JPH09127544A

JPH09127544A - 投写型画像表示装置

Info

Publication number: JPH09127544A
Application number: JP7280319A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Kuratomi; 靖規藏富; Akio Takimoto; 昭雄滝本; Koji Akiyama; 浩二秋山; Hiroshi Tsutsui; 博司筒井; Toshikatsu Kawakami; 俊勝川上; Yasuaki Muto; 泰明武藤; Hiroshi Miyai; 宏宮井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-10-27
Filing date: 1995-10-27
Publication date: 1997-05-16
Also published as: US5990853A; WO1997015862A1; EP0803759A1; EP0803759A4

Abstract

(57)【要約】【課題】明るく、均一で、残像のない大画面表示が困
難であった。【解決手段】空間光変調素子１が、第１の導電性透明
電極３を具備した第１のガラス基板２と、第２の導電性
透明電極３’を具備した第２のガラス基板２’とによっ
て、光導電層４と光反射層５と光変調層６を挟持した構
成であり、かつ光導電層側の第１の導電性透明電極３、
または光変調層側の第２の導電性透明電極の少なくとも
何れか一方が、複数の領域に分離されており、かつ分離
された導電性透明電極の各領域に印加される駆動電圧の
周波数が、画像の垂直走査周波数と概ね同一であって、
分離された導電性透明電極の隣接する領域間における駆
動電圧の位相差が、垂直走査期間から垂直帰線期間を除
いた垂直有効走査期間を領域の数で除した時間に概ね等
しい構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高品位な大画面を
表示する投写型画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大画面表示が可能な画像表示装置
の開発が盛んである。従来の直視型テレビでは大型化が
困難であること、また、ＣＲＴや薄膜トランジスタ駆動
の液晶パネル（以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと略記する）等の
液晶表示装置を用いた投写型画像表示装置では、明るく
しようとすると高解像度化が困難であるという欠点があ
る。そこで、光導電層と光変調層とを組み合わせた光書
き込み型の空間光変調素子を用いた投写型画像表示装置
が注目されている（例えば、Ｙ．タナカ他ジャパニー
ズ・ジャーナル・オヴ・アプライド・フィジックス第３
３巻（１９９４年）第３４６９頁から第３４７７頁（Ｊ
ａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３３（１９９４）ｐ
ｐ．３４６９−３４７７））。

【０００３】従来の空間光変調素子の一般的構造を図１
５に示す。この空間光変調素子１５１は、導電性透明電
極３、３’付きのガラス基板２、２’により、光導電層
４、光反射層５、光変調層６を挟んだ構造である。尚、
光反射層５の間の光導電層４をエッチングし、光吸収層
７を形成している。

【０００４】従来の空間光変調素子１５１では、光導電
層４に書き込み光が入力されると、その２次元光強度分
布に応じて、光変調層６に印加される電圧が変化し、光
変調層６がスイッチングする。その結果読み出し光が変
調され、光反射層５により反射後出力される。光吸収層
７は強い読み出し光が光反射層５の間から光導電層４に
入力されるのを防ぐためのものである。

【０００５】次にこの空間光変調素子を用いた従来の投
写型画像表示装置を図１６に示す。画像源８としては、
ＣＲＴ、ＴＦＴ−ＬＣＤ等が用いられ、これらの出力画
像を書き込み光９として書き込みレンズ１０により光導
電層４に結像させることで空間光変調素子１５１への画
像入力を行う。光源１１からの読み出し光１２は空間光
変調素子１５１の光変調層６側から入射され、光変調層
６による変調を受け、反射層５により反射された後、再
び光変調層６を通過し出力される。出力光１３は可視化
手段１４を通して可視化され、投写レンズ１５によりス
クリーン１６上に拡大投写される。

【０００６】空間光変調素子１５１の光導電層４には、
ｐ−ｉ−ｎ構造のアモルファスシリコン、光変調層６と
してはネマチック型液晶、強誘電性液晶などの液晶材料
が用いられている。可視化手段１４としては、偏光ビー
ムスプリッタが、光源としてはメタルハライドランプ、
キセノンランプ等が用いられている。

【０００７】このような投写型画像表示装置では、光源
の出力を上げ、かつ空間光変調素子への画像入力手段を
高解像度化することにより、明るくかつ高解像度な画像
表示を行うことが原理的には可能である。

【０００８】次に従来の空間光変調素子の駆動方法につ
いて説明する。図１７は空間光変調素子の一般的な駆動
電圧波形である。駆動電圧は、消去期間と、書き込み期
間からなり、映像の垂直同期信号に同期されて、空間光
変調素子全面に印加される。空間光変調素子は、書き込
み期間に入力された光強度に応じて読み出し光を変調し
光出力する。消去電圧が印加されている期間には、書き
込み光の有無にかかわらず強制的に初期化され、出力は
ゼロとなる。光変調層に応答の早い強誘電性液晶を用い
る場合には、消去電圧印加後数百マイクロ秒後に出力は
ゼロとなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】画像を評価する上で
は、明るさや解像度の他にも、均一性、残像の少なさ等
も重要なパラメータである。ところが図１５に示したよ
うな従来の空間光変調素子を用いた投写型画像表示装置
では、明るさ、均一性及び残像の少なさ、の三つをすべ
て同時に満足することが不可能であるという課題があっ
た。

【００１０】以下、図面を参照しながらその理由を簡単
に説明する。まず、投写画像の明るさ、均一性、残像が
どの様に決定されるか説明する。図１８はスクリーン上
に投写された画像の、ある一点における時間応答波形で
ある。画像の明るさは、応答波形の面積、即ちピークの
高さと、１フィールド周期（垂直走査期間）における空
間光変調素子が応答している時間の割合（以下時間開口
率と呼ぶ）の積により決定される。ピークの高さは、光
源の明るさ、集光光学系（不図示）の効率、空間光変調
素子の変調効率等に依存し、時間応答波形は、書き込み
期間に入力される書き込み光強度、及び書き込みが開始
されるタイミングに依存する。均一性を高くするために
は、同一の書き込み光強度に対して、空間光変調素子の
応答波形（ピークの高さと時間開口率）が、画面の中で
均一になればよい。また、残像を小さくするためには、
１フィールド周期毎に入力される入力画像に対して、空
間光変調素子が各フィールド周期毎に忠実に応答するこ
とが必要である。

【００１１】次に、従来の投写型画像表示装置では、明
るさ、均一性、残像の少なさをすべて同時に満足させる
ことが困難な理由を、ＣＲＴを画像源とした場合を例に
取り説明する。ＣＲＴの場合には、電子ビームによりア
ドレスされた直後に蛍光体が発光し、その発光は固有の
時定数で減衰する。すなわち、空間光変調素子のある一
点には時間的に減衰する書き込み光が入力される。

