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JP2013179271A - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

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JP2013179271A JP2013000836A JP2013000836A JP2013179271A JP 2013179271 A JP2013179271 A JP 2013179271A JP 2013000836 A JP2013000836 A JP 2013000836A JP 2013000836 A JP2013000836 A JP 2013000836A JP 2013179271 A JP2013179271 A JP 2013179271A
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molded body
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Tomoichiro Toyama
智一郎 外山
Masahiko Kobayakawa
正彦 小早川
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Rohm Co Ltd
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Abstract

【課題】 比較的容易に製造可能であり、かつ、性能の向上を図ることが可能な発光装置およびそのような発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光装置Ａ１は、発光素子３と、リード１１，１２と、リード１１，１２を保持し、発光素子３を収容する窓部５１が形成された樹脂成形体５と、を備えている。リード１１の主面１１１は樹脂成形体５に覆われる第１の被覆領域１１１ａと、窓部５１から露出する第１の露出領域１１１ｂとを有し、リード１２の主面１２１は樹脂成形体５に覆われる第２の被覆領域１２１ａと、窓部５１から露出する第２の露出領域１２１ｂとを有している。第１の被覆領域１１１ａは樹脂成形体５１に当接し、第２の被覆領域１２１ａは樹脂成形体５に当接する。第１の露出領域１１１ｂは第１の金属層２１に覆われ、第２の露出領域１２１ｂは第２の金属層２２に覆われている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話のバックライト、その他の一般的民生用光源等に組み込まれて使用される発光装置およびその製造方法に関する。
図１１には、従来の発光装置の一例を示している。図１１に示す半導体発光装置９０は、金属製のリード９１，９２と、リード９１に搭載された発光素子９３と、リード９１，９２を固定する樹脂成型体９４と、発光素子９３を覆う透光部材９５とを備えている。樹脂成形体９４は、たとえば特許文献１に記載されているように、熱硬化樹脂を用いてトランスファーモールド法を行うことにより形成される。
トランスファーモールド法により熱硬化樹脂を形成する際には、金型の微細の隙間から樹脂がはみ出し、バリが発生することがある。このため、樹脂成形体９４の形成後、たとえば高圧の水流を用いてバリを取る作業が行われるのが一般的である。
リード９１，９２は加工の容易さや価格からたとえば銅が用いられることが多い。発光装置９０の性能向上を図るとき、銅製のリード９１，９２の主面をたとえば銀等の光反射率および熱伝導率により優れた材質でメッキすることが考えられる。しかしながら、樹脂成形体９４の形成後のバリ取りを行うときに、メッキが損傷してしまう問題があった。
特許第４６０８２９４号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、比較的容易に製造可能であり、かつ、性能の向上を図ることが可能な発光装置およびそのような発光装置の製造方法を提供することをその課題とする。
本発明の第１の側面によって提供される発光装置は、第１の電極端子および第２の電極端子を有する発光素子と、互いに反対を向く主面と裏面とを有しており、主面側に上記発光素子が搭載され、かつ、上記第１の電極端子と導通する第１のリードと、互いに反対を向く主面と裏面とを有しており、上記第２の電極端子と導通する第２のリードと、上記発光素子を覆い、かつ、上記発光素子からの光を透過させる透光部材と、上記第１のリードおよび上記第２のリードを保持する樹脂成形体と、を備えており、上記樹脂成形体には上記発光素子および上記透光部材が収容される窓部が形成されている発光装置であって、上記第１のリードの主面は、上記樹脂成形体に覆われる第１の被覆領域と、上記窓部において上記樹脂成形体から露出する第１の露出領域とを有しており、上記第２のリードの主面は、上記樹脂成形体に覆われる第２の被覆領域と、上記窓部において上記樹脂成形体から露出する第２の露出領域とを有しており、上記第１の被覆領域において上記第１のリードの主面は上記樹脂成形体に当接しており、上記第２の被覆領域において上記第２のリードの主面は上記樹脂成形体に当接しており、上記第１の露出領域において上記第１のリードの主面を覆う第１の金属層と、上記第２の露出領域において上記第２のリードの主面を覆う第２の金属層と、をさらに備えていることを特徴とする。
このような構成は、たとえば、上記窓部を有する上記樹脂成形体を形成後に、上記窓部から露出する上記第１および上記第２のリードの主面に上記第１および第２の金属層を形成することにより自然に形成されるものである。すなわち、上記樹脂成形体を形成後、バリ取りを行った後に、上記第１および上記第２の金属層を形成することが可能であり、上記第１および上記第２の金属層がバリ取りを行う際に損傷するという問題を回避することが可能である。このため、本発明に基づく発光装置は、たとえば比較的加工が容易な銅等で第１および第２のリードを形成し、第１および第２の金属層としてたとえば銀のように光反射率に優れた材質を採用することで、大きな負担なく性能の向上を図ることが可能である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１のリードは上記第１の金属層を介して上記第１の電極端子と導通している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１の金属層と上記第１の電極端子とを導通させる第１の金属ワイヤを有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１の金属層は上記透光部材に接している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２のリードは上記第２の金属層を介して上記第２の電極端子と導通している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２の金属層と上記第２の電極端子とを導通させる第２の金属ワイヤを有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２の金属層は上記透光部材に接している。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１のリードおよび上記第２のリードは銅製であり、上記第１の金属層および上記第２の金属層は銀製である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂成形体は熱硬化樹脂よりなる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記熱硬化樹脂は不飽和ポリエステル樹脂である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記熱硬化樹脂は、シリコーン樹脂を含む。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１のリードの裏面および上記第２のリードの裏面が上記樹脂成形体から露出している。
