FR2927072A1 - Procede de fabrication de nanostructures d'elements chalcogenes, notamment de nanostructures dites a une dimension ou 1 d - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un procédé de fabrication de nanostructures d'éléments chalcogènes, incluant :- une étape de formation d'une suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes et,- une étape de nucléation et de croissance desdites particules d'éléments chalcogènes amorphes en nanostructures cristallines desdits éléments chalcogènes.Selon l'invention, ladite étape de formation de ladite suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes inclut une étape de dissolution d'au moins un matériau comportant au moins une phase vitreuse de chalcogénure dans une solution contenant des ions hydroxyles (HO<->).
Description
La présente invention concerne un procédé de fabrication de nanostructures d'éléments chalcogènes, notamment de nanostructures dites à une dimension ou 1D. Dans la présente description, on appelle "nanostructures" des structures dont au moins une dimension a une valeur qui s'exprime en nanomètres, c'est-à-dire dont au moins une dimension est comprise entre 1 et quelques milliers de nanomètres, par exemple 500 voire 700 nm. Parmi les nanostructures, on peut citer, d'une part, les nanoparticules, c'est-à-dire des particules dont les dimensions principales (au nombre de trois) sont nanométriques. On distingue alors les nanoparticules 3D (par exemple des particules sous forme d'ellipsoïde), des nanoparticules 2D (par exemple des plaquettes) et des nanoparticules 1D c'est à dire les nanotubes, nanofibres, nanofils et les nanobarres dont une dimension principale est au moins micrométrique et dont les autres dimensions sont nanométriques (dans le sens donné ci-dessus). Parmi ces dernières nanostructures, les nanobarres sont les plus courtes comparées aux nano fils, nanofibres et nanotubes.
Les nanostructures à une dimension (dites aussi 1 D) sont aujourd'hui l'objet de recherches intensives dues à leurs intéressantes propriétés, par exemple piézoélectriques utilisées notamment dans des capteurs de pression, semi-conductrices utilisées notamment dans des cellules photosensibles. On pourra se reporter, pour des exemples d'autres applications, aux publications suivantes : - Bin Zhang, Wei Dai, Xingchen Ye, Weiyi Hou, Yi Xie. Solution-phase synthesis and electrochemical hydrogen storage of ultra-long single-crystal selenium submicrotubes. J. Phys. Chem. B, 109:22830-22835, 2005, publication relative à l'utilisation pour le stockage d'hydrogène, - Peng Liu, Yurong Ma, Weiwei Cai, Zhenzhong Wang, Jian Wang, Limin Qi, Dongmin Chen Photoconductivity of single-crystalline selenium nanotubes. Nanotechnology, 18:205704-205709, 2007, publication relative à l'utilisation pour des cellules photovoltaïques, - Sudip Nath, Sujit Kumar Ghosh, Sudipa Panigahi, Thomas Thundat, and Tarasankar Pal Synthesis of selenium nanoparticle and its photocatalytic application for decolorization of methylene blue under uv irradiation. Langmuir, 20:7880--7883, 2004, pour une utilisation particulière liée à la décoloration du bleu de méthylène. Les nanostructures de ce type connues sont par exemple constituées de filaments cylindriques de diamètre de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres et de longueur de l'ordre de plusieurs microns.
Les matériaux concernés par la présente demande de brevet sont à base d'atomes de chalcogène, c'est-à-dire d'atomes présents dans la colonne 16 (anciennement dite colonne VIA) du tableau périodique des éléments, et plus particulièrement des atomes de sélénium et/ou de tellure.
Par exemple, le sélénium existe en diverses structures cristallines dont la principale, dite trigonale, consiste en des chaînes en hélice d'atomes de sélénium qui sont toutes parallèles à l'axe c cristallographique. Cette structure trigonale a la propriété d'être plus stable d'un point de vue thermodynamique ce qui lui confère son intérêt pour de nombreuses applications.
