JP3019469B2

JP3019469B2 - 光記録媒体

Info

Publication number: JP3019469B2
Application number: JP3137566A
Authority: JP
Inventors: 修一前田; 悟今村
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1991-06-10
Filing date: 1991-06-10
Publication date: 2000-03-13
Anticipated expiration: 2015-03-13
Also published as: JPH04361088A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体に係り、詳し
くは、記録層にアゾ化合物と金属とのアゾ金属キレート
化合物を含有する、６５％以上の反射率を有する高反射
率光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーを用いた光学記録は、高密度の
情報記録保存及び再生を可能とするため、近年特にその
開発が進められている。光学記録の一例としては、光デ
ィスクを挙げることができる。一般に光ディスクは、円
形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度に集束
したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うもの
である。その記録は、照射されたレーザー光エネルギー
の吸収によって、その個所の記録層に、分解、蒸発、溶
解等の熱的変形が生成することにより行われる。また、
記録された情報の再生は、レーザー光により変形が起き
ている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取る
ことにより行われる。従って、記録層はレーザー光のエ
ネルギーを効率良く吸収する必要があり、このため、レ
ーザー吸収色素が用いられている。

【０００３】従来、この種の光学的記録媒体としては、
種々のものが知られているが、近年、特に、コンパクト
ディスク（ＣＤ）が広く家庭に普及している。ＣＤは、
アルミニウム等の金属の反射層を有するもので、再生専
用タイプの媒体である。これに対して最近になって、記
録できる（追記型）タイプのＣＤ媒体の提案がなされて
いるが、市販のＣＤプレイヤーとの互換性のためには、
反射率６５％以上の高い反射率の記録媒体であることが
要求される。このような高反射率の媒体として、例え
ば、特開平２−４２６５２号、特開平２−８７３３９
号、特開平２−８７３４０号等には、シアニン系色素を
記録層として設けたものが開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のシ
アニン系色素を主として用いた媒体は、溶解性が高く、
塗布によるコーティングが可能であるという利点の反
面、耐光性が劣るという問題点を有している。

【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、耐光
性に優れた高反射率光記録媒体を提供することを目的と
する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の光記録媒体
は、基板上に記録層、金属反射層及び保護層を順次積層
してなる光記録媒体であって、６５％以上の反射率を有
する光記録媒体において、該記録層が、下記一般式
［Ｉ］で示されるアゾ系化合物と金属とのアゾ金属キレ
ート化合物を１種又は２種以上含有することを特徴とす
る。

【０００７】

【化４】

【０００８】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
及び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表
わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒に
なって芳香環又は複素環を形成する残基を表わし、Ｘは
活性水素を有する基を表わす。）請求項２の光記録媒体
は、請求項１の光記録媒体において、アゾ化合物が下記
一般式［ＩＩ］で示される化合物であることを特徴とす
る。

【０００９】

【化５】

【００１０】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
と窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表わ
し、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立して水素原子、置換され
ていても良いアルキル基、置換されていても良いアリー
ル基、置換されていても良いアルケニル基又は置換され
ていても良いシクロアルキル基を表わし、Ｘは活性水素
を有する基を表わす。環Ｄは置換基を有していても良
い。）請求項３の光記録媒体は、請求項２の光記録媒体
において、アゾ化合物が下記一般式［ＩＩＩ］で示され
る化合物であることを特徴とする。

【００１１】

【化６】

【００１２】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
と窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表わ
し、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立して水素原子、置換され
ていても良いアルキル基、置換されていても良いアリー
ル基、置換されていても良いアルケニル基又は置換され
ていても良いシクロアルキル基を表わす。環Ｄは置換基
を有していても良い。）以下に本発明を詳細に説明す
る。一般式［Ｉ］で示されるアゾ系化合物において、Ａ
はそれが結合している炭素原子及び窒素原子と一緒に複
素環を形成する残基を表わし、好ましくは、少なくとも
１個の５〜７員の複素環を形成するのに必要な複数個の
原子を表わす。Ａにより形成される複素環上の水素原子
は１つ以上の置換基で置換されていても良い。この場
合、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、アラルキル基、アリール基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルバモイル
基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイル基、ス
ルホンアミド基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリー
ルアミノ基、ヒドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジ
ノアゾ基等が挙げられ、置換基のうち好ましいものとし
ては、炭素数１〜２５の置換されていても良いアルキル
基、炭素数８〜２５の置換されていても良いアルコキシ
基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜２
５の置換されていても良いアルキルスルファモイル基、
炭素数６〜３０の置換されていても良いフェニルスルフ
ァモイル基、フェニルアゾ基、ピリジノシゾ基、炭素数
１〜２５のエステル基、炭素数１〜２５のカルバモイル
基、炭素数１〜２５のアシル基、炭素数１〜２５のアシ
ルアミノ基、炭素数１〜２５のスルホンアミド基、下記
一般式［ＩＶ］で示されるアルキルアミノ基、アリール
アミノ基、水素基等が挙げられる。

