JP6686860B2 - 硫化物固体電解質の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)硫化物固体電解質の原料として用いられる硫化物は、保管時に劣化して一部が不純物に変化する(例えば、P2S5は、P4S9、P4S7に変化する。)が、該不純物はS量が少ない側にずれた組成を持つため、副生成物として単体Sが生成している。
(2)(1)により、原料に単体Sが内包されると、他の種類の原料と接触できなくなるため反応性が低くなり、電解質合成後も残留量が多くなる。
(3)硫化物固体電解質の合成中に単体Sが発生する。
(4)硫化物固体電解質をガラスセラミックス化するための熱処理工程において、S−S結合が発生し、単体Sが発生する。
なお、特許文献1には、洗浄後の硫化物固体電解質中の残留単体硫黄成分量が1重量%以下となることが記載されているが、該残留単体硫黄成分量は、硫化物固体電解質を洗浄した有機溶媒の上澄み液を抜き取り、該上澄み液をミリポアフィルタで濾過して得た更なる上澄み液をガスクロで定量することに測定されており、有機溶媒で捉えきれず硫化物固体電解質に残留している単体S成分、又は、上澄み液を抜き取る際に取り逃してしまった単体S成分をカウントできていない虞がある。よって、硫化物固体電解質中に実際に残留している単体S成分の量は、特許文献1に記載の測定量よりも多くなるものと推測される。
本開示は、電解質原料から硫化物固体電解質材料を合成する合成工程と、上記合成工程後に、上記硫化物固体電解質材料を単体硫黄と化学結合可能なガスのフロー中で、上記単体硫黄の融点以上の温度で加熱するガスフロー加熱工程と、を有する、硫化物固体電解質の製造方法である。
以下、本開示の一実施形態に係る製造方法(以下、単に「S10」ということがある。)が有する各工程について説明する。
合成工程(以下、単に「S1」ということがある。)は、電解質原料から硫化物固体電解質材料を合成する工程である。
本開示に用いる電解質原料は、硫化物固体電解質材料の原料となるものであれば特に限定されないが、少なくともLi2Sと、P2S3、P2S5、SiS2、GeS2、B2S3及びAl2S3から選択される1種以上の硫化物とを含むことが好ましく、少なくともLi2SとP2S5とを含むことがより好ましい。また、電解質原料は、上記硫化物に加えて他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、後述するLiX(Xはハロゲンである。)、Li2O等が挙げられる。
S1において、電解質原料から硫化物固体電解質材料を合成する方法は特に限定されないが、例えば、メカニカルミリング(湿式若しくは乾式)法又は溶融急冷法により、電解質原料を非晶質化することにより合成することができる。中でも、常温での処理が可能であることにより製造コストを低減しやすい等の観点から、メカニカルミリング法が好ましい。メカニカルミリング法は湿式で行っても乾式で行っても良い。湿式のメカニカルミリング法は、ボールミル機等の容器に電解質原料とともに液体を投入することにより行うことができる。
ガスフロー加熱工程(以下、単に「S2」ということがある。)は、S1後に、上記硫化物固体電解質材料を単体硫黄と化学結合可能なガス(以下、「S反応性ガス」ということがある。)のフロー中で、上記単体硫黄の融点以上の温度で加熱する工程である。
そのメカニズムは以下の(1)〜(4)のように考えられる。
(1)硫化物固体電解質材料を単体Sの融点以上の温度で加熱することにより、硫化物固体電解質材料に含まれる単体Sが融解し、硫化物固体電解質材料の表面に溶出する。
(2)(1)において硫化物固体電解質材料の表面に溶出した液体の単体Sは、硫化物固体電解質材料の表面から揮発する。
(3)(1)において硫化物固体電解質材料の表面に溶出した液体の単体Sは、フロー中のS反応性ガスと化学反応してガス状化合物を生成する。
(4)(2)において揮発した単体S及び(3)において生成したガス状化合物は、フローに乗ってフローの下流側に運ばれ、硫化物固体電解質材料から除去される。
H2S+S→H2S2 (I)
H2+S→H2S (II)
S2においてフローさせるガスの流量(S反応性ガスと不活性ガスとを混合してフローさせる形態においては、混合ガスの総流量)は特に限定されないが、例えば、0.1ml/min〜5000ml/minが好ましい。
硫化物固体電解質材料の結晶化温度は、示差熱分析(DTA)により決定することができる。硫化物固体電解質材料の結晶化温度は、硫化物固体電解質材料の組成によって異なるが、例えば、130℃以上250℃以下の範囲内である。
なお、単体Sの融点以上且つ硫化物固体電解質材料の結晶化温度未満の温度でS2を行った後、さらに、硫化物固体電解質材料の結晶化温度以上の温度で加熱を行い、ガラスセラミックスである硫化物固体電解質を得てもよい。また、例えば、S2の前半を単体硫黄の融点以上且つ硫化物固体電解質材料の結晶化温度未満の温度で行い、後半を硫化物固体電解質材料の結晶化温度未満の温度以上の温度で行う形態のように、S2の途中で加熱の温度を変更する形態としてもよい。
S10は、S1の前に、上記硫化物に熱処理を施す熱処理工程(以下、単に「P1」ということがある。)を有することが好ましい。
S10は、S1後且つS2前に、硫化物固体電解質材料を微粒化する微粒化工程(以下、単に「P2」ということがある。)を有することが好ましい。
E=1/2nmv2/s・t …式(1)
式(1)において、nはメディアの数(個)、mはメディア1個当たりの重量(kg)、vはメディアの速度(m/s)、sは硫化物固体電解質材料の量(g)、tは処理時間(秒)である。式(1)は、メディア(例えばビーズ、ボール)の運動エネルギーが、全て硫化物固体電解質材料の粉砕に用いられたと仮定した場合の総粉砕エネルギーを示している。
なお、メディアの速度vは、メディア型粉砕処理の種類に応じて、適宜求めることができる。例えば遊星型ボールミルである場合、メディアの速度vは下記式(2)で求めることができる。
v=dπRα/1000/60 …式(2)
式(2)において、dはポット(容器)の直径(mm)、Rは台盤回転数(rpm)、αは自公転比である。
S10は、S2後に得られる硫化物固体電解質を有機溶媒で洗浄する洗浄工程(以下、単に「P3」ということがある。)を有することが好ましい。
<実施例1>
(合成工程)
電解質原料として、硫化リチウム(Li2S、日本化学工業製、純度99.9%。以下において同じ。)、五硫化二リン(P2S5、Aldrich製、純度99.9%。以下において同じ。)、臭化リチウム(LiBr、高純度化学研究所製、純度99.9%。以下において同じ。)、及びヨウ化リチウム(LiI、Aldrich製、純度99.9%。以下において同じ。)を用いた。これらの電解質原料を、モル比がLi2S:P2S5:LiBr:LiI=56.25:18.75:15:10となるように秤量した。秤量した電解質原料をトリデカンとともに、遊星型ボールミル機の容器(45ml、ZrO2製)に投入し、さらに直径5mmのZrO2ボールを容器へ投入し、容器を完全に密閉した。290rpmで20時間に亘ってメカニカルミリングを行うことにより、電解質原料を非晶質化し、硫化物固体電解質材料75(0.75Li2S・0.25P2S5)・15LiBr・10LiIを合成した。メカニカルミリング終了後に、容器から75(0.75Li2S・0.25P2S5)・15LiBr・10LiIを回収し、80℃で真空乾燥してトリデカンを除去することにより硫化物固体電解質材料75(0.75Li2S・0.25P2S5)・15LiBr・10LiIを得た。
合成工程後の容器から回収した硫化物固体電解質材料75gと、脱水へプタン(キシダ化学製)120g及び脱水nーブチルエーテル(キシダ化学製)80gと、ZrO2製粉砕メディア(粒径Φ0.3mm)400gとをZrO2製ポットに投入し、ポットを完全に密閉した(Ar雰囲気)。このポットを遊星型ボールミル機(FRITSCH製P−5)に取り付け、150rpmで22時間に亘って湿式メカニカルミリングを行うことにより、硫化物固体電解質材料を微粒化した。
微粒化後の材料から粉砕メディアを分離して得た硫化物固体電解質材料スラリーを、120℃に設定したホットプレートで3時間乾燥し、平均粒径(D50)0.5μmの硫化物固体電解質材料を得た。ここで、平均粒径(D50)としては、レーザー散乱・回折式粒度分布測定機(日機装製マイクロトラックMT 3300EXII)で測定した体積基準の粒子径分布において、微粒子側からの累積50体積%に相当するメジアン径を採用した。
乾燥した硫化物固体電解質材料15gを2口丸底フラスコに投入し、ガス(H2S:150mL/min、Ar:150mL/minの混合ガス)を流通させながら、200℃のオイルバスで3時間加熱し、実施例1に係る硫化物固体電解質を得た。
ガスフロー加熱工程の後に、以下に示す洗浄工程及び乾燥工程を行った以外は、実施例1と同様に、実施例2に係る硫化物固体電解質を得た。
(洗浄工程)
ガスフロー加熱工程の後に得られた硫化物固体電解質15gを、有機溶媒(キシダ化学製脱水トルエン)150g/回を用いて3回洗浄した。
(乾燥工程)
洗浄工程後に12時間静置した後、120℃のホットプレートで1時間乾燥した。
合成工程の前に、以下に示す熱処理工程を行った以外は実施例2と同様に、実施例3に係る硫化物固体電解質を得た。
(熱処理工程)
硫化物固体電解質の原料であるP2S550gを密閉容器に投入し、圧力をfull vacuumに設定し、200℃の伝熱ヒータで10時間加熱した。
(純度測定)
熱処理工程の前後のP2S5の純度を液体P−NMRにより測定したところ、熱処理工程前に約50%であった純度が、熱処理工程後に約80%に向上していた。
ガスフロー加熱工程に代えて、以下に示す減圧加熱工程を行った以外は実施例1と同様に、比較例1に係る硫化物固体電解質を得た。
(減圧加熱工程)
乾燥した硫化物固体電解質15gを密閉容器に投入し、圧力500Paの減圧下、200℃のオイルバスで3時間加熱した。
比較例1の減圧熱処理工程の後に、実施例2、3で行った洗浄工程及び乾燥工程を行った以外は比較例1と同様に、比較例2に係る硫化物固体電解質を得た。
<単体S残留量分析(TPD−MS分析)>
実施例1〜3、比較例1、2で作製した硫化物固体電解質中の単体S残留量をTPD−MS分析によって測定した。使用した装置及び測定条件を以下に示す。結果を表1に示す。
島津製作所製 GC/MS QP5050A(4)
昇温速度 10℃/min
温度 25〜500で
希釈ガス He 50mL/min
(電池作製)
以下に示すように圧粉コイン電池(全固体電池)を作製し、電池評価を行った。実施例1〜3、比較例1、2に係る硫化物固体電解質は、正極合剤層、負極合剤層にそれぞれ用いた。
正極活物質としてLiNi1/3Co1/3Mn1/3O2粒子(活物質粒子)を、LiNbO3(酸化物系固体電解質)により被覆した複合粒子を、硫化物固体電解質として実施例1〜3、比較例1、2のいずれかに係る硫化物固体電解質を、導電性材料として気相成長炭素繊維(VGCF)を、結着剤としてPVdFを、それぞれ準備した。これら正極活物質、硫化物固体電解質、導電性材料(VGCF)、及び結着剤(PVdF)を、正極活物質:硫化物固体電解質:導電性材料:結着剤=84.0重量%:13.4重量%:1.3重量%:1.3重量%となるように混合し、正極合剤を調製した。
セパレータ層(固体電解質層)の材料として、硫化物固体電解質材料75(0.75Li2S・0.25P2S5)・15LiBr・10LiI粒子を準備した。
負極活物質として天然黒鉛を、硫化物固体電解質として実施例1〜3、比較例1、2のいずれかに係る硫化物固体電解質を、結着剤としてPVdFを、それぞれ準備した。負極活物質、硫化物固体電解質、及び結着剤(PVdF)を、負極活物質:硫化物固体電解質:結着剤=54.3重量%:44.9重量%:0.8重量%となるように混合し、負極合剤を調製した。
まず、固体電解質層の材料である75(0.75Li2S・0.25P2S5)・15LiBr・10LiI粒子の圧粉体を形成した。次に、当該圧粉体の一方の面に正極合剤を、他方の面に負極合剤を、それぞれ配置し、プレス圧6ton/cm2、プレス時間1分間で平面プレスし、積層体を得た。このとき得られた積層体において、正極合剤層の厚さは41μm、負極合剤層の厚さは53μmであり、セパレータ層の厚さは15μmであった。当該積層体を、積層方向に15MPaの圧力で拘束することにより、圧粉コイン電池を作製した。
正極からリチウムイオンを脱離(放出)させる過程を「充電」、正極にリチウムイオンを挿入(吸蔵)させる過程を「放電」とし、充放電試験装置(北斗電工社製、HJ−1001 SM8A)を使用して、充放電試験を行った。電流値を1/3C(0.615mA)とし、温度25℃で、3V(放電)から4.37V(充電)の範囲で充電及び放電を繰り返し、3サイクル目の放電容量を初期容量とした。その後、温度60℃、充電電位4.1Vで28日間保存した後、初期と同様に保存後の放電容量を測定し、初期容量に対する保存後の容量の比を容量維持率とした。結果を表1に示す。
(容量維持率)=(保存後CC放電容量)/(初期CC放電容量)×100(%)
表1に示すように、実施例1〜3に係る硫化物固体電解質は、比較例1、2に係る硫化物固体電解質よりも単体S量が大幅に低減されており、容量維持率が向上していた。硫化物固体電解質中に含まれる単体Sは充電状態における負極活物質と反応すると考えられ、実施例1〜3では比較例1、2よりも硫化物固体電解質に含まれる単体S量を低減することにより、単体Sと負極活物質との反応が抑制され、容量維持率が向上したと考えられる。
Claims (7)
- 電解質原料から硫化物固体電解質材料を合成する合成工程と、
前記合成工程後に、前記硫化物固体電解質材料を単体硫黄と化学結合可能なガスのフロー中で、前記単体硫黄の融点以上500℃未満の温度で加熱するガスフロー加熱工程と、を有する、硫化物固体電解質の製造方法。 - 前記ガスがH2Sガスである、請求項1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- さらに、前記ガスフロー加熱工程後に得られる硫化物固体電解質を有機溶媒で洗浄する洗浄工程を有する、請求項1又は2に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記電解質原料が、少なくともLi2Sと、P2S3、P2S5、SiS2、GeS2、B2S3及びAl2S3から選択される1種以上の硫化物とを含み、
前記合成工程の前に、前記硫化物に熱処理を施す熱処理工程を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。 - 前記電解質原料が、少なくともLi2SとP2S5とを含む、請求項4に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記合成工程の後且つ前記ガスフロー加熱工程の前に、前記硫化物固体電解質材料を微粒化する微粒化工程を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記ガスフロー加熱工程において、前記硫化物固体電解質材料を、該硫化物固体電解質材料の結晶化温度以上の温度で加熱し、ガラスセラミックスである硫化物固体電解質を得る、請求項1〜6のいずれか1項に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
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