JP2001126538A

JP2001126538A - 透明導電積層体

Info

Publication number: JP2001126538A
Application number: JP30526099A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Hara; 寛原; Yuuji Tamura; 優次田村
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1999-10-27
Filing date: 1999-10-27
Publication date: 2001-05-11
Anticipated expiration: 2019-10-27
Also published as: JP4567127B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高分子基板上に、成膜直後から比抵抗が低
く、さらに高分子基板の軟化点温度以下の温度に晒され
た後にも、成膜直後の比抵抗を維持するような透明導電
膜を有する透明導電性積層体を提供することにある。【解決手段】高分子基板上にインジウム（Ｉｎ）、錫
（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素原子（Ｏ）を主成分と
する透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であっ
て、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対するＳｎ原子濃度が
０．０１〜０．１の範囲であり、ＩｎとＺｎの合計原子
濃度に対するＺｎの原子濃度が０．０１〜０．１の範囲
であり、かつＳｎとＺｎの原子濃度の合計に対するＺｎ
の原子濃度の比が０．５５より大きく１未満の範囲であ
ることを特徴とする透明導電積層体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は抵抗値の制御された
透明導電積層体に関し、さらに詳しくは高分子基板の上
に抵抗値が低減され且つ高分子基板の軟化点温度以下の
温度にて熱処理を実施しても当該膜の抵抗値が変化しな
い透明導電膜を設けてなる透明導電積層体に関する。

【０００２】

【従来の技術】各種表示素子或いは薄膜太陽電池の電極
部には、可視光線透過率が高く、低抵抗な電気特性を有
する透明導電膜が欠かせない。また、近年の携帯移動端
末の急激な小型化・軽量化に伴って、透明電極基板に
も、さらなる軽量な部材が要求されている。そのため、
基板材料としては、ガラスに比べてより軽量な透明高分
子基板材料にＩｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とする膜（以下Ｉ
ＴＯ膜と記す）を積層した透明導電性フィルムが使用さ
れつつある。

【０００３】ところが、ＩＴＯ膜を用いて高分子基板上
に透明導電膜を形成するには、基板温度を高分子基板の
軟化点温度以下に制御する必要があり、ガラス基板上に
２００℃以上もの高温をかけて形成したＩＴＯ膜のよう
な電気特性を成膜直後から具現化することは、通常の量
産を鑑みた薄膜形成方法においては困難である。

【０００４】そのため、様々な手法が提案されており、
かかる現在も室温程度の低温での低抵抗透明導電膜形成
の研究がなされている。

【０００５】一方、透明導電材料の新しい展開として、
特開平０６−３１８４０６号公報や特開平０７−２３５
２１９号公報にあるようなＩｎ−Ｚｎ−Ｏを主成分とす
る膜（以下ＩＺＯ膜と記す)が提案されている。ＩＺＯ
膜はＩＴＯ膜と異なり、温度に対する構造等の変化が少
なく、さらに構造が非晶質であることより良好なエッチ
ング特性を有する透明導電膜としての用途展開がなされ
ている。

【０００６】一般にＤＣマグネトロンスパッタリングに
おいて形成されるＩＴＯ膜の構造及び電気特性は、その
成膜温度に強く依存すると言われており、構造について
言及すると基板温度を室温に保って行った成膜では、結
晶質部と非晶質部が混合した状態、或は非晶質状態の膜
が形成される。そして、電気特性は低温で形成した膜は
成膜直後には抵抗値が著しく低減することはなく、一般
に５〜７×１０^-4Ω・ｃｍの比抵抗を示す。一方、ＩＺ
Ｏ膜は成膜直後から構造は非晶質であり、抵抗値は４．
５×１０^-4Ω・ｃｍ程度と比較的低い。しかし、さらに
抵抗値が低く且つ外来の刺激に対して抵抗値の変化が少
ない透明導電膜は知られていない。そのため、様々な材
料が選定されて、かかる今日においても飽くなき探求が
続けられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような現状を鑑
み、透明導電膜の抵抗値を成膜直後から低減し、さらに
熱処理を行っても低減された抵抗値を維持するような透
明導電膜の存在が望まれている。その一つの方策は、プ
ロセス温度を増加させ、２５０℃程度の温度で透明導電
膜を形成することである。しかし、高分子基板を用いる
場合には、そのような高い成膜温度を実現することは不
可能である。また、成膜直後の抵抗値が維持されるとい
うことは、熱履歴を与える工程を簡略化する上で効果的
である。

