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JP5842813B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ＬＥＤ電球等の照明器具、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源等に利用可能な発光装置およびその製造方法に関する。
近年、様々な電子部品が提案され、また実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）をはじめとする発光装置も同様で、一般照明分野、車載照明分野等で求められる性能は日増しに高まっており、更なる高出力（高輝度）化、高信頼性が要求されている。さらに、これらの特性を満たしつつ、低価格で供給することも要求されている。
発光装置としては、例えば、絶縁部材上に、ＡｕめっきとＡｇめっきをそれぞれ異なる領域に形成し、Ａｕワイヤとの密着性が良好なＡｕめっきを電極面として用い、高反射性のＡｇめっきを反射面として用いることで、光の取り出し効率を向上させた発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このように材料の異なるめっきを形成する場合、めっきを形成する領域に電解めっき用の導電層として、Ａｕめっき用とＡｇめっき用の２種類の導電層を独立して設け、片方の導電層のみに通電してそれぞれ電解めっきを行うことで、異なる領域に異なる材料のめっきを容易に形成することができる。そして電解めっき用の導電層は、絶縁部材の側面や裏面等、めっき装置によって通電させ易い位置に露出させる。
特開２００４−３１９９３９号公報（図１、図３参照）
しかしながら、従来の技術においては、以下に述べる問題がある。
近年、発光装置は更なる高出力化が求められている。そして大電流を投入し、高出力化を実現するためには、発光装置の温度上昇を抑制することが重要であり、例えば、発光装置は放熱性の高い金属体に載置される。前記した従来の発光装置は、通常、複数個の発光装置を１つの実装基板に実装し、その実装基板が更に金属体に載置される。
しかし前記した従来の発光装置は、反射面に高反射性のＡｇめっきを用いるため、光の取り出し効率を向上できるものの、電極と電気的に接続された導電層が絶縁部材の側面や裏面に露出しているため、側面や裏面を金属体に近接させることができない。導電層が絶縁部材の側面のみに露出している場合であっても、絶縁部材の裏面を金属体に接触させて駆動させると、沿面放電によって短絡する虞がある。
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、光出力を向上でき、かつ金属体に直接載置することができる発光装置および発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上の実装領域に設けられた金属膜と、前記金属膜上に載置された複数の発光素子からなる発光部と、前記基板上に形成され、それぞれがパッド部と配線部とを有し当該配線部を介して前記発光素子に電圧を印加する正極および負極と、中継配線部とを構成する金属部材と、前記金属膜に接続され、前記基板の側面まで延設されためっき用配線と、を備え、前記金属膜と前記金属部材とは独立に設けられており、前記正極の配線部および前記負極の配線部と前記中継配線部は、前記実装領域に沿って周囲に形成されており、前記金属部材は、前記基板の前記実装領域側に前記基板の周縁から離間して形成されており、前記実装領域の周縁に沿って、光反射樹脂が、少なくとも前記配線部および前記中継配線部を覆うとともに前記パッド部が前記光反射樹脂の外縁から離間して位置するように形成され、前記光反射樹脂の内側に、前記発光素子と、前記金属膜を被覆する透光性の封止部材が充填されていることを特徴とする。
このような構成によれば、発光素子の実装領域に、金属膜が設けられているため、光の取り出し効率（反射効率）が向上する。また、金属膜と、金属部材（電極層）とがそれぞれ独立に設けられており、かつ、金属部材が基板の側面や裏面から離れた位置に設けられているため、発光装置を駆動させたときに沿面放電による短絡を防止することができる。
また、このような構成によれば、実装領域の周囲を囲うように光反射樹脂を形成することで、基板の実装領域の周囲に向う光も光反射樹脂によって反射することができる。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。そして、光反射樹脂の内側に封止部材が充填されていることで、光反射樹脂の内側の部材が保護される。
前記めっき用配線は、前記基板の内部に設けられ、前記基板に形成されたスルーホールを介して前記金属膜と導通されていることが好ましい。
このような構成によれば、金属部材の配置に制限されることなく、めっき用配線を基板の側面に延ばすことができる。これにより、めっき用配線が基板の上面に配置されないため、発光装置のデザインが制限されることがない。さらには、絶縁部材である基板より熱伝導率の高いめっき用配線を基板内部に配置することで、放熱性が向上する。
さらに、前記基板の内部のめっき用配線は、その一部が前記基板の側面から露出していることが好ましい。
このような構成によれば、放熱性をさらに向上させることができる。
前記基板は、一方の対向する一対の辺と、他方の対向する一対の辺を有する所定形状で形成され、前記正極のパッド部と前記負極のパッド部は、前記一方の対向する辺に沿って形成され、前記めっき用配線は、前記他方の対向する辺に向かって延設されていることが好ましい。また、平面視において、前記正極のパッド部と前記負極のパッド部は、前記めっき用配線と重複していないことが好ましい。
これらのような構成によれば、めっき用配線を中継点としてパッド部に放電されることがなく、この放電による短絡を防止することができる。
さらに、前記金属膜は、前記発光素子の発光に対する反射率が、前記金属部材よりも高いことが好ましく、前記金属膜にＡｇを用い、前記金属部材にＡｕを用いることが好ましい。
このような構成によれば、金属膜の反射率が金属部材の反射率よりも高いことで、実装領域からの光の取り出し効率が向上する。特に、金属膜に光反射率が高いＡｇを用い、金属部材にＡｕを用いることで、さらに光の取り出し効率が向上する。
本発明に係る発光装置の製造方法は、めっき用配線が形成された基板を作製する基板作製工程と、前記基板上面に、無電解めっきにより、前記基板上面の周縁から離間した正極および負極と、中継配線部とを構成する金属部材を形成するとともに、前記基板上の実装領域に、電解めっきにより前記めっき用配線と接続した金属膜を形成するめっき工程と、前記金属膜上に発光素子を載置するダイボンディング工程と、前記ダイボンディング工程の後に、前記正極および前記負極と前記発光素子の電極端子とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程の後に、前記実装領域の周縁に沿って、光反射樹脂を、少なくとも前記正極および前記負極の配線部および前記中継配線部を覆うとともに前記正極および前記負極のパッド部が前記光反射樹脂の外縁から離間して位置するように形成する光反射樹脂形成工程と、を含むことを特徴とする。
