JP6360157B2 - 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6360157B2 JP6360157B2 JP2016511170A JP2016511170A JP6360157B2 JP 6360157 B2 JP6360157 B2 JP 6360157B2 JP 2016511170 A JP2016511170 A JP 2016511170A JP 2016511170 A JP2016511170 A JP 2016511170A JP 6360157 B2 JP6360157 B2 JP 6360157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- resin composition
- component
- thermosetting resin
- meth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 CCC(CC)(c1c(*)c(*)c(*c(c(*)c2*)c(*)c(*)c2OCC2OC2)c(*)c1*)OCC(COc1c(*)c(*)c(*c2c(*)c(*)c(C(CC)(CC)OCC3OC3)c(*)c2*)c(*)c1*)O Chemical compound CCC(CC)(c1c(*)c(*)c(*c(c(*)c2*)c(*)c(*)c2OCC2OC2)c(*)c1*)OCC(COc1c(*)c(*)c(*c2c(*)c(*)c(C(CC)(CC)OCC3OC3)c(*)c2*)c(*)c1*)O 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
- C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F20/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F20/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
- C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/0806—Silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/16—Solid spheres
- C08K7/18—Solid spheres inorganic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
- H01L2224/29391—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83024—Applying flux to the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/8321—Applying energy for connecting using a reflow oven
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83862—Heat curing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1027—IV
- H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
- H10H20/8581—Means for heat extraction or cooling characterised by their material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
ここで使用されるカルボキシル基を含む有機化合物としては、分子量が110〜20000の有機カルボン酸から選ばれる1種以上の有機化合物が挙げられ、例えば、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、エイコサン酸、ドコサン酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、末端ジプロピオン酸ポリエチレンオキシドのようなカルボン酸が挙げられる。さらに、上記有機化合物としては、上記したカルボン酸のカルボン酸誘導体も使用できる。
市販されている具体的なシリコーンパウダーとしては、例えば、信越化学工業(株)製のシリコーン複合パウダー(KMP−600、KMP−601、KMP−602、KMP−605、X−52−7030など)、シリコーンゴムパウダー(KMP−597、KMP−598、KMP−594、X−52−875など)、シリコーンレジンパウダー(KMP−590、KMP−701、X−52−854、X−52−1621など)が挙げられ、これらを単独もしくは、2種類以上組み合わせて使用してもよい。
ここで、シリコーンパウダーを使用する場合は、平均粒子径0.5から10μmが好ましく、さらに好ましくは0.8〜5μmである。シリコーンパウダーの平均粒子径がこの範囲にあると有効な「物理的障害効果」を発現し、焼成ボイドの発生しない樹脂組成物が得られる。この平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置で測定して得られた個数基準の平均粒子径をいう。
圧縮弾性率および圧縮回復率が上記の範囲にあると、樹脂組成物の加熱硬化や焼結時において、ボイドの発生を抑制できるのに加え、樹脂と銀粒子やチップ等との密着性が改善され、実装時や高温保持時において、チップの歪みや変形を抑制できる樹脂組成物が得られる。
微小圧縮試験器(例えば、島津ダイナミック超微小硬度計DUH−W201[島津製作所製])を用いて、ダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑端面で、樹脂粒子を圧縮速度2.6mN/秒、及び最大試験荷重10gの条件下で圧縮し、30%圧縮変形における荷重値(N)と30%圧縮変形における変位(mm)を測定し、上記数式(1)により算出する。
圧縮回復率(%)=[(L1−L2)/L1]×100 …(2)
圧縮回復率は、20℃の雰囲気下、圧縮変形状態からの形状回復率のことであり、その算出は特公平7−95165号公報に記載の方法に準拠して、微小圧縮試験器(例えば、島津ダイナミック超微小硬度計DUH−W201[島津製作所製])を用いて、ダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑端面で、球状樹脂粒子を圧縮速度2.6mN/秒、及び最大試験荷重10gの条件下で圧縮し、荷重と変形量のヒステリシス曲線から求めた、総変形量(L1)及び塑性変形量(L2)の比を%で表した値である。
上記した共重合体は、それぞれカルボキシル基が水酸基を有する(メタ)アクリレートあるいはグリシジル基を有する(メタ)アクリレートと反応することで得ることが、水酸基が極性基を有さない(メタ)アクリル酸およびその誘導体と反応することで得ることが、グリシジル基が極性基を有さない(メタ)アクリル酸およびその誘導体と反応することで得ることが、可能である。
