JP5119551B2 - 水素吸蔵合金とその製造方法、及び二次電池 - Google Patents
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Description
特許文献1には、PuNi3型結晶構造を有するLaCaMgNi9合金を用いた電極が開示されている。
特許文献2〜4には、Ce2Ni7型等の結晶構造を有する希土類−Mg−Ni系合金を用いた電極が高い水素吸蔵容量を維持しつつ、良好な水素放出特性を示すことが開示されている。
R1として、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及びScからなる群から選択される1種または2種が用いられるが、水素解離平衡圧の観点から、特にLa、Ce、Pr、Ndが好ましい。希土類元素の混合物であるミッシュメタル(Mm)が安価であるため、好適に用いられる。
R2として、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される1種または2種以上の元素が用いられるが、水素吸蔵量や耐腐食性の観点から、Mgが好ましい。
R3として、Ni、Co、Cr、Fe、Cu、Zn、Si、Sn、V、Nb、Ta、Ti、Zr及びHfからなる群より選択される1種又は2種以上の元素が用いられるが、耐アルカリ性や電極触媒活性の観点から、特にNi、Coが好ましい。
R4として、Mn及びAlからなる群から選択される1種または2種の元素が配合されていることが好ましい。全体を100とした場合のこれら元素の組成比は1〜4である。前記組成比が1未満である場合には、Gd2Co7型結晶構造からなる相の形成割合が少なくなり、放電容量が低下するおそれがあるから、及び、水素解離平衡圧が上昇して充電効率が低下するおそれがあるからである。一方、前記組成比が4を超える場合には、偏析が増大し、電解液中へのMnの溶出が起こることでサイクル寿命特性が低下するからである。
R4は、Mnのみ配合又はMnとAlとを両方配合することが特に好ましい。なぜなら、本発明のGd2Co7型結晶構造からなる相においては、Alのみを配合した場合、Gd2Co7型結晶構造からなる相の生成割合が大幅に減少するが、Mnのみを配合した場合及びMnとAlを両方配合した場合には、Gd2Co7型結晶構造からなる相の生成割合が増加するからである。なお、従来のCe2Ni7型結晶構造からなる相を主相とする希土類−Mg−Ni合金において、Niの置換元素としてAlを配合した場合には、サイクル寿命特性が向上することが報告されていた。
以上のような製造方法により、本願発明の水素吸蔵合金が得られる。
すなわち、第2工程において、溶融合金を冷却する冷却速度を1,000K/秒以上とすることが好ましい。このように溶融合金を1,000K/秒以上で急冷することによって、準安定相であるGd2Co7型結晶構造からなる相を効率よく形成させることができる。冷却速度が1,000K/秒未満の場合は、別の相であるCaCu5型結晶構造などの安定相が生成しやすい。
第3工程における焼鈍は、860℃〜1,000℃でおこなわれることが好ましい。より好ましくは860℃〜960℃である。Gd2Co7型結晶構造からなる相の存在割合が高まるからである。
尚、一次粒子径が10〜100nmであるとは、一次粒子の略全てが最小10nm、最大100nmの範囲内に含まれることを意味するものである。具体的には、電子顕微鏡写真において任意の100個を対象として粒径を測定した場合に、粒径が10〜100nmの範囲内である粒子によって占められる割合が、面積比で80%以上であることをいう。また、一次粒子とは、1個の結晶子で構成された単結晶構造を有する粒子(結晶粒ともいう)のことをいう。
(1)はじめに、水素吸蔵合金の各種特性を測定する方法、並びに正極及び負極の作製方法等について述べる。
