JP6754941B2 - 回路保護素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、過電流が流れると溶断して各種電子機器を保護する回路保護素子およびその製造方法に関するものである。

従来のこの種の回路保護素子は、図８に示すように、絶縁基板１と、この絶縁基板１の両端部に設けられた一対の上面電極２と、この一対の上面電極２を橋絡するエレメント部３とを備え、エレメント部３の中央部に切欠部４を形成して他より幅が狭い溶断部５を１箇所設けていた。そして、過電流が印加されたときに溶断部５が溶融して断線するようにしていた。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献としては、例えば、特許文献１が知られている。

特開２００６−１６４６３９号公報

上記従来の構成においては、定格電流を高くしようとすると、通常使用時の溶断部５の表面温度上昇が大きくなるため、エレメント部３の長期信頼性が悪化して、溶断特性が劣化する等の不具合が発生する可能性があり、また、異常電流発生時に溶断部５に発生するアークが大きくなるため、溶断後の絶縁抵抗が低くなる等の不具合が発生する可能性があるという課題を有していた。

本発明は、上記課題を解決するもので、定格電流を高くすることができる回路保護素子およびその製造方法を提供することを目的とするものである。

上記目的を達成するために、本発明は、絶縁基板と、絶縁基板の両端部に設けられた複数対の上面電極と、複数対の上面電極を橋絡するように形成され、かつ複数対の上面電極と電気的にそれぞれ接続された複数のエレメント部と、複数のエレメント部にそれぞれ形成された溶断部とを備え、複数のエレメント部を並列になるように接続した構成とする。

また、エレメント部に形成された溶断部を複数形成し、複数の溶断部を直列に配置して接続した構成とする。

以上のように本発明の回路保護素子は、複数のエレメント部を並列に配置しているため、１つのエレメント部に流れる電流を低減でき、これにより、定格電流を高くしても、通常使用時の溶断部の表面温度上昇が小さくなるため、エレメント部の長期信頼性が悪化して溶断特性が劣化する等の不具合が発生する可能性を低減でき。また、２つの溶断部を直列に配置しているため、１つの溶断部に印加される電圧を低減でき、これにより、定格電圧を高くしても、異常電流発生時の溶断部のアークが小さくなるため、溶断後の絶縁抵抗が低くなる等の不具合を低減できるという効果を奏するものである。

本発明の実施の形態１における回路保護素子の一部切欠上面図 図１のＡ−Ａ線断面図 同回路保護素子の他の例の一部切欠上面図 同回路保護素子の他の例の一部切欠上面図 本発明の実施の形態２における回路保護素子の一部切欠上面図 図５のＣ−Ｃ線断面図 同回路保護素子の他の例の一部切欠上面図 従来の回路保護素子の断面図

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における回路保護素子の一部切欠上面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図を示したもので、この図１、図２に示すように、本発明の実施の形態１における回路保護素子は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた二対の上面電極１２と、この二対の上面電極１２を橋絡するように形成され、かつ前記二対の上面電極１２と電気的にそれぞれ接続されたエレメント部１３と、このエレメント部１３と前記絶縁基板１１との間に設けられた下地層１４と、前記下地層１４の上面に位置するエレメント部１３に形成された溶断部１５と、絶縁基板１１の両端部に形成されエレメント部１３と電気的に接続される銀系の材料からなる端面電極層１６とを備えた構成としている。

また、端面電極層１６の表面にはめっき膜（図示せず）が形成される。さらに、少なくとも溶断部１５を覆うようにエレメント部１３上に、シリコン樹脂からなる保護層１７が設けられている。なお、図１では、説明を簡単にするために、下地層１４、保護層１７を省略している。図３も同様である。

上記構成において、前記絶縁基板１１は、その形状が上面視で方形状または矩形状であり、そしてＡｌ₂Ｏ₃を５５％〜９６％含有するアルミナで構成されている。

また、前記二対の上面電極１２は、絶縁基板１１の上面の両端部に設けられ、かつＡｇ等を印刷することによって形成されている。なお、この二対の上面電極１２は、絶縁基板１１の上面の一端部に２つ、他端部に２つ設けられており、かつ二対の上面電極１２はそれぞれ互いに直接接続されていない。

