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JP7241795B2 - Residue-free flux composition and solder paste - Google Patents

Residue-free flux composition and solder paste Download PDF

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JP7241795B2 JP2021056677A JP2021056677A JP7241795B2 JP 7241795 B2 JP7241795 B2 JP 7241795B2 JP 2021056677 A JP2021056677 A JP 2021056677A JP 2021056677 A JP2021056677 A JP 2021056677A JP 7241795 B2 JP7241795 B2 JP 7241795B2
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Description

本発明は無残渣フラックス組成物及びソルダペーストに関する。 The present invention relates to residue-free flux compositions and solder pastes.

プリント配線板やモジュール基板等の電子回路基板上に電子部品を接合する方法として、フラックス組成物とはんだ合金粉末とを混合したソルダペーストを用いたはんだ接合方法が広く採用されている。この方法では、ソルダペーストを電子回路基板上の所定の位置に印刷し、所定の位置に電子部品を載置し、これを加熱することで、電子回路基板と電子部品とをはんだ接合させる。 BACKGROUND ART Soldering using solder paste, which is a mixture of a flux composition and a solder alloy powder, is widely used as a method for joining electronic components onto electronic circuit boards such as printed wiring boards and module boards. In this method, solder paste is printed on a predetermined position on an electronic circuit board, an electronic component is placed on the predetermined position, and the electronic circuit board and the electronic component are soldered by heating.

一方、近年ではエネルギー及び環境問題の観点から、電力の制御及び供給を行う電力用半導体素子、所謂パワー半導体が注目されている。通常、パワー半導体は、はんだ等の接合材を用いてパワー半導体をDCB基板上にダイボンディングした後、当該パワー半導体上に形成されている電極とDCB基板上に形成された電極とを接合(ワイヤボンディング)する。
ここで、ダイボンディング時にソルダペーストを用いる場合、ソルダペーストに含まれるフラックスの残渣(フラックス残渣)がダイボンディング後のDCB基板上に残存していると、その後のワイヤボンディング時に当該フラックス残渣がDCB基板上の電極に広がってしまう虞があり、これがパワー半導体とDCB基板との接合不良を引き起こす原因となり得る。そのため、パワー半導体のDCB基板への接合時には、ダイボンディング後にフラックス残渣を除去(洗浄)する必要があった。
On the other hand, in recent years, from the viewpoint of energy and environmental problems, power semiconductor devices for controlling and supplying power, so-called power semiconductors, have attracted attention. Normally, a power semiconductor is die-bonded on a DCB substrate using a bonding material such as solder, and then the electrodes formed on the power semiconductor and the electrodes formed on the DCB substrate are bonded (wire bonding).
Here, when solder paste is used for die bonding, if the residue of flux (flux residue) contained in the solder paste remains on the DCB substrate after die bonding, the flux residue will remain on the DCB substrate during subsequent wire bonding. There is a risk that it may spread to the upper electrode, which may cause a poor connection between the power semiconductor and the DCB substrate. Therefore, when bonding the power semiconductor to the DCB substrate, it is necessary to remove (clean) the flux residue after die bonding.

しかし、フラックス残渣の洗浄には溶剤を使用するため、環境面及びコスト面での負担が大きい。そのため、ダイボンディング後に残存するフラックス残渣が非常に少ない(若しくはほとんどない)、所謂無残渣フラックス組成物を用いたソルダペーストの開発が求められている。 However, since a solvent is used for cleaning the flux residue, the environmental and cost burdens are large. Therefore, there is a demand for the development of a solder paste using a so-called residue-free flux composition that leaves very little (or almost no) flux residue after die bonding.

これまでも、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を大幅に低減するフラックス組成物(ソルダペースト)として、例えば活性剤としてマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、クエン酸、酒石酸、及び安息香酸から選ばれる1種をフラックス量100gに対し4.55mmol/g~45.5mmol/g配合し、且つ、ソルダペーストに含有されるはんだ粉末以外の成分がはんだ粉末の溶融する温度以下で揮発するものであるソルダペースト(特許文献1参照)、及び常温で固体であってリフロー温度で蒸発する固体溶剤と、常温で高粘性流体であってリフロー温度で蒸発する高粘性溶剤と、常温で液体であってリフロー温度で蒸発する液体溶剤とを含むフラックスを用いた無残渣ソルダペースト(特許文献2参照)等が開示されている。 So far, as a flux composition (solder paste) that significantly reduces the flux residue remaining after soldering, for example, activators such as malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, One kind selected from maleic acid, citric acid, tartaric acid, and benzoic acid is mixed with 4.55 mmol/g to 45.5 mmol/g with respect to 100 g of flux, and the components other than the solder powder contained in the solder paste are A solder paste that evaporates below the melting temperature of solder powder (see Patent Document 1), a solid solvent that is solid at room temperature and evaporates at the reflow temperature, and a highly viscous fluid at room temperature that evaporates at the reflow temperature. A residue-free solder paste using a flux containing a highly viscous solvent and a liquid solvent that is liquid at room temperature and evaporates at the reflow temperature (see Patent Document 2) is disclosed.