このような発光装置の製造方法によれば、めっき工程により、無電解めっきによって、金属部材を基板の側面や裏面から離れた位置に設けることができ、また電解めっきによって、金属膜を発光素子の実装領域に設けることができる。これらにより、発光装置の駆動の際に沿面放電による短絡が起きず、かつ光の取り出し効率が向上した発光装置を提供することができる。
また、このような発光装置の製造方法によれば、光反射樹脂を形成することができるため、光の取り出し効率がより向上した発光装置を提供することができる。
前記めっき工程は、無電解めっきにより、前記正極および前記負極と、前記中継配線部とを構成する金属部材を形成するとともに前記実装領域にも金属部材を形成し、その後、前記実装領域の金属部材上に、電解めっきにより金属膜を形成することを特徴とする。
このような発光装置の製造方法によれば、無電解めっきによって金属部材を形成した後、電解めっきによって、実装領域の金属部材上に金属膜を形成するため、マスク等を用いる必要がなく、また金属膜の平坦性が向上する。
本発明に係る発光装置の製造方法は、前記光反射樹脂の内側に、前記発光素子と、前記金属膜を被覆する透光性の封止部材を充填する封止部材充填工程を含むことを特徴とする。
このような発光装置の製造方法によれば、封止部材を形成することができるため、さらに耐久性に優れた発光装置を提供することができる。
本発明に係る発光装置によれば、発光素子の実装領域に設けられた金属膜により光の取り出し効率が向上するため、発光装置の光出力を向上させることができる。また、正極および負極が基板の側面や裏面から離れた位置に設けられているため、発光装置を金属体に接触させても沿面放電による短絡を防止することができる。このため、発光装置を金属体に直接載置することができる。さらには、めっき用配線を基板の側面まで延設することで、放熱性を向上させることができる。
本発明に係る発光装置の製造方法によれば、高出力で、かつ金属体に直接載置することができる発光装置を製造することができる。特に、無電解めっきにより金属部材を形成した後、電解めっきにより金属膜を形成することで、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る発光装置の全体構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。 発光素子の構成を示す拡大正面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置におけるめっき用配線の配置につて説明するための模式図であり、（ａ）は、めっき用配線の配置を示す正面図であり、（ｂ）は、めっき用配線の配置を示す側面図である。 本発明の他の実施形態に係る発光装置における基板の構成とめっき用配線の配置を示す側面図である。 本発明の他の実施形態に係る発光装置の構成を示す正面図である。
以下、本発明の実施形態に係る発光装置および発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材のサイズや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、以下の説明で参照する図２、図７において、発光素子のｐ電極およびｎ電極（図３参照）は、各発光素子の向きを示すために実装領域上の４箇所だけ図示し、実装領域上のその他の箇所では図示を省略している。
≪発光装置≫
本発明の実施形態に係る発光装置１００について、図１〜図５を参照しながら詳細に説明する。以下の説明では、まず発光装置１００の全体構成について説明した後に、各構成について説明する。なお、説明の便宜上、図２の正面図では光反射樹脂６は、外形のみを線で示し、透過させた状態で図示している。
＜全体構成＞
発光装置１００は、ＬＥＤ電球等の照明器具、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源等に利用される装置である。発光装置１００は、図１、図２および図４に示すように、基板１と、基板１上の実装領域１ａに設けられた金属膜３０と、金属膜３０上に複数載置された発光素子２と、基板１上に形成された正極３および負極４を構成する金属部材４０と、金属膜３０に接続されためっき用配線３１と、発光素子２や保護素子５等の電子部品と、正極３や負極４等を接続するワイヤＷと、を主な構成として備えている。さらに、ここでは、正極３に配置された保護素子５と、基板１上に形成された光反射樹脂６と、実装領域１ａに封入された封止部材７を備えている。
＜基板＞
基板１は、発光素子２や保護素子５等の電子部品を配置するためのものである。基板１は、図１および図２に示すように、矩形平板状に形成されている。また、基板１上には、図２に示すように複数の発光素子２を配置するための実装領域１ａが区画されている。なお、基板１のサイズは特に限定されず、発光素子２の数等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
基板１の材料としては、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光素子２から放出される光や外光等が透過しにくい材料を用いることが好ましい。また、ある程度の強度を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、セラミックス（Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ等）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン（bismaleimide triazine resin）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）等の樹脂が挙げられる。
＜実装領域＞
実装領域１ａは、複数の発光素子２を配置するための領域である。実装領域１ａは、図２に示すように、基板１の中央の領域に区画されている。実装領域１ａは、互いに対向する辺を有する所定形状で形成されており、より具体的には、角部を丸めた略矩形状に形成されている。なお、実装領域１ａのサイズや形状は特に限定されず、発光素子２の数や配列間隔等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
実装領域１ａの周囲には、図２を正面視した場合において、実装領域１ａの左側の辺に沿って配線部３ｂの一部および配線部４ｂの一部が形成され、実装領域１ａの下側の辺に沿って配線部４ｂの一部が形成され、実装領域１ａの右側の辺に沿って中継配線部８が形成されている。なお、ここでの実装領域１ａの周囲とは、図２に示すように、実装領域１ａの周縁と所定の間隙を置いた周囲のことを意味している。
実装領域１ａは、実装領域１ａ上に光を反射する金属膜３０を形成し、当該金属膜３０を介して複数の発光素子２を配置する。このように実装領域１ａ上に金属膜３０を形成してその上に複数の発光素子２を配置することで、例えば図４において、基板１の実装領域１ａ側に向う光も金属膜３０によって反射することができる。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。
