[go: up one dir, main page]

JP5092445B2 - ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法 - Google Patents

ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5092445B2
JP5092445B2 JP2007041201A JP2007041201A JP5092445B2 JP 5092445 B2 JP5092445 B2 JP 5092445B2 JP 2007041201 A JP2007041201 A JP 2007041201A JP 2007041201 A JP2007041201 A JP 2007041201A JP 5092445 B2 JP5092445 B2 JP 5092445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
organic solvent
naphthol novolak
derivative
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007041201A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008201954A (ja
Inventor
仲篤 能村
徹 水町
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2007041201A priority Critical patent/JP5092445B2/ja
Publication of JP2008201954A publication Critical patent/JP2008201954A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5092445B2 publication Critical patent/JP5092445B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Description

本発明は、金属イオン含有量の低いナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法に関する。
半導体用途に用いられる樹脂の品質は、その組成物に含まれる汚染金属イオン量を実質的に低下させることによって、向上させることができる。組成物に含まれる不純物の大部分は、金属イオン、特にナトリウム、カリウム、鉄、クロム、マグネシウム、カルシウム、マンガン、銅、亜鉛、アルミニウム及びニッケルのイオンである。これらの不純物は、組成物中に結合剤として存在する樹脂成分に由来し、主としてその製造工程において混入する。従来、組成物については、50ppb 以下の金属イオン濃度が要求されてきたが、集積回路の高集積化に伴って、さらに金属イオン含有量の低い組成物が必要とされている。
特許第3221492号公報(特許文献1)には、市販のノボラック樹脂を、有機溶剤又は溶剤混合物中に約25〜50質量%の濃度に溶解させ、この樹脂溶液を酸性の、好ましくは錯体を形成する化合物に1回又は繰り返して接触させることにより、前記溶液の金属イオン含有量を低下させる方法が記載されている。しかしながら、この方法をナフトールノボラック樹脂及びその原料に適用すると、エマルジョンが形成されて、金属イオン含有量の低いナフトールノボラックおよびその誘導体は得られない。
特許第3248274号公報(特許文献2)には、有機溶剤中にポリビニルフェノール類が約1〜約50質量%の濃度で溶解している有機溶剤溶液を、酸性の化合物を溶解した水溶液と接触させた後、さらにイオン交換水と1回又は繰り返して接触させることにより、前記有機溶剤溶液中の金属イオン含有量を低下させ、もって金属イオン含有量の低いポリビニルフェノール類を製造する方法が記載されている。しかしながら、この方法をナフトールノボラック樹脂及びその原料に適用すると、エマルジョンが形成されて、金属イオン含有量の低いナフトールノボラックおよびその誘導体は得られない。
特開2002−182402号公報(特許文献3)には、レジストのベースポリマーまたはその非極性有機溶媒あるいは非極性有機溶媒と極性有機溶媒との混合溶媒の溶液に、レジストのベースポリマー中の金属不純物の当量以上の、水溶性で、錯形成能力のある化合物を添加し、反応を完了させた後、更に、純水で洗浄することにより、レジストのベースポリマー中の金属不純物を低減させるレジストのベースポリマーの精製方法が記載されている。しかしながら、この方法をこの方法をナフトールノボラック樹脂及びその原料に適用すると、エマルジョンが形成されて、金属イオン含有量の低いナフトールノボラックおよびその誘導体は得られない。
特開平5−19463号公報(特許文献4)には、レジストを20℃における水に対する溶解度が100g/cc以下である有機溶媒に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液と接触させて液−液抽出する方法が記載されている。しかしながら、この方法をこの方法をナフトールノボラック樹脂及びその原料に適用すると、エマルジョンが形成されて、金属イオン含有量の低いナフトールノボラック類は得られない。
特許第3221492号公報 特許第3248274号公報 特開2002−182402号公報 特開平5−19463号公報
そこで本発明の目的は、上記問題点を解決し、通常、数千ppbの金属イオンを含有すナフトールノボラックおよびその誘導体から、当該金属イオンの含有量を50ppb未満に低減しうる方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、以下特定する方法によって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれば、以下に示すナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法が提供される。