【００１２】いま、投写画像の上部、中部、下部の３点
における空間光変調素子の出力を考える。入力信号はＮ
ＴＳＣ（１フィールド周期＝約１６．７ミリ秒）の全白
信号とする。従来の空間光変調素子では、垂直同期信号
に同期されて、消去電圧が素子全面に同時に印加されて
いた。図１９は、画面上部における駆動電圧波形（図１
９（ａ））、書き込み光の時間変化（図１９（ｂ））、
空間光変調素子の応答波形（図１９（ｃ））である。図
１９に示したように投写画面上部では、消去が行われた
後、高々数ミリ秒後には書き込み光が入力されるため
（図１９（ｂ））、ほぼ１フィールド周期に渡って空間
光変調素子は応答できる（図１９（ｃ））。すなわち時
間開口率を高くできる。

【００１３】しかしながら、図２０に示したように、投
写画面中央部では消去が行われてから約８ミリ秒後に書
き込まれる（図２０（ｂ））。その直後から空間光変調
素子は応答を始めるが、次の垂直同期信号の直後に空間
光変調素子には消去電圧が印加されてしまうため、出力
がゼロとなってしまう。即ち、１６．７ミリ秒の内約半
分の時間しか応答できないことになる（時間開口率が高
々５０％）。さらに図２１に示したように投写画像の下
部では、書き込みが行われた直後に消去が行われるた
め、１６．７ミリ秒の間に応答できる時間が非常に短く
なってしまう。

【００１４】すなわち、書き込み光が入力される時間は
空間光変調素子の場所毎に異なるのに対して、消去電圧
は空間光変調素子全面に同時に印加されるために、書き
込みと消去のタイミングによって時間開口率が空間的に
異なってしまうことになり、均一性が著しく損なわれ、
特に投写画像の下部では暗くなってしまうのである。

【００１５】時間開口率の均一性を確保するためには、
（１）画面上部の書き込み光強度を弱くし、画面全体の
時間開口率を画面下部と同様に小さくする、（２）ＣＲ
Ｔに用いる蛍光体の残光を長くする、（３）空間光変調
素子の応答速度を遅くする、（４）駆動周波数をフィー
ルド周波数に対して高くする（１０倍以上）ことが考え
られる。しかしながら、（１）の場合には画像が暗くな
り、（２）、（３）の手法では、明るくかつ均一性を確
保できても、今度は残像を小さくすることが不可能とな
り、（４）の手法では、ビートが目につき均一性の十分
な確保ができないことに加えて、書き込み光強度を著し
く増加させることが必要になるため、ＣＲＴからの原画
像の解像度が低下してしまう。

【００１６】例えば、ＣＲＴに用いる蛍光体の残光を長
くした場合の、投写画像の明るさを考える。この場合の
投写画像中央部の応答を図２２に示す。発光後約８ミリ
秒で一度消去が行われるが、蛍光体の残光が長く、次の
書き込み電圧が印加された時点で十分応答できるだけの
書き込み光が与えられれば、空間光変調素子は再度出力
し、図１９で示したようなパネル上部とほぼ同程度の時
間開口率を得ることも可能である。これは、パネル下部
でも同様である。すなわち、書き込まれる光の強度を調
節することにより投写画像のあらゆる場所で時間開口率
を同一にすることは原理的には可能である。

【００１７】しかしながら、全白信号に続いて、次のフ
ィールドに異なる信号（例えば全黒信号）が入力された
場合には、信号の変化に対して空間光変調素子は忠実に
応答することが不可能となる。この様子を投写画像中央
部の応答波形を表した図２３により説明する。図２３
（ｂ）のようにＣＲＴの蛍光体の残光が長いために、空
間光変調素子は応答後８ミリ秒後の消去電圧によりリセ
ットされた後に再度応答する（図２３（ｃ））。ところ
が、次の消去が行われるのはさらに１６．７ミリ秒後で
あるため、本来黒を表示すべき時刻においても空間光変
調素子は応答したままとなる。すなわち、約８ミリ秒の
残像が生じてしまうことになる。その結果、白黒が１フ
ィールド周期毎に繰り返されるフリッカ信号が連続して
入力された場合には、図２４に示したように空間光変調
素子の出力は白黒のフリッカではなく、中間調の繰り返
しとなるのである。

【００１８】このような残像は、動画像の解像度を著し
く低下させ、例えば画像の中の動く物体が尾を引くよう
に見えて、観察者に非常に大きな違和感を与えてしまう
ことになるのである。尚、空間光変調素子の応答を遅く
することも同様であり、時間開口率の均一性を確保した
場合には残像が大きくなる。

【００１９】以上のように、従来の空間光変調素子を用
いた投写型画像表示装置では、明るさ、均一性、残像の
少なさを同時に満足することが不可能であった。

【００２０】本発明は上記課題を解決し、明るく、かつ
均一性が高く、かつ残像のきわめて少ない画像表示が可
能な投写型画像表示装置を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の投写型画像表示装置は、少なくとも、空間
光変調素子と、前記空間光変調素子に入力する画像を時
系列な走査により表示する画像源を具備しており、前記
空間光変調素子が、第１の導電性透明電極を具備した第
１のガラス基板と、第２の導電性透明電極を具備した第
２のガラス基板とによって、少なくとも光導電層と光反
射層と光変調層を挟持した構成であり、かつ前記光導電
層側の前記第１の導電性透明電極、若しくは前記光変調
層側の前記第２の導電性透明電極の少なくとも何れか一
方が、複数の領域に分離されており、かつ分離された第
１若しくは第２の導電性透明電極の各領域に印加される
駆動電圧の周波数が、前記画像の垂直走査周波数と概ね
同一であって、分離された前記第１若しくは第２の導電
性透明電極の隣接する領域間における前記駆動電圧の位
相差が、垂直走査期間から垂直帰線期間を除いた垂直有
効走査期間を領域の数で除した時間に概ね等しいことを
特徴とする。

【００２２】本発明の投写型画像表示装置では、時系列
な走査により画像を表示する画像源からの書き込み光を
空間光変調素子に入力する。空間光変調素子は、光導電
層側、若しくは光変調層側のどちらか一方の導電性透明
電極を、画像の水平走査方向と概ね平行に帯状に分離
し、複数の領域を形成している。そして、消去電圧印加
直後に書き込み光が入力されるように、各領域毎に消去
電圧印加のタイミングをずらす。