＜金属膜＞
金属膜３０は、発光素子２から出射された光の反射のための層であり、基板１上の実装領域１ａに設けられる。
実装領域１ａ上に形成する金属膜３０は、電解めっきで形成することができる。金属膜３０の材料としては、めっきができるものであれば特に限定されないが、例えば、Ａｕ（金）を用いることができる。Ａｕは光を吸収しやすい特性を備えているが、例えばＡｕめっきの表面にＴｉＯ2膜をさらに形成することで、光反射率を高めることができる。
しかしながら、金属膜３０は、発光素子２の発光に対する反射率が、金属部材４０よりも高い材料で構成することが好ましい。例えば、金属部材４０にＡｕを用い、金属膜３０にＡｇ（銀）を用いることが好ましい。ＡｇはＡｕよりも光反射率が高いため、光の取り出し効率を向上させることができる。なお、実装領域１ａ上に形成する金属膜３０の厚さは特に限定されず、目的および用途に応じて適宜選択することができる。また、金属膜３０と金属部材４０とは独立に設けられている。すなわち、これらは電気的に接続されていない。
なお本実施形態では、図１および図４に示すように、実装領域１ａの上部に後記する封止部材７が充填され、実装領域１ａ上の複数の発光素子２および、当該複数の発光素子２に接続されたワイヤＷが塵芥、水分、外力等から保護される構成となっている。
＜発光素子＞
発光素子２は、電圧を印加することで自発光する半導体素子である。発光素子２は、図２に示すように、基板１の実装領域１ａに複数配置され、当該複数の発光素子２が一体となって発光装置１００の発光部２０を構成している。なお、発光素子２は、図示しない接合部材によって実装領域１ａに接合されており、その接合方法としては、例えば接合部材として樹脂や半田ペーストを用いる接合方法を用いることができる。なお、図示された発光部２０は単に発光素子２を載置させる領域を示すものであり、発光部２０における発光とは、発光素子２から出される光であることはいうまでもない。
発光素子２のそれぞれは、図３に示すように、矩形状に形成されている。また、発光素子２は、図３に示すように、その上面の一側にｐ電極２Ａが設けられ、発光素子２の他側にｎ電極２Ｂが設けられたフェースアップ（ＦＵ）素子である。本実施の形態では、発光素子２を載置する金属膜３０と正極３および負極４を構成する金属部材４０とを離間して配置するため、図３に示すように、ｐ電極とｎ電極が同一面側に形成された発光素子２を用い、電極形成面と反対側の面を金属膜３０に接着することが好ましい。
ｐ電極２Ａおよびｎ電極２Ｂは、図３に示すように、電極端子であるｐ側パッド電極（ｐパッド電極）２Ａａおよびｎ側パッド電極（ｎパッド電極）２Ｂａと、発光素子２に投入された電流を全体に拡散させるための補助電極である延伸導電部２Ａｂ，２Ｂｂと、をそれぞれ備えている。なお、発光素子２は少なくともｐパッド電極２Ａａとｎパッド電極２Ｂａが同一面側にあればよく、延伸導電部２Ａｂ、２Ｂｂを設けなくてもよい。また、図示は省略したが、発光素子２は、側面視すると、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層からなる複数の半導体層が積層された構造を有している。
発光素子２としては、具体的には発光ダイオードを用いるのが好ましく、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの光）、緑色（波長４９０ｎｍ〜５７０ｎｍの光）の発光素子２としては、ＺｎＳｅ、窒化物系半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ等を用いることができる。また、赤色（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの光）の発光素子２としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。
また、後記するように、封止部材７（図１参照）に蛍光物質を導入する場合は、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いることが好ましい。ただし、発光素子２の成分組成や発光色、サイズ等は上記に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。また、発光素子２は、可視光領域の光だけではなく、紫外線や赤外線を出力する素子で構成することもできる。また、高出力化のためには、発光素子２の個数は、例えば１０個以上、２０〜１５０個程度とする。
発光素子２は、図２に示すように、実装領域１ａ上において、縦方向および横方向にそれぞれ等間隔で配列されており、ここでは、縦８個×横５個の合計４０個配置されている。また、発光素子２は、図２に示すように、実装領域１ａに対して横方向および縦方向に隣り合う発光素子２同士が導電性のワイヤＷによって電気的に接続され、直列接続および並列接続されている。なお、ここでの直列接続とは、図２に示すように、隣り合う発光素子２におけるｐ電極２Ａとｎ電極２ＢとがワイヤＷによって電気的に接続された状態を意味している。また、ここでの並列接続とは、図２に示すように、隣り合う発光素子２におけるｐ電極２Ａ同士またはｎ電極２Ｂ同士がワイヤＷによって電気的に接続された状態を意味している。
発光素子２は、図２に示すように、正極３の配線部３ｂと中継配線部８との間においては、複数の発光素子２のｐ電極２Ａが実装領域１ａの一方向である左側を向くように、あるいは、複数の発光素子２のｎ電極２Ｂが実装領域１ａの他方向である右側を向くように配列されている。
また、発光素子２は、図２に示すように、負極４の配線部４ｂと中継配線部８との間においては、複数の発光素子２のｐ電極２Ａが実装領域１ａの他方向である右側を向くように、かつ、複数の発光素子２のｎ電極２ｂが実装領域１ａの一方向である左側を向くように、配列されている。すなわち、発光素子２は、図２を平面視した場合において、中継配線部８を境に向きが反転するように配置されている。
実施形態に係る発光装置１００においては、このように実装領域１ａの周囲に中継配線部８を形成し、かつ、当該中継配線部８を境に向きが反転するように発光素子２を配置することで、発光素子２同士を接続する配線が複雑になることなく、実装領域１ａの限られた面積内において、直列接続および並列接続される発光素子２の数を増加させることができる。さらには、実装領域１ａの限られた面積内において、複数の発光素子２を密に配置することができ、一定の輝度に対して消費電力が向上した発光装置１００を、または一定の消費電力に対して発光効率が向上した発光装置１００を得ることができる。なお、実施形態に係る発光装置１００においては、図２に示すように、発光素子２が４個並列接続されるとともに、当該並列接続が１０列分直列接続されている。
＜金属部材（正極および負極）＞
金属部材４０は正極３および負極４を構成するものであり、基板１上の複数の発光素子２や保護素子５等の電子部品と、外部電源とを電気的に接続し、これらの電子部品に対して外部電源からの電圧を印加するためのものである。すなわち、金属部材４０（正極３および負極４）は、外部から通電させるための電極、またはその一部としての役割を担うものである。
