는 특정 파장을 갖는 광의 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 방출하기 위한 형광물질(16) 등과 같은 색변환 물질이 혼합된다.
<반도체 발광소자(11)>
본 실시예의 발광소자는 고출력, 고휘도의 청색광을 여기시키는 질화갈륨계 발광 다이오드 칩(LED 칩)인 것이 바람직하다. 본 실시예의 LED 칩(11)의 구조로서는 MIS 접합, PIN 접합이나 PN접합 등을 갖는 호모구조, 헤테로 구조, 또는 더블 헤테로 구조를 모두 채택할 수 있다.
이러한 청색 발광 질화갈륨계 LED 칩은 공지의 반도체 소자이므로 그 구체적인 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
<형광물질(16)이 혼합된 실링 수지(15)>
본 실시예의 실링 수지(sealing resin)(15)로서는 상대적으로 빛의 투과성이 우수한 투명 수지가 사용되는데, 예를들어 실리콘 수지를 들 수 있다. 또한, 실링 수지(15)내에 혼합되는 형광물질로서는 발광소자로부터 방출되는 청색광의 일부를 흡수하여 황색 발광이 가능한 YAG : CE 형광체 등을 사용할 수 있다.
<반사판(18)>
본 실시예의 반사판(18)은 적어도 표면 일부에 절연막(19)이 형성되어 있는 금속판을 사용하는 것이 바람직하다. 만약, 표면에 절연막(19)이 존재하지 않는 금속판을 사용할 경우에는 반사판(18) 자체가 전도체가 되어 베이스 기판(10)위에 제공되는 전극들(12)과의 절연이 파괴된다.
반사판(18)에 사용할 수 있는 금속으로서는 표면의 광 반사능이 우수하고, 열전도도가 뛰어난 것이 바람직하다. 예를들어, 상대적으로 열전도도가 우수한 알루미늄(Al)이나 구리(Cu)가 본 실시예의 반사판 재료로 적합하다. 물론, 알루미늄이나 구리 이외에 열전도도가 뛰어난 다른 금속 역시 본 실시예의 반사판으로서 채택 가능하다.
또한, 상기 반사판 표면의 절연막(19)은 절연성 도금이나 절연 코팅에 의해 형성되는데, 특히 자연 산화에 의해 형성되는 산화막이 바람직하다.
예를들어, 상기 반사판의 재질로서 알루미늄(Al)을 사용하는 경우 상기 절연막으로서는 알루미늄 산화막(산화알루미늄, Al2O3)이 사용될 수 있다.
상술한 구성을 갖는 본 실시예의 발광장치에 따르면, LED 칩(11)으로부터 출력되는 청색광의 일부는 색변환 없이 그대로 실링 수지(15)를 통과하거나 반사판(18)의 내부 표면으로부터 반사되어 외부로 방출되고, 청색광의 나머지 일부는 실링 수지(15)내의 형광물질(16)에 의해 황색광으로 변환된 후 실링 수지(15)를 통과하거나 반사판(18)의 내부 표면으로부터 반사되어 외부로 방출된다.
이로인해, 본 실시예의 발광장치는 청색광(blue light)과 황색광(yellowlight)이 조합된 백색 평면광(white planar light)을 출사하게 된다.
또한, LED 칩(11)에 의해 발생된 열은 반사판(18)을 통해 외부로 방열되기 때문에 수납공간내의 온도를 일정하게 냉각시키는 것이 가능해진다.
변형예 1
본 변형예는 반사판(18)에 의해 형성되는 수납공간 내부에 청색 발광 다이오드만을 실장하는 것이 아니라 적어도 하나 이상의 청색 발광 다이오드(blue light emitting diode)와, 적어도 하나 이상의 적색 발광 다이오드(red light emitting diode)와, 적어도 하나 이상의 녹색 발광 다이오드(green light emitting diode)로 어셈블리(assembly)를 형성하고, 이 발광 다이오드 어셈블리를 수납공간내의 베이스 기판(10)상에 실장한 것을 특징으로 한다.
즉, 상기 적,청,녹의 발광 다이오드로부터 방사되는 적색광, 청색광 및 녹색광의 조합(즉, R-G-B 조합)에 의해 백색광(white light)을 구현한다. 따라서, 본 변형예의 경우 상기 실시예 1과 같이 수납공간 내부를 충전하는 실링 수지(15)내에 형광물질과 같은 별도의 색변환물질(16)을 혼입할 필요가 없어진다.
