JPH072764A - β−ラクタム化合物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 β−ラクタム系抗生物質の合成中間体を提
供する。 【構成】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、保護基を有
することもあるヒドロキシ低級アルキル基または置換基
を有することもあるアミノ基を意味する。R2は低級ア
ルキル基、置換低級アルキル基、アリール基または複素
環基を意味する。R3は水素原子、アリール基、置換ア
リール基、アラルキル基、置換アラルキル基または一般
式−O−R4(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、置換低級アルキル基(低級アルキル基上の置換基は
フェニル基、置換フェニル基、複素環基、置換複素環
基、トリ低級アルキルシリル基もしくはスルホ基であ
る。))で表わされる基、アシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基、置換低級アルコキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基またはスルホ基を意味する。)で
示されるβ−ラクタム化合物に関する。
供する。 【構成】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、保護基を有
することもあるヒドロキシ低級アルキル基または置換基
を有することもあるアミノ基を意味する。R2は低級ア
ルキル基、置換低級アルキル基、アリール基または複素
環基を意味する。R3は水素原子、アリール基、置換ア
リール基、アラルキル基、置換アラルキル基または一般
式−O−R4(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、置換低級アルキル基(低級アルキル基上の置換基は
フェニル基、置換フェニル基、複素環基、置換複素環
基、トリ低級アルキルシリル基もしくはスルホ基であ
る。))で表わされる基、アシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基、置換低級アルコキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基またはスルホ基を意味する。)で
示されるβ−ラクタム化合物に関する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はβ−ラクタム化合物に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】近年チエナマイシン(特開昭51−73
191号)、PS−5(特開昭53−121702号)
等のカルバペネム系抗生物質が天然より発見され、強い
抗菌作用を持つことが報告されている。しかし、醗酵法
による収率は極めて低く、大量合成のための全合成によ
る製造法が盛んに研究されている。
191号)、PS−5(特開昭53−121702号)
等のカルバペネム系抗生物質が天然より発見され、強い
抗菌作用を持つことが報告されている。しかし、醗酵法
による収率は極めて低く、大量合成のための全合成によ
る製造法が盛んに研究されている。
【0003】一方、チエナマイシンと類似構造を持つペ
ネム化合物も同様の強い抗菌活性を持つ事が報告[J.A
m.Chem.Soc.,102,2039(1980);J.Antimicrobial Chemoth
erapy9,Suppl.C.1-5(1982)]されているが、ペネム化合
物は天然から得られないため、その全合成による方法に
頼らざるを得ない。その代表例として最近、6−アミノ
ペニシラン酸から誘導する方法[Tetrahedron,39,2505
(1983)]、L―スレオニンから誘導する方法[Tetrahed
ron Letters,22,5205(1981),Tetrahedron Letters,24,1
037(1983)]等が報告されている。
ネム化合物も同様の強い抗菌活性を持つ事が報告[J.A
m.Chem.Soc.,102,2039(1980);J.Antimicrobial Chemoth
erapy9,Suppl.C.1-5(1982)]されているが、ペネム化合
物は天然から得られないため、その全合成による方法に
頼らざるを得ない。その代表例として最近、6−アミノ
ペニシラン酸から誘導する方法[Tetrahedron,39,2505
(1983)]、L―スレオニンから誘導する方法[Tetrahed
ron Letters,22,5205(1981),Tetrahedron Letters,24,1
037(1983)]等が報告されている。
【0004】しかし、合成原料が高価であること、工程
数が長い事、中間に副生物が多数生じ分離が煩雑な事等
から、工業的製造法としては必ずしも満足出来る方法と
は云えない。
数が長い事、中間に副生物が多数生じ分離が煩雑な事等
から、工業的製造法としては必ずしも満足出来る方法と
は云えない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、β−ラ
クタム化合物の工業的により経済的な製造方法について
鋭意検討した結果、極めて有利な中間体を見出し、本発
明を完成した。
クタム化合物の工業的により経済的な製造方法について
鋭意検討した結果、極めて有利な中間体を見出し、本発
明を完成した。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はβ−ラクタム系
抗生物質の重要な合成中間体である一般式(I)で示さ
れるβ−ラクタム化合物に関するものである。
抗生物質の重要な合成中間体である一般式(I)で示さ
れるβ−ラクタム化合物に関するものである。
【0007】
【化2】
【0008】(式中、R1は水素原子、低級アルキル
基、保護基を有することもあるヒドロキシ低級アルキル
基または置換基を有することもあるアミノ基を意味す
る。R2は低級アルキル基、置換低級アルキル基、アリ
ール基または複素環基を意味する。R3は水素原子、ア
リール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラル
キル基または一般式−O−R4(式中、R4は水素原
子、低級アルキル基、置換低級アルキル基(低級アルキ
ル基上の置換基はフェニル基、置換フェニル基、複素環
基、置換複素環基、トリ低級アルキルシリル基もしくは
スルホ基である。))で表わされる基、アシル基、低級
アルコキシカルボニル基、置換低級アルコキシカルボニ
ル基、アリールオキシカルボニル基またはスルホ基を意
味する。)
基、保護基を有することもあるヒドロキシ低級アルキル
基または置換基を有することもあるアミノ基を意味す
る。R2は低級アルキル基、置換低級アルキル基、アリ
ール基または複素環基を意味する。R3は水素原子、ア
リール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラル
キル基または一般式−O−R4(式中、R4は水素原
子、低級アルキル基、置換低級アルキル基(低級アルキ
ル基上の置換基はフェニル基、置換フェニル基、複素環
基、置換複素環基、トリ低級アルキルシリル基もしくは
スルホ基である。))で表わされる基、アシル基、低級
アルコキシカルボニル基、置換低級アルコキシカルボニ
ル基、アリールオキシカルボニル基またはスルホ基を意
味する。)
【0009】また、本発明は、3位と4位の配置および
置換基が、3S−[(R)−1−ヒドロキシ(もしくは
置換ヒドロキシ)エチル]−4S−置換チオである一般
式(I)で示されるβ−ラクタム化合物に関するもので
ある。
置換基が、3S−[(R)−1−ヒドロキシ(もしくは
置換ヒドロキシ)エチル]−4S−置換チオである一般
