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JP2006108661A - 波長変換材料を利用した光源 - Google Patents

波長変換材料を利用した光源 Download PDF

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コッ チン パン,
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Abstract

【課題】 UV発光ダイオードなどから発せられるUV光を外部に漏出させることなく、高い変換効率で可視光に変換する。
【解決手段】 UV発光ダイオード等の第一次光発生器202から発せられる第一次光302は、燐光体粒子を含む第一の波長変換材料層206で吸収され、第一次光302とは異なる波長を有する第二次光304に変換される。第二次光304は、変換されずに第1の波長変換材料層206を通過した一部の光308とともに、燐光体ナノ粒子を含む第二の波長変換材料層208に吸収されて第三次光(可視光)306に変換される。
【選択図】 図3

Description

本発明は一般に光源の分野に関する。より具体的には、本発明は光変換材料を利用したLED又はレーザーダイオード光源に関する。
LED(発光ダイオード)光源の中には、それが放射する光の波長を変える為の燐光体材料を用いたものがある。例えば、青色LEDを黄色燐光体と共に用いることができる。黄色燐光体はLEDからの元の青色光の一部を吸収し、それを二次黄色光として再放出する。この黄色光は吸収されなかった青色光と交じり合い、白色光が作られる。この例においては、青色光の一部が意図的に変換されずに残される。これは、燐光体粒子が大きく、これらの粒子の隙間を光の一部が通過することから可能となっている。
他の例においては、紫外線(UV)LEDがUV放射光を発し、これが赤色、緑色及び青色燐光体によって変換されて白色光が作られる。この例の場合、UV放射光は人に有害なものであることから、元々のUV放射光が波長変換なく燐光体を通過してしまうことは望ましくない。よってUV放射光のリークが最小化されることが重要なのである。
UV放射光のリークを低減する一手法としては、波長変換材料の厚さを増大させる方法がある。しかしながら、このような光源は二次放射光(赤色、緑色及び青色光)の一部が燐光体により再度吸収されてしまうことから非効率的である。
UV放射光リークを低減させる為の他の方法としては、より細かい燐光体粒子を利用することで燐光体粒子を緊密に配置してそれらの間隙を低減する方法がある。この手法においても、より細かい燐光体粒子の光変換効率が元来低いことから、変換効率が低下するのである。
(1) 一実施の形態において、本発明は発光素子に適用され、この発光素子が、
a)第一次光を放射するように機能することが可能な第一次光発生器と、
b)前記第一次光の少なくとも一部分を受け、これに呼応して第二次光を放射するように配置された波長変換材料体とを具備し、前記波長変換材料体が燐光体ナノ粒子と、より大型の燐光体粒子とを含むことにより、上述した課題を解決する。
(2) 本発明はまた、可視光を生成する為の方法に適用され、
a)第一次光発生器を用いて第一次光を生成することと、
b)前記第一次光の第一の部分を複数の燐光体粒子により吸収し、第一の波長を持つ第二次光を放射することと、
c)前記第一次光の第二の部分を複数の燐光体ナノ粒子により吸収し、第二の波長を持つ第二次光を放射することとを有し、前記第一の波長を持つ前記第二次光及び前記第二の波長を持つ前記第二次光が組み合わせられて可視光が構成される。
本発明の特性と思われる新規の特徴は、本願請求項に記載した。しかしながら、本発明自体は、その推奨される実施例や本発明の更なる目的及び利点と共に、説明目的で提示する実施例に関する以下の詳細説明を、添付図を参照しつつ読むことにより明らかとなる。
本発明は様々な形態において実施することが出来るものであるが、本明細書及び添付図においては、1つ以上の特定の実施例に基づいて詳細に説明する。しかしながら、本開示内容は本発明の原理を説明する一例として捉えられるべきものであり、本発明を図示及び説明する特定の実施例に限定することを意図したものではない。以下の説明においては、複数の図を通じて同様の符号が同一又は同様の部品に付けられている。
本発明は、LED(発光ダイオード)又はレーザーダイオード等の第一次光発生器を使った光源と、波長変換材料とに関する。光源は、複数の波長が混合された光を生成する為に利用することが出来、特には白色光を生成する為に利用することが出来る。波長変換材料としては、燐光体粒子と燐光体ナノ粒子の両方が用いられる。この結果、第一次光発生器からの第一次放射光の、波長変換材料間を通じてのリークが実質的に低減されるのである。加えて、ナノ粒子の光変換能力はそれらの寸法の関数であることから、第二次放射光のスペクトル帯域はより広がるのである。ナノ粒子とは、1μm未満のサイズの粒子を言う。本発明は第一次放射光が紫外線(UV)放射光である場合の光源として適用することが出来る。UV放射光は人に有害であることから、UV放射光のリークを最小化することが重要である。本発明の光源においては、ほぼ全てのUV光が波長変換材料により吸収されることになる為、有意な量のUV放射光が漏れることは無い。本発明の一実施例においては、80%を超えるUV放射光が波長変換材料体中で吸収される。本発明の他の実施例においては、90%を超えるUV放射光が波長変換材料体中で吸収される。UV放射光の吸収量は、波長変換材料の厚さと燐光体粒子及び燐光体ナノ粒子のサイズにより決まる。
