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TWI398700B - 使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法 Download PDF

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TWI398700B
TWI398700B TW098145977A TW98145977A TWI398700B TW I398700 B TWI398700 B TW I398700B TW 098145977 A TW098145977 A TW 098145977A TW 98145977 A TW98145977 A TW 98145977A TW I398700 B TWI398700 B TW I398700B
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Yi Cheng Yu
Chih Lin Wang
Ru Shi Liu
Chun Che Lin
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Au Optronics Corp
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Description

使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種顯示裝置及其製造方法；具體而言，本發明係關於一種使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法。
液晶顯示裝置主要由液晶面板及背光模組兩大部分所組成。由於液晶面板本身不發光，因此需藉助背光模組產生的光線，再以液晶面板內之液晶分子控制穿過光線以產生影像。為使產生的影像有良好的色彩表現，如何搭配背光模組產生之光線與液晶面板前的彩色濾光片即成為此領域中的主要研究課題。
目前業界廣泛使用於背光模組內的光源主要有冷陰極燈管(cold cathode fluorescent lamp,CCFL)及發光二極體(light emitting diode,LED)等兩種。由於一般冷陰極燈管所使用螢光粉為BAM:Eu2+,LaPO4:Ce,Tb,Y2O3:Eu3+，其中綠光與紅光屬於線性光譜，其光譜表現具半高寬窄、色飽和度高之優點，然而這些螢光粉並不能被藍光激發，無法使用於一般以藍光激發而成的白光發光二極體中。因此，冷陰極燈管發出的光線具有良好的色彩飽和度，在色彩方面的表現通常較一般的白光發光二極體較佳。而採用發光二極體作為光源時，由於傳統螢光粉的半高寬(full width at half maximum,FWHM)較大，以致使用發光二極體之色彩飽和度較差，因此最終形成影像時的影像色彩往往不能令人滿意。
圖1所示為使用傳統螢光粉製成的發光二極體之發射頻譜及配合使用之彩色濾光片的穿透頻譜。發射頻譜中一般包含有藍色波峰11、綠色波峰13及紅色波峰15；而彩色濾光片的穿透頻譜則分別具有藍色色阻部分21、綠色色阻部分23及紅色色阻部分25。如圖1所示，藍色波峰11、綠色波峰13及紅色波峰15與相應之藍色色阻部分21、綠色色阻部分23及紅色色阻部分25在位置對應上有些許的錯位，因此在穿過彩色濾光片後其色彩純度不佳。此外，由於綠色波峰13及紅色波峰15在波形上並不明顯，且其波形均較寬，因此綠色波峰13及紅色波峰15之範圍均會與非對應之色阻部分重疊。因此，綠色波峰13對應的光線可能穿過藍色色阻或紅色色阻，進而造成顏色的摻雜不純。同樣地，紅色波峰15對應的光線亦可能穿過綠色色阻，對顏色的純度造成影響。
本發明之一目的在於提供一種顯示裝置，具有較佳的色彩表現。
本發明之另一目的在於提供一種顯示裝置，具有較佳的亮度。
本發明之另一目的在於提供一種顯示裝置的製造方法，可製成具有較佳色彩表現之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，其主要包含有發光單元及彩色濾光片。發光單元具有發光晶片及複數個量子點螢光粉，其中發光晶片發出光線激發量子點螢光粉產生色光。色光之發射頻譜中具有第一藍光波峰、第一綠光波峰以及第一紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長及第一紅光峰值波長。
彩色濾光片係設置於該發光單元之發光路徑上，以過濾發光模組產生之色光。彩色濾光片之穿透頻譜中具有第二藍光波峰、第二綠光波峰以及第二紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長及第二紅光峰值波長。第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長和第一紅光峰值波長，分別與第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長和第二紅光峰值波長互相匹配，以提升顯示裝置在色彩上的表現。