そしてまた、前記エレメント部１３は、絶縁基板１１の少なくとも一部を覆うように形成し、下地層１４および二対の上面電極１２の上面に位置して設けられている。このエレメント部１３は、ＴｉやＣｕをスパッタすることによりスパッタ層を形成し、このスパッタ層をめっき核としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇをそれぞれ順番に無電解めっきすることにより形成されている。なお、スパッタのみで構成してもよく、また、他の材料を用いてもよい。

そしてさらに、エレメント部１３は、並列に配置された第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂの２つで構成されている。第１のエレメント部１３ａは一対の上面電極１２と電気的に接続され、第２のエレメント部１３ｂは他の一対の上面電極１２と電気的に接続されている。

また、第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂは、それぞれの中心部に、レーザによってトリミング溝１８が２ヶ所、互いに対向するその側面から中心方向に向かって形成されているもので、そしてこの２つのトリミング溝１８で囲まれた領域が、過電流が印加されたときに溶融して断線する溶断部１５となっている。溶断部１５は最も温
度が上がるホットスポットとなる。第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂは、それぞれ１つの溶断部１５を備えている。なお、トリミング溝１８は図１に示すような直線状ではなく、Ｌ字状などの他の形状としてもよい。また、必要に応じてトリミング溝１８の両サイドに抵抗値調整用のトリミング溝１９を別途形成する。

そしてまた、前記下地層１４は絶縁基板１１の上面の中央部に設けられており、かつこの下地層１４は複数対の上面電極１２間に位置する第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂと絶縁基板１１との間に設けられている。また、この下地層１４としては、ＳｉＯ₂等からなるガラスを主成分としたものや、シリコン樹脂などの樹脂を使用できる。

さらに、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂは、同一材料、同一厚みで構成され、下地層１４も同一の材質のものを使用している。したがって、両者の抵抗値は略同一で、溶断特性も略同一になっている。

また、側面から見て、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂに形成されたトリミング溝１８（溶断部１５）、抵抗値調整用トリミング溝１９の位置が重なっている。

そして、前記端面電極層１６は、絶縁基板１１の両端部に形成され、銀系の材料からなる。この端面電極層１６は、エレメント部１３と直接または上面電極１２を介して電気的に接続される。さらに、端面電極層１６を介して第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂとが並列に接続される。

前記保護層１７は、少なくとも溶断部１５を覆うようにエレメント部１３上に設けられ、シリコン樹脂からなる。また、保護層１７を第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂとの間にも形成し、隣り合う第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂとの間の接触を防いでいる。本発明の実施の形態１においては、比較的低電力で小形の面実装タイプに使用されるため、エレメント部１３の保護に用いられる保護層１７を隣り合う第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂとの間の接触を防ぐことにも用いることができる。保護層１７は、樹脂で構成されるため、第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂとの間の隙間に流し込むことができる。

次に、本発明の実施の形態１における回路保護素子の製造方法について説明する。

図１、図２において、まず、Ａｌ₂Ｏ₃を５５％〜９６％含有するアルミナで構成された絶縁基板１１の上面の両端部に、銀ペーストまたは銀を主成分とする銀パラジウム合金導体ペーストを印刷し、約８５０℃で焼成することにより二対の上面電極１２を形成する。

次に、絶縁基板１１の中央部に、ＳｉＯ₂等からなるガラスを主成分とするペースト、または樹脂を印刷して下地層１４を形成し、乾燥、硬化、または焼成させる。

次に、下地層１４および二対の上面電極１２の上面に第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂを形成する。この場合、第１のエレメント部１３ａは一対の上面電極１２間を橋絡して一対の上面電極１２と電気的に接続されるように構成する。第２のエレメント部１３ｂは他の一対の上面電極１２間を橋絡して他の一対の上面電極１２と電気的に接続されるように構成する。