マロン酸、コハク酸といった炭素数の少ない有機酸を含むフラックス組成物を使用したソルダペーストは、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減することはできる。しかし炭素数の少ない活性剤は、活性力が小さいためにソルダペーストの濡れ性を低下させ、よってこのようなソルダペーストは実装する電子部品と基板(電子回路基板、DCB基板等)との接合不良を引き起こし易い。 A solder paste using a flux composition containing an organic acid with a small number of carbon atoms such as malonic acid and succinic acid can reduce residual flux remaining after soldering. However, an activator with a low carbon number reduces the wettability of the solder paste due to its low activation force, and thus such solder paste has poor bonding between the electronic component to be mounted and the board (electronic circuit board, DCB board, etc.). easily cause

また、フラックス組成物に特定の溶剤を使用することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣は低減できるものの、上述のように炭素数の少ない活性剤を使用すればソルダペーストの濡れ性が低下し得る。一方、ソルダペーストの濡れ性を向上させるために炭素数の多い活性剤を使用すると、はんだ接合後に残存するフラックス残渣が低減できないという問題があった。 In addition, although the use of a specific solvent in the flux composition can reduce the amount of flux residue remaining after soldering, the use of an activator with a low carbon number as described above can reduce the wettability of the solder paste. . On the other hand, if an activator with a large number of carbon atoms is used to improve the wettability of the solder paste, there is a problem that the residual flux remaining after soldering cannot be reduced.

特開2017-209734号公報JP 2017-209734 A 特開2004-25305号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-25305

本発明は上記課題を解決するものであり、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る無残渣フラックス組成物及びソルダペーストを提供することをその目的とする。 An object of the present invention is to provide a residue-free flux composition and a solder paste that can reduce the residual flux remaining after soldering and exhibit good wettability of the solder paste. and

本発明の無残渣フラックス組成物は、有機化合物(A)と、溶剤(B)と、活性剤(C)と、チクソ剤(D)とを含み、前記有機化合物(A)は常温で固体の脂肪族アルコールであって、50℃以上で液状となるものであり、前記活性剤(C)は炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)及びハロゲン化合物(C-2)を含み、前記炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して0.1質量%以上1.5質量%以下であり、前記ハロゲン化合物(C-2)の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して0.01質量%以上0.1質量%以下であり、前記炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)は炭素数が3以上5以下のジカルボン酸であり、前記ハロゲン化合物(C-2)は臭素化合物及びヨウ素化合物の少なくとも一方であることをその特徴とする。 The residue-free flux composition of the present invention comprises an organic compound (A), a solvent (B), an activator (C), and a thixotropic agent (D), wherein the organic compound (A) is solid at room temperature. It is an aliphatic alcohol that becomes liquid at 50° C. or higher, and the activator (C) contains an organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms and a halogen compound (C-2). , the amount of the organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms is 0.1% by mass or more and 1.5% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition, and the halogen compound (C -2) is 0.01% by mass or more and 0.1% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition, and the organic acid (C-1) having 3 or more and 5 or less carbon atoms has a carbon number of is a dicarboxylic acid having 3 or more and 5 or less, and the halogen compound (C-2) is at least one of a bromine compound and an iodine compound.

また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記臭素化合物が2-ブロモ-n-ヘキサン酸及びジブロモブテンジオールの少なくとも一方であることが好ましい。
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記ヨウ素化合物が2-ヨード安息香酸及び3,5-ジヨードサリチル酸の少なくとも一方であることが好ましい。
In the residue-free flux composition of the present invention, the bromine compound is preferably at least one of 2-bromo-n-hexanoic acid and dibromobutenediol.
In the residue-free flux composition of the present invention, the iodine compound is preferably at least one of 2-iodobenzoic acid and 3,5-diiodosalicylic acid.

また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記チクソ剤(D)が炭素数が18以下の飽和脂肪酸アミドであることが好ましい。 In the residue-free flux composition of the present invention, the thixotropic agent (D) is preferably a saturated fatty acid amide having 18 or less carbon atoms.

また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記炭素数が18以下の飽和脂肪酸アミドがパルミチン酸アミド及びラウリン酸アミドの少なくとも一方であることが好ましい。 In the residue-free flux composition of the present invention, the saturated fatty acid amide having 18 or less carbon atoms is preferably at least one of palmitic acid amide and lauric acid amide.

また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記チクソ剤(D)の配合量が無残渣フラックス組成物全量に対して1質量%以上15質量%であることが好ましい。 Further, in the residue-free flux composition of the present invention, the thixotropic agent (D) content is preferably 1% by mass or more and 15% by mass based on the total amount of the residue-free flux composition.

本発明のソルダペーストは、前記の無残渣フラックス組成物と、はんだ合金粉末とを含むことをその特徴とする。 The solder paste of the present invention is characterized by containing the residue-free flux composition and solder alloy powder.

本発明の無残渣フラックス組成物及びソルダペーストは、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る。 The residue-free flux composition and solder paste of the present invention can reduce the residual flux remaining after soldering and exhibit good wettability of the solder paste.

