JP5570721B2 - ナノ粒子の製造方法、システム、及び材料 - Google Patents
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Description
本発明は、米国仮出願No. 60/691,607, 2005年6月17日出願; 米国仮出願No. 60/714,961, 2005年9月7日出願; 米国仮出願No. 60/734,228, 2005年11月7日出願; 米国仮出願No. 60/762,802, 2006年1月27日出願; 及び米国仮出願No. 60/799,876, 2006年5月12日出願;に基づき、優先権を主張するものであり、これらはそれぞれ参照することにより全体が本書に援用される。
本書に含まれる開示の一部は、海軍研究助成No. N00014210185、及び合意No. CHE-9876674の国立科学財団科学技術センタープログラムから支援される米国政府と共になされた。米国政府は前記開示の一部に対し特定の権利を有する。
本書で参照されるすべての文書は、そこに引用される全ての参考文献と同様、それらが本書で完全に説明されるよう、参照することにより全体が本書に援用される。
℃ = 摂氏
cm = センチメートル
DBTDA = ジブチル錫ジアセート
DMA = アクリル酸ジメチル(dimethylacrylate)
DMPA = 2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン
EIM = 2-メタクリル酸イソシアナートエチル
(isocyanatoethyl methacrylate)
FEP = フッ素化エチレンプロピレン
Freon 113 = 1,1,2-トリクロロトリフルオロエタン
g = グラム
h = 時間
Hz = ヘルツ
IL = インプリントリソグラフィー
Kg = キログラム
KHz = キロヘルツ
kPa = キロパスカル
MCP = ミクロ接触プリンティング
MEMS = 微小電気機械システム
MHz = メガヘルツ
MIMIC = キャピラリ内のマイクロ鋳造
mL = ミリリットル
mm = ミリメートル
mmol = ミリモル
mN = ミリ-ニュートン
m.p. = 融点
mW = ミリワット
NCM = ナノ接触鋳造
NIL = ナノインプリントリソグラフィー
nm = ナノメートル
PDMS = ポリジメチルシロキサン
PEG = ポリ(エチレングリコール)
PFPE = ペルフルオロポリエーテル
PLA = ポリ(乳酸)
PP = ポリプロピレン
Ppy = ポリ(ピロール)
psi = ポンド毎平方インチ
PVDF = ポリ(フッ化ビニリデン)
PTFE = ポリ(テトラフルオロエチレン)
SAMIM = 溶媒補助(solvent-assisted)マイクロ鋳造
SEM = 走査電子顕微鏡
S-FIL = "ステップアンドフラッシュ(step and flash)"
インプリントリソグラフィー
Si = シリコン
Tg = ガラス転移温度
Tm = 結晶融解温度
TMPTA = トリメチロールプロパントリアクリレート
μm = マイクロメートル
UV = 紫外線
W = ワット
ZDOL = ポリ(テトラフルオロエチレンオキシド-共-(-co-)
ジフルオロメチレンオキシド)α,ωジオール
実用的なナノ製造プロセスの有効性は、ナノテクノロジーの可能性を実現する鍵になる要因である。特に、実用的なナノ製造プロセスの有効性は、フォトニクス、エレクトロニクス、及びプロテオミクスの分野に重要である。従来のインプリントリソグラフィー (IL) 技術は、集積回路、マイクロ-及びナノ-流体装置、並びにマイクロメートル-及び/又はナノメートル-サイズの形体を有する他の装置を製造するためのフォトリソグラフィーの代替手段である。しかしながら、新材料に対してIL技術を進展させる必要がある。シャ、ワイ.ら(Xia, Y., et al.)、 Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, 550-575; シャ、ワイ.ら(Xia, Y., et al.)、 Chem. Rev., 1999, 99, 1823-1848; レズニック、D.J.ら(Resnick, D. J., et al.), Semiconductor International, 2002, June, 71-78; チェ、ケイ.エム.ら(Choi, K. M., et al.), J. Am. Chem. Soc., 2003, 125, 4060-4061; マクルランド、ジー.エム.ら(McClelland, G. M., et al.), Appl. Phys. Lett., 2002, 81, 1483; チョー、エス.ワイ.ら(Chou, S. Y., et al.), J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, 14, 4129; オットー、エム.ら(Otto, M., et al.), Microelectron. Eng., 2001, 57, 361; 及びベイリー、ティー.ら(Bailey, T., et al.), J. Vac. Sci. Technol., B, 2000, 18, 3571を参照すること。
種々の結晶形が生じる条件が類似し大規模に制御することが難しいが、常に結晶形の1つは他のものより安定し又は扱い易い。この効果は、効率の不一致につながる薬物の生体利用性の違いを生じることができる。 "薬物多形体及び投薬形態設計:実践的見通し"("Drug polymorphism and dosage form design: a practical perspective") Adv. Drug Deliv. Rev., Singhal D, Curatolo W. 2004 Feb 23;56(3):335-47; ジェネリック薬品開発(Generic Drug Product Development): Solid Oral Dosage Forms, Shargel, L., ed., Marcel Dekker, New York, 2005を参照すること。
本書で開示される主題は、溶媒耐性を有する低表面エネルギー重合体物質を概して記述し、この低表面エネルギー重合体物質は、マスター鋳型の上に低粘度液体物質を鋳造した後、前記低粘度液体物質を硬化させ、マイクロ-及びナノスケールのレプリカ鋳造のような高分解能のソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィー用途に用いられるパターン化(patterned)鋳型を形成して得られる。いくつかの実施形態では、前記パターン化鋳型又はモールドは、例えばフッ素化エラストマーベース材料などのフッ素重合体のような、但しこれに限られない溶媒耐性を有するエラストマーベース材料を含む。
ここで、Xは存在しても存在しなくてもよく、存在する場合はエンドキャップ(endcapping)基を含む。
ここで、CSMは硬化部位モノマーを含む。
ここで、Rはアクリレート、メタクリレート及びビニル基を含む群から選ばれ;
Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
ここで、Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
ここで、RはH、アルキル、置換アルキル、アリール、及び置換アリールを含む群から選ばれ;及び
Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
いくつかの実施形態において本書で開示される主題は、単離した(isolated)マイクロ-及び/又はナノ粒子の形成方法を提供する。いくつかの実施形態において、プロセスは最初にパターン化基材を形成することを含む。次に図1Aを見ると、パターン化マスター100が提供される。パターン化マスター100は、複数の非凹部表面領域102と、複数の凹部104とを含む。いくつかの実施形態において、パターン化マスター100は、パターン化マスター100を形成するため所定のパターンにエッチングされたシリコンウェハのような、エッチングされた基材を含む。
(a)そこに形成される複数の凹状領域を有する第1のパターン化鋳型表面を含むパターン化鋳型と基材とを準備し;
(b)
(i)前記第1のパターン化鋳型表面;
(ii)前記複数の凹状領域;及び/又は
(iii)基材;
の少なくとも1つの内部又はその上に一定量(a volume of)の液体物質を配置し;及び
(c)
(i)前記パターン化鋳型表面を前記基材と接触させて前記液体物質を処理し;及び
(ii)前記液体物質を処理する
のうちいずれかによって1又はそれ以上の粒子を形成することを含む。
いくつかの実施形態において、前記展着プロセスは:
(a)前記パターン化鋳型及び前記基材のいずれかの上に第1の量の液体物質を配置してその液体物質の層を形成し;及び
(b)
(i)前記パターン化鋳型及び前記基材のいずれかの上の前記液体物質の層から第2の量の液体物質を除去し;及び
(ii)前記パターン化鋳型及び前記基材のいずれかの上の第3の量の液体物質を残すため前記液体物質の層を横切って用具を引く(draw):ことを含む。
(a)
(i)前記パターン化鋳型表面に接触圧を加え;及び
(ii)前記鋳型を通して第2の一定量の前記液体物質を蒸発又は浸透させる;
いずれかによって前記複数の凹状領域に配置された前記液体物質の体積を低減し:
(b)前記パターン化鋳型表面に加えられた前記接触圧を除去し;
(c)前記パターン化鋳型表面の前記凹状領域内にガスを導入し;
(d)前記パターン化鋳型表面の前記凹状領域内で1又はそれ以上の粒子を形成するよう、前記液体物質を処理し;及び
(e)前記1又はそれ以上の粒子を解放することを含む。
(a)前記パターン化鋳型を、前記1又はそれ以上の粒子に対する親和力を有する基材に貼り付け;
(b)前記1又はそれ以上の粒子が前記パターン化鋳型から解放されるよう、前記パターン化鋳型を変形させ;
(c)第1の溶媒で前記パターン化鋳型を膨潤させて前記1又はそれ以上の粒子を押出し;
(d)前記1又はそれ以上の粒子に対する親和力を有する第2の溶媒で前記パターン化鋳型を洗浄し、
(e)前記1又はそれ以上の粒子に機械的力を加え;
(f)硬化した際に粒子を物理的に取り込む液体に前記パターン化鋳型を付け;及び
(g)硬化した際に粒子と化学的及び/又は物理的相互作用を生じる物質に前記パターン化鋳型を付ける
ことの少なくとも1つによって行われる。
1又はそれ以上の粒子を形成する前記方法のいくつかの実施形態において、前記パターン化鋳型は、マスター鋳型の上に低粘度液体物質を鋳造した後、前記低粘度液体物質を硬化してパターン化鋳型を形成して得られ、溶媒耐性を有する低表面エネルギー重合体物質を含む。いくつかの実施形態では、前記パターン化鋳型は溶媒耐性を有するエラストマー材料を含む。
ここで、Xは存在しても存在しなくてもよく、存在する場合はエンドキャップ(endcapping)基を含む。
ここで、CSMは硬化部位モノマーを含む。
ここで、Rはアクリレート、メタクリレート及びビニル基を含む群から選ばれ;
Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
ここで、Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
ここで、RはH、アルキル、置換アルキル、アリール、及び置換アリールを含む群から選ばれ;及び
Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
本書で開示される主題のいくつかの実施形態によれば、所望の形状と、約100μm以下の所定の大きさ(例えば、最小、中間、又は最大寸法)とを有するモールドに対応した形状(例えば,前記粒子は、該粒子がその内部で形成されるモールドの形状を反映した形状を有する)を有する粒子が形成される。いくつかの実施形態によれば、前記粒子は、ナノスケール粒子である。いくつかの実施形態によれば、前記ナノスケール粒子は、500ミクロン以下の直径又は直線的測定のような大きさを有する。前記大きさは、測定されるパラメータに対応した前記粒子の最大部分を横切って測定されることができる。他の実施形態において、前記大きさは250ミクロン以下である。他の実施形態において、前記大きさは100ミクロン以下である。他の実施形態において、前記大きさは50ミクロン以下である。他の実施形態において、前記大きさは10ミクロン以下である。他の実施形態において、前記大きさは1nmから1,000nmの間である。いくつかの実施形態において、前記大きさは1,000nm以下である。他の実施形態において、前記大きさは1nmから500nmの間である。さらに他の実施形態において、前記大きさは1nmから100nmの間である。前記粒子は、無機材料又は有機材料であることができ、単一の組成物若しくは成分、又は組成物若しくは成分の混合物であることができる。いくつかの実施形態において、本書で開示される主題の材料及び方法によって鋳造された有機材料は、炭素分子を含む物質を含むことができる。いくつかの実施形態によれば、前記粒子は、高分子量物質であることができる。いくつかの実施形態によれば、粒子は、所定の表面エネルギーを有するマトリクスから成っている。いくつかの実施形態において、前記粒子を形成する材料は、約50%以上の液体を含む。いくつかの実施形態において、前記粒子を形成する材料は、約50%以下の液体を含む。いくつかの実施形態において、前記粒子を形成する材料は、約10%以下の液体を含む。
いくつかの実施形態によれば、前記パターン化鋳型の凹部は、鋳造される物質を収容するよう構成されることができる。このような実施形態によれば、例えば、前記パターン化鋳型の表面エネルギー、前記凹部の容積、前記パターン化鋳型の透過性、鋳造される物質の他の物理的及び化学的特性と同様、鋳造される物質の粘度のような変数は、前記凹部が鋳造される物質を収容する自発性(willingness)に相互作用及び影響を与える。
いくつかの実施形態によれば、図50に示すように、鋳造される物質5000が前記パターン化鋳型5002に導入される。物質5000は、スピンコート、液体流、ドクターブレード、ジェット液滴、又はそれと同等のものとして前記パターン化鋳型5002に導入されることができる。パターン化鋳型5002は凹部5012を含み、本書で開示される方法に従って、例えば低表面エネルギー重合体物質のような本書で開示される材料から製造することができる。パターン化鋳型5002は低表面エネルギー重合体物質から製造されるため、物質5000はパターン化鋳型5002の表面を濡らさないが、物質5000は凹部5012を満たす。次に、物質5000を硬化させるため、本書で開示されるような処理である処理5008が物質5000に加えられる。いくつかの実施形態によれば、処理5008は例えば、光硬化、熱硬化、酸化硬化、蒸発、還元硬化、それらの組合わせ、蒸発、及びそれと同等のものであることができる。物質5000の処理に続いて、物質5000は、本書で開示される方法に従って取り出されることができる粒子5010を形成する。
いくつかの実施形態によれば、図51に示すように、前記パターン化鋳型は鋳造される物質に浸漬される。図51を参照すると、パターン化鋳型5104は所定量の物質5102に浸漬される。物質5102は凹部5106に入り、そして物質5102からパターン化鋳型5104を除去後、物質5108がパターン化鋳型5104の凹部5106内に残る。
いくつかの実施形態によれば、図52に示すように、前記パターン化鋳型は角度を持って配置される。凹部5206を有するパターン化鋳型5200の表面に、所定量の粒子前駆体5204が導入される。所定量の粒子前駆体5204は、パターン化鋳型5200の傾斜した表面を下ってゆく。所定量の粒子前駆体5204が凹部5206の上に進むと、粒子前駆体5208のサブボリュームが凹部5206に入りかつ満たす。いくつかの実施形態によれば、パターン化鋳型5200は、水平線から約20度の角度で配置されることができる。いくつかの実施形態によれば、前記液体はドクターブレードによって移動させられることができる。
いくつかの実施形態によれば、粒子前駆体をパターン化鋳型の凹部に導入することを電圧が補助することができる。図53を参照すると、その表面に凹部5302を有するパターン化鋳型5300を電極表面5308上に配置することができる。所定量の粒子前駆体5304がパターン化鋳型5300の凹部表面に導入されることができる。又、パターン化鋳型5300と連絡する電極5308の対極5306に、粒子前駆体5304が連絡することができる。電極5306及び5308の電位差は粒子前駆体5304及びパターン化鋳型5300を通って加わる。前記電位差はパターン化鋳型5300に対する粒子前駆体5304の濡れ角を変化させ、それにより凹部5302への粒子前駆体5304の進入を促進する。いくつかの実施形態において、粒子前駆体5304と連絡する電極5306はパターン化鋳型5300の表面を横切って移動し、それによりパターン化鋳型5300の表面を横切って凹部5304を充填するのを促進する。
図50のパターン化鋳型5002の凹部5012のように、パターン化鋳型の凹部は、鋳造される物質を収容するよう構成されることができる。前記凹部及び鋳造される特定の物質の双方の物理的及び化学的特徴は、前記凹部によって前記物質がどの程度容易に収容されるかを増大するよう構成されることができる。凹部の充填に影響を与え得る要因は、凹部の容積、直径、表面積、表面エネルギー、鋳造される物質と前記凹部の物質との接触角、鋳造される物質を横断する電圧、温度、例えば酸素の除去又は雰囲気からの不純物のような前記パターン化鋳型を囲む環境条件、それらの組合せ、及びそれと同等のものを含むが、それらに限られない。いくつかの実施形態において、約2ミクロンの直径である凹部は、約1気圧の毛細管圧を有する。いくつかの実施形態において、約200nmの直径である凹部は、約10気圧の毛細管圧を有する。
ここで;Scap-接触する空気又は物質(使用される場合)の表面積、及びSmold-空洞の表面積である。
EI=ScapγPA+SmoldγMA
によって決定され、湿潤凹部(II)の表面エネルギーは、式:
EII=SmoldγPM
によって決定される。
εγPA+γMA>γPM
として記述されることができる。
cosθPM>−ε
として決定される。
γMA>γPM+εγPA
として記述されることができる。
cosθPM>ε
として決定される。
いくつかの実施形態において、パターン化鋳型の凹部に形成された粒子は、力又はエネルギーを加えることによって除去される。他の実施形態によれば、前記モールド及び鋳造される物質の特性は、前記凹部からの粒子の解放を容易にする。モールド解放の特性は、例えば前記鋳造される物質、凹部を満たす特性、前記モールドの材料の透過性、前記モールドの材料の表面エネルギー、それらの組合せ、及びそれと同等のものに関連付けることができる。
図3Aから図3Fを参照すると、本書で開示される主題は、前記鋳型の形状に一致しない形状を有し、球形及び非球形、均一(regular)及び不均一なマイクロ及びナノ粒子を含むがそれらに限定されない粒子を形成するための"液体収縮"プロセスを提供する。例えば、"立方体形状"の鋳型は球形粒子が製造されることを可能にする一方、"ブロック矢印(Block arrow)形状"の鋳型は、残存液体を処理する前のガスの導入により表面張力が前記残存液体を再形成させ、"棒付きキャンデー(lolli-pop)"形状の粒子又は対象物が製造されることを可能にする。特定の理論に拘束されるのを希望しないが、本書で開示されるパターン化鋳型、及び/又は処理され若しくは被覆された基材のいくつかの実施形態において提供され得る非湿潤特性は、丸い、例えば球形の粒子の生成を可能とする。
図41Aから図41Eを参照すると、本書で開示される主題の一の実施形態は、蒸発を通した粒子の形成プロセスを含む。一の実施形態において、前記プロセスは、前記鋳型の形状に必ずしも一致しない形状を有する粒子を製造する。前記形状は3次元形状を含むがこれに限定されない。いくつかの実施形態によれば、前記粒子は、球形又は非球形、並びに均一(regular)又は不均一な形状のマイクロ及びナノ粒子を形成する。特定の理論に拘束されるのを希望しないが、球形又は実質的に球形の粒子の製造の例は、パターン化鋳型及び/又は非湿潤物質の基材を用いること、又は前記パターン化鋳型及び基材の表面の粒子を形成する凹部を非湿潤剤で処理し、前記粒子が形成される材料が前記凹部の表面に濡れないようにすることを含む。前記粒子が形成される材料が前記パターン化鋳型及び/又は基材の表面に濡れないため、前記粒子材料はそれ自体で前記凹部の表面より大きな親和力を有し、それにより丸く、曲がった、又は実質的に球形の形状を形成する。
図4A及び図4Bを参照すると、いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、帯電した高分子粒子(図4B)を得るため、鋳造中(図4A)の重合及び/又は結晶化ステップの間で電場を加えることによる高分子ナノ-又はマイクロ-エレクトレット(electret)の作成方法を記述する。一の実施形態において、前記粒子は所定のゼータ電位を有するよう構成される。いくつかの実施形態において、前記帯電した高分子粒子は、図4Cに示すランダム配置でなく、鎖のような構造(図4D)に自発的に集合する。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、多層粒子を含む多層構造の形成方法を提供する。いくつかの実施形態において、多層粒子を含む前記多層構造は、ナノスケール多層構造を含む。いくつかの実施形態において、多層構造は、基材上に非混和液体及び/又は溶液の複数の薄層を積層し、上記の方法で記述されたように粒子を形成することによって形成される。前記液体の非混和性は、密度、極性、及び揮発性を含むがこれらに限られない、あらゆる物理的特性に実質的に基づくことができる。本書で開示される主題の可能性ある形態の例は、図5Aから図5Cに説明され、多相サンドイッチ構造、gコア−シェル粒子、及び内部(internal)エマルジョン、マイクロエマルジョン及び/又はナノサイズのエマルジョンを含むが、これらに限られない。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、複合多次元構造の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、複合多次元構造は、図2Aから図2Eに説明されるステップを実行することにより形成することができる。いくつかの実施形態において、本書に記述されるように硬化及び解放される単離した多次元構造を生成するため、前記方法は(平坦な基材の上にインプリンティングすることに代え)第2のパターン化鋳型と並べられたパターン化鋳型上にインプリンティングすることを含む。複合多次元構造を形成するためのプロセスの実施形態、及びそのような構造の例の略図は、図6Aから図6Cに提供される。
(a)図に記載されたプロセスによって準備される粒子を提供し;
(b)第2のパターン化鋳型を提供し;
(c)第2の液体物質を前記第2のパターン化鋳型内に配置し;
(d)前記第2のパターン化鋳型をステップ(a)の前記粒子と接触させ;及び
(e)前記第2の液体物質を処理して多次元構造を形成する
ことを含む、多次元構造の形成方法が提供される。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、単離したマイクロ-及び/又はナノ粒子の機能化方法を提供する。一の実施形態において、機能化は、化学的官能基を物理的又は化学的に表面に導入することを含む。いくつかの実施形態において、前記機能化方法は、少なくとも1つの化学的官能基を、マイクロ粒子及び/又はナノ粒子の少なくとも一部に導入することを含む。いくつかの実施形態において、粒子3605は少なくとも部分的に機能化され、一方で粒子3605は物品3600に接触する。一の実施形態において、機能化される前記粒子3605は、モールド又はパターン化鋳型108(図35A−図36D)内に配置される。いくつかの実施形態において、機能化される粒子3605は基材に付着させられる(例えば、図40A−図40Dの基材4010)。いくつかの実施形態において、前記粒子3605の外側の少なくとも一部は、図36A−図36Dに示されるステップを実行することにより化学的に修飾されることができる。一の実施形態において、機能化される前記粒子3605は、図36A及び図40Aに示されるように物品3600の内側に配置される。図36A−図36D及び図40A−図40Dに示されるように、いくつかの実施形態は、粒子3605を含む物品3600を、修飾剤3604を含む溶液3602に接触させることを含む。
図8Aから図8Dを参照すると、基材にパターンを形成する方法が示される。図8に示す実施形態において、基材にパターンを形成するためインプリントリソグラフィー技術が用いられる。
ここで、Xは存在しても存在しなくてもよく、存在する場合はエンドキャップ(endcapping)基を含む。
ここで、CSMは硬化部位モノマーを含む。
ここで、Rはアクリレート、メタクリレート及びビニル基を含む群から選ばれ;
Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
ここで、Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
ここで、RはH、アルキル、置換アルキル、アリール、及び置換アリールを含む群から選ばれ;及び
Rfはフッ化アルキル鎖を含む。
他の実施形態において、以下の技術の1つ又は組合せにより、前記液体物質が前記パターン化鋳型及びそこに形成された凹部に導入される。いくつかの実施形態において、前記パターン化鋳型の凹部は、鋳造される所定の物質を収容するように構成されることができる。このような実施形態によれば、例えば、前記パターン化鋳型の表面エネルギー、前記凹部の容積、前記パターン化鋳型の透過性、鋳造される物質の他の物理的及び化学的特性と同様、鋳造される物質の粘度、前記パターン化鋳型と鋳造される物質の間の相対エネルギーのような変数は、鋳造される物質の前記凹部への収容性に相互作用及び影響を与える。
図50を参照すると、いくつかの実施形態において、鋳造される物質5000がパターン化鋳型5002に導入される。物質5000は、スピンコートによる液滴、液体流、ドクターブレード、又はそれと同等のものとしてパターン化鋳型5002に導入されることができる。パターン化鋳型5002は凹部5012を有し、本書に開示される方法に従い、例えば低表面エネルギー重合体物質のような本書に開示される物質から製造することができる。パターン化鋳型5002が低表面エネルギー重合体物質から製造されるため、物質5000はパターン化鋳型5002の表面を濡らさないが、物質5000は凹部5012を充填する。次に、物質5000を硬化させるため、本書に開示される処理のような処理5008が物質5000に加えられる。いくつかの実施形態によれば、処理5008は例えば、光硬化、熱硬化、酸化硬化、還元硬化、それらの組合せ、蒸発、及びそれと同等のものとすることができる。
いくつかの実施形態によれば、図51に示すように、前記パターン化鋳型は鋳造される物質に浸漬される。図51を参照すると、パターン化鋳型5104は所定量の物質5102に浸漬される。物質5102は凹部5106に入り、そして物質5102からパターン化鋳型5104を除去後、物質5108がパターン化鋳型5104の凹部5106内に残る。
いくつかの実施形態によれば、図52に示すように、前記パターン化鋳型は角度を持って配置される。凹部5206を有するパターン化鋳型5200の表面に、所定量の製造される物質5204が導入される。所定量の製造される物質5204は、パターン化鋳型5200の傾斜した表面を下ってゆく。所定量の製造される物質5204が凹部5206の上に進むと、製造される物質5208のサブボリュームが凹部5206に入りかつ満たす。いくつかの実施形態によれば、パターン化鋳型5200は、水平線から約20度の角度で配置されることができる。いくつかの実施形態によれば、前記液体はドクターブレードによって移動させられることができる。
いくつかの実施形態によれば、製造される物質をパターン化鋳型の凹部に導入することを電圧が補助することができる。図53を参照すると、その表面に凹部5302を有するパターン化鋳型5300を電極表面5308上に配置することができる。所定量の製造される物質5304がパターン化鋳型5300の凹部表面に導入されることができる。又、パターン化鋳型5300と連絡する電極5308の対極5306に、製造される物質5304が連絡することができる。電極5306及び5308の電位差は製造される物質5304及びパターン化鋳型5300を通って加わる。前記電位差はパターン化鋳型5300に対する製造される物質5304の濡れ角を変化させ、それにより凹部5302への製造される物質5304の進入を促進する。いくつかの実施形態において、製造される物質5304と連絡する電極5306はパターン化鋳型5300の表面を横切って移動し、それによりパターン化鋳型5300の表面を横切って凹部5304を充填するのを促進する。
図50のパターン化鋳型5002の凹部5012のように、パターン化鋳型の凹部は、インプリントリソグラフィー用の物質を収容するよう構成されることができる。前記凹部及び鋳造される特定の物質の双方の物理的及び化学的特徴は、前記凹部によって前記物質がどの程度容易に収容されるかを増大させるよう構成されることができる。凹部の充填に影響を与え得る要因は、凹部の容積、直径、表面積、表面エネルギー、鋳造される物質と前記凹部の物質との接触角、鋳造される物質を横断する電圧、温度、例えば酸素の除去又は雰囲気からの不純物のような前記パターン化鋳型を囲む環境条件、それらの組合せ、及びそれと同等のものを含むが、それらに限られない。いくつかの実施形態において、約2ミクロンの直径である凹部は、約1気圧の毛細管圧
を有する。いくつかの実施形態において、約200nmの直径である凹部は、約10気圧の毛細管圧を有する。
その最大の可能性を制約するインプリントリソグラフィーの特徴は、例えば樹脂である液体物質がパターン形成されると、"スカム層"が形成されることである。前記"スカム層"は、押し型(stamp)と基材との間に残る残余の液体物質を含む。いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、本質的にスカム層のないパターンの生成方法を提供する。
いくつかの実施形態において、本書で開示された主題は、基材上にパターンを形成するための溶媒で補助された(Assisted)マイクロ鋳造(SAMIM)方法を記述する。
いくつかの実施形態において、パターン形成された構造(例えば、パターン形成されたマイクロ-又はナノ構造)が少なくとも1つの前記パターン化鋳型及び/又は基材から除去される。これは、前記パターン形成された構造を含む表面要素を、前記パターン形成された構造に対する親和力を有する表面に付着させること;前記パターン形成された構造を含む表面要素を、硬化した際に前記パターン形成された構造と化学的及び/又は物理的相互作用を有する材料に付着させること;前記パターン形成された構造が前記表面要素から解放されるよう、前記パターン形成された構造を含む表面要素を変形させること;第1の溶媒で前記パターン形成された構造を含む表面要素を膨潤させて前記パターン形成された構造を押出すこと;及び、前記パターン形成された構造に対する親和力を有する第2の溶媒で、前記パターン形成された構造を含む表面要素を洗浄すること、を含むがそれに限定されない複数の方法によって達成されることが可能である。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、創薬及び薬物治療に用いられる運搬分子の製造のための方法、プロセス、及びプロセスによる生成物を記述する。いくつかの実施形態において、運搬分子の製造のための方法又はプロセスは、コンビナトリアル(combinatorial)方法又はプロセスを含む。いくつかの実施形態において、分子の製造方法は、非湿潤インプリントリソグラフィー法を含む。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題の前記非湿潤インプリントリソグラフィー法は、溶媒耐性を有する低表面エネルギー重合体物質から得られ又はそれを含む表面を生成するのに使用される。本書に記述されるように、前記表面は、マスター鋳型の上に低粘度液体物質を鋳造した後、パターン化鋳型を形成するために前記低粘度液体物質を硬化させて得られる。いくつかの実施形態において、前記表面は溶媒耐性を有するエラストマー材料を含む。