【００１３】

【化７】

【００１４】（式中、Ｒ³及びＲ⁴は水素原子、炭素数１
〜２５の置換されていても良いアルキル基又はフェニル
基を表わす。Ｒ³及びＲ⁴は一緒になって５又は６員環を
形成しても良い。）Ａにより形成される複素環の中で好
ましいものとしては、チアゾール環、ベンゾチアゾール
環、ピリドベンゾチアゾール環、ベンゾピリドチアゾー
ル環、ピリドチアゾール環、ピリジン環、キノリン環等
が挙げられる。

【００１５】また、一般式［Ｉ］で示されるアゾ系化合
物において、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と
一緒になって芳香環又は複素環を形成する残基を表わ
し、好ましくは、少なくとも１個の５〜７員の芳香環又
は複素環を形成するのに必要な複数個の原子を表わす。
Ｂにより形成される環上の水素原子は１つ以上の置換基
で置換されていても良い。この場合、置換基としては、
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラル
キル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルア
ミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ
基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヒドロキシ
ル基等が挙げられ、置換基のうち好ましいものとしては
炭素数１〜２５の置換されていても良いアルキル基、炭
素数８〜２５の置換されていても良いアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜２５の置
換されていても良いアルキルスルファモイル基、炭素数
６〜３０の置換されていても良いフェニルスルファモイ
ル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、炭素数１〜２
５のエステル基、炭素数１〜２５のカルバモイル基、炭
素数１〜２５のアシル基、炭素数１〜２５のアシルアミ
ノ基、炭素数１〜２５のスルホンアミド基、前記一般式
［ＩＶ］で示されるアルキルアミノ基、アリールアミノ
基、水素基等が挙げられる。

【００１６】Ｂにより形成される環の中で好ましいもの
としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピ
リドン環又はピラゾール環等が挙げられる。

【００１７】更に、一般式［Ｉ］で示されるアゾ系化合
物において、Ｘとしては活性水素を有する基であれば良
く、特に制限されないが、好ましいものとしては、−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃Ｈ、−Ｂ（ＯＨ）₂、−ＨＮＳ
Ｏ₂Ｒ⁵（Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜２５の置換されて
いても良いアルキル基又はフェニル基を表わす。）、−
ＣＯＮＨ₂、−ＳＯ₂ＮＨ₂、−ＮＨ₂等が挙げられ、特に
好ましいものとしては、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃
Ｈ、−ＨＮＳＯ₂Ｒ⁵（Ｒ⁵は前記定義に同じ。）が挙げ
られる。なお、Ｘが−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ₃Ｈな
どのように陰イオンを解離し得る基である場合には、ア
ゾ金属キレート化合物の形成に際してはこのままの形で
用いても良く、また、陽イオンとの塩の形で用いても良
い。陽イオンとしては、Ｎａ⁺、Ｌｉ⁺、Ｋ⁺等の無機系
の陽イオン又はＰ⁺（Ｐｈ）、Ｎ⁺（Ｃ₂Ｈ₄）₄、Ｎ⁺（Ｃ
₄Ｈ₉（ｎ））₄、Ｐｈ−Ｎ⁺（ＣＨ₃）₃等の有機系の陽イ
オンが挙げられる（なお、上記においてＰｈはベンゼン
核を示す。）。

【００１８】一般式［Ｉ］で示されるアゾ系化合物の中
で好ましいものとしては、前記一般式［ＩＩ］で示され
るアゾ系化合物が、また、特に好ましいアゾ系化合物と
しては、前記一般式［ＩＩＩ］で示されるアゾ系化合物
が挙げられる。なお、環Ｄの置換基としては、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。

