JP6424205B2 - 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、シリコンウエハなどの半導体関連部材を分割加工することにより形成された部材であるチップを製造する際に使用される半導体関連部材加工用シートおよびその半導体関連部材加工用シートを用いるチップの製造方法に関する。

シリコンウエハなどの半導体関連部材からチップを製造する方法の一例として、次の様な方法が挙げられる。まず、基材と粘着剤層とを備えた半導体関連部材加工用シートの粘着剤層側の面を、半導体関連部材の回路が形成された面（本明細書において、この面を「部材おもて面」ということがある。）に貼付する。次に、部材おもて面と反対側の露出面側から半導体関連部材を研削して、半導体関連部材の厚さを低減させる。続いて、半導体関連部材の研削面（本明細書において、この面を「部材裏面」ということがある。）に別の半導体関連部材加工用シートを貼付し、部材おもて面に貼付される半導体関連部材加工用シートを剥離する。そして、この別の半導体関連部材加工用シートが貼付している半導体関連部材に対して分割加工を行って、別の半導体関連部材加工用シートの粘着剤層側の面に多数のチップが貼着した状態にある構造体を得る。最後に、この構造体からチップを個別にピックアップすることにより、チップを得ることができる。

このように、半導体関連部材からチップを製造する際には、半導体関連部材やチップの面に対して、半導体関連部材加工用シートを貼付したり剥離（ピックアップを含む。以下同じ。）したりする作業が行われる場合が多い。研削後のシリコンウエハのように、半導体関連部材は厚さが数十μｍ程度である場合もあるため、半導体関連部材加工用シートの剥離性を高めることは、半導体関連部材の品質管理上重要な課題である。

本明細書において、「剥離性」とは、半導体関連部材加工用シートの特性の一つであって、半導体関連部材加工用シートが貼着した状態にある半導体関連部材またはチップ（以下、これらを「被着体」と総称する場合もある。）から半導体関連部材加工用シートを剥離する際に、被着体に欠けや割れなどの品質上の問題を生じさせにくくする特性をいう。ダイシングシートからチップをピックアップする際にチップに加えられる力を低減して、チップに欠けや割れなどが生じにくくなるようにする特性であるピックアップ適性は、上記の剥離性の一具体例と位置付けられる。剥離性に優れる半導体関連部材加工用シートを用いると、半導体関連部材加工用シートを被着体から剥離する際に被着体の欠けや割れなどの問題が生じにくい。

半導体関連部材加工用シートの剥離性を高めるために、通常、半導体関連部材加工用シートの粘着剤層は特定の刺激によりその粘着性が低下するように設計されており、特定の刺激として、たとえば紫外線や電子線などのエネルギー線照射が採用される。

また、ピックアップ不良を解消する観点、すなわち、ダイシングテープのピックアップにおける剥離性を高める観点から、粘着剤層に遊離のエポキシ基含有化合物を含有させる技術が特許文献１に開示されている。

特開２００８−１９２９１７号公報

特許文献１に開示されるように、粘着剤層に遊離のエポキシ基含有化合物を含有させることは、ピックアップ時間を短縮したりピックアップ力を低減させたりするために有効な手段の一つである。しかしながら、上記の手段のみで半導体関連部材加工用シートの剥離性をさらに高めようとすると、粘着剤層内の遊離のエポキシ基含有化合物の含有量を増加させる必要がある。遊離のエポキシ基含有化合物の含有量を増加させた粘着剤層を備える半導体関連部材加工用シートを用いて半導体関連部材からチップを製造したときに、そのチップを備える部材（モールドチップ、保護膜付チップなどが具体例として挙げられる。）の信頼性を維持することが困難になる可能性があることが、本発明者らの検討により明らかになった。

本発明は、かかる現状を鑑み、半導体関連部材加工用シートを用いて半導体関連部材から製造したチップを備える部材の信頼性低下を安定的に抑制し、好ましくは半導体関連部材加工用シートの剥離性を向上させ得る半導体関連部材加工用シート、およびそのシートを用いるチップの製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために本発明者らが検討した結果、次の新たな知見が得られた。すなわち、エネルギー線重合性官能基を有するとともに分岐構造を有する重合体（本明細書において、かかる重合体を「重合性分岐重合体」ともいう。）を含有する粘着剤層を備える半導体関連部材加工用シートを用いることにより、当該半導体関連部材加工用シートを用いて半導体関連部材から製造したチップを備える部材の信頼性が低下しにくくなることを、安定的に達成することが可能である。また、重合性分岐重合体は、特許文献１に開示される遊離のエポキシ基含有化合物に比べて、半導体関連部材加工用シートの粘着剤層における含有量が少量であっても、半導体関連部材加工用シートの剥離性を高めることができる。

かかる知見に基づき完成された本発明は次のとおりである。
（１）基材と、前記基材の一方の面の上方に設けられた粘着剤層とを備えた半導体関連部材加工用シートであって、前記粘着剤層は、エネルギー線重合性官能基を有するエネルギー線重合性化合物を含有し、前記エネルギー線重合性化合物の少なくとも１種は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体であり、前記半導体関連部材加工用シートの前記粘着剤層側の面を、シリコンウエハの鏡面に貼付し、前記半導体関連部材加工用シートにエネルギー線を照射して、前記シリコンウエハの鏡面に対する前記粘着剤層の粘着性を低下させた後、前記半導体関連部材加工用シートを前記シリコンウエハから剥離して得られる、前記シリコンウエハにおける前記半導体関連部材加工用シートが貼着していた鏡面を測定対象面として、２５℃、相対湿度５０％の環境下で、水滴を用いて測定された水に対する接触角が４０°以下であることを特徴とする半導体関連部材加工用シート。

（２）前記重合性分岐重合体はポリスチレン換算重量平均分子量が１００，０００以下である、上記（１）に記載の半導体関連部材加工用シート。

（３）前記エネルギー線重合性化合物は、ポリスチレン換算重量平均分子量が１００，０００以上の物質である重合性高分子化合物を含む、上記（１）または（２）に記載の半導体関連部材加工用シート。

（４）前記半導体関連部材加工用シートは、前記粘着剤層側の主面を測定対象面、シリコンウエハの鏡面を被着面として、前記測定対象面と被着面とを貼合させてから前記粘着剤層に対してエネルギー線を照射して前記測定対象面の前記被着面に対する粘着性を低下させた後に、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して１８０°引き剥がし試験を行ったときに測定される粘着力が、１００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、上記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体関連部材加工用シート。

（５）上記（１）から（４）のいずれかに記載される半導体関連部材加工用シートの前記粘着剤層側の面を、半導体関連部材の一の面に貼付する貼付工程、前記半導体関連部材加工用シート上の前記半導体関連部材を分割して、前記粘着剤層に貼着する複数のチップを得る分割工程、前記粘着剤層にエネルギー線を照射して、前記粘着剤層に貼着する前記複数のチップの面に対する前記粘着剤層の粘着性を低下させる照射工程、および前記半導体関連部材加工用シートの粘着剤層から前記複数のチップを分離させて個別のチップを得るピックアップ工程を備えることを特徴とするチップの製造方法。

（６）前記半導体関連部材が貫通電極を有するシリコンウエハを備える、上記（５）に記載の製造方法。

本発明に係る半導体関連部材加工用シートを用いることにより、当該チップを備える部材の信頼性が低下しにくいチップを半導体関連部材から製造することが可能となる。好ましい一形態においては、半導体関連部材加工用シートの剥離性を高めることも達成されうる。

本発明の一実施形態に係る半導体関連部材加工用シートの概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
図１に示されるように、本発明の一実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は、基材２と、基材２の一方の面の上方に設けられた粘着剤層３とを備える。本明細書において、半導体関連部材とは半導体製造で使用される材料を意味し、例えば、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮ等の半導体ウエハ、アルミナ、サファイア等のセラミック基板、半導体パッケージ、ガラス部材などが挙げられる。

１．基材
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の基材２は、半導体関連部材加工用シート１を被着体に貼付する際、半導体関連部材加工用シート１を被着体から剥離する際など、半導体関連部材加工用シート１を使用する際に破断しない限り、その構成材料は限定されず、通常は樹脂系の材料を主材とするフィルムから構成される。

そのフィルムの具体例として、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム、中密度ポリエチレン（ＭＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリウレタンフィルム；ポリイミドフィルム；ポリスチレンフィルム；ポリカーボネートフィルム；フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。上記の基材２はこれらの１種からなるフィルムでもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた積層フィルムであってもよい。なお、本明細書における「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸およびメタクリル酸の両方を意味する。他の類似用語についても同様である。

基材２を構成するフィルムは、エチレン系共重合フィルムおよびポリオレフィン系フィルムの少なくとも一種を備えることが好ましい。
エチレン系共重合フィルムは共重合比を変えることなどによりその機械特性を広範な範囲で制御することが容易である。このため、エチレン系共重合フィルムを備える基材２は本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の基材として求められる機械特性を満たしやすい。また、エチレン系共重合フィルムは粘着剤層３に対する密着性が比較的高いため、半導体関連部材加工用シート１を使用した際に基材２と粘着剤層３との界面での剥離が生じにくい。

エチレン系共重合フィルムおよびポリオレフィン系フィルムは、半導体関連部材加工用シートとしての特性に悪影響を及ぼす成分（例えば、ポリ塩化ビニル系フィルムなどでは、当該フィルムに含有される可塑剤が基材２から粘着剤層３へと移行し、さらに粘着剤層３の基材２に対向する側と反対側の面に分布して、粘着剤層３の被着体の面に対する粘着性を低下させる場合がある。）の含有量が少ないため、粘着剤層３の被着体の面に対する粘着性が低下するなどの問題が生じにくい。すなわち、エチレン系共重合フィルムおよびポリオレフィン系フィルムは化学的な安定性に優れる。

基材２は、上記の樹脂系材料を主材とするフィルム内に、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤が含まれていてもよい。顔料としては、例えば、二酸化チタン、カーボンブラック等が挙げられる。また、フィラーとして、メラミン樹脂のような有機系材料、ヒュームドシリカのような無機系材料およびニッケル粒子のような金属系材料が例示される。こうした添加剤の含有量は限定されないが、基材２が所望の機能を発揮し、平滑性や柔軟性を失わない範囲に留めるべきである。

粘着剤層３を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材２は紫外線に対して透過性を有することが好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には基材２は電子線の透過性を有していることが好ましい。

また、基材２の粘着剤層３側の面（以下、「基材第一面」ともいう。）には、カルボキシル基、ならびにそのイオンおよび塩からなる群から選ばれる１種または２種以上を有する成分が存在することが好ましい。基材２における上記の成分と粘着剤層３に係る成分（粘着剤層３を構成する成分および架橋剤（Ｃ）などの粘着剤層３を形成するにあたり使用される成分が例示される。）とが化学的に相互作用することにより、これらの間で剥離が生じる可能性を低減させることができる。

基材第一面にそのような成分を存在させるための具体的な手法は限定されない。基材２自体を例えばエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム等として、基材２を構成する材料となる樹脂がカルボキシル基、ならびにそのイオンおよび塩からなる群から選ばれる１種または２種以上を有するものとするのであってもよい。基材第一面に上記成分を存在させる他の手法として、基材２は例えばポリオレフィン系フィルムであって、基材第一面側にコロナ処理が施されていたり、プライマー層が設けられていたりしてもよい。また、基材２の基材第一面と反対側の面には各種の塗膜が設けられていてもよい。

基材２の厚さは、半導体関連部材加工用シート１を使用する際に破断などの不具合が生じない限り、限定されない。好ましくは２０μｍ以上４５０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以上４００μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以上３５０μｍ以下の範囲にある。

２．粘着剤層
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１が備える粘着剤層３は、主剤（Ａ）およびエネルギー線重合性化合物（Ｂ）、さらに必要に応じ架橋剤（Ｃ）などを含有する粘着剤組成物から形成されたものである。後述するように、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が主剤（Ａ）としての性質を有する場合には、粘着剤組成物は、主剤（Ａ）としての性質を有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）以外に別途主剤（Ａ）となる成分を含有しないこともある。

（１）主剤（Ａ）
主剤（Ａ）の種類は、粘着剤層、特にエネルギー線を照射する前の粘着剤層に適切な粘着性を付与できる限り、限定されない。かかる主剤（Ａ）として、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の樹脂材料が例示される。以下、アクリル系の材料の一種であるアクリル系重合体（Ａ１）についてやや詳しく説明する。

アクリル系重合体（Ａ１）としては、従来公知のアクリル系の重合体を用いることができる。アクリル系重合体（Ａ１）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、塗工時の造膜性の観点から１０，０００以上２，０００，０００以下であることが好ましく、１００，０００以上１，５００，０００以下であることがより好ましい。

なお、実施例を含め、本明細書において、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）の値は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による標準ポリスチレン換算値として測定された値を意味する。具体的には、ＧＰＣ測定装置（東ソー社製「ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ」）を使用して、以下に示す条件にて行うものとする。
カラム：ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ→ＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ→ＴＳＫｇｅｌ２０００ＨＸＬ
測定温度：４０℃
流速：１ｍｌ／分
検出器：示差屈折計

アクリル系重合体（Ａ１）のガラス転移温度Ｔｇは、好ましくは−７０℃以上３０℃以下、さらに好ましくは−６０℃以上２０℃以下の範囲にある。ガラス転移温度Ｔｇは、Ｆｏｘ式より計算することができる。

上記アクリル系重合体（Ａ１）は、１種類のアクリル系モノマーから形成された単独重合体であってもよいし、複数種類のアクリル系モノマーから形成された共重合体であってもよいし、１種類または複数種類のアクリル系モノマーとアクリル系モノマー以外のモノマーとから形成された共重合体であってもよい。アクリル系モノマーとなる化合物の具体的な種類は限定されず、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、その誘導体（アクリロニトリルなど）が具体例として挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルについてさらに具体例を示せば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等の鎖状骨格を有する（メタ）アクリレート；シクロへキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、イミドアクリレート等の環状骨格を有する（メタ）アクリレート；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の水酸基を有する（メタ）アクリレート；グリシジル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチルアミノエチル（メタ）アクリレート等の水酸基以外の反応性官能基を有する（メタ）アクリレートが挙げられる。また、アクリル系モノマー以外のモノマーとして、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン、酢酸ビニル、スチレンなどが例示される。なお、アクリル系モノマーがアルキル（メタ）アクリレートである場合には、そのアルキル基の炭素数は１から１８の範囲であることが好ましい。

本実施形態に係る粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物が、後述するようにアクリル系重合体（Ａ１）を架橋しうる架橋剤（Ｃ）を含有している場合には、アクリル系重合体（Ａ１）が有する反応性官能基の種類は限定されず、架橋剤（Ｃ）の種類などに基づいて適宜決定すればよい。架橋剤（Ｃ）がポリイソシアネート化合物である場合には、アクリル系重合体（Ａ１）が有する反応性官能基として、水酸基、カルボキシル基、アミノ基などが具体例として挙げられる。これらのうちでも、架橋剤（Ｃ）がポリイソシアネート化合物である場合には、イソシアネート基との反応性の高い水酸基を反応性官能基として採用することが好ましい。アクリル系重合体（Ａ１）に反応性官能基として水酸基を導入する方法は限定されない。一例として、アクリル系重合体（Ａ１）が２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどの水酸基を有するアクリレートに基づく構成単位を骨格に含有する場合が挙げられる。

（２）エネルギー線重合性化合物（Ｂ）
本実施形態に係る粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物が含有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）は、エネルギー線重合性基を有し、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けて重合反応することができる限り、具体的な構成は限定されない。エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が重合することによって粘着剤層３の被着体の面に対する粘着性が低下して、剥離しやすくなる。エネルギー線が照射されるまでは、エネルギー線重合性基の重合反応は実質的に生じないため、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３は、エネルギー線が照射される前の状態において、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）を含有する。

エネルギー線重合性基の種類は限定されない。その具体例として、ビニル基、（メタ）アクリロイル基等のエチレン性不飽和結合を有する官能基などが挙げられる。粘着剤組成物が架橋剤（Ｃ）を含有する場合には、エネルギー線重合性基はエチレン性不飽和結合を有する官能基であることが好ましく、その中でもエネルギー線が照射されたときの反応性の高さの観点から（メタ）アクリロイル基がより好ましい。

粘着剤組成物が含有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）は１種類でもよいし、複数種類であってもよい。エネルギー線重合性化合物（Ｂ）を構成する化合物の分子量は限定されない。その分子量が過度に小さい場合には、製造過程においてその化合物が揮発することが懸念され、このとき粘着剤層３の組成の安定性が低下する。したがって、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）を構成する化合物の分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）として１００以上とすることが好ましく、２００以上とすることがより好ましく、３００以上とすることが特に好ましい。

エネルギー線重合性化合物（Ｂ）を構成する化合物の具体的な種類は限定されない。かかる化合物の具体例として、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレートなどの鎖状骨格を有するアルキル（メタ）アクリレート；ジシクロペンタジエンジメトキシジ（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレートなどの環状骨格を有するアルキル（メタ）アクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、エポキシ変性（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート等のアクリレート系化合物などが挙げられる。主剤（Ａ）がアクリル系重合体（Ａ１）を含む場合には、上記の化合物の中でもアクリレート系化合物はアクリル系重合体（Ａ１）への相溶性が高いため好ましい。

エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が一分子中に有するエネルギー線重合性基の数は限定されないが、複数であることが好ましく、３以上であることがより好ましく、５以上であることが特に好ましい。

本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３が含有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）の少なくとも１種は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体（Ｂ１）である。

本明細書において、重合性分岐重合体（Ｂ１）とは、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）の一種であって、エネルギー線重合性基および分岐構造を有する重合体を意味する。重合性分岐重合体（Ｂ１）は、半導体関連部材加工用シートの剥離性を向上させる機能を有する。重合性分岐重合体（Ｂ１）は、分岐構造を有することから、その配合量が少なくても、半導体関連部材加工用シートの剥離性が向上しやすい。そして、重合性分岐重合体（Ｂ１）の配合量が抑えられることにより、後述する剥離後水接触角の上昇が抑制される。さらに、重合性分岐重合体（Ｂ１）は重合性のエネルギー線重合性基を有するため、エネルギー線照射後の重合性分岐重合体（Ｂ１）に起因した物質は、粘着剤層から半導体関連部材加工用シートの被着体に移行しにくい。重合性分岐重合体（Ｂ１）についての具体的な構造（具体例として、分子量、分岐構造の程度、一分子中に有するエネルギー線重合性基の数などが挙げられる。）は限定されない。このような重合性分岐重合体（Ｂ１）を得る方法としては、たとえば、２個以上のラジカル重合性二重結合を分子内に有するモノマーと、活性水素基及び１個のラジカル重合性二重結合を分子内に有するモノマーと、１個のラジカル重合性二重結合を分子内に有するモノマーとを重合させることにより得られる、分岐構造を有する重合体と、活性水素基と反応して結合を形成可能な官能基及び少なくとも１個のラジカル重合性二重結合を分子内に有する化合物を反応させることにより得ることができる。

主剤（Ａ）（後述する、主剤（Ａ）としての性質を有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）も含む。）との相互作用を適度に抑制することを容易にする観点から、重合性分岐重合体（Ｂ１）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００以上１００，０００以下であることが好ましく、３，０００以上３０，０００以下であることがより好ましい。重合性分岐重合体（Ｂ１）における一分子中に有するエネルギー線重合性基の数は限定されない。

粘着剤層３中の重合性分岐重合体（Ｂ１）の含有量は、後述する剥離後水接触角を所定の範囲にできる限り、限定されない。上記の含有量が過度に高くなると、半導体関連部材加工用シート１が貼付された半導体関連部材の面に移行する有機物質の量が増大して剥離後水接触角が高くなってしまう。粘着剤層３中の重合性分岐重合体（Ｂ１）の含有量が過度に低い場合には、重合性分岐重合体（Ｂ１）を含有させた意義が失われてしまうため、通常、粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物について、主剤（Ａ）と後述する重合性高分子化合物（Ｂ２）との総和１００質量部（上記の粘着剤組成物が、後述する重合性高分子化合物（Ｂ２）も含む場合には、本明細書において、主剤（Ａ）の質量部とは、主剤（Ａ）の質量部と重合性高分子化合物（Ｂ２）の質量部との総和を意味する。）に対して、重合性分岐重合体（Ｂ１）を０．０１質量部以上含有させることが好ましく、０．１質量部以上含有させることがより好ましい。重合性分岐重合体（Ｂ１）は分岐構造を有するため、粘着剤層３中の含有量が比較的少量であっても、剥離性に優れる半導体関連部材加工用シート１を得ることができる。

重合性分岐重合体（Ｂ１）の種類によっては、半導体関連部材の面に移行した重合性分岐重合体（Ｂ１）が半導体関連部材の面に残留するパーティクルとして計測される場合もある。このパーティクル（重合性分岐重合体（Ｂ１）に由来しないものも含む。以下同じ。）は半導体関連部材に基づく製品の信頼性を低下させるおそれがあることから、半導体関連部材の面に残留するパーティクル数は少ないことが好ましい。具体的には、シリコンウエハからなる半導体関連部材の面に残留する０．２０μｍ以上の粒径のパーティクルの数を２００未満とすることが好ましく、１５０以下とすることがより好ましく、１００未満とすることがさらに好ましく、５０以下とすることが特に好ましい。このようなパーティクルに関する要請を満たすことを容易にする観点から、重合性分岐重合体（Ｂ１）の含有量は、主剤（Ａ）１００質量部に対して、８．０質量部未満とすることが好ましく、５．０質量部以下とすることがより好ましく、３．０質量部未満とすることがさらに好ましく、２．５質量部以下とすることが特に好ましく、２．０質量部以下とすることがきわめて好ましい。

本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３が含有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）は、これを構成する材料の少なくとも１種が、主剤（Ａ）としての性質を有していてもよい。そのような主剤（Ａ）としての性質を有するエネルギー線重合性化合物（Ｂ）の具体例として、エネルギー線重合性基を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上の物質である、重合性高分子化合物（Ｂ２）が挙げられる。

重合性高分子化合物（Ｂ２）は主剤（Ａ）としての性質を有するため、重合性高分子化合物（Ｂ２）を含有させることにより粘着剤層３を形成するための組成物の組成が簡素化される（粘着剤層３が重合性高分子化合物（Ｂ２）を含有する場合には、主剤（Ａ）を別途含有させることは必要とされない。）、粘着剤層３におけるエネルギー線重合性基の存在密度を制御しやすいなどの利点を有する。重合性高分子化合物（Ｂ２）が主剤（Ａ）としての性質をより安定的に有する観点から、重合性高分子化合物（Ｂ２）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、２００，０００以上２，０００，０００以下であることが好ましく、３００，０００以上１，５００，０００以下であることがより好ましい。

エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が重合性高分子化合物（Ｂ２）を含有する場合には、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が低分子量化合物からなる場合よりも剥離性が向上することが容易である。

この理由は次のとおりである。エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が低分子量化合物であると、粘着剤層の凝集性を維持するためにエネルギー線重合性を有しない主剤（Ａ）を添加する必要があるが、このような主剤（Ａ）はエネルギー線照射によっても架橋構造に取り込まれない。一方、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が重合性高分子化合物（Ｂ２）を含有する場合であれば、このようなエネルギー線重合性を有しない主剤（Ａ）を添加せず、または添加する量が少量であっても凝集性が維持される。したがって、エネルギー線照射によって架橋構造に取り込まれない成分が少ないために、粘着剤層３中において強固な架橋構造が形成され、粘着性が著しく低下し、剥離性が向上する傾向がある。

さらに、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が重合性高分子化合物（Ｂ２）を含有する場合には、重合性分岐重合体（Ｂ１）がエネルギー線照射により上記のような強固な架橋構造に取り込まれる確率が高くなる。

重合性高分子化合物（Ｂ２）の具体的な一例として、アクリル系重合体であって、エネルギー線重合線基を有する構成単位を主鎖または側鎖に有するものが挙げられる。かかる重合性高分子化合物（Ｂ２）は、例えば次のような方法で調製することができる。水酸基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有する（メタ）アクリレートに基づく構成単位およびアルキル（メタ）アクリレートに基づく構成単位を含んでなる共重合体であるアクリル系重合体と、上記の官能基と反応しうる官能基およびエネルギー線重合性基（例えばエチレン性二重結合を有する基）を１分子内に有する化合物とを反応させることにより、上記のアクリル系重合体にエネルギー線重合性基を付加させて、重合性高分子化合物（Ｂ２）を得ることができる。

エネルギー線重合性化合物（Ｂ）を硬化させるためのエネルギー線としては、電離放射線、すなわち、Ｘ線、紫外線、電子線などが挙げられる。これらのうちでも、比較的照射設備の導入の容易な紫外線が好ましい。

電離放射線として紫外線を用いる場合には、取り扱いのしやすさから波長２００〜３８０ｎｍ程度の紫外線を含む近紫外線を用いればよい。紫外線量としては、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）の種類や粘着剤層３の厚さに応じて適宜選択すればよく、通常５０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２程度であり、１００〜４５０ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、２００〜４００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。また、紫外線照度は、通常５０〜５００ｍＷ／ｃｍ^２程度であり、１００〜４５０ｍＷ／ｃｍ^２が好ましく、２００〜４００ｍＷ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線源としては特に制限はなく、例えば高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＵＶ−ＬＥＤなどが用いられる。

電離放射線として電子線を用いる場合には、その加速電圧については、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）の種類や粘着剤層３の厚さに応じて適宜選定すればよく、通常加速電圧１０〜１０００ｋＶ程度であることが好ましい。また、照射線量は、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）が適切に反応する範囲に設定すればよく、通常１０〜１０００ｋｒａｄの範囲で選定される。電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。

（３）架橋剤（Ｃ）
本実施形態に係る粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物は、前述のように、アクリル系重合体（Ａ１）などの主剤（Ａ）と反応しうる架橋剤（Ｃ）を含有してもよい。この場合には、本実施形態に係る粘着剤層３は、主剤（Ａ）と架橋剤（Ｃ）との架橋反応により得られた架橋物を含有する。

架橋剤（Ｃ）の含有量は限定されない。上記の架橋物の形成しやすさの観点から、架橋剤（Ｃ）の含有量は主剤（Ａ）１００質量部に対して０．０２質量部以上１０質量部以下とすることが好ましい。架橋剤（Ｃ）の種類としては、例えば、イソシアネート系化合物、エポキシ系化合物、金属キレート系化合物、アジリジン系化合物等のポリイミン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロールポリマー、金属アルコキシド、金属塩等が挙げられる。これらの中でも、架橋反応を制御しやすいことなどの理由により、架橋剤（Ｃ）がポリイソシアネート化合物であることが好ましい。

ポリイソシアネート化合物は１分子当たりイソシアネート基を２個以上有する化合物であって、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン−４,４'−ジイソシアネート、ビシクロヘプタントリイソシアネート、シクロペンチレンジイソシアネート、シクロヘキシレンジイソシアネート、メチルシクロヘキシレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネートなどの脂環式イソシアネート化合物；ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、リジンジイソシアネートなどの鎖状骨格を有するイソシアネートが挙げられる。

また、これらの化合物の、ビウレット体、イソシアヌレート体や、これらの化合物と、エチレングリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油等の非芳香族性低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などの変性体も用いることができる。上記のポリイソシアネート化合物は１種類の物質から構成されていてもよいし、複数種類の物質から構成されていてもよい。

本実施形態に係る粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物が架橋剤（Ｃ）を含有する場合には、その架橋剤（Ｃ）の種類などに応じて、適切な架橋促進剤を含有することが好ましい。例えば、架橋剤（Ｃ）がポリイソシアネート化合物からなる場合には、粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物は有機スズ化合物などの有機金属化合物系の架橋促進剤を含有することが好ましい。

（４）その他の成分
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１が備える粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物は、上記の成分に加えて、光重合開始剤、染料や顔料などの着色材料、帯電防止剤、難燃剤、フィラー等の各種添加剤を含有してもよい。本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１が備える粘着剤層３は、特許文献１に開示されるような、遊離のエポキシ基含有化合物を実質的に含有しないことが好ましい。

ここで、光重合開始剤についてやや詳しく説明する。光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン、２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが例示される。エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を配合することにより照射時間、照射量を少なくすることができる。

（５）物性、形状等
ｉ）剥離後水接触角
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は、次に定義される剥離後水接触角が４０°以下である。

まず、特段の表面処理が施されていない洗浄上がりの平坦なシリコンウエハの鏡面に、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３側の面を貼付する。次に、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３にエネルギー線を照射して、シリコンウエハの鏡面に対する粘着剤層３の粘着性を低下させた後、半導体関連部材加工用シート１をシリコンウエハから剥離する。こうして得られる、シリコンウエハにおける半導体関連部材加工用シート１が貼着していた鏡面（本明細書において、「剥離後シリコン面」ともいう。）を測定対象面として、２５℃、相対湿度５０％の環境下で、水滴を用いて測定された接触角を、本明細書において「剥離後水接触角」という。

この剥離後水接触角が低いことは剥離後シリコン面に付着する有機物質が少ないこと、すなわち、粘着剤層３からシリコンウエハの鏡面に移行する有機物質が少ないことを示している。粘着剤層３から半導体関連部材の面に移行した有機物質は、分割加工により得られたチップの面にも残留することになるため、かかる有機物質はチップを備える部材の信頼性を低下させる要因の一つとなる可能性がある。また、シリコンウエハの鏡面に移行した有機物質がパーティクルと呼ばれる粒子状の残渣を形成することがあり、このようなウエハから得たチップを用いた場合には、封止樹脂の濡れ性の低下や、高度の信頼性の評価を行った場合に信頼性を低下させるおそれがある。

この点に関し、特許文献１に開示される遊離のエポキシ基含有化合物を含有する接着剤層を備えた半導体関連部材加工用シートを保護シートとして用いた場合には、モデル試験として行った実施例において示すように、半導体関連部材に対する保護膜の接着信頼性が低下しやすい。これは、半導体関連部材加工用シートから被着体に移行した遊離のエポキシ基含有化合物の量が多いためと考えられる。

これに対し、前述のように、重合性分岐重合体（Ｂ１）は、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３内の含有量が比較的少量であっても、半導体関連部材加工用シート１の剥離性を向上させることが可能である。このため、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の場合には、半導体関連部材加工用シート１を被着体から剥離したときに粘着剤層３から移行する有機物質が比較的少ない。それゆえ、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は剥離後水接触角が高まりにくい。したがって、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１を用いて半導体関連部材から製造したチップは、剥離性、特にピックアップ適性に優れ、かつチップを備える部材の信頼性が低下しにくい。

以上説明したように、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３に、剥離後水接触角が４０°以下となる範囲で重合性分岐重合体（Ｂ１）を含有させることにより、剥離性に優れる半導体関連部材加工用シート１を得ることと、半導体関連部材加工用シート１を用いて半導体関連部材から製造したチップを備える部材の信頼性が低下しにくくなることとを、より安定的に達成することが可能となる。

剥離後シリコン面に付着する有機物質は少ないことが望ましいことから、剥離後水接触角は３０°以下であることが好ましく、２５°以下であることがより好ましく、２２．５°以下であることがさらに好ましく、２０°以下であることが特に好ましく、１６°以下であることがきわめて好ましい。剥離後水接触角の下限は、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３が貼付される前のシリコンウエハの鏡面を測定対象面として測定した場合に得られる１３°である。

ｉｉ）照射後粘着力
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は、次に定義される照射後粘着力が１００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。

まず、測定対象面である本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３側の面を、被着面であるシリコンウエハの鏡面に貼付する。次に、半導体関連部材加工用シート１側からエネルギー線を照射して、粘着剤層３のシリコンウエハの鏡面に対する粘着性を低下させる。続いて、被着面をステンレス試験板の面から上記のシリコンウエハの鏡面に変更したこと以外はＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して、１８０°引き剥がし試験を行う。この試験により測定された半導体関連部材加工用シート１の粘着力を、本明細書において「照射後粘着力」という。

本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の照射後粘着力が１００ｍＮ／２５ｍｍ以下であることにより、剥離性に優れる半導体関連部材加工用シート１が得られやすくなる。半導体関連部材加工用シート１の剥離性をより安定的に高める観点から、半導体関連部材加工用シート１の照射後粘着力は９０ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、７０ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがより好ましく、５０ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがさらに好ましく、４０ｍＮ／２５ｍｍ以下であることが特に好ましく、３５ｍＮ／２５ｍｍ以下であることがきわめて好ましい。

ｉｉｉ）ピックアップ力
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は、次に定義されるピックアップ力が２．５Ｎ以下であることが好ましい。

まず、シリコンウエハ（直径１５３ｍｍ、厚さ６５０μｍ）をグラインド装置（具体的な装置として、ディスコ社製「ＤＦＧ８５４０」が例示される。）を用いて、厚さ１００μｍまで研削する。半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３側の面を研削面に貼付する。このとき、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３側の面は、シリコンウエハを内包するように配置された環状の治具であるリングフレームにも貼付される。ダイシング装置（具体的なダイシング装置として、東京精密社製「Ａ−ＷＤ−４０００Ｂ」が例示される。）を用いて、シリコンウエハを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングする。ダイシング後、半導体関連部材加工用シート１を２３℃、相対湿度５０％の環境下に２４時間放置する。その後、半導体関連部材加工用シート１にエネルギー線を基材２側の面から照射して、粘着剤層３のシリコンウエハの研削面に対する粘着性を低下させる。続いて、半導体関連部材加工用シート１の基材２側の面における、リングフレームの内周とウエハ周端部との間の領域に円筒状の治具を押し当てる。そして、このリングフレームを２ｍｍ引き落として、半導体関連部材加工用シート１を伸長させる。

その後、半導体関連部材加工用シート１の基材２側の面に突き上げピンを接触させてチップをピックアップする。突き上げピン数は４であり、ピン位置は１辺８ｍｍの正方形の頂点である。ピンの突き上げ量は１．５ｍｍであり、突き上げ速度は０．３ｍｍ／秒である。以上の条件で行われたピックアップの際に突き上げピンに掛かる最大荷重（単位：Ｎ）を、本明細書において「ピックアップ力」という。

本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１のピックアップ力が２．５Ｎ以下であることにより、剥離性に優れる半導体関連部材加工用シート１が得られやすくなる。半導体関連部材加工用シート１の剥離性を高める観点から、半導体関連部材加工用シート１の照射後粘着力は２．０Ｎ以下であることが好ましい。

ｉｖ）厚さ
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１が備える粘着剤層３の厚さは限定されない。粘着剤層３の厚さは、通常は３μｍから１００μｍ、好ましくは５μｍから８０μｍ程度である。

ｖ）剥離シート
本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は、半導体関連部材に粘着剤層３を貼付するまでの間粘着剤層３を保護する目的で、粘着剤層３の基材２に対向する側と反対側の面に、剥離シートの剥離面が貼合されていてもよい。剥離シートの構成は任意であり、プラスチックフィルムを剥離剤等により剥離処理したものが例示される。プラスチックフィルムの具体例として、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレンなどのポリオレフィンフィルムが挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系などを用いることができるが、これらの中で、安価で安定した性能が得られるシリコーン系が好ましい。剥離シートの厚さについて特に制限はないが、通常２０μｍ以上２５０μｍ以下程度である。

３．半導体関連部材加工用シートの製造方法
半導体関連部材加工用シート１の製造方法は、前述の粘着剤組成物から形成される粘着剤層３を基材２の一の面の上方に設けることができれば、詳細な方法は限定されない。一例を挙げれば、前述の粘着剤組成物および所望によりさらに溶媒を含有する塗工用組成物を調製し、基材２の一の面上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等によりその粘着剤組成物または塗工用組成物を塗布して塗膜を形成し、当該一の面上の塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層３を形成することができる。粘着剤組成物または塗工用組成物は、塗布を行うことが可能であればその性状は限定されない。

粘着剤組成物または塗工用組成物が架橋剤（Ｃ）を含有する場合には、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えることにより、または加熱処理を別途設けることにより、塗膜内の主剤（Ａ）と架橋剤（Ｃ）との架橋反応を進行させ、粘着剤層３内に所望の存在密度で架橋構造を形成させればよい。この架橋反応を十分に進行させるために、上記の方法などによって基材２に粘着剤層３を積層させた後、得られた半導体関連部材加工用シート１を、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行ってもよい。

半導体関連部材加工用シート１の製造方法の別の一例として、前述の剥離シートの剥離面上に粘着剤組成物または塗工用組成物を塗布して塗膜を形成し、これを乾燥させて粘着剤層３と剥離シートとからなる積層体を形成し、この積層体における粘着剤層３側の面を基材２の基材第一面に貼付して、半導体関連部材加工用シート１と剥離シートとの積層体を得てもよい。この積層体における剥離シートは工程材料として剥離してもよいし、半導体関連部材に貼付するまでの間粘着剤層３を保護していてもよい。

４．チップの製造方法
近年、チップを与える半導体関連部材として、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）技術により形成された貫通電極を有するシリコンウエハを備える部材（本明細書において、かかる貫通電極を有する半導体関連部材を「ＴＳＶウエハ」ともいう。）が用いられるようになってきた。かかるＴＳＶウエハから形成されたチップ（本明細書において「ＴＳＶチップ」ともいう。）に対してピックアップを実施する場合には、コレットなどによりダイシングシート（半導体関連部材加工用シートの具体的な適用例の一つである。）を介してＴＳＶチップが突き上げられたときに、貫通孔部分でＴＳＶチップに割れが生じることのないように、ダイシングシートの粘着剤層のＴＳＶチップの面に対する粘着性を十分に低下させることが求められている。すなわち、ＴＳＶウエハからＴＳＶチップを製造する際に使用される半導体関連部材加工用シートは、剥離性に優れるものであることが求められている。

本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１は剥離性に優れることから、ＴＳＶウエハからＴＳＶチップを製造するための半導体関連部材加工用シートとして好適に用いることができる。本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１をダイシングシートとして用いてＴＳＶウエハからＴＳＶチップを製造する場合を具体例として、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１を用いて半導体関連部材からチップを製造する方法を説明する。

まず、本実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３側の面を、半導体関連部材の一の面に相当するＴＳＶウエハの一方の主面に貼付する（貼付工程）。ＴＳＶウエハの一方の主面は、平滑面である場合もあれば、凹凸を有する面である場合もある。半導体関連部材加工用シート１の外周近傍の領域は、通常、リングフレームに貼付される。

次に、半導体関連部材加工用シート１上のＴＳＶウエハを分割して、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３に貼着する複数のＴＳＶチップを得る（分割工程）。ＴＳＶウエハを分割するための具体的な方法は限定されない。回転刃（ブレード）を用いて分割する方法、レーザーアブレーションにより分割する方法、レーザーなどを用いてＴＳＶウエハの内部に予備的に改質層を形成し、その後ＴＳＶウエハに力を与えて分割する方法などが例示される。

分割工程後、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３にエネルギー線を照射して、粘着剤層３内のエネルギー線重合性化合物（Ｂ）の重合反応を進行させて、粘着剤層３に貼着する複数のＴＳＶチップの面に対する粘着剤層３の粘着性を低下させる（照射工程）。エネルギー線の種類や照射条件などはすでに説明したとおりである。ここで、半導体関連部材加工用シート１上に配置された複数のＴＳＶチップに対して次のピックアップ工程を実施することが容易になるように、半導体関連部材加工用シート１を主面内方向に伸長するエキスパンド工程を行ってもよい。この伸長の程度は、隣接するＴＳＶチップが有すべき間隔、基材２の引張強度などを考慮して適宜設定すればよい。

照射工程後、半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３から複数のＴＳＶチップを分離させて個別のＴＳＶチップを得る（ピックアップ工程）。通常、コレットにより半導体関連部材加工用シート１を介してＴＳＶチップの一つを突き出して、そのＴＳＶチップを他のＴＳＶチップから離間させるとともに、突き出されたＴＳＶチップの粘着剤層３に対する貼着面積を低減させる。そして、その突き出されたＴＳＶチップを求引手段などにより摘み上げる。以上のピックアップ工程によりピックアップされたＴＳＶチップは、搬送工程など次の工程へと供される。

ピックアップ工程において粘着剤層のＴＳＶチップの面に対する粘着性が高い（十分に低下していない）場合には、貫通電極の穴径やピッチなどによっては、貫通電極が形成されている部分やその近傍におけるＴＳＶチップの機械特性が低下するおそれがある。このＴＳＶチップの機械特性の低下が顕著である場合には、ＴＳＶチップがピックアップ工程の実施中に割れてしまうこともある。

前掲の特許文献１に開示される、粘着剤層が遊離のエポキシ基含有化合物を含有するダイシングシートでは、チップをピックアップするためにチップとダイシングシートとの間に引きはがし力が付与されたときに、遊離のエポキシ基含有化合物と粘着剤層を構成する他の成分との界面や、遊離のエポキシ基含有化合物内で優先的に分離（破壊）が生じることにより、ピックアップ力を低減させている。しかしながら、このような部分で分離（破壊）が生じると、粘着剤層からチップへの遊離のエポキシ基含有化合物の移行が不可避的に発生してしまう。

これに対し、本発明の一実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３は重合性分岐重合体（Ｂ１）を含有するため、粘着剤層３から半導体関連部材へと移行する有機物質の量を抑えることが可能であるとともに、ピックアップ工程において半導体関連部材が受ける機械的な負荷を低減させることが可能である。この移行物質量の低減とピックアップ負荷の低減とを両立させることに対して重合性分岐重合体（Ｂ１）がどのように寄与しているかは明確でないが、重合性分岐重合体（Ｂ１）が、粘着剤層３において半導体関連部材（ＴＳＶウエハ）との界面近傍に存在しやすい傾向を有していると考えられることや、重合性分岐重合体（Ｂ１）がエネルギー線照射により他のエネルギー線重合性化合物（Ｂ）と重合することなどが影響している可能性がある。

以上説明したとおり、本実施形態に係るチップの製造方法によれば、チップの不適切なピックアップを生じにくくすることが可能であるとともに、粘着剤層３からチップへの有機物質の移行量を抑えることが可能となる。したがって、本実施形態に係るチップの製造方法は、品質に優れるチップを製造することが可能であるとともに、本実施形態に係る製造方法により製造されたチップを備える部材の信頼性を低下しにくくすることが可能である。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、基材と粘着剤層との間に中間層を有していてもよい。粘着剤層と中間層との物理的性質を変化させることによって、半導体関連部材加工用シートに別の機能を付加することも可能である。具体例として、エネルギー線が照射される前の状態において粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を、中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’よりも大きくすれば、上記のＴＳＶウエハのように、半導体関連部材が凹凸領域を有する場合であっても、凹凸領域全体が作る凸形状に応じて中間層が変形することによって、半導体関連部材の凹凸領域に追従するように粘着剤層が変形することが容易となる。それゆえ、かかる物理的性質を有する粘着剤層および中間層を有する半導体関連部材加工用シートは、ダイシングシートとして使用した際に、ダイシング工程においてウエハとシートとの間への水侵入やチッピングなどの不具合が生じにくい。しかも、上記の構成を有する場合には、凹凸領域を有する半導体関連部材の凹部に、貯蔵弾性率Ｇ’が高い粘着剤層を構成する材料（粘着剤）は入り込みにくいため、半導体関連部材が分割されてなるチップをピックアップする際に、当該チップの凹部内に粘着剤が残留する不具合が生じにくくなる。

本発明の一実施形態に係る半導体関連部材加工用シートが中間層を有する場合において、粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は限定されない。例示的に示せば、粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、３×１０^５Ｐａ以上であることが好ましく、３．５×１０^５Ｐａ以上１×１０^７Ｐａ以下であることがより好ましい。粘着剤層の硬化前の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を上記の範囲内とすることで、凹凸領域を有する半導体関連部材が分割されてなるチップの凹部内に粘着剤が残留する不具合がより生じにくくなる。

本発明の一実施形態に係る半導体関連部材加工用シートが中間層を有する場合において、中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は限定されない。例示的に示せば、中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’は、１×１０^４Ｐａ以上１×１０^５Ｐａ未満であることが好ましく、１×１０^４Ｐａ以上９×１０^４Ｐａ以下であることがより好ましく、１×１０^４Ｐａ以上８×１０^４Ｐａ以下であることが特に好ましい。中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’を上記の範囲内に調整することで、半導体関連部材の凹凸領域全体が作る凸形状に粘着剤層が追従することがより容易となる。

中間層の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。中間層の厚さが上記範囲にある場合には、粘着剤層の変形に合わせて中間層が変形することが容易となる。中間層の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下であることがさらに好ましく、２０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。

中間層は、たとえば従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、ウレタン系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。

中間層を構成する材料がアクリル系の材料である場合には、本発明の一実施形態に係る半導体関連部材加工用シート１の粘着剤層３を構成する材料として例示したアクリル系粘着剤と同様の組成を有する材料であってもよい。具体的には、主剤（Ａ）およびエネルギー線重合性化合物（Ｂ）、さらに必要に応じ架橋剤（Ｃ）などを含有してもよい。主剤（Ａ）はアクリル系重合体（Ａ１）を含有していてもよいし、エネルギー線重合性化合物（Ｂ）は重合性高分子化合物（Ｂ２）を含有していてもよい。

中間層を構成する材料がウレタン系の材料である場合には、当該材料は、特開２０１３−１９７３９０号公報に記載される含ウレタン硬化物からなっていてもよい。ここで、含ウレタン硬化物は、ウレタンオリゴマーおよび／またはウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーと必要に応じて添加されるエネルギー線硬化型モノマーとを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物である。

以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。

〔実施例１〕
（１）粘着剤組成物の調製
次の組成を有する粘着剤組成物（溶媒：トルエン、成分配合量はいずれも固形分換算）を調製した。
ｉ）アクリルポリマー（ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝６０／１０／３０（質量比）、ポリスチレン換算重量平均分子量＝６０万）に、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対し８０％当量反応させて得られた反応物を、重合性高分子化合物（Ｂ２）として１００質量部、
ｉｉ）重合性分岐重合体（Ｂ１）（日産化学工業（株）製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量：１４，０００）を０．１５質量部、
ｉｉｉ）架橋剤（Ｃ）としてイソシアネート成分（東洋インキ製造社製「ＢＨＳ−８５１５」）を１．０質量部、および
ｉｖ）光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア（登録商標）１８４」）３．０質量部。

（２）半導体関連部材加工用シートの作製
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルムの一方の主面上にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離シート（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）を用意した。この剥離シートの剥離面上に、前述の粘着剤組成物を、最終的に得られる粘着剤層が１０μｍとなるように塗布した。得られた塗膜を剥離シートごと１００℃の環境下に１分間経過させることにより塗膜を乾燥させて、剥離シートと粘着剤層とからなる積層体を得た。

片面にコロナ処理を施したエチレン・メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ）フィルム（厚さ８０μｍ、コロナ処理面の表面張力５４ｍＮ／ｍ）のコロナ処理面を基材第一面として、その面に、上記の積層体の粘着剤層側の面を貼付して、図１に示されるような基材と粘着剤層とからなる半導体関連部材加工用シートを、粘着剤層側の面に剥離シートがさらに積層された状態で得た。

〔実施例２〕
実施例１において、粘着剤組成物に含有される重合性分岐重合体（Ｂ１）の含有量を０．０３質量部とした以外は、実施例１と同様の操作を行い、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例３〕
実施例１において、粘着剤組成物に重合性分岐重合体（Ｂ１）を含有させないこととしたこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例４〕
実施例１において、粘着剤組成物に含有される重合性分岐重合体（Ｂ１）の含有量を３．０質量部とした以外は、実施例１と同様の操作を行い、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例５〕
実施例１の粘着剤組成物の組成を以下のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行い、半導体関連部材加工用シートを得た。
ｉ）アクリルポリマー（２−エチルヘキシルアクリレート／酢酸ビニル／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝４０／４０／２０（質量比）、ポリスチレン換算重量平均分子量＝５５万）に、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対し、８０％当量反応させて得られた反応物を、重合性高分子化合物（Ｂ２）として１００質量部、
ｉｉ）エポキシ基含有化合物（大日精化工業社製「セイカセブンＳＳ０２−０６３」）８．７５質量部、
ｉｉｉ）架橋剤（Ｃ）としてイソシアネート成分（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」）１質量部、および
ｉｖ）光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」）３質量部。

〔実施例６〕
（１）粘着剤組成物Ａの作製
ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝６２／１０／２８（質量比）を反応させて得られたアクリルポリマーと、該アクリル粘着性重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート単位１００モル当たり８０モルのメタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させて得られた重合性高分子化合物（Ｂ２）（ポリスチレン換算重量平均分子量＝４０万）１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））８質量部（固形分換算）、および重合性分岐重合体（Ｂ１）（日産化学工業社製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量＝１４，０００）０．１５質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ａを得た。

（２）中間層用組成物の作製
２−エチルヘキシルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝９５／５（質量比）を反応させてアクリル重合体（ポリスチレン換算重量平均分子量＝９０万）を得た。上記アクリル重合体１００質量部、および架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））０．５質量部（固形分換算）を溶媒中で混合し、中間層用組成物を得た。

（３）半導体関連部材加工用シートの作製
剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１（ＰＦ）」）に、上記中間層用組成物を、塗布・乾燥（乾燥条件：１００℃、１分間）して、剥離フィルム上に形成された中間層（厚さ：２０μｍ）を得た。次いで、中間層と基材（エチレンメタクリル酸共重合フィルム、厚さ：８０μｍ）とを貼り合わせて、中間層上から剥離フィルムを剥離し、中間層を基材上に転写した。

また、剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１（ＰＦ）」）に、上記粘着剤組成物Ａを、塗布・乾燥（乾燥条件：１００℃、１分間）して、剥離フィルム上に形成された粘着剤層（厚さ：１０μｍ）を得た。

その後、基材付き中間層と剥離フィルム付き粘着剤層とを貼り合わせて、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例７〕
ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝６２／１０／２８（質量比）を反応させて得られたアクリル粘着性重合体と、該アクリル粘着性重合体の２−ヒドロキシエチルアクリレート単位１００モル当たり８０モルのメタクリロイルオキシエチルイソシアネートとを反応させて得られた重合性高分子化合物（Ｂ２）（ポリスチレン換算重量平均分子量＝６０万）１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））８質量部（固形分換算）、および重合性分岐重合体（Ｂ１）（日産化学工業社製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量＝１４，０００）０．１５質量部を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ｂを得た。
粘着剤組成物Ａに代えて、得られた粘着剤組成物Ｂを用いたこと以外は、実施例６と同様の作業を行って、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例８〕
実施例６において調製した重合性高分子化合物（Ｂ２）１００質量部、光重合開始剤（α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア１８４」））３質量部、および架橋剤（多価イソシアナート化合物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ−８５１５」））８質量部（固形分換算）を溶媒中で混合し、粘着剤組成物Ｃを得た。
粘着剤組成物Ａに代えて、得られた粘着剤組成物Ｃを用いたこと以外は、実施例６と同様の作業を行って、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例９〕
粘着剤層の厚さを３０μｍとしたこと以外は実施例６と同様にして半導体関連部材加工用シートを得た。

〔実施例１０〕
実施例１の粘着剤組成物の組成を以下のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行い、半導体関連部材加工用シートを得た。
ｉ）アクリルポリマー（ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート＝６０／１０／３０（質量比）、ポリスチレン換算重量平均分子量＝６０万）に、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対し８０％当量反応させて得られた反応物を、重合性高分子化合物（Ｂ２）として１００質量部、
ｉｉ）重合性分岐重合体（Ｂ１）（日産化学工業（株）製「ＯＤ−００７」、ポリスチレン換算重量平均分子量＝１４，０００）を８．７５質量部、
ｉｉｉ）架橋剤（Ｃ）としてイソシアネート成分（東洋インキ製造社製「ＢＨＳ−８５１５」）を１．０質量部、および
ｉｖ）光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア（登録商標）１８４」）３．０質量部。
以下、得られた粘着剤組成物を用いて、実施例１と同様の操作を行い、半導体関連部材加工用シートを得た。

〔試験例１〕＜剥離後水接触角の測定＞
まず、特段の表面処理が施されていない洗浄上がりのドライポリッシュシリコンウエハ(直径１５３ｍｍ、厚さ６５０μｍ)の鏡面に、実施例および比較例において製造した半導体関連部材加工用シートのそれぞれの粘着剤層側の面を貼付した。このシリコンウエハおよび半導体関連部材加工用シートを２３℃、相対湿度５０％の環境下に２４時間保管した。次に、紫外線照射装置（リンテック社製「ＲＡＤ２０００ｍ／８」）を用いて、半導体関連部材加工用シートにエネルギー線を照射（照度：２３０ｍＷ／ｃｍ^２、光量：１９０ｍＪ／ｃｍ^２、流量３０Ｌ／分の窒素パージ有り）して、シリコンウエハの鏡面に対する粘着剤層の粘着性を低下させた。なお、照度および光量測定には、アイグラフィックス社製「ＵＶ ＭＥＴＥＲ ＵＶＰＦ−３６」を使用した。その後、半導体関連部材加工用シートをシリコンウエハから剥離した。

こうして得られた、シリコンウエハにおける半導体関連部材加工用シートが貼着していた鏡面（剥離後シリコン面）を測定対象面として、２５℃、相対湿度５０％の環境下で、自動接触角計（ＫＲＵＳＳ社製「ＤＳＡ１００Ｓ」）を用いて、２μｌの水滴により求めた接触角を剥離後水接触角として測定した。剥離後水接触角の測定結果を表１に示す。

〔試験例２〕＜パーティクル数の計測＞
実施例および比較例において製造した半導体関連部材加工用シートのそれぞれを、ドライポリッシュシリコンウエハ(直径１５３ｍｍ、厚さ６５０μｍ)の鏡面に貼付し、その状態で２３℃、相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した。放置後、半導体関連部材加工用シートにエネルギー線として試験例１と同条件の紫外線を、半導体関連部材加工用シートの基材面から照射した。その後、ダイシングテープをシリコンウエハから剥がし、ウエハ表面検査装置（日立ハイテク社製「ＬＳ−６６００」）を用いて、シリコンウエハの剥離面に残留する０．２０μｍ以上の粒径のパーティクル数を計測した。パーティクル数の計測結果を表１に示す。

〔試験例３〕＜照射後粘着力の測定＞
実施例および比較例において製造した半導体関連部材加工用シートのそれぞれの粘着剤層側の面を測定対象面として、被着面であるシリコンウエハの鏡面に貼付した。このシリコンウエハおよび半導体関連部材加工用シートを２３℃、相対湿度５０％の環境下に２０分間保管した。次に、半導体関連部材加工用シート側から試験例１と同じ条件でエネルギー線を照射して、粘着剤層の被着面に対する粘着性を低下させた。

続いて、被着面をステンレス試験板の面から上記のシリコンウエハの鏡面に変更したこと以外はＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して、１８０°引き剥がし試験を行った。この試験により測定された半導体関連部材加工用シートの粘着力を、そのシートの照射後粘着力とした。照射後粘着力の測定結果を表１に示す。

〔試験例４〕＜ピックアップ力の測定＞
シリコンウエハ（直径１５３ｍｍ、厚さ６５０μｍ）をグラインド装置（ディスコ社製「ＤＦＧ８５４０」）を用いて、厚さ１００μｍまで研削した。実施例および比較例において製造した半導体関連部材加工用シートのそれぞれを、シリコンウエハの研削面に貼付した。また、半導体関連部材加工用シートの粘着剤層側の面を、シリコンウエハを内包するように配置された環状の治具であるリングフレームにも貼付した。

次に、ダイシング装置（東京精密社製「Ａ−ＷＤ−４０００Ｂ」）を用いて、ダイシングブレードとしてディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ２０５０ ２７ＨＥＣＣ」を用い、半導体関連部材加工用シートに２０μｍ切り込むフルカット加工により、シリコンウエハを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。

ダイシング後、半導体関連部材加工用シートを２３℃、相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した。その後、半導体関連部材加工用シートに、試験例１と同じ条件でエネルギー線を基材面から照射して、粘着剤層のシリコンウエハの研削面に対する粘着性を低下させた。

続いて、半導体関連部材加工用シートの基材側の面における、リングフレームの内周とウエハ周端部との間の領域に円筒状の治具を押し当てた。そして、このリングフレームを２ｍｍ引き落として、半導体関連部材加工用シートを伸長させた。

エネルギー線照射後、半導体関連部材加工用シートの基材面に突き上げピンを接触させてチップをピックアップした。突き上げピン数は４であり、ピン位置は１辺８ｍｍの正方形の頂点であった。ピンの突き上げ量は１．５ｍｍであり、突き上げ速度は０．３ｍｍ／秒であった。以上の条件で行われたピックアップの際に突き上げピンに掛かる最大荷重（単位：Ｎ）を、ピックアップ力とした。ピックアップ力の測定結果を表１に示す。

〔試験例５〕＜保護膜付チップの接着信頼性試験＞
半導体関連部材加工用シートから被着体に移行する物質がチップを含む製品に与える影響を評価するために、次の様なモデル試験を行った。
実施例および比較例において製造した半導体関連部材加工用シートのそれぞれをシリコンウエハ（＃２０００研磨品、厚さ：３５０μｍ）に貼付し、２３℃、相対湿度５０％の環境下に１日放置した。放置後の半導体関連部材加工用シートに対して、試験例１と同じ条件でエネルギー線を照射して、粘着剤層のシリコンウエハの研磨面に対する粘着性を低下させた。

その後、半導体関連部材加工用シートを剥離し、この剥離により表出したシリコンウエハの面に、保護膜形成用テープ（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ ＬＣ２８５０２２」）を、マウンター（リンテック社製「ＲＡＤ３６００Ｆ／１２」）を用いて７０℃で加熱貼付して、保護膜形成用テープとシリコンウエハとの積層構造体を得た。この積層構造体を１３０℃の雰囲気下で２時間加熱することにより、保護膜形成用テープを硬化させて保護膜を得た。

こうして得られた保護膜の面に、ダイシングテープ（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ Ｄ−６８６Ｈ」）を、マウンター（リンテック社製「ＲＡＤ２７００Ｆ／１２Ｓａ」）を用いて貼付した。次に、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製「ＤＦＤ６５１」）を用いて、保護膜付きシリコンウエハを３ｍｍ×３ｍｍの保護膜付きチップにダイシングした。続いて、ダイシングテープ上の保護膜付きチップをピックアップした。

上記の方法により得た保護膜付きチップを、１２５℃雰囲気下で２４時間加熱した。次に、温度８５℃、相対湿度８５％の環境下に１６８時間放置することにより吸湿させた後、プレヒート１６０℃で最高温度が２６０℃になる加熱時間１分間のＩＲリフローを３回行った（リフロー炉：相模理工社製「ＷＬ−１５−２０ＤＮＸ型」）。その後、−６５℃と１５０℃との温度変化を各温度で交互に１０分間保持するサイクルを、１０００サイクル繰り返し行った（使用装置：ｅｓｐｅｃ社製，小型冷熱衝撃装置）。

保護膜付きチップにおける保護膜の接着信頼性を評価するために、走査型超音波探傷装置（日立建機ファインテック社製「Ｈｙｅ−Ｆｏｃｕｓ」）を用いて、保護膜の接着状態を観察した。接着信頼性の評価は、保護膜付きチップの端部に保護膜の剥がれが存在するか否かを観点として行った。観察した保護膜付きチップの端部に保護膜の剥がれが存在しない場合は「Ａ」（良好）、存在する場合は「Ｂ」（不良）とした。評価結果を表１に示す。

〔試験例６〕＜凹凸への追従性の確認＞
実施例６から９において作製した半導体関連部材加工用シートから剥離シートを剥離して、表出した粘着剤層の面を、直径２８μｍ、ピッチ３５μｍ、高さ１２μｍの凹凸が２行５列に形成されたウエハに対し、貼付装置（リンテック社製「ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２」）を用いて貼付した。貼付装置の条件は次のとおりであった。
押込量：１５μｍ
突出量：１５０μｍ
貼付応力：０．３５ＭＰａ
貼付速度：５ｍｍ／秒
貼付温度：２３℃

半導体関連部材加工用シートの基材側の面から、凹凸周辺の粘着剤層の貼付状態を観察した。具体的には、半導体関連部材加工用シートとウエハとの間に生じた気泡を観察した。上記ウエハの２行５列の電極を１集団とした場合、隣接する集団の間にあるウエハ表面には気泡なく貼り込むことができ、集団の内側である３５μｍピッチのウエハ表面には貼り込まない状態を良好（表１中は「Ａ」）とし、隣接集団間を貼り込めない場合を不良（表１中は「Ｂ」）とした。観察はデジタル光学顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ製「ＶＨＸ−１０００」）で行った。結果を表１に示す。

本発明に係る半導体関連部材加工用シートは、シリコンウエハ、ＴＳＶウエハなどの半導体関連部材のバックグラインドシート、保護シート、ダイシングシートなどとして好適に用いられる。

１…半導体関連部材加工用シート
２…基材
３…粘着剤層

Claims (8)

1. 基材と、前記基材の一方の面の上方に設けられた粘着剤層とを備えた半導体関連部材加工用シートであって、
   前記粘着剤層は、エネルギー線重合性官能基を有するエネルギー線重合性化合物を含有し、
   前記エネルギー線重合性化合物の少なくとも１種は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体であり、
   前記半導体関連部材加工用シートの前記粘着剤層側の面を、シリコンウエハの鏡面に貼付し、前記半導体関連部材加工用シートにエネルギー線を照射して、前記シリコンウエハの鏡面に対する前記粘着剤層の粘着性を低下させた後、前記半導体関連部材加工用シートを前記シリコンウエハから剥離して得られる、前記シリコンウエハにおける前記半導体関連部材加工用シートが貼着していた鏡面を測定対象面として、２５℃、相対湿度５０％の環境下で、水滴を用いて測定された水に対する接触角が４０°以下であること
   を特徴とする半導体関連部材加工用シート。
2. 前記重合性分岐重合体はポリスチレン換算重量平均分子量が１００，０００以下である、請求項１に記載の半導体関連部材加工用シート。
3. 前記エネルギー線重合性化合物は、ポリスチレン換算重量平均分子量が１００，０００以上の物質である重合性高分子化合物を含む、請求項１または２に記載の半導体関連部材加工用シート。
4. 前記粘着剤層は、前記粘着剤層に粘着性を付与するための主剤、および前記エネルギー線重合性化合物としての重合性高分子化合物の少なくとも一方を含む、請求項１または２に記載の半導体関連部材加工用シート。
5. 前記粘着剤層は、前記主剤および前記重合性高分子化合物の少なくとも一方と、前記重合性分岐重合体とを含有する粘着剤組成物から形成されたものであり、
   前記粘着剤組成物中における前記重合性分岐重合体の含有量は、前記主剤と前記重合性高分子化合物との総和１００質量部に対して、０．０１質量部以上、８．０質量部未満である、
   請求項４に記載の半導体関連部材加工用シート。
6. 前記半導体関連部材加工用シートは、前記粘着剤層側の主面を測定対象面、シリコンウエハの鏡面を被着面として、前記測定対象面と被着面とを貼合させてから前記粘着剤層に対してエネルギー線を照射して前記測定対象面の前記被着面に対する粘着性を低下させた後に、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２０００に準拠して１８０°引き剥がし試験を行ったときに測定される粘着力が、１００ｍＮ／２５ｍｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体関連部材加工用シート。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載される半導体関連部材加工用シートの前記粘着剤層側の面を、半導体関連部材の一の面に貼付する貼付工程、
   前記半導体関連部材加工用シート上の前記半導体関連部材を分割して、前記粘着剤層に貼着する複数のチップを得る分割工程、
   前記粘着剤層にエネルギー線を照射して、前記粘着剤層に貼着する前記複数のチップの面に対する前記粘着剤層の粘着性を低下させる照射工程、および
   前記半導体関連部材加工用シートの粘着剤層から前記複数のチップを分離させて個別のチップを得るピックアップ工程を備えること
   を特徴とするチップの製造方法。
8. 前記半導体関連部材が貫通電極を有するシリコンウエハを備える、請求項７に記載の製造方法。

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