【００２３】その結果、全ての領域において１フィール
ド周期の大部分の期間で空間光変調素子が応答できるの
で、全ての領域において時間開口率を高くする（明るい
画像表示を行う）ことが可能となる。しかも消去電圧の
印加と書き込みが行われる時間差を全ての領域において
同一にする事ができるので均一性も高くなる。さらに残
光の短い蛍光体を用いて書き込んでも均一性は損なわれ
ないので、１フィールド周期内で空間光変調素子の閾値
以下に十分減衰する短残光の蛍光体により書き込むこと
で、残像をきわめて小さくすることが可能となる。すな
わち、本発明の投写型画像表示装置では、明るさ、均一
性、残像の少なさを同時に満足できるのである。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の投写型画像表示装置は、
少なくとも、空間光変調素子と、前記空間光変調素子に
入力する画像を時系列な走査により表示する画像源を具
備しており、前記空間光変調素子が、第１の導電性透明
電極を具備した第１のガラス基板と、第２の導電性透明
電極を具備した第２のガラス基板とによって、少なくと
も光導電層と光反射層と光変調層を挟持した構成であ
り、かつ前記光導電層側の前記第１の導電性透明電極、
若しくは前記光変調層側の前記第２の導電性透明電極の
少なくとも何れか一方が、複数の領域に分離されてお
り、かつ分離された第１若しくは第２の導電性透明電極
の各領域に印加される駆動電圧の周波数が、前記画像の
垂直走査周波数と概ね同一であって、分離された前記第
１若しくは第２の導電性透明電極の隣接する領域間にお
ける前記駆動電圧の位相差が、垂直走査期間から垂直帰
線期間を除いた垂直有効走査期間を領域の数で除した時
間に概ね等しいことを特徴とする。

【００２５】上記構成において、前記駆動電圧は、前記
空間光変調素子を初期化する消去電圧と、前記空間光変
調素子へ画像を入力する期間に印加される書き込み電圧
からなり、分離された前記第１若しくは第２の導電性透
明電極の各領域において、前記消去電圧が印加されてか
ら画像入力が開始されるまでの時間τが、垂直走査期間
の少なくとも半分以下であることが好ましい。

【００２６】また、前記空間光変調素子は、前記光導電
層に入力される光強度に対して閾値を有しており、前記
空間光変調素子に入力される画像の光強度は、走査後時
間とともに概ね単調に減衰し、垂直走査期間をｔ_f、垂
直帰線期間をｔ_b、前記導電性透明電極の分離数をｎと
したとき、全白信号を表示する際の光強度が前記空間光
変調素子の閾値以下に減衰するまでの時間Ｔは、（数
１）を満たすことが好ましい。

【００２７】（数１）Ｔ＜ｔ_f−τ−（ｔ_f−ｔ_b）／ｎまた、分離された前記第１若しくは第２の導電性透明電
極の複数の領域のうち、少なくとも一つの領域に対す
る、消去電圧、若しくは書き込み電圧、若しくは消去電
圧印加期間の少なくとも何れか一つが、他の領域と異な
ることが好ましい。

【００２８】また、前記画像源の一部にＣＲＴもしくは
液晶表示装置を用いることが好ましい。また、前記画像
源の一部に、レーザー光発生手段、及び前記レーザー光
を走査させる走査手段を用いることが好ましい。

【００２９】また、前記空間光変調素子の前記光反射層
が複数の画素に分離されていることが好ましい。

【００３０】また、前記空間光変調素子の前記第１の導
電性透明電極は、入力される画像の水平走査方向と概ね
平行に分離されていることが好ましい。

【００３１】また、前記空間光変調素子の前記光反射層
が複数の画素に分離されており、かつ前記第１の導電性
透明電極が分離される境界が、前記光反射層の分離され
る境界の一部と概ね一致することが好ましい。

【００３２】また、前記空間光変調素子の前記第１の導
電性透明電極が分離されている境界部に第１の絶縁層を
具備することが好ましい。

【００３３】また、前記空間光変調素子の前記光導電層
へ入力される光の一部を遮光する遮光層を、前記第１の
導電性透明電極が分離される境界部に具備することが好
ましい。

【００３４】また、前記空間光変調素子の前記遮光層が
導電性を有しており、前記遮光層と前記第１の導電性電
極を電気的に絶縁する第２の絶縁層を、前記遮光層と前
記第１の導電性透明電極の間に具備することが好まし
い。

【００３５】また、前記空間光変調素子の前記光導電層
の厚さは、前記第１の導電性透明電極の厚さの１００倍
以内であることが好ましい。

【００３６】また、前記空間光変調素子の前記第１の導
電性透明電極が分離されてなる領域の数が、２以上２０
００以下であることが好ましい。

【００３７】また、前記空間光変調素子の分離された前
記第１の導電性透明電極に対して、入力される画像の水
平走査方向と同じ方向に位置する両端から電圧を印加す
ることが好ましい。

【００３８】また、前記空間光変調素子において、前記
第２の導電性透明電極が、入力される画像の水平走査方
向と概ね平行に分離されていてもよい。

【００３９】上記構成においては、前記空間光変調素子
の前記光反射層が複数の画素に分離されており、かつ前
記第２の導電性透明電極が分離される境界が、前記光反
射層の分離される境界の一部と概ね一致することが好ま
しい。

【００４０】また、前記空間光変調素子の前記第２の導
電性透明電極が分離されている境界部に第３の絶縁層を
具備することが好ましい。

【００４１】また、前記空間光変調素子の前記第３の絶
縁層が光吸収性もしくは光反射性を有することが好まし
い。

【００４２】また、前記空間光変調素子の前記第２の導
電性透明電極が分離される境界部に導電層を具備してお
り、且つ、前記第２の導電性透明電極と前記導電層を電
気的に絶縁する第４の絶縁層を前記導電層と前記第２の
導電性透明電極の間に具備することが好ましい。

【００４３】また、前記空間光変調素子の前記導電層が
光吸収性もしくは光反射性を有することが好ましい。ま
た、前記空間光変調素子の前記導電層及び前記第４の絶
縁層が透明であり、かつ隣接する第２の導電性透明電極
のどちらか一方と同電位の駆動電圧を印加されることが
好ましい。

【００４４】また、前記空間光変調素子の前記第２の導
電性透明電極が分離される領域の数が、２以上２０００
以下であることが好ましい。

【００４５】また、前記空間光変調素子の分離された前
記第２の導電性透明電極の各領域に対して、前記光導電
層に入力される光信号の水平走査方向と同じ方向に位置
する両端から電圧を印加することが好ましい。

【００４６】本発明の投写型画像表示装置では、時系列
な走査により画像を表示する画像源からの書き込み光を
空間光変調素子に入力する。空間光変調素子は、光導電
層側、若しくは光変調層側のどちらか一方の導電性透明
電極を、画像の水平走査方向と概ね平行に帯状に分離
し、複数の領域を形成している。そして、消去電圧印加
直後に書き込み光が入力されるように、各領域毎に消去
電圧印加のタイミングをずらす。