式(I)で示されるβ−ラクタム化合物に関するもので
ある。
【0010】以下に、本発明のβ−ラクタム化合物の製
造法につき述べる。
造法につき述べる。
【0011】本発明のβ−ラクタム化合物を製造するに
は、次に図示するように、一般式(VII)の化合物を
ハロゲン化して化合物(VI)へ導き、次いでそのカル
ボン酸の反応性誘導体(III)となし、これを一般式
H2N−O−R4(IV)の化合物(式中、R4は前記
に同じ。)または一般式H2N−R5(V)の化合物
(式中、R5はフェニル基、置換フェニル基、ベンジル
基、置換ベンジル基、ベンズヒドリル基、置換ベンズヒ
ドリル基または−SO3 −M+で表される基(M+は四
級アンモニウムイオンまたは金属イオン)を意味す
る。)と縮合させて化合物(II)へ誘導し、最後に脱
酸剤の存在下閉環して目的の化合物(I)へと導く方法
であり、以上の全工程を中間体を単離精製する事なく連
続して同一反応容器で反応を行う事も可能なものであ
り、極めて工業的に有利な方法である。
は、次に図示するように、一般式(VII)の化合物を
ハロゲン化して化合物(VI)へ導き、次いでそのカル
ボン酸の反応性誘導体(III)となし、これを一般式
H2N−O−R4(IV)の化合物(式中、R4は前記
に同じ。)または一般式H2N−R5(V)の化合物
(式中、R5はフェニル基、置換フェニル基、ベンジル
基、置換ベンジル基、ベンズヒドリル基、置換ベンズヒ
ドリル基または−SO3 −M+で表される基(M+は四
級アンモニウムイオンまたは金属イオン)を意味す
る。)と縮合させて化合物(II)へ誘導し、最後に脱
酸剤の存在下閉環して目的の化合物(I)へと導く方法
であり、以上の全工程を中間体を単離精製する事なく連
続して同一反応容器で反応を行う事も可能なものであ
り、極めて工業的に有利な方法である。
【0012】
【化3】
【0013】(式中、R1、R2、R3は前記に同じ。
Xはハロゲン原子を意味する。Aはハロゲン原子、カル
ボン酸の反応性エステル残基、酸無水物残基または酸ア
ジド残基を意味する。)
Xはハロゲン原子を意味する。Aはハロゲン原子、カル
ボン酸の反応性エステル残基、酸無水物残基または酸ア
ジド残基を意味する。)
【0014】以下に本発明のβ−ラクタム化合物の製造
法の詳細につき述べる。
法の詳細につき述べる。
【0015】先ず、ここで用いる置換基につき詳細に示
す。
す。
【0016】R1:水素原子、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基などの低
級アルキル基、保護基を有することもあるヒドロキシ低
級アルキル基(ヒドロキシル基の保護基としてはトリメ
チルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基のような
トリ低級アルキルシリル基、第三級ブチルオキシカルボ
ニルのような低級アルコキシカルボニル基、ベンジルオ
キシカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニ
ル、o−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルのようなアラルキルオキシカ
ルボニル基、2−ヨウ化エチルオキシカルボニル、2,
2,2−トリクロロエトキシカルボニル基のようなハロ
ゲノ低級アルコキシカルボニル基、アセチル基のような
脂肪族アシル基、ベンゾイル基のような芳香族アシル
基、ベンズヒドリル基、ベンジル基のようなアラルキル
基、メトキシメチル基のような低級アルコキシアルキル
基、2−テトラヒドロピラニル基等がある)または置換
基を有することもあるアミノ基を意味する。
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基などの低
級アルキル基、保護基を有することもあるヒドロキシ低
級アルキル基(ヒドロキシル基の保護基としてはトリメ
チルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基のような
トリ低級アルキルシリル基、第三級ブチルオキシカルボ
ニルのような低級アルコキシカルボニル基、ベンジルオ
キシカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニ
ル、o−ニトロベンジルオキシカルボニル、p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルのようなアラルキルオキシカ
ルボニル基、2−ヨウ化エチルオキシカルボニル、2,
2,2−トリクロロエトキシカルボニル基のようなハロ
ゲノ低級アルコキシカルボニル基、アセチル基のような
脂肪族アシル基、ベンゾイル基のような芳香族アシル
基、ベンズヒドリル基、ベンジル基のようなアラルキル
基、メトキシメチル基のような低級アルコキシアルキル
基、2−テトラヒドロピラニル基等がある)または置換
基を有することもあるアミノ基を意味する。
【0017】R2:メチル、エチル、第三級ブチル等の
低級アルキル基、トリフェニルメチルのような置換低級
アルキル基、フェニル基、置換フェニル基のようなアリ
ール基、ピリジル基、置換ピリジル基、チエニル基、置
換チエニル基、チアゾリル基、アリール基、ベンゾチア
ゾリル基のような複素環基を意味し、R2の定義におい
て、該基上の置換基としてはメチル、エチル等の低級ア
ルキル基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン、スルホンア
ミド基、低級アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アル
コキシカルボニル基、カルバモイル基等があり、これら
の置換基は同じまたは異なるものが組合されて1乃至3
個置換していてもよい。
低級アルキル基、トリフェニルメチルのような置換低級
アルキル基、フェニル基、置換フェニル基のようなアリ
ール基、ピリジル基、置換ピリジル基、チエニル基、置
換チエニル基、チアゾリル基、アリール基、ベンゾチア
ゾリル基のような複素環基を意味し、R2の定義におい
て、該基上の置換基としてはメチル、エチル等の低級ア
ルキル基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン、スルホンア
ミド基、低級アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アル
コキシカルボニル基、カルバモイル基等があり、これら
の置換基は同じまたは異なるものが組合されて1乃至3
個置換していてもよい。
【0018】R3:水素原子、フェニル基、ナフチル
基、置換フェニル基、置換ナフチル基のようなアリール
基もしくは置換アリール基、ベンジル基、置換ベンジル
基、ベンズヒドリル基、置換ベンズヒドリル基のような
アラルキル基もしくは置換アラルキル基、一般式−O−
R4で表わされる基(R4は水素原子、メチル、エチ
ル、イソプロピル等の低級アルキル基もしくは置換低級
アルキル基(置換分としてはフェニル、ニトロフェニ
ル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、4−ヒド
ロキシ−3,5−ジ−第三級ブチルフェニル等のアリー
ル基。これらの置換基は同一または異なるものが組合さ
れて1乃至2個置換していてもよい)、ピリジル、フリ
ル、チエニル等の複素環基もしくは置換複素環基(置換
分として低級アルキル基、低級アルコキシ基)、トリメ
チルシリル、第三級ブチルジメチルシリルのようなトリ
低級アルキルシリル基またはスルホ基を意味する)、ア
セチル基、ベンゾイル基のような脂肪族もしくは芳香族
アシル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルの
ような低級アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカ
ルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニル、2,
2,2−トリクロロエトキシカルボニルのような置換低
級アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニルのよ
うなアリールオキシカルボニル基またはスルホ基を意味
する。R3の定義において、置換フェニル基、置換ナフ
チル基、置換ベンジル基、置換ベンズヒドリル基、置換
低級アルコキシカルボニル基等の置換基としては、メチ
ル、エチル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ等
の低級アルコキシ基、メチルチオ、エチルチオ等の低級
アルキルチオ基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン原子、
ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、メタ
ンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基、アルコキ
シカルボニル基、カルバモイル基、スルフォンアミド基
等があり、これらの置換基は同一または異なるものが組
合されて1乃至3個置換していてもよい。
基、置換フェニル基、置換ナフチル基のようなアリール
基もしくは置換アリール基、ベンジル基、置換ベンジル
基、ベンズヒドリル基、置換ベンズヒドリル基のような
アラルキル基もしくは置換アラルキル基、一般式−O−
R4で表わされる基(R4は水素原子、メチル、エチ
ル、イソプロピル等の低級アルキル基もしくは置換低級
アルキル基(置換分としてはフェニル、ニトロフェニ
ル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、4−ヒド
ロキシ−3,5−ジ−第三級ブチルフェニル等のアリー
ル基。これらの置換基は同一または異なるものが組合さ
れて1乃至2個置換していてもよい)、ピリジル、フリ
ル、チエニル等の複素環基もしくは置換複素環基(置換
分として低級アルキル基、低級アルコキシ基)、トリメ
チルシリル、第三級ブチルジメチルシリルのようなトリ
低級アルキルシリル基またはスルホ基を意味する)、ア
セチル基、ベンゾイル基のような脂肪族もしくは芳香族
アシル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルの
ような低級アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカ
ルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニル、2,
2,2−トリクロロエトキシカルボニルのような置換低
級アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニルのよ
うなアリールオキシカルボニル基またはスルホ基を意味
する。R3の定義において、置換フェニル基、置換ナフ
チル基、置換ベンジル基、置換ベンズヒドリル基、置換
低級アルコキシカルボニル基等の置換基としては、メチ
ル、エチル等の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ等
の低級アルコキシ基、メチルチオ、エチルチオ等の低級
アルキルチオ基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン原子、
ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、メタ
ンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基、アルコキ
シカルボニル基、カルバモイル基、スルフォンアミド基
等があり、これらの置換基は同一または異なるものが組
合されて1乃至3個置換していてもよい。
【0019】R5:フェニル、置換フェニルのようなア
リール基もしくは置換アリール基、ベンジル、置換ベン
ジル、ベンズヒドリル、置換ベンズヒドリルのようなア
ラルキル基もしくは置換アラルキル基(これらの置換基
としてはメチル、エチル等の低級アルキル基、弗素、塩
素、臭素等のハロゲン、低級アルコキシ基、スルホンア
ミド基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基等があり、これらは同一または異な
るものが組合されて、1乃至3個置換していてもよい)
または−SO3 −M+で表される基(M+はテトラ−n
−ブチルアンモニウムのような四級アンモニウムイオ
ン、Na+、K+、1/2Ca++等の金属イオン)を
意味する。
リール基もしくは置換アリール基、ベンジル、置換ベン
ジル、ベンズヒドリル、置換ベンズヒドリルのようなア
ラルキル基もしくは置換アラルキル基(これらの置換基
としてはメチル、エチル等の低級アルキル基、弗素、塩
素、臭素等のハロゲン、低級アルコキシ基、スルホンア
ミド基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基等があり、これらは同一または異な
るものが組合されて、1乃至3個置換していてもよい)
または−SO3 −M+で表される基(M+はテトラ−n
−ブチルアンモニウムのような四級アンモニウムイオ
ン、Na+、K+、1/2Ca++等の金属イオン)を
意味する。
【0020】A:一般的ペプチド合成法に用いられる酸
クロリド法、混合酸無水物法、活性エステル法、アジド
法、ジシクロヘキシルカルボジイミド(以下、DCCと
略)法、カルボニルジイミダゾール法によって活性化さ
れたカルボン酸の反応性誘導体の残基を意味し、例え
ば、塩素のようなハロゲン、第三級ブチリルオキシ基、
イソアミルオキシカルボニルオキシ基、パラニトロフェ
ニルオキシ基、コハク酸イミドオキシ基、ベンゾトリア
ゾリルオキシ基、アジド基、イミダゾリル基およびDC
Cより導かれるC6H11N=C(C6H11NH)O
−で表される基等を挙げることができる。
クロリド法、混合酸無水物法、活性エステル法、アジド
法、ジシクロヘキシルカルボジイミド(以下、DCCと
略)法、カルボニルジイミダゾール法によって活性化さ
れたカルボン酸の反応性誘導体の残基を意味し、例え
ば、塩素のようなハロゲン、第三級ブチリルオキシ基、
イソアミルオキシカルボニルオキシ基、パラニトロフェ
ニルオキシ基、コハク酸イミドオキシ基、ベンゾトリア
ゾリルオキシ基、アジド基、イミダゾリル基およびDC
Cより導かれるC6H11N=C(C6H11NH)O
−で表される基等を挙げることができる。
【0021】以下に各工程を説明する。
【0022】第一工程:ハロゲン化 1)ハロゲン化剤: N−クロロコハク酸イミド(以下、NCSと略) N−ブロモコハク酸イミド(以下、NBSと略) スルフリルクロリド 塩素、臭素、3−ヨードビリジン塩素付加物 2)反応溶媒: クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素
類 ジエチルエーテル等のエーテル類 ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類 3)反応時間: 2分〜1時間、通常は3分〜20分 4)反応温度: 0〜50℃、好適には10〜30℃
類 ジエチルエーテル等のエーテル類 ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類 3)反応時間: 2分〜1時間、通常は3分〜20分 4)反応温度: 0〜50℃、好適には10〜30℃
【0023】第二工程:カルボン酸の活性化 1)活性化法(試薬): DCC法 酸クロリド法(塩化チオニル、オキシ塩化リン、五塩化
