JP7581819B2

JP7581819B2 - 電流検出装置

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Publication number: JP7581819B2
Application number: JP2020204444A
Authority: JP
Inventors: 俊太郎吉田; 健了鈴木; 章人佐々木
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2020-12-09
Filing date: 2020-12-09
Publication date: 2024-11-13
Anticipated expiration: 2040-12-09
Also published as: JP2022091550A

Description

本発明は、バスバーに当該バスバーよりも抵抗温度係数が小さい抵抗体が配置されたシャント抵抗体を有する電流検出装置に関するものである。

従来より、バスバーに当該バスバーよりも抵抗温度係数が小さい抵抗体が配置されたシャント抵抗体を有する電流検出装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この電流検出装置では、平板状の第１部材および第２部材を有するバスバーを有し、抵抗体を挟むように第１部材および第２部材が配置されてシャント抵抗体が構成されている。また、第１部材には、第１端子部が配置され、第２部材には、第２端子部が配置されている。つまり、第１端子部および第２端子部は、抵抗体を挟むように配置されている。なお、第１部材および第２部材は、抵抗体よりも抵抗温度係数が大きい銅板等で構成される。

このような電流検出装置では、第１端子部と第２端子部との間の電圧を測定することにより、シャント抵抗体に流れる電流が検出される。

独国特許出願公開第１０２０１７００３１１１号明細書

しかしながら、上記電流検出装置では、第１部材に第１端子部が配置されていると共に第２部材に第２端子部が配置されているため、第１端子部と第２端子部との間に第１部材および第２部材（すなわち、バスバー）の一部が配置されることになる。この場合、第１部材および第２部材が抵抗体より抵抗温度係数の高い材料で構成されるため、第１端子部と第２端子部との間の電圧は、温度に依存して変化し易くなる。したがって、上記電流検出装置において第１端子部と第２端子部との間に電圧に基づいて電流を検出する場合、検出精度が低下する可能性がある。

本発明は上記点に鑑み、検出精度が低下することを抑制できる電流検出装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための請求項１、４、６では、バスバー（２０）に抵抗体（３０）が配置されたシャント抵抗体（１０）を備える電流検出装置であって、一面（２０１ａ、２０２ａ）を有する平板状とされた第１部材（２０１）および第２部材（２０２）を有するバスバーと、一面（３０ａ）を有する平板状とされ、バスバーよりも抵抗温度係数が小さい材料で構成された抵抗体と、を有し、電流の流れ方向が第１部材、第２部材、および抵抗体の一面に沿った方向となるように、抵抗体が第１部材と第２部材との間に配置されたシャント抵抗体と、第１部材の一面に配置された第１端子部（４１）、および第２部材の一面に配置された第２端子部（４２）と、シャント抵抗体上に配置され、第１温度検出部（７１）および第２温度検出部（７２）が配置された配線基板（５０）と、所定の処理を行う制御部（８０）と、を備えている。そして、第１温度検出部および第２温度検出部は、配線基板のうちの温度差が発生する部分にそれぞれ配置され、制御部は、第１温度検出部で測定された第１温度（Ｔ１）と第２温度検出部で測定された第２温度（Ｔ２）との差に基づいてシャント抵抗体の温度（Ｔｓ）を推定し、推定したシャント抵抗体の温度を用いてシャント抵抗体に流れる電流を検出し、第１温度検出部は、配線基板のうちの第２温度検出部が配置される部分より高温となる部分に配置され、制御部は、第１温度に対し、第１温度と第２温度との差に所定の補正係数を乗算した値を加算してシャント抵抗体の温度を推定する。
そして、請求項１は、配線基板は、シャント抵抗体の熱を伝える伝熱部（５１）が形成され、第１温度検出部は、シャント抵抗体と配線基板との積層方向において、伝熱部と重なる状態で配置され、第２温度検出部は、積層方向において、伝熱部と離れた部分に配置されている。
請求項４は、第１温度検出部は、配線基板のうちの第２温度検出部が配置される部分より高温となる部分に配置され、制御部は、第１温度に対し、第１温度と第２温度との差に所定の補正係数を乗算した値を加算してシャント抵抗体の温度を推定し、第１温度検出部は、配線基板のうちのシャント抵抗体と対向する部分に配置され、第２温度検出部は、配線基板のうちのシャント抵抗体と対向する部分と異なる部分に配置されている。
請求項６は、第１温度検出部および第２温度検出部は、シャント抵抗体に電流が流れた際、シャント抵抗体の温度と第１温度との差が、第１温度と第２温度との差より小さくなる状態で配置されている。

これによれば、制御部は、第１サーミスタの第１温度と第２サーミスタの第２温度との温度差に基づいてシャント抵抗体の温度を推定し、推定したシャント抵抗体の温度を用いてシャント抵抗体に流れる電流を検出する。このため、検出精度の向上を図ることができる。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態における電流検出装置の平面模式図である。図１中のII－II線に沿った断面図である。温度と抵抗値変化率との関係を示す図である。実際の時間と温度との関係を示す図である。温度補正を行った際の時間と温度との関係を示す図である。第１実施形態の変形例における電流検出装置の平面模式図である。第２実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第３実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第４実施形態における電流検出装置の平面模式図である。図９中のX－X線に沿った断面図である。温度と抵抗値との関係を示す図である。抵抗値比率と温度との関係を示す図である。制御部の作動を示すフローチャートである。第５実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第６実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第７実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第８実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第８実施形態の変形例における電流検出装置の平面模式図である。第８実施形態の変形例における電流検出装置の平面模式図である。第８実施形態の変形例における電流検出装置の平面模式図である。第９実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第１０実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第１１実施形態における電流検出装置の断面図である。第１２実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第１２実施形態の変形例における電流検出装置の平面模式図である。第１３実施形態における電流検出装置の平面模式図である。第１４実施形態における電流検出装置の平面模式図である。図２７中のXXVIII－XXVIII線に沿った断面図である。第１５実施形態における電流検出装置の平面模式図である。図２９中のXXX－XXX線に沿った断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の電流検出装置は、電気自動車等を駆動するモータ電流等を検出するのに利用されると好適である。

本実施形態の電流検出装置は、図１および図２に示されるように、シャント抵抗体１０、第１端子部４１、第２端子部４２、配線基板５０、および制御部８０等を有する構成とされている。

シャント抵抗体１０は、バスバー２０および抵抗体３０を有している。バスバー２０は、一面２０１ａおよび一面２０１ａと反対側の他面２０１ｂを有する平板状とされた第１部材２０１と、一面２０２ａおよび一面２０２ａと反対側の他面２０２ｂを有する平板状とされた第２部材２０２とを有している。そして、第１部材２０１および第２部材２０２には、被取付部材に取り付けられるための取付穴２０１ｃ、２０２ｃが形成されている。

なお、第１部材２０１および第２部材２０２は、例えば、銅等で構成されており、厚さが等しくされている。また、取付穴２０１ｃは、第１部材２０１のうちの第１端子部４１が取り付けられる部分を挟んで抵抗体３０と反対側に形成されている。取付穴２０２ｃは、第２部材２０２のうちの第２端子部４２が取り付けられる部分を挟んで抵抗体３０と反対側に形成されている。

抵抗体３０は、一面３０ａおよび一面３０ａと反対側の他面３０ｂを有する平板状とされ、バスバー２０よりも抵抗温度係数が小さいマンガニン（登録商標）等で構成されている。なお、本実施形態の抵抗体３０は、厚さが第１部材２０１および第２部材２０２の厚さよりも薄くされている。

そして、抵抗体３０は、第１部材２０１と第２部材２０２との間に配置され、溶接等によって第１部材２０１および第２部材２０２と一体化されている。本実施形態では、抵抗体３０、第１部材２０１、および第２部材２０２は、それぞれの他面３０ｂ、２０１ｂ、２０２ｂが同一平面上に位置するように一体化されている。これにより、第１部材２０１、抵抗体３０、および第２部材２０２の一面２０１ａ、３０ａ、２０２ａに沿った方向に電流が流れるシャント抵抗体１０が構成されている。