【００４７】その結果、全ての領域において１フィール
ド周期の大部分の期間で空間光変調素子が応答できるの
で、全ての領域において時間開口率を高くする（明るい
画像表示を行う）ことが可能となる。しかも消去電圧の
印加と書き込みが行われる時間差を全ての領域において
同一にする事ができるので均一性も高くなる。さらに残
光の短い蛍光体を用いて書き込んでも均一性は損なわれ
ないので、１フィールド周期内で空間光変調素子の閾値
以下に十分減衰する短残光の蛍光体により書き込むこと
で、残像をきわめて小さくすることが可能となる。すな
わち、本発明の投写型画像表示装置では、明るさ、均一
性、残像の少なさを同時に満足できるのである。

【００４８】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。（実施の形態１）図１に本発明の一実施の形態で構成し
た投写型画像表示装置に用いた空間光変調素子１の断面
図を示す。この空間光変調素子１では、ガラス基板２に
導電性透明電極３、光導電層４、光反射層５を形成し、
光反射層５間の光導電層４をエッチングして溝構造を形
成した後、光吸収層７を形成している。尚、光反射層５
の間の溝間に遮光層（不図示）を形成することで、読み
出し光の一部が空間光変調素子１の裏面へ貫通すること
を防いだ構造も考えられる。さらに、本実施の形態の空
間光変調素子１は導電性透明電極３’を形成したガラス
基板２’により光変調層６を挟持している。導電性透明
電極３、３’としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂など
を用いることができる。

【００４９】光導電層４としては、ＣｄＳ，ＣｄＴｅ，
ＣｄＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，Ｇａ
Ｐ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＰ等の化合物半導体、Ｓｅ，Ｓ
ｅＴｅ，ＡｓＳｅなどの非晶質半導体、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｉ_1-xＣ_x，Ｓｉ_1-xＧｅ_x，Ｇｅ_1-xＣ_x(0<x<１)の多結晶
または非晶質半導体、また、（１）フタロシアニン顔料
（Ｐｃと略す）例えば無金属Ｐｃ，ＸＰｃ（Ｘ＝Ｃｕ，
Ｎｉ，Ｃｏ，ＴｉＯ，Ｍｇ，Ｓｉ（ＯＨ）₂など），Ａ
ｌＣｌＰｃＣｌ，ＴｉＯＣｌＰｃＣｌ，ＩｎＣｌＰｃＣ
ｌ，ＩｎＣｌＰｃ，ＩｎＢｒＰｃＢｒなど、（２）モノ
アゾ色素，ジスアゾ色素等のアゾ系色素、（３）ペニレ
ン酸無水化物およびペニレン酸イミド等のペニレン系顔
料、（４）インジゴイド染料、（５）キナクリドン顔
料、（６）アントラキノン類、ピレンキノン類などの多
環キノン類、（７）シアニン色素、（８）キサンテン染
料、（９）ＰＶＫ／ＴＮＦなどの電荷移動錯体、（１
０）ビリリウム塩染料とポリカーボネイト樹脂から形成
される共晶錯体、（１１）アズレニウム塩化合物など有
機半導体を用いることができる。

【００５０】また、非晶質のＳｉ，Ｇｅ，Ｓｉ_1-xＣ_x，
Ｓｉ_1-xＧｅ_x，Ｇｅ_1-xＣ_x（以下、ａ−Ｓｉ，ａ−Ｇ
ｅ，ａ−Ｓｉ_1-xＣ_x，ａ−Ｓｉ_1-xＧｅ_x，ａ−Ｇｅ_1-x
Ｃ_xのように略す）を光導電層に使用する場合、水素ま
たはハロゲン元素を含めてもよく、誘電率を小さくし抵
抗率の増加のため酸素または窒素を含めてもよい。抵抗
率の制御にはｐ型不純物であるＢ，Ａｌ，Ｇａなどの元
素を、またはｎ型不純物であるＰ，Ａｓ，Ｓｂなどの元
素を添加してもよい。このように不純物を添加した非晶
質材料を積層してｐ／ｎ，ｐ／ｉ，ｉ／ｎ、ｐ／ｉ／
ｎ、ｐ／ｉ／ｎ／ｉなどの接合を形成し、光導電層内に
空乏層を形成するようにして誘電率および暗抵抗あるい
は動作電圧極性を制御してもよい。このような非晶質材
料だけでなく、上記の材料を２種類以上積層してヘテロ
接合を形成して光導電層内に空乏層を形成してもよい。
本実施の形態ではｐ／ｉ／ｎダイオード構造のａ−Ｓｉ
を４μｍ成膜して光導電層４とした。

【００５１】尚、本実施の形態では、透明導電性電極３
をパターニングした後光導電層４を成膜している。一般
に光導電層を形成する下地に段差があると光導電層の成
膜後にその段差はさらに大きくなる。また、光導電層の
膜厚が厚くなるほど段差は大きくなる。本実施の形態に
おける段差は、導電性透明電極３の厚さ約１０００Å
（オングストローム）である。光導電層の膜厚が、下地
の段差の１００倍以内であれば、成膜後の段差はあまり
目立たないことから、光導電層の厚さは少なくとも１０
μｍ以下が望ましい。

【００５２】光反射層５としてはＡｌ、Ａｇ等の高反射
率金属薄膜、誘電体を積層して形成される誘電体ミラー
等を用いることができる。本実施の形態では溝構造を形
成した場合の強度を向上させるためにＣｒを成膜した後
Ａｌを成膜して光反射層５とした。

【００５３】光吸収層７は、光導電層４の感度の高い波
長に対して吸収能を有しておればよく、アクリル系、ポ
リイミド系、ポリアミド系等の高分子材料の母材に対し
て、炭素粒子等の黒色顔料や色素分子を分散させてなる
光吸収材等を用いることができる。

【００５４】光変調層６としては、強誘電性液晶、反強
誘電性液晶、ＴＮ液晶、ＳＴＮ液晶等の液晶材料を用い
ることができる。本実施の形態では高速応答が可能な強
誘電性液晶を用いた。

【００５５】尚、本実施の形態の空間光変調素子１で
は、導電性透明電極３は、入力される画像の水平走査方
向に対して平行な帯状の領域に分離されている（図では
３分割）。実際には、３２分割の空間光変調素子を作成
した。