正極３および負極４は、図２に示すように略矩形状のパッド部（給電部）３ａ，４ａと、線状の配線部３ｂ，４ｂと、を有しており、パッド部３ａ，４ａに印加された電圧が配線部３ｂ，４ｂを介して発光部２０を構成する複数の発光素子２へと印加されるように構成されている。なお、負極４の配線部４ｂには、図２に示すように、カソードであることを示すカソードマークＣＭが形成されている。
パッド部３ａ，４ａは、外部電源からの電圧が印加されるためのものである。パッド部３ａ，４ａは、図２に示すように、基板１上の角部における対角線の位置に、一対で形成されている。そして、パッド部３ａ，４ａは、導電性のワイヤによって、図示しない外部電源と電気的に接続されている。
配線部３ｂ，４ｂは、外部電源からパッド部３ａ，４ａに印加された電圧を、実装領域１ａ上の発光素子２へと伝達するためのものである。配線部３ｂ，４ｂは、図２に示すように、パッド部３ａ，４ａから延出するように形成されるとともに、実装領域１ａの周囲に略Ｌ字状で形成されている。
配線部３ｂの一端部と、配線部４ｂの一端部とは、図２に示すように、実装領域１ａに沿って周囲において互いに隣り合うように形成されている。このように、正極３および負極４の配線部３ｂ，４ｂを実装領域１ａの周囲に形成し、かつ、その一端部を隣り合わせて形成することで、発光装置１００のように複数の発光素子２を基板１上に配置した場合であっても、後記する保護素子５を適切な位置に配置することができる。従って、正負両電極間の電圧がツェナー電圧以上となることを防止することができ、過大な電圧が印加されることによる発光素子２の素子破壊や性能劣化の発生を適切に防止することができる。
さらには、金属部材４０は、基板１の上面に形成されるとともに、実装領域１ａ側に基板１の周縁から離間して形成されている。すなわち、実装領域１ａ側に、基板１の周縁からわずかに離れて設けられている。金属部材４０を基板１の上面、かつ基板１の周縁から離間して設けることで、基板１の側面および裏面から正極３および負極４を離すことができ、発光装置１００を駆動させたときに沿面放電による短絡を防止することができる。
配線部３ｂ，４ｂは、より具体的には、図２に示す略矩形状の実装領域１ａの一辺の範囲内において、その一端部が互いに隣り合うように形成されることが好ましい。このように、実装領域１ａの一辺の範囲内で隣り合うように配線部３ｂ，４ｂを形成することで、配線部３ｂ，４ｂと発光素子２とを電気的に接続するためのワイヤＷの設置面積を確保することができる。そのため、配線部３ｂ，４ｂと接続する発光素子２の数、すなわち直列接続および並列接続の始点および終点となる発光素子２の数を増やすことができ、実装領域１ａ上における発光素子２の直列接続および並列接続の列数を増加させることができる。そして、このように直列接続および並列接続の列数を増加させることで、実装領域１ａの限られた面積内において、複数の発光素子２を密に配置することができ、一定の輝度に対して消費電力が向上した発光装置１００を、または一定の消費電力に対して発光効率が向上した発光装置１００を得ることができる。
なお、配線部３ｂ，４ｂは、図２に示す略矩形状の実装領域１ａの一辺の範囲内における中間地点において、その一端部が互いに隣り合うように形成されることがより好ましい。これにより、図２に示すように、配線部３ｂおよび中継配線部８間における直列接続の列数と、配線部４ｂと中継配線部８間における直列接続の列数を揃えることができるため、実装領域１ａの限られた面積内において、複数の発光素子２を密に配置することができ、一定の輝度に対して消費電力が向上した発光装置１００を、または一定の消費電力に対して発光効率が向上した発光装置１００を得ることができる。
正極３および負極４を構成する金属部材４０の素材は、Ａｕを用いることが好ましい。これは、後記するように、ワイヤＷの材料として熱伝導性が向上したＡｕを用いた場合に、同素材であるワイヤＷを強固に接合することができるためである。
正極３および負極４を構成する金属部材４０の形成方法としては、無電解めっきで形成する。なお、正極３および負極４を構成する金属部材４０の厚さは特に限定されず、ワイヤＷの数等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
ここで、配線部３ｂ，４ｂの一部は、図１および図２に示すように、後記する光反射樹脂６によって覆われている。そのため、配線部３ｂ，４ｂを、前記したように光を吸収しやすいＡｕで形成した場合であっても、発光素子２から出射された光が配線部３ｂ，４ｂには到達せずに光反射樹脂６によって反射される。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。
さらに、配線部３ｂ，４ｂの一部を光反射樹脂６によって覆うことにより、当該ワイヤＷを塵芥、水分、外力等から保護することができる。なお、ここでの配線部３ｂ，４ｂの一部とは、図２に示すように、配線部３ｂ，４ｂのうちで、実装領域１ａの周囲であって、実装領域１ａの辺に沿って形成された部分のことを意味している。
＜めっき用配線＞
めっき用配線３１は、電解めっきによって金属膜３０を形成するためのものであり、その一端が金属膜３０に接続されるとともに、他端が基板１の側面まで延設されている。
これにより、基板１の側面から外部の電流源と接続することができ、めっき用配線３１に電流を流すことで、電解めっきをすることができる。めっき用配線３１の材料は、導電性のあるものであれば特に限定されないが、例えば、Ｗ、Ａｇを用いることができる。
ここで、図５に示すように、めっき用配線３１は基板１の内部に設けられ、基板１に形成されたスルーホールＳＨを介して金属膜３０と導通されている（図２参照）。めっき用配線３１を基板１の内部に配置することで、基板１上の金属部材４０の配置に制限されずに、めっき用配線３１を基板１の側面に延ばすことができる。また、絶縁部材である基板１より熱伝導率の高いめっき用配線３１を基板１の内部に配置することで、放熱性を向上させることができる。図５（ｂ）に示すように、めっき用配線３１と金属膜３０との接続は、スルーホールＳＨ内に導電性部材３２を充填することにより行えばよい。なお、図５（ｂ）では、便宜上、破線部のみ導電性部材３２を図示している。導電性部材３２としては、Ｗ、Ａｇ等を用いることができる。導電性部材３２はめっき用配線３１と同一材料で一体的に形成してもよい。なお、めっき用配線３１の幅とスルーホールＳＨの幅は、図５（ｂ）に示すように同じとしてもよいが、スルーホールＳＨの幅をめっき用配線３１の幅より狭くしてもよい。
ここで、側面から露出とは、図５に示すように、めっき用配線３１の断面が基板１の側面と平行になるように断面のみが露出していることや、めっき用配線３１が、基板１の側面から基板１の内側（実装領域１ａ側）にわずかに（例えば１〜８μｍ程度）入り込んだ位置で、露出していることや、めっき用配線３１の一部が基板１の側面から露出していることをいう。この中でも特に、めっき用配線３１はその一部が基板１の側面から露出していることが好ましい。例えば基板１の側面と同一平面にめっき用配線３１の端部を配置する。これにより、めっき用配線３１の側面も外気にさらされるため、放熱性をさらに向上させることができる。また、短絡防止の観点からは、図５に示すように、めっき用配線３１を絶縁部材である基板１の内部に設けることが好ましい。これにより、基板１の裏面を金属体に載置した場合に、金属体とめっき用配線３１が接触しないため、めっき用配線３１を介した短絡を防止することができる。