【００１９】このようなアゾ系化合物とともにアゾ金属
キレート化合物を形成する金属としては、一般に該アゾ
化合物とキレート化合物を形成する能力のある金属であ
れば良く、特に制限はないが、ニッケル（Ｎｉ）、コバ
ルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジ
ウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、オス
ミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等
の遷移元素が好ましく、特にＮｉ、Ｃｏである場合が好
ましい。これらは製造時Ｎｉ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂、ＮｉＣ
ｌ₂、ＣｏＣｌ₂、Ｃｏ（ＢＦ₄）₂、Ｃｏ（ＣＨ₃ＣＯ
Ｏ）₂等の塩の形で用いられ、Ｎｉ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺
等が配位したキレート化合物として得られる。

【００２０】本発明において用いられるアゾ金属キレー
ト化合物の合成は、例えば、「古川；Ａｎａｌｙｔｉｃ
ａＣｈｉｍｉｃａＡｃｔａ１４０（１９８２）２
８１−２８９」の記載に準じて行なうことができる。具
体的には、前記一般式［ＩＩ］で示されるアゾ系化合物
の金属キレート化合物は、まず、下記一般式［Ｖ］で示
されるアミノ化合物を、常法に従って、ジアゾ化し、下
記一般式［ＶＩ］で示される置換アニリンスルホン酸誘
導体とカップリングして前記一般式［ＩＩ］で示される
アゾ化合物を得、次いで得られたアゾ化合物と金属塩と
を水及び／又はジオキサン、テトラヒドロフラン、アセ
トン、エタノール等の有機溶媒中で反応させることによ
って製造することができる。

【００２１】

【化８】

【００２２】（式中、Ａ、並びに、環Ｄ、Ｒ¹、Ｒ²及び
Ｘは前記定義に同じ。）上記アゾ金属キレート化合物の
製造に用いるＮｉ²⁺、Ｃｏ²⁺等の金属塩の陰イオンとし
ては、好ましくはＳＣＮ^-，ＳｂＦ₆ ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、
Ｆ^-，ＣｌＯ₄ ^-、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-、Ｔｉ
Ｆ₆ ^2-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＺｒＦ₆ ^2-、Ｐｈ−ＳＯ₃ ^-、ＣＨ₃−
Ｐｈ−ＳＯ₃ ^-、Ｂ^-（Ｐｈ）₄等の一価または二価の陰イ
オンが好ましく、特にＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-が
好ましく用いられる（なお、Ｐｈはベンゼン核を示
す。）。

【００２３】本発明に係るアゾ金属キレート化合物の具
体例は、後述の実施例１〜１０に示される通りである
が、その他、表１〜１３に示したアゾ化合物と金属との
アゾ金属キレート化合物も挙げられる。なお、表１〜１
３において、最大吸収波長は当該アゾ金属キレート化合
物の塗布膜の最大吸収波長である。

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【表７】

【表８】

【表９】

【表１０】

【表１１】

【表１２】

【表１３】次に本発明の光記録媒体の構成について説明する。

【００２４】本発明の高反射率光記録媒体は、基本的に
は基板上に、少なくとも１種以上の前記アゾ金属キレー
ト化合物を含む記録層、金属反射層及び保護層を順次積
層した層構成をとる。

【００２５】本発明における基板としては、使用するレ
ーザー光に対して透明又は不透明のいずれでも良い。基
板の材質としては、ガラス、プラスチック、紙、板状又
は箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が挙げられる
が、プラスチックが種々の点から好適に使用できる。プ
ラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホ
ン樹脂等が挙げられるが、生産性、コスト、耐吸湿性の
点から射出成形型のポリカーボネート樹脂基板が特に好
ましく用いられる。

【００２６】本発明の光学的記録媒体における、前記ア
ゾ金属キレート化合物を含有する記録層は、膜厚１００
Å〜５μｍであることが好ましく、更に好ましくは１０
００Å〜３μｍである。

