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JP2001266724A - 合金型温度ヒュ−ズ - Google Patents

合金型温度ヒュ−ズ

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JP2001266724A
JP2001266724A JP2000081924A JP2000081924A JP2001266724A JP 2001266724 A JP2001266724 A JP 2001266724A JP 2000081924 A JP2000081924 A JP 2000081924A JP 2000081924 A JP2000081924 A JP 2000081924A JP 2001266724 A JP2001266724 A JP 2001266724A
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JP
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weight
fuse
fuse element
temperature
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JP2000081924A
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Yoshiaki Tanaka
嘉明 田中
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Uchihashi Estec Co Ltd
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Uchihashi Estec Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H37/00Thermally-actuated switches
    • H01H37/74Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
    • H01H37/76Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
    • H01H2037/768Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material characterised by the composition of the fusible material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H37/00Thermally-actuated switches
    • H01H37/74Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
    • H01H37/76Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
    • H01H37/761Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit

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Abstract

(57)【要約】 【課題】作動温度が95℃〜105℃の範囲で、環境保
全の要請を充足し、ヒュ−ズエレメント径をほぼ300
μmφ程度に極細化し得、自己発熱をよく抑えて正確に
作動させ得る合金型温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
が、Sn40〜46重量%、Bi7〜12重量%、残部
Inである。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
【0001】本発明は、作動温度が95℃〜105℃の
合金型温度ヒュ−ズに関するものである。
【従来の技術】
【0002】合金型温度ヒュ−ズにおいては、フラック
スを塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメントと
しており、保護すべき電気機器に取り付けて使用され
る。
【0003】この場合、電気機器がその異常時に発熱す
ると、その発生熱により低融点可溶合金片が液相化さ
れ、その溶融金属がフラックスとの共存下、表面張力に
より球状化され、球状化の進行により分断されて機器へ
の通電が遮断される。
【0004】上記低融点可溶合金に要求される要件の一
つは、固相線と液相線との間の固液共存域が狭いことで
ある。すなわち、通常、合金においては、固相線と液相
線との間に固液共存域が存在し、この領域においては、
液相中に固相粒体が分散した状態にあり、液相様の性質
も備えているために、上記の球状化分断が発生する可能
性があり、従って、液相線温度(この温度をTとする)
以前に固液共存域に属する温度範囲(ΔTとする)で、
低融点可溶合金片が球状化分断される可能性がある。而
して、かかる低融点可溶合金片を用いた温度ヒュ−ズに
おいては、ヒュ−ズエレメント温度が(T−ΔT)〜T
となる温度範囲で動作するものとして取り扱わなければ
ならず、従って、ΔTが小であるほど、すなわち、固液
共存域が狭いほど、温度ヒュ−ズの作動温度範囲のバラ
ツキを小として、温度ヒュ−ズを所定の設定温度で作動
させることができる。従って、温度ヒュ−ズのヒュ−ズ
エレメントとして使用される合金には、まず固液共存域
が狭いことが要求される。
【0005】更に、近来、電子電気機器の小型化に伴
い、温度ヒュ−ズにおいても小型化が要求され、かかる
小型化に対処するために、例えば、300μmφという
細線加工性が要求される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】近来、携帯電子機器の