本発明の第２の側面によって提供される発光装置の製造方法は、互いに反対を向く主面と裏面とを有するリードフレームを形成する工程と、上記リードフレームを保持し、上記リードフレームの主面の一部を露出させる窓部を有する樹脂成形体を形成する工程と、上記窓部に発光素子を設置する工程と、上記発光素子からの光を透過する透光部材で上記発光素子を覆う工程と、を有する発光装置の製造方法であって、上記樹脂成形体を形成する工程は、熱硬化樹脂を射出成形する工程を含むことを特徴とする。
より好ましい製造方法においては、上記熱硬化樹脂は不飽和ポリエステル樹脂からなる。
より好ましい製造方法においては、上記樹脂成形体を形成する工程と、上記発光素子を設置する工程との間に、上記窓部から露出する上記リードフレームの主面を覆う金属層を形成する工程をさらに行う。
より好ましい製造方法においては、上記発光素子は電極端子を有しており、上記発光素子を設置する工程では、上記電極端子と上記金属層とを導通させる。
より好ましい製造方法においては、上記リードフレームは銅製であり、上記金属層を形成する工程は、上記リードフレームの主面に銀メッキを施すことにより行われる。
本発明の第３の側面によって提供される発光装置の製造方法は、互いに反対を向く主面と裏面とを有するリードフレームを形成する工程と、上記リードフレームを保持し、上記リードフレームの主面の一部を露出させる複数の窓部を有する樹脂成形体を形成する工程と、複数の発光素子のそれぞれを上記複数の窓部のいずれかに設置する工程と、上記複数の発光素子からの光を透過する透光部材で上記各発光素子を覆う工程と、上記樹脂成形体を切断する工程と、を有する発光装置の製造方法であって、上記樹脂成形体を形成する工程は、熱硬化樹脂を射出成形する工程を含むことを特徴とする。
より好ましい製造方法においては、上記熱硬化樹脂は不飽和ポリエステル樹脂からなる。
より好ましい製造方法においては、上記樹脂成形体を形成する工程と、上記複数の発光素子を設置する工程との間に、上記複数の窓部から露出する上記リードフレームの主面を覆う金属層を形成する工程をさらに行う。
より好ましい製造方法においては、上記各発光素子は電極端子を有しており、上記複数の発光素子を設置する工程では、上記各発光素子の電極端子と上記金属層とを導通させる。
より好ましい製造方法においては、上記リードフレームは銅製であり、上記金属層を形成する工程は、上記リードフレームの主面に銀メッキを施すことにより行われる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第１実施形態に基づく発光装置を示す要部平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１に示す発光装置の製造工程において製造されるリードフレームを示す図である。 図１に示す発光装置の製造工程の一部を示す図である。 図４の工程で製造される物品を示す図である。 図４に続く工程で製造される物品を示す図である。 図６に示す物品に発光素子を設置した状態を示す図である。 本発明の第２実施形態に基づく発光装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態に基づく発光装置を示す要部平面図である。 図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 従来の発光装置の一例を簡略に示す図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図１および図２は、本発明の第１実施形態に基づく発光装置を示している。本実施形態の発光装置Ａ１は、第１のリード１１、第２のリード１２、第１の金属層２１、第２の金属層２２、発光素子３、ツェナーダイオード３３、第１のワイヤ４１、第２のワイヤ４２、第３のワイヤ４３、樹脂成形体５、および透光部材６を備えている。なお、理解の便宜上、図１においては透光部材６を省略している。図１に示すように発光装置Ａ１は、平面視長矩形状である。以下の説明において、発光装置Ａ１の長手方向をｘ方向とし、短手方向をｙ方向とし、ｘ方向およびｙ方向と直交する方向をｚ方向とする。発光装置Ａ１は、たとえば照明器具に組み込まれて使用されるものであり、当該照明器具に内蔵される電子回路に実装され、当該電子回路を通じて電力の供給を受けて発光する。
図１および図２に表れているように、第１のリード１１の一部が図１中左方に突出し、第２のリード１２の一部が図１中右方から突出しているものの、発光装置Ａ１の外形を成すのは樹脂成形体５である。樹脂成形体５には、図１に示すように平面視中央部に第１のリード１１の一部および第２のリード１２の一部を露出させる窓部５１が形成されている。発光素子３、ツェナーダイオード３３、第１のワイヤ４１、第２のワイヤ４２、第３のワイヤ４３、および透光部材６は窓部５１に収容されている。樹脂成形体５は第１のリード１１および第２のリード１２を保持している。
第１のリード１１は、たとえば銅製であり、ｘ方向に長く延びる略長板状に形成されている。第１のリード１１は樹脂成形体５の図１中左端から突出する突出部１１ａを有している。第１のリード１１は、ｚ方向において互いに反対を向く主面１１１と裏面１１２とを有している。図２に示すように、主面１１１はｚ方向における上方を向き、裏面１１２は下方を向いている。第１のリード１１の裏面１１２は、樹脂成形体５から露出している。
主面１１１は、図２に示すように、樹脂成形体５に覆われた第１の被覆領域１１１ａと、窓部５１が設けられていることにより樹脂成形体５から露出する第１の露出領域１１１ｂとを有している。主面１１１の第１の被覆領域１１１ａは樹脂成形体５に接している。
第１の金属層２１は主面１１１の第１の露出領域１１１ｂを覆うように形成されている。第１の金属層２１は、たとえば銀製であり、第１の露出領域１１１ｂ上に積層されている。図２に示すように、第１の金属層２１の図中上面は透光部材６に接している。
第２のリード１２は、たとえば銅製であり、ｙ方向に長く延びる長板状に形成されている。第２のリード１２のｙ方向寸法は第１のリード１１のｙ方向寸法と同じであり、第２のリード１２のｘ方向寸法は第１のリード１１のｘ方向と比較して短くなっている。第２のリード１２は、ｘ方向において第１のリード１１と離間するように配置されている。具体的には、図１および図２に示すように第２のリード１２は第１のリード１１の図中右方に配置されている。第１のリード１１と第２のリード１２との隙間には樹脂成形体５の一部が入り込んでいる。さらに、第２のリード１２は樹脂成形体５の図１中右端から突出する突出部１２ａを有している。第２のリード１２は、ｚ方向において互いに反対を向く主面１２１と裏面１２２とを有している。図２に示すように、主面１２１はｚ方向における上方を向き、裏面１２２は下方を向いている。