さらに、基板１を、一方の対向する一対の辺と、他方の対向する一対の辺を有する所定形状で形成し、正極３のパッド部３ａと負極４のパッド部４ａを、前記一方の対向する辺に沿って形成し、かつ、めっき用配線３１を、前記他方の対向する辺に向かって延設させることが好ましい。すなわち、図２に示すように、例えば、基板１を長方形に形成し、パッド部３ａ，４ａを、その長手方向が基板１の一方の対向する一対の辺に沿うように（平行となるように）略矩形状に形成する。さらに、図５に示すように、めっき用配線３１を、この辺と直角になる他方の対向する一対の辺に向かって延設させる、すなわちパッド部３ａ，４ａの長手方向に沿うように（平行となるように）形成する。
さらには、平面視において、正極３のパッド部３ａと負極４のパッド部４ａが、めっき用配線３１と重複しないように、これらの配置を行うこと好ましい。すなわち、発光装置１００を上面から見た場合に、パッド部３ａ，４ａとめっき用配線３１が、横方向にずれた位置に形成することが好ましい。
これらの構成とすることで、発光装置１００を駆動した際、めっき用配線３１を中継点としてパッド部３ａ，４ａに放電されることがないそのため、この放電による短絡を防止することができる。
＜保護素子＞
保護素子５は、複数の発光素子２からなる発光部２０を、過大な電圧印加による素子破壊や性能劣化から保護するための素子である。保護素子５は、図２に示すように、正極３の配線部３ｂの一端部に配置される。ただし、保護素子５は、負極４の配線部４ｂの一端部に配置されてもよい。
保護素子５は、具体的には、規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード（Zener Diode）で構成される。保護素子５は、図示は省略したが、前記した発光素子２と同様にｐ電極とｎ電極とを有する半導体素子であり、発光素子２のｐ電極２Ａとｎ電極２Ｂに対して逆並列となるように、ワイヤＷによって負極４の配線部４ｂと電気的に接続される。
これにより、正極３と負極４との間に過大な電圧が印加されてその電圧がツェナーダイオードのツェナー電圧を超えたとしても、発光素子２の正負両電極間がツェナー電圧に保持され、このツェナー電圧以上になることがない。従って、保護素子５を備えることによって、正負両電極間の電圧がツェナー電圧以上となることを防止することができ、過大な電圧が印加されることによる発光素子２の素子破壊や性能劣化の発生を適切に防止することができる。
保護素子５は、図２に示すように、後記する光反射樹脂６によって覆われている。従って、保護素子５および保護素子５に接続されるワイヤＷが、塵芥、水分、外力等から保護される。なお、保護素子５のサイズは特に限定されず、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
＜光反射樹脂＞
光反射樹脂６は、発光素子２から出射された光を反射させるためのものである。光反射樹脂６は、図２に示すように、配線部３ｂ，４ｂの一部、中継配線部８、保護素子５およびこれらに接続されるワイヤＷを覆うように形成される。そのため、配線部３ｂ，４ｂ、中継配線部８およびワイヤＷを、前記あるいは後記したように光を吸収しやすいＡｕで形成した場合であっても、発光素子２から出射された光が配線部３ｂ，４ｂ、中継配線部８およびワイヤＷには到達せずに光反射樹脂６によって反射される。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。さらに、配線部３ｂ，４ｂの一部、中継配線部８、保護素子５およびこれらに接続されるワイヤＷを光反射樹脂６によって覆うことによって、これらの部材を塵芥、水分、外力等から保護することができる。
光反射樹脂６は、図１および図２に示すように、基板１上において発光部２０が形成された実装領域１ａを囲うように、すなわち実装領域１ａの周縁に沿って、四角枠状に形成される。このように実装領域１ａの周囲を囲うように光反射樹脂６を形成することで、例えば図４の左右両側に配置された発光素子２から出射された光のように、基板１の実装領域１ａの周囲に向う光も光反射樹脂６によって反射することができる。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。
また、光反射樹脂６は、図２に示すように、実装領域１ａの周縁の一部を覆うように形成することが好ましい。このように、実装領域１ａの周縁の一部を覆うように光反射樹脂６を形成することで、配線部３ｂ，４ｂと実装領域１ａ上の金属膜３０との間に基板が露出した領域が形成されることがなくなる。従って、発光素子２から出射された光を、光反射樹脂６が形成された内部の領域において全て反射させることができるため、出射光のロスを最大限軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率をより向上させることができる。
光反射樹脂６の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。また、ある程度の強度を確保するために、例えば熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジンや、ＰＰＡやシリコン樹脂などが挙げられる。また、これらの母体となる樹脂に、発光素子２からの光を吸収しにくく、かつ母体となる樹脂に対する屈折率差の大きい反射部材（例えばＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2，ＭｇＯ）等の粉末を分散することで、効率よく光を反射させることができる。なお、光反射樹脂６のサイズは特に限定されず、目的および用途に応じて適宜選択することができる。また、光反射樹脂６の位置に、樹脂と異なる材料からなる光反射部材を形成することもできる。
＜封止部材＞
封止部材７は、基板１に配置された発光素子２、保護素子５、金属膜３０およびワイヤＷ等を、塵芥、水分、外力等から保護するための部材である。封止部材７は、図１、図２および図４に示すように、基板１上において、光反射樹脂６の内側、すなわち光反射樹脂６で囲った実装領域１ａ内に樹脂を充填することで形成される。
封止部材７の材料としては、発光素子２からの光を透過可能な透光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等を挙げることができる。また、このような材料に加えて、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、蛍光部材等を含有させることもできる。
なお、封止部材７は、単一の部材で形成することもできるし、あるいは、２層以上の複数の層として形成することもできる。また、封止部材７の充填量は、光反射樹脂６で囲った実装領域１ａ内に配置される発光素子２、保護素子５、金属膜３０およびワイヤＷ等が被覆される量であればよい。また、封止部材７にレンズ機能をもたせる場合は、封止部材７の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状としてもよい。
＜蛍光部材＞