【０００８】そこで、本発明では、成膜直後から比抵抗
が低く、さらに高分子基板の軟化点温度以下の温度に晒
された後にも、成膜直後の比抵抗を維持するような透明
導電膜を高分子基板上に与えることを目的とするもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明においては、高分
子基板上に高分子基板の軟化点温度を超えない温度に
て、成膜直後から低抵抗で、且つ高分子基板の軟化点温
度を超えない温度における熱処理を実施しても抵抗値が
変化しないような透明導電膜並びにその製造方法を与え
ることを以下の方法にて実現した。

【００１０】すなわち本発明は、高分子基板上にインジ
ウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素原子
（Ｏ）を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明
導電積層体であって、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対す
るＳｎ原子濃度が０．０１〜０．１の範囲であり、Ｉｎ
とＺｎの合計原子濃度に対するＺｎの原子濃度が０．０
１〜０．１の範囲であり、かつＳｎとＺｎの原子濃度の
合計に対するＺｎの原子濃度の比が０．５５より大きく
１未満の範囲であることを特徴とする透明導電積層体で
ある。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て順次説明していく。本発明の透明導電積層体は、高分
子基板上に透明導電膜が形成されてなる。

【００１２】本発明に使用される高分子基板としては、
例えばポリエステル系高分子、ポリオレフィン系高分
子、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン２，６
ナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネイト、ポ
リエーテルスルホン、ポリアリレート等の単一成分の高
分子、或いは光学的機能または熱力学的機能を付与する
ために、これらの高分子に第二、第三成分を共重合し
た、共重合高分子を用いることができる。特に、光学用
途にはビスフェノール成分を有する透明性が良好なポリ
カーボネイトが好適である。かかるビスフェノール成分
としては、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェ
ノールＺ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン
を挙げることができる。これらは２種類以上組み合わせ
てもよい。すなわちかかるポリカーボネイトは共重合ポ
リカーボネイトでもブレンドでもよい。さらに、新規機
能を発現させるために複数の高分子体をブレンドした高
分子を用いることもできる。さらには、多層の共押出し
高分子フィルムを用いることもできる。

【００１３】また、高分子基板の膜厚は、０．０１〜
０．４ｍｍのものを使用することができるが、０．１〜
０．２ｍｍ程度が液晶等の光学用途としては視認性の観
点より望ましい。

【００１４】さらに高分子基板は光学等方性が優れるも
のが好ましく、リターデーデョンが２０ｎｍ以下、好ま
しくは１０ｎｍ以下のものが好適である。

【００１５】本発明における透明導電膜は、酸化インジ
ウムを主体とし、酸化錫と酸化亜鉛が添加されたものか
らなり、ＩｎとＳｎの原子濃度の和に対するＳｎの原子
濃度の比が０．０１〜０．１の範囲にあり、ＩｎとＺｎ
の原子濃度の和に対するＺｎの原子濃度の比が０，０１
〜０．１の範囲にあり、ＳｎとＺｎの原子濃度の和に対
するＺｎの原子濃度の比が、０．５５より大きく１未満
の範囲に入るものであり、０．６〜０．９の範囲に入る
ことが望ましい。ＳｎとＺｎの原子濃度の和に対するＺ
ｎの原子濃度の比が０．５５未満の場合、熱処理後に抵
抗値が増大し、本目的を逸脱してしまう。一方、１の場
合、Ｚｎの濃度が高くなりすぎることによって、酸・ア
ルカリ薬品に対する耐性が悪くなる。ＳｎとＺｎの原子
濃度の和に対するＺｎの原子濃度の比は、好ましくは、
０．５５から０．９の範囲である。

【００１６】上記透明導電膜の形成手法としては、例え
ば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネト
ロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空
蒸着法、パルスレーザーデポジション法、これらを複合
した形成法等を用いることができるが、大面積に対して
均一な膜厚の透明導電膜を形成することを鑑みると、Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタリング法が望ましい。