「チップ部品の枕不良発生確認試験」におけるリフロー条件を表わした温度プロファイル。A temperature profile showing the reflow conditions in the "chip component pillow failure confirmation test." 「チップ部品の枕不良発生確認試験」において、枕不良が発生しているチップ部品を表わす写真。A photograph showing a chip component in which a pillow defect has occurred in a "chip component pillow defect occurrence confirmation test." 「チップ部品下ブリッジ発生確認試験」において、チップ部品下ブリッジが発生しているチップ部品を表わす写真。A photograph showing a chip component in which a bridge under the chip component is generated in the "test for confirming occurrence of bridge under the chip component". 「フラックス残渣確認試験」において、はんだの外周部分にもはんだ表面にもフラックス残渣がほぼ存在しない(○と評価し得る)試験基板を表わす写真。A photograph showing a test board with almost no flux residue on the outer peripheral portion of the solder and on the surface of the solder (can be evaluated as ◯) in the "Flux Residue Confirmation Test". 「フラックス残渣確認試験」において、はんだ表面にはフラックス残渣はほぼ存在しないが、はんだの外周部分にはフラックス残渣が若干存在する(△と評価し得る)試験基板を表わす写真。Fig. 10 is a photograph showing a test substrate in which there is almost no flux residue on the solder surface, but there is some flux residue on the outer peripheral portion of the solder (which can be evaluated as △) in the "flux residue confirmation test". 「フラックス残渣確認試験」において、はんだの外周部分とはんだ表面の両方にフラックス残渣が存在する(×と評価し得る)試験基板を表わす写真。A photograph showing a test board in which flux residue exists on both the outer peripheral portion of the solder and the solder surface (which can be evaluated as x) in the "flux residue confirmation test".

本発明の無残渣フラックス組成物及びソルダペーストの一実施形態を以下に詳述する。なお、本発明がこれらの実施形態に限定されないのはもとよりである。 One embodiment of the residue-free flux composition and solder paste of the present invention is described in detail below. It goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments.

1.無残渣フラックス組成物
本実施形態のフラックスは、有機化合物(A)と、溶剤(B)と、活性剤(C)と、チクソ剤(D)とを含む。
1. Residue-Free Flux Composition The flux of this embodiment includes an organic compound (A), a solvent (B), an activator (C), and a thixotropic agent (D).

有機化合物(A)
前記有機化合物(A)としては、常温で固体の脂肪族アルコールであって、50℃以上で液状となるものが好ましく用いられる。なお、本明細書において「常温」とは、15℃から30℃程度をいう。
前記有機化合物(A)としては、例えばトリメチロールプロパン等が好ましく用いられる。
なお、前記有機化合物は1種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
Organic compound (A)
As the organic compound (A), an aliphatic alcohol that is solid at room temperature and becomes liquid at 50° C. or higher is preferably used. In addition, in this specification, "normal temperature" means about 15 degreeC to 30 degreeC.
As the organic compound (A), for example, trimethylolpropane is preferably used.
In addition, you may use the said organic compound individually by 1 type or in mixture of multiple types.

前記有機化合物(A)の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して20質量%以上70質量%以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は、35質量%以上65質量%以下であり、45質量%以上55質量%以下であることが更に好ましい。 The blending amount of the organic compound (A) is preferably 20% by mass or more and 70% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition. A more preferable blending amount thereof is 35% by mass or more and 65% by mass or less, and more preferably 45% by mass or more and 55% by mass or less.

溶剤(B)
前記溶剤(B)としては、例えばトリエチレングリコール、イオン交換水、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ヘキシルジグリコール、(2-エチルヘキシル)ジグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、フェニルグリコール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、αテルピネオール、βテルピネオール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等を使用することができる。これらの中でも特に、トリエチレングリコールが好ましく用いられる。
なお、これらは1種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
Solvent (B)
Examples of the solvent (B) include triethylene glycol, deionized water, isopropyl alcohol, ethanol, acetone, toluene, xylene, ethyl acetate, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, hexyl diglycol, (2-ethylhexyl) diglycol, diethylene glycol mono Hexyl ether, phenyl glycol, butyl carbitol, octanediol, α-terpineol, β-terpineol, tetraethylene glycol dimethyl ether and the like can be used. Among these, triethylene glycol is particularly preferably used.
In addition, these may be used individually by 1 type or in mixture of multiple types.

前記溶剤(B)の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して10質量%以上65質量%以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は15質量%以上40質量%以下であり、特に好ましいその配合量は20質量%以上35質量%以下である。 The blending amount of the solvent (B) is preferably 10% by mass or more and 65% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition. A more preferable blending amount is 15% by mass or more and 40% by mass or less, and a particularly preferable blending amount is 20% by mass or more and 35% by mass or less.

活性剤(C)
本実施形態の無残渣フラックス組成物は、前記活性剤(C)として、炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)とハロゲン化合物(C-2)とを含むことが好ましい。
Activator (C)
The residue-free flux composition of the present embodiment preferably contains an organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms and a halogen compound (C-2) as the activator (C).

前記炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)としては、炭素数が3以上5以下のジカルボン酸(C-1)が好ましく用いられる。
前記炭素数が3以上5以下のジカルボン酸(C-1)としては、マロン酸、コハク酸及びグルタル酸が挙げられる。これらの中でも特に、グルタル酸及びコハク酸が好ましく用いられる。
なお、これらは1種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
As the organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms, a dicarboxylic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms is preferably used.
Examples of the dicarboxylic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms include malonic acid, succinic acid and glutaric acid. Among these, glutaric acid and succinic acid are particularly preferred.
In addition, these may be used individually by 1 type or in mixture of multiple types.

前記炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して0.1質量%以上1.5質量%以下であることが好ましい。当該配合量は、0.5質量%以上1.5質量%以下であることがより好ましい。更に好ましいその配合量は、0.5質量%以上1質量%以下であり、0.5質量%以上0.75質量%以下であることが特に好ましい。 The content of the organic acid (C-1) having 3 or more and 5 or less carbon atoms is preferably 0.1 mass % or more and 1.5 mass % or less based on the total amount of the residue-free flux composition. More preferably, the blending amount is 0.5% by mass or more and 1.5% by mass or less. A more preferable blending amount thereof is 0.5% by mass or more and 1% by mass or less, and particularly preferably 0.5% by mass or more and 0.75% by mass or less.

