JP2009267171A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料及び耐久性に優れた有機電界発光素子を提供すること。
【解決手段】下記一般式（I）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
式中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Y1及びZ4は炭素原子または窒素原子を表す。
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式（I）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
式中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Y1及びZ4は炭素原子または窒素原子を表す。
【選択図】なし
Description
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」または「素子」ともいう）に関する。
有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。
近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。燐光発光材料としては、イリジウム錯体や白金錯体などが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
また、錯体の耐久性や燐光量子収率を向上させる目的で四座配位子を有する錯体を用いた有機電界発光素子に関する技術が開示されている（例えば、特許文献３及び特許文献４参照）。
また、錯体の耐久性や燐光量子収率を向上させる目的で四座配位子を有する錯体を用いた有機電界発光素子に関する技術が開示されている（例えば、特許文献３及び特許文献４参照）。
しかしながら、実用上、さらに耐久性に優れた素子が求められている。また、製造コスト低減や生産性を向上させるため、保管条件によらず高い性能を発現する材料が求められている。
本発明の目的は、耐久性に優れた有機電界発光素子及び保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料を提供することである。
本発明の目的は、耐久性に優れた有機電界発光素子及び保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料を提供することである。
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、特定構造の４座配位子を有する金属錯体を有機層に含有する有機電界発光素子が、上記課題を解決することを見出した。すなわち、上記課題は以下の手段により解決することができる。
〔１〕 一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
（一般式（I）中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Y1及びZ4は炭素原子または窒素原子を表し、[Y1, Z4]の組み合わせは[C, N], [C, C], [N, N]のいずれかである。X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。Q1及びQ4において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合及び二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ4の結合を示す実線は、共有結合を表す。Lは２価の連結基を表す。）
〔２〕Y1が炭素原子、Z4が炭素原子を表すことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕Y1が炭素原子、Z4が窒素原子を表すことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕Y1が窒素原子、Z4が窒素原子を表すことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔５〕MがPtを表すことを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔６〕Lがジ置換メチレン連結基であることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔７〕一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔８〕重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層の少なくともいずれかの層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔９〕前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする〔８〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕Y1が炭素原子、Z4が窒素原子を表すことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕Y1が窒素原子、Z4が窒素原子を表すことを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔５〕MがPtを表すことを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔６〕Lがジ置換メチレン連結基であることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔７〕一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔８〕重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層の少なくともいずれかの層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔９〕前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする〔８〕に記載の有機電界発光素子。
本発明によれば、耐久性に優れた有機電界発光素子及び保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料を提供することができる。
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子の好適な実施形態について説明する。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有するものである。前記有機層としては、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層等を含んでいてもよい。各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。また、各層は複数の層から形成されていてもよい。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有するものである。前記有機層としては、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層等を含んでいてもよい。各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。また、各層は複数の層から形成されていてもよい。
有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、及び／又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。
前記有機層の少なくともいずれかの層は、前記一般式（I）で表される金属錯体を含有する。
前記一般式（I）で表される金属錯体は、その機能が限定されることはなく、発光材料、ホスト材料、励起子ブロック材料、電荷ブロック材料あるいは電荷輸送材料として利用することができ、その中でも発光材料、ホスト材料、電荷輸送材料として利用する場合がより好ましく、発光材料、ホスト材料として利用する場合が更に好ましく、発光材料として利用する場合が最も好ましい。
前記一般式（I）で表される金属錯体は、その機能が限定されることはなく、発光材料、ホスト材料、励起子ブロック材料、電荷ブロック材料あるいは電荷輸送材料として利用することができ、その中でも発光材料、ホスト材料、電荷輸送材料として利用する場合がより好ましく、発光材料、ホスト材料として利用する場合が更に好ましく、発光材料として利用する場合が最も好ましい。
また、前記一般式（I）で表される金属錯体を含有する層は、前述の有機層のうちいずれの層にも含有することができるが、発光層に含有することが好ましく、発光材料またはホスト材料として発光層に含有されることがより好ましく、発光材料として発光層に含有されることがさらに好ましく、少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含有されることが特に好ましい。
前記一般式（I）で表される金属錯体の含有量は、発光層に発光材料として含有される場合、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上３０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上２０質量％以下の範囲がさらに好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下の範囲が最も好ましい。
前記一般式（I）で表される金属錯体を発光層以外の層（例えば電荷輸送層等）に用いる場合には、その層中において１０質量％〜１００質量％含まれることが好ましく、３０質量％〜１００質量％含まれることがより好ましい。
