JP5350635B2 - ナノファイバーのリボンおよびシートならびにナノファイバーの撚り糸および無撚り糸の製造および適用 - Google Patents
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- D01F9/08—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
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- D01F9/1273—Alkenes, alkynes
- D01F9/1275—Acetylene
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- D02—YARNS; MECHANICAL FINISHING OF YARNS OR ROPES; WARPING OR BEAMING
- D02G—CRIMPING OR CURLING FIBRES, FILAMENTS, THREADS, OR YARNS; YARNS OR THREADS
- D02G3/00—Yarns or threads, e.g. fancy yarns; Processes or apparatus for the production thereof, not otherwise provided for
- D02G3/22—Yarns or threads characterised by constructional features, e.g. blending, filament/fibre
- D02G3/26—Yarns or threads characterised by constructional features, e.g. blending, filament/fibre with characteristics dependent on the amount or direction of twist
- D02G3/28—Doubled, plied, or cabled threads
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- D—TEXTILES; PAPER
- D02—YARNS; MECHANICAL FINISHING OF YARNS OR ROPES; WARPING OR BEAMING
- D02G—CRIMPING OR CURLING FIBRES, FILAMENTS, THREADS, OR YARNS; YARNS OR THREADS
- D02G3/00—Yarns or threads, e.g. fancy yarns; Processes or apparatus for the production thereof, not otherwise provided for
- D02G3/44—Yarns or threads characterised by the purpose for which they are designed
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- D—TEXTILES; PAPER
- D04—BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
- D04H—MAKING TEXTILE FABRICS, e.g. FROM FIBRES OR FILAMENTARY MATERIAL; FABRICS MADE BY SUCH PROCESSES OR APPARATUS, e.g. FELTS, NON-WOVEN FABRICS; COTTON-WOOL; WADDING ; NON-WOVEN FABRICS FROM STAPLE FIBRES, FILAMENTS OR YARNS, BONDED WITH AT LEAST ONE WEB-LIKE MATERIAL DURING THEIR CONSOLIDATION
- D04H3/00—Non-woven fabrics formed wholly or mainly of yarns or like filamentary material of substantial length
- D04H3/002—Inorganic yarns or filaments
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- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06B—TREATING TEXTILE MATERIALS USING LIQUIDS, GASES OR VAPOURS
- D06B15/00—Removing liquids, gases or vapours from textile materials in association with treatment of the materials by liquids, gases or vapours
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- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
- D06M15/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment
- D06M15/19—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment with synthetic macromolecular compounds
- D06M15/21—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- D06M15/244—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds of halogenated hydrocarbons
- D06M15/256—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds of halogenated hydrocarbons containing fluorine
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- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
- D06M15/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment
- D06M15/19—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment with synthetic macromolecular compounds
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- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
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- G—PHYSICS
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Description
この特許出願は以下の米国仮特許出願に優先権を主張する:60/626,314、2004年11月9日出願;60/666,351、2005年3月30日出願;および60/702,444、2005年7月26日出願。
ナノファイバーを含む高機能の撚り、仮撚りおよび無撚りの糸を紡糸する方法または装置、ならびにナノファイバーを含むシートおよびリボンを引き出す方法または装置が記載される。これらの糸、リボン、およびシートに対して成形加工品、複合材および応用が記載される。
商業的合成方法により、単層カーボンナノチューブ(SWNT)および多層カーボンナノチューブ(MWNT)がすす状材料として作られる。このすすの中にある個々のカーボンナノチューブの強度および弾性率は極めて高いことが良く知られていて、約1.4nm直径のSWNTに対してそれぞれ、〜37GPa、〜0.64TPaである(非特許文献1)。軽量だが、強度を必要とする用途に関連して、個々のSWNTの密度で正規化した弾性率および強度はなお更印象的であり、それぞれ〜19および〜54であり、高抗張力スチールワイヤよりも高い。
本発明はナノファイバー糸に関するものであって、その糸の製造方法、およびその糸の応用を対象とする。追加の実施形態はナノファイバーリボンを引き出すこと、並びに任意の大きさの幅を有するシートを提供する。重要なことには、この糸の紡糸技術ならびにシートおよびリボンの引き出し技術は、様々な用途およびデバイスに使用するために様々なナノファイバー材料の糸、シートおよびリボンを製造することにおよぶ。
(i)ナノファイバーの重要な成分がナノファイバー軸に対して直交する方向で約500nmよりも小さい最大の厚さを有する、(ii)ナノファイバーは、最も薄い横厚さ方向において、少なくとも約100の長さ対厚みの最小比を有する、(iii)糸の円周に対するナノファイバー長さの最小比が約5より大きい、および(iv)糸の長さ当たりの一方向に導入された正味の撚りが、反対方向における撚りによって相殺され、直径Dの撚り糸に対して少なくとも約0.06 / Dターンである。幾つかの実施形態において、配置するステップには引き出しプロセスが含まれる。
本明細書に記載する発明の実施形態は、非常に有用な特性を有するナノファイバーの糸、リボン、およびシートの新規な製造方法、物体の構成、および応用を提供する。例えば、本発明のカーボンナノチューブの糸は以下の独特な特性および独特な特性の組み合わせを提供する:(1)防弾チョッキに使用されるファイバーと匹敵する強靭性、(2)ノットでの破損に対する耐性(防弾チョッキに使用されるケブラー(登録商標)およびスペクトラ(登録商標)のノッティングに対する感受性と対照的に)、(3)高レベルの電気および熱伝導性、(4)高レベルの可逆的エネルギー吸収性、(5)破損歪みが、同じ靭性を有する他のファイバーにおける数%の破損歪みと比較して13%まであること、(6)クリープに対する非常に高い耐性、(7)空気中で450℃にて1時間加熱した場合でさえも強度を保留すること、および(8)空気中で照射された時でさえも非常に高い放射線耐性およびUV耐性を有すること。
最小直径のナノファイバーと定義する。
(a)ナノファイバー・フォレストからの撚りをベースにした紡糸
本発明の一つの好ましい方法には、ナノチューブ・フォレストからのカーボンナノチューブの撚りをベースにした紡糸がかかわる。フォレストと称されるのはナノチューブが基板から略平行に並び立つ樹木のように成長し、同じ位の高さを有するからである。紡糸に使用されるナノファイバー・フォレストの性質は非常に重要であり、別のセクションで詳述する。大抵のナノファイバー・フォレストは撚りのかかった糸、リボン、またはシートの製造に不向きである。その他のナノファイバー・フォレストは、余りにも弱すぎて大抵の用途に使用できない糸またはリボンをもたらす。例えば、Jiang等は、彼等が成長させたナノチューブ・フォレストから非常に弱い撚りの無い糸の製造を記載した(Nature 419,801(2002)および米国特許出願公開第20040053780号(2004年3月18日))。これらの糸は使用されたカーボンナノチューブ・フォレストの機能が低いため、および強度の増加を与えるための撚りの方法をナノファイバーにダウンスケールすることができていないため、弱いのであろう。
は選択的に好ましくは、除去されたナノチューブの狭いラインはナノファイバー・フォレストがレーザビームに対して大部分は未暴露である領域を平行に分離するように行う。ナノチューブを除去されたこれらのラインは、ドラムの回転またはベルトの移動の結果によるその移動方向に対して平行であることが好ましい。レーザトリミングはナノファイバー・フォレスト中のナノファイバーの高さを均一に減少させるためにも使用される。紡糸に使用されるナノファイバー・フォレストのストリップの長さに沿ってナノファイバーをその様にトリミングすることにより、引き出し・撚糸された糸の長さに沿って糸構造をコントロールする。フォレストのストリップの長さに沿ってナノチューブ高さをその様にトリミングすることは任意に周期的に行われ、その結果製造された引き出し・撚糸されたファイバーは構造中にファイバーの長さに沿って周期的に変動する。糸長さに沿った糸構造におけるこの様な変動は、例えば電子的特性の変動のようなこの長さに沿った特性変動を実現するため、またはより大きな直径の糸の区分の間の空隙のスペースにはめ合うことができる様に薄い糸区分を提供することによって糸密度を増加させたりするために有用である。糸長さに沿った変動を有する糸構造は、好ましくは撚り糸、仮撚り糸、液体で高密度化した糸、またはナノファイバー相互間の結合をもたらす、例えば有機ポリマーのような薬剤で浸潤される撚りなしの糸のいずれかである。
本発明者らは、ナノファイバーの撚糸ベースの紡糸による機械的強度の増強の実質的部分が仮撚りによって得られるという驚くべき発見をおこなった。基本的には、仮撚りは、ある方向に撚りを入れた後で約等しい撚りを反対方向にかける撚りである。この予想外の発見は幾つかの理由でとても大きな実用的重要性を有する。第一に、仮撚りは非常に早く導入され、それは紡糸プロセスのコストを減少させる。第二に、仮撚りのナノファイバー糸は、ナノファイバー間に機械的結合をもたらす撚りが必要とされない糸の形成に有利に使用でき、ナノファイバーの長さが非常に長い糸の形成、浸潤された材料(ポリマーなど)がナノファイバー間に機械的な結合をもたらす糸の形成にも使用できる。例えば、仮撚りの結果発見された強度増強が、真撚り(ある方向への正味の撚り)が後で糸に導入されるかどうかに関係なく、高速紡糸に必要とされる高い応力の適用を可能にする。最後に、ナノチューブ/ポリマー複合材の糸に対して重要な撚りの不在により、糸の靭性(糸を破断するのに必要なエネルギー)が増強され、実質的な撚りの存在はさもないと過剰に大きな糸変形を発生するエネルギーの散逸型のプロセスを妨害するからである。
カーボンナノチューブ・フォレストからの糸の引き出しは先行技術に記載されているが、これらの糸は僅か200μmの最大幅報告値を有するだけで余りにも弱く使用に耐えない。本発明者らは本明細書に任意に広い幅を有する丈夫なシートがナノチューブ・フォレストから引き出しできることを示す。
驚いたことに、本発明者らは液体の吸収、それに続く液体の蒸発もまたナノファイバーシートおよびリボンを300倍以上に高密度化をもたらすため、および強度および引っ張り強度(重量強度)の両方を増加させるために使用できることを発見した。
本発明者らは丈夫なナノチューブ糸が液体ベースの高密度化を使用することによりナノチューブ・フォレストから得られ、それにより撚りまたは仮撚りのどちらかに対する必要性を回避できること見出す。実施例38がフォレストからのリボンの引き出しプロセスを例証する一方で、本発明者らはこのプロセスは狭い糸に対しても適用できることを見出す。撚りを入れないで、糸がフォレストから引き出されたままで使用される場合、糸の機械的強度が低すぎて入手可能な装置を使用して測定することができない。液体処理の効果(液体吸収、および液体蒸発中のフィラメントの高密度化がふくまれる)は、強度を劇的に増強させることであり、並びに引っ張り強度も増強させる(実施例20参照)。実施例36に記載のリボンの場合に対して、液体による高密度化の結果で得られる強度は215MPaであった。
ナノチューブ・フォレストの大部分のタイプは紡糸に不適合であるか、強度の弱い糸またはリボンを生産するかのいずれかである。紡糸に使用されるナノチューブ・フォレストはフォレスト中においてある程度の絡み合いまたは実質的に平行なナノチューブの間の他の結合のいずれかを有するか、または紡糸プロセスの中で初期に生じる絡み合いを有する。フォレストにおいては、その中で1個のナノチューブが異なる束の間に蛇行している、ある程度の束形成が、実施例1に記載されたようなCVDタイプのフォレスト成長プロセスの使用によって得られる。その程度の束形成および蛇行は好ましいことである。更に具体的には、フォレスト中のナノチューブが間欠的な束形成、即ち、個々のナノチューブがフォレスト高さに沿ったある箇所で隣り合うナノチューブの小グループと、フォレスト高さに沿った他の箇所で隣り合うナノチューブの他の小グループと、小さい束を形成することを意味する束形成を受けることが好ましい。
(g)シート、リボン、および糸の引き出しを開始するための方法についての詳細
実施例46は、接着剤、ピン配列、または接着剤とピン配列の組み合わせを使用する、ナノチューブ・フォレストからナノチューブのシート、リボン、リボン配列、糸、または糸配列の引き出しを開始するための方法について説明する。興味深いことに、本発明者らは接着テープをナノチューブ・フォレストの上部または側壁のいずれかに接触させることが、シートの引き出しの開始を可能にする機械的接触を提供するために役に立つことを見出した。表面に適用される接着テープおよび接着剤の莫大な品種のどれでもが適切であり、3M社の様々なスコッチ(登録商標)ブランドの接着テープおよび3M社のポストイット(登録商標)ノーツの接着剤ストリップが挙げられる。接着剤ストリップの直線的接触(接着剤ストリップが引き出し方向に直交するように)が高度な構造的完成度のシートの引き出しの開始のために特に効率的である。この上部コンタクト方法が特に有益である理由は、ナノチューブ・フォレストは非直線的な側壁を有するのが典型的であり、接着剤ストリップの直線的な(または適切に間隔をおいたピンの直線的な配列で)使用が、シートを製造するためのフォレストの引き出しに対して直線的な接触をもたらすからである。
本発明者らはナノチューブシートがナノチューブ・フォレストから引き出されて、リボンに分離され、これらのリボンはその後で撚りを入れられて糸になることを例証した。同様に、本発明者らはナノチューブ・フォレストから引き出されたリボンがその後で撚りを入れられて糸を製造できることを示す。
セクション1(a)の撚り糸、セクション1(b)の仮撚り糸、セクション1(d)の液体による高密度化シートおよびリボン、およびセクション1(e)の液体による高密度化された紡糸糸の紡糸後の加工のために様々な手段が場合により採用される。
発明の実施形態における使用のために、MWNTおよびSWNTが選択的に特に好ましい。レーザ堆積、CVD,およびカーボンアーク放電法は、カーボンンナノチューブの製造に選択的に好ましい方法であり、そしてこれらの方法は文献において既知である(R.G.Ding等、Journal of Nanoscience and Nanotechnology 1,7(2001)およびJ.Liu等 MRS Bulletin 29,244(2004))。合成方法により、一般的に異なる直径を有するナノチューブの混合物が結果として生じる。単分散に近いサイズの(および合成に使用される温度におけるサイズの安定性)ナノチューブ合成用触媒の使用により、SWNT直径における多分散性が劇的に減少し、そしてこのより狭い範囲のナノチューブ直径を有するナノチューブは発明の実施形態のために有用である。S.M.Bachilo等はそのような方法をJournal of the American Chemical Society 125,11186(2003)に記載されている。
予備的主要アセンブリまたは主要アセンブリとしてナノチューブ・フォレストを採用する代替物として他の様々なナノファイバー配列が採用できる。
適切な長さのナノチューブからなるカーボンナノチューブエアロゲルは、仮撚りベースの糸紡糸および液体による高密度化ベースの糸紡糸、並びにエアロゲルから引き出されたエアロゲルのリボンまたはシートの液体による高密度化ベースの強化による丈夫なリボンおよびシートの製造、のための予備的主要配列として使用できる。場合により液体による高密度化により強化された、これらのエアロゲルの引き出されたリボンは、撚り、仮撚り、または仮撚りと撚りの組み合わせを使用してナノチューブ糸に変換できる。
本発明の実施形態により、先行技術の撚り糸よりも1000倍のまたはそれより小さい直径の撚り糸が提供される。約100,000の個別のカーボンナノファイバーは5μm直径のナノチューブ糸の断面であり、典型的な商用ウール(毛織物)および綿糸の断面での40−100ファイバーと比較して、平方μ当たり5000ナノファイバーというナノファイバー密度に相当する。比較すると、先行技術を使用して報告されたナノチューブファイバーの最小直径は、調整が実施例2に記載されるミクロン直径の撚り入りカーボンナノチューブ糸よりも直径で10倍以上大きい。糸の長さ1m当たりの糸容積および線密度はファイバー直径の二乗に比例するので、本発明の実施形態の糸は線密度およびメートル当たりの容積において先行技術の織物用糸で得られた値よりも100倍以上低い。マイクロファイバーは極めて手触りが柔らかく、ドレープ性があり、吸収性が高いために広く使用され、織物産業において1デニール以下(即ち、1 den以下)、即ち1本のフィラメントの重量が9000m当たりで1g未満、または0.11mg/m、のものとして定義される。比較すると、5ミクロン直径の非諸撚りのMENT糸(通称、「シングル、単糸」で断面積中に約100,000ファイバーを含む)の線密度は、典型的には約10μg/m(0.09den)であり、通常の綿糸で10 mg/m(90den)、毛糸で20−100 mg/m(180−900den)とそれぞれ比較される。
ナノチューブを糸に紡糸する間に撚りを導入するためには、撚り挿入の様々な既知の方法が使用できる。その様な方法には、リング精紡、ミュール精紡、キャップ精紡、オープンエンド精紡、ボルテックス精紡、および仮撚り紡糸技術が挙げられるが、それらに限定されない(E.Oxtoby,Spun Yarn Technology,Butterworths,1987およびC.A.Lawrence,Fudamentals of Spun Yarn Technology,CRC Press,2002を参照)。ミュール精紡はバッチ式プロセスである不利益を有するが(紡糸し次いで巻き取る)、リングまたはトラベラを必要としない利点を有する。
極薄のカーボンナノチューブシートは場合により引き出され、次いで格納の必要なしにデバイス構築に適用することができる。しかし場合によっては、その様なシートのロール巻きを製作し、後でこれらのロール巻きをデバイス構築のような用途に適用することが所望される。