いくつかの実施形態において、前記非湿潤インプリントリソグラフィー法は、単離した構造を生成するために用いられる。いくつかの実施形態において、前記単離した構造は、単離したマイクロ-構造を含む。いくつかの実施形態において、前記単離した構造は、単離したナノ-構造を含む。いくつかの実施形態において、前記単離した構造は、生分解性材料を含む。いくつかの実施形態において、前記単離した構造は、親水性材料を含む。いくつかの実施形態において、前記単離した構造は、疎水性材料を含む。いくつかの実施形態において、前記単離した構造は、特定の形状を有する。他の実施形態において、前記単離した構造は、積荷(cargo)を含み又は積荷を保持するよう構成される。一の実施形態によれば、前記単離した構造によって保持される積荷は、元素(element)、分子、化学物質、試薬、薬物、生物製剤、タンパク質、DNA、RNA、診断薬、治療薬、癌治療剤、ウィルス治療剤、細菌学的治療剤、菌治療剤、自己免疫治療剤、それらの組合せ、又はそれと同等のものを含むことができる。ほかの実施形態によれば、前記積荷は前記単離した構造の表面から突き出し、それにより前記単離した構造を機能化する。さらに他の実施形態によれば、前記単離した構造が曝されうる環境から前記積荷が隠され又は保護されるよう、前記積荷は前記単離した粒子内に完全に包含される。さらに他の実施形態によれば、前記積荷は前記単離した構造の表面に実質的に含まれる。さらに他の実施形態によれば、上記技術の1つ又はそれと同等のものの組合せで、前記積荷は前記単離した構造に結合される。
いくつかの実施形態において、標的への治療剤の運搬方法が開示され、前記方法は:本書に記述されるように製造される粒子を準備し;治療薬を前記粒子と混合し;及び前記治療薬を含む前記粒子を標的に運搬することを含む。
(a)本書に開示される方法で提供される粒子を準備し;
(b)前記治療薬を前記粒子と混合し;及び
(c)前記治療薬を含む前記粒子を標的に運搬することを含む。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、天然構造、単一分子又は自己組織化構造から表面及びモールドを生成するための方法及びプロセス、並びにプロセスによる生成物を記述する。従って、いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、天然構造、単一分子、及び/又は自己組織化構造をパターン形成する方法を記述する。いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、天然構造、単一分子、及び/又は自己組織化構造の複製を含む。いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、前記天然構造、単一分子、及び/又は自己組織化構造の機能の複製を含む。
いくつかの実施形態によれば、本書で開示される主題の材料及び方法は、認識部位を有する粒子を形成するための分子インプリンティング技術に使用されることができる。前記粒子の大きさ、形状、及び/又は化学的官能性が実行可能であると認識するため、酵素-基質システム、抗体-抗原システム、ホルモン-受容体システム、それらの組合せ、又はそれと同等のもののような生体システムの一部をまねる必要がある。薬物の研究開発は、まとめて"認識剤"と呼ばれる、しばしば高度に特殊で敏感な化学及び/又は生体製剤の解析を必要とする。例えば酵素、タンパク質、薬剤候補、生体分子、除草剤、アミノ酸、アミノ酸誘導体、ペプチド、ヌクレオチド、ヌクレオチド塩基、それらの組合せ、及びそれと同等のもののような天然認識剤は、不安定であり低密度の結合部位を有するのと同様、極めて特殊で敏感な傾向にある。天然認識剤が敏感であるため、人工認識剤はより安定で、かつ普及した研究ツールとなっている。分子インプリンティングは、人工認識剤の開発のための高く認められたツールとして、近年浮上している。
本書で開示される主題のいくつかの実施形態によれば、本書に記述した鋳型分子の分子インプリントの形成に続いて、例えば人工機能分子を形成するため、前記分子インプリントはその後モールドとして使用され、本書で開示される主題の材料及び方法を収容する。前記ポリマー材料内に機能化された分子インプリントモールドを形成した後、人工機能分子を形成するため、機能的で架橋されたモノマーを含むがそれに限られないポリマー前駆体溶液は、本書に開示される材料及び方法に従って前記機能化された分子インプリントモールドに注がれる。前記人工機能分子の鋳造の間、前記人工機能分子が前記インプリントモールドの立体的(大きさ及び形状)並びに化学的(空間的配置又は相補的官能性)記憶を有するよう、前記ポリマー前駆体内の前記機能化されたモノマーは、前記インプリントモールドの機能化された部分と一列に(align)並ぶ。前記インプリントモールドの立体的及び化学的記憶である前記人工機能分子は、もとの鋳型分子と類似した化学的及び物理的特性を有し、膜チャネルを始動させ;受容体に結合し;細胞内に入り;タンパク質及び酵素と相互作用し;免疫応答を始動させ;生体反応を始動させ;例えばホルモン、"快感"分子、神経伝達物質、及びそれと同等のもののような生体制御剤の放出を始動させ;応答を抑制し;制御的機能を始動させ;それらの組合せ;及びそれと同等のものをすることができる。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、インプリントリソグラフィーモールド表面の修飾方法を記述する。いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、鋳造製品に表面特性を付与することを含む。いくつかの実施形態において、前記鋳造製品は、単離した鋳造製品を含む。いくつかの実施形態において、前記単離した鋳造製品は、非湿潤インプリントリソグラフィー技術を用いて形成される。いくつかの実施形態において、前記鋳造製品は、コンタクトレンズ、医療機器、及びそれと同等のものを含む。
物品の表面を選択的に試薬に曝す方法も又、本書で記述される。いくつかの実施形態において、前記方法は:
(a)前記物品の前記表面と共形(conformal)接触するエラストマーマスクを含むマスキングシステムにより前記物品の前記表面の第1の部分を遮蔽し;及び
(b)前記マスキングシステム内で、前記物品の前記表面の第2の部分にパターン形成される試薬を注ぎ、一方で前記マスキングシステムによって遮蔽された前記第1の部分への前記試薬の塗布を防止することを含む。
本書で開示される主題は又、人工膜の形成方法を記述する。いくつかの実施形態において、パターン化非湿潤鋳型を形成するため、PFPE材料のような第1の液体物質とパターン形成された基材とを接触させ、さらに例えばUV光への暴露による硬化によって前記第1の液体物質を処理することにより、パターン化非湿潤鋳型が形成される。前記パターン化非湿潤鋳型が複数の押出し形体(feature)を有するよう、前記パターン形成された基材は、特定の形状に構成された複数の凹部又は空洞を有する。前記パターン化非湿潤鋳型は、例えば光硬化性樹脂である第2の液体物質に接触する。その後、前記第2の液体物質の過剰量又は"スカム層"を押しのけるため、前記パターン化非湿潤鋳型に力が加えられる。その後、特定の形状及び大きさの複数の孔を含む相互接続した構造を形成するため、例えばUV光への暴露による硬化によって前記第2の液体物質が処理される。その後、前記相互接続した構造は、前記非湿潤鋳型から除去される。いくつかの実施形態において、前記相互接続した構造は、分離膜として使用される。
本書で開示される対象物/構造/粒子の形状、配置及び効用の精度を検査することは重要である。このような検査は、取られる行動の矯正又は欠陥の除去若しくは軽減を可能とする。このような検査に役立つ取組みの範囲及び監視装置は:寸法的属性を測定又は分類するため、気体の圧力及び流れを用いる気圧計;機械又は要素の平衡(balance)を動的に測定及び/又は修正する平衡機械及びシステム;生物及びその生命プロセスを研究するために典型的に用いられる生物顕微鏡;内径の寸法的測定又は評価のために設計されたボア(内径)及びID計;孔、内径、空洞、及びそれと同等のものの内部検査のため、硬い又は可撓性の光学チューブを有する検査ツールである光ファイバー探知器;内側、外側、深さ又は段の測定のための正確な摺動運動を典型的に用い、そのいくつかは寸法を比較し又は移動するために用いられるカリパス;物理的測定を電気信号に変換する変換器であり、探針構造内で種々の測定システムを用いるCMMプローブ;例えば、色度、光沢度、曇値(ヘイズ)及び透明度を含む塗料及び被膜の特性を測定するために典型的に用いられる色彩及び外観計器;コントラスト、トゥルーカラー、又は透明度(translucent index)によってデータを記録し、最も一般にRGBモデル(赤、緑、青)である色モデルの1つに基づく色センサー;ワークピース表面の点の座標を決定する測定プローブを移動するよう設計される機械システムである座標測定器;孔、空洞又は他の要素の形体の深さを測定するため用いられる深さ計;拡大画像を表示するためにデジタル技術を用いるデジタル/ビデオ顕微鏡;検査計及び直定規、又は工具上の回転エンコーダから読み出される位置と寸法のための特殊な表示装置であるデジタル読出し機;製品又は成分の寸法の定量的測定を提供し、さらに肉厚、深さ、高さ、長さ、I.D.、O.D.、テーパー又はボア(内径)のような属性を形成する寸法計及び機器;対象物の2次元又は3次元情報を集め、さらに広範囲の構成及び技術に利用できる寸法及びプロファイルスキャナー;標本を"画像化"し、その構造及び組成に関する情報を得るため、光の代わりに収束した電子ビームを用いる電子顕微鏡;孔、ボア(内径)、及び空洞の内部検査のための可撓性光学チューブを有する検査ツールであるファイバースコープ;比較測定に基づき特定の属性を入手するよう設計され、角度計、ボールゲージ、センターゲージ、ドリルサイズゲージ(Drill Size Gage)、すき間ゲージ、隅肉ゲージ(Fillet Gage)、歯車ゲージ、ゲージ又はシムストック、パイプゲージ、半径ゲージ、スクリュー又はネジピッチゲージ、テーパーゲージ、チューブゲージ、米国標準ゲージ(シート/プレート)、溶接ゲージ及びワイヤゲージを含む固定ゲージ;真円度、傾斜度、直角度、真直度、平面度、振れ度、テーパー及び同心度のような変数を検査するため用いられる特殊/外形(form)ゲージ;固定ゲージ及び比較ゲージを較正、検査、及び取付けるための正確なゲージ製造機の公差精度を決めるために製造されるゲージブロック;要素又は製品の形体の高さを測定するために用いられる高さゲージ;精密軸又はプローブの直線運動が増幅される部分を測定する指示計器及び比較器;ハンドツールを含む配置及びマーキング工具、ケガキ(scribe)、移動パンチ(transfer punch)、ディバイダー、及び配置用流体のような寸法測定、マーキング、配置又は他の工具用途のための供給品及び付属品のような、検査及びゲージ付属品;波長に関して距離を測定し、特定の光源の波長を決定するために用いられる干渉計;レーザー技術を用いて極めて微小な距離を測定するレーザーマイクロメーター;地表面に対する表面の傾斜を測定する機械的又は電子的工具である水平器;回転又は移動部分及び機械要素を整列させるために用いられる機械整列装置;レンズ系によって製品又は部品の詳細を拡大するために用いられる検査機器である拡大レンズ;他のゲージを校正するための形状標準(dimensional standard)を提供する種(master)ゲージ及び設定(setting )ゲージ;工具の特性を測定するための工具製造機によって用いられ、しばしば、少ない倍率で広い視野と組合わされた明るく鮮やかな画像を可能とする寸法測定に用いられる測定顕微鏡;冶金的検査に用いられる金属顕微鏡;C−形状の鉄骨に取付けられた基礎軸及び金床を含む正確な寸法測定のための機器であるマイクロメーターを含む。非接触レーザーマイクロメーターも又、利用できる;微小な対象物の拡大画像を生成可能な機器である(すべてのタイプの)顕微鏡;電磁スペクトルの可視又は近可視領域を用いる光学/光顕微鏡;標準的なオーバーレイ(overlay)プロファイル又は目盛りと比較するため、部分の拡大画像又はプロファイルをスクリーンに投影する機器である光学的比較器;特定の交差と比較した孔と溝の寸法又は位置の"異常なし/中止"評価に用いられるプラグ/ピンゲージ;部品又は組立品の2つの表面の間の角度を測定する分度器及び角度計;ピン、柄、又はネジ止め鋲(stud)の特定の寸法公差又は属性と比較して "異常なし/中止"評価に用いられるリングゲージ;長さ測定のために用いられる均一又は段階的な定規であり、OEM用途であり、デジタル又は電子直定規がしばしば用いられる定規及びものさし;精度と正確さを持って特定の直径又は厚み測定が頻繁に繰り返される必要がある生産設定(production setting)に用いられるはさみゲージ;冶金、宝石学、又はそれらの機能を実行するための音響又はマイクロ波のような特別の技術の使用を含む特殊な用途に使用される特殊な顕微鏡;部品又は組立品の2つの面が垂直かどうかを示すために用いられる直角定規;表面形状測定装置、SPMs、 CMMs、ゲージ及び次元(dimensional)スキャナーと共に表面を探査するために用いられる細い棒状の柄(stem)であり、接触チップ又は先端である尖筆、探針、及びカンチレバー; 試料を横切って機械的尖筆を走査し又は非接触法により表面プロファイル、粗度、うねり及び他の仕上がりパラメータを測定する表面形状測定装置;ねじ寸法、ピッチ又は他の変数を測定するための寸法機器であるねじゲージ;内部の孔、ボア又は空洞から画像を取得する検査ツールであるビデオ内視鏡。
いくつかの実施形態によれば、本書で記述される粒子が開放モールドで形成される。開放鋳造は、粒子の鋳造の間に要求されるステップの数及び事象の順序を低減し、粒子前駆体物質からの溶媒の蒸発速度を増大させることができ、それにより粒子製造の効率と速度を向上させる。
いくつかの実施形態によれば、凹部4702は、そこから形成される粒子が薬物の多形体を形成するような大きさと形状をなす。特定の大きさと形状の粒子4708から薬物を形成することは、薬物物質の効能、効率、効果、及び同等のものを増大させることができる。多形体についてはさらに、リーら(Lee et al.,)、密閉された人工表面上での結晶化:結晶サイズの制御及び種々の多形体の生成方法(Crystalliztion on Confined Engineered Surfaces: A Method to Control Crystal Size and Generate Different Polymorphs,) J. Am. Chem. Soc., 127 (43), 14982 -14983, 2005を参照し、これらは参照することにより全体が本書に援用される。
本発明のいくつかの実施形態によれば、本書に開示される方法及び材料はシード(seed)の被覆に用いられる。シード(seed)を被覆する図48を参照すると、前記シードは液体溶液4808内に懸濁している。前記シードを含む前記液体溶液4808は、凹部4812を有する鋳型4802上に配置される。前記シードを含む前記液体溶液4808は凹部4812内に導かれ、前記シードが被覆されるように前記液体が硬化される。その後、被覆されたシードは凹部4812から取り出される。被覆されたシードの取り出しは、本書に記述される取り出し方法によって達成されることができる。
いくつかの実施形態によれば、本発明は、追跡用添加物、追跡用添加物で印を付けられた物品、及び追跡用添加物の検出方法を含む処方に関する。一般に追跡用添加物は、前記物品の最終使用者には見えず、実質的に偽造が不可能で、前記物品を破壊又は変えることなく物品から除去することができず、さらに前記物品又はその最終使用者に無害である、固有の"印"又は"印"の群を物品の内部又は表面に組み入れる。いくつかの実施形態において、前記追跡用添加物は、本書に開示される材料及び方法に従って製造される複数のマイクロ-又はナノ粒子を含み、規定の形状、大きさ、組成、物質、又は同等のものを有する。他の実施形態において、本書に開示されるマイクロ-又はナノ粒子は、追跡用添加物として作用する物質を含むことができる。さらに他の実施形態において、前記追跡用添加物は、当該追跡用添加物を固有で複製不能に識別する数100万の文字、数、形状、又は同等のもの、組合せが載っているバーコード又は類似のコードを含むことができる。
以下の実施例は、本書で開示される主題の典型的な実施形態を一当業者が実行するための指針を提供することを含む。本書の開示及び当業者の一般的水準に照らせば、以下の実施例は、典型的なものを意図するに過ぎず、本書で開示される主題の範囲から逸脱しないで、多数の変化、修正、及び改変をすることができることは、当業者にとって理解できる。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題のPFPE材料の合成及び硬化は、ローランド、J.P.ら(Rolland, J. P., et al.), J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 2322-2323に記述された方法を用いて実行される。要するに、この方法は、イソシアナートエチルメタクリレートによる、商業的に得られるPFPEジオール(Mn = 3800 g/mol)のメタクリレート官能基化を含む。続いて前記材料の光硬化は、1 wt% の 2,2-ジメトキシ -2-フェニルアセトフェノンと混合してUV放射(λ = 365 nm)へ曝すことで達成される。
いくつかの実施形態において、スタンプ(stamp)のようなPFPE DMAデバイスは、ローランド、J.P.ら(Rolland, J. P., et al.)J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 2322-2323に記述された方法によって製造された。つまり、DMPAのような光開始剤を含む前記PFPE DMAが、所望のフォトレジストパターンを有するSiウェハ上に厚み20μmでスピンコート(800 rpm)された。その後、この被覆されたウェハはUV硬化チャンバーに設置され、6秒間照射された。別に、前記所望のフォトレジストパターンを有するSiウェハを囲むモールド内に、前記光開始剤を含むPFPE DMAを注ぐことにより、前記材料の厚い層(約5mm)が形成された。このウェハは1分間UV光で照射された。続いて、この厚い層が除去された。その後、前記2つの層のパターンが正確に合わさるよう、前記薄い層の頂上に前記厚い層が配置され、デバイス全体が10分間照射された。完成すると、互いに接着された両方の層と共に、前記デバイス全体が前記Siウェハから剥がされた。
3.1 200-nm台形のPEG粒子の製造
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。使用された圧力は、少なくとも約100 N/cm2.であった。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。走査電子顕微鏡(SEM)(図14参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
500-nm円錐形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)(図15参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
3-μm矢印形状にパターン形成されたシリコン基板(図11参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)(図16参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
200-nm x 750-nm x 250-nmの三角形状にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)(図17参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
200-nm台形形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のTMPTAを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)(図18参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
500-nm円錐形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のTMPTAを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)(図19参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。さらに図20は、本書に記述される非-湿潤インプリントリソグラフィー方法の実施形態を用いて印刷され、ドクターブレードを用いて機械的に取り出された、500-nmの単離したTMPTAの円錐形粒子の走査電子顕微鏡写真を示す。このような方法で粒子を取り出すことができるのは、"スカム層"がないことの決定的な証拠を示す。
3-μm矢印形状にパターン形成されたシリコン基板(図11参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のTMPTAを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
200-nm台形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1グラムの(3S)-シス-3,6-ジメチル -1,4-ジオキサン-2,5-ジオン(LA)がその融点(92 oC)より上から110oCまで加熱され、さらにおよそ20μLのオクチル酸(octoate)スズ触媒/開始剤が前記液体モノマーに加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、110℃に予熱された前記処理されたシリコンウェハ上に、触媒を含む50μLの溶融LAが配置され、その頂上に前記パターン化PFPEモールドが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のモノマーを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、炉内に110℃で15時間設置される。室温に冷却し前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図21参照)を用いて粒子が観察される。さらに図22は、本書に記述される非-湿潤インプリントリソグラフィー方法の実施形態を用いて印刷され、ドクターブレードを用いて機械的に取り出された、200-nmの単離したポリ(乳酸)(PLA)の台形粒子の走査電子顕微鏡写真である。このような方法で粒子を取り出すことができるのは、"スカム層"がないことの決定的な証拠を示す。
3-μm矢印形状にパターン形成されたシリコン基板(図11参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1グラムの(3S)-シス-3,6-ジメチル -1,4-ジオキサン-2,5-ジオン(LA)がその融点(92 oC)より上から110oCまで加熱され、さらにおよそ20μLのオクチル酸(octoate)スズ触媒/開始剤が前記液体モノマーに加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、110℃に予熱された前記処理されたシリコンウェハ上に、触媒を含む50μLの溶融LAが配置され、その頂上に前記パターン化PFPEモールドが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のモノマーを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、炉内に110℃で15時間設置される。室温に冷却し前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図23参照)を用いて粒子が観察される。
500-nm円錐形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1グラムの(3S)-シス-3,6-ジメチル -1,4-ジオキサン-2,5-ジオン(LA)がその融点(92 oC)より上から110oCまで加熱され、さらにおよそ20μLのオクチル酸(octoate)スズ触媒/開始剤が前記液体モノマーに加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、110℃に予熱された前記処理されたシリコンウェハ上に、触媒を含む50μLの溶融LAが配置され、その頂上に前記パターン化PFPEモールドが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のモノマーを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、炉内に110℃で15時間設置される。室温に冷却し前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図24参照)を用いて粒子が観察される。
200-nm台形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、50μLのテトラヒドロフラン:ピロールの1:1 v:v 溶液が、50μLの70%過塩素酸(水)溶液に加えられる。澄んだ、均一な茶色の溶液を素早く形成し、15分以内に黒色の固体ポリピロールになる。この澄んだ、茶色の溶液の一滴(完全な重合に先立ち)が処理されたシリコンウェハ上、及び印刷装置内に配置され、さらに余分な溶液を除去するために圧力が加えられる。その後装置は、前記THF及び水を除去するため真空炉内に15時間設置される。真空を解除し、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図25参照)を用いて粒子が観察される。
3-μm矢印形状にパターン形成されたシリコン基板(図11参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、50μLのテトラヒドロフラン:ピロールの1:1 v:v 溶液が、50μLの70%過塩素酸(水)溶液に加えられる。澄んだ、均一な茶色の溶液を素早く形成し、15分以内に黒色の固体ポリピロールになる。この澄んだ、茶色の溶液の一滴(完全な重合に先立ち)が処理されたシリコンウェハ上、及び印刷装置内に配置され、さらに余分な溶液を除去するために圧力が加えられる。その後装置は、前記THF及び水を除去するため真空炉内に15時間設置される。真空を解除し、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図26参照)を用いて粒子が観察される。
500-nm円錐形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、50μLのテトラヒドロフラン:ピロールの1:1 v:v 溶液が、50μLの70%過塩素酸(水)溶液に加えられる。澄んだ、均一な茶色の溶液を素早く形成し、15分以内に黒色の固体ポリピロールになる。この澄んだ、茶色の溶液の一滴(完全な重合に先立ち)が処理されたシリコンウェハ上、及び印刷装置内に配置され、さらに余分な溶液を除去するために圧力が加えられる。その後装置は、前記THF及び水を除去するため真空炉内に15時間設置される。真空を解除し、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図27参照)を用いて粒子が観察される。
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。20μLの水及び20μLのPEGジアクリレートモノマーが、蛍光染料CY-3で標識された8ナノモルの24 bp(塩基対) DNAオリゴヌクレオチドに加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、共焦点蛍光顕微鏡(図28参照)を用い、粒子が観察される。さらに図28Aは、CY-3で標識される24-merのDNAストランド(らせん)を含む、200-nm台形のPEG粒子の蛍光共焦点顕微鏡写真を示す。図28Bは、蛍光標識されたDNAを含むPEGジアクリレートの単離した200-nm台形粒子の光学顕微鏡写真である。図28Cは、図28A、28Bに提供される画像のオーバレイであり、すべての粒子がDNAを含むことを示す。
500-nm円錐形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、アンモニア(500mLの0.7M水溶液)に加えられる塩化第二鉄(40mLの1M水溶液)及び塩化第一鉄(10mLの2M水性塩酸水溶液)の反応により、クエン酸塩で被覆されたマグネタイトナノ粒子が合成された。得られた沈殿物は遠心分離で収集された後、2M過塩素酸内で攪拌される。最終的な固体が遠心分離で収集される。これらの過塩素酸塩で安定化した(perchlorate-stabilized)0.290gのナノ粒子は、50mLの水に懸濁され、攪拌しながら90℃まで加熱される。次に、0.106gのクエン酸ナトリウムが加えられる。溶液は90℃で30分間攪拌され、過塩素酸塩で安定化した酸化鉄ナノ粒子の水溶液が生じる。50μLのこの水溶液は、マイクロチューブ内で50μLのPEGジアクリレートに加えられる。このマイクロチューブは、10秒間ボルテックス(vortex)される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのこのPEGジアクリレート/粒子溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート/粒子溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、光学顕微鏡を用い、ナノ粒子を含むPEGジアクリレート粒子が観察される。
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。パターン形成されたPFPE-DMAモールドの形成のための概要(outlined for)方法に従って、ガラススライド上にPFPE-DMA層を光硬化することにより、平坦で非-湿潤表面が形成される。前記PFPE-DMAモールドと前記平坦なPFPE-DMA表面との間に、5μLのPEGジアクリレート/光開始剤溶液が押し込まれ、過剰のPEG-ジアクリレートモノマーを絞り出すために圧力が加えられる。その後、前記PFPE-DMAモールドは、前記平坦なPFPE-DMA表面から除去されて清浄なガラス顕微鏡用スライドに押し付けられ、さらに窒素パージされた中で、10分間のUV照射 (λ = 365 nm)を用いて光硬化された。室温に冷却し、前記PFPEモールドと前記ガラス顕微鏡用スライドを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)(図29参照)を用い、粒子が観察される。
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。このPEG-ジアクリレートモノマー溶液に、蛍光標識され又は蛍光標識されないアデノウィルス又はアデノ関連ウィルス懸濁液が加えられ、完全に混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレート/ウィルス溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。透過電子顕微鏡を用い、又は蛍光標識されたウィルスの場合は共焦点蛍光顕微鏡を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後にウィルスを含む粒子が観察される。
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。このPEG-ジアクリレートモノマー溶液に、蛍光標識され又は蛍光標識されないタンパク質溶液が加えられ、完全に混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレート/ウィルス溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。通常の分析方法を用い、又は蛍光標識されたタンパク質の場合は共焦点蛍光顕微鏡を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後にタンパク質を含む粒子が観察される。
図13に示すように、200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成されることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用されることができる。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝されることができる。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1gのプルロニック(Pluronic)P123が12gの無水エタノール中に溶解される。この溶液は、2.7 mLの濃塩酸及び3.88mLのチタニウム(IV)エトキシドの溶液に加えられた。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成されることができる。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのゾルーゲル溶液が配置されることができる。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のゾルーゲル前駆体を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ゾルーゲル前駆体が凝固するまで置かれる。前記ゾルーゲル前駆体が凝固した後、前記シリコンウェハが前記パターン形成されたPFPEから除去され、粒子が現れる。
