[go: up one dir, main page]

JP5038199B2 - 酸化物ｃｍｐのための組成物 - Google Patents

酸化物ｃｍｐのための組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP5038199B2
JP5038199B2 JP2008066541A JP2008066541A JP5038199B2 JP 5038199 B2 JP5038199 B2 JP 5038199B2 JP 2008066541 A JP2008066541 A JP 2008066541A JP 2008066541 A JP2008066541 A JP 2008066541A JP 5038199 B2 JP5038199 B2 JP 5038199B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical mechanical
mechanical polishing
polishing slurry
cerium
abrasive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2008066541A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008199043A (ja
Inventor
エス． グローバー，ゴータム
エル． ミューラー，ブライアン
ワン，シュミン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CMC Materials LLC
Original Assignee
Cabot Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Microelectronics Corp filed Critical Cabot Microelectronics Corp
Publication of JP2008199043A publication Critical patent/JP2008199043A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5038199B2 publication Critical patent/JP5038199B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)

Description

本発明は、半導体の集積回路基板のための化学機械的研磨スラリーに関する。詳しくは、本発明は、二酸化ケイ素の大きい除去速度と窒化ケイ素の小さい除去速度とが同一基板について要求される、化学機械的研磨に特に適当な独特の化学的特性を有するＣＭＰスラリーである。
集積回路（ＩＣ）は、シリコン基板の中又は上に形成された数百万の能動デバイスから構成されている。能動デバイスは機能的回路及び構成部分を形成する。次いで、多重レベルの金属化相互接続及びバイア（ｖｉａ）を使用して、これらのデバイスは接続される。相互接続の構造は、通常、第１層の金属化、相互接続プラグ、金属化の第２層、及び時にはそれらのそれぞれの相互接続をもつ第３又はそれ以上の金属化層を有する。層間誘電体（ＩＬＤ）、例えば、ドープ及びアンドープのＳｉＯ２を使用して、異なるレベルの相互接続を電気的に絶縁する。
浅いトレンチ絶縁（ＳＴＩ）は、ＩＣ製造プロセスにおいて所定の層でデバイスを絶縁する技術である。ＳＴＩプロセスにおいて、熱的に成長させた酸化物上に窒化ケイ素を析出させる。窒化物の析出後、マスクを使用して基板の中に浅いトレンチをエッチングする。次いで酸化物層をトレンチの中に析出させて、トレンチが絶縁された誘電体の区域を形成するようにし、この区域はチップにおいてデバイスを絶縁する作用をし、こうして能動デバイスの間のクロストークを減少させる。次のレベルの金属化のために、過剰の析出された酸化物を研磨除去し、そしてトレンチを平坦化させなくてはならない。窒化ケイ素をシリコンに適用して、マスクされた二酸化ケイ素がデバイスから研磨除去されるのを防止する。
典型的な機械的研磨プロセスにおいて、基板を回転する研磨パッドと直接接触させて配置する。キャリヤで基板の裏側に圧力を加える。研磨プロセスの間に、パッド及びテーブルは回転し、その間基板の背面に対して下方の力を維持する。普通に「ＣＭＰスラリー」と呼ばれる、研摩及び化学的に反応性の溶液を研磨の間にパッド上に適用する。スラリー中の化学物質及び研摩粒子は、研磨されるウェハとの相互作用により、研磨プロセスを開始する。スラリーがウェハ／パッドの界面に供給されるとき、基板に関するパッドの回転運動により、研磨プロセスは促進される。必要な量の薄層物質が除去されることによって、最終の所望のフィルム厚さが達成されるまで、この方法において研磨を続ける。
酸化物を研磨するとき、使用するスラリーは、酸化物層に対して大きい除去速度を有し、かつＣＭＰの間に暴露されることがある他の層、例えば、窒化ケイ素に対して小さい除去速度を有することが望ましい。研磨スラリーは、特定の薄層物質に対して選択的な所望の研磨範囲において有効な研磨を提供すると同時に、表面の不完全性、欠陥、エッチング、浸蝕及び窒化ケイ素及び他の停止層の除去を最小とするように調節されるべきである。
酸化物を研磨するために有用なＣＭＰスラリーは、典型的には、アルカリ性又は高いｐＨにおいて研磨材を含有する。これらのスラリーは、高いｐＨに効果的に緩衝化するために、水酸化カリウム又は水酸化アンモニウムに頼る。これらのスラリーはシリカを大きい速度で研磨するが、また、窒化ケイ素を大きい速度で研磨する。典型的には、これらの除去速度の比、すなわち、選択率は、最大、約５／１の二酸化ケイ素／窒化ケイ素である。窒化ケイ素の研磨のメカニズムは水性環境中の窒化物の酸化物への酸化的加水分解であると考えられる。アルカリ性ｐＨにおいて、この酸化物及び窒化物は同様に大きい速度でエッチングされる。こうして、望ましくないことには、現在のＣＭＰスラリーは窒化ケイ素を許容されないほど大きい速度で研磨する。
５／１の酸化物／窒化物より大きい選択率を有するＣＭＰスラリーが半導体産業において要求されている。したがって、現在の製造の問題を克服し、処理量を増加しかつＣＭＰプロセスのコストを減少するために、酸化物を大きい速度で選択的に除去すると同時に、窒化ケイ素の停止層を比較的無傷で残す、新規なＣＭＰスラリーが要求されている。なぜなら、小さい選択性のプロセスであるので、製造的環境において使用するとき、−ウェハのより薄い部分において−必然的に過度の研磨に悩まされ、そして窒化物の停止層は１又はそれより多い下に横たわる薄層への突破を防止しないであろうからである。
本発明は、二酸化ケイ素層を大きい速度で除去することができる、化学機械的研磨組成物である。
本発明は、また、窒化ケイ素フィルムの研磨を抑制する、化学機械的研磨組成物である。
さらに、本発明は、基板から二酸化ケイ素を選択的に除去すると同時に、基板に関連する窒化ケイ素層を本質的に無傷に残す、化学機械的研磨組成物を使用する方法である。
１つの態様において、本発明は、カルボン酸、塩及び可溶性セリウム化合物を含んでなる化学機械的研磨組成物である。この組成物は、約３．０〜約１１、好ましくは約３．８〜約５．５のｐＨを有し、そして層状基板から二酸化ケイ素を選択的に除去するために有用である。
他の態様において、本発明は、前述の化学機械的研磨組成物と、研磨材とを含んでなる化学機械的研磨スラリーであり。このスラリーは二酸化ケイ素フィルムの研磨に特に有用である。
なお他の態様において、本発明は、約３．０〜約１１のｐＨを有する水溶液中のカルボン酸、塩及び可溶性セリウム化合物を含んでなる化学機械的研磨組成物を使用して、集積回路及び半導体の製造の間に、窒化ケイ素フィルム層より優先的に酸化物のオーバーフィルを選択的に除去する方法である。
本発明は、可溶性セリウム化合物、酸化剤、及び研磨材を含んでなる化学機械的研磨スラリーに関する。本発明のスラリーは、基板に関連する酸化物層、例えば、二酸化ケイ素層を大きい速度で研磨する。さらに、本発明のスラリーは窒化ケイ素の研磨を抑制することが見出された。本発明は、また、本発明のスラリーを使用して二酸化ケイ素層を研磨する新規な方法に関する。
本発明の種々の好ましい態様の詳細を説明する前に、本明細書において使用する用語を定義する。「化学機械的組成物」は、基板の１又はそれより多い層を除去するために研摩パッドと組み合わせて使用することができる組成物を意味する。用語「スラリー」又は「化学機械的研磨スラリー」は、化学機械的研磨組成物と少なくとも１種の研磨材との組合わせを意味する。
本発明のＣＭＰスラリーにおいて有用なカルボン酸は、一官能及び二官能のカルボン酸及びそれらの塩を包含する。好ましくは、カルボン酸は、酢酸、アジピン酸、酪酸、カプリン酸、カプロン酸、カプリル酸、クエン酸、グルタル酸、グリコール酸、ギ酸、フマル酸、乳酸、ラウリン酸、リンゴ酸、マレイン酸、マロン酸、ミリスチン酸、シュウ酸、パルミチン酸、フタル酸、プロピオン酸、ピルビン酸、ステアリン酸、コハク酸、酒石酸、吉草酸、２−（２−メトキシエトキシ）酢酸、２−〔２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ〕酢酸、ポリ（エチレングリコール）ビス（カルボキシメチル）エーテル、及びそれらの塩を包含する、誘導体混合物を含む群から選択される。最も好ましいカルボン酸は酢酸である。
本発明の組成物において、カルボン酸はスラリーの１０％超を構成することもできる。好ましい態様において、カルボン酸は本発明の組成物の中に約０．０５〜約１０重量％の範囲の量で存在する。しかしながら、より好ましい態様において、カルボン酸は本発明の組成物の中に約０．１〜約３重量％の範囲の量で存在する。
本発明の化学機械的組成物は塩を含むことができる。用語「塩」は、有機塩及び無機塩、例えば、硝酸塩、リン酸塩、及び硫酸塩を包含する、任意の水溶性塩を意味する。また、可溶性塩は、水中に部分的又は限界的のみ溶解する塩も意味する。好ましい塩は硝酸塩である。
用語「硝酸塩」は硝酸を包含する。有用な硝酸塩は、下記式を有する組成物を包含する：（Ｍ）ｎ（ＮＯ３）ｍ、式中、ｎ及びｍの双方は整数である。ｎ＝ｍであるとき、Ｍは１価でありそしてアルカリ土類金属、例えば、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ、並びにＨ，ＮＨ４又はＮＲ４であり、ここでＲは１〜１０個又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基又はそれらの組み合わせであり、ＮＭｅ４，ＮＢｕ４及びその他を包含する。ｎ≠ｍであるとき、Ｍは多価のカチオン又は金属又は多価のカチオンと一価カチオンとの組合わせである。１つの既知の好ましい硝酸塩は、硝酸アンモニウムセリウム、（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６である。
塩は組成物の中に組成物の約０．０５〜約６重量％の量で存在することができる。塩は組成物の中に約０．１〜約４重量％の範囲の量で存在することが最も好ましい。
