JP2018152536A - 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
光波長変換物質を含む樹脂シート(60)と前記基板(10)の前記発光素子実装面とを対向させ、前記樹脂シート(60)と前記発光素子(50)との間を含む前記樹脂シート(60)と前記基板(10)との間の空間に第1の光透過性樹脂(70)を充填する工程と、
前記樹脂シート(60)の前記第1の光透過性樹脂(70)が充填された面と反対側の面を第2の光透過性樹脂(80)で覆う工程と、を有する。
前記第1の光透過性樹脂(70)上に前記発光素子(50)を接着する工程と、
前記樹脂シート(60)と前記基板(10)との間の前記空間に前記第1の光透過性樹脂(70)を充填する工程と、を含んでもよい。
前記発光素子(50)の側面、上面及び下面を含む前記基板(10)上面を光波長変換物質が混合された第1の光透過性樹脂(71)で封止する工程と、
前記第1の光透過性樹脂(71)が封止された面の上面を第2の光透過性樹脂(80)で覆う工程と、を有する。
前記発光素子(50)は、前記長方形の長手方向に沿って複数個が配列されて前記基板(10)上に実装され、
前記第1の光透過性樹脂(70、71)を充填する工程及び前記第2の光透過性樹脂(80)で覆う工程は、複数個の前記発光素子(50)を1ユニット(140a〜140c)として行われてもよい。
前記溝(90)に光反射物質を含む光反射性樹脂(100)を充填する工程と、を更に有してもよい。
前記溝(90)に前記光反射性樹脂(100)を充填する工程と前記発光素子(50)を個片化する工程との間に、前記第2の光透過性樹脂(80)上の前記光反射性樹脂(100)を除去する工程を更に有してもよい。
前記基板(10)の前記複数の電極(20、21a〜21c、22a〜22c)にフェイスダウンで実装された発光素子(50)と、
前記発光素子(50)の上方に設けられた、光波長変換物質を含む樹脂シート(60)と、
前記発光素子(50)と前記樹脂シート(60)との間を含めて前記基板(10)と前記樹脂シート(60)との間を封止する第1の光透過性樹脂(70)と、
前記樹脂シート(60)の前記第1の光透過性樹脂(70)が封止する面の反対側の面を覆う第2の光透過性樹脂(80)と、
前記基板(10)、前記発光素子(50)、前記樹脂シート(60)、前記第1の光透過性樹脂(70)及び前記第2の光透過性樹脂(80)からなる積層体の外周側面に沿って該外周側面を覆うように設けられた、光反射性物質を含む光反射性樹脂(100)と、を有する。
前記基板(10)の前記複数の電極(20、21a〜21c、22a〜22c)にフェイスダウンで実装された発光素子(50)と、
前記発光素子(50)を含めて前記基板(10)の前記表面上を封止する、光波長変換物質が混合された第1の光透過性樹脂(71)と、
前記第1の光透過性樹脂(71)の上面を覆う第2の光透過性樹脂(80)と、
前記基板(10)、前記発光素子(50)、前記第1の光透過性樹脂(71)及び前記第2の光透過性樹脂(80)からなる積層体の外周側面に沿って該外周側面を覆うように設けられた、光反射性物質を含む光反射性樹脂(100)と、を有する。
前記基板(10)上には、前記長方形の長手方向に沿って前記発光素子(50)が複数実装されており、
前記基板(10)の裏面には、マザーボードと電気的接続を行うための複数の外部接続端子(30、31a、32a〜32c)が設けられてもよい。
複数の前記発光素子群(140a〜140c)の各々の一方の端子は前記複数の外部接続端子(30、31a、32a〜32c)のうち1つに共通に接続され、
複数の前記発光素子群(140a〜140c)の各々の他方の端子は各々別個の前記外部接続端子(30、31a、32a〜32c)に接続されてもよい。
複数の前記発光素子群(140a〜140c)の各々の前記他方の端子は、前記基板(10)の異なる層に設けられた配線(24、35、36、37)を通じて各々別個の前記外部接続端子(30、31a、32a〜32c)に接続されてもよい。
前記長方形の長手方向に沿って前記電極(20、21a〜21c、22a〜22c)にフェイスダウンで実装された複数の発光素子(50)と、
前記複数の発光素子(50)を含めて前記基板(10)の前記表面上を封止する光透過性樹脂(70、71)と、を有し、
前記複数の発光素子(50)は、所定個数の前記発光素子(50)が電気的に直列に接続された発光素子群(140a〜140c)を複数群含む。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光学モジュールの製造方法の基板用意工程の一例を示した図である。基板用意工程においては、LED(Light Emitting Diode)チップ
を実装するためのプリント配線板10が用意される。プリント配線板10は、LEDチップを実装するための基板の一例であり、LEDチップを実装することができれば、他の基板が用いられてもよい。本実施形態においては、基板としてプリント配線板10を用いた例を挙げて説明する。なお、プリント配線板10は、例えば、長方形の平面形状を有して構成されてもよい。
図13は、本発明の第2の実施形態に係る光学モジュールの製造方法の一例を示した図である。第2の実施形態に係る光学モジュールの製造方法は、封止工程が第1の実施形態に係る光学モジュールの製造方法と異なっている。