リン) 酸無水物法(イソブチルクロロホルメート、ピバロイル
オキシカルボニルクロリド、脱酸剤としてトリエチルア
ミン、N−メチルモルホリン) 活性エステル法(p−ニトロフェノール、N−オキシコ
ハク酸イミド、1−オキシベンゾトリアゾール、縮合剤
としてDCC) 2)反応溶媒:第一工程に同じ 3)反応時間:10分〜2時間、通常は30分程度 4)反応温度:0〜25℃、好適には5〜15℃
リン) 酸無水物法(イソブチルクロロホルメート、ピバロイル
オキシカルボニルクロリド、脱酸剤としてトリエチルア
ミン、N−メチルモルホリン) 活性エステル法(p−ニトロフェノール、N−オキシコ
ハク酸イミド、1−オキシベンゾトリアゾール、縮合剤
としてDCC) 2)反応溶媒:第一工程に同じ 3)反応時間:10分〜2時間、通常は30分程度 4)反応温度:0〜25℃、好適には5〜15℃
【0024】第三工程:(H2N−O−R4またはH2
N−R5との反応) 1)反応試薬(脱酸剤):トリエチルアミン(以下、T
EAと略) 2)反応溶媒:第一工程に同じ 3)反応時間:10分〜2時間、20分〜40分で充分
な場合が多い 4)反応温度:0〜40℃、好適には5〜35℃
N−R5との反応) 1)反応試薬(脱酸剤):トリエチルアミン(以下、T
EAと略) 2)反応溶媒:第一工程に同じ 3)反応時間:10分〜2時間、20分〜40分で充分
な場合が多い 4)反応温度:0〜40℃、好適には5〜35℃
【0025】第四工程:閉環反応 1)反応試薬(脱酸剤):トリエチルアミン、ジイソプ
ロピルエチルアミン等のトリ低級アルキルアミン類、水
酸化アルカリ金属、酸化銀、硝酸銀、銅粉 2)反応溶媒:第一工程に同じ 3)反応時間:5分〜3時間、通常は10分〜1時間 4)反応温度:0〜40℃、好適には5〜35℃
ロピルエチルアミン等のトリ低級アルキルアミン類、水
酸化アルカリ金属、酸化銀、硝酸銀、銅粉 2)反応溶媒:第一工程に同じ 3)反応時間:5分〜3時間、通常は10分〜1時間 4)反応温度:0〜40℃、好適には5〜35℃
【0026】以下、実施例および参考例によって具体的
に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれらによ
って何等制限されない。なお、以下の略号を使用する。
に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれらによ
って何等制限されない。なお、以下の略号を使用する。
【0027】Ph:フェニル SiBMM:第三級ブチルジメチルシリル PNB:パラニトロベンジル
【0028】
【0029】実施例1 (3S,4S)−3−[(R)
−1−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]
−1−(4−ニトロベンジルオキシ)−4−フェニルチ
オ−2−アゼチジノン
−1−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]
−1−(4−ニトロベンジルオキシ)−4−フェニルチ
オ−2−アゼチジノン
【0030】
【化4】
【0031】(2S,3R)−スレオ−3−第三級ブチ
ルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル酪酸
140mgをクロロホルム1.4ml(アルミナカラム
を通し精製したもの)に室温で溶解し、NCS66mg
を徐々に加え7分間撹拌する。反応液を氷冷しO−4−
ニトロベンジルヒドロキシルアミン69mgのクロロホ
ルム0.14ml溶液を、ついでDCC85mgのクロ
ロホルム0.14m1溶液を加え、室温で20分間撹拌
する。ついでTEA0.06mlのクロロホルム0.1
4ml溶液を加え、同温度で20分間撹拌する。反応液
に水5ml加えクロロホルムで抽出し、硫酸ナトリウム
で乾燥する。溶媒留去して得られる残留物をシリカゲル
3gのカラムクロマトに付し、ベンゼン溶出部を減圧濃
縮すると油状の表記化合物30mgが得られた。
ルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル酪酸
140mgをクロロホルム1.4ml(アルミナカラム
を通し精製したもの)に室温で溶解し、NCS66mg
を徐々に加え7分間撹拌する。反応液を氷冷しO−4−
ニトロベンジルヒドロキシルアミン69mgのクロロホ
ルム0.14ml溶液を、ついでDCC85mgのクロ
ロホルム0.14m1溶液を加え、室温で20分間撹拌
する。ついでTEA0.06mlのクロロホルム0.1
4ml溶液を加え、同温度で20分間撹拌する。反応液
に水5ml加えクロロホルムで抽出し、硫酸ナトリウム
で乾燥する。溶媒留去して得られる残留物をシリカゲル
3gのカラムクロマトに付し、ベンゼン溶出部を減圧濃
縮すると油状の表記化合物30mgが得られた。
【0032】
【表1】
【0033】実施例2 (3S,4S)−3−[(R)
−1−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]
−1−ヒドロキシ−4−フェニルチオ−2−アゼチジノ
ン
−1−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]
−1−ヒドロキシ−4−フェニルチオ−2−アゼチジノ
ン
【0034】
【化5】
【0035】実施例1で得た化合物30mgをメタノー
ル5mlに溶解し、10%パラジウム担持炭素30mg
を加え常圧で3時間40分接触還元する。更に上記触媒
30mgを追加し、1時間常圧で接触還元する。セライ
トを用いて触媒を除去し、溶媒を減圧留去すると無色結
晶の表記化合物16mgが得られた。融点132〜13
5℃。
ル5mlに溶解し、10%パラジウム担持炭素30mg
を加え常圧で3時間40分接触還元する。更に上記触媒
30mgを追加し、1時間常圧で接触還元する。セライ
トを用いて触媒を除去し、溶媒を減圧留去すると無色結
晶の表記化合物16mgが得られた。融点132〜13
5℃。
【0036】
【表2】
【0037】実施例3 (3S,4S)−3−[(R)
−1−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]
−4−フェニルチオ−2−アゼチジノン
−1−(第三級ブチルジメチルシリルオキシ)エチル]
−4−フェニルチオ−2−アゼチジノン
【0038】
【化6】
【0039】実施例2で得た化合物15mgをメタノー
ル1.2ml、水0.5mlに溶解し、これに室温で2
5%三塩化チタン溶液75μlを1N水酸化ナトリウム
でpH7付近に保ちながら加える。更に同温度で30分
間撹拌後、水5mlを加え酢酸エチルで抽出し、硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去して得られる残留物
を分取用薄層クロマトグラフィー(20×20×0.5
cm)を用いてクロロホルム−メタノール(93:7)
にて展開精製し表記化合物13mgを得た。
ル1.2ml、水0.5mlに溶解し、これに室温で2
5%三塩化チタン溶液75μlを1N水酸化ナトリウム
でpH7付近に保ちながら加える。更に同温度で30分
間撹拌後、水5mlを加え酢酸エチルで抽出し、硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を留去して得られる残留物
を分取用薄層クロマトグラフィー(20×20×0.5
cm)を用いてクロロホルム−メタノール(93:7)
にて展開精製し表記化合物13mgを得た。
【0040】
【表3】
【0041】
【0042】参考例1 (2S,3R)−スレオ−およ
び(2R,3R)−エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フ
ェニルチオメチル酪酸メチルエステル
