KR102142301B1 - 연마장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마장치의 구성요소 일부가 분리된 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마장치의 연마패드부의 평면도이다.
도 4는 도 3의 'A' 부분의 상세를 도시한 사시도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마장치의 정반부의 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 연마장치의 정반부의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 연마장치의 정반부의 평면도이다.
130: 필터링부재 150: 패드격벽부재
200: 정반부 210: 회전정반
211: 그루브 230: 정반홀
250: 정반격벽부재 270: 이격공간
300: 연마재배출부 310: 배출관부재
330: 연마탱크부재 350: 회전조인트부재
400: 드레인부 410: 드레인슈트
430: 드레인배관 450: 드레인탱크
500: 연마재공급부 510: 공급헤드
530: 공급관부재 S: 연마대상물
Claims (13)
- 회전되면서 연마대상물을 연마하고, 공급된 연마제에서 이물질을 필터링하는 연마패드부; 및,
상기 연마패드부가 설치되고, 상기 연마패드부에 회전력을 제공하는 정반부;를 포함하고,
상기 연마패드부는,
상기 정반부에서 제공된 회전력을 매개로 회전되면서 연마대상물과 마찰되는 연마부재; 및,
상기 정반부의 상측에 설치되고 상기 연마부재가 고정되며, 상기 연마패드부로 공급된 연마재가 이물질이 필터링된 상태로 관통하는 필터링부재;를 구비하고,
상기 필터링부재의 공극을 거치면서 이물질이 걸러진 처리연마재는 상기 필터링부재의 하측을 통해 상기 정반부의 상측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 연마패드부는,
상기 필터링부재의 외곽부를 둘레방향으로 둘러싸도록 설치되고, 공급된 연마재가 상기 연마패드부의 외곽부 방향으로 유출되는 것을 방지하는 패드격벽부재;를 더 포함하는 연마장치.
- 제1항에 있어서,
상기 연마패드부는 접착재를 매개로 상기 정반부에 교체 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제1항에 있어서,
상기 정반부의 내부를 거쳐서 설치되고, 상기 연마패드부를 통과하여 이물질이 제거된 처리연마재의 배출경로를 형성하는 연마재배출부;를 더 포함하는 연마장치.
- 제5항에 있어서, 상기 연마재배출부는,
상기 정반부의 정반홀과 연통되고, 이물질이 제거된 처리연마재가 이동하는 경로를 형성하는 배출관부재;
상기 배출관부재의 일측에 설치되고, 상기 정반부가 회전시 함께 회전하는 회전조인트부재; 및,
상기 배출관부재에서 배출된 처리연마재가 저장되는 연마탱크부재;를 구비하는 연마장치.
- 제5항에 있어서, 상기 정반부는,
회전구동부재에 의해 회전되고, 이물질이 제거된 처리연마재의 이동경로를 형성하는 그루브가 상면에 돌출 형성되는 회전정반; 및,
상기 회전정반을 관통하여 형성되고, 상기 연마재배출부와 연계되는 정반홀;을 구비하는 연마장치.
- 제7항에 있어서, 상기 정반부는,
상기 회전정반의 외곽부를 둘레방향으로 둘러싸도록 설치되고, 처리연마재가 상기 회전정반의 외곽부 방향으로 유출되는 것을 방지하는 정반격벽부재;을 더 구비하는 연마장치.
- 제8항에 있어서, 상기 회전정반은,
상기 정반격벽부재와 연결되고, 상면에 호상의 만곡그루브가 방사형으로 이격하여 복수 개가 형성되고,
상기 회전정반의 외곽부에는 처리연마재가 배출되는 정반홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제8항에 있어서, 상기 회전정반은,
상면에 호상의 만곡그루브가 방사형으로 이격하여 복수 개가 형성되고,
상기 만곡그루브의 외측단부와 상기 정반격벽부재의 사이에 형성되는 이격공간에 처리연마재가 배출되는 정반홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제7항에 있어서, 상기 회전정반은,
중심부분에서 외측부분으로 연결되는 나선그루브가 형성되고,
상기 나선그루브의 인접한 사이공간의 적어도 일부에는 처리연마재가 배출되는 정반홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제1항에 있어서,
상기 연마패드부의 외곽부를 넘어서 이탈되는 연마재의 배출경로를 형성하는 드레인부;를 더 포함하는 연마장치.
- 제12항에 있어서, 상기 드레인부는,
상기 정반부의 회전정반의 둘레방향 외곽영역의 하측에 설치되어, 패드격벽부재를 넘쳐서 이탈된 연마재가 포집되는 드레인슈트; 및,
드레인배관을 매개로 상기 드레인슈트에서 포집된 연마재가 저장되는 드레인탱크;를 구비하는 연마장치.
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|---|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004084287A1 (ja) | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004084287A1 (ja) | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
| JP3917578B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2007-05-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| KR100659843B1 (ko) | 2005-12-28 | 2006-12-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Cmp 장비의 순수 절감 장치 |
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