また前記ハロゲン化合物(C-2)としては、臭素化合物及びヨウ素化合物が好ましく用いられる。
前記臭素化合物としては、例えば2-ブロモ-n-ヘキサン酸及びジブロモブテンジオール等が挙げられる。
また、前記ヨウ素化合物としては、例えば2-ヨード安息香酸及び3,5-ジヨードサリチル酸等が挙げられる。
前記ハロゲン化合物(C-2)としては、特に2-ブロモ-n-ヘキサン酸及びジブロモブテンジオールが好ましく用いられる。
なお、これらは1種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
Bromine compounds and iodine compounds are preferably used as the halogen compound (C-2).
Examples of the bromine compound include 2-bromo-n-hexanoic acid and dibromobutenediol.
Examples of the iodine compound include 2-iodobenzoic acid and 3,5-diiodosalicylic acid.
As the halogen compound (C-2), 2-bromo-n-hexanoic acid and dibromobutenediol are particularly preferably used.
In addition, these may be used individually by 1 type or in mixture of multiple types.

前記ハロゲン化合物(C-2)の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して0.01質量%以上0.1質量%以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は、0.01質量%以上0.05質量%以下である。 The content of the halogen compound (C-2) is preferably 0.01% by mass or more and 0.1% by mass or less relative to the total amount of the residue-free flux composition. A more preferable blending amount thereof is 0.01% by mass or more and 0.05% by mass or less.

本実施形態の無残渣フラックス組成物は、前記活性剤(C)として、炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)とハロゲン化合物(C-2)とを併用し、且つこれらの配合量を上記範囲とすることにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、当該無残渣フラックス組成物を用いたソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る。 In the residue-free flux composition of the present embodiment, as the activator (C), an organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms and a halogen compound (C-2) are used in combination, and By setting the blending amount within the above range, it is possible to reduce the flux residue remaining after soldering, and to exhibit good wettability of the solder paste using the residue-free flux composition.

即ち、マロン酸、コハク酸といった炭素数の少ない有機酸を含む無残渣フラックス組成物を使用したソルダペーストは、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減することはできる。しかし炭素数の少ない活性剤は、活性力が小さいためにソルダペーストの濡れ性を低下させ、電子部品と基板(電子回路基板、DCB基板等)との接合不良を引き起こす虞がある。
しかし本実施形態の無残渣フラックス組成物は、前記活性剤(C)として、炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)とハロゲン化合物(C-2)とを併用し、且つこれらの配合量を調整することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、当該無残渣フラックス組成物に良好な活性を付与し得るため、これを用いたソルダペーストの良好な濡れ性を発揮することができる。また本実施形態の無残渣フラックス組成物は、加熱時において前記溶剤(B)の飛散現象をも抑制することができる。
そしてこのようなソルダペーストを使用して形成されたはんだ接合部は、接合不良やはんだブリッジ等の発生を抑制でき、信頼性の高い電子回路実装基板やパワーモジュールを提供することができる。
That is, a solder paste using a residue-free flux composition containing an organic acid with a small number of carbon atoms such as malonic acid and succinic acid can reduce flux residue remaining after soldering. However, an activator with a small number of carbon atoms has a low activating force, and thus may reduce the wettability of the solder paste and cause poor bonding between the electronic component and the substrate (electronic circuit board, DCB substrate, etc.).
However, in the residue-free flux composition of the present embodiment, as the activator (C), an organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms and a halogen compound (C-2) are used in combination, and By adjusting the blending amount of, it is possible to reduce the flux residue remaining after soldering and to impart good activity to the residue-free flux composition, so that the solder paste using it exhibits good wettability. can do. Moreover, the residue-free flux composition of the present embodiment can also suppress the solvent (B) scattering phenomenon during heating.
Solder joints formed using such a solder paste can suppress the occurrence of defective joints, solder bridges, and the like, and can provide highly reliable electronic circuit mounting boards and power modules.

前記活性剤(C)全体の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して0.11質量%以上1.6質量%以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は0.51質量%以上1.05質量%以下であり、特に好ましいその配合量は0.51質量%以上0.8質量%以下である。 The amount of the activator (C) as a whole is preferably 0.11% by mass or more and 1.6% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition. A more preferable blending amount is 0.51% by mass or more and 1.05% by mass or less, and a particularly preferable blending amount is 0.51% by mass or more and 0.8% by mass or less.

チクソ剤(D)
前記チクソ剤(D)としては、飽和脂肪酸アミドが好ましく用いられる。
前記脂肪酸アミドの中でも特に、炭素数が18以下の飽和脂肪酸アミドが好ましく用いられる。またその中でも炭素数が14以下の脂肪酸飽和アミドがより好ましく、更には炭素数が12以下の脂肪酸飽和アミドが特に好ましく用いられる。
このような脂肪酸飽和アミドとしては、例えばパルミチン酸アミド及びラウリン酸アミド等が挙げられる。
なお、これらは1種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
Thixotropic agent (D)
A saturated fatty acid amide is preferably used as the thixotropic agent (D).
Among the fatty acid amides, saturated fatty acid amides having 18 or less carbon atoms are particularly preferably used. Among these, fatty acid saturated amides having 14 or less carbon atoms are more preferable, and fatty acid saturated amides having 12 or less carbon atoms are particularly preferably used.
Such fatty acid saturated amides include, for example, palmitic acid amide and lauric acid amide.
In addition, these may be used individually by 1 type or in mixture of multiple types.