そして、ポリ(メタ)アクリレートで(メタ)アクリル基を有する化合物は、ポリ(メタ)アクリレートポリオールと(メタ)アクリル酸又はその誘導体との反応により得ることが可能である。
ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートは、ポリオール化合物と(メタ)アクリル酸及びその誘導体とを反応することで得ることが可能である。この反応は、公知反応を使用することができ、ポリオール化合物に対し、通常0.5〜5倍モルのアクリル酸エステル又はアクリル酸を使用する。
また、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリルアミドは、ヒドロキシル基を有するアミン化合物と(メタ)アクリル酸及びその誘導体とを反応させることで得ることが可能である。(メタ)アクリル酸エステルとアミン化合物とを反応させて(メタ)アクリルアミド類を製造する方法は、(メタ)アクリル酸エステルの二重結合が極めて反応性に富む為に、アミン、シクロペンタジエン、アルコール等を予め二重結合に保護基として付加させ、アミド化終了後加熱して保護基を脱離させ目的物を製造するのが一般的である。
このようにヒドロキシル基を含有することにより、還元効果による焼結性が促進されると共に、接着性が向上する。
ここで、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分枝鎖状及び環状のいずれの形態でもよく、炭素数が6以上であることが好ましく、炭素数が12以上であることがより好ましく、炭素数が24以上であることが特に好ましい。また、この脂肪族炭化水素基はマレイミド基に直接結合していることが好ましい。
このようなマレイミド樹脂の具体例としては、BMI−1500(デジグナーモレキュールズ社製、商品名;分子量 1500)、BMI−1700(デジグナーモレキュールズ社製、商品名;分子量 1700)、等が挙げられる。
本発明の半導体装置は、上記した熱硬化性樹脂組成物を用いて、半導体素子を素子支持部材となる基板上に接着してなるものである。すなわち、ここで熱硬化性樹脂組成物はダイアタッチペーストとして使用される。
表1及び表2の配合に従って各成分を混合し、ロールで混練し、樹脂ペーストを得た。得られた樹脂ペーストを以下の方法で評価した。その結果を表1及び表2に併せて示す。なお、実施例及び比較例で用いた材料は、下記の通りの市販品を使用した。
(A2):球状銀微粒子(三ツ星ベルト(株)製、商品名:MDot;平均粒径:50nm)
(B):銀粉(福田金属箔粉工業(株)製、商品名:AgC−212D;平均粒子径:5μm)
(C1):球状樹脂粒子1(信越化学工業(株)製、商品名:KMP−600;平均粒子径:1μm、圧縮弾性率(30%K値):5300N/mm2、圧縮回復率:100%)
(C2):球状樹脂粒子2(綜研化学(株)製、商品名:MX−1500;平均粒子径:15μm、圧縮弾性率(30%K値):1500N/mm2、圧縮回復率:25%、CV値2%)
(C3):球状樹脂粒子3(積水化学(株)製、商品名:ミクロパールAUEZ−035A;平均粒子径:35μm、Au層:20nm、中間Ni層:30nm、圧縮弾性率(30%K値):750N/mm2、圧縮回復率:10%、CV値5%)
(C4):球状樹脂粒子4(積水化学(株)製、商品名:ミクロパールAUE−035A;平均粒子径:35μm、Au層:20nm、中間Ni層:30nm、圧縮弾性率(30%K値):4600N/mm2、圧縮回復率:55%、CV値5%)
(D2):イミド拡張型ビスマレイミド(デジグナーモレキュールズ社製、商品名:BMI−1500;数平均分子量 1500)
(D3):ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名:RE−810NM;エポキシ当量 223、加水分解性塩素 150ppm(1N KOH−エタノール、ジオキサン溶媒、還流30分)
(D4):4−ヒドロキシブチルアクリレート(日本化成株式会社製、商品名:4HBA)
重合開始剤:ジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、商品名:パークミルD;急速加熱試験における分解温度:126℃)
(E):リンゴ酸(東京化成工業(株)製)
(F):ジエチレングリコール(東京化成工業(株)製)
[粘度]
E型粘度計(3°コーン)を用いて、25℃、5rpmでの値を測定した。
[ポットライフ]
25℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置した時の粘度が初期粘度の1.5倍以上増粘するまでの日数を測定した。
4mm×4mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金チップを、半導体用樹脂ペーストを用いて、無垢の銅フレーム及びPPF(Ni−Pd/Auめっきした銅フレーム)にマウントし、200℃、60分で硬化した。硬化及び吸湿処理(85℃、相対湿度85%、72時間)後、マウント強度測定装置を用い、260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
4mm×4mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金チップを、半導体用樹脂ペーストを用いて、表面にNi−Pd/AuめっきしたMo基板にマウントし、200℃、60分で硬化した。高温熱処理として加熱処理(250℃の加熱処理を、100時間及び1000時間)並びに冷熱サイクル処理(−40℃から250℃まで昇温し、また−40℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを100サイクル及び1000サイクル)後のそれぞれについて、マウント強度測定装置を用い、260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
JIS R 1611−1997に従い、レーザーフラッシュ法により硬化物の熱伝導率を測定した。
[電気抵抗]
導電ペーストを、ガラス基板(厚み1mm)にスクリーン印刷法により厚み200μmとなるように塗布し、200℃、60分で硬化した。得られた配線を製品名「MCP−T600」(三菱化学(株)製)を用い4端子法にて電気抵抗を測定した。
6mm×6mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金シリコンチップを得られた樹脂ペーストを用いて銅フレーム及びPPFにマウントし、ホットプレート上で、200℃、60秒間の加熱硬化(HP硬化)又はオーブンを使用し、200℃、60分の加熱硬化(OV硬化)を行った。これを京セラケミカル(株)製エポキシ封止材(商品名:KE−G3000D)を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒)及び冷熱サイクル処理(−55℃から150℃まで昇温し、また−55℃に冷却する操作を1サイクルとし、これを1000サイクル)を行い、各処理後それぞれのパッケージの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。