引き出し・撚糸紡糸またはシート引き出しの前後のどちらかでナノファイバーを修飾する発明の実施形態において、多様な方法が有効に採用できる。その様な修飾により、例えば、撚糸紡糸のためのファイバー相互間の摩擦の最適化、糸またはリボンのいずれかに対するファイバー相互間の共有結合の造成、および電気伝導性のナノファイバー糸の電気的絶縁(MWNTに対して紡糸後における化学的誘導体化プロセスによるような)の様々な利点が結果としてもたらされる。化学的誘導体化、物理的誘導体化、表面コーティング、またはドーパント挿入が、紡糸の前後、または引き出し・撚糸紡糸の前後、または物品または織り上げた織物のような物品前の前駆体に引き出し・撚糸糸を製作した後、に実行できる。ナノチューブ・フォレストの間のカーボンナノチューブの修飾に対して特に好ましい方法は、気相反応、プラズマ誘起反応、または超臨界相で実行される反応および流体抽出である。これらの方法は一般的に、溶液または融液相の方法で行うよりもナノチューブ・フォレストの内部にナノチューブ整列を良好に保存するからである。さらに具体的には、フッ素ガスでのカーボンナノチューブのフッ素化およびプラズマ誘起表面誘導体化が有用である。あらゆるタイプの糸に対するこれらのプロセスの利用はこれまで認識されておらず、それらは糸に対して適用されなかったが、カーボンナノチューブのフッ素化に対する有用な反応条件およびプラズマ誘起派生物が提供される。例えば、T.Nakajima,S.Kasamatsu and Y.MatsuoによるEuropean Journal Solid State Inorganic Chemistry 33,831(1996);E.T.Mickelson等によるChem.Phys.Lett.296,188(1988);およびJ.Phys.Chem,B103 4318(1999);およびQ.Chen.等によるJ.Phys.Chem.B105,618(2001)。カーボンナノチューブの化学的誘導体化に使用できるその他の有用な方法は、V.N.Khabasheshu等によるAccounts of Chemical Research 35,1096−1104(2002);Y.P.Sun等によるAccounts of Chemical Research 35,1096−1104(2002);およびS.Niyogi等によるAccounts of Chemical Research 35,1087−1095(2002)に記載されている。これらの方法の多くは単層ナノチューブの長さを減少させるので、これらの方法を2層および多層のカーボンナノチューブに適用する利点がある。
ナノチューブ紡糸のためのナノファイバー糸は、撚りプロセスの前または後のいずれかで様々な無機および有機材料でコートできる。このコーティングの目的は撚りの挿入を高めるため、撚り糸に対して特別な機能付与のため、またはこれらの目標の組み合わせのため、摩擦助剤を与えることである。場合によってこれらのナノファイバーコーティング剤により、糸容積の任意の大きさの分率が充填できる。しかし、充填率が高い場合、および充填に使用される材料が撚りプロセスを妨害する機械的性質を有する場合、初期の撚り挿入の後で高充填を遂行することが好ましい。
撚り糸はナノチューブの極めて高い表面積を利用する電気化学的用途に有用であるので、発明の一まとめの好ましい実施形態により、ナノチューブの撚り糸が固体またはゲルの電解質で浸潤されるステップが提供される。そのような用途の実施例は電気機械的人工筋肉糸、エレクトロクロミック糸、糸超コンデンサ、および糸バッテリである。固体状態電解質は、その様な電解質が全固体状態の糸ベースの電気化学デバイスを可能にするので、同様に有利に使用できる。
発明の実施形態のナノファイバー糸の電気導電性を高める添加剤は特に重要である。電気導電性を高めるために好ましい材料には:(1)元素金属および合金、(2)電気度導電性有機ポリマー、および(3)カーボンの導電性形態がある。これらの添加物は様々な既知の方法でこれらの材料の合成または加工のためにナノファイバー糸に添加できる。例えば(a)化学反応(例えば、導電性ポリアニリンまたはポリピロール、金属の無電極メッキ、カーボンを作るためのポリアクリロニトリルのようなポリマーの熱分解)(b)導電性糸のための電気化学的方法(例えば、導電性ポリマーを作るためのアニリンまたはピロールの電気化学的重合および金属の電気メッキ)、および(c)物理的堆積方法(例えば、金属の蒸着、溶液からの可溶性導電性ポリマーまたはそれらの前駆体の浸潤、金属または導電性ポリマーのコロイド溶液の浸潤、または金属の溶融浸潤)の様な方法である。ナノファイバーの撚り糸への浸潤に対して好ましい導電性有機ポリマーには、置換および未置換ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレン、およびポリアリーレンビニレンが挙げられる。好ましい実施形態に好適な導電性ポリマーの合成ルートは良く知られ、例えば、Hnadbook of Conducting Polymers,Second Edition,Eds.T.A.Skotheim等(Marcel Dekkar,New York,1998)に記載される。
糸複合材の製造に特に好ましい撚り糸および仮撚り紡糸糸に対するポリマー添加物には、ポリビニルアルコール;ポリ(フェニレンテレフタルアミド)系樹脂(例えば、ケブラー(登録商標)およびトワロン(登録商標));ポリ(パラ−フェニレンベンゾビスオギザゾール(PBO);ナイロン;ポリ(エチレンテレフタレート);ポリ(パラ−フェニレンベンゾビスチオゾール);ポリアクリロニトリル;ポリ(スチレン);ポリ(エーテルエーテルケトン);およびポリ(ビニルピロリドン)が挙げられる。グラファイト・エポキシ複合材の形成に使用される様なタイプのエポキシもまた発明の実施形態に好ましい。
シートとリボンの高強度によって可能になった様々な用途が実施例6および27に記載される。本発明者らはここにすでに超軽量航空機に使用され、そして宇宙用途のソーラー帆船に提案されたマイラー(登録商標)およびカプトン(登録商標)フィルムの強度〜160MPa/(g/cm3)(D.E.Edwards等、High Performance polymers 16,277(2004))および超高強度スチールシート(〜125MPa/(g/cm3))およびアルミニウム合金(〜250MPa/(g/cm3)のそれに匹敵するかまたはより高い密度正規化強度を提供する。
発明の実施形態の撚り糸、仮撚り糸、および溶液による高密度化のナノチューブ糸は、場合により不織布と組み合わせて、不織布のコスト利点をナノファイバー撚り糸に対して達成できる機械的特性および電気的特性と組み合わせる構造体を製造できる。様々な組み合わせが有益に採用される。例えば、ナノチューブの撚り糸は、アセンブリの機械的特性を改善するように不織布の体内に埋め込まれ(静電紡糸により製造された不織布など)、またはナノファイバー撚り糸は不織布をスティッチするために使用される。電気的に絶縁性の不織布の体内に電気導電性のナノファイバーの撚り糸を組み込む利点は、これらの不織布が撚り入りナノファイバーベースの電子回路の中の電気導電性要素を絶縁できることである。場合により、不織布はウォータージェットまたは針床を用いた横方向の貫通のような手段を使用して絡ませることができる。
(a)織物への応用
発明の実施形態の実行結果から得られる驚くべきナノチューブ糸の特性は、電子織物を含めた2次元または3次元の織物における少数のまたは大多数の構成要素のどちらかに対するナノチューブ糸の応用として特に有用である。驚いたことに、本発明者らは本発明のプロセスの使用により高い熱伝導性または高い電気伝導性が高強度および高靭性と組み合わせて得ることができることを発見した。達成された小直径の糸(1ミクロン)は、通常の織物糸およびナノチューブだけを含む以前報告された連続ファイバーまたは糸に対するよりも10倍以上低い。
本発明のナノファイバー撚り糸の電子デバイス(特に電子織物にある物)としての用途は(1)例証された機械的ロバスト性および電気伝導性および糸が浸潤された場合のこれらの伝導性の保持、(2)化学的修飾またはドーピングによる糸区分の電気的特性を変化させる能力、(3)例証された、ナノファイバーの撚り糸がノットされた場合の機械的特性劣化のないこと、(4)発明の実施形態の実行のために利用可能な様々な金属性、半導体性、および金属性ナノファイバー、によって可能になる。
ナノファイバー糸はワイヤ、および高電流を運ぶワイヤケーブルとして使用できる。カーボンナノチューブ撚り糸、および特に導電性増強助剤を含有するその様な糸は電流の輸送に特に有用である。これらのカーボンナノチューブ撚り糸について得られる利点は高い電流輸送能力、高温安定性、および小直径の銅ワイヤに破損を引き起こすエレクトロマイグレーション効果を受けないことである。これらのナノファイバー撚り糸の低重量および高機械強度により、重量が特別に重要である航空宇宙および宇宙空間利用のために特に有用であり、ならびに機械的強化を与えるためのワイヤリングを採用することが役に立つ用途に有用である。その他の可能性のある用途は、例えばパワーケーブルとして、および磁石、トランス、ソレノイドおよびモータの巻線として、および織物の中に組み込まれるこれらのデバイス用である。
撚り入りナノファイバーの高度に達成可能な多孔性およびここで特定な撚り糸(カーボンナノチューブ撚り糸の電解質で浸潤の前および後の両方など)に対して例証された高い電気伝導性のために、これらの撚り糸は、電気化学的2重層電荷注入、ファラデー電荷注入、またはこれらの組み合わせのいずれかを使用する糸ベース電気化学的デバイスに対する電極として有用である。これらのデバイスは、液体状態、固体状態にある電解質、またはそれらの組み合わせのいずれかを利用できる(電解質の上記議論を参照)。
発明の実施形態のナノチューブ撚り糸は、場合により編み込んだり織物に織り込んだりできる化学的および機械的センサーとして特別な有用性を有する。これらのナノチューブ糸は複合材構造体に組み込まれ、これらの構造体の機械的変形および損傷発生の事象を感知したりできる(それらが結果として破滅的な構造破損に至る前に)。機械的センサー適用は、糸が変形された場合には発生する糸の電気伝導性の変化、または糸が破断された場合に発生する電子的輸送の遮断を使用することができる。例えば、兵士の制服の中にあるナノチューブの撚り糸は、兵士が特定の場所で負傷したことを示す電気的に送信可能な信号を供給し、それにより有効な負傷者選別が可能になる。同様にナノチューブ糸の靭性により、負傷に対するある程度の保護をもたらす。
カーボンナノチューブ糸が白熱光源として使用できることはよく知られているが、先行技術のナノチューブアセンブリは撚り無しである(K.Jiang等、Nature 419,801(2002)および米国特許出願公開番号2004/0051432A1号(2004年3月18);P.Li等、Applied Physics Letters 82,1763−1765(2003);およびJ.Wei等、Applied Physics Letters 84,4867−4871(2004)参照)。本発明のナノファイバー糸を形成するために撚りを挿入する利点は、紡糸プロセスにより機械的ロバスト性が付与され、そして繰り返される機械的ショックに白熱光フィラメントが破損することなく耐える程度まで白熱光フィラメント寿命を増加させることである。
ナノファイバー糸で例証された驚くべき高い靭性、並びに極めて小さい糸直径により、ナノファイバーの撚り糸の保護性衣料の織物としての利用が示される。帆布に使用されるような物の様に非常に密な糸織物は特に突き刺しやパンクに対する耐性のために特に有用である。引き出し・撚糸されたカーボンナノチューブの高温安定性は、高温で加工されるセラミックのようなマトリック中にナノファイバー糸を組み込んだ硬い装甲を製造するために特に有用である。グラファイトファイバーは高い熱安定性を有するが、一方、発明の実施形態のカーボンナノファイバーの撚り糸の靭性(20J/g以上)はグラファイトのそれ(約15J/g)よりも高い。
発明実施形態のナノファイバーの糸、シート、またはリボンの多孔性、高い表面積、小さい糸直径、および高い機械的強度により、ガスおよび液体成分の濃縮、分離、貯蔵または放出に対して、それらは理想的な材料になる。それらはまた、濃縮、分離、および貯蔵するための固体として有用であり、例えば蒸気または液体から固体の形で収集でき、場合により、その後に蒸気、液体、液体成分、反応生成物、固体形状、およびこれらの組み合わせで放出または部分的放出のどちらかができるような粒子状固体または固体である。その様な固体には、例えば、バクテリアおよびウイルスのような生物学的薬剤が上げられ、それは場合により、放出プロセスの間に少なくとも部分的に熱分解できるか別の方法で改変できる。
による分離または濃縮のどちらかを可能にする時間において、被分析物に暴露される。この吸収された材料は次いで、ナノファイバー糸の電気的加熱により、無線周波またはマイクロ波の吸収により、または照射された紫外線、可視光線または赤外線波長光の吸収により、放出できる。
ナノファイバーの撚り糸の多孔性は微小流体回路のチャネルとして有用である。これらの微小流体回路は、例えば、センチメートルスケールまたはそれ以下の化学的および生化学的分析、またはより独占的には化学合成のための「ファイバー実験室」を作製するために採用できる。
発明の実施形態の紡糸糸およびシートは、またヒトを含めた生物体または培養地のいずれかにおける組織の増殖のための足場として使用できる。利用可能な実施例には、脳または脊髄の損傷後のニューロンの増殖のための足場としてナノチューブ糸の使用が挙げられる。最近の研究によれば、機能性ニューロンはカーボンナノチューブからすぐに増殖し、直径約100nm以下のカーボンファイバーは瘢痕の成長を遅らせ、所望の細胞の増殖を促進することが示された(H.Hu,Y.Ni,V.Montana,R.C.Haddon,V.Parpura,Nano Letters 4,507(2004);J.L.McKenzie等、Biomaterials 25,1309(2004);およびM.P.Mattson等、J.of Molecular Neuroscience 14,175(2000)参照)。生体適合性を改変する目的で、紡糸された糸およびシート中の紡糸ナノチューブは場合により、例えば、DNA,ポリペプチド、アプトマ、その他のポリマー、または4−ヒドロキシノネナールの様な特別な増殖因子、による包み込みなどによる化学的誘導体化、または非化学的誘導体化することができる。いかなる添加剤も無しに製造できる、発明の実施形態のカーボンナノチューブの糸およびシート、(しかし、所望であれば、選択された添加剤は組み込みでき、ナノチューブ糸は誘導体化できる)、は電気伝導性が高く、非常に丈夫である。同様に、その他の高機能性ファイバー/糸(防弾ベストに使用されるケブラー(登録商標)、およびスペクトラ(登録商標)ファイバーなど)とは異なり、医療用途に対する利点のある、これらの靭性糸はノッティングまたは磨耗のどちらかによる強度劣化に対して高度に耐性があり、実質的に制御可能程度の弾性を有する。これらの糸は血管および神経の増殖に対する骨組として働くことができる2次元または3次元織物に織り込みできる。織物は実質的にはあらゆる所望の形状を有することができる:本発明者らはナノチューブ糸からそして中程度に小さい血管の直径を有する紡糸リボンの巻きつけ物からチューブ状構造体を製造した(実施例11)。発明の実施形態のナノファイバー糸は脳、耳(音の検出に対する)、または眼(光の検出に対する)におけるニューロンに対する電気的接続として使用でき、そこでは機能性ニューロンが既存のニューロンと電気的に接続するためにナノファイバー糸の上に増殖される。10μより小さい直径を有するナノファイバー糸の先端上のニューロン増殖が、これらの用途のために使用されるのが選択的に好ましい。
本発明者がナノチューブシートの電気伝導性に対して気付いた驚くべき高い電気的異方性が、これらのシートが2次元または3次元配列の選択された領域(またはピクセル)のアドレス付けに利用されるという、発明の別のタイプの実施形態をもたらす。実施例23により、この電気的異方性は、高密度化カーボンナノチューブシートに対する典型的な10−20の中程度の値から、非高密度化のシートに対する約50−70の高い値まで、ナノチューブの電気伝導性の異方性を増加させるために引き出し方向と直交して適切に予備的引き出された高密度化または非高密度化のカーボンナノチューブシートのどちらに対しても任意に高い値まで変動される。
本出願人らは、局所的な機械的応力は30nmまたはそれより薄い配向ナノファイバーの層を1個の基板(移動基板)から別の(受けとり基板)にナノファイバーの配向を保持したパターン化された配列として転写できることを見出した。
実施例31は、透明なカーボンナノチューブシートが、マイクロ波吸収および抵抗加熱に必要な電気伝導性を与える電気伝導性層としてフィルム接着剤を付設できることを示す。加えて、この実施例により、接着剤フィルム上の接着剤はナノチューブシートを通して押し出され、積層接着剤フィルム/ナノチューブシートの金属、ガラス、プラスチック、およびその他の表面との高い接着度を与えることができることが示される。可撓性基板(ポリマーなど)に付設された場合、この実施例(および図34)により、テープ/ナノチューブシート/プラスチックシートが高角度までナノチューブシートの面内抵抗値に重要な変化を引き起こすことなく繰り返し曲げることができることが示される。
高いろ過速度と、例えば、ウイルス、バクテリア、およびナノメートルスケールのコロイド粒子の様な非常に小さい粒子をろ過する性能とを同時に達成することは、気体および液体の両方のろ過に対して通常困難である。特にフィルターが厚い場合、小さい孔サイズにより低いろ過率が与えられることが問題である。ろ過速度はフィルター厚さを減少すると増加できるが、一方、フィルター厚さが小さい場合、フィルターが破裂する可能性があるためフィルター対向側での圧力差を減らさなければならない。それは薄いフィルター膜を使用することのろ過率の利点を部分的に無くしてしまう。
固体状態で引き出されたカーボンナノチューブシート(およびリボン)の透明導電体としての用途は幅広く、そしてそれは幾つかの場合において、ナノファイバーシートの強度、靭性、マイクロ波吸収性能、偏光の発光および偏光の吸収性能、調整可能な仕事関数、電気伝導性および熱伝導性の劣化を伴わない極度の可撓性、およびナノチューブシートの多孔性、によって促進される。
実施例32および90により、透明なカーボンナノチューブシートが高度に弾性的で変形可能な電極に変換できる方法が例証される。そしてそれは高歪みの人工筋肉のための、および高歪みの機械的変形を電気的エネルギーに変換するための、そして大きな振幅の振動を調整可能な減衰にするための、電極として使用できる。アクチュエータのための例示的な材料はシリコーンゴムである。
発明の実施形態における電気伝導性ナノファイバーは、(a)その寸法変化により作動が提供される材料、(b)別の材料の作動−産出の寸法変化を引き起こす電気的エネルギーおよびその他の電気的効果を放出する材料、(c)(a)および(b)のいずれかの組み合わせ、のいずれかとして使用できる。
ナノファイバー糸は、高度に有効な熱伝導性を備えた高強度および高靭性な高性能ヒートパイプとして組み編み構成、またはより単純な構成にできる。
発明の実施形態のナノファイバーの糸、シート、およびリボンにより、高い電気伝導性、高い熱伝導性、および高い熱拡散性、並びにこれらの輸送に対する高い異方性が提供される。これらの特性により、重要な応用実施形態が与えられる。
ナノファイバー、特にカーボンナノファイバーはフラットパネルディスプレイ、ランプ、サージ対策用のガス放電管、およびX線およびマイクロ波発振器、のための電界電子放出源として有用であることが良く知られている。(W.A.de Heer,A.Chatelain,D.Ugarte,Science 270,1179(1995);A.G.Rinzler等、Science 269,1550(1995);N.S.Lee等、Diamond and Related Materials10,265(2001);Y.Saito,S.Uemura,Carbon 38,169(2000);R.Rosen等、Appl.Phys.Lett.,76,1668(2000);およびH.Sugie等、Appl.Phys.Lett.,78,2578(2001)参照)。カーボンナノチューブを含む電極および陽極の間に印加された電位により、ナノファイバー先端の小さい半径およびナノファイバー長さの結果として高度に局所的な電界が生成される。これらの局所的電界により電子のナノチューブ先端から真空中へのトンネル通過が引き起こされる。電界は電界放出電子を陽極に向かわせ、そこで選択されたリン光によりフラットパネルディスプレイ用途の光が発生し、そして(より高い印加電圧に対して)金属ターゲットとの衝突によりX線管用途のX線が発生する。
カーボンナノチューブ陰極は実質的に冷陰極であり、そしてそれは低電力消費および狭い放出電子のエネルギー散逸が要求される用途に広く使用できる。カーボンナノチューブエミッターは現在入手できる最高の電子電界エミッタに格付けされる。加えて、カーボンナノチューブは非常にロバストで化学的に不活性であり、そして真空または不活性ガス条件を必要不可欠とするその様なデバイスに首尾よく使用できる。低い閾値電圧および大面積の陰極からの高い電流密度を必要とする用途に関連して、目ざましい電流密度が得られた。
例えば、有機光電池(OPV)類似の有機発光デバイス(OLED)、フラーレン誘導体PCBM([6,6]−フェニル−C61 ブチリック酸メチルエステル)を備えたP3HT(ポリ(3−ヘキシルチオフェン))ベースのプラスチックソーラー電池、などの有機の光電子デバイスは、現在使用されているITO(インジウム−錫−酸化物)およびその他の透明な導電性酸化物(TCO)を置き換えるために、透明な正孔収集または正孔注入の電極を必要とする。その様なTCOは光学的な透明性が高い電気伝導性と共に必要とされる様々な用途に広く使用される。しかし、これらのTCOは脆く、曲げた場合、非常に薄膜なコーティング形態の場合でさえ容易に損傷される。
透明な電気伝導性の電極は機械的に丈夫で、可撓性が高くそして自己支持型であることが必要とされる。同様に、これらの電極材料が広がった内部表面を有することは有益であり、その結果それらは例えば、有機の電子材料およびナノ粒子(量子ドットおよびロッドなど)の様なその他の機能性材料とナノスケールで最も有効に結びつくことができる。
TNSE電極は上部電極としてのおよびタンデムにおける電荷再結合層としての、陽極および/または陰極であってもよい。
ドナーまたはアクセプタのどちらかによるSWNTのドーピングにより、電子帯構造におけるフェルミエネルギー(EF)がシフトされSWNTの電気的伝導機構が変化できることは良く知られている。アルカリ金属の蒸気暴露および液体電解質を使用した電気化学的ドーピングにより、それらでドーピングされたCNTの電気伝導性に重大な増加が与えられる。
カーボンナノチューブの化学的および電気化学的ドーピングの両者は電子状態の占有率を変えることによってフェルミ準位を調節するための非常に魅力的な方法である。例えば、CNTの半導体化はp−およびn型の両性的なドーピングでできる。光学的および電子的な測定により、p型のドーピングに関して、フェルミ準位は充填された価電子帯を枯渇させることで下げることができ、または空の伝導帯を充填させることで上げることができることが確認された。フェルミ準位が価電子帯および伝導帯のファンホーブ特異点に到達すると電荷担持体の濃度は極端に増加する。本出願人らによりドーピングによるSWNT膜の電界放出I−V曲線の変調が示され、それにより仕事関数の調節が例証される。以前にMWNTの電気化学的ドーピングに対して約0.4eVのフェルミ準位(EF)の下降が例証された。約−1.0eVというより大きな負の仕事関数シフトも観察された(PCT特許出願第US2005/007084号参照)。
最近SWNTおよびMWNTの両方のグラフェン層におけるホウ素および窒素ドーピングが、大きく注目されている。C−NXおよびC−BX チューブの電子的特性が少量の層内ドーパント:C−平面内のn−ドーパントとしての窒素およびp−ドーパントとしてのホウ素、に非常に敏感であると見出されたからである。基本的な結果を要約すると、ホウ素および窒素は特性だけでなく、合成を介してドーピングされるナノチューブの構造にも影響を与えることが良く知られる。それで窒素を内含する化学蒸着(CVD)合成により、バンブータイプのチューブが創出され、CVD合成におけるホウ素により、より長いチューブ(チューブの先端で集中されて、ホウ素はチューブの閉管を禁止する)が製造される。ふた付きの壁も観察され、従って壁がスムーズなふた付き終端を有する興味深いトポロジーを可能にする。それはすでに計算で、そして一部は実験で示され、MWNTの合成の間で、ホウ素原子はチューブの閉管を阻害し従って長さを大幅に増加させるだけでなく、特殊なキラリティであり、それらの全てが金属性であるジグザグタイプのチューブの成長を好都合にさせる。