상기 어셈블리를 구성하는 적,청,녹의 발광 다이오드는 베이스 기판을 따라 일렬로 배치할 수도 있고, 서로 동일한 각도를 형성하도록 배치(예를들어, 정삼각형의 꼭지점 위치에 각기 배치)할 수도 있다.
본 변형예의 나머지 구성, 즉 반사판(18), 베이스 기판(10), 실링 수지(15), 전도성 와이어(14), 리드 전극(12), 다이본딩 수지(13) 등의 구성은 실질적으로 상기 실시예 1과 동일하다.
실시예 2
도 2에는 본 발명에 따른 실시예 2의 반도체 발광장치가 도시되어 있다.
본 실시예의 발광장치는 상기 실시예 1의 발광장치와 반사판(18)의 구성을 제외하고는 나머지 구성의 대부분이 실질적으로 동일하다. 따라서, 아래에서는 실시예 1과 상이한 반사판(18)의 구성에 대해서만 설명하고, 나머지 구성요소에 대해서는 그 상세한 설명을 생략한다.
<반사판(18)>
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 반사판(18)은 그 내부표면이 실시예 1과는 달리 오목하게 라운드져 있는 것이 특징이다. 따라서, 본 실시예의 반사판(18)은 오목한 반사면을 형성하게 된다. 즉, 수납공간의 종단면이 대칭 포물면이나 대칭 타원면을 형성하게 된다.
이와같이, 반사판의 내부표면이 오목한 반사면을 갖게 되는 경우 평평한 반사면 보다 반사광의 군집이 용이해져 균일한 평면광의 출력이 가능해진다.
변형예 2
상기 변형예 1과 마찬가지로 수납공간내에 발광 다이오드 어셈블리를 배치하고, 색변환물질이 혼입되지 않은 투명 실링수지를 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 실질적으로 동일한다.
실시예 3
도 3에는 본 발명에 따른 실시예 3의 반도체 발광장치가 도시되어 있다.
본 실시예의 발광장치는 투광성 커버층(15, 17)의 구성을 제외하고는 상기실시예 1과 그 구성의 대부분이 실질적으로 동일하다. 따라서, 아래에서는 실시예 1과 상이한 투광성 커버층(15, 17)의 구성에 대해서만 설명하고, 나머지 구성요소에 대해서는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 투광성 커버층(15, 17)은 상기 실시예 1의 실링 수지(15)와는 달리 2층으로 형성되는 것이 특징이다.
<제 1 투광성 커버층(15)>
제 1 투광성 커버층(15)은 반사판(18)의 바닥 가장자리와 일정한 갭을 형성하면서 LED 칩(11) 전체를 하우징한다. 따라서, LED 칩(11)은 이 제 1 투광성 커버층(15)속에 매몰된다.
이 제 1 투광성 커버층(15)으로서는 실시예 1의 실링 수지에 비해 상대적으로 빛의 투과성이 높고, 가격이 저렴한 실리케이트(silicate)(특히, SiO2)를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실리케이트(15)내에는 LED 칩(11)로부터 방출된 청색광의 일부를 흡수하여 황색광으로 변환하기 위한 형광물질(또는 인광물질)이나 청색광에 근거하여 백색광을 조합해 내기 위한 안료와 같은 색변환물질(16)이 포함된다.
상기 제 1 투광성 커버층(15)은 LED 칩(11)을 기판위에 표면 실장하고, 와이어 본딩한 후에, 형광물질이나 안료가 포함되어 있는 실리케이트를 디스펜서를 이용하여 분사하는 것에 의해 형성될 수 있다.
<제 2 투광성 커버층(17)>
제 2 투광성 커버층(17)은 상기 제 1 투광성 커버층(15) 위에 형성되고, 제 1 투광성 커버층(15)과 반사판(18) 사이의 수납공간을 충전한다.
이 제 2 투광성 커버층(17)으로서는 예를들어, 실리콘 수지와 같은 투명 수지가 단독으로 사용될 수 있다. 또한, 제 2 투광성 커버층(17)내에는 상기 제 1 투광성 커버층에 혼합된 색변환물질이 추가로 포함될 수 있다.
본 실시예의 경우는 상기 실시예 1과는 달리 LED 칩(11)을 하우징하는 투광성 커버층을 2층으로 형성하고, 특히 LED 칩(11) 근방에 형성되는 커버층(15)에 상대적으로 빛의 투과성이 우수하고, 가격이 저렴한 실리케이트(silicate)를 사용함으로써 고출력의 저렴한 발광장치를 구현하였다.