チップ:シリコンチップ及び裏面金メッキチップ
リードフレーム:PPF及び銅
封止材の成形:175℃、2分間
ポストモールドキュアー:175℃、8時間
導電性ペーストを、スタンピング法により凹型のリフレクター構造を側面に有する発光装置用酸化アルミニウム基板へ塗布し、600μm角の銀蒸着層を設けた発光素子をマウントし、200℃、60分の加熱硬化を行った。次いで、発光素子の電極と基板の電極とを金ワイヤーで配線し、シリコーン樹脂(信越化学工業(株)製)で封止した。この状態で通電試験(試験条件25℃、50mA)を、500時間経過後、1000時間経過後、及び2000時間経過後の反射率の初期値に対する低下を下記式にて算出した。
初期値に対する反射率の低下率(%)=(t時間後の反射率)÷(初期反射率)×100
マイクロフォーカスX線検査装置(SMX−1000、島津製作所社製)を用いて観察し、ボイド率が5%未満を「○」、5%以上8%未満を「△」、8%以上を「×」と評価した。尚、上記ボイド率は、X線透過装置によりはんだ接合部を接合面に対し垂直方向から観察し、ボイド面積と接合部面積を求め、下式により算出した。
ボイド率(%)=ボイド面積÷(ボイド面積+接合部面積)×100
8mm×8mmの接合面に金蒸着層を設けた裏面金チップを、半導体用樹脂ペーストを用いて、表面にNi−Pd/AuめっきしたMo基板にマウントし、200℃、60分で硬化して作製した半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置(ThermoireAXP:Akrometrix製)を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITA ED−7306に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A|+|B|の値(Coplanarity)をパッケージ反り値とし、次のように評価した。
○:5μm未満、△:5μm以上10μm未満、×:10μm以上
Claims (16)
- (A)厚さ又は短径が1〜200nmの銀微粒子と、(B)前記(A)成分以外の平均粒子径が0.2μm超30μm以下である銀粉と、(C)樹脂粒子と、(D)熱硬化性樹脂と、を含み、
前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(C)成分が0.01〜1質量部、前記(D)成分が1〜20質量部、配合されていることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。 - 前記(A)銀微粒子として、(A1)中心粒子径が0.3〜15μm、厚さが10〜200nmのプレート型銀微粒子を含んでなる請求項1記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(A)銀微粒子として、(A2)平均粒子径10〜200nmの球状銀微粒子を含んでなる請求項1又は2記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(A)成分の銀微粒子が、100℃〜250℃で自己焼結するものである請求項1乃至3のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(A)成分と前記(B)成分の質量比が、10:90〜90:10である請求項1乃至4のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(C)樹脂粒子の平均粒子径が0.5〜50μmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(C)樹脂粒子が、ジビニルベンゼン、メタクリル酸メチル樹脂(PMMA)、メタクリル酸エチル樹脂(PEMA)、メタクリル酸ブチル樹脂(PBMA)、メタクリル酸メチル−メタクリル酸エチル共重合体およびこれらの混合物、またはシリコーンパウダーの何れかである請求項1乃至6のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(C)樹脂粒子の圧縮弾性率が200〜3000N/mm2、圧縮回復率30%以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(C)樹脂粒子が、平均粒子径が0.5〜10μmのシリコーンパウダー、および/または、圧縮弾性率が200〜3000N/mm 2 、圧縮回復率30%以下である架橋重合体である樹脂粒子であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 前記(D)熱硬化性樹脂が、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂又はマレイミド樹脂ある請求項1乃至9のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- さらに、(E)フラックスを含有し、前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(E)成分が0.01〜5質量部配合される請求項1乃至11のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- さらに、(F)溶剤を含有し、前記(A)成分の銀微粒子と前記(B)成分の銀粉の合計量を100質量部としたとき、前記(F)溶剤が7〜20質量部配合される請求項1乃至12のいずれか1項記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 請求項1乃至13のいずれか1項記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料とし、半導体素子を基板上に接着したことを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体素子が、発光素子であることを特徴とする請求項14記載の半導体装置。
- 請求項1乃至15のいずれか1項記載の樹脂組成物を放熱部材接着用材料とし、放熱部材を発熱部品に接着したことを特徴とする電気・電子機器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2014/001962 WO2015151136A1 (ja) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2015151136A1 JPWO2015151136A1 (ja) | 2017-04-13 |
| JP6360157B2 true JP6360157B2 (ja) | 2018-07-18 |
Family
ID=54239513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016511170A Active JP6360157B2 (ja) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11784153B2 (ja) |