本発明の化学機械的組成物は、少なくとも１種の可溶性セリウム化合物を含む。用語「可溶性セリウム」は、本発明の目的に対して、可溶性形態で添加されたセリウム、及びコロイド状又は粉砕された粒子から溶解したセリウムの双方を包含する。本発明の組成物において有用な可溶性セリウム化合物の非限定的例は、水酸化セリウム（Ｃｅ（ＯＨ）４）の水和及び非水和塩、硫酸アンモニウムセリウム（ＮＨ４）２ＳＯ４Ｃｅ２（ＳＯ４）３、酢酸セリウムＣｅ（Ｏ２ＣＨ３）３、硫酸セリウムＣｅ（ＳＯ４）２、臭素酸セリウムＣｅ（ＢｒＯ３）３・９Ｈ２Ｏ、臭化セリウムＣｅＢｒ３、炭酸セリウムＣｅ（ＣＯ３）２、塩化セリウムＣｅＣｌ３、シュウ酸セリウムＣｅ（Ｃ２Ｏ４）３、硝酸セリウムＣｅ（ＮＯ３）３（ＯＨ）・６Ｈ２Ｏ及び任意の他の既知の可溶性セリウム化合物を包含する。好ましい可溶性セリウム化合物は、硝酸アンモニウムセリウム、（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６である。可溶性セリウム化合物は、本発明の組成物の中に約０．０５重量％〜約１０．０重量％、約０．５重量％〜約１０．０重量％、より好ましくは約０．１〜約４．０重量％の範囲の量で存在する。
本発明の化学機械的組成物の好ましい態様は、塩及び可溶性セリウム化合物の双方として硝酸アンモニウムセリウムを含む。他の可溶性硝酸セリウム塩は、可溶性セリウム化合物及び塩の双方として本発明の組成物の中に混入することができる。硝酸アンモニウムセリウムは、本発明の組成物の中に、全体の組成物の約０．０５〜約６重量％の範囲の量で存在することができる。硝酸アンモニウムセリウムのより好ましい範囲は、約０．１〜約４．０重量％である。
商業的に入手可能なセリアは、典型的には、溶解したＣｅ４＋イオンとＣｅ３＋イオンとの混合物を含有する。溶解したセリアはＣｅ４＋イオンの形態であることが好ましい。Ｃｅ３＋をＣｅ４＋に酸化することができる酸化剤を本発明の組成物に添加すると、大きい酸化物の選択率及び小さい窒化物の選択率を示す生成物を生成する。使用する酸化剤は、Ｃｅ ４＋ より高い酸化電位をもたなくてはならない。好ましい酸化剤は過硫酸アンモニウムである。酸化剤は約０．０５〜約５．０重量％の範囲の量において有用である。酸化剤は好ましくは約０．１〜約２．０重量％の範囲の量で存在する。
本発明の化学機械的組成物は、必要に応じて、少なくとも１種のキレート剤を含むことができる。本発明の化学機械的組成物にキレート剤を添加すると、本発明の組成物を使用して研磨される基板の浄化可能性が改良されることが見出された。キレート剤はそうでなければウェハ上に析出するであろう組成物中の遊離イオンと結合するので、基板の浄化可能性は増強されると考えられる。
有用なキレート剤は、本発明の組成物中の遊離イオンに結合する任意のキレート剤を包含する。有用なキレート剤の例は、下記のものを包含するが、これらに限定されない：ポリカルボン酸、例えば、クエン酸、ＥＤＴＡ、トリエタノールアミン、及びベンゾニトリル、アジピン酸、マロン酸、シュウ酸、ホスホン酸、リン酸、及びそれらの塩。キレート剤は、使用する場合、組成物の中に約０．０５〜約５．０重量％、好ましくは約０．１〜約１．５重量％の量で存在すべきである。
本発明の化学機械的組成物は、単独で使用でき、又は研磨材と組合せて用いて、化学機械的研磨「スラリー」を生じ得る。本発明の組成物とともに用いて有用な研磨材としては、金属酸化物研磨材が挙げられる。金属酸化物研磨材は、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、シリカ、セリア及びその混合物を含めた群から選択され得る。さらに、有用な研磨材は、２つ又はそれ以上の金属酸化物の前駆体を混合し、混合金属酸化物研磨材の化学的混和物を生成して得られるものでよい。例えば、アルミナはシリカと同時生成されるか又はアルミナ／シリカに併合され得る。
有用な金属酸化物研磨材は、高温法、例えばゾル−ゲル、熱水又はプラズマ法を含めた当業者に既知のあらゆる技法により、あるいはヒュームド又は沈降金属酸化物の製造方法により生成され得る。微粉砕又は破砕金属酸化物研磨材も本発明のＣＭＰスラリーに有用であり、従来の製造技法を用いるミル粉砕又は磨砕、例えばジェットミル粉砕、ボールミル粉砕、ビーズミル粉砕、並びに当業者に既知のその他のミル粉砕及び微粉砕技術及び方法により製造され得る。
本発明のＣＭＰスラリーに適した好ましい研磨材は、シリカ及び酸化セリウム（セリア）であり、ヒュームドシリカが最も好ましい。その他の適切なシリカ研磨材は、ゾル−ゲル、熱水、プラズマ法、火炎熱分解のような方法により、又は金属酸化物を製造するためのその他の方法により作られる。
微粉砕研磨材も方法に適している。あらゆる微粉砕金属酸化物研磨材が、本発明のＣＭＰスラリー用いられる。しかしながら、微粉砕酸化セリウムが好ましい。酸化セリウム研磨材は、媒質ミル中で磨砕されて微粉砕セリアを生じる。元の酸化セリウム粒子は採掘酸化セリウム又は沈降及び焼成酸化セリウム、あるいはその組合せであり得る。磨砕は、ジェットミル粉砕又はボールミル粉砕によるような、あらゆる種類の磨砕又はミル粉砕装置を用いて、水性媒質中で成し遂げ得る。好ましい磨砕メカニズムは、イットリア正方晶系ジルコニア（ＹＴＺ）又はケイ酸ジルコニウム媒質を用いた媒質ミル粉砕である。磨砕工程は、分散剤又は立体安定剤を用い得る。
好ましい微粉砕金属酸化物研磨材は、狭い粒子サイズ分布を有し、中央値粒子サイズは約０．５μｍ未満である（即ち、集合粒子又は単一粒子）。磨砕後、粒子は希釈され、濾過され得る。好ましくは、濾過後、微粉砕金属酸化物研磨材の粒子サイズは約４０〜約１０００ｎｍ、好ましくは約１００〜約３００ｎｍの範囲である。好ましい微粉砕研磨材は、０．６μｍより大きい中央値粒子サイズを有する約１０重量％未満の粒子を含有すべきである。
沈降酸化セリウムは、酸化物ＣＭＰに適した研磨材である。沈降酸化セリウム粒子は、セリウムの酢酸塩、炭酸塩及び水酸化物並びに硝酸塩を含めた種々の前駆体から作られる。沈降酸化セリウム粒子の中央値粒子サイズは約１０ｎｍから約５００ｎｍの範囲で、沈降酸化セリウム粒子の好ましいサイズは約３０〜約３００ｎｍの範囲である。
別の好ましい研磨材は、ヒュームドシリカである。ヒュームド金属酸化物の生成は周知の工程で、これは水素及び酸素の火炎中での適切な供給原料蒸気（例えば、シリカ研磨材に関しては四塩化ケイ素）の加水分解を包含する。粗球形の溶融粒子は、燃焼工程で生成される。粒子の直径は工程パラメーターによって変わり、典型的には一次粒子と呼ばれるシリカ又は同様の酸化物のこれらの溶融球は、それらの接触点で衝突することにより互いに融合して、分枝化三次元鎖様集合体を形成する。集合体を破壊するのに必要な力は多大で、しばしば不可逆的である。冷却及び収集中、集合体は、集合体の形成を引き起こす何らかの機械的もつれを生じ得るさらなる衝突を蒙る。
好ましい金属酸化物は、一般にＢＥＴと呼ばれるＳ．Ｂｒｕｎａｕｅｒ，Ｐ．Ｈ．Ｅｍｍｅｔ及びＩ．Ｔｅｌｌｅｒ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌｕｍｅ ６０，ｐ．３０９（１９３８））の方法から算出されるような表面積を有し、その値は約５ｍ２／ｇ〜約４３０ｍ２／ｇ、好ましくは約３０ｍ２／ｇ〜約１７０ｍ２／ｇの範囲である。ＩＣ産業における厳しい純度要件のために、好ましい金属酸化物は高純度である必要がある。高純度とは、原料不純物及び微量加工夾雑物のような供給源からの総不純物含量が典型的には１％未満、好ましくは０．０１％（即ち１００ｐｐｍ）未満であることを意味する。
好ましい実施態様では、金属酸化物研磨材は、直径が約１．０μ未満の約９９重量％の粒子を有する金属酸化物集合体から成り、平均集合体直径は約０．４μｍ未満で、研磨材集合体自体の間のファンデルワール力に反発し、克服するのに十分な力を有する。このような金属酸化物研磨材は、研磨中の引っ掻き、ピット傷、ディボット及びその他の表面の欠陥を最小限にするか又は回避するのに有効であった。本発明の集合体サイズ分布は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）のような既知の技術を用いて確定され得る。平均集合体直径とは、ＴＥＭ画像分析を用いた場合の、即ち集合体の横断面積を基礎にした、平均等価球直径のことを言う。金属酸化物粒子の表面ポテンシャル又は水和力は、粒子間のファンデルワール引力に反発し、克服するのに十分でなければならない。
別の好ましい実施態様では、金属酸化物研磨材は、０．５μｍ（５００ｎｍ）未満の粒子直径を有し、表面積が約１０ｍ２／ｇ〜約２５０ｍ２／ｇの範囲である離散した金属酸化物粒子から成る。
本発明のＣＭＰスラリーは、約１重量％〜約２５重量％又は約２重量％〜約２５重量％の金属酸化物研磨材を、好ましくは約２重量％〜約１５重量％の金属酸化物研磨材を含む。
本発明のＣＭＰスラリーに有用な金属酸化物研磨材は、約３％〜約５５％の固体、好ましくは３０％〜５０％の固体を包含する金属酸化物の濃縮水性分散体として、研磨スラリーの水性媒質中に混入される。金属酸化物の水性分散体は、金属酸化物研磨材を適切な媒質、例えば脱イオン水に徐々に添加するといったような従来の技法を用いて生成されて、コロイド分散体を生じる。分散体は、典型的には、当業者に既知の高剪断混合条件をそれらに施すことにより完成される。
本発明のＣＭＰスラリーに有用な研磨材は、前記の研磨材の混合物であり得る。例えば、沈降酸化セリウム、微粉砕酸化セリウム（セリアとも呼ばれる）及びヒュームドシリカは、本発明のＣＭＰスラリー中に混入され得た。研磨材のその他の組合せも、ＣＭＰスラリーに有用である。さらに、研磨材の混合物はある研磨材と別の研磨材とをあらゆる相対的割合で含み得る。例えば、約５〜１００重量％の前記の微粉砕酸化物研磨材と約０〜約９５重量％の沈降研磨材との組合せは、ＳＴＩ用途におけるＣＭＰスラリー研磨材として有効であることが判明した。
約１．５のｐＨで販売されている市販の沈降酸化セリウムは、ＣＭＰスラリーとして有効でない。しかしながら、市販のスラリーのｐＨを有意に増大して約３．５にするとＳＴＩ研磨に有用なＣＭＰスラリーとなる、ということを我々は発見した。さらに、意外なことに、前記の組成及びｐＨを有するＣＭＰスラリーは高酸化物層除去速度及び低窒化物層除去速度を示す、ということを我々は発見した。
本発明のＣＭＰスラリーは有効な約３．０〜約１１．０のｐＨを有さねばならない。さらに好ましくは、スラリーのｐＨは約３．５〜約６．０、最も好ましくは約３．８〜約５．５である。スラリーｐＨは、組成物に任意の塩基を添加することにより、好ましくはスラリーに水酸化アンモニウムのような非金属塩基を添加することにより調整される。
本発明の化学機械的組成物は、１つ又はそれ以上の緩衝剤を含有し得る。緩衝剤の目的は、所望の範囲内に、最も好ましくは約３．８〜約５．５の範囲に組成物のｐＨを保持するのを助けることである。
所望の範囲に組成物のｐＨを保持し得るあらゆる緩衝剤が用いられ得る。最も好ましい緩衝剤は、蟻酸アンモニウム又は蟻酸である。組成物中に用いられる緩衝剤は、典型的には約０．０１〜約５．０重量％、最も好ましくは約０．０５〜約０．５重量％の範囲である。