なお、本実施形態では、それぞれの他面３０ｂ、２０１ｂ、２０２ｂが同一平面上に位置するように、第１部材２０１、抵抗体３０、および第２部材２０２が一体化されている。このため、抵抗体３０の一面３０ａは、第１部材２０１の一面２０１ａおよび第２部材２０２の一面２０２ａよりも凹んだ状態となっている。また、本実施形態では、抵抗体３０は、第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２の配列方向において、抵抗体３０の中心が第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２の中心と一致するように配置されている。そして、第１部材２０１および第２部材２０２は、配列方向に沿った長さが等しくされている。

第１端子部４１は、本実施形態では、銅等で構成された第１棒状部材４１ａで構成されている。第２端子部４２は、本実施形態では、銅等で構成された第２棒状部材４２ａで構成されている。そして、第１端子部４１および第２端子部４２は、抵抗体３０を挟むように、第１部材２０１の一面２０１ａおよび第２部材２０２の一面２０２ａにそれぞれ備えられている。なお、第１端子部４１および第２端子部４２は、溶接、リベット、はんだづけ等によって第１部材２０１および第２部材２０２に備えられている。

配線基板５０は、一面５０ａおよび他面５０ｂを有するプリント基板等で構成されており、特に図示しないが、配線パターンや増幅回路等の信号処理回路が適宜形成されている。また、本実施形態の配線基板５０は、略中央部に、一面５０ａ側と他面５０ｂ側との温度差を低減するための伝熱部５１が形成されている。言い換えると、配線基板５０には、略中央部に、他面５０ｂ側の熱を一面５０ａ側へ伝熱するための伝熱部５１が形成されている。

伝熱部５１は、本実施形態では、配線基板５０の厚さ方向に積層された複数の銅板５１ａと、各銅板５１ａと熱的に接続されると共に配線基板５０の厚さ方向に沿って形成されたサーマルビア５１ｂとを有する構成とされている。なお、図２では、銅板５１ａを省略して示してある。

また、配線基板５０は、第１端子部４１および第２端子部４２と対応する位置に貫通ビア５２が形成され、第１端子部４１および第２端子部４２が貫通ビア５２を貫通すると共に、伝熱部５１がシャント抵抗体１０上に位置するように配置されている。そして、配線基板５０と第１端子部４１および第２端子部４２とは、貫通ビア５２に配置されたはんだ等の導電部材６０によって電気的、機械的に接続されている。なお、本実施形態の配線基板５０は、他面５０ｂがシャント抵抗体１０と対向するように配置されている。また、貫通ビア５２は、貫通孔に、配線基板５０の配線パターン等と電気的に接続されるスルーホール電極等が形成されて構成されている。

配線基板５０の一面５０ａ上には、第１温度検出部としての第１サーミスタ７１および第２温度検出部としての第２サーミスタ７２が配置されている。具体的には、第１サーミスタ７１および第２サーミスタ７２は、配線基板５０の一面５０ａのうちの温度差が発生する部分に配置されている。本実施形態では、第１サーミスタ７１が配線基板５０の一面５０ａのうちの高温となる部分に配置され、第２サーミスタ７２が配線基板５０の一面５０ａのちの第１サーミスタ７１が配置される部分より低温となる部分に配置されている。

詳しくは、本実施形態の配線基板５０は、上記のように伝熱部５１が形成されているため、一面５０ａのうちの伝熱部５１と対向する部分が伝熱部５１と対向しない部分よりも高温となり易い。このため、本実施形態では、シャント抵抗体１０と配線基板５０との積層方向（以下では、単に積層方向ともいう）において、第１サーミスタ７１が伝熱部５１と重なる状態で配置され、第２サーミスタ７２が伝熱部５１と離れた部分に配置されている。つまり、第２サーミスタ７２は、積層方向において、伝熱部５１と重ならないように配置されている。なお、積層方向においてとは、言い換えると、配線基板５０の一面５０ａに対する法線方向から視たときということもできる。

制御部８０は、配線基板５０と接続されており、図示しないＣＰＵや、ＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＨＤＤ等の非遷移的実体的記憶媒体で構成される記憶部等を備えたマイクロコンピュータ等で構成される。ＣＰＵは、Central Processing Unitの略であり、ＲＯＭは、Read Only Memoryの略であり、ＲＡＭは、Random Access Memoryの略であり、ＨＤＤはHard Disk Driveの略である。なお、制御部８０は、配線基板５０に搭載されていてもよい。

そして、制御部８０は、ＣＰＵがＲＯＭ等の記憶部からプログラム（すなわち、後述の各ルーチン）を読み出して実行することで各種の制御作動を実現する。具体的には、制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間の電圧に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。なお、ＲＯＭ等の記憶部には、プログラムの実行の際に用いられる各種のデータ（例えば、初期値、ルックアップテーブル、マップ等）が予め格納されており、本実施形態では、後述の補正係数、および後述の図３に関する抵抗値変化率データが記憶されている。

以下、制御部８０の具体的な作動について説明する。まず、上記のような電流検出装置では、第１部材２０１に第１端子部４１が配置され、第２部材２０２に第２端子部４２が配置されている。このため、第１端子部４１と第２端子部４２との間には、抵抗体３０より抵抗温度係数の高いバスバー２０（すなわち、第１部材２０１および第２部材２０２）の一部が配置された状態となる。したがって、上記のような電流検出装置では、図３に示されるように、第１端子部４１と第２端子部４２との間の抵抗値が温度によって変化する。この場合、第１端子部４１と第２端子部４２との間の抵抗値の変化率は、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔が長くなるほど第１端子部４１と第２端子部４２との間に含まれるバスバー２０が多くなるため、大きくなる。

したがって、上記のような電流検出装置では、シャント抵抗体１０の温度に基づいて第１端子部４１と第２端子部４２との間の抵抗値変化率を導出し、抵抗値変化率を用いて第１端子部４１と第２端子部４２との間の実際の抵抗値を算出することにより、電流の検出精度を向上できる。このため、例えば、配線基板５０上にサーミスタ等の温度検出部を１つ配置し、サーミスタで検出された温度をシャント抵抗体１０の温度とすることが考えらえる。しかしながら、配線基板５０上にサーミスタを配置し、サーミスタで検出された温度をシャント抵抗体１０の温度とした場合、サーミスタとシャント抵抗体との間には空気等の熱抵抗体が存在しているため、サーミスタと抵抗体との間に温度差が発生する可能性がある。

このため、本実施形態では、上記のように、配線基板５０に第１サーミスタ７１および第２サーミスタ７２を配置すると共に、第１サーミスタ７１が配置される部分と第２サーミスタ７２が配置される部分との間に温度差が発生するようにしている。この場合、図４に示されるように、シャント抵抗体１０の温度と、第１サーミスタ７１の第１測定結果としての第１温度、および第２サーミスタ７２の第２測定結果としての第２温度との間には温度差が発生する。

そして、第１サーミスタ７１の第１測定結果の温度を第１温度Ｔ１とし、第２サーミスタ７２の第２測定結果の温度を第２温度Ｔ２とし、シャント抵抗体１０の温度を温度Ｔｓとする。この場合、抵抗体３０と第１サーミスタ７１との間の熱抵抗をＲ１［Ｋ／Ｗ］とし、第１サーミスタ７１と第２サーミスタ７２との間の熱抵抗をＲ２［Ｋ／Ｗ］とし、シャント抵抗体１０から大気へ放出される熱量をＱ［Ｗ］とすると、下記数式１および数式２が成立する。