【００５６】本実施の形態の空間光変調素子１を用いて
構成した投写型画像表示装置を図２に示す。基本的な構
成は、図１６に示した従来例と同じであり、画像源８か
らの出力光を、書き込み光９として書き込みレンズ１０
により光導電層４に結像させることで空間光変調素子１
への画像入力を行っている。光源１１からの読み出し光
１２は空間光変調素子１の光変調層６側から入射され、
光変調層６による変調を受け、光反射層５により反射さ
れた後、再び光変調層６を通過し出力される。出力光１
３は可視化手段１４を通して可視化され、投写レンズ１
５によりスクリーン１６上に拡大投写される。可視化手
段１４としては、ＰＢＳを、光源としては高輝度キセノ
ンランプを用いた。

【００５７】尚、画像源８としては、表示画像の垂直同
期期間内において時系列に画像を表示する画像表示素子
であればよく、ＣＲＴ、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶表示装
置、プラズマディスプレイ等の自発光型ディスプレイ、
若しくはレーザーと、レーザー光を偏向するポリゴンミ
ラー等の走査手段を備えたレーザー光スキャン型画像表
示装置等を用いることができるが、本実施の形態におい
てはＣＲＴを用いた。

【００５８】空間光変調素子の駆動電圧波形は、図１７
に示したように、消去期間と書き込み期間からなる一般
的な波形を用いたが、本実施の形態の投写画像表示装置
においては、空間光変調素子１への印加電圧の位相を領
域毎にずらし、各領域において消去電圧が印加された直
後に書き込み光が入力されるように調整している（駆動
電圧の周波数は映像信号の垂直走査周波数すなわちフィ
ールド周波数と同一とした）。以下、空間光変調素子の
駆動電圧波形、ＣＲＴの出力、空間光変調素子の出力を
図面を参照しながら説明する。

【００５９】図３に空間光変調素子１の導電性透明電極
３の配置を示す。図に示すように、導電性透明電極３
は、入力される光信号の水平走査方向に対して平行な帯
状の領域に分離されており、各領域の両端から駆動電圧
を印加される。尚、本実施の形態では光導電層５を六角
形の画素に分離しており、図に示したように導電性透明
電極３の分離された領域の境界を、光反射層５の溝間
（境界部）と一致させている。

【００６０】今、ＣＲＴからの書き込み画像が入力され
る順に１から３２まで領域に番号を付ける。図４に各領
域毎の駆動電圧波形の位相のズレを示す。ここでは、Ｎ
ＴＳＣ信号としており、１フィールド周期は約１６．７
ミリ秒、フィールド周期から垂直帰線期間約１．５ミリ
秒を除いた垂直有効走査周期は約１５．２ミリ秒であ
る。すなわち第１番目の領域から順次書き込み（すなわ
ち光信号の入力）が開始され、約１５．２ミリ秒後に第
３２番目の領域に対する書き込みを終える。従って、一
つの領域の書き込みに要する時間は、概ね約４７５マイ
クロ秒（＝１５．２ミリ秒／３２）である。従って、各
領域では、約４７５マイクロ秒ずつ消去電圧を印加する
タイミングをずらしている。

【００６１】図５にｎ番目の領域における駆動電圧（図
５（ａ））、書き込み光強度（図５（ｂ））、空間光変
調素子の出力の時間応答波形（図５（ｃ））を示す。領
域の上部では、消去電圧印加後一定期間τ後に書き込み
が開始され、空間光変調素子が出力し始める。領域の下
部では最大約４７５マイクロ秒遅れて書き込みが開始さ
れる。つまり一つの領域内においては空間光変調素子の
立ち上がりは、高々４７５マイクロ秒程度遅れるだけで
あるため、領域内部でのむらは殆ど検知されない。しか
も、図４に示したように駆動電圧の位相（消去電圧の印
加時期）を４７５マイクロ秒ずつずらして各領域に印加
するので、消去電圧と、書き込み光のタイミングのずれ
τは全ての領域においてほぼ同一となる。すなわち、全
ての領域において図５に示した応答をさせることが可能
になり、全ての領域において時間開口率を殆ど同一にす
ることができる。また、消去電圧と、書き込み光のタイ
ミングのずれτを小さくすることで、均一性を損なうこ
となく時間開口率を高くすることができる。

【００６２】さらに、均一性を確保するために残光の長
い蛍光体により書き込みを行う必要がないので、フィー
ルド周期に対して十分残光の短い蛍光体を用いることが
可能になり、残像をゼロにできる。

【００６３】本発明の投写型画像表示装置によれば、あ
らゆる映像信号に対しても明るさ、均一性の高さ、残像
の少なさの３点を同時に満足することが可能となる。こ
れを図６を用いて説明する。映像信号のフィールド周期
をｔ_f、垂直帰線期間をｔ_b、導電性透明電極の分離数を
ｎ、各領域に於て消去信号が印加されてから書き込みが
開始されるまでに要する時間をτとする。また、空間光
変調素子が出力し始める入力光強度すなわち閾値をθ、
全白信号を表示する際に、ＣＲＴの蛍光体の残光がθ以
下に減衰するまでに要する時間をＴとする。

【００６４】本発明の空間光変調素子の原理ではまず、
第１番目の領域において消去電圧印加τ後に書き込みが
開始されるようにする。一つの領域に対してＣＲＴが書
き込みを行うのに要する時間ｔは、（数２）で表される
ので、各領域に印加する駆動電圧の位相を順次ｔだけず
らして各領域を駆動する。

【００６５】（数２）ｔ＝（ｔ_f−ｔ_b）／ｎこのように各領域の駆動電圧に位相差を与えることで各
領域には常に消去電圧印加τ後に書き込みが開始される
ようになるので、領域毎の不均一性は原理上全くなくな
るのである。

【００６６】次に領域内の不均一性について考える。各
領域の上部では、消去電圧印加τ後に書き込みが開始さ
れるが、下部ではさらにｔだけ遅れて書き込まれる。し
かしながら、分離数ｎを大きくすることで書き込み遅れ
ｔはｔ_fに対してかなり小さくなるので領域内の不均一
性は非常に目立ち難くなる。尚、領域の上部から下部に
かけて書き込み光強度を徐々に強くすることにより、空
間光変調素子の応答速度を徐々に速くできるので、不均
一性をさらに小さくすることも可能である。このように
して、画面全体での均一性を確保することができる。

【００６７】この時、τをできるだけ小さくすれば、時
間開口率を１００％に近づけることが可能となるので、
明るい画像表示が実現できるのである。尚、τは少なく
とも（数３）を満たすことが望ましい。

【００６８】（数３） τ＜ｔ_f／２以上の原理により、明るさと均一性を同時に確保でき
る。その際残像が発生することが懸念されるが、これ
は、蛍光体の残光を小さくすることで解決できる。すな
わち全白信号を表示する場合に、蛍光体の残光がθ以下
に減衰するのに要する減衰時間Ｔが、（数１）Ｔ＜ｔ_f
−τ−（ｔ_f−ｔ_b）／ｎを満足すれば、前のフィールド
の信号が次のフィールドに影響を与えることがなくなる
ので残像はゼロとなる。