酸化剤の沈殿、凝集及び分解に対して本発明の研磨スラリーをさらに安定化するために、種々の付加的な任意の添加剤、例えば界面活性剤、高分子安定剤又はその他の界面活性分散助剤を用い得る。界面活性剤は、陰イオン性、陽イオン性、非イオン性、両性であり得るし、２つ又はそれ以上の界面活性剤の組合せを用い得る。さらに、界面活性剤の添加はウェハのウェハ内非均一性（ＷＩＷＮＵ）を改良し、それによりウェハの表面を改良して、ウェハの欠陥を低減するのに有用である、ということが判明した。
概して、本発明に使用される添加剤、例えば界面活性剤の量は、スラリーの有効な立体安定化を達成するのに十分であるべきで、典型的には選択される特定の界面活性剤及び金属酸化物研磨材の表面の性質によって変わる。例えば、十分でない選択された界面活性剤が用いられると、安定化にほとんど又は全く効果を及ぼさない。他方で、界面活性剤が多すぎると、スラリー中に望ましくない発泡及び／又は凝集を生じる。その結果、界面活性剤のような添加剤は、一般的に、約０．００１重量％〜１０重量％の範囲で存在すべきである。さらに、添加剤はスラリーに直接添加されるか、又は既知の技法を用いて金属酸化物研磨材の表面に処理され得る。いずれの場合も、添加剤の量を調整して研磨スラリー中の所望の濃度を達成する。
本発明の化学機械的研磨組成物及びスラリーは、非常に大きい速度で積層基材から二酸化ケイ素層を選択的に除去し得る。さらに、本発明の組成物及びスラリーは、積層基材から窒化ケイ素の研磨を抑制する。本発明の化学機械的研磨組成物及びスラリーの重要な一用途は、集積回路及び半導体の製造にある。このような研磨用途において、本発明の組成物及びスラリーは浅いトレンチのデバイス絶縁のための二酸化ケイ素を有効に除去する。
本発明の組成物及びスラリーは、好ましくは約１２００Å／分〜約６０００Å／分又はそれ以上の酸化物除去速度を示し、酸化物対窒化物除去選択率は約５〜約１００又はそれ以上、好ましくは約１５〜約５０又はそれ以上である。
本発明の組成物及びスラリーは、必要ｐＨで、少なくとも１つのカルボン酸、可溶性セリウム化合物、塩、任意の研磨材及び任意の添加剤の水性組成物を含む単一パッケージ中に入れられ得る。長時間に亘るスラリーの活性の変化を避けるために、一次パッケージが少なくとも１つのカルボン酸、塩及び可溶性セリウム化合物を任意のｐＨで保持し、二次パッケージが任意のｐＨで任意の研磨材を保持する少なくとも２つのパッケージ系を用いることが選択することが好ましい場合がある。これら２つのパッケージは、それらが混合された場合に有用な組成物が必要なｐＨ範囲であるように、工学処理される。あるいは、容器中の成分は乾燥形態であり、一方、他の容器中の成分は水性分散体の形態である。本発明のＣＭＰスラリー成分の他の２つの容器組合せは、当業者の有する知識の範囲内である。
必要なｐＨでは、本発明の組成物及びスラリーは窒化ケイ素除去速度を有意に増大しない。しかしながら、本発明の組成物及びスラリーは、既知のスラリーと比較して、二酸化ケイ素の除去速度を有意に増大する。本発明の研磨スラリーは、半導体集積回路製造の種々の段階中に用いられて、所望の除去速度での二酸化ケイ素層の有効な除去を提供する一方で、表面の傷及び欠陥を最小限にする。
実施例１（参考）
以下の実施例は、本発明の好ましい実施態様、並びに本発明の組成物を用いるための好ましい方法を説明する。組成物及びスラリーはすべて、下記に略記するようなＳＴＩ研磨プロトコールに用いられた。
Ｒｏｄｅｌ．Ｉｎｃ．製のＩＣ１０００／ＳＵＢＡ ＩＶパッドスタックを用いて、ブランケットＰＥＴＥＯＳ及び窒化ケイ素をＣＭＰスラリーで化学的機械的研磨した。９ｐｓｉ（６２ｋＰａ）の押下力で、１４０ｍｌ／分のスラリー流量で、３５ｒｐｍの定盤速度で、そして２４ｒｐｍのキャリヤー速度でＩＰＥＣ／ＷＥＳＴＥＣＨ ４７２ＣＰＭ用具を用いて、研磨を実施した。
実施例２（参考）
微粉砕セリア処方物
ブランケット二酸化ケイ素及び窒化物ウェハを研磨するその能力を評価するために、微粉砕セリアスラリーを調製した。約２〜４μｍの粒子サイズを有するＲｈｏｄｉｔｅ等級４００ＨＳセリアをＵｎｉｖｅｒｓａｌ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ，Ｈｉｃｋｓｖｉｌｌｅ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋから購入して、アジテータービーズミルを用いて１５０ｎｍの一次中間値粒子サイズに微粉砕した。微粉砕化は、その結果生じるｐＨ約７．５〜８．５のスラリーが微粉砕後に２０〜３０％の固体を含有するような条件下で成し遂げられた。
次にスラリーを希釈し、ｐＨを調整して、表１に列挙したスラリーを生成した。実施例１に記載した方法にしたがって、スラリーを用いて基材を研磨した。
Figure 0005038199
微粉砕セリアスラリーは研磨のために用いた。データは、微粉砕セリアスラリーが非常に大きいＰＥＴＥＯＳ（二酸化ケイ素層）除去速度を生じることを示す。
実施例３（参考）
沈降セリア窒化物処方物
沈降セリア粒子、硝酸、酢酸を含有する硝酸塩安定化セリアスラリー（ｐＨ＝１．８及び固体２０％）は、Ｎｙａｃｏｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ （Ａｓｈｌａｎｄ，ＭＡ）から購入した。水酸化アンモニウムを添加することにより、スラリーのｐＨを約４．２〜６．８に調整した。実施例１に記載した方法にしたがって、スラリーを用いて基材を研磨した。研磨結果を表２に報告する。
Figure 0005038199
研磨データは、最低ｐＨ（４．２）では、選択率は大きいが全体的酸化物除去速度は小さいことを示す。
実施例４（参考）
沈降セリア酢酸塩処方物
可溶性Ｃｅ３＋及びＣｅ４＋及び酢酸を含むコロイド酢酸セリウムスラリー（ｐＨ＝１．８及び固体２０％）は、Ｎｙａｃｏｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ（Ａｓｈｌａｎｄ，ＭＡ）から購入した。スラリーのｐＨを約４．５８に調整し、固体含量を１５％にした。実施例１に記載した方法にしたがって、スラリーを基材に適用した。結果は、１１．１の酸化物対窒化物選択率に関して、酸化物層除去速度１１７Å／分及び窒化物層除去速度１０．５Å／分であることを示した。
実施例５（参考）
破砕／沈降セリア処方物
実施例２に記載したように製造した種々の重量％量の微粉砕セリアと、Ｎｙａｃｏｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ（Ａｓｈｌａｎｄ，ＭＡ）から購入した沈降セリアから成るセリアスラリーを、表３に示したように処方した。実施例１に記載した方法にしたがって、スラリーを用いて基材を研磨した。研磨結果を下記の表３に記載する。
Figure 0005038199
結果は、８０％微粉砕セリア及び２０％沈降セリアを含むＣＭＰスラリーが大きいＰＥＴＥＯＳ除去速度、小さい窒化物除去速度及び高選択率という最も望ましい特性を生じたことを示す。
実施例６（参考）
微粉砕セリアを用いた化学的処方物
Ｃａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより製造され、ＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬの商品名で販売されているヒュームドシリカ粒子Ｌ−９０、硝酸セリウムアンモニウム、種々のパーセンテージの酢酸及び脱イオン水から成るスラリーを、表４に示したように処方した。添加剤の含入後、全スラリーをｐＨ＝４に調整した。実施例１に記載した方法にしたがって、スラリーを基材に適用した。
Figure 0005038199
大きい硝酸塩含量（１％硝酸塩）及び小さい酢酸含量（０．１％）で、大きいＰＥＴＥＯＳ除去速度及び小さい窒化物除去速度が得られた。
実施例７（参考）
シリカを用いる化学処方物−ｐＨ試験
４重量％のＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬ（商標）Ｌ−９０ヒュームドシリカ、１．８重量％の硝酸セリウムアンモニウム及び０．６重量％の種々のパーセンテージの酢酸から成るスラリーを、表５に示したように処方した。スラリーのｐＨは、４．０〜５．０の間であった。実施例１に記載した方法にしたがって、スラリーを基材に適用した。
Figure 0005038199
各スラリーに関して、大きいＰＥＴＥＯＳ除去速度が得られ、選択率は非常に良好であった。結果は、スラリーｐＨがＰＥＴＥＯＳ除去速度に強い影響を及ぼし、酸化物の最適除去速度は約ｐＨ４．７で達成されることを示す（図１）。
実施例８（参考）
１．８重量％の硝酸セリウムアンモニウム、０．８重量％の酢酸及び脱イオン水から成る組成物を用いて、実施例１の方法にしたがって、ＰＥＴＥＯＳ及び窒化ケイ素ウェハを研磨した。スラリーのｐＨは４．５に調整した。組成物は６９０Å／分でＰＥＴＥＯＳを、２３Å／分で窒化ケイ素を研磨し、ＰＥＴＥＯＳ選択率は３０であった。
実施例９
適量の（１）Ｎｙａｃｏｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ（Ａｓｈｌａｎｄ，ＭＡ）製で、実施例４に記載した２０重量％のコロイド酢酸セリウム溶液；（２）Ｃａｂｏｔ Ｃｏｒｐ．製で、ＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬの商品名で販売されているＬ−９０ヒュームドシリカ；及び（３）脱イオン水を組み合わせることにより、４．０重量％のセリウム及び４．０重量％のシリカから成るｐＨ４．５のＣＭＰスラリーを調製した。水酸化アンモニウムを用いてスラリーのｐＨを４．５に調整した。スラリーは０．１５重量％の過硫酸アンモニウムを含有していた。
試験の前に、種々の量のＥＤＴＡ又はクエン酸キレート剤をスラリーに添加した。次に、実施例１の方法にしたがって、スラリーを試験した。試験結果を下記の表６に報告する。
Figure 0005038199
スラリー中の二カリウムＥＤＴＡの量を増大すると、酸化物除去速度が低減する。しかしながら、二カリウムＥＤＴＡ濃度が増大すると、ＣＭＰ後清浄性のウェハ上の粒子数である光点欠陥（ＬＰＤ）は有意に低減する。
実施例１０
本実施例は、酸化剤を用いない場合と用いた場合とで、本発明の組成物の研磨効力を評価した。Ｃｅ４＋イオンを含有する４．０重量％のコロイドセリア及び４．０重量％のシリカから成り、ｐＨが４．５であるスラリーを、実施例９に記載した方法にしたがって処方した。０．１５重量％の過硫酸アンモニウムを添加した場合と添加しなかった場合とで、実施例２の方法にしたがってスラリーを試験した。試験結果を下記の表７に報告する。
Figure 0005038199
表７に記載した結果は、過硫酸アンモニウム酸化剤を用いない場合、各組のセリアは異なる研磨率と、許容可能であるが小さい選択率を示すことを表示する。０．１５重量％の過硫酸アンモニウムを添加後の同一組の成績はより一貫しており、スラリーは大きい選択率を示す。
ここまでで本発明の特定の態様を説明してきたが、本発明の範囲内で変更を行うことができる。本発明の範囲は、明細書の記載によってではなく、特許請求の範囲によって定められるものである。
第１図は、ｐＨ／ＰＥＴＥＯＳの除去速度及び窒化物の除去速度のプロットである。

