JP2013038399A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の一方は、３ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の他方は、３ｅＶ未満のエネルギーギャップを有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の一方は、３ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の他方は、３ｅＶ未満のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層と異なる形状を有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の一方は、３ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の他方は、３ｅＶ未満のエネルギーギャップを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の上面及び側面を覆っていることを特徴とする半導体装置。
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