水素吸蔵合金の平均粒径及び粒度分布は、粒度分析計(マイクロトラック社製、商品名「マイクロトラックMT3000」)を用いて、レーザー回折・散乱法により測定された。平均粒径とは、累積平均径D50を指し、粉体の全体積を100%として累積カーブが50%になる点の粒径をいう。
一次粒子の粒径は、透過型電子顕微鏡(Hitachi H9000)により測定された。一次粒子の粒径は、透過型電子顕微鏡を用い、任意の100個を対象としてそれぞれの結晶粒の最も長い長辺と最も短い短辺との長さを測定し、下記の式により算出された。
粒径=(長辺+短辺)/2
水素吸蔵合金の結晶構造は、X線回折測定により分析確認された。
X線回折測定には、Bruker製AXS(機種名:MO6XCE)が使用された。測定条件については、加速電圧が40kV、電流が100mA、X線管球はCu−Kα線、走査速度が2deg/min、ステップ角が0.02degである。また、XRDを測定する際の試料は、平均粒径D50が20〜25μmとなるように粉砕された水素吸蔵合金粉末とした。
結晶構造解析により結晶系と空間群とが同定され、リートベルト法(RIETAN2000)により、格子パラメータと生成した相の存在割合(重量%)とが求められた。
Gd2Co7型結晶構造からなる相の同定は、水素吸蔵合金を粉砕した粉末についてのX線回折測定(測定条件は前記と同様)、及びX線回折パターンのリートベルト解析によりおこなわれた。Gd2Co7型結晶構造からなる相は、図1に示すような構造モデルを備え、表1に示すような原子配置を備える。
負極の作製は次の方法による。水素吸蔵合金の粉末100gとニッケル粉末(INCO#210)3wt%とを混合した後、増粘剤(メチルセルロース)を溶解した水溶液、及び結着剤(スチレンブタジエンゴム)1.5wt%を加え、ペーストを作製した。このペーストを穿孔鋼鈑(厚み45μm、開孔率60%)の両面に塗布して乾燥した後、所定の厚さ(0.36mm)にプレスし、負極とした。
正極は、容量過剰のシンター式水酸化ニッケル電極とした。
負極が、セパレータを介して正極で挟まれた。これらの正極及び負極に10kgf/cm2の圧力がかかるようにアクリル板で固定し、開放形セルが組み立てられた。電解液には、6.8mol/lのKOH水溶液と0.8mol/lのLiOH水溶液とを混合した溶液が使用された。
20℃の水槽中で、充電は0.1ItAで150%、放電は0.2ItAで終止電圧−0.6V(vs.Hg/HgO)の条件で充放電を10サイクル繰り返し最大となったところで0.2ItA(mAh/g)放電容量を求めた。
20℃の水槽中で、充放電サイクル試験がおこなわれた。そして、10サイクル目と50サイクル目の放電容量から、次式により容量保持率を求めた。
容量保持率(%)=(50サイクル目放電容量)/(10サイクル目放電容量)×100
なお、充放電サイクル時の充電条件・放電条件は次のとおりである。
(1〜10サイクル目)
充電:0.1ItAで150%
放電:0.2ItAで終止電圧−0.6V(vs.Hg/HgO)
(11サイクル目)
充電:0.1ItAで150%
放電:1ItAで終止電圧−0.6V(vs.Hg/HgO)
(12サイクル目)
充電:0.1ItAで150%
放電:3ItAで終止電圧−0.6V(vs.Hg/HgO)
(13〜49サイクル)
充電:1ItAで75%
放電:0.5ItAで終止電圧−0.6V(vs.Hg/HgO)
(50サイクル目)
充電:0.1ItAで150%
放電:0.2ItAで終止電圧−0.6V(vs.Hg/HgO)
(実施例1)