Claims (22)

  1. Ｃｅ４＋イオンを含む、０．０５重量％〜１０．０重量％の可溶性セリウム化合物（セリアを除く）；
    Ｃｅ４＋より大きい酸化電位を有する、０．０５重量％〜５．０重量％の酸化剤；及び
    １〜２５重量％の少なくとも１種の研磨材
    を含んでなり、かつ３〜１１のｐＨを有する二酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を有する基材を研磨するための水性化学機械的研磨スラリー。
  2. 前記可溶性セリウム化合物が、水酸化セリウム（Ｃｅ（ＯＨ）４）の水和及び非水和塩、硫酸アンモニウムセリウム｛（ＮＨ４）２ＳＯ４Ｃｅ２（ＳＯ４）３｝、酢酸セリウム｛Ｃｅ（Ｏ２ＣＨ３）３｝、硫酸セリウム｛Ｃｅ（ＳＯ４）２｝、臭素酸セリウム｛Ｃｅ（ＢｒＯ３）３・９Ｈ２Ｏ｝、臭化セリウム｛ＣｅＢｒ３｝、炭酸セリウム｛Ｃｅ（ＣＯ３）２｝、塩化セリウム｛ＣｅＣｌ３｝、シュウ酸セリウム｛Ｃｅ（Ｃ２Ｏ４）３｝、硝酸セリウム｛Ｃｅ（ＮＯ３）３（ＯＨ）・６Ｈ２Ｏ｝、及びそれらの組合せからなる群より選択される、請求項１に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  3. ｐＨが３．５〜６．０である、請求項１又は２に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  4. ｐＨが３．８〜５．５である、請求項１に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  5. ０．０５〜１０．０重量％の少なくとも１種のカルボン酸又はその塩を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  6. 前記カルボン酸又はその塩が、一官能酸、二官能酸及びそれらの塩から選択される、請求項５に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  7. 前記カルボン酸が酢酸である、請求項６に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  8. 前記酸化剤が過硫酸アンモニウムである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  9. ０．０５〜５．０重量％の過硫酸アンモニウムを含む、請求項８に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  10. 少なくとも１種のキレート剤を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  11. ０．０５〜５．０重量％のキレート剤を含む、請求項１０に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  12. 前記キレート剤が、ＥＤＴＡ塩、クエン酸、及びそれらの混合物から選択される、請求項１０又は１１に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  13. ２〜２５重量％の研磨材を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化学機械的研磨スラリー。
  14. ２〜１５重量％の研磨材を含む、請求項１３に記載の化学機械的研磨スラリー。
  15. 前記研磨材が少なくとも１種の金属酸化物である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の化学機械的研磨スラリー。
  16. 前記金属酸化物の研磨材が、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、シリカ、セリア、並びにそれらの混合物及び化学的混合物からなる群より選択される、請求項１５に記載の化学機械的研磨スラリー。
  17. 前記金属酸化物の研磨材が、シリカである、請求項１６に記載の化学機械的研磨スラリー。
  18. 前記研磨材が、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、シリカ及びセリアから選択される少なくとも２つの構成酸化物の物理的混合物である、請求項１５に記載の化学機械的研磨スラリー。
  19. ０．０５〜５．０重量％の過硫酸アンモニウム、
    ０．０５〜５．０重量％の少なくとも１種のキレート剤、
    ０．５〜１０重量％の可溶性セリウム化合物、及び
    １〜２５重量％の金属酸化物研磨材
    を含む、請求項１に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  20. 前記キレート剤が、ＥＤＴＡ塩、クエン酸、及びそれらの混合物から選択される、請求項１９に記載の水性化学機械的研磨スラリー。
  21. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の前記化学機械的研磨スラリーを基材に適用し；そして
    パッドを前記基板と接触させ、そして前記パッドを前記基材に関して動かすことによって、二酸化ケイ素層の少なくとも一部分を前記基材から除去すること；
    を含む、二酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を有する層状基材から、二酸化ケイ素層の少なくとも一部分を除去する方法。
  22. 前記窒化ケイ素層の除去速度よりも少なくとも５倍大きい速度で、前記二酸化ケイ素層が前記基材から除去される、請求項２１に記載の方法。
JP2008066541A 1996-12-30 2008-03-14 酸化物ｃｍｐのための組成物 Expired - Lifetime JP5038199B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/774,488 US5759917A (en) 1996-12-30 1996-12-30 Composition for oxide CMP
US08/774,488 1996-12-30

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53013898A Division JP2001507739A (ja) 1996-12-30 1997-12-19 酸化物ｃｍｐのための組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008199043A JP2008199043A (ja) 2008-08-28
JP5038199B2 true JP5038199B2 (ja) 2012-10-03

Family

ID=25101406

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53013898A Withdrawn JP2001507739A (ja) 1996-12-30 1997-12-19 酸化物ｃｍｐのための組成物
JP2008066541A Expired - Lifetime JP5038199B2 (ja) 1996-12-30 2008-03-14 酸化物ｃｍｐのための組成物

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53013898A Withdrawn JP2001507739A (ja) 1996-12-30 1997-12-19 酸化物ｃｍｐのための組成物

Country Status (11)

Country Link
US (3) US5759917A (ja)
EP (1) EP0963419B1 (ja)
JP (2) JP2001507739A (ja)
KR (1) KR20000069823A (ja)
CN (1) CN1168794C (ja)
AT (1) ATE264378T1 (ja)
AU (1) AU5532898A (ja)
DE (1) DE69728691T2 (ja)
IL (1) IL130720A0 (ja)
TW (1) TW505690B (ja)
WO (1) WO1998029515A1 (ja)