図13に示すように、200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成されることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用されることができる。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝されることができる。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、35℃で攪拌しながら、2gのプルロニック(Pluronic)P123が30gの水中に溶解され、さらに120gの2M HClが加えられる。この溶液に対し、35℃で20時間攪拌しながら、8.50gのTEOSが加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成されることができる。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのゾルーゲル溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のゾルーゲル前駆体を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ゾルーゲル前駆体が凝固するまで置かれる。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1gのプルロニック(Pluronic)P123及び0.51 gのEuCl3 ・6H2Oが12gの無水エタノール中に溶解される。この溶液は、2.7 mLの濃塩酸及び3.88mLのチタニウム(IV)エトキシドの溶液に加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのゾルーゲル溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のゾルーゲル前駆体を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ゾルーゲル前駆体が凝固するまで置かれる。次に、ゾルーゲル前駆体が凝固した後、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハが分離され、走査電子顕微鏡(SEM)を用いて粒子が観察される。
200-nm台形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、0.5gのクエン酸ナトリウム及び2mLの0.04 M過塩素酸カドミウムが45mLの水に溶解され、さらに0.1 M NaOHにより、その溶液のpHが9に調整される。前記溶液は、窒素を用いて15分間泡立てられる(bubbled)。2mLの1M N,N-ジメチルセレノ尿素(Selenourea)が前記溶液に加えられ、電子レンジで60秒間加熱される。50μLのこの水溶液は、マイクロチューブ内で50μLのPEGジアクリレートに加えられる。このマイクロチューブは、10秒間ボルテックス(vortex)される。前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレート/CdSe粒子溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm) に10分間曝される。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、TEM又は蛍光顕微鏡を用い、カプセル封入されたCdSeナノ粒子を有するPEGジアクリレート粒子が観察される。
シリコンウェハ上にアデノウィルス粒子を分散させることにより、ジメタクリル酸-ペルフルオロポリエーテル(PFPE DMA)モールド製造のための鋳型又は"マスター"が形成される。前記マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターがパターン形成されたモールドを鋳造するために用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm) に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のTMPTAを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)又は透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて人工ウィルス複製物が観察される。
シリコンウェハ上にミミズヘモグロビン(earthworm hemoglobin)タンパク質を分散させることにより、ジメタクリル酸-ペルフルオロポリエーテル(PFPE DMA)モールド製造のための鋳型又は"マスター"が形成される。前記マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターがパターン形成されたモールドを鋳造するため用いられる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm) 10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のTMPTAを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)又は透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて人工タンパク質複製物が観察される。
100-nm立方体形状にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。コンビナトリアル法により、他の治療薬(すなわち、小分子薬物、タンパク質、多糖、DNA等)、組織標的剤(細胞透過性ペプチド及びリガンド、ホルモン、抗体等)、治療放出/トランスフェクション剤(他の放出制御されたモノマー製剤、カチオン性脂質等)及び混和促進剤(共溶媒、荷電モノマー等)が前記ポリマー前駆体溶液に加えられる。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのコンビナトリアルで製造された粒子前駆体溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰の溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、前記処理されたウェハから前記PFPE-DMAモールドが分離され、粒子が取り出されるとともに、それぞれコンビナトリアルに製造されたナノ粒子の治療効果が確立される。異なる粒子製剤についてこの方法を繰返すことにより、好ましい治療用途の最適な組合せを決定するため、治療薬、組織標的剤、放出剤及び他の重要な化合物の多くの組合せが迅速に選別されることができる。
5μm深さの3-μm円柱形孔にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後、走査電子顕微鏡(SEM)を用い、相互連結された膜が観察される。水に浸漬し、前記表面から持ち上げさせることにより、前記膜が前記表面から開放される。
5μm円柱形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後基板は10分間窒素パージに曝された後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が10分間照射される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE-DMAでガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝された後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が10分間照射される。平坦で、完全に硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、前記平坦なPFPE-DMA基板、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、0.1mLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPE-DMAモールドと前記基板を分離した後、光学顕微鏡を用い、PEG粒子が観察される。前記基板の表面及び粒子を含むモールドに水が注がれる。前記水を所定位置にとどめるためにガスケットが用いられる。その後、前記装置は-10℃の温度で30分間、冷凍庫に置かれる。PEG粒子を含む氷が前記PFPE-DMAモールドと基板から剥がされ、溶かされてPEG粒子を含む水溶液を生じる。
5μm円柱形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後基板は10分間窒素パージに曝された後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が10分間照射される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE-DMAでガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が10分間照射される。平坦で、完全に硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、前記平坦なPFPE-DMA基板、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、0.1mLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPE-DMAモールドと前記基板を分離した後、光学顕微鏡を用い、PEG粒子が観察される。いくつかの実施形態において、前記物質は接着性又は粘着性の表面を含む。いくつかの実施形態において、前記物質は、炭水化物、エポキシ樹脂、ワックス、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸ブチル、ポリシアノアクリレート、ポリメタクリル酸メチルを含む。いくつかの実施形態において、前記粒子の取出し又は収集は、清浄なガラススライドに置かれた5%の光開始剤を含むn-ビニル-2-ピロリドン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンの氷(例えば、前記粒子に接触する)滴を形成するため、水を冷却することを含む。前記粒子を含むPFPE-DMAモールドは、パターン形成された側を下にして前記n-ビニル-2-ピロリドン滴の上に置かれる。前記スライドは5分間窒素パージに曝され、その後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が5分間照射される。前記スライドは除去され、前記モールドが前記ポリビニルピロリドン及び粒子から剥がされる。前記ポリビニルピロリドン上の粒子は、光学顕微鏡により観察された。粒子を含む前記ポリビニルピロリドン層は水に溶解された。前記ポリビニルピロリドンを除去し、5μmPEG粒子を含む水溶液を残す(leaving)ため、透析が用いられた。
5μm円柱形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後基板は10分間窒素パージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が10分間照射される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE-DMAでガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)が10分間照射される。平坦で、完全に硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、前記平坦なPFPE-DMA基板、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、0.1mLのPEGジアクリレートが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレートを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記PFPE-DMAモールドと前記基板を分離した後、光学顕微鏡を用い、PEG粒子が観察される。別に、エタノール(EtOH)中の5質量パーセントポリビニルアルコール(PVOH)の溶液が準備される。前記溶液はガラススライド上にスピンコートされ、乾燥させられる。前記粒子を含むPFPE-DMAモールドは、パターン形成された側を下にして前記ガラススライド上に置かれ、圧力が加えられる。前記モールドが前記PVOH及び粒子から剥がされる。前記PVOH上の粒子は、光学顕微鏡により観察された。粒子を含む前記PVOH層は水に溶解された。前記PVOHを除去し、5μmPEG粒子を含む水溶液を残す(leaving)ため、透析が用いられた。
200-nm台形の形状にパターン形成されたシリコン基板(図13参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は10分間窒素パージされ、続いて窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ上に、20mgのホスファチジルコリンが配置され、60℃に加熱された。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のホスファチジルコリンを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ホスファチジルコリンが凝固するまで放置される。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に粒子が観察される。
5質量パーセントのメタクリル酸アミノエチルを含むポリ(エチレングリコール)(PEG)粒子が生成された。前記PFPEモールドと前記PFPE基板を分離した後に、光学顕微鏡を用い、前記PFPEモールド内に粒子が観察される。別に、ジメチルスルホキシド(DMSO)中に10質量パーセントのフルオレセインイソチオシアネート(FITC)を含む溶液が生成された。これに続き、前記粒子を含むモールドが前記FITC溶液に1時間曝された。DMSO及びそれに続く脱イオン(DI)水により、過剰のFITCが前記モールド表面から洗い落とされた。励起波長492nm及び発光波長529nmで、標識された粒子が蛍光顕微鏡により観察された。
500-nm円錐形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成された。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成された。別に、PEGジアクリレート中1wt%ドキソルビシンの溶液が1wt%光開始剤と共に形成された。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのこのPEGジアクリレート/ドキソルビシン溶液が配置された。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEGジアクリレート/ドキソルビシン溶液を押し出すために微小の圧力が加えられた。この例の微小圧力は、少なくとも約100 N/cm2.であった。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。蛍光顕微鏡(図42参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後にドキソルビシンを含むPEGジアクリレート粒子が観察された。
160-nm円柱形状にパターン形成されたシリコン基板(図43参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成された。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、30:70のPEGモノメタクリレート:PEGジアクリレート中1wt%アビジンの溶液が1wt%光開始剤と共に形成された。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのこのPEG/アビジン溶液が配置された。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEGジアクリレート/アビジン溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。この例の微小圧力は、少なくとも約100 N/cm2.であった。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。蛍光顕微鏡を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後にアビジンを含むPEG粒子が観察された。
80-nm円柱形状にパターン形成された6インチシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後基板は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、30:70のPEGモノメタクリレート:PEGジアクリレート中0.5wt%2-フルオロ-2-デオキシ-d-グルコース(FDG)の溶液が1wt%光開始剤と共に形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、200μLのこのPEG/FDG溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG/FDG溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。前記微小圧力は、少なくとも約100 N/cm2である。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後にFDGを含むPEG粒子が観察される。
200 nm x 200 nm x 1 μm棒状にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後基板は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、エタノール中0.01wt%の24塩基対DNA及び5 wt%のポリ(乳酸)の溶液が形成される。その後、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、200μLのこのエタノール溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG/FDG溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。前記微小圧力は、少なくとも約100 N/cm2である。その後装置全体は、真空下に2時間置かれる。光学顕微鏡を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後にDNAを含むポリ(乳酸)粒子が観察される。
500-nm円柱形状にパターン形成されたシリコン基板(図12参照)上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、エタノール中5wt%のパクリタキセルの溶液が形成された。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、100μLのこのパクリタキセル溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰の溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。加えられた圧力は、少なくとも約100 N/cm2.であった。その後装置全体は、真空下に2時間置かれる。前記モールドと表面を分離して約100nmの球形パクリタキセル粒子が得られ、それは走査電子顕微鏡を用い観察された。
0.6μm x 0.8μm x 1μm直角三角形状にパターン形成された6インチシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後基板は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、30:70のPEGモノメタクリレート:PEGジアクリレート中5wt%のメタクリル酸アミノエチルの溶液が1wt%光開始剤と共に形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、200μLのこのモノマー溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰の溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。前記微小圧力は、少なくとも約100 N/cm2である。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。光学顕微鏡を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、メタクリル酸アミノエチルを含むPEG粒子が前記モールド内に観察される。別に、ジメチルスルホキシド(DMSO)中に10質量パーセントのフルオレセインイソチオシアネート(FITC)を含む溶液が生成される。これに続き、前記粒子を含むモールドが前記FITC溶液に1時間曝される。DMSO及びそれに続く脱イオン(DI)水により、過剰のFITCが前記モールド表面から洗い落とされる。励起波長492nm及び発光波長529nmで、片面のみ標識された粒子が蛍光顕微鏡により観察される。
マスター鋳型を生成するため、所望のタンパク質分子が雲母基板上に吸着される。二糖類と共有結合しているモノマーを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)、及び光開始剤として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンの混合物が前記基板に注がれた。その後基板は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが雲母マスターから開放され、インプリントされたタンパク質分子に対する選択認識を示す多糖類に似た空洞を形成する。前記鋳型タンパク質を除去するため、前記ポリマーモールドにNaOH/NaClO溶液が浸漬された。デシケータ中で20分間の蒸着により、 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)及びトリクロロ(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチル)シランでシリコンウェハを洗浄する処理により、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。別に、25%(w/w) メタクリル酸(MAA)、25%メタクリル酸ジエチルアミノエチル(DEAEM)、及び48%PEGジアクリレートの溶液が2wt%光開始剤と共に形成された。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPE/二糖類モールドに、200μLのこのモノマー溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰の溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。前記モールドを除去すると、もとの鋳型タンパク質分子と同一の大きさ、形状、及び化学的官能を有する人工タンパク質分子が得られる。
5x5x1ミクロンのパターンを有するモールド(直径6インチ)が水平線と20度の角度を持つ傾斜面に配置された。98%PEG-ジアクリレートと2%光開始剤溶液の一連の100μL液滴が前記モールドの表面の最も高い端に置かれた。その後、各液滴は、充填された空洞を有する跡を残しながら滑り落ちた。
3x3x8ミクロンのパターンを有する寸法0.5x3cmのモールドが、98%PEG-ジアクリレートと2%光開始剤溶液を有するガラス瓶内に浸漬された。30秒後、前記モールドは、約1mm毎秒の速度で引き出された。
PEGのような鋳造される基材を通って約300ボルトDCの電圧が印加されることができる。前記電圧が前記パターン化鋳型上で基材の接触角を変えるため、充填処理が容易になる。
2-μm x 2-μm x 1-μm立方体にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。蛍光標識されたメタクリレートがこのPEG-ジアクリレートモノマー溶液に加えられ、完全に混合される。前記モールドはこの溶液に浸漬され、ゆっくりと引き出される。前記モールドは、窒素パージされた中で、UV光に10分間曝される。シアノアクリレートをガラススライド上に配置し、前記モールドを前記シアノアクリレートと接触させて配置し前記シアノアクリレートを硬化させることにより、前記粒子が取出される。前記モールドは硬化層から除去され、前記層内に取り込まれた前記粒子が残る。前記シアノアクリレートはアセトンを用いて溶解され、前記粒子がアセトン溶液内に収集されて遠心分離で精製される。前記粒子は乾燥後に走査電子顕微鏡(SEM)(図61A及び61B参照)を用い観察される。
4.1 TMPTAにおける70nm隔てられた140-nm線の製造
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)でシリコンウェハを洗浄し、さらに接着促進剤(トリメトキシシリルプロピルメタクリレート)でウェハを処理することにより、平坦、均一な表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、共形(conformal)接触を確実にするために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。原子間力顕微鏡(AFM)(図30参照)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に形体が観察される。
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリスチレンが、1-99wt%のトルエンに溶解される。 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)でシリコンウェハを洗浄し、さらに接着促進剤でウェハを処理することにより、平坦、均一な表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ上に50μLのポリスチレン溶液が配置され、さらにその頂上に前記パターン化PFPEモールドが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、共形(conformal)接触を確実にするために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記溶媒を除去するために真空中にしばらく曝される。原子間力顕微鏡(AFM)及び走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に形体が観察される。
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。パターン形成されたPFPE-DMAモールドの形成のための概要(outlined for)方法に従って、ガラススライド上にPFPE-DMA層を光硬化することにより、平坦で非-湿潤表面が形成される。前記PFPE-DMAモールドと前記平坦なPFPE-DMA表面との間に、50μLのTMPTA/光開始剤溶液が押し込まれ、過剰のTMPTAモノマーを絞り出すために圧力が加えられる。その後、前記PFPE-DMAモールドは、前記平坦なPFPE-DMA表面から除去されて清浄で平坦なシリコン/酸化シリコンウェハに押し付けられ、さらに窒素パージされた中で、10分間のUV照射 (λ = 365 nm)を用いて光硬化される 。前記PFPEモールドと前記シリコン/酸化シリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)を用い、単離したポリ(TMPTA)形体が観察される。
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1gのプルロニック(Pluronic)P123が12gの無水エタノール中に溶解される。この溶液は、2.7 mLの濃塩酸及び3.88mLのチタニウム(IV)エトキシドの溶液に加えられた。 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)でシリコン/酸化シリコンウェハを処理し、さらに乾燥することにより、平坦、均一な表面が形成されることができる。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのゾルーゲル溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のゾルーゲル前駆体を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ゾルーゲル前駆体が凝固するまで置かれる。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)を用い、酸化物構造が観察される。
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、35℃で攪拌しながら、2gのプルロニック(Pluronic)P123が30gの水中に溶解され、さらに120gの2M HClが加えられる。この溶液に対し、35℃で20時間攪拌しながら、8.50gのTEOSが加えられる。 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)でシリコン/酸化シリコンウェハを処理し、さらに乾燥することにより、平坦、均一な表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのゾルーゲル溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のゾルーゲル前駆体を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ゾルーゲル前駆体が凝固するまで置かれる。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)を用い、酸化物構造が観察される。
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、1gのプルロニック(Pluronic)P123及び0.51 gのEuCl3 ・H2Oが12gの無水エタノール中に溶解される。この溶液は、2.7 mLの濃塩酸及び3.88mLのチタニウム(IV)エトキシドの溶液に加えられた。 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)でシリコン/酸化シリコンウェハを処理し、さらに乾燥することにより、平坦、均一な表面が形成される。これに続き、前記処理されたシリコンウェハ、及びその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールド上に、50μLのゾルーゲル溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のゾルーゲル前駆体を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、前記ゾルーゲル前駆体が凝固するまで置かれる。前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に、走査電子顕微鏡(SEM)を用い、酸化物構造が観察される。