[1] (1)ナフトールノボラックおよびその誘導体を酢酸n−ブチルまたはメチルイソブチルケトンである有機溶剤に溶解して有機溶剤溶液を得るステップと、(2)前記有機溶剤溶液を酸性水溶液と接触させて有機層を回収するステップと、(3)前記有機層をイオン交換水と接触させてさらに有機層を回収するステップとをこの順で含み、前記(3)のステップを3回以上繰り返すナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
[2] 前記酸性水溶液が有機酸を含んでいる上記[1]に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
[3] 前記有機酸が蟻酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、酒石酸及びクエン酸からなる群より選択される少なくとも1種である上記[2]に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
[4] 前記酸性水溶液が、イオン交換水100質量部に対して有機酸を0.01〜25質量部の割合で溶解させたものである上記[1]〜[3]のいずれかに記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
] 前記有機溶剤溶液と、前記酸性水溶液との接触処理時の温度が、20℃〜70℃である上記[1]〜[]のいずれかに記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
] 前記有機層と前記イオン交換水との接触処理時の温度が、20℃〜70℃である上記[1]〜[]のいずれかに記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
本発明は、ナフトールノボラックおよびその誘導体を有機溶剤に溶解させた有機溶剤溶液を、酸性の化合物を溶解した水溶液と接触させた後、さらにイオン交換水と接触させる処理を3回以上繰り返すことにより、前記有機溶剤溶液中の金属イオン含有量を低下させることを特徴とする、金属イオン含有量の低いナフトールノボラックおよびその誘導体の製造法に関するものである。特に、20℃〜70℃の温度で攪拌することにより、有機溶剤溶液と酸性の化合物を溶解した水溶液との接触時や、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触時のエマルジョンの形成を抑えることができる。また、ナフトールノボラックおよびその誘導体中の金属イオン含有量を50ppb未満に低減することができる。
以下、本発明の実施の最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
[有機溶剤]
本発明では、ナフトールノボラックおよびその誘導体を有機溶剤に溶解させた有機溶剤溶液を用意する。ここで用いる有機溶剤は、ナフトールノボラックおよびその誘導体を溶解し、その後の処理に用いる酸性水溶液及びイオン交換水とそれぞれ分離するものであればよい。
このような有機溶剤としては、例えば、エステル類:ジエチルカーボネート、ギ酸プロピル、ギ酸イソアミル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸n−アミル;ケトン類:メチルn−プロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルn−アミルケトン、エチルブチルケトン、ジイソブチルケトン、イソホロン;エーテル類:イソプロピルエーテル、n−ブチルエーテル、ヘキシルエーテル、2−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノn−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテルが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は所望により2種以上混合して用いられる。
これらの中で好ましいのは、有機溶剤に対する水の溶解度が20℃で3.0g/L以下のものであり、より具体的には、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、メチルイソブチルケトンである。これらを使用すると、有機溶剤溶液と酸性化合物を溶解した水溶液との接触時や、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触時のエマルジョンの形成を抑えることができる。またこれらの溶剤は、比重が1より低いため、後の酸性水溶液との接触及びイオン交換水との接触後に、それぞれ有機溶剤層が上層に分離でき、分離が容易である。
この有機溶剤溶液は、ナフトールノボラックおよびその誘導体の濃度が10〜40質量%、さらに好ましくは20〜30質量%となるようにするのが好ましい。濃度が10質量%より小さいと、金属イオン低減効果が少なくなり、一方濃度が40質量%より高いと有機溶剤溶液と酸性化合物を溶解した水溶液との接触時や、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触時にエマルジョンが形成され易くなり、製造工程に時間がかかる。
[酸性水溶液]
ナフトールノボラックおよびその誘導体を溶解した有機溶剤溶液は、本発明に従って、まず酸性の化合物を溶解した水溶液との接触処理に供される。ここで用いる酸性の化合物としては、有機酸、特に有機カルボン酸のほか、有機スルホン酸などが挙げられる。有機カルボン酸として具体的には、蟻酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸などが挙げられる。有機スルホン酸として具体的には、p−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロスルホン酸、ノナフルオロススルホン酸などが挙げられる。これらをそれぞれ単独で、又は所望により2種以上混合して用いることができる。
酸性の化合物は、ナフトールノボラックおよびその誘導体中の金属イオン含有量を低減させるという本発明の目的を有効に達成するためには、イオン交換水に溶解させて水溶液とするのが好ましい。この場合、イオン交換水100質量部に対して、酸性の化合物を約0.001〜約35質量部の割合で、好ましくは約0.01〜約25質量部の割合で溶解させる。