前記チクソ剤(D)の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して1質量%以上15質量%以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は3質量%以上13質量%以下であり、特に好ましいその配合量は、5質量%以上8質量%以下である。 The content of the thixotropic agent (D) is preferably 1% by mass or more and 15% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition. A more preferable blending amount is 3% by mass or more and 13% by mass or less, and a particularly preferable blending amount is 5% by mass or more and 8% by mass or less.

酸化防止剤
本実施形態の無残渣フラックス組成物には、はんだ合金粉末の酸化を抑える目的で酸化防止剤を配合することができる。このような酸化防止剤としては、例えばヒンダードフェノール系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、ビスフェノール系酸化防止剤、ポリマー型酸化防止剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく用いられる。このヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、例えばイルガノックス245(BASFジャパン(株)製)等が挙げられる。
なお、これらは1種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
Antioxidant The residue-free flux composition of the present embodiment may contain an antioxidant for the purpose of suppressing oxidation of the solder alloy powder. Examples of such antioxidants include hindered phenolic antioxidants, phenolic antioxidants, bisphenolic antioxidants, polymer antioxidants, and the like, but are not limited to these. Among these, hindered phenol-based antioxidants are particularly preferably used. Examples of this hindered phenol antioxidant include Irganox 245 (manufactured by BASF Japan Ltd.).
In addition, these may be used individually by 1 type or in mixture of multiple types.

本実施形態の無残渣フラックス組成物に前記酸化防止剤を配合する場合、その配合量は、本実施形態の無残渣フラックス組成物の効果に影響を与えない、即ち無残渣となるように調整される。 When the antioxidant is blended into the residue-free flux composition of the present embodiment, the blending amount is adjusted so as not to affect the effects of the residue-free flux composition of the present embodiment, that is, to leave no residue. be.

また本実施形態のフラックスには、消泡剤、防錆剤、界面活性剤、熱硬化剤、つや消し剤等の添加剤を配合することができる。本実施形態の無残渣フラックス組成物に前記添加剤を配合する場合、その配合量は、本実施形態の無残渣フラックス組成物の効果に影響を与えない、即ち無残渣となるように調整される。 Additives such as antifoaming agents, antirust agents, surfactants, thermosetting agents, and matting agents can be added to the flux of the present embodiment. When the additive is blended into the residue-free flux composition of the present embodiment, the blending amount is adjusted so as not to affect the effect of the residue-free flux composition of the present embodiment, that is, to be residue-free. .

本実施形態の無残渣フラックス組成物には、残存するフラックス残渣の量に影響を与えない範囲で、ロジン系樹脂やアクリル樹脂といったベース樹脂を配合してもよく、好ましいその配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して1質量%未満である。 The residue-free flux composition of the present embodiment may be blended with a base resin such as a rosin-based resin or an acrylic resin within a range that does not affect the amount of residual flux residue. It is less than 1% by mass with respect to the total amount of the flux composition.

なお、本明細書において「無残渣」とは、フラックス残渣の質量が、はんだ接合(加熱)前の無残渣フラックス組成物の質量の1%以下となることをいう。 In this specification, "residue-free" means that the mass of flux residue is 1% or less of the mass of the residue-free flux composition before soldering (heating).

(2)ソルダペースト
本実施形態のソルダペーストは、上記無残渣フラックス組成物とはんだ合金粉末とを混合することにより得られる。
前記はんだ合金粉末としては、例えば錫及び鉛を含む合金、錫及び鉛並びに銀、ビスマス及びインジウムの少なくとも1種を含む合金、錫及び銀を含む合金、錫及び銅を含む合金、錫、銀及び銅を含む合金、錫及びビスマスを含む合金等を用いることができる。またこれら以外にも、例えば錫、鉛、銀、ビスマス、インジウム、銅、亜鉛、ガリウム、アンチモン、金、パラジウム、ゲルマニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム、リン等を適宜組合せたはんだ合金粉末を使用することができる。なお、上記に挙げた元素以外であってもその組合せに使用することは可能である。
(2) Solder Paste The solder paste of the present embodiment is obtained by mixing the residue-free flux composition and solder alloy powder.
Examples of the solder alloy powder include alloys containing tin and lead, alloys containing tin and lead and at least one of silver, bismuth and indium, alloys containing tin and silver, alloys containing tin and copper, tin, silver and An alloy containing copper, an alloy containing tin and bismuth, or the like can be used. In addition to these, for example, solder alloy powder in which tin, lead, silver, bismuth, indium, copper, zinc, gallium, antimony, gold, palladium, germanium, nickel, chromium, aluminum, phosphorus, etc. are appropriately combined may be used. can be done. Elements other than those listed above can also be used in the combination.

前記はんだ合金粉末の配合量は、ソルダペースト全量に対して65質量%以上95質量%以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は85質量%以上93質量%以下であり、特に好ましいその配合量は88質量%以上92質量%以下である。 The content of the solder alloy powder is preferably 65% by mass or more and 95% by mass or less with respect to the total amount of the solder paste. A more preferable blending amount is 85% by mass or more and 93% by mass or less, and a particularly preferable blending amount is 88% by mass or more and 92% by mass or less.