실시예 4
도 4에는 본 발명에 따른 실시예 4의 반도체 발광장치가 도시되어 있다.
본 실시예의 발광장치는 반사판(18) 및 투광성 커버층(15, 17)의 구성을 제외하고는 상기 실시예 1과 그 구성의 대부분이 실질적으로 동일하다. 따라서, 아래에서는 실시예 1과 상이한 반사판(18) 및 투광성 커버층(15, 17)의 구성에 대해서만 설명하고, 나머지 구성요소에 대해서는 그 상세한 설명을 생략한다.
<반사판(18)>
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 반사판(18)은 그 내부표면이 실시예 1과는 달리 오목하게 라운드져 있는 것이 특징이다. 따라서, 본 실시예의 반사판(18)은 오목한 반사면을 형성하게 된다. 즉, 수납공간의 종단면이 대칭 포물면이나 대칭 타원면을 형성하게 된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 투광성 커버층(15, 17)은 상기 실시예 1의 실링 수지(15)와는 달리 2층으로 형성되는 것이 특징이다.
<제 1 투광성 커버층(15)>
제 1 투광성 커버층(15)은 반사판(18)의 바닥 가장자리와 일정한 갭을 형성하면서 LED 칩(11) 전체를 하우징한다. 따라서, LED 칩(11)은 이 제 1 투광성 커버층(15)속에 매몰된다.
이 제 1 투광성 커버층(15)으로서는 실시예 1의 실링 수지에 비해 상대적으로 빛의 투과성이 높고, 가격이 저렴한 실리케이트(silicate)(특히, SiO2)를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실리케이트(15)내에는 LED 칩(11)로부터 방출된 청색광의 일부를 흡수하여 황색광으로 변환하기 위한 형광물질(또는 인광물질)이나 청색광에 근거하여 백색광을 조합해 내기 위한 안료와 같은 색변환물질(16)이 포함된다.
상기 제 1 투광성 커버층(15)은 LED 칩(11)을 기판위에 표면 실장하고, 와이어 본딩한 후에, 형광물질이나 안료가 포함되어 있는 실리케이트를 디스펜서를 이용하여 분사하는 것에 의해 형성될 수 있다.
<제 2 투광성 커버층(17)>
제 2 투광성 커버층(17)은 상기 제 1 투광성 커버층(15) 위에 형성되고, 제 1 투광성 커버층(15)과 반사판(18) 사이의 수납공간을 충전한다.
이 제 2 투광성 커버층(17)으로서는 예를들어, 실리콘 수지와 같은 투명 수지가 단독으로 사용될 수 있다. 또한, 제 2 투광성 커버층(17)내에는 상기 제 1 투광성 커버층에 혼합된 색변환물질이 추가로 포함될 수 있다.
본 실시예의 경우는 상기 실시예 1과는 달리 LED 칩(11)을 하우징하는 투광성 커버층을 2층으로 형성하고, 특히 LED 칩(11) 근방에 형성되는 커버층(15)에 상대적으로 빛의 투과성이 우수하고, 가격이 저렴한 실리케이트를 사용함으로써 고출력의 저렴한 발광장치를 구현하였다.
또한, 본 실시예에 따른 반사판(18)의 내부표면에는 오목한 반사면이 형성되기 때문에 실시예 1의 평평한 반사면 보다 반사광의 군집이 용이해져 균일한 평면광의 출력이 가능하다.
이하에서는 상술한 실시예의 발광장치를 제조하기 위한 제조방법을 설명한다.
먼저, 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 실시예 4의 발광장치에 대한 제조공정을 살펴본다.
본 제조공정은 실시예 4의 표면 실장형의 발광장치를 안정된 품질로 양산성 좋게 제조하는 방법이다.
본 제조방법에 있어서, 투광성 커버층(15 또는 17)으로 LED 칩(11)을 덮는 공정까지는 복수의 패키지를 일괄하여 처리하기 때문에 복수의 패키지가 집합하여 이루어진 패키지 어셈블리가 이용된다.
다만, 이하에서는 이해의 편의를 위해 단위 패키지 유닛을 기준으로 본 제조방법을 설명할 것이다.
(a) 리드전극(12)이 성형된 베이스 기판(10)의 제조(도 5a 참조)
두께가 얇은 베이스 기판(예를들어, PCB기판)상에 전기 전도도가 우수한 금속을 이용하여 양(+),음(-)의 리드 전극(12)을 성형한다.