ナフトールノボラックおよびその誘導体の有機溶剤溶液と酸性の化合物を溶解した水溶液の使用割合は、前者:後者の容積比で通常(1〜5):1、好ましくは(1〜3):1である。ナフトールノボラックおよびその誘導体の有機溶剤溶液と酸性の化合物を溶解した水溶液は、両者がよく接触するように混合すればよく、一段階又は多段階の交流若しくは逆流処理で行われる。好ましい接触手段としては抽出が挙げられ、抽出は例えば、上記有機溶剤溶液と上記水溶液とを1回混合するか、若しくはその都度新しい水溶液を用いて複数回、例えば3〜4回繰り返し混合すること(交流抽出又は多段階交流抽出)により、又は前記交流抽出後の水溶液を再使用して1回ないし数回混合すること(逆流抽出又は多段階逆流抽出)により行われる。抽出に際し、温度や時間等の条件は、ナフトールノボラックおよびその誘導体に悪影響がない限り特に制限されないが、好ましくは20〜70℃で、1回の混合につき30分以上行われる。
このような酸性の化合物を溶解した水溶液との接触処理を行った後、当該水溶液から分離され、回収されたナフトールノボラックおよびその誘導体の有機溶剤溶液は、さらにイオン交換水との接触処理に供される。ここで用いるイオン交換水は、10MΩ以上の電気抵抗値を有するものが好ましい。酸性の化合物を溶解させるのにイオン交換水を用いる場合も同様である。ナフトールノボラックおよびその誘導体の有機溶剤溶液とイオン交換水との接触処理は、有機溶剤溶液とイオン交換水を混合した後分液し、有機層を回収して、回収した有機層に再度イオン交換水を加えて混合した後分液し、再度有機層を回収して、回収した有機層に再々度イオン交換水を加えて混合した後分液するというように、イオン交換水との接触処理は、3回以上繰り返す必要がある。イオン交換水がpH6〜7になるまで繰り返すのが好ましい。イオン交換水のpHが6〜7以下の場合、有機層中に金属を内包した酸性の化合物が存在しているため、金属イオンがナフトールノボラックおよびその誘導体に残る可能性がある。
また、ナフトールノボラックおよびその誘導体の有機溶剤溶液とイオン交換水との接触処理における両者の使用割合や、温度、時間等の条件は、先の酸性の化合物を溶解した水溶液との接触処理の場合とほぼ同様でよい。イオン交換水との接触処理が終了した後、ナフトールノボラックおよびその誘導体の有機溶剤溶液に混入する水分は、真空蒸留や共沸蒸留により容易に除去することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下に示す、樹脂溶液のナトリウムおよび鉄含有量を変えた実施例により、本発明の方法をさらに詳細に説明する。
(含有金属イオン測定法)
ナフトールノボラック樹脂溶液およびその原料のナフトールの含有メタル測定法は、Perkin Elmer ELAN社製、DRCII ICP質量分析装置により測定を行った。
(ナフトールノボラックの重合)
ナフトールノボラックは以下の方法で得た。還流管を取り付けたフラスコに、1−ナフトールを100質量部、ホルムアルデヒドを60質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルを300質量部、p−トルエンスルホン酸を5質量部を加え、100℃、8時間加熱攪拌した。反応溶液に水を加え攪拌を行った。沈殿物を回収した後、水にて洗浄し、50℃にて17時間乾燥して、1−ナフトール/ホルムアルデヒド縮合物を得た。
この1−ナフトール/ホルムアルデヒド縮合物を未精製品とする。また、未精製品の含有メタル量を表2に示す。
(実施例1)
上記、未精製品を酢酸n−ブチルで10質量%に希釈して、有機溶媒溶液2Lを作成した。次いで、シュウ酸を1質量%濃度で電気抵抗16MΩ/cmのイオン交換水に溶解した水溶液1Lを加え、30℃で30分攪拌混合した後、分液した。得られた有機層(上層)にイオン交換水1Lを加え、30℃で30分攪拌し、洗浄した。さらに同条件で2回攪拌洗浄した。これら一連の操作を2回繰り返したのち、有機層を真空蒸留により、酢酸n−ブチルを除去した。得られた樹脂中の含有金属イオン量を測定した。
(実施例2〜18)
実施例1と同じ操作で、表1に示したように、有機溶剤種、有機溶剤溶液の濃度、酸性化合物種、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触回数、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触処理中のイオン交換水のpH、が異なる条件で実施例2〜18を行った。
(比較例1〜7)
実施例1と同じ操作で、表1に示したように、有機溶剤種、有機溶剤溶液の濃度、酸性化合物種、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触回数、有機溶剤溶液とイオン交換水との接触処理中のイオン交換水のpH、が異なる条件で比較例1〜7を行った。
Figure 0005092445
Figure 0005092445
(評価結果)
表2より、本発明による金属イオン低減処理により1000ppb以上あった金属イオンが50ppb以下に低減できることがわかる。特にNa、Fe、Cuは本発明の手法により大幅に低減できることがわかる。
一方、比較例1〜7に示した金属イオン低減処理では50ppb以下に抑えることができない。比較例1〜3は有機溶剤に有機溶剤に対する水の溶解度が3.0g/Lより高いため、酸性の化合物の水溶液やイオン交換水との接触後、有機層と水層を分離する際、その層間でエマルジョンが発生し分離が困難である。特に、イオン交換水との接触を繰り返す過程で、イオン交換水のpHが6〜7に近づくにつれ分離が非常に困難になり金属イオン低減処理が行えない。同様に比較例7では有機溶剤溶液の濃度が高いため、比較例1〜3と同じくエマルジョンが発生し金属イオン低減処理が行えない。また、比較例4〜5の結果より、イオン交換水との接触回数が少なく、イオン交換水のpHが6〜7以下の場合十分に金属イオンが低減しないことがわかる。また、比較例6の結果より、有機溶剤溶液の濃度が低いと金属イオン低減効果が低いことがわかる。
本発明によれば、通常、数千ppbの金属イオンを含有すナフトールノボラックおよびその誘導体から、当該金属イオンの含有量を50ppb未満に低減することが可能である。