図95および96により、ナノファイバーおよびその他の電子機能性の材料が、光電荷の発生能力を高めるためにナノファイバーのシートまたはリボンの空孔の容積領域に組み込まれるナノファイバーのシートまたはリボンが図示される。
幾つかの実施形態において、本発明は特殊タイプの光電気化学電池、およびより正確には色素または量子ドットの増感ソーラー電池用の電極に関する。その様な発明実施形態の幾つかは、同様に色素増感および量子ドット増感のソーラー電池用の電極の特殊なタイプの導電性電極に関する:多接合のソーラー電池、タンデム型電池としても知られる、正孔収集の対向電極および透明な分離層。透明なカーボンナノチューブ、およびその他のナノファイバーのシート、リボン、および糸の色素増感および量子ドット増感の両方の電気化学的ソーラー電池における電荷収集体の透明電極として、および多重性接合型(連結型とも言われる)色素ソーラー電池における透明な分離層(電荷再結合層とも言われる)として、の利用に関する方法、プロセス、および構成が記載される。光吸収の増強およびソーラー電池内のナノ・アンテナ効果による電荷発生のためのカーボンナノチューブ電荷収集体の追加的機能、およびその他の利点が同様に本明細書に記載される。
本発明の1つの実施形態において、図101における透明なナノファイバー還元電極10105は、本明細書に記載される方法に従って製作される。その様なナノファイバーは電荷収集電極としておよび電気化学的な電荷移動プロセスを増強するための触媒としての両方で作動するため、対向電極のプラチナめっきは必要ではない。還元電極10105の触媒活性は図102のSEM画像で示される様に、電極10105の表面を単層のカーボンナノチューブの薄層でコーティングされることにより改善できる。前記電極の両方は図101に示した様に、電極10103と10102が互いに対面するようにしたその様な方式で配置され、その側面はゴム、樹脂またはその類似物で密閉される。
本実施例は選択された発明の実施形態に使用されるナノチューブ・フォレストを成長させるための典型的方法を記載する。整列されたMWNT配列(ナノチューブ・フォレスト)は大気圧CVDによって、45mm直径のクオーツチューブの中でヘリウム中5モル%アセチレンを680℃、全流量580NTPcc/分、10分間で合成された。触媒は5nm厚さの鉄膜であり、電子ビーム蒸発でシリコンウエハまたはガラスの基板に堆積させた。SEMおよび熱重量測定に基づいて紡糸糸の純度は非常に高く(96〜98%C、MWNTの形で)、2−4%鉄およびアモルファスカーボン、炭素粒子は観察されなかった。
本実施例はナノチューブ・フォレストからカーボンナノチューブを紡糸する間に撚りを導入する具体的方法を記載する。ナノチューブ・フォレストから糸を引き出す以前の試みは、極めて弱いアセンブリを得る結果であった(K.Jiang,Q.Li,およびS.Fan,Nature 419,801(2002)、および米国特許出願公開第20040053780号(2004年3月18日)参照)。本発明者らは撚糸プロセスを引き出しと同時に行うと1000倍以上に機械的強度が増加することを見出した。本発明者らは、現行の紡糸・撚糸プロセスが直径で1μ以下であっても糸が作成できることも示す。この実施例のファイバーは、実施例1のナノチューブ・フォレストの側部からナノチューブを約2000rpmの典型的速度で稼動している可変スピードモータの軸と同軸上に付設するプローブの先端に付着させて撚りをかけながら手で引き出された。この実施例において図1の写真で説明すると、取り付けはナノチューブ・フォレストから引き出された糸をモータシャフトの中心に付設された小型木製紡錘の周囲に巻き取って行われた。この回転紡錘の操作によって、ファイバーの引き出しと撚糸が同時になされ、ナノチューブ・フォレストから出たナノチューブ糸が取り付けられた。モータはプラットフォーム(図1)に搭載され、モータが約2000rpmで稼動して撚りを与えている間にプラットフォームはテーブル面に沿って手で移動されて引き出しを遂行した。図2は本発明の紡糸プロセスの間にナノチューブが集成して糸になることを示すSEM写真である。そこではナノチューブはナノチューブ・フォレストから引き出されると同時に撚りがかけられる。引き出しの方向はもとのナノチューブの方向に対して直交していて基板の平面に平行である。基板に対して垂直であるフォレストの中のナノチューブの方向と引き出し方向の間の角度は90°からほとんど0°に減少するが、紡糸プロセスは十分にロバストである。ナノチューブの長さ(〜300μm)よりも数100倍小さい糸の直径とナノチューブ撚糸という組み合わせが得られた結果、その他の実施例で記載される魅力的な特性を有する糸がもたらされた。
本実施例は極めて小さい直径の糸が実施例2の方法を使用して紡糸できることを示す。糸直径は、フォレストのおよその高さの厚さから楔の頂点(図2)での糸の幅で収束する、初期の楔状の無撚のリボンを生成して引き出される、MWNTフォレスト配列の幅を制御して決定された。配列幅は150μm以下から約3mmまでに渡り、直径約1および10μの単糸を作成した。フォレスト配列の200μm幅区分により直径約2μmの撚り糸が作成され、1cm2のフォレスト面積はこの糸を推定50m生成できる。挿入された撚りは典型的には約80,000ターン/mあり、直径が80倍の通常の繊維織物の糸での約1000ターン/mと対比した。撚りにより約0.8g/cm3というMWNT糸の密度が得られ、それは糸の質量、長さ、および糸直径の直接測定に基づき、後者はSEMで測定された。単糸の線密度は典型的には約10μg/mであり、綿およびウールでのそれぞれの値10mg/mおよび20−100mg/mと比較した。直径5μmのナノチューブ糸の断面積を通過する個別ナノファイバーは約10万であり、典型的な商業的ウール(ウーステッド)および綿の断面積における40−100ファイバーと比較した。
本実施例は実施例2の撚糸ファイバーが重ね合わせに必要な機械的ロバスト性を有し、そのような重ね合わせは糸の機械的強度を改善できることを示す。図3A、B、およびCはそれぞれMWNT糸の単糸、双糸および四子糸のSEM画像を示す。双糸は、単糸を過剰撚りし、次いでそれを自体の周りでトルクが釣り合い状態になるまで撚りの緩和を行って得た。双糸の軸に沿った個々のMWNTの整列により二重構造はトルクバランスされたことが確認される。この方法は双糸に対しても繰り返され(よりの方向を反対にして)、四子糸を得た。図58は約20個のMWNT単糸を合撚してヒトの毛髪に大体等しい直径の糸を作成したことを示すSEM顕微鏡写真である。
本実施例は(実施例2および4で調整された撚り糸および合撚糸を使用して)カーボンナノチューブ糸の単糸および合撚糸の編み組糸における撚りの保持を記載する。通常の織物の単糸と異なり、高度に撚糸されたMWNT単糸は糸端末が開放された場合大部分撚りを保持する(図4上部)。この高められた撚りの固定化は、綿やウールのような織物における微小ファイバー間よりもナノチューブ間におけるより強い相互作用を反映しているようである。特に驚いたことに、引っ張りの伸長により破損した単糸および双糸の破断点位置まで撚りが維持される(図4)。
本実施例は(実施例2および4で調整されたような撚り糸および合撚糸を使用して)本発明の実施例の引き出し・撚糸方法が、先行技術のナノチューブ・フォレストから紡糸されたナノチューブ糸の結果と比較して機械的強度に1000倍の増加をもたらすことを示す。無撚の糸はそれらが偶然に接触した表面から引き離す時に破断してしまうほど弱いのであるが、単糸は150および300MPaの間にある引っ張り強度測定値を有する。糸軸に関したナノファイバーの配向における積み重ね(重ね合わせ)の結果が前記増加を反映しているらしく、MWNTの双糸に対して250および460MPaの間のより高い強度が観察された。これらの単糸および双糸の典型的な応力−歪み曲線が図5に示され、ここの曲線(a)はカーボンMWNT単糸、(b)双糸、および(c)PVA浸潤単糸に対応する。この図中y軸の応力はSEMで測定した無応力の糸の断面積に基づいた工学的応力である。巨大なポアソン比効果(以下の実施例14に記載される)の結果、破断近くの真の応力は(破損近くでの真の断面積で正規化した)、約30%大きくなる。宇宙航空用途には密度正規化強度が重要である。観測された密度の最高値0.8g/cm3を使用すると、双糸の密度正規化破損応力は310から575MPa/gcm3の間である。
本実施例は実施例2、3、および4のナノチューブの単糸および合撚糸が防弾用ベストに使用される高機能ポリマー糸に匹敵する靭性を有することを示す。純粋なナノチューブ糸はグラファイトファイバー(〜1%)よりずっと大きい破損応力を有する(13%まで)。この破損応力と高い破損強度と組み合わせて糸を破断するために必要な仕事(靭性という)は同様に高いことを意味する:単糸に対して14J/g、双糸に対して20J/g、PVA浸潤単糸に対しては11J/gであり、これらは高い強度と低い破損歪み(約3−4%)を組み合わせた。双糸の靭性(20J/g)はグラファイトファイバーのそれ(12J/g)よりも上であり、防弾ベスト(ケブラー(登録商標)ファイバーに対して〜33J/g)に使用される商業的ファイバーに接近するが、はるかに大きい靭性が溶液紡糸されたSWNT/PVA複合材ファイバー(600J/g)に対して例証された。しかし、後者のエネルギー吸収は大部分が大きい歪みにかかわる不可逆な塑性変形によるものであり、その様な大きい変形は必要ではあるがそのようなエネルギー吸収は一回だけ生じることができる。
本実施例はカーボンナノチューブ糸が容易に編み組みでき(図3E参照)、そして硬くノットできる(図6)ことを示す。磨耗およびノッティング、特に一つ結びは、大抵のポリマーファイバーおよび糸(ケブラー(登録商標)およびスペクトラ(登録商標)ファイバーおよび防弾ベストに使用されている糸、慣習的な織物の糸を含めて、そして1個のポリマー連鎖でさえもノットの入り口で破損する)の強度を甚だしく低下させるが、研究したナノチューブの単糸および双糸はその様ではなく、引っ張り破損は挿入され、一つ結びからはるかに離れて観察されるのみだった。高い磨耗耐性は非常に硬い一つ結びによって引っ張られた長い糸ループにおける極限引っ張り破損の無いことにより示唆される。
本実施例は、実施例2、37および52と比較して、撚りナノチューブシートストリップ(配向方向きに平行にカット)が本発明の実施形態に記載の方法およびナノチューブの特質が利用されない場合所望の機械的特性の増加が与えられないことを示す。シートストリップがカットされた配向フィルムはミクロン長さのナノチューブを磁気的に配向させたアセンブリである(J.E.Fischer等,J.Appliied.Phys.93,2157(2003)参照)。同様に、本発明者らはこれらの磁気的に配向されたナノチューブシートまたはシートストリップの側部または上部から、発明の実施形態のより長いナノチューブが引き出し・撚糸可能である引き出し方向を使用して連続したナノチューブ糸を引き抜くことができなかった。
本実施例は撚り糸の機械的特性がポリマー、ポリビニルアルコールの浸潤によって増強できることを示す。使用された糸は実施例2で作成された。MWNT/PVA複合材糸は5重量%のPA水溶液中に15時間単糸を浸して、または紡糸の間に単糸をこの溶液の液滴を通して通過させ、乾燥させることにより作成された。PVAの分子量は77000−79000の範囲であり、99.0−99.8%の加水分解であった。PVAの浸潤により単糸の観測強度は850MPaに増加した。本実施例のPVA浸潤ナノチューブ糸に対する典型的な応力−歪み曲線は図5cに示される。図57において、PVA浸潤によりMWNT糸の撚りベースの構造が分裂されないことを示すSEM顕微鏡写真が与えられる。
本実施例はナノチューブベースの撚り糸がナノチューブ/ポリ(ビニルアルコール)複合材糸に変換(実施例10の方法を使用して)される前と後の両方で高い電気伝導性を有することを示す。研究した糸(直径2μmから10μm)は室温で約300S/cmの4プローブ電気伝導性および負の抵抗温度依存性(77および300°Kの間で約−0.1%)を有した。PVA浸潤により糸の電気伝導性がわずか約30%減少しただけであり、絶縁性ポリマーを含有するナノチューブ複合材糸で観察された値の150倍以上高い電気伝導性を有するナノチューブ/PVA複合ファイバーに至った。
本実施例は、(a)カーボンナノチューブの撚り糸は先行技術の高強度カーボンナノチューブ糸と比較して劇的に増加した弾性歪み領域を有すること、(b)この長い弾性領域により、糸の靱性に対して高い弾性的回復成分が提供されること、および(c)糸の可逆的変形はヒステリシス性であることを示す。載荷除荷サイクルを受けた場合ナノチューブ糸はヒステリシス性応力−歪み曲線を示す(図7)。初期の荷重の完全な除荷により糸は元の長さに戻らないが、初期のヒステリシスループはその後のサイクルで実質的にシフトしない。初期の歪みに依存して、MWNT双糸の応力−歪みサイクル当たりの観測エネルギー損失は0.5%サイクル歪みに対して9−22%の範囲、1.5%のサイクル歪みに対して24−28%の範囲(図8)、そして最高の可逆サイクル歪みに対して39−48%の範囲(8%までの全歪みに対して2−3%)、である。ヒステリシスループの中で初期の無荷重および初期の再荷重における有効弾性率は無荷重および再荷重の最終部分に対するよりもはるかに大きい(図9)。同様に応用に関連して、ナノチューブ糸の破損強度(単糸および双糸)は破損応力の50%の応力範囲で50の載荷除荷サイクルまで影響を受けなかった。ナノチューブ溶液のろ過で作られたナノチューブシートと違って、ナノチューブ糸はクリープおよび関連する応力緩和に耐性がある。ナノチューブ双糸が6%歪み(170MPa初期応力)で20時間保持された場合、応力は15%以上緩和され、この小さい応力緩和は最初の20分以内に起こり大部分は粘弾性(即ち、可逆的)であった。
本実施例はナノチューブの撚り糸の高温度における機械的特性の極端な安定性、並びに臨界温度での特性の保持を例証する。これらの糸は実施例2の方法で製造された。双糸の破損強度(300MPa)は450℃で1時間の加熱後で実質的に変化しなかった。SEM顕微鏡写真で酸化の証拠は明らかであったが、450℃で10時間保持されたナノチューブ糸は十分に丈夫であり堅くノットできる可撓性があった。堅いノット結びはナノチューブ糸が液体窒素に浸漬する間も可能であった。
本実施例は本発明者が実施例2で紡糸されたカーボンナノチューブ糸に対する巨大なポアソン比を達成したことを例証する。彼らはナノチューブ糸に対して巨大なポアソン比を観測し、それはMWNTの単糸に対して2.0から2.7まで、そして双糸に対して3.3から4.2まで、応力の増加と共に増加した(図10)。SEMにおいて糸を伸長しながら測定したこれらのポアソン比は、通常の個体に対して直交方向で観測した値よりも12倍まで大きい。4.2というポアソン比は歪みεでの糸の伸長が各々の横方向に4.2倍の歪みを与えること、および通常の固体の分画容積の増加の約0.4εに対して分画容積の減少7.4εであることを意味する。従ってナノチューブ糸は伸長−高密度化であり、それは固体に対して極めてまれである。500の結晶相から一括検索の調査でわずか13が伸長−高密度化であると分かった(R.H.Baugham,S.Stafstroem,C.Cui,S.O.Dantas,Science 279,1522(1998)参照)。伸長−高密度化材料は負の線形圧縮率を有していなければならず、今の場合では糸が非浸透性の静水圧媒体中で静水圧的に圧縮された場合糸の長さが増加することを意味する。これらの巨大なポアソン比および付属する7.4εまでの伸長−誘起の容積減少は、糸方向(または複数のそれ)に小さいひずみをかけることによってナノチューブ糸および織物の吸収性および透過性の調節のために使用可能であろう。本発明者らは、この伸長高密度化の電子デバイス製造への応用を上記している(通常はフォトリソグラフィを使用して電子デバイスのために得られるパターニング能力を得るためにこれらの新規なノットロニクス(knottronics)を使用して)。
本実施例は白熱ランプのフィラメントのための撚糸・引き出しプロセス(実施例2)および重ね合わせ(実施例4)によるナノチューブ紡糸糸の応用を例証する。図18は不活性雰囲気チャンバーで白熱まで電気的に加熱された多層ナノチューブの双糸の図である。糸は約20mmの間隔で離した2個の金属リードの間に巻き付けられ抵抗を下げるために金属リードとの接合点の糸に銀ペーストが塗布される。その様に形成されたフィラメントは電圧が印加されると光を発する。これはトーマスエジソンの時代からずっと公知であるが、この用途のために高靱性の撚り糸を利用した最初の例である(撚り糸の靱性の測定結果は実施例7参照)。この靱性の実在により、通常の白熱電球よりも機械的ダメージによるフィラメント破損に対してより抵抗性のある白熱電球の製作が可能になる。
本実施例は図11の透明な物品を製造するために、多層カーボンナノチューブ・フォレストからナノチューブリボンを形成するためのカーボンナノチューブの引き出し、並びに心棒(中空のキャピラリチューブ)の周りのこのナノチューブリボンを巻き付けることを例証する。実施例1のナノチューブ・フォレストを使用して、本発明者らは任意の幅を有するナノチューブリボンがフォレストから引き出しでき、そしてこれらのリボンは光学的に透明であるという驚くべきこと発見をした。得られたリボンの幅は本質的にフォレストから無撚で引っ張られるナノチューブ・フォレストの側壁の幅に等しかった。これらのリボンは十分に機械的にロバストであり、破損することなく容易に取り扱いできる。図11は1mm直径のガラスキャピラリチューブの上に螺旋状に巻き取られた約mm幅のナノチューブリボンを示す。リボンの透明性はナノチューブリボンが巻き付けられたガラスキャピラリチューブの真下にあるペーパシートに印刷されたラインの視認性で示される。
実施例16の方法は、ニューロンの様な細胞増殖のために採用できる中空のチューブの製作に使用できる。先行技術で細胞増殖に対するナノチューブの適合性は良く証明されていたが、この目的のために適切な形状になったナノチューブアセンブリの製作方法は記載されていなかったので、この機能は重要である。ナノチューブリボンを含む中空チューブは実施例16のように調整できる。心棒の選択は円柱状心棒から巻き付けられたリボンのその後の取り外しを容易にするために行われる。必要とされる機械的強度を与えるナノチューブリボンの十分な層は螺旋または2つの対向螺旋のどちらかで巻き付けできる。螺旋状に巻き付けられたリボンの機械的強度は場合により実施例23の液体による高密度化プロセスを使用して増強できる。次いで巻き付けられたナノチューブリボンは心棒から取り外され細胞増殖の基板として適切な中空チューブを与えることができる。この心棒からの取り外しは様々な方法で実行できる。一つの方法は解重合し低い温度で蒸発するポリマーである心棒を使用する方法である。別の方法はガラスキャピラリチューブを容易に可溶化するコーティング物でコーティングし、その分解によりナノチューブリボンを具備する中空チューブが心棒からスリップさせることを可能にする方法である。
本実施例はガラス基板の上に透明で電気的な導電膜を与えるようにMWNTリボンを非常に広い幅で堆積させ製作することを例証する。この非常に幅広いリボンは実施例1のナノチューブ・フォレストからリボン幅に略等しいフォレスト側壁区分を引っ張ることにより引き出される。発明者がこの引き出しを実行することができた様々な方法に関する詳細は実施例21および46に与えられる。図17はガラス基板の中に機械的に押し込められた後のナノチューブシートを描写している。ナノチューブはシートの中で良好に整列されているので電気的および光学的特性は異方性がある。印刷は電気的な導電膜の下にある白色ペーパシートの上にある。その印刷の視認性によりこの電気的伝導シートの透明性が示される。
本実施例により超コンデンサまたはバッテリのような電気化学的デバイスである撚り糸を製作する方法が記載される。カーボンナノチューブの単糸(実施例2)が双糸を形成するに十分な量に(実施例4の様に)過剰撚糸される。撚糸プロセスに使用された張力に保持されながら、撚り糸はポリビニルアルコールおよび燐酸または電解質として適切なその他の公知の媒体を含む水溶液に暴露される。この暴露により糸中への電解質前駆体の吸収およびその上のオーバコートがもたらされる。その後、残りの液体が蒸発により任意に取り除かれ、固体電解質またはゲル電解質を形成する。次いで電解質でコートされたファイバーの反対側の末端が双糸を形成するための撚り−緩和を可能にするように一緒に持ち出される。そしてその中で電解質コーティング物が双糸を構成する2つの単糸構成要素の間の横方向の直接的な電気的接触を防止する。もし、電解質がこの撚りに対して機械的に耐性がありすぎて自動的に発生してしまうなら、2つの糸の断片は他の撚りの過程で一緒に巻き付けられる。次いでこの双糸は場合により追加的な電解質でオーバコートされる。次いで双糸のループエンドはカットされ、2つのファイバーはお互いに対して電気的に分離され電解質ゲルを介してのみ接触されるようになる。双糸の中にある2つの電気的に分離され電解質で充填された単糸はファイバー型超コンデンサの対向電極として働くことができる可能性がある。上記製作法の代替として、2つの単糸を電解質でコーティングおよび吸収し、場合により部分的に乾燥し、次いでお互いを撚り合わせするかまたは電解質でファイバー対をオーバコートする選択的ステップの前に隣り合わせ接触させて組み合わせる方法がある。後者の方法の無撚のナノチューブファイバーに対する実施が、A.B.Dalton等、Nature423、703(2003)に記載される。ファイバーバッテリの製造に類似の方法が使用できる。しかし、その様なファイバー超コンデンサの高エネルギー貯蔵密度を達成するために、上記プロセスで使用される電解質は高度な酸化還元安定性範囲を有するように選択されるのが最適であり、電解質の塩成分はリチウム電池で通常的に選択されているタイプのリチウム塩を選択することが好ましい。
本実施例は場合により、吸収された液体の表面張力効果を使用して撚糸の前にナノチューブ糸を高密度化できることを示す。フォレストからナノチューブを引っぱり出した後にそれを液体浴に通過させるかまたは液体蒸気に暴露させる。実施例1のフォレストから引っ張り出された糸のそのような高密度化に適する液体には、メタノール、イソプロピルアルコール、およびアセトンが挙げられる。糸に吸収された液体の蒸発により、横方向に収縮が引き起こされ、高密度化に導かれる。実施例38において本発明者らは引き出されたリボンの撚糸前の高密度化によって、適用された撚りが非常に低い場合(5°の螺旋角度に相当する)でも均一に撚られた糸を得ることができることを示す。液体による糸の高密度化の予備的適用がない場合、その様な低い撚りを適用すると不均一な撚りおよび糸直径がもたらされる。