【００６９】以上の原理により、本発明の投写型画像表
示装置によれば、明るさ、均一性、残像の少なさを同時
に満足できる。

【００７０】また、分離された各領域は各々独立した空
間光変調素子とみなすことができるが、必ずしも均一な
インピーダンスを持つとは限らない。すなわち同一の電
圧波形で駆動しても、光導電層、光変調層に実効的に印
加される電圧は若干異なることがある。また、光反射層
の反射率、開口率がバラ付く可能性もある。その結果、
各領域毎に閾値、γ特性、光変調効率、コントラストが
異なる可能性がある。その場合には、各領域毎に消去電
圧、書き込み電圧、消去電圧期間を最適化することによ
り前記領域毎のばらつきを検知限以下に抑えることが可
能である。

【００７１】以上の原理により、本実施の形態の空間光
変調素子１を用いて投写型画像表示装置を構成すること
により、明るく、均一性が高く、残像のない画像表示を
実現することができた。

【００７２】尚、図２に示した投写型画像表示装置に、
光源１１を除いた投写型画像表示装置をさらに２台加
え、読み出し光１２を３原色に分離する色分離手段を付
加し、合計３台の出力光をスクリーン上で合成すること
により、フルカラーの画像表示も可能となる。また、上
記構成において色合成手段を付加すれば、１本の投写レ
ンズ１５だけでフルカラー画像の表示が可能である。

【００７３】（実施の形態２）以下図７に、本発明の他
の実施の形態における空間光変調素子７１の断面図を示
す。本実施の形態の空間光変調素子７１においては、導
電性透明電極３の分離された境界に絶縁層１７を形成す
ることによって、領域間の電気的クロストークを小さく
している。絶縁層としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ_x）、
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（ＴａＯ
_x）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）等の無機酸化物や、無機窒
化物や、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系等の
高分子材料を用いることができる。

【００７４】本実施の形態の空間光変調素子７１を用い
て、図２に示した投写型画像表示装置を構成し、実施の
形態１と同様に、消去電圧の位相を領域毎にずらして、
消去電圧印加直後に書き込み光が入力されるようにして
駆動したところ、明るさを損なわず、均一で、残像のな
い画像表示を実現することができた。

【００７５】（実施の形態３）以下、図８に本発明の他
の実施の形態における空間光変調素子８１の断面図を示
す。本実施の形態の空間光変調素子においては、分割さ
れた導電性透明電極３の境界に絶縁層１７を形成し、か
つ光導電層４を深くエッチングすることで、領域間の電
気的クロストークを小さくしている。このような構成に
する事により、光反射層５の間の溝に遮光層（不図示）
を形成し、読み出し光の一部が空間光変調素子８１の裏
面へ貫通することを防いだ構造とした場合にも、領域間
の電気的クロストークを小さくできる。

【００７６】本実施の形態の空間光変調素子８１を用い
て投写型画像表示装置を構成し、消去電圧の位相を領域
毎にずらして、消去電圧印加直後に書き込み光が入力さ
れるようにして駆動したところ、明るく、均一で、残像
のない画像表示を実現することができた。

【００７７】（実施の形態４）以下、図９に本発明の他
の実施の形態における空間光変調素子９１の断面図を示
す。本実施の形態の空間光変調素子においては、分割さ
れた導電性透明電極３の境界に絶縁層１７を形成し、か
つ光反射層５間の光導電層４をすべてエッチングするこ
とで、領域間の電気的クロストークをきわめて小さくし
ている。このような構成にする事により、光反射層５の
間の溝に遮光層（不図示）を形成し、読み出し光の一部
が空間光変調素子１の裏面へ貫通することを防いだ構造
とした場合にも、領域間の電気的クロストークをきわめ
て小さくできる。ただし、その場合には全ての光反射層
５の溝間に絶縁層１７を形成することが必要である。

【００７８】本実施の形態の空間光変調素子を用いて投
写型画像表示装置を構成し、消去電圧の位相を領域毎に
ずらして、消去電圧印加直後に書き込み光が入力される
ようにして駆動したところ、明るく、均一で、残像のな
い画像表示を実現することができた。

【００７９】（実施の形態５）以下、図１０に本発明の
他の実施の形態で構成した空間光変調素子１０１の断面
図を示す。本実施の形態の空間光変調素子１０１におい
ては、分離される導電性透明電極３間の境界部に光反射
性または光吸収性の遮光層１８を形成している。遮光層
１８が導電性を有する場合には、導電性透明電極３と遮
光層１８を電気的に分離するための絶縁層１７’を形成
後導電性透明電極３を成膜し、分離する。

【００８０】このような構成とすることにより、分離し
た境界部の光導電層４が、書き込み光の照射により低抵
抗となることに起因する領域間の電気的クロストークを
小さくすることができる。尚、遮光層としては、アルミ
ニウム、クロム、チタン等の金属若しくはそれらの酸化
物若しくは窒化物等、若しくは誘電体を積層した誘電体
ミラー、あるいは、光導電層４の感度の高い波長に対し
て吸収能を有するアクリル系、ポリイミド系、ポリアミ
ド系等の高分子材料の母材に対して、炭素粒子等の黒色
顔料や色素分子を分散させてなる光吸収材等を用いるこ
とができる。

【００８１】また、絶縁層１７’はガラス基板２の全面
に形成する場合には、書き込み光に対して透明であるこ
とが望ましいが、導電性透明電極の境界部にのみ形成し
てもよい。

【００８２】（実施の形態６）以下、図１１に本発明の
一実施の形態で構成した空間光変調素子１１１の断面図
を示す。この空間光変調素子では、ガラス基板２に導電
性透明電極３、光導電層４、光反射層５を形成し、光反
射層５間の光導電層４をエッチングして溝構造を形成し
た後、光吸収層７を形成している。なお、光反射層５の
間の溝間に遮光層（図示せず）を形成することで、読み
出し光の一部が空間光変調素子１１１の裏面へ貫通する
ことを防いだ構造も考えられる。さらに、本実施の形態
の空間光変調素子はガラス基板２と導電性透明電極３’
を形成したガラス基板２’により光変調層６を挟持させ
ている。

【００８３】尚、本実施の形態の空間光変調素子１１１
では、導電性透明電極３’は、入力される光信号の水平
走査方向に対して平行な３２個の帯状の領域に分離され
ており、各領域の両端から駆動電圧を印加される。尚、
本実施の形態では光導電層５を六角形の画素に分離して
おり、（実施の形態１）と同様に電性透明電極３’の分
離された領域の境界を、光反射層５の溝間（境界部）と
一致させている。