【００２７】成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー
法、浸漬法など一般に行われている薄膜形成法で成膜す
ることができるが、量産性、コスト面等からスピナー法
が好ましい。スピナー法による成膜の場合、回転数は５
００〜５０００ｒ．ｐ．ｍ．が好ましく、スピンコート
の後、必要に応じて加熱或いは溶媒蒸気にあてる等の処
理を行うことができる。なお、成膜に際しては、必要に
応じてバインダーを使用することもできる。バインダー
としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等の既知のも
のが用いられる。また、記録層は、その安定性や耐光性
向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属
キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有しても良
く、更に同系統の色素或いはトリアリールメタン系色
素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリウム系色
素、ニッケル−インドアニリン系色素等の他系統の色素
を併用することもできる。ドクターブレード法、キャス
ト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方
法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、テ
トラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノー
ル、テトラクロロエタン、ブロモホルム、ジブロモエタ
ン、ジアセトンアルコール、エチルセロソルブ、キシレ
ン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、クロ
ロベンゼン、シクロヘキサノン、乳酸メチル等の沸点１
２０〜１６０℃のものが好適に使用される。

【００２８】この中でも、生産性、コスト、耐吸湿性に
優れる射出成形ポリカーボネート樹脂基板に対して、該
基板をおかすことなく好適に使用できる溶媒として、特
にジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル
−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；テ
トラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノー
ル等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メ
チル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒が
挙げられる。

【００２９】金属反射層としては、金（Ａｕ）、銀（Ａ
ｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属或い
はこれらの合金が挙げられる。

【００３０】保護層としてはＪＩＳＫ５４００規定に
よる鉛筆硬度試験でＨ以上の硬度を有する化合物がキズ
防止の観点から有効で、この条件を満たす限り任意の化
合物が使用できるが、製造工程の簡便さから、スピンコ
ート法で塗布できるものが好ましい。スピンコート法、
その他通常の塗布法で成膜できる保護層材料としては、
シリコーン系、アクリル系、メラミン系、エポキシ系な
どの熱硬化型樹脂、アルキルトリアルコキシシラン、テ
トラアルコキシシラン等の部分共加水分解物や、それら
にコロイダルシリカを配合したシリコーン系ハードコー
ティング剤、及びアクリレート系等の光重合系フォトポ
リマー、光架橋性フォトポリマー、アジド系フォトポリ
マー等が挙げられる。保護層の膜厚は、１〜２００μ
ｍ、特に２〜１００μｍ程度であることが好ましい。

【００３１】本発明の光記録媒体への記録は、記録層に
１μｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは半導体レ
ーザーの光を基板を通して照射することにより行う。レ
ーザー光の照射された部分には、レーザーエネルギーの
吸収による、分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が
生じる。従って、レーザー光により熱的変形が起きてい
る部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ること
により、記録された情報の再生を行うことができる。

【００３２】なお、本発明の光学的記録媒体の記録、再
生に使用されるレーザー光としては、Ｎ₂、Ｈｅ−Ｃ
ｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー
等が挙げられるが、特に軽量性、取扱いの容易さ、コン
パクト性などの点から半導体レーザーが好適に使用され
る。

【００３３】

【作用】前記一般式［Ｉ］、特に前記一般式［ＩＩ］、
とりわけ前記一般式［ＩＩＩ］で示されるアゾ化合物と
金属とのアゾ金属キレート化合物は、塗布によるコーテ
ィングが可能で、しかも耐光性に優れ、耐久性に優れた
高反射率光記録媒体を低コストに提供することができ
る。

【００３４】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

【００３５】実施例１（ａ）光記録媒体の製造

【００３６】

【化９】

【００３７】上記構造式（１）で示されるアゾ化合物の
Ｎｉキレート化合物０．１５ｇをオクタフルオロペンタ
ノール７．５ｇに溶解し、０．２２μｍのフィルターで
濾過して溶解液を得た。この溶液５ｍｌを深さ７００
Å、幅０．７μｍの溝（グルーブ）付き、射出成形ポリ
カーボネート樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナ
ー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、
６０℃で１０分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は６
４５及び７１２ｎｍであった。次に、この塗布膜の上
に、スパッタリング法により、膜厚２０００ÅのＡｕ膜
を成膜し、反射層を形成した。更に、この反射層の上に
紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照
射して硬化させ、厚み１０μｍの保護膜を形成した。

【００３８】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体を１．２ｍ／ｓで回転させな
がら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録
パワー７．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次
に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー
を有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生
信号を得た。本光記録媒体は、耐光性（キセノンフェー
ドメーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７
０℃、８５％ＲＨ；５００時間）試験を行なった結果、
初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学
記録媒体として極めて優れたものであった。