前記一般式（I）で表される金属錯体を発光層以外の層（例えば電荷輸送層等）に用いる場合には、その層中において１０質量％〜１００質量％含まれることが好ましく、３０質量％〜１００質量％含まれることがより好ましい。
以下、一般式（I）で表される化合物について説明する。
（一般式（I）中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Y1及びZ4は炭素原子または窒素原子を表し、[Y1, Z4]の組み合わせは[C, N], [C, C], [N, N]のいずれかである。X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。Q1及びQ4において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合及び二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ4の結合を示す実線は、共有結合を表す。Lは２価の連結基を表す。）
Y1及びZ4は炭素原子または窒素原子を表し、[Y1, Z4]の組み合わせは[C, N], [C, C], [N, N]のいずれかである。
X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。
X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。
上記RC1としては、水素原子の他、下記置換基群Ａから選ばれる基が挙げられる。
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）
RC1として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、クロロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ホスホリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基である。
RN1としては、水素原子の他、下記置換基群Ｂから選ばれる基が挙げられる。
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）
RN1で表される基として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基ヘテロ環基である。
Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。すなわち、前記X11〜X13、X21〜X23、X41〜X4３、Y1、Z4は、Q1、Q2、Q4がそれぞれ芳香族ヘテロ環になるように選ばれ、X31〜X33はQ3がベンゼン環または芳香族ヘテロ環になるように選ばれる。
より詳しくは、Q1は芳香族ヘテロ五員環を表し、Mに対して窒素原子で配位結合する。Q1は、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、およびそれらを含む縮環体（例えばベンゾイミダゾール環など）等が挙げられる。好ましくは、Q1は、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体であり、より好ましくはイミダゾール環、ピラゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q1がイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体（より好ましくは、イミダゾール環、ピラゾール環およびそれらを含む縮環体）であることにより、錯体自身の安定性が向上し、素子の耐久性を向上させることができる。
Q2は、芳香族ヘテロ六員環を表し、好ましくは含窒素芳香族ヘテロ六員環を表し、Ｍに対して窒素原子で配位結合する。Q2としては、好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環など）であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体である。Q２がピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環およびそれらを含む縮環体（より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体）であることにより、錯体自身の安定性が向上し、素子の耐久性を向上させることができる。
Q３は、ベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表し、Ｍに対して炭素原子で共有結合する。Q３としては、例えばベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環、ナフタレン環など）が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体である。Q３がベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身の安定性が向上し、素子の耐久性を向上させることができる。
Q４は、芳香族ヘテロ五員環を表し、このQ４で表される芳香族ヘテロ環は、炭素原子又は窒素原子でMと共有結合する。
炭素原子でMに結合するQ４としては、フラン環、チオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、シロール環および、それらを含む縮環体（例えばインダゾール環、ベンゾチアゾール環など））が挙げられる。
窒素原子でMに結合するQ４としてはピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えはインドール環、ベンゾイミダゾール環など））が挙げられる。
Q４としては、好ましくはフラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q４がフラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身の安定性が向上し、素子の耐久性を向上させることができる。
また、Q４は、材料自身の安定性および素子の耐久性の観点から、炭素原子でMと結合するものであることが好ましい。
炭素原子でMに結合するQ４としては、フラン環、チオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、シロール環および、それらを含む縮環体（例えばインダゾール環、ベンゾチアゾール環など））が挙げられる。
窒素原子でMに結合するQ４としてはピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えはインドール環、ベンゾイミダゾール環など））が挙げられる。
Q４としては、好ましくはフラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q４がフラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身の安定性が向上し、素子の耐久性を向上させることができる。
また、Q４は、材料自身の安定性および素子の耐久性の観点から、炭素原子でMと結合するものであることが好ましい。
なお、X11〜X13、X41〜X43、X21〜X23、X31〜X3のうち複数がN-RN1及び／又はC-RC1である場合、可能であれば、複数のRN1及び／又はRC1どうしが互いに結合して環を形成してもよい。
その場合、Q１〜Q４は縮環体となる。Q１〜Q４が縮環体となる場合の具体例を挙げると、Q１及びQ４としては、インドール環、インダゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。Q2としては、イソキノリン環等が挙げられる。Q3としては、ナフタレン環、キノリン環等が挙げられる。
その場合、Q１〜Q４は縮環体となる。Q１〜Q４が縮環体となる場合の具体例を挙げると、Q１及びQ４としては、インドール環、インダゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。Q2としては、イソキノリン環等が挙げられる。Q3としては、ナフタレン環、キノリン環等が挙げられる。
一般式（I）におけるQ1、Q2、Q3、Q4で表される構造の例を以下に挙げるが、本発明がこれらに限定されることはない。以下の式中、M、Lはそれぞれ一般式（Ｉ）のM、Lに対応し、Qは、〔Q１で表される部分構造〕中のQはQ２を表し、〔Q２で表される部分構造〕中のQはQ１を表し、〔Q３で表される部分構造〕中のQはQ４を表し、〔Q４で表される部分構造〕中のQはQ３を表す。
〔Q1で表される部分構造〕
〔Q2で表される部分構造〕
〔Q3で表される部分構造〕
〔Q4で表される部分構造〕
Mは二価の金属イオンを表す。Mとして好ましくは二価の白金イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、パラジウムイオンであり、さらに好ましくは白金イオンである。Mが白金イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、銅イオン（より好ましくは、白金イオン、パラジウムイオン、さらに好ましくは白金イオン）であることにより、発光量子収率の高い錯体が得られ、素子の量子効率も高くなる。
また、Mと窒素原子の結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ4の結合を示す実線は、共有結合を表す。ここで、配位結合とは電荷をもたない中性の基と金属イオンとの結合を意味し、共有結合とはアニオン性の基と金属イオンとの結合を意味する。
また、Mと窒素原子の結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ4の結合を示す実線は、共有結合を表す。ここで、配位結合とは電荷をもたない中性の基と金属イオンとの結合を意味し、共有結合とはアニオン性の基と金属イオンとの結合を意味する。