Families Citing this family (215)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230986B2 (ja) * 1995-11-13 2001-11-19 株式会社東芝 ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
AU1670597A (en) * 1996-02-07 1997-08-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Cerium oxide abrasive, semiconductor chip, semiconductor device, process for the production of them, and method for the polishing of substrates
US5827781A (en) * 1996-07-17 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Planarization slurry including a dispersant and method of using same
US5916819A (en) 1996-07-17 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same
US5738800A (en) * 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US6132637A (en) * 1996-09-27 2000-10-17 Rodel Holdings, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US7384680B2 (en) 1997-07-21 2008-06-10 Nanogram Corporation Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20090255189A1 (en) * 1998-08-19 2009-10-15 Nanogram Corporation Aluminum oxide particles
US6592776B1 (en) 1997-07-28 2003-07-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for metal CMP
JP3371775B2 (ja) * 1997-10-31 2003-01-27 株式会社日立製作所 研磨方法
US20040229468A1 (en) * 1997-10-31 2004-11-18 Seiichi Kondo Polishing method
US6190237B1 (en) * 1997-11-06 2001-02-20 International Business Machines Corporation pH-buffered slurry and use thereof for polishing
US6149696A (en) * 1997-11-06 2000-11-21 Komag, Inc. Colloidal silica slurry for NiP plated disk polishing
US6362101B2 (en) * 1997-11-24 2002-03-26 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polishing methods using low pH slurry mixtures
US6114248A (en) * 1998-01-15 2000-09-05 International Business Machines Corporation Process to reduce localized polish stop erosion
US5990012A (en) * 1998-01-27 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Chemical-mechanical polishing of hydrophobic materials by use of incorporated-particle polishing pads
DE19805525C2 (de) * 1998-02-11 2002-06-13 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren zum Naßätzen von Halbleiterscheiben zum Erzeugen eines definierten Randbereichs durch Unterätzen
TW419518B (en) * 1998-02-20 2001-01-21 Ind Tech Res Inst Non-Newtonian-fluid-behaviored formulation
US6159076A (en) * 1998-05-28 2000-12-12 Komag, Inc. Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface
US5928962A (en) * 1998-06-01 1999-07-27 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US6217416B1 (en) * 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
TW455626B (en) * 1998-07-23 2001-09-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
US6124207A (en) * 1998-08-31 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Slurries for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods and apparatuses for making and using such slurries
US6468909B1 (en) 1998-09-03 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Isolation and/or removal of ionic contaminants from planarization fluid compositions using macrocyclic polyethers and methods of using such compositions
US6143192A (en) * 1998-09-03 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Ruthenium and ruthenium dioxide removal method and material
JP2000080350A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
US6270395B1 (en) 1998-09-24 2001-08-07 Alliedsignal, Inc. Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6069047A (en) * 1998-09-29 2000-05-30 Wanlass; Frank M. Method of making damascene completely self aligned ultra short channel MOS transistor
US6291349B1 (en) 1999-03-25 2001-09-18 Beaver Creek Concepts Inc Abrasive finishing with partial organic boundary layer
US6346202B1 (en) 1999-03-25 2002-02-12 Beaver Creek Concepts Inc Finishing with partial organic boundary layer
US7131890B1 (en) 1998-11-06 2006-11-07 Beaver Creek Concepts, Inc. In situ finishing control
US6739947B1 (en) 1998-11-06 2004-05-25 Beaver Creek Concepts Inc In situ friction detector method and apparatus
US6634927B1 (en) 1998-11-06 2003-10-21 Charles J Molnar Finishing element using finishing aids
US6293851B1 (en) 1998-11-06 2001-09-25 Beaver Creek Concepts Inc Fixed abrasive finishing method using lubricants
US6568989B1 (en) 1999-04-01 2003-05-27 Beaver Creek Concepts Inc Semiconductor wafer finishing control
US6656023B1 (en) * 1998-11-06 2003-12-02 Beaver Creek Concepts Inc In situ control with lubricant and tracking
US6541381B2 (en) 1998-11-06 2003-04-01 Beaver Creek Concepts Inc Finishing method for semiconductor wafers using a lubricating boundary layer
US6267644B1 (en) 1998-11-06 2001-07-31 Beaver Creek Concepts Inc Fixed abrasive finishing element having aids finishing method
US6283829B1 (en) 1998-11-06 2001-09-04 Beaver Creek Concepts, Inc In situ friction detector method for finishing semiconductor wafers
US6428388B2 (en) 1998-11-06 2002-08-06 Beaver Creek Concepts Inc. Finishing element with finishing aids
FR2785614B1 (fr) * 1998-11-09 2001-01-26 Clariant France Sa Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium
US6395635B1 (en) 1998-12-07 2002-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Reduction of tungsten damascene residue
US6200875B1 (en) 1998-12-21 2001-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Chemical mechanical polishing of polysilicon plug using a silicon nitride stop layer
EP1566421B1 (en) * 1998-12-25 2014-12-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate.
KR100451499B1 (ko) * 1998-12-28 2004-12-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리막형성방법
US6426295B1 (en) * 1999-02-16 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Reduction of surface roughness during chemical mechanical planarization(CMP)
US6409936B1 (en) * 1999-02-16 2002-06-25 Micron Technology, Inc. Composition and method of formation and use therefor in chemical-mechanical polishing
US6551933B1 (en) 1999-03-25 2003-04-22 Beaver Creek Concepts Inc Abrasive finishing with lubricant and tracking
US6752844B2 (en) * 1999-03-29 2004-06-22 Intel Corporation Ceric-ion slurry for use in chemical-mechanical polishing
KR100366619B1 (ko) * 1999-05-12 2003-01-09 삼성전자 주식회사 트랜치 소자분리방법, 트랜치를 포함하는 반도체소자의제조방법 및 그에 따라 제조된 반도체소자
US6251150B1 (en) * 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6153526A (en) * 1999-05-27 2000-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to remove residue in wolfram CMP
US6234875B1 (en) 1999-06-09 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Method of modifying a surface
US6238450B1 (en) 1999-06-16 2001-05-29 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Ceria powder
TW486514B (en) * 1999-06-16 2002-05-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
JP4729834B2 (ja) * 1999-06-18 2011-07-20 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨剤、これを用いた基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法並びにｃｍｐ研磨剤用添加剤
TWI227726B (en) 1999-07-08 2005-02-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical-mechanical abrasive composition and method
US6221119B1 (en) * 1999-07-14 2001-04-24 Komag, Inc. Slurry composition for polishing a glass ceramic substrate
US6602111B1 (en) * 1999-07-16 2003-08-05 Seimi Chemical Co., Ltd. Abrasive
CN1107097C (zh) * 1999-07-28 2003-04-30 长兴化学工业股份有限公司 化学机械研磨组合物及方法
US6429133B1 (en) * 1999-08-31 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Composition compatible with aluminum planarization and methods therefore
CN1125862C (zh) * 1999-09-20 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
US6491843B1 (en) 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
US6468910B1 (en) 1999-12-08 2002-10-22 Ramanathan Srinivasan Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
EP1242557B8 (en) * 1999-12-17 2006-02-01 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing or planarizing a substrate
US6358850B1 (en) * 1999-12-23 2002-03-19 International Business Machines Corporation Slurry-less chemical-mechanical polishing of oxide materials
JP2001269859A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
TW586157B (en) * 2000-04-13 2004-05-01 Showa Denko Kk Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
US6733553B2 (en) 2000-04-13 2004-05-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same
TWI268286B (en) * 2000-04-28 2006-12-11 Kao Corp Roll-off reducing agent
KR100378180B1 (ko) * 2000-05-22 2003-03-29 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
US20040092103A1 (en) * 2000-07-19 2004-05-13 Shigeo Fujii Polishing fluid composition
US6702954B1 (en) 2000-10-19 2004-03-09 Ferro Corporation Chemical-mechanical polishing slurry and method
US6413869B1 (en) * 2000-11-06 2002-07-02 Advanced Micro Devices, Inc. Dielectric protected chemical-mechanical polishing in integrated circuit interconnects
DE10063491A1 (de) * 2000-12-20 2002-06-27 Bayer Ag Saure Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von SiO¶2¶-Isolationsschichten
CN1746255B (zh) * 2001-02-20 2010-11-10 日立化成工业株式会社 抛光剂及基片的抛光方法
US20070290166A1 (en) * 2001-03-14 2007-12-20 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US6796883B1 (en) 2001-03-15 2004-09-28 Beaver Creek Concepts Inc Controlled lubricated finishing
US6540935B2 (en) 2001-04-05 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same
KR100464429B1 (ko) * 2002-08-16 2005-01-03 삼성전자주식회사 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법
JP4002740B2 (ja) * 2001-05-29 2007-11-07 三井金属鉱業株式会社 セリウム系研摩材の製造方法
US6811470B2 (en) 2001-07-16 2004-11-02 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing shallow trench isolation substrates
US6677239B2 (en) 2001-08-24 2004-01-13 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing
US20050028449A1 (en) * 2001-09-03 2005-02-10 Norihiko Miyata Polishing composition
US7156717B2 (en) 2001-09-20 2007-01-02 Molnar Charles J situ finishing aid control
US6589100B2 (en) 2001-09-24 2003-07-08 Cabot Microelectronics Corporation Rare earth salt/oxidizer-based CMP method
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
US7666239B2 (en) * 2001-11-16 2010-02-23 Ferro Corporation Hydrothermal synthesis of cerium-titanium oxide for use in CMP
US6596042B1 (en) 2001-11-16 2003-07-22 Ferro Corporation Method of forming particles for use in chemical-mechanical polishing slurries and the particles formed by the process
WO2003044123A1 (en) * 2001-11-16 2003-05-30 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
US20060032836A1 (en) * 2001-11-16 2006-02-16 Ferro Corporation Methods of controlling the properties of abrasive particles for use in chemical-mechanical polishing slurries
KR100474540B1 (ko) * 2002-06-24 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 금속배선 콘택플러그 형성방법
US20030138201A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Self-aligned lens formed on a single mode optical fiber using CMP and thin film deposition
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
KR100442873B1 (ko) * 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
JP2003313542A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
US7677956B2 (en) * 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
KR100457743B1 (ko) * 2002-05-17 2004-11-18 주식회사 하이닉스반도체 산화막용 ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법
KR100474545B1 (ko) * 2002-05-17 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 형성 방법
US6616514B1 (en) 2002-06-03 2003-09-09 Ferro Corporation High selectivity CMP slurry
US20040007690A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-15 Cabot Microelectronics Corp. Methods for polishing fiber optic connectors