従来技術に基づく光源を図1に示した。図1を見ると、光源100はLED半導体ダイ102と大型粒子燐光体層104とを含んでいる。LED半導体ダイからの第一次光の一部106は、大型粒子燐光体層104により吸収され、波長が変換された第二次光108として再放射される。第一次光の他の部分110は波長変換されることなくこの層を通過する。
本発明の光源の一実施例を図2に示した。図2を見ると、光源200は基板204上に配置されたLED半導体ダイ又はレーザーダイオード等の第一次光発生器202を含んでいる。第一次光発生器202は、第一の波長変換材料層206及び第二の波長変換材料層208によって覆われている。これらの波長変換材料の層は、異なる波長変換特性を持っている。異なる波長変換特性は、燐光体粒子に異なるサイズを採用することにより得ることが出来る。具体的には、燐光体ナノ粒子をより大型の燐光体粒子と共に用いることが出来る。ナノ粒子が第一次光発生器202からの第一次放射光リークを防止する一方で、より大型の燐光体粒子が効率的な波長変換を提供している。
本実施例においては、これらの波長変換材料層は第一次光発生器202上にコーティングとして設けられている。
他の実施例においては、1層以上の波長変換材料層が更に利用される。
更に他の実施例においては、燐光体ナノ粒子及びより大型の燐光体粒子が一緒に混合されており、単一のコーティングとして(コーティングにより)設けられている。
本発明の光源の更なる実施例を図3に示した。図3を見ると、光源200は第一次光302を放射する第一次光発生器202を含んでいる。第一次光302は、第一の波長変換材料層206により吸収される。第一の波長変換材料層206からは第二次光304が放射され、第二の波長変換材料層208がこれを受ける。第二の波長変換材料層208から第三次光306が放射される。この第三次光は第二の波長変換材料層から発された第二次光と混合し、これにより光源から放射される光が構成される。一実施例においては、第一の波長変換材料層206が燐光体粒子を含んでおり、第二の波長変換材料層208が燐光体ナノ粒子を含んでいる。本実施例においては、第一次光の一部308は第一の波長変換材料層206を通過してしまうものの、第二の波長変換材料層208において吸収される。この構成によれば、燐光体粒子が燐光体ナノ粒子の発した光を吸収することも防ぐことになる。
第一及び第二の波長変換材料層206及び208は、リフレクタカップ310の棚部分又は溝上にそれぞれ支持されもよい。代わりに、これらの層を互いに接触させて単一の棚部分で支持されるようにしても良い。
本発明の更に他の実施例に基づく光源を図4に示した。図4によれば、光源200は第一次光302を放射する第一次光発生器202を含んでいる。第一次光302は、燐光体粒子及び燐光体ナノ粒子の混合物を含む波長変換材料層206Aにより吸収される。燐光体ナノ粒子がより大型の燐光体粒子の間隙を埋めて透過を遮断することから、第一次光発生器202からの全ての第一次光302が波長変換材料層206Aによって吸収される。第一次放射光による波長変換材料層206Aの励起で、層からは第二次放射光が放射される。燐光体ナノ粒子は、より大型の燐光体粒子の間隙中に密集している。よって波長変換材料層の厚さを増大させることなく、全ての第一次放射光を吸収することが出来るのである。
図4においては、波長変換材料層206Aは第一次光発生器202に近接させた状態で示されている。本発明の更に他の実施例においては、波長変換材料層206Aは第一次光発生器202にコーティングとして塗布される。第一次光発生器202を封入する波長変換材料は、様々な形状に形成することが出来る。例えばこれを半球形状、立方体又はピラミッド型等、光源の光学特性を最適化する形状とすることが出来る。
波長変換材料層206Aは、リフレクタカップ310中の棚部分又は溝上に支持することが出来る。
本発明の一実施例においては、燐光体粒子は2μmを超える平均寸法を持っており、燐光体ナノ粒子は1μm未満の平均寸法を持っている。
本発明の更なる実施例においては、燐光体粒子は5μmを超える平均寸法をもっており、燐光体ナノ粒子は0.1μm未満の平均寸法を持っている。
燐光体ナノ粒子による波長変換は、より大型の燐光体粒子による波長変換とはメカニズムが異なる。燐光体ナノ粒子はナノメートルオーダーのサイズのものであるが、複数の異なる粒子寸法によって光を複数の異なる波長へと変換するのである。よって複数の異なる寸法のナノ粒子を利用することにより、一定の波長範囲の第二次放射光を得ることが出来るのである。具体的には、粒子の寸法及び混合を制御することにより、特定の波長変換特性を得ることが出来るのである。
燐光体粒子及び燐光体ナノ粒子は、エポキシ、シリコーン又はガラスといった透光性の(光学的に透明な)媒体中に懸濁させることが出来る。この透光性媒体は有機質であっても無機質であっても良い。
ナノ粒子は、ナノ結晶又は量子ドットとすることが出来る。
本発明を特定の実施例に基づいて説明して来たが、上述の説明に照らし、多数の代替形態、改変形態、置換形態及び変更形態が可能であることは当業者には明らかである。よって本発明は、本願請求項の範囲に入る、そのような代替形態、改変形態および変更形態の全てを包含するものである。
従来技術に基づく光源を描いた図である。 本発明の第一の実施の形態に基づく光源を描いた図である。 本発明の第二の実施の形態に基づく光源を描いた図である。 本発明の第三の実施の形態に基づく光源を描いた図である。
符号の説明
200 発光デバイス(光源)
202 第一次光発生器
206 第一の波長変換材料層
208 第二の波長変換材料層
302 第一次光
304 第二次光
306 第三次光

Claims (10)

  1. a)第一次光を放射するように機能することが可能な第一次光発生器と、
    b)前記第一次光の少なくとも一部分を受け、これに呼応して第二次光を放射するように配置された波長変換材料体と
    を具備し、前記波長変換材料体が燐光体ナノ粒子と、より大型の燐光体粒子とを含むことを特徴とする発光素子。
  2. 前記より大型の燐光体粒子が2μmよりも大きい平均寸法を持ち、前記燐光体ナノ粒子が1μm未満の平均寸法を持つものであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記より大型の燐光体粒子が5μmよりも大きい平均寸法を持ち、前記燐光体ナノ粒子が0.1μm未満の平均寸法を持つものであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  4. 前記波長変換材料体が、透光性の媒体であって前記燐光体ナノ粒子及び前記より大型の燐光体粒子が内部に懸濁される透光性媒体を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  5. 前記波長変換材料体が、
    a)前記より大型の燐光体粒子を懸濁させた第一の透光性媒体と、
    b)前記燐光体ナノ粒子を懸濁させた第二の透光性媒体と
    を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  6. 前記波長変換材料体が、所定形状を有するように予め成形されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  7. 前記燐光体ナノ粒子が量子ドットであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  8. 前記第一次光が紫外線であり、前記第一次光のほぼ全てが前記波長変換材料体により吸収されるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  9. 可視光を生成する為の方法であって、
    a)第一次光発生器を用いて第一次光を生成することと、
    b)前記第一次光の第一の部分を複数の燐光体粒子により吸収し、第一の波長を持つ第二次光を放射することと、
    c)前記第一次光の第二の部分を複数の燐光体ナノ粒子により吸収し、第二の波長を持つ第二次光を放射することとを有し、
    前記第一の波長を持つ前記第二次光及び前記第二の波長を持つ前記第二次光が組み合わせられて可視光が構成されることを特徴とする方法。
  10. 前記燐光体粒子の平均寸法が2μmよりも大きく、前記燐光体ナノ粒子の平均寸法が1μm未満であることを特徴とする請求項9に記載の可視光を生成する為の方法。
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313902A (ja) * 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光素子
JP2007149909A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2010525512A (ja) * 2007-04-17 2010-07-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明システム
JP2011198930A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Showa Denko Kk 発光装置、発光モジュール及び照明装置
JP2013534688A (ja) * 2010-03-03 2013-09-05 クリー インコーポレイテッド 光を均一な放射パターンに散乱させる不均一なディフューザ
JP2013541223A (ja) * 2010-11-01 2013-11-07 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 量子ドットを用いた光学組立体
KR101429704B1 (ko) 2008-01-31 2014-08-12 삼성디스플레이 주식회사 파장변환 부재, 이를 포함하는 광원 어셈블리 및 액정 표시장치
US8931933B2 (en) 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
JP2015516691A (ja) * 2012-05-14 2015-06-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ナノ構造蛍光体を有する発光装置
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9217544B2 (en) 2010-03-03 2015-12-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
KR20160036249A (ko) * 2014-09-25 2016-04-04 실리콘 디스플레이 (주) 평판형 이미지 센서
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
EP1926154B1 (en) * 2006-11-21 2019-12-25 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
US10665762B2 (en) 2010-03-03 2020-05-26 Ideal Industries Lighting Llc LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080231170A1 (en) * 2004-01-26 2008-09-25 Fukudome Masato Wavelength Converter, Light-Emitting Device, Method of Producing Wavelength Converter and Method of Producing Light-Emitting Device
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7358543B2 (en) * 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
JP2008544553A (ja) * 2005-06-23 2008-12-04 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
JP4794235B2 (ja) * 2005-08-02 2011-10-19 シャープ株式会社 発光装置
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2009524247A (ja) * 2006-01-20 2009-06-25 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド ルミファー膜を空間的に分離することにより固体光発光素子におけるスペクトル内容をシフトすること
US8441179B2 (en) * 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) * 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
KR100783251B1 (ko) * 2006-04-10 2007-12-06 삼성전기주식회사 양자점을 이용한 다층 구조 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
KR101421412B1 (ko) * 2006-06-21 2014-07-22 코닌클리케 필립스 엔.브이. 적어도 하나의 세라믹 구체 색변환 재료를 포함하는 발광 장치
US8884511B2 (en) * 2006-07-10 2014-11-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Luminescent materials having nanocrystals exhibiting multi-modal energy level distributions
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