【００１７】スパッタリング法を用いた上記透明導電膜
の製膜方法において、本発明では、透明導電膜を製膜す
る直前の真空槽の圧力を１．３×１０^-4Pa以下とし、次
いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成す
ることができる。このとき不活性ガスとしてはＨｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅを用いることができ、原子量の大
きな不活性ガスほど形成される膜へのダメージが少なく
比抵抗が低減されると言われているが、コスト面から考
えてＡｒが望ましい。

【００１８】透明導電膜を製膜する直前の真空槽の圧力
は１．３×１０^-4Pa以下が、真空槽中に残留し、且つ透
明導電膜の特性に影響を与えることが懸念される分子種
の影響を低減できるので望ましい。より望ましくは、４
×１０^-5Pa以下、より望ましくは２×１０^-5Ｐａ以下で
ある。また、膜中の酸素量を調整するために分圧に換算
して１×１０^-4〜１．３×１０^-2Ｐａ台の酸素を添加し
ても構わない。さらに、酸素の他にＯ₃、Ｎ₂、Ｎ₂Ｏ、
ＮＨ₃等を用いることができる。

【００１９】また、本発明では、透明導電膜を製膜する
直前の真空槽中の水の分圧を１．３×１０^-4Pa以下と
し、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて
形成することができる。より望ましくは、４×１０^-5Ｐ
ａ以下、より望ましくは２×１０^-5Ｐａ以下に水分圧を
制御することが望ましい。水分圧を決定するときには、
差動排気型のインプロセスモニターを用いても良い。ま
たはダイナミックレンジが広く、０．１Ｐａ程度の圧力
下においても計測が可能な四重極質量分析計を用いても
良い。しかし、真空度が１．３×10^-5Ｐａ程度から、そ
れより高い場合には、真空度と水分圧は等しいと考える
ことができる。よって、水分圧は真空計の示す圧力で代
表することができる。従って、真空計の値を水分圧と考
えることもできる。

【００２０】スパッタリングに用いるターゲットはＩｎ
−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏを主成分とする焼結ターゲットを用い
ることが望ましいが、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎを主成分とする
合金ターゲットを用いても構わない。

【００２１】本発明によれば、上記方法により形成され
る透明導電膜は、成膜直後から比抵抗が２．５×１０^-4
〜４．５×１０^-4Ω・ｃｍと抵抗が小さく、この膜をつ
いで高分子基板のガラス転移温度を超えない温度にて熱
処理を実施しても、比抵抗は２．５×１０^-4〜４．５×
１０^-4Ω・ｃｍとほとんど変化しない膜のままである。
これは、抵抗値の低減が、添加しているＳｎによっても
たらされ、同時に添加しているＺｎが膜の構造について
支配的であるために実現できたものであると推察してい
る。即ち、高分子基板の軟化点温度程度の温度範囲にて
構造が変化し難いというＺｎの効果と、抵抗値の低減に
効果があるＳｎの効果とを上手く協調させることによ
り、このような低比抵抗で抵抗変化の少ない透明導電膜
が具現化できている。

【００２２】本発明における、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系
透明導電膜の膜厚は１００〜２８００Åが好ましい。透
明導電膜の膜厚は、用途によって決定される。しかし、
可撓性が悪化するため、３０００Å以上の透明導電膜を
有することは望ましくない。また、１００Å未満の膜厚
では、透明導電膜としての機能が著しく悪化するため、
１００Å未満の膜厚は望ましくない。よって、透明導電
膜の用途に応じて１００〜２８００Åの膜厚にすること
が望ましい。