US20040127045A1 (en) * 2002-09-12 2004-07-01 Gorantla Venkata R. K. Chemical mechanical planarization of wafers or films using fixed polishing pads and a nanoparticle composition
US7063597B2 (en) 2002-10-25 2006-06-20 Applied Materials Polishing processes for shallow trench isolation substrates
US20040123528A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Jung Jong Goo CMP slurry for semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
JPWO2004061925A1 (ja) * 2002-12-31 2006-05-18 株式会社Sumco 化学的機械研磨用スラリー組成物、これを利用した半導体素子の表面平坦化方法及びスラリー組成物の選択比制御方法
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
CN100373556C (zh) * 2003-05-28 2008-03-05 日立化成工业株式会社 研磨剂及研磨方法
US20040259366A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Kim Seong Han Method and composition for the chemical-vibrational-mechanical planarization of copper
KR101053653B1 (ko) * 2003-07-01 2011-08-02 주식회사 동진쎄미켐 산화세륨 연마제를 이용한 화학 기계적 연마 슬러리조성물
US20050028450A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Wen-Qing Xu CMP slurry
JP4574140B2 (ja) * 2003-08-27 2010-11-04 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法
ATE463838T1 (de) * 2003-09-30 2010-04-15 Fujimi Inc Polierzusammensetzung und polierverfahren
US6964600B2 (en) * 2003-11-21 2005-11-15 Praxair Technology, Inc. High selectivity colloidal silica slurry
JP4974447B2 (ja) * 2003-11-26 2012-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
US7294575B2 (en) * 2004-01-05 2007-11-13 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure
JP2005268666A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2005268664A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4316406B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4644434B2 (ja) * 2004-03-24 2011-03-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR100582771B1 (ko) * 2004-03-29 2006-05-22 한화석유화학 주식회사 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리
US7253111B2 (en) 2004-04-21 2007-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Barrier polishing solution
US20050279733A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-22 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition for improved oxide removal rate
US20060064335A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-23 International Business Machines Corporation Method, system, and storage medium for performing business process modeling
JP2006086462A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた配線構造体の製造法
US20070218811A1 (en) * 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
US20060088976A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Applied Materials, Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing substrates
JP2006135072A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Fujimi Inc 研磨方法
US20060097219A1 (en) * 2004-11-08 2006-05-11 Applied Materials, Inc. High selectivity slurry compositions for chemical mechanical polishing
TWI323741B (en) * 2004-12-16 2010-04-21 K C Tech Co Ltd Abrasive particles, polishing slurry, and producing method thereof
KR100670538B1 (ko) * 2004-12-30 2007-01-16 매그나칩 반도체 유한회사 광 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법
KR101371853B1 (ko) * 2005-01-05 2014-03-07 니타 하스 인코포레이티드 연마슬러리
KR100724287B1 (ko) * 2005-01-12 2007-06-04 제일모직주식회사 산화물 침식 특성이 우수한 금속배선 연마용 슬러리 조성물
US20060166458A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Yi-Lung Cheng Method for forming shallow trench isolation structures
JP4528164B2 (ja) * 2005-03-11 2010-08-18 関東化学株式会社 エッチング液組成物
CN101180379B (zh) * 2005-03-25 2013-07-24 气体产品与化学公司 用于含有金属离子氧化剂的化学机械抛光组合物中的二羟基烯醇化合物
WO2006119311A2 (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Symyx Technologies, Inc. High surface area metal and metal oxide materials and methods of making same
KR100641348B1 (ko) * 2005-06-03 2006-11-03 주식회사 케이씨텍 Ｃｍｐ용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법
JP2006339594A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Seimi Chem Co Ltd 半導体用研磨剤
JP5026710B2 (ja) * 2005-09-02 2012-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
TWI397577B (zh) * 2005-09-02 2013-06-01 Fujimi Inc 研磨用組成物
KR100643628B1 (ko) 2005-11-04 2006-11-10 제일모직주식회사 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
US8512593B2 (en) * 2005-11-04 2013-08-20 Cheil Industries, Inc. Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same
KR100812052B1 (ko) * 2005-11-14 2008-03-10 주식회사 엘지화학 탄산세륨 분말, 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를포함하는 ｃｍｐ 슬러리
US20070209287A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method to polish silicon nitride
JP5353238B2 (ja) * 2006-04-21 2013-11-27 日立化成株式会社 酸化物粒子の製造方法、スラリー、研磨剤および基板の研磨方法
US7510974B2 (en) * 2006-05-05 2009-03-31 United Microelectronics Corp. CMP process
CN100578739C (zh) * 2006-05-17 2010-01-06 联华电子股份有限公司 化学机械抛光的方法
US8759216B2 (en) * 2006-06-07 2014-06-24 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for polishing silicon nitride materials
US7294576B1 (en) * 2006-06-29 2007-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Tunable selectivity slurries in CMP applications
SG139699A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-29 Fujimi Inc Polishing composition and polishing process
US10435639B2 (en) 2006-09-05 2019-10-08 Cerion, Llc Fuel additive containing lattice engineered cerium dioxide nanoparticles
JP2010502821A (ja) 2006-09-05 2010-01-28 セリオン テクノロジー， インコーポレーテッド 内燃機関を調整する方法
US8883865B2 (en) * 2006-09-05 2014-11-11 Cerion Technology, Inc. Cerium-containing nanoparticles
US20080135520A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-12 Tao Sun Chemical composition for chemical mechanical planarization
WO2008114972A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-25 Lg Chem, Ltd. Method for preparing cerium carbonate powder
JP2008235481A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法
JP5371207B2 (ja) * 2007-06-08 2013-12-18 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
JP2009164188A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2009164186A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
KR101570732B1 (ko) * 2007-12-31 2015-11-20 에프엔에스테크 주식회사 화학-기계적 평탄화 패드
JP5375025B2 (ja) * 2008-02-27 2013-12-25 日立化成株式会社 研磨液
US9548211B2 (en) * 2008-12-04 2017-01-17 Cabot Microelectronics Corporation Method to selectively polish silicon carbide films
CN102101981B (zh) * 2009-12-18 2014-08-20 安集微电子（上海）有限公司 一种用于介质材料平坦化的抛光液
KR20130136593A (ko) 2010-03-12 2013-12-12 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리, 연마액 세트, 연마액 및 이것들을 이용한 기판의 연마 방법
US8961815B2 (en) 2010-07-01 2015-02-24 Planar Solutions, Llc Composition for advanced node front-and back-end of line chemical mechanical polishing
EP2614122A4 (en) 2010-09-08 2014-01-15 Basf Se AQUEOUS CLEANSING COMPOSITIONS WITH N-SUBSTITUTED DIAZENIUM DIOXIDE AND / OR N'-HYDROXY DIAZENIUM OXIDE SALTS
WO2012032469A1 (en) 2010-09-08 2012-03-15 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices
MY175638A (en) 2010-09-08 2020-07-03 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectic and polysilicon films.
US8497210B2 (en) 2010-10-04 2013-07-30 International Business Machines Corporation Shallow trench isolation chemical mechanical planarization
US9881801B2 (en) 2010-11-22 2018-01-30 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate
CN103497733B (zh) 2010-11-22 2016-11-23 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板
SG190334A1 (en) 2010-12-10 2013-06-28 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films
WO2012092361A2 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing slurry including zirconia particles and a method of using the polishing slurry
CN103402705B (zh) * 2011-01-27 2017-08-08 福吉米株式会社 研磨材料和研磨用组合物
CN102956535B (zh) * 2011-08-24 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其制造方法
WO2013125445A1 (ja) 2012-02-21 2013-08-29 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
SG11201405091TA (en) 2012-02-21 2014-09-26 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method
KR102034328B1 (ko) * 2012-05-22 2019-10-18 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체
US9932497B2 (en) 2012-05-22 2018-04-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
JP5943074B2 (ja) * 2012-05-22 2016-06-29 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法
KR102034330B1 (ko) 2012-05-22 2019-10-18 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기체의 연마 방법 및 기체
CN103896321A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 上海新安纳电子科技有限公司 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用
US8920667B2 (en) 2013-01-30 2014-12-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition containing zirconia and metal oxidizer
US8906252B1 (en) * 2013-05-21 2014-12-09 Cabot Microelelctronics Corporation CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity
US9434859B2 (en) * 2013-09-24 2016-09-06 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical planarization of polymer films
US9281210B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
US9279067B2 (en) 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
WO2015058037A1 (en) 2013-10-17 2015-04-23 Cerion, Llc Malic acid stabilized nanoceria particles
EP3161098B1 (en) * 2014-06-25 2022-10-26 CMC Materials, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing composition
SG11201610533WA (en) * 2014-06-25 2017-01-27 Cabot Microelectronics Corp Colloidal silica chemical-mechanical polishing composition
CN104403575B (zh) * 2014-12-23 2016-09-21 包头市华辰稀土材料有限公司 一种高精度氧化铝抛光粉的制备方法
US10414947B2 (en) * 2015-03-05 2019-09-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria particles and method of use
KR102583709B1 (ko) * 2015-03-10 2023-09-26 가부시끼가이샤 레조낙 연마제, 연마제용 저장액 및 연마 방법
CN108076668B (zh) 2015-09-30 2019-05-14 福吉米株式会社 研磨用组合物
JP7306608B2 (ja) 2016-03-11 2023-07-11 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 高度な流体処理方法およびシステム
WO2018012175A1 (ja) 2016-07-15 2018-01-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法および研磨方法
US11111412B2 (en) 2016-07-15 2021-09-07 Fujimi Incorporated Polishing composition, method for producing polishing composition, and polishing method
CN106381068A (zh) * 2016-08-31 2017-02-08 常熟市光学仪器有限责任公司 用于加工无色光学玻璃的抛光液
WO2019043819A1 (ja) * 2017-08-30 2019-03-07 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
US10759970B2 (en) * 2018-12-19 2020-09-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same
US10763119B2 (en) * 2018-12-19 2020-09-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same
US11326076B2 (en) 2019-01-25 2022-05-10 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives
US11608451B2 (en) 2019-01-30 2023-03-21 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates
US20200270479A1 (en) 2019-02-26 2020-08-27 Versum Materials Us, Llc Shallow Trench Isolation Chemical And Mechanical Polishing Slurry
CN114341286B (zh) 2019-08-30 2023-10-20 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于进行材料去除操作的组合物和方法
KR102765340B1 (ko) 2019-08-30 2025-02-13 세인트-고바인 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인크. 재료 제거 작업을 수행하기 위한 유체 조성물 및 방법
JP7650275B2 (ja) 2019-12-04 2025-03-24 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー 高い酸化物膜の除去速度のシャロートレンチアイソレーション（ｓｔｉ）化学機械平坦化（ｃｍｐ）研磨
CN113122139B (zh) * 2019-12-30 2024-04-05 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液及其使用方法
IL298552A (en) 2020-05-29 2023-01-01 Versum Mat Us Llc cmp polishing compositions with few oxides for shallow trench insulation applications and methods for their preparation
CN115386300B (zh) * 2022-08-22 2023-09-19 万华化学集团电子材料有限公司 一种适用于硅晶圆再生的抛光组合物、制备方法及其应用
CN116948531A (zh) * 2023-05-10 2023-10-27 深圳市拉达特科技有限公司 一种集成电路铜化学机械抛光组合物及其制备方法、用途