顯示裝置的製造方法包含下列步驟：提供包含複數個色阻之彩色濾光片；彩色濾光片的穿透頻譜中具有第二藍光波峰、第二綠光波峰以及第二紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長及第二紅光峰值波長。並提供包含發光晶片及複數個量子點螢光粉的發光單元；發光晶片發出光線激發量子點螢光粉產生一色光。色光之發射頻譜中具有第一藍光波峰、第一綠光波峰以及第一紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長及第一紅光峰值波長。
接著調整色光之發射頻譜或彩色濾光片之穿透頻譜，使第一藍光峰值波長及該第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間，該第一綠光峰值波長及該第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間，該第一紅光峰值波長及該第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間。
本發明係提供一種顯示裝置及其製造方法。在較佳實施例中，本發明之顯示裝置係設置於顯示裝置內，以提供顯示裝置產生影像分需之光源。顯示裝置較佳包含液晶顯示裝置，例如：家用的液晶電視、個人電腦及膝上型電腦之液晶監視器、行動電話及數位相機之液晶顯示幕等。
如圖2所示，顯示裝置100包含有發光單元200及彩色濾光片300。彩色濾光片300係設置於發光單元200之發光路徑上，並過濾發光單元200所發出之色光201。彩色濾光片300較佳係配置於顯示面板500之入光面510上，以過濾進入顯示面板500之光線，顯示面板500可以為液晶顯示面板，或者是其它的平面顯示面板。在圖2所示之實施例中，發光單元200係為發光二極體，且採直下式之光源設計；亦即將彩色濾光片300設置於發光單元200的上方，且發光單元200直接朝彩色濾光片300射出光線。然而在不同實施例中，發光單元200亦可搭配導光板或其他光學元件而採側光式設計。此外，發光單元200與彩色濾光片300之間亦可視需要而設置各式光學元件，例如增亮膜、擴散膜、擴散板等等。
如圖2所示，彩色濾光片300上較佳形成有複數色阻310。色阻310中包含有藍光穿透色阻B、綠光穿透色阻G及紅光穿透色阻R。三種不同的色阻310分別允許波長在一定範圍內之藍光、綠光及紅光穿過，並阻擋其餘波長的光線。換言之，當 色光201穿過彩色濾光片300後，即色阻310分離為預定波長範圍內之藍光、綠光及紅光。
發光單元200內具有發光晶片210及複數量子點螢光粉230。發光晶片210較佳係為有機發光二極體(OLED)晶片或發光二極體晶片，且較佳為發出藍光的發光二極體晶片；然而在不同實施例中，亦可採用不同種類之晶片，或發出不同之色光。量子點螢光粉230較佳係封裝於發光單元200中，且位於發光晶片210上方。如圖2所示之較佳實施例，量子點螢光粉230係採用遠端分佈(Remote Phosphor)的方式分佈於封裝材250內，亦即與發光晶片210間具有一適當間隔，例如：介於200微米(um)及300微米(um)之間。此時發光單元200產生的色光201較易具有符合需求的波形。然而在不同實施例中，量子點螢光粉230亦可採用均勻分佈或敷型塗佈(Conformal Distribution)等方式分佈於封裝材250內。所謂的敷型塗佈係指螢光粉與發光晶片採用接觸式的塗佈，也就是螢光粉直接塗佈在晶片表面上。而所謂的遠端分佈則是指螢光粉與發光晶片採用非接觸式的塗佈，亦即螢光粉分佈在晶片上方與晶片隔了一段距離。發光晶片210產生之光線會激發量子點螢光粉230，使發光單元210向外輸出色光201。色光201較佳係為白光之混色光，但亦可為其他顏色之色光。
量子點螢光粉230的材質較佳係包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。如圖3A所示，量子點螢光粉230可僅由同材質形成之單一核心261所構成。例如：以硒/鎘原子231組合之硒化鎘(CdSe)作為核心261的材料，以形成量子點螢光粉230。當以硒化鎘(CdSe)作為單一核心261形成之量子點螢光粉230時，其核心261的粒徑較佳係介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間，以配合發光晶片210產生具有所需發射頻譜之色光201。然而在圖3B所示之實施例中，量子點螢光粉230亦可由核心261外覆膜層263的方式形成。核心261之材質至少包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)其中之一；而膜層263之材質亦包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。以較佳實施例而言，當以硒化鎘(CdSe)作為量子點螢光粉230的核心261之材質時，其核心261的粒徑係介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間；當選用硫化鋅(ZnS)作為該膜層263之材質時，限制其膜厚係介於0.2奈米(nm)及1.7奈米(nm)之間，以配合發光晶片210產生具有所需發射頻譜之色光201。