（数１）Ｔｓ－Ｔ１＝ＱＲ１
（数２）Ｔ１－Ｔ２＝ＱＲ２
そして、下記数式１および数式２より、下記数式３が導かれる。

（数３）Ｔｓ＝（Ｒ１／Ｒ２）×（Ｔ１－Ｔ２）＋Ｔ１
したがって、実験等により、補正係数としてのＲ１／Ｒ２を予め算出しておくことにより、第１サーミスタ７１の第１温度Ｔ１および第２サーミスタ７２の第２温度Ｔ２を用いてシャント抵抗体１０の温度Ｔｓを高精度に推定できる。例えば、図４に示される例では、図５に示されるように、補正係数としてのＲ１／Ｒ２を０．５とすることにより、シャント抵抗体１０の温度を高精度に推定できる。したがって、本実施形態では、記憶部には、予め算出された補正係数（例えば、０．５）が記憶されている。そして、制御部８０は、補正係数に基づいてシャント抵抗体１０の温度を推定する。

なお、上記数式３を用いてシャント抵抗体１０の温度を推定する場合、上記数式３より、第１温度Ｔ１が温度Ｔｓに近いほど誤差を小さくできる。このため、第１サーミスタ７１および第２サーミスタ７２は、温度Ｔｓと第１温度Ｔ１との温度差が、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との温度差より小さくなるように配置されることが好ましい。

そして、制御部８０は、シャント抵抗体１０の温度を推定した後、第１端子部４１と第２端子部４２との間の温度に応じた実際の抵抗値を推定する。具体的には、制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔が既知であるため、推定したシャント抵抗体１０の温度から図３に関する抵抗値変化率データを参照し、第１端子部４１と第２端子部４２との間の温度に応じた実際の抵抗値を推定する。その後、制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間の電圧と、推定した抵抗値に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出する。

以上説明した本実施形態によれば、第１サーミスタ７１および第２サーミスタ７２は、温度差が発生する部分に配置されている。そして、制御部８０は、第１サーミスタ７１の第１温度Ｔ１と第２サーミスタ７２の第２温度Ｔ２との温度差に基づいてシャント抵抗体１０の温度を推定し、推定したシャント抵抗体１０の温度を用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出している。このため、検出精度の向上を図ることができる。

（１）本実施形態では、制御部８０は、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との差に所定の補正係数を乗算した値を第１温度Ｔ１に加算してシャント抵抗体１０の温度を推定する。このため、シャント抵抗体１０の温度の推定精度を向上できる。

（２）本実施形態では、配線基板５０に伝熱部５１が備えられている。そして、積層方向において、第１サーミスタ７１が伝熱部５１と重なるように配置され、第２サーミスタ７２が伝熱部５１と重ならないように配置されている。このため、第１サーミスタ７１と第２サーミスタ７２とを容易に温度差が配置する部分に配置できる。

（３）本実施形態では、シャント抵抗体１０の温度Ｔｓと第１温度Ｔ１との差が第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との差より小さくなるように、第１サーミスタ７１および第２サーミスタ７２が配置されている。このため、シャント抵抗体１０の温度の推定精度を向上できる。

（第１実施形態の変形例）
上記第１実施形態の変形例について説明する。上記第１実施形態において、第２サーミスタ７２は、図６に示されるように、第１部材２０１と対向するように配置されていてもよい。また、特に図示しないが、第２サーミスタ７２は、第２部材２０２と対向するように配置されていてもよい。このような電流検出装置としても、法線方向において、第１サーミスタ７１が伝熱部５１と重なるように配置されているため、第１サーミスタ７１の方が第２サーミスタ７２よりも高温となる部分に配置される。したがって、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第２サーミスタ７２を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置では、図７に示されるように、配線基板５０は、シャント抵抗体１０と配線基板５０との積層方向において、シャント抵抗体１０より突出する部分を有する構成とされている。つまり、配線基板５０は、シャント抵抗体１０と対向しない部分を有する構成とされている。なお、シャント抵抗体１０と配線基板５０との積層方向においてとは、配線基板５０の一面５０ａに対する法線方向から視たときということもできる。

そして、第２サーミスタ７２は、積層方向において、配線基板５０のうちのシャント抵抗体１０から突出する部分に配置されている。つまり、第２サーミスタ７２は、シャント抵抗体１０と対向する部分と異なる部分に配置されている。

以上説明した本実施形態によれば、制御部８０は、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２とを用いてシャント抵抗体１０の温度を推定し、推定した温度を用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。このため、本実施形態の電流検出装置は、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、第２サーミスタ７２は、配線基板５０のうちのシャント抵抗体１０から突出する部分に配置されている。言い換えると、第２サーミスタ７２は、熱源となるシャント抵抗体１０から離れて配置されている。このため、第２サーミスタ７２を配線基板５０のうちのシャント抵抗体１０と対向する部分に配置する場合と比較して、第２サーミスタ７２が配置される部分の温度を低くし易くなる。したがって、第１サーミスタ７１が配置される部分と第２サーミスタ７２が配置される部分に容易に温度差を発生させることができる。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、第１サーミスタ７１を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置では、図８に示されるように、配線基板５０に伝熱部５１が形成されていない。そして、第１サーミスタ７１は、第１部材２０１と対向するように形成されている。また、第２サーミスタ７２は、積層方向において、配線基板５０のうちのシャント抵抗体１０から突出する部分に配置されている。

（１）本実施形態のように、第１サーミスタ７１と第２サーミスタ７２の配置場所を変更するのみにより、第１サーミスタ７１が配置される部分と第２サーミスタ７２が配置される部分との間に温度差が発生するようにしてもよい。これによれば、配線基板５０に伝熱部５１を備えなくてもよいため、配線基板５０の構成を簡略化できる。

なお、特に図示しないが、第１サーミスタ７１は、抵抗体３０と対向するように配置されていてもよいし、第２部材２０２と対向するように配置されていてもよい。

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、制御部８０の作動を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図９および図１０に示されるように、シャント抵抗体１０と制御部８０とを有する構成とされている。本実施形態のシャント抵抗体１０は、バスバー２０、抵抗体３０、第１～第４端子部４１～４４を有する構成とされている。なお、本実施形態では、上記第１実施形態における配線基板５０は配置されていない。

第１端子部４１および第２端子部４２は、上記第１実施形態と同様に、第１部材２０１および第２部材２０２に配置されている。第３端子部４３および第４端子部４４は、第１端子部４１および第２端子部４２と同様に、銅等の第３棒状部材４３ａおよび第４棒状部材４４ａで構成されている。

そして、第３端子部４３は、第１部材２０１の一面２０１ａのうちの第１端子部４１を挟んで抵抗体３０と反対側に配置されている。第４端子部４４は、第２部材２０２の一面２０２ａのうちの第２端子部４２を挟んでシャント抵抗体１０と反対側に配置されている。より詳しくは、本実施形態の第１～第４端子部４１～４４は、第３端子部４３、第１端子部４１、第２端子部４２、第４端子部４４の順に直線状に配置されている。このため、第１～第４端子部４１～４４は、抵抗体３０を含んで異なる２つの間隔が構成されるように配置された状態となっている。本実施形態では、第１～第４端子部４１～４４は、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔と、第３端子部４３と第４端子部４４との間隔が異なるように配置されている。そして、本実施形態ではこのように第１～第４端子部４１～４４が配置されることにより、第１端子部４１と第３端子部４３との間の抵抗値と、第２端子部４２と第４端子部４４との間の抵抗値とが異なっている。

なお、本実施形態では、第１端子部４１と第３端子部４３との間の抵抗値、および第２端子部４２と第４端子部４４との間の抵抗値が実効抵抗値に相当している。また、第３端子部４３および第４端子部４４は、第１端子部４１および第２端子部４２と同様に、溶接、リベット、はんだづけ等によって第１部材２０１および第２部材２０２に備えられている。