封止部材７中に、波長変換部材として発光素子２からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材を含有させることもできる。蛍光部材としては、発光素子２からの光をより長波長に変換させるものが好ましい。また、蛍光部材は１種の蛍光物質等を単層で形成してもよいし、２種以上の蛍光物質等が混合されたものを単層として形成してもよい。あるいは、１種の蛍光物質等を含有する単層を２層以上積層させてもよいし、２種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層を２層以上積層させてもよい。蛍光部材の具体的な材料としては、例えば、イットリウム、アルミニウムおよびガーネットを混合したＹＡＧ系蛍光体、Ｅｕ，Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。
＜中継配線部＞
中継配線部８は、正極３と負極４の間における配線を中継するためのものである。中継配線部８は、図２に示すように、基板１上の金属部材で構成されている。中継配線部８は、図２に示すように、実装領域１ａの周囲において、当該実装領域１ａの一辺に沿って直線状に形成されている。
中継配線部８は、図２に示すように、光反射樹脂６によって覆われている。そのため、後記するように、中継配線部８を構成する金属部材として光を吸収しやすいＡｕを用いた場合であっても、発光素子２から出射された光は中継配線部８には到達せずに光反射樹脂６によって反射される。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。さらに、中継配線部８を光反射樹脂６によって覆うことにより、当該中継配線部８を塵芥、水分、外力等から保護することができる。
中継配線部８を構成する金属部材の素材は、正極３および負極４と同様に、Ａｕを用いることが好ましい。これは、後記するように、ワイヤＷの材料として熱伝導性が向上したＡｕを用いた場合に、同素材であるワイヤＷを強固に接合することができるためである。
中継配線部８を構成する金属部材の形成方法としては、正極３および負極４と同様に、無電解めっきで形成する。なお、中継配線部８を構成する金属部材の厚さは特に限定されず、ワイヤＷの数等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
実施形態に係る発光装置１００においては、このように実装領域１ａの周囲に中継配線部８を形成し、かつ、当該中継配線部８を境に向きが反転するように発光素子２を配置することで、発光素子２同士を接続する配線が複雑になることなく、実装領域１ａの限られた面積内において、直列接続および並列接続される発光素子２の数を増加させることができる。さらには、実装領域１ａの限られた面積内において、複数の発光素子２を密に配置することができ、一定の輝度に対して消費電力が向上した発光装置１００を、または一定の消費電力に対して発光効率が向上した発光装置１００を得ることができる。
＜ワイヤ＞
ワイヤＷは、発光素子２や保護素子５等の電子部品と、正極３、負極４および中継配線部８等を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤＷの材料としては、Ａｕ、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、および、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたＡｕを用いるのが好ましい。なお、ワイヤＷの径は特に限定されず、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
ここで、ワイヤＷと、正極３、負極４および中継配線部８との接続部分は、図２に示すように、光反射樹脂６によって覆われている。そのため、前記したように、ワイヤＷを構成する材料として光を吸収しやすいＡｕを用いた場合であっても、発光素子２から出射された光はワイヤＷには吸収されずに光反射樹脂６によって反射される。従って、出射光のロスを軽減することができ、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。さらに、ワイヤＷと、正極３、負極４および中継配線部８との接続部分を光反射樹脂６によって覆うことにより、当該ワイヤＷを塵芥、水分、外力等から保護することができる。なお、発光装置１００から取り出される光とは、図１または図４に示されるように、光反射樹脂６に囲まれた封止部材７の表面から取り出される光である。つまり発光装置１００でみて、封止部材７の表面が発光面となる。
［発光装置の動作］
以上説明した発光装置１００によれば、発光装置１００を駆動した時に、発光素子２からあらゆる方向に進む光のうち、上方に進む光は発光装置１００の上方の外部に取り出される。また、下方や横方向等に進む光は、基板１の実装領域１ａにおける底面や側面で反射して、発光装置１００の上方に取り出されることになる。この時、基板１の底面、すなわち実装領域１ａには金属膜３０が被覆され、実装領域１ａの周囲には光反射樹脂６が形成されているため、この部位による光の吸収が抑制されるとともに、金属膜３０や光反射樹脂６により光が反射される。これにより、発光素子２からの光が効率良く取り出される。
≪発光装置の製方法≫
次に、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法について、ここでは図１〜５の形態のものを例にとり、適宜、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る発光装置１００の製造方法は、基板作製工程と、めっき工程と、ダイボンディング工程と、ワイヤボンディング工程と、を含む。また、ワイヤボンディング工程の後に、光反射樹脂形成工程、封止部材充填工程を含んでもよい。さらにここでは、保護素子接合工程を含む。
以下、各工程について説明する。なお、発光装置の構成については前記説明したとおりであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
＜基板作製工程＞
基板作製工程は、めっき用配線３１が形成された基板１を作製する工程である。
基板作製工程では、基板１上の実装領域１ａや、正極３および負極４となる部位を所定の形状にパターニングすることで形成する。また、基板作製工程では、電解めっきによって基板１上の実装領域１ａに金属膜３０を形成するためのめっき用配線３１を形成する。めっき用配線３１は、図５に示すように、基板１の内部、すなわち、下部基板１Ｂの上面に印刷等の方法により、形成することができる。
なお、実装領域１ａや正極３および負極４となる部位など、めっきが施される部位には、予め下地層として、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等の方法によりＮｉ膜を形成する。そしてめっき工程においては、このＮｉ下地層の上にめっきが施される。
さらに、図２に示すように、基板１には内部のめっき用配線３１と金属膜３０とを電気的に接続するためのスルーホールＳＨを形成する。なお、スルーホールＳＨ内には、Ｗが充填され、めっき用配線３１と接続された後、金属膜３０によって被覆される。図５（ｂ）に示すように、上部基板１Ａと下部基板１Ｂを重ね合わせて１つの基板１とする。