そして、この第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂは、それぞれＴｉやＣｕをスパッタしてスパッタ層を形成し、このスパッタ層をめっき核としてＮｉ、Ｃｕ、Ａｇをそれぞれ順番に無電解めっきすることによって形成する。

このとき、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを、同時に同条件で形成できるため、両者の抵抗値を略同一、溶断特性を略同一にすることができる。

次に、下地層１４の上面における第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂそれぞれについて、その中心部の２ヶ所を、互いに対向するその側面から中心方向に向かってレーザで切削してトリミング溝１８を形成する。これにより、この２つのトリミング溝１８で囲まれたエレメント部１３の領域に、過電流が印加されたときに溶融して断線する溶断部１５が設けられる。なお、溶断部１５はトリミング溝１８によって形成するのではなく、エッチング等でパターニングして形成してもよい。

また、二対の上面電極１２間の抵抗値を測定しながら、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂに抵抗値調整用トリミング溝１９を別途形成して抵抗値を所定の値に修正する。このとき、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂは別々に所定の抵抗値になるように抵抗値を調整、修正（トリミング）する。

次に、シリコン等の樹脂を少なくとも溶断部１５を覆うように第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂ上に形成し、保護層１７を設ける。

次に、絶縁基板１１の両端部において第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂの両方と電気的に接続するように樹脂銀ペーストを塗布して硬化させることにより端面電極層１６を形成する。なお、この端面電極層１６はスパッタ等の薄膜プロセスによって形成してもよい。そして、この端面電極層１６によって、第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂとが並列接続されるようにする。

このように、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂを別々に所定の抵抗値になるように抵抗値を調整、修正（トリミング）した後に、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂ同士を並列に接続しているため、抵抗値精度が高くなる。

最後に、前記端面電極層１６に、ニッケルと錫の２層構造からなるめっき膜（図示せず）を形成する。

上記した本発明の実施の形態１においては、複数の第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂを並列に配置しているため、１つのエレメント部１３に流れる電流を低減でき、これにより、定格電流を高くしても、通常使用時の溶断部１５の温度上昇が小さくなるため、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂの長期信頼性が悪化して溶断特性が劣化する等の不具合を低減できるという効果が得られる。

すなわち、高電流が印加されても電流が第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂの両方に分流されるため、１つのエレメント部１３に流れる電流は小さくなり、これにより、１つのエレメント部１３当たりの溶断部１５の温度上昇は小さくなる。したがって、定格電流を高くすることが可能になる。さらに、過電流が印加されたときに第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂでほぼ同時に溶断部１５が溶融して断線する。

そして、上記した説明では、側面から見て、第１のエレメント部１３ａに形成された溶断部１５と、第２のエレメント部１３ｂに形成された溶断部１５の位置が重なっているが、図３に示すように、複数対の上面電極１２間に電流が流れる方向と垂直方向で、絶縁基板１１の中心部を通るＢ−Ｂ線に対して、片側に１つの溶断部１５を、もう片側に１つの溶断部１５を位置させれば、電流印加時のホットスポットが分散されるため、温度上昇が
より小さくなり、これにより、定格電流をより高くすることができる。さらに、側面から見てＢ−Ｂ線に対して線対称となる位置に２つの溶断部１５を形成すれば、温度分布が均一化してより好ましい。

なお、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを異なる抵抗値としてもよく、また、異なる溶断特性としてもよい。

このとき、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを異なる抵抗値とする場合、２つの第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂの厚みを変えたり抵抗値調整用トリミング溝１９の長さや本数を変えたりする。また、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを異なる溶断特性とする場合、２つの第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂの溶断部１５の面積を変えたり、熱伝導率が異なる下地層１４を使用したりする。

そして、上記の説明では、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを絶縁基板１１の片面に形成したが、第１のエレメント部１３ａを絶縁基板１１のおもて面、第２のエレメント部１３ｂを絶縁基板１１の裏面に形成してもよい。絶縁基板１１の片面に形成されるエレメント部１３が１つであるため、実装面積が小さくて済む。この場合も、２つの溶断部１５を上面視で重ならないようにすれば、電流印加時のホットスポットが分散され、好ましい。