70nm隔てられた140-nm線にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、TMPTAが、1wt%の光開始剤、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンと混合される。 "ピラニア(piranha)"溶液(1:1濃硫酸:30%過酸化(水)溶液)でシリコンウェハを洗浄し、さらに接着促進剤(トリメトキシシリルプロピルメタクリレート)と非湿潤シラン剤(1H, 1H, 2H, 2H-ペルフルオロオクチルトリメトキシシラン)の混合物で処理することにより、レジスト(resist)物質に接着可能な平坦、均一で非湿潤表面が形成される。前記混合物は、100%の前記接着促進剤から100%の前記非湿潤シランまでの範囲とすることができる。これに続き、前記処理されたシリコンウェハとその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのTMPTAが配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、共形(conformal)接触を確実にし、さらに過剰のTMPTAを押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。原子間力顕微鏡(AFM)及び走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPEモールドと前記処理されたシリコンウェハを分離した後に形体が観察される。
5.1 電子ビームリソグラフィーを用いて形成された鋳型からのジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールドの製造
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、200,000 MW PMMA及び900,000 MW PMMAの二層レジストを、500-nmの熱酸化物を有するシリコンウェハ上にスピンコートし、さらに予め決められたパターンに移動する(translating)電子ビームにこのレジスト層を曝すことにより、電子ビームリソグラフィーを用いて形成される。前記レジストの露光領域を除去するため、前記レジストは、3:1のイソプロパノール:メチルイソブチルケトン溶液で現像される。前記レジストで被覆された表面に5nmのCr及び15nmのAuを蒸着し、アセトン還流中で残ったPMMA/Cr/Au層をリフトオフ(lift off)することにより、対応する金属パターンが前記シリコン酸化物表面に形成される。CF4/O2プラズマによる反応性イオンエッチング及び王水中での前記Cr/Au層の除去により、このパターンは下のシリコン酸化物表面に転写される(図31参照)。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。粒子製造例3.3及び3.4に詳述されるような非-湿潤インプリントリソグラフィーを用い、このモールドが粒子製造に用いられることができる。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、SU-8フォトレジストの層をシリコンウェハ上のにスピンコートすることにより、フォトリソグラフィーを用いて形成される。前記レジストは95℃のホットプレート上で焼成され、予めパターン形成されたフォトマスクを通して露光される。前記ウェハは95℃で再度焼成され、未露光のSU-8レジストを除去するため、さらに商業用現像液を用いて現像される。得られたパターン化表面は175℃で完全に硬化される。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放され、パターン形成されたPFPE-DMAモールドを見るため光学顕微鏡により撮像することができる(図32参照)。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、タバコモザイクウィルス(TMV)粒子をシリコンウェハ上に分散することにより形成される(図33a参照)。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。前記モールドの形態は、原子間力顕微鏡を用いて確認することができる(図33b参照)。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、新規に劈開された雲母表面にポリスチレンポリイソプレンブロック共重合体ミセルを分散することにより形成される。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。前記モールドの形態は、原子間力顕微鏡を用いて確認することができる(図34参照)。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、新規に劈開された雲母表面にポリ(アクリル酸ブチル)ポリマーブラシを分散することにより形成される。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。前記モールドの形態は、原子間力顕微鏡を用いて確認することができる(図35参照)。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、新規に劈開された雲母表面にミミズヘモグロビンタンパク質を分散することにより形成される。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。前記モールドの形態は、原子間力顕微鏡を用いて確認することができる。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、新規に劈開された雲母表面にDNAナノ構造を分散することにより形成される。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。前記モールドの形態は、原子間力顕微鏡を用いて確認することができる。
ジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA) モールド製造のための鋳型、又は"マスター"は、シリコン酸化物ウェハ上にカーボンナノチューブを分散し又は成長させることにより形成される。パターン形成されたモールドを鋳造するため、マスターのパターン形成された領域に1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むPFPE DMAを注ぐことにより、このマスターが用いられることができる。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドが前記マスターから開放される。前記モールドの形態は、原子間力顕微鏡を用いて確認することができる。
いくつかの実施形態において、本書で開示される主題は、新規な"トップダウン"ソフトリソグラフィー技術;硬化したPFPE-ベース材料に固有の低表面エネルギー及び耐膨張性を活用することにより完全に単離したナノ構造を形成可能な、非-湿潤インプリントリソグラフィー(NoWIL)を記述する。
7.1 機能的PFPEとして使用されるクライトックス(登録商標) ジオールの合成(デュポン、ウィルミントン、デラウェア、米国)
リーら(Li et al.) Macromolecules 2005, 38, 8155-8162に記述された方法を用い、2-ヒドロキシエタンジスルフィド及び塩化メタクロイル(methacroyl chloride)からビス(メタクリル酸エチレン)ジスルフィド(DEDSMA)が合成された(スキーム8)。同様に、ビス(8-ヒドロキシ-3,6-ジオキサオクチル)ジスルフィドから、ビス(8-ヒドロキシ-3,6-ジオキサオクチルメタクリレート)ジスルフィド(TEDSMA)が合成された(ラングら(Lang et al.) Langmuir 1994, 10, 197-210)。氷浴中で冷却され攪拌された、ビス(8-ヒドロキシ-3,6-ジオキサオクチル)ジスルフィド(0.662 g, 2 mmole)及びトリエチルアミン(2 mL)のアセトニトリル(30mL)溶液に、塩化メタクロイル(0.834 g, 8 mmole)がゆっくり加えられた。反応は室温まで温められ、16時間攪拌された。混合物が5%NaOH溶液(50mL)で希釈され、さらなる時間攪拌された。前記混合物は2 x 60mLの塩化メチレンで抽出され、有機層が3 x 100mLの1 M NaOHで洗浄され、無水K2CO2で乾燥して濾過された。溶媒を除去し、0.860gのTEDSMAが淡黄色の油として得られた。1H NMR (CDCl3) δ = 6.11 (2H, s), 5.55 (2H, s), 4.29 (4H, t), 3.51 - 3.8 (16H, m), 2.85 (4H, t), 1.93 (6H, s).
2μm長方形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成された。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド (24.4 mg)、DEDSMA (213.0 mg), ポリフラワー(Polyflour)570 (2.5 mg)、ジエトキシアセトフェノン (5.0 mg)、メタノール(39.0 mg)、アセトニトリル(39.0 mg)、水(8.0 mg)、及び N,N-ジメチルホルムアミド (6.6 mg)からなる混合物が準備された。前記混合物はパターン化PFPE-DMA表面に直接スポット(spot)され、別のパターン形成されていないPFPE-DMA表面で覆われた。鋳造装置内に前記モールド及び表面が置かれ、N2 で10分間パージされ、さらに少なくとも500 N/cm2 圧力下に2時間置かれた。その後装置全体は、窒素パージが維持された中で、UV光 (λ = 365 nm)に40分間曝された。DEDSMA粒子はシアノアクリレート接着剤を用いてガラススライド上に取り出された。前記接着層をアセトンに溶解し、続いて懸濁粒子の遠心分離により、前記粒子が精製された(図62及び図63参照)。
2μm長方形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成された。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド (3.4 mg)、DEDSMA (29.7 mg)、カルセイン(0.7 mg)、ポリフラワー(Polyflour)570 (0.35 mg)、ジエトキシアセトフェノン (0.7 mg)、メタノール(5.45 mg)、アセトニトリル(5.45 mg)、水(1.11 mg)、及び N,N-ジメチルホルムアミド (6.6 mg)からなる混合物が準備された。前記混合物はパターン化PFPE-DMA表面に直接スポット(spot)され、別のパターン形成されていないPFPE-DMA表面で覆われた。鋳造装置内に前記モールド及び表面が置かれ、N2 で10分間パージされ、さらに少なくとも500 N/cm2 圧力下に2時間置かれた。その後装置全体は、窒素パージが維持された中で、UV光 (λ = 365 nm)に40分間曝された。カルセインを含むDEDSMA粒子はシアノアクリレート接着剤を用いてガラススライド上に取り出された。前記接着層をアセトンに溶解し、続いて懸濁粒子の遠心分離により、前記粒子が精製された(図64参照)。
2μm長方形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成された。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド (1.44 mg)、DEDSMA (12.7 mg)、ポリフラワー(Polyflour)570 (ポリサイエンス(Polysciences )、0.08 mg)、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(0.28 mg)、メタノール(5.96 mg)、アセトニトリル(5.96 mg)、水(0.64 mg)、及び N,N-ジメチルホルムアミド (14.16 mg)からなる混合物に対し、TE緩衝液中0.25μg/μL溶液としてフルオレッセインで標識されたプラスミドDNA(マイラスバイオテック(Mirus Biotech))の0.5μgと、TE緩衝液中1.0μg/μL溶液としてpSV β-ガラクトシダーゼ調整(control)ベクター(プロメガ(Promega))の2.0μgとが順に加えられた。前記混合物はパターン化PFPE-DMA表面に直接スポット(spot)され、別のパターン形成されていないPFPE-DMA表面で覆われた。鋳造装置内に前記モールド及び表面が置かれ、N2 で10分間パージされ、さらに少なくとも500 N/cm2 圧力下に2時間置かれた。その後装置全体は、窒素パージが維持された中で、UV光 (λ = 365 nm)に40分間曝された。これらの粒子はシアノアクリレート接着剤を用いてガラススライド上に取り出された。前記接着層をアセトンに溶解し、続いて懸濁粒子の遠心分離により、前記粒子が精製された(図65参照)。
2μm長方形にパターン形成されたシリコン基板上に、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成された。所定の領域に液体PFPE-DMAをとどめるため、ポリ(ジメチルシロキサン)モールドが使用された。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝された。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放された。別に、アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド (1.2 mg)、ポリエチレングリコールジアクリレート(n=9)(0.56 mg)、ポリフラワー(Polyflour)570 (ポリサイエンス(Polysciences )、0.12 mg)、ジエトキシアセトフェノン(0.12 mg)、メタノール(1.5 mg)、水(0.31 mg)、及び N,N-ジメチルホルムアミド (7.2mg)からなる混合物に対し、TE緩衝液中0.25μg/μL溶液としてフルオレッセインで標識されたプラスミドDNA(マイラスバイオテック(Mirus Biotech))の0.5μgと、TE緩衝液中1.0μg/μL溶液としてpSV β-ガラクトシダーゼ調整(control)ベクター(プロメガ(Promega))の2.0μgとが順に加えられた。前記混合物はパターン化PFPE-DMA表面に直接スポット(spot)され、別のパターン形成されていないPFPE-DMA表面で覆われた。鋳造装置内に前記モールド及び表面が置かれ、N2 で10分間パージされ、さらに少なくとも500 N/cm2 圧力下に2時間置かれた。その後装置全体は、窒素パージが維持された中で、UV光 (λ = 365 nm)に40分間曝された。これらの粒子はシアノアクリレート接着剤を用いてガラススライド上に取り出された。前記接着層をアセトンに溶解し、続いて懸濁粒子の遠心分離により、前記粒子が精製された(図66参照)。
9.1 200-nm円柱形の蛍光標識された中性PEG粒子の製造
200-nm円柱形状にパターン形成されたシリコン基板(図67参照)上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、28wt%のPEGメタクリレート(n=9)、2wt%のアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、及び0.25wt%のローダミンメタクリレート(rhodamine methacrylate)と混合される。2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)でガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。平坦で完全硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、0.1mLの前記モノマー混合物が前記平坦なPFPE-DMA表面上にムラなくスポット(spot)され、その後、前記パターン化PFPE-DMAモールドがその頂上に配置される。その後、鋳造装置内に前記表面及びモールドが置かれ、あらゆる過剰のモノマー溶液を除去するために微小量の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされ、さらに窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPE-DMAモールドと基板とを分離した後に中性PEGナノ粒子が観察される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ(図68参照)、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。
200-nm円柱形状にパターン形成されたシリコン基板(図67参照)上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、14wt%のPEGメタクリレート(n=9)、14wt%の2-アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド(AETMAC)、2wt%のアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、及び0.25wt%のローダミンメタクリレート(rhodamine methacrylate)と混合される。2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)でガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。平坦で完全硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、0.1mLの前記モノマー混合物が前記平坦なPFPE-DMA表面上にムラなくスポット(spot)され、その後、前記パターン化PFPE-DMAモールドがその頂上に配置される。その後、鋳造装置内に前記表面及びモールドが置かれ、あらゆる過剰のモノマー溶液を除去するために微小量の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされ、さらに窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPE-DMAモールドと基板とを分離した後にカチオンに帯電したPEGナノ粒子が観察される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ(図68参照)、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。
200-nm円柱形状にパターン形成されたシリコン基板(図67参照)上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、28wt%の2-アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド(AETMAC)、2wt%のアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、及び0.25wt%のローダミンメタクリレート(rhodamine methacrylate)と混合される。2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)でガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。平坦で完全硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、0.1mLの前記モノマー混合物が前記平坦なPFPE-DMA表面上にムラなくスポット(spot)され、その後、前記パターン化PFPE-DMAモールドがその頂上に配置される。その後、鋳造装置内に前記表面及びモールドが置かれ、あらゆる過剰のモノマー溶液を除去するために微小量の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされ、さらに窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPE-DMAモールドと基板とを分離した後にカチオンに帯電したPEGナノ粒子が観察される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ(図68参照)、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造された中性200-nm円柱形のPEG粒子(アスペクト比= 1:1, 200 nm x 200 nmの粒子)が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられ(図69参照)、細胞毒性がMTT検定(アッセイ、assey)を用いて評価された(図70参照)。
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造されカチオンに帯電した14 wt%の200-nm円柱形のPEG粒子(アスペクト比= 1:1, 200 nm x 200 nmの粒子)が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられ(図69参照)、細胞毒性がMTT検定を用いて評価された(図70参照)。
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造されカチオンに帯電した28 wt%の200-nm円柱形のPEG粒子(アスペクト比= 1:1, 200 nm x 200 nmの粒子)が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられ(図69参照)、細胞毒性がMTT検定を用いて評価された(図70参照)。
10.1 200-nm円柱形の蛍光標識されカチオンに帯電した14 wt%のPEG粒子の製造-繰返し
200-nm円柱形状にパターン形成されたシリコン基板(図67参照)上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、14wt%のPEGメタクリレート(n=9)、14wt%の2-アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド(AETMAC)、2wt%のアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、及び0.25wt%のローダミンメタクリレート(rhodamine methacrylate)と混合される。2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)でガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされる中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。平坦で完全硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、0.1mLの前記モノマー混合物が前記平坦なPFPE-DMA表面上にムラなくスポット(spot)され、その後、前記パターン化PFPE-DMAモールドがその頂上に配置される。その後、鋳造装置内に前記表面及びモールドが置かれ、あらゆる過剰のモノマー溶液を除去するために微小量の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされ、さらに窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、前記PFPE-DMAモールドと基板とを分離した後に、カチオンに帯電したPEGナノ粒子が観察される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ(図68参照)、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。
2μm x 2μm x 1μm 立方体形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、14wt%のPEGメタクリレート(n=9)、14wt%の2-アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド(AETMAC)、2wt%のアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、及び0.25wt%のローダミンメタクリレート(rhodamine methacrylate)と混合される。2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)でガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。平坦で完全硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、0.1mLの前記モノマー混合物が前記平坦なPFPE-DMA表面上にムラなくスポット(spot)され、その後、前記パターン化PFPE-DMAモールドがその頂上に配置される。その後、鋳造装置内に前記表面及びモールドが置かれ、あらゆる過剰のモノマー溶液を除去するために微小量の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされ、さらに窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)、光学及び蛍光顕微鏡(励起λ= 526nm、発光λ=555 nm)を用い、前記PFPE-DMAモールドと基板とを分離した後に、カチオンに帯電したPEGナノ粒子が観察される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。
5μm x 5μm x 5μm立方体形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、14wt%のPEGメタクリレート(n=9)、14wt%の2-アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド(AETMAC)、2wt%のアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、及び0.25wt%のローダミンメタクリレート(rhodamine methacrylate)と混合される。2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)でガラススライドを被覆することにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。その後、前記スライドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される。平坦で完全硬化したPFPE-DMA基板が前記スライドから開放される。これに続き、0.1mLの前記モノマー混合物が前記平坦なPFPE-DMA表面上にムラなくスポット(spot)され、その後、前記パターン化PFPE-DMAモールドがその頂上に配置される。その後、鋳造装置内に前記表面及びモールドが置かれ、あらゆる過剰のモノマー溶液を除去するために微小量の圧力が加えられる。その後装置全体は10分間窒素パージされ、さらに窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間曝される。走査電子顕微鏡(SEM)、光学及び蛍光顕微鏡(励起λ= 526nm、発光λ=555 nm)を用い、前記PFPE-DMAモールドと基板とを分離した後に、カチオンに帯電したPEGナノ粒子が観察される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造されカチオンに帯電した14 wt%の200-nm円柱形のPEG粒子(アスペクト比= 1:1, 200 nm x 200 nmの粒子)が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられた(図71参照)。
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造されカチオンに帯電した14 wt%の2μm x 2μm x 1μm 立方体形のPEG粒子が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられた(図71参照)。
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造されカチオンに帯電した14 wt%の5μm x 5μm x 5μm立方体形のPEG粒子が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられた(図71参照)。
11.1 DEDSMA PRINT粒子の細胞吸収
細胞吸収実験に用いられるため、PRINTを用いて製造されたDEDSMA粒子が250μLの水に分散された。これらの粒子は、60μg/mLの最終粒子濃度でNIH 3T3 (マウス胚)細胞に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に4時間培養された。その後、前記細胞は共焦点顕微鏡により特徴付けられた。
12.1 14Cで放射標識された2μm x 2μm x 1μm 立方体のPRINT粒子の合成
2μm x 2μm x 1μm 立方体形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、30wt%の2-メタクリル酸アミノエチル塩酸塩(hydrochloride) (AEM)、及び1wt%の2,2-ジエトキシアセトフェノンと混合される。前記モノマー溶液は、イソプロピルアルコールで希釈した(10X)前記モノマーの混合物をスプレーすることにより、前記モールドに塗布される。ポリエチレンシートが前記モールド上に配置され、残った気泡がローラーで押し出される。前記シートは、1インチ/分の速度で前記モールドからゆっくりと引き戻される(pulled back)。その後、前記モールドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEM及び光学顕微鏡で観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。その後、乾燥し精製された粒子は、トリエチルアミン及び4-ジメチルアミノピリジンの存在下で、乾燥したジクロロメタン中の14C-無水酢酸に24時間曝される(図72参照)。未反応の試薬は遠心分離で除去される。反応効率は、シンチレーションバイアル(scintillation vial)中で放出された放射能を測定することで検出される。
200-nm円柱形にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に10分間照射される前に、10分間窒素パージに曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、30wt%の2-メタクリル酸アミノエチル塩酸塩(hydrochloride) (AEM)、及び1wt%の2,2-ジエトキシアセトフェノンと混合される。前記モノマー溶液は、イソプロピルアルコールで希釈した(10X)前記モノマーの混合物をスプレーすることにより、前記モールドに塗布される。ポリエチレンシートが前記モールド上に配置され、残った気泡がローラーで押し出される。前記シートは、1インチ/分の速度で前記モールドからゆっくりと引き戻される(pulled back)。その後、前記モールドは10分間窒素パージに曝され、窒素パージされた中でUV光 (λ = 365 nm)に照射される。取出しプロセスは、シアノアクリレートモノマーの薄層を、粒子が充填された前記PFPE-DMAモールドにスプレーすることにより開始する。前記PFPE-DMAモールドは直ちにガラススライド上に置かれ、前記シアノアクリレートがアニオン型(anionic fashion )で1分間重合させられる。前記モールドが除去され、前記粒子が前記可溶性接着層に埋め込まれ、それは前記可溶性接着ポリマー層をアセトン中に溶解することにより、単離し取出されたコロイド粒子分散液を与える。前記取出し層に埋め込まれ、又はアセトン中に分散した粒子は、SEMで観察することができる。溶解したポリ(シアノアクリレート)は溶液内で前記粒子と共に残っていてもよく、又は、遠心分離で除去されることもできる。その後、乾燥し精製された粒子は、トリエチルアミン及び4-ジメチルアミノピリジンの存在下で、乾燥したジクロロメタン中の14C-無水酢酸に24時間曝される(図72参照)。未反応の試薬は遠心分離で除去される。反応効率は、シンチレーションバイアル(scintillation vial)中で放出された放射能を測定することで検出される。
3 x 3 x 11 μmの柱状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。20μLのクロロホルム、70μLのPEGジアクリレートモノマー及び30μLのDPTA- PEGアクリレートが混合される。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。続いて、これらの粒子は、Gd(NO3)3.の水溶液で処理された。その後、これらの粒子はアガロースゲル(agarose gel)に分散され、シーメンスアレグラ3Tヘッド(Siemens Allegra 3T head)磁気共鳴装置を用い、T1強調(weighted)画像プロファイルが調査された(図73参照)。