＜めっき工程＞
めっき工程は、めっき用配線３１が形成された基板１上に、無電解めっきにより正極３および負極４を構成する金属部材４０を形成するとともに、基板１上の実装領域１ａに、電解めっきにより金属膜３０を形成する工程である。また、中継配線部８を設ける場合、正極３および負極４と同様の工程で金属部材が形成される。
ここで、無電解めっきによる金属部材４０の形成および電解めっきによる金属膜３０の形成の順序は問わないが、まず、無電解めっきにより、正極３および負極４を構成する金属部材４０を形成するとともに実装領域１ａにも金属部材４０を形成し、その後、実装領域１ａの金属部材４０上に、電解めっきにより金属膜３０を形成することが好ましい。
先に電解めっきにより金属膜３０を形成すると、その後に無電解めっきにより金属部材４０を形成した場合に、金属膜３０が金属部材４０によって被覆されるのを防ぐため、マスク等を用いる必要がある。そのため、製造工程が複雑になるためである。一方、無電解めっきにより金属部材４０を形成した後、電解めっきにより金属膜３０を形成すれば、実装領域１ａの金属部材４０上に金属膜３０が形成されるため、マスク等を用いる必要がない。さらには、金属部材４０を介して金属膜３０を設けるため、金属膜３０の平坦性が向上し、発光素子２からの光の取り出し効率を向上させることができる。
無電解めっき、電解めっきの方法は特に限定されるものではなく、従来公知の方法で行えばよい。
＜ダイボンディング工程＞
ダイボンディング工程は、金属膜３０上に発光素子２を載置する工程である。ダイボンディング工程は、発光素子載置工程と、加熱工程と、からなる。
［発光素子載置工程］
発光素子載置工程は、基板１上（金属膜３０上）に、接合部材（図示省略）を介して、発光素子２を載置する工程である。
発光素子２は、接合部材により、基板１上の金属膜３０と接合する。なお、発光素子２の裏面には、予め、フラックスを塗布しておいてもよい。ここで、接合部材は、金属膜３０と発光素子２との間に介在するように設ければよいため、金属膜３０のうち、発光素子２を載置する領域に設けてもよく、発光素子２側に設けてもよい。あるいは、その両方に設けてもよい。
液状またはペースト状の接合部材を金属膜３０上に設ける場合、粘度等に応じてポッティング法、印刷法、転写法等の方法から適宜選択することができる。そして、接合部材を設けた箇所に発光素子２を載置する。なお、固体状の接合部材を用いる場合も、固体状の接合部材を載置した後、液状またはペースト状の接合部材を用いる場合と同じ要領で、金属膜３０上に発光素子２を載置することができる。また、固体状やペースト状の接合部材は、加熱等により一度溶融させることで、発光素子２を金属膜３０上の所望の位置に固定させてもよい。
［加熱工程］
加熱工程は、発光素子２を載置した後に、接合部材を加熱し、発光素子２を基板１上（金属膜３０上）に接合する工程である。
接合部材は絶縁性部材であってもよく、加熱工程における加熱は、接合部材の少なくとも一部が揮発する温度よりも高い温度で行う。また、接合部材が熱硬化性樹脂を含有する場合は、熱硬化性樹脂の硬化が起こる温度以上に加熱することが好ましい。このようにすることで、発光素子２を熱硬化性樹脂で接着固定することができる。さらに、接合部材として、例えばロジンを含有する樹脂組成物と、低融点の金属とを用いた場合において、金属膜３０上に、この低融点の金属が載置されている場合、この低融点の金属が溶融する温度以上に加熱することが好ましい。
また、加熱工程において、前記加熱に続けて、さらに洗浄工程を行うことができる。
例えば、接合部材に樹脂組成物を用いた場合、加熱により樹脂組成物の一部を揮発によって消失させた後に、残留した樹脂組成物を、さらに洗浄等によって除去してもよい（残留接合部材洗浄工程）。特に、樹脂組成物がロジン含有の場合には、加熱後に洗浄するのが好ましい。洗浄液としては、グリコールエーテル系有機溶剤等を用いるのが好ましい。
＜保護素子接合工程＞
保護素子接合工程は、正極３の配線部３ｂ上に保護素子５を載置して接合する工程である。
保護素子５の接合は、発光素子２の接合と同時に行ってもよいが、発光素子２の接合よりも先、あるいは後に行ってもよい。保護素子５を載置、接合する方法は、前記ダイボンディング工程と同様であるので、ここでは説明を省略する。
＜ワイヤボンディング工程＞
ワイヤボンディング工程は、ダイボンディング工程の後に、金属部材４０の正極３と、発光素子２上部にある電極端子（パッド電極）とを、ワイヤＷで電気的に接続する工程である。同じく、発光素子２上部にある電極端子（パッド電極）と金属部材４０の負極４とを、ワイヤＷで電気的に接続する工程である。さらに、この工程では、複数の発光素子２を、それぞれ電極端子（パッド電極）を介して接続する。また、保護素子５と負極４との電気的な接続もこの工程で行えばよい。すなわち、保護素子５上部にある電極端子と負極４とをワイヤＷで接続する。ワイヤＷの接続方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。
＜光反射樹脂形成工程＞
光反射樹脂形成工程は、ワイヤボンディング工程の後に、実装領域１ａの周縁に沿って、少なくとも正極３および負極４の配線部３ｂ，４ｂを覆うように光反射樹脂６を形成する工程である。
光反射樹脂６の形成は、例えば、固定された基板１の上側において、基板１に対して上下方向あるいは水平方向などに移動（可動）させることができる樹脂吐出装置（図示省略）を用いて行うことができる（特開２００９−１８２３０７号公報参照）。
すなわち、樹脂が充填された樹脂吐出装置をその先端のノズルから液体樹脂を吐出しながら移動させることで、発光素子２の近傍に光反射樹脂６を形成していく。樹脂吐出装置の移動速度は、用いる樹脂の粘度や温度等に応じて適宜調整することができる。形成された複数の光反射樹脂６がそれぞれ略同じ幅となるようにするには、少なくとも樹脂を吐出中は一定の速度で移動させるのが好ましい。移動中に樹脂の吐出を一時中断する場合などは、その間の移動速度は変更することもできる。樹脂の吐出量についても、一定とするのが好ましい。さらに、樹脂吐出装置の移動速度と樹脂の吐出量ともに、一定とするのが好ましい。吐出量の調整は、吐出時にかかる圧力等を一定にするなどにより調整することができる。
＜封止部材充填工程＞
封止部材充填工程は、光反射樹脂６の内側に、発光素子２と、金属膜３０を被覆する透光性の封止部材７を充填する工程である。
すなわち、発光素子２、保護素子５、金属膜３０およびワイヤＷ等を被覆する封止部材７を、基板１上に形成された光反射樹脂６からなる壁部の内側に溶融樹脂を注入し、その後加熱や光照射等によって硬化することで形成する工程である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。
すなわち、前記に示す発光装置の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は、発光装置を前記の形態に限定するものではない。また、特許請求の範囲に示される部材等を、実施の形態の部材に特定するものではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