Lは、二価の連結基を表す。二価の連結基としては、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、ゲルマニウム原子等の原子からなる２価の連結基が好ましい。２価の連結基は、これらの原子１つからなるものであってもよいし、複数の原子が直鎖状又は環状に結合したものであってもよい。
これらの原子は、可能であれば置換基を有していてもよい。置換基としては、前記置換基Ａ群が挙げられる。置換基を複数有する場合は、置換基どうしが結合して環を形成してもよい。
以下、Ｌの具体例を示すが、以下のものに限定されない。なお、以下の例示において、Ｑは、Ｑ２又はＱ３のいずれかを表す。
これらの原子は、可能であれば置換基を有していてもよい。置換基としては、前記置換基Ａ群が挙げられる。置換基を複数有する場合は、置換基どうしが結合して環を形成してもよい。
以下、Ｌの具体例を示すが、以下のものに限定されない。なお、以下の例示において、Ｑは、Ｑ２又はＱ３のいずれかを表す。
Ｌは、好ましくはジ置換メチレン連結基である。ジ置換メチレン連結基としては、ジアルキルメチレン基、ジアリールメチレン基、ジヘテロアリールメチレン基が好ましく、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基がより好ましく、ジメチルメチレン基がさらに好ましい。
一般式（I）で表される化合物は、好ましくは下記一般式（I-a）、（I-b）、または（I-c）で表される化合物である。
（一般式（I-a）中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。Q1及びQ4において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合及び二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。Mと窒素原子との結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は、共有結合を表す。Lは２価の連結基を表す。）
（一般式（I-b）中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。Q1及びQ4において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合及び二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。Mと窒素原子との結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと窒素原子及びMと炭素原子の結合を示す実線は、共有結合を表す。Lは２価の連結基を表す。）
（一般式（I-c）中、Q1及びQ4は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q2は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q３はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。X11〜X13、X41〜X43は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子、燐原子またはC-RC1を表す。X21〜X23、X31〜X33は、それぞれ独立に窒素原子、N-RN1、酸素原子、硫黄原子またはC-RC1を表す。RN1は水素原子または置換基を表す。RC1は水素原子または置換基を表す。Q1及びQ4において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合及び二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。Mと窒素原子との結合を示す破線は、配位結合を表し、Mと窒素原子及びMと炭素原子の結合を示す実線は、共有結合を表す。Lは２価の連結基を表す。）
一般式（I-a）、一般式(I-b)、一般式(I-c)中のX11〜X13、X21〜X23、X31〜X33、X41〜X43、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（I-a）、一般式(I-b)、一般式(I-c)で表される化合物のうち、一般式（I-a）で表される化合物は、錯体自身の安定性がより高く、また発光量子収率の高い錯体が得られるため特に好ましい。
一般式（I）で表される化合物の具体例としては、前記Q1、Q2、Q3、Q4で表される部分構造が以下の組み合わせ１〜３と、前記Lで表される連結基との組み合わせで形成される任意の化合物が挙げられる。
以下、一般式（１）で表される金属錯体の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されることはない。
一般式（Ｉ）で表される化合物は、公知の合成法により合成することができる。具体的には、一般式（Ｉ）で表される化合物は、配位子となる化合物と金属塩とを公知の方法に従って反応させることにより合成することができる。
公知の方法としては、Journal of Organic Chemistry 53, 786, (1988) 、G. R. Newkomeet al.）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法、Chemische Berichte １１３, ２７４９ (１９８０)、H. Lexy ほか)の、２７５２ 頁、２６行〜３５行に記載の方法等が挙げられる。
公知の方法としては、Journal of Organic Chemistry 53, 786, (1988) 、G. R. Newkomeet al.）の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法、Chemische Berichte １１３, ２７４９ (１９８０)、H. Lexy ほか)の、２７５２ 頁、２６行〜３５行に記載の方法等が挙げられる。
前記反応は、溶媒存在下で行なってもよいし、溶媒非存在下で行なってもよい。溶媒を使用する場合は、例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などを使用することができる。
前記反応は、一般式（Ｉ）で表される化合物の合成は、塩基の存在下で行なってもよいし、塩基非存在下で行なってもよい。
塩基を使用する場合は、無機化合物あるいは有機化合物の種々の塩基を用いることができる。例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどを使用することができる。
塩基を使用する場合は、無機化合物あるいは有機化合物の種々の塩基を用いることができる。例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどを使用することができる。
前記反応の反応温度は反応の活性により異なり、−３０℃〜４００℃の範囲で行なうことができる。好ましくは、０℃〜３５０℃であり、２５℃〜２５０℃がより好ましい。
反応時間は反応原料の活性により異なり、通常１分〜２４時間の範囲で行なうことができる。好ましくは、１分〜２時間であり、１分〜３０分がより好ましい。
反応時間は反応原料の活性により異なり、通常１分〜２４時間の範囲で行なうことができる。好ましくは、１分〜２時間であり、１分〜３０分がより好ましい。
前記有機層には、重水素原子を少なくともひとつ有する材料を用いることが好ましい。重水素原子を少なくともひとつ有する材料を用いることにより、耐久性をより向上させることができる。
より好ましい態様としては、同一の有機層に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と重水素原子を少なくとも１つ有する材料を共に含有する態様であり、さらに好ましい態様としては、発光層に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、重水素原子を少なくとも１つ有する材料を共に含有する態様である。
より好ましい態様としては、同一の有機層に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と重水素原子を少なくとも１つ有する材料を共に含有する態様であり、さらに好ましい態様としては、発光層に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と、重水素原子を少なくとも１つ有する材料を共に含有する態様である。
重水素原子を少なくとも１つ有する材料は、有機材料であっても、無機材料であっても、その両方であってもよいが、有機材料であることが好ましい。
重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料とは、有機材料における水素原子または重水素原子が結合し得る位置において、重水素原子と水素原子の比率(重水素原子の原子数：水素原子の原子数)が、１００：０から１：９９の範囲に含まれていることを意味する。ここで、水素原子または重水素原子が結合し得る位置は、１分子中、少なくとも特定の１箇所から全部の範囲の何れでもよい。言い換えれば、上記比率は水素原子または重水素原子が結合し得る位置の総和において、重水素原子が占める割合（重水素化率）が１〜１００％であることと同義である。
従って、上記比率の状態は、当該位置に重水素を含む化合物と重水素を含まない化合物を、適当な比率で同時に使用することによって実現できる。
従って、上記比率の状態は、当該位置に重水素を含む化合物と重水素を含まない化合物を、適当な比率で同時に使用することによって実現できる。
重水素原子と水素原子の組成の範囲として、好ましくは１００：０から５：９５であり、より好ましくは１００：０から５０：５０であり、特に好ましくは１００：０から８０：２０である。