| EP (1) | EP3128540B1 (ja) |
| JP (1) | JP6360157B2 (ja) |
| KR (1) | KR101860378B1 (ja) |
| CN (1) | CN106133894B (ja) |
| WO (1) | WO2015151136A1 (ja) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170092560A1 (en) * | 2014-05-27 | 2017-03-30 | Denka Company Limited | Semiconductor package and method for manufacturing same |
| US20170326639A1 (en) * | 2015-02-06 | 2017-11-16 | Tokusen Kogyo Co., Ltd. | Electrically conductive fine particles |
| JP6859077B2 (ja) * | 2015-11-11 | 2021-04-14 | 積水化学工業株式会社 | 粒子材料、接続材料及び接続構造体 |
| CN108138024B (zh) | 2015-11-20 | 2022-01-11 | 积水化学工业株式会社 | 粒子、连接材料及连接结构体 |
| WO2017086454A1 (ja) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | 積水化学工業株式会社 | 粒子、接続材料及び接続構造体 |
| US11020825B2 (en) | 2015-11-20 | 2021-06-01 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Connecting material and connection structure |
| JP6657924B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2020-03-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 伝熱部材及び伝熱部材の製造方法 |
| JP6616201B2 (ja) * | 2016-01-27 | 2019-12-04 | 京セラ株式会社 | 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP5972490B1 (ja) | 2016-02-10 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着剤組成物ならびにこれを用いた導電性接着フィルムおよびダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP6005313B1 (ja) | 2016-02-10 | 2016-10-12 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP6005312B1 (ja) | 2016-02-10 | 2016-10-12 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP5989928B1 (ja) * | 2016-02-10 | 2016-09-07 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP5972489B1 (ja) | 2016-02-10 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP6920029B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2021-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 金属粉焼結ペースト及びその製造方法、導電性材料の製造方法 |
| JP2017199842A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 株式会社光波 | Led光源装置 |
| CN114381232A (zh) * | 2016-05-24 | 2022-04-22 | 积水化学工业株式会社 | 接合用组合物、光学用粘接剂以及压力传感器用粘接剂 |
| JP2018006512A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置及び移動体 |
| US20190316009A1 (en) * | 2016-07-04 | 2019-10-17 | Namics Corporation | Adhesive composition, cured product, and precision part |
| JP2018070668A (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-10 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物 |
| CN109952356A (zh) * | 2016-11-10 | 2019-06-28 | 京瓷株式会社 | 半导体粘接用树脂组合物、半导体粘接用片以及使用其的半导体装置 |
| JP6950175B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-10-13 | 住友ベークライト株式会社 | ペースト状接着剤組成物および電子装置 |
| JP2018109232A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-12 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材及びそれを用いた接合方法 |
| WO2018151313A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 積水化学工業株式会社 | 焼結材料、接続構造体、複合粒子、接合用組成物及び焼結材料の製造方法 |
| JP2018138687A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 日立化成株式会社 | 接続構造、接続構造の製造方法、接続構造体及び半導体装置 |
| TWI655693B (zh) * | 2017-02-28 | 2019-04-01 | Kyocera Corporation | 半導體裝置之製造方法 |
| WO2018181697A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | 電極形成用樹脂組成物並びにチップ型電子部品及びその製造方法 |