び(2R,3R)−エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フ
ェニルチオメチル酪酸メチルエステル
【0043】乾燥テトラヒドロフラン(THF)200
mlにイソプロピルアミン30mlを溶解し、アルゴン
気流下内温を−60℃に冷却、これにn−ブチルリチウ
ム(15%ヘキサン溶液)132.5mlを内温が−5
0℃以上にならないように滴下する。次に30分かけて
−30℃まで上昇させ同温度で10分撹拌後、再び−6
0℃に冷却する。これに、(−)−(R)−3−ヒドロ
キシ酪酸メチル12.5gの乾燥THF20ml溶液を
10分間かけて滴下し、同温度で30分間撹拌する。つ
いで、ヨードメチルフェニルスルフィド26.6gのヘ
キサメチルホスホリックアミド20ml溶液を滴下し同
温度で30分間、−40℃で10分間撹拌後、飽和塩化
アンモニウム水400mlを加え酢酸エチルで抽出す
る。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し得られる残
留物をシリカゲル100gのカラムクロマトに付し、ク
ロロホルム溶出部より表記化合物をエリスロ−スレオ
(4:1)の混合物として9.5g得た。本品は混合物
のまま分離する事なく次の反応に用いた。
mlにイソプロピルアミン30mlを溶解し、アルゴン
気流下内温を−60℃に冷却、これにn−ブチルリチウ
ム(15%ヘキサン溶液)132.5mlを内温が−5
0℃以上にならないように滴下する。次に30分かけて
−30℃まで上昇させ同温度で10分撹拌後、再び−6
0℃に冷却する。これに、(−)−(R)−3−ヒドロ
キシ酪酸メチル12.5gの乾燥THF20ml溶液を
10分間かけて滴下し、同温度で30分間撹拌する。つ
いで、ヨードメチルフェニルスルフィド26.6gのヘ
キサメチルホスホリックアミド20ml溶液を滴下し同
温度で30分間、−40℃で10分間撹拌後、飽和塩化
アンモニウム水400mlを加え酢酸エチルで抽出す
る。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し得られる残
留物をシリカゲル100gのカラムクロマトに付し、ク
ロロホルム溶出部より表記化合物をエリスロ−スレオ
(4:1)の混合物として9.5g得た。本品は混合物
のまま分離する事なく次の反応に用いた。
【0044】参考例2 (3R)−3−ヒドロキシ−2
−メチリデン酪酸メチルエステル
−メチリデン酪酸メチルエステル
【0045】(2S,3R)−スレオ−3−第三級ブチ
ルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル酪酸
15.57gを塩化メチレン450mlに溶解し氷冷下
メタクロロ過安息香酸13.4gを少量ずつ加え、つい
で室温にて1時間撹拌する。反応液を飽和炭酸水素ナト
リウム水で洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去
し油状物16.66gを得る。本品は精製する事なくた
だちにトルエン160mlに溶解し、120℃にて1時
間加熱する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲル50gの
カラムクロマトに付し最初ベンゼンで溶出する部分を除
き、クロロホルムで溶出する部分を集めて減圧濃縮して
表記化合物6.5gを得た。
ルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル酪酸
15.57gを塩化メチレン450mlに溶解し氷冷下
メタクロロ過安息香酸13.4gを少量ずつ加え、つい
で室温にて1時間撹拌する。反応液を飽和炭酸水素ナト
リウム水で洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去
し油状物16.66gを得る。本品は精製する事なくた
だちにトルエン160mlに溶解し、120℃にて1時
間加熱する。溶媒を留去し、残渣をシリカゲル50gの
カラムクロマトに付し最初ベンゼンで溶出する部分を除
き、クロロホルムで溶出する部分を集めて減圧濃縮して
表記化合物6.5gを得た。
【0046】
【表4】
【0047】参考例3 (2S,3R)−スレオ−およ
び(2R,3R)−エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フ
ェニルチオメチル酪酸メチルエステル
び(2R,3R)−エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フ
ェニルチオメチル酪酸メチルエステル
【0048】参考例2で得た化合物4.5gをクロロホ
ルム95mlに溶解し、氷冷下チオフェノール4.58
mlおよびトリエチルアミン(TEA)1.87gを加
え、ついで室温にて21時間撹拌する。反応液を冷却し
た5%水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、更に水洗して
硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去し、得られる残
留物をシリカゲル30gのカラムクロマトに付し、クロ
ロホルム溶出部を減圧濃縮するとエリスロ−スレオ
(3:7)の混合物として油状の表記化合物6.7gが
得られた。
ルム95mlに溶解し、氷冷下チオフェノール4.58
mlおよびトリエチルアミン(TEA)1.87gを加
え、ついで室温にて21時間撹拌する。反応液を冷却し
た5%水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、更に水洗して
硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去し、得られる残
留物をシリカゲル30gのカラムクロマトに付し、クロ
ロホルム溶出部を減圧濃縮するとエリスロ−スレオ
(3:7)の混合物として油状の表記化合物6.7gが
得られた。
【0049】
【表5】
【0050】参考例4 (2S,3R)−スレオ−およ
び(2S,3R)−エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フ
ェニルチオメチル酪酸
び(2S,3R)−エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フ
ェニルチオメチル酪酸
【0051】参考例3で得た化合物5.64gを四塩化
炭素55mlに溶解し、これにヨードトリメチルシラン
4.1mlを加え、封管中50℃にて15時間加熱す
る。冷後、水10mlを加え室温にて6時間撹拌する。
四塩化炭素を留去し飽和炭酸水素ナトリウム水を加えエ
ーテルで洗浄し、水層を濃塩酸で酸性としエーテルで抽
出する。エーテル層をチオ硫酸ナトリウム水で洗浄し、
硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲル20gのカラムクロマトに付し、エリスロ−スレ
オ(3:7)の混合物として油状の表記化合物4.13
gを得た。
炭素55mlに溶解し、これにヨードトリメチルシラン
4.1mlを加え、封管中50℃にて15時間加熱す
る。冷後、水10mlを加え室温にて6時間撹拌する。
四塩化炭素を留去し飽和炭酸水素ナトリウム水を加えエ
ーテルで洗浄し、水層を濃塩酸で酸性としエーテルで抽
出する。エーテル層をチオ硫酸ナトリウム水で洗浄し、
硫酸ナトリウムで乾燥する。溶媒を留去し、残渣をシリ
カゲル20gのカラムクロマトに付し、エリスロ−スレ
オ(3:7)の混合物として油状の表記化合物4.13
gを得た。
【0052】
【表6】
【0053】参考例5 (2S,3R)−スレオ−3−
ヒドロキシ−2−フェニルチオメチル酪酸
ヒドロキシ−2−フェニルチオメチル酪酸
【0054】参考例4で得た化合物4.13gをエタノ
ール100mlに溶解し、ジシクロヘキシルアミン4.