重水素原子を少なくとも１つ有する有機材料は、有機電界発光素子のいずれの層に含まれていても良いが、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層に含有されるのがさらに好ましく、特に発光層中のホスト材料として含有されるのが好ましい。
重水素原子を少なくとも１つ有する有機材料としては、例えば、国際公開第０２／４７４４０号パンフレットに記載の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
重水素原子を少なくとも１つ有する有機材料の好ましいものの例としては、窒素原子を含む材料が挙げられる。窒素原子を含む材料のなかでも、三級アミン骨格、カルバゾール骨格、またはインドール骨格を含む材料が好ましく、カルバゾール骨格またはインドール骨格を含む材料がより好ましく、カルバゾール骨格を含む材料が特に好ましい。
重水素原子を少なくとも１つ有するカルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。
次に、有機ＥＬ素子を構成する各要素について説明する。
＜有機層＞
有機層は少なくとも発光層を含み、単層でも複数の層から構成されていてもよい。複数の層から構成される場合は、発光層以外の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
有機層は少なくとも発光層を含み、単層でも複数の層から構成されていてもよい。複数の層から構成される場合は、発光層以外の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
−有機層の形成−
有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、発光材料は一種であっても二種以上であってもよい。
発光材料としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を使用することが好ましい。
発光材料としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を使用することが好ましい。
蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
前記燐光発光材料としては、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
例えば、遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、芳香族炭素環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、またはナフチルアニオンなど）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、またはフェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜１６であり、酢酸配位子など）、アルコラト配位子（例えば、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、フェノラト配位子など）、シリルオキシ配位子（例えば、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０であり、例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルフォスフィン配位子など）、チオラト配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０、例えば、フェニルチオラト配位子など）、フォスフィンオキシド配位子（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数８〜３０、さらに好ましくは炭素数１８〜３０、例えば、トリフェニルフォスフィンオキシド配位子など）であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
燐光発光材料の具体例としては、例えば、米国特許第６３０３２３８号明細書、米国特許第６０９７１４７号明細書、国際公開第００／５７６７６号パンフレット、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、国際公開第０１／０８２３０号パンフレット、国際公開第０１／３９２３４号パンフレット、国際公開第０１／４１５１２号パンフレット、国際公開第０２／０２７１４号パンフレット、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、国際公開第０２／４４１８９号パンフレット、国際公開第０５／１９３７３号パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００３−１３３０７４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００３−１２３９８２号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、欧州特許出願公開第１２１１２５７号明細書、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００１−２９８４７０号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−２０３６７８号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００４−３５７７９１号公報、特開２００６−２５６９９９号公報、特開２００７−１９４６２号公報、特開２００７−８４６３５号公報、特開２００７−９６２５９号公報等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。
上記の中でも、更に好ましい発光材料としては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、およびＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が特に好ましい。
上記の中でも、更に好ましい発光材料としては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、およびＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が特に好ましい。
このような錯体としては、下記のものが挙げられる。下記化合物と前記一般式（Ｉ）を発光材料として併用することが特に好ましい。
発光層中の発光材料は、通常、発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有することができ、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有することが好ましく、２質量％〜４０質量％含有することがより好ましい。
ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。本発明に用いられるホスト材料としては、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体およびそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体およびそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。
前記ホスト材料の三重項最低励起エネルギー（Ｔ１）は、前記燐光発光材料のＴ１より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。
また、ホスト材料の含有量は、特に限定されないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して１５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。ホスト材料は一種のみ使用しても良いし、二種以上併用してもよい。
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであり、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましい。
また、発光層は一層であっても二層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
また、発光層は一層であっても二層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
正孔注入材料、正孔輸送材料としては、具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
正孔注入材料、正孔輸送材料としては、具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリナト)4-フェニルフェノラート（Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリナト)4-フェニルフェノラート（Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電子ブロック層−
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
−電荷発生層−
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば何でもよく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８号公報や、特開２００３−２７２８６０号公報や、特開２００４−３９６１７号公報に記載の材料が挙げられる。
更に具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものを用いてもよい。