200nm形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。70μLのPEGジアクリレートモノマー及び30μLのCDI-PEGモノマーが混合された。特に、前記CDI-PEGモノマーは、1,1'-カルボニルジイミダゾール (CDI)を、クロロホルム中PEG (n=400)モノアクリル酸メチルの溶液に加えることで合成された。前記溶液は一晩攪拌された。その後、冷水による抽出により、前記溶液がさらに精製された。その後、得られたCDI-PEGモノメタクリレートは、真空により単離(isolate)された。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。このリンカーは、標的を含むアミンを前記粒子に結合するのに利用することができる(図74参照)。
200nm形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。70μLのPEGジアクリレートモノマー及び30μLのCDI-PEGモノマーが混合された。特に、前記CDI-PEGモノマーは、1,1'-カルボニルジイミダゾール (CDI)を、クロロホルム中PEG (n=400)モノアクリル酸メチルの溶液に加えることで合成された。前記溶液は一晩攪拌された。その後、冷水による抽出により、前記溶液がさらに精製された。その後、得られたCDI-PEGモノメタクリレートは、真空により単離(isolate)された。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。続いて、これらのCDIリンカー基を含む粒子は、蛍光標識されたアビジンの水溶液で処理された。これらの粒子は室温で4時間攪拌された。その後、これらの粒子は遠心分離によって単離され、脱イオン水で洗浄された。共焦点顕微鏡により、結合が確認された(図75参照)。
200nm形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。70μLのPEGジアクリレートモノマー及び30μLのCDI-PEGモノマーが混合された。特に、前記CDI-PEGモノマーは、1,1'-カルボニルジイミダゾール (CDI)を、クロロホルム中PEG (n=400)モノアクリル酸メチルの溶液に加えることで合成された。前記溶液は一晩攪拌された。その後、冷水による抽出により、前記溶液がさらに精製された。その後、得られたCDI-PEGモノメタクリレートは、真空により単離(isolate)された。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。続いて、これらのCDIリンカー基を含む粒子は、蛍光標識されたアビジンの水溶液で処理された。これらの粒子は室温で4時間攪拌された。その後、これらの粒子は遠心分離によって単離され、脱イオン水で洗浄された。これらのアビジンで標識された粒子は、その後ビオチン化FABフラグメントで処理された。共焦点顕微鏡により、結合が確認された(図76参照)。
200nm形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。70μLのPEGジアクリレートモノマー及び30μLのCDI-PEGモノマーが混合された。特に、前記CDI-PEGモノメタクリレートは、1,1'-カルボニルジイミダゾール (CDI)を、クロロホルム中PEG (n=400)モノアクリル酸メチルの溶液に加えることで合成された。前記溶液は一晩攪拌された。その後、冷水による抽出により、前記溶液がさらに精製された。その後、得られたCDI-PEGモノマーは、真空により単離(isolate)された。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。続いて、これらのCDIリンカー基を含む粒子は、蛍光標識されたアビジンの水溶液で処理された。これらの粒子は室温で4時間攪拌された。その後、これらの粒子は遠心分離によって単離され、脱イオン水で洗浄された。これらのアビジンで標識された粒子は、その後、すべての患者の非腫瘍細胞のsIgと区別されるイディオタイプとして知られる、ビオチン化SUP-B8 (特定の表面免疫グロブリン (sIg)に対して特異性のペプチド)で処理された(図77参照)。
3 x 3 x 11 μm柱状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。56μLのPEGジアクリレートモノマー、19μLのPEGモノメタクリレート、10μgの2-アクリロキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド(AETMAC)及び23μLのドキソルビシン(26 mg/mL)が混合された。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。その後、これらの粒子は水溶液に分散され、さらに50μg/mLのナノ粒子濃度でNIH 3T3 マウス胚線維芽細胞株(cell lines)に曝された。前記粒子及び細胞は、37℃で5% CO2に48時間培養された。その後、前記細胞は共焦点及びMTT検定により特徴付けられた。
3x3x8ミクロンのパターン形成された凹部(5106) を有する、寸法0.5x3 cmのモールド(5104)が、98% PEG-ジアクリレート及び2%の光開始剤溶液を有するバイアル(5102)に浸漬された。30秒後、前記モールドは、約1mm毎秒の速度で引き上げられた。このプロセスは図51に図式的に示される。次に、前記モールドはUV炉に入れられ、15分間窒素でパージされた後、15分間硬化される。その後、シアノアクリレート接着剤を用いて前記粒子がガラススライド上に取出された。スカムは検出されず、又、図54の画像に示すように、光学顕微鏡を用いて前記粒子の単分散性が確認された。さらに、図54に明らかなように、前記凹部に含まれる物質は、参照番号5402に示されるように前記凹部の側面とメニスカスを形成する。このメニスカスが硬化されると、前記粒子の一部にレンズを形成した。
5x5x10ミクロンのパターン形成された凹部(5206) を有する、直径6インチのモールド(5200)が水平線と20度の角度を持つ傾斜面(5210)に配置された。次に一連の100μL液滴(5204)が前記モールドの表面の最も高い端に置かれた。各液滴は、充填された凹部(5208)を有する跡を残しながら前記モールドを滑り落ちた。このプロセスは図52に図式的に示される。
200nm形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放される。別に、ポリ(エチレングリコール)(PEG)ジアクリレート(n=9)が、1wt%の光開始剤、2,2'-ジエトキシアセトフェノンと混合される。70μLのPEGジアクリレートモノマー及び30μLのCDI-PEGモノマーが混合された。特に、前記CDI-PEGモノマーは、1,1'-カルボニルジイミダゾール (CDI)を、クロロホルム中PEG (n=400)モノアクリル酸メチルの溶液に加えることで合成された。前記溶液は一晩攪拌された。その後、冷水による抽出により、前記溶液がさらに精製された。その後、得られたCDI-PEGモノメタクリレートは、真空により単離(isolate)された。2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸PFPE (PFPE DMA)をシリコンウェハ上に注ぎ、その後窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝されることにより、平坦、均一で非-湿潤表面が形成される。これに続き、前記非-湿潤表面とその頂上に配置された前記パターン化PFPEモールドに、50μLのPEGジアクリレート溶液が配置される。その後、鋳造装置内に前記基板が置かれ、過剰のPEG-ジアクリレート溶液を押し出すために微小の圧力が加えられる。その後装置全体は、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に15分間曝される。前記PFPEモールドを分離した後に粒子が観察される。前記粒子は犠牲接着層を用いて取出され、DIC顕微鏡を用いて確認された。続いて、これらのCDIリンカー基を含む粒子は、蛍光標識されたアビジンの水溶液で処理された。これらの粒子は室温で4時間攪拌された。その後、これらの粒子は遠心分離によって単離され、脱イオン水で洗浄された。これらのアビジンで標識された粒子は、その後、ビオチンで処理された。200 μL生理食塩水が14日毎に2サイクル(合計28日)投与された対照群4 Neu 遺伝子導入マウスに対し、溶液(2.5 mg アビジン/ビオチンナノ粒子 /200 μL生理食塩水)が4 Neu 遺伝子導入マウス(2.5 mg アビジン/ビオチンナノ粒子 /200 μL生理食塩水)に14日毎に2サイクル(合計28日)投与された。各組のマウスは、いずれの処理からも不利な(adverse)副作用を生じないように思われた。
14.1 薬物動態のための200nm カチオン性PEG粒子の合成
200nm形状にパターン形成されたシリコン基板上に、2,2'-ジエトキシアセトフェノンを含むジメタクリル酸ペルフルオロポリエーテル (PFPE DMA)を注ぐことにより、パターン形成されたペルフルオロポリエーテル (PFPE)モールドが形成される。その後装置は10分間窒素でパージされた後、窒素パージされた中で、UV光 (λ = 365 nm)に6分間曝される。その後、完全硬化したPFPE-DMAモールドがシリコンマスターから開放され、ほこりを除去するために空気が吹かれる(blow)。別に、84 mol%のPEGジアクリレート、5 mol%のPEGモノアクリレート、10 mol%のメタクリル酸アミノエチル塩酸塩(hydrochloride)、及び1mol%の光開始剤が調製された。前記モールドはドラフト(fume hood)に置かれ、ヒドロゲル-モノマー溶液がモールド上に噴霧された。その後、ポリエチレンシートが前記モールドを覆って配置され、ローラーを用いた指圧により気泡が除去された。粒子室(chamber)を充填するよう、前記ポリエチレンカバーがゆっくり除去された。前記モールド/溶液の組合せはUV硬化室に置かれ、10分間窒素でパージされ、さらに8分間UV硬化された。前記粒子/モールドの組合せはスピンコーターに置かれ、前記スピンコーターは約1000rpmで起動した。約20mlsのニトロセルロースが回転モールドの中心に入れられ、回転している間、硬化のため1分間放置された。その後、前記ニトロセルロースが粒子を接着しながら前記モールドから注意深く外され、バイアル内に配置される。その後、セルロースを溶解し、前記粒子を残すため、アセトンが加えられる。前記粒子は遠心分離により精製され、その後、100メッシュ篩を通して濾し取られた。残ったアセトンは注意深く吸引され、前記粒子は窒素下で乾燥させられる。
0.1%ジエトキシアセトフェノン(DEAP)光開始剤を含む末端官能化ジメタクリル酸PFPE前駆体を、200 x 200 x 200 nm柱を含むマスター鋳型に貯留することにより、200 x 200 x 200 nm粒子のPRINT製造に適したモールドが準備された。前記テレケリック(telechelic)PFPE前駆体は、窒素の覆いの下で架橋ゴム(前記"モールド")にUV重合された。その後、前記モールドは前記マスターから剥がされ、前記モールド内に200 x 200 x 200 nmのパターン形成された空洞が現れた。その後、10% DEAP ("トリアクリレート樹脂")を含むトリメチロールプロパントリアクリレート1部がメタノール10部に溶解され、完全に被覆されるまで前記モールドのパターン形成された側にスプレー塗布された。薄いポリエチレンシートが、前記モールドのパターン形成された側を覆って配置され、さらに微小量の圧力を手で加えることにより前記モールドを密封した。その後、前記ポリエチレンシートが前記モールドからゆっくり剥がされ(〜1 mm/sec)、前記モールド内の空洞を毛細管充填した。過剰のトリアクリレート樹脂がPFPE/ポリエチレン界面で集められ、ポリエチレンシートが剥がされるにつれて前記モールドから取り除かれた。前記ポリエチレンシートが前記モールドから完全に剥がされると、肉眼で見えるすべての残ったトリアクリレート樹脂の液滴が前記モールドから取り除かれた。その後、前記モールド内のパターン形成された空洞を充填する前記トリアクリレート樹脂は、窒素の覆いの下で約5分間UV重合された。その後、丈夫なニトロセルロースベースのフィルムを製造するため、コロジオン溶液 (フィッシャーサイエンティフィック(Fisher Scientific))が前記モールドのパターン形成された側にスピン-キャスト(spin-cast)された。前記ニトロセルロースフィルムへの粘着転写により粒子を除去するため、その後このフィルムが前記モールドから剥がされた。その後、前記ニトロセルロースフィルムはアセトン中に溶解された。前記粒子の沈殿、ニトロセルロース/アセトン溶液のデカンテーション(decanting)、及び清浄なアセトン中での前記粒子の再懸濁の繰返しプロセスにより、前記溶解されたニトロセルロースから前記粒子が精製された。すべての前記ニトロセルロースが前記粒子から分離されるまで、このプロセスが繰り返された。
最初に、50mL (0.0125 moles)のZDOL 4000が計量され、オーブンで完全に乾燥された250 mL三つ口丸底フラスコに加えられる。これに50 mLのソルカン(Solkane)(1,1,1-3,3-ペンタフルオロブタン)が加えられる。前記フラスコは、凝縮器、ゴム隔膜、マグネチック攪拌バーを備え、窒素パージして取り付けられる。一定の窒素パージ下、前記フラスコは10分間パージされる。透明な溶液に対し、3.879g (0.025 moles) (3.54 mL)の2-メタクリル酸イソシアナートエチル(isocyanatoethyl methacrylate)(EIM)が注入される。これに続き、0.2 wt% (〜0.1 mL)のジブチル錫ジアセテート触媒が前記溶液に加えられる。その代わりに、1 wt%の典型的な濃度で、DABCO(トレードマーク)のような第3級アミン触媒が加えられることができる。前記溶液は50℃に加熱され、ゆっくりした一定の窒素パージ下、2-6時間還流される。前記フラスコは加熱を止められ、前記溶液をさらに希釈するため25 mLのソルカンが前記フラスコに加えられる。
この実施例は、本書で合成されたポリマーからのマイクロ流体チップの製造を記述する。
Claims (126)
- 複数の粒子を有し、各粒子はポリマーのモールド(mold)の凹部に対応した非球形の形状であって最大幅で100μm以下1nm以上であり、かつ前記各粒子は生体適合性材料を含み、
前記複数の粒子は、0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持つ粒子組成物。 - 前記生体適合性材料は、ポリ(エチレングリコール)、ポリ(乳酸)、乳酸・グリコール酸共重合体、乳糖、ホスファチジルコリン、ポリラクチド、ポリグリコリド、ヒドロキシプロピルセルロース、ワックス、ポリエステル、ポリアンヒドリド(polyanhydride)、ポリアミド、リン基(based)ポリマー、ポリ(シアノアクリレート)、ポリウレタン、ポリ(オルトエステル)、ポリジヒドロピラン、ポリアセタール、生分解性高分子、ポリペプチド、ヒドロゲル、炭水化物、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項1記載の組成物。
- 前記粒子は治療薬、診断薬又はリンカー(linker)を含む請求項1記載の組成物。
- 前記粒子は治療薬と架橋生体適合性組成物とを含む請求項1記載の組成物。
- 前記架橋生体適合性組成物は、所定の時間以降は生体吸収されるよう構成されている請求項4記載の組成物。
- 前記生体吸収性架橋体は、ジスルフィド基で機能化されたポリマーを含む請求項5記載の組成物。
- 前記生体適合性材料は0.5以下の架橋密度を有する請求項2記載の組成物。
- 前記生体適合性材料は0.5以下の架橋密度を有する請求項2記載の組成物。
- 前記粒子は生体吸収性材料を含む請求項1記載の組成物。
- 前記粒子は刺激に反応するよう構成されている請求項1記載の組成物。
- 前記粒子は、前記刺激との反応によって少なくとも部分的に分解するよう構成されている請求項10記載の組成物。
- 前記粒子は磁性材料を含む請求項1記載の組成物。
- 前記粒子は、荷電粒子、高分子エレクトレット(electret)、治療薬、非ウィルス遺伝子ベクター、ウィルス粒子、多形体(polymorph)、又は超吸水性樹脂を含む請求項1記載の組成物。
- 前記治療薬は、薬物、試薬、修飾剤(modifier)、調整剤(regulator)、治療(therapy)、処置剤(treatment)及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項3記載の組成物。
- 前記治療薬は、生物製剤、リガンド、オリゴペプチド、酵素、DNA、オリゴヌクレオチド、RNA、siRNA、癌治療剤、ウィルス治療剤、細菌学的治療剤、自己免疫治療剤、菌治療剤(fungal treatment)、精神治療薬、心臓脈管薬、血液調整剤、胃腸薬、呼吸器薬、抗関節炎剤、糖尿病薬、抗けいれん薬、骨代謝調整剤、多発性硬化症薬、ホルモン、尿路薬、免疫抑制剤、眼科用製品、ワクチン、鎮痛剤、性機能障害治療剤、麻酔薬、片頭痛薬、不妊剤、肥満治療薬、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項14記載の組成物。
- 前記診断薬は、造影剤、X線造影剤、MRI造影剤、超音波用剤、核医学用剤(nuclear agent)、放射性トレーサー、放射性医薬品、同位元素、造影剤(contrast agent)、蛍光標識、放射性標識及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項3記載の組成物。
- 前記リンカーに化学的に結合している修飾分子をさらに有する請求項3記載の組成物。
- 前記修飾分子は、染料、蛍光標識、放射性標識、造影剤、リガンド、標的リガンド(targeting ligand)、ペプチド、アプタマー、抗体、医薬品、タンパク質、DNA、RNA、siRNA及びそれらの断片からなる群から選ばれる請求項17記載の組成物。
- 前記刺激は、pH、放射線、酸化、還元、イオン強度、温度、交流磁場又は電場、音響力、超音波力、時間及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項10記載の組成物。
- 前記複数の粒子は実質的に同一の質量を持つ請求項1記載の組成物。
- 前記複数の粒子は実質的に単分散である請求項1記載の組成物。
- 前記規格化されたサイズ分布が0.90から1.10の間である請求項1記載の組成物。
- 前記生体適合性組成物は、0.5以下の架橋密度を有する請求項4記載の組成物。
- 前記生体適合性組成物は、0.5以上の架橋密度を有する請求項4記載の組成物。
- 前記生体適合性組成物は、非生分解性基で機能化されている請求項4記載の組成物。
- 前記生体適合性組成物は、生分解性基で機能化されている請求項4記載の組成物。
- 前記粒子は、実質的に三角形、厚み2nmの実質的な平面、2nmから200nmの間の厚みを持つ実質的に平らな円盤、及び実質的にブーメラン状からなる群から構成される請求項1記載の組成物。
- 前記粒子は被覆剤で実質的に被覆されている請求項1記載の組成物。
- 前記被覆剤は糖を含む請求項28記載の組成物。
- 前記粒子は18Fをさらに含む請求項1記載の組成物。
- 前記生分解性基はジスルフィド基である請求項26記載の組成物。
- 最大幅で100μm以下1nm以上の大きさであり、実質的にポリマーのモールドの凹部に対応した所定の非球形の形状を実質的に持つ有機組成物を含み、
前記有機組成物はさらに治療薬、診断薬又はリンカー(linker)を含む粒子。 - 前記有機組成物は生体適合性材料を含む請求項32記載の粒子。
- 前記治療薬は、薬物、生物製剤、リガンド、オリゴペプチド、癌治療剤、ウィルス治療剤、細菌学的治療剤、自己免疫治療剤、菌治療剤、精神治療薬、心臓脈管薬、血液調整剤、胃腸薬、呼吸器薬、抗関節炎剤、糖尿病薬、抗けいれん薬、骨代謝調整剤、多発性硬化症薬、ホルモン、尿路薬、免疫抑制剤、眼科用製品、ワクチン、鎮痛剤、性機能障害治療剤、麻酔薬、片頭痛薬、不妊剤、肥満治療薬、及びそれらの組合わせからなる群から選ばれる請求項32記載の粒子。
- ポリマーのモールドの凹部の液体物質から製造される粒子であって、前記液体が実質的に前記凹部を満たすように、前記モールドと前記液体物質との接触角が設定されていると共に、前記液体物質が前記凹部の端との間にメニスカスを形成し、前記粒子が最大幅で250ミクロン以下1nm以上の大きさを持ち、前記粒子は生体適合性材料を含み、複数個の前記粒子が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持つ粒子。
- 前記粒子の一部は、前記メニスカスによって規定されるレンズとして構成される請求項35記載の粒子。
- モールドの凹部の形状を反映する粒子であって、前記モールドはフッ素重合体を含み、前記粒子が最大で100ミクロン以下1nm以上の大きさを持ち、前記粒子は生体適合性材料を含み、複数個の前記粒子が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持つ粒子。
- ポリマーのモールドの内部の液体物質から製造される粒子であって、前記液体は前記モールドを濡らさず、前記粒子は100ミクロン以下1nm以上の大きさを持ち、前記粒子は生体適合性材料を含み、複数個の前記粒子が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持つ粒子。
- 重合体モールド内の凹部に液体を含む物質を配置するステップであって、前記凹部は最大幅で100μm以下1nm以上の大きさであり;
粒子を形成するため前記物質を硬化させるステップ;及び
前記凹部から前記粒子を取り除くステップ:を含む粒子の製造方法であって、
複数個の前記粒子が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持ち、
前記粒子は、薬物、生物製剤、癌治療剤、ウィルス治療剤、細菌学的治療剤、自己免疫治療剤、菌治療剤、酵素、タンパク質、ヌクレオチド配列、抗原、抗体、診断薬、及びそれらの組合わせからなる群から選ばれる治療薬を含む粒子の製造方法。 - 前記凹部は最大幅で10μm以下の大きさである請求項39記載の方法。
- 前記凹部は最大幅で1nmから1ミクロンの間の大きさである請求項39記載の方法。
- 前記凹部は最大幅で1nmから500nmの間の大きさである請求項39記載の方法。
- 前記配置ステップの前に、治療薬、診断薬又は結合基(linking group)を前記物質に加えることをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記配置ステップの後に、治療薬、診断薬又は結合基を前記物質に注入することをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記硬化ステップの後に、治療薬、診断薬又は結合基を前記物質に注入することをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記除去ステップの後に、治療薬、診断薬又は結合基を前記物質に注入することをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記硬化ステップの後に、治療薬、診断薬又は結合基を前記物質の表面に付着させることをさらに含む請求項39記載の方法。
- 所定量の治療薬、診断薬、結合基又はそれらの組合せを前記粒子に取り付ける(load)ことをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記治療薬、診断薬、又は結合基は、前記混合の前に修飾(modified)されない請求項43記載の方法。
- 前記粒子は、実質的に非球形、実質的にウィルス形、実質的に細菌形、実質的に細胞形、実質的に棒状、実質的に対掌形、実質的に三角形、実質的に円盤状、実質的にブーメラン状、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる形状を有する請求項39記載の方法。
- 前記粒子を被覆することを含む請求項39記載の方法。
- 前記物質に治療薬を加えることをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記物質に診断薬を加えることをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記硬化ステップの前に、実質的に残ったすべての物質が実質的に前記凹部内に存在するよう、過剰な物質を前記モールドから取り除くことをさらに含む請求項39記載の方法。
- 前記モールドが30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含む請求項39記載の方法。
- 前記モールドは、フルオロオレフィン材料、アクリレート材料、シリコーン材料、スチレン材料、フッ素化熱可塑性エラストマー(TPE)、トリアジンフルオロ重合体、ペルフルオロシクロブチル材料、フッ素化エポキシ樹脂、及びメタセシス重合反応によって重合または架橋されるフッ素化モノマー又はフッ素化オリゴマーからなる群から選ばれる材料から形成される請求項39記載の方法。
- 前記物質が薬物を含有する溶液を含む請求項39記載の方法。
- 前記硬化が蒸発である請求項39記載の方法。
- 重合体モールド内に規定される500μm以下1nm以上の大きさの凹部に物質を配置し;
粒子を形成するため前記凹部内の物質を処理し;及び
前記凹部から前記粒子を取り除く:ことを含む粒子の製造方法であって、
複数個の前記粒子が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持ち、
前記粒子は生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む粒子の製造方法。 - 前記重合体が30 mN/m以下の低表面エネルギーを有する請求項59記載の方法。
- 前記処理が蒸発である請求項59記載の方法。
- 前記凹部は最大の大きさで500ミクロン以下である請求項59記載の方法。
- 平均的な大きさで100ミクロン以下1nm以上の凹部を含み、かつ30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含む鋳型を準備するステップ;
前記凹部に液体を含む物質を分注するステップ;及び
前記凹部内で粒子が鋳造されるよう、前記凹部内の物質を硬化させるステップ:を含む開放(open)鋳造方法であって、
複数個の前記粒子が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持ち、
前記粒子は生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む方法。 - 前記分注ステップの後に、前記凹部内に収容されていない物質を除去するため、前記鋳型に力を加えることをさらに含む請求項63記載の方法。
- 前記凹部内に収容されていない物質を除去するため、前記鋳型を横切ってブレードを通過させることをさらに含む請求項63記載の方法。
- 前記ブレードは、金属ブレード、ゴムブレード、シリコン基ブレード、ポリマー基ブレード、エアナイフ、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項65記載の方法。
- 前記凹部からの前記物質の蒸発を少なくするため、前記鋳型上の適切な位置に前記基材を置くことをさらに含む請求項64記載の方法。
- 前記物質を硬化した後、前記凹部から前記粒子を取り出すことをさらに含む請求項63記載の方法。
- 前記取り出しは、前記粒子と前記鋳型の間の親和力より大きい親和力を前記粒子に対して有する物品を塗布することを含む請求項68記載の方法。
- 前記取り出しは、前記粒子を粘着性物質に接触させることを含む請求項69記載の方法。
- 前記取り出しの前記物品は、水溶性接着剤、アセトン溶解性接着剤、及び有機溶媒溶解性接着剤からなる群の1又はそれ以上から選ばれる請求項69記載の方法。
- 前記取り出しの前記物品は、水、有機溶媒、炭水化物、エポキシ樹脂、ワックス、ポリビニルアルコール、ポリ(ビニルピロリドン)、ポリ(アクリル酸)、ポリ(アクリル酸ブチル)、ポリシアノアクリレート、セルロース、ゼラチン、ポリ(ヒドロキシメタクリル酸エチル)、及びポリ(メタクリル酸メチル)からなる群の1又はそれ以上から選ばれる請求項69記載の方法。
- 前記粒子を取り出した後、前記粒子を精製することをさらに含む請求項68記載の方法。
- 前記粒子の精製は、取り出し物質から前記粒子を精製することを含む請求項73記載の方法。
- 前記精製は、遠心分離、分離、クロマトグラフィ、振動、重力、透析、濾過、ふるい、電気泳動、ガス流、磁気、静電選別、それらの組合せ、及びそれと同等のものからなる群から選ばれる請求項73記載の方法。
- 前記粒子は、遠心分離、溶解、振動、超音波、巨大音響(megasonic)、重力、鋳型の屈曲、吸引、静電気引力、静電反発、磁気、物理的鋳型操作、それらの組合せ、及びそれと同等のものによって取り出される請求項68記載の方法。
- 前記低表面エネルギー重合体物質は実質的に溶媒耐性を有する請求項63記載の方法。
- 前記鋳型のための前記低表面エネルギー重合体物質は、溶媒耐性を有するエラストマー材料を含む請求項63記載の方法。
- 前記鋳型のための前記低表面エネルギー重合体物質は、ペルフルオロポリエーテル材料、シリコーン材料、フルオロオレフィン材料、アクリレート材料、シリコーン材料、スチレン材料、フッ素化熱可塑性エラストマー(TPE)、トリアジンフルオロ重合体、ペルフルオロシクロブチル材料、フッ素化エポキシ樹脂、及びメタセシス重合反応によって重合または架橋されるフッ素化モノマー又はフッ素化オリゴマーからなる群から選ばれる請求項63記載の方法。
- 前記液体は、ポリマー、溶液、モノマー、複数のモノマー、重合開始剤、重合触媒、無機前駆体、金属前駆体、医薬品、標識、磁性材料、常磁性体、リガンド、細胞透過性ペプチド、ポロジェン(porogen)、界面活性剤、複数の非混和液、溶媒、及び荷電種からなる群から選ばれる成分を含み、
前記ポリマーは前記溶媒に溶解され、
前記溶媒は前記鋳造時に蒸発する請求項63記載の方法。 - 前記粒子は、有機ポリマー、超吸水性樹脂、荷電粒子、高分子エレクトレット(ポリ(フッ化ビニリデン)、テフロン(登録商標)フッ素化(Teflon-fluorinated)エチレンプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン)、治療薬、薬物、非ウィルス遺伝子ベクター、DNA、RNA、RNAi、ウィルス粒子、多形体(polymorph)、それらの組合せ、及びそれと同等のものを含む請求項63記載の方法。
- 前記凹部内の前記物質は蒸発によって硬化させられる請求項63記載の方法。
- 前記凹部内の前記物質は化学プロセスによって硬化させられる請求項63記載の方法。
- 前記凹部内の前記物質は、前記物質をUV光で処理することによって硬化させられる請求項63記載の方法。
- 前記凹部内の前記物質は温度変化によって硬化させられる請求項63記載の方法。
- 500μm以下1nm以上の大きさのナノ又はミクロンスケール凹部を規定する30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含む鋳型を準備し;
前記ナノ又はミクロンスケール凹部内に鋳造される物質を前記鋳型上に配置し;及び
前記物質を前記ナノ又はミクロンスケール凹部に入り込ませる:ことを含むナノ又はミクロンスケール凹部を満たす方法であって、
複数個の前記鋳造された物質が0.80から1.20の間の規格化されたサイズ分布を持ち、
前記物質は生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む方法。 - 前記鋳型は、PFPEを含む請求項86記載の方法。
- 鋳造される液体と鋳型モールド(template mold)の間の接触角を所定の角度に設定し、前記鋳型モールド内に規定される500μm以下1nm以上の大きさのナノ又はミクロンスケール凹部を前記液体が受動的に(passively)満たすようにする:ことを含むナノ又はミクロンスケール構造を鋳造する方法であって、
前記液体は生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含み、
前記液体は、前記ナノ又はミクロンスケール凹部の一部とメニスカスを形成する方法。 - 前記ナノ又はミクロンスケール凹部から製造される粒子の一部が前記メニスカスによってレンズを形成する請求項88記載の方法。
- 鋳型の500μm以下1nm以上の大きさのナノ又はミクロンスケール凹部内に鋳造される第1の物質を導入し;