制御部８０は、上記第１実施形態と同様の構成とされており、第１～第４端子部４４と接続されている。そして、本実施形態の制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間の第１電圧Ｖ１、および第３端子部４３と第４端子部４４との間の第２電圧Ｖ２に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。なお、本実施形態では、後述の図１１に関する抵抗値推定データおよび後述の図１２に関する温度推定データが記憶されている。

以下、本実施形態における制御部８０のシャント抵抗体１０に流れる電流の検出方法について説明する。まず、上記のように第１～第４端子部４１～４４が配置されており、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔と、第３端子部４３と第４端子部４４との間隔が異なっている。つまり、第１端子部４１と第２端子部４２との間に含まれるバスバー２０の長さと、第３端子部４３と第４端子部４４との間に含まれるバスバー２０の長さとが異なっている。そして、バスバー２０は、抵抗温度係数が高い銅等で構成されている。このため、図１１に示されるように、第１端子部４１と第２端子部４２との間に構成される抵抗体を第１抵抗体とし、第３端子部４３と第４端子部４４との間に構成される抵抗体を第２抵抗体とすると、第１抵抗体と第２抵抗体とは、温度依存性が異なる。具体的には、第２抵抗体は、第１抵抗体よりバスバー２０の長さが長くなるために抵抗温度係数が大きくなり、抵抗値が温度に応じて変化し易くなる。

そして、第１抵抗体の抵抗値を第１抵抗値Ｒ１とし、第２抵抗体の抵抗値を第２抵抗値Ｒ２とすると、第１抵抗値Ｒ１に対する第２抵抗値Ｒ２の抵抗値比率（すなわち、Ｒ２／Ｒ１）は、図１２に示されるように、温度に対して正の傾きを有する直線となる。このため、シャント抵抗体１０の温度が均一であるとした場合、オームの法則より、第１電圧Ｖ１に対する第２電圧Ｖ２の比率であるＶ２／Ｖ１は、抵抗値比率であるＲ／Ｒ１となる。つまり、Ｖ２／Ｖ１＝Ｒ２／Ｒ１となる。したがって、制御部８０は、図１３に示す作動を行ってシャント抵抗体１０の電流を検出する。

すなわち、制御部８０は、ステップＳ１００にて、第１端子部４１と第２端子部４２との間の第１電圧Ｖ１を取得すると共に、第３端子部４３と第４端子部４４との間の第２電圧Ｖ２を取得する。

次に、制御部８０は、ステップＳ１０１にて、Ｖ２／Ｖ１を算出する。その後、制御部８０は、ステップＳ１０２にて、Ｖ２／Ｖ１＝Ｒ２／Ｒ１であるため、図１２に関する温度推定データを参照し、抵抗値比率からシャント抵抗体１０の温度を推定する。

そして、制御部８０は、ステップＳ１０３にて、推定した温度を用い、図１１に関する抵抗値推定データを参照して第１抵抗値Ｒ１および第２抵抗値Ｒ２を推定する。

その後、制御部８０は、ステップＳ１０４にて、オームの法則を用い、Ｖ１、Ｖ２、Ｒ１、Ｒ２に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出する。この場合、制御部８０は、Ｖ１とＲ１とを用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出するようにしてもよいし、Ｖ２とＲ２とを用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出するようにしてもよい。また、制御部８０は、Ｖ１とＲ１とを用いて算出した電流と、Ｖ２とＲ２とを用いて算出した電流との平均をシャント抵抗体１０に流れる電流としてもよい。

なお、制御部８０は、Ｖ１とＲ１とを用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出する場合、ステップＳ１０３では、第２抵抗値Ｒ２を推定しないようにしてもよい。同様に、制御部８０は、Ｖ２とＲ２とを用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出する場合、ステップＳ１０３では、第１抵抗値Ｒ１を推定しないようにしてもよい。

以上説明した本実施形態によれば、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２を用いてシャント抵抗体１０の温度を推定し、推定したシャント抵抗体１０の温度を用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出している。このため、検出精度の向上を図ることができる。

（１）本実施形態では、Ｖ２／Ｖ１＝Ｒ２／Ｒ１を用いてシャント抵抗体１０の温度を推定している。このため、シャント抵抗体１０の温度を容易に推定できる。また、本実施形態の構成によれば、サーミスタ等の温度検出部を備える必要がなく、構成の簡略化を図ることができる。

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対し、第４端子部４４を備えないものである。その他に関しては、第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図１４に示されるように、シャント抵抗体１０に第１～第３端子部４３が備えられており、第４端子部４４が備えられていない。なお、本実施形態では、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔と、第２端子部４２と第３端子部４３との間隔が異なる間隔となる。

制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間の電圧を第１電圧Ｖ１とし、第２端子部４２と第３端子部４３との間の電圧を第２電圧Ｖ２として取得する。そして、制御部８０は、取得した第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２を用い、上記第４実施形態と同様の作動を行ってシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。

以上説明した本実施形態によれば、制御部８０は、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２を用いてシャント抵抗体１０の温度を推定し、推定したシャント抵抗体１０の温度を用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。このため、本実施形態の電流検出装置は、上記第４実施形態と同様の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、上記第４実施形態と比較すると、第４端子部４４を備えない構成とされる。このため、上記第４実施形態と比較すると、部品点数の削減を図ることができる。

（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、第３端子部４３を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図１５に示されるように、第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２の配列方向において、抵抗体３０が中心から当該配列方向にずれて配置されている。本実施形態では、抵抗体３０は、第２部材２０２側にずれて配置されている。そして、第１部材２０１は、第２部材２０２よりも配列方向に沿った長さが長くされている。

第３端子部４３は、上記第５実施形態と同様に、第１部材２０１に配置されている。但し、第３端子部４３は、上記第５実施形態より第１端子部４１と第３端子部４３との間隔が長くなるように配置されている。

（１）本実施形態では、上記第５実施形態より第１端子部４１と第３端子部４３との間隔が長くされている。このため、第３端子部４３と第２端子部４２との間に位置するバスバー２０が増加し、第３端子部４３と第２端子部４２との間の第２抵抗値Ｒ２における温度依存性を大きくできる。したがって、第１抵抗値Ｒ１と第２抵抗値Ｒ２との差を大きくでき、検出精度の向上を図ることができる。

（第７実施形態）
第７実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、バスバー２０にスリットを形成したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図１６に示されるように、バスバー２０のうちの第１部材２０１の一面２０１ａにスリット２０１ｄが形成されている。具体的には、第１部材２０１の一面２０１ａには、第１端子部４１が配置される部分と第３端子部４３が配置される部分との間にスリット２０１ｄが形成されている。

（１）本実施形態では、第１部材２０１のうちの第１端子部４１が配置される部分と第３端子部４３が配置される部分との間にスリット２０１ｄが形成されている。このため、シャント抵抗体１０のうちのスリット２０１ｄが形成されている部分では、スリット２０１ｄを迂回して電流が流れる。したがって、第１端子部４１と第３端子部４３との間の電流経路を長くできる。これにより、上記第６実施形態と同様に、第３端子部４３と第２端子部４２との間の第２抵抗値Ｒ２における温度依存性を大きくできる。したがって、第１抵抗値Ｒ１と第２抵抗値Ｒ２との差を大きくでき、検出精度の向上を図ることができる。

（第８実施形態）
第８実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対し、配線基板５０を備えたものである。その他に関しては、第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図１７に示されるように、配線基板５０を有する構成とされている。配線基板５０は、上記第１実施形態と同様の構成とされたプリント基板で構成されており、第１端子部４１および第２端子部４２と対応する位置に貫通ビア５２が形成されている。そして、配線基板５０は、第１端子部４１および第２端子部４２が貫通ビア５２を貫通するように配置されている。配線基板５０と第１端子部４１および第２端子部４２とは、貫通ビア５２に配置されたはんだ等の導電部材６０によって電気的、機械的に接続されている。