このとき、絶縁基板１１の裏面に形成された第２のエレメント部１３ｂは、実装用基板に近いため、第１のエレメント部１３ａよりも放熱性がよい。したがって、第１のエレメント部１３ａに比べ、第２のエレメント部１３ｂの抵抗値をより高くしたり、より溶断し易くしたりする必要がある。

さらに、図４に示すように、二対の上面電極１２を絶縁基板１１の長辺側の両端部に形成してもよい。

第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂの幅方向の長さを長くすることができるため、それぞれの溶断部１５同士が各エレメント部の互いに対向する側面から離れ、これにより、溶断部１５同士の距離が長くなる。したがって、ホットスポットが分散され、温度上昇がより小さくなり、これにより、定格電流をより高くすることができる。なお、絶縁基板１１を矩形状とする。

このとき、さらに、小型化してもエレメント部１３ａ、１３ｂの幅が狭くなるのを防ぐことができるため、溶断部１５形成用のトリミング溝１８の先端部と、この先端部と対向するエレメント部の側辺との間の距離が、一対のトリミング溝１８間の距離より小さくなるという可能性は少なくなる。この結果、一定以上の電流値が流れたときに溶断部１５で溶断しないということは発生しにくくなるため、溶断特性を安定化させることができる。

（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２における回路保護素子の一部切欠上面図、図６は図５のＣ−Ｃ線断面図である。なお、この本発明の実施の形態２においては、上記した本発明の実施の形態１と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しており、その説明は省略する。

本発明の実施の形態２が上記した本発明の実施の形態１と相違する点は、図５、図６に示すように、エレメント部１３に溶断部１５を２つ形成し、２つの溶断部１５を直列に配置した点である。

なお、図５では、説明を簡単にするために、下地層１４、保護層１７を省略している。

このとき、絶縁基板１１の上面の両端部に上面電極１２（一対の上面電極１２ａ、１２ｂ）が設けられ、この一対の上面電極１２ａ、１２ｂは、それぞれ端面電極層１６と接続されている。

さらに、絶縁基板１１の上面の中央部には、他の上面電極１２ｃがＡｇ等を印刷することによって形成され、この他の上面電極１２ｃは、一対の上面電極１２ａ、１２ｂ、端面電極層１６とは直接接続されない。

そして、他の上面電極１２ｃの幅（一対の上面電極１２ａ、１２ｂ間に電流が流れる方向と垂直方向）の長さを、一対の上面電極１２ａ、１２ｂの幅の長さより短くしている。保護層１７と他の上面電極１２ｃとの間の隙間からめっき液等が浸入するのを防ぐためである。

そしてさらに、エレメント部１３は、直列に接続配置された第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂの２つで構成されている。また、第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂの間には、他の上面電極１２ｃが設けられている。第１のエレメント部１３ａは一方の上面電極１２ａと電気的に接続され、第２のエレメント部１３ｂは他方の上面電極１２ｂと電気的に接続されている。したがって、一方の上面電極１２ａと他の上面電極１２ｃとの間に第１のエレメント部１３ａが、他方の上面電極１２ｂと他の上面電極１２ｃとの間に第２のエレメント部１３ｂがそれぞれ形成される。

第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂは、それぞれ１つの溶断部１５を備えており、結果的に、２つの溶断部１５が直列に配置される。ここで、２つの溶断部１５が直列に配置されるというは、一対の上面電極１２ａ、１２ｂ間に電流が流れる方向と平行に２つの溶断部１５が並んでいることをいう。

さらに、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂは、同一材料、同一厚みで構成され、下地層１４も同一の材質のものを使用している。溶断部１５の面積も略同一となっている。したがって、両者の抵抗値は略同一で、溶断特性も略同一になっている。