(b) 관통홀(21)이 형성된 금속기판(18)의 접합(도 5b 참조)
두께가 얇은 금속판(예를들어, 알루미늄판 또는 구리판)을 준비한 상태에서 화학적 에칭, 레이저 가공, 주조, 프레스 등의 가공방법을 이용하여 금속판(18)내에 도 5의 21과 같은 형태의 관통홀(21)을 형성한다. 이 관통홀(21)의 횡단면 형상은 타원이어도 좋고, 원형 또는 사각형이어도 좋다. 즉, 본 발명은 관통홀(21)의 횡단면 형상에 의해 한정되는 것이 아니라 여러가지 형상중에서 임의로 선정할 수 있다. 또한, 관통홀에서는 관통홀(21)의 개구경이 금속판(18)의 한쪽면(베이스 기판과 접합되는 면)에서 다른 쪽면을 향해 커지도록 관통홀의 측면을 경사시키는 것이 바람직하다. 이와 같이, 관통홀의 측면을 경사시키면, LED 칩(11)에서 관통홀의 측면을 향해 출사된 광을 측면에서 반사시켜 상방으로 출력할 수 있기 때문에, LED 칩(11)에서 출사된 광을 효율적으로 발광장치의 외부로 출력할 수 있다.
또한, 상기 관통홀은 도 5의 (b)와 같이 그 종단면이 대칭 포물면이나 대칭 타원면을 갖도록 가공하는 것이 바람직하다. 이와같이, 관통홀의 측면을 오목하게 라운드시키면, 오목 반사면을 형성하기 때문에 반사광을 군집시키는 것이 용이하여 보다 균일한 평면광을 형성하는 것이 가능하다.
관통홀(21)이 형성되어 있는 금속판(18)을 도 5의 (b)와 같이 베이스 기판(10)상에 접합시키면, 각 패키지 부분에 있어서 관통홀(21)내에 리드 전극(12)의 일부와 베이스 기판(10)의 일부가 노출된다.
(c) LED칩(11)의 실장(도 5c 참조)
상술한 바와같이 구성된 패키지 어셈블리의 단일 패키지 유닛의 관통홀의 소정 위치에 다이본드 수지(13)를 이용하여 LED 칩(11)을 다이본딩한다.
(d) 와이어 본딩(도 5d 참조)
관통홀(21)의 내측에 노출되어 있는 양, 음의 리드 전극(12)과 LED 칩(11)의 P형 전극(도면에 미도시) 및 N형 전극(도면에 미도시)을 도전성 와이어(14)를 이용하여 와이어 본딩함으로써 소정의 배선을 한다.
(e) 제 1 투광성 커버층(15)의 형성(도 5e 참조)
배선이 완료된 LED 칩(11)의 상면에 디스펜서를 이용하여 색변환 물질(16)(예를들어, 형광물질 또는 안료)이 함유되어 있는 실리케이트(특히, SiO2)를 분사하여 LED 칩 전체를 하우징하도록 제 1 투광성 커버층(15)을 형성한다.
(f) 제 2 투광성 커버층(17)의 형성(도 5f 참조)
제 1 투광성 커버층(15)이 형성되어 있는 관통홀(21)내에 실리콘 수지와 같은 투명성 수지 또는 색변환 물질(예를들어, 형광물질 또는 안료)이 함유되어 있는 투명성 수지를 충전시켜 제 2 투광성 커버층(17)을 형성한다.
상기 (a) 내지 (f)의 공정을 수행하는 것에 복수의 단위 패키지 유닛이 형성되어 있는 패키지 어셈블리가 제조된다. 이 패키지 어셈블리를 단위 패키지 유닛별로 절단하는 것에 의해 도 4와 같은 형태의 반도체 발광장치를 제조할 수 있다.
도 5의 경우 실시예 4의 발광장치를 제조하는 공정만을 소개하고 있으나, 동일한 제조공정이 실시예 1 내지 실시예 3(또는, 변형예 1 및 변형예 2)에도 적용될 수 있다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
상술한 실시예에 본 발명이 한정되는 것은 아니며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 발명에 따른 발광장치는 기판상에 실장된 LED 칩 주위에 열전도도가 높은 금속으로 반사판을 구성하여 LED 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 외부에 방열할 수 있다. 따라서, LED 칩을 수용하는 수납공간을 소정 온도 이하로 유지하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 따른 발광장치는 종래의 투명성 수지에 비해 빛의 투과성이우수한 실리케이트 수지를 이용하여 LED 칩을 실링하기 때문에 고출력의 백색광을 구현할 수 있다.