5mlを加え、放置後エタノールを留去する。残渣をエ
ーテルで洗浄し、得られた結晶(1.3g)をベンゼン
から再結晶し無色結晶のジシクロヘキシルアミン塩を得
た。融点145〜149℃。[α]D −21.80°
(c=4.0 CHCl3)。
ール100mlに溶解し、ジシクロヘキシルアミン4.
5mlを加え、放置後エタノールを留去する。残渣をエ
ーテルで洗浄し、得られた結晶(1.3g)をベンゼン
から再結晶し無色結晶のジシクロヘキシルアミン塩を得
た。融点145〜149℃。[α]D −21.80°
(c=4.0 CHCl3)。
【0055】このジシクロヘキシルアミン塩520mg
にlN塩酸2mlを加えエーテルで抽出する。エーテル
層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、油状の
表記化合物230mgを得た。
にlN塩酸2mlを加えエーテルで抽出する。エーテル
層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、油状の
表記化合物230mgを得た。
【0056】
【表7】
【0057】参考例6 (2S,3R)−スレオ−3−
第三級−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチ
オメチル酪酸
第三級−ブチルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチ
オメチル酪酸
【0058】参考例5で得た化合物230mgをジメチ
ルホルムアミド(DMF)5mlに溶解し、これにイミ
ダゾール290mgおよび第三級ブチルジメチルクロロ
シラン365mgを加え室温にて14時間撹拌する。反
応液に水15mlとメタノール30mlを加え、室温で
3時間撹拌する。反応液をベンゼン−酢酸エチル(1:
1)の混合溶媒で抽出し硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を留去して得られる残渣をシリカゲル5gのカラム
クロマトに付し、ベンゼン溶出部を減圧濃縮し、油状の
表記化合物100mgを得た。融点63〜67℃。
ルホルムアミド(DMF)5mlに溶解し、これにイミ
ダゾール290mgおよび第三級ブチルジメチルクロロ
シラン365mgを加え室温にて14時間撹拌する。反
応液に水15mlとメタノール30mlを加え、室温で
3時間撹拌する。反応液をベンゼン−酢酸エチル(1:
1)の混合溶媒で抽出し硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を留去して得られる残渣をシリカゲル5gのカラム
クロマトに付し、ベンゼン溶出部を減圧濃縮し、油状の
表記化合物100mgを得た。融点63〜67℃。
【0059】
【表8】
【0060】以下に、参考例1から参考例6に至る製造
工程を図示する。
工程を図示する。
【0061】
【化7】
【0062】参考例7 (±)−エリスロおよび(±)
−スレオ−3−ヒドロキシ−2−フェニルチオメチル酪
酸第三級ブチル
−スレオ−3−ヒドロキシ−2−フェニルチオメチル酪
酸第三級ブチル
【0063】メタノール350mlに室温で酢酸ナトリ
ウム63gを溶解し、これに37%ホルマリン59g
を、チオフェノール55gおよびアセト酢酸第三級ブチ
ル79gを順次加え同温度にて1時間撹拌する。反応液
を氷冷し、水素化ホウ素ナトリウム9gを少量ずつ加
え、同温度で2時間撹拌する。溶媒を留去し残留物にn
−ヘキサンを加え不溶物を濾別後、n−ヘキサンを留去
すると油状物71gが得られる。本化合物はNMRより
表記エリスロ体およびスレオ体(4:1)の混合物であ
った。
ウム63gを溶解し、これに37%ホルマリン59g
を、チオフェノール55gおよびアセト酢酸第三級ブチ
ル79gを順次加え同温度にて1時間撹拌する。反応液
を氷冷し、水素化ホウ素ナトリウム9gを少量ずつ加
え、同温度で2時間撹拌する。溶媒を留去し残留物にn
−ヘキサンを加え不溶物を濾別後、n−ヘキサンを留去
すると油状物71gが得られる。本化合物はNMRより
表記エリスロ体およびスレオ体(4:1)の混合物であ
った。
【0064】
【表9】
【0065】参考例8 (±)−スレオおよび(±)−
エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フェニルチオメチル酪
酸
エリスロ−3−ヒドロキシ−2−フェニルチオメチル酪
酸
【0066】参考例7で得た化合物20gをアニソール
50mlおよびトリフルオロ酢酸100mlに溶解し室
温で30分間撹拌する。溶媒を留去した後、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液に溶解しエーテルにて洗浄する。水
層を濃塩酸で酸性としエーテルで抽出する。硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、溶媒を減圧濃縮すると無色結晶15gが
得られる。本化合物はNMRより表記エリスロ体および
スレオ体(4:1)の混合物であった。さらにベンゼン
で再結晶を行ない(±)−エリスロ−3−ヒドロキシ−
2−フェニルチオメチル酪酸を得た。融点79〜80
℃。
50mlおよびトリフルオロ酢酸100mlに溶解し室
温で30分間撹拌する。溶媒を留去した後、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液に溶解しエーテルにて洗浄する。水
層を濃塩酸で酸性としエーテルで抽出する。硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、溶媒を減圧濃縮すると無色結晶15gが
得られる。本化合物はNMRより表記エリスロ体および
スレオ体(4:1)の混合物であった。さらにベンゼン
で再結晶を行ない(±)−エリスロ−3−ヒドロキシ−
2−フェニルチオメチル酪酸を得た。融点79〜80
℃。
【0067】
【表10】
【0068】また、その濾液にジシクロヘキシルアミン
を加え結晶化を行い、さらにエタノールから再結晶を行
うことにより無色結晶のジシクロヘキシルアミン塩を得
た。融点155〜157℃。
を加え結晶化を行い、さらにエタノールから再結晶を行
うことにより無色結晶のジシクロヘキシルアミン塩を得
た。融点155〜157℃。
【0069】このジシクロヘキシルアミン塩を1N塩酸
で酸性としエーテル抽出する。硫酸ナトリウムで乾燥
後、溶媒を留去し油状の(±)−スレオ−3−ヒドロキ
シ−2−フェニルチオメチル酪酸を得た。
で酸性としエーテル抽出する。硫酸ナトリウムで乾燥
後、溶媒を留去し油状の(±)−スレオ−3−ヒドロキ
シ−2−フェニルチオメチル酪酸を得た。
【0070】
【表11】
【0071】参考例9 (±)−エリスロ−3−第三級
ブチルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル
酪酸
ブチルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル
酪酸
【0072】参考例8で得た(±)−エリスロ体化合物
を用い参考例6と同様に反応および後処理を行い、無色
結晶として表記化合物を得た。融点91〜92℃。
を用い参考例6と同様に反応および後処理を行い、無色