前記第1の物質の溶媒成分を蒸発させ;及び
前記ナノ又はミクロンスケール凹部内の前記第1の物質を硬化して非球形の粒子を形成する:ことを含み、
前記粒子は生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む非球形の粒子の形成方法。 - 前記蒸発の後に、前記ナノ又はミクロンスケール凹部に第2の物質を加え、前記第1の物質を硬化して2つの成分を有する粒子を形成する:ことをさらに含む請求項90記載の方法。
- 前記鋳型は、低表面エネルギー重合体物質を含む請求項91記載の方法。
- 前記鋳型は、PFPEを含む請求項92記載の方法。
- 前記凹部内の前記物質は熱エネルギーによって前記物質を処理することにより硬化させられる請求項63記載の方法。
- 最大の大きさで100ミクロン以下1nm以上の凹部を規定する物品を準備し;
前記凹部に生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む粒子を形成し;
前記物品と前記粒子との間の親和力より大きい親和力を前記粒子に対して有する材料を前記物品に塗布し;及び
前記材料が前記粒子に付着したままで前記物品から前記材料を分離する:ことを含む物品から粒子を取り出す方法。 - 前記塗布は、前記粒子に対する前記材料の親和力を増大させるために前記材料を処理する処理ステップを含む請求項95記載の方法。
- 前記分離は、前記物品、前記材料及びそれらの組合せの少なくともいずれかに力を加えることを含む請求項95記載の方法。
- 前記処理ステップは、前記材料の冷却を含む請求項96記載の方法。
- 前記処理ステップは、前記材料の硬化、前記材料と前記粒子の間の親和力を増大させるため前記粒子の表面を化学的に修飾すること、前記粒子と前記材料の間の親和力を増大させるため前記材料の表面を化学的に修飾すること、UV処理、熱処理、及びそれらの組合せからなる群の1つを含む請求項96記載の方法。
- 前記物品は30 mN/m以下の低表面エネルギー材料を含む請求項95記載の方法。
- 前記物品はペルフルオロポリエーテル材料を含む請求項95記載の方法。
- 前記材料は、炭水化物、エポキシ樹脂、ワックス、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸ブチル、ポリシアノアクリレート、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリル酸、セルロース、ゼラチン、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項95記載の方法。
- 前記処理ステップは、前記材料と前記粒子の間の化学的相互作用の増大を含む請求項96記載の方法。
- 前記処理ステップは、前記材料と前記粒子の間の物理的相互作用の増大を含む請求項96記載の方法。
- 前記物理的相互作用は物理的取込みである請求項104記載の方法。
- 500μm以下1nm以上の大きさの凹部を規定すると共に、そこに形成される生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む粒子を有する物品を準備し;
分子の修飾基を含む溶液を前記粒子に塗布し;及び
前記分子の修飾基の第1の部分と、前記粒子の表面の少なくとも一部の間の反応を促進する:ことを含む粒子の表面の修飾方法。 - 前記分子の修飾基の第2の部分が未反応のままである請求項106記載の方法。
- 前記未反応の分子の修飾基を除去することをさらに含む請求項107記載の方法。
- 前記分子の修飾基が結合基を介して前記粒子に化学結合している請求項106記載の方法。
- 大きさで100ミクロン以下1nm以上の複数の凹部を規定し、前記凹部に生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む粒子が形成されている物品;
前記粒子と前記物品の間の親和力より大きい親和力を前記粒子に対して有する材料;及び
前記物品から前記粒子を分離するよう構成される塗布器(applicator):を含む、物品から複数の粒子を取り出すシステム。 - 前記物品は、30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含む請求項110記載のシステム。
- 基材;及び
モールドに対応した非球形の形状で、最大幅で100μm以下1nm以上の大きさの粒子;を含み、前記粒子が生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含むと共に前記基材に結合している粒子システム。 - 前記基材に2次元配列で配置された複数の粒子をさらに含む請求項112記載のシステム。
- 前記粒子がさらに活性剤(active)を含む請求項112記載のシステム。
- 前記活性剤は、薬物、試薬、反応剤、及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求項114記載のシステム。
- 生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む液体溶液にシード(種)を浮遊させ;
1ナノメートルから100ミクロンの間の大きさの凹部を規定する30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含む鋳型上に、前記シードを含む前記液体溶液を堆積させ;及び
凹部内の前記液体溶液を硬化し、前記シードが前記硬化した液体溶液で被覆されるようにする:ことを含む被覆方法。 - モールドに対応した形状を有し最大の大きさで100ミクロン以下1nm以上の粒子;を含み、前記粒子が生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含むと共に識別特徴(identifying characteristic)を有する追跡用添加物。
- モールドに対応した形状で最大の大きさが100ミクロン以下1nm以上の粒子を含む追跡用添加物に結合したアイテム(item):を含み、前記粒子が生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含むと共に識別特徴を有する保証(secure)アイテム。
- モールドに対応した形状で最大の大きさが100ミクロン以下1nm以上であって、かつ生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含むと共に識別特徴を有する粒子を含む追跡用添加物を製造し;
保証されるべきアイテム(item)に前記追跡用添加物を組み入れ;
検出する前記アイテムを分析して前記識別特徴を読取り;及び
前記識別特徴を期待される特徴と比較する:ことを含む、アイテムを保証するためのシステム。 - 前記粒子は、モールドにより製造される追跡用添加物であって、
該モールドはフォトリソグラフィを用いて構成されると共に寸法を合わされる請求項32記載の粒子。 - 前記粒子は、前記モールドから鋳造される追跡用添加物であって、
前記モールドは30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含み、
前記追跡用添加物は、実質的に平坦な表面を有する請求項32記載の粒子。 - 前記追跡用添加物の表面にボッシュ(Bosch)エッチング線をさらに含む請求項121記載の粒子。
- 前記追跡用添加物が化学官能性をさらに含む請求項121記載の粒子。
- 前記追跡用添加物が能動的(active)センサーをさらに含む請求項121記載の粒子。
- 所定の形状に構成されると共に寸法を合わされた前記追跡用添加物を準備し;及び
前記追跡用添加物の形状に従って前記追跡用添加物を認識する:ことを含む、請求項120〜124のいずれか一項に記載の粒子の識別方法。 - 30 mN/m以下の表面エネルギーを有する低表面エネルギー重合体物質を含むと共に、500μm以下1nm以上の大きさのナノ又はミクロンスケール凹部を規定する鋳型を準備し;
前記ナノ又はミクロンスケール凹部に受動的に入り込むよう前記鋳型の表面と所定の接触角を有する鋳造される液体を前記鋳型上に配置し;及び
前記ナノ又はミクロンスケール凹部内の前記液体から生体適合性材料、治療薬、診断用薬又はリンカー(linker)を含む粒子を形成する:ことを含むプロセスによって形成される粒子。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101926625B1 (ko) * | 2016-08-12 | 2018-12-11 | 엄재호 | 금연보조용 콘택트렌즈 |
| US12226748B2 (en) | 2020-09-07 | 2025-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Stirrer, apparatus of manufacturing quantum dot including the same, and method of manufacturing quantum dot using the quantum dot manufacturing apparatus |
Families Citing this family (280)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9040090B2 (en) | 2003-12-19 | 2015-05-26 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof |
| WO2014007972A2 (en) | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Nova Southeastern University | Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinphrine |
| US20160045457A1 (en) | 2005-09-09 | 2016-02-18 | Ousama Rachid | Epinephrine fine particles and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinephrine |
| US9877921B2 (en) * | 2005-09-09 | 2018-01-30 | Nova Southeastern University | Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinephrine |
| WO2008027571A2 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Liquidia Technologies, Inc. | Nanoparticles having functional additives for self and directed assembly and methods of fabricating same |
| US20080112886A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-05-15 | The Regents Of The University Of California | Engineering shape of polymeric micro- and nanoparticles |
| CN101679473B (zh) | 2006-09-14 | 2014-12-10 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于核酸酶活性和dna足迹法的等离子分子标尺 |
| JP5254986B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2013-08-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | フレキソ印刷のための溶剤除去アシスト材料転写 |
| BRPI0718766A2 (pt) | 2006-11-15 | 2014-01-21 | 3M Innovative Properties Co | Impressão flexográfica com cura durante a transferência para o substrato |
| BRPI0718765A2 (pt) * | 2006-11-15 | 2013-12-03 | 3M Innovative Properties Co | Gofragem assistida por solvente de placas de impressão flexográfica |
| US8128393B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-03-06 | Liquidia Technologies, Inc. | Methods and materials for fabricating laminate nanomolds and nanoparticles therefrom |
| WO2008127455A2 (en) * | 2006-12-05 | 2008-10-23 | Liquidia Technologies, Inc. | Nanoarrays and methods and materials for fabricating same |
| US8394483B2 (en) | 2007-01-24 | 2013-03-12 | Micron Technology, Inc. | Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly |
| US8083953B2 (en) | 2007-03-06 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films |
| US8557128B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-10-15 | Micron Technology, Inc. | Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers |
| WO2008118861A2 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response |
| US7959975B2 (en) | 2007-04-18 | 2011-06-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of patterning a substrate |
| US8097175B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-01-17 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure |
| US8294139B2 (en) | 2007-06-21 | 2012-10-23 | Micron Technology, Inc. | Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same |
| US8372295B2 (en) | 2007-04-20 | 2013-02-12 | Micron Technology, Inc. | Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method |
| US8404124B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-03-26 | Micron Technology, Inc. | Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces |
| US8080615B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-12-20 | Micron Technology, Inc. | Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide |
| US8283258B2 (en) | 2007-08-16 | 2012-10-09 | Micron Technology, Inc. | Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films |
| DE102007044146A1 (de) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Bayer Materialscience Ag | Thermoplast mit Metallkennzeichnungsplättchen |
| US8530000B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-09-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming charge-trapping regions |
| EP2207670B1 (en) * | 2007-10-12 | 2019-05-22 | Liquidia Technologies, Inc. | Method for producing particles and patterned films |
| JPWO2009084392A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2011-05-19 | アルプス電気株式会社 | 金型装置及び樹脂成型品の製造方法 |
| US8999492B2 (en) | 2008-02-05 | 2015-04-07 | Micron Technology, Inc. | Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers |
| US8101261B2 (en) | 2008-02-13 | 2012-01-24 | Micron Technology, Inc. | One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof |
| JP2011525477A (ja) * | 2008-03-04 | 2011-09-22 | リクイディア・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 免疫調節剤粒子および処置方法 |
| US8425982B2 (en) | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids |
| US8426313B2 (en) | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference |
| US8114300B2 (en) | 2008-04-21 | 2012-02-14 | Micron Technology, Inc. | Multi-layer method for formation of registered arrays of cylindrical pores in polymer films |
| US8114301B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-02-14 | Micron Technology, Inc. | Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders |
| CN102056595A (zh) * | 2008-06-13 | 2011-05-11 | 阿科玛股份有限公司 | 可生物降解的抗冲击改性的聚合物组合物 |
| US8613951B2 (en) | 2008-06-16 | 2013-12-24 | Bind Therapeutics, Inc. | Therapeutic polymeric nanoparticles with mTor inhibitors and methods of making and using same |
| DK2774608T3 (da) | 2008-06-16 | 2020-01-13 | Pfizer | Lægemiddelladede polymere nanopartikler og fremgangsmåder til fremstilling og anvendelse deraf |
| WO2010005725A2 (en) | 2008-06-16 | 2010-01-14 | Bind Biosciences, Inc. | Therapeutic polymeric nanoparticles comprising vinca alkaloids and methods of making and using same |
| US8382858B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-02-26 | University Of Massachusetts | Nanoparticle-textured surfaces and related methods for selective adhesion, sensing and separation |
| CN101671442A (zh) * | 2008-09-12 | 2010-03-17 | 清华大学 | 碳纳米管阵列复合材料的制备方法 |
| US8535644B2 (en) * | 2008-10-10 | 2013-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunable hydrogel microparticles |
| US9050070B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-06-09 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for surface abrasion with frozen particles |
| US8603495B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-12-10 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for biological remodeling with frozen particle compositions |
| US9060926B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-06-23 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for therapeutic delivery with frozen particles |
| US9060931B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-06-23 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for delivery of frozen particle adhesives |
| US8551506B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-10-08 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for administering compartmentalized frozen particles |
| US8788211B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-07-22 | The Invention Science Fund I, Llc | Method and system for comparing tissue ablation or abrasion data to data related to administration of a frozen particle composition |
| US9072799B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-07-07 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for surface abrasion with frozen particles |
| US8762067B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-06-24 | The Invention Science Fund I, Llc | Methods and systems for ablation or abrasion with frozen particles and comparing tissue surface ablation or abrasion data to clinical outcome data |
| US9072688B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-07-07 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for therapeutic delivery with frozen particles |
| US8798933B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-05 | The Invention Science Fund I, Llc | Frozen compositions and methods for piercing a substrate |
| US8721583B2 (en) * | 2008-10-31 | 2014-05-13 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for surface abrasion with frozen particles |
| US8603496B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-12-10 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for biological remodeling with frozen particle compositions |
| US8485861B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-07-16 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods for making or administering frozen particles |
| US8793075B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-07-29 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for therapeutic delivery with frozen particles |
| US8545856B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-10-01 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for delivery of frozen particle adhesives |
| US8731840B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-05-20 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for therapeutic delivery with frozen particles |
| US8731841B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-05-20 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for therapeutic delivery with frozen particles |
| US9060934B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-06-23 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for surface abrasion with frozen particles |
| US20100111857A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Boyden Edward S | Compositions and methods for surface abrasion with frozen particles |
| US9050317B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-06-09 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for therapeutic delivery with frozen particles |
| US8725420B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-05-13 | The Invention Science Fund I, Llc | Compositions and methods for surface abrasion with frozen particles |
| WO2010068866A2 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Bind Biosciences | Therapeutic particles suitable for parenteral administration and methods of making and using same |
| EA201100765A1 (ru) | 2008-12-15 | 2012-04-30 | Бинд Биосаиэнсис | Наночастицы длительной циркуляции для замедленного высвобождения терапевтических средств |
| US8715981B2 (en) | 2009-01-27 | 2014-05-06 | Purdue Research Foundation | Electrochemical biosensor |
| AU2010217957B2 (en) | 2009-02-26 | 2015-08-13 | Liquidia Technologies, Inc. | Interventional drug delivery system and associated methods |
| JP5498058B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 導電膜の製造方法及び製造装置並びに導電膜 |
| EP3301104B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-10-30 | Life Technologies Corporation | Scaffolded nucleic acid polymer particles and methods of making and using |
| JP2011025220A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| US20120114554A1 (en) * | 2009-07-13 | 2012-05-10 | Liquidia Technologies, Inc. | Engineered Aerosol Particles, And Associated Methods |
| CN102648438A (zh) * | 2009-08-26 | 2012-08-22 | 分子制模股份有限公司 | 功能性纳米微粒 |