Différents procédés sont connus pour synthétiser de telles nanostructures 1D. A titre d'exemple, on peut citer l'article intitulé "A nove/ route controlled synthesis of selenium nanowires" au nom Yuan-tao Chen and Co et paru dans Materials Letters 58 (2004), pages 2761 à 2763, qui décrit donc un procédé qui consiste à dissoudre dans une solution d'éthylènediamine une poudre de sélénium utilisée en tant que précurseur de sélénium, puis la solution obtenue dans de l'eau distillée. Selon les auteurs, très rapidement, la solution devient rouge brique ce qui est le signe de la présence de nanoparticules de sélénium amorphe. Puis, cette couleur rouge brique évolue lentement vers un gris noir. Cette évolution peut être accélérée en soumettant la solution à des ultrasons produisant un effet de cavitation acoustique. La solution grise noire est en définitive constituée de nanostructures de sélénium trigonal. Après un certain temps, la solution est centrifugée, lavée à l'eau distillée et à l'alcool puis séchée à l'air. Ces auteurs ont ainsi obtenu des nanotubes de diamètre d'environ 50 nanomètres et de longueurs comprises entre 5 et 20 micromètres. Dans un article intitulé "Single Crystalline Trigonal Selenium Nanotubes and Nanowires Synthesized by Sonochemical Process", paru dans Crystal Growth & Design vol.5 (2005) pages 911 à 916, Xuemei Li and Co décrivent un procédé consistant en la réduction d'acide sélénien (H2SeO3) dans divers solvants, notamment de l'hydrate d'hydrazine (N2H4-H2O) et en l'excitation du mélange au moyen d'ultrasons. Des nanotubes de sélénium trigonal ont été ainsi obtenus. Ils présentaient des diamètres inférieurs à 200 nanomètres. Des nanofils de sélénium trigonal ont également été obtenus. Ils présentaient des diamètres compris entre 20 et 50 nanomètres. Les deux procédés, qui ont été succinctement décrits ci-dessus, ne sont que deux exemples parmi d'autres.
Le but de la présente invention est de proposer un nouveau procédé de fabrication de nanostructures d'éléments chalcogènes qui soit plus simple à mettre en oeuvre et plus conforme aux normes de sécurité et environnementales, notamment en ce qui concerne l'utilisation de solvants organiques, de gaz toxiques, etc.
Un tel procédé inclut dans un processus continu : - une étape de formation d'une suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes et, - une étape de nucléation et de croissance desdites particules d'éléments chalcogènes amorphes en nanostructures cristallines desdits éléments chalcogènes.
Alors que l'étape de nucléation et croissance peut être une étape classique telle que celles qui sont décrites dans les documents mentionnés ci-dessus, selon l'invention, l'étape de formation de ladite suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes inclut une étape de dissolution d'au moins un matériau comportant au moins une phase vitreuse de chalcogénure dans une solution contenant des ions hydroxyles (HO-). Parmi les solutions qui ont présenté des propriétés intéressantes, outre l'eau, on peut citer : une base X-OH avantageusement forte telle que la soude Na-OH, un alcool R-OH en solution ou pas dans l'eau, un acide X- H ou acide carboxylique R-COOH en solution dans l'eau.
Par exemple, l'eau et la soude à pH = 12 en tant que solutions contenant au moins des ions hydroxyles (HO-) ont donné des résultats avantageux, notamment en terme de temps d'apparition de particules cristallines d'élément chalcogène. En tant que matériau de départ, ledit matériau comportant au moins une phase vitreuse est par exemple un verre ou une vitrocéramique. Ladite ou une desdites phases vitreuses de chalcogénure est une phase vitreuse de séléniure ou de tellurure ou de séléniure et tellurure. De plus, ladite phase vitreuse est à base de l'un au moins des éléments suivants : Ge, Si, Sn, Ga, As, In, Sb, S. Les verres suivants et les vitrocéramiques, dont la phase vitreuse correspond à ces verres, ont donné des résultats intéressants : AsxSei_x; AsxTei_x; GaxSei_x; GaxTe]_x; SixSei_x ; SixTei_x ; GexSe1_x ; GexTei_x ; AsxSeySi_x_y ; AsxTeySi_x_y ; AsxSeySbl_x_,, ; AsXTeySbl_x_y ; AsxSeyTei_x_y ; GexAsySe1_ x_y ; GexAsyTe1_x_y ; GexGaySel_x_y ; GexGayTe1_x_y ; GexSiySei_x_y ; GexSiyTe]_x_y ; GexSySel_x ; GexSyTe1_x ; GexSnySe1_x ; GexSnyTei_x ; GexPbySei_x ; Ge,,PbyTei_x ; Ge,,SbySei_x ; Ge,,SbyTei_x ; SixSySei_x ; SixSyTei_X ; SixSnySel_x ; SixSnyTei_x ; SixPbySei_x ; Si,PbyTei_x SixSbySei_x SixSbyTei_x ; GexSeyTei_x_y ; SixSeyTei_x_y; GexGaySeZTei _x_y_z Afm d'augmenter la vitesse de réaction de l'étape de formation d'une suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes, ladite solution contenant au moins des ions hydroxyles (HO-) est chauffée. Pour les mêmes raisons, ladite solution peut être soumise à l'action d'ondes ultrasonores, créant un effet de cavitation acoustique.