本実施例は、実施例1の多層ナノチューブ(MWNT)フォレストの側壁から高強度を有する連続的で透明なナノチューブシートが引き出しできることを示す。MWNTは直径10nmであり、研究したフォレストの高さは50から300μmの範囲であった。引き出しは接着剤ストリップを使用してフォレスト側壁から掻き裂きされるMWNTに接触させて開始された。次いでメートル長さで、5cm幅までのシートが1m/分の手で引き出して製造された(図21)。シートの透明性はMWNTシートの背後にあるナノテク研究所のロゴの視認性により例示される。わずか〜2.7μg/cm2という面積密度の測定値にもかかわらず、これらの500cm2シートは引き出しの間で自己支持型である。245μm高さの1センチメートル長さのフォレストは約3メートル長さの自立型MWNTシートに変換された。センチメートル直径の回転プラスチックシリンダーの上にシートを巻き取ることにより10m/分までの引き出しを実行するように自動化された直線移動型ステージを使用して、シート生産速度は5m/分に増加した。シート製作プロセスは非常にロバストであり、シート幅および長さに関して基本的な制約は無いことが明らかである:引き出し速度が5m/分以下であった場合、得られた5センチメートルシート幅はフォレスト幅と等しかった。ナノチューブは図22のSEM顕微鏡写真の中の条痕で示されるように、引き出し方向に高度に整列されている。この引き出しプロセスはMWNTフォレストの大抵のタイプに対して機能せず、最高の許容引き出し速度はフォレストの構造に依存する。フォレストにおける間欠的な束形成は有益であり、この中で個々のナノチューブは数本のナノチューブがある一つの束から別の束へ移動する。束になったナノチューブはフォレストの側壁の中の異なる高度からフォレストの上部およびボトムに到達したナノチューブ束と一緒になるように同時に引き出され、それにより現れたフィブリルにおける破断を最小化する(図22および23)。フォレストの上部およびボトムにおける、一部のナノチューブがループを形成している未秩序領域は連続性を維持するのに役立つ。異なるフォレストに対して同様なトポロジイおよび50から300μ範囲のナノチューブ長さを有するフォレストにおいて、より長いナノチューブ(より高いフォレストに対応)はシートへの引き出しが最も容易であった。おそらくナノチューブの長さの増加はシート内でのフィブリル相互間の機械的結合を増加させるからだと思われる。
本実施例は固体状態で引き出された実施例21のナノチューブシートが、新規で、以前に知られていない有用な物体状態:高度に配向されたカーボンナノチューブを含むエアロゲルを含むことを示す。約2.7μg/cm2の面積密度および約18μmのシート厚の測定値から、容積測定密度は約0.0015g/cm3である。従って生産されたままのシートは、透明でかつ丈夫な電気伝導性、異方性の高いエアロゲルである。ナノチューブシートにおけるナノチューブの高度な配向は図41のラマンスペクトルによって例証される。そこでは全てのシートが同一の配向を有する、生産されたままのシートを4枚重ね合わせてある。VV配置(入射光線およびラマン信号に対して平行な偏光)がナノチューブの引き出し方向に対して、平行偏光(||)または垂直偏光(⊥)を備えて使用された。引き出し方向に対して平行もしくは垂直の偏光に対して、Gバンドのラマン強度の比(632.8nmの励起)は、VV配置(入射光線およびラマン信号に対して平行な偏光)に対して5.5および7.0の間である。そしてこれは、研究された4枚の重ね合わせそれぞれに対して0.69および0.75に相当する(図41)。同様に光吸収の異方性(図25)がナノチューブシートについて高い異方性を示した。光の散乱効果を無視して、引き出したままの単一シートに対して平行および垂直な偏光における吸収係数の比は633nmでの4.1から単調に増加して2.2μmでの6.1になった。図22のSEM顕微鏡写真における引き出し方向に平行な条痕により、引き出されたままのナノチューブシートに対する高度なナノチューブ配向に関してのより多くの証拠が与えられる。
本実施例は、本発明者がこれらの異方性の高いエアロゲルシートを厚さ30−50nm、密度〜0.5g/cm3を有する、高度に配向した透明な電気伝導性のシートに容易に高密度化できることを示す。本発明者らは、生産されたままのシートを平面基板(例えば、ガラス、多くのプラスチック、シリコン、金、銅、アルミニウム、およびスチール)と接触させて単純に付着させ、MWNTシートを付設した基板を液体(例えば、エタノール)に浸漬し、液体からその基板を引き出し、次いで蒸発させて、これの360倍の密度増加を得る。シート全体のまたはシート内の選択された面積の高密度化は、同様に高密度化を所望するシート面積の上にその様な液体を滴下するか別の方法で注入するかし、そして蒸発させることによって簡単に得られる。実施例1に記載の様に調整されたMWNTシートに対して、エタノール蒸発期間中の表面張力効果によりそのエアロゲルシートは最大50nmの厚さに収縮される。シート平面に対して直角に撮ったSEM顕微鏡写真により、高密度化の結果ナノチューブ配向に少しの減少が示唆される。しかしこの観察は誤りやすい。なぜなら、シートの横方向の寸法の変化無しに約20μmのシートを約50nmのシートに圧壊することはナノチューブ配向における平面外の逸脱がSEM顕微鏡写真で目立つ面内の逸脱になるからである。エアロゲルシートは選択された領域をエタノールと接触させることで基板に効果的に接合でき、蒸発させることによりエアロゲルシートの高密度化が可能になる。接着はエアロゲル厚さの圧壊によりナノチューブと基板の間の接触面積が増加されるので強くなる。ナノチューブの特定のタイプにおいて、液体ベースのシート、リボン、または糸の高密度化に対して有効に作用しない液体の機能性は、適切な界面活性剤の添加によって増強できる。例えば、実施例1のナノチューブ・フォレストから実施例21の方法を使用して調整されたナノチューブシートの高密度化に対して、水は満足に機能しない。しかし、界面活性剤/水の混合物(水に0.7重量%のトリトンX−100または水に1.2重量%のドデシル硫酸リチウムのどちらか)は、満足できる高密度化剤であった。高密度化用の液体を選択するためのその他の配慮事項は液体の粘度であり(それは液体の浸潤プロセスの速度に影響する)、そしてその後のプロセスの間にこの液体が揮発できる容易性である。非常に驚いたことに、引き出し方向のシート抵抗(図24)は、シートの〜360の係数による高密度化により<10%の変化であり、シートの透明性が増加する(図25)。シート抵抗の異方性比は非高密度化シートの50−70から高密度化シートの10−20に減少するが、高密度化シートに対するこの異方性比はほとんど温度不変である。
本発明の技術で製造されたナノチューブシートと比較する目的で、本実施例はSWNTおよびMWNTシートの製造のために通常のろ過ベースのプロセスの適用を示す。別の実施例において本発明者らはこれらの通常的に調整されたシートの特性を本技術のそれと比較するであろう。実施例1のフォレスト成長MWNTがろ過ベースのシート製作プロセスに使用された。ろ過法ルートで製造された後者のシートは、0.7重量%のトリトン(登録商標)X−100を界面活性剤として含有する水溶液中に超音波使用で分散させた(0.07重量%のMWNNTの)混合物を用いた。SWNTシートは(HiPco、Carbon Nanotecnologies、Inc.から得られた)一酸化炭素合成のナノチューブを使用して類似法で製造された。測定の前に、残留する界面活性剤は、アルゴン中1000℃までの温度で熱アニーリングしてこれらのMWNTおよびSWNTシートから除去された。酸素中でのフォレスト−誘導MWNTの熱重量分析により、それらには最大4%の非燃焼性重量が含まれ、それは触媒粒子によるようである。HiPcoナノチューブにおける触媒の重量%は〜30%である。
本実施例は引き出されたままのおよび高密度化のMWNTシートが非常に小さい抵抗温度依存性および低い雑音電力密度を有することを示し、それはこれらのMWNTシートがセンサー用途に極めて適切であることを表す。実際、シート抵抗の温度依存性は、フォレスト引き出され高密度化されたナノチューブシートおよび同一のフォレスト成長MWNTを使用しろ過法ルートで製造されたシートに対してほとんど同じであり、ろ過法で製作された単層ナノチューブシートに対するよりも遙かに小さい(図24)。加えて、高密度化されたフォレスト引き出されたシートの引き出し方向における低周波数(f)の雑音電力密度は、104であり、SWNTおよびMWNTそれぞれの通常のろ過法生産シートに対するよりも10倍低い(図26)。
本実施例はフォレスト引き出されたMWNTシートが好適に2軸強化シート配列に集成されることを示す。これらのシートは実施例21の方法を使用して調整された。4枚重ね2軸強化シート配列が図27に示される。長波長赤外線およびマイクロ波に対して光学的に活性なようであるカイラル構造は、配向方向が積み重ねの厚さ方向に沿って螺旋状に変わるように平行なシートの積み重ね、次いで積み重ねた配列を個々のシート厚さが約50nmであるように高密度化することにより製造できる。
本実施例はエアロゲル類似物および高密度化MWNTシートの機械的特性が、たとえこれらのシートがバインダー材料無しであっても予想外に高いことを示す。密度正規化機械的強度は機械的強度よりも遙かに正確に測定される。シート厚さの測定は伸長方向における長さ当たりの質量に対する最大の力の比よりも信頼性が低いからである。非高密度化シートの堆積物は120および144MPa/(g/cm3)の間の引っ張り強度実測値を有する。引き出したままのMWNTシートの機械的特性測定用のストリップは1個のオリジナルシートからカットし、図29パートAおよびパートBに示したような共通のナノチューブ配向方向を有するように積み重ねた。パートAにより、工学的応力−歪みが示され、互いに積み重ねたシートストリップの異なる数を含む試料に対する最高応力において驚くべき小さい変化が示される。これらの試料の真の破損応力は、工学的破損応力を初期長さに対する破損時の長さの比を乗じることにより得られ、それは120および144MPa/(g/cm3)の間で変化した。図29のパ−トBにより、最高の力および対応する歪みがパートAに実験に対する積み重ねシートストリップの数の関数として示される。18個の同一配向されたシートを含む高密度化堆積物は465MPa/(g/cm3)の強度を有し、堆積物における隣接シートが高密度化2軸構造を製造するために直交して配向された場合の強度は175MPa/(g/cm3)に減少した。これらの密度正規化強度は、超軽量航空機用に使用され宇宙用途としてソーラー帆船に提案されている(D.E.Edwards等、High Performance Polymers16、277(2004)参照)マイラー(登録商標)およびカプトン(登録商標)フィルムの強度〜160MPa/(g/cm3)、および超高強度スチールシート(〜125MPa/(g/cm3))およびアルミニウム合金(〜250MPa/(g/cm3))にすでに匹敵するかまたは大きい。
本実施例は同様にカーボンナノチューブシートの高い機械的特性を例示する。図30は、引き出したままのナノチューブシートが水、オレンジジュース、およびグレープジュースのミリメートルの大きさの液滴を支持することを示す写真であり、ここでミリメートルサイズの液滴の質量は接触しているナノチューブシートの質量の50,000倍に達する。水性の液滴の下にあるエアロゲル領域は水が蒸発する間に高密度化された。
本実施例は、センサー、赤外線ビーコン、赤外イメージング、およびデバイス較正用の参照信号のための安定で偏光した、紫外線、可視光線、および赤外線の白熱ランプ(図31AおよびB)を示す。2.5%伸長の引き出されたままのシートに対する射出放射の偏光度は500nmでの0.71から780nmでの0.74まで増加し、これは〜80μmの射出長さを備える600μm長さのMWNT束に対して以前に報告された偏光度(500−900nmで0.33)よりも実質的に高い。両方の偏光に対する光強度の波長依存性は黒体放射に予測された関数形に合致し、偏光度は観測された温度範囲1000Kと1600Kの間のシート温度に著しく依存しない。偏光子の必要性の減少または除去によるコストおよび効率の利点、およびMWNTシートにより他では達成困難な広いスペクトル範囲に渡る空間的に均一な放出が与えられる。これらの非常に低い質量の白熱エミッタの低い熱容量は、それらが真空中で0.1ms以下の観測値内でスイッチの切り替えができ、より短いタイムスケジュールで電流変調の光アウトプットが与えられる。
本実施例はプラスチック部品の間にはさまれた透明なMWNTシートの加熱によるポリマー溶接を示す。MWNTシートはそれらがマイクロ波オーブン中でプラスチック部品の溶接に使用されることで明らかなように強くマイクロ波放射を吸収する。2個の5mm厚さのプレキシガラス(登録商標)板でMWNTシートがはさまれ、加熱を使用して互いに溶接され、ナノチューブの配向および電気伝導性が保持される丈夫で、均一で、高度に透明な界面が提供される。マイクロ波加熱は2.45GHzで稼動する1.2KWマイクロ波オーブン中であった。入力電力は水を参照に使用し、水の温度を3分間で100℃まで直線的に上げ、この水温を1分保持し試料を炉の外に出して周囲温度まで下げることで制御された。図33によりMWNTをはさんだシートがマイクロ波加熱を使用して互いに溶接され、ナノチューブの配向およびシートの電気伝導性が殆ど変化しない、丈夫で、均一で、透明な界面が得られた2個の5mm厚さのプレキシガラス(ポチメチルメタクリレート)板が示される。高い透明性と超熱安定性の組み合わせにより以前のマイクロ波ベースの溶接に使用された導電性ポリマーに対して見出されなかった利点が与えられる。このマイクロ波加熱プロセスはナノチューブシートで分離されたポリマーシートの堆積物からポリマー複合材、電気的に加熱されるカーウィンドウ、および高い透明性を有するカーウィンドウ中のアンテナを製造するために使用できる。ナノチューブシートは便宜的にプラスチックまたはその他の溶融性材料の表面に関連する方法で付設でき、そしてプラスチックにおいてナノチューブシートを低融点ポリマーと高融点ポリマーの間にはさんで、低融点ポリマーだけがナノファイバーシートの放射の吸収または電気的接触加熱により引き起こされる温度増加の結果として溶融する様に選択して行われる。これらのプロセスにおいてプラスチックは使用されるマイクロ波振動数範囲で重要なマイクロ波吸収を与えないように選択される。
本実施例は引き出されたままのMWNTシートを通常の接着テープに簡単に接触させて、電気加熱のためにおよびマイクロ波吸収を与えるため使用される光学的に透明な接着性アップリケが製造できることを示す。更に本実施例はこれらの導電性ポリマーアップリケが電気的導電性に大きな変化を与えないで強く曲げることができることを示す。導電性アップリケは未高密度化MWNTシート(実施例21のように調整され)を接着剤裏付きテープの上に置いてプレスすることで製造できる。代わりに未高密度化MWNTシートが接着剤裏付きテープおよび基板に同時に加圧して付着された。中間のMWNTシート無しのピール強度に対するMWNT積層後のピール強度の比は、オーバヘッド透明体として使用されるポリエチレンテレフタレートシート上のアルミホイルダクトテープ(Nashua(登録商標)322)に対して0.7、ミリメートル厚さのAlシートに接着した透明なパッケージテープ(3M、カタログ351L)に対しては0.9であった。MWNTシートの多孔性により、未高密度化MWNTシートが接着テープおよび接触プラスチックまたは金属の表面の間で積層される場合ピール強度は大部分保持される。図34は、電気伝導性およびマイクロウエーブ吸収アップリケとして使用される透明な非高密度化MWNTシートの写真である。MWNTシートは接着テープ(3M社からの透明スコッチパッケージングテープ)に対して加圧され、それはテープ上の接着剤をMWNTシートの中の細孔を通して押し出し、別の表面に接着性能を与える(この場合110μm厚さのポリエチレンテレフタレートのシート)。UTDが透明性を例証するためにアップリケの下のペーパシートに印刷される。MWNTアップリケ(透明パッケージングテープ(3M、カタログ351L)および110μm厚さのポリエチレンテレフタレートのシートの間にはさまれた未高密度化MWNTシート)について撮られたムービーは、このアップリケが電気抵抗に重要な増加を引き起こさないで自体の上に繰り返し折り重ねができることを示す。電気伝導性の劣化無しに曲げられるこの性能はフレキシブル電子回路に重要であり、インジウム酸化錫のような通常の透明導電体には見出せない。図34における金属ストリップはナノチューブシートとの接触形成のために使用される電極である。未折り重ねの構成(上部写真)から高度に折り重ねられた構成(ボトム写真、写真中のペーパクリップは高度な折り重ね構成を保持するために使用される)。
本実施例により、透明なカーボンナノチューブシートが高度に弾性的変形性の電極に変換され、高歪み人工筋肉用の電極としておよび高歪みの機械的変形を電気エネルギーに変換するために、および大きい振幅の機械的振動の調節可能な減衰化のために、使用される方法を例証する。例示のアクチュエータ材料はシリコーンゴムである。1mm厚さのシリコーンゴムシート(Smooth−On社のECOFLEX 0040を使用して製造)は105%歪みまで伸長され、ついで1枚の引き出されたままのMWNTシート(実施例21でのように調整)は、歪み緩和前の自己発生的接着的接触を提供するためオーバーレイされた。ナノチューブシートは場合により権利請求した液体ベースの高密度化プロセスにより目標とする弾性的特性の好ましくない影響を受けないで高密度化できる。図35に示したように、シリコーンゴム/MWNTシートの複合材の無荷重で得られた初期のシート抵抗値は755Ω/□であった。しかし、抵抗値の初期増加〜6%の後で、その後の100%歪みまでの4回歪みサイクルの間の抵抗値は3%より未満に変化した。通常の伝導体は作動材料との電気的接触を失うことなくその様な大きい歪みを受けることが殆どできない。100%以上の歪みを発生する電歪アクチュエーター材料との電気的接触を維持するために伝導性グリースが使用されるが(R.Pelrine,R.Kornbluh,Q.Pei,およびJ.Joseph,Science 287,836(2000))、一方これらのグリースは、数千ボルトの加電圧を必要としないで大きな力と高い歪みを発生できる電歪シートの堆積物に対する電極として使用するのに適切ではない。更なる実験により、弾性的に伸長可能な基板の上に弾性の高い電極を与えるこの方法の一般的な応用性が示される。例えば、非高密度化ナノチューブシート(実施例21でのように調整)の120%伸長された弾性のスパンデックス(登録商標)織物の取り付け(プレスにより、またその後で実施例23の液体ベースの高密度化プロセスの適用により)により、弾性的に緩和できそして実質的な抵抗値変化を受けないで初期の伸長に繰り返し再伸長できるナノチューブ電極材料が結果としてもたらされる。1個以上のカーボンナノチューブシート層がナノチューブシート層の性能に望ましくない影響を与えることなくスパンデックス層の上部に適用できる。適切なスパンデックス(登録商標)ファイバーおよび/または織物はデュポン(そしてLycra(登録商標)と呼ばれる)、DorlastanファイバーLLC,INVESTA,およびRadici Spandexコーポレーションで作られる。
本実施例により、固体状態で製作されたMWNTシートの、有機発光ダイオード(OLED)の特殊なタイプであるポリマーの発光ダイオード(PLED)のための正孔注入電極としての用途が例証される。自立型透明MWNTシートが固体状態プロセスを使用して製作され、透明なガラスまたはポリマー基板の上に配置され、可撓性のある、または剛性のあるPLEDが製造される。2個の活性ポリマーがデバイス中に使用された:PEDOT/PSSおよびMEH−PPVである。PEDOT/PSSはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)であり,それは(ポリ(スチレンスルホネート)(PSS)でドープされる。PEDOT/PSSは1−3%の固形物含有水分散体としてH.C.Starkから得られ、商品名Bayton(登録商標)Pとして販売される。MEH−PPVは既知の方法で合成され(C.J.Neef,J.P.Ferraris,Macromolecules 33,2311(2000))、それはポリ(2−メトキシ−5−(2’エチル−ヘキシルオキシ)−p−フェニレンビニレン)である。PEDOT/PSSは引き出されたままのMWNTシートのシートの高密度化の間の平坦化のために、そして正孔輸送体およびバッファー層として使用され、それはMWNTからの正孔注入に対するバリアを減少する。MEH−PPは光電子放射層として働く。PEDOT/PSSは第一にMWNTシートの上にスピンキャストされた。(250rpmで1分間、次いで過剰な溶液を除去するため760rpmで追加的1分間)。110℃で1時間乾燥後、MEH−PPVの放射層が第二のスピンキャスティングプロセスで堆積された(3000rpmで30秒)。MWNTシートアセンブリを不活性雰囲気中で一晩乾燥後、デバイス陰極が追加され、それはカルシウム(30nm)およびアルミニウム(20nm)の2層で構成され、おのおのは熱的蒸発で連続的に堆積された。上記デバイスの輝度特性評価により2.4ボルトの低いターンオン電圧および500cd/m2の最高輝度が示された。同様なデバイスがPEDOT/PSSおよびMEH−PPVを使用して構築された、しかしMWNTシート無しでは非常に抵抗が高く、光放出は示されなかった。PEDOT/PSS層を使用しないで製作したデバイス(それはMWNTシートに侵入し正孔輸送および平坦化を与える)は、高い輝度を示すが、より高いターンオン電圧を必要とし、デバイスの寿命は短い。図36は固体状態で製作したMWNTシートを正孔注入電極として使用するポリマーベースのOLEDを示す。透明なMWNTシート、PEDOT/PSS,およびMEH−PPVのアセンブリが全体の画像面積を被覆し、一方Ca/Al陰極は放出ドット上だけである。典型的な輝度は350cd/m2(15mAで)、でありそれは更に500cd/m2まで増加された。増加された正孔注入は、先端上およびナノチューブの側部の高い局所的電界およびナノチューブシートとデバイスポリマーの3次元的相互浸透により起こる。ナノチューブシートを使用する以前の無機発光ダイオードに対して正孔注入は1個の平面に限定された(K.LEE,Z.Wu,Z.Chen,F.Ren,S.J.Pearton,A.G,Rinzler,Nano Letters 4,911(2004)参照)。
本実施例は引き出されたままのMWNTシートを多孔性でないペーパの上に転写し、引き出されたままのシートを高密度化することにより、MWNTシートを含む電気伝導性の印刷テープが製造でき、可撓性基板上の印刷電子回路に使用できることを示す。自立型のMWNTシート(実施例21の方法で作られた)は、多孔性でないペーパ((WWR2005カタログ番号12578−121)、実験室でサンプルの重量測り取りに使用される)、の上に配置され、本発明者の実施例23の液体浸潤/液体蒸発ルートを使用して高密度化された。高密度化の後、エアロゲルナノチューブシートは厚さ〜50nmに収縮し、機械的に丈夫な電気的導電層を形成した。高密度化シートを裏返して標準的筆記ペーパの上に置き、鋭い物体を使用して多孔性でない支持ペーパの上に書き付けした。ナノチューブシートは多孔性でないペーパから普通紙に転写された(図37)。最も重要なことは、転写されたナノチューブシート領域の光学顕微鏡観察は、印刷テープにあったナノチューブの配列が多孔性ペーパへ転写されたナノチューブパターンに保持されるということを示している。従って転写された回路パターンにおけるナノチューブの配向は、画像生成および画像転写のシートの間の相対的な配向を変えることによって自由に制御できる。本実施例において、画像生成シートはナノチューブシートでオーバコートされた多孔性でないペーパであり、画像転写シートはナノチューブシート部分が転写された多孔性ペーパである。未高密度化ナノチューブシートは同様に印刷電子回路要素(単純に高密度化プロセスを除いて)に使用できる。このプロセスは高密度化シートを使用するそれよりも魅力が少ない。ナノチューブが書き付け道具の下でない多孔性ペーパの部分に転写されたからである。それでもやはり、転写されたナノチューブは、偶然に転写されたものよりもより強固に多孔性ペーパに結合され、そこで後者は意図的に転写されたナノチューブをかき乱すこと無く容易に掃き除かれる。