主面１２１は、図２に示すように、樹脂成形体５に覆われた第２の被覆領域１２１ａと、窓部５１が設けられていることにより樹脂成形体５から露出する第２の露出領域１２１ｂとを有している。主面１２１の第２の被覆領域１２１ａは樹脂成形体５に接している。
第２の金属層２２は主面１２１の第２の露出領域１２１ｂを覆うように形成されている。第２の金属層２２は、たとえば銀製であり、第２の露出領域１２１ｂに積層されている。図２に示すように、第２の金属層２２の図中上面は透光部材６に接している。
発光素子３は、たとえば、ＧａＮからなるｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層が積層された構造とされた発光ダイオード（ＬＥＤ）素子でおり、たとえば青色光を発する。発光素子３は略直方体形状であり、ｚ方向における図２中上方側に配置された第１の電極端子３１および第２の電極端子３２を有している。図２に示す例では、第２の電極端子３２は、第１の電極端子３１と離間しており、第１の電極端子３１よりもｘ方向において図中右方に位置している。発光素子３は、第１のリード１１の主面１１１側に搭載されている。より具体的には、発光素子３は、たとえば図示しない接合材を介して第１の金属層２１の図２中上面に固定されている。なお、図示しない接合材としては、たとえば銀ペーストを用いたものが利用可能である。
第１の電極端子３１は第１のワイヤ４１を介して第１の金属層２１と導通しており、第２の電極端子３２は第２のワイヤ４２を介して第２の金属層２２と導通している。従って、第１の電極端子３１は第１のワイヤ４１および第１の金属層２１を介して第１のリード１１と導通しており、第２の電極端子３２は第２のワイヤ４２および第２の金属層２２を介して第２のリード１２と導通していることになる。このような構造によれば、第１のリード１１の裏面１１２および第２のリード１２の裏面１２２を電子回路に実装することで第１の電極端子３１および第２の電極端子３２に電力を供給し発光素子３を発光させることができる。
発光素子３から発せられた光の一部は第１の金属層２１または第２の金属層２２によって図２中ｚ方向上方へと反射されていく。
ツェナーダイオード３３は、発光素子３に過大な逆電圧が印加されるのを防止するためのものであり、図１に示すように、第１の金属層２１上に設置されている。ツェナーダイオード３３は第３のワイヤ４３を介して第２の金属層２２に接続されている。
第１のワイヤ４１、第２のワイヤ４２、および第３のワイヤ４３はたとえば金線である。
樹脂成形体５は、たとえば白色の熱硬化樹脂からなり、好ましい熱硬化樹脂の例としては、不飽和ポリエステル樹脂を挙げることができる。図１および図２に示すように、樹脂成形体５には窓部５１が形成されている。窓部５１は、ｚ方向視においてｘ方向を長手方向とする略矩形状であり、樹脂成形体５の中央に設けられている。窓部５１はｚ方向における図２中下方ほど、ｚ方向視における面積が小さくなるように形成されている。具体的には、窓部５１は発光素子３を囲む４つの斜面により構成されている。図２には、４つの斜面のうち２つが表れている。図２に表れる両斜面はそれぞれｚ方向において第１のリード１１に近づくほどｘ方向において発光素子３に近づくように形成されている。これらの斜面は、発光素子３から側方（たとえば、ｘ，ｙ方向）に発せられた光を樹脂成形体５の外方（たとえばｚ方向図２中上方）に向けて反射し、発光素子３の光量向上に好ましく寄与する。
樹脂成形体５は、たとえば材料となる不飽和ポリエステル樹脂に酸化チタン顔料を混入させることにより白色とされている。
透光部材６は、発光素子３からの光を透過させる材質からなり、発光素子３を覆うように形成されている。本実施形態では、図２に示すように透光部材６は窓部５１の内側の空間に充填されており、第１のワイヤ４１、第２のワイヤ４２、第３のワイヤ４３、第１の金属層２１、および第２の金属層２２をも覆っている。具体的には、透光部材６は、たとえば透明なエポキシ樹脂に蛍光材料が混入された材質からなる。この蛍光材料は、たとえば発光素子３からの青色光によって励起されることにより黄色光を発する。発光素子３からの青色光と上記蛍光材料からの黄色光とが混色することにより、発光装置Ａ１からは白色光が発せられる。なお、上記蛍光材料に代えて、青色光によって励起されることにより赤色光を発する蛍光材料と緑色光を発する蛍光材料とを合わせて用いてもよい。
次に、図３〜図７を参照にしつつ、発光装置Ａ１の製造方法について説明する。
図３には、発光装置Ａ１を製造する際に使用するリードフレームの一例を示している。図３に示すリードフレーム１０は、銅製の金属薄板に打ち抜き加工を施すことにより形成されたものである。リードフレーム１０は、連続フープ状態であり、複数の第１のアイランド部１３と、複数の第２のアイランド部１４と、複数の第１のアイランド部１３および複数の第２のアイランド部１４を繋ぎ合わせる連結部１５とを備えている。第２のアイランド部１４はｘ方向寸法が第１のアイランド部１３のｘ方向寸法よりも短くなるように形成されている。各第１のアイランド部１３はｘ方向における一方側において連結部１５に繋がり、ｘ方向における他方側においては第２のアイランド部１４のいずれかと所定の間隔を隔てて隣り合っている。リードフレーム１０は、ｚ方向において互いに反対を向く主面および裏面を有している。
発光装置Ａ１を製造する際には、まず上述したようなリードフレーム１０を製造する工程を行い、その後、リードフレーム１０の一部を覆う樹脂成形体５０を形成する工程を行う。樹脂成形体５０を形成する工程は、熱硬化樹脂を射出成形する工程を含んでいる。
熱硬化樹脂を射出成形する工程は、たとえば図４に簡略に要部を示した射出成形装置７０を用いて行われる。射出成形装置７０は、固定部７１、タイバー７２、可動部７３、射出ノズル７４、シリンダ７５、および、金型７６，７７を備えている。金型７６は固定部７１に設置され、金型７７は可動部７３に設置されている。固定部７１と可動部７３はタイバー７２を介して連結されており、可動部７３は金型７７を保持したまま図４中上下に移動可能である。図４に示す状態から可動部７３を図中下方に移動させることにより、金型７６，７７を合わせることができる。射出ノズル７４はシリンダ７５に連結されている。シリンダ７５には液状の樹脂材料とこの樹脂材料を硬化させる硬化剤とが供給される。シリンダ７５で硬化剤が添加された樹脂材料は速やかに射出ノズル７４へ送られ、金型７６，７７へと送り出される。
本工程において、射出ノズル７４に供給される樹脂材料は熱硬化樹脂、具体的には不飽和ポリエステル樹脂である。本工程では、金型７６にリードフレーム１０を設置し、可動部７３を移動させることにより、金型７６と金型７７との間にリードフレーム１０を挟み込む。金型７６はたとえば平坦な底面を有しており、リードフレーム１０は裏面がこの底面に接するように設置される。金型７７は凹凸を有する形状であり、金型７６に合わせたときに複数の凸部がリードフレーム１０の主面に接するようになっている。このような金型７６，７７を用いることにより、リードフレーム１０の主面の一部を露出させる複数の窓部５１が形成された樹脂成形体５０を形成することができる。図５には、リードフレーム１０および樹脂成形体５０の発光装置Ａ１単品に相当する部分を示している。第１のアイランド部１３は後に第１のリード１１となり、第２のアイランド部１４は後に第２のリード１２となる。