また、配線基板５０は、第１部材２０１と第３端子部４３としての第３ボンディングワイヤ４３ｂを介して電気的に接続されており、第２部材２０２と第４端子部４４としての第４ボンディングワイヤ４４ｂを介して電気的に接続されている。具体的には、第３端子部４３としての第３ボンディングワイヤ４３ｂは、第１部材２０１の一面２０１ａのうちの第１端子部４１を挟んで抵抗体３０と反対側と接続されている。第４端子部４４としての第４ボンディングワイヤ４４ｂは、第２部材２０２の一面２０２ａのうちの第２端子部４２を挟んでシャント抵抗体１０と反対側と接続されている。

制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間の電圧を第１電圧Ｖ１として取得する。また、制御部８０は、第３端子部４３と第４端子部４４との間の電圧を第２電圧Ｖ２として取得する。そして、制御部８０は、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２とを用いてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。

（第８実施形態の変形例）
上記第８実施形態の変形例について説明する。上記第８実施形態において、図１８に示されるように、シャント抵抗体１０と配線基板５０とは、第１～第４端子部４１～４４として、はんだ等で構成される第１～第４接続部材４１ｃ～４４ｃを介して電気的、機械的に接続されるようにしてもよい。なお、第１、第３接続部材４１ｃ、４３ｃは、第１部材２０１の一面２０１ａ上に配置されると共に、第１接続部材４１ｃが抵抗体３０側に配置される。第２、第４接続部材４２ｃ、４４ｃは、第２部材２０２の一面２０２ａ上に配置されると共に、第２接続部材４２ｃが抵抗体３０側に配置される。そして、制御部８０は、第１接続部材４１ｃと第２接続部材４２ｃとの間の電圧を第１電圧Ｖ１とし、第３接続部材４３ｃと第４接続部材４４ｃとの間の電圧を第２電圧Ｖ２としてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。

同様に、図１９に示されるように、第１端子部４１としての第１棒状部材４１ａが配置されると共に第２端子部４２としての第２棒状部材４２ａが配置され、第３端子部４３としての第３接続部材４３ｃが配置されると共に第４端子部４４としての第４接続部材４４ｃが配置されるようにしてもよい。

また、図２０に示されるように、第１端子部４１としての第１接続部材４１ｃが配置されると共に第２端子部４２としての第２接続部材４２ｃが配置され、第３端子部４３としての第３ボンディングワイヤ４３ｂが配置されると共に第４端子部４４としての第４ボンディングワイヤ４４ｂが配置されるようにしてもよい。つまり、上記第８実施形態と図１８を組み合わせるようにしてもよい。すなわち、第１～第４端子部４１～４４の構成は、適宜変更可能である。

（第９実施形態）
第９実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対し、シャント抵抗体１０の形状を変更すると共に、第１～第４端子部４１～４４の配置の仕方を変更したものである。その他に関しては、第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置では、図２１に示されるように、シャント抵抗体１０は、第１部材２０１の一面２０１ａ、抵抗体３０の一面３０ａ、第２部材２０２の一面２０２ａと、第１部材２０１の他面２０１ｂ、抵抗体３０の他面３０ｂ、第２部材２０２の他面３０ｂとを繋ぐ一対の側面１０ｃ、１０ｄを有している。なお、ここでの側面１０ｃ、１０ｄとは、シャント抵抗体１０の側面のうちの第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２の配列方向に沿った面であるともいえる。

そして、シャント抵抗体１０は、側面１０ｃのうちの抵抗体３０を含む部分に、抵抗体３０の面方向に沿って凹んだ凹部１１が形成されている。また、シャント抵抗体１０は、側面１０ｄのうちの抵抗体３０を含む部分に、抵抗体３０の面方向と平行な方向に突出する凸部１２が形成されている。なお、凸部１２は、第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２に渡って形成されている。

第１端子部４１および第２端子部４２は、シャント抵抗体１０のうちの側面１０ｃ側に配置されている。第３端子部４３および第４端子部４４は、シャント抵抗体１０のうちの凸部１２に配置されている。そして、本実施形態では、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔と、第３端子部４３と第４端子部４４との間隔とが等しくされている。

以下、本実施形態における制御部８０のシャント抵抗体１０に流れる電流の検出方法について説明する。まず、上記のような電流検出装置では、シャント抵抗体１０に電流を流した場合、シャント抵抗体１０に凹部１１および凸部１２が形成されているため、部分毎に電流密度が変化する。具体的には、凹部１１側では、電流が集中するために電流密度が高くなり易く、凸部１２側では、凸部１２に電流が回り込むことによって電流密度が低くなり易い。このため、第１端子部４１と第２端子部４２との間の第１抵抗体における見かけ上の抵抗値と、第３端子部４３と第４端子部４４との間の第２抵抗体における見かけ上の抵抗値とが異なり、図１１のような関係となる。なお、本実施形態では、第１端子部４１と第２端子部４２との間の第１抵抗体における見かけ上の抵抗値、および第３端子部４３と第４端子部４４との間の第２抵抗体における見かけ上の抵抗値が実効抵抗値に相当する。

そして、制御部８０は、第１接続部材４１ｃと第２接続部材４２ｃとの間の電圧を第１電圧Ｖ１とすると共に、第３接続部材４３ｃと第４接続部材４４ｃとの間の電圧を第２電圧Ｖ２とし、上記図１３の処理を行ってシャント抵抗体１０に流れる電流を検出する。

（１）本実施形態では、抵抗体３０の形状を変更することにより、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔と、第３端子部４３と第４端子部４４との間隔を等しくできる。したがって、第１～第４端子部４１～４４を配置する際に詳細な位置管理が不要となり、製造工程の簡略化を図ることができる。

（第９実施形態の変形例）
上記第９実施形態の変形例について説明する。上記第９実施形態において、シャント抵抗体１０には、凹部１１または凸部１２の一方のみが形成されるようにしてもよい。また、第３端子部４３および第４端子部４４は、凸部１２ではなく、凸部１２側となる部分に配置されていてもよい。つまり、シャント抵抗体１０の形状、および第１～第４端子部４１～４４は、第１端子部４１と第２端子部４２との間と、第３端子部４３と第４端子部４４との間を流れる電流の密度が異なるのであれば、適宜変更可能である。

（第１０実施形態）
第１０実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、シャント抵抗体１０に流れる電流の検出方法を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図２２に示されるように、制御部８０とシャント抵抗体１０との間に差動増幅部１００が配置されている。差動増幅部１００は、本実施形態では、上記第１実施形態のような配線基板５０に形成されているが、図２２中では配線基板５０を簡略化して示している。そして、配線基板５０は、特に図示しないが、第１～第３端子部４１～４３が貫通ビア５２に挿入されると共に、導電部材６０を介して第１～第３端子部４１～４３と電気的、機械的に接続されている。なお、差動増幅部１００は、配線基板５０とは別の回路基板等に形成されていてもよい。

差動増幅部１００は、第１オペアンプ１０１と、第１オペアンプ１０１の出力端子１０１ａと非反転入力端子１０１ｂとの間に備えられた第１帰還抵抗体１１１とを有している。また、差動増幅部１００は、第２オペアンプ１０２と第２オペアンプ１０２の出力端子１０２ａと非反転入力端子１０２ｂとの間に備えられた第２帰還抵抗体１１２とを有している。さらに、差動増幅部１００は、第１オペアンプ１０１の非反転入力端子１０１ｂと接続される第１調整抵抗体１２１を有している。差動増幅部１００は、第２オペアンプ１０２の非反転入力端子１０２ｂと接続される第２調整抵抗体１２２を有している。