【００３９】実施例２

【００４０】

【化１０】

【００４１】（ａ）光記録媒体の製造キレート化合物として、上記構造式（２）で示されるア
ゾ化合物のＮｉキレート化合物を用いたこと以外は、実
施例１の（ａ）と同様にして、塗布、乾燥を行った。塗
布膜の最大吸収波長は６４４及び７１４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上に、スパッタリング法により、膜
厚２０００ÅのＡｇ膜を成膜し、反射層を形成した。更
に、この反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
した後、紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μｍの保
護層を形成した。

【００４２】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００４３】実施例３（ａ）光記録媒体の製造

【００４４】

【化１１】

【００４５】上記構造式（３）で示されるアゾ化合物の
Ｎｉキレート化合物０．１０ｇ及び上記構造式（４）で
示されるアゾ化合物のＮｉキレート化合物０．０５ｇの
配合組成物をテトラフルオロプロパノール７．５ｇに溶
解し、０．２２μｍのフィルターで濾過して溶解液を
得、実施例１の（ａ）と同様にして塗布、乾燥を行っ
た。塗布膜の最大吸収波長は６４４及び７１２ｎｍであ
った。次に、この塗布膜の上に、スパッタリング法によ
り、膜厚２０００ÅのＣｕ膜を成膜し、反射層を形成し
た。更に、この反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートした後、紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μ
ｍの保護層を形成した。

【００４６】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００４７】実施例４（ａ）光記録媒体の製造

【００４８】

【化１２】

【００４９】上記構造式（５）で示されるアゾ化合物の
Ｎｉキレート化合物０．１５ｇを乳酸メチル７．５ｇに
溶解し、０．２２μｍのフィルターで濾過して溶解液を
得、実施例１の（ａ）と同様にして塗布、乾燥を行っ
た。塗布膜の最大吸収波長は６４６及び７１７ｎｍであ
った。次に、この塗布膜の上に、スパッタリング法によ
り、膜厚２０００ÅのＡｕ膜を成膜し、反射層を形成し
た。更に、この反射層の上にシリコン系ハードコート剤
をスピンコートして、厚み１０μｍの保護層を形成し
た。

【００５０】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００５１】実施例５（ａ）光記録媒体の製造

【００５２】

【化１３】

【００５３】キレート化合物として、上記構造式（６）
で示されるアゾ化合物のＮｉキレート化合物を用いたこ
と以外は実施例１の（ａ）と同様にして塗布、乾燥を行
った。塗布膜の最大吸収波長は６５２及び７２３ｎｍで
あった。次に、この塗布膜の上に、スパッタリング法に
より、膜厚２０００ÅのＡｌ膜を成膜し、反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートした後、紫外線を照射して硬化させ、厚み１０
μｍの保護層を形成した。

【００５４】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００５５】実施例６（ａ）光記録媒体の製造

【００５６】

【化１４】

【００５７】キレート化合物として、上記構造式（７）
で示されるアゾ化合物のＮｉキレート化合物を用いたこ
と以外は実施例１の（ａ）と同様にして塗布、乾燥を行
った。塗布膜の最大吸収波長は６４２及び７１１ｎｍで
あった。次に、この塗布膜の上に、スパッタリング法に
より、膜厚２０００ÅのＡｇ膜を成膜し、反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートした後、紫外線を照射して硬化させ、厚み１０
μｍの保護層を形成した。

【００５８】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００５９】実施例７（ａ）光記録媒体の製造

【００６０】

【化１５】

【００６１】上記構造式（８）で示されるアゾ化合物の
Ｎｉキレート化合物０．１２ｇ及び上記構造式（９）で
示されるシアニン系色素０．０３ｇの混合色素をオクタ
フルオロペンタノール７．５ｇに溶解し、０．２２μｍ
のフィルターで濾過して溶解液を得、実施例１の（ａ）
と同様にして塗布、乾燥を行った。塗布膜の最大吸収波
長は６３４、７０２及び７１６ｎｍであった。次に、こ
の塗布膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２００
０ÅのＡｇ膜を成膜し、反射層を形成した。更に、この
反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートした後、
紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μｍの保護層を形
成した。