結晶として表記化合物を得た。融点91〜92℃。
【0073】
【表12】
【0074】参考例10 (±)−スレオ−3−第三級
ブチルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル
酪酸
ブチルジメチルシリルオキシ−2−フェニルチオメチル
酪酸
【0075】参考例9で得た(±)−スレオ体化合物を
用い参考例6と同様に反応および後処理を行い、無色結
晶として表記化合物を得た。融点93〜94℃。
用い参考例6と同様に反応および後処理を行い、無色結
晶として表記化合物を得た。融点93〜94℃。
【0076】
【表13】
【0077】参考例11 (±)−エリスロおよび
(±)−スレオ−3−ヒドロキシ−2−フェニルチオメ
チル酪酸メチル
(±)−スレオ−3−ヒドロキシ−2−フェニルチオメ
チル酪酸メチル
【0078】アセト酢酸メチルを原料として用い参考例
7と同様の反応を行い、表記エリスロ体(4:1)の混
合物を得た。
7と同様の反応を行い、表記エリスロ体(4:1)の混
合物を得た。
【0079】
【表14】
【0080】
【発明の効果】本発明のβ−ラクタム化合物はペネム、
1−カルバペネムその他のβ−ラクタム系抗生物質の合
成中間体として重要な化合物である。特に、一般式
(I)のR1が天然のチエナマイシンの6位の側鎖
[(R)−ヒドロキシエチル基]と同じ立体配置を有す
る3S−[(R)−ヒドロキシエチル]−アゼチジン−
2−オン誘導体またはそのヒドロキシル基が保護基で保
護された化合物(Ib)は天然物チエナマイシンの誘導
体およびチエナマイシン類縁の(5R,6S,8R)−
6−(ヒドロキシエチル)ペネム−3−カルボン酸誘導
体の合成に極めて重要な化合物である。これらの化合物
への誘導に際して、(Ib)の脱離基(Ro)と求核試
薬(Nu)との置換反応では、中間に(Ic)が生じ、
これに求核試薬(Nu)が反応して(Id)が生成する
事が知られており[Can.J.Chem.,61,1899(1983);有機
合成化学41巻1号63頁(1983)]、従って(I
b)の4位Roの立体配置はR配置、S配置いずれでも
良いことになる。
1−カルバペネムその他のβ−ラクタム系抗生物質の合
成中間体として重要な化合物である。特に、一般式
(I)のR1が天然のチエナマイシンの6位の側鎖
[(R)−ヒドロキシエチル基]と同じ立体配置を有す
る3S−[(R)−ヒドロキシエチル]−アゼチジン−
2−オン誘導体またはそのヒドロキシル基が保護基で保
護された化合物(Ib)は天然物チエナマイシンの誘導
体およびチエナマイシン類縁の(5R,6S,8R)−
6−(ヒドロキシエチル)ペネム−3−カルボン酸誘導
体の合成に極めて重要な化合物である。これらの化合物
への誘導に際して、(Ib)の脱離基(Ro)と求核試
薬(Nu)との置換反応では、中間に(Ic)が生じ、
これに求核試薬(Nu)が反応して(Id)が生成する
事が知られており[Can.J.Chem.,61,1899(1983);有機
合成化学41巻1号63頁(1983)]、従って(I
b)の4位Roの立体配置はR配置、S配置いずれでも
良いことになる。
【0081】
【化8】
【0082】(式中、R11は水素原子またはヒドロキ
シル基の保護基を、Roは脱離基を意味する。)
シル基の保護基を、Roは脱離基を意味する。)
【0083】本発明のβ−ラクタム化合物(I)の4位
置換基−S−R2はより活性の高い脱離基に容易に変換
出来るため、ペネム、1−カルバペネムその他のβ−ラ
クタム系抗生物質の合成中間体として極めて有用な化合
物である。
置換基−S−R2はより活性の高い脱離基に容易に変換
出来るため、ペネム、1−カルバペネムその他のβ−ラ
クタム系抗生物質の合成中間体として極めて有用な化合
物である。
【0084】脱離基とは、求核置換反応において容易に
脱離して求核試薬残基が置換し得るような基であり、代
表的なものとしてはハロゲン原子、アセトキシ基、ベン
ゼンスルホニル基等を挙げることができる。
脱離して求核試薬残基が置換し得るような基であり、代
表的なものとしてはハロゲン原子、アセトキシ基、ベン
ゼンスルホニル基等を挙げることができる。
【0085】また、本発明の化合物の1位を変化させる
こともできる。すなわち、R3が保護基である場合には
所望によりこれを脱離させることができる。脱離法とし
ては水素添加による還元的分解、ナトリウムアマルガ
ム、アルミニウムアマルガム、アンモニア中金属ナトリ
ウム、(NH4)2Ce(NO3)6、K2S2O8、
TiCl3その他の還元剤を用いた分解、更に酸もしく
は塩基を用いた加水分解、オゾンを用いた酸化的分解に
よる方法が挙げられる。
こともできる。すなわち、R3が保護基である場合には
所望によりこれを脱離させることができる。脱離法とし
ては水素添加による還元的分解、ナトリウムアマルガ
ム、アルミニウムアマルガム、アンモニア中金属ナトリ
ウム、(NH4)2Ce(NO3)6、K2S2O8、
TiCl3その他の還元剤を用いた分解、更に酸もしく
は塩基を用いた加水分解、オゾンを用いた酸化的分解に
よる方法が挙げられる。
【0086】更に詳しく説明すれば、1)R3が−O−
R4であり、R4がベンジル基、p−ニトロベンジル
基、ベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、ベンズヒドリル基等の化合物の場
合、パラジウム担持炭素、酸化白金、その他の公知の金
属触媒を用いて接触還元することにより脱保護して一般
式
R4であり、R4がベンジル基、p−ニトロベンジル
基、ベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベンジル
オキシカルボニル基、ベンズヒドリル基等の化合物の場
合、パラジウム担持炭素、酸化白金、その他の公知の金
属触媒を用いて接触還元することにより脱保護して一般
式
【0087】
【化9】
【0088】(式中、R1、R2は前記に同じ。)
【0089】のN−ヒドロキシ−2−アゼチジノン誘導
体とする事ができる。反応溶媒としてはメタノール、エ
タノール、ジオキサン、テトラヒドロフラン(TH
F)、好適にはメタノール中、1〜4気圧の水素圧下、
0〜50℃、好適には10〜30℃で30分〜10時
間、通常は1〜5時間の条件で反応し、目的物を得る事
ができる。生成物は通常の抽出、再結晶で単離する事が
できる。
体とする事ができる。反応溶媒としてはメタノール、エ
タノール、ジオキサン、テトラヒドロフラン(TH
F)、好適にはメタノール中、1〜4気圧の水素圧下、
0〜50℃、好適には10〜30℃で30分〜10時
間、通常は1〜5時間の条件で反応し、目的物を得る事
ができる。生成物は通常の抽出、再結晶で単離する事が
できる。
【0090】更に上記N−ヒドロキシ−2−アゼチジノ
ン誘導体を三塩化チタン等の還元剤で還元して一般式
ン誘導体を三塩化チタン等の還元剤で還元して一般式
【0091】
【化10】
【0092】(式中、R1、R2は前記に同じ。)
【0093】の2−アゼチジノン誘導体へ導く事ができ
る。反応溶媒としてはメタノール、エタノール、ジオキ
サン、THF、水緩衝液(混合溶媒も合む)を用いて1
0〜50℃、好適には含水メタノール中15〜30℃で
水酸化ナトリウム水溶液で中和しながらTiCl3水溶