そして、差動増幅部１００は、第２端子部４２が、第１オペアンプ１０１の反転入力端子１０１ｃと接続されていると共に第２オペアンプ１０２の反転入力端子１０２ｃと接続されている。差動増幅部１００は、第１端子部４１が第１調整抵抗体１２１を介して第１オペアンプ１０１の非反転入力端子１０１ｂと接続されている。差動増幅部１００は、第３端子部４３が第２調整抵抗体１２２を介して第２オペアンプ１０２の非反転入力端子１０２ｂと接続されている。そして、差動増幅部１００は、第１オペアンプ１０１の出力端子１０１ａおよび第２オペアンプ１０２の出力端子１０２ａが制御部８０に接続されている。

なお、本実施形態では、第１オペアンプ１０１の非反転入力端子１０１ｂが第１オペアンプの第１入力端子に相当し、第１オペアンプ１０１の反転入力端子１０１ｃが第１オペアンプの第２入力端子に相当している。同様に、第２オペアンプ１０２の非反転入力端子１０２ｂが第２オペアンプの第１入力端子に相当し、第２オペアンプ１０２の反転入力端子１０２ｃが第２オペアンプの第２入力端子に相当している。

第１オペアンプ１０１および第２オペアンプ１０２は、同じ構成のものが用いられることで同じ温度依存性を有する構成とされ、同じ配線基板５０に配置されている。第１帰還抵抗体１１１および第１調整抵抗体１２１は、抵抗温度係数が同じ極性となるように構成され、同じ配線基板５０に配置されている。同様に、第２帰還抵抗体１１２および第２調整抵抗体１２２とは、抵抗温度係数が同じ極性とされ、同じ配線基板５０に配置されている。例えば、これらの各抵抗体１１１、１１２、１２１、１２２は、ネットワーク抵抗器によって構成されて配線基板５０に配置されている。

ここで、抵抗体３０の抵抗値をＲ０とし、抵抗体３０と第２端子部４２との間隔をＬ１とし、抵抗体３０と第１端子部４１との間隔をＬ２とし、第３端子部４３と第１端子部４１との間隔をＬ３とする。また、第１端子部４１と第２端子部４２との間の電圧を第１電圧Ｖ１とし、第３端子部４３と第２端子部４２との間の電圧を第２電圧Ｖ２とする。この場合、シャント抵抗体１０に流れる電流は、シャント抵抗体１０に流れる電流をＩとすると、下記数式４で示される。

なお、抵抗体３０は、上記のように抵抗温度係数の低い材料で構成されており、ここではＲ０の温度依存性を無視している。

また、第１オペアンプ１０１から出力される第１出力電圧Ｖａは、第１調整抵抗体１２１の抵抗値をＲ１ａ、第１帰還抵抗体１１１の抵抗値をＲ２ａとすると、Ｖａ＝（Ｒ２ａ／Ｒ１ａ）×Ｖ１となる。同様に、第２オペアンプ１０２から出力される第２出力電圧Ｖｂは、第２調整抵抗体１２２の抵抗値をＲ１ｂ、第２帰還抵抗体１１２の抵抗値をＲ２ｂとすると、Ｖｂ＝（Ｒ２ｂ／Ｒ１ｂ）×Ｖ２となる。

そして、本実施形態では、第１調整抵抗体１２１の抵抗値Ｒ１ａおよび第１帰還抵抗体１１１の抵抗値Ｒ２ａは、（Ｒ２ａ／Ｒ１ａ）＝｛（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）／Ｌ３｝を満たすように形成されている。つまり、第１調整抵抗体１２１の抵抗値Ｒ１ａおよび第１帰還抵抗体１１１の抵抗値Ｒ２ａは、シャント抵抗体１０に流れる電流Ｉを抵抗体３０の抵抗値Ｒ０に基づいて示した数式４において、第１電圧Ｖ１に乗算される第１係数を満たすように形成されている。なお、ここでの第１係数は、｛（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３）／Ｌ３｝である。

同様に、第２調整抵抗体１２２の抵抗値Ｒ１ｂおよび第２帰還抵抗体１１２の抵抗値Ｒ２ｂは、（Ｒ２ｂ／Ｒ１ｂ）＝｛（Ｌ１＋Ｌ２）／Ｌ３｝を満たすように形成されている。つまり、第２調整抵抗体１２２の抵抗値Ｒ１ｂおよび第２帰還抵抗体１１２の抵抗値Ｒ２ｂは、シャント抵抗体１０に流れる電流Ｉを抵抗体３０の抵抗値Ｒ０に基づいて示した数式４において、第２電圧Ｖ２に乗算される第２係数を満たすように形成されている。なお、ここでの第２係数は、｛（Ｌ１＋Ｌ２）／Ｌ３｝である。

そして、第１出力電圧Ｖａと第２出力電圧Ｖｂとの差分は、下記数式５で示される。

したがって、制御部８０は、第１オペアンプ１０１から出力される第１出力電圧Ｖａと第２オペアンプ１０２から出力される第２出力電圧Ｖｂとを用い、下記数式６を算出することにより、シャント抵抗体１０に流れる電流Ｉを検出できる。

（数６）Ｉ＝（１／Ｒ０）×（Ｖａ－Ｖｂ）
この際、抵抗体３０の抵抗値であるＲ０の温度依存性を無視でき、第１電圧Ｖ１および第２電圧Ｖ２がシャント抵抗体１０の温度に応じた値となるため、数式６より、シャント抵抗体１０の温度に応じた電流を検出できる。なお、本実施形態では、抵抗体３０を温度依存性の低い材料で構成しているが、上記第１～９実施形態のようにシャント抵抗体１０の温度を推定して抵抗体３０の抵抗値Ｒ０を補正することにより、さらに検出精度の向上を図ることができる。

以上説明した本実施形態によれば、制御部８０は、上記数式６を算出することでシャント抵抗体１０に流れる電流を検出している。したがって、シャント抵抗体１０の温度に応じた電流を検出でき、電流の検出精度を向上できる。また、本実施形態では、第１出力電圧Ｖａと第２出力電圧Ｖｂとの差を演算することにより、シャント抵抗体１０の温度に応じた電流を算出している。したがって、本実施形態の構成によれば、サーミスタ等の温度検出部を備える必要がなく、構成の簡略化を図ることができる。

（１）本実施形態では、第１オペアンプ１０１と第２オペアンプ１０２とは、同じ温度特性を有しており、同じ配線基板５０に配置されている。このため、上記数式６のように、第１出力電圧Ｖａと第２出力電圧Ｖｂとの差を算出することにより、第１オペアンプ１０１および第２オペアンプ１０２の温度に関する影響を低減できる。

（２）本実施形態では、第１帰還抵抗体１１１および第１調整抵抗体１２１は、抵抗温度係数が同じ極性となるように構成され、同じ配線基板５０に配置されている。同様に、第２帰還抵抗体１１２および第２調整抵抗体１２２とは、抵抗温度係数が同じ極性とされ、同じ配線基板５０に配置されている。このため、各抵抗体１１１、１１２、１２１、１２２が適宜除算されることにより、温度に関する影響を低減できる。

（第１０実施形態の変形例）
上記第１０実施形態の変形例について説明する。上記第１０実施形態において、第２部材２０２のうちの第２端子部４２を挟んで抵抗体３０側と反対側に第４端子部４４を備え、第３端子部４３と第４端子部４４の間の電圧を第２電圧Ｖ２とするようにしてもよい。なお、このような構成とした場合、第１係数および第２係数が変化するため、各抵抗体１１１、１１２、１２１、１２２の抵抗値Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂは、第１係数または第２係数に応じて適宜変更される。

（第１１実施形態）
第１１実施形態について説明する。本実施形態は、上記第１０実施形態に対し、配線基板５０とシャント抵抗体１０との間に保護部材を配置したものである。その他に関しては、第１０実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図２３に示されるように、配線基板５０とシャント抵抗体１０との間に保護部材１３０が配置されている。保護部材１３０は、絶縁材料で構成され、絶縁性接着剤、絶縁ワッシャー、ゴムシート等で構成される。なお、図２３は、第１端子部４１および第３端子部４３の近傍の断面図である。