| US11420255B2 (en) | 2017-09-15 | 2022-08-23 | Lintec Corporation | Film-shaped firing material and film-shaped firing material with a support sheet |
| CN111033640A (zh) * | 2017-09-27 | 2020-04-17 | 京瓷株式会社 | 膏组合物、半导体装置以及电气电子部件 |
| JP6930888B2 (ja) * | 2017-10-02 | 2021-09-01 | リンテック株式会社 | フィルム状焼成材料、及び支持シート付フィルム状焼成材料 |
| JP6916525B2 (ja) * | 2018-02-06 | 2021-08-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Ledディスプレイの製造方法 |
| CN111512400B (zh) * | 2018-02-06 | 2023-03-10 | 三菱综合材料株式会社 | 银包覆树脂粒子 |
| WO2019155846A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物、硬化物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| CN111788275B (zh) * | 2018-03-01 | 2021-12-03 | 住友电木株式会社 | 糊状粘接剂组合物和半导体装置 |
| JP6502606B1 (ja) * | 2018-04-19 | 2019-04-17 | ニホンハンダ株式会社 | ペースト状銀粒子組成物、接合方法および電子装置の製造方法 |
| KR102766027B1 (ko) * | 2018-04-26 | 2025-02-10 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 |
| JP7213050B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-01-26 | 京セラ株式会社 | 電極形成用樹脂組成物並びにチップ型電子部品及びその製造方法 |
| TWI698507B (zh) | 2018-12-06 | 2020-07-11 | 財團法人工業技術研究院 | 改質的金屬奈米片及包括其之導電漿料 |
| CN109887639B (zh) * | 2019-01-18 | 2021-01-26 | 昆明贵金属研究所 | 一种可焊接低温固化型功能银浆及其制备方法 |
| US20220220331A1 (en) * | 2019-08-01 | 2022-07-14 | University Of Massachusetts | Printable mixture, manufacture, and use |
| CN112430443B (zh) | 2019-08-26 | 2022-12-23 | 京瓷株式会社 | 导热性粘合用片、导热性粘合用片制造方法和半导体装置 |
| JP7210421B2 (ja) * | 2019-11-08 | 2023-01-23 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルム |
| JP7443948B2 (ja) * | 2020-06-15 | 2024-03-06 | Jsr株式会社 | 組成物、銀焼結物の形成方法、接合方法、物品及び物品の製造方法 |
| JP7478241B2 (ja) | 2020-07-21 | 2024-05-02 | 京セラ株式会社 | 熱伝導性接着用シート、及び半導体装置 |
| JP7608791B2 (ja) * | 2020-11-12 | 2025-01-07 | 信越化学工業株式会社 | 封止用接合材及び光学素子パッケージ用リッド |
| TW202302795A (zh) * | 2021-04-30 | 2023-01-16 | 德商漢高智慧財產控股公司 | 可燒結之導電組合物 |
| KR102654244B1 (ko) * | 2021-10-26 | 2024-04-03 | 한국전자기술연구원 | 바이모달 은나노입자를 포함하는 전력반도체 패키지용 다이 어태치 페이스트 및 그의 제조방법 |
| JP7226621B1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-02-21 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 導電性組成物、導電性シート、金属補強板、金属補強板つき配線板、および電子機器 |
| TWI848493B (zh) * | 2022-12-29 | 2024-07-11 | 財團法人工業技術研究院 | 導電組合物、導電層、及包含其之電子裝置 |
| KR102882794B1 (ko) * | 2023-06-20 | 2025-11-12 | 엔트리움 주식회사 | 고방열 소결 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 |
| CN117843881A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-04-09 | 杭州之江有机硅化工有限公司 | 一种含bmi树脂的丙烯酸组合物及应用 |
| CN117866432B (zh) * | 2024-01-10 | 2024-06-25 | 常州融信复合材料有限公司 | 一种耐高温氰酸酯树脂及其制备的预浸料 |
| WO2025249276A1 (ja) * | 2024-05-31 | 2025-12-04 | 株式会社大阪ソーダ | 導電性接着剤 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2983816B2 (ja) * | 1993-10-29 | 1999-11-29 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性樹脂ペースト |
| JPH07192527A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH1017841A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 合成樹脂水性分散体の製造方法 |
| US6863851B2 (en) * | 1998-10-23 | 2005-03-08 | Avery Dennison Corporation | Process for making angstrom scale and high aspect functional platelets |
| EP1267360A4 (en) * | 2000-02-21 | 2003-04-02 | Toyo Ink Mfg Co | ACTIVE ENERGY BEAM POLYMERIZATION CONDUCTIVE PASTE, PRODUCTION METHOD AND DEVICE FOR CONDUCTIVE CIRCUIT SUBSTRATE AND NON-CONTACT ID ANTENNA, AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD |
| JP4395350B2 (ja) | 2003-10-09 | 2010-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性樹脂組成物および導電性接着剤 |
| DE10360464A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Wacker-Chemie Gmbh | Dispersion die mindestens 2 Arten von Partikeln enthält |
| CN1737072B (zh) * | 2004-08-18 | 2011-06-08 | 播磨化成株式会社 | 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法 |
| JP4828178B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2011-11-30 | ハリマ化成株式会社 | 導電性接着剤および該導電性接着剤を利用する物品の製造方法 |
| JP2006086273A (ja) | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP4665532B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-04-06 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP5098361B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-12-12 | 日立化成工業株式会社 | ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP4962706B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-06-27 | 日本化学工業株式会社 | 導電性粒子およびその製造方法 |
| KR101450928B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2014-10-14 | 교세라 케미카르 가부시키가이샤 | 감광성 열경화형 수지 조성물 및 플렉시블 프린트 배선판 |
| US7422707B2 (en) * | 2007-01-10 | 2008-09-09 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Highly conductive composition for wafer coating |
| US20080272344A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Georgia Tech Research Corporation | Conductive polymer composites |
| JP5441316B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2014-03-12 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| DE102007028601A1 (de) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Evonik Röhm Gmbh | Reaktivgemisch zur Beschichtung von Formkörpern mittels Reaktionsspritzguss sowie beschichteter Formkörper |
| EP2191479A1 (en) * | 2007-10-18 | 2010-06-02 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: flux materials |
| KR101612564B1 (ko) * | 2008-03-27 | 2016-04-14 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 중합체 입자, 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체 |
| JP5146438B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-02-20 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続用接着剤フィルム |
| EP2223966B1 (en) * | 2009-02-25 | 2017-08-16 | 3M Innovative Properties Company | Epoxy adhesive compositions with high mechanical strength over a wide temperature range |
| EP2407980B1 (en) * | 2009-07-21 | 2019-01-23 | Nichia Corporation | Method for producing conductive material, conductive material obtained by the same method, electronic device containing the conductive material, and light-emitting device |
| JP5540708B2 (ja) * | 2010-01-06 | 2014-07-02 | 東レ株式会社 | 導電ペーストおよび導電パターンの製造方法 |
| JP4928639B2 (ja) | 2010-03-15 | 2012-05-09 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
| WO2011155055A1 (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 低温焼結性接合材および該接合材を用いた接合方法 |
| JP5715355B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2015-05-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 扁平銀粒子及びその製造方法 |