Afm d'accroître le rapport surface/volume du verre ou du matériau à phase vitreuse de manière à augmenter la vitesse de dissolution, ladite étape de dissolution est précédée d'une étape de broyage dudit ou d'au moins l'un des verres ou des matériaux à phase vitreuse. Par exemple, un broyage aboutissant à des particules de quelques dizaines de micromètres à quelques centaines de nanomètres a donné entière satisfaction. Avantageusement, ledit procédé inclut une étape de récupération des particules de sélénium trigonal mise en oeuvre pendant l'étape de nucléation et de croissance. Si on utilise un bloc de verre ou un bloc d'un matériau à phase vitreuse, des particules de sélénium trigonal se développent à la surface de l'échantillon massif, tandis que d'autres se développent en solution puis retombent et croissent au fond du récipient. Dans le cas ou l'échantillon de verre ou d'un matériau à phase vitreuse est préalablement broyé, des particules surnagent et croissent à l'interface air liquide tandis que d'autres nucléent et croissent au fond du récipient. Dans le premier cas, un grattage mécanique de la couche superficielle de particules de sélénium trigonal déposées sur le bloc de verre permet de libérer la surface du matériau qui sinon se trouve obstruée par la couche formée par les dites particules. Les particules se trouvant au fond du bécher peuvent être, par exemple par soumission à des ondes ultrasonores, décollées du fond du bécher, mises en solution pour être prélevées et récupérées après décantation et lavage. On pourra au préalable vider la solution de la réaction pour la remplacer par un solvant adéquat comme de l'éthanol ou de l'acétone. Pour le cas des particules surnageantes ? une technique de Langmuir B lodgett peut être utilisée pour récupérer et/ou déposer les particules surnageant à la surface du liquide sur un substrat, par exemple une lame de microscope par mise en oeuvre des lois de capillarité et de tension superficielle du liquide. Cette dernière peut être modifiée par l'ajout de tensioactifs. Il est également possible de placer un substrat, par exemple de verre et ou d'un polymère, par exemple de type HDPE (polyéthylène à haute densité), de manière immergée dans la solution de départ. Après réaction, sa surface sera recouverte d'un film de particules de sélénium trigonal. Enfm, à tout moment, il est possible soit de stopper la réaction, soit de prélever et de réserver toute ou partie de la solution colloïdale et de continuer le processus de nucléation et croissance afin d'obtenir une meilleure homogénéité de la taille des particules de chalcogénures cristallines synthétisées. On considère dans la suite de la description, à titre d'exemple, l'application du procédé de l'invention à la fabrication de nanostructures de sélénium à partir d'un verre de chalcogénure de composition Ge,(Seioo_X où x est compris entre 0 et 40. Ce type de verre a une structure formée de chaînes ou anneaux constituée d'atomes de sélénium Seä (généralement n = 6 pour x = 20) emprisonnés dans un réseau d'atomes de germanium tétravalents qui sont reliés entre eux par un atome de sélénium divalent. La liaison Ge-Se est légèrement polarisée. La solvatation du verre de chalcogénure est réalisée dans une solution aqueuse, c'est-à-dire une solution qui contient des ions HO-. Les ions HO-de la solution aqueuse présentent une polarisation qui va permettre une hydrolyse de la liaison Ge-Se. Cette réaction d'hydrolyse permet la libération dans la solution d'anneaux et de chaînes de sélénium Seä présents dans le verre qui, à leur tour, se rassemblent pour former une suspension colloïdale de nanosphères de sélénium amorphe. Dans le cas du sélénium, la présence de ces particules sphériques amorphes est avérée par la couleur rouge tomate ou rouge brique de la solution. La réaction d'hydrolyse est facilitée par l'apport d'énergie sous forme de chaleur. On notera que les mêmes réactions sont mises en oeuvre lorsque le matériau de départ n'est plus un verre à part entière mais est une vitrocéramique qui contient donc une phase vitreuse de chalcogénure.