例えば、他の実施形態として以下の構成としてもよい。
［他の実施形態］
図６に示すように、基板１を１枚の基板で構成してもよく、内部に設けためっき用配線３１を基板１の下部に形成する構成としてもよい。基板１を１枚の基板とすれば、図５（ｂ）に示すように基板（上部基板１Ａ、下部基板１Ｂ）を２枚重ねる必要がなく、１枚の基板で構成することができ、製造工程を簡略化することができる。そして、めっき用配線３１を基板１の下部に形成することで、放熱性をより向上させることができる。
また、図７に示すように、発光装置１０１において、めっき用配線３１は、基板１の上面に設ける構成としてもよい。このような構成とすれば、めっき用配線３１を簡便に形成することができる。そしてこの場合にも、基板１を１枚の基板とすることもできる。なお、説明の便宜上、図７の正面図では光反射樹脂６は、外形のみを線で示し、透過させた状態で図示している。
さらには、図示しないが、実装領域１ａに対して横方向に隣り合う発光素子２同士を導電性のワイヤＷによって電気的に接続する直列接続としてもよい。すなわち、隣り合う発光素子２におけるｐ電極２Ａとｎ電極２ＢとがワイヤＷによって電気的に接続された状態とする。このような構成とすることで、発光装置の製造が容易、簡便となる。その他、発光素子２とワイヤＷとの接続状態、発光素子２と正極３および負極４との接続状態等は、発光装置の構成として可能な限りにおいて、どのような接続状態としてもよい。
発光装置の製造方法においては、前記したように、めっき用配線３１の形成位置や基板１の構成を変更する場合には、前記基板作製工程において、これらのような構成となるように基板１を作製する。
さらに、発光装置の製造方法においては、本発明を行うにあたり、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間あるいは前後に、前記した工程以外の工程を含めてもよい。例えば、基板を洗浄する基板洗浄工程や、ごみ等の不要物を除去する不要物除去工程や、発光素子や保護素子の載置位置を調整する載置位置調整工程等、他の工程を含めてもよい。
１ 基板
１Ａ 上部基板
１Ｂ 下部基板
１ａ 実装領域
２ 発光素子
２Ａ ｐ電極
２Ａａ ｐパッド電極
２Ａｂ 延伸導電部
２Ｂ ｎ電極
２Ｂａ ｎパッド電極
２Ｂｂ 延伸導電部
３ 正極
３ａ パッド部
３ｂ 配線部
４ 負極
４ａ パッド部
４ｂ 配線部
５ 保護素子
６ 光反射樹脂
７ 封止部材
８ 中継配線部
２０ 発光部
３０ 金属膜
３１ めっき用配線
３２ 導電性部材
４０ 金属部材
１００，１０１ 発光装置
ＣＭ カソードマーク
ＳＨ スルーホール
Ｗ ワイヤ

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板上の実装領域に設けられた金属膜と、
    前記金属膜上に載置された複数の発光素子からなる発光部と、
    前記基板上に形成され、それぞれがパッド部と配線部とを有し当該配線部を介して前記発光素子に電圧を印加する正極および負極と、中継配線部とを構成する金属部材と、
    前記金属膜に接続され、前記基板の側面まで延設されためっき用配線と、を備え、
    前記金属膜と前記金属部材とは独立に設けられており、
    前記正極の配線部および前記負極の配線部と前記中継配線部は、前記実装領域に沿って周囲に形成されており、
    前記金属部材は、前記基板の前記実装領域側に前記基板の周縁から離間して形成されており、
    前記実装領域の周縁に沿って、光反射樹脂が、少なくとも前記配線部および前記中継配線部を覆うとともに前記パッド部が前記光反射樹脂の外縁から離間して位置するように形成され、前記光反射樹脂の内側に、前記発光素子と、前記金属膜を被覆する透光性の封止部材が充填されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記めっき用配線は、前記基板の内部に設けられ、前記基板に形成されたスルーホールを介して前記金属膜と導通されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記基板の内部のめっき用配線は、その一部が前記基板の側面から露出していることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記基板は、一方の対向する一対の辺と、他方の対向する一対の辺を有する所定形状で形成され、
    前記正極のパッド部と前記負極のパッド部は、前記一方の対向する辺に沿って形成され、前記めっき用配線は、前記他方の対向する辺に向かって延設されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 平面視において、前記正極のパッド部と前記負極のパッド部は、前記めっき用配線と重複していないことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記金属膜は、前記発光素子の発光に対する反射率が、前記金属部材よりも高いことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記金属膜にＡｇを用い、前記金属部材にＡｕを用いることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. めっき用配線が形成された基板を作製する基板作製工程と、
    前記基板上面に、無電解めっきにより、前記基板上面の周縁から離間した正極および負極と、中継配線部とを構成する金属部材を形成するとともに、前記基板上の実装領域に、電解めっきにより前記めっき用配線と接続した金属膜を形成するめっき工程と、
    前記金属膜上に発光素子を載置するダイボンディング工程と、
    前記ダイボンディング工程の後に、前記正極および前記負極と前記発光素子の電極端子とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程と、
    前記ワイヤボンディング工程の後に、前記実装領域の周縁に沿って、光反射樹脂を、少なくとも前記正極および前記負極の配線部および前記中継配線部を覆うとともに前記正極および前記負極のパッド部が前記光反射樹脂の外縁から離間して位置するように形成する光反射樹脂形成工程と、
    を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  9. 前記めっき工程は、無電解めっきにより、前記正極および前記負極と、前記中継配線部とを構成する金属部材を形成するとともに前記実装領域にも金属部材を形成し、その後、前記実装領域の金属部材上に、電解めっきにより金属膜を形成することを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記光反射樹脂の内側に、前記発光素子と、前記金属膜を被覆する透光性の封止部材を充填する封止部材充填工程を含むことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の発光装置の製造方法。
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