普及に伴い、作動温度が95℃〜105℃の合金型温度
ヒュ−ズの需用が多く、この合金型温度ヒュ−ズのヒュ
−ズエレメントとしては、固液共存域が100℃前後
で、その領域の巾が温度ヒュ−ズの作動上許容できる範
囲、通常4℃以内にあることが要求され、かかる合金と
しては、96℃共晶のBi−Pb−Sn合金(Bi52
重量%,Pb32重量%,Sn16重量%)や103℃
共晶のBi−Sn−Cd合金(Bi54重量%,Sn1
6重量%,Cd20重量%)が用いられている。しかし
ながら、これらの合金においては、生態に有害なPbや
Cdを含有しており、環境保全の面から改良が求められ
ている。
【0007】従来、上記PbやCd等の有害金属を含有
しない合金型温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントとし
て、Sn−In−Biの三元合金が知られているが、延
性が合金強度に比べて著しく大きいために、従来の合金
型温度ヒュ−ズに用いられている線径500μmφ以上
のヒュ−ズエレメントの加工は可能であっても、前記3
00μmφといった細線化は難しい。
【0008】かかる現況下、本発明者において、In−
Sn−Biの三元合金をヒュ−ズエレメント組成とし、
作動温度が95℃〜105℃の範囲で、ヒュ−ズエレメ
ント径をほぼ300μmφ程度に極細化し得、自己発熱
をよく抑えて正確に作動させ得る合金型温度ヒュ−ズを
開発すべく鋭意検討したところ、Sn40〜46重量
%、Bi7〜12重量%、残部Inの合金組成によっ
て、その目的を達成できることを知った。
【0009】本発明の目的は、かかる成果を基礎とし
て、作動温度が95℃〜105℃の範囲で、環境保全の
要請を充足し、ヒュ−ズエレメント径をほぼ300μm
φ程度に極細化し得、自己発熱をよく抑えて正確に作動
させ得る合金型温度ヒュ−ズを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
合金型温度ヒュ−ズは、低融点可溶合金をヒュ−ズエレ
メントとする温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の
合金組成が、Sn40〜46重量%、Bi7〜12重量
%、残部Inであることを特徴とする構成である。本発
明の請求項2に係る合金型温度ヒュ−ズは、低融点可溶
合金をヒュ−ズエレメントとする温度ヒュ−ズにおい
て、低融点可溶合金の合金組成が、Sn40〜46重量
%、Bi7〜12重量%、残部Inの100重量部にA
gが0.5〜3.5重量部添加された組成であることを
特徴とする構成であり、Agの添加により、比抵抗を低
減できると共に動作温度を殆ど変えずに固液共存領域の
巾を狭めて作動温度のバラツキをより一層に抑制でき
る。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズ
において、ヒュ−ズエレメントには、外径200μmφ
〜500μmφ、好ましくは250μmφ〜350μm
φの円形線、または当該円形線と同一断面積の扁平線を
使用できる。
【0012】このヒュ−ズエレメントの合金は、Sn4
0〜46重量%、Bi7〜12重量%、残部In、好ま
しくは、Sn43〜45重量%、Bi7〜9重量%、残
部Inあり、基準組成は、Sn44.5重量%,Bi
7.4重量%,In48.1重量%であり,その液相線
温度は102℃,固液共存域巾は4℃である。
【0013】前記In及びSnにより細線の線引きに必
要な充分な延性が与えられ、Biにより融点が100℃
付近にされて、98℃〜102℃の固液共存域に設定さ
れる。Biが7重量%未満では、強度が不足して350
μmφという細線の線引きが困難となり、12重量%を
越えると、脆弱となり、同細線の線引きが困難となる。
温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレメントと機器との間には、
その間の熱抵抗のために約2℃の温度差が生じるから、
この基準組成を使用した温度ヒュ−ズの作動温度は10
0℃〜104℃である。前記ヒュ−ズエレメントの抵抗
率は、ほぼ20μΩ・cmである。
【0014】上記合金組成100重量部にAgを0.5
〜3.5重量部添加することにより、抵抗率を前記より
も低くすることができ、例えば、3.5重量部添加する
ことにより、10%程度低くできる。
【0015】本発明に係る温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレ
メントは、合金母材の線引きにより製造され、断面丸形
のまま、または、さらに扁平に圧縮加工して使用でき
る。
【0016】図1は、本発明に係るテ−プタイプの合金
型温度ヒュ−ズを示し、厚み100〜300μmのプラ
スチックベ−スフィルム41に厚み100〜200μm
の帯状リ−ド導体1,1を接着剤または融着により固着
し、帯状リ−ド導体間に線径250μmφ〜500μm
φのヒュ−ズエレメント2を接続し、このヒュ−ズエレ
メント2にフラツクス3を塗布し、このフラツクス塗布
ヒュ−ズエレメントを厚み100〜300μmのプラス
チックカバ−フィルム41の接着剤または融着による固
着で封止してある。
【0017】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズは、筒型
ケ−スタイプ、ケ−ス型ラジアルタイプ、基板タイプ、
樹脂モ−ルドラジアルタイプの形式で実施することもで
きる。図2は筒型ケ−スタイプを示し、一対のリ−ド線
1,1間に低融点可溶合金片2を接続し、該低融点可溶
合金片2上にフラックス3を塗布し、このフラックス塗
布低融点可溶合金片上に耐熱性・良熱伝導性の絶縁筒
4、例えば、セラミックス筒を挿通し、該絶縁筒4の各
端と各リ−ド線1との間を常温硬化の接着剤、例えば、
エポキシ樹脂で封止してある。
【0018】図3はケ−ス型ラジアルタイプを示し、並
行リ−ド導体1,1の先端部間にヒュ−ズエレメント2
を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント2にフラック