如圖4所示，發光單元200產生之色光201具有一發射頻譜710，而彩色濾光片300則具有穿透頻譜730。發射頻譜710係表示發光單元200的色光201之特性，主要為色光201在各段波長與光強度間之關係；穿透頻譜730則表示各個波長經過彩色濾光片300之穿透率。發射頻譜710具有第一藍光波峰711、第一綠光波峰713及第一紅光波峰715。第一藍光波峰711、第一綠光波峰713及第一紅光波峰715在發射頻譜710上分別對應於第一藍光峰值波長455奈米(nm)、第一綠光峰值波長530奈米(nm)及第一紅光峰值波長642奈米(nm)。穿透頻譜730具有第二藍光波峰731、第二綠光波峰733及第二紅光波峰735分別對應於藍光穿透色阻B、綠光穿透色阻G及紅光穿透色阻R。第二藍光波峰731、第二綠光波峰733及第二紅光波峰735在穿透頻譜730上分別對應於第二藍光峰值波長449奈米(nm)、第二綠光峰值波長518奈米(nm)及第二紅光峰值波長633奈米(nm)。
如圖4所示，第一藍光峰值波長455奈米(nm)係與第二藍光峰值波長449奈米(nm)相互匹配。所謂匹配，係指兩者之波長值接近，使發射頻譜710的第一藍光波峰711與穿透頻譜730的第二藍光波峰731幾近於疊合。藉由此一設置，色光201中之藍光部分得以以較高比例穿過彩色濾光片300，且穿過之光線顏色較不易產生偏差。在較佳實施例中，第一藍光峰值波長455奈米(nm)係與第二藍光峰值波長449奈米(nm)之比值較佳係介於0.96至1.04之間。同樣地，第一綠光峰值波長530奈米(nm)係與第二綠光峰值波長518奈米(nm)相互匹配。藉由此一設置，色光201中之綠光部分得以以較高比例穿過彩色濾光片300，且穿過之光線顏色較不易產生偏差。在較佳實施例中，第一綠光峰值波長530奈米(nm)係與第二綠光峰值波長518奈米(nm)之比值較佳係介於0.95至1.05之間。發光二極體可藉由晶片與螢光粉調配峰值波長，而彩色濾光片亦可藉由原料調配穿透率峰值，由於晶片、螢光粉與彩色濾光片的原料之間的特性相異，因此不同色光的匹配狀況也會不相同。
第一紅光峰值波長642奈米(nm)係與第二紅光峰值波長633奈米(nm)相互匹配。由於發射頻譜710或穿透頻譜730中紅光部分之波形於強度到達高點後可能朝長波長方向產生延續狀況或數個連峰狀況，使得波峰形狀不明顯，因此紅光波峰715、735較佳係指發射頻譜710或穿透頻譜730於紅色色域中第一次達到局部最大值或頂點的位置。藉由此一設置，色光201中之紅光部分得以以較高比例穿過彩色濾光片300，且穿過之光線顏色較不易產生偏差。在較佳實施例中，第一紅光峰值波長642奈米(nm)係與第二紅光峰值波長633奈米(nm)之比值較佳係介於0.82至1.21之間。
以較佳實施例而言，第一藍光峰值波長較佳係介於440奈米(nm)至457奈米(nm)之間；而第二藍光峰值波長亦介於440奈米(nm)至457奈米(nm)之間。第一綠光峰值波長係介於510奈米(nm)至535奈米(nm)之間；而第二綠光峰值波長亦介於510奈米(nm)至535奈米(nm)之間。第一紅光峰值波長係介於640奈米(nm)至780奈米(nm)之間；而第二紅光峰值波長亦介於640奈米(nm)至780奈米(nm)之間。
此外，如圖4所示，在本實施中，第一綠光波峰713之半高寬WG1 與第二綠光波峰733之半高寬WG2 比值WG1 /WG2 小於0.45。藉由此一設置，可使色光201發射頻譜710中之綠光部分具有較窄之波形，且不易延伸進入紅色或藍色色域中。因此色光201中之綠光部份能較有效率地穿過綠光穿透色阻G以形成較純粹的綠色光，且色光201中之綠光部分亦不易跨越到藍光或紅光範圍而穿透藍光穿透色阻B及紅光穿透色阻R，因此不會影響產生的藍色光及紅色光的純度。總體而言，藉由上述設置，可使整體的色彩飽和度提升。同樣地，第一紅光波峰715之半高寬WR1 與第二紅光波峰735最高值的一半之WR2 比值亦可設定為小於0.25。藉此可提升分離後的各色光線純度，並提升整體的色彩飽和度。
此外，如圖4所示，第一藍光波峰711、第一綠光波峰713以及第一紅光波峰715之半高寬WB1 、WG1 、WR1 較佳均小於50奈米(nm)。在不同實施例中，第一綠光波峰713及第一紅光波峰715之半高寬較佳介於35奈米(nm)至50奈米(nm)之間。藉由上述設計，可進一步提升分離後的各色光線純度，並提升整體的色彩飽和度。此外，由於第一綠光波峰713與第一紅光波峰715之波形均較為瘦高，因此兩者間之波谷亦較為深陷；換言之，介於綠光及紅光區間中間之光線能量較低。此一能量分佈亦有助於提升分離後的各色光線純度，避免摻入其他色光的成份。
在下表及圖5所示之實施例中，第一綠光波峰713之半高寬較佳係為38奈米(nm)，僅約為傳統螢光粉的發光二極體在綠光區間半高寬77奈米(nm)的一半。同樣的，第一紅光波峰715之半高寬較佳為45奈米(nm)，亦不到傳統螢光粉的發光二極體在紅光區間半高寬111奈米(nm)的一半。此外，第一綠光波峰713與第一紅光波峰715間之波谷亦較傳統螢光粉的發光二極體的發射頻譜在相對位置之波谷為深陷；換言之，本實施例在介於綠光及紅光區間中間之光線能量較低。
以表1及圖5所示之兩組光源分別穿過彩色濾光片300後，可得如表2及圖6所示在色域空間之色彩表現結果。圖6之色域空間係由xy座標軸所建構，可在此色域空間中以xy座標來表示色彩之位置。由表2及圖6可知，本實施例之光源於穿過彩色濾光片300後在色域空間得到之NTSC(National Television System Committee)色飽和度可達到119.3%；而使用傳統螢光粉之發光二極體於穿過彩色濾光片300後得到之NTSC色飽和度則僅為99.1%。由此可確信當限制第一綠光波峰713及第一紅光波峰715之半高寬WG1 、WR1 以及降低兩者間之波谷能量時，確實可對NTSC色飽和度之增加有所助益。此外，由於色光201可以更有效率地穿透彩色濾光片300，因此其亮度參數26.2亦大於傳統設置之亮度22.6。
本發明進一步提供製造顯示裝置之方法。如圖7所示，步驟1010包含提供彩色濾光片，其包含有複數個色阻。如前述之實施例，彩色濾光片的穿透頻譜中具有第二藍光波峰、第二綠光波峰以及第二紅光波峰。各波峰分別具有對應於各峰值之第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長及第二紅光峰值波長。
步驟1030包含提供發光單元，其包含有發光晶片及複數個量子點螢光粉。發光晶片發出光線激發量子點螢光粉產生色光，色光之發射頻譜中具有第一藍光波峰、第一綠光波峰以及第一紅光波峰。各波峰分別具有對應於各峰值之第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長及第一紅光峰值波長。在較佳實施例中，量子點螢光粉係採用遠端分佈(Remote Phosphor)的方式分佈於包覆發光晶片的封裝材內，並與發光晶片間具有適當間隔。然而在不同實施例中，量子點螢光粉亦可採用均勻分佈或敷型塗佈(Conformal Distribution)等方式分佈於封裝材內。此外，在較佳實施例中，量子點螢光粉的材質係包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。
步驟1050包含調整彩色濾光片之穿透頻譜，使第一藍光峰值波長及第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間，第一綠光峰值波長及第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間，第一紅光峰值波長及第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間。在此實施例中，係先設定發光單元發出色光之發射頻譜，接著再根據發射頻譜來調整彩色濾光片的穿透頻譜。藉由此一設置，可有效提升發光效率，並提高色彩的飽和度。在較佳實施例中，為了調整步驟1050中各波長之間的比值，可藉由調整彩色濾光片中各色阻的厚度來改變彩色濾光片的穿透頻譜。此外，亦可藉由改變色阻的材質來調整彩色濾光片的穿透頻譜。
在圖8所示之另一實施例中，除相同的步驟1010及步驟1030外，另包含步驟1070：調整發光單元產生色光之發射頻譜，使第一藍光峰值波長及第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間；第一綠光峰值波長及第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間；第一紅光峰值波長及第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間。在此實施例中，係先設定彩色濾光片的穿透頻譜，接著再根據穿透頻譜來調整發光單元發出色光之發射頻譜。藉由此一設置，可有效提升發光效率，並提高色彩的飽和度。
在較佳實施例中，為了調整步驟1070中各波長之間的比值，可藉由調整量子點螢光粉的粒徑或材質來改變發射頻譜之特性及波形。例如當選用硒化鎘(CdSe)作為螢光粉材質時，限制其粒徑介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間。此外，亦可選擇調整量子點螢光粉的結構，例如採用單一核心或由核心外覆膜層的方式形成量子點螢光粉的結構。當採用後者時，需先選定核心的材質，再將膜層材質形成於核心上，以包覆住核心。核心及膜層之材質較佳皆選自於硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)，但不限於此。例如在一實施例中，可選用CdSe作為核心材質，並限制其粒徑介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間；同時可選用硫化鋅(ZnS)作為膜層之材質，並限制其膜厚介於0.2奈米(nm)及1.7奈米(nm)之間。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何具有本發明所屬技術領域之通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．顯示裝置
200．．．發光單元
201．．．色光
210．．．發光晶片
230．．．量子點螢光粉
231．．．硒原子/鎘原子
250．．．封裝材
261．．．核心
263．．．膜層
300．．．彩色濾光片
310．．．色阻
500．．．顯示面板
510．．．入光面
710．．．發射頻譜
711．．．第一藍光波峰
713．．．第一綠光波峰
715．．．第一紅光波峰
730．．．穿透頻譜
731．．．第二藍光波峰
733．．．第二綠光波峰
735．．．第二紅光波峰
圖1為使用傳統螢光粉發光二極體之發射頻譜及彩色濾光片之穿透頻譜關係示意圖；
圖2為本發明顯示裝置之實施例示意圖；
圖3A為量子點螢光粉之實施例示意圖；
圖3B為量子點螢光粉之另一實施例示意圖；
圖4為本發明實施例之發光單元發射頻譜及彩色濾光片之穿透頻譜關係示意圖；
圖5為本發明實施例之發光單元發射頻譜及使用傳統螢光粉發光二極體之發射頻譜關係示意圖；
圖6為使用本發明實施例之發光單元發射頻譜及使用傳統螢光粉發光二極體在色域空間內之色彩表現關係示意圖；
圖7及圖8分別為本發明製造方法之實施例流程圖。
710．．．發射頻譜
711．．．第一藍光波峰
713．．．第一綠光波峰
715．．．第一紅光波峰
730．．．穿透頻譜
731．．．第二藍光波峰
733．．．第二綠光波峰
735．．．第二紅光波峰

Claims (37)

  1. 一種顯示裝置，該顯示裝置包含：一發光單元，具有一發光晶片及複數個量子點螢光粉，其中該發光晶片發出光線激發該些量子點螢光粉產生一色光，該色光之發射頻譜中具有一第一藍光波峰、一第一綠光波峰以及一第一紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第一藍光峰值波長、一第一綠光峰值波長及一第一紅光峰值波長；以及一彩色濾光片，設置於該發光單元之發光路徑上，並過濾該色光，其中該彩色濾光片之穿透頻譜中具有一第二藍光波峰、一第二綠光波峰以及一第二紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第二藍光峰值波長、一第二綠光峰值波長及一第二紅光峰值波長；其中，該第一藍光峰值波長及該第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間，該第一綠光峰值波長及該第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間，該第一紅光峰值波長及該第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間；該第一綠光波峰之半高寬與該第二綠光波峰之半高寬的比值小於0.45，該第一紅光波峰之半高寬與該第二紅光波峰之半高寬的比值小於0.25，且該第一藍光波峰、該第一綠光波峰以及該第一紅光波峰之半高寬均小於50奈米(nm)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一綠光波峰及該第一紅光波峰之半高寬介於35奈米(nm)至50奈米(nm)之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一藍光峰值波長係介於440奈米(nm)至457奈米(nm)之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該第二藍光峰值波長係介於440奈米(nm)至457奈米(nm)之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一綠光峰值波長係介於510奈米(nm)至535奈米(nm)之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該第二綠光峰值波長係介於510奈米(nm)至535奈米(nm)之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一紅光峰值波長係介於640奈米(nm)至780奈米(nm)之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該第二紅光峰值波長係介於640奈米(nm)至780奈米(nm)之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些量子點螢光粉之材質係選自硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中當選用CdSe作為螢光粉之材質時，其粒徑係介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該些量子點螢光粉之至少其一包含一核心與一膜層包覆該核心。