以上説明した本実施形態によれば、制御部８０は、上記数式６を算出することでシャント抵抗体１０に流れる電流を検出しているため、検出精度の向上を図ることができる。

（１）本実施形態では、配線基板５０とシャント抵抗体１０との間に保護部材１３０が配置されている。このため、第１～第３端子部４１～４３と配線基板５０とを接続する導電部材６０がシャント抵抗体１０に垂れて付着することを抑制できる。すなわち、上記第１０実施形態のような電流検出装置では、間隔Ｌ１～Ｌ３に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を算出するため、導電部材６０がシャント抵抗体１０に付着すると、間隔Ｌ１～Ｌ３にずれが発生し、検出精度が低下する。このため、本実施形態のように保護部材１３０を配置することにより、導電部材６０がシャント抵抗体１０に付着することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できる。

（第１２実施形態）
第１２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第１端子部４１および第２端子部４２を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図２４に示されるように、第１端子部４１および第２端子部４２が抵抗体３０に配置されている。この場合、抵抗体３０が温度抵抗係数の低い材料で構成されているため、第１端子部４１と第２端子部４２との間に構成される抵抗体の温度依存性を低い状態とできる。したがって、本実施形態の制御部８０は、第１端子部４１と第２端子部４２との間の電圧に基づき、そのままシャント抵抗体１０に流れる電流を検出できる。

また、第１端子部４１および第２端子部４２は、第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２の配列方向と交差する方向であって、抵抗体３０の面方向と平行な交差方向（以下では、単に交差方向ともいう）において、オフセットされて配置されている。なお、第１部材２０１、抵抗体３０、第２部材２０２の配列方向とは、電流の流れ方向ということもできる。また、図２４中では、配列方向が図２４中の紙面左右方向となり、交差方向が図２４中の紙面上下方向となる。

以上説明した本実施形態によれば、第１端子部４１と第２端子部４２とが抵抗体３０に配置されており、抵抗体３０は抵抗温度係数の低い材料で構成されている。このため、第１端子部４１と第２端子部４２との間に構成される抵抗体の温度依存性が低くなっている。したがって、第１端子部４１と第２端子部４２との電圧に基づき、シャント抵抗体１０に流れる電流をそのまま検出できる。

（１）本実施形態によれば、第１端子部４１および第２端子部４２が交差方向にオフセットされて配置されている。このため、第１端子部４１および第２端子部４２が交差方向において同じ場所に配置されている場合と比較して、第１端子部４１および第２端子部４２の周囲に空間を確保し易くなり、製造を容易にできる。

（第１２実施形態の変形例）
上記第１２実施形態の変形例について説明する。上記第１２実施形態において、電流検出装置は、図２５に示されるように、上記第１実施形態のような配線基板５０を備えていてもよい。

（第１３実施形態）
第１３実施形態について説明する。本実施形態は、第１２実施形態に対し、第１端子部４１としての第１ボンディングワイヤおよび第２端子部４２としての第２ボンディングワイヤを備えたものである。その他に関しては、第１２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図２６に示されるように、シャント抵抗体１０上に配線基板５０が備えられている。なお、シャント抵抗体１０と配線基板５０とは、図示しない接着剤等を介して接合されている。

配線基板５０は、抵抗体３０と対向する部分を含む部分に貫通孔５３が形成されている。そして、配線基板５０は、第１端子部４１としての第１ボンディングワイヤ４１ｂを介して抵抗体３０と接続され、第２端子部４２としての第２ボンディングワイヤ４２ｂを介して抵抗体３０と接続されている。なお、第１ボンディングワイヤ４１ｂおよび第２ボンディングワイヤ４２ｂのうちの抵抗体３０と接続される部分は、交差方向においてオフセットされて配置されている。

以上説明した本実施形態によれば、第１端子部４１と第２端子部４２とが抵抗体３０に配置されているため、上記第１２実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第１４実施形態）
第１４実施形態について説明する。本実施形態は、第１２実施形態に対し、第１端子部４１および第２端子部４２の構成を変更したものである。その他に関しては、第１２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図２７および図２８に示されるように、第１端子部４１および第２端子部４２の構成が変更されている。具体的には、本実施形態では、抵抗体３０、第１部材２０１、および第２部材２０２は、それぞれの一面２０１ａ、３０ａ、２０２ａが同一面上に位置するように一体化されている。

そして、第１部材２０１から抵抗体３０のうちの第１部材２０１側の部分に渡って第１絶縁膜１４１が配置されている。第１絶縁膜１４１上には、抵抗体３０と接続されるように第１端子部４１としての第１導電膜４１ｄが配置されている。同様に、第２部材２０２から抵抗体３０のうちの第２部材２０２側の部分に渡って第２絶縁膜１４２が配置されている。第２絶縁膜１４２上には、抵抗体３０と接続されるように第２端子部４２としての第２導電膜４２ｄが配置されている。

なお、第１導電膜４１ｄと第２導電膜４２ｄとは、交差方向にオフセットされて配置されている。また、上記の第１絶縁膜１４１、第２絶縁膜１４２、第１導電膜４１ｄ、および第２導電膜４２ｄは、例えば、それぞれＣＶＤ（chemical vapor depositionの略）法等で形成された後、図示しないマスクを用いてパターニングされることにより、上記形状とされる。

以上説明した本実施形態によれば、第１端子部４１と第２端子部４２とが抵抗体３０に配置されているため、上記第１１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、第１絶縁膜１４１、第２絶縁膜１４２、第１導電膜４１ｄ、および第２導電膜４２ｄは、パターニングされることで構成される。このため、微細加工が行い易く、製造工程の簡略化を図ることができる。

（第１５実施形態）
第１５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第１端子部４１および第２端子部４２を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電流検出装置は、図２９および図３０に示されるように、抵抗体３０、第１部材２０１、および第２部材２０２は、それぞれの一面２０１ａ、３０ａ、２０２ａが同一面上に位置するように一体化されている。そして、抵抗体３０と第１部材２０１との間に第１溶接部２１１が構成され、抵抗体３０と第２部材２０２との間に第２溶接部２１２が構成されている。

第１端子部４１は、第１溶接部２１１の少なくとも一部と接続されるように配置され、第２端子部４２は、第２溶接部２１２の少なくとも一部と接続されるように配置されている。本実施形態では、第１端子部４１の全体が第１溶接部２１１と接続されるように配置され、第２端子部４２の全体が第２溶接部２１２と接続されるように配置されている。

以上説明した本実施形態によれば、第１端子部４１が第１溶接部２１１に配置されていると共に、第２端子部４２が第２溶接部２１２に配置されている。このため、上記第１２実施形態と同様に、第１端子部４１と第２端子部４２との間に構成される抵抗体の温度依存性を低くでき、第１端子部４１と第２端子部４２との電圧に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流をそのまま検出できる。

（１）本実施形態では、第１端子部４１が第１溶接部２１１に配置されていると共に、第２端子部４２が第２溶接部２１２に配置されている。このため、第１端子部４１および第２端子部４２を抵抗体３０に配置する場合と比較して、第１端子部４１と第２端子部４２との間隔を広くし易くなる。したがって、第１端子部４１と第２端子部４２とを交差方向にオフセットしなくても、第１端子部４１と第２端子部４２との配置をし易くできる。さらに、第１端子部４１および第２端子部４２を抵抗体３０に配置する場合と比較して、配置する際の機械的な応力等によって抵抗体３０の抵抗値が変動することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できる。

（他の実施形態）
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

例えば、上記各実施形態において、抵抗体３０は、第１部材２０１および第２部材２０２と同じ厚さとされていてもよい。また、上記第１～第１２実施形態において、抵抗体３０、第１部材２０１、および第２部材２０２は、それぞれの一面２０１ａ、３０ａ、２０２ａが同一面上に位置するように一体化されていてもよい。