本実施形態のソルダペーストは、上記無残渣フラックス組成物を使用することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、当該無残渣フラックス組成物に良好な活性を付与し得るため、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮することができる。
また本実施形態のソルダペーストは、上記無残渣フラックス組成物を使用することにより、加熱時において前記溶剤(B)の飛散現象をも抑制することができる。
そしてこのようなソルダペーストを使用して形成されたはんだ接合部は、接合不良やはんだブリッジ等の発生を抑制でき、信頼性の高い電子回路実装基板やパワーモジュールを提供することができる。
By using the residue-free flux composition, the solder paste of the present embodiment can reduce the flux residue remaining after soldering and impart good activity to the residue-free flux composition. can exhibit good wettability.
Moreover, the solder paste of the present embodiment can also suppress the phenomenon of scattering of the solvent (B) during heating by using the residue-free flux composition.
Solder joints formed using such a solder paste can suppress the occurrence of defective joints, solder bridges, and the like, and can provide highly reliable electronic circuit mounting boards and power modules.

なお、上記においては無残渣フラックス組成物をソルダペーストに使用する実施形態について説明したが、本実施形態における無残渣フラックス組成物の用途はこれに限定されず、例えばはんだボール用等、他のフラックス用途にも種々適用可能である。 Although the embodiment in which the residue-free flux composition is used in the solder paste has been described above, the use of the residue-free flux composition in this embodiment is not limited to this, and other fluxes such as solder balls can be used. Various applications are possible.

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳述する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.

表1及び表2に記載の各成分を混練し、実施例1から11及び比較例1から6に係る各フラックス組成物を作製した。
また上記各フラックス組成物9.5質量%と、Sn-3Ag-0.5Cuはんだ合金粉末(粒径20μmから45μm)90.5質量%とを混合し、実施例1から11及び比較例1から6に係る各ソルダペーストを作製した。
なお、特に記載のない限り、表1及び表2に記載の数値は質量%を意味するものとする。
Each component shown in Tables 1 and 2 was kneaded to prepare each flux composition according to Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 6.
Further, 9.5% by mass of each of the above flux compositions and 90.5% by mass of Sn-3Ag-0.5Cu solder alloy powder (particle size 20 μm to 45 μm) were mixed, and from Examples 1 to 11 and Comparative Example 1, Each solder paste according to No. 6 was prepared.
Unless otherwise specified, the numerical values shown in Tables 1 and 2 mean % by mass.

Figure 0007241795000001
Figure 0007241795000001

Figure 0007241795000002
※1 イソボルニルシクロヘキサノール 日本テルペン化学(株)製
※2 ラウリン酸アミド 東京化成工業(株)製
Figure 0007241795000002
*1 Isobornylcyclohexanol manufactured by Nippon Terpene Chemical Co., Ltd.
*2 Lauric acid amide manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.

<チップ部品の枕不良発生確認試験>
以下の用具を用意した。
・チップ部品(サイズ:1.6mm×0.8mm、Snめっき処理)
・上記チップ部品に対応するソルダレジストと電極(0.9mm×0.6mm、Ni/Auめっき処理)とを備えたプリント配線板
・前記電極のパターンと同じパターンを有するメタルマスク(厚さ:200μm)
実施例及び比較例に係る各ソルダペーストを、印刷機(製品名:SP60P-L、パナソニック(株)製)及び前記メタルマスクを用い、前記プリント配線板に印刷した。
なお、印刷時の条件は、スキージ速度:30mm/秒、スキージ角度:60度、版離れ速度:2mm/秒に設定した。
次いで、前記各プリント配線板に、30個ずつ前記チップ部品をマウンター(製品名:YV100X、ヤマハ発動機(株)製)を用いて搭載し、これらをリフロー炉(製品名:SMT Scope SK-5000、山陽精工(株)製)を用いて加熱し、前記各プリント配線板上に前記チップ部品を実装した。なお、この際のリフロー条件は、図1に示す温度プロファイルに従って行った。また酸素濃度は100±50ppmに設定した。
前記各プリント配線板上の電極と前記各チップ部品の電極とを接合する各はんだ接合部について、図2に示すような枕不良が発生しているかどうかを目視で確認し、以下の評価基準に従い評価した。その結果を表3及び表4に表す。
〇:枕不良の発生したチップ部品数が0個以上1個以下
△:枕不良の発生したチップ部品数が2個以上4個以下
×:枕不良の発生したチップ部品数が5個以上
<Confirmation test for occurrence of pillow defects in chip parts>
I prepared the following tools.
・Chip parts (size: 1.6 mm x 0.8 mm, Sn plating)
・Printed wiring board with solder resist and electrodes (0.9 mm × 0.6 mm, Ni/Au plating) corresponding to the above chip parts ・Metal mask with the same pattern as the electrode pattern (thickness: 200 μm) )
Each solder paste according to Examples and Comparative Examples was printed on the printed wiring board using a printing machine (product name: SP60P-L, manufactured by Panasonic Corporation) and the metal mask.
The printing conditions were squeegee speed: 30 mm/sec, squeegee angle: 60 degrees, and plate separation speed: 2 mm/sec.
Then, 30 chip parts were mounted on each printed wiring board using a mounter (product name: YV100X, manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd.), and these were placed in a reflow oven (product name: SMT Scope SK-5000). , manufactured by Sanyo Seiko Co., Ltd.), and the chip components were mounted on the printed wiring boards. In addition, the reflow condition at this time was performed according to the temperature profile shown in FIG. Also, the oxygen concentration was set to 100±50 ppm.
For each solder joint connecting the electrode on each printed wiring board and the electrode of each chip component, visually confirm whether or not a pillow defect as shown in FIG. 2 has occurred, according to the following evaluation criteria. evaluated. The results are shown in Tables 3 and 4.
〇: The number of chip components with bolster defects is 0 or more and 1 or less △: The number of chip components with bolster defects is 2 or more and 4 or less ×: The number of chip components with bolster defects is 5 or more