液を加え20分〜5時間、好適には30分〜2時間反応
させ、酢酸エチル、ベンゼン、クロロホルム等の有機溶
媒で抽出する事により目的物を得る事ができる。
る。反応溶媒としてはメタノール、エタノール、ジオキ
サン、THF、水緩衝液(混合溶媒も合む)を用いて1
0〜50℃、好適には含水メタノール中15〜30℃で
水酸化ナトリウム水溶液で中和しながらTiCl3水溶
液を加え20分〜5時間、好適には30分〜2時間反応
させ、酢酸エチル、ベンゼン、クロロホルム等の有機溶
媒で抽出する事により目的物を得る事ができる。
【0094】なお、上記の如く2−アゼチジノン誘導体
は中間にN−ヒドロキシ−2−アゼチジノン誘導体を単
離する事なく、R3が−O−R4の化合物を液体アンモ
ニア中金属ナトリウムで還元する事によって直接得る事
ができる。原料である2−アゼチジノン誘導体を直接金
属ナトリウムの液体アンモニア溶液に加えても良いが、
原料が難溶の場合少量のTHFに原料を溶解し、少量ず
つ加えると良い結果が得られる。反応は−50〜−30
℃で5分〜1時間行い、反応後塩化アンモニウムを加
え、更にCH2Cl2等の抽出溶媒を加え、アンモニア
をチッ素ガスで追い出した後、通常の抽出操作で目的物
を得る事ができる。
は中間にN−ヒドロキシ−2−アゼチジノン誘導体を単
離する事なく、R3が−O−R4の化合物を液体アンモ
ニア中金属ナトリウムで還元する事によって直接得る事
ができる。原料である2−アゼチジノン誘導体を直接金
属ナトリウムの液体アンモニア溶液に加えても良いが、
原料が難溶の場合少量のTHFに原料を溶解し、少量ず
つ加えると良い結果が得られる。反応は−50〜−30
℃で5分〜1時間行い、反応後塩化アンモニウムを加
え、更にCH2Cl2等の抽出溶媒を加え、アンモニア
をチッ素ガスで追い出した後、通常の抽出操作で目的物
を得る事ができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、保護基を有
することもあるヒドロキシ低級アルキル基または置換基
を有することもあるアミノ基を意味する。R2は低級ア
ルキル基、置換低級アルキル基、アリール基または複素
環基を意味する。R3は水素原子、アリール基、置換ア
リール基、アラルキル基、置換アラルキル基または一般
式−O−R4(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、置換低級アルキル基(低級アルキル基上の置換基は
フェニル基、置換フェニル基、複素環基、置換複素環
基、トリ低級アルキルシリル基もしくはスルホ基であ
る。))で表わされる基、アシル基、低級アルコキシカ
ルボニル基、置換低級アルコキシカルボニル基、アリー
ルオキシカルボニル基またはスルホ基を意味する。)で
示されるβ−ラクタム化合物 - 【請求項2】 3位と4位の配置および置換基が3S−
[(R)−1−ヒドロキシ(もしくは置換ヒドロキシ)
エチル]−4S−置換チオである請求項1に記載された
β−ラクタム化合物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312296A JPH072764A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | β−ラクタム化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312296A JPH072764A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | β−ラクタム化合物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210450A Division JPH085853B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ラクタム化合物およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH072764A true JPH072764A (ja) | 1995-01-06 |
Family
ID=18027547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5312296A Pending JPH072764A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | β−ラクタム化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH072764A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142259A (en) * | 1980-03-11 | 1981-11-06 | Sankyo Co Ltd | Beta-lactam compound and its preparation |
| JPS5745187A (en) * | 1980-07-04 | 1982-03-13 | Erba Carlo Spa | 6-alkyl-2-substituted-penem, manufacture and antibacterial medicinal composition containing it |
| JPS5944355A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-12 | Takeda Chem Ind Ltd | 2−アゼチジノン誘導体およびその製造法 |
| JPS6197260A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | 立体的に均一な2‐アゼチジノン類 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5312296A patent/JPH072764A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142259A (en) * | 1980-03-11 | 1981-11-06 | Sankyo Co Ltd | Beta-lactam compound and its preparation |
| JPS5745187A (en) * | 1980-07-04 | 1982-03-13 | Erba Carlo Spa | 6-alkyl-2-substituted-penem, manufacture and antibacterial medicinal composition containing it |
| JPS5944355A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-12 | Takeda Chem Ind Ltd | 2−アゼチジノン誘導体およびその製造法 |
| JPS6197260A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | 立体的に均一な2‐アゼチジノン類 |
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