【００２３】なお、上記高分子基板は、形成される透明
導電膜との密着性の向上、高分子基板の耐久性の向上或
いは、高分子基板のガスバリア能を向上させるために、
高分子基板の片面或いは両面に、少なくとも一層以上か
らなるコーティング層を有していても構わない。このコ
ーティング層は、無機物または有機物またはそれらの複
合材料からなり、その膜厚は好ましくは０．０１〜２０
μｍである。より望ましくは、１０mｍ程度に抑制され
ることが望ましい。コーティング層の形成にはコーター
を用いた塗布法や、スプレー法、スピンコート法、イン
ラインコート法等が用いられることが多いが、この限り
ではない。また、スパッタ法、蒸着法といった、Ｐｈｙ
ｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下
ＰＶＤ）、或はＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ（以下ＣＶＤ）の手法が用いられても構
わない。コーティング層としては、アクリル系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ＵＶ硬化系樹脂、エポキシ系樹脂等の樹
脂成分やこれらとアルミナ、シリカ、マイカ等の無機粒
子の混合物が使われても良い。或いは、高分子基板を二
層以上の共押し出しによりコーティング層の機能を持た
せても構わない。ＰＶＤ、ＣＶＤの手法では、酸化マグ
ネシウム、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウ
ム、酸化バリウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化タン
タル、酸化チタン、酸化亜鉛等の酸化物や、窒化珪素、
窒化チタン、窒化タンタル等の窒化物、並びに弗化マグ
ネシウム、弗化カルシウム等の弗化物を単独或は混合物
として形成して用いることができる。このようなコーテ
ィング層を有する高分子基板は、光学特性としてレター
デーションが低く、尚且つ透過率が高いことが望まし
い。

【００２４】本発明における透明導電膜は、比抵抗が
２．５×１０^-4〜４．５×１０^-4Ω・ｃｍと抵抗が小さ
く、この膜をついで高分子基板のガラス転移温度を超え
ない温度にて熱処理を実施しても、比抵抗は２．５×１
０^-4〜４．５×１０^-4Ω・ｃｍとほとんど変化しない膜
のままである。これは、抵抗値の低減が、添加している
Ｓｎによってもたらされ、同時に添加しているＺｎが膜
の構造について支配的であるために実現できたものであ
ると推察している。即ち、高分子基板の軟化点温度程度
の温度範囲にて構造が変化し難いというＺｎの効果と、
抵抗値の低減に効果があるＳｎの効果とを上手く協調さ
せることにより、このような低比抵抗で抵抗変化の少な
い透明導電膜が具現化できている。

【００２５】また、本発明の透明導電積層体の全光線透
過率は良好で、ＳｎとＺｎの原子濃度の和に対するＺｎ
の原子濃度の比が０．５５より大きく１未満の範囲の組
成では、成膜直後には８０〜８８％の範囲であるが、こ
の膜を高分子基板のガラス転移温度を超えない温度にて
熱処理を実施しても、全光線透過率は８０〜８８％であ
り、成膜直後と大きく異ならず、透明性が良好である。

【００２６】本発明における透明導電膜の表面抵抗は三
菱化学製のLｏｒｅｓｔａＭＰＭＣＰ−Ｔ３５０を用
いて測定した。透明導電膜の膜厚は、ガラス上へ成膜し
た当該膜の段差をＳｌｏａｎ社製のＤｅｋｔａｋを用い
て測定し、スパッタレートを求めこれから逆算した。

【００２７】本発明では、抵抗値のみならず、透明導電
膜の他の基本的な物理量の一つである全光線透過率及び
当該膜の構造に関する知見を与えるＸ線回折についても
併せて検討をおこなっている。全光線透過率はＮＩＰＰ
ＯＮＤＥＮＳＨＯＫＵ社製３００Ａを用いて、高分子
基板と透明導電膜を分離すること無く測定した。Ｘ線回
折は、理学電機ＲＵ−３００を用いて集中法にて測定し
た。また、アルカリ性のＮａＯＨ水溶液（３．５％）に
て、アルカリ耐性についても評価した。

【００２８】

【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はこれらに制
限されるものではない。

【００２９】［実施例１］真空槽の背圧を１．３×１０
^-5Ｐａとした後、反応ガスとして酸素を導入し、さらに
不活性ガスとしてＡｒを導入し全圧を０．４Ｐａとし
た。四重極質量分析計にて測定した不活性ガスを導入す
る前の水分圧は、真空槽の背圧とほぼ等しかった。酸素
分圧は１．５×１０^-3Ｐａであった。