Des mesures effectuées sur les particules colloïdales amorphes présentes dans la solution ont révélé un diamètre moyen d'environ 250 nm. Les données statistiques de ces mesures sont les suivantes : nombre de particules mesurées 131, diamètres mini de 170 nm et maxi de 600 nm, largeur à mi-hauteur de la courbe de répartition en diamètre 70 nm.
Ces nanosphères de chalcogène amorphes, du fait de leur instabilité, dans une seconde étape de procédé de l'invention, cristallisent sous la forme de nanoparticules 3D, telles que des sphères poly-cristallines métastables qui se transforment alors en nanoparticules de sélénium trigonal à une dimension (dites également 1D), telles que des nanofils, des nanofibres, des nanobarres et en des tubes nanométriques (nanotubes), voire micrométriques, diamètres mesurés allant de 10 nanomètres à 7 micromètres. Le processus qui est alors mis en oeuvre ici est connu sous le nom de processus de maturation d'Ostwald. Un tel processus est décrit dans un article intitulé "On the Critical Radius in Ostwald Ripening" Langmuir 2004, 20, 2975-2976.
Au cas où le verre utilisé dans la première étape est à base de sélénium, les nanoparticules sont constituées de sélénium trigonal. Plus précisément, ont pu être observés les produits finaux de cette réaction suivants : - des sphères poly-cristallines de sélénium trigonale de couleur caractéristique rouge-brun et de diamètre moyen égal à environ 270 nm, - des nanofils monocristallins de sélénium trigonal de diamètre moyen d'environ 10 à 40 nm et de longueur de quelques micromètres, - des barres de section hexagonale de 100 à 300 nm de diamètre et longueur allant de quelques micromètres à plusieurs centaines de micromètres, ainsi que - des tubes de section hexagonale de 2 à 3, voire 7, micromètres de diamètre et de longueur millimétrique, le diamètre interne étant de l'ordre de 400 à 500 nm. On a fabriqué des nanostructures de sélénium à partir d'un verre de chalcogénure de composition Ge,(Seioo_x où x est compris entre 0 et 40. Trois exemples de réactions, dont les réactifs et les conditions expérimentales sont différents, ont été mis en oeuvre.
On a procédé ainsi. La solution aqueuse est versée dans un récipient qui contient le verre de chalcogénure. Afm d'augmenter le rapport surface de verre exposé/volume du verre et ainsi augmenter la surface de réaction entre le verre et la solution aqueuse et, par conséquent, la vitesse de réaction, le verre de chalcogénure est avantageusement broyé préalablement.
Il peut être nécessaire également de polir les surfaces exposées du verre de chalcogénure afin de les débarrasser de leur éventuelle couche d'oxyde. Toujours afin d'augmenter la vitesse de réaction, l'ensemble verre/solution aqueuse est chauffé, par exemple dans une étuve ou un autoclave ou encore par bain-marie. 10 Réaction 1 :
Cette réaction consiste à faire réagir un échantillon massif de verre de sélénium Ge20Se8o avec de l'eau dé-ionisée maintenue à une température de 90° C, et ce dans les 5 quantités et conditions décrites par le tableau ci-dessous. Nature Quantité S/V* (cm-') T(°C) Verre Ge20Se80 Disque de rayon 5,9 mm 0,08 90 et d'épaisseur 1,45 mm Solvant eau dé-ionisée 35 ml *SN : ratio entre la surface du matériau exposée et volume total de la solution. Les produits observés à la surface d'échantillon en fonction du temps de la réaction sont donnés dans le tableau ci-dessous: Instant Etat des produits Longueur / Diamètre Remarques 2 heures Production de sélénium trigonal Diamètre : 145 nm Cristaux en bâtonnets, Longueur : 2,5 m section hexagonale 4 heures Production de sélénium trigonal Diamètre : 200 nm Cristaux 1D sous forme de Longueur : 25-30 m barre de section hexagonale 768 Production de sélénium trigonal Barres de diamètre Barres et tubes de section heures 2000-6000 nm hexagonale Tubes de diamètre intérieur : 500 nm, de diamètre extérieur : 1000-4000 nm et longueur millimétrique 7 Après analyse des produits de la réaction selon la méthode de spectroscopie Raman et de diffraction d'électrons, on constate que la réaction décrite ci-dessus produit des nanotubes monocristallins de sélénium trigonal de section hexagonale dont les dimensions ont été définies après observation en microscopie électronique à balayage, en transmission ou à forces atomiques. Cette réaction permet d'obtenir, après 32 jours, des barres de diamètre de 2 à 6 m et des tubes de diamètre interne de 0,5 m et de diamètre externe de 1 à 41_tm, ces deux types de structure ayant une longueur millimétrique.
Réaction 2 : Des résultats semblables ont été obtenus avec un échantillon massif (disque de rayon 5,9 mm et d'épaisseur 1,45 mm) d'un verre de sélénium Ge5Se95 que l'on a fait réagir dans de l'eau dé-ionisée à une température de 65° C pendant 150 heures. Des nanotubes de longueur micrométrique et de diamètre de quelques centaines de nanomètres ont ainsi été obtenus.
Réaction 3 : Cette réaction consiste à faire réagir un échantillon massif de verre de sélénium Ge25Se75 avec de l'eau dé-ionisée, et ce dans les quantités et conditions décrites par le tableau ci-dessous. Nature Quantité S/V (cm') T (°C) Verre Ge25Se75 Bloc de 15x5x3 mm3 0,068 -première réaction : 65°C pendant 26 heures - seconde réaction : 85°C pendant 144 heures Solvant eau dé-ionisée 40 ml Les produits de la réaction en fonction du temps sont donnés dans le tableau ci-25 dessous: Instant Etat des produits Longueur / Diamètre Remar• ues La surface de 26 heures Production de Quelques structures 1D de l'échantillon est recouverte sélénium différentes tailles, 10-30 m d'une couche dense de trigonal de long pour un diamètre de bâtonnets de diamètre moyen quelques centaines de égal à 300 mn et de longueur nanomètres moyenne de l'ordre du micromètre Barres de section hexagonales 144 heures Production de Diamètre moyen de 1 m recouvrant totalement la sélénium pour des longueurs surface de l'échantillon. trigonal supérieures à 200 m Ratio longueur/diamètre supérieur à 200 Après analyse des produits de la réaction selon la méthode de spectroscopie Raman et de diffraction d'électrons, on constate que la réaction décrite ci-dessus produit des nanotubes de sélénium trigonal de section hexagonale dont les dimensions ont été défmies après observation au microscope électronique à balayage. On observe des barres et des tubes de diamètre moyen 1 m et de longueur supérieure à 200 m. De ces expériences, on a pu observer que les éléments qui sont en suspension dans la solution et qui donnent une couleur rose à rouge brique suivant leur concentration, sont des nanoparticules sphériques de nature amorphe, que les nanosphères qui apparaissent au début de l'étape de cristallisation et qui se trouvent au fond du bécher, sont de nature polycristalline et qu'enfin, les structures ID sont elles de nature monocristalline de type hexagonale (aussi appelée trigonale). Généralement, selon les conditions de la réaction, on a également pu observer plusieurs tailles de structures 1 D : des fils de diamètre de l'ordre de 10 nm et de longueur micrométrique ; des barres de diamètre d'environ 50 nm et de longueur plusieurs fois micrométrique ; des barreaux de diamètre supérieur à 100 nm et de plusieurs micromètres de longueur. On a pu mesurer des nanosphères de diamètre moyen de l'ordre de 250 nm.
On a également mis en évidence la présence d'hydroxyde de germanium Ge(OH)4 se présentant sous forme de plaquettes. On a également mené un ensemble d'expériences avec différentes solutions aqueuses. Les conditions expérimentales sont les suivantes: 0,5 gramme de poudre d'un verre de chalcogénure Ge20Se8o est placé dans 10 millilitres d'une solution aqueuse. On a ensuite procédé à une agitation par action d'ondes ultrasonores pendant environ une minute puis à un étuvage pendant 24 heures à 80° C. Les solutions aqueuses qui ont été ainsi utilisées ont été les suivantes : eau distillée, acide nitrique de pH = 3,4 acide chlorhydrique de pH = 3 soude de pH = 12 éthanol absolu.
Toutes ces expériences ont permis d'obtenir des nano ou micro particules 1 D de sélénium trigonal. La taille (longueur, diamètre) des particules produites, ainsi que leur quantité relative (estimation), sont reportées dans le tableau ci-dessous. Seule la solution contenant de la soude Na-OH a permis, en 24 heures, d'obtenir des tubes en très grande quantité comparativement aux autres conditions testées.
Longueur Variance Nb Diamètre Variance Nb Quantités ( m) mesures ( m) mesures d'objets produits Na-OH 344,10 254,60 124 1,12 0,67 166 Importante H20 2,66 1,44 112 0,11 0,09 212 Moyenne HC1 2,58 1,60 106 0,18 0,09 137 Moyenne HNO3 4,75 2,47 112 0,17 0,10 256 Moyenne Ethanol 0,63 0,26 27 0,07 0,02 27 Très faible , Enfm, on a également mis une poudre de verre de tellurure Ge20Te8o dans une solution de soude NaOH dont le pH est égal à 12 et que l'on a chauffée à une température de l'ordre de 80° C. On a pu constater la formation de barres de tellure trigonal d'environ 5 micromètres de longueur ainsi que de fils de longueur micrométrique.
Claims (16)
1) Procédé de fabrication de nanostructures d'éléments chalcogènes, incluant : - une étape de formation d'une suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes et, - une étape de nucléation et de croissance desdites particules d'éléments chalcogènes amorphes en nanostructures cristallines desdits éléments chalcogènes, caractérisé en ce que ladite étape de formation de ladite suspension colloïdale de particules d'éléments chalcogènes amorphes inclut une étape de dissolution d'au moins un matériau comportant au moins une phase vitreuse de chalcogénure dans une solution contenant des ions hydroxyles (HO-).
2) Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite solution contenant des ions hydroxyles comprend au moins une des solutions suivantes : H20, R û COOH (Acides carboxyliques) Rû OH (Alcool) X-OH (Base forte) X-H (Acide fort).
3) Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 2, caractérisé en ce que le pH de ladite solution est supérieur ou égal à 7.
4) Procédé de fabrication de nanostructures selon les revendications 2 à 3, caractérisé en ce que ladite solution est de l'eau.
5) Procédé de fabrication de nanostructures selon les revendications 2 à 3, caractérisé en ce que ladite solution aqueuse est une base de type X-OH, avantageusement NaOH, ou KOH. 30
6) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la ou une desdites phases vitreuses dudit matériau25comprend une phase vitreuse de séléniure ou de tellurure ou une phase vitreuse de séléniure et tellurure.
7) Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 6, caractérisé 5 en ce que ladite ou une desdites phases vitreuses est à base de l'un au moins des éléments suivants : Ge, Si, Sn, Ga, As, In, Sb, S.
8) Procédé de fabrication de nanostructures selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite ou une desdites phases vitreuses comprend au moins un verre de 10 formule chimique suivante : As Sei_x ; As Tei_x ; GaxSel_x ; GaXTei_X ; SixSel_x ; SixTe~_x ; GexSel_x ; GeXTe1_x ; AsxSeySI_X_y ; AsXTeySI_,t_y ; AsXSeySbl_X_y ; AsxTeySbl_x_y ; AsxSeyTel_x_y ; GexAsySel_ x_y ; GexAsyTel_x_y ; GexGaySel_x_y ; Ge,(GayTel_x_y ; GexSiySel_x_y ; GeXSiyTel_x_y ; 15 GexSySel_x ; GexSyTel_), ; GexSnySel_x ; Ge,,SnyTel_x ; Ge,,PbySel_x GexPbyTel_x ; GexSbySel_x GexSbyTel_x ; SixSySel_x ; SixSyTel_x SixSnySel_x ; SixSnyTel_x SixPbySel_x SixPbyTel_x ; SixSbySel_x SixSbyTel_x ; GexSeyTel_x_y ; SixSeyTel_x_y; GexGaySe1Te1_x_y_Z. 20
9) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste à chauffer au-dessus de la température ambiante ladite solution d'ions HO-.
10) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications 25 précédentes, caractérisé en ce que la température de chauffage est avantageusement supérieure ou égale à 65°C.
11) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste préalablement à ladite étape de dissolution 30 à broyer ledit ou au moins le matériau à phase vitreuse.
12) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la réaction de nucléation et de croissance peut être activée par agitation ultrasonore.
13) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la réaction de nucléation et de croissance peut être stoppée à tout moment.
14) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la solution contenant la suspension colloïdale peut être prélevée et réservée pour obtenir une répartition plus homogène de la taille des particules d'éléments chalcogènes.
15) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il inclut une étape de récupération des particules d'éléments chalcogènes mise en oeuvre pendant l'étape de nucléation et de croissance. 15
16) Procédé de fabrication de nanostructures selon une des revendications précédentes, caractérisé en la possibilité de placer un substrat dans la solution au cours de la réaction de nucléation et de croissance de manière à y déposer une couche de nanoparticules d'éléments chalcogènes. 10
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