<チップ部品下ブリッジ発生確認試験>
各プリント配線板上に搭載するチップ部品数を10個とする以外は上記チップ部品の枕不良発生確認試験と同様の条件にて、各プリント配線板上の電極と各チップ部品の電極とを接合する各はんだ接合部を形成した。
そして、前記各プリント配線板上の電極と前記各チップ部品の電極とを接合する各はんだ接合部について、図3に示すようなチップ部品下ブリッジが発生しているかどうかを目視で確認し、以下の評価基準に従い評価した。その結果を表3及び表4に表す。
〇:チップ部品下ブリッジの発生したチップ部品数が0個
△:チップ部品下ブリッジの発生したチップ部品数が1個以上3個以下
×:チップ部品下ブリッジの発生したチップ部品数が4個以上
<Confirmation test for occurrence of bridging under chip parts>
The electrodes on each printed wiring board and the electrodes of each chip component are joined under the same conditions as the above test for confirming the occurrence of pillow defects in chip parts, except that the number of chip parts mounted on each printed wiring board is set to 10. Each solder joint was formed to
Then, for each solder joint connecting the electrode on each printed wiring board and the electrode on each chip component, visually confirm whether or not a bridge under the chip component as shown in FIG. 3 is generated. was evaluated according to the evaluation criteria of The results are shown in Tables 3 and 4.
○: The number of chip components with bridges under chip components is 0. △: The number of chip components with bridges under chip components is 1 to 3. ×: The number of chip components with bridges under chip components is 4 or more.

<フラックス残渣確認試験>
以下の用具を用意した。
・Cu板
・6mm×6mmのメタルマスク(厚さ:200μm)
実施例及び比較例に係る各ソルダペーストを、印刷機(製品名:SP60P-L、パナソニック(株)製)及び前記メタルマスクを用い、前記Cu板に印刷した。
なお、印刷時の条件は、スキージ速度:30mm/秒、スキージ角度:60度、版離れ速度:2mm/秒に設定した。
次いで、前記各Cu板をリフロー炉(製品名:SMT Scope SK-5000、山陽精工(株)製)を用いて加熱し、各試験基板を作製した。なお、この際のリフロー条件は、プリヒートを170℃から190℃で110秒間、ピーク温度を240℃とし、昇温速度を0.6℃/秒、220℃以上の時間が100秒間とした。また酸素濃度は100±50ppmに設定した。
そして、各試験基板について、各試験基板上にフラックス残渣が残っているかを目視で確認した。そして、以下の評価基準に従い評価した。その結果を表3及び表4に表わす。
〇:図4に示すように、はんだの外周部分にもはんだ表面にもフラックス残渣がほぼ存在しない
△:図5に示すように、はんだ表面にはフラックス残渣はほぼ存在しないが、はんだの外周部分にはフラックス残渣が若干存在する(円で囲った部分参照)
×:図6に示すように、はんだの外周部分とはんだ表面の両方にフラックス残渣が存在する(円で囲った部分参照)
<Flux residue confirmation test>
I prepared the following tools.
・Cu plate ・Metal mask of 6 mm × 6 mm (thickness: 200 μm)
Each solder paste according to Examples and Comparative Examples was printed on the Cu plate using a printing machine (product name: SP60P-L, manufactured by Panasonic Corporation) and the metal mask.
The printing conditions were squeegee speed: 30 mm/sec, squeegee angle: 60 degrees, and plate separation speed: 2 mm/sec.
Next, each Cu plate was heated using a reflow furnace (product name: SMT Scope SK-5000, manufactured by Sanyo Seiko Co., Ltd.) to prepare each test substrate. The reflow conditions at this time were preheating from 170° C. to 190° C. for 110 seconds, a peak temperature of 240° C., a temperature increase rate of 0.6° C./second, and a time of 220° C. or higher for 100 seconds. Also, the oxygen concentration was set to 100±50 ppm.
Then, for each test substrate, it was visually confirmed whether or not any flux residue remained on each test substrate. And it evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Tables 3 and 4.
○: As shown in FIG. 4, there is almost no flux residue on the solder surface or on the solder surface. △: As shown in FIG. 5, there is almost no flux residue on the solder surface, but on the solder periphery There is some flux residue in the (see circled part)
×: As shown in FIG. 6, flux residue is present on both the outer peripheral portion of the solder and the solder surface (see circled portion).