ス3を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレメント
を一端開口の絶縁ケ−ス4、例えばセラミックスケ−ス
で包囲し、この絶縁ケ−ス4の開口をエポキシ樹脂等の
封止材5で封止してある。
【0019】図4は基板タイプを示し、絶縁基板4、例
えばセラミックス基板上に一対の膜電極1,1を導電ペ
−スト(例えば銀ペ−スト)の印刷焼付けにより形成
し、各電極1にリ−ド導体11を溶接等により接続し、
電極1,1間にヒュ−ズエレメント2を溶接により接合
し、ヒュ−ズエレメント2にフラックス3を塗布し、こ
のフラックス塗布ヒュ−ズエレメントを封止材4例えば
エポキシ樹脂で封止してある。
【0020】図5は樹脂モ−ルドラジアルタイプを示
し、並行リ−ド導体1,1の先端部間にヒュ−ズエレメ
ント2を溶接により接合し、ヒュ−ズエレメント2にフ
ラックス3を塗布し、このフラックス塗布ヒュ−ズエレ
メントを樹脂液ディッピングにより樹脂モ−ルド5して
ある。
【0021】また、通電式発熱体付きヒュ−ズ、例え
ば、基板タイプの合金型温度ヒュ−ズの絶縁基板に抵抗
体(膜抵抗)を付設し、機器の異常時、抵抗体を通電発
熱させ、その発生熱で低融点可溶合金片を溶断させる抵
抗付きの基板型ヒュ−ズの形式で実施することもでき
る。
【0022】上記のフラックスには、通常、融点がヒュ
−ズエレメントの融点よりも低いものが使用され、例え
ば、ロジン90〜60重量部、ステアリン酸10〜40
重量部、活性剤0〜3重量部を使用できる。この場合、
ロジンには、天然ロジン、変性ロジン(例えば、水添ロ
ジン、不均化ロジン、重合ロジン)またはこれらの精製
ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルアミンの塩酸
塩や臭化水素酸塩等を使用できる。
【0023】
【実施例】〔実施例1〕In48.1重量%,Sn4
4.5重量%,In7.4重量%の合金組成の母材を線
引きして直径300μmφの線に加工した。1ダイスに
ついての引落率を6.5%とし、線引き速度を45m/
minとしたが、断線は皆無であった。この線の抵抗率
を測定したところ、23μΩ・cmであった。この線を
長さ4mmに切断してヒュ−ズエレメントとし、テ-プ
タイプの温度ヒュ−ズを作成した。フラックスには、ロ
ジン80重量部,ステアリン酸20重量部,ジエチルア
ミン臭化水素酸塩1重量部の組成物を使用し、プラスチ
ックベ−スフィルム及びプラスチックカバ−フィルムに
は厚み200μmのホリエチレンテレフタレ−トフィル
ムを使用した。
【0024】この実施例品50箇を、0.1アンペアの
電流を通電しつつ、昇温速度1℃/分のオイルバスに浸
漬し、溶断による通電遮断時のオイル温度を測定したと
ころ、102℃±1℃の範囲内であった。また、上記し
た合金組成の範囲内であれば、動作温度を100℃を中
心として±5℃の範囲内に納めることができた。
【0025】なお、Biを6重量%以下及び13重量%
以上にして直径300μmφの線引きを試みたが、延性
が大きすぎたり、乏しかったりして、至難であった。
【0026】〔実施例2〕In46.5重量%,Sn4
3.0重量%,Bi7.1重量%,Ag3.4重量%の
合金組成の母材を線引きして直径300μmφの線に加
工した。1ダイスについての引落率を6.5%とし、線
引き速度を45m/minとしたが、断線は皆無であっ
た。この線の抵抗率を測定したところ、20μΩ・cm
であった。この線を長さ4mmに切断してヒュ−ズエレ
メントとし、実施例1と同様のテ−プタイプの温度ヒュ
−ズを作成した。
【0027】この実施例品50箇を、0.1アンペアの
電流を通電しつつ、昇温速度1℃/分のオイルバスに浸
漬し、溶断による通電遮断時のオイル温度を測定したと
ころ、101℃±1℃の範囲内であった。また、上記し
た合金組成の範囲内であれば、動作温度を100℃を中
心として±4℃の範囲内に納めることができた。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、生態に影響のないSn
−Bi−In系の低融点可溶合金母材の能率のよい線引
きで300μmφクラスの極細線ヒュ−ズエレメントを
製造し、このヒュ−ズエレメントを用いて動作温度が9
5℃〜105℃で、かつ自己発熱による作動誤差を充分
に防止できる合金型温度ヒュ−ズを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す
図面である。
【図2】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
【図3】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
【図4】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
【図5】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの上記とは別
の例を示す図面である。
【符号の説明】
2 ヒュ−ズエレメント

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
    る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
    が、Sn40〜46重量%、Bi7〜12重量%、残部
    Inであることを特徴とする合金型温度ヒュ−ズ。
  2. 【請求項2】低融点可溶合金をヒュ−ズエレメントとす
    る温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金の合金組成
    が、Sn40〜46重量%、Bi7〜12重量%、残部
    Inの100重量部にAgが0.5〜3.5重量部添加
    された組成であることを特徴とする合金型温度ヒュ−
    ズ。
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