本実施例は、実施例21のプロセスで製造されたナノチューブシートが、その中でナノファイバーの束が枝分かれしその他の枝と再結合し引き出し方向に直交した横方向の接続性を有したネットワークを形成する、一種の自己組織型織物であることを示す。図28のSEM顕微鏡写真はこの枝分かれおよび枝の再結合を示す。引き出し方向の配向からのフィブリルの逸脱はスケール依存であり、したがってより低倍率においてよりもこの高倍率においてより大きく現れる。フィブリル分岐はシートを通して連続的であり、それにより横方向に延びた本質的に相互接続したフィブリルネットワークを作る。
本実施例により、自立型の固体状態で引き出し製作されたMWNTシートリボンが都合よく引き出し・撚糸され、均一な直径を有する大きな直径の糸を形成できることが例証される。10.5cm長さの3cm幅の、引き出されたままのナノチューブシート(実施例21でのように作られた)は、シートの引き出し方向に沿って自体の上に折り重ねされ、ほぼ同じ長さを有する擬似的円形アセンブリを製造した。片方の端部は紡錘の先端に付設され、残りの端部は固定の銅線に付設された。撚りを導入することにより、均一な紡糸糸が〜2000ターン/メートルの撚りレベルで形成された。得られた紡糸糸の直径は約50μmであった。無撚から5000ターン/メートル撚りの抵抗変化は約12%であり、相互接続したフィブリルネットワークにより紡糸糸における電気的経路の大部分が与えられることが示され(図47)、撚糸プロセスで形成された新しい接触は電気伝導性の重要性の少ない決定因子であることを示した。
本実施例は基板に付設された高密度化ナノチューブシートからカーボンナノチューブ糸の引き出し・撚糸紡糸の方法を記載する。その様なプロセスの利点は、それによりナノチューブシートの製作および貯蔵が可能になることである。引き出されたままの自立型MWNTシート(実施例21でのように製造)の3層が基板(例えばガラス、プラスチック、または金属箔)の上に配置され、液体を使用して(実施例23のプロセス使用)高密度化された。マイラーのようなプラスチック基板が最も好適であった。高密度化シートの所望の幅は、引き出し・撚糸紡糸プロセスを開始するための接着テープを使用して容易に基板から引き剥がされた。引き剥がされたシートストリップの一端を撚糸し、同時に糸を引き出すモータに取り付けることにより、均一な直径の紡糸糸が得られた。このプロセスは、初期に一緒に積層される引き出されたままのナノチューブシートの数を単純に増加してより厚い糸を生産することにも拡大適用できる。積層されるシートの数は3から5次いで8個のシートに増加された。
本実施例は撚糸で得られた螺旋角度に引っ張り強度が依存すること、並びに液体処理による糸の高密度化の主要利点を示す。糸に撚りが無くフォレストからから引き出されたままで使用された場合、糸の機械的強度は弱すぎて本出願人らの装置では測定できなかった。同様に撚糸前に引き出されたリボンの高密度化により、適用した撚りが非常に低い場合でさえも、これらのリボンから均一な厚さを有し均一な撚りが入った糸を得ることが可能になった。予備的に適用される液体ベースの糸の高密度化がない場合のその様な低い撚りの適用(螺旋角度5°に対応)では、不均一な撚りおよび直径が得られた。得られた実験結果は図48に示される。丸を使って描写された図48におけるデータポイントは、丸は実施例2の方法を使用して紡糸された18−20μm範囲の直径に対応する。撚りなしのデータ(四角で表示)を測定するのに十分な機械的強度を得るために糸は液体処理を使用して高密度化された糸でデータを得た。無撚糸は実施例1のフォレストから引き出された〜5mm幅のリボンから得られ、次いでエタノールを使用して高密度化された(実施例23におけるナノチューブシートに実施されたように)。本実施例では、このどちらかと言えば範囲の広いリボンが使用されたが、記載された強化効果はより狭い糸に対しても当てはまる。この液体処理の効果(液体吸収、液体蒸発の間のフィラメント高密度化も含む)により強度が劇的に増加し、並びに引張強度が増加した。得られた糸は非円形の断面を示した。5°撚りの糸は長さに沿って均一な撚りに達することができなかったので、この試料は同様に撚糸の後にエタノールで高密度化された。
図48で見られるように、ピークの引っ張り強度〜340MPaが20°付近の螺旋角度で達成できる。液体の予備的処理がない場合(実施例23のナノチューブシートで記載したように)図48のゼロ撚りに対するデータポイントは引っ張り応力スケールでゼロ付近であろう。同様に、溶剤高密度化のない場合の5°撚りのデータポイントは非常に減少した強度に対応するであろう。図48に示したように、過度の撚りも強度を減じる。無撚糸に70°の撚りを追加すると引っ張り強度は半分に減じる。高度な撚りは破損応力を減じたが、図49に示したように中程度撚糸の糸よりも高い歪みを有した(図48の試料と同一もので引っ張り歪みを測定)。非常に重要なことは、図48のデータ(四角のデータポイント)は、撚りが適用されない場合でさえも液体処理によって有用な強度が得られることを示すことである。
本実施例は糸の引っ張り強度が糸の直径の増加で減少することを示す。糸の紡糸方法は実施例2のそれと類似である。糸の直径は紡糸されるリボンの幅により制御され、図50のデータポイントは3−27mm範囲のリボン幅に相当する。糸の引っ張り強度は撚り角度に依存するので糸直径を変更する間撚り角度は一定に保持された。図50に見られるように、撚りの高い(〜50°)撚り糸(三角のデータポイント)は、より低い撚り糸(〜15°)(丸のデータポイント)よりも糸直径の増加に伴う強度減少をより受けにくい。破損歪みはより弱く、糸直径に対する依存性は無視できる。糸は一貫して10%歪みの付近で(図51)糸直径に独立して破損する。
本実施例は、撚りがその後で反対方向に等しい撚糸を受けて除かれた場合でも、撚りが劇的に糸引っ張り強度を増加することを示す。図52に示す両方の糸は同じナノチューブ・フォレストおよび同じ幅のリボンから調整された(実施例2の方法を使用して)。従って糸の断面を通過するフィブリルの数は保持された。糸Aに対する撚りは時計方向に26000ターン/m、28°の撚り角度である。糸Bに対して26000ターン/m時計方向撚りはまずロック安定化糸を形成して導入され、次いで全ての撚りを開放するため反時計方向に同じ撚りが導入された。ここで留意すべきことは、撚りの脱挿入の結果による糸直径の増加(図52のAおよびBのSEM顕微鏡写真を比較)は比較的小さいことである。糸Aに対する破損の引っ張り力は24mNで糸Bに対しては14mNである。結果的な引っ張り強度は糸Aに対して339MPaで、糸Bに対して113MPaである。撚りの全く無い糸の引っ張り強度は低すぎて本出願人らの装置でも測定できず、これらの測定結果は加撚および解撚の正味の効果は劇的に引っ張り強度を増加し、撚りの維持は引っ張り強度を更に増加できることを示す。高強度と高靭性の両方を有するナノチューブ/ポリマー複合材の形成に使用するために丈夫な無撚糸は強く望まれているので、仮撚り(後に撚りの脱挿入を続ける撚りの挿入)が糸強度を劇的に増加できるというこの驚くべき発見は非常に重要である。この発見により図44−46に記載の仮撚り紡糸装置の開発動機付けが与えられる。
本実施例は基板フィルム(プラスチック、金属箔、またはテフロン(登録商標)フィルムなど)に付設したフォレストからカーボンナノチューブ(CNT)シートが引き出しでき、高密度化、および心棒巻取りができることを示す。このプロセスの実現可能性の例証は、接着剤なし、接着剤コート、および弾性基板についてそれぞれ実施例23、31、および32に与える。図53および54はそのようなプロセスの概略説明である。図53の要素5302は実施例1に記載されたように調整されたナノチューブ・フォレストである。要素5301は成長基板、要素5303はフォレストから引き出されたナノチューブシート、要素5304は基板フィルム、および要素5305は基板フィルムに貼り付けられたナノチューブシートである。貼り付けられたナノチューブシートは液体(要素5306)を使用して高密度化され、ヒータ(要素5307)で乾燥され、次いで心棒の上に巻き取られる。ここでローラー(2個)は白抜き丸で表され、そして心棒(3個)は塗りつぶし丸で表される。プロセスを繰り返すことによって、多層のナノチューブシートが基板フィルムに適用できる。そのプロセスの変形が図54に図示される。収集されたシートを高密度化するために、液体の代わりに、液体蒸気(要素5406)が使用され高密度化シート(要素5407)は心棒上に巻き取られる。要素は、ナノチューブ・フォレスト用の基板(5401)、ナノチューブ・フォレスト(5402)、CNTシート(5403)、基板フィルム(5404)、基板フィルムに貼り付けられたCNTシート(5405)、蒸気の供給のための加熱システム(5406)、基板フィルム上の高密度化CNTシート(5407)、基板フィルム供給の心棒(5408)、ナノチューブシートと基板フィルムの一体化のためのローラ(5409)、および収集心棒(5410)である。図53および54における各々のローラは場合により、積層されたナノチューブシートと基板フィルムの各々の側の上に1つある、対ローラで置き換えできる。重要なことは、図53および54の装置で製造された高密度化ナノチューブシートは、後で心棒から巻き戻され、自立型の高密度化シートを形成するための糸の撚りベースの紡糸用に(実施例37参照)、またはナノチューブシートの選択された部分のその他の基板への機械的転写(実施例34参照)用に、基板フィルムから分離されることである。同様に、基板は、ナノチューブシートの貼り付けの前に引き伸ばされる弾性フィルム(または織物)(実施例32参照)、または接着剤コートされた基板シート(実施例32参照)であってもよい。引き伸ばしは、基板供給および基板フィルム/ナノチューブシートの巻き取り心棒およびこれらの心棒の間のローラー(またはローラー対)の相対的回転速度を制御することによって実行できる。
本実施例により、ナノチューブシートがフォレストから引き出され、接着剤コートの基板フィルムに付設され、第二のフィルム(プラスチック、金属箔、またはテフロン(登録商標)フィルムなど)で密封され、そして心棒に巻き取られるプロセスが例示される。図55はプロセスの概略図である。図55の要素5502は実施例1に記載のように調整されたナノチューブ・フォレストである。要素5501は成長基板、要素5503はフォレストから引き出されたナノチューブシート、要素5504は接着剤コートされたフィルム1、および要素5305は接着剤フィルム1に付設されたナノチューブシートである。付設されたナノチューブシートはフィルム2(要素5506)でシールされ、はさまれたナノチューブシート(要素5507)は心棒に巻き取られる。フィルム2は後でナノチューブシート/フィルムアセンブリから分離される。ナノチューブシートの多孔性のためにテープ接着性は残留し、接着シート付きナノチューブシートは好適に所望の表面に適用できる。図55中、ローラは白抜き丸で、心棒はベタ丸で表される。
本実施例は2個のナノチューブ・フォレストの側部からカーボンナノチューブの単糸を紡糸する方法を例示する。2個のナノチューブ・フォレストは、それらのフォレストの上部がナノチューブ・フォレストの間でフォレスト相互間の接触または最近接のどちらかになるように、近接して配置された。狭いナノチューブリボンがこれらの2つの積み重なったフォレストから同時に引き出され、紡錘の先端に付設され、撚糸と引き出しを同時に行って未合撚のナノチューブの単糸が与えられた。
本実施例はナノチューブシートの引き出し開始時の方法を示す。最初に、場合によりナノチューブ成長に使用されるシリコンウエハ基板の裏面に直線をスクラッチで入れ、ウエハは2個のフォレストセクションに分解される。次いで2個のフォレストセクションは好ましくは元のスクラッチ方向に直交して分離される。ナノチューブ束はフォレスト中で相互接続しているので、ナノチューブシートはフォレストの2個の側壁の間で形成される。この構成では、ナノチューブが両側から供給されるので許容されるシート生産速度は2倍にできる。スクラッチラインはフォレスト成長の前でも後でも製造できる。
本実施例により、カーボンナノチューブシートの堆積物が輪郭表面上に堆積でき、この表面を高密度化でき、ナノチューブシート配列中の形状にこの輪郭形状が保持される方法が例証される。例えば、この例証の応用により、輪郭複合材(航空機パネルなど)中の層としてカーボンナノチューブシートの堆積を可能にし、航空機の氷付着防止用の輪郭加熱要素として、またはエネルギー貯蔵と自動車用の輪郭パネル構造体成分の両方を与える輪郭超コンデンサとして利用可能である。この例証に使用された輪郭表面は卵型のプラスチックボトルであった。卵型断面の長軸と短軸は底部で4.1cmと2.7cm、そこから4.3cmの高さで3.6cmと1.8cmであった。ボトルの低いパート区分が輪郭プロセスに使用された。吸収性材料(2枚重ねのセルロース製ティッシュペーパの1枚)をボトルに巻き付けた。このテッッシュをイソプロピルアルコールで濡らした後、未高密度化の4cm幅のナノチューブシート(実施例21のように調整された)がボトルの底部の側面の周りに巻きつけられた。(ファイバーの配向方向は円周方向になる)。イソプロピルアルコールが乾燥され、これによりナノチューブシートはボトル形状で高密度化された。このプロセスは20から30回繰り返され、ボトルの底部領域の形状を有するナノチューブシートの高密度化堆積物が製造された。ナノチューブシートおよび付設ティッシュペーパシートをボトル心棒から取り外してもナノチューブシート堆積物はボトル形状を維持していた。更に荷重をかけてシート堆積物を平面にした後この荷重を取り除くと、この輪郭形状は回復した。
本実施例により接着剤、ピン配列、または接着剤とピン配列の組み合わせを使用する、ナノチューブ・フォレストからナノチューブのシート、リボン、リボン配列、糸、または糸配列の引き出しを開始するための方法が記載される。興味深いことに、本発明者らは接着テープをナノチューブ・フォレストの上部または側壁(エッジ)のどちらかに接触させることが、シートの引き出しの開始を可能にする機械的接触を提供するために役に立つことを見出す。実施例1のように準備されたナノチューブ・フォレストを使用して、様々な接着剤タイプがシート引き出しに良好に機能し、接着剤付きのそれには3M社のポストイットノート、スコッチ透明テープ(3Mの600)、スコッチパッケージングテープ(3M3850シリーズ)、およびAlフォイルダクトテープ(Nashua322)が挙げられる。接着剤ストリップの直線的接触(接着剤ストリップが引き出し方向に直交するように)が高度な構造的完成度のシートの引き出しの開始のために特に効率的である。この上部コンタクト方法が特に有益である理由は、ナノチューブ・フォレストは非直線的な側壁を有するのが典型的であり、接着剤ストリップを直線的に(または適切に間隔をおいたピンの直線的な配列で)使用することにより、フォレストの引き出しに対して直線的な接触が提供されるからである。密に間隔をおいたピンの配列もまたシートの引き出しの開始のために有効に採用される。ある実験において、ピン配列はピンの単一ラインから成った。この場合では、紡糸のために必要な機械的接触はナノチューブ・フォレストの中に直線のピン配列の部分的挿入で開始された。ピンの直径は100ミクロンであり、ピンの先端は1ミクロン未満であり、隣り合うピンの突端の間の間隔は1mm未満であった。フォレスト高さの1/3と3/4の間(200および300ミクロンの間の範囲で)のピン挿入を使用して満足できるシート引き出しが達成された。各区分に分離された線状配置の接着剤パッチまたは線状配置のピンを使用して、多重のリボンまたは糸は同様に開始できる。線状配置の長さに沿った接着剤パッチ間の分離距離は、リボンの幅または糸製造(例えば、撚りベースの紡糸、仮撚りベースの紡糸、液体による高密度化ベースの紡糸、またはこれらの組み合わせ)に使用されるシートストリップの幅を決定する。撚りの導入の間のような隣接するリボンまたは糸の加工時の干渉を避けるため、引き出しの開始において線状配置におけるシートストリップのパッチまたはピンパッチの機械的な分離が有効に採用される。隣接するストリップの引き出し・撚糸により、異なる直径の糸(場合により異なる直径を有する異なる糸を組み合わせて重ね合わせ糸を製造する)を生成するために、引き剥がし方向に沿って異なる長さを有する接着剤パッチ(またはピンパッチ)の使用は有効に採用される。異なる撚りの度合いおよび撚りの方向が、区分けされた接着剤またはピンストリップを使用して引き出された異なる単糸に選択的に好ましく適用される。これらの異なる単糸は場合により自由に選択された重ね合わせ数を含む糸に重ね合わせできる。重要なことは、異なる直径の単糸を重ね合わせ糸にする上記方法を使用することは、高度に密度を高くした重ね合わせ糸を製造するために使用できることである。より小さい直径の単糸はより大きな直径の単糸の間の空隙を充填することを支援できるからである。
本実施例は発明の実施形態の紡糸ナノチューブ糸が通常の織物に簡単に挿入でき、それにより電気的相互接続、センサー、およびその他の電気的要素を織物に与えることができることを示す。図42の光学顕微鏡写真は、直径40μmの溶融紡糸フィラメントを含む通常の織物に2本合わせのMWNT糸(12μm直径の単糸を含む)を挿入したものを示す。挿入方法は元の織物中のフィラメントの末端にナノチューブ糸(実施例4のプロセスで製造)を結びつけ、ナノチューブ糸が織物中に引き入れられるようにこのフィラメントを織物から引き出すことにより実行される。
本実施例により微細および超微細なナノファイバー糸がボビンで巻き取られる間に撚りが導入される、新規な連続紡糸装置が例示される。装置は図38に概略的に示され、「Elaboration on Twist Insertion and Filament Storage Methods during Spinning」のセクション5に記載される。本実施例における紡糸装置は、紡錘、巻き取り糸ガイドに付設されたドーナツ形状の巻き取りディスク、電磁石、および典型的にはスチール製で強誘電体の紡錘基部と接触するドーナツ形状の金属磁気ディスクを具備する。ドーナツ形状の巻き取りディスクの直径は20mm、厚さは3mである。使用されたロビンは典型的には直径5mm、長さ30mmである。紡錘は可変速DCモータで駆動され、コンピュータインターフェイスを介してコントロールされ、最高速度15,000rpmを有する。電磁石は、巻き取りディスクに変更可能なブレーキ力を導入するために使用され、紡錘に相対して角速度を減少する。紡錘軸の周りで引き抜きナノファイバーアセンブリの回転により撚りが導入され、糸が形成され、巻き取りディスクのより遅い回転によって紡糸糸は紡錘上に巻き取られる。有利な点として、撚りレベルと紡糸速度は独立してモータ速度と印加磁界を規制する電子インターフェイスにより独立して制御できる。このシステムにより紡糸糸にかかる張力は最小化でき、紡糸糸のブレーキ力を高くまたは低くして取り扱いできる。同じ装置はマルチシングルストランド糸を連続的に製造するために多数のシングルストランド糸の重ね合わせに使用できる。その場合ナノチューブ・フォレストは未合撚糸のリールで置き換えされる。
発明者らはフォレストにおけるナノチューブの密度が低すぎると糸としての紡糸またはリボンまたはシートとしての引き出しが困難になることを見出す。これは図56に図示され、そこには成長物の基板のSEM顕微鏡写真が紡糸可能フォレストと事実上紡糸できないフォレスト(ナノチューブを取り除いた後で)に対して比較される。ここで成長物基板上の小直径の孔はMWNTの成長点に相当する。ナノチューブ直径(約10nm)は、これらの紡糸可能フォレストと事実上紡糸できないフォレストの両方に対して殆ど同じである。しかし、本発明者らはナノチューブ・フォレスト基部の面密度が高度に紡糸性のあるナノチューブ・フォレストに対して900−2000億ナノチューブ/cm2であり、それと比較して、紡糸が困難または不可能な低密度なナノチューブ・フォレストに対して90−120億ナノチューブ/cm2であることを観察した(成長基板上のピット(孔)密度を数えて)。同様に、本発明者らはナノチューブにより占有されたフォレスト基部の面積の割合が高度に紡糸性のあるフォレストに対してより高く(7%−15%)、それと比較して紡糸が困難または不可能なナノチューブ・フォレストに対して1.1%−2.5%であることを観察した。
本実施例によりナノチューブシートは基板上に堆積でき、液体浸潤法を使用して高密度化され、そして基板から剥離して自立型の高密度化シート配列が得られることを例証する。本例証の重要性はそれにより心棒上での高密度化ナノチューブの貯蔵、およびその後の利用のためにシート基板(典型的にはプラスチックフィルムキャリア)からのこの高密度化シートの取り出しが可能になることである。引き出されたままの3、5、または8層の自立型MWNTシート(実施例21で製造)は基板(例えばガラス、プラスチックまたは金属箔)の上に配置され液体を使用して高密度化される(実施例23のプロセス使用)。マイラーフィルムのようなプラスチック基板が最も好適に使用される。高密度化シートのどんな所望幅(または全幅)もシート除去プロセスを開始するための接着テープを使用して基板から容易に剥ぎ取られる。
本実施例は非常に薄い高密度化カーボンナノチューブシート堆積物(厚さで150nmより小さく)が貯蔵のために心棒に巻かれ、出荷され、その後利用のためこの操作の間に支持基板なしキャリアシート付き(実施例50のマイラーフィルムなど)ナノチューブシート巻き戻しができることを示す。この例証は2個の自立型高密度化ナノチューブシート堆積物をプレス(実施例50のプロセスでマイラーフィルム基板から剥ぎ取られた後で)し、2個のナノチューブシート堆積物は互いに張り付く傾向は顕著でなかったことを観察したことにより提供された。
本実施例は液体高密度化ナノチューブシート堆積物がセルロースティッシュペーパで形成でき、ナノチューブシートまたはリボンは容易にセルロース基板から剥ぎ取られ、これらのリボンは丈夫なナノチューブ糸を作るため撚糸できることを示す。研究したシート堆積物/ティッシュの積層物は実施例45のように製造された。ナノチューブシート重ね物は卵型断面の心棒の上に形成された結果の輪郭があるにも拘らず、ナノチューブシート堆積物の全幅(4cm)または狭いリボンはセルロースティッシュの基板から均一に引き出しできた。ティッシュの基板から引き出されたリボンは(3mmおよび5mm幅で)撚糸紡糸され、丈夫なナノチューブ糸が製造された。
本実施例により、2つの異なるファイバー材料によるファイバー複合材を製造する撚りベースの方法が例証される。1つは電気伝導性のカーボンナノチューブで、残りは電気絶縁性のセルロースマイクロファイバーである。同様に本実施例により、撚り糸の外側表面に絶縁性マイクロファイバーまたは電気伝導性のカーボンナノファイバーのどちらかを与える方法が例証される。更に、この例証により、カーボンナノチューブ糸がどのように絶縁層に被覆されるかが示される。同様に、セルロースシートを溶融性ポリマーのマイクロファイバー(ポリプロピレンまたはポリエチレンベースの不織紙)を含む同様なシートで置き換えて、この実施例の方法は、熱またはマイクロ波加熱による糸におけるナノファイバー上へのポリマー溶融の前に撚糸または仮撚糸する、ポリマー/ナノチューブの複合糸の製造に使用できる。この例証には実施例45の方法を使用して輪郭付けされたティッシュペーパ/ナノチューブ複合材の堆積物が使用される。複合材堆積物から3mm幅のリボンはナノチューブ配向方向に平行にカットされ、撚糸され、中程度の強度の糸が与えられる。明らかに卵型心棒上の輪郭付け(円周方向にナノチューブファイバー方向を有して)のために、発明者らは(撚りの方向に依存して)絶縁セルロースマイクロファイバーまたは電気伝導性カーボンナノチューブのどちらかが撚り糸の表面に現れることを見出した。