<総合評価>
上記の各試験の評価結果について、〇を2点、△を1点、×を0点と点数化した。
そして、上記各試験の評価結果(点数)について、以下の計算式に従い総合評価点数を算出した。なお、本実施形態においては、主たる課題を「はんだ接合後のフラックス残渣の低減」としていることから、以下の計算式では「フラックス残渣確認試験」の評価結果(点数)を2乗している。
(チップ部品の枕不良発生確認試験の評価結果)×(チップ部品下ブリッジ発生確認試験の評価結果)×(フラックス残渣確認試験」の評価結果)
そして、この算出した総合評価点数について、以下の基準に従い総合評価を行った。その結果を表3及び表4に表わす。
◎:8点以上
〇:4点以上7点以下
△:1点以上3点以下
×:0点
<Comprehensive evaluation>
The evaluation results of each of the above tests were scored as 2 points for ◯, 1 point for Δ, and 0 points for ×.
Then, for the evaluation results (scores) of each of the above tests, a comprehensive evaluation score was calculated according to the following formula. In this embodiment, since the main problem is "reduction of flux residue after soldering", the evaluation result (score) of the "flux residue confirmation test" is squared in the following calculation formula.
(Evaluation result of chip component pillow defect occurrence confirmation test) x (Chip component bottom bridge occurrence confirmation test evaluation result) x (Flux residue confirmation test” evaluation result) 2
Comprehensive evaluation was performed on the calculated comprehensive evaluation points according to the following criteria. The results are shown in Tables 3 and 4.
◎: 8 points or more ○: 4 points or more and 7 points or less △: 1 point or more and 3 points or less ×: 0 points

Figure 0007241795000003
Figure 0007241795000003

Figure 0007241795000004
Figure 0007241795000004

以上に示す通り、本実施例に係るフラックス組成物(無残渣フラックス組成物)は、活性剤(C)として、炭素数が3以上5以下の有機酸(C-1)とハロゲン化合物(C-2)とを併用し、且つこれらの配合量を調整することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、チップ部品の枕不良発生やチップ部品下のブリッジ発生を抑制することができるため、信頼性の高いはんだ接合部を提供することができる。

As described above, the flux composition (residue-free flux composition) according to this embodiment includes an organic acid (C-1) having 3 to 5 carbon atoms and a halogen compound (C- 2) and by adjusting the blending amounts of these, it is possible to reduce the flux residue remaining after soldering, and to suppress the occurrence of pillow defects in chip parts and the occurrence of bridges under chip parts. , can provide reliable solder joints.

Claims (8)

トリメチロールプロパンと、溶剤と、活性剤と、チクソ剤とを含む無残渣フラックス組成物であって
記活性剤は炭素数が3以上5以下の有機酸及びハロゲン化合物を含み、
前記炭素数が3以上5以下の有機酸の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して0.1質量%以上1.5質量%以下であり、
前記ハロゲン化合物の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して0.01量%以上0.1質量%以下であり、
前記炭素数が3以上5以下の有機酸は炭素数が3以上5以下のジカルボン酸であり、
前記ハロゲン化合物は臭素化合物及びヨウ素化合物の少なくとも一方であることを特徴とする無残渣フラックス組成物。
A residue-free flux composition comprising trimethylolpropane , a solvent , an activator, and a thixotropic agent ,
The activator contains an organic acid having 3 to 5 carbon atoms and a halogen compound ,
The amount of the organic acid having 3 to 5 carbon atoms is 0.1% by mass or more and 1.5% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition,
The amount of the halogen compound compounded is 0.01% by mass or more and 0.1% by mass or less with respect to the total amount of the residue-free flux composition,
The organic acid having 3 to 5 carbon atoms is a dicarboxylic acid having 3 to 5 carbon atoms,
A residue-free flux composition, wherein the halogen compound is at least one of a bromine compound and an iodine compound.
前記トリメチロールプロパンの配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して20質量%以上70質量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の無残渣フラックス組成物。2. The residue-free flux composition according to claim 1, wherein the trimethylolpropane content is 20% by mass or more and 70% by mass or less based on the total amount of the residue-free flux composition. 前記臭素化合物は2-ブロモ-n-ヘキサン酸及びジブロモブテンジオールの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の無残渣フラックス組成物。 3. The residue-free flux composition according to claim 1, wherein the bromine compound is at least one of 2-bromo-n-hexanoic acid and dibromobutenediol. 前記ヨウ素化合物は2-ヨード安息香酸及び3,5-ジヨードサリチル酸の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の無残渣フラックス組成物。 4. The residue-free flux composition according to claim 1, wherein the iodine compound is at least one of 2-iodobenzoic acid and 3,5-diiodosalicylic acid. 前記チクソ剤は炭素数が18以下の飽和脂肪酸アミドであることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の無残渣フラックス組成物。 5. The residue-free flux composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the thixotropic agent is a saturated fatty acid amide having 18 or less carbon atoms. 前記炭素数が18以下の飽和脂肪酸アミドはパルミチン酸アミド及びラウリン酸アミドの少なくとも一方であることを特徴とする請求項に記載の無残渣フラックス組成物。 6. The residue-free flux composition according to claim 5 , wherein the saturated fatty acid amide having 18 or less carbon atoms is at least one of palmitic acid amide and lauric acid amide. 前記チクソ剤の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して1質量%以上15質量%であることを特徴とする請求項1から請求項のいずれか1項に記載の無残渣フラックス組成物。 7. The residue-free flux composition according to any one of claims 1 to 6 , wherein the compounding amount of said thixotropic agent is 1% by mass or more and 15% by mass with respect to the total amount of the residue-free flux composition. . 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の無残渣フラックス組成物と、はんだ合金粉末とを含むことを特徴とするソルダペースト。 A solder paste comprising the residue-free flux composition according to claim 1 and a solder alloy powder.
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