Claims (6)

  1. (1)ナフトールノボラックおよびその誘導体を酢酸n−ブチルまたはメチルイソブチルケトンである有機溶剤に溶解して有機溶剤溶液を得るステップと、
    (2)前記有機溶剤溶液を酸性水溶液と接触させて有機層を回収するステップと、
    (3)前記有機層をイオン交換水と接触させてさらに有機層を回収するステップとをこの順で含み、前記(3)のステップを3回以上繰り返すナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
  2. 前記酸性水溶液が有機酸を含んでいる請求項1に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
  3. 前記有機酸が蟻酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、グリコール酸、乳酸、酒石酸及びクエン酸からなる群より選択される少なくとも1種である請求項2に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
  4. 前記酸性水溶液が、イオン交換水100質量部に対して有機酸を0.01〜25質量部の割合で溶解させたものである請求項1〜3のいずれか一項に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
  5. 前記有機溶剤溶液と、前記酸性水溶液との接触処理時の温度が、20℃〜70℃である請求項1〜のいずれか一項に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
  6. 前記有機層と前記イオン交換水との接触処理時の温度が、20℃〜70℃である請求項1〜のいずれか一項に記載のナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法。
JP2007041201A 2007-02-21 2007-02-21 ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法 Active JP5092445B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007041201A JP5092445B2 (ja) 2007-02-21 2007-02-21 ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007041201A JP5092445B2 (ja) 2007-02-21 2007-02-21 ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008201954A JP2008201954A (ja) 2008-09-04
JP5092445B2 true JP5092445B2 (ja) 2012-12-05