Claims (17)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판상에 제공되는 리드 전극들(lead electrodes);
    상기 전극들과 소정 거리 이격되어 상기 베이스 기판위에 탑재되고, 청색광(blue light)를 방사하기 위한 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자;
    상기 전극들과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 상호 연결하기 위한 연결부재;
    베이스 기판의 바닥으로 부터 일정한 높이로 연장되어 상기 반도체 발광소자를 둘러싸는 반사판; 및
    상기 반사판은 표면에서의 광 반사율이 높고, 높은 열전도도를 갖는 재질로 이루어져 발광소자로부터 방사되는 광을 반사시켜 균일한 평면광을 형성하고, 발광소자로부터 방사되는 열을 외부로 방열시켜 상기 발광소자를 수용하기 위한 수납공간 내부를 냉각시키며;
    또한, 상기 수납공간 내부에 형성되어 상기 발광소자를 하우징하고, 상기 발광소자로부터 방사되는 청색광의 적어도 일부를 흡수하여 다른 파장의 광을 방사하기 위한 색변환 물질이 함유되어 있는 투광성 커버층를 포함하고;
    이로인해, 상기 발광소자로부터 방사되는 청색광과 상기 다른 파장의 광이 조합되어 장치의 외부로 백색광(white light)를 출사하는 것을 특징으로 반도체 발광장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반사판은
    적어도 표면 일부에 절연막이 형성되어 있는 금속판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사판을 구성하는 금속이 알루미늄(Al)이고, 상기 절연막이 알루미늄 산화막(산화알루미늄, Al2O3)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수납공간에 인접한 반사판의 내부 표면은 베이스 기판의 바닥으로부터 일정한 각도로 비스듬히 기울어져 있고, 이로인해 상기 수납공간의 개구경이 베이스 기판과 접하는 바닥면에서 다른쪽 면으로 갈수록 커지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 수납공간의 종단면이 실질적으로 대칭 포물면이나 대칭 타원면을 형성하도록 상기 반사판의 내부 표면이 오목하게 라운드져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자가 질화물 반도체를 이용한 청색 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 투광성 커버층은 발광소자로부터 방출된 청색광의 일부를 흡수하여 황색광을 방출하는 형광물질을 함유하는 투광성 수지로 이루어지고, 이 투광성 수지를 이용하여 상기 수납공간을 충전(充塡)하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 투광성 커버층은
    상기 발광소자 근방에 배치되어 발광소자로부터 방출되는 청색광의 일부를 흡수하여 황색광을 방출하기 위한 색변환 물질이 혼합된 제 1 투과성 커버층과;
    상기 제 1 투과성 커버층위에 형성되어 상기 수납공간을 충전(充塡)하며, 상기 제 1 투과성 커버층을 통과하는 광을 외부로 투과시키기 위한 투명수지로 이루어진 제 2 투과성 커버층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 투과성 커버층이 색변환 물질이 함유되어 있는 실리케이트 수지(silicate resin)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 투과성 커버층이 발광소자로부터 방출되는 청색광의 일부를 흡수하여 황색광을 방출하기 위한 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  11. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판상에 제공되는 리드 전극들(lead electrodes);
    상기 전극들과 소정 거리 이격되어 상기 베이스 기판위에 탑재되는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자로 이루어지는 발광소자 어셈블리;
    상기 전극들과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 상호 연결하기 위한 연결부재; 및
    베이스 기판의 바닥으로 부터 일정한 높이로 연장되어 상기 발광소자 어셈블리를 둘러싸는 것에 의해 수납공간을 형성하는 반사판을 포함하고;
    상기 반사판은 표면에서의 광 반사율이 높고, 높은 열전도도를 갖는 재질로 이루어져 발광소자로부터 방사되는 광의 적어도 일부를 반사시켜 균일한 평면광을 형성하고, 발광소자로부터 방사되는 열을 외부로 방열시켜 상기 수납공간 내부를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 발광소자 어셈블리는 청색광(B)을 방사하는 적어도 하나 이상의 LED칩과, 적색광(R)을 방사하는 적어도 하나 이상의 LED칩 및 녹색광(G)을 방사하는 적어도 하나 이상의 LED칩으로 이루어지고;
    이로 인해, 상기 LED칩으로부터 방사되는 혼합광의 R,G,B 조합에 의해 발광장치 외부로 백색광(white light)이 출사되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 반사판은
    적어도 표면 일부에 절연막이 형성되어 있는 금속판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반사판을 구성하는 금속이 알루미늄(Al)이고, 상기 절연막이 알루미늄 산화막(산화알루미늄, Al2O3)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수납공간에 인접한 반사판의 내부 표면은 베이스 기판의 바닥으로부터일정한 각도로 비스듬히 기울어져 있고, 이로인해 상기 수납공간의 개구경이 베이스 기판과 접하는 바닥면에서 다른쪽 면으로 갈수록 커지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 수납공간의 종단면이 실질적으로 대칭 포물면이나 대칭 타원면을 갖도록 상기 수납공간에 인접한 반사판의 내부 표면이 오목하게 라운드져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 수납공간의 내부에 충전되어 상기 발광소자 어셈블리를 하우징하기 위한 투광성 수지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100603742B1 (ko) * 2004-12-18 2006-07-24 박종만 발광장치
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
WO2007049938A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Amosense Co., Ltd. Electronic parts packages and method for forming a cavity thereof
KR100730771B1 (ko) * 2006-10-11 2007-06-21 주식회사 쎄라텍 발광소자용 패키지
KR100735310B1 (ko) * 2006-04-21 2007-07-04 삼성전기주식회사 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR100748239B1 (ko) * 2006-02-06 2007-08-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100850666B1 (ko) * 2007-03-30 2008-08-07 서울반도체 주식회사 메탈 ｐｃｂ를 갖는 ｌｅｄ 패키지
KR100853240B1 (ko) * 2005-04-08 2008-08-20 샤프 가부시키가이샤 발광다이오드
KR101252676B1 (ko) * 2005-08-31 2013-04-09 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치
US8421088B2 (en) 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
US8604506B2 (en) 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101645327B1 (ko) * 2015-04-27 2016-08-04 루미마이크로 주식회사 색 편차가 감소되는 발광다이오드 장치