| EP2295480A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-16 | Occlugel | Implantable bio-resorbable polymer |
| CN101704502B (zh) * | 2009-09-11 | 2012-07-04 | 中国科学院化学研究所 | 一种制备阵列化有机纳米粒子的方法 |
| WO2011040466A1 (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
| WO2011044328A2 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | University Of Pittsburgh -Of The Commonwealth System Of Higher Education | Methods to prepare patchy microparticles |
| US8357401B2 (en) | 2009-12-11 | 2013-01-22 | Bind Biosciences, Inc. | Stable formulations for lyophilizing therapeutic particles |
| US9295649B2 (en) | 2009-12-15 | 2016-03-29 | Bind Therapeutics, Inc. | Therapeutic polymeric nanoparticle compositions with high glass transition temperature or high molecular weight copolymers |
| JP5732724B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2015-06-10 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法 |
| US20120322884A1 (en) | 2010-03-01 | 2012-12-20 | University Of Manitoba | Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinephrine |
| US9161448B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| MX2012012080A (es) * | 2010-04-16 | 2013-03-05 | Gojo Ind Inc | Sistema de manipulacion por marcador para sistemas de dispensacion. |
| FR2959833B1 (fr) * | 2010-05-07 | 2015-06-12 | Inst Nat Sciences Appliq | Procede de nano-structure topographique et electrique d'un film mince de polymere electret et film mince de polymere electret obtenu |
| US10170764B2 (en) | 2010-06-30 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing ultra small particle, positive electrode active material of second battery using the method for manufacturing ultra small particle and method for manufacturing the same, and secondary battery using the positive electrode active material and method for manufacturing the same |
| US8822663B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-09-02 | Moderna Therapeutics, Inc. | Engineered nucleic acids and methods of use thereof |
| US8304493B2 (en) | 2010-08-20 | 2012-11-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming block copolymers |
| WO2012037358A1 (en) | 2010-09-16 | 2012-03-22 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Asymmetric bifunctional silyl monomers and particles thereof as prodrugs and delivery vehicles for pharmaceutical, chemical and biological agents |
| RS63430B1 (sr) | 2010-10-01 | 2022-08-31 | Modernatx Inc | Ribonukleinske kiseline koje sadrže n1-metil-pseudouracile i njihove primene |
| JP5909745B2 (ja) | 2010-11-12 | 2016-04-27 | クール ファーマシューティカルズ ディベロップメント カンパニー | 炎症性疾患の治療薬、ならびにウイルスまたは細菌感染疾患の治療薬 |
| JP2012114157A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | ドロップレシピ作成方法およびデータベース作成方法 |
| EP2468305B1 (en) * | 2010-12-03 | 2016-06-15 | Xeltis B.V. | Use of a fluorinated polymer as a contrast agent in solid state 19F magnetic resonance imaging (MRI), scaffold comprising said polymer and use thereof. |
| JP5707909B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 微粒子の製造方法 |
| JP2012121173A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | タガント粒子群、ならびにそれを有する偽造防止用インク、偽造防止用トナー、偽造防止用シートおよび偽造防止媒体 |
| CN102955930B (zh) * | 2011-08-21 | 2021-05-11 | 深圳兆日科技股份有限公司 | 一种利用物质自身物理特征识别的防伪方法和系统 |
| EP2691101A2 (en) | 2011-03-31 | 2014-02-05 | Moderna Therapeutics, Inc. | Delivery and formulation of engineered nucleic acids |
| MX373641B (es) | 2011-04-29 | 2020-05-04 | Selecta Biosciences Inc | Nanoportadores sintéticos tolerogénicos para la terapia contra alergias. |
| CA2873204C (en) | 2011-05-13 | 2021-10-19 | The Regents Of The University Of California | Photothermal substrates for selective transfection of cells |
| US9605304B2 (en) * | 2011-07-20 | 2017-03-28 | The Hong Kong Polytechnic University | Ultra-stable oligonucleotide-gold and-silver nanoparticle conjugates and method of their preparation |
| US10624847B2 (en) * | 2011-08-02 | 2020-04-21 | AnPac BioMedical Science Co., Ltd. | Decomposable apparatus and methods for fabricating same |
| WO2013023110A2 (en) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Uniform coatings produced by suspensions of anisotropic particles |
| JP2014531898A (ja) * | 2011-09-11 | 2014-12-04 | オーラセンス, エルエルシーAurasense, Llc | 細胞取り込み制御システム |
| US9464124B2 (en) | 2011-09-12 | 2016-10-11 | Moderna Therapeutics, Inc. | Engineered nucleic acids and methods of use thereof |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| DK3682905T3 (da) | 2011-10-03 | 2022-02-28 | Modernatx Inc | Modificerede nukleosider, nukleotider og nukleinsyrer og anvendelser deraf |
| US9423392B1 (en) * | 2011-10-10 | 2016-08-23 | The Boeing Company | Methods and systems for indicating and determining fuel properties |
| SG10201601746TA (en) * | 2011-10-21 | 2016-04-28 | Stemgenics Inc | Functionalized nanoparticles for intracellular delivery of biologically active molecules |
| CA2853084C (en) * | 2011-10-21 | 2022-04-26 | Nova Southeastern University | Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinephrine |
| US8900963B2 (en) | 2011-11-02 | 2014-12-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor device structures, and related structures |
| WO2013082111A2 (en) | 2011-11-29 | 2013-06-06 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Geometrically engineered particles and methods for modulating macrophage or immune responses |
| DE12858350T1 (de) | 2011-12-16 | 2021-10-07 | Modernatx, Inc. | Modifizierte mrna zusammensetzungen |
| JP5584241B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2014-09-03 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| US20150044417A1 (en) * | 2012-03-12 | 2015-02-12 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Mold, resist layered product, manufacturing method of the product, and concavo-convex structure product |
| CN102583235B (zh) * | 2012-03-22 | 2015-07-22 | 中国科学院化学研究所 | 一种用液相化学反应法制备有机微纳结构及原位图案化的方法 |
| SG11201405876YA (en) | 2012-03-22 | 2014-10-30 | Univ Colorado Regents | Liquid deposition photolithography |
| US9878056B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-01-30 | Modernatx, Inc. | Modified polynucleotides for the production of cosmetic proteins and peptides |
| US9572897B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-02-21 | Modernatx, Inc. | Modified polynucleotides for the production of cytoplasmic and cytoskeletal proteins |
| HK1206601A1 (en) | 2012-04-02 | 2016-01-15 | Moderna Therapeutics, Inc. | Modified polynucleotides for the production of biologics and proteins associated with human disease |
| CN104411338A (zh) | 2012-04-02 | 2015-03-11 | 现代治疗公司 | 用于产生与人类疾病相关的生物制剂和蛋白质的修饰多核苷酸 |
| US9283287B2 (en) | 2012-04-02 | 2016-03-15 | Moderna Therapeutics, Inc. | Modified polynucleotides for the production of nuclear proteins |
| US9481112B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-11-01 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Cylindrical master mold assembly for casting cylindrical masks |
| US9782917B2 (en) * | 2013-01-31 | 2017-10-10 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Cylindrical master mold and method of fabrication |
| US20150336301A1 (en) | 2012-05-02 | 2015-11-26 | Rolith, Inc. | Cylindrical polymer mask and method of fabrication |
| US9522289B2 (en) | 2012-05-08 | 2016-12-20 | The Regents Of The University Of California | Selective fat removal using photothermal heating |
| CA2873536A1 (en) | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Glaxo Group Limited | Polypeptide loaded poca nanoparticles for oral administration |
| WO2013184097A1 (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | Empire Technology Development, Llc | Reactive tags for obtaining consumer survey responses |
| KR20220166879A (ko) | 2012-06-21 | 2022-12-19 | 노쓰웨스턴유니버시티 | 펩티드 접합된 입자 |
| US9780335B2 (en) * | 2012-07-20 | 2017-10-03 | 3M Innovative Properties Company | Structured lamination transfer films and methods |
| TWI643613B (zh) * | 2012-08-03 | 2018-12-11 | 安派科生物醫學科技有限公司 | 可降解器械 |
| MY179194A (en) | 2012-09-17 | 2020-10-30 | Pfizer | Process for preparing therapeutic nanoparticles |
| US9087699B2 (en) | 2012-10-05 | 2015-07-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure |
| TWI524825B (zh) * | 2012-10-29 | 2016-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 碳材導電膜的轉印方法 |
| HRP20220607T1 (hr) | 2012-11-26 | 2022-06-24 | Modernatx, Inc. | Terminalno modificirana rna |
| US9711744B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-07-18 | 3M Innovative Properties Company | Patterned structured transfer tape |
| US20140175707A1 (en) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Methods of using nanostructured transfer tape and articles made therefrom |
| US20150352777A1 (en) * | 2013-01-18 | 2015-12-10 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | High-throughput manufacturing of microneedles |
| JP6534347B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2019-06-26 | 東洋合成工業株式会社 | 組成物、樹脂モールド、光インプリント方法、光学素子の製造方法、及び電子素子の製造方法 |
| KR20250076678A (ko) | 2013-03-13 | 2025-05-29 | 코어 파마슈티칼스 디벨롭먼트 컴퍼니 인크. | 염증 치료용 면역-변형된 입자 |
| IL225219A (en) * | 2013-03-14 | 2017-08-31 | Micro Tag Temed Ltd | A magnetic resonance facility for the detection and detection of tiny quantities of specific materials quickly and efficiently |
| WO2014152211A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Moderna Therapeutics, Inc. | Formulation and delivery of modified nucleoside, nucleotide, and nucleic acid compositions |
| US8980864B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-03-17 | Moderna Therapeutics, Inc. | Compositions and methods of altering cholesterol levels |
| CN110237872B (zh) * | 2013-03-18 | 2024-01-23 | 蒙特利尔史密斯安检仪公司 | 痕量分析物采集拭子 |
| US8726411B1 (en) * | 2013-03-21 | 2014-05-13 | National Tsing Hua University | Charged probe and electric fields measurement method thereof |
| ES2882530T3 (es) | 2013-03-22 | 2021-12-02 | Univ Nova Southeastern | Partículas finas de epinefrina y métodos para uso de las mismas para el tratamiento de condiciones que responden a la epinefrina |
| ITTO20130284A1 (it) * | 2013-04-09 | 2014-10-10 | Fond Istituto Italiano Di Tecnologia | Procedimento per la produzione di microparticelle polimeriche sagomate |
| US9229328B2 (en) | 2013-05-02 | 2016-01-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures |
| CN105283175A (zh) | 2013-05-03 | 2016-01-27 | 西莱克塔生物科技公司 | 用于降低的或增强的药效学作用的致耐受性合成纳米载体和治疗性大分子 |
| WO2014197904A1 (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | Akina, Inc. | Device for large-scale microparticle production and method of using the same |
| KR101474944B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2014-12-22 | 한국기계연구원 | 나노채널 형성방법 |
| HRP20192270T4 (hr) | 2013-08-13 | 2024-03-01 | Northwestern University | Konjugirane čestice peptida |
| WO2015034925A1 (en) | 2013-09-03 | 2015-03-12 | Moderna Therapeutics, Inc. | Circular polynucleotides |
| US20160194625A1 (en) | 2013-09-03 | 2016-07-07 | Moderna Therapeutics, Inc. | Chimeric polynucleotides |
| EP2857350A1 (en) * | 2013-09-10 | 2015-04-08 | ESPCI Innov | Use of nanoparticles for gluing gels |
| US9177795B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-11-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming nanostructures including metal oxides |
| WO2015048744A2 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Moderna Therapeutics, Inc. | Polynucleotides encoding immune modulating polypeptides |
| WO2015051214A1 (en) | 2013-10-03 | 2015-04-09 | Moderna Therapeutics, Inc. | Polynucleotides encoding low density lipoprotein receptor |
| CN103706233A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-09 | 杨亮月 | 一种环氧乙烷零排放处理体系及方法 |
| CN105874385B (zh) * | 2013-12-19 | 2021-08-20 | Illumina公司 | 包括纳米图案化表面的基底及其制备方法 |
| EP3096945B1 (en) | 2014-01-20 | 2019-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming reentrant structures |
| US9246134B2 (en) | 2014-01-20 | 2016-01-26 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming articles with engineered voids |
| US20150202834A1 (en) | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming antireflective structures |
| JP2017508641A (ja) | 2014-01-22 | 2017-03-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | グレイジング用微小光学体 |
| AP2016009494A0 (en) | 2014-03-14 | 2016-10-31 | Pfizer | Therapeutic nanoparticles comprising a therapeutic agent and methods of making and using same |
| TW201539736A (zh) | 2014-03-19 | 2015-10-16 | 3M Innovative Properties Co | 用於藉白光成色之 oled 裝置的奈米結構 |
| US9841750B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-12-12 | Autodesk, Inc. | Dynamic real-time slice engine for 3D printing |
| US10073424B2 (en) | 2014-05-13 | 2018-09-11 | Autodesk, Inc. | Intelligent 3D printing through optimization of 3D print parameters |
| US9782934B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-10-10 | Autodesk, Inc. | 3D print adhesion reduction during cure process |
| US20150339569A1 (en) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | Smartwater Ltd | Security marker systems and methods with validation protocol |
| ES2555790B1 (es) * | 2014-06-05 | 2016-10-13 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Método de obtención de un array de micropartículas planares con multiplexado molecular superficial, array obtenido y su uso |
| CN105213314A (zh) * | 2014-06-10 | 2016-01-06 | 无锡朗立药业有限公司 | 一种HMG-CoA还原酶抑制剂的超微粉体及其制备方法 |
| CN105198886A (zh) * | 2014-06-10 | 2015-12-30 | 无锡德赛诺医药科技有限公司 | 一种核苷类抗病毒药物的超微粉体及其制备方法 |
| CN105294563A (zh) * | 2014-06-10 | 2016-02-03 | 苏州鑫贝瑞药业有限公司 | 一种cox-2抑制剂的超微粉体及其制备方法 |
| CN105218370A (zh) * | 2014-06-10 | 2016-01-06 | 无锡康福特药物科技有限公司 | 一种贝特类降脂药物的超微粉体及其制备方法 |
| CN105294791A (zh) * | 2014-06-10 | 2016-02-03 | 无锡康福特药物科技有限公司 | 一种大环内酯类药物的超微粉体及其制备方法 |
| CN105198747A (zh) * | 2014-06-10 | 2015-12-30 | 无锡信仁堂药物技术有限公司 | 一种非甾体抗炎药的超微粉体及其制备方法 |
| CN105218458A (zh) * | 2014-06-10 | 2016-01-06 | 无锡德赛诺医药科技有限公司 | 一种硝基咪唑类药物及其衍生物的超微粉体及其制备方法 |
| TWI689310B (zh) | 2014-07-11 | 2020-04-01 | 巨生生醫股份有限公司 | 治療鐵缺乏症之方法 |
| AU2015289583A1 (en) | 2014-07-16 | 2017-02-02 | Modernatx, Inc. | Chimeric polynucleotides |
| EP3170197B1 (en) | 2014-07-20 | 2021-09-01 | X Display Company Technology Limited | Apparatus and methods for micro-transfer printing |
| US9472788B2 (en) | 2014-08-27 | 2016-10-18 | 3M Innovative Properties Company | Thermally-assisted self-assembly method of nanoparticles and nanowires within engineered periodic structures |
| KR102319347B1 (ko) * | 2014-09-01 | 2021-10-29 | 삼성전자주식회사 | 대면적 마스터 웨이퍼, 대면적 마스터 웨이퍼의 제조 방법 및 대면적 마스터웨이퍼를 이용한 광학 소자 제조 방법 |
| US10166725B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-01-01 | Holo, Inc. | Three dimensional printing adhesion reduction using photoinhibition |
| EP3209841B1 (en) | 2014-10-20 | 2021-04-07 | 3M Innovative Properties Company | Insulated glazing units and microoptical layer comprising microstructured diffuser and methods |