前記正孔伝導性材料は、例えば２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、Ｖ２Ｏ５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８号公報や、特開２００３−２７２８６０号公報や、特開２００４−３９６１７号公報に記載の材料が挙げられる。
更に具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものを用いてもよい。
前記正孔伝導性材料は、例えば２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、Ｖ２Ｏ５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、または、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。
前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に限定されるものではないが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機層の形成方法を用いることができる。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機層の形成方法を用いることができる。
電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側および陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいても良い。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＣａＦ２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
＜陽極＞
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
（陰極）
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、ＬＩ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
陰極形成位置は特に制限はなく、有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
また、陰極と前記有機層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
＜基板＞
前記電極及び有機層は基板上に作製することができる。
基板は、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
前記電極及び有機層は基板上に作製することができる。
基板は、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
＜保護層＞
有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴＩ、ＮＩ等の金属、ＭｇＯ、ＳＩＯ、ＳＩＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮＩＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴＩＯ２等の金属酸化物、ＳＩＮｘ、ＳＩＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬＩＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴＩ、ＮＩ等の金属、ＭｇＯ、ＳＩＯ、ＳＩＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮＩＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴＩＯ２等の金属酸化物、ＳＩＮｘ、ＳＩＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬＩＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
＜封止容器＞
本発明の有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。
＜共振器構造＞
本発明の有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
本発明の有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。
＜駆動方法＞
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。
＜用途＞
本発明の有機ＥＬ素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
本発明の有機ＥＬ素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
有機ＥＬ素子をディスプレイに適用する場合、フルカラータイプのディスプレイとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機ＥＬ素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機ＥＬ素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
また、上記方法により得られる、異なる発光色の有機ＥＬ素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
また、上記方法により得られる、異なる発光色の有機ＥＬ素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本実施例に用いる化合物を以下に示す。
本実施例に用いる化合物を以下に示す。
［実施例１−１〜１−９、比較例１−１，１−２］
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例１−１）
大きさが２．５ｃｍ角、厚みが０．５ｍｍのＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−１（ホスト材料）および比較化合物Ｔ−１（発光材料）（重量比９５：５）：５０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウムを０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍこの順に蒸着し陰極とした。
この積層体を、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例１−１の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例１−１）
大きさが２．５ｃｍ角、厚みが０．５ｍｍのＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−１（ホスト材料）および比較化合物Ｔ−１（発光材料）（重量比９５：５）：５０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウムを０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍこの順に蒸着し陰極とした。
この積層体を、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例１−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（比較例１−２）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−２にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例１−２の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−２にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例１−２の有機ＥＬ素子を作製した。
（比較例１−３）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−３にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例１−３の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−３にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例１−３の有機ＥＬ素子を作製した。
（比較例１−４）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−４にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例１−４の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−４にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例１−４の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−１）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−１の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−２）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−２の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−２の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−３）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−３の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−３の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−４）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−４の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−４の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−５）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−５にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−５の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−５にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−５の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−６）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−６にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−６の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−６にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−６の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−７）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−７にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−７の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−７にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−７の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−８）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−８の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−８の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例１−９）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−９にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−９の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−９にした以外は比較例１−１と同様にして、実施例１−９の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機電界発光素子の評価〕
各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。
(a)発光材料の保存安定性
前記各発光材料を合成して昇華精製した後、直ちに素子を作製した場合（Ａ）と、前記各発光材料を昇華精製後フタ付ガラス瓶に入れ、湿度70％、温度60℃の恒温層に6日保管した後に素子を作製した場合（Ｂ）の最大外部量子効率の比（（Ｂ）／（Ａ））を比較した。
外部量子効率は、輝度、発光スペクトル及び発光波長から、輝度換算法を用いて算出した。輝度は、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、トプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。
各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。
(a)発光材料の保存安定性
前記各発光材料を合成して昇華精製した後、直ちに素子を作製した場合（Ａ）と、前記各発光材料を昇華精製後フタ付ガラス瓶に入れ、湿度70％、温度60℃の恒温層に6日保管した後に素子を作製した場合（Ｂ）の最大外部量子効率の比（（Ｂ）／（Ａ））を比較した。
外部量子効率は、輝度、発光スペクトル及び発光波長から、輝度換算法を用いて算出した。輝度は、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、トプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は、浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。
(b)駆動耐久性
各素子の発光初期輝度を発光ピーク波長に応じてそれぞれ規定し、該設定輝度になるように直流電圧を印加し、輝度が半減するまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。
以上の評価結果を下記表に示す。
各素子の発光初期輝度を発光ピーク波長に応じてそれぞれ規定し、該設定輝度になるように直流電圧を印加し、輝度が半減するまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。
以上の評価結果を下記表に示す。
［実施例２−１〜２−９、比較例２−１，２−２］
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例２−１）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例２−１の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例２−１）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は比較例１−１と同様にして、比較例２−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（比較例２−２）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は比較例１−２と同様にして、比較例２−２の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は比較例１−２と同様にして、比較例２−２の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−１）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−１と同様にして、実施例２−１の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−１と同様にして、実施例２−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−２）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−２と同様にして、実施例２−２の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−２と同様にして、実施例２−２の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−３）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−３と同様にして、実施例２−３の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−３と同様にして、実施例２−３の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−４）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−４と同様にして、実施例２−４の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−４と同様にして、実施例２−４の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−５）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−５と同様にして、実施例２−５の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−５と同様にして、実施例２−５の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−６）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−６と同様にして、実施例２−６の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−６と同様にして、実施例２−６の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−７）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−７と同様にして、実施例２−７の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−７と同様にして、実施例２−７の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−８）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−８と同様にして、実施例２−８の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−８と同様にして、実施例２−８の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例２−９）