【００３０】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏからなる焼結ターゲ
ットに１Ｗ／ｃｍ²の電力密度でＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により、基板温度２０℃のポリカーボネイ
ト基板上に、厚さ１３０ｎｍの透明導電膜を成膜した。
ＩｎとＺｎの合計原子濃度に対するＺｎの原子濃度の比
は０．０７３であり、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対す
るＳｎの原子濃度の比は０．０４３であった。ＳｎとＺ
ｎの原子濃度の合計に対するＺｎの原子濃度の比は０．
６３であった。

【００３１】当該膜の成膜直後の比抵抗を、四端子抵抗
計にて測定したところ２．７×１０ ^-4Ω・ｃｍであっ
た。全光線透過率は８６％であった。

【００３２】当該膜をポリカーボネイトのガラス転移温
度未満の温度である１３０℃で２４０分間熱処理を行い
比抵抗を四端子抵抗計にて測定したところ２．８×１０
^-4Ω・ｃｍであった。全光線透過率は８５％であった。
アルカリ耐性も良好であった。

【００３３】［実施例２］真空槽の背圧を実施例１と同
じとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活性ガ
スとしてＡｒを導入し全圧を０．４Ｐａとした。四重極
質量分析計にて測定した不活性ガスを導入する前の水分
圧は、真空槽の背圧とほぼ等しかった。酸素分圧は１．
５×１０^-3Ｐａであった。

【００３４】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏからなる焼結ターゲ
ットに１Ｗ／ｃｍ²の電力密度でＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により、基板温度２０℃のポリカーボネイ
ト基板上に、厚さ１３０ｎｍの透明導電膜を成膜した。
ＩｎとＺｎの合計原子濃度に対するＺｎの原子濃度の比
は０．０９２であり、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対す
るＳｎの原子濃度の比は０．０２１であった。ＳｎとＺ
ｎの原子濃度の合計に対するＺｎの原子濃度の比は０．
８１であった。

【００３５】当該膜の成膜直後の比抵抗を、四端子抵抗
計にて測定したところ２．７×１０ ^-4Ω・ｃｍであっ
た。全光線透過率は８７％であった。

【００３６】当該膜をポリカーボネイトのガラス転移温
度未満の温度である１３０℃で２４０分間熱処理を行い
比抵抗を四端子抵抗計にて測定したところ２．６×１０
^-4Ω・ｃｍであった。全光線透過率は８７％であった。
アルカリ耐性も良好であった。

【００３７】［実施例３］真空槽の背圧を実施例１と同
じとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活性ガ
スとしてＡｒを導入し全圧を０．４Ｐａとした。四重極
質量分析計にて測定した不活性ガスを導入する前の水分
圧は、真空槽の背圧とほぼ等しかった。酸素分圧は１．
５×１０^-3Ｐａであった。

【００３８】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏからなる焼結ターゲ
ットに１Ｗ／ｃｍ²の電力密度でＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により、両面に４mｍの厚みのシリコン系
ポリマーからなる有機コーティング層を１層形成したポ
リカーボネイト基板上へ、基板温度２０℃とし、厚さ１
３０ｎｍの透明導電膜を成膜した。ＩｎとＺｎの合計原
子濃度に対するＺｎの原子濃度の比は０．０９２であ
り、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対するＳｎの原子濃度
の比は０．０２１であった。ＳｎとＺｎの原子濃度の合
計に対するＺｎの原子濃度の比は０．８１であった。

【００３９】当該膜の成膜直後の比抵抗を、四端子抵抗
計にて測定したところ２．８×１０ ^-4Ω・ｃｍであっ
た。全光線透過率は８７％であった。

【００４０】当該膜をポリカーボネイトのガラス転移温
度未満の温度である１３０℃で２４０分間熱処理を行い
比抵抗を四端子抵抗計にて測定したところ２．７×１０
^-4Ω・ｃｍであった。全光線透過率は８７％であった。
アルカリ耐性も良好であった。

【００４１】［比較例１］真空槽の背圧を実施例１と同
じとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活性ガ
スとしてＡｒを導入し全圧を０．４Ｐａとした。四重極
質量分析計にて測定した不活性ガスを導入する前の水分
圧は、真空槽の背圧とほぼ等しかった。酸素分圧は２．
７×１０^-3Ｐａであった。