図５に示すように、リードフレーム１０の第１のアイランド部１３の主面１３１の一部は樹脂成形体５０に覆われる。この領域１３１ａは後に第１の被覆領域１１１ａとなる。また、主面１３１の一部の領域は窓部５１において樹脂成形体５０から露出している。この領域１３１ｂは、後に第１の露出領域１１１ｂとなる。一方、第１のアイランド部１３の裏面１３２は樹脂成形体５０から露出している。第１のアイランド部１３の裏面１３２は後に第１のリード１１の裏面１１２となる。
図５に示すように、リードフレーム１０の第２のアイランド部１４の主面１４１の一部は樹脂成形体５０に覆われる。この領域１４１ａは後に第２の被覆領域１２１ａとなる。また、主面１４１の一部の領域は窓部５１において樹脂成形体５０から露出している。この領域１４１ｂは、後に第２の露出領域１２１ｂとなる。第２のアイランド部１４の裏面１４２は後に第２のリード１２の裏面１２２となる。
樹脂成形体５０を形成した後バリ取りを行い、その後に、金属層を形成する工程を行う。
金属層を形成する工程は、たとえば、リードフレーム１０に対してば銀メッキを施すことにより行われる。当然のこととして、樹脂成形体５０に覆われている領域にはメッキは形成されない。また、樹脂成形体５０から露出している部分であっても金属層を設ける必要のない部分を予め樹脂等で被覆することにより選択的に必要な領域にメッキを施すことができる。
本工程では、図６に示すように、主面１３１の領域１３１ｂに第１の金属層２１を形成し、主面１４１の領域１４１ｂに第２の金属層２２を形成する。
金属層を形成した後、リードフレーム１０に複数の発光素子３を設置する工程を行う。この工程では、各発光素子３はそれぞれ複数の第１のアイランド部１３のいずれかに設置される。より具体的には、各第１のアイランド部１３の窓部５１から露出する領域１３１ｂに１個の発光素子３が設置される。先の工程で領域１３１ｂは第１の金属層２１が形成されているため、本工程は第１の金属層２１の所定の位置に銀ペーストを設置し、その銀ペーストに発光素子３を設置していく。なお、本工程では、ツェナーダイオード３３の設置も併せて行う。
さらに続けて、第１のワイヤ４１、第２のワイヤ４２、第３のワイヤ４３を形成する工程を行う。この工程はワイヤボンダを用い、複数の発光素子３および複数のツェナーダイオード３３のそれぞれに対し順次ワイヤボンディングを行っていく。図７には、発光装置Ａ１単品にあたる部分の第１のワイヤ４１、第２のワイヤ４２、第３のワイヤ４３を形成された後の状態を示している。
ワイヤの設置後、複数の窓部５１のそれぞれを透光樹脂で埋める工程を行う。この工程で用いられる液状の透光樹脂が硬化したものが透光部材６である。この工程の後、リードフレーム１０の連結部１５を切断し、樹脂成形体５０の不要部分を除去する工程を行う。この工程により、複数の第１のアイランド部１３はそれぞれ第１のリード１１となり、複数の第２のアイランド部１４はそれぞれ第２のリード１２となる。また樹脂成形体５０は切り分けられ、複数の樹脂成形体５となる。なお、切断された連結部１５の残留部が突出部１１ａ，１２ａとなる。
以上のようにして、一挙に複数の発光装置Ａ１を製造することができる。
次に、発光装置Ａ１およびその製造方法の作用について説明する。
発光装置Ａ１では、第１のリード１１および第２のリード１２の窓部５１から露出する領域の大部分が第１の金属層２１または第２の金属層２２によって覆われている。第１の金属層２１および第２の金属層２２は銀製であり、銅製の第１のリード１１および第２のリード１２よりも光反射率および熱伝導率において優れた性質を備えている。このため、発光装置Ａ１は、第１のリード１１および第２のリード１２に第１の金属層２１および第２の金属層２２を設けない場合と比較して、外部への光取り出し効率がより高く、発光素子３が発する熱をより速やかに放熱することができる。
上述した製造方法によれば、第１の金属層２１および第２の金属層２２は、樹脂成形体５０が形成されバリ取りが行われた後に形成される。このため、バリ取りの作業によって第１の金属層２１および第２の金属層２２が損傷を受けることがなく、より良好な状態の第１の金属層２１および第２の金属層２２を得ることができる。従って、発光装置Ａ１は、加工容易で安価な銅製のリードフレーム１０を用いつつ、銀メッキを施すことで性能の向上を図ることが可能である。
さらに、上述した製造方法では、連続フープ状態のリードフレーム１０が用いられており、一度の工程で多数の発光装置Ａ１を製造可能である。このため、上述した製造方法によれば、大量生産を行うことで発光装置Ａ１の製造コストの削減を図ることができる。
連続フープ状態のリードフレーム１０に合う金型７６，７７は比較的大型のものとなる。このような大型の金型７６，７７に硬化剤を添加した樹脂材料を流し込む場合、樹脂材料を流し込んでいる最中に硬化が始まるため、なるべく短い時間で樹脂材料を金型７６，７７に送り込む必要がある。上述した発光装置Ａ１の製造方法では、熱硬化樹脂を射出成形しているが、このことは大型の金型７６，７７により短い時間で樹脂材料を送り込むうえで望ましい手法である。
図８〜図１０は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
図８は、本発明の第２実施形態に基づく発光装置を示している。本実施形態の発光装置Ａ２は、第１のリード１１および第２のリード１２に、第１の金属層２１および第２の金属層２２以外の金属層が設けられている点が、上述した発光装置Ａ１と異なっている。
本実施形態においては、第１のリード１１の裏面１１２が、金属層２３によって覆われている。また、突出部１１ａの図中ｚ方向上面が金属層２５によって覆われている。一方、突出部１１ａのｘ方向左端面は、金属層によっては覆われていない。
第２のリード１２の裏面１２２が、金属層２４によって覆われている。また、突出部１２ａの図中ｚ方向上面が金属層２６によって覆われている。一方、突出部１２ａのｘ方向右端面は、金属層によっては覆われていない。
発光装置Ａ２の製造工程においては、図６に示す発光装置Ａ１の製造工程におけるメッキ工程において、第１のアイランド部１３、第２のアイランド部１４、連結部１５にメッキをマスクするための樹脂被膜を形成しない。このため、第１のアイランド部１３、第２のアイランド部１４、連結部１５の露出部分のすべてにメッキ処理が施される。これにより、上述した金属層２３，２４，２５，２６が形成される。図８に示す突出部１１ａ，１２ａの先端面は、図６に示すメッキ工程においては、いまだ形成されていない。このため、これらの先端面は、金属層に覆われることなく露出する。
このような実施形態によっても、外部への光取り出し効率がより高く、発光素子３が発する熱をより速やかに放熱することができる。
図９および図１０は、本発明の第３実施形態に基づく発光装置を示している。本実施形態の発光装置Ａ３は、主に、樹脂成形体５、第１のリード１１および第２のリード１２の構成が上述した発光装置Ａ１，Ａ２と異なっている。