Family

ID=39779780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007041201A Active JP5092445B2 (ja) 2007-02-21 2007-02-21 ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5092445B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014123032A1 (ja) 2013-02-08 2014-08-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体
JP7026439B2 (ja) * 2014-12-25 2022-02-28 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法
US11480877B2 (en) 2015-03-31 2022-10-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein
EP3279727B1 (en) 2015-03-31 2021-06-09 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it
KR20180048733A (ko) 2015-08-31 2018-05-10 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 그 제조방법, 패턴형성방법, 수지, 그리고 정제방법
WO2017038643A1 (ja) 2015-08-31 2017-03-09 三菱瓦斯化学株式会社 リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びその製造方法、並びにレジストパターン形成方法
EP3348542A4 (en) 2015-09-10 2019-04-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, RESIST COMPOSITION AND RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR FORMING A RESIST STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING AN AMORPHOUS FILMS, MATERIAL FOR FORMING A lithographic LAYER FILMS, COMPOSITION FOR PRODUCING A lithographic LAYER FILMS, METHOD FOR PRODUCING A CONTROL STRUCTURE AND CLEANING PROCESS

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3923426A1 (de) * 1989-07-15 1991-01-17 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von novolak-harzen mit geringem metallionengehalt
JP3052449B2 (ja) * 1991-07-17 2000-06-12 住友化学工業株式会社 レジストの金属低減化方法
JP4575220B2 (ja) * 2005-04-14 2010-11-04 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料およびパターン形成方法
JP2007031527A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Asahi Organic Chem Ind Co Ltd ナフトール樹脂及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008201954A (ja) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5092445B2 (ja) ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法
JP3221492B2 (ja) 低金属イオン含有量ノボラック樹脂の製造方法
WO2020196046A1 (ja) ニッケルおよびコバルトを含有する水酸化物からのニッケルおよびコバルト含有溶液の製造方法
CN101376528B (zh) 从碱性粗钼酸钠溶液中萃取钼制取纯钼酸铵的方法
TW201439331A (zh) 自鈦殘餘物流回收鈧的方法
CN103421951B (zh) 利用混合萃取剂的屏蔽效果从钴和镍选择性地分离及回收锰的方法
JP2016507637A (ja) スカンジウム高含有のスカンジウム含有固体材料の生産方法
JP5754024B2 (ja) 電子工業用高純度酢酸の製造方法
JP5867710B2 (ja) 高純度硫酸ニッケルの製造方法、及びニッケルを含む溶液からの不純物元素除去方法
JP5684885B1 (ja) 希土類抽出剤及び希土類抽出方法
JP2013221178A (ja) 有価金属の分離方法
CN103725885A (zh) 钨铼合金边角料和废品回收再利用的新方法
JP5881952B2 (ja) 硫酸コバルトの製造方法
CN113735697B (zh) 一种半导体级丙酮的连续生产方法
WO2013105291A1 (ja) 高純度マンガン及びその製造方法
JP3806258B2 (ja) Ga,Inの溶媒抽出方法
EP4310122B1 (en) Preparation method and application of low-chlorine epoxy resin
EP4610246A1 (en) Metal oxygen-containing complex and use thereof as pre-oxidant
JP5770232B2 (ja) 混合抽出剤のスクリーン効果によるコバルトの抽出挙動抑制及びマンガンの選択的な回収方法
JP2014037607A (ja) インジウム抽出剤およびこの抽出剤を用いたインジウム抽出方法
CN115386743A (zh) 一种从钨酸盐溶液中提取钨的方法
JP2015212424A (ja) 硫酸コバルトの製造方法
KR101681115B1 (ko) 스칸디움의 추출 방법
CN109576493B (zh) 一种从钴液中脱除微量钛的方法
CN107614473A (zh) 羟基取代芳香族化合物的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090618

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120131

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120821

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120903

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5092445

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250