本実施例により、ボロメータを製造するための異方性の高いカーボンナノチューブシートの応用が記載される。ナノチューブアセンブリは感応性材料としてよりも熱配給材料として使用される。本発明の固体状態引き出しMWNTナノファイバーシート(調整は実施例21参照)の極めて高い熱拡散性(0.1m2/s以上のD)および熱伝導性(K=50W/mK)により、急速で異方性の高い列への温度変動および/またはマトリクスアドレス付け可能なセンサーの行電極の最小化エネルギー損失が可能になる。電気信号はナノチューブシート電極界面での加熱を介して確立される。熱画像ディスプレイの形成プロセスは図59A−Cに示される。図59Aは2個のホルダ5901と5902の間に吊るされた自立型MWNTシート5902を示す。図59Bの基板5904(2個の直交配列されたナノチューブシートを支持するフレームとして働く)は、ポリカーボネートまたはガラスファイバーシートのような絶縁性誘電材で形成される。行の金属電極パッド5906は基板5904の上部に形成される。列の電極パッド5905は基板5904の別の側に形成される。温度感応層5908は温度変動に応答性のある材料で電極パッドの上に形成される。幾つかの実施形態において温度感応層は二酸化バナジウム(またはその他の適切な半導体材料)で形成される。二酸化バナジウムは室温で大きな抵抗温度係数を示し、金属電極/半導体層/ナノチューブアセンブリ/半導体層/金属電極、で構成される全回路の直列抵抗を変化させる。その他の実施形態において、温度感応材料5908は電極の片側に熱電対材料(例えば鉄)、別の側にコスタンタンで形成される。カーボンナノチューブアセンブリは熱を両側に供給する。熱電対層は温度変動を熱電気電位差に変換する。一旦電極が形成されると高度に整列したMWNTナノファイバーシートは、互いのそれぞれのシートのナノチューブの配列を互いに直交するように配置して基板の両側に付着される。懸濁MWNTシートの高度に異方性の熱伝導性および電気伝導性により、ナノファイバー配向と直交方向の間の横方向クロストークを最小化し、熱放射物体の高解像度画像形成が可能になる。
本実施例は、どのようにして極めて低い1/f(f:周波数)ノイズおよび低い抵抗温度係数(実施例25参照)が、本発明の幾つかの実施形態に従って、MWNTカーボンナノチューブを精密レジスタとして応用可能になるかを例示する。図60にデバイスの概略が示される。場合によりスクリーン印刷による電極堆積の前に自立型MWNTシート5902(場合によって実施例21のプロセスで調整)が、金属電極6001および6002を含む基板6004の上に重ね合わされる。基板6004はアルミナのような低い熱膨張係数を有する支持誘電材料である。基板へシートを付設した後、ディスク全体は実施例23のプロセスを使用して液体高密度化される。乾燥後、フィルムは表面に対して強い接着性を示す。抵抗に関する環境の影響を回避するためナノファイバーシートレジスタは有機発光ダイオードのそれと同じ技術を使用してパッケージ化されるのが好ましい。製作時のレジスタは極めて低い抵抗温度係数(α=7.5×10−4K−1)および低1/fノイズを示す。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って電磁シールド(EM)のためにスクリーンの製作が例示される。その様なEMシールドデバイスの概略例示が図61に示される。場合によりこのEMシールドスクリーンは、固体状態でナノファイバー引き出しプロセス(実施例21)を使用し、表面に付設し、(実施例18にあるようなシート堆積プロセスを使用し、実施例23に示したような選択的シート高密度化プロセスを使用して)、自立型透明シートとして製作できる。ナノチューブ配向は場合により有効なEMシールドを得るためにディスプレイスクリーンの前面透明電極のパターニング方向に沿って配列できる。代わりに、EMシールドはシート堆積物の配向方向が同じ方向でないように(スクリーンに対する偏光効果を排除する目的で)したナノチューブシート堆積物を含んでもよい。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、高度に整列された多孔性MWNTナノファイバーシートのガスセンサホスト材料としての用途が例証される。MWNTそれ自体は吸着ガスに対して感応性は高くない。しかしMENTの懸濁シートは機械的に丈夫でナノチューブ配列方向に沿っておよび直交した方向に対して多孔性で非常に異方性の導電性を有する。この異方性の係数は通常20以上だが、機械的処理により容易に100以上まで増加できる。MWNTを感応化するために懸濁液からのSWNTがMWNT上に堆積される。(液体分散物からのSWNTの堆積のように)、またはMWNTの上にSWNTを成長させる(公知のCVDプロセスによる)。1つの実施形態において(図62Aで例示)、MWNTシートはすでに堆積された電極6201、6202,6203、および6204がある誘電性基板(ガラス、またはセラミックなど)の上に堆積される。別の実施形態において、基板における開口はガスが堆積されたSWNTを含む多孔性MWNTを通過可能にする。その結果MWNTを横断する導電性は固有の特性としてガス環境に非常に鋭敏な堆積SWNT6206の導電性により決定される。図62BによりSWNTシート(ろ過で製造されたHiPcoナノチューブペーパ)のベンゼンおよびアルコールの蒸気に対する高い感応性が例証される。各々のガスへの暴露および測定サイクルの後でデバイスの感応性表面は、ホストMWNTに沿った、即ち、図62Aの電極6201、および6202への電流の印加によって場合により300℃までMWNTシートを加熱することによって回復される。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、ナノチューブシートおよび糸がアンテナとして使用される応用が例証される。実施例21のナノチューブシートを含むこのようなアンテナは透明であり、また発明の実施形態のナノチューブ糸をまばらに織り込んで透明な織物にすることに基づいたアンテナの場合である。光学的に透明なアンテナは、バーコードに重ねられた高周波認証(RFID)タグ、絵画、光フレーム、ディスプレイ等のような光学的な視認が必要な構造体の上に積層できる。上記実施形態のような幾つかの例において、アンテナは図63に示したような構造を有し、その様なアンテナはマイクロストリップライン型のフィーダを備えている。その様なフィーダは銅のラインまたはその他の導電体ストリップであり、別のナノファイバーシートまたはITO膜のような透明体であることもできる。幾つかの実施形態において、5−10ミクロンのポリマーの薄い絶縁層および1枚のナノファイバーシートで作られたアンテナリフレクタ面がマイクロストリップライン型のフィーダにコーティングされ、または良好な導電性のために糸を有した数枚のシートが上部に積層される。アンテナの共鳴波長はナノファイバー要素Lの長さにより調整でき、それは場合によりナノファイバーシートまたは糸が紡糸されたナノファイバー・フォレスト配列から誘導された平均的な厚さを有する。
本実施例により、MWNTナノファイバーシートベースの熱交換器を例示する。MWNTから引き出されたシートは極めて高い熱拡散性および熱伝導性を示す。基板上のシートの高密度化は基板への熱散逸の改善のために2桁の量で熱輸送を劇的に減少する。一方、非高密度化シートに沿った熱輸送は非常に高く留まる。本実施例ではコンピュータのマザーボード用の熱交換器としてのMWNTシートの使用が記載される。高い電子密度のラップトップコンピュータはマザーボード上に数個の高集積プロセッサを分散して包含する。ディスクトップコンピュータのメインプロセッサーにしばしば使用されるクーリングファンを各プロセッサが備えることは不可能である。ラップトップコンピュータは通常銅の熱交換器を使用し全ての熱を金属板に向かわせ、それをコンピュータボディの幾つかのコーナに組み込まれたファンクーラで冷却する。MWNTシートの熱拡散性はバルクの銅のそれよりも2桁の量でより高い。図64に示したように熱交換を改善するために本出願人らはMWNTシート6401でカバーされた銅プレート6403によりコンピュータボディの幾つかのコーナに組み込まれたクーラ6404により熱ネルギーを配送させることを提案する。プロセッサー(またはその他の熱源)と接触している上側の表面(6402)およびファンクーラは銅板とMWNTシート間の熱交換を改善するために高密度化されていることが好ましい。場合により熱輸送バスは未高密度化であり得る。
本実施例はシングルエンド幾何形状(図66B)で研究されたMWNTの撚り糸の電界放出特性を示す。10μm直径のMWNT糸は実施例2の引き出し・撚糸プロセスおよびこのプロセスの自動化版(実施例48に示したような)を使用して得られた。6mm長さの糸の一方の端がSEMに使用される導電性テープを用いてニッケル平板に固着された。このようにして任意の角度で自立型の5mmMWNT糸が得られた。こうして製造したMWNT陰極はタングステン陽極と共に真空チャンバーに導入され、チャンバーは10−7トルまで真空ポンプ排気された。ニッケルプレートとタングステン陽極の間の距離は10mmであった。短い(1ms)、高電圧(2000V)に調整されたパルスがMWNT糸をほぼ垂直な配向に立ち上げるために印加された。その後DC体制でI−V測定が行われた。図67はシングルエンド幾何形状の糸の電界放出に対するI−V曲線を示す。3個のステージがあることが容易に分かる。低電圧では測定システムからのノイズ以外に電流は流れない。700Vから1200Vまでにおいて電界放出はFowler−Nordheim(FN)則に従うように見える(R.Gomer,Field Emission and Field Ionization,Harvard University Press,Cambridge,MA,1961,1−2章)。1200V以上では電界放出のI−V曲線はFN則からかなり外れ、それは吸着物−増強電界放出の電界放出メカニズムによる幾らかの電流飽和に起因する可能性がある。
本実施例により、幾つかの実施形態に従って、垂直な幾何形状からの単糸末端の陰極の光放出を例示する。単糸末端の幾何形状において白熱光放出は印加電圧が1460Vを越えた場合に糸端部から観測された(図68差込参照)。その様な放出はジュール加熱に起因する。図68は白熱光スペクトルを示す。ここで温度は放出光の色に基づいて約2200Kである。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、平面幾何形状構成のナノファイバー糸陰極からの電子放出が例示される。10μm直径およびメートル長さのMWNT糸から、12mm長さの区分を取り出し電気伝導性のSEMテープで両端をニッケル平板に接続した。そのような約10mmの上記糸はカバーなしで保持した。調整したサンプルはタングステン陽極と共に真空チャンバーに導入され、チャンバーは10−7トルまで真空ポンプ排気された。実験の形状は図66Aに表示した。10mm長さ区分の暴露糸の側面からの電子放出特性がKeithley237ユニットによるDC体制で試験された。図69にMWNT糸の側面電界放出に対するI−Vプロットを示す。この形状において典型的なI−V(電流(I)対電圧(V))プロットはヒステリシス挙動を示す。初期(第一上昇)I−Vプロットはかなり急勾配であり、引き続いた測定で観測された値(0.7V/μm)よりも大きな閾値電界(0.9V/μm)を有する。このヒステリシス挙動は糸上のMWNTを乱雑にしこれにより毛羽立ちにする静電力の結果であろう。この後Fowler−Nordheimプロットが繰り返しできる様になり、冷陰極電子放射のFowler−Nordheim理論の骨格内で解釈できそうである。一旦、約5−8kVを10−15時間というオーダのやや高い電界を印加すると、静電気的な毛羽立ちフォレストは更にナノチューブの突き出しを発現した。これはMWNT糸表面に毛羽立ち部分を形成した結果であった(図74AおよびBを参照)。同一の側部幾何形状がタングステン板のかわりに蛍光面陽極で同様に使用された。蛍光面陽極を有したこの側部幾何形状における上記糸からの電界放出の典型的な画像が図70および71に描かれる。DC体制における急速な蛍光焼付けを回避するためにHV Pulse M25K−50−Nユニットを用いて負のパルス電圧が陰極に印加された。パルスの繰り返し速度は1kHzであり、負荷サイクルは1%であった。MWNT糸の電界放出特性は非常に均一になることが明確に確認された。更に、ある印加電圧では電界放出サイトは判別不可能であった。MWNT糸からの均一な側部放出のこの特性は異なるタイプのフラットパネルディスプレイおよび文字および/または記号コード番号(図71に示すように)などのインジケータに広く使用できる。
本実施例により、透明なMWNTナノファイバーシートの電界放出用冷陰極としての用途が記載される。ナノチューブファイバーシートは上記実施例21により調整され、四角形ガラス板(25mm×25mm、厚さ1mm)の上に配置され、実施例23の高密度化方法を採用してメタノール中で2回高密度化された。その後ナノチューブシートのすべての縁はSEM電気伝導テープでカバーされた。その結果前記シートの10mmのボーダストリップは完全にカバーされた。未カバーの四角形表面5mm×5mmが残された。図79はこのように調整された平らな冷陰極の概略例示である。陰極はタングステン陽極と共に真空チャンバーに導入され、10−7トルまでポンプ排気された。未カバーの四角形MWNTの透明なシート陰極の電界放出特性がKeithly237ユニットで研究された。陰極とタングステン板陽極の間の距離は250μmであった。前記MWNT透明シートの電界放出のI−Vプロットにより、閾値電界(電界放出電流が100nAになる時)は0.8V/μmであることが示された。
本実施例により蛍光面が電子放出要素と観察者の間にある(図82に対するような)通常ディスプレイ技術のための透明なナノチューブシートの応用が例証される。前の実施例で調整された陰極は蛍光面陽極と共に真空チャンバーに導入され、チャンバーはポンプで10−7トルにポンプ排気された。蛍光面はITOコートガラスに「グリーン」TVリンを更にコーティングした物を具備する。陰極ルミネッセンス画像はチャンバーのガラス窓を通して観察された。本実施例において蛍光面は陰極とチャンバーガラス窓の間に設置された(図82の概略図のように)。陰極と蛍光面陽極の間は約200μmであった。蛍光面陽極と前記冷陰極を帯同させた電界放出の典型的な画像は全く不均一な強度分布であり、多分末端の密度変化によるものだと思われる。DC体制での急速な蛍光焼付けを回避するために、負性のパルス電圧がHV Pulse M25k−50−N電源を使用して陰極に印加された。パルスの繰り返し速度は1kHzであり、負荷サイクルは1%であった。印加された典型的な負性パルスの振幅は300Vと3kVの間であった。
本実施例により透明なナノファイバーシート陰極エミッタが観察者からリン光放射層を分離する新規なタイプのディスプレイ技術または発明の実施形態が例証される。前の実施例で調整されたような陰極が上記蛍光面と共に真空チャンバーに導入され、チャンバーはポンプで10−7トルまで排気された。透明ナノチューブシートは冷陰極チャンバーのガラス窓と発光面の間に設置された(図83のように)。蛍光面陽極と合わせた前記冷陰極からの電界放出の典型的画像は図71に示される。パルス電圧および使用電源の詳細は実施例64と同一であった。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従った、カーボンナノチューブベースのポリマーLEDデバイス:柔軟プラスチック上のPLEDを例示することが与えられる。その様なデバイスは次の構造を具備することができる:実施例32に記載のデバイスと似た、カーボンナノチューブ(CNT)シート/PEDOT:PSS/MEH−PPV/カルシウム/アルミニウム。上記デバイスを製造するため自立型のカーボンナノチューブ(CNT)ナノファイバーシート(図85で8505として表示)が可撓性プラスチック(ポチエチレンテレフタレート(PET)またはポリ(エチレン−2,6−ナフタレート(PEN))の基板上に設置される。未高密度化シートは基板に弱く結合し非常に容易にこすり落としできる。その後の加工中にこれが起こらないように注意しなければならない。次いで上部にCNTシートを備えた基板は高密度化される。高密度化は基板をメタノールまたはエタノールのビーカの中に置くことで実行される。基板は垂直に把持され、シート配向方向にそって溶剤中に浸漬される。次いで基板はクロスの上に設置し乾燥させる。この浸漬および乾燥は2回以上実行される。CNTシートは今や高密度化され、約200nmの厚さを有する。この高密度化シートから
溶剤が乾燥された後、正孔注入ポリマーPEDOT:PSS(8504として表示)の数層が堆積される。PEDOT:PSS(バイエル社)はCNT基板に堆積する前にろ過される。第一層は21500rpm/秒の初期加速を有する6100rpmのスピン速度で20秒堆積される。プラスチックシリンジはPEDOT:PPSの水溶液で充填される。スピニングが開始され、溶液は加速がまだ続いている間に直ちに基板上に滴下される。これによりPEDOT:PPSの薄膜が形成される。基板はこれから120℃で30分間ベーキングされる。PEDOT:PPSの第二の層はより遅い加速度160rpm/秒の、しかし同じターゲット速度6100rpmで20秒のスピンプロセスを使用して堆積される。しかし、溶液を滴下する前に回転開始された第一膜とは異なり溶液はスピニング開始前に基板上に滴下される。次いでこの膜は前述の120℃×30分の条件でベーキングされる。第三および第四の層は第二の層に使用されたのと同じ条件を使用して堆積される(6100rpm、160rpm/秒加速、20秒)。各堆積の後120℃×30分でベーキングされる。デバイスの放射層(8503層)は0.2重量%のMEH−PPVのクロロホルム溶液から製造される。MEH−PPV溶液はCNTシートおよびPEDOT:PSS膜を含有する基板の上に滴下(即ち、堆積)される。スピニングは3400rpm/秒の初期加速を備えた3000rpmの速度で30秒行われる。スピニングが開始され、直ちにMEH−PPV/クロロホルムの溶液が加速されている基板の上にプラスチックシリンジから滴下される。1個のMEH−PPV膜がデバイス上に製造される。次いでMEH−PPV膜はアルゴン充填のグローブボックス内で一晩乾燥される。デバイス製作は図85のCNT/PEDOT:PSS/MEH−PPV構造の上に陰極を堆積させて終了となる。陰極の堆積は熱堆積装置のある高真空チャンバーで行われる。カルシウム(図85の8502)およびアルミニウム(8501)が、分離された源から一回のポンプダウンサイクルで堆積される。堆積開始前のチャンバー内ベース圧力は、<2×10−6トルである。基板の所望の位置に陰極を配置するためにシャドウマスクが使用される。カルシウムは最初に0.5Å/秒で堆積される。100ÅのCaが堆積された後、速度は60秒に渡って2Å/秒に立ち上げられる。この速度は300Åのカルシウムが堆積されるまで保持される。次いでアルミニウム(Al)は1200Åが堆積されるまで5Å/秒の一定速度で堆積される。試験の結果では実施例32に記載のそれと同じ結果が示される。
この実施例により、本発明の実施形態に従った、ディスプレイガラスまたは可撓性プラスチックの上のカーボンナノチューブベースの低分子OLEDを例示することが与えられる。このデバイスは前記のポリマー型のデバイスと類似であるが、しかし、活性層としてポリマー膜の代りに熱的に蒸発された分子膜が組み込まれる。デバイス構造は以下である:図86に示される様にカーボンナノチューブ(CNT)シート/PEDOT:PSS/α−NPD/Alq3/アルミニウム。上記デバイスを製造するために、自立型カーボンナノチューブ(CNT)シート(8606)がコーニング1737ディスプレイガラス(8607)または可撓性プラスチック(PETまたはPEN,8608)の上に配置される。シートは基板に弱く結合し、非常に容易にこすり落としできる。その後の加工中にこれが起こらないように注意しなければならない。次いで上部にCNTシートを備えた基板は高密度化される。高密度化は基板をメタノールまたはエタノールのビーカの中に置くことで実行される。基板は垂直に把持され、シート配向方向に沿って溶剤中に浸漬される。次いで基板はクロスの上に設置し乾燥させる。この浸漬および乾燥は2回以上実行される。CNTシートはそれから高密度化され、約200nmの厚さを有する。この高密度化CNTシートから溶剤が乾燥された後、正孔注入ポリマーPEDOT:PSS(8504として表示)の数層が堆積される。PEDOT:PSS(バイエル社)はCNT基板に堆積する前にろ過される。第一層は21500rpm/秒の初期加速を有する6100rpmのスピン速度で20秒堆積される。プラスチックシリンジはPEDOT:PPSの水溶液で充填される。スピニングが開始され、溶液は加速がまだ続いている間に直ちに基板上に滴下される。これによりPEDOT:PPSの薄膜が形成される。基板はこれから120℃で30分間ベーキングされる。PEDOT:PPSの第二の層はより遅い加速度160rpm/秒の、しかし同じターゲット速度6100rpmで20秒のスピンプロセスを使用して堆積される。溶液はスピニング開始前に基板上に滴下される。次いでこの膜は120℃×30分の条件でベーキングされる。第三および第四の層は第二の層に使用されたのと同じ条件を使用して堆積される(6100rpm、160rpm/秒加速、20秒)。各堆積の後120℃×30分でベーキングされる。デバイスの輸送層(8603)および放射層(8604)は熱堆積源を備えた高真空チャンバー内で製造される。層は有機物粉末を含んだ抵抗加熱性タングステンまたはモリブデン製のボートで2×10−6トルベース圧力で堆積される。第一層(αNPD、正孔輸送層:8603)は存在するCNT/PEDOT−PSS層の上に1Å/秒の一定速度で700Åに蓄積されるまで堆積される。第二層(Alq3、放射および電子輸送層:8604)は1Å/秒で500Åに蓄積されるまで堆積される。チャンバーは次いで圧力開放され基板上に陰極堆積に使用されるシャドウマスクが配置される。チャンバーは再度ポンプ排気され、構造体の上にフッ化リチウムおよびアムミニウムの2層の陰極が堆積される。フッ化リチウムの層は10Åの厚さが蓄積されるまで0.1Å/秒の速度で堆積される。アルミニウムの最後の層は最初に0.2Å/秒で堆積される。一旦100Åが堆積された後、速度は60秒に渡って5Å/秒に立ち上げられる。この速度は1200Åのアルミニウムが堆積されるまで保持される。