組成式:La13Y4Mg4Ni70Co4Mn4で示す目的の組成に基づき、原料インゴットを所定量秤量し、ルツボに加え、減圧ヘリウムガス雰囲気下で、高周波溶融炉をもちいて、1,500℃に加熱し、材料を溶融した。溶融後、炉内の鋳型中で金型鋳造法にて冷却し、水素吸蔵合金を得た。その水素吸蔵合金をアルゴンガス雰囲気中で機械的に粉砕し、平均粒径がD50=60μmとなるように調整した。なお、熱処理(再結晶焼鈍)は行われていない。
得られた水素吸蔵合金の組成は、ICP分析により確認された。水素吸蔵合金の結晶構造及び存在割合(%)が測定された。水素吸蔵合金を用いて0.2ItA放電容量及び容量保持率が測定された。
以上の結果を表3に示した。なお、表3には、後掲の実施例2〜実施例19、及び比較例1〜比較例11の結果も併せて示している。
実施例2〜7では、組成式を実施例1の場合と異ならせて原料インゴットを秤量した以外、実施例1と同様の操作をおこなった。実施例1の場合と異ならせたそれぞれの組成式は、表3の「組成式」の列に示している。
組成式:La15Y3Mg4Ni73Co3Mn2で示す目的の組成に基づき、原料インゴットを所定量秤量し、ルツボに加え、減圧ヘリウムガス雰囲気下で、高周波溶融炉をもちいて、1,500℃に加熱し、材料を溶融した。溶融後、メルトスピニング法により急冷し合金を固化させた。次に、得られた合金を0.2MPa(ゲージ圧)に加圧されたヘリウムガス雰囲気中で、電気炉を用いて熱処理した。熱処理条件(焼鈍条件)は、940℃の炉内温度(即ち、合金温度)における7時間の再結晶焼鈍とした。これにより、目的の組成からなる水素吸蔵合金を得た。最後に、水素吸蔵合金をアルゴンガス雰囲気中で機械的に粉砕し、平均粒径がD50=60μmとなるように調整した。
得られた水素吸蔵合金の組成は、ICP分析により確認された。得られた水素吸蔵合金の結晶構造及び存在割合(%)が測定された。得られた水素吸蔵合金を用いて0.2ItA放電容量及び容量保持率が測定された。その結果を表3に示した。
実施例9〜19では、組成式を実施例8の場合と異ならせて原料インゴットを秤量した以外、実施例8と同様の操作をおこなった。実施例8の場合と異ならせたそれぞれの組成式は、表3の「組成式」の列に示している。
なお、実施例8〜実施例19で得られた水素吸蔵合金は、粒径が10nm〜100nmの一次粒子からなることが確認された。
比較例1及び2では、組成式を実施例1の場合と異ならせて原料インゴットを秤量した以外、実施例1と同様の操作をおこなった。実施例1の場合と異ならせたそれぞれの組成式は、表3の「組成式」の列に示している。
比較例3〜11では、組成式を実施例8の場合と異ならせて原料インゴットを秤量した以外、実施例8と同様の操作をおこなった。実施例8の場合と異ならせたそれぞれの組成式は、表3の「組成式」の列に示している。
組成式:La13Y4Mg4Ni75Mn4で示す目的の組成に基づき、原料インゴットを所定量秤量し、ルツボに加え、減圧ヘリウムガス雰囲気下で、高周波溶融炉をもちいて、1,500℃に加熱し、材料を溶融した。溶融後、メルトスピニング法により急冷し合金を固化させた。得られた合金を0.2MPa(ゲージ圧)に加圧されたヘリウムガス雰囲気中で、電気炉を用いて熱処理を行った。熱処理条件(焼鈍条件)は、860℃の炉内温度(即ち合金温度)における7時間の再結晶焼鈍である。これにより、目的の組成からなる水素吸蔵合金を得た。その水素吸蔵合金をアルゴンガス雰囲気中で機械的に粉砕し、平均粒径がD50=60μmとなるように調整した。
得られた水素吸蔵合金の組成は、ICP分析により確認された。得られた水素吸蔵合金の結晶構造及び存在割合(%)が測定された。得られた水素吸蔵合金を用いて0.2ItA放電容量及び容量保持率が測定された。
その結果を表4に示した。なお、表4には、後掲の実施例21〜実施例25、及び比較例12〜比較例13の結果も併せて示した。