本実施形態においては、樹脂成形体５は、第１のリード１１の裏面１１２および第２のリード１２の裏面１２２を覆う部分を有している。樹脂成形体５のうち裏面１１２，１２２を覆う部分は、ｚ方向寸法が窓部５１をと同等程度とされており、ｘ方向中央部分がｚ方向下方に若干膨出している。
本実施形態においては、突出部１１ａ，１２ａは、樹脂成形体５の図中側面から突出し、ｚ方向下方に折り曲げられ、さらにｘ方向内方に向けて折り曲げられている。これにより、突出部１１ａ，１２ａは、樹脂成形体５のうち裏面１１２，１２２を覆う部分を回りこむようにして樹脂成形体５よりもｚ方向下方に到達している。突出部１１ａ，１２ａの先端は、発光装置Ａ２を実装するための実装端子として用いられる。なお、突出部１１ａ，１２ａのうち樹脂成形体５から突出する位置において折り曲げられている部分は、そのｙ方向中央部分が開口している。これは、折り曲げに要する力を軽減するためである。
突出部１１ａには、金属層２３，２５，２７が積層されている。金属層２３は、突出部１ａのうち裏面１１２に繋がる部位を覆っている。金属層２５は、突出部１１ａのうち主面１１１に繋がる部位を覆っている。金属層２７は、突出部１１ａの上述した開口の内面を覆っている。一方、突出部１１ａの先端面は、金属層によっては覆われていない。
突出部１２ａには、金属層２４，２６，２８が積層されている。金属層２４は、突出部２ａのうち裏面１２２に繋がる部位を覆っている。金属層２６は、突出部１２ａのうち主面１２１に繋がる部位を覆っている。金属層２８は、突出部１２ａの上述した開口の内面を覆っている。一方、突出部１２ａの先端面は、金属層によっては覆われていない。
このような実施形態によっても、外部への光取り出し効率がより高く、発光素子３が発する熱をより速やかに放熱することができる。
本発明にかかる発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかる発光装置の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
上述した発光装置Ａ１は、いわゆる２ワイヤタイプの装置であるが、１ワイヤタイプのものや、発光素子３をフリップチップ実装するタイプのものであっても構わない。
上述した発光装置Ａ１においては、樹脂成形体５を形成するための熱硬化樹脂の例として不飽和ポリエステル樹脂を挙げているが、この例に限定されることはない。たとえば、樹脂成形体５をエポキシ樹脂で製造しても構わない。また、樹脂成形体５を形成するための熱硬化樹脂がシリコーン樹脂を含むものであってもよい。
Ａ１ 発光装置
１０ リードフレーム
１１ 第１のリード
１１ａ 突出部
１１ｂ 端子部
１２ 第２のリード
１２ａ 突出部
１２ｂ 端子部
１３ 第１のアイランド部
１４ 第２のアイランド部
１５ 連結部
２１ 第１の金属層
２２ 第２の金属層
２３ 第３の金属層
２４ 第４の金属層
２５，２６，２７，２８ 金属層
３ 発光素子
３１ 第１の電極端子
３２ 第２の電極端子
３３ ツェナーダイオード
４１ 第１のワイヤ
４２ 第２のワイヤ
４３ 第３のワイヤ
５ 樹脂成形体
５１ 窓部
６ 透光部材
７０ 射出成形装置
７１ 固定部
７２ タイバー
７３ 可動部
７４ 射出ノズル
７５ シリンダ
７６，７７ 金型
１１１ 主面
１１１ａ 第１の被覆領域
１１１ｂ 第１の露出領域
１１２ 裏面
１２１ 主面
１２１ａ 第２の被覆領域
１２１ｂ 第２の露出領域
１２２ 裏面

Claims (22)

  1. 第１の電極端子および第２の電極端子を有する発光素子と、
    互いに反対を向く主面と裏面とを有しており、主面側に上記発光素子が搭載され、かつ、上記第１の電極端子と導通する第１のリードと、
    互いに反対を向く主面と裏面とを有しており、上記第２の電極端子と導通する第２のリードと、
    上記発光素子を覆い、かつ、上記発光素子からの光を透過させる透光部材と、
    上記第１のリードおよび上記第２のリードを保持する樹脂成形体と、
    を備えており、
    上記樹脂成形体には上記発光素子および上記透光部材が収容される窓部が形成されている発光装置であって、
    上記第１のリードの主面は、上記樹脂成形体に覆われる第１の被覆領域と、上記窓部において上記樹脂成形体から露出する第１の露出領域とを有しており、
    上記第２のリードの主面は、上記樹脂成形体に覆われる第２の被覆領域と、上記窓部において上記樹脂成形体から露出する第２の露出領域とを有しており、
    上記第１の被覆領域において上記第１のリードの主面は上記樹脂成形体に当接しており、
    上記第２の被覆領域において上記第２のリードの主面は上記樹脂成形体に当接しており、
    上記第１の露出領域において上記第１のリードの主面を覆う第１の金属層と、
    上記第２の露出領域において上記第２のリードの主面を覆う第２の金属層と、をさらに備えていることを特徴とする、発光装置。
  2. 上記第１のリードは上記第１の金属層を介して上記第１の電極端子と導通している、請求項１に記載の発光装置。
  3. 上記第１の金属層と上記第１の電極端子とを導通させる第１の金属ワイヤを有する、請求項２に記載の発光装置。
  4. 上記第１の金属層は上記透光部材に接している、請求項１ないし３のいずれかに記載の発光装置。
  5. 上記第２のリードは上記第２の金属層を介して上記第２の電極端子と導通している、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置。
  6. 上記第２の金属層と上記第２の電極端子とを導通させる第２の金属ワイヤを有する、請求項５に記載の発光装置。
  7. 上記第２の金属層は上記透光部材に接している、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光装置。
  8. 上記第１のリードおよび上記第２のリードは銅製であり、上記第１の金属層および上記第２の金属層は銀製である、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置。
  9. 上記樹脂成形体は熱硬化樹脂よりなる、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置。
  10. 上記熱硬化樹脂は不飽和ポリエステル樹脂である、請求項９に記載の発光装置。
  11. 上記熱硬化樹脂は、シリコーン樹脂を含む、請求項９または１０に記載の発光装置。
  12. 上記第１のリードの裏面および上記第２のリードの裏面が上記樹脂成形体から露出している、請求項１ないし１１のいずれかに記載の発光装置。
  13. 互いに反対を向く主面と裏面とを有するリードフレームを形成する工程と、
    上記リードフレームを保持し、上記リードフレームの主面の一部を露出させる窓部を有する樹脂成形体を形成する工程と、
    上記窓部に発光素子を設置する工程と、
    上記発光素子からの光を透過する透光部材で上記発光素子を覆う工程と、
    を有する発光装置の製造方法であって、
    上記樹脂成形体を形成する工程は、熱硬化樹脂を射出成形する工程を含むことを特徴とする、発光装置の製造方法。