図14は、本発明の第3の実施形態に係る光学モジュールの製造方法の一例を示した図である。第3の実施形態に係る光学モジュール152の製造方法は、溝形成工程と光反射性樹脂封止工程との間に、無機物層形成工程を更に有する点で、第1及び第2の実施形態に係る光学モジュール150、151の製造方法と異なっている。無機物層形成工程では、溝形成工程で溝90が形成された後、溝90の内面に無機物からなる無機物層110を形成する。無機物層110は、例えば、光反射率の高いアルミニウム、銅等の金属材料から構成されてもよい。無機物は、光反射性物質を含んだ白樹脂100の光反射効率を向上させる役割を持つとともに、水分を遮蔽し、吸湿の低減にも寄与することができる。
11〜14 基板層
20、21a〜21c、22a〜22c 電極
24、35、36、37 配線層
30、31a、32a〜32c、33 外部接続端子
40 接合ペースト
50 LEDチップ
60 光波長変換物質を含む樹脂シート
70、71、80 シリコーン樹脂
90 溝
100 白樹脂
110 無機物層
140a〜140c LEDチップユニット
150、151、152、 光学モジュール
160 バックライトユニット
B1〜B18 ビア
Claims (20)
- 表面に複数の電極を有する基板上に発光素子をフェイスダウンで実装する工程と、
光波長変換物質を含む樹脂シートと前記基板の発光素子実装面とを対向させ、前記樹脂シートと前記発光素子との間を含む前記樹脂シートと前記基板との間の空間に第1の光透過性樹脂を充填する工程と、
前記樹脂シートの前記第1の光透過性樹脂が充填された面と反対側の面を第2の光透過性樹脂で覆う工程と、を有する光学モジュールの製造方法。 - 前記第1の光透過性樹脂を充填する工程は、前記樹脂シートの表面に前記第1の光透過性樹脂を塗布する工程と、
前記第1の光透過性樹脂上に前記発光素子を接着する工程と、
前記樹脂シートと前記基板との間の前記空間に前記第1の光透過性樹脂を充填する工程と、を含む請求項1に記載の光学モジュールの製造方法。 - 表面に複数の電極を有する基板上に発光素子をフェイスダウンで実装する工程と、
前記発光素子の側面、上面及び下面を含む前記基板上面を光波長変換物質が混合された第1の光透過性樹脂で封止する工程と、
前記第1の光透過性樹脂が封止された面の上面を第2の光透過性樹脂で覆う工程と、を有する光学モジュールの製造方法。 - 前記基板は長方形の平面形状を有し、
前記発光素子は、前記長方形の長手方向に沿って複数個が配列されて前記基板上に実装され、
前記第1の光透過性樹脂を充填する工程及び前記第2の光透過性樹脂で覆う工程は、複数個の前記発光素子を1ユニットとして行われる請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光学モジュールの製造方法。 - 前記1ユニットの前記発光素子を囲むように、前記第2の光透過性樹脂の上面から前記基板の所定深さまで到達する溝を形成する工程と、
前記溝に光反射物質を含む光反射性樹脂を充填する工程と、を更に有する請求項4に記載の光学モジュールの製造方法。 - 前記溝に充填された前記光反射性樹脂の一部を残して外側面が前記光反射性樹脂で覆われるように前記光反射性樹脂に沿ってダイシングを行い、前記1ユニットの前記発光素子を個片化する工程を更に有する請求項5に記載の光学モジュールの製造方法。
- 前記溝に前記光反射性樹脂を充填する工程は、前記光反射性樹脂が前記溝を充填するとともに前記第2の光透過性樹脂の上面を覆うまで行われ、
前記溝に前記光反射性樹脂を充填する工程と前記発光素子を個片化する工程との間に、前記第2の光透過性樹脂上の前記光反射性樹脂を除去する工程を更に有する請求項6に記載の光学モジュールの製造方法。 - 前記溝を形成する工程と前記光反射性樹脂を充填する工程との間に、前記溝の表面に無機膜からなる層を形成する工程を更に有する請求項5乃至7のいずれか一項に記載の光学モジュールの製造方法。
- 前記基板の裏面には、マザーボードと電気的接続を行うための外部接続端子が形成されている請求項1乃至8のいずれか一項に記載の光学モジュールの製造方法。
- 表面に複数の電極を有する基板と、
前記基板の前記複数の電極にフェイスダウンで実装された発光素子と、
前記発光素子の上方に設けられた、光波長変換物質を含む樹脂シートと、
前記発光素子と前記樹脂シートとの間を含めて前記基板と前記樹脂シートとの間を封止する第1の光透過性樹脂と、
前記樹脂シートの前記第1の光透過性樹脂が封止する面の反対側の面を覆う第2の光透過性樹脂と、
前記基板、前記発光素子、前記樹脂シート、前記第1の光透過性樹脂及び前記第2の光透過性樹脂からなる積層体の外周側面に沿って該外周側面を覆うように設けられた、光反射性物質を含む光反射性樹脂と、を有する光学モジュール。 - 表面に複数の電極を有する基板と、
前記基板の前記複数の電極にフェイスダウンで実装された発光素子と、
前記発光素子を含めて前記基板の前記表面上を封止する、光波長変換物質が混合された第1の光透過性樹脂と、
前記第1の光透過性樹脂の上面を覆う第2の光透過性樹脂と、
前記基板、前記発光素子、前記第1の光透過性樹脂及び前記第2の光透過性樹脂からなる積層体の外周側面に沿って該外周側面を覆うように設けられた、光反射性物質を含む光反射性樹脂と、を有する光学モジュール。 - 前記積層体の前記外周側面と前記光反射性樹脂との間には、無機膜からなる層が更に設けられた請求項10又は11に記載の光学モジュール。
- 前記基板は長方形の平面形状を有し、
前記基板上には、前記長方形の長手方向に沿って前記発光素子が複数実装されており、
前記基板の裏面には、マザーボードと電気的接続を行うための複数の外部接続端子が設けられている請求項10乃至12のいずれか一項に記載の光学モジュール。 - 複数の前記発光素子は、所定個数の前記発光素子が直列接続された発光素子群を複数含む請求項13に記載の光学モジュール。
- 複数の前記発光素子群は各々2つの端子を有し、