US10877346B2 (en) 2016-03-24 2020-12-29 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US20210320233A1 (en) * 2020-01-02 2021-10-14 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd Light-emitting device and illuminating apparatus comprising the same
WO2024090605A1 (ko) * 2022-10-26 2024-05-02 주식회사 올릭스 Led 패키지 구조체 및 이의 제조방법

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
US7518155B2 (en) * 2003-03-18 2009-04-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting element mounting member, and semiconductor device using the same
AT501081B8 (de) * 2003-07-11 2007-02-15 Tridonic Optoelectronics Gmbh Led sowie led-lichtquelle
JP2005073227A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Sharp Corp 撮像装置
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7397177B2 (en) * 2003-09-25 2008-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp and method for manufacturing the same
CN100466308C (zh) * 2003-09-29 2009-03-04 松下电器产业株式会社 线光源装置、其制造方法以及表面发光装置
JP4773048B2 (ja) * 2003-09-30 2011-09-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
US20050199899A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
US7781789B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7687813B2 (en) 2006-11-15 2010-03-30 The Regents Of The University Of California Standing transparent mirrorless light emitting diode
DE102004045947A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE202004011015U1 (de) * 2004-07-14 2004-11-11 Tridonic Optoelectronics Gmbh LED-Strahler mit trichterförmiger Linse
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
WO2006069554A1 (de) * 2004-12-30 2006-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kühlvorrichtung zur kühlung eines halbleiterbauelementes, insbesondere eines optoelektronischen halbleiterbauelementes
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Ｌｅｄ用基板およびｌｅｄパッケージ
JP2006351611A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Rohm Co Ltd 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置
TW200707806A (en) * 2005-06-17 2007-02-16 Univ California (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded structure for optoelectronic applications, and its fabrication method
KR100665216B1 (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
JP2007067184A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Showa Denko Kk Ｌｅｄパッケージ
US8517666B2 (en) * 2005-09-12 2013-08-27 United Technologies Corporation Turbine cooling air sealing
JP2007094049A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学部品用キャップ及びその製造方法
EP1929501A4 (en) * 2005-09-30 2010-01-06 Univ California NITRIDE AND OXYNITRIDCER BASED FUEL MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS
CN100414728C (zh) * 2005-10-12 2008-08-27 李学霖 白光led封装导散热结构
US7719099B2 (en) * 2005-10-21 2010-05-18 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置。
EP1949463A4 (en) * 2005-11-04 2010-12-29 Univ California LIGHT DIODE (LED) WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY
JP5214128B2 (ja) * 2005-11-22 2013-06-19 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
KR20080077259A (ko) * 2005-12-08 2008-08-21 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고효율 발광 다이오드
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR101283182B1 (ko) * 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP4996101B2 (ja) * 2006-02-02 2012-08-08 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
JP4573128B2 (ja) * 2006-03-14 2010-11-04 ミネベア株式会社 面状照明装置
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100764432B1 (ko) 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US9335006B2 (en) * 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
CN100552750C (zh) * 2006-04-19 2009-10-21 亿光电子工业股份有限公司 白光显示器结构
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US8487326B2 (en) * 2006-04-24 2013-07-16 Cree, Inc. LED device having a tilted peak emission and an LED display including such devices
TWI296037B (en) * 2006-04-28 2008-04-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
TWI296036B (en) * 2006-04-28 2008-04-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
US7758221B2 (en) * 2006-05-02 2010-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Vehicle headlight
CN100544043C (zh) * 2006-05-23 2009-09-23 台达电子工业股份有限公司 发光装置
JP2009538532A (ja) * 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