ここで、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを、同時に同条件で形成することによって、両者の抵抗値を略同一、溶断特性を略同一にすることができる。

さらに、一対の上面電極１２ａ、１２ｂ間のエレメント部１３の抵抗値を所定の抵抗値になるように抵抗値修正する。このとき、一方の上面電極１２ａと他の上面電極１２ｃとの間の抵抗値を４端子測定しながら、第１のエレメント部１３ａにレーザ照射し抵抗値調整用トリミング溝１９を形成して抵抗値を所定の値に修正し、かつ他方の上面電極１２ｂと他の上面電極１２ｃとの間の抵抗値を４端子測定しながら、第２のエレメント部１３ｂにレーザ照射し抵抗値調整用トリミング溝１９を形成して抵抗値を所定の値に修正する。なお、２つのトリミング溝１８が形成された箇所の両サイドに抵抗値調整用トリミング溝１９を形成する。このとき、他の上面電極１２ｃを設けているため、エレメント部１３全体ではなく、第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂを別個に抵抗値測定、抵抗値修正ができる。

このように、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂは別々に所定の抵抗値になるように抵抗値を調整、修正（トリミング）しているため、抵抗値精度が高くなる。

そしてまた、下地層１４は、一方の上面電極１２ａと他の上面電極１２ｃとの間および他方の上面電極１２ｂと他の上面電極１２ｃとの間に位置する第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂと、絶縁基板１１との間に設けられている。

また、一対の上面電極１２ａ、１２ｂ間に電流が流れる方向と垂直方向で、絶縁基板１１の中心部を通る図５のＤ−Ｄ線に対して、紙面左右それぞれの位置に溶断部１５が形成されている。

上記した本発明の実施の形態２においては、２つの溶断部１５を直列に配置しているため、１つの溶断部１５に印加される電圧を低減でき、これにより、定格電圧を高くしても、異常電流発生時の溶断部１５のアークが小さくなるため、絶縁抵抗が低くなる等の不具合を低減できるという効果が得られるものである。

すなわち、高電圧が印加されてもその電圧が第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂの両方に分圧されるため、１つのエレメント部１３に印加される電圧は小さくなる。したがって、定格電圧を高くすることが可能になる。また、高電圧が印加されてもアークが発生しにくくなるため、その分、定格電圧を低電圧からより高い電圧側まで広い範囲に設定することができる。さらに、過電流が印加されたときに第１のエレメント部１３ａと第２のエレメント部１３ｂでほぼ同時に溶断部１５が溶融して断線する。

そして、２つの溶断部１５を直列に配置しているため、１つの溶断部１５に印加される電圧を低減でき、これにより、定格電圧を高くしても、通常使用時の溶断部１５の温度上昇が小さくなるため、エレメント部の長期信頼性が悪化して溶断特性が劣化する可能性を低減できる。

さらにまた、過電流が印加されて、第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂのうちいずれか一方の溶断部１５が先に溶断する場合、この一方の溶断部１５にアークが発生するが、一方の溶断部１５と直列接続された他方の溶断部１５には電流が流れたままになるため、この他方の溶断部１５にさらに高い電流が印加され、これにより、他方の溶断部１５がすばやく溶断するため、一方の溶断部１５に発生したアークもすばやく遮断される。アークの発生が長時間続くと、回路保護素子が大きく損傷したり、保護する各種電子機器に過電流が流れ続けたりしてしまう。

そして、図５において、一対の上面電極１２ａ、１２ｂ間に電流が流れる方向と垂直方向で、絶縁基板１１の中心部を通るＤ−Ｄ線に対して一方の溶断部１５が紙面左側に、他方の溶断部１５が紙面右側に位置しているため、電流印加時のホットスポットが分散され、これにより、温度上昇がより小さくなり、定格電流をより高くすることができる。さらに、Ｄ−Ｄ線に対して線対称となる位置に２つの溶断部１５を形成すれば、温度分布が均一化するためより好ましい。

