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JPH05326701A - 半導体ペレットおよびそれを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体ペレットおよびそれを用いた半導体装置

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Publication number
JPH05326701A
JPH05326701A JP12898592A JP12898592A JPH05326701A JP H05326701 A JPH05326701 A JP H05326701A JP 12898592 A JP12898592 A JP 12898592A JP 12898592 A JP12898592 A JP 12898592A JP H05326701 A JPH05326701 A JP H05326701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
semiconductor
semiconductor device
cutting surface
dicing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12898592A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Inoue
肇 井上
Yuji Ikeda
雄次 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP12898592A priority Critical patent/JPH05326701A/ja
Publication of JPH05326701A publication Critical patent/JPH05326701A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の組立工程において、ペレット立
ちによる組立不良を低減することができる半導体ペレッ
トおよびそれを用いた半導体装置を提供する。 【構成】 ガラスダイオードに用いられる半導体ペレッ
トであって、半導体ペレット1のペレット切断面2が、
このペレット切断面2を基準に立たせることが困難であ
るように、ペレット電極面3に対して斜めになるように
施されている。たとえば、ウェハステージ上に固定され
たウェハ平面、つまりペレット電極面3とダイシングブ
レードとの位置関係が斜めになるようにダイシングする
ことによって形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用の半導体
ペレットに関し、特に半導体装置の組立工程において、
ペレット立ちによる組立不良の低減が可能とされる半導
体ペレットおよびそれを用いた半導体装置に適用して有
効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイシング後の半導体ペレットを
必要とする半導体装置として、たとえばガラスダイオー
ドにおいては、ダイシング後のペレット切断面がペレッ
ト電極面に対して垂直な半導体ペレットが用いられて組
み立てられている。
【0003】なお、この種の組立技術としては、たとえ
ば社団法人電子通信学会、昭和59年11月30日発
行、「LSIハンドブック」P406〜P416に記載
される技術が挙げられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、半導体装置の組立時に半導体ペ
レットが立たないようにするという点について配慮がさ
れておらず、組立後の半導体装置の中にはペレット切断
面を下に半導体ペレットが立ってしまい、組立不良が発
生し易いという問題がある。
【0005】そこで、本発明者は、半導体装置の組立に
おいて、ダイシング後のペレット切断面をペレット電極
面に対して垂直な面にしなければ半導体ペレットは倒れ
易くなることに着目し、ペレット切断面をペレット電極
面に対して垂直な面にしないことによってペレット立ち
不良を低減できることを見い出した。
【0006】すなわち、本発明の目的は、半導体装置の
組立工程において、ペレット立ちによる組立不良を低減
することができる半導体ペレットおよびそれを用いた半
導体装置を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0009】すなわち、本発明の半導体ペレットは、半
導体装置のダイシング工程に際し、ダイシング後のペレ
ット切断面をペレット電極面に対して垂直な面とせず、
ペレット切断面を基準に半導体ペレットを立たせること
が困難であるようなペレット切断面を施すものである。
【0010】また、本発明の半導体装置は、前記半導体
ペレットを用い、半導体装置を組み立てる際に、ペレッ
ト電極面を挟み込むように外部接続用のリードを接続す
るものである。
【0011】
【作用】前記した半導体ペレットおよびそれを用いた半
導体装置によれば、半導体ペレットを立たせることが困
難であるようなペレット切断面が施されることにより、
半導体ペレットを組み立てる場合に、半導体ペレットが
自ら倒れることによってペレット立ちによる半導体装置
の組立不良を低減することができる。
【0012】
【実施例1】図1は本発明の一実施例である半導体ペレ
ットを示す側面図、図2は本実施例の半導体ペレットの
製造方法を示す説明図、図3は本実施例の半導体ペレッ
トを用いた半導体装置を示す断面図である。
【0013】まず、図1により本実施例の半導体ペレッ
トの構成を説明する。
【0014】本実施例の半導体ペレットは、たとえばガ
ラスダイオードに用いられる半導体ペレットとされ、半
導体ペレット1のペレット切断面2が、このペレット切
断面2を基準に立たせることが困難であるように、ペレ
ット電極面3に対して斜めになるように施されている。
【0015】このペレット切断面2は、ダイシング工程
において、たとえば図2に示すようにマスキングシート
4に貼られたウェハ5をウェハステージ6上に固定し、
ウェハ平面、つまりペレット電極面3とダイシングブレ
ード7との位置関係が斜めになるようにダイシングする
ことにより形成される。
【0016】次に、本実施例の作用について説明する。
【0017】以上のように形成された半導体ペレット1
は、組立工程を経て、図3に示すように上リード線8、
下リード線9による2本のリード線、ガラススリーブ1
0および半導体ペレット1とから構成されるガラスダイ
オードとなる。
【0018】この場合の組立工程では、まず下リード線
9を長手方向が重力の方向になるようにし、ガラススリ
ーブ10を下リード線9にはめ込むようにして載せる。
【0019】さらに、ペレット切断面2を基準に自重で
倒れ易い形状の半導体ペレット1をガラススリーブ10
内にチャージし、上から上リード線8をガラススリーブ
10にはめ込み、半導体ペレット1を押え込むことによ
ってより倒れ易くし、半導体ペレット1を挟み込むよう
にして組み立てることができる。
【0020】従って、本実施例の半導体ペレット1によ
れば、ペレット切断面2がペレット電極面3に対して斜
めになるように形成されることにより、組立工程におい
て、ガラススリーブ10内にチャージされた半導体ペレ