【００８４】本実施の形態の空間光変調素子１１１を用
いて投写型画像表示装置を構成し、（実施の形態１）と
同様に消去電圧の位相を領域毎にずらして、消去電圧印
加直後に書き込み光が入力されるようにして駆動したと
ころ、明るく、均一で、残像のない画像表示を実現する
ことができた。

【００８５】（実施の形態７）以下、図１２に本発明の
他の実施の形態における空間光変調素子１２１の断面図
を示す。本実施の形態の空間光変調素子においては、分
割された導電性透明電極３’の境界に絶縁層１９を形成
し、領域間の電気的クロストークを小さくしている。絶
縁層１９としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ_x）、酸化アル
ミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（ＴａＯ_x）、窒
化ケイ素（ＳｉＮ_x）等の無機酸化物や、無機窒化物を
用いてもよく、炭素粒子等の黒色顔料や色素分子を分散
されてなるアクリル系、ポリイミド系、ポリアミド系等
の高分子材料等の光吸収性絶縁層、若しくは酸化プラセ
オジウムマンガン等の光反射性絶縁層を用いることが好
ましい。

【００８６】本実施の形態の空間光変調素子１２１を用
いて、図２に示した投写型画像表示装置を構成し、消去
電圧の位相を領域毎にずらして、消去電圧印加直後に書
き込み光が入力されるようにして駆動したところ、明る
く、均一で、残像のない画像表示を実現することができ
た。

【００８７】（実施の形態８）以下、図１３に本発明の
他の実施の形態における空間光変調素子１３１の断面図
を示す。本実施の形態の空間光変調素子１３１において
は、光変調層側のガラス基板２’と、分割された導電性
透明電極３’の間に透明絶縁層を形成し、さらに領域の
境界部には透明絶縁層２０とガラス基板２’の間に光吸
収性若しくは光反射性の導電層２１を形成しており、境
界が黒く表示されるようにしている。

【００８８】本実施の形態の空間光変調素子１３１を用
いて、図２に示した投写型画像表示装置を構成し、消去
電圧の位相を領域毎にずらして、消去電圧印加直後に書
き込み光が入力されるようにして駆動したところ、明る
く、均一で、残像のない画像表示を実現することができ
た。

【００８９】（実施の形態９）以下、図１４に本発明の
他の実施の形態における空間光変調素子１４１の断面図
を示す。本実施の形態の空間光変調素子においては、光
変調層側のガラス基板２’と、分割された導電性透明電
極３’の間に透明絶縁層２０を形成し、さらに領域の境
界部には、読み出し光に対して透明な導電層２１を形成
しており、この導電層２１を隣接する一方の領域の導電
性透明電極３’と同電位にすることによって、境界の光
変調層を駆動する。こうした構造とすることにより、境
界部の光変調層６が隣接する一方の領域と同様の動作を
するので、境界部を目立ち難くすることができる。

【００９０】本実施の形態の空間光変調素子１４１を用
いて、図２に示した投写型画像表示装置を構成し、消去
電圧の位相を領域毎にずらして、消去電圧印加直後に書
き込み光が入力されるようにして駆動したところ、明る
く、均一で、残像のない画像表示を実現することができ
た。尚、本発明は、発明の主旨に基づいて種々の変形が
可能であり、上記構成に限定されるものではない。

【００９１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、明るく、
均一性が高く、残像がきわめて少ない画像表示が可能な
投写型画像表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の断面図

【図２】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子を用いた投写型画像表示装置の構成図

【図３】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の平面及び光反射層の拡大部分を示す図

【図４】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の駆動電圧波形の説明図

【図５】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の駆動電圧波形（ａ）、書き込まれる蛍光体の時間応
答波形（ｂ）、及び空間光変調素子の出力の応答波形
（ｃ）を示す図

【図６】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の駆動電圧波形（ａ）、書き込まれる蛍光体の時間応
答波形（ｂ）、及び空間光変調素子の出力の応答波形
（ｃ）を示す図

【図７】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の断面図

【図８】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の断面図

【図９】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調素
子の断面図

【図１０】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調
素子の断面図

【図１１】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調
素子の断面図

【図１２】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調
素子の断面図

【図１３】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調
素子の断面図

【図１４】本発明の一実施の形態で構成した空間光変調
素子の断面図

【図１５】従来の空間光変調素子の断面図

【図１６】従来の空間光変調素子を用いて構成した投写
型画像表示装置の構成図

【図１７】従来の空間光変調素子の駆動電圧波形図

【図１８】従来の空間光変調素子の光出力波形図

【図１９】従来の投写型画像表示装置のスクリーン上部
における駆動電圧波形（ａ）、書き込まれる蛍光体の時
間応答波形（ｂ）、及び空間光変調素子の出力の応答波
形（ｃ）を示す図

【図２０】従来の投写型画像表示装置のスクリーン中央
部における駆動電圧波形（ａ）、書き込まれる蛍光体の
時間応答波形（ｂ）、及び空間光変調素子の出力の応答
波形（ｃ）を示す図

【図２１】従来の投写型画像表示装置のスクリーン下部
における駆動電圧波形（ａ）、書き込まれる蛍光体の時
間応答波形（ｂ）、及び空間光変調素子の出力の応答波
形（ｃ）を示す図

【図２２】残光の長いＣＲＴを用いた従来の投写型画像
表示装置のスクリーン中央部における駆動電圧波形
（ａ）、書き込まれる蛍光体の時間応答波形（ｂ）、及
び空間光変調素子の出力の応答波形（ｃ）を示す図

【図２３】残光の長いＣＲＴを用いた従来の投写型画像
表示装置のスクリーン中央部における駆動電圧波形
（ａ）、書き込まれる蛍光体の時間応答波形（ｂ）、及
び空間光変調素子の出力の応答波形（ｃ）を示す図

【図２４】残光の長いＣＲＴを用いた従来の投写型画像
表示装置のスクリーン中央部における駆動電圧波形
（ａ）、書き込まれる蛍光体の時間応答波形（ｂ）、及
び空間光変調素子の出力の応答波形（ｃ）を示す図