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4383857A (en) 1980-05-28 1983-05-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Attack polish for nickel-base alloys and stainless steels
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
FR2604443A1 (fr) * 1986-09-26 1988-04-01 Rhone Poulenc Chimie Composition de polissage a base de cerium destinee au polissage des verres organiques
US4752628A (en) * 1987-05-15 1988-06-21 Nalco Chemical Company Concentrated lapping slurries
US4867757A (en) * 1988-09-09 1989-09-19 Nalco Chemical Company Lapping slurry compositions with improved lap rate
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
JP2868885B2 (ja) * 1989-11-09 1999-03-10 新日本製鐵株式会社 シリコンウェハの研磨液及び研磨方法
US5114437A (en) * 1990-08-28 1992-05-19 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polishing composition for metallic material
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5575837A (en) * 1993-04-28 1996-11-19 Fujimi Incorporated Polishing composition
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5389352A (en) * 1993-07-21 1995-02-14 Rodel, Inc. Oxide particles and method for producing them
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
JP3397501B2 (ja) * 1994-07-12 2003-04-14 株式会社東芝 研磨剤および研磨方法
JP3430733B2 (ja) * 1994-09-30 2003-07-28 株式会社日立製作所 研磨剤及び研磨方法
KR960041316A (ko) * 1995-05-22 1996-12-19 고사이 아키오 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
US5863838A (en) * 1996-07-22 1999-01-26 Motorola, Inc. Method for chemically-mechanically polishing a metal layer
KR19980019046A (ko) * 1996-08-29 1998-06-05 고사이 아키오 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same)
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5773364A (en) * 1996-10-21 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for using ammonium salt slurries for chemical mechanical polishing (CMP)
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US20030104770A1 (en) * 2001-04-30 2003-06-05 Arch Specialty Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials

Also Published As

Publication number Publication date
CN1168794C (zh) 2004-09-29
ATE264378T1 (de) 2004-04-15
US5759917A (en) 1998-06-02
WO1998029515A1 (en) 1998-07-09
EP0963419A1 (en) 1999-12-15
US20040089634A1 (en) 2004-05-13
AU5532898A (en) 1998-07-31
KR20000069823A (ko) 2000-11-25
US6689692B1 (en) 2004-02-10
US6984588B2 (en) 2006-01-10
JP2001507739A (ja) 2001-06-12
EP0963419B1 (en) 2004-04-14
JP2008199043A (ja) 2008-08-28
DE69728691T2 (de) 2004-08-19
IL130720A0 (en) 2000-06-01
DE69728691D1 (de) 2004-05-19
CN1248994A (zh) 2000-03-29
TW505690B (en) 2002-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5038199B2 (ja) 酸化物ｃｍｐのための組成物
TWI452124B (zh) Ｃｍｐ用研磨液及使用其的研磨方法
US6533832B2 (en) Chemical mechanical polishing slurry and method for using same
KR102587746B1 (ko) 개선된 토포그래피를 갖는 텅스텐 벌크 연마 방법
TW574334B (en) CMP slurry composition and a method for planarizing semiconductor device using the same
US6447694B1 (en) Composition for chemical mechanical polishing
KR101419156B1 (ko) Ｃｍｐ용 연마액 및 이것을 사용한 연마 방법
TW201632605A (zh) Cmp研磨液、基板的研磨方法及電子零件
JP7766391B2 (ja) 研磨用組成物
US7364600B2 (en) Slurry for CMP and method of polishing substrate using same
JP4863524B2 (ja) 多結晶シリコン膜を研磨するための化学機械研磨用スラリー組成物およびその製造方法
JP2003347248A (ja) 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
KR101613359B1 (ko) 화학적 기계적 연마용 나노 세리아 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
US20050282471A1 (en) Chemical mechanical polishing slurry useful for tunsten/titanium substrate
KR100313573B1 (ko) 연마용 조성물
JP4707864B2 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
EP2092034B1 (en) Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same
KR100466422B1 (ko) Ｃｍｐ용 조성물
KR100497410B1 (ko) 연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물
KR20030043198A (ko) 절연층 연마용 슬러리 조성물
KR100366304B1 (ko) 반도체 웨이퍼 절연층의 화학적 기계적 연마용 조성물
JP6938855B2 (ja) Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
HK1027590A (en) Composition for oxide cmp

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110509

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120605

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120705

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term