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−９と同様にして、実施例２−９の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２にした以外は実施例１−９と同様にして、実施例２−９の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機電界発光素子の評価〕
以上のようにして作製した各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。結果を下記表に示す。
以上のようにして作製した各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。結果を下記表に示す。
［実施例３−１〜３−６、比較例３−１］
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例３−１）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−３：９０ｎｍ
第２層：ＨＴ−２：２０ｎｍ
第３層：Ｈ−６、FFR1、Ｔ−１（重量比90：9：1）：４０ｎｍ
第４層：ET-2：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例３−１の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例３−１）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−３：９０ｎｍ
第２層：ＨＴ−２：２０ｎｍ
第３層：Ｈ−６、FFR1、Ｔ−１（重量比90：9：1）：４０ｎｍ
第４層：ET-2：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例３−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例３−１）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−１の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例３−２）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−２の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−２の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例３−３の作製）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−３の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−３の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例３−４）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−５にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−４の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−５にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−４の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例３−５）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−７にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−５の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−７にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−５の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例３−６）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−６の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較例３−１と同様にして、実施例３−６の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機電界発光素子の評価〕
以上のようにして作製した各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。結果を下記表に示す。
以上のようにして作製した各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。結果を下記表に示す。
［実施例４−１〜４−２、比較例４−１〜４−２］
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例４−１）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−３：９０ｎｍ
第２層：ＨＴ−２：２０ｎｍ
第３層：Ｈ−６、FFR1、Ｔ−１（重量比90：9：1）：４０ｎｍ
第４層：ET-１：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例３−１の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（比較例４−１）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−３：９０ｎｍ
第２層：ＨＴ−２：２０ｎｍ
第３層：Ｈ−６、FFR1、Ｔ−１（重量比90：9：1）：４０ｎｍ
第４層：ET-１：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例３−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（比較例４−２）
第４層の比較化合物ＥＴ−１を化合物ＥＴ−１Ｄにした以外は比較例４−１と同様にして、比較例４−２の有機ＥＬ素子を作製した。
第４層の比較化合物ＥＴ−１を化合物ＥＴ−１Ｄにした以外は比較例４−１と同様にして、比較例４−２の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例４−１）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例４−１と同様にして、実施例４−１の有機ＥＬ素子を作製した。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例４−１と同様にして、実施例４−１の有機ＥＬ素子を作製した。
（実施例４−２の作製）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例４−２と同様にして、実施例４−２の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機電界発光素子の評価〕
以上のようにして作製した各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。結果を下記表に示す。
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較例４−２と同様にして、実施例４−２の有機ＥＬ素子を作製した。
〔有機電界発光素子の評価〕
以上のようにして作製した各素子を下記(a)、(b)の項目について評価した。結果を下記表に示す。
上記の結果から、本発明によれば、保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料及び耐久性に優れた有機電界発光素子を提供できることがわかる。
Claims (9)
- 一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
- Y1が炭素原子、Z4が炭素原子を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- Y1が炭素原子、Z4が窒素原子を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- Y1が窒素原子、Z4が窒素原子を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
- MがPtを表すことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- Lがジ置換メチレン連結基であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層の少なくともいずれかの層に含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
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