また、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂに形成されたトリミング溝１８、抵抗値調整用トリミング溝１９の位置もＤ−Ｄ線に対して線対称としてもよい。

なお、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを異なる抵抗値としてもよく、また、異なる溶断特性としてもよい。

ここで、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂ（２つの溶断部１５）を異なる溶断特性とすると、いずれか一方の溶断部１５が確実に先に溶断するため、上記したように発生したアークをすばやく遮断できる。

このとき、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを異なる溶断特性とする場合、２つのエレメント部１３ａ、１３ｂの溶断部１５の面積を変えたり、熱伝導率が異なる下地層１４を使用したりする。また、第１のエレメント部１３ａ、第２のエレメント部１３ｂを異なる抵抗値とする場合、２つのエレメント部１３ａ、１３ｂの厚みを変えたり抵抗値調整用トリミング溝１９の長さや本数を変えたりする。

そして、上記の説明では、エレメント部１３において第１のエレメント部１３ａの溶断部１５と、第２のエレメント部１３ｂの溶断部１５を直列に配置したが、図７に示すように、２つの溶断部１５が直列に配置されたエレメント部１３を複数設け、これらを並列に接続してエレメント部１３ａ〜１３ｄを構成してもよい。

この構成により、上記した実施の形態１、２の両方の効果を得ることができる。また、ホットスポットをより多く分散させることができるため、温度上昇がより小さくなり、これにより、定格電流をより高くすることができる。

さらに、２つの溶断部１５が直列に配置されたエレメント部１３を別途絶縁基板１１の裏面に形成してもよい。この構成により、電流印加時のホットスポットがより多くの場所に分散されるため、好ましい。

また、本発明の実施の形態１、２では、中空ケース等を必要とせず、一般的によく使用されるアルミナからなる絶縁基板１１を使用し、この１つの絶縁基板１１に、２つの素子（第１、第２のエレメント部１３ａ、１３ｂ）をチップ抵抗器における１つの素子と同じような方法で形成しているため、現行のチップ抵抗器で用いられる材料、設備をそのまま使用でき、これにより、容易かつ安価に生産できる。さらに、例えば３２１６サイズに１チップ化でき、また、比較的低電力で小形の面実装タイプの回路保護素子が得られる。

なお、上記した本発明の実施の形態１、２においては、エレメント部１３を２つとしたが、３つ以上としてもよい。

また、回路保護素子について説明したが、定格電流が高いヒューズ抵抗等の他の電子部品にも本発明は適用できる。

本発明に係る回路保護素子およびその製造方法は、定格電流を高くすることができるという効果を有するものであり、特に過電流が流れると溶断して各種電子機器を保護する回路保護素子等において有用となるものである。

１１ 絶縁基板
１２ 上面電極
１３ エレメント部
１３ａ 第１のエレメント部
１３ｂ 第２のエレメント部
１５ 溶断部
１８ トリミング溝

Claims (4)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に設けられた複数対の上面電極と、前記複数対の上面電極を橋絡するように形成され、かつ前記複数対の上面電極と電気的にそれぞれ接続された複数のエレメント部と、前記複数のエレメント部にそれぞれ形成された溶断部とを備え、前記複数のエレメント部を並列になるように接続した回路保護素子において、前記複数のエレメント部それぞれを抵抗値修正した後、前記複数のエレメント部を並列に接続した回路保護素子の製造方法。
2. 絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に設けられた一対の上面電極と、前記一対の上面電極を橋絡するように形成され、かつ前記一対の上面電極と電気的に接続されたエレメント部と、前記エレメント部に形成された溶断部とを備え、前記溶断部を複数形成し、この複数の溶断部の溶断特性を互いに異なるようにするとともに、前記複数の溶断部を直列に配置した回路保護素子。
3. 前記複数の溶断部のそれぞれの間に他の上面電極を形成した請求項２に記載の回路保護素子。
4. 前記一対の上面電極間に電流が流れる方向と垂直方向の前記他の上面電極の長さを前記一対の上面電極の長さより短くした請求項３に記載の回路保護素子。