【００６２】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００６３】実施例８（ａ）光記録媒体の製造

【００６４】

【化１６】

【００６５】上記構造式（１０）で示されるアゾ化合物
のＮｉキレート化合物０．１５ｇをテトラフルオロプロ
パノール５ｇに溶解し、０．２２μｍのフィルターで濾
過して溶解液を得、実施例１の（ａ）と同様にして塗
布、乾燥を行った。塗布膜の最大吸収波長は６３７及び
６９７ｎｍであった。次に、この塗布膜の上に、スパッ
タリング法により、膜厚２０００ÅのＡｕ膜を成膜し、
反射層を形成した。更に、この反射層の上に紫外線硬化
性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して、硬
化させ、厚み１０μｍの保護層を形成した。

【００６６】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００６７】実施例９（ａ）光記録媒体の製造

【００６８】

【化１７】

【００６９】上記構造式（１１）で示されるアゾ化合物
のＮｉキレート化合物０．１４ｇ及び上記構造式（１
２）で示されるＮｉインドアニリン系色素０．０１ｇの
混合色素をジアセトンアルコール５ｇに溶解し、０．２
２μｍのフィルターで濾過して溶解液を得た。この溶液
５ｍｌを実施例１の（ａ）で用いたと同様の射出成形ポ
リカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により
７００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、６０℃で１
０分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は６４２、７１
１及び８０５ｎｍであった。次に、この塗布膜の上に、
スパッタリング法により、膜厚２０００ÅのＡｕ膜を成
膜し、反射層を形成した。更に、この反射層の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て、硬化させ、厚み１０μｍの保護層を形成した。

【００７０】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００７１】実施例１０（ａ）光記録媒体の製造

【００７２】

【化１８】

【００７３】上記構造式（１３）で示されるアゾ化合物
のＮｉキレート化合物０．１５ｇをテトラフルオロプロ
パノール５ｇに溶解し、０．２２μｍのフィルターで濾
過して溶解液を得、実施例１の（ａ）と同様にして塗
布、乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は６４３ｎｍ及び
７１４ｎｍであった。次に、この塗布膜の上に、スパッ
タリング法により、膜厚２０００ÅのＡｕ膜を成膜し、
反射層を形成した。更に、この反射層の上にエポキシ系
熱硬化性樹脂をスピンコートし、これを熱で硬化させ、
厚み１０μｍの保護層を形成した。

【００７４】（ｂ）光記録上記で得られた光記録媒体について、実施例１の（ｂ）
と同様にして記録、再生を行ったところ、良好な再生信
号を得た。また、同様の耐光性及び保存安定性試験を行
った結果、初期と比べて感度及び再生信号の劣化はみら
れず、光学記録媒体として極めて優れたものであった。

【００７５】

【００７６】

【００７７】

【００７８】

【００７９】

【００８０】

【００８１】

【００８２】

【００８３】

【００８４】

【００８５】

【００８６】

【００８７】

【００８８】

【００８９】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の光記録媒体
によれば、高感度で耐光性、保存安定性に優れ、特に耐
光性に著しく優れ、例えば、記録可能なＣＤ媒体として
有用な高反射率光記録媒体が提供される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層、金属反射層及び保護層
を順次積層してなる光記録媒体であって、６５％以上の
反射率を有する光記録媒体において、該記録層が、下記
一般式［Ｉ］で示されるアゾ系化合物と金属とのアゾ金
属キレート化合物の１種又は２種以上を含有することを
特徴とする光記録媒体。【化１】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子
と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｂはそ
れが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環
又は複素環を形成する残基を表わし、Ｘは活性水素を有
する基を表わす。）
【請求項２】アゾ化合物が下記一般式［ＩＩ］で示さ
れる化合物であることを特徴とする請求項１に記載の光
記録媒体。【化２】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子と窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｒ¹及び
Ｒ²はそれぞれ独立して水素原子、置換されていても良
いアルキル基、置換されていても良いアリール基、置換
されていても良いアルケニル基又は置換されていても良
いシクロアルキル基を表わし、Ｘは活性水素を有する基
を表わす。環Ｄは置換基を有していても良い。）
【請求項３】アゾ化合物が下記一般式［ＩＩＩ］で示
される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の
光記録媒体。【化３】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子と窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｒ¹及び
Ｒ²はそれぞれ独立して水素原子、置換されていても良
いアルキル基、置換されていても良いアリール基、置換
されていても良いアルケニル基又は置換されていても良
いシクロアルキル基を表わす。環Ｄは置換基を有してい
ても良い。）