  14. 上記熱硬化樹脂は不飽和ポリエステル樹脂からなる、請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
  15. 上記樹脂成形体を形成する工程と、上記発光素子を設置する工程との間に、上記窓部から露出する上記リードフレームの主面を覆う金属層を形成する工程をさらに行う、請求項１３または１４に記載の発光装置の製造方法。
  16. 上記発光素子は電極端子を有しており、
    上記発光素子を設置する工程では、上記電極端子と上記金属層とを導通させる、請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
  17. 上記リードフレームは銅製であり、
    上記金属層を形成する工程は、上記リードフレームの主面に銀メッキを施すことにより行われる、請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
  18. 互いに反対を向く主面と裏面とを有するリードフレームを形成する工程と、
    上記リードフレームを保持し、上記リードフレームの主面の一部を露出させる複数の窓部を有する樹脂成形体を形成する工程と、
    複数の発光素子のそれぞれを上記複数の窓部のいずれかに設置する工程と、
    上記複数の発光素子からの光を透過する透光部材で上記各発光素子を覆う工程と、
    上記樹脂成形体を切断する工程と、
    を有する発光装置の製造方法であって、
    上記樹脂成形体を形成する工程は、熱硬化樹脂を射出成形する工程を含むことを特徴とする、発光装置の製造方法。
  19. 上記熱硬化樹脂は不飽和ポリエステル樹脂からなる、請求項１８に記載の発光装置の製造方法。
  20. 上記樹脂成形体を形成する工程と、上記複数の発光素子を設置する工程との間に、上記複数の窓部から露出する上記リードフレームの主面を覆う金属層を形成する工程をさらに行う、請求項１８または１９に記載の発光装置の製造方法。
  21. 上記各発光素子は電極端子を有しており、
    上記複数の発光素子を設置する工程では、上記各発光素子の電極端子と上記金属層とを導通させる、請求項２０に記載の発光装置の製造方法。
  22. 上記リードフレームは銅製であり、
    上記金属層を形成する工程は、上記リードフレームの主面に銀メッキを施すことにより行われる、請求項２１に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015070247A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム基板の製造方法及び発光装置の製造方法、並びに、発光ダイオード用リードフレームの製造方法及びダイオード用リードフレーム構造
JP2015138797A (ja) * 2014-01-20 2015-07-30 株式会社カネカ 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体、表面実装型発光装置、及び表面実装型発光装置の製造方法
JP2016054251A (ja) * 2014-09-04 2016-04-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2017501577A (ja) * 2014-01-07 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光デバイスパッケージ
KR20170025322A (ko) * 2015-08-28 2017-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 장치
JP2017224852A (ja) * 2012-01-31 2017-12-21 ローム株式会社 発光装置
JP2018092964A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法、パッケージ、及び発光装置
JP2019512167A (ja) * 2016-02-25 2019-05-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ リード・フレーム・セクションを有するオプトエレクトロニクス部品
US10475973B2 (en) 2013-12-19 2019-11-12 Lumileds Llc Light emitting device package
JP2019208043A (ja) * 2019-07-16 2019-12-05 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP2021184458A (ja) * 2020-05-21 2021-12-02 健策精密工業股▲ふん▼有限公司 発光ダイオードモジュール及びその製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104022214B (zh) * 2013-03-01 2017-02-01 广东旭宇光电有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN104103748B (zh) * 2013-04-10 2016-12-07 重庆市路迪机械厂 发光二极管封装结构及其制造方法
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 新世紀光電股份有限公司 封裝結構及其製備方法
CN106158766A (zh) * 2016-08-03 2016-11-23 苏州市职业大学 微型贴装整流半导体器件
CN106158767A (zh) * 2016-08-03 2016-11-23 苏州市职业大学 微型表面贴装式二极管器件
CN106158779A (zh) * 2016-08-03 2016-11-23 苏州市职业大学 低功耗半导体整流器件
CN106158802A (zh) * 2016-08-03 2016-11-23 苏州市职业大学 超薄型表面贴装整流器
JP6555243B2 (ja) * 2016-12-16 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US10153416B1 (en) * 2017-05-23 2018-12-11 Radiant Choice Limited Package body and light emitting device using same
US10347799B2 (en) * 2017-11-10 2019-07-09 Cree, Inc. Stabilized quantum dot composite and method of making a stabilized quantum dot composite
US20220220427A1 (en) 2019-05-23 2022-07-14 Keio University Culture container for culturing epithelial cells and use thereof