さらに、上記各実施形態において、配線基板５０を備える場合には、制御部８０が適宜配線基板５０に備えられていてもよい。

そして、上記各実施形態を適宜組み合わせるようにしてもよい。例えば、上記第１～第３実施形態を各実施形態に適宜組み合わせ、第１サーミスタ７１の第１温度Ｔ１および第２サーミスタ７２の第２温度Ｔ２に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出するようにしてもよい。第４～第９実施形態を各実施形態に組み合わせ、第１電圧Ｖ１と第２電圧Ｖ２とに基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出するようにしてもよい。上記第１０、第１１実施形態を各実施形態に組み合わせ、第１出力電圧Ｖａと第２出力電圧Ｖｂとの差に基づいてシャント抵抗体１０に流れる電流を検出するようにしてもよい。

本開示に記載の制御部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリーを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウエア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリーと一つ以上のハードウエア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。

１０シャント抵抗体
２０バスバー
３０抵抗体
３０ａ一面
５０配線基板
７１第１温度検出部
７２第２温度検出部
８０制御部
２０１第１部材
２０１ａ一面
２０２第２部材
２０２ａ一面
Ｔ１第１温度
Ｔ２第２温度

Claims

バスバー（２０）に抵抗体（３０）が配置されたシャント抵抗体（１０）を備える電流検出装置であって、
一面（２０１ａ、２０２ａ）を有する平板状とされた第１部材（２０１）および第２部材（２０２）を有する前記バスバーと、一面（３０ａ）を有する平板状とされ、前記バスバーよりも抵抗温度係数が小さい材料で構成された前記抵抗体と、を有し、電流の流れ方向が前記第１部材、前記第２部材、および前記抵抗体の一面に沿った方向となるように、前記抵抗体が前記第１部材と前記第２部材との間に配置された前記シャント抵抗体と、
前記第１部材の一面に配置された第１端子部（４１）、および前記第２部材の一面に配置された第２端子部（４２）と、
前記シャント抵抗体上に配置され、第１温度検出部（７１）および第２温度検出部（７２）が配置された配線基板（５０）と、
所定の処理を行う制御部（８０）と、を備え、
前記第１温度検出部および前記第２温度検出部は、前記配線基板のうちの温度差が発生する部分にそれぞれ配置され、
前記制御部は、前記第１温度検出部で測定された第１温度（Ｔ１）と前記第２温度検出部で測定された第２温度（Ｔ２）との差に基づいて前記シャント抵抗体の温度（Ｔｓ）を推定し、推定した前記シャント抵抗体の温度を用いて前記シャント抵抗体に流れる電流を検出し、
前記第１温度検出部は、前記配線基板のうちの前記第２温度検出部が配置される部分より高温となる部分に配置され、
前記制御部は、前記第１温度に対し、前記第１温度と前記第２温度との差に所定の補正係数を乗算した値を加算して前記シャント抵抗体の温度を推定し、
前記配線基板は、前記シャント抵抗体の熱を伝える伝熱部（５１）が形成され、
前記第１温度検出部は、前記シャント抵抗体と前記配線基板との積層方向において、前記伝熱部と重なる状態で配置され、
前記第２温度検出部は、前記積層方向において、前記伝熱部と離れた部分に配置されている電流検出装置。
前記第２温度検出部は、前記積層方向において、前記抵抗体と重なる状態で配置されている請求項１に記載の電流検出装置。
前記第１温度検出部は、前記配線基板のうちの前記シャント抵抗体と対向する部分に配置され、
前記第２温度検出部は、前記配線基板のうちの前記シャント抵抗体と対向する部分と異なる部分に配置されている請求項１に記載の電流検出装置。
バスバー（２０）に抵抗体（３０）が配置されたシャント抵抗体（１０）を備える電流検出装置であって、
一面（２０１ａ、２０２ａ）を有する平板状とされた第１部材（２０１）および第２部材（２０２）を有する前記バスバーと、一面（３０ａ）を有する平板状とされ、前記バスバーよりも抵抗温度係数が小さい材料で構成された前記抵抗体と、を有し、電流の流れ方向が前記第１部材、前記第２部材、および前記抵抗体の一面に沿った方向となるように、前記抵抗体が前記第１部材と前記第２部材との間に配置された前記シャント抵抗体と、
前記第１部材の一面に配置された第１端子部（４１）、および前記第２部材の一面に配置された第２端子部（４２）と、
前記シャント抵抗体上に配置され、第１温度検出部（７１）および第２温度検出部（７２）が配置された配線基板（５０）と、
所定の処理を行う制御部（８０）と、を備え、
前記第１温度検出部および前記第２温度検出部は、前記配線基板のうちの温度差が発生する部分にそれぞれ配置され、
前記制御部は、前記第１温度検出部で測定された第１温度（Ｔ１）と前記第２温度検出部で測定された第２温度（Ｔ２）との差に基づいて前記シャント抵抗体の温度（Ｔｓ）を推定し、推定した前記シャント抵抗体の温度を用いて前記シャント抵抗体に流れる電流を検出し、
前記第１温度検出部は、前記配線基板のうちの前記第２温度検出部が配置される部分より高温となる部分に配置され、
前記制御部は、前記第１温度に対し、前記第１温度と前記第２温度との差に所定の補正係数を乗算した値を加算して前記シャント抵抗体の温度を推定し、
前記第１温度検出部は、前記配線基板のうちの前記シャント抵抗体と対向する部分に配置され、
前記第２温度検出部は、前記配線基板のうちの前記シャント抵抗体と対向する部分と異なる部分に配置されている電流検出装置。
前記第１温度検出部および前記第２温度検出部は、前記シャント抵抗体に電流が流れた際、前記シャント抵抗体の温度と前記第１温度との差が、前記第１温度と前記第２温度との差より小さくなる状態で配置されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電流検出装置。
バスバー（２０）に抵抗体（３０）が配置されたシャント抵抗体（１０）を備える電流検出装置であって、
一面（２０１ａ、２０２ａ）を有する平板状とされた第１部材（２０１）および第２部材（２０２）を有する前記バスバーと、一面（３０ａ）を有する平板状とされ、前記バスバーよりも抵抗温度係数が小さい材料で構成された前記抵抗体と、を有し、電流の流れ方向が前記第１部材、前記第２部材、および前記抵抗体の一面に沿った方向となるように、前記抵抗体が前記第１部材と前記第２部材との間に配置された前記シャント抵抗体と、
前記第１部材の一面に配置された第１端子部（４１）、および前記第２部材の一面に配置された第２端子部（４２）と、
前記シャント抵抗体上に配置され、第１温度検出部（７１）および第２温度検出部（７２）が配置された配線基板（５０）と、
所定の処理を行う制御部（８０）と、を備え、
前記第１温度検出部および前記第２温度検出部は、前記配線基板のうちの温度差が発生する部分にそれぞれ配置され、
前記制御部は、前記第１温度検出部で測定された第１温度（Ｔ１）と前記第２温度検出部で測定された第２温度（Ｔ２）との差に基づいて前記シャント抵抗体の温度（Ｔｓ）を推定し、推定した前記シャント抵抗体の温度を用いて前記シャント抵抗体に流れる電流を検出し、
前記第１温度検出部は、前記配線基板のうちの前記第２温度検出部が配置される部分より高温となる部分に配置され、
前記制御部は、前記第１温度に対し、前記第１温度と前記第２温度との差に所定の補正係数を乗算した値を加算して前記シャント抵抗体の温度を推定し、
前記第１温度検出部および前記第２温度検出部は、前記シャント抵抗体に電流が流れた際、前記シャント抵抗体の温度と前記第１温度との差が、前記第１温度と前記第２温度との差より小さくなる状態で配置されている電流検出装置。