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該核心之材質係選自硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化 鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該膜層之材質係選自硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中當選用CdSe作為該核心之材質時，其粒徑係介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間，其中當選用ZnS作為該膜層之材質時，其膜厚係介於0.2奈米(nm)及1.7奈米(nm)之間。
  15. 一種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟：提供一彩色濾光片，包含複數個色阻，該彩色濾光片的穿透頻譜中具有一第二藍光波峰、一第二綠光波峰以及一第二紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第二藍光峰值波長、一第二綠光峰值波長及一第二紅光峰值波長；提供一發光單元，其包含一發光晶片及複數個量子點螢光粉，該發光晶片發出光線激發該些量子點螢光粉產生一色光，該色光之發射頻譜中具有一第一藍光波峰、一第一綠光波峰以及一第一紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第一藍光峰值波長、一第一綠光峰值波長及一第一紅光峰值波長；以及 調整該彩色濾光片之穿透頻譜，使該第一藍光峰值波長及該第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間，該第一綠光峰值波長及該第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間，該第一紅光峰值波長及該第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間，以及使該第一綠光波峰之半高寬與該第二綠光波峰之半高寬的比值小於0.45，該第一紅光波峰之半高寬與該第二紅光波峰之半高寬的比值小於0.25，其中該第一藍光波峰、該第一綠光波峰以及該第一紅光波峰之半高寬均小於50奈米(nm)。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中該彩色濾光片之穿透頻譜調整步驟包含調整該彩色濾光片的該些色阻之厚度。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中該彩色濾光片之穿透頻譜調整步驟包含調整該彩色濾光片的該些色阻之材質。
  18. 一種顯示裝置之製造方法，包含下列步驟：提供一彩色濾光片，包含複數個色阻，該彩色濾光片的穿透頻譜中具有一第二藍光波峰、一第二綠光波峰以及一第二紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第二藍光峰值波長、一第二綠光峰值波長及一第二紅光峰值波長；提供一發光單元，其包含一發光晶片及複數個量子點螢光粉，該發光晶片發出光線激發該些量子點螢光粉產生一色光，該色光之發射頻譜中具有一第一藍光波峰、一第一綠光波峰以及一第一紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第一藍光峰值波長、一第一綠光峰值波長及一第一紅光峰值波長；以及 調整該色光之發射頻譜，使該第一藍光峰值波長及該第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間，該第一綠光峰值波長及該第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間，該第一紅光峰值波長及該第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間，以及使該第一綠光波峰之半高寬與該第二綠光波峰之半高寬的比值小於0.45，該第一紅光波峰之半高寬與該第二紅光波峰之半高寬的比值小於0.25，其中該第一藍光波峰、該第一綠光波峰以及該第一紅光波峰之半高寬均小於50奈米(nm)。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該些量子點螢光粉之粒徑。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該些量子點螢光粉之材質。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該色光發射頻譜，使該第一綠光波峰及該第一紅光波峰之半高寬介於35奈米(nm)至50奈米(nm)之間。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該色光發射頻譜，使該第一藍光峰值波長係介於440奈米(nm)至457奈米(nm)之間。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該第二藍光峰值波長係介於440奈米(nm)至457奈米(nm)之間。
  24. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該第一綠光峰值波長係介於510奈米(nm)至 535奈米(nm)之間。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該第二綠光峰值波長係介於510奈米(nm)至奈米(nm)之間。
  26. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該第一紅光峰值波長係介於640奈米(nm)至780奈米(nm)之間。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含調整該第二紅光峰值波長係介於640奈米(nm)至780奈米(nm)之間。
  28. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含自下列材質中選擇至少其一作為該些量子點螢光粉之材質：硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含：當選用CdSe作為螢光粉之材質時，限制其粒徑係介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間。
  30. 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟：形成一核心；以及於該核心上形成一膜層，使該膜層包覆該核心，以構成一量子點 螢光粉。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含自下列材質中選擇至少其一作為該核心之材質：硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含自下列材質中選擇至少其一作為該膜層之材質：硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)。
  33. 如申請專利範圍第30項所述之製造方法，其中該色光發射頻譜調整步驟包含：當選用CdSe作為該核心之材質時，限制其粒徑係介於2.3奈米(nm)及5.5奈米(nm)之間，當選用ZnS作為該膜層之材質時，限制其膜厚係介於0.2奈米(nm)及1.7奈米(nm)之間。
  34. 一種顯示裝置，該顯示裝置包含：一發光單元，具有一發光晶片及複數個量子點螢光粉，其中該發光晶片發出光線激發該些量子點螢光粉產生一色光，該色光之發射頻譜中具有一第一藍光波峰、一第一綠光波峰以及一第一紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第一藍光峰值波長、一第一綠光峰值波長及一第一紅光峰值波長；以及一彩色濾光片，設置於該發光單元之發光路徑上，並過濾該色光， 其中該彩色濾光片之穿透頻譜中具有一第二藍光波峰、一第二綠光波峰以及一第二紅光波峰，各波峰分別具有對應於各峰值之一第二藍光峰值波長、一第二綠光峰值波長及一第二紅光峰值波長；其中，該第一藍光峰值波長、該第一綠光峰值波長和該第一紅光峰值波長，分別與該第二藍光峰值波長、該第二綠光峰值波長和該第二紅光峰值波長互相匹配，且該第一綠光波峰之半高寬與該第二綠光波峰之半高寬的比值小於0.45，該第一紅光波峰之半高寬與該第二紅光波峰之半高寬的比值小於0.25；該第一藍光波峰、該第一綠光波峰以及該第一紅光波峰之半高寬均小於50奈米(nm)。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之顯示裝置，其中該第一藍光峰值波長及該第二藍光峰值波長之比值介於0.96至1.04之間。
  36. 如申請專利範圍第34項所述之顯示裝置，其中該第一綠光峰值波長及該第二綠光峰值波長之比值介於0.95至1.05之間。
  37. 如申請專利範圍第34項所述之顯示裝置，其中該第一紅光峰值波長及該第二紅光峰值波長之比值介於0.82至1.21之間。
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