【符号の説明】

１空間光変調素子２、２’ ガラス基板３、３’ 透明導電性電極４光導電層５光反射層６光変調層７光吸収層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者筒井博司大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者川上俊勝大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者武藤泰明大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者宮井宏大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、空間光変調素子と、前記空間
光変調素子に入力する画像を時系列な走査により表示す
る画像源を具備しており、前記空間光変調素子が、第１
の導電性透明電極を具備した第１のガラス基板と、第２
の導電性透明電極を具備した第２のガラス基板とによっ
て、少なくとも光導電層と光反射層と光変調層を挟持し
た構成であり、かつ前記光導電層側の前記第１の導電性
透明電極、若しくは前記光変調層側の前記第２の導電性
透明電極の少なくとも何れか一方が、複数の領域に分離
されており、かつ分離された第１若しくは第２の導電性
透明電極の各領域に印加される駆動電圧の周波数が、前
記画像の垂直走査周波数と概ね同一であって、分離され
た前記第１若しくは第２の導電性透明電極の隣接する領
域間における前記駆動電圧の位相差が、垂直走査期間か
ら垂直帰線期間を除いた垂直有効走査期間を領域の数で
除した時間に概ね等しいことを特徴とする投写型画像表
示装置。
【請求項２】駆動電圧は、空間光変調素子を初期化する
消去電圧と、前記空間光変調素子へ画像を入力する期間
に印加される書き込み電圧からなり、分離された第１若
しくは第２の導電性透明電極の各領域において、前記消
去電圧が印加されてから画像入力が開始されるまでの時
間τが、垂直走査期間の少なくとも半分以下であること
を特徴とする請求項１記載の投写型画像表示装置。
【請求項３】空間光変調素子は、光導電層に入力される
光強度に対して閾値を有しており、前記空間光変調素子
に入力される画像の光強度は、走査後時間とともに概ね
単調に減衰し、垂直走査期間をｔ_f、垂直帰線期間を
ｔ_b、前記導電性透明電極の分離数をｎとしたとき、全
白信号を表示する際の光強度が前記空間光変調素子の閾
値以下に減衰するまでの時間Ｔは、Ｔ＜ｔ_f−τ−（ｔ_f
−ｔ_b）／ｎを満たすことを特徴とする請求項１または
２記載の投写型画像表示装置。
【請求項４】分離された前記第１若しくは第２の導電性
透明電極の複数の領域のうち、少なくとも一つの領域に
対する、消去電圧、若しくは書き込み電圧、若しくは消
去電圧印加期間の少なくとも何れか一つが、他の領域と
異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の投写型画像表示装置。
【請求項５】画像源の一部にＣＲＴを用いることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の投写型画像表示
装置。
【請求項６】画像源の一部に液晶表示装置を用いること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の投写型画
像表示装置。
【請求項７】画像源の一部に、レーザー光発生手段、及
び前記レーザー光を走査させる走査手段を用いることを
特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の投写型画像
表示装置。
【請求項８】空間光変調素子の光反射層が複数の画素に
分離されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
かに記載の投写型画像表示装置。
【請求項９】空間光変調素子の第１の導電性透明電極
は、入力される画像の水平走査方向と概ね平行に分離さ
れていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記
載の投写型画像表示装置。
【請求項１０】空間光変調素子の光反射層が複数の画素
に分離されており、かつ第１の導電性透明電極が分離さ
れる境界が、前記光反射層の分離される境界の一部と概
ね一致することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに
記載の投写型画像表示装置。
【請求項１１】空間光変調素子の第１の導電性透明電極
が分離されている境界部に第１の絶縁層を具備すること
を特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の投写型
画像表示装置。
【請求項１２】空間光変調素子の光導電層へ入力される
光の一部を遮光する遮光層を、第１の導電性透明電極が
分離される境界部に具備することを特徴とする請求項１
〜１１のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項１３】空間光変調素子の遮光層が導電性を有し
ており、前記遮光層と第１の導電性電極を電気的に絶縁
する第２の絶縁層を、前記遮光層と前記第１の導電性透
明電極の間に具備することを特徴とする請求項１〜１２
のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項１４】空間光変調素子の光導電層の厚さは、第
１の導電性透明電極の厚さの１００倍以内であることを
特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の投写型画
像表示装置。
【請求項１５】空間光変調素子の第１の導電性透明電極
が分離されてなる領域の数が、２以上２０００以下であ
ることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の
投写型画像表示装置。
【請求項１６】空間光変調素子の分離された第１の導電
性透明電極に対して、入力される画像の水平走査方向と
同じ方向に位置する両端から電圧を印加することを特徴
とする請求項１〜１５のいずれかに記載の投写型画像表
示装置。
【請求項１７】空間光変調素子の第２の導電性透明電極
は、入力される画像の水平走査方向と概ね平行に分離さ
れていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記
載の投写型画像表示装置。
【請求項１８】空間光変調素子の光反射層が複数の画素
に分離されており、かつ第２の導電性透明電極が分離さ
れる境界が、前記光反射層の分離される境界の一部と概
ね一致することを特徴とする請求項１〜８若しくは１７
のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項１９】空間光変調素子の第２の導電性透明電極
が分離されている境界部に第３の絶縁層を具備すること
を特徴とする請求項１〜８若しくは１７、１８のいずれ
かに記載の投写型画像表示装置。
【請求項２０】空間光変調素子の第３の絶縁層が光吸収
性を有することを特徴とする請求項１〜８若しくは１７
〜１９に記載の投写型画像表示装置。
【請求項２１】空間光変調素子の第３の絶縁層が光反射
性を有することを特徴とする請求項１〜８若しくは１７
〜２０のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項２２】空間光変調素子の第２の導電性透明電極
が分離される境界部に導電層を具備しており、且つ、前
記第２の導電性透明電極と前記導電層を電気的に絶縁す
る第４の絶縁層を前記導電層と前記第２の導電性透明電
極の間に具備することを特徴とする請求項１〜８若しく
は１７〜２１のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項２３】空間光変調素子の導電層が光吸収性を有
することを特徴とする請求項１〜８若しくは１７〜２２
のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項２４】空間光変調素子の導電層が光反射性を有
することを特徴とする請求項１〜８若しくは１７〜２３
のいずれかに記載の投写型画像表示装置。
【請求項２５】空間光変調素子の導電層及び第４の絶縁
層が透明であり、かつ隣接する第２の導電性透明電極の
どちらか一方と同電位の駆動電圧を印加されることを特
徴とする請求項１〜８若しくは１７〜２４のいずれかに
記載の投写型画像表示装置。
【請求項２６】空間光変調素子の第２の導電性透明電極
が分離される領域の数が２以上２０００以下であること
を特徴とする請求項１〜８若しくは１７〜２５のいずれ
かに記載の投写型画像表示装置。
【請求項２７】空間光変調素子の分離された第２の導電
性透明電極の各領域に対して、光導電層に入力される光
信号の水平走査方向と同じ方向に位置する両端から電圧
を印加することを特徴とする請求項１〜８若しくは１７
〜２６に記載の投写型画像表示装置。