本実施例により、図87および88に示される様に、アクティブマトリクス用の駆動エレクトロニクスを構築するためのボトムアップ構造体を具備したカーボンナノチューブベースのPLEDを例示することが与えられる。デバイス構造は以下である:アルミニウム/カルシウム/MEH−PPV/PEDOT:PSS/CNTシート。上記デバイスの製作は、図87のディスプレイガラス8706層またはn型シリコン(図88の8806)で開始される。基板はシャドウマスクの上に置かれ、熱的蒸発金属のためのタングステンまたはモリブデンの源を備えた真空チャンバー内に配置される。図87のボトムアップOLEDの製作のためにアルミニウム層(8705)が最終厚さ1000Åを得るまで5Å/秒の速度で堆積される。次いで300Å厚さのカルシウム層(8704)が同様に5Å/秒の速度で堆積される。金属コートされた基板はカルシウム膜が酸素に暴露されないようにするため真空チャンバーから直接不活性雰囲気に移動される。不活性雰囲気に閉じ込めたままで、MEH−PPVの膜(8703)が0.2重量%のMEH−PPVクロロホルム溶液から基板上にスピンキャストされる。加速するスピナーに溶液を滴下するためにシリンジが使用される。膜を堆積させるために、3400rpm/秒の加速を有する3000rpmのスピン速度で30秒の継続時間が使用される。その後の膜堆積の前にその膜は一晩乾燥される。膜の乾燥の後、数層のPEDOT:PSSが追加される(8702)。第一層は約160rpm/秒の加速のスピナーで開始され、直ちにシリンジから基板上に溶液を滴下することによって堆積される。ターゲット速度は6100rpmで、堆積の持続時間は20秒である。引き続く層は同じスピニングパラメータを使用するが、溶液はスピナーの回転する前に基板上に滴下される。各膜が堆積された後、120℃で30分ベーキングされる。デバイス製造の最終ステップのために、Al/Ca/MEH−PPV/PEDOT:PSSを備える基板はスタンドに設置され、存在する膜の上部に自立型のナノチューブシート(8701)が配置される。シートはそれから、基板に弱く結合される。基板全体は垂直に保持されナノチューブシートの配向と同じ方向に動かす浸漬でエタノールまたはメタノールのビーカ中に浸漬される。各浸漬の間に溶剤を乾燥させながら、これは数回繰り返される。
本実施例により、図89に示されるようなカーボンナノチューブシートを陽極および陰極の両方に使用することに基づいた基本的に透明なPLEDを例示することが与えられる。ナノチューブ陽極は本発明の幾つかの実施形態に従ってディスプレイガラスまたは可撓性プラスチックの上に設置される。その様なデバイスは以下の構造を具備する:CNTシート/PEDOT:PPS/MEH−PPV/カルシウムコートされたCNTシート。上記デバイスを製造するために、自立型カーボンナノチューブ(CNT)シート(8904)がコーニング1737ディスプレイガラス(8905)または可撓性プラスチック(PETまたはPENなど)の上に配置される。そのシートは基板が弱く結合し非常に容易にこすり落としできる。その後の加工中にこれが起こらないように注意しなければならない。次いで上部にCNTシートを備えた基板は高密度化される。高密度化は基板をメタノールまたはエタノールのビーカの中に置くことで実行される。基板は垂直に把持されシート配向方向に沿って溶剤中に浸漬される。次いで基板はクロスの上に設置し乾燥させる。この浸漬および乾燥は2回以上実行される。CNTシートはそれから高密度化され、約200nmの厚さを有する。この高密度化シートから溶剤が乾燥された後、正孔注入ポリマーPEDOT:PSS(8903)の数層が堆積される。PEDOT:PSS(バイエル社)はCNT基板に堆積する前にろ過される。第一層は6100rpmのスピン速度(21500rpm/秒の初期加速を有して)で20秒堆積される。プラスチックシリンジはPEDOT:PPSの水溶液で充填される。スピニングが開始され、溶液は加速がまだ続いている間に直ちに基板上に滴下される。これによりPEDOT:PPSの薄膜が形成されるが、それは基板にCNTシートの増加された接着性を与える機能がある。基板はそれから120℃で30分間ベーキングされる。PEDOT:PPSの第二の層はより遅い加速度160rpm/秒の、しかし同じターゲット速度6100rpmで20秒のスピンプロセスを使用して堆積される。しかし、溶液を滴下する前に回転開始された第一膜とは異なり溶液はスピニング開始前に基板上に滴下される。次いでこの膜は120℃×30分の条件でベーキングされる。第三および第四の層は第二の層に使用されたのと同じ条件を使用して堆積される(6100rpm、160rpm/秒加速、20秒)。各堆積の後120℃×30分でベーキングされる。放射層(8902)を追加する前に、カルシウムで自立型CNTシートをコーティングする必要がある。これは蒸発金属源としてタングステンまたはモリブデンを備えた真空チャンバー中で行われる。チャンバーは、<2×10−6トルのベース圧力までポンプ排気され、カルシウム層は300Å厚さに堆積されるまで1Å/秒で堆積される。デバイスの放射層(8902)は0.15重量%のMEH−PPV溶液でシリンジを使用して基板の上に滴下キャスティングして製作される。膜をスピニングする代わりに基板を垂直に傾け過剰な溶液を吸収性で無塵のクリーンルームクロスの上に流し落とすことができる。基板を再び水平に配置し、コートされた物がまだ湿っている間に自立型CNTシート(8901)がその膜のカルシウム側の上に配置される。これは不活性雰囲気中で一晩乾燥される。乾燥後、CNTナノファイバーシート(8901)は非常に小さい濃度のMEH−PPVを含有するメタノールまたはエタノール溶液を使用して不活性雰囲気中で高密度化される。基板はCNTシートの配置方向に沿って垂直に滴下される。数時間の乾燥で溶剤が取り除かれ、デバイスは使用可能になる。
図90に透明導電性電極としてカーボンナノチューブリボンが前表面にあるナノチューブリボンをベースにした有機ソーラー電池または光検出器が描かれる。図90に見られるように、有機ソーラー電池または光検出器はガラス基板9005の上に形成できる。最初にアルミニウム電極9004がガラス基板の上に堆積される。ITOコートされたガラス基板(〜85%光透過率で<15オーム/□の)はDelta Technologies社から得られた。EL−グレードPEDOT−PSSはバイエル社から購入した。RR−P3HTおよびPCBMはAmerican Dye Sourceから購入した。全ての材料は更なる精製なしに受領した状態のままで使用された。本出願人らは各基板に各々〜9mm2の面積を有する4個のデバイスを製作した。ITOコートガラス基板は予め酸素ガスの下で5分間プラズマ処理(柔軟基板では90秒)によってエッチングおよび浄化された。次いでPEDOT:PSS 9003の層が基板に6100rpmでスピンコートされ30−35nm層が創出され、試料は〜120℃で100分加熱により乾燥された(フィルム基板に対しては110℃で60分)。光活性材料は最適に分散されるまで3−7日間磁気撹拌機で分散された。約1:2比のPCBMおよびRR−P3HTよりなるトルエン溶液を使用して、溶液が試料の上に700rpmでスピンコートされ50−60nm層が創出された。最終層は65%RR−P3HTおよび35%PCBMよりなる層9002であった。カーボンナノチューブリボン9001が次いで堆積された。表面プロファイラ(AMBIOS XP−1)が膜厚を測定するために使用された。次いで最終デバイスは所望の温度で所望の時間グローブボックス中のホットプレートの上でアニールされた。有機半導体または有機のp−型およびn−型の半導体混合物がこの電極の上に堆積された。ソーラー電池はカーボンナノチューブナノファイバーのシートを適用して完成された。場合によりナノチューブシートは吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化されることができる。シート中に吸収された溶剤の急速な蒸発により、高密度化をもたらすシートの厚さ方向の収縮が引き起こされる。
図90に示したように、実施例70のようにして本発明の実施形態に従ってプラスチック基板上に(ポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレート)に有機ソーラー電池または光検出器が形成される。
図91はガラス基板上に底部透明導電性電極としてカーボンナノチューブリボンをベースにしたソーラー電池または光検出器を示す。第一に整列したカーボンナノチューブシート9104がガラス基板に堆積される。整列したカーボンナノチューブシート9104の拡大SEM画像が図91の左側に示される。ナノチューブシートは場合により吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。シート中の急速な溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。次いでPEDOT:PSS9103が表面に6100rpmでスピンコートされ30−35nmを創出した。試料はグローブボックス中〜120℃で100分加熱により乾燥された(フィルム基板に対しては110℃で60分)。有機半導体または有機のp−型およびn−型の半導体混合物9102がこの電極の上に実施例70のように堆積された。ソーラー電池はアルミニウム電極9101の適用(典型的には熱真空堆積)で完成された。
本実施例により実施例72のような可撓性プラスチック基板(ポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレート)の上に底部透明導電性電極としてカーボンナノチューブリボンをベースにしたソーラー電池または光検出器を例示することを与える。第一に整列したカーボンナノチューブシートがガラス基板に堆積される。ナノチューブシートは場合より吸収された液体の表面張力効果で高密度化される(上記のように)。シート中の急速な溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。有機半導体または有機のp−型およびn−型の半導体混合物がこの電極の上に実施例70のように堆積された。ソーラー電池はアルミニウム電極の適用(典型的には熱真空堆積)で完成された。
本実施例は、本発明の幾つかの実施形態に従って2個の透明CNTシートで透明なソーラー電池の製作を例示することを与える。図92により、上部および底部の透明導電性電極としてカーボンナノチューブのリボン/シートをベースとしたソーラー電池または光検知器が図示される。第一にカーボンナノチューブシート9204が固体ガラスまたは可撓性プラスチック基板に堆積される。ナノチューブシートは場合より吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。シート中の急速な溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。非常に薄いAl層9203(<100nm)が次いでCNTシートの上部に堆積される。有機半導体または有機のp−型およびn−型の半導体混合物9202がこのAlコート電極の上に堆積される。有機層の厚さが薄いため活性有機層は透明である。透明デバイスはカーボンナノチューブシート9201の適用で完成される。ナノチューブシートは場合より吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。シート中の急速な溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。透明なソーラー電池は例えば、スマートウィンドウまたはスマート多機能天井またはビルディングカバーに使用できる。
図93により上部の透明導電性電極としてカーボンナノチューブリボン/シートをベースとした連結型ソーラー電池または光検知器が図示される。第一に底部反射性アルミニウム電極9302が基板9301に堆積される。有機半導体または有機のp−型およびn−型の半導体混合物9303がこの電極の上に堆積される。第一のソーラー電池は透明な分離層(電荷再結合層ともいわれる)としてカーボンナノチューブシート9304を適用して完成される。ナノチューブシートは場合より吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。シート中の急速な溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。薄いアルムニウム層9305は場合により第一セルの適用前に電圧損失を減じるためにナノチューブシート電極の上に堆積できる。第二の有機半導体層または有機のp−型およびn−型の半導体混合物9306がこの電極の上に堆積される。連結型ソーラー電池はカーボンナノチューブシート9307の適用で完成される。再度、その様なナノチューブシートは場合により吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。
本実施例により、ソーラー電池における光吸収の増強のための電荷収集体および3次元構造性による電荷生成およびナノアンテナ効果に関するカーボンナノチューブの追加的機能性が例証される(図94)。有機材料とカーボンナノチューブの間の大きな界面およびナノスケール形態は光誘起の電荷移動、電荷分離および収集を大幅に改善する。これは有機材料とカーボンナノチューブの間の追加的な光誘起電荷移動によるスペクトル感度の拡がりという実験的事実である(図94)。広がって整列したCNTシートの特質により、ドナーとアクセプタ材料の間の形態が改善できそして赤外範囲までのスペクトル感度を広げることができる。単純化選択則により、直接的光吸収による局在化したプラズモン励起が小さい金属ナノ粒子において起こり得ることが良く知られている。励起されたプラズモンは、ショットキーバリアを乗り越えることができる金属中で光励起された電子の量を増加に導くことができる。この目的で金属ナノ粒子で修飾されたカーボンナノチューブが試験された。励起表面プラズモン近傍の高い電界強度は同様に有機マトリクス中の光子の吸収を増加に導くことができる。したがって表面プラズモン効果は有機材料が多く吸収しないスペクトル領域の有機ソーラー電池における光電流の増加に導くことができる。カーボンナノチューブおよび金属コートナノファイバーにおけるプラズモン励起はCNTベースのソーラー電池および光検出器のUVスペクトル感度を増加できる。吸収スペクトルはPerkin Elmer Lambda 900 UV−Vis−NIR分光光度計で測定された。電流−電圧特性はKeithley 236ソースメジャーユニットで記録された。ソーラシュミレータ(Spectra−physicsおよびフォーカスレンズからのAM0およびAM1.5フィルターを備える150Wキセノンランプ)を100mW/cm2で光強度較正して、ソーラー電池効率測定のための光源に使用された。報告された効率測定はスペクトルミスマッチのため修正されなかった。
本実施例は偏光感応性検出器に埋め込まれた透明カーボンナノチューブシートを示す。配列CNTシートの高い異方性により、図97のI−V曲線で示されるように偏光度比を25%増加させることを可能にする。広帯域(300nm−10μm)の偏光感応性検出器は、上部の透明な偏光電導電極としてのカーボンナノチューブリボン/シートおよびガラスまたはプラスチック基板上に堆積されたアルミニウムボトム電極を具備する。この電極に有機半導体または有機p型およびn型半導体の混合物が堆積される。高い偏光度比が有機層の機械的ラビングまたはその他の手段(例えば電界整列)によって達成される。ソーラー電池はカーボンナノチューブシートの適用によって完成される。ナノチューブシートは場合より吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。シート中の急速な溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。偏光度比はAl電極からの反射戻りの光を偏光するためにAlボトム電極上に付加的CNTシートを配置することによって付加的に増加できる。
本実施例は図98に示したようにカーボンシートにAu、Ptのような大きな仕事関数の金属の薄膜の堆積によって電気伝導性を改善しカーボンナノチューブの仕事関数を調整する方法を示す。シート抵抗は100オーム/□の少なくとも1/5まで低下できる。Au、Ptのような高い仕事関数金属のコートにより自立型CNTシートはソーラー電池の陽極として使用できる。図98はAu/PdコートされたカーボンナノチューブシートのSEM画像を示す。
本実施例はそのようなカーボンシートにAl、またはCaのような低い仕事関数の金属の薄膜を堆積させてカーボンナノチューブシートの仕事関数を調整し、電気伝導性を改善する方法を示す。シート抵抗は100オーム/□の少なくとも1/5まで低下できる。AlまたはCaのような低い仕事関数金属のコートにより自立型CNTはソーラー電池の陰極として使用できる。
幾つかの実施形態において、本発明は薄い透明な有機トランジスタまたは光トランジスタに広く適用でき、それはCNTシート電極、薄い透明なアンダーゲート絶縁体(無機または有機)および有機光活性層を具備し、ディスプレイおよび光検出器用のものを含めた様々な透明集積回路の製作に使用できる。図99にボトム透明伝導電極としてカーボンナノチューブリボン/シートをベースにした透明光トランジスタが描かれる。第一に底部の透明CNTシート電極9902が基板9901に堆積される。SiO2またはAl2O3またはパリレンのようなポリマー絶縁体がゲート誘電体9903の上部にコートされる。ソース9904およびドレイン電極9905絶縁層の上部に2個の透明カーボンナノチューブリボンを配置することにより形成される。その構造体の上部に有機半導体または有機のp−型およびn−型の半導体混合物9906を堆積させることにより透明な光トランジスタが完成される。ナノチューブシートは場合より吸収された液体の表面張力効果を使用して高密度化される。シート中の溶剤蒸発は厚さ方向に収縮を引き起こし高密度化に導く。このデバイスの透明性によりソース−ドレインの電流の光調節が可能になり、光学的なチップからチップへの情報移送に役立つ。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従った透明なナノファイバー−金属酸化物の光電極の調整を例示することが与えられる。実施例18および21のプロセスによって製造された透明ナノチューブシートが、ガラス基板の上に配列したシート堆積物として堆積された。シート中でナノチューブは良好に配列しているので電気的および光学的特性は異方性である。図101を参照して透明で多孔性のナノファイバー電極10102が本発明によって製作された。金属酸化物ナノ粒子(例えば10−20nmTiO2ナノ粒子)を包含する半導体光電極10103は、約10−20μm厚さの膜を形成するために透明な多孔性ナノファイバー電極10102の粗い表面の上に印刷法またはソルゲル法でコートされた。焼結およびアナターゼ相の形成が450℃の不活性雰囲気中で30−60分実行された。焼結後、層は0.5〜0.6の空孔率を示す。赤色色素の単分子膜が高度に多孔性のナノファイバー−金属酸化物電極に含浸によって組み込まれた。例えば、ルテニウム色素−IIシス−ジチオシアナート−N,N’−ビス(2,2’−ビピリジル−4,4’−ジカルボン酸)−(H2)(TBA)2RuL2(NCS)2(H2O)4増感剤の無水エタノール溶液で100ml溶液当たり20mgの濃度で行われた。含浸プロセスは一晩実行された。電極はエタノールで洗浄され、次いで乾燥された。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、マイクロ波照射によって透明なナノファイバー−金属酸化物光電極の調整の例示が与えられる。図101を参照してプラスチック基板の上に透明な多孔性ナノファイバー電極10102が実施例81によって製作された。金属酸化物ナノ粒子(例えば10−20nmTiO2ナノ粒子)を包含する半導体光電極10103は、約10−20μm厚さの膜を形成するために透明な多孔性ナノファイバー電極10102の粗い表面の上に印刷法またはソルゲル法でコートされた。急速焼結およびアナターゼ相形成はマルチモードのマイクロ波加熱で実行され、周波数は2−30GHzの変更範囲から選択して、約1kWの出力で5分間であった。焼結後、層は0.5〜0.6の空孔率を示す。赤色色素の単分子膜が高度に多孔性のナノファイバー−金属酸化物電極の表面に含浸によって組み込まれた。例えば、ルテニウム色素−IIシス−ジチオシアナート−N,N’−ビス(2,2’−ビピリジル−4,4’−ジカルボン酸)−(H2)(TBA)2RuL2(NCS)2(H2O)4増感剤の無水エタノール溶液で100ml溶液当たり20mgの濃度で行われた。含浸プロセスは一晩実行された。電極はエタノールで洗浄され、次いで乾燥された。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、ナノファイバー還元電極の調整の例示が与えられる。図101の透明な多孔性還元電極10105が本発明の実施形態によって製作された。対向電極のプラチナ化が不要である。それは、ナノファイバーが電荷収集電極および触媒の両方で機能するからである。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、色素増感ソーラー電池の調整の例示が与えられる。色素増感ソーラー電池は半導体光電極および実施例81−82で得られたナノファイバーシートの還元電極の使用により調整される。これら2つの電極はスペーサを用いて、電極間の分離を50−100μmに保持される。電荷伝導剤がこれら2個の電極の間の空間に導入され、シールされる。電荷伝導剤は液体中で酸化還元対であってもよい。以下の酸化還元電界質が挙げられる:(1)TG−50ヨードライト(Solaronix);(2)低粘度で低沸点(bp163−165℃)を有するメロキシプロピオニトリルに基づいた物;(3)同様に低粘度だが、高沸点(bp206℃)を有するγ−ブチロラクトンに基づいた物、または疑似固体状態電解質、または(ポリ(3−ヘキシルチオフェン)など)共役ポリマーのような固体状態正孔伝導体、またはTPDのような有機低分子物発現の固体状態正孔伝導体。光増感色素または量子ドットから発生した電子は、3次元的に分布したナノファイバーを含む高度に電導性のナノ多孔性のナノファイバーシートを使用して容易に外部回路に移動されることができる。選択的に好ましくは本発明のカーボンナノファイバーシートである。加えて電極は薄い柔軟で透明な基板を使用して柔軟で、軽量にできる。その様なソーラー電池は携帯用デバイスに使用できる。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、透明な色素増感ソーラー電池(DSC)の調整の例示が与えられる。色素増感ソーラー電池は実施例81−83から得られる透明な半導体光電極および透明な酸化還元電極を使用して調整される。透明なDSCを有するために、上部の光電極の厚さは10μmに限定される。多層カーボンナノチューブナノファイバーリボン/シートの厚さは1−2層に限定される。両電極はスペーサによって10−100μmの間隔を維持する。電荷伝導剤は2個の電極の間の空間に導入されシールされた。電荷伝導剤は液体中で酸化還元対であってもよい。以下の酸化還元電界質が挙げられる:(1)TG−50ヨードライト(Solaronix);(2)低粘度で低沸点(bp163−165℃)を有するメロキシプロピオニトリルに基づいた物;(3)同様に低粘度だが、高沸点(bp206℃)を有するγ−ブチロラクトンに基づいた物、または疑似固体状態電解質、または(ポリ(3−ヘキシルチオフェン)など)共役ポリマーのような固体状態正孔伝導体、またはTPDのような有機低分子物発現の固体状態正孔伝導体。光増感色素または量子ドットから発生した電子は、3次元的に分布したナノファイバーを使用して更に容易に外部回路に移動されることができる。選択的に好ましくは本発明のカーボンナノファイバーシートである。加えて電極は薄い可撓性で透明な基板を使用して可撓性で、軽量にできる。その様なソーラー電池は携帯用デバイスに使用できる。
