JP2004073995A - 流量制御方法、マイクロ流体デバイス、および流量制御装置 - Google Patents
流量制御方法、マイクロ流体デバイス、および流量制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004073995A JP2004073995A JP2002237115A JP2002237115A JP2004073995A JP 2004073995 A JP2004073995 A JP 2004073995A JP 2002237115 A JP2002237115 A JP 2002237115A JP 2002237115 A JP2002237115 A JP 2002237115A JP 2004073995 A JP2004073995 A JP 2004073995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- flow path
- magnetic
- flow
- magnetic fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 claims abstract description 125
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 75
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZOKCNEIWFQCSCM-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-4-phenylpent-4-en-2-yl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)CC(=C)C1=CC=CC=C1 ZOKCNEIWFQCSCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003752 polymerase chain reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 2
- 229920006353 Acrylite® Polymers 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005374 membrane filtration Methods 0.000 description 2
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000002889 diamagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000909 electrodialysis Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002032 lab-on-a-chip Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002907 paramagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】微小な流路における被制御流体の流量を、容易かつ精度よく制御できる流量制御方法を提供する。
【解決手段】毛細管状流路4、6を流れる被制御流体の流量を、流路4、6内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、流路4、6に対する磁性流体の位置を、磁性流体に作用する磁界により調整することによって、流路4、6内での被制御流体の流量を制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】毛細管状流路4、6を流れる被制御流体の流量を、流路4、6内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、流路4、6に対する磁性流体の位置を、磁性流体に作用する磁界により調整することによって、流路4、6内での被制御流体の流量を制御する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、毛細管状流路を流れる被制御流体の流量を制御する方法、この流量制御方法によって被制御流体の流量を制御可能なマイクロ流体デバイス、このマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置に関する。
【0002】
本発明は、例えば微小ケミカルデバイス、即ち、微小な流路が形成された、化学・生化学反応用微小デバイス(マイクロ・リアクター);膜濾過デバイス、透析デバイス、脱気・吸気デバイス、抽出デバイスなどの化学的・物理化学的処理デバイス;DNA分析デバイス、免疫分析デバイス、電気泳動デバイス、クロマトグラフィー、ガス分析デバイス、水質分析デバイスなどの微小分析デバイスに使用できる。本発明は、例えばDNAチップなどのマイクロアレイ製造用のノズルやそれを組み込んだ装置に利用できる。
【0003】
【従来の技術】
マイクロ流体デバイス中に形成された毛細管状の流路を流れる流体の流量を制御する方法としては、外側からの圧力によって毛細管状の流路の内径を調節することによって流量を制御する方法が特開2001−70784および特開2000−288504に開示されている。
しかしながら、この方法では、マイクロ流体デバイスの一部に外力をかけて変形させるため、マイクロ流体デバイスを厚く剛直な構造にしないと外力をかけたときにマイクロ流体デバイス全体がたわみ、他のバルブ機構部分や光学的検出用の窓などが設けられている場合にはその位置がずれるなどの問題があった。また、十分な変形量を示しながら破壊せず、且つほぼ元通りの形状に回復する力学特性を持った素材でマイクロ流体デバイスを形成する必要があり、素材の選定が制約されるという問題があった。さらに、外寸の小さいマイクロ流体デバイスを用いる場合には、該マイクロ流体デバイスを保持し、かつ所用部分を圧迫するためには、極めて高精度の保持機構や圧迫機構が要求されるという問題があった。
【0004】
マイクロ流体デバイスの流路における流体流量を制御する方法としては、マイクロ流体デバイスに流量制御用バルブを設け、このバルブを用いる方法があるが、この場合には、バルブ駆動用の配管や配線を接続するための構造が必要となり、マイクロ流体デバイスの構造が複雑化する問題があった。
また、この配管や配線の接続のため、デバイスの強度を高める必要があることから、デバイスのサイズを小さくすることが困難になるという不都合があった。このため、多数並列処理が難しくなる問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、微小な流路における被制御流体の流量を、容易かつ精度よく制御できる流量制御方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、毛細管状流路内に導入可能な磁性流体を用い、該流路に対する磁性流体の位置を調整し、該流路内での被制御流体の流れやすさを調節することによって、被制御流体の流量を制御することが可能であることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【0007】
即ち、本発明は、毛細管状流路を流れる被制御流体の流量を、該流路内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、毛細管状流路に対する磁性流体の位置を、該磁性流体に作用する磁界により調整することによって、該流路内での被制御流体の流量を制御することを特徴とする流量制御方法を提供する。
本発明の流量制御方法は、流路に対する磁性流体の位置を磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御するので、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
また、従来の流量制御方法に比べ、バルブやこれを駆動するための配管などの複雑な機構が不要となるため、サイズの小さいマイクロ流体デバイスや、強度に劣るマイクロ流体デバイスにも適用可能である。
【0008】
本発明は、被制御流体が流れる毛細管状流路を有し、該流路内に磁性流体を導入可能とされ、該流路に対する磁性流体の位置に応じて、該流路内での被制御流体の流量を制御することができるように構成されていることを特徴とするマイクロ流体デバイスを提供する。
本発明のマイクロ流体デバイスは、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるようにされているので、流路が微小である場合でも、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
このため、デバイスの小型化が可能である。また強度を高める必要がないため、デバイスの構造を簡略化し、製造コスト低減を図ることができる。
【0009】
本発明は、被制御流体が流れる毛細管状流路を有し、該流路内に磁性流体が導入可能とされたマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置であって、マイクロ流体デバイスを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたマイクロ流体デバイスの磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段と、該磁界を調節することによって、毛細管状流路に対する磁性流体の位置を調整可能とされた磁界調節手段とを有することを特徴とする流量制御装置を提供する。
本発明の流量制御装置は、マイクロ流体デバイス内の磁性流体の位置を、簡単な操作で正確に調整することができる。
従って、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の流量制御方法は、毛細管状流路(以下、「毛細管状流路」を、単に「流路」と称する場合がある)を流れる被制御流体の流量を、該流路内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、流路に対する磁性流体の位置を、磁性流体に作用する磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御する。
【0011】
本発明の流量制御方法では、流路に対する磁性流体の位置を調整することにより、流路内での被制御流体の流れやすさを調節する。
例えば、被制御流体の流れを妨げない位置に磁性流体を配置することによって、被制御流体の流量を比較的大きくすることができる。
被制御流体が流れる部分の流路を狭くする位置に磁性流体を配置することによって、被制御流体を流れにくくし、被制御流体の流量を比較的小さくすることができる。
流路を完全に閉塞する位置に磁性流体を配置することによって、被制御流体の流れを停止させることができる。
このように、磁性流体を用いて、流路内での被制御流体の流れやすさを調節することによって、被制御流体の流量を制御する。
【0012】
本発明において、流路の外形は任意であり、例えばチューブ状の毛細管であって良い。
流路はまた、塊状成形物の内部に形成されたものであってよく、いわゆるマイクロ流体デバイス内に形成された毛細管状の流路であって良い。
本発明において、流路は、その中を或いはそれを経て流体を移動させる空洞をいい、単なる移送用の流路の他、反応流路、検出用流路、抽出その他の処理流路、バルブやポンプ部の空洞等であり得る。
【0013】
流路の断面形状は任意であり、矩形(角の丸められた矩形を含む)、台形、円形、半円形、スリット状、その他の複雑な形状であり得る。
流路の断面寸法は、幅と高さがそれぞれ好ましくは3μm〜3mm、更に好ましくは10μm〜1mmである。
流路の断面積は、好ましくは5×10−12m2〜5×10−6m2、更に好ましくは1×10−10m2〜1×10−6m2であり、最も好ましくは1×10−10m2〜1×10−7m2である。
【0014】
断面寸法または断面積が上記範囲未満では流量の制御が難しくなる。また、断面寸法または断面積が上記範囲を超えると制御がしにくくなるか、または制御不能となる。
なお、上記断面形状、断面寸法、断面積は、磁性流体が導入される部分についてのものであり、その他の部分、例えば被制御流体が流れる部分については任意であるが、磁性流体が導入される部分と同様であることが好ましい。
【0015】
本発明の方法では、流路に接続された磁性流体格納部を使用することもできる。例えば磁性流体格納部が形成されたマイクロ流体デバイスを用いることができる。
磁性流体格納部を使用する場合には、磁性流体格納部から流路への磁性流体導入量を、前記磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御することができる。
例えば、磁性流体の全量を磁性流体格納部内に格納すれば、磁性流体が流路内の被制御流体の流れを全く妨げなくなるため、被制御流体の流量を比較的大きくすることができる。
また、被制御流体が流れる部分の流路を狭くする量の磁性流体を、磁性流体格納部から流路に導入することによって、被制御流体を流れにくくし、被制御流体の流量を比較的小さくすることができる。
また、流路を完全に閉塞する量の磁性流体を、磁性流体格納部から流路に導入することによって、被制御流体の流れを停止させることができる。
【0016】
磁性流体格納部は、例えば流路の一部が広がった形状のタンク、流路の一部から分岐した毛細管状の空洞、等であり得る。
流路の一部から分岐した毛細管状の空洞は、その先端が閉じられていても良いし、その先端に連結した任意の形状の空洞を有していても良いし、デバイス外部に開口していても良い。
【0017】
本発明では、磁性流体格納部を使用するのが好ましい。この磁性流体格納部は、流路の一部から分岐した毛細管状の空洞であることが好ましく、該毛細管状の空洞は、その先に連結した任意の形状の空洞を有していることが好ましい。
【0018】
本発明の方法では、磁性流体格納部を利用せずに(例えば磁性流体格納部が形成されていないマイクロ流体デバイスを用いて)、該流路内での被制御流体の流量を制御することもできる。
この場合には、磁性流体を流路内に導入しておき、流路内の磁性流体の位置を前記磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御することができる。
例えば、流路内の磁性流体を、被制御流体の流れを極力妨げない位置(例えば流路内壁面に近い位置)に配置すれば、被制御流体の流量を比較的大きくすることができる。
また、流路内の磁性流体を、被制御流体が流れる部分の流路を狭くする位置に配置すれば、被制御流体を流れにくくし、被制御流体の流量を比較的小さくすることができる。
また、流路内の磁性流体を、流路を完全に閉塞するように配置すれば、被制御流体の流れを停止させることができる。
【0019】
本発明の方法は、流路が形成されたマイクロ流体デバイスを流れる流体を対象とするのが好ましい。
マイクロ流体デバイスは、マイクロ・フルイディック・デバイス、マイクロ・ファブリケイテッド・デバイス、ラブ・オン・チップ、又はマイクロ・トータル・アナリティカル・システム(μ−TAS)とも呼ばれるものであり、流体を流入し流出するまでの経路内で、流体が温度変化をうける機構、濃度調整される機構、化学反応をうける機構、流動の流速、流動の分岐、混合若しくは分離などの制御をうける機構、又は電気的、光学的な測定をうける機構等を設けた毛細管状の流路を有するデバイスであり、本発明においては、流路内に磁性流体を導入可能とされ、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるように構成されているものが使用できる。
【0020】
本発明の方法では、対象となる被制御流体は任意であり、液体、気体、超臨界流体であり得る。勿論、被制御流体は溶液や分散流体(分散質を分散媒中に分散させた流体)であり得る。
【0021】
本発明に用いる磁性流体は、強磁性を示す液状物であり、好ましい具体例としては、例えば鉄、コバルト、ニッケルなどの金属や合金;酸化鉄などの金属酸化物などの強磁性固体の粉末を安定的に液体中に分散した液状物を挙げることができる。
強磁性固体や分散媒は任意であり、流路が形成されたマイクロ流体デバイスの素材や、被制御流体に応じて選択できる。
例えば強磁性固体は、流路を閉塞しない粒径のものを選択して使用できる。
分散媒は被制御流体と相溶しないものや、マイクロ流体デバイスに影響を与えない種類のものを選択して使用できる。
【0022】
磁性流体の粘度は、流路内における移動しやすさに応じて好適な値を選択できる。例えば磁界を変化させてから磁性流体が所望の位置に変位するまでの時間に応じて、磁性流体の粘度を選択することができる。
磁性流体は、粘度が100〜10000mPa/sであるものを用いるのが好ましい。
流路断面積が小さい場合には低粘度のものが好ましく、流路断面積が大きい場合には高粘度のものが好ましい。
【0023】
本発明において、磁性流体の位置を調整するには、磁性流体に作用する磁界を適宜調節する。
磁界を発生する磁界発生手段としては、特に限定されないが、例えば永久磁石、電磁石などの磁石を使用できる。被制御流体の流量調節を目的とする場合には、永久磁石の使用が好ましい。これは、永久磁石が、磁性流体の微妙な位置調整が容易であり、かつエネルギー消費が少ないためである。
一方、磁性流体による流路の開閉を目的とする場合には、電磁石が簡便であり好ましい。但し電磁石を使用する場合には、永久磁石と、該永久磁石より強い磁界を発生する電磁石とを備えた磁界発生手段を用いるのが好ましい。
この磁界発生手段は、電磁石を停止(磁界を発生しない状態)したときに、永久磁石によって磁性流体を第一の安定位置に配置でき、かつ電磁石を作動(磁界を発生する状態)させたときに磁性流体を第二の安定位置に配置することができる構成とするのが好ましい。
【0024】
磁界を調節するには、磁界の方向および/または強さを調整すればよい。
例えば、流路内の磁性流体と磁石との距離を変化させる方法;磁石を、磁性流体との距離をほぼ一定に保ったまま流路に沿って移動させる方法(逆に、流路を磁石に対し移動させる方法を含む);磁石と磁性流体との間に磁力線遮蔽構造や磁力線ショートパス構造を設け、この磁力線遮蔽構造や磁力線ショートパス構造を移動させる方法;電磁石に供給する電流を変化させる方法;電磁石の電流供給位置を変化させるなどの方法で、連続的または離散的に磁界の方向および/または強さを調整する方法をとることができる。
これらの中でも特に、永久磁石の移動により磁界を調整する方法が最も容易であるため好ましい。
なお、磁性流体に作用させる磁界を調整するとは、調整の前または後の磁界がゼロである場合も含む。
【0025】
被制御流体の流量を低くする場合、または被制御流体の流れを停止させる場合には、被制御流体の圧力に抗して流量を制御するために、強い磁界を作用させることによって磁性流体を所定位置に固定することが好ましい。
一方、被制御流体の流量を高くするため、その流れを妨げない位置に磁性流体を配置する場合には、磁界の作用によって、磁性流体をその位置に固定するのが好ましい。
すなわち、磁性流体の位置を調整するには、常時、磁界を磁性流体に作用させ、その作用位置を変化させて磁性流体の位置決めを行うのが好ましい。
なお、被制御流体の流れを妨げない位置に磁性流体を配置する場合には、磁性流体に磁界を作用させず、重力や毛管現象を利用して磁性流体が所定位置から動かないようにすることもできる。
【0026】
磁界の方向および/または強さを調整するには、1つの磁性流体に対し、複数の磁石を使用しても良い。また、一本の流路を塞ぐのに、複数の磁性流体の集団を使用しても構わない。磁性流体を利用して流量制御できる流路の数は任意であり、複数の流路における被制御流体の流量を独立して制御することも可能である。
【0027】
本発明では、被制御流体が流れる流路を有し、流路内に磁性流体を導入可能とされ、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるようにされたマイクロ流体デバイスを提供する。
本発明のマイクロ流体デバイスの構成材料は任意であり、例えばガラス、結晶材料(水晶等)、金属材料(ステンレススチール等)、半導体材料(シリコン)、セラミック、炭素、有機重合体ポリジメチルシロキサン等のように、無機元素を含有するものであってもよい。
本発明では、マイクロ流体デバイス内の磁性流体に磁界を作用させてその位置を調整するため、少なくとも磁性流体が配置される部分のマイクロ流体デバイスは、磁化率の小さい素材、例えば常磁性体、反磁性体、または比透磁率が1000以下の強磁性体で形成されていることが好ましく、特に、常磁性体または反磁性体である材料で形成されていることがさらに好ましい。
本発明のマイクロ流体デバイスの形状は任意であり、用途、目的に応じた形状とすることができる。例えば、塊状、板状、シート状(フィルム状、リボン状、ベルト状を含む)、繊維状(中空繊維状)等であり得るし、これらの複合構造、例えば、流路の一部が中空糸状であり、磁性流体が導入される流路が形成された部分が板状である構造などであり得る。
マイクロ流体デバイスが微小ケミカルデバイスである場合には、板状またはシート状であることが好ましい。
【0028】
本発明のマイクロ流体デバイスに形成された流路は、凹部を有する部材とその表面に密着されたカバーによって形成されたもの、あるいは少なくとも2つの部材に挟まれた層の欠損部で形成されたものであることが好ましい。
本発明のマイクロ流体デバイスは、内部に磁性流体が装填されている構成とするのが好ましい。本発明のマイクロ流体デバイスに用いる磁性流体としては、上述の流量制御方法で示したものと同様のものが使用できる。
なお、本発明のマイクロ流体デバイスでは、デバイス内の流路は分岐していなくてもよい。
【0029】
本発明の流量制御装置は、被制御流体が流れる流路を有し、流路内に磁性流体が導入可能とされたマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置であって、(1)マイクロ流体デバイスを保持する保持手段、(2)保持手段に保持されたマイクロ流体デバイスの磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段、(3)磁界の調節によって、流路に対する磁性流体の位置を調整可能とされた磁界調節手段とを有する。
【0030】
保持手段は、磁界発生手段(磁石)により発生する磁界によって、マイクロ流体デバイス内の磁性流体を所定の位置まで移動させることができるように、マイクロ流体デバイスを保持するものであれば任意である。
保持手段は、磁界発生手段(磁石)に対するマイクロ流体デバイスの位置を、再現性良く定めることができるものであることが好ましい。
保持手段は、マイクロ流体デバイスを、この保持手段における特定の位置に固定するものであってもよいし、マイクロ流体デバイスの位置を調整できるものであってもよい。
保持手段は、デバイスを固定する固定機構と、デバイスの位置を調整する位置決め機構とを備えたものとし、1回の操作でマイクロ流体素子を保持できるように構成するのが好ましい。
【0031】
磁界発生手段としては、磁性流体に対し磁界を作用させることができるものであればよく、永久磁石、電磁石などの磁石を使用できる。特に、永久磁石の使用が好ましい。
磁石の種類、形状、寸法、位置などは、これにより発生する磁界によってマイクロ流体デバイス内の磁性流体の位置調整ができるものであれば任意である。磁石の、マイクロ流体デバイスに対向する部分の面積は1×10−11m2〜1×10−3m2であることが好ましく、1×10−6m2〜1×10−4m2であることがさらに好ましい。
本発明でいう磁界発生手段としては、マイクロ流体デバイス内の流路内の磁性流体を移動させることができるものをいい、例えばモーター用の永久磁石や電磁石のように、磁界を発生させるものであっても、該磁界によりマイクロ流体デバイス内の磁性流体を移動させることができないものは含まない。
磁界発生手段として用いられる磁石は単数であっても複数であっても良い。磁石が複数である場合には、複数の磁石が、異なる磁性流体をそれぞれ位置調整(固定または移動)するものであってもよいし、1つの磁性流体を位置調整(固定または移動)するものであってもよい。
2つの磁石を、マイクロ流体デバイスの表側および裏側に配置し、これら2つの磁石によってマイクロ流体デバイス内の1つの磁性流体を位置調整(固定または移動)することもできる。
【0032】
磁界調節手段は、磁界の方向および/または強さを調整することができるものが好ましい。
例えば、磁石の移動機構;マイクロ流体デバイスの移動機構;磁石とマイクロ流体デバイスとの間の磁力線の遮蔽状態を変化させる機構;磁石とマイクロ流体デバイスとの間の磁力線のショートパス機構の駆動機構であり得る。
磁石が電磁石の場合には、複数の電磁石のうち所定のものに選択的に電流を供給する機構;複数の電磁石のうち所定のものに供給する電流を変化させる機構などであり得る。
これらの中でも特に、永久磁石を移動させる機構;複数の電磁石のうち所定のものに選択的に電流を供給する機構;複数の電磁石のうち所定のものに供給する電流を変化させる機構が好ましい。
複数の電磁石のうち所定のものに選択的に電流を供給する機構、または複数の電磁石のうち所定のものに供給する電流を変化させる機構は、電磁石や保持手段から分離され、筐体に納められたものであっても良い。
【0033】
磁界調節手段は、コンピューター制御等により、シーケンス制御やフィードバック制御によって磁界を調節できるものであって良い。
【0034】
本発明の流量制御装置は、マイクロ流体デバイスの使用目的に応じて、その他の機構、例えば、温度調節機構、光学的その他の検出機構、試料注入機構、バルブ機構、洗浄機構、等を有していても良い。
【0035】
本発明の流量制御装置は、例えば、マイクロリアクター、ピー・シー・アール(PCR;ポリメラーゼ連鎖反応)装置などの反応装置;膜濾過装置、透析装置、電気透析装置、気体分離装置、気体溶解装置、抽出装置などの、化学分析の前処理装置;遺伝子分析装置、免疫分析装置、ガス分析装置、水質分析装置などの化学または生化学分析装置;DNAチップや免疫チップなどのマイクロアレイ製造用スポッタ等に好ましく用いることができる。
【0036】
図5は、本発明の流量制御装置の一例を示すものである。
ここに示す流量制御装置は、マイクロ流体デバイス20を保持する保持手段21と、デバイス20内の磁性流体に作用する磁界を発生する永久磁石22(磁界発生手段)と、磁界の調節によって磁性流体の位置を調整する磁界調節手段23とを備えている。
保持手段21は、デバイス20を固定する固定機構25と、デバイス20の高さ位置を調整する位置決め機構26とを備えている。
固定機構25は、デバイス20を載置する載置台27と、デバイス20を載置台27に対し押さえつけるバネである押付機構28とを備えている。
位置決め機構26は、固定機構25を昇降させることができるようになっている。
【0037】
磁界調節手段23は、永久磁石22を昇降させる昇降機構29と、永久磁石22を、図5(b)における左右方向に移動させる第1移動機構30と、永久磁石22を、図5(b)における紙面手前側および奥側に移動させる第2移動機構31とを備えている。
磁界調節手段23は、昇降機構29、移動機構30、31によって永久磁石22を所定の位置に配置することによって、デバイス20内の磁性流体に作用する磁界の方向および/または強さを調整し、磁性流体の位置を調整することができるようになっている。
【0038】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、以下の実施例の範囲に限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例における「部」は「重量部」である。
【0039】
[エネルギー線照射装置]
250Wの超高圧水銀ランプが組み込まれたウシオ電機株式会社製のマルチライト250型露光装置用光源ユニットを用いた。紫外線強度は、記載の無い限り50mW/cm2である。
【0040】
[粘度測定方法]
山一電機(株)製のVM−100A型振動式粘度計を用い、室温(24±2℃)にて測定した。
【0041】
[製造例1]
〔エネルギー線硬化性組成物(i)の調製〕
活性エネルギー線架橋重合性化合物として、平均分子量約2000の3官能ウレタンアクリレートオリゴマー(大日本インキ化学工業株式会社製の「ユニディックV−4263」)を60部、及び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(第一工業製薬株式会社製の「ニューフロンティアHDDA」)を20部、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(n=17)アクリレート(第一工業製薬株式会社製の「N−177E」;両親媒性の単量体)を20部、及び光重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバガイギー社製の「イルガキュア184」)5部を均一に混合して組成物(i)を調製した。
【0042】
〔エネルギー線硬化性組成物(ii)の調製〕
活性エネルギー線架橋重合性化合物として、平均分子量約2000の3官能ウレタンアクリレートオリゴマー(大日本インキ化学工業株式会社製の「ユニディックV−4263」)を60部、及び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(第一工業製薬株式会社製の「ニューフロンティアHDDA」)を20部、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(n=17)アクリレート(第一工業製薬株式会社製の「N−177E」;両親媒性の単量体)を20部、光重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバガイギー社製の「イルガキュア184」)を5部、及び重合遅延剤として2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン(和光純薬工業株式会社製)0.5部を均一に混合して組成物(ii)を調製した。
【0043】
〔マイクロ流体デバイスの作製〕
基材1としてポリアクリレート(三菱レイヨン社製の「アクリライトL 000番」)製の板材を用い、これにバーコーターを用いて組成物(i)を塗布し(厚さ127μm)、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気中で3秒間照射して、組成物(i)を半硬化させて塗膜2(樹脂層2)を得た。
【0044】
この半硬化状態の塗膜2の上に、バーコーターを用いて組成物(ii)を塗布し(厚さ127μm)、フォトマスクを使用して、図1に示された流路4、6および磁性流体格納部5となる部分以外の部分に、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気で3秒間照射して、照射部分の組成物(ii)を半硬化させた後、エタノールにて未照射部分の未硬化の組成物(ii)を洗浄除去し、図1に示す流路4、6および格納部5となる溝状の樹脂欠損部(幅200μm、深さ140μm)が形成された塗膜3(樹脂層3)を形成し、部材Aを得た。
【0045】
一時的な支持体(図示せず)として5cm×5cm×30μmのポリプロピレン製のフィルム(二村化学工業社製の「二軸延伸ポリプロピレンフィルム「太閤」FOR 30番」)を使用し、この上にバーコーターを用いて組成物(i)を塗布して塗膜7(樹脂層7)を形成し(厚さ127μm)、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気中にてフォトマスク無しで3秒間照射し、塗膜7を半硬化させ、部材Bとした。
次いで、半硬化状態の塗膜7を部材Aの塗膜3と密着させて、紫外線を更に30秒間照射することによって、塗膜3の上に塗膜7及び一時的な支持体を接着し、塗膜3の欠損部を毛細管状の流路4、6および格納部5(流路5)とした。
流路4、6は、互いに垂直な方向に形成され、分岐部13において互いに接続されている。格納部5は、流路6に対し平行な方向に形成されており、分岐部13において流路4、6に接続されている。
【0046】
〔接続口の形成〕
接着後の部材Bの塗膜7から支持体を剥離し、それにより露出する塗膜7上に組成物(i)を塗布して塗膜8(樹脂層8)を形成し、さらにその上に前述の基材1と同じポリアクリレート製(三菱レイヨン社製の「アクリライトL 000番」)の5cm×5cm×1mmの板材9を重ね合わせ、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気中にてフォトマスク無しで40秒間照射することによって、アクリレート製の板材9と塗膜8から成る部材Cを塗膜7上に積層形成した。
次いで、流路4、6および格納部5の端部に相当する位置の塗膜7、8、9に、直径3mmのドリルを用いて、それぞれ被制御流体導入口10、被制御流体流出口12、磁性流体導入口11を形成し、これらに内径3mm、高さ5mmのポリ塩化ビニル管を接着して、マイクロ流体デバイス14を得た。
【0047】
[実施例1]
製造例1で得られたマイクロ流体デバイス14の磁性流体導入口11から約5μl(5×10−9m3)の磁性流体M(リティルマネジメント社、粘度400mPa・s)を流路5に導入した。
図1(b)に示すように、先端部が直径3mmの円形とされた円錐台状のポールピースを装着した直径6mm、長さ30mmの永久磁石15(アルニコ磁石)をデバイス14下面に近接させた。
図2に示すように、永久磁石15を分岐部13に近い位置に配置することによって、磁性流体Mを、先端部が分岐部13に至るまで移動させた。
メチレンブルーで着色した20μl(2×10−8m3)の蒸留水(着色水)を、導入口10から約1.1kPaの圧力で流路4に導入すると、着色水は流路4から分岐部13を経て流路6に流れ、流出口12から流出した。
【0048】
永久磁石15を流路6に向けて(図中右方向に)移動させると、永久磁石15の動きに伴って磁性流体Mも流路6に向けて移動した。
図3に示すように、磁性流体の先端部が流路6に近づいた状態では、磁性流体Mによって着色水が流れにくくなり、その流量が低下した。
図4に示すように、永久磁石15をさらに流路6に向けて移動させると、磁性流体Mが流路6を閉塞し、着色水の流れは遮断された。この際、磁性流体Mと着色水は混合しなかった。
【0049】
【発明の効果】
本発明の流量制御方法は、流路に対する磁性流体の位置を磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御するので、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。このため、多数並列処理が容易となる。
また、従来の流量制御方法に比べ、バルブやこれを駆動するための配管などの複雑な機構が不要となるため、サイズの小さいマイクロ流体デバイスや、強度に劣るマイクロ流体デバイスにも適用可能である。
【0050】
本発明のマイクロ流体デバイスは、被制御流体が流れる流路を有し、流路内に磁性流体を導入可能とされ、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるようにされているので、流路が微小である場合でも、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
このため、デバイスの小型化が可能である。また強度を高める必要がないため、デバイスの構造を簡略化し、製造コスト低減を図ることができる。
【0051】
本発明の流量制御装置は、マイクロ流体デバイスを保持する保持手段と、磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段と、磁界の調節によって磁性流体の位置を調整する磁界調節手段とを有するので、マイクロ流体デバイス内の磁性流体の位置を、簡単な操作で正確に調整することができる。
従って、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロ流体デバイスの一例を示すものであり、(a)は平面図であり、(b)は側面図である。
【図2】図1に示すマイクロ流体デバイスにおいて、流量制御を行う方法を説明する説明図である。
【図3】図1に示すマイクロ流体デバイスにおいて、流量制御を行う方法を説明する説明図である。
【図4】図1に示すマイクロ流体デバイスにおいて、流量制御を行う方法を説明する説明図である。
【図5】本発明の流量制御装置の一例を示すものであり、(a)は平面図であり、(b)は側面図である。
【符号の説明】
4、6・・・流路、5・・・磁性流体格納部、14、20・・・マイクロ流体デバイス、21・・・保持手段、22・・・永久磁石(磁界発生手段)、23・・・磁界調節手段、M・・・磁性流体
【発明の属する技術分野】
本発明は、毛細管状流路を流れる被制御流体の流量を制御する方法、この流量制御方法によって被制御流体の流量を制御可能なマイクロ流体デバイス、このマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置に関する。
【0002】
本発明は、例えば微小ケミカルデバイス、即ち、微小な流路が形成された、化学・生化学反応用微小デバイス(マイクロ・リアクター);膜濾過デバイス、透析デバイス、脱気・吸気デバイス、抽出デバイスなどの化学的・物理化学的処理デバイス;DNA分析デバイス、免疫分析デバイス、電気泳動デバイス、クロマトグラフィー、ガス分析デバイス、水質分析デバイスなどの微小分析デバイスに使用できる。本発明は、例えばDNAチップなどのマイクロアレイ製造用のノズルやそれを組み込んだ装置に利用できる。
【0003】
【従来の技術】
マイクロ流体デバイス中に形成された毛細管状の流路を流れる流体の流量を制御する方法としては、外側からの圧力によって毛細管状の流路の内径を調節することによって流量を制御する方法が特開2001−70784および特開2000−288504に開示されている。
しかしながら、この方法では、マイクロ流体デバイスの一部に外力をかけて変形させるため、マイクロ流体デバイスを厚く剛直な構造にしないと外力をかけたときにマイクロ流体デバイス全体がたわみ、他のバルブ機構部分や光学的検出用の窓などが設けられている場合にはその位置がずれるなどの問題があった。また、十分な変形量を示しながら破壊せず、且つほぼ元通りの形状に回復する力学特性を持った素材でマイクロ流体デバイスを形成する必要があり、素材の選定が制約されるという問題があった。さらに、外寸の小さいマイクロ流体デバイスを用いる場合には、該マイクロ流体デバイスを保持し、かつ所用部分を圧迫するためには、極めて高精度の保持機構や圧迫機構が要求されるという問題があった。
【0004】
マイクロ流体デバイスの流路における流体流量を制御する方法としては、マイクロ流体デバイスに流量制御用バルブを設け、このバルブを用いる方法があるが、この場合には、バルブ駆動用の配管や配線を接続するための構造が必要となり、マイクロ流体デバイスの構造が複雑化する問題があった。
また、この配管や配線の接続のため、デバイスの強度を高める必要があることから、デバイスのサイズを小さくすることが困難になるという不都合があった。このため、多数並列処理が難しくなる問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、微小な流路における被制御流体の流量を、容易かつ精度よく制御できる流量制御方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、毛細管状流路内に導入可能な磁性流体を用い、該流路に対する磁性流体の位置を調整し、該流路内での被制御流体の流れやすさを調節することによって、被制御流体の流量を制御することが可能であることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【0007】
即ち、本発明は、毛細管状流路を流れる被制御流体の流量を、該流路内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、毛細管状流路に対する磁性流体の位置を、該磁性流体に作用する磁界により調整することによって、該流路内での被制御流体の流量を制御することを特徴とする流量制御方法を提供する。
本発明の流量制御方法は、流路に対する磁性流体の位置を磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御するので、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
また、従来の流量制御方法に比べ、バルブやこれを駆動するための配管などの複雑な機構が不要となるため、サイズの小さいマイクロ流体デバイスや、強度に劣るマイクロ流体デバイスにも適用可能である。
【0008】
本発明は、被制御流体が流れる毛細管状流路を有し、該流路内に磁性流体を導入可能とされ、該流路に対する磁性流体の位置に応じて、該流路内での被制御流体の流量を制御することができるように構成されていることを特徴とするマイクロ流体デバイスを提供する。
本発明のマイクロ流体デバイスは、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるようにされているので、流路が微小である場合でも、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
このため、デバイスの小型化が可能である。また強度を高める必要がないため、デバイスの構造を簡略化し、製造コスト低減を図ることができる。
【0009】
本発明は、被制御流体が流れる毛細管状流路を有し、該流路内に磁性流体が導入可能とされたマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置であって、マイクロ流体デバイスを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたマイクロ流体デバイスの磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段と、該磁界を調節することによって、毛細管状流路に対する磁性流体の位置を調整可能とされた磁界調節手段とを有することを特徴とする流量制御装置を提供する。
本発明の流量制御装置は、マイクロ流体デバイス内の磁性流体の位置を、簡単な操作で正確に調整することができる。
従って、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の流量制御方法は、毛細管状流路(以下、「毛細管状流路」を、単に「流路」と称する場合がある)を流れる被制御流体の流量を、該流路内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、流路に対する磁性流体の位置を、磁性流体に作用する磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御する。
【0011】
本発明の流量制御方法では、流路に対する磁性流体の位置を調整することにより、流路内での被制御流体の流れやすさを調節する。
例えば、被制御流体の流れを妨げない位置に磁性流体を配置することによって、被制御流体の流量を比較的大きくすることができる。
被制御流体が流れる部分の流路を狭くする位置に磁性流体を配置することによって、被制御流体を流れにくくし、被制御流体の流量を比較的小さくすることができる。
流路を完全に閉塞する位置に磁性流体を配置することによって、被制御流体の流れを停止させることができる。
このように、磁性流体を用いて、流路内での被制御流体の流れやすさを調節することによって、被制御流体の流量を制御する。
【0012】
本発明において、流路の外形は任意であり、例えばチューブ状の毛細管であって良い。
流路はまた、塊状成形物の内部に形成されたものであってよく、いわゆるマイクロ流体デバイス内に形成された毛細管状の流路であって良い。
本発明において、流路は、その中を或いはそれを経て流体を移動させる空洞をいい、単なる移送用の流路の他、反応流路、検出用流路、抽出その他の処理流路、バルブやポンプ部の空洞等であり得る。
【0013】
流路の断面形状は任意であり、矩形(角の丸められた矩形を含む)、台形、円形、半円形、スリット状、その他の複雑な形状であり得る。
流路の断面寸法は、幅と高さがそれぞれ好ましくは3μm〜3mm、更に好ましくは10μm〜1mmである。
流路の断面積は、好ましくは5×10−12m2〜5×10−6m2、更に好ましくは1×10−10m2〜1×10−6m2であり、最も好ましくは1×10−10m2〜1×10−7m2である。
【0014】
断面寸法または断面積が上記範囲未満では流量の制御が難しくなる。また、断面寸法または断面積が上記範囲を超えると制御がしにくくなるか、または制御不能となる。
なお、上記断面形状、断面寸法、断面積は、磁性流体が導入される部分についてのものであり、その他の部分、例えば被制御流体が流れる部分については任意であるが、磁性流体が導入される部分と同様であることが好ましい。
【0015】
本発明の方法では、流路に接続された磁性流体格納部を使用することもできる。例えば磁性流体格納部が形成されたマイクロ流体デバイスを用いることができる。
磁性流体格納部を使用する場合には、磁性流体格納部から流路への磁性流体導入量を、前記磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御することができる。
例えば、磁性流体の全量を磁性流体格納部内に格納すれば、磁性流体が流路内の被制御流体の流れを全く妨げなくなるため、被制御流体の流量を比較的大きくすることができる。
また、被制御流体が流れる部分の流路を狭くする量の磁性流体を、磁性流体格納部から流路に導入することによって、被制御流体を流れにくくし、被制御流体の流量を比較的小さくすることができる。
また、流路を完全に閉塞する量の磁性流体を、磁性流体格納部から流路に導入することによって、被制御流体の流れを停止させることができる。
【0016】
磁性流体格納部は、例えば流路の一部が広がった形状のタンク、流路の一部から分岐した毛細管状の空洞、等であり得る。
流路の一部から分岐した毛細管状の空洞は、その先端が閉じられていても良いし、その先端に連結した任意の形状の空洞を有していても良いし、デバイス外部に開口していても良い。
【0017】
本発明では、磁性流体格納部を使用するのが好ましい。この磁性流体格納部は、流路の一部から分岐した毛細管状の空洞であることが好ましく、該毛細管状の空洞は、その先に連結した任意の形状の空洞を有していることが好ましい。
【0018】
本発明の方法では、磁性流体格納部を利用せずに(例えば磁性流体格納部が形成されていないマイクロ流体デバイスを用いて)、該流路内での被制御流体の流量を制御することもできる。
この場合には、磁性流体を流路内に導入しておき、流路内の磁性流体の位置を前記磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御することができる。
例えば、流路内の磁性流体を、被制御流体の流れを極力妨げない位置(例えば流路内壁面に近い位置)に配置すれば、被制御流体の流量を比較的大きくすることができる。
また、流路内の磁性流体を、被制御流体が流れる部分の流路を狭くする位置に配置すれば、被制御流体を流れにくくし、被制御流体の流量を比較的小さくすることができる。
また、流路内の磁性流体を、流路を完全に閉塞するように配置すれば、被制御流体の流れを停止させることができる。
【0019】
本発明の方法は、流路が形成されたマイクロ流体デバイスを流れる流体を対象とするのが好ましい。
マイクロ流体デバイスは、マイクロ・フルイディック・デバイス、マイクロ・ファブリケイテッド・デバイス、ラブ・オン・チップ、又はマイクロ・トータル・アナリティカル・システム(μ−TAS)とも呼ばれるものであり、流体を流入し流出するまでの経路内で、流体が温度変化をうける機構、濃度調整される機構、化学反応をうける機構、流動の流速、流動の分岐、混合若しくは分離などの制御をうける機構、又は電気的、光学的な測定をうける機構等を設けた毛細管状の流路を有するデバイスであり、本発明においては、流路内に磁性流体を導入可能とされ、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるように構成されているものが使用できる。
【0020】
本発明の方法では、対象となる被制御流体は任意であり、液体、気体、超臨界流体であり得る。勿論、被制御流体は溶液や分散流体(分散質を分散媒中に分散させた流体)であり得る。
【0021】
本発明に用いる磁性流体は、強磁性を示す液状物であり、好ましい具体例としては、例えば鉄、コバルト、ニッケルなどの金属や合金;酸化鉄などの金属酸化物などの強磁性固体の粉末を安定的に液体中に分散した液状物を挙げることができる。
強磁性固体や分散媒は任意であり、流路が形成されたマイクロ流体デバイスの素材や、被制御流体に応じて選択できる。
例えば強磁性固体は、流路を閉塞しない粒径のものを選択して使用できる。
分散媒は被制御流体と相溶しないものや、マイクロ流体デバイスに影響を与えない種類のものを選択して使用できる。
【0022】
磁性流体の粘度は、流路内における移動しやすさに応じて好適な値を選択できる。例えば磁界を変化させてから磁性流体が所望の位置に変位するまでの時間に応じて、磁性流体の粘度を選択することができる。
磁性流体は、粘度が100〜10000mPa/sであるものを用いるのが好ましい。
流路断面積が小さい場合には低粘度のものが好ましく、流路断面積が大きい場合には高粘度のものが好ましい。
【0023】
本発明において、磁性流体の位置を調整するには、磁性流体に作用する磁界を適宜調節する。
磁界を発生する磁界発生手段としては、特に限定されないが、例えば永久磁石、電磁石などの磁石を使用できる。被制御流体の流量調節を目的とする場合には、永久磁石の使用が好ましい。これは、永久磁石が、磁性流体の微妙な位置調整が容易であり、かつエネルギー消費が少ないためである。
一方、磁性流体による流路の開閉を目的とする場合には、電磁石が簡便であり好ましい。但し電磁石を使用する場合には、永久磁石と、該永久磁石より強い磁界を発生する電磁石とを備えた磁界発生手段を用いるのが好ましい。
この磁界発生手段は、電磁石を停止(磁界を発生しない状態)したときに、永久磁石によって磁性流体を第一の安定位置に配置でき、かつ電磁石を作動(磁界を発生する状態)させたときに磁性流体を第二の安定位置に配置することができる構成とするのが好ましい。
【0024】
磁界を調節するには、磁界の方向および/または強さを調整すればよい。
例えば、流路内の磁性流体と磁石との距離を変化させる方法;磁石を、磁性流体との距離をほぼ一定に保ったまま流路に沿って移動させる方法(逆に、流路を磁石に対し移動させる方法を含む);磁石と磁性流体との間に磁力線遮蔽構造や磁力線ショートパス構造を設け、この磁力線遮蔽構造や磁力線ショートパス構造を移動させる方法;電磁石に供給する電流を変化させる方法;電磁石の電流供給位置を変化させるなどの方法で、連続的または離散的に磁界の方向および/または強さを調整する方法をとることができる。
これらの中でも特に、永久磁石の移動により磁界を調整する方法が最も容易であるため好ましい。
なお、磁性流体に作用させる磁界を調整するとは、調整の前または後の磁界がゼロである場合も含む。
【0025】