複数の前記発光素子群の各々の一方の端子は前記複数の外部接続端子のうち1つに共通に接続され、
複数の前記発光素子群の各々の他方の端子は各々別個の前記外部接続端子に接続された請求項14に記載の光学モジュール。 - 前記基板は複数の層を有し、
複数の前記発光素子群の各々の前記他方の端子は、前記基板の異なる層に設けられた配線を通じて各々別個の前記外部接続端子に接続された請求項15に記載の光学モジュール。 - 前記複数の外部接続端子は、前記基板の裏面の端部に配置された請求項13乃至16のいずれか一項に記載の光学モジュール。
- 前記基板の裏面の端部以外の箇所には、前記発光素子が接続されない外部接続端子が更に設けられた請求項17に記載の光学モジュール。
- 前記基板内の前記配線と重ならない位置に、ダミービアが設けられた請求項16に記載の光学モジュール。
- 表面に複数の電極が設けられ、裏面にマザーボードに電気的接続を行うための複数の外部接続端子を備えた長方形の平面形状を有する基板と、
前記長方形の長手方向に沿って前記電極にフェイスダウンで実装された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を含めて前記基板の前記表面上を封止する光透過性樹脂と、を有し、
前記複数の発光素子は、所定個数の前記発光素子が電気的に直列に接続された発光素子群を複数群含む光学モジュール。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017049732A JP6823262B2 (ja) | 2017-03-15 | 2017-03-15 | 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール |
| PCT/JP2018/007574 WO2018168473A1 (ja) | 2017-03-15 | 2018-02-28 | 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール |
| CN201880014777.XA CN110352504B (zh) | 2017-03-15 | 2018-02-28 | 光学模块的制造方法和光学模块 |
| US16/484,189 US10971666B2 (en) | 2017-03-15 | 2018-02-28 | Method for manufacturing an optical module and optical module |
| TW107108074A TW201843847A (zh) | 2017-03-15 | 2018-03-09 | 光學模組的製造方法及光學模組 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017049732A JP6823262B2 (ja) | 2017-03-15 | 2017-03-15 | 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018152536A true JP2018152536A (ja) | 2018-09-27 |
| JP6823262B2 JP6823262B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=63523060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017049732A Active JP6823262B2 (ja) | 2017-03-15 | 2017-03-15 | 光学モジュールの製造方法及び光学モジュール |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10971666B2 (ja) |
| JP (1) | JP6823262B2 (ja) |
| CN (1) | CN110352504B (ja) |
| TW (1) | TW201843847A (ja) |
| WO (1) | WO2018168473A1 (ja) |
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- 2018-02-28 WO PCT/JP2018/007574 patent/WO2018168473A1/ja not_active Ceased
- 2018-02-28 US US16/484,189 patent/US10971666B2/en active Active
- 2018-02-28 CN CN201880014777.XA patent/CN110352504B/zh active Active
- 2018-03-09 TW TW107108074A patent/TW201843847A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110352504B (zh) | 2022-12-02 |
| US20190355887A1 (en) | 2019-11-21 |
| JP6823262B2 (ja) | 2021-02-03 |
| US10971666B2 (en) | 2021-04-06 |
| WO2018168473A1 (ja) | 2018-09-20 |
| TW201843847A (zh) | 2018-12-16 |
| CN110352504A (zh) | 2019-10-18 |
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