EP2034526B1 (en) 2006-06-02 2019-12-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same
US7989823B2 (en) * 2006-06-08 2011-08-02 Hong-Yuan Technology Co., Ltd. Light emitting system, light emitting apparatus and forming method thereof
WO2007145074A1 (ja) * 2006-06-15 2007-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. 電子部品
TWM303493U (en) * 2006-07-21 2006-12-21 Lighthouse Technology Co Ltd Support rack structure and metal support rack of side light source SMD LED
TWI309480B (en) 2006-07-24 2009-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Led packaging structure
US7600891B2 (en) * 2006-09-07 2009-10-13 Belliveau Richard S Theatre light apparatus incorporating LED tracking system
WO2008043207A1 (fr) * 2006-10-08 2008-04-17 Hong-Yuan Technology Co., Ltd. Système électroluminescent, appareil électroluminescent et procédé de formation associé
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
WO2008060601A2 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California High efficiency, white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
JP5372766B2 (ja) * 2006-11-15 2013-12-18 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 光取り出し効率の高い球形ｌｅｄ
EP2087563B1 (en) 2006-11-15 2014-09-24 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
KR20080049947A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지전자 주식회사 방송 시스템, 인터페이스 방법, 및 데이터 구조
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
US7947993B2 (en) 2006-12-18 2011-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same
US8410500B2 (en) * 2006-12-21 2013-04-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting apparatus with shaped wavelength converter
TWI481019B (zh) * 2006-12-26 2015-04-11 Seoul Viosys Co Ltd 具有將各發光單元彼此隔離的隔離絕緣層的發光元件以及其製造方法
US20080169480A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Visera Technologies Company Limited Optoelectronic device package and packaging method thereof
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
JP5106094B2 (ja) * 2007-02-22 2012-12-26 シャープ株式会社 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP2008235867A (ja) * 2007-02-22 2008-10-02 Sharp Corp 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
TW200910654A (en) 2007-06-27 2009-03-01 Univ California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
US7967476B2 (en) * 2007-07-04 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device including protective glass film
DE102007042642A1 (de) * 2007-09-07 2009-03-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US7855398B2 (en) * 2008-02-28 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic light emitting device package
KR101088910B1 (ko) * 2008-05-29 2011-12-07 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2010050367A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Panasonic Corp 発光装置
CN102187486B (zh) * 2008-10-17 2014-01-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光器件
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
KR101545941B1 (ko) * 2009-01-07 2015-08-21 삼성디스플레이 주식회사 광원, 이를 갖는 광출사 모듈 및 백라이트 어셈블리
WO2010140693A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 三洋電機株式会社 電子部品
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
CN201487668U (zh) * 2009-09-09 2010-05-26 珠海晟源同泰电子有限公司 集束组合led照明光源
CN102598321B (zh) * 2009-11-27 2015-01-21 京瓷株式会社 发光装置
US8511851B2 (en) * 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US8616732B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
US8552458B2 (en) * 2010-06-26 2013-10-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Side by side light emitting diode (LED) having separate electrical and heat transfer paths
CN102339927A (zh) * 2010-07-27 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
KR20120022628A (ko) * 2010-08-16 2012-03-12 후지필름 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 용 방열 반사판
TWI465808B (zh) 2010-11-25 2014-12-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 背光單元及其顯示設備
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
JP2012212733A (ja) 2011-03-30 2012-11-01 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US9631791B2 (en) 2011-06-27 2017-04-25 Bright Led Ltd. Integrated interconnect and reflector
CN102221157A (zh) * 2011-06-28 2011-10-19 林健洪 Led灯具散热结构
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