WO2008127460A2 (en) * 2006-12-08 2008-10-23 Evident Technologies Light-emitting device having semiconductor nanocrystal complexes
US8836212B2 (en) * 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8297061B2 (en) * 2007-08-02 2012-10-30 Cree, Inc. Optoelectronic device with upconverting luminophoric medium
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
WO2009059454A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Lite-On It Corporation A lighting device which colour and colour temperature is changed
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
WO2010006275A1 (en) * 2008-07-10 2010-01-14 Corporation For Laser Optics Research Blue laser pumped green light source for displays
US8383432B2 (en) * 2008-08-07 2013-02-26 Sharp Laboratories Of America, Inc. Colloidal-processed silicon particle device
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
EP2465147B1 (en) 2009-08-14 2019-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
TWI398700B (zh) * 2009-12-30 2013-06-11 Au Optronics Corp 使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法
JP4862098B1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-25 株式会社東芝 Led電球
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
DE102011078402A1 (de) 2011-06-30 2013-01-03 Osram Ag Konversionselement und Leuchtdiode mit einem solchen Konversionselement
EP2834858B1 (en) 2012-04-05 2017-09-27 Koninklijke Philips N.V. Full spectrum light emitting arrangement
US9404627B2 (en) * 2012-04-13 2016-08-02 Koninklijke Philips N.V. Light conversion assembly, a lamp and a luminaire
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
JP2014056896A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Ns Materials Kk 半導体を利用した発光デバイス及びその製造方法
US9142732B2 (en) * 2013-03-04 2015-09-22 Osram Sylvania Inc. LED lamp with quantum dots layer
CN105075397B (zh) * 2013-03-11 2018-02-02 飞利浦照明控股有限公司 可调光发光装置
US9206958B2 (en) * 2013-09-16 2015-12-08 Osram Sylvania Inc. Thin film wavelength converters and methods for making the same
US9318649B2 (en) * 2013-09-25 2016-04-19 Phoseon Technology, Inc. Multi-wavelength LED curing lamp
JP7048873B2 (ja) 2017-07-25 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN110989242A (zh) * 2019-12-06 2020-04-10 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002059982A1 (fr) * 2001-01-24 2002-08-01 Nichia Corporation Diode electroluminescente, element optique a semi-conducteur et composition de resine epoxyde destinee a l'element optique a semi-conducteur, et procedes de production associes
WO2002091487A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-14 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2004015063A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Lumileds Lighting Us Llc ナノ粒子を用いる発光デバイス
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
JP2004228464A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Rohm Co Ltd 半導体発光装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811924A (en) * 1995-09-19 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Fluorescent lamp
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
US20050006659A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Ng Kee Yean Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002059982A1 (fr) * 2001-01-24 2002-08-01 Nichia Corporation Diode electroluminescente, element optique a semi-conducteur et composition de resine epoxyde destinee a l'element optique a semi-conducteur, et procedes de production associes
WO2002091487A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-14 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2004015063A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Lumileds Lighting Us Llc ナノ粒子を用いる発光デバイス
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
JP2004228464A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Rohm Co Ltd 半導体発光装置

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8084934B2 (en) 2005-05-02 2011-12-27 Samsung-Electro Mechanics Co., Ltd. White light emitting device
JP2006313902A (ja) * 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光素子
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
JP2007149909A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
EP1926154B1 (en) * 2006-11-21 2019-12-25 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
JP2010525512A (ja) * 2007-04-17 2010-07-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明システム
KR101429704B1 (ko) 2008-01-31 2014-08-12 삼성디스플레이 주식회사 파장변환 부재, 이를 포함하는 광원 어셈블리 및 액정 표시장치
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US8931933B2 (en) 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9217544B2 (en) 2010-03-03 2015-12-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
JP2013534688A (ja) * 2010-03-03 2013-09-05 クリー インコーポレイテッド 光を均一な放射パターンに散乱させる不均一なディフューザ
US10665762B2 (en) 2010-03-03 2020-05-26 Ideal Industries Lighting Llc LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US9310030B2 (en) 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
JP2011198930A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Showa Denko Kk 発光装置、発光モジュール及び照明装置
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
JP2013541223A (ja) * 2010-11-01 2013-11-07 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 量子ドットを用いた光学組立体
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US10347800B2 (en) 2012-05-14 2019-07-09 Lumileds Llc Light emitting device with nanostructured phosphor
US9634201B2 (en) 2012-05-14 2017-04-25 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with nanostructured phosphor
JP2020127038A (ja) * 2012-05-14 2020-08-20 ルミレッズ ホールディング ベーフェー ナノ構造蛍光体を有する発光装置
US11031530B2 (en) 2012-05-14 2021-06-08 Lumileds Llc Light emitting device with nanostructured phosphor
JP2015516691A (ja) * 2012-05-14 2015-06-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ナノ構造蛍光体を有する発光装置
KR101629376B1 (ko) 2014-09-25 2016-06-13 실리콘 디스플레이 (주) 평판형 이미지 센서
KR20160036249A (ko) * 2014-09-25 2016-04-04 실리콘 디스플레이 (주) 평판형 이미지 센서

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