ット1は自重で倒れ易くなり、さらに半導体ペレット1
を押え込むように上リード線8をはめ込むことによって
一層倒れ易くなるので、ペレット立ちによる半導体装置
の組立不良を低減することができる。
【0021】
【実施例2】図4は本発明の他の実施例である半導体ペ
レットを示す側面図、図5は本実施例の半導体ペレット
の製造方法を示す説明図である。
【0022】本実施例の半導体ペレット1aは、図4に
示すようにペレット切断面2aが、このペレット切断面
2aを基準に立たせることが困難であるように、ペレッ
ト電極面3aに対して斜めに形成され、実施例1との相
違点は、側面から見た場合にペレット電極面3aの方が
狭い台形状に形成される点である。
【0023】すなわち、本実施例の半導体ペレット1a
は、図5に示すようにダイシングブレード7aの先端の
ウェハ5aを切断する刃の部分にテーパを付け、ペレッ
ト電極面3aとダイシングブレード7aの回転軸とが並
行になるようにダイシングすることにより、半導体ペレ
ット1aのペレット切断面2aを斜めに、かつ側面形状
を台形状にすることができる。
【0024】従って、本実施例の半導体ペレット1aに
よれば、半導体ペレット1aのペレット切断面2aが斜
めで、かつ側面形状が台形状になっているために半導体
ペレット1aが倒れ易くなるので、実施例1と同様にペ
レット立ちによる半導体装置の組立不良を低減できる。
【0025】
【実施例3】図6は本発明のさらに他の実施例である半
導体ペレットを示す側面図、図7は本実施例の半導体ペ
レットの製造方法を示す説明図である。
【0026】本実施例の半導体ペレット1bは、図6に
示すようにペレット切断面2bが、このペレット切断面
2bを基準に立たせることが困難であるように曲面状に
形成され、実施例1および2との相違点は、ペレット切
断面2bが丸みを付けて形成される点である。
【0027】すなわち、本実施例の半導体ペレット1b
は、図7に示すようにダイシングブレード7bの先端の
ウェハ5bを切断する刃の部分に丸みを付け、ペレット
電極面3bとダイシングブレード7bの回転軸とが並行
になるようにダイシングすることにより、半導体ペレッ
ト1bのペレット切断面2bを曲面状にすることができ
る。
【0028】従って、本実施例の半導体ペレット1bに
よれば、半導体ペレット1bのペレット切断面2bが曲
面状になっているために半導体ペレット1bが倒れ易く
なるので、実施例1および2と同様にペレット立ちによ
る半導体装置の組立不良の低減が可能となる。
【0029】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例1〜3に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0030】たとえば、本実施例の半導体ペレット1,
1a,1bの切断面形状については、図1、図4および
図6のような斜めまたは曲面状に形成される場合につい
て説明したが、本発明は前記実施例に限定されるもので
はなく、たとえば図8に示すように、Rを付けたりまた
は面取り形状のペレット切断面2cの半導体ペレット1
cとする場合など、ペレット切断面は半導体ペレットが
倒れ易い形状をしていれば同様に適用可能である。
【0031】また、半導体ペレット1,1a,1bのペ
レット切断面2,2a,2bを半導体ペレット1,1
a,1bが倒れ易い形状に施す工程は、ダイシング工程
のみならず、半導体装置の組立前であればペレット切断
面の加工工程の追加、あるいは任意工程の活用は可能で
ある。
【0032】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野であるガラスダイオード
に用いられる半導体ペレット1,1a,1b,1cに適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、ペレット電極面の設置状態が規制される他の
半導体装置などについても広く適用可能である。
【0033】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0034】すなわち、半導体装置のダイシング工程に
際し、ダイシング工程後のペレット切断面をペレット電
極面に対して垂直な面とせず、ペレット切断面を基準に
半導体ペレットを立たせることが困難であるようなペレ
ット切断面を施すことにより、半導体ペレットを組み立
てる場合に、半導体ペレットが自ら倒れることによって
立たさない状態で組み立てることができるので、ペレッ
ト立ちによる半導体装置の組立不良を低減することがで
きる。
【0035】この結果、ペレット立ちによる半導体装置
の組立不良が低減できるので、製品歩留、スループット
の向上が可能とされる半導体ペレットおよびそれを用い
た半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1である半導体ペレットを示す
側面図である。
【図2】実施例1の半導体ペレットの製造方法を示す説
明図である。
【図3】実施例1の半導体ペレットを用いた半導体装置
を示す断面図である。
【図4】本発明の実施例2である半導体ペレットを示す
側面図である。
【図5】実施例2の半導体ペレットの製造方法を示す説
明図である。
【図6】本発明の実施例3である半導体ペレットを示す
側面図である。
【図7】実施例3の半導体ペレットの製造方法を示す説
明図である。
【図8】本発明の半導体ペレットの変形例を示す側面図
である。
【符号の説明】 1,1a,1b,1c 半導体ペレット 2,2a,2b,2c ペレット切断面 3,3a,3b ペレット電極面 4 マスキングシート 5,5a,5b ウェハ 6 ウェハステージ 7,7a,7b ダイシングブレード 8 上リード線 9 下リード線 10 ガラススリーブ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置のダイシング工程に際し、ダ
    イシング工程後のペレット切断面をペレット電極面に対
    して垂直な面とせず、該ペレット切断面を基準に半導体
    ペレットを立たせることが困難であるようなペレット切
    断面を施すことを特徴とする半導体ペレット。
  2. 【請求項2】 前記請求項1記載の半導体ペレットを用
    い、前記半導体装置を組み立てる際に、前記ペレット電
    極面を挟み込むように外部接続用のリードを接続するこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP12898592A 1992-05-21 1992-05-21 半導体ペレットおよびそれを用いた半導体装置 Pending JPH05326701A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001075789A1 (en) * 2000-04-04 2001-10-11 Toray Engineering Company, Limited Method of manufacturing cof package
US7615391B2 (en) * 2001-03-19 2009-11-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same

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