JP2001168147A - 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープの製造方法は、可撓性絶縁性フィルムに形成され
た配線パターンの少なくともリード部に、好適にはＳｎ
²⁺濃度が１３〜５０ｇ／リットルの無電解スズメッキ浴
を用いて短時間プレスズメッキを行った後に、該プレメ
ッキが施された少なくともリード部に、Ｓｎ²⁺濃度が１
３〜５０ｇ／リットルの範囲内にある無電解スズメッキ
浴を用いて本スズメッキを少なくとも1回行うことを特
徴としている。また、ソルダーレジスト層を形成する前
にプレスズメッキ層を形成してもよい。 【効果】本発明によれば無電解スズメッキ浴中に含有さ
れるＳｎ²⁺濃度の調整により、ソルダーレジスト層下部
にメッキ液が浸入して生ずるリードえぐれの発生を抑制
することができ、また発生したリードえぐれの深さを低
減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープ（例えば、ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）テープ、Ｔ-ＢＧＡ(Tape Ball Grid Arra
y)テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrate
d Circuit)テープなど）を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロニクス産業の発達に伴い、Ｉ
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの電子
部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加して
いるが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望さ
れ、これら電子部品の実装方法として、最近では電子部
品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採
用されており、特にパーソナルコンピュータなどのよう
に高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要
望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産
業においてその重要性が高まっている。

【０００３】従来からこのような電子部品実装用フィル
ムキャリアテープは、例えば下記のような工程を経て製
造されている。すなわち、先ず、ポリイミドフィルムの
ような基材となる可撓性絶縁性フィルムをプレス機でパ
ターン打ち抜きを行った後、この可撓性絶縁性フィルム
に銅箔のような導電体箔を積層する。そして、この導電
体箔の上面にフォトレジストを塗布して、このフォトレ
ジストを使用して所望のパターン形状に紫外線により露
光し、この露光されたフォトレジスト部分を現像液によ
って溶解除去する。このフォトレジストで覆われていな
い導電体箔部分を、酸などで化学的に溶解（エッチン
グ）して除去した後、フォトレジストをアルカリ液にて
溶解除去することによって絶縁フィルム上に残った導電
体箔により所望の配線パターンを形成する。

【０００４】そして、実装時のゴミの付着、ウィスカ
ー、マイグレーションの発生による短絡を防止し、配線
間の保護並びに絶縁のために、配線パターンのうち、Ｉ
Ｃなどのデバイス（電子部品）に接続されるインナーリ
ード、アウターリードおよび液晶表示素子などに接続さ
れる出力側アウターリードなどのリード部分を除いて、
絶縁樹脂であるソルダーレジストを、スクリーン印刷法
を利用して塗布した後、硬化させてソルダーレジスト層
を形成する。

【０００５】その後、露出したリード部分の酸化、変色
を防止すると共に、リード部分に接続されるデバイスの
バンプ電極などの接続部分との接合強度（ボンダビリテ
ィ−）を確保するために、リード部分を、メッキ処理す
る。このメッキ処理には種々の金属が使用されている
が、デバイスのバンプ電極が金で形成されていることか
ら、金-スズ共晶物の形成により接続が可能なように無
電解スズメッキが比較的広汎に使用されている。

【０００６】このような無電解スズメッキは、ソルダー
レジスト層を形成した後、スズメッキ浴に浸漬してソル
ダーレジスト層によって被覆されていない部分の配線パ
ターンの表面にスズメッキ層を形成することにより行わ
れている。通常の場合、ソルダーレジスト層はスズメッ
キに対するマスキング材になり、このソルダーレジスト
層が塗布された部分の配線パターンはメッキ液と接触す
ることはないはずである。

【０００７】しかしながら、現実にはソルダーレジスト
層には、その縁部において配線パターンあるいは可撓性
絶縁性フィルムとの密着が不完全である部分が存在し、
こうした部分からメッキ液がソルダーレジスト下部に浸
入ことがある。そして、このようにしてメッキ液がソル
ダーレジスト下部に浸入した部分では、配線パターンの
金属銅と既に析出した金属スズの間で局部電池が形成さ
れ、配線パターンの金属銅の異常溶出が発生する。この
ようなソルダーレジスト下の配線パターンの異常溶出
は、通常「えぐれ」と呼ばれている。

【０００８】従来は、配線パターンを形成する導電体箔
の厚さが数十μｍと厚かったため、こうしたえぐれが生
じたとしてもリードの強度低下あるいは断線などの重大
な問題となることは少なかった。しかしながら、リード
の幅が２５μｍ以下になり、このような細線のリードを
形成するために導電体箔の厚さが１８μｍ以下になって
いる昨今のファインピッチの要請下においては、深さが
十数μｍにも及ぶことがあるえぐれ部は、リード強度に
多大な影響を与えるばかりでなく、このようなえぐれ部
の形成によってリードの断線を招来する虞もある。

【０００９】

【発明の目的】本発明は、上記のようなソルダーレジス
ト下部の配線パターンにえぐれ部が形成されにくい電子
部品実装用フィルムキャリアテープを製造する方法を提
供することを目的としている。また、本発明は、上記の
ようにソルダーレジスト下部の配線パターンにえぐれ部
が形成されにくいと共に、形成されるメッキ層のフクレ
あるいは剥がれが生じにくい電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープを製造する方法を提供することを目的とし
ている。