本実施例により、色素増感ソーラー電池(DSC)の性能は、本発明の多層ナノチューブ透明シートでできた透明陽極に単層ナノチューブをコーティングすることによる単層ナノチューブの触媒的電気化学的特性によって改善できることが例証される(図102のその様な電極のSEM画像参照)。このプロセスにより、本出願人らは正孔のSWNTコートされた陽極への電気化学的電荷移動が増強されることを示す。本実施例により、光電気化学的デバイス、すなわちGraetzel電池のための有効な陽極である複合ナノチューブシートの製作の方法が同様に記載される。ルテニウム色素−IIシス−ジチオシアナート−N,N’−ビス(2,2’−ビピリジル−4,4’−ジカルボン酸)−(H2)(TBA)2RuL2(NCS)2(H2O)4(Dyesol,B2/N719)がTiO2粒子の増感剤として使用された。調整された溶液は無水エタノール(CH2CH2OH)中の3×10−4 M Ru(II)色素であった。色素の化学式はRuC58H86N8O8S2・4H2Oである。電解質はヨウ化物ベースの酸化還元電解質−iodolyte TG−50(「Solaronix」から)であった。導電性基板をコートされた多孔性チタニア、TiO2(「Dyesol」から)で、フッ素ドープSnO2オーバレイヤーがあり、透過率>85%の物が、DSC電池アセンブリ中の光電極として使用された。TiO2を増感する前にそれは450℃で30分焼結された。アニールした膜は、エタノール溶液を含む3×10−4 M Ru(II)色素に一晩(〜12時間)室温で浸漬された。TiO2電極はそれがまだ暑い(即ちその温度は約80℃であった)間に浸漬された。色素吸着が完成した後で電極はN2気流中で乾燥された。典型的電解質はヨードライトTG−50(Solaronixから)であり、しかしその他の電解質も試験された。対向電極はガラス基板上の整列多層カーボンナノチューブ(MWNT)シートで調整された。シートの上部は単層ナノチューブ(SWNT)の分散液が3ステップ法で堆積された:(i)ろ過膜上で精製されたナノチューブの希薄で、界面活性剤ベースの懸濁液を真空ろ過(ろ過膜上に均質な膜を形成);(ii)純水で界面活性剤を洗浄;および(iii)ろ過膜を溶剤に溶解。可溶性フィルターはMillipore(GS−0.22)から得た。SWNTの分散液を作るため100mlの界面活性剤(トリトン−1000)に約0.3mgのSWNT(Carbon Nanotechnologies 社 HiPco)が使用された。3mlのSWNT分散液が脱イオン水500mlに添加され、ナノチューブインクが作られた。必要な材料が調整された時、光のおよび対向の電極は互いにオフセットにして共に配置された。各電極のストリップが接触ポイントとして機能した。電極を共に保持するために2個のバインダクリップが使用された。
本実施例はDSCの性能が多数のナノチューブシートを使用することによって更に増加できることを示す:測定はMENTシートの電通密度−電圧特性はITOだけを対向電極として使用した場合に得られる電通密度−電圧特性と匹敵することを示す。MWNTシートは電気化学的触媒として機能するが、非常に薄い電極の高い直列抵抗のために効率は通常のITOベースのDSCに対するそれよりも低い。しかし、MWNTシートの数を増加した場合、測定は酸化還元電解質システム中に高い電気化学的活性が示され、そして短絡回路電流(ISC)はMWNTシートの数と共に増加する。層数の増加のために電解質とMWNTの接触面積が増加する。加えて電極の直列抵抗が減少する。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従って、連結型ソーラー電池を調整する例示が与えられる。図103は多重結合ソーラー電池(または連結型ソーラー電池)を示し、その中で上部の透明電極は10301で描かれ、透明な分離層10304が可視光スペクトル選択性を有する単一結合ソーラー電池層(セル1、パーツ10301−10304)とソーラー光スペクトルの近赤外に選択な部分(セル2、パーツ10304−10308)の間にある。連結ソーラー電池は2つの区画電池を具備する。上部区画は色素または量子ドットの増感ソーラー電池であり、実施例83の記載方法で調整された。第一区画中の多孔性金属酸化物層10302は平均直径10−20nmのナノ粒子を含む。高度に多孔性のナノファイバー金属酸化物電極の表面には赤色色素分子10308ルテニウム色素−IIシス−ジチオシアナート−N,N’−ビス(2,2’−ビピリジル−4,4’−ジカルボン酸)−(H2)(TBA)2RuL2(NCS)2(H2O)4の単分子膜が例えば、RuC58H86N8O8S2・4H2O のエタノール溶液の含浸によって付着される。この多孔性層10302は、次いで酸化還元電解質で含浸される。2つの区画は透明な非多孔性の金属酸化物マトリクスを埋め込こまれた透明な電気伝導性ナノファイバーシート10304で分離される。この透明な分離電極は対象とする領域で少なくとも70%の透過率を有する。第二区画は実施例83に記載の方法で調整された赤外線量子ドットの増感ソーラー電池である。第二区画の多孔性金属酸化物層10305は平均直径50−300nmのナノ粒子を含む。赤外量子ドット増感の単分子膜は高度に多孔性のナノファイバー金属酸化物電極の表面に付着され、それはヘキサン溶液による含浸、または金属酸化物の孔の内側におけるその場の量子ドット成長によって行われる。赤外線量ドット増感剤には、例えばPbSeまたはPbSの電荷多重化特性を有する半導体ナノ結晶が挙げられる。次いでこの多孔性層は酸化還元電解質10306で含浸される。
本実施例により、本発明の幾つかの実施形態に従った、ダブルシートの電荷分離層を備える連結型ソーラー電池の調整の例示が与えられる。色素増感の連結型ソーラー電位は、実施例88で得られた半導体光電極および還元電極で調整された。連結におけるダブルシートの電荷分離層は、p型(高い仕事関数)の透明ナノチューブシートが第一接合に面していて、一方第一接合の上にコートされたn型(低い仕事関数)ナノチューブシートは第二接合からの電子を収集する層として機能する。連結における電荷分離層の仕事関数の調節および電気伝導性は、一方の側のカーボンシート上に金Au(50nm)の薄膜の堆積によって達成され(それはシート抵抗を100オーム/□の1/5に低下する)、そして残りの側が低い仕事関数の金属(AlまたはCaなど)でコートされる。
本実施例は弾性的に変形可能なナノチューブシートが実施例32のプロセスで製造でき、ナノチューブシートの伸長に対するナノチューブシート抵抗の重要な依存性を生成することなく弾性的に変形できるようにナノチューブシートの性能を維持しながら第二の弾性シリコーンゴムシートでオーバコートされることを示す。この例証の重要性は、1層以上の作動材料(シリコーンゴムのような電歪ゴムなど)および2個以上の電極を含む高歪みアクチュエータの堆積物の製作が可能である、ということである。実施例32のシリコーンゴム付着の弾性的なナノチューブシートの製作の後伸長は緩和され、第二のシリコーンゴムシートはカーボンナノチューブシートをシリコーンゴム樹脂で液体コーティングし、次いでシリコーン液体樹脂を硬化させることによってカーボンナノチューブシートの上部に付着させる。このプロセスの後(2個のシリコーンゴムシートの間で弾性的に変形可能なナノチューブシートを製造する)において、発明者らはナノチューブシート(および付帯するシリコーンゴムシート)は、ナノチューブシートの抵抗値に重要な変化を引き起こさないで高度に伸長できることを見出した。このプロセスは弾性シートの間に1個以上のナノチューブシート電極を含む弾性的に変形可能な堆積物の製造に好適に拡大でき、そしてナノチューブシート電極と弾性シート電極を交互に重ねる数は任意な大きさである。本実施例および実施例32の方法は1個以上の導電性ナノチューブシートを具備する膨張可能なバルーンの製造に使用することができる。導電性バルーン形成のプロセスを開始するために、初期の内側のバルーン層は場合によりガスまたは液体を使用してまたは未膨張状態で心棒に形成させて膨張でき、その後で第一のナノチューブシートの適用前に膨張を解除することができる。
本実施例により、図63で概略的に示した可撓性および/または弾性的な透明アンテナが記載される。その様なアンテナは場合により、剛性のまたは可撓性の(および/または弾性的な)以下の構成要素を備える絶縁性基板を積層して製造できる:マイクロストリップラインの形のリモートフィーダであり、その様なフィーダは薄い絶縁層で分離されラジエータ/レシーバの層の下に配置され、フレキシブルまたは弾性材料の上に積層された透明で配向されたナノファイバーリボンで製造できる。レシービングモードにおけるその様なアンテナは、高周波認証(RFID)システムに使用できる。本発明の実施形態のナノファイバシートの透明性を反映して、ナノファイバーベースのアンテナは透明であってもよい。この透明性により、例えば、タグと一緒になってその下にあるバーコードを読み取ることが可能になる。デバイスの構成および構成要素は図63に示される。前記アンテナの構成要素6301は基板6301、整列したナノチューブのラジエータ/レシーバ、プレート6302およびナノチューブのシートまたは糸のアレイフィーダ6303、および薄い絶縁性分離層6304で構成される。シート6302のパターニングによりアンテナの周波数調節が可能になる。場合によりその様な弾性アンテナは1つのユニホームサイズで製造でき、次いで所望のサイズおよび所望のアンテナ特性を得るために伸長することができる。
Claims (63)
- ナノファイバーを含む糸を製造する方法であって、
(a)第一方向に整列した実質的に平行なナノファイバーの配列を含む予備的主要アセンブリを与えるステップと、
(b)周りで撚りが発生できる整列軸を有するナノファイバーの主要アセンブリを与えるために予備的主要アセンブリから引き出すステップであって、前記引き出しの方向および前記整列軸は90°と60°の間の前記第一方向に対する角度である、ステップと、
(c)撚り糸を製造するために前記主要アセンブリの整列軸の周りで前記主要アセンブリを撚糸し、ここで、前記主要アセンブリは前記予備的主要アセンブリにおいて実質的に平行なナノファイバーの前記配列の側面で楔基部から延長しているナノファイバーリボン楔として連続的に前記撚り糸に集成する、ステップとを含む方法。 - 前記ナノファイバーが、実質的に平行なナノファイバーの配列を形成するよう化学的に合成される、請求項1の方法。
- 前記予備的主要アセンブリがナノファイバー糸ではない、請求項1の方法。
- 前記予備主要アセンブリを与える工程が、機械的引き出し方法により前記予備的主要アセンブリを形成することを含まない、請求項1の方法。
- 前記ナノファイバーの重要な構成要素のナノファイバー軸と直交する最大厚さが最大100nmである、請求項1〜4のいずれか1項の方法。
- 前記ナノファイバーの重要な構成要素のナノファイバー軸と直交する最大厚さが最大30nmである、請求項1〜5のいずれか1項の方法。
- ナノファイバーの最も薄い横厚さ方向において、長さ対厚さの最小比が少なくとも1000である、請求項1〜6のいずれか1項の方法。
- 撚り糸中のナノファイバーが、撚り糸円周に対するナノファイバー長さの少なくとも10の最小比を有する、請求項1〜7のいずれか1項の方法。
- 予備的主要アセンブリがナノファイバー・フォレストである、請求項1〜8のいずれか1項の方法。
- 予備的主要アセンブリがカーボンナノチューブ・フォレストである、請求項1〜9のいずれか1項の方法。
- カーボンナノチューブが10nmの直径を有する多層カーボンナノチューブである、請求項10の方法。
- フォレストの基部におけるフォレスト密度が少なくとも200億ナノチューブ/cm2または0.05g/cm3のいずれかである、請求項10または11の方法。
- カーボンナノチューブで占有されるフォレストの基部の面積の百分率が4%より高く、かつ40%未満である、請求項12の方法。
- フォレストの基部で測定された場合で、(i)フォレストにおける単位面積当たりのカーボンナノチューブの数と、(ii)カーボンナノチューブ直径との積が、0.16と1.6との間の範囲である、請求項10の方法。
- フォレストの基部領域で開始されたカーボンナノチューブの少なくとも20%が本質的にフォレストの上部まで延長する、請求項10の方法。
- フォレストの高さが少なくとも50ミクロンである、請求項10〜15のいずれか1項の方法。
- 前記フォレストは第一面および第二面を有する基板上にあり、カーボンナノチューブ・フォレストは基板の第一面および第二面上に成長する、請求項10〜16のいずれか1項の方法。
- 主要アセンブリが端部を有し、撚り糸を製造するために主要アセンブリが前記端部を中心に直接的に撚糸される、請求項1の方法。
- (a)前記ナノファイバーは多層カーボンナノチューブを含み、
(b)前記撚り糸は多層カーボンナノチューブ糸である、請求項1の方法。 - 多層カーボンナノチューブ・フォレストを支持する平面基板は回転ホルダに収容され、前記回転ホルダは撚り糸の軸に実質的に沿って整列した軸を有する、請求項19の方法。
- 撚り糸の巻き取りによって前記撚り糸を収集するステップをさらに含み、モータが撚糸および巻き取りを同時に実行するために利用される、請求項1の方法。
- マルチストランド糸を製造するために複数の撚り糸を製造し、複数の撚り糸を一緒に紡糸することをさらに含む、請求項1の方法。
- 引き出しおよび撚糸が−20℃と500℃との間の温度で実行される、請求項1〜22のいずれか1項の方法。
- 引き出しおよび撚糸の少なくとも1つが、
(a)撚り糸に沿って電流を流すことによるナノファイバーの抵抗加熱、
(b)可視光線、紫外線、赤外線、無線周波数、マイクロ波周波数およびそれらの組み合わせからなるグループより選択される領域からの電磁波照射のナノファイバーによる吸収、および
(c)それらの組み合わせ、
からなるグループより選択される加熱手段を使用した昇温状態で実行される、請求項1〜23のいずれか1項の方法。 - 予備的主要アセンブリがナノファイバー・フォレストであり、前記ナノファイバー・フォレストは非平面状基板の上に支持され、そして前記非平面状基板上のナノファイバー・フォレストの占有領域に対する最小曲率半径はナノファイバー・フォレストの最大高さの少なくとも10倍である、請求項1の方法。
- 前記基板はローラーの上で加工されるのに十分な可撓性がある、請求項25の方法。
- カーボンナノチューブ・フォレストにおいてカーボンナノチューブは少なくとも部分的に束で配列されており、個々のカーボンナノチューブは少なくとも時折1個より多くの束に含まれる、請求項10〜17のいずれか1項の方法。
- さらに糸強化剤を適用することを含み、
(a)前記糸強化剤が、摩擦助剤、電解質、結合剤、糸の熱伝導性を高める種、糸の電気伝導性を高める種、およびそれらの組み合わせからなるグループより選択される添加剤を含み、
(b)前記糸強化剤が、予備的主要アセンブリ、主要アセンブリ、および撚り糸のうちの少なくとも1つに適用される、
請求項1〜27のいずれか1項の方法。 - 前記糸強化剤が、ガス状態からの適用、液体状態からの適用、ガスプラズマによる方法、溶液からの電気化学的な方法、粒子浸潤による方法、ファイバー浸潤による方法、およびそれらの組み合わせからなるグループより選択される方法で適用される、請求項28の方法。
- 撚り糸を製造するために引き出しおよび撚糸が同時に実行される、請求項1の方法。
- 主要アセンブリは、少なくとも1mm幅を有する実質的に長方形のナノファイバーリボンである整列したナノファイバー配列を含む、請求項1の方法。
- (a)撚り糸をナノファイバー成長のための触媒で浸潤すること、
(b)化学蒸着を使用して撚り糸内部でナノファイバーを成長させること、をさらに含む、請求項1〜31のいずれか1項の方法。 - 前記予備的主要アセンブリは、ナノファイバー・フォレストを含み、前記ナノファイバー・フォレストは、フォレスト用の成長した基板から剥ぎ取られ、前記成長基板に付着されずに撚り糸に製造される、請求項1の方法。
- 1個より多くのナノファイバー・フォレストが、ナノファイバー・フォレスト用の成長した基板から剥ぎ取られ、撚り糸が製造されるナノファイバー・フォレスト層の配列をもたらすために互いを積み重ねられる、請求項9〜18および33の方法。
- 前記ナノファイバーが、基板の上に炉の成長領域の中でフォレストとして合成され、前記基板が、炉の成長領域からフォレスト中のナノファイバーが引き出しおよび撚糸される領域に連続的に移動する、請求項1の方法。
- 前記予備的主要アセンブリまたは前記主要アセンブリがパターン化されたナノファイバーアセンブリを含む、請求項1の方法。
- 前記パターン化アセンブリはナノファイバー・フォレストを含み、かつ前記パターン化されたナノファイバーアセンブリは、ナノファイバー・フォレスト成長のために使用される基板上へのパターン化された触媒の堆積、ナノファイバー・フォレストにパターンをカットすること、およびそれらの組み合わせからなるグループより選択される方法によって提供される、請求項36の方法。
- ナノファイバーの前記パターン化アセンブリは、移動する基板の上にあり、かつパターン化されたアセンブリのパターニングが基板の動きの方向に沿って配向される平行なナノファイバー細長片を提供する、請求項36の方法。
- 前記平行なナノファイバー細長片は、片撚り糸である前記撚り糸を別々に製造するために使用される、請求項38の方法。
- 前記主要アセンブリが、前記ナノファイバーを含むシートまたはリボンを含み、前記シートまたはリボンにおいて、前記ナノファイバーは、主として一方向に配向し;前記引き出すステップは、前記シートからナノファイバーの長手アセンブリを引き出すステップ、および前記長手アセンブリを撚糸して前記撚り糸を形成するステップを含む、請求項1の方法。
- 前記撚り糸の電気伝導性は、撚り糸に電気伝導性材料を取り込むことにより増加され、かつ前記電気伝導性材料は導電性ポリマー、金属、合金、およびそれらの組み合わせからなるグループより選択される、請求項1〜40のいずれか1項の方法。
- 前記主要アセンブリが、
(a)揮発性成分を含む液体を吸収すること、および
(b)その後液体中の揮発成分を蒸発させること
によって高密度化される、請求項1〜41のいずれか1項の方法。 - (a)予備的主要アセンブリは、ナノファイバーが主としてリボンの面内でかつリボンの方向に対して直交して配向されるナノファイバーリボンを含み、そして
(b)ナノファイバーが、撚糸前または撚糸の間のどちらかで主要アセンブリを形成するためにナノファイバーリボンの端部から引き出される、
請求項1の方法。 - (a)予備的主要アセンブリは、ナノファイバーがナノファイバーシートに対して主として垂直に配向されるナノファイバーシートまたはリボンを含み、そして
(b)ナノファイバーが、撚糸された主要アセンブリを形成するためにナノファイバーシートまたはリボンの側部から引き出される、
請求項1の方法。 - ナノファイバーを含む糸を製造するための装置であって、
(a)第一方向に整列した実質的に平行なナノファイバーの配列を含む予備的主要アセンブリのための受け台と、
(b)前記予備的主要アセンブリに付設した引き出し機構であって、ここで、前記引き出し機構が周りで撚りが発生できる整列軸を有するナノファイバーの主要アセンブリを与えるために予備的主要アセンブリから引き出すよう作動可能であり、ここで、前記引き出しの方向および前記整列軸は90°と60°の間の前記第一方向に対する角度である、引き出し機構と、
(c)撚糸機構であって、撚り糸を製造するために前記主要アセンブリの整列軸の周りで前記主要アセンブリを撚糸するよう作動可能であり、ここで、前記主要アセンブリは前記予備的主要アセンブリにおいて実質的に平行なナノファイバーの前記配列の側面で楔基部から延長しているナノファイバーリボン楔として連続的に前記撚り糸に集成する、撚糸機構とを含む装置。 - 前記受け台は第一面および第二面を有する基板であり、前記ナノファイバーのフォレストは基板の第一面および第二面上に成長し得る、請求項45の装置。
- 前記受け台が多層カーボンナノチューブ・フォレストを支持するための平面基板であり、前記基板が回転ホルダに収容され、前記回転ホルダは撚り糸の軸に実質的に沿って整列した軸を有する、請求項45または46の装置。
- 前記撚糸機構が、撚り糸の撚糸および巻き取りを実行するためのモータを含む、請求項45、46または47の装置。
- 前記装置が、前記引き出しおよび前記撚糸のうちの少なくとも一方を高温で行うために、(a)前記予備的主要アセンブリ、前記主要アセンブリ、および撚り糸のうちの1つに沿って電流を流すことによるナノファイバーの抵抗加熱のための手段、
(b)可視光線、紫外線、赤外線、無線周波数、マイクロ波周波数およびそれらの組み合わせからなるグループより選択される領域からの電磁波照射のナノファイバーによる吸収のための源、ならびに
(c)それらの組み合わせ、
からなるグループより選択される加熱手段をさらに含む、請求項45〜48のいずれか1項の装置。 - 前記受け台が、前記ナノファイバー・フォレストのための非平面状基板であり、そして前記非平面状基板上のナノファイバー・フォレストの占有領域に対する最小曲率半径はナノファイバー・フォレストの最大高さの少なくとも10倍である、請求項45の装置。
- 前記基板はローラーの上で加工されるのに十分な可撓性がある、請求項50の装置。
- 撚り糸を製造するために、前記引き出し機構および撚糸機構が同時に実行されるように配置されている、請求項45の装置。
- (a)揮発性成分を含む液体を吸収すること、および
(b)その後液体中の揮発成分を蒸発させること
によって前記主要アセンブリを高密度化するための手段をさらに含む、請求項45〜52のいずれか1項の装置。 - 前記楔はナノファイバー・フォレストから最大5mmで糸になる、請求項9〜17のいずれか1項の方法。
- 前記予備的主要アセンブリが化学的合成によって直接的に形成される、請求項1〜44および54のいずれか1項の方法。
- 前記予備的主要アセンブリからの前記引き出しの開始から前記配列軸の周りにおける前記撚糸の開始までの間、前記主要アセンブリがいかなる中間的表面とも接触しない、請求項1〜44および54〜55のいずれか1項の方法。
- 前記ナノファイバーリボン楔から円形の断面を有した部分的に撚糸された糸への実質的に完全な変換が、前記予備的主要アセンブリの5cm以内で起こる、請求項1〜44、および54〜56のいずれか1項の方法。
- 前記引き出しおよび撚糸を維持しながら貯蔵した撚り糸を形成するために前記撚り糸を巻き取ることを含む、請求項1〜43、および54〜57のいずれか1項の方法。
- 前記予備的主要アセンブリからの前記引き出しの開始から前記配列軸の周りにおける前記撚糸の開始までの間、前記主要アセンブリがいかなる中間的表面とも接触しない、請求項45〜53のいずれか1項の装置。
- 前記予備的主要アセンブリが基板上でのカーボンナノチューブ・フォレストである、請求項45〜53および59のいずれか1項の装置。
- 前記フォレストが第一面および第二面を有する基板上にあって、前記カーボンナノチューブ・フォレストは前記基板の前記第一面および第二面上で成長する、請求項60に記載の装置。
- 前記ナノファイバーリボン楔から円形の断面を有した部分的に撚糸された糸への実質的に完全な変換が、前記予備的主要アセンブリの5cm以内で起こる、請求項45〜53および59〜61のいずれか1項の装置。
- 前記引き出しおよび撚糸を維持しながら貯蔵した撚り糸を形成するために前記撚り糸を巻き取るための手段をさらに含む、請求項45〜53、および59〜62のいずれか1項の装置。
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