| US20130049148A1 (en) * | 2011-02-22 | 2013-02-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| US8324294B2 (en) * | 2011-03-07 | 2012-12-04 | Xerox Corporation | Solvent-based inks comprising silver nanoparticles |
| CN104272400A (zh) * | 2012-04-27 | 2015-01-07 | 太阳油墨制造株式会社 | 导电性组合物 |
| WO2014038331A1 (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | 日立化成株式会社 | 銀ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JP5945480B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-07-05 | ナミックス株式会社 | 銀ペースト組成物及びその製造方法 |
| JP2014063844A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器 |
| JP5849036B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 導電ペースト、プリント配線基板 |
-
2014
- 2014-04-04 EP EP14888419.0A patent/EP3128540B1/en active Active
- 2014-04-04 WO PCT/JP2014/001962 patent/WO2015151136A1/ja not_active Ceased
- 2014-04-04 JP JP2016511170A patent/JP6360157B2/ja active Active
- 2014-04-04 CN CN201480077514.5A patent/CN106133894B/zh active Active
- 2014-04-04 KR KR1020167026505A patent/KR101860378B1/ko active Active
-
2016
- 2016-10-03 US US15/283,878 patent/US11784153B2/en active Active
-
2023
- 2023-08-29 US US18/239,496 patent/US20230411335A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3128540A4 (en) | 2017-11-08 |
| KR20160127778A (ko) | 2016-11-04 |
| KR101860378B1 (ko) | 2018-05-23 |
| EP3128540A1 (en) | 2017-02-08 |
| EP3128540B1 (en) | 2019-06-12 |
| CN106133894B (zh) | 2018-11-16 |
| US11784153B2 (en) | 2023-10-10 |
| CN106133894A (zh) | 2016-11-16 |
| US20170025374A1 (en) | 2017-01-26 |
| JPWO2015151136A1 (ja) | 2017-04-13 |
| WO2015151136A1 (ja) | 2015-10-08 |
| US20230411335A1 (en) | 2023-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6360157B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
| JP6333576B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
| JP2016065146A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
| JP6310799B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置、電気・電子部品及びプレート型銀微粒子の製造方法 | |
| JP7100651B2 (ja) | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
| JP2020035721A (ja) | ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
| JP6254015B2 (ja) | 導電性ペースト、電気・電子部品及びその製造方法 | |
| JP5428134B2 (ja) | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
| JPWO2012165375A1 (ja) | 樹脂組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN103563061B (zh) | 半导体装置 | |
| JP6700653B2 (ja) | 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置 | |
| WO2012105550A1 (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP7320068B2 (ja) | 銀粒子の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品 | |
| JP7518839B2 (ja) | 銀粒子、銀粒子の製造方法、ペースト組成物及び半導体装置並びに電気・電子部品 | |
| US20190264070A1 (en) | Thermally conductive paste and electronic device | |
| JP6111535B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP6119094B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6282886B2 (ja) | 半導体接着ペースト及び半導体装置 | |
| JP5625430B2 (ja) | 半導体用接着剤および半導体装置 | |
| JP2016048804A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2017119880A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180612 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180621 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6360157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |