JP2002367774A - 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置 - Google Patents
薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フレキシブルなシート状基板に数十ｎｍ以下
の微細な薄膜パターンを大面積かつ大量に形成すること
ができる薄膜パターン形成方法を提供する。 【解決手段】 供給ロール１２から送り出されたシート
状基板１１に対してマスク形成部１４において、印刷技
術、例えばインクジェット印刷法を用いて剥離可能な樹
脂（例えばアクリル樹脂）を塗布してマスクを形成す
る。このマスクをマスク硬化部１５において硬化させた
後、成膜部１６において全面に薄膜を形成する。このと
き薄膜は、マスクの厚みが薄膜より厚くなっていること
から、マスクのパターン上の部分とパターン間の部分と
の間で段切れが生ずる。薄膜を形成した後、マスク剥離
部１７において、シート状基板１１からマスクが剥離さ
れる。これにより、マスクに対してネガ形状の薄膜パタ
ーンが形成される。
の微細な薄膜パターンを大面積かつ大量に形成すること
ができる薄膜パターン形成方法を提供する。 【解決手段】 供給ロール１２から送り出されたシート
状基板１１に対してマスク形成部１４において、印刷技
術、例えばインクジェット印刷法を用いて剥離可能な樹
脂（例えばアクリル樹脂）を塗布してマスクを形成す
る。このマスクをマスク硬化部１５において硬化させた
後、成膜部１６において全面に薄膜を形成する。このと
き薄膜は、マスクの厚みが薄膜より厚くなっていること
から、マスクのパターン上の部分とパターン間の部分と
の間で段切れが生ずる。薄膜を形成した後、マスク剥離
部１７において、シート状基板１１からマスクが剥離さ
れる。これにより、マスクに対してネガ形状の薄膜パタ
ーンが形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（Electr
oluminescence ）ディスプレイ等に用いられる薄膜を形
成するための薄膜パターンの形成方法および薄膜パター
ン形成装置に関する。
oluminescence ）ディスプレイ等に用いられる薄膜を形
成するための薄膜パターンの形成方法および薄膜パター
ン形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造に際し
て、スピナによりネガ型もしくはポジ型フォトレジスト
（感光性樹脂）を塗布し、このフォトレジストをステッ
パーにより露光現象してレジストのマスクを形成し、そ
の後、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition : 化学的気相成長) 法などによる
成膜、あるいはマスク形成前にあらかじめ形成しておい
た薄膜のエッチングを繰り返し行うことにより、シリコ
ン（Ｓｉ）などの結晶の基板上に微細なパターンのデバ
イスを形成することが行われている。このようにして形
成された薄膜パターンの精確さおよび細かさは、現在、
他の方法では実現できないレベルである。この方法は、
基板を一枚ずつ処理していくという枚葉式の処理を前提
としており、基板の現在の主流は８インチサイズであ
る。また、大型化を目指すフラットディスプレイ用のＴ
ＦＴ (Thin Film Transistor, 薄膜トランジスタ）基板
も、この方法と同様に枚葉式を用いて作製されている。
しかし、このような枚葉式の処理ではコスト高になると
いう問題がある。
て、スピナによりネガ型もしくはポジ型フォトレジスト
（感光性樹脂）を塗布し、このフォトレジストをステッ
パーにより露光現象してレジストのマスクを形成し、そ
の後、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition : 化学的気相成長) 法などによる
成膜、あるいはマスク形成前にあらかじめ形成しておい
た薄膜のエッチングを繰り返し行うことにより、シリコ
ン（Ｓｉ）などの結晶の基板上に微細なパターンのデバ
イスを形成することが行われている。このようにして形
成された薄膜パターンの精確さおよび細かさは、現在、
他の方法では実現できないレベルである。この方法は、
基板を一枚ずつ処理していくという枚葉式の処理を前提
としており、基板の現在の主流は８インチサイズであ
る。また、大型化を目指すフラットディスプレイ用のＴ
ＦＴ (Thin Film Transistor, 薄膜トランジスタ）基板
も、この方法と同様に枚葉式を用いて作製されている。
しかし、このような枚葉式の処理ではコスト高になると
いう問題がある。
【０００３】一方、有機ＥＬ（Electroluminescence ）
素子を多数配列してなるディスプレイなどの開発が進め
られている有機系半導体では、フレキシブルであるとい
う特徴を利用して、一方でロール状に巻いたその基板を
シート状にして送り出し、他方で送り出された基板をロ
ール状に巻き取ることにより基板を搬送し、この搬送中
に、基板に対してマスクの形成、成膜、エッチング、マ
スクの除去といった一連の工程を一貫して行うことによ
り薄膜パターンを形成する方法が提案されている。
素子を多数配列してなるディスプレイなどの開発が進め
られている有機系半導体では、フレキシブルであるとい
う特徴を利用して、一方でロール状に巻いたその基板を
シート状にして送り出し、他方で送り出された基板をロ
ール状に巻き取ることにより基板を搬送し、この搬送中
に、基板に対してマスクの形成、成膜、エッチング、マ
スクの除去といった一連の工程を一貫して行うことによ
り薄膜パターンを形成する方法が提案されている。
【０００４】しかしながら、このような方法により有機
系半導体の薄膜パターンを形成する場合、マスク形成工
程において、パターンをフォトレジストに露光する従来
の方法を適用しようとすると、連続した露光ができない
ため精確な微細パターンを多数同時に形成することがで
きないという問題があった。
系半導体の薄膜パターンを形成する場合、マスク形成工
程において、パターンをフォトレジストに露光する従来
の方法を適用しようとすると、連続した露光ができない
ため精確な微細パターンを多数同時に形成することがで
きないという問題があった。
【０００５】ところで、このようなパターンをインクジ
ェット法やグラビア印刷法，オフセット印刷法などの印
刷技術を用いて形成することができる。この方法であれ
ば、フォトレジストの露光工程が不要であり、しかも量
産性があるため、フラットパネルディスプレイ用のカラ
ーフィルタなどの薄膜パターンを形成する試みがなされ
ている。カラーフィルタの膜厚は数μｍ以上あるため、
これらの印刷技術でも充分な膜厚のコントロールが可能
であり、ストライプのパターンを形成することが可能で
ある。
ェット法やグラビア印刷法，オフセット印刷法などの印
刷技術を用いて形成することができる。この方法であれ
ば、フォトレジストの露光工程が不要であり、しかも量
産性があるため、フラットパネルディスプレイ用のカラ
ーフィルタなどの薄膜パターンを形成する試みがなされ
ている。カラーフィルタの膜厚は数μｍ以上あるため、
これらの印刷技術でも充分な膜厚のコントロールが可能
であり、ストライプのパターンを形成することが可能で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
印刷法は、カラーフィルタなどの比較的厚いパターンを
形成する場合には適用可能であるが、膜厚を数μｍ以上
でしかコントロールできないので、有機ＥＬディスプレ
イなど、数十ｎｍ以下の膜厚コントロールが必要なデバ
イスの薄膜作製にはそのまま適用することができないと
いう問題があった。
印刷法は、カラーフィルタなどの比較的厚いパターンを
形成する場合には適用可能であるが、膜厚を数μｍ以上
でしかコントロールできないので、有機ＥＬディスプレ
イなど、数十ｎｍ以下の膜厚コントロールが必要なデバ
イスの薄膜作製にはそのまま適用することができないと
いう問題があった。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、フレキシブルなシート状基板に数十
ｎｍ以下の微細な薄膜パターンを大面積かつ大量に形成
することができ、有機ＥＬディスプレイなどの製造に好
適な薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置
を提供することにある。
ので、その目的は、フレキシブルなシート状基板に数十
ｎｍ以下の微細な薄膜パターンを大面積かつ大量に形成
することができ、有機ＥＬディスプレイなどの製造に好
適な薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の薄膜
パターン形成方法は、シート状基板を搬送させる搬送工
程と、搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を
選択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形
成工程と、マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄
膜を形成する薄膜形成工程と、マスクとしての樹脂をシ
ート状基板から選択的に剥離させることによりマスクに
対してネガ形状の薄膜パターンを形成するマスク剥離工
程とを含むものである。ここで、搬送工程は、一方でロ
ール状に巻かれたシート状基板を送り出し、他方でロー
ル状に巻き取ることにより行うことが望ましい。
パターン形成方法は、シート状基板を搬送させる搬送工
程と、搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を
選択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形
成工程と、マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄
膜を形成する薄膜形成工程と、マスクとしての樹脂をシ
ート状基板から選択的に剥離させることによりマスクに
対してネガ形状の薄膜パターンを形成するマスク剥離工
程とを含むものである。ここで、搬送工程は、一方でロ
ール状に巻かれたシート状基板を送り出し、他方でロー
ル状に巻き取ることにより行うことが望ましい。
【０００９】本発明による第２の薄膜パターン形成方法
は、シート状基板を搬送させる搬送工程と、搬送中のシ
ート状基板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成工程
と、薄膜の上に剥離可能な樹脂を選択的に塗布すること
によりマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを用
いて薄膜を選択的に除去することによりマスクに対して
ポジ形状の薄膜パターンを形成するマスク剥離工程とを
含むものである。
は、シート状基板を搬送させる搬送工程と、搬送中のシ
ート状基板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成工程
と、薄膜の上に剥離可能な樹脂を選択的に塗布すること
によりマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを用
いて薄膜を選択的に除去することによりマスクに対して
ポジ形状の薄膜パターンを形成するマスク剥離工程とを
含むものである。
【００１０】本発明による第１の薄膜パターン形成装置
は、一方でロール状に巻かれたシート状基板を送り出
し、他方でロール状に巻き取ることによりシート状基板
を搬送させる搬送手段と、搬送中のシート状基板に対し
て剥離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスク
を形成するマスク形成手段と、マスクを含むシート状基
板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成手段と、マス
クとしての樹脂をシート状基板から選択的に剥離させる
ことによりマスクに対してネガ形状の薄膜パターンを形
成するマスク剥離手段とを備えている。
は、一方でロール状に巻かれたシート状基板を送り出
し、他方でロール状に巻き取ることによりシート状基板
を搬送させる搬送手段と、搬送中のシート状基板に対し
て剥離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスク
を形成するマスク形成手段と、マスクを含むシート状基
板の全面に所望の薄膜を形成する薄膜形成手段と、マス
クとしての樹脂をシート状基板から選択的に剥離させる
ことによりマスクに対してネガ形状の薄膜パターンを形
成するマスク剥離手段とを備えている。
【００１１】本発明による第２の薄膜パターン形成装置
は、一方でロール状に巻かれたシート状基板を送り出
し、他方でロール状に巻き取ることによりシート状基板
を搬送させる搬送手段と、搬送中のシート状基板の全面
に所望の薄膜を形成する薄膜形成手段と、薄膜の上に剥
離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスクを形
成するマスク形成手段と、マスクを用いて薄膜を選択的
に除去することによりマスクに対してポジ形状の薄膜パ
ターンを形成するマスク剥離手段とを備えている。
は、一方でロール状に巻かれたシート状基板を送り出
し、他方でロール状に巻き取ることによりシート状基板
を搬送させる搬送手段と、搬送中のシート状基板の全面
に所望の薄膜を形成する薄膜形成手段と、薄膜の上に剥
離可能な樹脂を選択的に塗布することによりマスクを形
成するマスク形成手段と、マスクを用いて薄膜を選択的
に除去することによりマスクに対してポジ形状の薄膜パ
ターンを形成するマスク剥離手段とを備えている。
【００１２】本発明による第１の薄膜パターン形成方法
または薄膜パターン形成装置では、例えばインクジェッ
ト法やオフセット法などの印刷法により、搬送中のシー
ト状基板に対して剥離可能な樹脂が選択的に塗布されて
マスクが形成された後、マスクを含むシート状基板の全
面に所望の薄膜が形成され、その後、マスクとしての樹
脂がシート状基板から選択的に剥離される。これにより
マスク自体の膜厚に関わらず、数十ｎｍ以下の薄膜パタ
ーンの形成が可能となる。
または薄膜パターン形成装置では、例えばインクジェッ
ト法やオフセット法などの印刷法により、搬送中のシー
ト状基板に対して剥離可能な樹脂が選択的に塗布されて
マスクが形成された後、マスクを含むシート状基板の全
面に所望の薄膜が形成され、その後、マスクとしての樹
脂がシート状基板から選択的に剥離される。これにより
マスク自体の膜厚に関わらず、数十ｎｍ以下の薄膜パタ
ーンの形成が可能となる。
【００１３】本発明による第２の薄膜パターン形成方法
または薄膜パターン形成装置では、シート状基板の全面
に所望の薄膜が形成され、その後、例えばインクジェッ
ト法やオフセット法などの印刷法により、搬送中のシー
ト状基板の薄膜の上に剥離可能な樹脂が選択的に塗布さ
れてマスクが形成された後、マスクとしての樹脂がシー
ト状基板から選択的に剥離される。これにより、上記と
同様にマスク自体の膜厚に関わらず、数十ｎｍ以下の薄
膜パターンの形成が可能となる。
または薄膜パターン形成装置では、シート状基板の全面
に所望の薄膜が形成され、その後、例えばインクジェッ
ト法やオフセット法などの印刷法により、搬送中のシー
ト状基板の薄膜の上に剥離可能な樹脂が選択的に塗布さ
れてマスクが形成された後、マスクとしての樹脂がシー
ト状基板から選択的に剥離される。これにより、上記と
同様にマスク自体の膜厚に関わらず、数十ｎｍ以下の薄
膜パターンの形成が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】〔第１の実施の形態〕図１は本発明の第１
の実施の形態に係る薄膜パターン形成装置１０の概略構
成を表すものである。この薄膜パターン形成装置１０
は、ロール状に巻かれたフレキシブルなシート状基板１
１を送り出すための供給ロール１２と、他方にシート状
にして供給されたシート状基板１１をロール状に巻き取
る巻取ロール１３とを備えている。これら供給ロール１
２および巻取ロール１３は、後述の各部のロールと共
に、各々の周速が互いに同期するように図示しない駆動
源により一定速度で回転されるようになっている。シー
ト状基板１１は、例えばポリエチレンテフタレート（Ｐ
ＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリエ
ーテルサルホン（ＰＥＳ）等のプラスチックにより構成
されている。なお、これら供給ロール１２、巻取ロール
１３および駆動源は本発明の「搬送手段」の一具体例に
対応している。
の実施の形態に係る薄膜パターン形成装置１０の概略構
成を表すものである。この薄膜パターン形成装置１０
は、ロール状に巻かれたフレキシブルなシート状基板１
１を送り出すための供給ロール１２と、他方にシート状
にして供給されたシート状基板１１をロール状に巻き取
る巻取ロール１３とを備えている。これら供給ロール１
２および巻取ロール１３は、後述の各部のロールと共
に、各々の周速が互いに同期するように図示しない駆動
源により一定速度で回転されるようになっている。シー
ト状基板１１は、例えばポリエチレンテフタレート（Ｐ
ＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリエ
ーテルサルホン（ＰＥＳ）等のプラスチックにより構成
されている。なお、これら供給ロール１２、巻取ロール
１３および駆動源は本発明の「搬送手段」の一具体例に
対応している。
【００１６】供給ロール１２と巻取ロール１３の間に
は、供給ロール１２によって供給されたシート状基板１
１の上に樹脂によるマスクを形成するためのマスク形成
部１４と、このマスク形成部１４によって形成された樹
脂を硬化させるためのマスク硬化部１５と、マスク硬化
部１５により硬化されたマスクを含むシート状基板１１
の全面に薄膜を形成するための成膜部１６と、この成膜
部１６により薄膜が形成されたシート状基板１１からマ
スク（樹脂）を剥離して薄膜パターンを形成するための
マスク剥離部１７、および薄膜パターンが形成されたシ
ート状基板１１に対して後処理を施す後処理部１８が、
この順に配置されている。
は、供給ロール１２によって供給されたシート状基板１
１の上に樹脂によるマスクを形成するためのマスク形成
部１４と、このマスク形成部１４によって形成された樹
脂を硬化させるためのマスク硬化部１５と、マスク硬化
部１５により硬化されたマスクを含むシート状基板１１
の全面に薄膜を形成するための成膜部１６と、この成膜
部１６により薄膜が形成されたシート状基板１１からマ
スク（樹脂）を剥離して薄膜パターンを形成するための
マスク剥離部１７、および薄膜パターンが形成されたシ
ート状基板１１に対して後処理を施す後処理部１８が、
この順に配置されている。
【００１７】マスク形成部１４は、例えばインクジェッ
ト印刷装置，グラビア印刷装置もしくはオフセット印刷
装置を用いて、シート状基板１１に対して剥離可能な樹
脂、例えばアクリル樹脂を選択的に数百μｍ以下の膜厚
で塗布（印刷）することによりマスクを形成するもので
ある。本実施の形態においては、このマスクの厚みは、
後述の剥離（リフトオフ）を容易にするため、成膜部１
６で形成する薄膜パターンの厚みよりも厚くすることが
望ましい。
ト印刷装置，グラビア印刷装置もしくはオフセット印刷
装置を用いて、シート状基板１１に対して剥離可能な樹
脂、例えばアクリル樹脂を選択的に数百μｍ以下の膜厚
で塗布（印刷）することによりマスクを形成するもので
ある。本実施の形態においては、このマスクの厚みは、
後述の剥離（リフトオフ）を容易にするため、成膜部１
６で形成する薄膜パターンの厚みよりも厚くすることが
望ましい。
【００１８】マスク硬化部１５は、このマスク形成部１
４で形成された樹脂のマスクを、例えば加熱ロール１５
Ａにより加熱し、硬化させるものである。なお、その
他、ＵＶ（Ultraviolet ）照射，ＥＢ（Electron Beam
）照射や乾燥によって硬化させるようにしてもよい。
４で形成された樹脂のマスクを、例えば加熱ロール１５
Ａにより加熱し、硬化させるものである。なお、その
他、ＵＶ（Ultraviolet ）照射，ＥＢ（Electron Beam
）照射や乾燥によって硬化させるようにしてもよい。
【００１９】成膜部１６は、マスク硬化部１５により硬
化されたマスクを含むシート状基板１１の全面に、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法およびＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition : 化学的気相成長) 法を含む真空
成膜技術、もしくはスピンコート法により、所望の膜厚
の薄膜を形成するものである。
化されたマスクを含むシート状基板１１の全面に、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法およびＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition : 化学的気相成長) 法を含む真空
成膜技術、もしくはスピンコート法により、所望の膜厚
の薄膜を形成するものである。
【００２０】マスク剥離部１７は、粘着ロール１７Ａお
よび対向ロール１７Ｂにより構成されており、これら粘
着ロール１７Ａと対向ロール１７Ｂとの間を通過させる
際に、薄膜が形成されたシート状基板１１から樹脂のマ
スクのパターンを剥ぎ取って（リフトオフ）薄膜パター
ンを形成するものである。なお、ここでは、その他の方
法、例えばスクィーズで樹脂をこすり取る方法、エッチ
ングガスを吹き付けてエッチングすることにより物理的
に樹脂を剥ぎ取る方法、若しくは、樹脂を燃焼させる方
法、溶剤に溶かし気化させて洗浄する化学的な方法を用
いるようにしてもよい。
よび対向ロール１７Ｂにより構成されており、これら粘
着ロール１７Ａと対向ロール１７Ｂとの間を通過させる
際に、薄膜が形成されたシート状基板１１から樹脂のマ
スクのパターンを剥ぎ取って（リフトオフ）薄膜パター
ンを形成するものである。なお、ここでは、その他の方
法、例えばスクィーズで樹脂をこすり取る方法、エッチ
ングガスを吹き付けてエッチングすることにより物理的
に樹脂を剥ぎ取る方法、若しくは、樹脂を燃焼させる方
法、溶剤に溶かし気化させて洗浄する化学的な方法を用
いるようにしてもよい。
【００２１】後処理部１８では、薄膜パターンが形成さ
れたシート基板１１に対して、残さを除去するためのオ
ゾンクリーニング処理，プラズマベースイオン注入（Ｐ
ＢＩＩ）によるイオン注入処理等の後処理が施されるよ
うになっている。
れたシート基板１１に対して、残さを除去するためのオ
ゾンクリーニング処理，プラズマベースイオン注入（Ｐ
ＢＩＩ）によるイオン注入処理等の後処理が施されるよ
うになっている。
【００２２】次に、この薄膜パターン形成装置１０によ
り微細な薄膜パターンを形成する方法について、図２お
よび図３を参照して説明する。
り微細な薄膜パターンを形成する方法について、図２お
よび図３を参照して説明する。
【００２３】まず、供給ロール１２から送り出されたシ
ート状基板１１（図２（Ａ））に対してマスク形成部１
４において、図２（Ｂ）に示したように、印刷技術、例
えばインクジェット印刷法を用いて剥離可能な樹脂（例
えばアクリル樹脂）が選択的に６μｍの膜厚で塗布さ
れ、マスク２１が形成される。このマスク２１のパター
ンは所望の薄膜パターンのネガ形状とする。この樹脂の
マスク２１はマスク硬化部１５において加熱されて硬化
され、図２（Ｃ）に示したようにマスク２１Ａとなる。
続いて、成膜部１６では、図３（Ａ）に示したように、
マスク硬化部１５において硬化されたマスク２１Ａを含
むシート状基板１１の全面に対して例えば真空蒸着法に
より例えば０．０２μｍの厚みの薄膜２２が形成され
る。このとき薄膜２２は、マスク２１Ａの厚みが薄膜２
２より厚くなっていることから、マスク２１Ａのパター
ン上の部分とパターン間の部分との間で段切れが生ず
る。
ート状基板１１（図２（Ａ））に対してマスク形成部１
４において、図２（Ｂ）に示したように、印刷技術、例
えばインクジェット印刷法を用いて剥離可能な樹脂（例
えばアクリル樹脂）が選択的に６μｍの膜厚で塗布さ
れ、マスク２１が形成される。このマスク２１のパター
ンは所望の薄膜パターンのネガ形状とする。この樹脂の
マスク２１はマスク硬化部１５において加熱されて硬化
され、図２（Ｃ）に示したようにマスク２１Ａとなる。
続いて、成膜部１６では、図３（Ａ）に示したように、
マスク硬化部１５において硬化されたマスク２１Ａを含
むシート状基板１１の全面に対して例えば真空蒸着法に
より例えば０．０２μｍの厚みの薄膜２２が形成され
る。このとき薄膜２２は、マスク２１Ａの厚みが薄膜２
２より厚くなっていることから、マスク２１Ａのパター
ン上の部分とパターン間の部分との間で段切れが生ず
る。
【００２４】薄膜２２が形成された後、シート状基板１
１はマスク剥離部１７へ移行し、ここで、図３（Ｂ）に
示したように、例えば粘着ロール１７Ａによりマスク２
１Ａが剥離される。これにより、マスク２１Ａに対して
ネガ形状の薄膜パターン２２Ａが形成される。その後、
薄膜パターン２２Ａが形成されたシート状基板１１は後
処理部１８においてオゾンクリーニング処理等の処理が
なされた後、巻取ロール１３に巻き取られる。
１はマスク剥離部１７へ移行し、ここで、図３（Ｂ）に
示したように、例えば粘着ロール１７Ａによりマスク２
１Ａが剥離される。これにより、マスク２１Ａに対して
ネガ形状の薄膜パターン２２Ａが形成される。その後、
薄膜パターン２２Ａが形成されたシート状基板１１は後
処理部１８においてオゾンクリーニング処理等の処理が
なされた後、巻取ロール１３に巻き取られる。
【００２５】このように本実施の形態では、マスク形成
部１４において、インクジェット印刷やグラビア印刷，
オフセット印刷などの印刷技術を用いてマスク２１Ａを
形成するようにしているので、従来のようなフォトレジ
ストに対してマスクパターンを露光するような工程を用
いることなく、マスクを形成することができる。そし
て、これらの印刷装置には、量産性があるので、薄膜パ
ターン形成装置１０において、マスクの形成、成膜、エ
ッチング、マスクの除去といった一連の工程を連続して
行うことができる。従って、数十ｎｍ以下の微細な薄膜
パターンを大面積かつ大量に形成することが可能にな
り、フレキシブルなシート状の基板の上に、多層の薄膜
を形成することによって、ボリマー半導体や有機ＥＬ素
子などの大量生産が可能になる。
部１４において、インクジェット印刷やグラビア印刷，
オフセット印刷などの印刷技術を用いてマスク２１Ａを
形成するようにしているので、従来のようなフォトレジ
ストに対してマスクパターンを露光するような工程を用
いることなく、マスクを形成することができる。そし
て、これらの印刷装置には、量産性があるので、薄膜パ
ターン形成装置１０において、マスクの形成、成膜、エ
ッチング、マスクの除去といった一連の工程を連続して
行うことができる。従って、数十ｎｍ以下の微細な薄膜
パターンを大面積かつ大量に形成することが可能にな
り、フレキシブルなシート状の基板の上に、多層の薄膜
を形成することによって、ボリマー半導体や有機ＥＬ素
子などの大量生産が可能になる。
【００２６】以上、第１の実施の形態について説明した
が、上述したマスクの形成工程と薄膜の形成工程の順序
を変えるようにしてもよい。以下、その例について第２
の実施の形態として説明する。
が、上述したマスクの形成工程と薄膜の形成工程の順序
を変えるようにしてもよい。以下、その例について第２
の実施の形態として説明する。
【００２７】〔第２の実施の形態〕図４は本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜パターン形成装置１０Ａの概略
構成を表すものである。なお、本実施の形態では、第１
の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付し
てその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明す
る。
の実施の形態に係る薄膜パターン形成装置１０Ａの概略
構成を表すものである。なお、本実施の形態では、第１
の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付し
てその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明す
る。
【００２８】この薄膜パターン形成装置１０Ａは、供給
ロール１２とマスク形成部１４との間に成膜部１６が配
置されると共に、マスク硬化部１５とマスク剥離部１７
との間に薄膜エッチング部１９を設けたものである。そ
の他の構成は第１の実施の形態と同様である。すなわ
ち、本実施の形態では、所望の膜厚の薄膜を先に形成
し、この薄膜の上に印刷技術によりマスクを形成し、こ
のマスクを用いて薄膜をエッチングすることにより薄膜
のパターニングを行うものである。具体的に、図５およ
び図６を参照してその工程を説明する。
ロール１２とマスク形成部１４との間に成膜部１６が配
置されると共に、マスク硬化部１５とマスク剥離部１７
との間に薄膜エッチング部１９を設けたものである。そ
の他の構成は第１の実施の形態と同様である。すなわ
ち、本実施の形態では、所望の膜厚の薄膜を先に形成
し、この薄膜の上に印刷技術によりマスクを形成し、こ
のマスクを用いて薄膜をエッチングすることにより薄膜
のパターニングを行うものである。具体的に、図５およ
び図６を参照してその工程を説明する。
【００２９】まず、供給ロール１２から送り出されたシ
ート状基板１１（図５（Ａ））に対して、成膜部１６に
おいて、図５（Ｂ）に示したように、シート状基板１１
の全面に対して例えば真空蒸着法により０．０３μｍの
厚みの薄膜２２が形成される。続いて、マスク形成部１
４において、図５（Ｃ）に示したように、印刷技術、例
えばインクジェット印刷法を用いて剥離可能な樹脂（例
えばアクリル樹脂）が選択的に３μｍの膜厚で塗布さ
れ、マスク２１が形成される。このマスク２１のパター
ンは所望の薄膜パターンのポジ形状とする。このマスク
２１は、図６（Ａ）に示したようにマスク硬化部１５に
おいて硬化される（マスク２１Ａ）。
ート状基板１１（図５（Ａ））に対して、成膜部１６に
おいて、図５（Ｂ）に示したように、シート状基板１１
の全面に対して例えば真空蒸着法により０．０３μｍの
厚みの薄膜２２が形成される。続いて、マスク形成部１
４において、図５（Ｃ）に示したように、印刷技術、例
えばインクジェット印刷法を用いて剥離可能な樹脂（例
えばアクリル樹脂）が選択的に３μｍの膜厚で塗布さ
れ、マスク２１が形成される。このマスク２１のパター
ンは所望の薄膜パターンのポジ形状とする。このマスク
２１は、図６（Ａ）に示したようにマスク硬化部１５に
おいて硬化される（マスク２１Ａ）。
【００３０】続いて、図６（Ｂ）に示したように、薄膜
エッチング部１９において、マスク２１Ａを用いて薄膜
２２のエッチングが行われ、薄膜パターン２２Ａが形成
される。エッチング方法としては、例えば酸素ラジカル
によるエッチングなどのドライエッチングが用いられ
る。薄膜パターン２２Ａが形成された後、シート状基板
１１はマスク剥離部１７へ移行し、ここで、図６（Ｃ）
に示したように、例えば粘着ロール１７Ａによりマスク
２１Ａが剥離される。これにより、マスク２１Ａに対し
てポジ形状の薄膜パターン２２Ａが形成される。その
後、シート状基板１１は後処理部１８においてオゾンク
リーニング処理等の処理がなされた後、巻取ロール１３
に巻き取られる。
エッチング部１９において、マスク２１Ａを用いて薄膜
２２のエッチングが行われ、薄膜パターン２２Ａが形成
される。エッチング方法としては、例えば酸素ラジカル
によるエッチングなどのドライエッチングが用いられ
る。薄膜パターン２２Ａが形成された後、シート状基板
１１はマスク剥離部１７へ移行し、ここで、図６（Ｃ）
に示したように、例えば粘着ロール１７Ａによりマスク
２１Ａが剥離される。これにより、マスク２１Ａに対し
てポジ形状の薄膜パターン２２Ａが形成される。その
後、シート状基板１１は後処理部１８においてオゾンク
リーニング処理等の処理がなされた後、巻取ロール１３
に巻き取られる。
【００３１】本実施の形態においても、第１の実施の形
態と同様に、マスク形成部１４において、インクジェッ
ト印刷、オフセット印刷などの印刷技術を用いてマスク
２１Ａを形成するようにしているので、従来のようなフ
ォトレジストに対してマスクパターンを露光するような
工程を用いることなく、マスクを形成することができ、
数十ｎｍ以下の微細な薄膜パターンを大面積かつ大量に
形成することが可能になる。
態と同様に、マスク形成部１４において、インクジェッ
ト印刷、オフセット印刷などの印刷技術を用いてマスク
２１Ａを形成するようにしているので、従来のようなフ
ォトレジストに対してマスクパターンを露光するような
工程を用いることなく、マスクを形成することができ、
数十ｎｍ以下の微細な薄膜パターンを大面積かつ大量に
形成することが可能になる。
【００３２】上記第１の実施の形態および第２の実施の
形態で説明した薄膜パターン形成方法を繰り返し実行す
ることにより、各種の３次元積層構造のデバイスを作製
することができる。以下、第１，第２の実施の形態によ
る方法を用いて有機ＥＬディスプレイを作製する例を図
７〜図１５を参照して説明する。なお、図７〜図１４の
各図において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−
Ｂ矢視方向の断面図をそれぞれ表している。
形態で説明した薄膜パターン形成方法を繰り返し実行す
ることにより、各種の３次元積層構造のデバイスを作製
することができる。以下、第１，第２の実施の形態によ
る方法を用いて有機ＥＬディスプレイを作製する例を図
７〜図１５を参照して説明する。なお、図７〜図１４の
各図において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−
Ｂ矢視方向の断面図をそれぞれ表している。
【００３３】まず、基板、例えばシート状の透明のプラ
スチック基板３０（図７（Ａ），（Ｂ））を用意し、図
８（Ａ），（Ｂ）に示したように、プラスチック基板３
０の上に電極膜３１、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜を形成する。続いて、図９（Ａ），（Ｂ）に示し
たように、印刷技術によってストライプ状にアクリル樹
脂を塗布することによりマスクを形成し、次いでＵＶを
照射して硬化させる（マスク３２Ａ）。
スチック基板３０（図７（Ａ），（Ｂ））を用意し、図
８（Ａ），（Ｂ）に示したように、プラスチック基板３
０の上に電極膜３１、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜を形成する。続いて、図９（Ａ），（Ｂ）に示し
たように、印刷技術によってストライプ状にアクリル樹
脂を塗布することによりマスクを形成し、次いでＵＶを
照射して硬化させる（マスク３２Ａ）。
【００３４】次に、図１０（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、例えばテトラクロロエタン（Ｃ 2 Ｈ2 Ｃｌ4 ）およ
びアルゴン（Ａｒ）からなるガスを流し込んでプラズマ
を発生させ、マスク３２Ａを用いて電極膜３１を選択的
に除去して、マスク３２Ａに対してポジ形状の電極パタ
ーン３１Ａを形成する。続いて、図１１（Ａ），（Ｂ）
に示したようにプラスチック基板３０からマスク３２Ａ
を剥離させる。
に、例えばテトラクロロエタン（Ｃ 2 Ｈ2 Ｃｌ4 ）およ
びアルゴン（Ａｒ）からなるガスを流し込んでプラズマ
を発生させ、マスク３２Ａを用いて電極膜３１を選択的
に除去して、マスク３２Ａに対してポジ形状の電極パタ
ーン３１Ａを形成する。続いて、図１１（Ａ），（Ｂ）
に示したようにプラスチック基板３０からマスク３２Ａ
を剥離させる。
【００３５】次に、図１２（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、再び印刷技術を用いて、ストライプ状の電極パター
ン３１Ａに対して直交する方向にストライプ状にアクリ
ル樹脂を塗布することによりマスクを形成し、引き続き
ＵＶを照射してマスクを硬化させる（マスク３３Ａ）。
に、再び印刷技術を用いて、ストライプ状の電極パター
ン３１Ａに対して直交する方向にストライプ状にアクリ
ル樹脂を塗布することによりマスクを形成し、引き続き
ＵＶを照射してマスクを硬化させる（マスク３３Ａ）。
【００３６】次いで、図１３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に
示したように、例えば、ＴＰＤ（N,N' - ジフェニル-N,
N'- ビス（３メチルフェニル）-1, １’−ビフェニル
４,4' -ジアミン）、α―ＮＰＤ（α―ナフチルフェニ
ルジアミン）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム錯体（tris(8-hydroxyquinoline)aluminum、Ａｌ
ｑ 3 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）を順次成膜し、薄膜３４を形成する。このとき、薄
膜３４は、マスク３３Ａの厚みが薄膜３４より厚くなっ
ていることから、マスク３３Ａのパターン上の部分とパ
ターン間の部分との間で段切れが生ずる。なお、図１３
（Ｃ）は図１３（Ａ）のＣ−Ｃ矢視方向の断面図であ
る。
示したように、例えば、ＴＰＤ（N,N' - ジフェニル-N,
N'- ビス（３メチルフェニル）-1, １’−ビフェニル
４,4' -ジアミン）、α―ＮＰＤ（α―ナフチルフェニ
ルジアミン）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム錯体（tris(8-hydroxyquinoline)aluminum、Ａｌ
ｑ 3 ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）を順次成膜し、薄膜３４を形成する。このとき、薄
膜３４は、マスク３３Ａの厚みが薄膜３４より厚くなっ
ていることから、マスク３３Ａのパターン上の部分とパ
ターン間の部分との間で段切れが生ずる。なお、図１３
（Ｃ）は図１３（Ａ）のＣ−Ｃ矢視方向の断面図であ
る。
【００３７】次に、図１４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示
したように、例えばスクイージによりアクリル樹脂のマ
スク３３Ａを剥離させる。これにより、マスク３３Ａに
対してネガ形状の薄膜パターン３４Ａが形成される。最
後に、プラスチック基板３０の全面に例えば蒸着法によ
りアルミナ（酸化アルミニウム）膜３５を形成する。な
お、図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）のＣ−Ｃ矢視方向の断
面図である。以上の工程により、図１５に示したよう
に、プラスチック基板３０の裏面から緑色の単色発光を
示す有機ＥＬ素子３７がマトリックスパターン状に複数
配列された有機ＥＬディスプレイ３６を作製することが
できる。なお、図１５はこの有機ＥＬディスプレイ３６
のプラスチック基板３０の裏面側から見た図である。
したように、例えばスクイージによりアクリル樹脂のマ
スク３３Ａを剥離させる。これにより、マスク３３Ａに
対してネガ形状の薄膜パターン３４Ａが形成される。最
後に、プラスチック基板３０の全面に例えば蒸着法によ
りアルミナ（酸化アルミニウム）膜３５を形成する。な
お、図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）のＣ−Ｃ矢視方向の断
面図である。以上の工程により、図１５に示したよう
に、プラスチック基板３０の裏面から緑色の単色発光を
示す有機ＥＬ素子３７がマトリックスパターン状に複数
配列された有機ＥＬディスプレイ３６を作製することが
できる。なお、図１５はこの有機ＥＬディスプレイ３６
のプラスチック基板３０の裏面側から見た図である。
【００３８】以上のように、薄膜エッチング用のマスク
をインクジェット法等の印刷技術により形成するように
したので、有機ＥＬディスプレイ３６を大面積かつ大量
に作製することができ、電子ペーパ等の実現が容易にな
る。
をインクジェット法等の印刷技術により形成するように
したので、有機ＥＬディスプレイ３６を大面積かつ大量
に作製することができ、電子ペーパ等の実現が容易にな
る。
【００３９】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、具体例として有機ＥＬディスプレイ３６を作製する
例について説明したが，液晶表示ディスプレイ等の他の
デバイスを作製するようにしてもよい。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、具体例として有機ＥＬディスプレイ３６を作製する
例について説明したが，液晶表示ディスプレイ等の他の
デバイスを作製するようにしてもよい。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の薄膜パター
ン形成方法および薄膜パターン形成装置によれば、フレ
キシブルなシート状基板に対して、薄膜エッチング用の
マスクを、剥離可能な樹脂を用いた印刷技術により選択
的に塗布し形成するようにしたので、数十ｎｍ以下で微
細な薄膜パターンを大面積かつ大量に形成することがで
き、その工程を繰り返し行うことにより、３次元構造を
有するフレキシブル半導体デバイスや電子ペーパを大面
積かつ大量に製造することが可能になる。
ン形成方法および薄膜パターン形成装置によれば、フレ
キシブルなシート状基板に対して、薄膜エッチング用の
マスクを、剥離可能な樹脂を用いた印刷技術により選択
的に塗布し形成するようにしたので、数十ｎｍ以下で微
細な薄膜パターンを大面積かつ大量に形成することがで
き、その工程を繰り返し行うことにより、３次元構造を
有するフレキシブル半導体デバイスや電子ペーパを大面
積かつ大量に製造することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜パターン
形成装置の構成図である。
形成装置の構成図である。
【図２】図１の薄膜パターン形成装置による薄膜パター
ンの形成方法を説明するための断面図である。
ンの形成方法を説明するための断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程を説明するための断面図
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜パターン
形成装置の構成図である。
形成装置の構成図である。
【図５】図４の薄膜パターン形成装置による薄膜パター
ンの形成方法を説明するための断面図である。
ンの形成方法を説明するための断面図である。
【図６】図５の工程に続く工程を説明するための断面図
である。
である。
【図７】有機ＥＬ素子を作製する方法を説明するための
工程図である。
工程図である。
【図８】図７の工程に続く工程を説明するための工程図
である。
である。
【図９】図８の工程に続く工程を説明するための工程図
である。
である。
【図１０】図９の工程に続く工程を説明するための工程
図である。
図である。
【図１１】図１０の工程に続く工程を説明するための工
程図である。
程図である。
【図１２】図１１の工程に続く工程を説明するための工
程図である。
程図である。
【図１３】図１２の工程に続く工程を説明するための工
程図である。
程図である。
【図１４】図１３の工程に続く工程を説明するための工
程図である。
程図である。
【図１５】有機ＥＬディスプレイの表示面側の構成を表
す図である。
す図である。
１０，１０Ａ…薄膜パターン形成装置、１１…シート状
基板、１２…供給ロール、１３…巻取ロール、１４…マ
スク形成部、１５…マスク硬化部、１５Ａ・・・加熱ロー
ル、１６…成膜部、１７…マスク剥離部、１７Ａ・・・ 粘
着ロール，１７Ｂ・・・ 対向ロール、１８…後処理部、１
９…薄膜エッチング部、２１，２１Ａ，３２Ａ，３３Ａ
・・・ マスク、２２，３４・・・ 薄膜、２２Ａ，３４Ａ・・・
薄膜パターン 、３０・・・ プラスチック基板、３１・・・
電極膜、３１Ａ・・・ 電極膜パターン、３５・・・ アルミナ
膜、３６・・・ 有機ＥＬディスプレイ、３７・・・ 有機ＥＬ
素子
基板、１２…供給ロール、１３…巻取ロール、１４…マ
スク形成部、１５…マスク硬化部、１５Ａ・・・加熱ロー
ル、１６…成膜部、１７…マスク剥離部、１７Ａ・・・ 粘
着ロール，１７Ｂ・・・ 対向ロール、１８…後処理部、１
９…薄膜エッチング部、２１，２１Ａ，３２Ａ，３３Ａ
・・・ マスク、２２，３４・・・ 薄膜、２２Ａ，３４Ａ・・・
薄膜パターン 、３０・・・ プラスチック基板、３１・・・
電極膜、３１Ａ・・・ 電極膜パターン、３５・・・ アルミナ
膜、３６・・・ 有機ＥＬディスプレイ、３７・・・ 有機ＥＬ
素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０５Ｂ 33/02 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 BA07 CA06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4K029 AA11 AA25 BA62 BD00 CA01 CA05 FA01 HA00 4K030 CA07 CA17 DA05 LA18 5F045 BB00 DP22 EB02 5G435 AA17 BB05 CC09 HH18 HH20 KK05 KK10
Claims (14)
- 【請求項１】 シート状基板を搬送させる搬送工程と、 前記搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を選
択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形成
工程と、 前記マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄膜を形
成する薄膜形成工程と、 前記マスクを前記シート状基板から選択的に剥離させる
ことにより薄膜パターンを形成するマスク剥離工程とを
含むことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 - 【請求項２】 前記搬送工程を、一方でロール状に巻か
れたシート状基板を送り出し、他方でロール状に巻き取
ることにより行うことを特徴とする請求項１記載の薄膜
パターン形成方法。 - 【請求項３】 更に、前記樹脂のマスクを形成した後、
前記樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする請求
項１記載の薄膜パターン形成方法。 - 【請求項４】 前記マスク形成工程、薄膜形成工程およ
びマスク剥離工程をそれぞれ複数回繰り返して３次元の
積層構造のデバイスを形成することを特徴とする請求項
１記載の薄膜パターン形成方法。 - 【請求項５】 シート状基板を搬送させる搬送工程と、 前記搬送中のシート状基板の全面に所望の薄膜を形成す
る薄膜形成工程と、 前記薄膜の上に剥離可能な樹脂を選択的に塗布すること
によりマスクを形成するマスク形成工程と、 前記マスクを用いて前記薄膜を選択的に除去することに
より薄膜パターンを形成する薄膜エッチング工程とを含
むことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 - 【請求項６】 前記搬送工程を、一方でロール状に巻か
れたシート状基板を送り出し、他方でロール状に巻き取
ることにより行うことを特徴とする請求項５記載の薄膜
パターン形成方法。 - 【請求項７】 更に、前記樹脂のマスクを形成した後、
前記樹脂を硬化させる工程を含むことを特徴とする請求
項５記載の薄膜パターン形成方法。 - 【請求項８】 前記薄膜形成工程、マスク形成工程およ
び薄膜エッチング工程をそれぞれ複数回繰り返して３次
元の積層構造のデバイスを形成することを特徴とする請
求項５記載の薄膜パターン形成方法。 - 【請求項９】 一方でロール状に巻かれたシート状基板
を送り出し、他方でロール状に巻き取ることにより前記
シート状基板を搬送させる搬送手段と、 前記搬送中のシート状基板に対して剥離可能な樹脂を選
択的に塗布することによりマスクを形成するマスク形成
手段と、 前記マスクを含むシート状基板の全面に所望の薄膜を形
成する薄膜形成手段と、 前記マスクとしての樹脂を前記シート状基板から選択的
に剥離させることにより薄膜パターンを形成するマスク
剥離手段とを含むことを特徴とする薄膜パターン形成装
置。 - 【請求項１０】 前記マスク形成手段が、インクジェッ
ト印刷法，グラビア印刷法もしくはオフセット印刷法を
用いて樹脂のパターンを形成することを特徴とする請求
項９記載の薄膜パターン形成装置。 - 【請求項１１】 前記薄膜形成手段が、真空蒸着法、ス
パッタリング法およびＣＶＤ法を含む真空薄膜成膜技
術、もしくはスピンコート法により薄膜を形成すること
を特徴とする請求項９記載の薄膜パターン形成装置。 - 【請求項１２】 一方でロール状に巻かれたシート状基
板を送り出し、他方でロール状に巻き取ることにより前
記シート状基板を搬送させる搬送手段と、 前記搬送中のシート状基板の全面に所望の薄膜を形成す
る薄膜形成手段と、 前記薄膜の上に剥離可能な樹脂を選択的に塗布すること
によりマスクを形成するマスク形成手段と、 前記マスクを用いて前記薄膜を選択的に除去することに
より薄膜パターンを形成する薄膜エッチング手段とを含
むことを特徴とする薄膜パターン形成装置。 - 【請求項１３】 前記薄膜形成手段が、真空蒸着法、ス
パッタリング法およびＣＶＤ法を含む真空薄膜成膜技
術、もしくはスピンコート法により薄膜を形成すること
を特徴とする請求項１２記載の薄膜パターン形成装置。 - 【請求項１４】 前記マスク形成手段が、インクジェッ
ト印刷法，グラビア印刷法もしくはオフセット印刷法を
用いて樹脂のパターンを形成することを特徴とする請求
項１２記載の薄膜パターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168072A JP2002367774A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168072A JP2002367774A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367774A true JP2002367774A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19010357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001168072A Pending JP2002367774A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 薄膜パターン形成方法および薄膜パターン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002367774A (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101756496B1 (ko) | 2010-04-09 | 2017-07-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치 |
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