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020038A (ja) * 2004-10-18 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2007287713A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Showa Denko Kk 発光装置及びその製造方法
WO2008111504A1 (ja) * 2007-03-12 2008-09-18 Nichia Corporation 高出力発光装置及びそれに用いるパッケージ
JP2010103149A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Showa Denko Kk 発光部材、発光装置、電子機器、機械装置、発光部材の製造方法、および発光装置の製造方法
JP2010177443A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置及び発光モジュール
JP2010235756A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2010272565A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置
JP2011119393A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置及びその製造方法
JP2011146524A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3348843B2 (ja) * 1999-02-25 2002-11-20 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及びそれを用いたドットマトリックスディスプレイ
DE10041328B4 (de) * 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
JP3659635B2 (ja) * 2001-04-10 2005-06-15 株式会社東芝 光半導体装置
JP3655267B2 (ja) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2005167174A (ja) * 2003-11-14 2005-06-23 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器
JP4206334B2 (ja) * 2003-12-25 2009-01-07 京セラ株式会社 発光装置
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
JP2006086178A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Corp 樹脂封止型光半導体装置
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US7393733B2 (en) * 2004-12-01 2008-07-01 Amberwave Systems Corporation Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures
JP2006319109A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置用パッケージとその製造方法
KR100593945B1 (ko) * 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2006339386A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Toshiba Corp 光半導体装置
KR100702569B1 (ko) * 2005-09-12 2007-04-02 김광희 반사면 부착형 발광소자
US7795625B2 (en) * 2006-01-16 2010-09-14 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR100820529B1 (ko) * 2006-05-11 2008-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치
US9502624B2 (en) * 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US7485480B2 (en) * 2006-09-21 2009-02-03 Harvatek Corporation Method of manufacturing high power light-emitting device package and structure thereof
JP2008300573A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Toshiba Corp 発光装置
JP2007329502A (ja) * 2007-08-16 2007-12-20 Toshiba Corp 発光装置
TWI472549B (zh) * 2007-09-25 2015-02-11 日立化成股份有限公司 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用該組成物的光半導體元件搭載用基板及其製造方法以及光半導體裝置
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5245614B2 (ja) * 2008-07-29 2013-07-24 豊田合成株式会社 発光装置
JP2010080502A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US8946746B2 (en) * 2008-12-25 2015-02-03 Panasonic Corporation Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
EP2448023B1 (en) * 2009-06-22 2016-08-31 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2011071265A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 発光装置
JP5310672B2 (ja) * 2009-10-15 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5440096B2 (ja) * 2009-10-26 2014-03-12 日立化成株式会社 光半導体装置の製造方法、光半導体素子搭載用基板の製造方法及び光半導体装置