【００４２】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏからなる焼結ターゲ
ットに１Ｗ／ｃｍ²の電力密度でＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により、基板温度２０℃のポリカーボネイ
ト基板上に、厚さ１３０ｎｍの透明導電膜を成膜した。
ＩｎとＺｎの合計原子濃度に対するＺｎの原子濃度の比
は０．０５９であり、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対す
るＳｎの原子濃度の比は０．０５９であった。ＳｎとＺ
ｎの原子濃度の合計に対するＺｎの原子濃度の比は０．
５０であった。

【００４３】当該膜の成膜直後の比抵抗を四端子抵抗計
にて測定したところ、３．０×１０ ^-4Ω・ｃｍであっ
た。全光線透過率は８５％であった。

【００４４】当該膜をポリカーボネイトのガラス転移温
度未満の温度である１３０℃で２４０分間熱処理を行い
比抵抗を四端子抵抗計にて測定したところ、２．５×１
０^-3Ω・ｃｍであった。全光線透過率は８５％であっ
た。透過率は良好であるものの、熱処理をすることで比
抵抗が約１桁増加し、抵抗値が変化し難いという目的を
逸脱してしまった。

【００４５】［比較例２］真空槽の背圧を実施例１と同
じとし、反応ガスとして酸素を導入し、さらに不活性ガ
スとしてＡｒを導入し全圧を０．４Ｐａとした。四重極
質量分析計にて測定した不活性ガスを導入する前の水分
圧は、真空槽の背圧とほぼ等しかった。酸素分圧は２．
７×１０^-3Ｐａであった。

【００４６】Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏからなる焼結ターゲットに
１Ｗ／ｃｍ²の電力密度でＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により、基板温度２０℃のポリカーボネイト基板
上に、厚さ１３０ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【００４７】当該膜の、成膜直後の比抵抗は３．２×１
０^-4Ω・ｃｍであり、全光線透過率は８７％であった。

【００４８】この膜をポリカーボネイトの軟化点温度以
下とした１３０℃の恒温層中で２４０分熱処理を行っ
た。その結果、比抵抗は３．１×１０^-4Ω・ｃｍとな
り、全光線透過率は８７％であった。実用上問題のない
レベルではあるものの、上記実施例の膜に比較すると若
干アルカリ耐性が悪くなっていた。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高分子基板上に低温でDCマグネトロンスパッタによって
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏを主成分とする透明導電膜を形成
することで、成膜直後から比抵抗が小さく、透過率が高
く、さらに高分子基板の軟化点を超えない温度にて熱処
理を実施しても、比抵抗及び透過率が変化が小さい安定
かつアルカリ耐性も高い透明導電積層体を得ることがで
きる。したがって高分子基板上に製膜後加熱処理を行う
必要があった従来のＩＴＯ膜に比べ、その加熱処理工程
を必要としないので、生産性の点においても優れてい
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 GA16 GA27 NA28 NA29 PA01 4F100 AA25B AA28B AA33B AB17B AK01A AK45 AT00A BA02 EH66 GB41 JG01 JG01B JN01 JN01B YY00A YY00B 4K029 AA11 AA21 BA45 BA50 BC09 CA06 DC34 DC39 EA00 EA01 5G307 FA02 FB01 FC06 FC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子基板上にインジウム（Ｉｎ）、錫
（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素原子（Ｏ）を主成分と
する透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であっ
て、ＩｎとＳｎの合計原子濃度に対するＳｎ原子濃度が
０．０１〜０．１の範囲であり、ＩｎとＺｎの合計原子
濃度に対するＺｎの原子濃度が０．０１〜０．１の範囲
であり、かつＳｎとＺｎの原子濃度の合計に対するＺｎ
の原子濃度の比が０．５５より大きく１未満の範囲であ
ることを特徴とする透明導電積層体。
【請求項２】透明導電膜の比抵抗が２．５×１０^-4〜
４．５×１０^-4Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項
１に記載の透明導電積層体。
【請求項３】透明導電膜の膜厚が１００〜２８００Å
であることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載
の透明導電積層体。
【請求項４】高分子基板の厚さが０．０１〜０．４ｍ
ｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の透明導電積層体。