| JP2016086117A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 株式会社東芝 | 太陽電池、太陽電池パネル及び太陽電池フィルム |
| JP6324363B2 (ja) | 2014-12-19 | 2018-05-16 | キヤノン株式会社 | インプリント用光硬化性組成物、これを用いた膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法 |
| WO2016098345A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photocurable composition for imprint, method for producing film using the same, method for producing optical component using the same, method for producing circuit board using the same, and method for producing electronic component using the same |
| CN104593727B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-08-29 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 一种利用aao模板制备纳米图形化衬底的方法 |
| EP3247336B1 (en) | 2015-01-19 | 2019-09-25 | The Regents of The University of Michigan | Multiphasic particles fabricated by wettability engendered templated self-assembly (wets) methods |
| US10518512B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-12-31 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming dual-cure nanostructure transfer film |
| US10106643B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Dual-cure nanostructure transfer film |
| US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| EP3340982B1 (en) | 2015-08-26 | 2021-12-15 | Achillion Pharmaceuticals, Inc. | Compounds for treatment of immune and inflammatory disorders |
| AR106018A1 (es) | 2015-08-26 | 2017-12-06 | Achillion Pharmaceuticals Inc | Compuestos de arilo, heteroarilo y heterocíclicos para el tratamiento de trastornos médicos |
| CN106706677B (zh) * | 2015-11-18 | 2019-09-03 | 同方威视技术股份有限公司 | 检查货物的方法和系统 |
| EP3383264A4 (en) | 2015-12-03 | 2019-08-14 | Amrita Vishwa Vidyapeetham | SPARKLING REACTIVE DOTED NANOTEILES FOR IMAGE-LEADING THERAPEUTICS |
| US11141919B2 (en) | 2015-12-09 | 2021-10-12 | Holo, Inc. | Multi-material stereolithographic three dimensional printing |
| SI3394093T1 (sl) | 2015-12-23 | 2022-05-31 | Modernatx, Inc. | Metode uporabe liganda OX40, ki kodira polinukleotid |
| WO2017120612A1 (en) | 2016-01-10 | 2017-07-13 | Modernatx, Inc. | Therapeutic mrnas encoding anti ctla-4 antibodies |
| US10103069B2 (en) | 2016-04-01 | 2018-10-16 | X-Celeprint Limited | Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing |
| WO2017176762A1 (en) | 2016-04-06 | 2017-10-12 | Nanotics, Llc | Particles comprising subparticles or nucleic acid scaffolds |
| US11013682B2 (en) * | 2016-04-25 | 2021-05-25 | Technion Research & Development Foundation Limited | Targeted delivery of aerosols of magnetized active agents |
| EP3452031A4 (en) * | 2016-05-05 | 2019-12-11 | Liquidia Technologies, Inc. | PRECISION-CONTROLLED LOADING AND RELEASE PARTICLES FOR POST-OPERATIONAL PAIN |
| CN109790143A (zh) | 2016-05-10 | 2019-05-21 | C4医药公司 | 用于靶蛋白降解的胺连接的c3-戊二酰亚胺降解决定子体 |
| US10603486B2 (en) | 2016-06-13 | 2020-03-31 | Galvani Bioelectronics Limited | Neural interface fabrication |
| KR20190036520A (ko) | 2016-06-27 | 2019-04-04 | 아칠리온 파르마세우티칼스 인코포레이티드 | 의학적 장애를 치료하기 위한 퀴나졸린 및 인돌 화합물 |
| US10222698B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-03-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with wicking posts |
| US11064609B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Printable 3D electronic structure |
| US10725373B1 (en) * | 2016-10-21 | 2020-07-28 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Nano-patterning methods including: (1) patterning of nanophotonic structures at optical fiber tip for refractive index sensing and (2) plasmonic crystal incorporating graphene oxide gas sensor for detection of volatile organic compounds |
| KR102095003B1 (ko) | 2017-01-03 | 2020-03-30 | 주식회사 엘지화학 | 수지 입자의 제조 방법 |
| AU2018227849B2 (en) | 2017-03-01 | 2022-04-28 | Achillion Pharmaceuticals, Inc. | Aryl, heteroaryl, and heterocyclic pharmaceutical compounds for treatment of medical disorders |
| JP7523909B2 (ja) | 2017-03-11 | 2024-07-29 | セレクタ バイオサイエンシーズ インコーポレーテッド | 抗炎症剤および免疫抑制剤を含む合成ナノキャリアによる組み合わせ処置に関連する方法および組成物 |
| US10935891B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-02 | Holo, Inc. | Multi wavelength stereolithography hardware configurations |
| GB2564956B (en) | 2017-05-15 | 2020-04-29 | Holo Inc | Viscous film three-dimensional printing systems and methods |
| CN106970067B (zh) * | 2017-05-17 | 2019-12-20 | 佳木斯大学 | 一种介孔TiO2表面增强拉曼散射活性基底的制备和应用方法 |
| AU2018270111B2 (en) | 2017-05-18 | 2022-07-14 | Modernatx, Inc. | Polynucleotides encoding tethered interleukin-12 (IL12) polypeptides and uses thereof |
| EP3635009A1 (en) | 2017-06-07 | 2020-04-15 | Regeneron Pharmaceuticals, Inc. | Compositions and methods for internalizing enzymes |
| US10245785B2 (en) | 2017-06-16 | 2019-04-02 | Holo, Inc. | Methods for stereolithography three-dimensional printing |
| CN110769822A (zh) | 2017-06-20 | 2020-02-07 | C4医药公司 | 用于蛋白降解的n/o-连接的降解决定子和降解决定子体 |
| US11084222B2 (en) | 2017-06-30 | 2021-08-10 | Autodesk, Inc. | Systems and methods for determining dynamic forces in a liquefier system in additive manufacturing |
| CN107737945B (zh) * | 2017-09-12 | 2020-07-31 | 南京邮电大学 | 一种复合纳米金颗粒的合成方法及应用 |
| CN109521511B (zh) * | 2017-09-18 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微结构的制作方法、光调制器件、背光源、显示装置 |
| US10895806B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting method and apparatus |
| CN107855080B (zh) * | 2017-10-30 | 2020-09-08 | 中国科学院过程工程研究所 | 高分子凝胶颗粒、其制备方法、包含其的复合凝胶颗粒及用途 |
| CN108127580B (zh) * | 2017-12-13 | 2019-09-13 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 一种制备抛光层的模具 |
| WO2019133890A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | University Of Kansas | Nanoparticles including a glatiramoid useful in polynucleotide delivery |
| IL322464A (en) | 2018-02-07 | 2025-09-01 | Regeneron Pharma | Methods and compositions for administering therapeutic protein |
| WO2019191112A1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-03 | C4 Therapeutics, Inc. | Cereblon binders for the degradation of ikaros |
| US11634636B2 (en) * | 2018-03-30 | 2023-04-25 | Zeon Corporation | Method for manufacturing resin thin film stripped pieces |
| CN108559091B (zh) * | 2018-05-08 | 2021-03-30 | 四川大学 | 具有聚集诱导发光及双重敏感性的聚合物药物载体、载药胶束及其制备方法 |
| EP3793591A1 (en) | 2018-05-17 | 2021-03-24 | Regeneron Pharmaceuticals, Inc. | Anti-cd63 antibodies, conjugates, and uses thereof |
| CN108752825A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点水凝胶、量子点图案化及转印方法 |
| KR102142968B1 (ko) * | 2018-06-01 | 2020-08-11 | 연세대학교 원주산학협력단 | 폐질환용 약물 전달체 |
| CN110154290B (zh) * | 2018-07-17 | 2021-03-16 | 山东科技大学 | 一种用于结构健康监测的柔性可变形光子晶体材料及应用 |
| JP7197886B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2022-12-28 | 国立大学法人 新潟大学 | 線維化コラーゲンゲル作製用鋳型材料 |
| US10796971B2 (en) | 2018-08-13 | 2020-10-06 | X Display Company Technology Limited | Pressure-activated electrical interconnection with additive repair |
| WO2020036173A1 (ja) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Scivax株式会社 | 微細構造体製造方法 |
| EP3841086B1 (en) | 2018-08-20 | 2025-04-23 | Achillion Pharmaceuticals, Inc. | Pharmaceutical compounds for the treatment of complement factor d medical disorders |
| US20200064520A1 (en) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | GM Global Technology Operations LLC | Smart multifunctional lens coatings |
| JP7443375B2 (ja) | 2018-09-06 | 2024-03-05 | アキリオン ファーマシューティカルズ, インコーポレーテッド | 医学的障害の治療のための大環状化合物 |
| JP7504088B2 (ja) | 2018-10-16 | 2024-06-21 | ジョージア ステイト ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション インコーポレイテッド | 医学的障害の治療のための一酸化炭素プロドラッグ |
| JP7657457B2 (ja) | 2018-10-19 | 2025-04-07 | ノバ サウスイースタン ユニバーシティー | pH修飾賦形剤及び浸入促進剤を含む舌下エピネフリン組成物及びそれを使用する方法 |
| WO2020123837A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems, devices, and methods for bulk processing of highly-loaded nanocomposites |
| EP3902659A4 (en) | 2018-12-26 | 2022-09-07 | Holo, Inc. | SENSORS FOR THREE-DIMENSIONAL PRESSURE SYSTEMS AND PROCESSES |
| KR102194832B1 (ko) * | 2019-01-03 | 2020-12-23 | 부산대학교 산학협력단 | 렌즈 표면 나노구조층의 제조 방법 |
| US10748793B1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-18 | X Display Company Technology Limited | Printing component arrays with different orientations |
| CN109796979B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-09-24 | 合肥工业大学 | 一种超强铁磁性荧光纳米胶束、制备方法及应用 |
| CN110441284B (zh) * | 2019-07-23 | 2022-02-15 | 海南大学 | 一种可用于痕量检测的表面增强拉曼散射芯片的制备方法及所得产品和应用 |
| CN112386399B (zh) * | 2019-08-12 | 2023-05-09 | 湖南早晨纳米机器人有限公司 | 一种纳米手术机器人以及制作方法 |
| CN110482528B (zh) * | 2019-08-23 | 2022-02-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种具有负巨磁阻性能的碳纳米管/四氧化三铁复合海绵制备方法 |
| CN110845754A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-02-28 | 俞志焘 | 一种高分子材料的抗菌改性方法 |
| JP2023515073A (ja) | 2020-02-20 | 2023-04-12 | アキリオン ファーマシューティカルズ, インコーポレーテッド | 補体因子d媒介障害の処置用のヘテロアリール化合物 |
| MX2022010952A (es) | 2020-03-05 | 2022-10-07 | C4 Therapeutics Inc | Compuestos para la degradacion dirigida de brd9. |
| US11311739B2 (en) * | 2020-05-29 | 2022-04-26 | Harvey Wayne Ko | Electromagnetic method for in-vivo disruption of viral insults |
| CN111704894B (zh) * | 2020-06-04 | 2021-07-20 | 东华大学 | 一种高效太阳能加热表面的组装制备方法 |
| CN111718465B (zh) * | 2020-06-17 | 2021-07-20 | 华南理工大学 | 一种聚二硫缩醛及其制备方法和应用 |
| CN111840810B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-03-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于光学相变纳米颗粒的生物组织温度场被动调控方法 |
| CN112175439B (zh) * | 2020-08-27 | 2022-05-13 | 浙江正奇世荣科技有限公司 | 一种纳米氧化铁防紫外线添加剂及其制备方法 |
| CA3195696A1 (en) | 2020-09-17 | 2022-03-24 | Restore Vision Inc. | Composition for treating or preventing diseases, disorders, or conditions associated with endoplasmic reticulum stress or all-trans-retinal, protecting retinal thickness, or suppressing reduction in retinal thickness or progress of reduction in retinal thickness |
| US20250171423A1 (en) | 2020-09-23 | 2025-05-29 | Achillion Pharmaceuticals, Inc. | Pharmaceutical compounds for the treatment of complement mediated disorders |
| CN112266930B (zh) * | 2020-10-14 | 2023-03-14 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 超声穿孔转染细胞的方法 |
| JP2023551428A (ja) | 2020-11-18 | 2023-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 不動態化されたナノ粒子を有するインプリント組成物及び材料、並びにこれらの製造方法 |
| TWI803092B (zh) * | 2021-04-01 | 2023-05-21 | 逢甲大學 | 具負載與釋放活性成分的奈米粒子、其製造方法與眼用裝置之應用 |
| CN113536529B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-09-06 | 山西中电科新能源技术有限公司 | 一种用于碳碳复合材料沉积的投炉装配优化方法 |
| CN113311042B (zh) * | 2021-06-02 | 2023-04-25 | 江苏理工学院 | 双酚a分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 |
| CN113548638B (zh) * | 2021-06-03 | 2024-04-05 | 北京大学深圳研究生院 | 一种微凸起结构的制备方法 |
| CN113588626B (zh) * | 2021-08-24 | 2024-05-24 | 上海师范大学 | 一种苯丙氨酸对映体的拉曼光谱检测方法 |
| TW202346348A (zh) | 2022-01-10 | 2023-12-01 | 美商再生元醫藥公司 | 作為基因治療所遞送之bbb靶向的gaa在龐貝氏症小鼠模型中治療cns及肌肉 |
| JP2025516527A (ja) | 2022-05-09 | 2025-05-30 | リジェネロン・ファーマシューティカルズ・インコーポレイテッド | インビボ抗体産生のためのベクター及び方法 |
| CN114957733B (zh) * | 2022-05-12 | 2024-04-05 | 安徽工程大学 | Boc-苯丙氨酸改性淀粉纳米粒子及其制备方法和在疏水药物负载的应用 |
| KR20250054842A (ko) | 2022-07-29 | 2025-04-23 | 리제너론 파마슈티칼스 인코포레이티드 | 뇌 및 근육으로의 트랜스페린 수용체(tfr)-매개 전달을 위한 조성물 및 방법 |
| CN115227833B (zh) * | 2022-07-29 | 2023-03-21 | 西安交通大学医学院第一附属医院 | 一种氟化二氧化硅载药纳米粒及其制备方法、用途 |
| KR20250061742A (ko) | 2022-08-31 | 2025-05-08 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 | 광응답 변형 옵신 |
| CN120693347A (zh) | 2022-11-04 | 2025-09-23 | 瑞泽恩制药公司 | 钙电压门控通道辅助亚基γ1(CACNG1)结合蛋白和CACNG1介导的向骨骼肌的递送 |
| WO2024107765A2 (en) | 2022-11-14 | 2024-05-23 | Regeneron Pharmaceuticals, Inc. | Compositions and methods for fibroblast growth factor receptor 3-mediated delivery to astrocytes |
| CN116440120B (zh) * | 2023-03-06 | 2025-03-21 | 复旦大学 | 一种高效阻断巨噬细胞焦亡的纳米中药及其在抗肺纤维化方面的应用 |
| CN116393114A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-07-07 | 西安交通大学 | 一种爆米花状轻质美罗培南分子印迹磁性纳米材料及其制备方法和应用 |
| CN116555346B (zh) * | 2023-07-05 | 2023-09-01 | 中山大学 | 一种采用碳纳米管基因载体递送系统促进草鱼生长的方法 |
| CN117259772B (zh) * | 2023-08-25 | 2024-05-10 | 江苏农林职业技术学院 | 一种葛根纳米银复合水溶胶及其制备方法与应用 |
| CN117368670B (zh) * | 2023-11-07 | 2024-03-26 | 东莞市一丁精密模具组件有限公司 | 一种模具放电特性柔性检测方法及系统 |
| EP4570366A1 (en) * | 2023-12-15 | 2025-06-18 | Licitar, Antonijo | Apparatuses and methods for producing nanoparticles from material in working liquid |
| CN118557720B (zh) * | 2024-08-02 | 2024-11-22 | 苏州大学 | 一种抗体修饰的氟化纳米凝胶及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4131064A (en) * | 1977-07-15 | 1978-12-26 | Westinghouse Electric Corp. | Tagging particles which are easily detected by luminescent response, or magnetic pickup, or both |
| US5147763A (en) * | 1988-10-19 | 1992-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing molding stamper for data recording medium substrate |
| JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
| AU5740496A (en) * | 1995-05-22 | 1996-12-11 | General Hospital Corporation, The | Micromechanical device and method for enhancing delivery of compounds through the skin |
| US20030114366A1 (en) * | 1999-01-11 | 2003-06-19 | Francis J. Martin | Microfabricated particles and method for treating solid tumors |
| FR2808704B1 (fr) * | 2000-05-10 | 2002-08-16 | Rhodia Chimie Sa | Agents tensioactifs formes par des particules minerales de dimension nanometrique de surface modifiee |
| JP4524943B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-08-18 | ダイキン工業株式会社 | 半導体素子のパターン形成方法及びインプリント加工用モールドの製造方法 |
| WO2004096896A2 (en) * | 2002-09-06 | 2004-11-11 | Hansford Derek J | Microfabrication of polymer microparticles |
| AU2003270802A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | The Children's Hospital Of Philadelphia | Engineering of material surfaces |
| JP4022571B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2007-12-19 | 国立大学法人東京農工大学 | 高分子微粒子の製造方法 |
| KR100486730B1 (ko) * | 2003-01-21 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 교류 전압과 t 채널을 이용하여 제타 포텐셜을 측정하는방법 |
| US6899827B2 (en) * | 2003-05-16 | 2005-05-31 | Ut-Battelle, Llc | Inorganic optical taggant and method of making |
| JP4450596B2 (ja) * | 2003-09-22 | 2010-04-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 微粒子の製造方法 |
| JP4586021B2 (ja) * | 2003-09-23 | 2010-11-24 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | マイクロ流体装置の新規な材料として使用するための光硬化性ペルフルオロポリエーテル |
| CA2549341C (en) * | 2003-12-19 | 2014-06-10 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Methods for fabricating isolated micro- and nano- structures using soft or imprint lithography |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101926625B1 (ko) * | 2016-08-12 | 2018-12-11 | 엄재호 | 금연보조용 콘택트렌즈 |
| US12226748B2 (en) | 2020-09-07 | 2025-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Stirrer, apparatus of manufacturing quantum dot including the same, and method of manufacturing quantum dot using the quantum dot manufacturing apparatus |
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