【００１０】

【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの製造方法は、可撓性絶縁性フィルムに形成さ
れた配線パターンの少なくともリード部に、Ｓｎ²⁺濃度
が１３〜５０ｇ／リットルの無電解スズメッキ浴を用い
て短時間プレスズメッキを行った後に、該プレメッキが
施された少なくともリード部に、Ｓｎ²⁺濃度が１３〜５
０ｇ／リットルの範囲内にある無電解スズメッキ浴を用
いて本スズメッキを少なくとも1回行うことを特徴とし
ている。

【００１１】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法は、可撓性絶縁性フィルムに形
成された配線パターンのリード部に、Ｓｎ²⁺濃度が１３
〜５０ｇ／リットルの範囲内にある無電解スズメッキ浴
を用いて本スズメッキを少なくとも1回行うことを特徴
としている。本発明の方法では、上記プレスズメッキあ
るいは本スズメッキを行う前に、スズメッキ予定面をソ
フトエッチング処理することが好ましい。

【００１２】また、本発明の方法では、無電解スズメッ
キ層を形成する工程をプレスズメッキと本スズメッキと
に分けて行うことができ、この場合にはプレスズメッキ
層の厚さを、本スズメッキの厚さよりも薄くすることが
好ましい。本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープの製造方法では、無電解スズメッキを行うメッキ浴
中におけるＳｎ²⁺濃度を所定の範囲に制御してスズメッ
キを行っており、このようにＳｎ²⁺濃度を制御すること
により、上記えぐれの発生を抑制することができる。ま
た、本スズメッキ層の形成前にプレスズメッキ層を形成
することにより、えぐれ部が形成されてしまう場合であ
っても、その深さを最低限度に抑制することができる、

【００１３】

【発明の具体的な説明】次に本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープの製造方法について具体的に説明
する。本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ
の製造方法では、可撓性絶縁性フィルムに導電体箔を積
層し、この導電体箔の上面にフォトレジストを塗布し
て、このフォトレジストを、所望の配線パターンが形成
されるように露光し、余剰のフォトレジストを除去し残
留したフォトレジストをマスキング材として導電体箔を
エッチングして所望の配線パターンを形成する。次い
で、デバイスなどをボンディングするリード部を残して
絶縁樹脂であるソルダーレジストを塗布し、硬化させた
後、ソルダーレジストが塗布されていない配線パターン
部分（即ち、主としてリード部）をスズメッキすること
により製造されている。

【００１４】本発明の方法において使用される可撓性絶
縁性フィルムは可撓性を有する絶縁性の樹脂フィルムで
ある。また、この可撓性絶縁性フィルムは、エッチング
する際に酸などと接触することからこうした薬品に侵さ
れない耐薬品性およびデバイスをボンディングする際の
加熱によっても変質しないような耐熱性を有している。
このような可撓性絶縁性フィルムを素材の例としては、
ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げ
ることができる。特に本発明ではポリイミドからなるフ
ィルムを用いることが好ましい。

【００１５】可撓性絶縁性フィルムを構成するポリイミ
ドフィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳
香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビ
フェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンと
から合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイ
ミドを挙げることができる。特に本発明ではビフェニル
骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピ
レックス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。
このような可撓性絶縁性フィルムの厚さは、通常は２５
〜１２５μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にあ
る。

【００１６】本発明で使用する可撓性絶縁性フィルムに
は、デバイスホール、スプロケットホール、アウターリ
ードホール、さらに屈曲部を有する場合には、屈曲位置
にフレックススリット等がパンチングにより形成されて
いる。配線パターンは、上記のような所定の穴が形成さ
れた可撓性絶縁性フィルムの少なくとも一方の面に積層
された金属箔をエッチングすることにより形成される。
金属箔は、接着剤を用いてあるいは用いることなく可撓
性絶縁性フィルムの少なくとも一方の面に積層される。
ここで接着剤を用いて金属箔を貼着する場合には、絶縁
性の接着剤を使用して接着剤層を形成する。

【００１７】接着剤を使用する場合に、使用する接着剤
には、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓性等の特性が必
要になる。このような特性を有する接着剤の例として
は、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤およびフェ
ノール系接着剤を挙げることができる。このような接着
剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタ
ール樹脂などで変性されていてもよく、またエポキシ樹
脂自体がゴム変性されていてもよい。このような接着剤
は通常は加熱硬化性である。接着剤層の厚さは、通常は
８〜２３μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にあ
る。

【００１８】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法では、上記のような可撓性絶縁
性フィルムに金属箔を積層する際に、接着剤を用いるこ
となく積層することもできる。また、上記のような金属
箔を用いる方法とは別に、例えば蒸着法あるいはメッキ
法等によっても金属層を形成することができ、また、こ
のような場合に、薄い金属箔を用いて金属薄層を形成
し、さらにこの金属薄層に上記蒸着法あるいはメッキ法
により金属を析出させ所定厚さの金属層を形成しても良
い。

【００１９】接着剤を使用する場合、接着剤層は、可撓
性絶縁性フィルムの表面に接着剤を塗布して設けても良
いし、また金属箔の表面に接着剤を塗布して設けても良
い。本発明で使用される金属箔は導電性を有しており、
このような金属箔としては、銅箔およびアルミニウム箔
を挙げることができる。特に本発明では金属箔として銅
箔を使用することが好ましい。本発明で金属箔として使
用される銅箔には、電解銅箔および圧延銅箔があり、本
発明ではいずれの銅箔を使用することも可能であるが、
ファインピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテー
プを製造するに際しては、金属箔として電解銅箔を使用
することが好ましい。

【００２０】ここで使用される電解銅箔としては電子部
品実装用フィルムキャリアテープの製造に通常使用され
ている厚さの電解銅箔を使用することができるが、ファ
インピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテープを
製造するためには、平均厚さが通常は３〜１５０μｍ、
好ましくは６〜７０μmの範囲内、特に好ましく８〜３
５μｍ、さらに好ましくは８〜１８μｍの範囲内にある
電解銅箔を使用する。このような平均厚さを有する電解
銅箔を使用することにより、狭ピッチ幅のインナーリー
ドを容易に形成することができる。このような電解銅箔
は表面が機械研磨、化学研磨、電解研磨あるいはこれら
を組み合わせた処理により整面処理されていてもよい。

【００２１】上記のような可撓性絶縁性フィルムと金属
箔とを積層して可撓性絶縁性フィルムの少なくとも一方
の面に金属からなる層（金属箔層、さらに、この金属か
らなる層は薄い金属箔層にメッキまたは金属蒸着して所
定の厚さにした金属メッキ層、金属蒸着層であってもよ
く、またこれらの複合金属層などであってもよい）が形
成されたベースフィルムを製造する。

【００２２】そして、このベースフィルムの金属層表面
にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに所定
の配線パターンを焼き付けて、不要部分のフォトレジス
トを除去してベースフィルムの金属層表面に所定のパタ
ーンを形成し、このパターンをマスキング材として、金
属層をエッチングする。即ち、ベースフィルムの金属層
表面に、フィトレジストを塗布し、所定の配線パターン
を露光して焼き付けして、水性媒体に可溶な部分と不溶
な部分とを形成し、可溶部を水性媒体などで除去するこ
とにより、不溶性フォトレジストからなるマスキング材
を金属層表面に形成することができる。なお、ここで不
溶性フォトレジストからなるマスキング材は、露光する
ことにより硬化するフォトレジストから形成されていて
もよいし、また、逆に、露光することにより水性媒体な
どの特定の溶媒に溶解可能となるフォトレジストを用い
て露光した後、特定の溶媒により可溶化された部分のフ
ォトレジストを除去することによって形成することもで
きる。

【００２３】こうしてフォトレジストによりマスキング
されたベースフィルムを、エッチング液と接触すること
により、マスキングされていない部分の金属は溶出し
て、マスキングされた部分の金属が可撓性絶縁性フィル
ム上に残り、可撓性絶縁性フィルム上に溶出しなかった
金属箔（あるいは金属層）からなる配線パターンが形成
される。ここで使用されるエッチング液としては通常使
用されている酸性のエッチング液を用いることができ
る。

【００２４】こうして形成される配線パターンにおい
て、インナーリードの各ピッチ幅は、通常は２０〜５０
０μm、好ましくは２５〜１００μmであり、本発明は、
特に３０〜８０μmのファインピッチの電子部品実装用
フィルムキャリアテープに対して有用性が高い。本発明
では、通常は、このように所定の配線パターンを形成し
た後、次の工程でメッキするインナーリードの先端部お
よびアウターリードの先端部を除いてソルダーレジスト
層を形成する。

【００２５】本発明では、このようなソルダーレジスト
層は、ソルダーレジスト塗布液をスクリーン印刷技術を
利用して所定の位置に塗布することにより形成される。
本発明の方法において、ソルダーレジストの塗布平均厚
さは、硬化後の厚さ換算で、通常は１〜８０μｍ、好ま
しくは５〜５０μｍの範囲内にある。このようなソルダ
ーレジスト塗布液中に含有される硬化性樹脂は、エポキ
シ系樹脂、エポキシ系樹脂のエラストマー変性物、ウレ
タン樹脂、ウレタン樹脂のエラストマー変性物、ポリイ
ミド樹脂、ポリイミド樹脂のエラストマー変性物および
アクリル樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種類
の樹脂成分を含有するものであることが好ましい。特に
エラストマー変性物を使用することが好ましい。

【００２６】また、本発明において、ソルダーレジスト
塗布液中には、上記のような樹脂成分の他に、硬化促進
剤、充填剤、添加剤、チキソ剤および溶剤等、通常ソル
ダーレジスト塗布液に添加される物質を添加することが
できる。さらに、ソルダーレジスト層の可撓性等の特性
を向上させるために、ゴム微粒子のような弾性を有する
微粒子などを配合することも可能である。

【００２７】こうしてソルダーレジストを塗布硬化させ
ると、塗布されたソルダーレジストの縁部において、ソ
ルダーレジスト塗布液が塗布予定位置から外側に流れ出
すことがあり、また塗工されたソルダーレジスト層の縁
部は、配線パターンとの密着性が良好でない場合があ
る。そして、図１に示すように、このようなソルダーレ
ジストの縁部からメッキ液がソルダーレジスト下部に浸
入することがあり、こうしたメッキ液がソルダーレジス
ト下部に浸入した部分では、配線パターンの金属銅と既
に析出した金属スズの間で局部電池が形成され、配線パ
ターンの金属銅の異常溶出が発生することにより所謂
「えぐれ部」が形成される。このようなえぐれ部の深さ
が一般に５.５μｍを超えると、昨今のファインピッチ
化の電子部品実装用フィルムキャリアテープではこのえ
ぐれ部の存在が具体的にリード強度の低下などとして表
在化して通常の使用に耐えないことがある。

【００２８】そこで、本発明者はこのようなえぐれ部の
形成を抑制する方法について検討したところ、メッキ液
中のＳｎ²⁺の濃度によってえぐれ部の深さが著しく異な
るとの知見を得た。本発明において、このスズメッキに
は、プレスズメッキと本スズメッキとがあり、本発明で
はプレスズメッキを行った後、本スズメッキを行うか、
プレスズメッキを行うことなく、直接本スズメッキをす
るいずれの方法をも採用することができる。

【００２９】そして、本発明においてスズメッキをする
際にメッキ浴中のＳｎ²⁺濃度が１３ｇ／リットル〜５０
ｇ／リットル、好ましくは１５〜３０ｇ／リットルの範
の範囲内にある無電解スズメッキ浴を用いてスズメッキ
をする。本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテー
プの製造方法において、スズメッキ層は種々の方法によ
り形成することができる。

【００３０】例えば、本発明で使用することができるス
ズメッキ浴としては以下に記載するような成分を含有す
るメッキ浴を使用することができる。 （１） チオ尿素 (NH₂)₂CS ホウフッ化スズ Sn(BF₄)₂ 次亜リン酸 H₃PO₄ カチオン系界面活性剤 （２） チオ尿素 (NH₂)₂CS 有機スルホン酸スズ 次亜リン酸 H₃PO₄ 界面活性剤 そして、このようなスズメッキ浴中において、Ｓｎ²⁺濃
度は、１３〜５０ｇ／リットルの範囲内、好ましくは１
５〜３０ｇ／リットルの範囲内に調整することが必要で
ある。本発明で使用するスズメッキ浴中におけるＳｎ²⁺
濃度を上記範囲内に調整して無電解スズメッキを行うこ
とにより、えぐれ部が形成された場合であっても、えぐ
れ部がリード強度などに影響を及ぼす程深くなく、また
リード部などの断線の原因となることがない。

【００３１】本発明の方法において、スズメッキ層は単
層であっても複数の層から形成されていても良い。即
ち、上記のようにスズメッキをする前に、リード部ある
いは配線パターンにプレスズメッキをした後、Ｓｎ²⁺濃
度が上記範囲内にあるスズメッキ浴を用いてスズメッキ
を行っても良い。即ち、図３に示されるように、リード
部にプレスズメッキを行った後、このプレスズメッキ層
上に本スズメッキを行うことができ、また、本スズメッ
キ層を２層以上形成してもよい。こうした場合、プレス
ズメッキ層の厚さを本スズメッキ層の厚さよりも薄くす
ることが好ましい。このようにプレスズメッキを行った
後、本スズメッキをすることにより、例えばソルダーレ
ジストの縁部に剥離した部分があったとしても、このソ
ルダーレジスト下部の配線パターン表面に薄いプレスズ
メッキ層が形成されるので、本スズメッキの際にメッキ
液がこの剥離部に残留しても配線パターンを形成する導
電体箔（電解銅箔）が溶出せず、従ってえぐれ部の発生
を抑制することができる。このように２層のスズメッキ
層を形成する場合、プレスズメッキ層の厚さと、本スズ
メッキ層の厚さとの比は、通常は０．５：１０〜２：１
０、好ましくは０．５：１０〜１：８、特に好ましくは
０・５：１０〜１：１０の範囲内にする。このようにプ
レスズメッキ層の厚さを薄くすることにより、えぐれ部
の発生抑制効果が良好になる。

【００３２】図２に、プレスズメッキと本スズメッキと
を組み合わせて行う際に、プレスズメッキに用いるメッ
キ浴中におけるＳｎ²⁺濃度を変えたときのえぐれ部の深
さとの関係の例を示す。図２において、「Ａ」は、ソル
ダーレジスト塗布液を塗布し硬化させた後、スズメッキ
浴中のＳｎ²⁺濃度を変えてプレスズメッキ層を形成し次
いで本スズメッキ条件を、Ｓｎ²⁺濃度；２０ｇ／リット
ル、温度７０℃、時間；２１０秒に設定して本スズメッ
キを行ったときに発生したえぐれ部の深さとＳｎ²⁺濃度
との関係を示すグラフであり、「Ｂ」は、上記と同様に
してソルダーレジスト層を形成した後、メッキされる部
分をソフトエッチングした後に同様にして同様にしてＳ
ｎ²⁺濃度を変えてプレスズメッキを行った後、上記と同
様にして本スズメッキした際に発生したえぐれ部の深さ
とＳｎ²⁺濃度との関係を示すグラフである。

【００３３】上記図２から明らかなように、プレスズメ
ッキ液中のＳｎ²⁺濃度が７ｇ／リットル以下では非常に
深いえぐれ部が生ずる。そして、Ｓｎ²⁺濃度が高くなる
に従って次第にえぐれ部の深さが浅くなり、１３ｇ／リ
ットル以上、好ましくは１５ｇ／リットル以上のＳｎ²⁺
濃度を有するプレスズメッキ液を使用することにより発
生するえぐれ部の深さが５.５μｍ以下でほぼ安定す
る。

【００３４】また、図５に示すように、プレスズメッキ
時間によっても、えぐれ量の低下が見られる。図５は、
プレスズメッキ条件を、プレスズメッキ浴におけるＳｎ
²⁺濃度；１５ｇ／リットル、温度；常温（２５℃）、そ
してプレスズメッキ時間を１０〜２１０秒の範囲内で変
え、本スズメッキ条件をＳｎ²⁺濃度；１５ｇ／リット
ル、温度；常温（２５℃）、時間；２１０秒にしてスズ
メッキを行ったときに生ずるえぐれ部の深さを測定した
グラフである。なお、このメッキされるリード部は、ソ
フトエッチングされていない。

【００３５】図５から明らかなように、プレスズメッキ
を行わないと７.２５μｍを超える深さのえぐれ部が形
成されるが、プレスズメッキ時間を１０秒、３０秒と長
くするにつれてえぐれ部の深さは次第に浅くなり、プレ
メッキ時間が３０秒では６．５μｍとプレメッキを行わ
ない場合と比較してえぐれ部の深さは約０．７５μｍの
低下する。

【００３６】そして、プレスズメッキ時間が４０〜５０
秒付近にえぐれ深さに対するプレスズメッキ時間の臨界
点があると推定され、特にプレメッキ時間を５０秒以
上、好ましくは５５秒以上では、えぐれ部の深さは５〜
５．５μｍの間でほぼ一定する。従って、本発明の方法
では、プレメッキ時間を通常は２０秒以上、好ましくは
４０秒以上、特に好ましくは５０秒以上、さらに好まし
くは５５秒以上に設定する。なお、このプレスズメッキ
は長時間行ってもえぐれ深さにはそれほど影響を及ぼさ
ないので、通常はこのプレスズメッキ時間の上限は、２
１０秒程度である。

【００３７】上記はプレスズメッキと本スズメッキとを
行う態様によりえぐれ部の深さを低減できることを示し
たが、プレスズメッキを行わずに本スズメッキだけ行う
場合であってもＳｎ²⁺濃度を変えることによりえぐれ部
の深さを低減することができる。例えば、ソフトエッチ
ングしプレスズメッキを行っていないリード部にメッキ
温度；７０℃、メッキ時間；２１０秒の条件で、Ｓｎ²⁺
濃度を１５ｇ／リットル、２０ｇ／リットル、２７ｇ／
リットルと変えて本スズメッキを行い、発生したえぐれ
部の深さを測定したところ、次表１に記載するようにな
る。

【００３８】

【表１】

【００３９】上記のように、本スズメッキの際における
Ｓｎ²⁺濃度を１３〜５０ｇ／リットルの範囲内、好まし
くは１５〜３０ｇ／リットルの範囲内にすることによ
り、えぐれ部の深さが低減される。また、このえぐれ部
の深さを低減するには、メッキを行う前にメッキ予定面
をソフトエッチングすることが有効である。

【００４０】特に図２において、「Ｂ」で示されるソフ
トエッチングした後にプレスズメッキを行いさらに本ス
ズメッキを行うことにより、えぐれ部の深さは３.５μ
ｍ以下になり、えぐれ部の深さが３.５μｍ以下であれ
ば、えぐれ部の発生によるリード強度の低下あるいはリ
ードの変形が生じにくくなり、さらにえぐれ部が生ずる
ことによるリードの断線も生じない。即ち、図２に
「Ｂ」で示すように、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの製造方法では、スズメッキする前にメ
ッキ予定部分をソフトエッチングすることが好ましい。

【００４１】このソフトエッチングは、配線パターンを
形成するためのエッチングとは異なり、形成された配線
パターンの表面の状態を整えて次の工程においてメッキ
をより均一に行うためにメッキ予定面（銅箔などからな
るリード部など）を化学研磨する工程であり、配線パタ
ーンを形成するためのエッチング速度の1／3〜１／２０
程度の速度で配線パターンの表面をエッチングする。

【００４２】即ち、このソフトエッチングは、メッキ予
定面を酸等を用いて非常に軽度に化学研磨する処理であ
り、このソフトエッチングによりメッキ予定面の表面が
清浄になるとともに、メッキ予定面にある金属酸化膜、
有機物質などが除去され、このソフト処理面に均一なス
ズメッキ層が形成されやすくなる。さらにこのソフトエ
ッチング処理をすることにより、均一なスズメッキ層が
形成されるので、えぐれ部が形成されたとしてもその深
度が浅くなるという作用がある。

【００４３】このようなソフトエッチング液は、本質的
には、配線パターン表面を化学研磨することができる酸
性液である。このようなソフトエッチング液としては、
例えば以下に記載するものを挙げることができる。 (1)硫酸・・・２容量部 硝酸・・・１容量部 塩酸・・・０．８・・・ミリリットル／リットル (2)硫酸・・・７〜１５０ミリリットル／リットル 過酸化水素・・・５０〜１５０ミリリットル／リットル 安定剤・・・５０ミリリットル／リットル程度 (3)クロム酸・・・２７０ｇ／リットル程度 (4)リン酸・・・５５％程度 硝酸・・・２９％程度 酢酸・・・２５％程度 (5)硫酸・・・５０〜１００ミリリットル／リットル 塩酸・・・１００〜２００ミリリットル／リットル ホウフッ酸・・・５０〜１００ミリリットル／リットル (7)加硫酸アンモニウム・・・１２０ｇ／リットル (8)Ｋ₂Ｓ₂Ｏ₈、Ｈ₂ＳＯ₄を主成分とし、さらに、銅など
の金属イオンを含有する酸性水溶液であるソフトエッチ
ング液 (9)過硫酸塩、過酸化水素、硫酸を含有する酸性水溶液
であるソフトエッチング液 (10)硝酸、硫酸を含有する酸性水溶液であるソフトエッ
チング液。

【００４４】本発明では、上記のようなソフトエッチン
グ液のほか、電子部品実装用フィルムキャリアテープに
導電性箔から形成される配線パターンを軽度にエッチン
グ可能な酸性液体であれば上記例示したソフトエッチン
グ液以外のものを使用することができる。特に本発明で
は、過硫酸アンモニウムを含有するソフトエッチング液
を用いることが好ましい。

【００４５】上記のようなソフトエッチング液による処
理は、ソフトエッチング予定面とソフトエッチング液と
を通常は２０〜５０℃の温度で３〜６０秒間接触させる
ことにより実施される。このようなソフトエッチング液
を用いてメッキ予定部分をソフトエッチング処理するこ
とにより、メッキ予定面の表面にある酸化物膜、有機質
膜などが除去され（通常は２μｍ以下の深さでエッチン
グされて除去される）、均一化することができ、非常に
均質なスズメッキ層を形成することが可能になる。さら
に、図２に示すように、このようなソフトエッチング処
理を行った後、スズメッキすることにより、同一のメッ
キ液を使用した場合に、えぐれ部の深度が約２μｍ程度
浅くなるという効果がある。

【００４６】このように本発明の電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの製造方法では、ソルダーレジスト層
を形成した後、リード部などに無電解スズメッキ層を形
成するに際して、スズメッキ浴中におけるＳｎ²⁺濃度を
所定の範囲内にすることにより、えぐれ部の形成を抑制
することができる。さらに本発明ではソルダーレジスト
層を塗設する前に形成された配線パターンの表面にプレ
スズメッキ層を形成することにより、えぐれ部の発生を
抑制できると共に、プレスズメッキ層および本スズメッ
キ層を形成することでメッキ層のフクレあるいは剥離を
防止することが可能となる。

【００４７】即ち、図３に示すように、本発明の電子部
品実装用フィルムキャリアテープの製造方法では、上記
のようにソルダーレジストを塗布した後にスズメッキ層
を形成することもできるし、また、図４に示すように、
ソルダーレジストを塗布する前に薄いプレスズメッキ層
を形成し、次いでソルダーレジストを塗布、硬化させた
後に再度スズメッキを行い本スズメッキ層を形成するこ
ともできる。このようにソルダーレジスト層を形成する
前に形成されるプレスズメッキ層の厚さは、通常は０．
００５〜０．３μm、好ましくは０．０１〜０．１μmの
範囲内にあり、このプレスズメッキ層は、ソルダーレジ
スト層を形成後にメッキされる本スズメッキ層よりも薄
く形成される。このようにソルダーレジストを塗布する
前に薄いプレスズメッキ層を形成し、次いでソルダーレ
ジスト層を形成した後、さらに本スズメッキ層を形成す
ることにより、えぐれ部の発生を防止できる。

【００４８】なお、上記のようにソルダーレジスト層を
形成する前に薄いプレスズメッキ層を形成する場合に、
上記と同様に配線パターンの表面をソフトエッチングす
ることもできる。上記のように本発明の電子部品実装用
フィルムキャリアテープの製造方法では、このようにし
て形成されるスズメッキ層の厚さ（プレスズメッキ層と
本スズメッキ層との合計の厚さ）は、通常は、０．２〜
０．７μｍ、好ましくは０．３〜０．５μｍである。こ
のような厚さにスズメッキ層をすることにより、こうし
てスズメッキされたリードなどにデバイスのバンプ電極
などを良好にボンディングすることができると共に、リ
ード部などの耐食性が良好になる。なお、上記スズメッ
キ層の厚さは、複数のスズメッキ層を形成した場合には
合計の厚さである。

【００４９】このように所定のＳｎ²⁺濃度のメッキ液を
使用してスズメッキ層を形成した後、通常は加熱処理し
て、形成されたスズメッキ層を形成するスズと配線パタ
ーンを形成する金属とを相互に拡散させる。ここで加熱
処理は、スズメッキ層を通常は９０〜１５０℃、好まし
くは１１０〜１４０℃に、通常は３０〜１８０分間、好
ましくは４０〜１２０分間加熱することにより実施され
る。

【００５０】こうして特定のＳｎ²⁺濃度を有するスズメ
ッキ浴を用いて無電解スズメッキ層を形成することによ
り、メッキ液による浸食作用によってえぐれ部の深度が
浅くなる。このようなＳｎ²⁺濃度を有するスズメッキ浴
を用いることによりえぐれ部の深度が浅くなる詳細な理
由は不明であるが、上記のような特定のＳｎ²⁺濃度を有
するスズメッキ浴を用いてスズメッキ層を形成すること
により、メッキ液の浸漬電位が貴な方向で維持され、局
部電池の形成を阻害するためであろうと考えられる。

【００５１】このようにして本発明の方法で製造された
電子部品実装用フィルムキャリアテープは、通常の方法
で製造されたものと同様に使用することができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの製造方法では、特定のＳｎ ²⁺濃度を有するス
ズメッキ浴を用いてスズメッキ層を形成することによ
り、ソルダーレジストの下部におけるえぐれ部の発生を
抑制することができる。また、無電解スズメッキをする
ことによりソルダーレジスト層下面にある配線パターン
にえぐれ部が形成されたとしても、そのえぐれ部の深さ
が浅くなり、リードの強度低下、リードの断線などを防
止することができる。

【００５３】特に本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープの製造方法は、ファイピッチ化されたフィル
ムキャリアテープの製造において有用性が高く、例えば
リード幅が２５μｍ以下のような非常にファインピッチ
のリード部を有するフィルムキャリアテープにおいて
も、実質的なリード強度の低下、リードの断線などフィ
ルムキャリアテープの重大な欠陥となり得るようなえぐ
れ部の発生を抑制することができる。

【００５４】また、ソルダーレジスト層を形成する前に
プレスズメッキ層を形成し、次いでソルダーレジスト層
を形成した後に上記のようにしてリード部に無電解メッ
キ層を形成することにより、えぐれ部の発生を抑制でき
る。また、スズメッキをプレスズメッキと本スズメッキ
とに分けて形成することにより、メッキ層の剥離、フク
レなどメッキ欠陥も殆ど発生しない。

【００５５】従って、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの製造方法により調製された電子部品実
装用フィルムキャリアテープを用いることにより、デバ
イスをより確実に実装することができ、また、フィルム
キャリアテープの経時的な強度の低下、断線などによる
不良も生じにくい。

【００５６】

【実施例】次に本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの製造方法について実施例を示して詳細に説明
するが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。

【００５７】

【実施例１〜３および比較例１〜３】幅７０mm、厚さ５
０μｍのポリイミドフィルムに、パンチングにより、デ
バイスホール、スプロケットホール、アウターリードの
切断スリットを形成した。次いで、このポリイミドフィ
ルム表面に、エポキシ系接着剤を塗布し、厚さ１８μｍ
の電解銅箔を貼着した。

【００５８】さらに、この電解銅箔上にフォトレジスト
を塗布し、このフォトレジストを露光し、さらにエッチ
ングすることにより銅箔に配線パターンを形成した。形
成した配線パターンにおけるリードのピッチ幅は５０μ
ｍである。こうして形成された配線パターンのリード部
を残してウレタン系ソルダーレジスト塗布液を塗布し、
加熱硬化させた。こうして形成されたソルダーレジスト
層の平均厚さは３０μｍである。

【００５９】上記のようにしてソルダーレジスト層を形
成した後、以下に示す組成のソフトエッチング液を用い
てリード表面をソフトエッチングした。 Ｋ₂Ｓ₂Ｏ₈ ・・・１００ｇ／リットル Ｈ₂ＳＯ₄ ・・・ １０ｇ／リットル 銅イオン濃度（硫酸銅換算量）・・・０．３ｇ／リットル 上記成分に水を加えて全量を１リットルとした。

【００６０】このソフトエッチング液とリード表面との
接触時間を１０秒間に設定し、ソフトエッチング液の温
度を３０℃に設定した。水洗後、このテープを以下に示
す組成を有する無電解スズメッキ液に室温（２５℃）で
１０秒間浸漬してリード部にプレスズメッキ層を形成し
た。 チオ尿素 (NH₂)₂CS ・・・ １５重量％ ホウフッ化スズ Sn(BF₄)₂・・・ 所定量 次亜リン酸 H₃PO₄・・・ ６重量％ カチオン系界面活性剤・・・ １重量％以下 上記の成分に水を加えて全量を１リットルとした。

【００６１】なお、上記無電解スズメッキ浴におけるホ
ウフッ化スズは、スズメッキ浴中におけるＳｎ²⁺の濃度
が２ｇ／リットル（比較例１）、３ｇ／リットル（比較
例２）、８ｇ／リットル（比較例３）、１４ｇ／リット
ル（実施例１）、１８ｇ／リットル（実施例２）、２７
ｇ／リットル（実施例３）になるような量で配合した。

【００６２】上記プレスズメッキの条件は、温度；２５
℃（室温）、メッキ時間１０秒である。こうしてプレメ
ッキした後、本スズメッキを行った。上記無電解本スズ
メッキの条件は、メッキ浴の温度；７０℃、接触時間；
２１０秒間、Ｓｎ²⁺濃度；２０ｇ／リットルに設定して
リード部に平均厚さ０．４５μｍのスズメッキ層を形成
した。第１層目の無電解スズメッキ層の厚さ：第２層目
の無電解メッキ層の厚さの比は１：１０であり、第１層
目の無電解メッキ層が第２層目の無電解メッキ層よりも
薄く形成されている。

【００６３】こうして無電解スズメッキを行った後、水
洗しメッキ層を１３０℃の加熱することにより電子部品
実装用フィルムキャリアテープを製造した。得られた電
子部品実装用フィルムキャリアテープのリード部を観察
してリードえぐれが生じたリードを選んで、この部分の
断面写真を撮影した。この断面写真からリードえぐれの
深さを測定した。結果を図２に示す。

【００６４】

【実施例４〜６および比較例４〜７】実施例１〜３およ
び比較例１〜３において、ソフトエッチング処理を行わ
なかった以外は同様にして電子部品実装用フォルムキャ
リアテープを製造した。得られた電子部品実装用フィル
ムキャリアテープのリード部を観察してリードえぐれが
生じたリードを選んで、この部分の断面写真を撮影し
た。

【００６５】この断面写真からリードえぐれの深さを測
定した。結果を図２に示す。

【００６６】

【実施例７】実施例２において、リード部の無電解本ス
ズメッキを１段階で行った以外は同様にして電子部品実
装用フィルムキャリアテープを製造した。こうして形成
された無電解スズメッキの合計の厚さは０．４５μｍで
あった。得られた電子部品実装用フィルムキャリアテー
プのリード部を観察してリードえぐれが生じたリードを
選んで、この部分の断面写真を撮影した。

【００６７】この断面写真からリードえぐれの深さを測
定したところ、発生したリードえぐれの深さは４μｍで
あり、実施例２よりも深かった。

【００６８】

【実施例８】実施例２において、ソルダーレジストを塗
布する前に配線パターンをソフトエッチングし、次い
で、厚さ０．０３μｍのプレスズメッキ層を無電解スズ
メッキにより形成し、このプレスズメッキ層の上に実施
例２と同様にしてソルダーレジスト層を形成し、ソルダ
ーレジスト層から延出しているリード部に実施例２と同
様にして無電解本スズメッキ層を形成した。なお、こう
して形成されたスズメッキ層の合計の厚さは０．４５μ
ｍであった。

【００６９】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープのリード部を観察してリードえぐれが生じたリー
ドを探したがリードえぐれは発生していなかった。

【００７０】

【実施例９】実施例２において、プレスズメッキ浴にお
けるＳｎ²⁺濃度１５ｇ／リットルに変え、常温におい
て、１０秒、３０秒、６０秒、１２０秒、２１０秒間そ
れぞれプレスズメッキを行った後、本メッキ条件を温
度；７０℃、時間；２１０秒、Ｓｎ²⁺濃度２０ｇ／リッ
トルに設定して本スズメッキを行った。なお、この被メ
ッキ面はソフトエッチングされていない。

【００７１】上記のようにして時間を変えてプレスズメ
ッキを行い、本スズメッキした後のリード部を観察し
た。得られた電子部品実装用フィルムキャリアテープの
リード部を観察してリードえぐれが生じたリードを選ん
で、この部分の断面写真を撮影した。この断面写真から
リードえぐれの深さを測定したところ、プレスズメッキ
時間が長くなるに従って、えぐれ深さは次第に浅くな
り、３０秒と６０秒との間でえぐれ深さが５μｍ程度に
安定する。

【００７２】この結果を図５に示す。

【００７３】

【実施例１０】実施例１において、ソフトエッチングし
たリード表面にプレスズメッキを行わずにＳｎ²⁺濃度を
１５ｇ／リットル、２０ｇ／リットル、２７ｇ／リット
ルと変えて本スズメッキを行った。得られた電子部品実
装用フィルムキャリアテープのリード部を観察してリー
ドえぐれが生じたリードを選んで、この部分の断面写真
を撮影した。

【００７４】この断面写真からリードえぐれの深さを測
定し、結果を次表２に示す。

【００７５】

【表２】

【００７６】なお、この本スズメッキ条件は、メッキ温
度；７０℃、メッキ時間；２１０秒の条件である。上記
の結果から本スズメッキの際におけるＳｎ²⁺濃度を本発
明で規定する範囲にすることにより、プレスズメッキを
行わなくてもえぐれ部の深さが低減される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、無電解スズメッキにより生ずるリード
のえぐれ部を模式的に示す図である。

【図２】図２は、プレスズメッキ浴におけるＳｎ²⁺の濃
度とリードのえぐれ深さ（えぐれ量）との関係を示すグ
ラフである。

【図３】図３は、プレスズメッキ層と本メッキ層とを設
けた態様を示す図である。

【図４】図４は、ソルダーレジスト下にプレスズメッキ
層を設けた態様を示す図である。

【図５】図５は、プレスズメッキ時間とえぐれ深さとの
関係を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河 村 浩 文 山口県下関市彦島西山町１丁目１−１ 株 式会社エム・シー・エス内 Ｆターム(参考） 5F044 MM03 MM23 MM48

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 可撓性絶縁性フィルムに形成された配線
   パターンの少なくともリード部に、Ｓｎ²⁺濃度が１３〜
   ５０ｇ／リットルの無電解スズメッキ浴を用いて短時間
   プレスズメッキを行った後に、該プレメッキが施された
   少なくともリード部に、Ｓｎ²⁺濃度が１３〜５０ｇ／リ
   ットルの範囲内にある無電解スズメッキ浴を用いて本ス
   ズメッキを少なくとも1回行うことを特徴とする電子部
   品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
2. 【請求項２】 上記プレスズメッキを行う前に、スズメ
   ッキ予定面をソフトエッチング処理することを特徴とす
   る請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリア
   テープの製造方法。
3. 【請求項３】 上記配線パターン上にソルダーレジスト
   層を形成した後に、該ソルダーレジスト層によって被覆
   されていないリード部をプレスズメッキし、さらに該リ
   ード部に本スズメッキを少なくとも1回行うことを特徴
   とする請求項第1項または第2項記載の電子部品実装用フ
   ィルムキャリアテープの製造方法。
4. 【請求項４】 上記配線パターン上にソルダーレジスト
   層を形成する前に配線パターン全体にプレスズメッキを
   行った後、リード部を残してソルダーレジスト層を形成
   し、次いで該ソルダーレジスト層によって被覆されてい
   ないリード部に本スズメッキを少なくとも一回行うこと
   を特徴とする請求項第1項または第2項記載の電子部品実
   装用フィルムキャリアテープの製造方法。
5. 【請求項５】 上記プレスズメッキ時間が１０〜２１０
   秒間の範囲内にあることを特徴とする請求項第１項また
   は第２項項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテー
   プの製造方法。
6. 【請求項６】上記本スズメッキ層をプレスズメッキ層よ
   りも厚く形成することを特徴とする請求項第1項または
   第２項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
   製造方法。
7. 【請求項７】上記スズメッキ層が形成されたリード部に
   おけるプレスズメッキ層と本スズメッキ層との合計の平
   均厚さが０．２〜０．７μｍの範囲内にあることを特徴
   とする請求項第１項または第２項記載の電子部品実装用
   フィルムキャリアテープの製造方法。
8. 【請求項８】上記配線パターンが、平均厚さ７〜３５μ
   ｍの電解銅箔をエッチングすることにより形成されたも
   のであることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品
   実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
9. 【請求項９】 可撓性絶縁性フィルムに形成された配線
   パターンのリード部に、Ｓｎ²⁺濃度が１３〜５０ｇ／リ
   ットルの範囲内にある無電解スズメッキ浴を用いて本ス
   ズメッキを少なくとも1回行うことを特徴とする電子部
   品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
10. 【請求項１０】 上記可撓性絶縁性フィルムに形成され
    た配線パターンにスズメッキを行う前に、スズメッキ予
    定面をソフトエッチング処理することを特徴とする請求
    項第９項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 上記本スズメッキ層のリード部におけ
    る平均厚さが０．２〜０．７μｍの範囲内にあることを
    特徴とする請求項第９項または第１０項項記載の電子部
    品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
12. 【請求項１２】上記本スズメッキ層が形成される配線パ
    ターンが、平均厚さ７〜３５μｍの電解銅箔を用いて形
    成されたものであることを特徴とする請求項第９項また
    は第１０項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテー
    プの製造方法。