被制御流体の流量を低くする場合、または被制御流体の流れを停止させる場合には、被制御流体の圧力に抗して流量を制御するために、強い磁界を作用させることによって磁性流体を所定位置に固定することが好ましい。
一方、被制御流体の流量を高くするため、その流れを妨げない位置に磁性流体を配置する場合には、磁界の作用によって、磁性流体をその位置に固定するのが好ましい。
すなわち、磁性流体の位置を調整するには、常時、磁界を磁性流体に作用させ、その作用位置を変化させて磁性流体の位置決めを行うのが好ましい。
なお、被制御流体の流れを妨げない位置に磁性流体を配置する場合には、磁性流体に磁界を作用させず、重力や毛管現象を利用して磁性流体が所定位置から動かないようにすることもできる。
【0026】
磁界の方向および/または強さを調整するには、1つの磁性流体に対し、複数の磁石を使用しても良い。また、一本の流路を塞ぐのに、複数の磁性流体の集団を使用しても構わない。磁性流体を利用して流量制御できる流路の数は任意であり、複数の流路における被制御流体の流量を独立して制御することも可能である。
【0027】
本発明では、被制御流体が流れる流路を有し、流路内に磁性流体を導入可能とされ、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるようにされたマイクロ流体デバイスを提供する。
本発明のマイクロ流体デバイスの構成材料は任意であり、例えばガラス、結晶材料(水晶等)、金属材料(ステンレススチール等)、半導体材料(シリコン)、セラミック、炭素、有機重合体ポリジメチルシロキサン等のように、無機元素を含有するものであってもよい。
本発明では、マイクロ流体デバイス内の磁性流体に磁界を作用させてその位置を調整するため、少なくとも磁性流体が配置される部分のマイクロ流体デバイスは、磁化率の小さい素材、例えば常磁性体、反磁性体、または比透磁率が1000以下の強磁性体で形成されていることが好ましく、特に、常磁性体または反磁性体である材料で形成されていることがさらに好ましい。
本発明のマイクロ流体デバイスの形状は任意であり、用途、目的に応じた形状とすることができる。例えば、塊状、板状、シート状(フィルム状、リボン状、ベルト状を含む)、繊維状(中空繊維状)等であり得るし、これらの複合構造、例えば、流路の一部が中空糸状であり、磁性流体が導入される流路が形成された部分が板状である構造などであり得る。
マイクロ流体デバイスが微小ケミカルデバイスである場合には、板状またはシート状であることが好ましい。
【0028】
本発明のマイクロ流体デバイスに形成された流路は、凹部を有する部材とその表面に密着されたカバーによって形成されたもの、あるいは少なくとも2つの部材に挟まれた層の欠損部で形成されたものであることが好ましい。
本発明のマイクロ流体デバイスは、内部に磁性流体が装填されている構成とするのが好ましい。本発明のマイクロ流体デバイスに用いる磁性流体としては、上述の流量制御方法で示したものと同様のものが使用できる。
なお、本発明のマイクロ流体デバイスでは、デバイス内の流路は分岐していなくてもよい。
【0029】
本発明の流量制御装置は、被制御流体が流れる流路を有し、流路内に磁性流体が導入可能とされたマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置であって、(1)マイクロ流体デバイスを保持する保持手段、(2)保持手段に保持されたマイクロ流体デバイスの磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段、(3)磁界の調節によって、流路に対する磁性流体の位置を調整可能とされた磁界調節手段とを有する。
【0030】
保持手段は、磁界発生手段(磁石)により発生する磁界によって、マイクロ流体デバイス内の磁性流体を所定の位置まで移動させることができるように、マイクロ流体デバイスを保持するものであれば任意である。
保持手段は、磁界発生手段(磁石)に対するマイクロ流体デバイスの位置を、再現性良く定めることができるものであることが好ましい。
保持手段は、マイクロ流体デバイスを、この保持手段における特定の位置に固定するものであってもよいし、マイクロ流体デバイスの位置を調整できるものであってもよい。
保持手段は、デバイスを固定する固定機構と、デバイスの位置を調整する位置決め機構とを備えたものとし、1回の操作でマイクロ流体素子を保持できるように構成するのが好ましい。
【0031】
磁界発生手段としては、磁性流体に対し磁界を作用させることができるものであればよく、永久磁石、電磁石などの磁石を使用できる。特に、永久磁石の使用が好ましい。
磁石の種類、形状、寸法、位置などは、これにより発生する磁界によってマイクロ流体デバイス内の磁性流体の位置調整ができるものであれば任意である。磁石の、マイクロ流体デバイスに対向する部分の面積は1×10−11m2〜1×10−3m2であることが好ましく、1×10−6m2〜1×10−4m2であることがさらに好ましい。
本発明でいう磁界発生手段としては、マイクロ流体デバイス内の流路内の磁性流体を移動させることができるものをいい、例えばモーター用の永久磁石や電磁石のように、磁界を発生させるものであっても、該磁界によりマイクロ流体デバイス内の磁性流体を移動させることができないものは含まない。
磁界発生手段として用いられる磁石は単数であっても複数であっても良い。磁石が複数である場合には、複数の磁石が、異なる磁性流体をそれぞれ位置調整(固定または移動)するものであってもよいし、1つの磁性流体を位置調整(固定または移動)するものであってもよい。
2つの磁石を、マイクロ流体デバイスの表側および裏側に配置し、これら2つの磁石によってマイクロ流体デバイス内の1つの磁性流体を位置調整(固定または移動)することもできる。
【0032】
磁界調節手段は、磁界の方向および/または強さを調整することができるものが好ましい。
例えば、磁石の移動機構;マイクロ流体デバイスの移動機構;磁石とマイクロ流体デバイスとの間の磁力線の遮蔽状態を変化させる機構;磁石とマイクロ流体デバイスとの間の磁力線のショートパス機構の駆動機構であり得る。
磁石が電磁石の場合には、複数の電磁石のうち所定のものに選択的に電流を供給する機構;複数の電磁石のうち所定のものに供給する電流を変化させる機構などであり得る。
これらの中でも特に、永久磁石を移動させる機構;複数の電磁石のうち所定のものに選択的に電流を供給する機構;複数の電磁石のうち所定のものに供給する電流を変化させる機構が好ましい。
複数の電磁石のうち所定のものに選択的に電流を供給する機構、または複数の電磁石のうち所定のものに供給する電流を変化させる機構は、電磁石や保持手段から分離され、筐体に納められたものであっても良い。
【0033】
磁界調節手段は、コンピューター制御等により、シーケンス制御やフィードバック制御によって磁界を調節できるものであって良い。
【0034】
本発明の流量制御装置は、マイクロ流体デバイスの使用目的に応じて、その他の機構、例えば、温度調節機構、光学的その他の検出機構、試料注入機構、バルブ機構、洗浄機構、等を有していても良い。
【0035】
本発明の流量制御装置は、例えば、マイクロリアクター、ピー・シー・アール(PCR;ポリメラーゼ連鎖反応)装置などの反応装置;膜濾過装置、透析装置、電気透析装置、気体分離装置、気体溶解装置、抽出装置などの、化学分析の前処理装置;遺伝子分析装置、免疫分析装置、ガス分析装置、水質分析装置などの化学または生化学分析装置;DNAチップや免疫チップなどのマイクロアレイ製造用スポッタ等に好ましく用いることができる。
【0036】
図5は、本発明の流量制御装置の一例を示すものである。
ここに示す流量制御装置は、マイクロ流体デバイス20を保持する保持手段21と、デバイス20内の磁性流体に作用する磁界を発生する永久磁石22(磁界発生手段)と、磁界の調節によって磁性流体の位置を調整する磁界調節手段23とを備えている。
保持手段21は、デバイス20を固定する固定機構25と、デバイス20の高さ位置を調整する位置決め機構26とを備えている。
固定機構25は、デバイス20を載置する載置台27と、デバイス20を載置台27に対し押さえつけるバネである押付機構28とを備えている。
位置決め機構26は、固定機構25を昇降させることができるようになっている。
【0037】
磁界調節手段23は、永久磁石22を昇降させる昇降機構29と、永久磁石22を、図5(b)における左右方向に移動させる第1移動機構30と、永久磁石22を、図5(b)における紙面手前側および奥側に移動させる第2移動機構31とを備えている。
磁界調節手段23は、昇降機構29、移動機構30、31によって永久磁石22を所定の位置に配置することによって、デバイス20内の磁性流体に作用する磁界の方向および/または強さを調整し、磁性流体の位置を調整することができるようになっている。
【0038】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、本発明は、以下の実施例の範囲に限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例における「部」は「重量部」である。
【0039】
[エネルギー線照射装置]
250Wの超高圧水銀ランプが組み込まれたウシオ電機株式会社製のマルチライト250型露光装置用光源ユニットを用いた。紫外線強度は、記載の無い限り50mW/cm2である。
【0040】
[粘度測定方法]
山一電機(株)製のVM−100A型振動式粘度計を用い、室温(24±2℃)にて測定した。
【0041】
[製造例1]
〔エネルギー線硬化性組成物(i)の調製〕
活性エネルギー線架橋重合性化合物として、平均分子量約2000の3官能ウレタンアクリレートオリゴマー(大日本インキ化学工業株式会社製の「ユニディックV−4263」)を60部、及び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(第一工業製薬株式会社製の「ニューフロンティアHDDA」)を20部、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(n=17)アクリレート(第一工業製薬株式会社製の「N−177E」;両親媒性の単量体)を20部、及び光重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバガイギー社製の「イルガキュア184」)5部を均一に混合して組成物(i)を調製した。
【0042】
〔エネルギー線硬化性組成物(ii)の調製〕
活性エネルギー線架橋重合性化合物として、平均分子量約2000の3官能ウレタンアクリレートオリゴマー(大日本インキ化学工業株式会社製の「ユニディックV−4263」)を60部、及び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(第一工業製薬株式会社製の「ニューフロンティアHDDA」)を20部、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(n=17)アクリレート(第一工業製薬株式会社製の「N−177E」;両親媒性の単量体)を20部、光重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバガイギー社製の「イルガキュア184」)を5部、及び重合遅延剤として2,4−ジフェニル−4−メチル−1−ペンテン(和光純薬工業株式会社製)0.5部を均一に混合して組成物(ii)を調製した。
【0043】
〔マイクロ流体デバイスの作製〕
基材1としてポリアクリレート(三菱レイヨン社製の「アクリライトL 000番」)製の板材を用い、これにバーコーターを用いて組成物(i)を塗布し(厚さ127μm)、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気中で3秒間照射して、組成物(i)を半硬化させて塗膜2(樹脂層2)を得た。
【0044】
この半硬化状態の塗膜2の上に、バーコーターを用いて組成物(ii)を塗布し(厚さ127μm)、フォトマスクを使用して、図1に示された流路4、6および磁性流体格納部5となる部分以外の部分に、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気で3秒間照射して、照射部分の組成物(ii)を半硬化させた後、エタノールにて未照射部分の未硬化の組成物(ii)を洗浄除去し、図1に示す流路4、6および格納部5となる溝状の樹脂欠損部(幅200μm、深さ140μm)が形成された塗膜3(樹脂層3)を形成し、部材Aを得た。
【0045】
一時的な支持体(図示せず)として5cm×5cm×30μmのポリプロピレン製のフィルム(二村化学工業社製の「二軸延伸ポリプロピレンフィルム「太閤」FOR 30番」)を使用し、この上にバーコーターを用いて組成物(i)を塗布して塗膜7(樹脂層7)を形成し(厚さ127μm)、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気中にてフォトマスク無しで3秒間照射し、塗膜7を半硬化させ、部材Bとした。
次いで、半硬化状態の塗膜7を部材Aの塗膜3と密着させて、紫外線を更に30秒間照射することによって、塗膜3の上に塗膜7及び一時的な支持体を接着し、塗膜3の欠損部を毛細管状の流路4、6および格納部5(流路5)とした。
流路4、6は、互いに垂直な方向に形成され、分岐部13において互いに接続されている。格納部5は、流路6に対し平行な方向に形成されており、分岐部13において流路4、6に接続されている。
【0046】
〔接続口の形成〕
接着後の部材Bの塗膜7から支持体を剥離し、それにより露出する塗膜7上に組成物(i)を塗布して塗膜8(樹脂層8)を形成し、さらにその上に前述の基材1と同じポリアクリレート製(三菱レイヨン社製の「アクリライトL 000番」)の5cm×5cm×1mmの板材9を重ね合わせ、50mW/cm2の紫外線を窒素雰囲気中にてフォトマスク無しで40秒間照射することによって、アクリレート製の板材9と塗膜8から成る部材Cを塗膜7上に積層形成した。
次いで、流路4、6および格納部5の端部に相当する位置の塗膜7、8、9に、直径3mmのドリルを用いて、それぞれ被制御流体導入口10、被制御流体流出口12、磁性流体導入口11を形成し、これらに内径3mm、高さ5mmのポリ塩化ビニル管を接着して、マイクロ流体デバイス14を得た。
【0047】
[実施例1]
製造例1で得られたマイクロ流体デバイス14の磁性流体導入口11から約5μl(5×10−9m3)の磁性流体M(リティルマネジメント社、粘度400mPa・s)を流路5に導入した。
図1(b)に示すように、先端部が直径3mmの円形とされた円錐台状のポールピースを装着した直径6mm、長さ30mmの永久磁石15(アルニコ磁石)をデバイス14下面に近接させた。
図2に示すように、永久磁石15を分岐部13に近い位置に配置することによって、磁性流体Mを、先端部が分岐部13に至るまで移動させた。
メチレンブルーで着色した20μl(2×10−8m3)の蒸留水(着色水)を、導入口10から約1.1kPaの圧力で流路4に導入すると、着色水は流路4から分岐部13を経て流路6に流れ、流出口12から流出した。
【0048】
永久磁石15を流路6に向けて(図中右方向に)移動させると、永久磁石15の動きに伴って磁性流体Mも流路6に向けて移動した。
図3に示すように、磁性流体の先端部が流路6に近づいた状態では、磁性流体Mによって着色水が流れにくくなり、その流量が低下した。
図4に示すように、永久磁石15をさらに流路6に向けて移動させると、磁性流体Mが流路6を閉塞し、着色水の流れは遮断された。この際、磁性流体Mと着色水は混合しなかった。
【0049】
【発明の効果】
本発明の流量制御方法は、流路に対する磁性流体の位置を磁界により調整することによって、流路内での被制御流体の流量を制御するので、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。このため、多数並列処理が容易となる。
また、従来の流量制御方法に比べ、バルブやこれを駆動するための配管などの複雑な機構が不要となるため、サイズの小さいマイクロ流体デバイスや、強度に劣るマイクロ流体デバイスにも適用可能である。
【0050】
本発明のマイクロ流体デバイスは、被制御流体が流れる流路を有し、流路内に磁性流体を導入可能とされ、流路に対する磁性流体の位置に応じて、流路内での被制御流体の流量を制御することができるようにされているので、流路が微小である場合でも、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
このため、デバイスの小型化が可能である。また強度を高める必要がないため、デバイスの構造を簡略化し、製造コスト低減を図ることができる。
【0051】
本発明の流量制御装置は、マイクロ流体デバイスを保持する保持手段と、磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段と、磁界の調節によって磁性流体の位置を調整する磁界調節手段とを有するので、マイクロ流体デバイス内の磁性流体の位置を、簡単な操作で正確に調整することができる。
従って、微小な流路を有するマイクロ流体デバイスにおいて、容易かつ精度の高い流量制御を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロ流体デバイスの一例を示すものであり、(a)は平面図であり、(b)は側面図である。
【図2】図1に示すマイクロ流体デバイスにおいて、流量制御を行う方法を説明する説明図である。
【図3】図1に示すマイクロ流体デバイスにおいて、流量制御を行う方法を説明する説明図である。
【図4】図1に示すマイクロ流体デバイスにおいて、流量制御を行う方法を説明する説明図である。
【図5】本発明の流量制御装置の一例を示すものであり、(a)は平面図であり、(b)は側面図である。
【符号の説明】
4、6・・・流路、5・・・磁性流体格納部、14、20・・・マイクロ流体デバイス、21・・・保持手段、22・・・永久磁石(磁界発生手段)、23・・・磁界調節手段、M・・・磁性流体
Claims (7)
- 毛細管状流路を流れる被制御流体の流量を、該流路内に導入可能な磁性流体を用いて制御する方法であって、
毛細管状流路に対する磁性流体の位置を、該磁性流体に作用する磁界により調整することによって、該流路内での被制御流体の流量を制御することを特徴とする流量制御方法。 - 毛細管状流路に接続された磁性流体格納部を用い、磁性流体格納部から毛細管状流路への磁性流体導入量を、前記磁界により調整することによって、該流路内での被制御流体の流量を制御することを特徴とする請求項1記載の流量制御方法。
- 毛細管状流路の断面積が5×10−12m2〜5×10−6m2であることを特徴とする請求項1記載の流量制御方法。
- 毛細管状流路が、マイクロ流体デバイス内に形成されていることを特徴とする請求項1記載の流量制御方法。
- 磁界が永久磁石により与えられるものであることを特徴とする請求項1記載の流量制御方法。
- 被制御流体が流れる毛細管状流路を有し、該流路内に磁性流体を導入可能とされ、該流路に対する磁性流体の位置に応じて、該流路内での被制御流体の流量を制御することができるように構成されていることを特徴とするマイクロ流体デバイス。
- 被制御流体が流れる毛細管状流路を有し、該流路内に磁性流体が導入可能とされたマイクロ流体デバイスにおける被制御流体の流量を制御する装置であって、マイクロ流体デバイスを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたマイクロ流体デバイスの磁性流体に作用する磁界を発生する磁界発生手段と、
該磁界を調節することによって、毛細管状流路に対する磁性流体の位置を調整可能とされた磁界調節手段とを有することを特徴とするマイクロ流体デバイスの流量制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002237115A JP2004073995A (ja) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | 流量制御方法、マイクロ流体デバイス、および流量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002237115A JP2004073995A (ja) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | 流量制御方法、マイクロ流体デバイス、および流量制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004073995A true JP2004073995A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=32021033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002237115A Pending JP2004073995A (ja) | 2002-08-15 | 2002-08-15 | 流量制御方法、マイクロ流体デバイス、および流量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004073995A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085443A1 (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 流体チップ、それを用いた流体移動制御方法、および化学反応装置 |
| JP2008539419A (ja) * | 2005-04-30 | 2008-11-13 | シェーン ユウ、ジャエ | バイオディスクおよびバイオドライバ装置、これを用いた分析方法 |
| JP2008541043A (ja) * | 2005-05-06 | 2008-11-20 | シェーン ユウ、ジャエ | デジタルバイオディスクおよびデジタルバイオディスクドライバ装置ならびに方法 |
| WO2008153119A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Hipep Laboratories | マイクロ流路チップ |
| JP2009520985A (ja) * | 2005-12-21 | 2009-05-28 | ジェ・チャーン・ユ | バイオメモリディスク及びバイオメモリディスクドライブ装置及びそれを用いた分析方法 |
| JP2009178632A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute | マイクロバルブを有する微細流路 |
| JP2018009952A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-18 | シスメックス株式会社 | 検出装置および検出方法 |
| US11099182B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-08-24 | Sysmex Corporation | Detection apparatus and detection method |
-
2002
- 2002-08-15 JP JP2002237115A patent/JP2004073995A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7547415B2 (en) | 2005-02-10 | 2009-06-16 | Panasonic Corporation | Fluid chip, fluid movement control method using the same, and chemical reaction apparatus |
| WO2006085443A1 (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 流体チップ、それを用いた流体移動制御方法、および化学反応装置 |
| JP2008539419A (ja) * | 2005-04-30 | 2008-11-13 | シェーン ユウ、ジャエ | バイオディスクおよびバイオドライバ装置、これを用いた分析方法 |
| US8993487B2 (en) | 2005-04-30 | 2015-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bio disc, bio-driver apparatus, and assay method using the same |
| US8263386B2 (en) | 2005-05-06 | 2012-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Digital bio disc (DBD), DBD driver apparatus, and assay method using the same |
| JP2008541043A (ja) * | 2005-05-06 | 2008-11-20 | シェーン ユウ、ジャエ | デジタルバイオディスクおよびデジタルバイオディスクドライバ装置ならびに方法 |
| JP2009520985A (ja) * | 2005-12-21 | 2009-05-28 | ジェ・チャーン・ユ | バイオメモリディスク及びバイオメモリディスクドライブ装置及びそれを用いた分析方法 |
| US8951779B2 (en) | 2005-12-21 | 2015-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bio memory disc and bio memory disc drive apparatus, and assay method using the same |
| JP5540210B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2014-07-02 | 株式会社ハイペップ研究所 | マイクロ流路チップ |
| US8057743B2 (en) | 2007-06-15 | 2011-11-15 | Hipep Laboratories | Micro-passage chip |
| WO2008153119A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Hipep Laboratories | マイクロ流路チップ |
| JP2009178632A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute | マイクロバルブを有する微細流路 |
| JP2018009952A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-18 | シスメックス株式会社 | 検出装置および検出方法 |
| US11099182B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-08-24 | Sysmex Corporation | Detection apparatus and detection method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7220334B2 (en) | Method of manufacturing microdevice having laminated structure | |
| JP2004061320A (ja) | マイクロ流体デバイスの送液方法 | |
| EP2324924B1 (en) | Microfluidic system | |
| JP4639189B2 (ja) | マイクロ流体装置 | |
| US7055540B2 (en) | Method of moving fluid in capillary chip | |
| Chen et al. | Optofluidic guiding, valving, switching and mixing based on plasmonic heating in a random gold nanoisland substrate | |
| JP3777112B2 (ja) | マイクロ流体デバイス及びその製造方法 | |
| JP2002102681A (ja) | 加熱脱気機構を有する微小ケミカルデバイス | |
| JP2002018271A (ja) | 微小ケミカルデバイス | |
| JP2004073995A (ja) | 流量制御方法、マイクロ流体デバイス、および流量制御装置 | |
| JP2003084001A (ja) | 微小バルブ機構を有するマイクロ流体デバイス、マイクロ流体デバイスの微小バルブ機構駆動装置、及び流量調節方法 | |
| JP2004077258A (ja) | 流路切替方法および流路切替装置 | |
| JP2005199164A (ja) | マイクロ流体システム | |
| JP2008175795A (ja) | プラスチック製マイクロチップ、及びその製造方法、並びにそれを利用したバイオチップ又はマイクロ分析チップ | |
| KR100978317B1 (ko) | 광열효과를 이용한 미세밸브 및 이를 이용한 랩온어칩시스템 | |
| JP2001137613A (ja) | 抽出機構を有する微小ケミカルデバイス | |
| US20060289309A1 (en) | Microchemical system | |
| US20040031558A1 (en) | Method for the connection of plastic pieces | |
| JP2007170469A (ja) | 温度応答性バルブおよびその製造方法 | |
| JP2007136280A (ja) | マイクロ精留デバイス及び精留方法 | |
| JP2002371954A (ja) | 流体移送方法、及びマイクロ流体素子の流体移送装置 | |
| JP2007240461A (ja) | プラスチック製マイクロチップ、及びその接合方法、及びそれを利用したバイオチップ又はマイクロ分析チップ。 | |
| JP2006136990A (ja) | バルブを有するマイクロ流体デバイス | |
| JP2004058214A (ja) | 流路接続方法、流路接続用部材、マイクロ流体デバイス及びマイクロ流体デバイスの接続構造 | |
| JP2004191256A (ja) | マイクロ流体素子への試料導入方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050707 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080624 |