実施例21〜25では、熱処理条件(焼鈍条件)を実施例20の場合と異ならせた以外、実施例20と同様の操作をおこなった。実施例20の場合と異ならせたそれぞれの熱処理条件(焼鈍条件)は、表4の「熱処理条件(℃)」の列に示している。なお、焼鈍の時間は、いずれも7時間である。
熱処理条件(焼鈍条件)として、800℃の温度において7時間の再結晶焼鈍を行ったこと以外は、実施例20と同様の操作を行った。
熱処理条件(焼鈍条件)としては、1,030℃の温度において7時間の再結晶焼鈍を行ったこと以外は、実施例20と同様の操作を行った。
Claims (11)
- Gd2Co7型結晶構造からなる相を含む水素吸蔵合金において、
前記相は、前記水素吸蔵合金の全体に対して10重量%以上であり、
前記水素吸蔵合金には、イットリウムが前記水素吸蔵合金の全体に対して2モル%以上10モル%以下含まれ、
前記水素吸蔵合金の化学組成は、一般式:R1 u Y v R2 x R3 y R4 z で表され、
8≦u≦19、2≦v≦10、2≦x≦9、74≦y≦79、1≦z≦4、及びu+v+x+y+z=100が満たされ、
R1は、希土類元素から選択される1種又は2種以上の元素であり、
Yは、イットリウムであり、
R2は、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群より選択される1種又は2種以上の元素であり、
R3は、Ni、Co、Cu、Fe、Cr、Si、Zn、Sn、V、Nb、Ta、Ti、Zr及びHfからなる群より選択される1種又は2種以上の元素であり、
R4は、Mn及びAlからなる群より選択される1種又は2種の元素であることを特徴とする水素吸蔵合金。 - R1:Y:R2:R3:R4がu:v:x:y:zのモル比となるように、R1、Y、R2、R3及びR4を含む溶融合金を製造する第1工程と、及び
前記溶融合金を冷却する第2工程とを備え、
ここで、8≦u≦19、2≦v≦10、2≦x≦9、74≦y≦79、1≦z≦4、及びu+v+x+y+z=100が満たされ、
R1は、希土類元素から選択される1種又は2種以上の元素であり、
Yは、イットリウム元素であり、
R2は、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群より選択される1種又は2種以上の元素であり、
R3は、Ni、Co、Cu、Fe、Cr、Si、Zn、Sn、V、Nb、Ta、Ti、Zr及びHfからなる群より選択される1種又は2種以上の元素であり、
R4は、Mn及びAlからなる群より選択される1種又は2種の元素であることを特徴とする水素吸蔵合金の製造方法。 - 前記第2工程における冷却を、1,000K/秒以上の速度でおこなうことを特徴とする請求項2記載の水素吸蔵合金の製造方法。
- 前記第2工程により得られた合金を焼鈍する第3工程をさらに備え、
前記焼鈍を、860℃〜1,000℃でおこなうことを特徴とする請求項2又は3記載の水素吸蔵合金の製造方法。 - 前記焼鈍を、加圧された不活性ガスの雰囲気中でおこなうことを特徴とする請求項4記載の水素吸蔵合金の製造方法。
- 前記水素吸蔵合金は、
溶融合金を冷却速度1,000K/秒以上で冷却し、
冷却後の合金を、加圧された不活性ガス雰囲気下、860℃〜1,000℃の範囲で焼鈍することによって製造されたものである請求項1に記載の水素吸蔵合金。 - 前記水素吸蔵合金の一次粒子の粒径が10nm〜100nmである請求項1に記載の水素吸蔵合金。
- 前記水素吸蔵合金の一次粒子の粒径が10nm〜100nmである請求項6に記載の水素吸蔵合金。
- 請求項1に記載された水素吸蔵合金が負極に使用された二次電池。
- 請求項6に記載された水素吸蔵合金が負極に使用された二次電池。
- 請求項7に記載された水素吸蔵合金が負極に使用された二次電池。
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