KR100900139B1 - 대전방지제 및 그 용도 - Google Patents
대전방지제 및 그 용도 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100900139B1 KR100900139B1 KR1020087015357A KR20087015357A KR100900139B1 KR 100900139 B1 KR100900139 B1 KR 100900139B1 KR 1020087015357 A KR1020087015357 A KR 1020087015357A KR 20087015357 A KR20087015357 A KR 20087015357A KR 100900139 B1 KR100900139 B1 KR 100900139B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- substituent
- aryl
- alkyl
- dimethylsulfonium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/55—Boron-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/16—Anti-static materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0075—Antistatics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- 삭제
- 하기 화학식 1로 표현되는 화합물로 이루어지며,[화학식 1](식 중 R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알킬기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알케닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알키닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 아릴기; 또는할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 복소환기;를 나타내며, 이웃하는 R5∼R8은 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)상기 R1∼R4는 각각 독립적으로 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기인 것을 특징으로 하는 대전방지제.
- 하기 화학식 1로 표현되는 화합물로 이루어지며,[화학식 1](식 중 R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알킬기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알케닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알키닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 아릴기; 또는할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 복소환기;를 나타내며, 이웃하는 R5∼R8은 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)상기 R1∼R4는 각각 독립적으로 치환기를 가져도 되는 아릴기인 것을 특징으로 하는 대전방지제.
- 하기 화학식 1로 표현되는 화합물로 이루어지며,[화학식 1](식 중 R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알킬기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알케닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알키닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 아릴기; 또는할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 복소환기;를 나타내며, 이웃하는 R5∼R8은 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)상기 R5∼R8은 각각 독립적으로 치환기를 가져도 되는 알킬기인 것을 특징으로 하는 대전방지제.
- 수지와, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물로 이루어지는 대전방지제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.[화학식 1](식 중 R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알킬기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알케닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알키닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 아릴기; 또는할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 복소환기;를 나타내며, 이웃하는 R5∼R8은 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)
- 제5항에 있어서,수지가 열가소성 수지 및 열경화성 수지 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
- 제5항에 기재된 수지 조성물과 용제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 니스.
- 중합성 관능기를 갖는 화합물과, 중합 개시제와, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물로 이루어지는 대전방지제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 중합성 조성물.[화학식 1](식 중 R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알킬기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알케닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알키닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 아릴기; 또는할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 복소환기;를 나타내며, 이웃하는 R5∼R8은 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)
- 제8항에 기재된 중합성 조성물을 광조사함으로써 경화시키는, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지경화물의 제조방법.
- 제9항에 기재된 제조방법으로 제조된, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지경화물.
- 용제와, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물로 이루어지는 대전방지제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도액.[화학식 1](식 중 R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알킬기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알케닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 알키닐기;할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 아릴기; 또는할로겐기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 알케닐옥시카르보닐기, 아실옥시기, 아실기, 알킬설파닐기, 아릴설파닐기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기, 알킬기, 아릴기, 하이드록실기, 카르복실기, 아미드기, 설폰아미드기, 포르밀기, 메르캅토기, 알킬티오기, 설폰기, 메실기, p-톨루엔설포닐기, 아미노기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리메틸실릴기, 포스피닐기, 포스포노기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 트리알킬암모늄기, 디메틸설포늄기, 또는 트리페닐페나실포스포늄기인 치환기를 가져도 되는 복소환기;를 나타내며, 이웃하는 R5∼R8은 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)
- 제11항에 기재된 도액을 수지 조형품에 도포하는, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조형품의 제조방법.
- 제12항에 기재된 제조방법으로 제조된, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조형품.
- 제5항 또는 제6항에 기재된 수지 조성물, 제7항에 기재된 수지 니스, 또는 제8항에 기재된 중합성 조성물을 이용하여 제조된, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조형품.
- 제5항 또는 제6항에 기재된 수지 조성물, 제7항에 기재된 수지 니스, 제8항에 기재된 중합성 조성물, 또는 제11항에 기재된 도액을 이용하여 형성된, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 도막.
- 제15항에 기재된 도막을 표면에 형성한, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조형품.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 대전방지제를 이용한, 대전방지능을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조형품.