JP5582382B2 (ja) * 2009-12-17 2014-09-03 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JPWO2011136356A1 (ja) * 2010-04-30 2013-07-22 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US8809478B2 (en) * 2010-06-11 2014-08-19 Adeka Corporation Silicon-containing curable composition, cured product of the silicon-containing curable composition and lead frame substrate formed of the silicon-containing curable composition
EP2629342B1 (en) * 2010-10-22 2014-09-17 Panasonic Corporation Unsaturated polyester resin composition for use in led reflector, and led reflector and led luminaire using said composition
CN102130273A (zh) * 2010-12-10 2011-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管封装构造
KR101823506B1 (ko) * 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP2013179271A (ja) * 2012-01-31 2013-09-09 Rohm Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020038A (ja) * 2004-10-18 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2007287713A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Showa Denko Kk 発光装置及びその製造方法
WO2008111504A1 (ja) * 2007-03-12 2008-09-18 Nichia Corporation 高出力発光装置及びそれに用いるパッケージ
JP2010103149A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Showa Denko Kk 発光部材、発光装置、電子機器、機械装置、発光部材の製造方法、および発光装置の製造方法
JP2010177443A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置及び発光モジュール
JP2010235756A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2010272565A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Toppan Printing Co Ltd リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置
JP2011119393A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置及びその製造方法
JP2011146524A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2012004596A (ja) * 2010-01-29 2012-01-05 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017224852A (ja) * 2012-01-31 2017-12-21 ローム株式会社 発光装置
JP2015070247A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム基板の製造方法及び発光装置の製造方法、並びに、発光ダイオード用リードフレームの製造方法及びダイオード用リードフレーム構造
US10475973B2 (en) 2013-12-19 2019-11-12 Lumileds Llc Light emitting device package
JP2017501577A (ja) * 2014-01-07 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光デバイスパッケージ
JP2015138797A (ja) * 2014-01-20 2015-07-30 株式会社カネカ 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体、表面実装型発光装置、及び表面実装型発光装置の製造方法
JP2016054251A (ja) * 2014-09-04 2016-04-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置
US10153403B2 (en) 2014-09-04 2018-12-11 Nichia Corporation Package and light-emitting device
US10608147B2 (en) 2014-09-04 2020-03-31 Nichia Corporation Package and light-emitting device
KR20170025322A (ko) * 2015-08-28 2017-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 장치
KR102426874B1 (ko) 2015-08-28 2022-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP2019512167A (ja) * 2016-02-25 2019-05-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ リード・フレーム・セクションを有するオプトエレクトロニクス部品
JP2018092964A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法、パッケージ、及び発光装置
JP2019208043A (ja) * 2019-07-16 2019-12-05 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP2021184458A (ja) * 2020-05-21 2021-12-02 健策精密工業股▲ふん▼有限公司 発光ダイオードモジュール及びその製造方法
US11705547B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Jentech Precision Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of light emitting diode module

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