FR2979487A1 (fr) * 2011-08-23 2013-03-01 Syndica Optical Technology Co Ltd Boitier de diode electroluminescente pour augmenter un eclairage et un eclairage ponctuel
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
DE102011086359A1 (de) * 2011-11-15 2013-05-16 Tridonic Gmbh & Co. Kg LED-Modul
CN104054189B (zh) * 2011-11-17 2018-06-26 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
KR101863547B1 (ko) 2011-12-16 2018-06-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치
TW201338219A (zh) * 2012-03-12 2013-09-16 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 點量科技股份有限公司 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
DE102014116079A1 (de) * 2014-11-04 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN106098912A (zh) * 2016-06-29 2016-11-09 深圳市源磊科技有限公司 一种手机拍照闪光灯及其制作方法
CN106486571B (zh) * 2016-10-26 2018-10-26 武汉大学 一种高导热量子点薄膜的制备方法
CN111293199A (zh) * 2017-01-20 2020-06-16 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块
KR102401826B1 (ko) 2017-09-15 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
JP7140956B2 (ja) * 2017-10-25 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
US11056618B2 (en) * 2018-08-03 2021-07-06 Lumileds Llc Light emitting device with high near-field contrast ratio
CN112234070B (zh) * 2019-06-27 2022-12-13 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN114647140A (zh) * 2020-12-21 2022-06-21 杨毅 一种照明装置及灯具和一种投影显示装置
CN113594334B (zh) * 2021-07-15 2023-10-27 福建天电光电有限公司 新型半导体支架

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
FR2795726A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-05 Aventis Cropscience Sa Nouveaux pyrazoles fongicides
DE19964252A1 (de) * 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
JP2001257410A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Kyocera Corp 電子部品
CN1203557C (zh) * 2000-05-29 2005-05-25 电灯专利信托有限公司 基于发光二极管的发射白光的照明设备
US6611000B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP2003110149A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ユニット及び当該発光ユニットを用いた照明装置
JP3925137B2 (ja) * 2001-10-03 2007-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US6734466B2 (en) * 2002-03-05 2004-05-11 Agilent Technologies, Inc. Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100603742B1 (ko) * 2004-12-18 2006-07-24 박종만 발광장치
KR100853240B1 (ko) * 2005-04-08 2008-08-20 샤프 가부시키가이샤 발광다이오드
US7598532B2 (en) 2005-04-08 2009-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode
US7964886B2 (en) 2005-04-08 2011-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode
KR101252676B1 (ko) * 2005-08-31 2013-04-09 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치
WO2007049938A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Amosense Co., Ltd. Electronic parts packages and method for forming a cavity thereof
KR100748239B1 (ko) * 2006-02-06 2007-08-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100735310B1 (ko) * 2006-04-21 2007-07-04 삼성전기주식회사 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR100730771B1 (ko) * 2006-10-11 2007-06-21 주식회사 쎄라텍 발광소자용 패키지
US8604506B2 (en) 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
US8421088B2 (en) 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
KR100850666B1 (ko) * 2007-03-30 2008-08-07 서울반도체 주식회사 메탈 ｐｃｂ를 갖는 ｌｅｄ 패키지
US8138512B2 (en) 2007-03-30 2012-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package with metal PCB
US7642563B2 (en) 2007-03-30 2010-01-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package with metal PCB
KR101645327B1 (ko) * 2015-04-27 2016-08-04 루미마이크로 주식회사 색 편차가 감소되는 발광다이오드 장치
US10877346B2 (en) 2016-03-24 2020-12-29 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US11294228B2 (en) 2016-03-24 2022-04-05 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US11630344B2 (en) 2016-03-24 2023-04-18 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US12372827B2 (en) 2016-03-24 2025-07-29 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US12386221B2 (en) 2016-03-24 2025-08-12 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US20210320233A1 (en) * 2020-01-02 2021-10-14 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd Light-emitting device and illuminating apparatus comprising the same
WO2024090605A1 (ko) * 2022-10-26 2024-05-02 주식회사 올릭스 Led 패키지 구조체 및 이의 제조방법
KR20240058371A (ko) * 2022-10-26 2024-05-03 주식회사 올릭스 Led 패키지 구조체 및 이의 제조방법

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