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007061143 | 2007-03-12 | ||
| JPJP-P-2007-00061143 | 2007-03-12 | ||
| JP2007136082 | 2007-05-23 | ||
| JPJP-P-2007-00136082 | 2007-05-23 | ||
| JPJP-P-2007-00177855 | 2007-07-06 | ||
| JP2007177855A JP4055823B1 (ja) | 2007-03-12 | 2007-07-06 | 帯電防止剤およびその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080087098A KR20080087098A (ko) | 2008-09-30 |
| KR100900139B1 true KR100900139B1 (ko) | 2009-06-01 |
Family
ID=39243613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087015357A Expired - Fee Related KR100900139B1 (ko) | 2007-03-12 | 2007-07-09 | 대전방지제 및 그 용도 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4055823B1 (ko) |
| KR (1) | KR100900139B1 (ko) |
| CN (1) | CN101595195B (ko) |
| TW (1) | TWI422672B (ko) |
| WO (1) | WO2008111239A1 (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5233193B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2013-07-10 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 帯電防止剤およびその用途 |
| EP2221396A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-08-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Lead-Free Tin Alloy Electroplating Compositions and Methods |
| JP5523717B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2014-06-18 | 広栄化学工業株式会社 | 新規なアンモニウム塩 |
| US8790621B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-07-29 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Nanoparticles and nanoparticle compositions |
| CN104194343B (zh) * | 2014-09-18 | 2016-08-17 | 江阴海达橡塑股份有限公司 | 一种导电性增强的橡胶的制备方法 |
| CN104194344B (zh) * | 2014-09-18 | 2016-08-17 | 江阴海达橡塑股份有限公司 | 一种导电性增强的橡胶 |
| CN104448831A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种导电性增强的橡胶的制备方法 |
| CN104448832A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种导电性增强的橡胶 |
| CN105820691A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 上海绿特丹保温工程有限公司 | 一种抗静电反射隔热薄质墙面涂料 |
| CN108970257B (zh) * | 2018-07-12 | 2021-02-02 | 永嘉县城东市政建设有限公司 | 一种室内装饰施工灰尘隔离装置 |
| JP7157966B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2022-10-21 | 国立大学法人鳥取大学 | ケイ素含有テトラアルキルホウ酸塩 |
| US11326051B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-05-10 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for producing oxymethylene polymer and oxymethylene polymer resin composition |
| CN112940019A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 中蓝晨光化工研究设计院有限公司 | 一种四苯基硼酸盐的制备方法 |
| CN111455666A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-28 | 深圳市帝邦服装有限公司 | 一种基于无尘面料的防静电服及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11302242A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Neos Co Ltd | 含フッ素4級アンモニウム塩 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617045A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Kyodo Yakuhin Kk | Conductive molding material based on halogen-containing resin composition |
| US4719263A (en) * | 1985-05-10 | 1988-01-12 | The B. F. Goodrich Company | Antistatic plastic materials containing epihalohydrin polymers |
| JPH0657828B2 (ja) * | 1986-04-01 | 1994-08-03 | ライオン・アクゾ株式会社 | 防曇性を有する帯電防止剤 |
| JP2968061B2 (ja) * | 1991-02-06 | 1999-10-25 | 東洋紡績株式会社 | 帯電防止剤 |
| JP2909735B2 (ja) * | 1997-07-25 | 1999-06-23 | 三洋化成工業株式会社 | 耐熱性に優れる樹脂用帯電防止剤および帯電防止性樹脂組成物 |
| JP2003246029A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | 帯電防止フィルム |
| KR100813953B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 대전방지성을 갖는 광경화성 수지 조성물 |
-
2007
- 2007-07-06 JP JP2007177855A patent/JP4055823B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-09 KR KR1020087015357A patent/KR100900139B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-09 CN CN2007800499906A patent/CN101595195B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-09 WO PCT/JP2007/063684 patent/WO2008111239A1/ja not_active Ceased
- 2007-07-10 TW TW096124997A patent/TWI422672B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11302242A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Neos Co Ltd | 含フッ素4級アンモニウム塩 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008111239A1 (ja) | 2008-09-18 |
| KR20080087098A (ko) | 2008-09-30 |
| TWI422672B (zh) | 2014-01-11 |
| JP4055823B1 (ja) | 2008-03-05 |
| TW200837182A (en) | 2008-09-16 |
| CN101595195A (zh) | 2009-12-02 |
| CN101595195B (zh) | 2012-11-28 |
| JP2009001762A (ja) | 2009-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100900139B1 (ko) | 대전방지제 및 그 용도 | |
| JP2009019146A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| DE69806330T2 (de) | Lichtempfindliche Kunststoffzusammensetzung und lichtempfindliches Element unter Verwendung dieser Zusammensetzung | |
| EP0269573B1 (de) | Flüssige Photoinitiatorgemische | |
| DE19907957A1 (de) | Pigmentierte photohärtbare Zusammensetzung | |
| JP2009197074A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2009179671A (ja) | 難水溶性帯電防止性重合性化合物、及び該化合物を含有する帯電防止性重合性組成物、並びに帯電防止性を有する重合体 | |
| JP5433934B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| EP0242330B1 (de) | Flüssige Photoinitiatorgemische | |
| JP5433933B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP5407200B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP5549279B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP5233193B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2010138234A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2009029857A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP5440316B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2010116505A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| EP0167489B1 (de) | Flüssige Thioxanthoncarbonsäureester | |
| JP2010150461A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2009057436A (ja) | 帯電防止ポリマーおよびその用途 | |
| EP0361173A1 (de) | Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial | |
| JP5233192B2 (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2009019143A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2009019145A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 | |
| JP2009019144A (ja) | 帯電防止剤およびその用途 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| PA0302 | Request for accelerated examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D17-exm-PA0302 St.27 status event code: A-1-2-D10-D16-exm-PA0302 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| AMND | Amendment | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201 |
|
| PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901 |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PB0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130503 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140502 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150416 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20160523 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20160523 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |