JP6460383B2 - 導電性積層体及びその製造方法 - Google Patents
導電性積層体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6460383B2 JP6460383B2 JP2014250845A JP2014250845A JP6460383B2 JP 6460383 B2 JP6460383 B2 JP 6460383B2 JP 2014250845 A JP2014250845 A JP 2014250845A JP 2014250845 A JP2014250845 A JP 2014250845A JP 6460383 B2 JP6460383 B2 JP 6460383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resin
- layer
- compound
- metal fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
一方、上記の方法では、製造に真空設備を必要とするスパッタリングという方法を用いることから、工程が煩雑で高コストであること、設備上、基材形状やサイズが限定されるなどの問題があった。
そこで、製造に真空設備を必要とせず、かつ、接着剤による接合を用いず、導電層を形成することが可能な導電性積層体の製造法として、絶縁性の基材上に金属微粒子を塗布製膜し、加熱焼成することによって金属の導電層を形成させ、この上に、めっきを行うことによって必要な厚さの導電銅箔層を得る方法が開示されている(例えば、特許文献2、3参照)。
即ち本発明は、
〔項1〕絶縁性基材(A)、樹脂層(B)、金属微粒子層(C)、導電層(D)が、この順番に構成されている導電性積層体であり、
前記樹脂層(B)が、ポリイミド樹脂(b1)とエポキシ樹脂(b2)を含有する樹脂組成物(B−1)を乾燥、又は硬化させて得られる樹脂層であり、
前記金属微粒子層(C)が、窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)で保護されてなる金、銀、銅及び白金からなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子(c2)を含有する金属微粒子層であり、
前記導電層(D)が、めっき法によって形成される導電性積層体であり、
前記化合物(c1)が、
ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)、
ポリエチレングリコール鎖を有する(メタ)アクリレート系マクロモノマーと、−OP(O)(OH) 2 で表されるリン酸エステル残基を有する(メタ)アクリレート系モノマーとを、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有する連鎖移動剤の存在下で重合させて得られる(メタ)アクリル系重合体(P2)、又は、
下記一般式(1)
X−(OCH 2 CHR 1 ) n −O−CH 2 −CH(OH)−CH 2 −S−Z (1)
〔式(1)中、XはC 1 〜C 8 のアルキル基であり、R 1 は水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、R 1 は繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC 2 〜C 12 のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R 2 −OH、−R 2 −NHR 3 、又は−R 2 −COR 4 (但し、R 2 はC 2 〜C 4 のアルキレン鎖であり、R 3 は水素原子、C 2 〜C 4 のアシル基、C 2 〜C 4 のアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、R 4 はヒドロキシ基、C 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基である。)で表される基である。〕で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)であり、
前記樹脂層(B)と、その上に形成された金属微粒子層(C)とを合わせた膜厚が50nm〜500nmであることを特徴とする導電性積層体、及び
〔項2〕絶縁性基材(A)、金属微粒子層(C)、導電層(D)が、この順番に構成されている導電性積層体であり、
前記絶縁性基材(A)が、ポリイミド樹脂(b1)とエポキシ樹脂(b2)を含有する樹脂組成物(B−1)を乾燥、又は硬化させて得られる樹脂フィルム(B’)であり、
前記金属微粒子層(C)が、窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)で保護されてなる金、銀、銅及び白金からなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子(c2)を含有する金属微粒子層であり、
前記導電層(D)が、めっき法によって形成される導電性積層体であり、
前記化合物(c1)が、
ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)、
ポリエチレングリコール鎖を有する(メタ)アクリレート系マクロモノマーと、−OP(O)(OH) 2 で表されるリン酸エステル残基を有する(メタ)アクリレート系モノマーとを、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有する連鎖移動剤の存在下で重合させて得られる(メタ)アクリル系重合体(P2)、又は、
下記一般式(1)
X−(OCH 2 CHR 1 ) n −O−CH 2 −CH(OH)−CH 2 −S−Z (1)
〔式(1)中、XはC 1 〜C 8 のアルキル基であり、R 1 は水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、R 1 は繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC 2 〜C 12 のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R 2 −OH、−R 2 −NHR 3 、又は−R 2 −COR 4 (但し、R 2 はC 2 〜C 4 のアルキレン鎖であり、R 3 は水素原子、C 2 〜C 4 のアシル基、C 2 〜C 4 のアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、R 4 はヒドロキシ基、C 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基である。)で表される基である。〕で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)であり、
前記樹脂層(B)と、その上に形成された金属微粒子層(C)とを合わせた膜厚が50nm〜500nmであることを特徴とする導電性積層体、を提供するものである。
<絶縁性基材(A)>
本発明で用いられる絶縁性基材(A)としては、高耐熱性のものが好ましく、ガラス転移温度が200℃以上、もしくは、分解温度が300℃以上である耐熱性樹脂を用いることができる。例えば、ポリイミド樹脂、アラミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、液晶ポリマーなどの樹脂基材や、ガラス、セラミックスなどの素材を好適に用いることができる。基材の形状としては、特に制限は無く、シートやフィルム状のもの、チップ形状、立体成形品など何れの形態にも対応可能である。
この目的に用いる支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル等のオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、さらには離型紙や銅箔等を挙げることができる。銅箔を支持体として用いる場合には、フィルムを成形した後に、塩化第二鉄や塩化第二銅など、銅箔のエッチング液を用いることによって、支持フィルムを除去することが可能である。支持フィルムは最終的に剥離されるものであるが、後工程の金属微粒子(c1)の分散液を塗工する前に、支持フィルムを剥離して、樹脂フィルム(B‘)のみの絶縁性基材(A)として用いても良いし、金属微粒子(c1)の分散液を塗工した後に剥離してもよく、また、さらに、めっき処理を行った後に剥離することも可能である。
本発明で用いる樹脂層(B)は、ポリイミド樹脂(b1)とエポキシ樹脂(b2)を含有する樹脂組成物(B−1)を乾燥、又は硬化させたものであって、該樹脂組成物(B−1)は、必要に応じて充填材(b3)をさらに含有していても良い。
本発明においてポリイミド樹脂の対数粘度は以下の条件にて求めた。
ポリイミド樹脂を樹脂濃度が0.5g/dlとなるようにN−メチル−2−ピロリドンに溶解して樹脂溶液を得た。樹脂溶液の溶液粘度及び溶媒粘度(N−メチル−2−ピロリドンの粘度)を30℃で、ウベローデ型の粘度管により測定して、得られた測定値を下記の式にあてはめて求めた。
対数粘度(dl/g)=[ln(V1/V2)]/V3
上記式中、V1はウベローデ型粘度管により測定した溶液粘度を示し、V2はウベローデ型粘度管により測定した溶媒粘度を示す。ここで、V1及びV2は樹脂溶液及び溶媒(N−メチル−2−ピロリドン)が粘度管のキャピラリーを通過する時間から求めた。また、V3は、ポリマー濃度(g/dl)である。
前記ビフェニル構造を有するポリイソシアネート化合物としては、例えば、4,4´−ジイソシアネート−3,3´−ジメチル−1,1´−ビフェニル、4,4´−ジイソシアネート−3,3´−ジエチル−1,1´−ビフェニル、4,4´−ジイソシアネート−2,2´−ジメチル−1,1´−ビフェニル、4,4´−ジイソシアネート−2,2´−ジエチル−1,1´−ビフェニル、4,4´−ジイソシアネート−3,3´−ジトリフロロメチル−1,1´−ビフェニル、4,4´−ジイソシアネート−2,2´−ジトリフロロメチル−1,1´−ビフェニルなどが挙げられる。
前記脂環式トリカルボン酸無水物としては、シクロヘキサン−1,3,4−トリカルボン酸無水物-3,4−無水物、シクロヘキサン−1,3,5−トリカルボン酸無水物-3,5−無水物、シクロヘキサン−1,2,3−トリカルボン酸無水物-2,3−無水物などが挙げられる。
前記ビフェニル構造を有する酸無水物以外のテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノン−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテル−3,3′,4,4′−テトラカルボン酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレン−1,3,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ベリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、プロピレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、ブタンジオールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキサメチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、ポリエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、ポリプロピレンレングリコールビスアンヒドロトリメリテートやその他アルキレングリコールビスアンヒドロキシトリメリテートなどが挙げられる。
ベンゾフェノン構造の含有量は、ポリイミド樹脂主鎖への結合箇所が4箇所のベンゾフェノン構造の分子量を178として、ポリイミド樹脂全体の重量に占めるベンゾフェノン構造の割合から算出することができる。
ポリイミド樹脂中の2、4位で主鎖と結合したトリレン構造の含有量は、1〜20質量%であることが合成安定性に優れることから好ましく、2〜14質量%であることが低線膨張性と合成安定性に優れることからより好ましい。
ポリイソシアネート化合物中のイソシアネート基のモル数(ma)と酸無水物基を有する化合物中の無水酸基とカルボキシル基との合計のモル数(mb)の割合(ma)/(mb)は、分子量の大きいポリイミド樹脂が得やすく、機械物性に優れる硬化物が得られるポリイミド樹脂となることから0.7〜1.2の割合が好ましく、さらに0.8〜1.2の割合がより好ましい。また、保存安定性に優れるポリイミド樹脂が得やすいことから前記(ma)/(mb)は0.9〜1.1の範囲がより好ましい。なお、無水トリメリット酸などのカルボン酸無水物を併用する場合は、前記(mb)は全てのカルボン酸無水物の中の無水酸基とカルボキシル基との合計のモル数である。
特に溶剤の塗膜乾燥及び塗膜硬化時の残存溶剤量の低減、ポリイミド樹脂の溶解性の観点から、ジメチルアセトアミドの使用が好ましい。
プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル等のポリプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のポリプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;低分子のエチレン−プロピレン共重合体等の共重合ポリエーテルグリコールのジアルキルエーテル類;共重合ポリエーテルグリコールのモノアセテートモノアルキルエーテル類;共重合ポリエーテルグリコールのアルキルエステル類;共重合ポリエーテルグリコールのモノアルキルエステルモノアルキルエーテル類などが挙げられる。
本発明で用いるポリイミド樹脂(b1)は線状の構造を有するポリイミド樹脂でも良いし、分岐状の構造を有するポリイミド樹脂でもよい。また、共重合成分としてポリエステル変性したポリエステルイミドやウレタン変性したポリウレタンイミドの構造を有していても良い。
本発明で重量平均分子量(Mw)の測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ(G
PC)を用い、下記の条件により求めた。
測定装置 : 東ソー株式会社製 HLC−8320GPC、UV8320
カラム : 東ソー株式会社製 SuperAWM−H×2本
検出器 : RI(示差屈折計)及びUV(254nm)
データ処理:東ソー株式会社製 EcoSEC−WorkStation
測定条件: カラム温度 40℃
溶媒 DMF
流速 0.35ml/分
標準 :ポリスチレン標準試料にて検量線作成
試料 :樹脂固形分換算で0.2重量%のDMF溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(注入量:10μl)
また、エポキシ樹脂(b2)の粘度は、低温溶融性に優れる組成物となることから、150℃における粘度が12Pa・s以下のエポキシ樹脂が好ましく、10Pa・s以下のエポキシ樹脂がより好ましい。
上述のアルキルアルコキシシランとしては、例えば、アルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコキシシラン等が挙げられる。
前記アルコキシ化メラミン樹脂の数平均分子量としては、100〜10000のものが使用できる。好ましくは、300〜2000がポリイミド樹脂との相溶性と硬化時の硬化性の面で好ましく、さらに400〜1000がより好ましい。
アルコキシ化メラミン樹脂の使用量としては、機械物性と高TGの優れることから、前記ポリイミド樹脂(A)とホウ素化合物(B)の合計100質量に対して1〜80質量部、好ましくは1〜50質量部、1〜30質量部が好ましい。
また、本発明において、樹脂層(B)は、絶縁性基材(A)の全面に形成されても良いし、適宜、目的に応じてパターン状に形成されていても良い。このようなパターン状の樹脂層(B)を得る方法としては、前記の種々の塗布方式のいずれかを用いて、基材上に直接パターン状の樹脂層(B)を形成すれば良い。この様に、パターン状の樹脂層(B)を形成しておくと、後述する金属微粒子層(C)を形成する際、絶縁積基材(A)と樹脂層(B)の濡れ性の違い、又は密着性の違いによって、樹脂層(B)上のみに金属微粒子層(C)を形成することも可能である。
さらに、本発明において、前記樹脂層(B)は、その表面に、例えば、電子回路パターン等、目的に応じたパターン状の溝構造を有していても良い。このようなパターン状の溝構造は、前記樹脂組成物(B−1)を乾燥、もしくは硬化させて、樹脂層(B)を形成した後に形成しても良いし、樹脂層(B−1)の乾燥、又は硬化工程において、目的とするパターンのモールドを介在させて成形しても良い。
樹脂層(B)を形成後に、樹脂層(B)の表面に溝構造を形成する方法としては、公知慣用の種々の方法を用いれば良いが、レーザー光、電子線等のエネルギー線を照射する非接触の加工法や、モールドを熱圧着する等の接触加工の方法を用いることができる。
このように、樹脂層(B)の表面にパターン状の溝構造を形成しておくと、後述する金属微粒子層(C)を形成する際、樹脂層(B)表面と溝内の濡れ性の違いや、金属微粒子(c―1)分散液の浸透性によって、樹脂層(B)上の溝内のみに金属微粒子層(C)を形成することも可能である。
このような目的で樹脂層(B)表面に形成される溝構造のサイズとしては、加工法の制約から、溝の幅が1μm以上であることが好ましく、例えば、溝構造のパターンが電子回路を形成する場合には、溝の幅が200μm以下であることが好ましく、より好ましくは、100μm以下であることが好ましい。高密度化を目指す用途としては、さらに、50μm以下であることが、より好ましい。
また、樹脂層(B)表面に形成される溝構造の深さとしては、形成する樹脂層(B)の厚みに応じて、適宜選択すれば良いが、エネルギー線照射による溝形成の場合には、樹脂層(B)の厚みの80%以下の厚みの溝を形成することが好ましく、熱圧着による方法を用いる場合には、樹脂層(B)の厚みの50%以下であることが好ましい。
また、樹脂フィルム(B‘)表面に形成される溝構造の深さとしては、樹脂フィルム(B‘)の厚みが、30μm以下である場合には、その厚みの50%以下の深さであることが好ましく、30μmより厚い樹脂フィルム(B‘)を用いる場合でも、溝形成のための加工の効率性から、15μm以下の深さとするのが好ましい。
本発明における金属微粒子層(C)に含有される金属微粒子(c2)は、前記絶縁性基材(A)上に形成された樹脂層(B)上で、無電解めっき用又は電気めっきの触媒として機能するものであり、金、銀、銅、白金の粒子、及び、これらの金属の合金、コア−シェル型粒子、例えば、金−銀コアシェル、金−銅コアシェル、銀−銅コアシェル粒子や、これらの金属粒子の異方性複合粒子などである。本発明においては、前記金属微粒子(c2)は一種のみを用いても良いし、複数種を混合したものを用いても良い。工業的入手のし易さ、コストの観点から、金属種としては銀又は銅の粒子を用いることが好ましい。
また、金属微粒子(c2)の表面に酸化被膜や硫化被膜が存在していても、無電解めっき又は電気めっき触媒として機能する程度であれば差し支えない。
低分子量の化合物として例えば、2−ジメチルアミノエタノール、2−ジエチルアミノエタノール、2−ジメチルアミノイソプロパノール、3−ジエチルアミノ−1−プロパノール、2−ジメチルアミノ−2−メチル−1−プロパノール、2−メチルアミノエタノール、4−ジメチルアミノ−1−ブタノール、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ステアリン酸、シュウ酸、酒石酸、フタル酸、メタクリル酸、クエン酸、アクリル酸、安息香酸、コール酸、エチレンジアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、トリメチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、トリオクチルアミン、ドデシルジメチルアミン、ブチルエタノールアミンアミン、チオコリンブロミド、アリルチオール、オクタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、L−システイン、スルホコハク酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどを挙げることができる。
また、高分子量の化合物としては例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体、ポリエチレンイミン、ポリプロピレンイミン、ポリピロール、ポリ(メタ)アクリレート、ポリスチレンなどの高分子単位を、分子中に一種、もしくは複数種有する高分子を好適に利用でき、これらの高分子単位を複数種有する場合には、それぞれの高分子単位が、直接、もしくは、アミド結合、エステル結合、エーテル基(−O−)やチオエーテル基(−S−)を介して結合されているものを用いることができる。さらに、これら高分子の末端の一部が、アミノ基(−NH2)、カルボキシ基(−COOH)、カルボン酸エステル(−COOR:Rはメチル、エチル、プロピルから選ばれる)、ヒドロキシ基(−OH)、チオール基(−SH)などで置換されていても良く、高分子の末端に、−OP(O)(OH)2で表されるリン酸エステル基や、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有するものを好適に用いることができる。これらの高分子は、単独、もしくは複数種を混合して同時に用いることができる。
X−(OCH2CHR1)n−O−CH2−CH(OH)−CH2−S−Z (1)
〔式(1)中、XはC1〜C8のアルキル基であり、R1は水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、R1は繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC2〜C12のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R2−OH、−R2−NHR3、又は−R2−COR4(但し、R2はC2〜C4のアルキレン鎖であり、R3は水素原子、C2〜C4のアシル基、C2〜C4のアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC1〜C4のアルキル基又はC1〜C8のアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、R4はヒドロキシ基、C1〜C4のアルキル基又はC1〜C8のアルコキシ基である。)で表される基である。〕で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)を好適に用いることができる(例えば、特許第4784847号参照)。
また、金属微粒子(c2)を分散させる前記有機溶媒としては、水と混合しない有機溶媒、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、トリメチルペンタン等の長鎖アルカンや、シクロヘキサン、シクロブタン、シクロオクタン等の環状アルカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、ドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、シクロヘキサノール、テルピネオールなどのアルコールを挙げることができ、これらの溶媒を単独、もしくは複数を混合したものを用いても良い。
このようなパターン状の金属微粒子層(C)を得る方法としては、前記の種々の塗布方式のいずれかを用いて、樹脂層(B)上、もしくは、樹脂フィルム(B‘)上に直接パターン状の金属微粒子層(C)を形成しても良いし、後述するめっき処理による導電層(D)を形成する前に、回路パターンのパターニングを行っても良い。パターニングの方法としては、例えば、レーザー照射により、アブレーション現象を誘起して不要部を除去する方法が挙げられる。この目的に用いられるレーザーとしては、UVレーザー、可視光レーザー、近赤外、赤外光レーザーのいずれの波長のレーザーを用いても良い。また、前記の様に、パターン状の樹脂層(B)を形成している場合や、樹脂層(B)もしくは、樹脂フィルム(B’)の表面にパターン状の溝構造を形成している場合には、絶縁性基材(A)上と樹脂層(B)上、表面と溝内部での濡れ性の違いによって、自発的に、樹脂層(B)上のみ、もしくは、溝内部のみに選択的に金属微粒子が存在することによって、パターン状の金属微粒子層(C)を形成する場合もある。
本発明の導電層(D)は、前記金属微粒子層(C)の上に無電解めっき又は電気めっきを行うことで形成される。無電解めっきを行うか電気めっきを行うかは、金属微粒子層(C)の導電性や、用途、目的に応じて適宜選択すれば良く、無電解めっき後に電気めっきを行っても良い。
本発明の導電性積層体は、前記絶縁性基材(A)上に樹脂層(B)を形成し、この上に金属微粒子層(C)を有し、さらに、この上に導電層(D)が積層されてなるものである。また、本発明の導電性積層体は、絶縁性基材(A)として、樹脂組成物(B−1)を乾燥、もしくは硬化させて得られる樹脂フィルム(B‘)を用い、この上に金属微粒子層(C)を有し、さらに、この上に導電層(D)が積層されてなるものである。
本発明にて用いた機器類は下記の通りである。
1H−NMR:日本電子株式会社製、AL300、300Hz
TEM観察:日本電子株式会社製、JEM−2200FS
TGA測定:SIIナノテクノロジー株式会社製、TG/DTA6300
プラズモン吸収スペクトル:株式会社日立製作所製、UV−3500
表面抵抗値測定:三菱化学株式会社製、低抵抗率計ロレスタEP(4端子法)
剥離強度試験:西進商事株式会社製 ボンドテスター SS−30WD:めっき皮膜を0.5cmの短冊状に基材から剥離し、90℃方向の引っ張り強度を求めることで剥離強度を測定した。
<ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)の合成>
合成例1〔ポリエチレングリコール(PEG)−分岐ポリエチレンイミン(PEI)構造を有する化合物(P1)の合成〕
1−1[トシル化ポリエチレングリコールの合成]
クロロホルム150mlに片末端メトキシ化ポリエチレングリコール(以下、PEGM)〔数平均分子量(Mn)5000〕(アルドリッチ社製)150g〔30mmol〕とピリジン24g(300mmol)とを混合した溶液と、トシルクロライド29g(150mmol)とクロロホルム30mlとを均一に混合した溶液をそれぞれ調製した。
PEGMとピリジンの混合溶液を20℃で攪拌しながら、ここにトシルクロライドのトルエン溶液を滴下した。滴下終了後、40℃で2時間反応させた。反応終了後、クロロホルム150mlを加えて希釈し、5%HCl水溶液250ml(340mmol)で洗浄後、飽和食塩水と水で洗浄した。得られたクロロホルム溶液を硫酸ナトリウムで乾燥した後、エバポレータで溶媒を留去し、さらに乾燥した。収率は100%であった。1H−NMRスペクトルにより各ピークの帰属を行い(2.4ppm:トシル基中のメチル基、3.3ppm:PEGM末端のメチル基、3.6ppm:PEGのEG鎖、7.3〜7.8ppm:トシル基中のベンゼン環)、トシル化ポリエチレングリコールであることを確認した。
1−2[PEG−分岐PEI構造を有する化合物の合成]
上記1−1で得られたトシル化ポリエチレングリコール23.2g(4.5mmol)と、分岐状ポリエチレンイミン(日本触媒株式会社製、エポミン SP200)15.0g(1.5mmol)をジメチルアセトアミド(以下、DMA)180mlに溶解後、炭酸カリウム0.12gを加え、窒素雰囲気下、100℃で6時間反応させた。反応終了後、固形残渣を除去し、酢酸エチル150mlとヘキサン450mlの混合溶媒を加え、沈殿物を得た。該沈殿物をクロロホルム100mlに溶解し、再度酢酸エチル150mlとヘキサン450mlの混合溶媒を加えて再沈させた。これをろ過し、減圧下で乾燥した。1H−NMRスペクトルにより各ピークの帰属を行い(2.3〜2.7ppm:分岐PEIのエチレン、3.3ppm:PEG末端のメチル基、3.6ppm:PEGのEG鎖)、PEG−分岐PEI構造を有する化合物(P1)であることを確認した。収率は99%であった。
合成例2
上記合成例1で得られた化合物(P1)0.592gを含む水溶液138.8gに酸化銀10.0gを加えて25℃で30分間攪拌した。引き続き、ジメチルエタノールアミン46.0gを攪拌しながら徐々に加えたところ、反応溶液は黒赤色に変わり、若干発熱したが、そのまま放置して25℃で30分間攪拌した。その後、10%アスコルビン酸水溶液15.2gを攪拌しながら徐々に加えた。その温度を保ちしながらさらに20時間攪拌を続けて、黒赤色の分散体を得た。
上記で得られた反応終了後の分散液にイソプロピルアルコール200mlとヘキサン200mlの混合溶剤を加えて2分間攪拌した後、3000rpmで5分間遠心濃縮を行った。上澄みを除去した後、沈殿物にイソプロピルアルコール50mlとヘキサン50mlの混合溶剤を加えて2分間攪拌した後、3000rpmで5分間遠心濃縮を行った。上澄みを除去した後、沈殿物にさらに水20gを加えて2分間攪拌して、減圧下有機溶剤を除去して銀粒子(C−1)の水性分散体を得た。
得られた銀粒子(C−1)の水性分散体をサンプリングし、10倍希釈液の可視吸収スペクトル測定により400nmにプラズモン吸収スペクトルのピークが認められ、銀ナノ粒子の生成を確認した。また、TEM観察より球形の銀ナノ粒子(平均粒子径17.5nm)が確認された。TG−DTAを用いて、固体中の銀含有率を測定した結果、97.2%を示した。このことから、本合成法によって得られる分散体中の不揮発分中の化合物(P1)含有量は2.8%と見積もることができる。
(絶縁性基材(A)上への樹脂層(B)の形成)
ポリイミド樹脂(b1:DIC株式会社製直鎖型アミドイミド樹脂UNIDIC EPG−630)及びエポキシ樹脂(b2:DIC株式会社製ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂850−S)を混合し、DMAで希釈することで、不揮発分が2%の溶液を得た。乾燥膜厚が100nmとなるように、ポリイミドフィルム(東レ・デュポン製カプトンEN150−C、38μm厚)上に塗布(バーコート)した。ポリイミドフィルムの両面に塗布した後、熱風乾燥器を用いて100℃で10分間乾燥することによって、ポリイミドフィルム上に樹脂層(B)を両面に形成した。
合成例2で作製した銀粒子の水分散体にエタノールを加えて、銀濃度10%、水/エタノール(1/1(w/w))の銀粒子分散液とし、0.1%のKF−351A(信越シリコーン社製)を加えた。この分散液を、0番のK101バー(ウェット膜厚4μm)を用い、K−コントロールコーター(K101、RKプリントコートインスツルメント社製)の速度目盛り10で、ポリイミドフィルム上に形成された、前記樹脂層(B)上に塗布(バーコート)した。このフィルムを室温で乾燥させた後、熱風乾燥機を用いて250℃で60分間加熱した。銀塗膜表面の抵抗を測定したところ、4Ω/□であった。
ポリイミドフィルム上に形成した樹脂層(B)上に形成した金属微粒子層(C)が導電性を示した為、銅の導電層を有する導電性材料を用いて、電気(硫酸銅)めっきを行った。硫酸銅めっきは、定法に基づき、脱脂、水洗、酸洗、水洗、硫酸銅めっき、水洗、防錆処理、水洗の工程を経ることにより行った。
1.酸洗:25℃の硫酸水溶液(約5%)に5秒間浸漬した。
2.硫酸銅めっき:トップルチナSF−M(奥野製薬工業株式会社製)を添加した硫酸銅めっき液を用い、23℃、1.66A/dm2の条件で43分間浸漬した。
3.防錆処理:防錆剤(トップリンスCU−5、奥野製薬工業株式会社製)を用い、25℃で1分間浸漬した。
電気めっきを行った試験片は、水洗し、水分を拭き取った後に冷風乾燥を行い、60℃5時間後、10℃20時間のアニール処理を行った。電気めっき後にポリイミドフィルム上に形成された銅層の平均膜厚は約15〜16μmであり、38μm厚のポリイミドフィルム上に、樹脂層を介して約16μm厚の導電性層を有する導電性材料を作製することができた。電気めっきを行った試験片は、良好な耐薬品性を示し、電気めっき工程で剥離などを起こさなかった。また、形成された銅の剥離強度は0.52kgf/cmであり、良好な密着強度を示し、150℃90時間の耐熱試験後の剥離強度は、0.53kgf/cmで密着強度が低下することはなかった。
実施例1において、ポリイミド上に樹脂層を形成しない以外は、実施例1と同様にして銀濃度10%の分散液をポリイミド上に塗布、電気銅めっき処理を行った。電気めっきを行った試験片は、電気めっき工程で剥離等を起こさなかったが、形成された銅の剥離強度は、0.11kgf/cmと低く、150℃90時間の耐熱試験後の剥離強度は、0.20kgf/cmと低いままであった。
Claims (14)
- 絶縁性基材(A)、樹脂層(B)、金属微粒子層(C)、導電層(D)が、この順番に構成されている導電性積層体であり、
前記樹脂層(B)が、ポリイミド樹脂(b1)とエポキシ樹脂(b2)を含有する樹脂組成物(B−1)を乾燥、又は硬化させて得られる樹脂層であり、
前記金属微粒子層(C)が、窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)で保護されてなる金、銀、銅及び白金からなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子(c2)を含有する金属微粒子層であり、
前記導電層(D)が、めっき法によって形成される導電性積層体であり、
前記化合物(c1)が、
ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)、
ポリエチレングリコール鎖を有する(メタ)アクリレート系マクロモノマーと、−OP(O)(OH) 2 で表されるリン酸エステル残基を有する(メタ)アクリレート系モノマーとを、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有する連鎖移動剤の存在下で重合させて得られる(メタ)アクリル系重合体(P2)、又は、
下記一般式(1)
X−(OCH 2 CHR 1 ) n −O−CH 2 −CH(OH)−CH 2 −S−Z (1)
〔式(1)中、XはC 1 〜C 8 のアルキル基であり、R 1 は水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、R 1 は繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC 2 〜C 12 のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R 2 −OH、−R 2 −NHR 3 、又は−R 2 −COR 4 (但し、R 2 はC 2 〜C 4 のアルキレン鎖であり、R 3 は水素原子、C 2 〜C 4 のアシル基、C 2 〜C 4 のアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、R 4 はヒドロキシ基、C 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基である。)で表される基である。〕で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)であり、
前記樹脂層(B)と、その上に形成された金属微粒子層(C)とを合わせた膜厚が50nm〜500nmであることを特徴とする導電性積層体。 - 絶縁性基材(A)、金属微粒子層(C)、導電層(D)が、この順番に構成されている導電性積層体であり、
前記絶縁性基材(A)が、ポリイミド樹脂(b1)とエポキシ樹脂(b2)を含有する樹脂組成物(B−1)を乾燥、又は硬化させて得られる樹脂フィルム(B’)であり、
前記金属微粒子層(C)が、窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子を有する化合物(c1)で保護されてなる金、銀、銅及び白金からなる群から選ばれる1種以上の金属微粒子(c2)を含有する金属微粒子層であり、
前記導電層(D)が、めっき法によって形成される導電性積層体であり、
前記化合物(c1)が、
ポリエチレンイミンブロックとポリエチレングリコールブロックを有する化合物(P1)、
ポリエチレングリコール鎖を有する(メタ)アクリレート系マクロモノマーと、−OP(O)(OH) 2 で表されるリン酸エステル残基を有する(メタ)アクリレート系モノマーとを、−SR(Rは、炭素数1〜18のアルキル基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニル基、又は、ヒドロキシ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数1〜18のアラルキルオキシ基、ベンゼン環上に置換基を有していても良いフェニルオキシ基、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルキルカルボニルオキシ基及び炭素数1〜18の1価若しくは多価のアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる1つ以上の官能基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。)で表される官能基を有する連鎖移動剤の存在下で重合させて得られる(メタ)アクリル系重合体(P2)、又は、
下記一般式(1)
X−(OCH 2 CHR 1 ) n −O−CH 2 −CH(OH)−CH 2 −S−Z (1)
〔式(1)中、XはC 1 〜C 8 のアルキル基であり、R 1 は水素原子又はメチル基であり、nは2〜100の繰り返し数を示す整数であって、R 1 は繰り返し単位ごとに独立し、同一であっても異なっていても良く、ZはC 2 〜C 12 のアルキル基、アリル基、アリール基、アリールアルキル基、−R 2 −OH、−R 2 −NHR 3 、又は−R 2 −COR 4 (但し、R 2 はC 2 〜C 4 のアルキレン鎖であり、R 3 は水素原子、C 2 〜C 4 のアシル基、C 2 〜C 4 のアルコキシカルボニル基、又は芳香環上にC 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基を置換基を有していても良いベンジルオキシカルボニル基であり、R 4 はヒドロキシ基、C 1 〜C 4 のアルキル基又はC 1 〜C 8 のアルコキシ基である。)で表される基である。〕で表されるチオエーテル含有有機化合物(P3)であり、
前記樹脂層(B)と、その上に形成された金属微粒子層(C)とを合わせた膜厚が50nm〜500nmであることを特徴とする導電性積層体。 - 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるエポキシ樹脂(b2)と、前記金属微粒子層(C)に含まれる化合物(c1)とが反応することによって結合を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるポリイミド樹脂(b1)がビフェニル骨格を有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるポリイミド樹脂(b1)中のビフェニル骨格の含有率が20〜45質量%であり、且つ、対数粘度が0.2〜0.8dl/gであることを特徴とする請求項4記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるポリイミド樹脂(b1)がベンゾフェノン構造を有することを特徴とする請求項4又は5に記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるポリイミド樹脂(b1)がトリレン構造を有することを特徴とする請求項4〜6の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるポリイミド樹脂(b1)がアルキレン構造を有さないポリイミド樹脂である請求項4〜7の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるエポキシ樹脂(b2)がビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる1種以上のエポキシ樹脂である請求項1〜8の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記樹脂組成物(B−1)に含まれるエポキシ樹脂(b2)の含有量が前記樹脂組成物(B−1)に含まれるポリイミド樹脂(b1)100質量部に対して10〜100質量部であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記化合物(c1)の数平均分子量が1,000〜50,000の範囲である請求項1〜10の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記化合物(c1)が、1分子中に窒素原子、硫黄原子、リン原子又は酸素原子の2種以上の原子を含むものである請求項1〜11の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記化合物(c1)が、アミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チオール基、リン酸基、4級アンモニウム基、4級ホスホニウム基、シアノ基、エーテル基、チオエーテル基又はジスルフィド基のいずれか1種以上を有する化合物である請求項1〜12の何れか1項に記載の導電性積層体。
- 前記金属微粒子層(C)に含有される金属微粒子(c2)の平均粒子径が1〜200nmの範囲である請求項1〜13の何れか1項に記載の導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014250845A JP6460383B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 導電性積層体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014250845A JP6460383B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 導電性積層体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016112704A JP2016112704A (ja) | 2016-06-23 |
| JP6460383B2 true JP6460383B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=56139484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014250845A Active JP6460383B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 導電性積層体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6460383B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6796460B2 (ja) * | 2016-11-14 | 2020-12-09 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
| KR102364792B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2022-02-18 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 적층체, 그것을 사용한 프린트 배선판, 플렉서블 프린트 배선판 및 성형품 |
| WO2019013039A1 (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-17 | Dic株式会社 | 積層体、それを用いたプリント配線板、フレキシブルプリント配線板及び成形品 |
| CN110753617A (zh) * | 2017-07-10 | 2020-02-04 | Dic株式会社 | 层叠体、使用其的印刷布线板、挠性印刷布线板及成形品 |
| JP2019014188A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | Dic株式会社 | 積層体、それを用いたプリント配線板、フレキシブルプリント配線板及び成形品 |
| JP2019077920A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 小島プレス工業株式会社 | 金属調加飾部品及びその製造方法 |
| JP7250611B2 (ja) * | 2019-05-10 | 2023-04-03 | 石原ケミカル株式会社 | 回路基板及びその作製方法 |
| JP7052927B2 (ja) * | 2019-12-24 | 2022-04-12 | Dic株式会社 | 積層体、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板、電磁波シールド及び成形品 |
| CN114901470B (zh) * | 2019-12-25 | 2024-12-17 | 株式会社村田制作所 | 导电性复合结构体及其制造方法 |
| KR20220116550A (ko) * | 2020-01-31 | 2022-08-23 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 이방 도전성 시트, 전기 검사 장치 및 전기 검사 방법 |
| CN115335925B (zh) * | 2020-03-31 | 2025-05-27 | 富士胶片株式会社 | 导电性膜、触摸面板、感光性树脂组合物及导电性膜的制造方法 |
| JP7480848B2 (ja) * | 2020-08-13 | 2024-05-10 | 株式会社村田製作所 | 導電性膜、粒子状物質、スラリーおよび導電性膜の製造方法 |
| CN112746298A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-04 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种绝缘基材表面电镀金属的方法 |
| JP7626146B2 (ja) * | 2021-01-13 | 2025-02-04 | 株式会社村田製作所 | 導電性膜およびその製造方法 |
| JP2022190866A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | Dic株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
| JPWO2023286872A1 (ja) * | 2021-07-15 | 2023-01-19 | ||
| JPWO2023286873A1 (ja) * | 2021-07-15 | 2023-01-19 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006305914A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Asahi Kasei Corp | 積層基板の製造方法 |
| JP2006342380A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Morimura Chemicals Ltd | 複合金属コロイド粒子、複合金属コロイド粒子被覆体、混合金属コロイド粒子分散液、導電膜の形成方法 |
| JP5655400B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2015-01-21 | Dic株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム |
| JP5594449B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-09-24 | Dic株式会社 | 導電性材料及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-12-11 JP JP2014250845A patent/JP6460383B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016112704A (ja) | 2016-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6460383B2 (ja) | 導電性積層体及びその製造方法 | |
| JP5278785B2 (ja) | 熱硬化型樹脂組成物、その硬化物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| KR102027193B1 (ko) | 도전성 재료 및 그 제조 방법 | |
| JP5864299B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| KR101361529B1 (ko) | 전자기파 차폐 필름 및 그 제작방법과 전자기파 차폐 필름이 부착된 인쇄회로기판 및 그 제작방법 | |
| CN104910823A (zh) | 粘接膜 | |
| CN105131598A (zh) | 低介电的树脂组合物及应用其的树脂膜、半固化胶片及电路板 | |
| KR20210004954A (ko) | 열경화성 조성물, 프리프레그, 금속박 피복 적층판, 수지 시트 및 프린트 배선판 | |
| KR20120038392A (ko) | 열경화성 수지 조성물 및 그 경화물 | |
| CN101454377A (zh) | 带底漆树脂层的铜箔及使用该铜箔的层压板 | |
| CN112237053B (zh) | 印刷配线板的制造方法 | |
| KR20220049468A (ko) | 자성 페이스트 | |
| KR20130115431A (ko) | 전자기파 차폐 필름 제조방법 | |
| JP6667119B1 (ja) | プリント配線板用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
| TW201545640A (zh) | 屏蔽膜、屏蔽印刷佈線板及其等之製造方法 | |
| JP5861915B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| WO2020003878A1 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP5494341B2 (ja) | 熱硬化型樹脂組成物、その硬化物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| TW202024224A (zh) | 樹脂組成物 | |
| CN104661818B (zh) | 层叠体、导电性图案及电路 | |
| JP5655451B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| JP5655446B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| JP5655400B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| JP5577997B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム | |
| JP5633736B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171102 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20180220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180531 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180531 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181219 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6460383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |